TW201715506A - 移位暫存器 - Google Patents

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Abstract

一種移位暫存器，包括一電壓設定單元、一驅動單元、一控制單元、一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體、以及一第四電晶體。電壓設定單元提供一端點電壓。驅動單元依據端點電壓及一時脈信號提供一主閘極信號。控制單元提供一控制信號。第一電晶體接收端點電壓、一準位參考信號及控制信號。第二電晶體耦接第一電晶體且接收一低電壓及控制信號。第三電晶體接收端點電壓、準位參考信號以一閘極參考信號。第四電晶體耦接第三電晶體且接收低電壓及閘極參考信號。

Description

移位暫存器
本發明是有關於一種移位暫存器，且特別是有關於一種配置於顯示面板的移位暫存器。
近年來，隨著半導體科技蓬勃發展，攜帶型電子產品及平面顯示器產品也隨之興起。而在眾多平面顯示器的類型當中，液晶顯示器（Liquid Crystal Display, LCD）基於其低電壓操作、無輻射線散射、重量輕以及體積小等優點，隨即已成為各顯示器產品之主流。也亦因如此，無不驅使著各家廠商針對液晶顯示器的開發技術要朝向更微型化及低製作成本發展。
為了要降低液晶顯示器的製作成本，將原先配置於閘極驅動器內部的移位暫存器（shift register）轉移至直接配置在液晶顯示面板的玻璃基板（glass substrate）上。其中，在移位暫存器的操作期間輸出掃描信號（如主閘極信號或次閘極信號）以開啟液晶顯示面板內對應的一列畫素。一般而言，製作玻璃基板上的移位暫存器主要會由多顆薄膜電晶體（thin film transistor，TFT）所組成，但受限於制程的影響，薄膜電晶體的電性可能會造成移位暫存器的驅動能力不足，因此如何使薄膜電晶體構成的移位暫存器正常運作，則成為設計移位暫存器的一個重點。
本發明提供一種移位暫存器，其降低薄膜電晶體的漏電流。
本發明的移位暫存器，包括一電壓設定單元、一驅動單元、一第一控制單元、一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體、以及一第四電晶體。電壓設定單元接收一第一閘極參考信號，以提供一端點電壓。驅動單元接收端點電壓及一時脈信號，以依據端點電壓及時脈信號提供一主閘極信號。第一控制單元接收一第一閂鎖參考信號、端點電壓及一第一低電壓，以提供一第一控制信號。第一電晶體具有接收端點電壓的一第一端、接收一準位參考信號的一第二端、以及接收第一控制信號的一控制端。第二電晶體具有耦接第一電晶體的第二端的一第一端、接收一第二低電壓的一第二端、以及接收第一控制信號的一控制端。第三電晶體具有接收端點電壓的一第一端、接收準位參考信號的一第二端、以及接收一第二閘極參考信號的一控制端。第四電晶體具有耦接第三電晶體的第二端的一第一端、接收第二低電壓的一第二端、以及接收第二閘極參考信號的一控制端。
基於上述，本發明實施例的移位暫存器，其端點電壓的放電路徑是雙閘極結構，並且串接的電晶體中插入一個中間電壓準位，藉此降低電晶體所產生的漏電流。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1為依據本發明第一實施例的移位暫存器的電路示意圖。請參照圖1，在本實施例中移位暫存器100包括電壓設定單元110、驅動單元120、第一控制單元130、及電晶體T1~T4（對應本案第一電晶體至第四電晶體）。其中，電晶體T1~T4可以是氧化銦鎵鋅(Indium-Gallium-Zinc Oxide, IGZO)薄膜電晶體，但本發明實施例不以此為限。
