TW201712086A - 金屬膜層合用薄膜 - Google Patents
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Abstract
本發明係提供一種即使於高溫高濕條件下對於金屬層之密著性亦為良好,進而,金屬層不會變色,又,在進行熱處理之時,對所析出之寡聚物析出作抑制,經圖型化之金屬層的形狀之變形、金屬膜層合用膜之圖型化成為纖細,圖型寬被設計得更窄,配線基板之應答成為高精度化,就算是被使用在設計有高感度的配線基板之類型時,也不會發生圖型化不良所導致的缺陷之經圖型化的金屬膜層合用薄膜。
本發明之金屬膜層合用薄膜係於至少一方之聚酯薄膜面,具有由含有對不揮發成分而言為70重量%以上之交聯劑的塗佈液所形成之塗佈層,且滿足下述式(1),|SMD-STD|≦0.4...(1)(上述式中,SMD係意味著薄膜行進方向(MD)之收縮率(%),STD係意味著與薄膜行進方向正交的方向(TD)之收縮率(%),加熱條件係150℃、90分鐘)。
Description
本發明係關於層合有經圖型化的金屬層之金屬膜層合用薄膜者,且關於對於金屬層之密著性、金屬層之圖型化、圖型之形狀為良好,尤其是適於可撓性兩面電路基板用途、觸控面板用構成構件(例如,導電性薄膜等)等之薄膜者。
以往,聚酯薄膜係發揮其機械特性、光學特性、尺寸安定性等之長處,而被使用於各種領域中。作為其之一例係可例示可撓性基板用途。
近年來,以電視、行動電話、筆記型個人電腦、數位相機、遊戲機等為代表的電子機器係急速地發展小型化、薄型化、輕量化,對於被使用於此等之材料亦要求有可於小空間內收納零件的高密度且高性能之材料。
作為因應如此之要求的材料,廣泛使用可折進又薄又窄的空間內,且耐彎曲性優異的可撓性兩面印刷配線基板。
然而,對於高密度化之要求高之被使用於折
疊型行動電話或滑動型行動電話等之可動部的可撓性兩面印刷配線基板(可撓性電路基板)係要求更優異的柔軟性。於以往之可撓性印刷配線基板的構造中,在多層化的情況係有長期間之使用後發生斷線的課題,對於要求高度的耐彎曲性之用途而言並不充分。
因此,作為用以實現高耐彎曲性的對策,例如,使可撓性兩面印刷配線基板自體之薄膜化為必須,而進行例如將絕緣薄膜自體予以薄膜化的探討。
另一方面,因聚酯薄膜的特性之收縮率特性,經圖型化之金屬層的形狀(例如,格子狀)會變形,而有作為配線基板無法應答(反應)的課題,對於要求配線基板之高度的應答之用途而言並不充分。
因此,作為用以實現配線基板之高度化的對策,而進行例如可撓性兩面印刷配線基板之圖型的變形防止探討。
作為可撓性兩面印刷配線基板之構成事例,例如,於專利文獻1中係記載有一種金屬膜層合用薄膜,其係製成於絕緣薄膜上隔著接著劑來貼合銅箔的3層金屬膜層合用薄膜構造。
然而,於3層金屬膜層合用薄膜構造中,為了得到所期望之配線圖型,於蝕刻時,不僅是與基板面垂直的方向,連平面方向(側壁面)也會產生蝕刻發展之側蝕刻,而有配線部的剖面形狀容易形成下擺外擴的梯形之傾向,其結果,有配線圖型之窄節距化成為困難的問題。
又,於該構造中係由於在絕緣薄膜表面隔著接著層來貼合銅箔,因此對以此銅箔所致之導體層的薄膜化方面自然有所限制。
作為上述2層金屬膜層合用薄膜形成方法,例如,於專利文獻2中係有藉由電鍍法,於絕緣薄膜上形成均勻的膜厚之銅被膜層的記載。於該方法中,在以電鍍所致之銅被膜層之形成前,藉由真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法等之乾式鍍敷法,於絕緣薄膜上以使由鉻、氧化鉻、鎳等之銅以外的金屬所構成之基底金屬層成為特定之厚度的方式,例如,以50Å~200Å左右,成膜之後,依序形成以乾式鍍敷法所致之薄的銅層、以及以無電解鍍敷所致之無電化銅鍍敷被膜的製造方法所構成。
又,於專利文獻3中,作為可撓性兩面印刷配線基板的材料,於2層金屬膜層合用薄膜中,絕緣薄膜與基底金屬層之密著性並不充分。因此,於介在於絕緣薄膜與金屬層之間的基底層中,必須對於絕緣薄膜之密著性為良好,並且對於層合於基底層之上的金屬層之密著性亦為良好。
再者,當將可撓性印刷配線基板之材料在高溫高濕條件下使用時,因介在於絕緣薄膜與金屬層之間的基底層之影響所導致的密著性之不充分、因金屬層之氧化所導致之變色,因而無法將可撓性印刷配線基板之材料在高溫高濕條件下作使用。因此,在高溫高濕條件下,於介在於絕緣薄膜與金屬層之間的基底層中,亦必須對於絕緣
薄膜之密著性為良好,及對於層合於基底層之上的金屬層之密著性為良好,並且不發生因金屬層之氧化所導致之變色。
例如,藉由濺鍍處理,於層合金屬層的過程、及層合後的金屬層之圖型化後的加熱步驟中,對於聚酯薄膜之薄膜面的熱損傷為大,而有從該薄膜析出寡聚物(主要為環狀三聚物)的傾向,而有製造裝置之污染,或於薄膜表面之因寡聚物析出所導致之薄膜表面的突起等之疑慮。
又,近年來,伴隨著最終構件之高性能化,金屬膜層合用膜之圖型化成為纖細,圖型寬被設計得更窄。
於聚酯薄膜基材中,通常會以易滑性之賦予及在各步驟之損傷發生防止作為主要目的而摻合有粒子。若添加更多量的粒子,將聚酯薄膜基材之表面粗度設計得較高,則該基材之加工時的操作性雖會上昇,但在金屬膜層合用薄膜的圖型部分存在粒子之凝聚體的情況,金屬膜層合用膜之圖型化不良的缺陷會頻繁發生。
另一方面,若於聚酯基材中不摻合粒子,則當薄膜通過各步驟之輥距時所造成的損傷會在薄膜全面發生,此亦有金屬膜層合用膜之圖型化不良的缺陷會頻繁發生之傾向,而將良好的金屬膜層合用薄膜進行加工一事極為困難。
再者,伴隨著近年之最終構件的高性能化,
配線基板之應答性成為良好,並設計有高感度的配線基板。
於聚酯薄膜基材係存在於加熱之後會進行收縮之收縮率特性。因薄膜行進方向(MD)及與其正交的方向(TD)之收縮率差(△S),經圖型化的金屬層之形狀會變形,而有配線基板之應答降低的傾向,無法製成高感度的配線基板,而將良好的經圖型化之金屬膜層合用薄膜進行加工一事極為困難。
專利文獻1:日本特開平6-132628號公報
專利文獻2:日本特開平8-139448號
專利文獻3:日本特開平6-120630號公報
專利文獻4日本特開2014-53410號公報
本發明係鑑於上述實情而完成者,其解決課題為提供一種即使於高溫高濕條件下對於金屬層之密著性亦為良好,進而,金屬層不會變色,又,在將金屬膜進行層合的步驟、及層合後的金屬層之圖型化後的加熱步驟中以150℃或180℃左右的溫度進行熱處理之時,對所析出之寡聚物析出作抑制,經圖型化之金屬層的形狀之變形、
金屬膜層合用膜之圖型化成為纖細,圖型寬被設計得更窄,配線基板之應答成為高精度化,就算是被使用在設計有高感度的配線基板之類型時,也不會發生圖型化不良所導致的缺陷之經圖型化的金屬膜層合用薄膜。
本發明者們鑑於上述實情進行努力探討的結果,發現若使用具有特定之塗佈層的聚酯薄膜作為構成構件,則可容易解決上述課題,因而完成本發明。
亦即,本發明之要旨在於一種金屬膜層合用薄膜,其特徵為,於至少一方之聚酯薄膜面,具有由含有對不揮發成分而言為70重量%以上之交聯劑的塗佈液所形成之塗佈層,且滿足下述式(1),|SMD-STD|≦0.4...(1)(上述式中,SMD係意味著薄膜行進方向(MD)之收縮率(%),STD係意味著與薄膜行進方向正交的方向(TD)之收縮率(%),加熱條件係150℃、90分鐘)。
並且,於本發明之較佳的樣態中,聚酯薄膜係含有平均粒徑0.1~0.6μm之粒子,且由至少3層所構成的多層聚酯薄膜,同時滿足下述式(2)及(3),0<Ti≦20…(2)
0≦P≦300…(3)(上述式中,Ti係意味著多層聚酯薄膜中之鈦元素量(ppm),P係意味著磷元素量(ppm))。
依據本發明之金屬膜層合用薄膜,可提供一種金屬膜層合用薄膜,其係即使薄膜長時間暴露於例如150℃、90分鐘,或者180℃、60分鐘等高溫環境下,經過嚴苛的熱處理步驟之後,因寡聚物析出所導致之薄膜霧度之上昇也極小,即使於高溫高濕條件下,聚酯薄膜與塗佈層之密著性、金屬層與塗佈層之密著性亦為良好,再者,金屬層不會變色,又,金屬膜層合用膜之圖型化成為纖細,就算是被使用在圖型寬被設計得更窄之類型時,圖型化不良等之缺陷也不會發生,配線基板之應答成為高精度化,就算是被使用在設計有高感度的配線基板之類型時,也不會發生因經圖型化的金屬層之形狀變形所導致之缺陷,適宜作為例如可撓性兩面電路基板,或者觸控面板用構成構件(例如,導電性薄膜等),其工業價值非常高。
首先,針對聚酯薄膜進行說明。本發明之聚酯薄膜係可為單層構成亦可為多層構成,除了2層、3層構成以外,只要不偏離本發明之要旨,亦可為4層或者4層以上之多層,並無特別限定。
聚酯係使芳香族二羧酸與脂肪族二醇進行聚縮合所得。作為芳香族二羧酸係可列舉:對苯二甲酸、
