TW201711761A - 水刀、基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種：能以短時間形成「平均地吐出處理液」之狀態的水刀、基板處理裝置及基板處理方法。 實施形態的水刀(11)具有：用來貯留處理液的貯留部(11T)；形成朝貯留部(11T)之長度方向延伸的槽縫狀，連接於貯留部(11T)而用來吐出處理液的吐出部(11S)；用來對貯留部(11T)供給處理液的處理液供給通路(11P)；用來吸引存在於貯留部(11T)之氣體的吸引通路(11V)。從處理液供給通路(11P)對貯留部(11T)供給處理液，並同時對貯留部(11T)作用不會從吐出部(11S)將外部的氣體吸入貯留部(11T)內的吸引力。

Description

水刀、基板處理裝置及基板處理方法

本發明關於水刀、基板處理裝置及基板處理方法。

在液晶顯示裝置和半導體裝置的製造步驟中，有對玻璃基板和半導體晶圓等被處理物進行洗淨處理、或藥液處理的處理步驟。就該處理步驟所使用的處理液而言，採用純水和藥液等，且採用「對每1片基板噴射該處理液，而執行處理」的單片處理方式。

在藉由單片處理方式來處理基板的場合中，在基板之搬送路徑的上方和下方配置處理用的水刀(槽縫噴嘴)，使處理液形成簾瀑狀的處理液膜，對所搬送的基板進行噴射。

該傳統所使用的一般水刀，其兩個板狀構件是隔著間隔件而形成一體化，在前端形成槽縫。第8圖及第9圖，是顯示傳統水刀的圖面。如第8圖所示，兩個板狀構件之中，在其中一個設有處理液供給通路110P。此外，如第9圖所示，在水刀內設有：用來貯留由處理液供給通路110P所供給之處理液的貯留部110T。水刀，藉由將貯留 部110T所貯留的處理液，從槽縫110S朝向基板噴射，而對基板的表面進行處理。

在採用第8圖及第9圖所示的傳統水刀執行基板之處理的場合中，首先，在處理開始之前，使處理液充滿貯留部110T。一旦在處理液未充滿貯留部110T的狀態下開始基板的處理，存在於貯留部110T的空氣，將混入貯留部110T所供給的處理液而產生氣泡。該氣泡與處理液一起從槽縫110S噴射，導致簾瀑狀的處理液產生間斷(不連續)的情形，因此有必要使處理液充滿貯留部110T。一但對基板供給已產生間斷的簾瀑狀處理液，處理液將無法充分地供給至基板上對應於間斷的部位，處理將無法均一(一致)地執行。

有鑑於此，為了去除貯留部110T內的空氣，有必要經由處理液供給管110P對貯留部110T連續供給處理液一段時間，以等待貯留部110T內的空氣從槽縫110S排出。當然，在該期間無法執行基板的處理。

然而，為了使所吐出的簾瀑狀處理液不致產生間斷程度地排出貯留部110T內的空氣，視水刀的大小，有時需花費1小時以上的時間，而存有所謂「在基板處理開始之前，需要非常多時間」的問題。

本發明，是為了解決上述課題所研發而成的發明，其目的是提供一種：相較於以往，能在短時間內形成「平均 地吐出處理液」之狀態的水刀、基板處理裝置及基板處理方法。

本發明的水刀，其特徵為具有：用來貯留處理液的貯留部；形成朝前述貯留部之長度方向延伸的槽縫狀，連接於前述貯留部而用來吐出前述處理液的吐出部；用來對前述貯留部供給處理液的處理液供給通路；連接於前述貯留部，用來吸引存在於前述貯留部之氣體的吸引通路，從前述處理液供給通路對前述貯留部供給前述處理液，同時對前述貯留部作用：不會使外部氣體從前述吐出部被吸引至前述貯留部內的吸引力。

本發明的基板處理裝置，其特徵為具有：利用從水刀吐出的處理液，對所搬送的基板執行處理的水刀處理部；利用氣刀，使經前述處理液處理的前述基板乾燥的乾燥處理部，前述水刀具有：用來貯留處理液的貯留部；形成朝前述貯留部之長度方向延伸的槽縫狀，連接於前述貯留部而用來吐出前述處理液的吐出部；用來對前述貯留部供給處理液的處理液供給通路；連接於前述貯留部，用來吸引存在於前述貯留部之氣體的吸引通路，從前述處理液供給通路對前述貯留部供給前述處理液，同時對前述貯留部作用：不會使外部氣體從前述吐出部被吸引至前述貯留部內的吸引力。

本發明的基板處理方法，其特徵為具有：利用從水刀吐出的處理液，對所搬送的基板執行處理的水刀處理步驟；利用氣刀，使經前述處理液處理的前述基板乾燥的乾 燥處理步驟，前述水刀具有：用來貯留處理液的貯留部；形成朝前述貯留部之長度方向延伸的槽縫狀，連接於前述貯留部而用來吐出前述處理液的吐出部；用來對前述貯留部供給處理液的處理液供給通路；連接於前述貯留部，用來吸引存在於前述貯留部之氣體的吸引通路，從前述處理液供給通路對前述貯留部供給前述處理液，同時對前述貯留部作用：不會使外部氣體從前述吐出部被吸引至前述貯留部內的吸引力。