電壓設定單元110接收第一閘極參考信號GR1以提供端點電壓VQ，亦即依據第一閘極參考信號GR1設定端點電壓VQ的電壓準位。驅動單元120接收端點電壓VQ及時脈信號HC1，以依據端點電壓VQ及時脈信號HC1提供主閘極信號Gm。舉例來說，當端點電壓VQ及時脈信號HC1同時為高電壓準位時，提供致能的主閘極信號Gm，亦即抬高主閘極信號Gm的電壓準位；當端點電壓VQ為低電壓準位時，不論時脈信號HC1為高電壓準位準位或低電壓準位，皆不會抬高主閘極信號Gm的電壓準位。
第一控制單元130接收第一閂鎖參考信號LC1、端點電壓VQ及第一低電壓VSS_1以提供第一控制信號CS1。舉例來說，當端點電壓VQ為低電壓準位時，第一控制單元130至能第一控制信號CS1，亦即抬高第一控制信號CS1的電壓準位；當端點電壓VQ為低電壓準位時，第一控制單元130禁能第一控制信號CS1，亦即降低第一控制信號CS1的電壓準位。其中，第一閂鎖參考信號LC1可以為固定電壓準位，例如為閘極高電壓VGH，或者是一時脈信號，例如為時脈信號HC1，但本發明實施例不以此為限。
電晶體T1（對應本案第一電晶體）的汲極（對應第一端）接收端點電壓VQ，電晶體T1的源極（對應第二端）接收準位參考信號，電晶體T1的閘極（對應控制端）接收第一控制信號CS1。電晶體T2（對應本案第二電晶體）的汲極（對應第一端）耦接電晶體T1的源極，電晶體T2的源極（對應第二端）接收第二低電壓VSS_2，電晶體T2的閘極（對應控制端）接收第一控制信號CS1。其中，準位參考信號設定為小於等於端點電壓VQ並且大於第二低電壓VSS_2的電壓準位，並且在此以主閘極信號Gm為例，但本發明實施例不以此為限。並且，第二低電壓VSS_2可小於等於第一低電壓VSS_1，例如第一低電壓VSS_1為-6伏特，第二低電壓VSS_2可以為-6或-8伏特，此可依據本領域通常知識者而定，本發明實施例不以此為限。
電晶體T3（對應本案第三電晶體）的汲極（對應第一端）接收端點電壓VQ，電晶體T3的源極（對應第二端）接收主閘極信號Gm（亦即準位參考信號），電晶體T3的閘極（對應控制端）接收第二閘極參考信號GR2。電晶體T4（對應本案第四電晶體）的汲極（對應第一端）耦接電晶體T3的源極，電晶體T4的汲極（對應第二端）接收第二低電壓VSS_2，電晶體T4的閘極（對應控制端）接收第二閘極參考信號GR2。
依據上述，在移位暫存器100的端點電壓VQ的放電路徑是雙閘極（Dual Gate）結構，亦即由兩個串接的電晶體所構成，並且串接的電晶體中插入一個中間電壓準位，藉此降低電晶體所產生的漏電流。
在本實施例中，第一閘極參考信號GR1的致能期間早於主閘極信號Gm的致能期間，主閘極信號Gm的致能期間早於第二閘極參考信號GR2的致能期間。舉例來說，第一閘極參考信號GR1可以是前n級移位暫存器所提供的主閘極信號Gm或閘極起始信號，第二閘極參考信號GR2可以是後n級移位暫存器所提供的主閘極信號Gm，其中n為大於等於1的正整數，並且n是依據電路設計而定。
電壓設定單元110包括電晶體T5（對應本案第五電晶體。電晶體T5的汲極（對應第一端）接收第一閘極參考信號GR1，電晶體T5的源極（對應第二端）提供端點電壓VQ，電晶體T5的閘極（對應控制端）接收第一閘極參考信號GR1。
驅動單元120包括第一電容C1及電晶體T6（對應本案第六電晶體），其中電晶體T6可以是氧化銦鎵鋅薄膜電晶體。電晶體T6的汲極（對應第一端）接收時脈信號HC1，電晶體T6的源極（對應第二端）提供主閘極信號Gm，電晶體T6的閘極（對應控制端）接收端點電壓VQ。第一電容C1耦接於電晶體T6的閘極與源極之間。
第一控制單元130包括電晶體T7~T10（對應本案第七電晶體至第十電晶體），其中電晶體T7~T10可以是氧化銦鎵鋅薄膜電晶體，但本發明實施例不以此為限。電晶體T7（對應本案第七電晶體）的汲極（對應第一端）接收第一閂鎖參考信號LC1，電晶體T7的閘極（對應控制端）耦接電晶體T7的汲極。電晶體T8（對應本案第八電晶體）的汲極（對應第一端）耦接電晶體T7的源極（對應第二端），電晶體T8的源極（對應第二端）接收第一低電壓VSS_1，電晶體T8的閘極（對應控制端）接收端點電壓VQ。