2,6-萘二羧酸等,作為脂肪族二醇係可列舉:乙二醇、二乙二醇、1,4-環己烷二甲醇等。作為代表的聚酯係可例示:聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯-2,6-萘二羧酸酯(PEN)等。
又,聚酯係可為均聚酯,亦可為共聚合聚酯。在共聚合聚酯的情況係含有30莫耳%以下之第三成分的共聚物。作為共聚合聚酯之二羧酸成分係可列舉:間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、對苯二甲酸、2,6-萘二羧酸、己二酸、癸二酸、及羥基羧酸(oxycarbonic acid)(例如,對羥基苯甲酸等)之一種或二種以上,作為二醇成分係可列舉:乙二醇、二乙二醇、丙二醇、丁二醇、1,4-環己烷二甲醇新戊二醇等之一種或二種以上。
於多層聚酯薄膜中較佳係為了抑制寡聚物的析出,而使用鈦化合物(Ti)及磷化合物(P),關於該化合物之含量,較佳係同時滿足下述式(2)及(3)者。
0<Ti≦20…(2)
0≦P≦300…(3)(上述式中,Ti係意味著多層聚酯薄膜中之鈦元素量(ppm),P係意味著磷元素量(ppm))。
關於Ti,更佳為2~10ppm之範圍。在Ti超過上述式(2)之上限的情況,在將聚酯進行熔融擠壓的步驟中會副產寡聚物,而無法得到低寡聚物且具有高透明性之薄膜。又,成為難以對應於光學用途等,特別重視塗
佈薄膜之色調的用途中。
另一方面,關於P,更佳為5~200ppm,特佳為0~100ppm之範圍。在P超過上述式(3)之上限的情況,在聚酯製造時會發生凝膠化,成為異物而使薄膜之品質降低,成為難以對應於例如觸控面板用途等伴隨著光學評估之檢查步驟。
藉由同時滿足上述式(2)及(3),而可對於多層聚酯薄膜中之含有寡聚物量低減發揮更顯著的效果。
又,於含有上述鈦化合物及磷化合物之層中,較佳係實質上不含銻元素,通常為10ppm以下,較佳為5ppm以下,最佳係實質上不含,亦即1ppm以下。若銻元素之量過多,則有在進行熔融擠壓時會藉由上述磷化合物而被還原,進行凝聚而成為異物之原因,或者薄膜會發黑,而使透明性成為不充分的情況。
構成以前述之範圍內包含鈦化合物及磷化合物的層之聚酯雖亦可為藉由熔融聚合反應所得者,但若使用熔融聚合後,將晶片化之聚酯進行固相聚合所得之原料,則可減低於原料中所包含之寡聚物量,因此適宜使用。
於以前述之範圍內包含鈦化合物與磷化合物的層中所包含之寡聚物量通常為0.7重量%以下,較佳為0.5重量%以下。
在該聚酯層中所包含之寡聚物量為少的情況,於多層
聚酯薄膜中所包含之寡聚物量的低減,又,對於薄膜表面之寡聚物析出防止效果係特別高度發揮。
於本發明中,可為具有於由通常之寡聚物含量的聚酯所構成之層的至少單面之表面,將該寡聚物含量少的聚酯進行共擠壓層合而成之構造的薄膜,在具有該構造的情況,可高度發揮本發明所得之寡聚物析出的抑制效果。
薄膜表面之最大粗度(St)較佳係各個面為10~100nm之範圍,更佳係10~50nm。在該最大粗度(St)未達10nm的情況,薄膜表面會變得過於平滑,而有於多層聚酯薄膜製膜步驟中多發生損傷的傾向。另一方面,在超過100nm的情況,於經圖型化之透明導電膜上,尤其是在配線寬為4μm以下之非常細之圖型化的部位,有在透明導電層之結晶化步驟發生配線之斷線的頻率提高的傾向。又,在將塗佈薄膜隔著黏著劑進行貼合而成為層合體時,層合體之霧度會大幅上昇,就光學特性或辨識性的點而言,有成為不適合作為光學構件用的情況。
於本發明中,較佳係於多層構成之兩外層中,將易滑性之賦予及各步驟之損傷發生防止作為主要目的而摻合平均粒徑為0.1~0.6μm之粒子。
所摻合之粒子較佳係僅1種類,只要可賦予易滑性的粒子則無特別限定,作為具體例係可列舉例如:二氧化矽、碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋇、硫酸鈣、磷酸鈣、磷酸鎂、高嶺土、氧化鋁、氧化鈦等之粒子。又,亦可使
用日本特公昭59-5216號公報、日本特開昭59-217755號公報等記載的耐熱性有機粒子。作為其他之耐熱性有機粒子之例係可列舉:熱硬化性脲樹脂、熱硬化性酚樹脂、熱硬化性環氧樹脂、苯代三聚氰胺樹脂等。進而,亦可使用在聚酯製造步驟中,使觸媒等之金屬化合物的一部分沉澱、微分散的析出粒子。
另一方面,關於所使用之粒子的形狀並無特別限定,亦可使用球狀、塊狀、棒狀、扁平狀等之任一形狀。又,針對其硬度、比重、顏色等亦無特別限制。
進而,兩外層中之粒子含量通常為0.05~1.0重量%,較佳為0.05~0.5重量%之範圍。在粒子含量未達0.05重量%的情況,會有薄膜之易滑性不充分的情況,其結果,有時會在薄膜加工時產生損傷等之外觀不良。另一方面,在添加超過1.0重量%的情況,會有薄膜透明性不充分的情況。
進而,較佳係於構成多層聚酯薄膜之最外層的聚酯層中,將損傷防止或易滑性賦予作為目的,而使用氧化鋁粒子。在氧化鋁粒子之平均粒徑超出前述範圍的情況,會有損傷防止效果或易滑性缺乏的情況。
作為氧化鋁粒子之具體例係可列舉例如:對無水氯化鋁原料藉由火焰水解所製造之γ型、δ型氧化鋁等。
作為於聚酯中添加粒子的方法並無特別限定,可採用以往周知的方法。例如,可於製造構成各層之
聚酯的任意之階段中進行添加,但較佳係在酯化或酯交換反應結束後進行添加。
又,可藉由以下方法進行:使用附排氣孔之混練擠壓機,將分散於乙二醇或水等之粒子的漿體與聚酯原料進行摻合的方法,或者,使用混練擠壓機,將乾燥的粒子與聚酯原料進行摻合的方法等。
另外,於聚酯薄膜中,除了上述之粒子以外,可因應需要而添加以往周知的紫外線吸收劑、抗氧化劑、抗靜電劑、熱安定劑、潤滑劑、染料、顏料等。
聚酯薄膜之厚度雖只要在可製膜為薄膜的範圍則無特別限定,但通常為9~80μm,較佳為12~75μm之範圍。
接著,雖針對本發明之聚酯薄膜之製造例具體地說明,但並不受以下之製造例任何限定。
首先,以使用先前敘述的聚酯原料,將從模具擠出的熔融薄片以冷卻輥進行冷卻固化,而得到未延伸薄片的方法為佳。於此情況中,較佳係為了提昇薄片之平面性而提高薄片與旋轉冷卻轉筒之密著性,適宜採用靜電加壓密著法及/或液體塗佈密著法。
接著,所得之未延伸薄片係朝二軸方向被延伸。於此情況中,首先,將前述之未延伸薄片藉由輥或拉幅方式之延伸機朝一方向進行延伸。延伸溫度通常為70~120℃,較佳為80~110℃,延伸倍率通常為2.5~7倍,較佳為3.0~6倍。接著,雖朝與第一段之延伸方向正交的方向進
行延伸,但於該情況中,延伸溫度通常為70~170℃,延伸倍率通常為3.0~7倍,較佳為3.5~6倍。並且,接著以180~270℃的溫度在緊繃下或者30%以內之鬆弛下進行熱處理,而得到二軸配向薄膜。
於上述之延伸中,亦可採用將一方向之延伸以2階段以上進行的方法。於此情況中,較佳係以最終二方向之延伸倍率分別成為上述範圍的方式來進行者。
又,關於聚酯薄膜製造亦可採用同時雙軸延伸法。同時雙軸延伸法係使前述之未延伸薄片以通常為70~120℃,較佳為80~110℃且在溫度受到控制的狀態下同時往機械方向及寬方向進行延伸、配向的方法,作為延伸倍率係以面積倍率計通常為4~50倍,較佳為7~35倍,更佳為10~25倍。並且,接著以170~250℃的溫度在緊繃下或者30%以內之鬆弛下進行熱處理,而得到延伸配向薄膜。關於採用上述延伸方式之同時雙軸延伸裝置,係可採用螺槳方式、縮放方式、凌力爾特(Linear)驅動方式等以往周知之延伸方式。
接著,針對形成塗佈薄膜之塗佈層進行說明。塗佈層之形成係藉由將塗佈液塗佈於薄膜而設置,亦可藉由在薄膜製造步驟內進行之在線塗佈(in-line coating)而設置,又,亦可採用於暫時製造的薄膜上在系外進行塗佈之所謂的離線塗佈(off-line coating)。
塗佈層係為了減低因來自外部對塗佈層之熱損傷而使寡聚物析出量增加一事,而將具有由含有對不揮
發成分而言為70重量%以上之交聯劑的塗佈液所形成之塗佈層作為必須要件。另外,於塗佈液中含有其他成分亦無妨。
交聯劑係可使用各種周知之交聯劑,可列舉例如:唑啉化合物、三聚氰胺化合物、環氧化合物、異氰酸酯系化合物、碳二醯亞胺系化合物、矽烷偶合化合物等。於此等當中,尤其,使用於在塗佈層上設有功能層之用途的情況,就提昇耐久密著性的觀點而言,適宜使用唑啉化合物。又,就因加熱導致之於薄膜表面之酯環狀三聚物的析出防止,或塗佈層之耐久性或塗佈性提昇的觀點而言,適宜使用三聚氰胺化合物。
唑啉化合物係指於分子內具有唑啉基之化合物,尤其以含有唑啉基之聚合物為佳,可藉由含加成聚合性唑啉基之單體單獨或與其他單體之聚合而製成。含加成聚合性唑啉基之單體係可列舉:2-乙烯基-2-唑啉、2-乙烯基-4-甲基-2-唑啉、2-乙烯基-5-甲基-2-唑啉、2-異丙烯基-2-唑啉、2-異丙烯基-4-甲基-2-唑啉、2-異丙烯基-5-乙基-2-唑啉等,可使用此等之1種或2種以上之混合物。此等當中,2-異丙烯基-2-唑啉係工業上容易取得而適宜。其他單體係只要可與含加成聚合性唑啉基之單體共聚合的單體則無限制,可列舉例如:烷基(甲基)丙烯酸酯(作為烷基係甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、t-丁基、2-乙基己基、環己基)等之(甲基)丙烯酸酯類;丙烯酸、甲基丙烯酸、
衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸、苯乙烯磺酸及其鹽(鈉鹽、鉀鹽、銨鹽、三級胺鹽等)等之不飽和羧酸類;丙烯腈、甲基丙烯腈等之不飽和腈類;(甲基)丙烯醯胺、N-烷基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二烷基(甲基)丙烯醯胺、(作為烷基係甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、t-丁基、2-乙基己基、環己基等)等之不飽和醯胺類;乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等之乙烯酯類;甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚等之乙烯基醚類;乙烯、丙烯等之α-烯烴類;氯乙烯、二氯亞乙烯、氟乙烯等之含鹵素α,β-不飽和單體類;苯乙烯、α-甲基苯乙烯等之α,β-不飽和芳香族單體等,可使用此等之1種或2種以上之單體。
唑啉化合物之唑啉基量通常為0.5~10mmol/g,較佳為3~9mmol/g,更佳為5~8mmol/g之範圍。藉由以上述範圍進行使用,而提昇塗膜之耐久性。
三聚氰胺化合物係於化合物中具有三聚氰胺構造之化合物,可使用例如:羥烷基化三聚氰胺衍生物、使羥烷基化三聚氰胺衍生物與醇進行反應而部分或完全醚化而成之化合物、以及此等之混合物。作為醚化所使用的醇係適宜使用甲醇、乙醇、異丙醇、n-丁醇、異丁醇等。又,作為三聚氰胺化合係可為單體,或者2聚物以上之多聚物之任一者,或者亦可使用此等之混合物。進而,亦可使用於三聚氰胺之一部分共縮合脲等而成者,亦可為了提昇三聚氰胺化合物之反應性而使用觸媒。
環氧化合物係指於分子內具有環氧基之化合
物,可列舉例如:表氯醇與乙二醇、聚乙二醇、甘油、聚甘油、雙酚A等之羥基或胺基之縮合物,有聚環氧化合物、二環氧化合物、單環氧化合物、縮水甘油胺化合物等。作為聚環氧化合物係可列舉例如:山梨糖醇聚縮水甘油醚、聚甘油聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、二甘油聚縮水甘油醚、三縮水甘油參(2-羥乙基)異氰酸酯、甘油聚縮水甘油醚、三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚,作為二環氧化合物係可列舉例如:新戊二醇二縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘油醚、間苯二酚二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、聚四亞甲基二醇二縮水甘油醚,作為單環氧化合物係可列舉例如:烯丙基縮水甘油醚、2-乙基己基縮水甘油醚、苯基縮水甘油醚,作為縮水甘油胺化合物係可列舉:N,N,N’,N’-四縮水甘油基-m-茬二胺、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基)環己烷等。
作為異氰酸酯系化合物係指異氰酸酯、或以封端異氰酸酯為代表之具有異氰酸酯衍生物構造的化合物。作為異氰酸酯係可例示例如:甲伸苯基二異氰酸酯、茬二異氰酸酯、亞甲基二苯基二異氰酸酯、伸苯基二異氰酸酯、萘二異氰酸酯等之芳香族異氰酸酯、α,α,α’,α’-四甲基茬二異氰酸酯等具有芳香環之脂肪族異氰酸酯、亞甲基二異氰酸酯、伸丙基二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等之脂肪族異氰酸酯、環己烷二異氰酸酯、甲基環己烷二異氰酸
酯、異佛酮二異氰酸酯、亞甲基雙(4-環己基異氰酸酯)、亞異丙基二環己基二異氰酸酯等之脂環族異氰酸酯等。又,亦可列舉此等之異氰酸酯之雙縮脲化物、異氰脲酸酯化物、縮脲二酮化物、碳二醯亞胺變性物等之聚合物或衍生物。此等係可單獨使用,亦可複數種併用。上述異氰酸酯當中,為了避免因紫外線導致之黃變,相較於芳香族異氰酸酯,以脂肪族異氰酸酯或脂環族異氰酸酯更佳。
以封端異氰酸酯之狀態進行使用的情況,作為其封端劑係可列舉例如:重亞硫酸鹽類、酚、甲酚、乙基酚等之酚系化合物、丙二醇單甲基醚、乙二醇、苯甲醇、甲醇、乙醇等之醇系化合物、異丁醯乙酸甲酯、丙二酸二甲酯、丙二酸二乙酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙醯丙酮等之活性亞甲基系化合物、丁硫醇、十二基硫醇等之硫醇系化合物、ε-己內醯胺、δ-戊內醯胺等之內醯胺系化合物、二苯基苯胺、苯胺、伸乙亞胺等之胺系化合物、乙醯苯胺、乙醯胺之醯胺化合物、甲醛、乙醛肟、丙酮肟、甲基乙基酮肟、環己酮肟等之肟系化合物,此等係可單獨,亦可為2種以上之併用。
又,異氰酸酯系化合物係可以單質進行使用,亦可作為與各種聚合物之混合物或鍵結物來使用。於提昇異氰酸酯系化合物之分散性或交聯性的含意中,較佳係使用與聚酯樹脂或胺基甲酸酯樹脂之混合物或鍵結物。
碳二醯亞胺系化合物係指具有碳二醯亞胺構造的化合物,且於分子內具有1個以上之碳二醯亞胺構造
的化合物,但為了更良好的密著性等,更佳係於分子內具有2個以上之聚碳二醯亞胺系化合物。
碳二醯亞胺系化合物係可藉由以往周知之技術進行合成,一般而言係使用二異氰酸酯化合物之縮合反應。作為二異氰酸酯化合物並無特別限定,可使用芳香族系、脂肪族系中任一者,具體而言係可列舉:甲伸苯基二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、伸苯基二異氰酸酯、萘二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、環己烷二異氰酸酯、甲基環己烷二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、二環己基二異氰酸酯、二環己基甲烷二異氰酸酯等。
碳二醯亞胺系化合物中所含有的碳二醯亞胺基之含量係以碳二醯亞胺當量(賦予碳二醯亞胺基1mol所需之碳二醯亞胺化合物的重量[g])計,通常為100~1000,較佳為250~700,更佳為300~500之範圍。藉由在上述範圍內進行使用,而提昇塗膜之耐久性。
進而,在不喪失本發明之效果的範圍內,亦可為了提昇聚碳二醯亞胺系化合物的水溶性或水分散性,而添加界面活性劑,或添加聚伸烷基氧化物、二烷基胺基醇之四級銨鹽、羥烷基磺酸鹽等之親水性單體而使用。
此等之交聯劑係可為單獨亦可為2種以上之併用,但發現藉由2種以上組合,而使難以兩立之與功能層的密著性及加熱後之酯環狀三聚物的析出防止性提昇。其中,尤其是以可提昇與功能層的密著性之唑啉化合
物,與加熱後之酯環狀三聚物的析出防止性為良好之三聚氰胺化合物的組合最適宜,而為佳。
又,發現為了更提昇與功能層的密著性而將3種交聯劑作組合為有效。作為3種以上之交聯劑的組合係以選擇三聚氰胺化合物作為交聯劑的1種最適宜,作為與三聚氰胺化合物之組合特佳係唑啉化合物與環氧化合物、碳二醯亞胺系化合物與環氧化合物。
另外,此等交聯劑係在乾燥過程或製膜過程中進行反應而提昇塗佈層之性能的設計下所使用。可推測於所得之塗佈層中係存在有此等交聯劑之未反應物、反應後之化合物、或者該等之混合物。
在含有該交聯成分的情況,可同時併用用以促進交聯之成分,例如交聯觸媒等。
又,於塗佈層之形成中亦可為了塗佈外觀之提昇或於塗佈層上形成有功能層時的密著性之提昇等而併用聚合物。
作為聚合物之具體例係可列舉:聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚乙烯(聚乙烯醇等)、聚烷二醇、聚伸烷基亞胺、甲基纖維素、羥基纖維素、澱粉類等。此等當中,就與各種之表面功能層之密著性提昇的觀點而言,較佳係使用聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂。但,若含量變多,則有加熱後之酯環狀三聚物的析出防止性惡化之情況,通常為30重量%以下,較佳為20重量%以下,更佳為10重量%以下。在比例超過上