電晶體T9（對應本案第九電晶體）的汲極（對應第一端）接收第一閂鎖參考信號LC1，電晶體T9的源極（對應第二端）提供第一控制信號CS1，電晶體T9的閘極（對應控制端）耦接電晶體T7的源極。電晶體T10（對應本案第十電晶體）的汲極（對應第一端）耦接電晶體T9的源極，電晶體T10的源極（對應第二端）接收第一低電壓VSS_1，電晶體T10的閘極（對應控制端）接收端點電壓VQ。
圖2為依據本發明第二實施例的移位暫存器的電路示意圖。請參照圖1及圖2，移位暫存器200大致相同於移位暫存器100，其不同之處在於移位暫存器200的電壓設定單元210、驅動單元220、及電晶體T16（對應本案第十六電晶體），並且電晶體T1及T3的源極接收次閘極信號Gn（即準位參考信號）。其中，電晶體T16可以是氧化銦鎵鋅薄膜電晶體。
電壓設定單元210接收第一閘極參考信號GR1、第三閘極參考信號GR3及主閘極信號Gm以提供端點電壓VQ。驅動單元220接收端點電壓VQ及時脈信號HC1，以依據端點電壓VQ及時脈信號HC1提供主閘極信號Gm及次閘極信號Gn。其中，主閘極信號Gm及次閘極信號Gn的致能期間為完全重疊，並且第一閘極參考信號GR1及第三閘極參考信號GR3的致能期間為完全重疊，亦即第三閘極參考信號GR3可以是前n級移位暫存器所提供的主閘極信號Gm或次閘極信號Gn，此可依據本領域通常知識者而定。
電晶體T16的汲極（對應第一端）接收主閘極信號Gm，電晶體T16的源極（對應第二端）接收第三低電壓VSS_3，電晶體T16的閘極（對應第三端）接收第一控制電壓CS1，其中第一低電壓VSS_1高於第二低電壓VSS_2，第二低電壓VSS_2高於第三低電壓VSS_3，例如第一低電壓VSS_1、第二低電壓VSS_2及第三低電壓VSS_3可以分別為-6、-8及-10伏特，但本發明實施例不以此為限。
依據上述，透過提供多個不同電壓準位的低電壓，可避免電晶體處於負臨界電壓時部分的電晶體仍然正常運作，進而避免移位暫存器200產生誤動作。
在本實施例中，驅動單元220包括第二電容C2、及電晶體T11、T12（對應本案第十一電晶體及第十二電晶體），其中電晶體T11、T12可以是氧化銦鎵鋅薄膜電晶體。電晶體T11（對應本案第十一電晶體）的汲極（對應第一端）接收時脈信號HC1，電晶體T11的源極（對應第二端）提供次閘極信號Gn，電晶體T11的閘極（對應控制端）接收端點電壓VQ。電晶體T12（對應本案第十二電晶體）的汲極（對應第一端）接收時脈信號HC1，電晶體T12的源極（對應第二端）提供主閘極信號Gm，電晶體T12的閘極（對應控制端）接收端點電壓VQ。第二電容C2耦接於電晶體T12的閘極與源極之間。
電壓設定單元210包括電晶體T13~T15（對應本案第十三電晶體至第十五電晶體），其中電晶體T13~T15可以是氧化銦鎵鋅薄膜電晶體。電晶體T13（對應第十三電晶體）的汲極（對應第一端）接收第一閘極參考信號GR1，電晶體T13的閘極（對應控制端）接收第三閘極參考信號GR3。電晶體T14（對應第十四電晶體）的汲極（對應第一端）耦接電晶體T13的源極（對應第二端），電晶體T14的源極（對應第二端）提供端點電壓VQ，電晶體T14的閘極（對應控制端）接收第三閘極參考信號GR3。電晶體T15（對應第十五電晶體）的源極（對應第一端）耦接電晶體T13的源極，電晶體T15的汲極（對應第二端）接收主閘極信號Gm，電晶體T15的閘極（對應控制端）接收主閘極信號Gm。
依據上述，當第一閘極參考信號GR1及第三閘極參考信號GR3致能時，電晶體T13及T14會導通以透過致能的第一閘極參考信號GR1設定端點電壓VQ，但電晶體T15會呈現逆偏而不導通，因此致能的第一閘極參考信號GR1不會影響主閘極信號Gm；當第一閘極參考信號GR1及第三閘極參考信號GR3禁能且主閘極信號Gm致能時，電晶體T15會呈現順偏，以在串接的電晶體T13、T14中插入一個中間電壓準位。