述範圍的情況,會有無法有效地抑制加熱後之酯環狀三聚物的析出之情況。
又,亦可於塗佈層之形成時以阻隔(blocking)、滑潤性改良作為目的而併用粒子。其平均粒徑係就薄膜之透明性的觀點而言,通常為1.0μm以下,較佳為0.5μm以下,更佳為0.2μm以下之範圍。又,為了更有效地提昇滑潤性,下限通常為0.01μm以上,較佳為0.03μm以上,更佳係比塗佈層之膜厚更大的範圍。作為粒子之具體例係可列舉:二氧化矽、氧化鋁、高嶺土、碳酸鈣、有機粒子等。其中,就透明性的觀點而言較佳為二氧化矽。
又,在不損及本發明之主旨的範圍中,亦可於塗佈層之形成時因應需要而併用消泡劑、塗佈性改良劑、增黏劑、有機系潤滑劑、抗靜電劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、發泡劑、染料、顏料等。
作為相對於形成塗佈層之塗佈液中的全不揮發成分之比例,交聯劑之比例為70重量%以上,但較佳為80重量%以上,更佳為90重量%以上。在比例為上述範圍以下的情況,會有無法有效地抑制加熱後之酯環狀三聚物的析出之情況。
就加熱後之酯環狀三聚物的析出防止之觀點而言,選擇三聚氰胺作為交聯劑之一的情況,作為相對於形成塗佈層之塗佈液中的全不揮發成分之比例,三聚氰胺之比例通常為5~95重量%,較佳為15~80重量%,更佳為30~65重量%之範圍。在比例為上述範圍以下的情
況,會有無法有效地抑制加熱後之酯環狀三聚物的析出之情況。在比例為上述範圍以上的情況,會有塗佈外觀惡化之情況。
又,塗佈層之厚度係作為最終所得之薄膜上的塗佈層之厚度而通常為0.003~1μm,較佳為0.005~0.5μm,更佳為0.01~0.2μm之範圍。在厚度比0.003μm更薄的情況,有時從薄膜析出的酯環狀三聚物量不會充分減少。又,在比1μm更厚的情況,有時會產生塗佈層之外觀的惡化,或變得容易阻隔等的問題。
作為於聚酯薄膜塗佈塗佈液的方法係可使用例如:氣刮刀塗佈、刮刀塗佈、棒式塗佈、棒塗佈(bar-coating)、刀塗佈、擠壓式塗佈、含浸塗佈、反向輥式塗佈、轉移輥式塗佈、凹版塗佈、接觸輥式塗佈、流延塗佈、噴霧塗佈、簾塗佈、壓延塗佈、押出塗佈等以往周知之塗佈方法。
為了改良塗佈劑對於薄膜的塗佈性、密著性,亦可在塗佈前對薄膜施加化學處理或電暈放電處理、電漿處理等。
本發明之金屬膜層合用薄膜,例如,於觸控面板用等中,係有即使暴露在長時間、高溫環境下之後,亦要求高度的透明性之情況。基於該觀點,為了對應作為觸控面板用構件,熱處理(150℃、90分鐘)前後之薄膜霧度變化率(加熱霧度,△H)通常為0.5%以下,較佳為0.3%以下,更佳為0.1%以下。在△H超過0.5%的情況係
有伴隨著薄膜霧度上昇而辨識性降低,例如,在觸控面板用等高度的辨識性為必要的用途中成為不適當的情況。另外,△H越低,顯示寡聚物的析出越少。
於本發明之金屬膜層合用薄膜中,在熱處理(150℃、90分鐘)前後之從塗佈層表面(單面)藉由二甲基甲醯胺所萃取的寡聚物(環狀三聚物)量(OL)通常為1.5mg/m2以下,較佳為1.0mg/m2以下。在OL超過1.5mg/m2的情況,於後加工,例如,濺鍍步驟等之熱處理步驟中,會有伴隨著在例如150℃、90分鐘等高溫環境下長時間之加熱處理,寡聚物析出量變多,而薄膜之透明性降低的情況。
以往,因在將金屬膜進行層合之步驟中之以150℃,或者180℃左右的溫度進行熱處理時析出之寡聚物析出,在金屬層膜之圖型化成為纖細之圖型寬被設計得更窄的類型中係存在著會發生圖型化不良等之缺陷的問題。本發明者推測出構成塗佈薄膜之多層聚酯薄膜基材的最表面之最大粗度(St)為圖型化不良的原因之一。
塗佈薄膜之熱處理前後的塗佈層之表面的最大粗度(St)通常為10~100nm,較佳為10~50nm之範圍。
於本發明之塗佈薄膜中,必須考慮薄膜構成上,因塗佈層與金屬層長期間接觸所導致的腐蝕。基於該觀點,關於構成塗佈層之材料,實質上由不含鹵元素等離子性物質的材料所構成者係在本發明之用途上為佳。具體
而言,針對將塗佈薄膜在常溫下於純水中放置24小時之後所檢測的鹵離子之合計量,較佳為1ppm以下。
作為用以滿足該條件之具體手段,例如併用界面活性劑之乳劑類型,或者抗靜電劑等,極力抑制離子性材料的使用,作為塗佈層構成材料,較佳係將水溶性交聯劑作為主要的構成成分(50%以上),更佳係70%以上。
本發明之金屬膜層合用薄膜必須滿足式(1)。薄膜行進方向(MD)及與其正交的方向(TD)之以150℃、90分鐘的加熱條件加熱後的收縮率差(△S)之絕對值係必須滿足以下之式(1)。
|SMD-STD|≦0.4...(1)(上述式中,SMD係意味著薄膜行進方向之收縮率(%),STD係意味著與薄膜行進方向正交的方向之收縮率(%))。
亦即,薄膜行進方向(MD)及與其正交的方向(TD)之以150℃、90分鐘的條件加熱後的收縮率差(△S)之絕對值必須為0.4以下。
關於SMD,通常為0.1~1.5%,較佳為0.1~0.7%,更佳為0.1~0.3%之範圍。
關於STD,通常為-0.3~1.0%,較佳為-0.1~0.4%,更佳為0.1~0.3%之範圍。
SMD、STD皆為接近0.1~0.3%之範圍者係可將金屬層之圖型寬設計得更窄。
關於△S,較佳為0.3以下。更佳為0.1以下。在△S超過0.4的情況,有經圖型化之金屬層的形狀變形,而配線基板之應答降低的傾向,成為難以對應作為高感度的配線基板。
以往,使用聚酯薄膜基材之塗佈薄膜,將金屬膜進行層合的步驟中之以150℃,或者180℃左右的溫度進行熱處理時,塗佈薄膜會收縮,而有因MD與TD之收縮差,經圖型化之金屬層的形狀變形,而配線基板之應答降低的傾向。是故,必須為高感度的配線基板。本發明者推測出構成金屬膜層合用薄膜之塗佈薄膜的MD與TD之加熱收縮率差(△S)為該缺陷的原因之一。
於構成金屬膜層合用薄膜之塗佈薄膜中,當被使用在以150℃,或者180℃左右的溫度之熱處理,或高溫高濕環境下之耐久性試驗等嚴苛的條件下之加工步驟時,對因來自塗佈薄膜之寡聚物的析出使霧度大幅提昇一事作抑制、將熱處理前後之薄膜表面的最大粗度(St)抑制得較低、以及將塗佈薄膜之MD與TD的收縮率差(△S)設為|SMD-STD|=0.4以下,藉此金屬膜層合用膜之圖型化成為纖細,圖型寬被設計得更窄,就算是被使用於高感度的配線基板之類型,也可解決圖型化不良等之缺陷。另外,在此所謂的塗佈薄膜之MD係意味著加工步驟中之薄膜行進方向。又,TD係意味著相對於加工步驟中之薄膜行進方向為正交的方向。
於本發明中,較佳係為了更提高前述之熱尺
寸安定性的效果,而進行退火處理。關於退火處理係可採用以往周知的手法。具體而言,例如,退火的溫度通常為160~200℃,較佳為165~195℃,更佳為170~190℃之範圍。退火處理時間通常為1~30秒,更佳為3~20秒,再更佳為5~15秒。進而,薄膜行進速度通常為10~300m/min,薄膜張力(烘箱內)通常為1kg~10kg/薄膜寬,較佳為1kg~7kg/薄膜寬,更佳為1kg~5kg/薄膜寬,以將薄膜一邊進行搬運一邊進行退火處理者為佳。
接著,針對形成金屬膜層合薄膜之金屬進行說明。作為金屬亦可使用金、鉑、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫、銦等之金屬單質或鎳/鉻合金等之2種以上的金屬之固溶體(合金)。其中,考慮金屬膜形成之泛用性、成本、以蝕刻進行之去除的容易性等,較佳為鉻、鎳、鈦、鎳/鉻合金、鋁、鋅、銅/鎳合金、銅/鈦合金、金、銀及銅,更佳為鉻、鎳、鈦、鎳/鉻合金、鋁、鋅、金、銀及銅。最佳為銅(亦包含氧化銅)。又,金屬膜層係可為單層,或層合有2層以上之不同金屬的多層構造。
形成於塗佈薄膜之塗佈層面的金屬膜之厚度雖無特別限定,但通常為5~500nm,較佳為10~300nm之範圍。在金屬層之層厚未達5nm的情況,會有於金屬層容易產生龜裂的情況。另一方面,在金屬層之層厚度超過500nm的情況,會有於金屬層形成上需要長時間,而耗費成本的傾向。
針對對於塗佈層上之金屬層形成方法係可採用以往周知的手法。具體而言,較佳係藉由由蒸鍍法、濺鍍法及離子電鍍法中選出的1種以上之方法所形成者,尤其以藉由濺鍍法所形成者為佳。前述方法係可將2種以上組合而使用,亦可將任一方法單獨使用。
蒸鍍法(真空蒸鍍法),較佳係藉由將支撐體(於本發明中係相當於兩面塗佈薄膜)放入真空容器內,使金屬進行加熱蒸發,而於塗佈層上進行金屬層形成。
濺鍍法,較佳係將支撐體(於本發明中係相當於兩面塗佈薄膜)放入真空容器內,導入氬等之惰性氣體,施加直流電壓,使經離子化的惰性氣體碰撞靶金屬,藉由擊打出的金屬,而於塗佈層上進行金屬層形成。