圖3為依據本發明第三實施例的移位暫存器的電路示意圖。請參照圖2及圖3，移位暫存器300大致相同於移位暫存器200，其不同之處在於移位暫存器300的電晶體T17（對應本案第十七電晶體），其中電晶體T17可以是氧化銦鎵鋅薄膜電晶體。電晶體T17的汲極（對應第一端）接收端點電壓VQ，電晶體T17的源極（對應第二端）接收第一低電壓VSS_1，電晶體T17的閘極（對應控制端）接收第二閘極參考信號GR2。
圖4為依據本發明第四實施例的移位暫存器的電路示意圖。請參照圖2及圖4，移位暫存器400大致相同於移位暫存器200，其不同之處在於移位暫存器400的第二控制單元410及電晶體T18~T20（對應本案第十八電晶體至第二十電晶體），其中第二控制單元410的電路運作大致相同於於第一控制單元130，並且電晶體T18~T20可以是氧化銦鎵鋅薄膜電晶體。第二控制單元410接收第二閂鎖參考信號LC2、端點電壓VQ及第一低電壓VSS_1，以提供第二控制信號CS2，其中第二閂鎖參考信號LC2與第一閂鎖參考信號LC1互為反相信號。
電晶體T18（對應本案第十八電晶體）的汲極（對應第一端）接收端點電壓VQ，電晶體T18的源極（對應第二端）接收次閘極信號Gn（即準位參考信號），電晶體T18的閘極（對應控制端）接收第二控制信號CS2。電晶體T19（對應本案第十九電晶體）的汲極（對應第一端）耦接電晶體T18的源極，電晶體T19的源極（對應第二端）接收第二低電壓VSS_2，電晶體T19的閘極（對應控制端）接收第二控制信號CS2。電晶體T20（對應本案第二十電晶體）的汲極（對應第一端）接收主閘極信號Gm，電晶體T20的源極（對應第二端）接收第三低電壓VSS_3，電晶體T20的閘極（對應第三端）接收第二控制電壓CS2。
第二控制單元410包括電晶體T21~T24（對應本案第二十一電晶體至第二十四電晶體），其中電晶體T21~T24可以是氧化銦鎵鋅薄膜電晶體。電晶體T21（對應本案第二十一電晶體）的汲極（對應第一端）接收第二閂鎖參考信號LC2，電晶體T21的閘極（對應控制端）耦接電晶體T21的汲極。電晶體T22（對應本案第二十二電晶體）的汲極（對應第一端）耦接電晶體T21的源極（對應第二端），電晶體T21的源極（對應第二端）接收第一低電壓VSS_1，電晶體T21的閘極（對應控制端）接收端點電壓VQ。
電晶體T23（對應本案第二十三電晶體）的汲極（對應第一端）接收第二閂鎖參考信號LC2，電晶體T23的源極（對應第二端）提供第二控制信號CS2，電晶體T23的閘極（對應控制端）耦接電晶體T21的源極。電晶體T24（對應本案第二十四電晶體）的汲極（對應第一端）耦接電晶體T23的源極，電晶體T24的源極（對應第二端）接收第一低電壓VSS_1，電晶體T24的閘極（對應控制端）接收端點電壓VQ。
依據上述，移位暫存器400具有兩組交替使用的放電電路，以抑制電晶體的正溫度應力（Positive Bias Temperature Stress，PBTS）效應。
綜上所述，本發明實施例的移位暫存器，其端點電壓的放電路徑是雙閘極結構，並且串接的電晶體中插入一個中間電壓準位，藉此降低電晶體所產生的漏電流。並且，透過提供多個不同電壓準位的低電壓，可避免電晶體處於負臨界電壓時部分的電晶體仍然正常運作，進而避免移位暫存器產生誤動作。再者，移位暫存器可具有兩組交替使用的放電電路，以抑制電晶體的正溫度應力（Positive Bias Temperature Stress，PBTS）效應。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、200、300、400‧‧‧移位暫存器
110、210‧‧‧壓設定單元
120、220‧‧‧驅動單元
130‧‧‧第一控制單元
410‧‧‧第二控制單元
C1‧‧‧第一電容
C2‧‧‧第二電容
CS1‧‧‧第一控制信號
CS2‧‧‧第二控制信號
Gm‧‧‧主閘極信號
Gn‧‧‧次閘極信號
GR1‧‧‧第一閘極參考信號
GR2‧‧‧第二閘極參考信號
GR3‧‧‧第三閘極參考信號
HC1‧‧‧時脈信號
LC1‧‧‧第一閂鎖參考信號
LC2‧‧‧第二閂鎖參考信號
T1~T24‧‧‧電晶體
VQ‧‧‧端點電壓
VSS_1‧‧‧第一低電壓
VSS_2‧‧‧第二低電壓
VSS_3‧‧‧第三低電壓
圖1為依據本發明第一實施例的移位暫存器的電路示意圖。 圖2為依據本發明第二實施例的移位暫存器的電路示意圖。 圖3為依據本發明第三實施例的移位暫存器的電路示意圖。 圖4為依據本發明第四實施例的移位暫存器的電路示意圖。
100‧‧‧移位暫存器
110‧‧‧壓設定單元
120‧‧‧驅動單元
130‧‧‧第一控制單元
C1‧‧‧第一電容
CS1‧‧‧第一控制信號
Gm‧‧‧主閘極信號
GR1‧‧‧第一閘極參考信號
GR2‧‧‧第二閘極參考信號
HC1‧‧‧時脈信號
LC1‧‧‧第一閂鎖參考信號
T1~T10‧‧‧電晶體
VQ‧‧‧端點電壓
VSS_1‧‧‧第一低電壓
VSS_2‧‧‧第二低電壓

Claims (15)

  1. 一種移位暫存器，包括： 一電壓設定單元，接收一第一閘極參考信號，以提供一端點電壓； 一驅動單元，接收該端點電壓及一時脈信號，以依據該端點電壓及該時脈信號提供一主閘極信號； 一第一控制單元，接收一第一閂鎖參考信號、該端點電壓及一第一低電壓，以提供一第一控制信號； 一第一電晶體，具有接收該端點電壓的一第一端、接收一準位參考信號的一第二端、以及接收該第一控制信號的一控制端； 一第二電晶體，具有耦接該第一電晶體的該第二端的一第一端、接收一第二低電壓的一第二端、以及接收該第一控制信號的一控制端； 一第三電晶體，具有接收該端點電壓的一第一端、接收該準位參考信號的一第二端、以及接收一第二閘極參考信號的一控制端；以及 一第四電晶體，具有耦接該第三電晶體的該第二端的一第一端、接收該第二低電壓的一第二端、以及接收該第二閘極參考信號的一控制端。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的移位暫存器，其中該準位參考信號為該主閘極信號，該第一低電壓等於該第二低電壓，並且該第一閂鎖參考信號為一閘極高電壓。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的移位暫存器，其中該第一閘極參考信號的致能期間早於該主閘極信號的致能期間，該主閘極信號的致能期間早於該第二閘極參考信號的致能期間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的移位暫存器，其中該電壓設定單元包括： 一第五電晶體，具有接收該第一閘極參考信號的一第一端、提供該端點電壓的一第二端、以及接收該第一閘極參考信號的一控制端。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的移位暫存器，其中該驅動單元包括： 一第六電晶體，具有接收該時脈信號的一第一端、提供該主閘極信號的一第二端、以及接收該端點電壓的一控制端；以及 一第一電容，耦接於該第六電晶體的該控制端與該第六點電晶體的該第二端之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的移位暫存器，其中該第一控制單元包括： 一第七電晶體，具有接收該第一閂鎖參考信號的一第一端、一第二端、以及耦接該第七電晶體的該第一端的一控制端； 一第八電晶體，具有耦接該第七電晶體的該第二端的一第一端、接收該第一低電壓的一第二端、以及接收該端點電壓的一控制端； 一第九電晶體，具有接收該第一閂鎖參考信號的一第一端、提供該第一控制信號的一第二端、以及耦接該第七電晶體的該第二端的一控制端；以及 一第十電晶體，具有耦接該第九電晶體的該第二端的一第一端、接收該第一低電壓的一第二端、以及接收該端點電壓的一控制端。