離子電鍍法,較佳係將支撐體(於本發明中係相當於兩面塗佈薄膜)放入真空容器內,在輝光放電環境下,使金屬進行加熱蒸發,藉由經離子化的蒸發金屬,而於塗佈層上進行金屬層形成。
於圖型化中係可使用以往周知的技術來實施。例如,於日本特開2014-150118號公報中記載者。
以下,雖藉由實施例而更進一步詳細地說明本發明,但本發明係只要不超出其要旨,則不限定於以下之實施例。另外,實施例及比較例中「份」係表示「重量
份」。又,本發明所使用之測定法及評估方法係如下所述。
(1)聚酯之固有黏度之測定方法:
精秤將與聚酯非相溶的其他聚合物成分及顏料去除後的聚酯1g,添加酚/四氯乙烷=50/50(重量比)之混合溶劑100ml進行溶解,以30℃進行測定。
(2)平均粒徑(d50)及粒度分布:
使用(股)島津製作所公司製離心沉澱式粒度分布測定裝置SA-CP3,藉由根據斯托克斯(Stokes)之電阻定律的沉澱法來測定粒子之大小,而求出平均粒徑。與平均粒徑之測定法相同方式求出粒度分布。亦即,從等效球分布中之大粒子側起進行累計,由下述式算出粒度分布比(R)。
(r)=粒子累計重量為25%時之粒徑/粒子累計重量為75%時之粒徑
(3)聚酯原料中所含有之含有寡聚物量的測定方法:
將聚酯原料秤量約200mg,使其溶解於氯仿/HFIP(六氟-2-異丙醇)之比率3:2的混合溶劑2ml中。溶解後,追加氯仿20ml之後,少量逐漸添加甲醇10ml。將沉澱物藉由過濾進行去除,進一步將沉澱物以氯仿/甲醇之比率2:1的混合溶劑進行洗淨,將濾液/洗淨液進行回
收,藉由蒸發器進行濃縮,其後,使其乾固。將乾固物溶解於DMF(二甲基甲醯胺)25ml後,將此溶液供給至液相層析法(島津製作所製:LC-7A),求出DMF中之寡聚物量,將此值除以溶解於氯仿/HFIP混合溶劑中的聚酯原料量,來作為含有寡聚物量(重量%)。DMF中之寡聚物量係由標準試料峰值面積與測定試料峰值面積的峰值面積比求出(絕對檢量曲線法)。
(4)塗佈薄膜中所含有之含有寡聚物量的測定方法:
將塗佈薄膜秤量約200mg,使其溶解於氯仿/HFIP(六氟-2-異丙醇)之比率3:2的混合溶劑2ml中。溶解後,追加氯仿20ml之後,少量逐漸添加甲醇10ml。將沉澱物藉由過濾進行去除,進一步將沉澱物以氯仿/甲醇之比率2:1的混合溶劑進行洗淨,將濾液/洗淨液進行回收,藉由蒸發器進行濃縮,其後,使其乾固。將乾固物溶解於DMF(二甲基甲醯胺)25ml後,將此溶液供給至液相層析法(島津製作所製:LC-7A),求出DMF中之寡聚物量,將此值除以溶解於氯仿/HFIP混合溶劑中的塗佈薄膜量,來作為含有寡聚物量(重量%)。DMF中之寡聚物量係由標準試料峰值面積與測定試料峰值面積的峰值面積比求出(絕對檢量曲線法)。
標準試料之製成係將預先分取的寡聚物(酯環狀三聚物)正確地秤量,溶解於正確秤量出的DMF而製成。標準試料之濃度較佳為0.001~0.01mg/ml之範
圍。
另外,液相層析之條件係如下述般。
移動相A:乙腈
移動相B:2%乙酸水溶液
管柱:三菱化學(股)製『MCI GEL ODS 1HU』
管柱溫度:40℃
流速:1ml/分
檢測波長:254nm
(5)層合聚酯層的厚度:
將薄膜小片以環氧樹脂固定成形之後,以切片機切斷,並以透過型電子顯微鏡照片觀察薄膜的剖面。觀察到其剖面當中與薄膜表面大致平行地2條起因於明暗的界面。從10張照片測定該2條界面與薄膜表面的距離,將平均值作為層合厚度。
(6)聚酯薄膜中之金屬元素及磷元素量的定量:
使用螢光X射線分析裝置((股)島津製作所公司製型式「XRF-1500」),在下述表1所示之條件下,藉由薄膜FP法以單片測定求出薄膜中之元素量。另外,本方法之檢測極限通常為1ppm左右。
(7)塗佈層厚度:
以包埋樹脂固定薄膜並以切片機將剖面切斷,以2%鋨酸60℃進行2小時染色,而調整試料。將所得之試料以透過型電子顯微鏡(日本電子股份有限公司製JEM2010)進行觀察,測定塗佈層的厚度。測定薄膜之合計15個部位,將排除數值較大的3點與較小的3點後之9點的平均作為塗佈層厚度。
(8)由構成金屬膜層合用薄膜之塗佈薄膜的塗佈層表面所萃取的寡聚物量(OL)的測定方法:
預先將塗佈薄膜在空氣中以150℃進行90分鐘加熱。其後,將進行熱處理後之該薄膜以成為上部打開之縱橫10cm、高度3cm的方式,將測定面(塗佈層)作為內面而製成箱形的形狀。接著,於以上述方法製成的箱中放入DMF(二甲基甲醯胺)4ml,放置3分鐘後,將DMF回收。將回收的DMF供給至液相層析法(島津製作所製:LC-7A),求出DMF中之寡聚物量,將此值除以接
觸到DMF的薄膜面積,來作為薄膜表面寡聚物量(mg/m2)。DMF中之寡聚物量係由標準試料峰值面積與測定試料峰值面積的峰值面積比求出(絕對檢量曲線法)。(A面)。於相反面側(B面)亦以與上述相同要領進行測定,求出由塗佈層表面所萃取的寡聚物量(OL)。
標準試料之製成係將預先分取的寡聚物(環狀三聚物)正確地秤量,溶解於正確秤量出的DMF而製成。標準試料之濃度較佳為0.001~0.01mg/ml之範圍。
另外,液相層析之條件係如下述般。
移動相A:乙腈
移動相B:2%乙酸水溶液
管柱:三菱化學(股)製『MCI GEL ODS 1HU』
管柱溫度:40℃
流速:1ml/分
檢測波長:254nm
(9)塗佈薄膜霧度(H0)的測定:
對於試料薄膜,按照JIS-K-7136,藉由村上色彩研究所製「HM-150」,測定薄膜霧度。
(10)加熱處理後之塗佈薄膜霧度(H1)的測定:
將試料薄膜以特定的熱處理條件(150℃、90分鐘)處理之後,以與(5)項相同方式,測定薄膜霧度。
(11)塗佈薄膜霧度變化量(加熱霧度,△H)的測定:
由(7)項與(8)項之測定值,算出塗佈薄膜霧度變化量(加熱霧度,△H)。
△H=(H1)-(H0)
△H越低,顯示因高溫處理導致之寡聚物的析出越少,且為良好。
(12)塗佈薄膜表面之最大粗度(St)測定(熱處理前):
對於試料薄膜之測定面,藉由使用利用了直接相位檢測干擾法,所謂的邁克生(Michelson)之干擾的2光束干擾法之非接觸表面計測系統「Micromap公司製Micromap 512」測定表面粗度(St)。另外,測定波長係設為530nm,物鏡係使用20倍,20°視野計測,採用合計12點計測的計測值內排除其最大值與最小值的合計10點之平均值,來作為其表面粗度(St)。藉由上述測定方法,於塗佈薄膜中,測定熱處理前之薄膜表面的表面粗度(St1)(A面)。相反面側(B面)亦以與上述相同的要領進行表面粗度(St2)之測定。
(13)塗佈薄膜表面之最大粗度(St)測定(熱處理後):
以與上述(12)相同的要領,於塗佈薄膜中,測定
150℃、90分鐘熱處理後之薄膜表面的表面粗度(St3)(A面)。
相反面側(B面)亦以與上述相同的要領進行表面粗度(St4)之測定。
(14)經圖型化的金屬層區域表面之最大粗度(St)測定:
於塗佈薄膜中,於薄膜表面上藉由反應性濺鍍法,形成厚度20nm之氧化銅層。於該氧化銅層上塗佈圖型化(最細部:20μm)的光阻劑進行乾燥硬化之後,將所得之氧化銅層浸漬於4%之氯化鐵水溶液中進行蝕刻處理。所得之經圖型化的氧化銅層係藉由150℃×90分鐘之加熱處理而結晶化。以與上述(12)相同的要領測定所得之圖型化後的氧化銅層之金屬層區域的表面粗度(St5)(A面)。
(15)經圖型化的金屬層區域表面之最大粗度(St)測定:
在(14)之相反面(B面)亦存在金屬層的情況係以與上述(14)相同的要領進行圖型化,以與上述(12)相同的要領測定所得之圖型化後的氧化銅層之金屬層區域的表面粗度(St6)。
(16)未設有經圖型化的金屬層之區域的表面之最大粗度
(St)測定:
對於(14)之非金屬層區域的表面粗度(St),以與上述(12)相同的要領測定表面粗度(St7)(A面)。
(17)未設有經圖型化的金屬層之區域的表面之最大粗度(St)測定:
對於(14)之非金屬層區域的表面粗度(St),以與上述(12)相同的要領測定表面粗度(St8)(B面)。
(18)塗佈薄膜之收縮率(SMD、STD)的測定:
將試料薄膜以無張力狀態於保持在特定的溫度(150℃)的烘箱中進行90分鐘熱處理,測定其前後的試料之長度,並以下述式算出。
另外,針對塗佈薄膜之MD與TD之各者進行測定。
收縮率=((熱處理前之樣品長)-(熱處理後之樣品長))/(熱處理前之樣品長)×100
(19)對於金屬層之密著性(加熱加濕前)評估(實用特性代用評估):
於塗佈薄膜中,於塗佈薄膜之塗佈層表面上藉由反應性濺鍍法,形成厚度20nm之氧化銅層。於該氧化銅層上塗佈圖型化的光阻劑進行乾燥硬化之後,將所得之氧化銅層浸漬於4%之氯化鐵水溶液中,以使氧化銅層殘留3mm寬的方式進行蝕刻處理。所得之經圖型化的氧化銅層係藉