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的移位暫存器，其中該驅動單元接收該端點電壓及該時脈信號，以依據該端點電壓及該時脈信號提供該主閘極信號及一次閘極信號。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的移位暫存器，其中該驅動單元包括： 一第十一電晶體，具有接收該時脈信號的一第一端、提供該次閘極信號的一第二端、以及接收該端點電壓的一控制端； 一第十二電晶體，具有接收該時脈信號的一第一端、提供該主閘極信號的一第二端、以及接收該端點電壓的一控制端；以及 一第二電容，耦接於該第十二電晶體的該控制端與該第十二電晶體的該第二端之間。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的移位暫存器，其中該電壓設定單元接收該第一閘極參考信號、一第三閘極參考信號及該主閘極信號，以提供該端點電壓，其中該第一閘極參考信號及該第三閘極參考信號的致能期間為完全重疊。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的移位暫存器，其中該電壓設定單元包括： 一第十三電晶體，具有接收該第一閘極參考信號的一第一端、一第二端、以及接收該第三閘極參考信號的一控制端； 一第十四電晶體，具有耦接該第十三電晶體的該第二端的一第一端、提供該端點電壓的一第二端、以及接收該第三閘極參考信號的一控制端；以及 一第十五電晶體，具有耦接該第十三電晶體的該第二端的一第一端、接收該主閘極信號的一第二端、以及接收該主閘極信號的一控制端。
  11. 如申請專利範圍第7項所述的移位暫存器，其中該準位參考信號為該次閘極信號，該第一低電壓高於該第二低電壓，並且該第一閂鎖參考信號為一閘極高電壓。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的移位暫存器，更包括： 一第十六電晶體，具有接收該主閘極信號的一第一端、接收一第三低電壓的一第二端、以及接收該第一控制電壓的一控制端，其中該第二低電壓高於該第三低電壓。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的移位暫存器，更包括： 一第十七電晶體，具有接收該端點電壓的一第一端、接收該第一低電壓的一第二端、以及接收該第二閘極參考信號的一控制端。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的移位暫存器，更包括： 一第二控制單元，接收一第二閂鎖參考信號、該端點電壓及該第一低電壓，以提供一第二控制信號，其中該第二閂鎖參考信號與該第一閂鎖參考信號互為反相； 一第十八電晶體，具有接收該端點電壓的一第一端、接收該次閘極信號的一第二端、以及接收該第二控制信號的一控制端； 一第十九電晶體，具有耦接該第十八電晶體的該第二端的一第一端、接收一第二低電壓的一第二端、以及接收該第二控制信號的一控制端；以及 一第二十電晶體，具有接收該主閘極信號的一第一端、接收該第三低電壓的一第二端、以及接收該第二控制信號的一控制端。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的移位暫存器，其中該第二控制單元包括： 一第二十一電晶體，具有接收該第二閂鎖參考信號的一第一端、一第二端、以及耦接該第二十一電晶體的該第一端的一控制端； 一第二十二電晶體，具有耦接該第二十一電晶體的該第二端的一第一端、接收該第一低電壓的一第二端、以及接收該端點電壓的一控制端； 一第二十三電晶體，具有接收該第二閂鎖參考信號的一第一端、提供該第二控制信號的一第二端、以及耦接該第二十一電晶體的該第二端的一控制端；以及 一第二十四電晶體，具有耦接該第二十三電晶體的該第二端的一第一端、接收該第一低電壓的一第二端、以及接收該端點電壓的一控制端。
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