由150℃×90分鐘之加熱處理而結晶化。接著,使用股份有限公司島津製作所製「Ezgraph」,如JISC 5016所規定般,進行90度方向之拉伸試驗,測定對於金屬層之密著力,藉由下述判定基準進行判定(A面)。在相反面側(B面)亦存在金屬層的情況係以與上述相同的要領進行測定,藉由下述判定基準進行判定。
<<判定基準>>
A:密著力為0.5N/mm以上,密著性良好(為實用上無問題的水準)
B:密著力為0.3~0.4N/mm,密著性普通(為實用上有時會成為問題的水準)
C:密著力為0.2N/mm以下,密著性不良(為實用上有問題的水準)
(20)對於金屬層之密著性(加熱加濕後)評估(實用特性代用評估):
於塗佈薄膜中,於塗佈薄膜之塗佈層表面上藉由反應性濺鍍法,形成厚度20nm之氧化銅層。於該氧化銅層上塗佈圖型化的光阻劑進行乾燥硬化之後,將所得之氧化銅層浸漬於4%之氯化鐵水溶液中,以使氧化銅層殘留12mm寬的方式進行蝕刻處理。所得之經圖型化的氧化銅層係藉由150℃×90分鐘之加熱處理而結晶化。其後,放入保持在溫度85℃、濕度85%RH之條件的恆溫槽中48小時。然後,以與上述(11)相同的要領,測定對於金屬層之密
著力,藉由下述判定基準進行判定(A面)。在相反面側(B面)亦存在金屬層的情況係以與上述相同的要領進行測定,藉由下述判定基準進行判定。
<<判定基準>>
A:密著力為0.5N/mm以上,密著性良好(為實用上無問題的水準)
B:密著力為0.3~0.4N/mm,密著性普通(為實用上有時會成為問題的水準)
C:密著力為0.2N/mm以下,密著性不良(為實用上有問題的水準)
(21)金屬層之變色性評估(實用特性代用評估):
於塗佈薄膜中,於塗佈薄膜之塗佈層表面上藉由反應性濺鍍法,形成厚度20nm之氧化銅層。其後,放入保持在溫度85℃、濕度85%RH之條件的恆溫槽中48小時,然後,目視觀察金屬膜層合用薄膜表面之氧化銅層表面,藉由下述判定基準進行判定(A面)。在相反面側(B面)亦存在金屬層的情況係以與上述相同的要領進行測定,藉由下述判定基準進行判定。
<<判定基準>>
A:無變色且良好(為實用上無問題的水準)
B:確認些許變色(為實用上有時會成為問題的水準)
C:確認變色(為實用上有問題的水準)
(22)銅層圖型化後之圖型形狀(變形)評估:
於塗佈薄膜中,於塗佈薄膜之塗佈層表面上藉由反應性濺鍍法,形成厚度20nm之氧化銅層。於該氧化銅層上塗佈格子狀圖型化(最細部:12μm)的光阻劑進行乾燥硬化之後,將所得之氧化銅層浸漬於4%之氯化鐵水溶液中進行蝕刻處理。對於所得之經圖型化的氧化銅層,關於150℃×90分鐘之加熱處理前後的格子狀之圖型(加熱前之X的長度=3.00mm,加熱前之Y的長度=3.00mm)的尺寸變化(X,Y),使用測定顯微鏡進行觀察,藉由下述判定基準進行判定。另外,經圖型化之金屬層的形狀之變形係起因於塗佈薄膜之MD與TD的收縮差。是故,於本評估中係為了簡化而於A面進行評估。
(判定基準)
A:加熱後之X與Y的長度之差為0.01mm以下(幾乎無加熱處理前後之尺寸變化,而為實用上無問題的水準)
B:加熱後之X與Y的長度之差超過0.01mm(因加熱處理前後之尺寸變化,而為實用上有問題的水準)
於本評估中,雖以格子狀的圖型進行評估,但並不限定於此。
(23)銅層圖型化後之配線斷線評估(耐熱性之實用特性代用評估):
於塗佈薄膜中,於薄膜表面上藉由反應性濺鍍法,形成厚度20nm之氧化銅層。於該氧化銅層上塗佈線狀圖型化(最細部:4μm、8μm、12μm、20μm)的光阻劑進行乾燥硬化之後,將所得之氧化銅層浸漬於4%之氯化鐵水溶液中進行蝕刻處理。所得之經圖型化的氧化銅層係藉由150℃×90分鐘之加熱處理而結晶化。
對於所得之圖型化後的氧化銅層之成為最細部的部位以光學顯微鏡(KEYENCE公司數位顯微鏡型號:VHX-200)並以倍率40倍檢查100個部位,檢查氧化銅層之斷線的有無,藉由以下的基準評估圖型化後的配線斷線性(A面)。於相反面側(B面)亦以與上述相同的要領進行檢查,藉由下述判定基準進行判定。
<<判定基準>>
A:於A面、B面皆無確認到銅配線之斷線
B:於A面、B面皆無確認到銅配線之斷線,但可確認配線之龜裂現象
C:於A面、B面皆可確認1部位以上銅配線之斷線
(24)塗佈薄膜中之鹵離子量的定量:
將試料薄膜(塗佈薄膜)切取10cm平方,於純水中,以室溫浸漬24小時。其後,藉由離子層析法,並藉由下述測定條件,測定所檢測之鹵離子量。
(離子層析法測定條件)
分析裝置:DIONEX公司製,DX-320
分離管柱:Ion Pac AS15(4mm×250mm)
保護管柱:Ion Pac AG15(4mm×50mm)
去除系統:ASRS-ULTRA(外模(external mode),100mA)
檢測器:電傳導度檢測器
溶析液:7mM KOH(0~20分)
45mM KOH(20~30分)
(使用溶析液產生器EG40)
溶析液流量:1.0ml/分
試料注入量:250μl
(判定基準)
A:鹵離子量為1ppm以下(為實用上無問題的水準)
B:鹵離子量超過1ppm(實用上有疑慮)
(25)綜合評估:
於實施例及比較例所得之在塗佈薄膜之塗佈層表面上經圖型化的金屬膜層合用薄膜中,關於對金屬層之密著性(加熱加濕前後)、金屬層之變色性評估、銅層圖型化後之圖型形狀(變形)、氧化銅層圖型化後之配線斷線評估,藉由下述判定基準進行綜合評估。
<<判定基準>>
A:對於金屬層之密著性(加熱加濕前後)、金屬層之變色性評估、銅層圖型化後之圖型形狀(變形)、氧化
銅層圖型化後之配線斷線評估全部為○(為實用上無問題的水準)
B:對於金屬層之密著性(加熱加濕前後)、金屬層之變色性評估、銅層圖型化後之圖型形狀(變形)、氧化銅層圖型化後之配線斷線評估當中至少一個為△(為實用上有時會成為問題的水準)
C:對於金屬層之密著性(加熱加濕前後)、金屬層之變色性評估、銅層圖型化後之圖型形狀(變形)、氧化銅層圖型化後之配線斷線評估當中至少一個為×(為實用上有問題的水準)
於實施例及比較例中所使用之聚酯係如以下方式準備者。
<聚酯之製造>
〔聚酯(I)之製造方法〕
將對苯二甲酸二甲酯100重量份與乙二醇60重量份作為起始原料,添加作為觸媒之四丁氧基鈦放進反應器中,將反應開始溫度設為150℃,餾除甲醇並緩緩地使反應溫度上昇,3小時後成為230℃。4小時後,實質使酯交換反應結束。將此反應混合物移至聚縮合槽,進行4小時聚縮合反應。亦即,將溫度從230℃緩緩地昇溫而成為280℃。
另一方面,壓力係從常壓緩緩地減壓,最終成為0.3mmHg。反應開始後,根據反應槽之攪拌動力的變化,
在相當於極限黏度0.55的時點停止反應,在氮加壓下使聚合物吐出,而得到極限黏度0.59、寡聚物(酯環狀三聚物)含量0.89重量%之聚酯(I)。
〔聚酯(II)之製造方法〕
使聚酯(I)預先以160℃預備結晶化之後,在溫度220℃之氮環境下進行固相聚合,而得到極限黏度0.72、寡聚物(酯環狀三聚物)含量0.46重量%之聚酯(II)。
〔聚酯(III)之製造方法〕
將對苯二甲酸二甲酯100重量份與乙二醇60重量份作為起始原料,添加作為觸媒之乙酸鎂四水合物放進反應器中,將反應開始溫度設為150℃,餾除甲醇並緩緩地使反應溫度上昇,3小時後成為230℃。4小時後,實質使酯交換反應結束。將此反應混合物移至聚縮合槽,添加正磷酸之後,添加二氧化鍺,進行4小時聚縮合反應。亦即,將溫度從230℃緩緩地昇溫而成為280℃。另一方面,壓力係從常壓緩緩地減壓,最終成為0.3mmHg。反應開始後,根據反應槽之攪拌動力的變化,在相當於極限黏度0.63的時點停止反應,在氮加壓下使聚合物吐出,而得到極限黏度為0.63之聚酯(III)。
〔聚酯(IV)之製造方法〕
於聚酯(I)之製造方法中,以使相對於粒子之聚酯
的含量成為1.5重量%的方式添加平均粒徑0.3μm之分散於乙二醇的氧化鋁粒子,除此之外,以相同方式進行製造,而得到聚酯(IV)。所得之聚酯(IV)係極限黏度0.59、寡聚物(酯環狀三聚物)含量0.87重量%。
〔聚酯(V)之製造方法〕
除了關於氧化鋁粒子,平均粒徑為0.04μm不同以外,以與聚酯(IV)相同的方式進行製造,而得到聚酯(V)。所得之聚酯(V)係極限黏度0.59、寡聚物(酯環狀三聚物)含量0.87重量%。
〔聚酯(VI)之製造方法〕
除了關於氧化鋁粒子,平均粒徑為0.8μm不同以外,以與聚酯(IV)相同的方式進行製造,而得到聚酯(VI)。所得之聚酯(VI)係極限黏度0.59、寡聚物(酯環狀三聚物)含量0.87重量%。
〔聚酯(VII)之製造方法〕
將對苯二甲酸二甲酯100重量份與乙二醇60重量份作為起始原料,將作為觸媒之乙酸鎂四水合物0.09重量份放進反應器中,將反應開始溫度設為150℃,餾除甲醇並緩緩地使反應溫度上昇,3小時後成為230℃。4小時後,實質使酯交換反應結束。於此反應混合物中添加,添加乙基酸式磷酸酯(ethyl acid phosphate)0.04份之後,
添加三氧化二銻0.04份,進行4小時聚縮合反應。亦即,將溫度從230℃緩緩地昇溫而成為280℃。另一方面,壓力係從常壓緩緩地減壓,最終成為0.3mmHg。反應開始後,根據反應槽之攪拌動力的變化,在相當於極限黏度0.63的時點停止反應,在氮加壓下使聚合物吐出。所得之聚酯(VII)之極限黏度為0.63。
實施例1:
將上述聚酯(II)、(III)、(IV)分別以89.5%、10%、0.5%之比例混合而成的混合原料作為a層之原料,將聚酯(I)100%原料作為b層原料,分別供給至2台擠壓機,分別以285℃熔融之後,將a層作為最外層(表層),將b層作為中間層,於冷卻至40℃的鑄造鼓輪上,以2種共3層(aba)且使層合聚酯薄膜厚度構成比成為a:b:a=2:19:2的方式進行共擠壓並使其冷卻固化,而得到無配向薄片。接著,利用輥周速差,以薄膜溫度85℃朝縱向作3.3倍延伸之後,將由下述表2所示之塗佈劑組成所構成的塗佈層,以使乾燥後之塗佈量單面成為0.04μm的方式塗佈於薄膜兩面(相對於薄膜行進方向,上面為A面,下面為B面)之後,引導至拉幅機,朝橫向以120℃作4.9倍延伸,以235℃進行熱處理之後,朝橫向鬆弛,將薄膜捲繞於輥上,而得到設有薄膜寬1000mm、捲長度6000m、厚度23μm塗佈層之兩面塗佈薄膜。另外,構成塗佈層之化合物例係如以下所述。另外,
STD之微調整係朝橫向以鬆弛後之薄膜寬作微調整。
(化合物例)
(A1):六甲氧基羥甲基三聚氰胺
(A2):唑啉化合物之EPOCROS(股份有限公司日本觸媒製)
唑啉基量7.7mmol/g
(A3):唑啉化合物之EPOCROS(股份有限公司日本觸媒製)
唑啉基量4.5mmol/g
(A4):聚甘油縮水甘油醚
(A5):以下述方法合成之封端聚異氰酸酯
將六亞甲基二異氰酸酯1000份以60℃進行攪拌,添加作為觸媒之四甲基銨/辛酸酯0.1份。4小時後,添加磷酸0.2份使反應停止,而得到異氰脲酸酯型聚異氰酸酯組成物。添加所得之異氰脲酸酯型聚異氰酸酯組成物100份、數量平均分子量400之甲氧基聚乙二醇42.3份、丙二醇單甲基醚乙酸酯29.5份,以80℃保持7小時。其後,將反應液溫度保持在60℃,添加異丁醯乙酸甲酯35.8份、丙二酸二乙酯32.2份、甲醇鈉(sodium methoxide)之28%甲醇溶液0.88份,進行4小時保持。添加n-丁醇58.9份,以反應溫度80℃進行2小時保持,其後,添加2-乙基己基酸式磷酸酯0.86份所得之封端聚
異氰酸酯
(A6):聚碳二醯亞胺系化合物之CARBODILITE(Nisshinbo Chemical股份有限公司製)碳二醯亞胺當量340
(B1):以下述之組成聚合而成之玻璃轉移點為40℃之丙烯酸樹脂水分散體
乙基丙烯酸酯/n-丁基丙烯酸酯/甲基丙烯酸甲酯/N-羥甲基丙烯醯胺/丙烯酸=65/21/10/2/2(重量%)之乳化聚合物(乳化劑:陰離子系界面活性劑)
(B2):當將以對苯二甲酸315重量份、間苯二甲酸299重量份、乙二醇74重量份、及二乙二醇265重量份作為成分之聚酯多元醇作為(B2a)時,將以(B2a)953重量份、異佛酮二異氰酸酯267重量份、乙二醇56重量份、及二羥甲基丙酸67重量份作為構成成分的聚酯聚胺基甲酸酯以氨進行中和水分散而成者(濃度23%、25℃時之黏度30mPa‧s)
(B3):聚乙烯醇(皂化度88莫耳%、聚合度500)
(C1):三聚氰胺交聯觸媒之2-胺基-2-甲基丙醇氫氯化物
(D1):含四級銨鹼之聚合物。
2-羥基3-甲基丙烯醯氧丙基三甲基銨鹽聚合物
相對離子:甲基磺酸酯數量平均分子量:30000
(F1):平均粒徑0.07μm之二氧化矽粒子。
(F2):平均粒徑0.02μm之氧化鋁變性二氧化矽粒子。
接著,於所得之塗佈薄膜的塗佈層表面藉由濺鍍法,以使厚度成為20nm的方式於兩面層合氧化銅層,於該氧化銅層上塗佈圖型化的光阻劑進行乾燥硬化之後,將所得之氧化銅層浸漬於4%之氯化鐵水溶液中進行蝕刻處理,而得到經圖型化之兩面金屬膜層合用薄膜。將所得之薄膜的特性顯示於下述表10~16。
實施例2~19:
於實施例1中,由下述表2所示之塗佈劑組成所構成的塗佈層、原料摻合(下述表3~9)、縱橫延伸倍率、橫延伸倍率、主結晶溫度、厚度構成比、薄膜厚度、朝橫向鬆弛後之薄膜寬為不同,除此之外,以與實施例1相同方式進行製造,而得到薄膜。將所得之薄膜的特性顯示於下述表10~16。
實施例20:
於實施例6中,變更塗佈層之塗佈量,除此之外,以與實施例6相同方式進行製造,而得到薄膜。將所得之薄膜的特性顯示於下述表10~16。
實施例21:
於實施例1中,將暫時製造出的薄膜於系外之熱風式
烘箱內,將薄膜張力(烘箱內)在3kg/1000mm寬之條件下,以60m/min之薄膜搬送速度,以180℃ 10秒鐘,進行再加熱(離線退火),除此之外,以與實施例1相同方式進行製造,而得到薄膜。將所得之薄膜的特性顯示於下述表10~16。
實施例22:
於實施例10中,將暫時製造出的薄膜於系外之熱風式烘箱內,將薄膜張力(烘箱內)在3kg/1000mm寬之條件下,以60m/min之薄膜搬送速度,以190℃ 10秒鐘,進行再加熱(離線退火),除此之外,以與實施例1相同方式進行製造,而得到薄膜。將所得之薄膜的特性顯示於下述表10~16。
實施例23:
於實施例11中,將暫時製造出的薄膜於系外之熱風式烘箱內,將薄膜張力(烘箱內)在3kg/1000mm寬之條件下,以60m/min之薄膜搬送速度,以170℃ 10秒鐘,進行再加熱(離線退火),除此之外,以與實施例11相同方式進行製造,而得到薄膜。將所得之薄膜的特性顯示於下述表10~16。
實施例24:
於實施例6中,將暫時製造出的薄膜於系外之熱風式
烘箱內,將薄膜張力(烘箱內)在3kg/1000mm寬之條件下,以60m/min之薄膜搬送速度,以160℃ 10秒鐘,進行再加熱(離線退火),除此之外,以與實施例6相同方式進行製造,而得到薄膜。將所得之薄膜的特性顯示於下述表10~16。
實施例25:
於實施例22中,僅於塗佈薄膜之A面的塗佈層表面藉由濺鍍法,以使厚度成為20nm的方式層合氧化銅層,於該氧化銅層上塗佈圖型化的光阻劑進行乾燥硬化之後,將所得之氧化銅層浸漬於4%之氯化鐵水溶液中進行蝕刻處理,而得到經圖型化之單面金屬膜層合用薄膜,除此之外,以與實施例22相同方式進行製造,而得到薄膜。將所得之薄膜的特性顯示於下述表10~16。
比較例1~6:
於實施例6中,變更由下述表2所示之塗佈劑組成所構成的塗佈層,除此之外,以與實施例6相同方式進行製造,而得到薄膜。將所得之薄膜的特性顯示於下述表10~16。
於比較例5、比較例6、比較例7中,於(21)金屬層之變色性評估中,放入恆溫槽中48小時的中間位置之24小時位置,確認金屬膜層合用薄膜表面之氧化銅層表面的變色,結果在24小時位置已確認出變
色。將所得之薄膜的特性顯示於下述表10~16。
比較例8:
於實施例1中,除了不設置塗佈層以外,以與實施例1相同方式進行製造,而得到薄膜。將所得之薄膜的特性顯示於下述表10~16。
比較例9~11:
於實施例6中,除了a層之原料不同以外,以與實施例6相同方式進行製造,而得到薄膜。
比較例12:
於實施例6中,將表層之聚酯(IV)變更成聚酯(VI),以與實施例1相同方式進行製造,而得到兩面塗佈薄膜,結果兩面塗佈薄膜之表面會粗面化,於(23)銅層圖型化後之配線斷線評估中,對應最細部4μm之圖型化加工係為困難。將所得之薄膜的特性顯示於下述表10~16。
比較例13:
於實施例6中,除了將聚酯(III)、(IV)、(VII)分別以10%、0.5%、89.5%的比例進行混合作為a層之原料以外,以與實施例6相同方式進行製造,而得到薄膜。將所得之薄膜的特性顯示於下述表10~16。
比較例14:
於實施例1中,除了橫延伸倍率、朝橫向鬆弛後之薄膜寬不同以外,以與實施例1相同方式進行製造,而得到薄膜。將所得之薄膜的特性顯示於下述表10~16。
比較例15:
於實施例18中,除了橫延伸倍率、朝橫向鬆弛後之薄膜寬不同以外,以與實施例18相同方式進行製造,而得到薄膜。將所得之薄膜的特性顯示於下述表10~16。
將上述實施例及比較例中使用的塗佈層之塗佈劑組成顯示於下述表2。
於上述實施例及比較例中使用的聚酯中,表層、中間層之原料摻合係顯示於下述表3~9。
將上述實施例及比較例所得之薄膜的特性顯示於下述表10~16。
Claims (4)
- 一種金屬膜層合用薄膜,其特徵為,於至少一方之聚酯薄膜面,具有由含有對不揮發成分而言為70重量%以上之交聯劑的塗佈液所形成之塗佈層,且滿足下述式(1),|SMD-STD|≦0.4...(1)(上述式中,SMD係意味著薄膜行進方向(MD)之收縮率(%),STD係意味著與薄膜行進方向正交的方向(TD)之收縮率(%),加熱條件係150℃、90分鐘)。
- 如請求項1之金屬膜層合用薄膜,其中,聚酯薄膜係含有平均粒徑0.1~0.6μm之粒子,且由至少3層所構成的多層聚酯薄膜,同時滿足下述式(2)及(3),0<Ti≦20…(2) 0≦P≦300…(3)(上述式中,Ti係意味著多層聚酯薄膜中之鈦元素量(ppm),P係意味著磷元素量(ppm))。
- 如請求項1或2之金屬膜層合用薄膜,其中,金屬層係經圖型化之層。
- 如請求項1~3中任一項之金屬膜層合用薄膜,其中,金屬層係由銅所構成。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015192356A JP6763125B2 (ja) | 2015-09-30 | 2015-09-30 | 金属積層フィルム |
JP2015192357A JP6763126B2 (ja) | 2015-09-30 | 2015-09-30 | 金属積層フィルム |
JP2015-192356 | 2015-09-30 | ||
JP2015-192357 | 2015-09-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201712086A true TW201712086A (zh) | 2017-04-01 |
TWI734682B TWI734682B (zh) | 2021-08-01 |
Family
ID=58423067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW105107040A TWI734682B (zh) | 2015-09-30 | 2016-03-08 | 金屬膜層合用薄膜 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
KR (2) | KR102216456B1 (zh) |
CN (1) | CN107922655B (zh) |
TW (1) | TWI734682B (zh) |
WO (1) | WO2017056523A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102600040B1 (ko) | 2018-08-03 | 2023-11-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2621950B2 (ja) * | 1987-09-25 | 1997-06-18 | 三井東圧化学株式会社 | フレキシブルな金属とプラスチックの積層板 |
JPH06120630A (ja) | 1992-10-07 | 1994-04-28 | Ulvac Japan Ltd | プリント配線基板用の銅箔 |
JPH06132628A (ja) | 1992-10-19 | 1994-05-13 | Fujikura Ltd | 片面フレキシブル印刷配線板の製法 |
JP3152331B2 (ja) | 1994-11-11 | 2001-04-03 | 住友金属鉱山株式会社 | フレキシブル基板の製造方法 |
JPH11165350A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Toray Ind Inc | フレキシブルプリント基板用二軸配向ポリエステルフイルム及びその製造方法 |
JPH11268168A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-05 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 透明導電膜及び保護フィルム付きプラスティックフィルム |
TWI269709B (en) * | 2001-12-06 | 2007-01-01 | Toray Industries | Laminated film and process for producing laminated film |
JP4178509B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2008-11-12 | 東洋紡績株式会社 | ポリエステルフィルムおよびその製造方法 |
GB0602678D0 (en) * | 2006-02-09 | 2006-03-22 | Dupont Teijin Films Us Ltd | Polyester film and manufacturing process |
WO2012029499A1 (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | 長瀬産業株式会社 | 1,4-シクロヘキシレンジメチレンテレフタレートと1,4-シクロヘキシレンジメチレンイソフタレートとの共重合体フィルム、太陽電池モジュール用保護シート、及び、太陽電池モジュール |
WO2012063945A1 (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-18 | 富士フイルム株式会社 | 太陽電池用バックシート及び太陽電池モジュール |
JP5483372B2 (ja) * | 2011-10-08 | 2014-05-07 | 三菱樹脂株式会社 | 塗布フィルム |
CN102610678B (zh) * | 2012-03-20 | 2014-08-27 | 浙江旭辉光电科技股份有限公司 | 透光的太阳能电池组件 |
JP2014053410A (ja) | 2012-09-06 | 2014-03-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 両面金属積層フィルムの製造方法とその製造装置、および、フレキシブル両面プリント配線基板の製造方法 |
JP6164075B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2017-07-19 | 三菱ケミカル株式会社 | 透明導電膜基材用塗布フィルム |
JP6150252B2 (ja) * | 2013-09-10 | 2017-06-21 | 三菱ケミカル株式会社 | 透明導電膜基材用塗布フィルム |
CN105793039B (zh) * | 2013-12-03 | 2019-09-06 | 三菱化学株式会社 | 表面保护膜 |
-
2016
- 2016-02-29 CN CN201680046478.5A patent/CN107922655B/zh active Active
- 2016-02-29 KR KR1020207005758A patent/KR102216456B1/ko active IP Right Grant
- 2016-02-29 WO PCT/JP2016/056024 patent/WO2017056523A1/ja active Application Filing
- 2016-02-29 KR KR1020187000832A patent/KR20180018686A/ko active Application Filing
- 2016-03-08 TW TW105107040A patent/TWI734682B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180018686A (ko) | 2018-02-21 |
CN107922655A (zh) | 2018-04-17 |
KR102216456B1 (ko) | 2021-02-17 |
KR20200023550A (ko) | 2020-03-04 |
TWI734682B (zh) | 2021-08-01 |
CN107922655B (zh) | 2021-11-19 |
WO2017056523A1 (ja) | 2017-04-06 |
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