根據本發明，能提供一種：在短時間內形成「平均地吐出處理液」之狀態的水刀、基板處理裝置及基板處理方法。

10‧‧‧水刀處理部

11‧‧‧水刀(Aqua knife)

11A‧‧‧第1板狀構件

11B‧‧‧第2板狀構件

11C‧‧‧壓力調整閥(壓力調整部)

11C₁~11C₃‧‧‧壓力調整閥(壓力調整部)

11P‧‧‧處理液供給通路

11P₁~11P₄‧‧‧處理液供給通路

11S‧‧‧槽縫(吐出部)

11T‧‧‧貯留部

11V‧‧‧吸引通路

11V₁~11V₃‧‧‧吸引通路

12‧‧‧水刀

20‧‧‧噴水洗淨部

21‧‧‧噴水噴嘴

22‧‧‧噴水噴嘴

30‧‧‧乾燥部(乾燥處理部)

31‧‧‧氣刀(Air knife)

32‧‧‧氣刀

100‧‧‧基板處理裝置

101‧‧‧搬入口

102‧‧‧搬出口

110P‧‧‧處理液供給通路

110S‧‧‧槽縫

110T‧‧‧貯留部

H‧‧‧搬送部

H1‧‧‧搬送軸

H2‧‧‧搬送滾子

L‧‧‧液面

W‧‧‧基板

第1圖：為本發明第1實施形態之基板處理裝置的示意圖。

第2圖：為本發明第1實施形態之基板處理裝置所具有的水刀的立體圖。

第3圖：是第2圖所示之水刀的A-A線剖面圖。

第4圖：是第2圖所示之水刀的B-B線剖面圖。

第5圖：是顯示本發明第1實施形態中，基板處理裝置所具有之水刀的貯留部之壓力調整步驟的圖。

第6圖：為本發明第2實施形態之基板處理裝置所具有的水刀的立體圖。

第7圖：是第6圖所示之水刀的C-C線剖面圖。

第8圖：是傳統基板處理裝置所具備之水刀的示意圖。

第9圖：是傳統基板處理裝置所具備之水刀的剖面圖。

(第1實施形態)

以下，參考第1圖~第5圖，說明本發明之第1實施形態的基板處理裝置。

第1圖，是概略顯示本發明之基板處理裝置100的圖面。

基板處理裝置100，具有水刀處理部10、噴水洗淨部20及乾燥部(乾燥處理部)30的複數個處理部。然後，基板處理裝置100，是在各處理部內及處理部間，藉由搬送部H搬送基板W，並執行處理的裝置。搬送部H是由以下所構成：沿著基板W之搬送方向設置的複數個搬送軸H1、以特定間隔設於各搬送軸H1的複數個搬送滾子H2。

水刀處理部10具備：基板W的搬入口101、用來處理基板W之表面的水刀11。該水刀11，在前端具有：沿著水刀11之長度方向的槽縫11S(請參考第2圖、第3圖)。接著，水刀11被配置成：槽縫11S沿著「與基板W的搬送方向交叉」的方向(在本實施形態中，是直交的水平方向)。此外，水刀11，為了如第1圖中的箭號所示，可 朝向基板W的搬送方向下游側吐出處理液，而傾斜設置。在本文中，是採用藥液、和純水作為處理液。水刀處理部10，可供給藥液並對基板W執行藥液處理。或者，在利用水刀處理部10之前段的裝置執行藥液處理等的場合中，也可以在水刀處理部10，執行利用純水去除殘留於基板W上之藥液的洗淨處理。

噴水洗淨部20具備：用來洗淨基板W表面的噴水噴嘴21、及用來洗淨基板W背面的噴水噴嘴22。在噴水洗淨部20，更進一步對「於水刀處理部10的處理所使用之基板W上殘留的藥液等」進行沖洗。就噴水洗淨部20所使用的洗淨水而言，譬如純水等。

乾燥部30具備：用來乾燥基板W表面的氣刀31、用來乾燥基板W背面的氣刀32、用來排出已完成乾燥之基板W的搬出口102。氣刀31、氣刀32，皆是藉由從槽縫狀的噴嘴向基板W以高壓吐出空氣噴飛附著於基板W之液體，而執行乾燥處理的構件。

接下來，採用第2圖~第4圖，說明水刀11的構造。第2圖，是水刀11的立體圖。在水刀11的長度方向側面，設有處理液供給通路11P，在水刀11的上面，設有2個吸引通路11V。在吸引通路11V設有：可調整吸引通路11V之吸引力的壓力調整閥11C(壓力調整部)。

第3圖，是第2圖所示之水刀11的A-A線剖面圖。在第3圖中，吸引通路11V也以剖面方式顯示。水刀11，其第1板狀構件11A與第2板狀構件11B的2片板 狀構件，是隔著圖面中未顯示的間隔件以圖面中未顯示的螺絲形成一體化。在第2板狀構件11B的上面，設有上述的吸引通路11V。吸引通路11V連接於泵浦等圖面中未顯示的真空供給裝置。此外，第2板狀構件11B中，在第1板狀構件11A的對向面形成有缺口，藉由第1板狀構件11A與第2板狀構件11B形成一體化，而形成沿著後述槽縫11S延伸的貯留部11T。圖面中未顯示的間隔件，是用來確保第1板狀構件11A與第2板狀構件11B的對向面間之氣密性的構件，被配置於兩板狀構件11A、11B之接合面的外周部分。但是，間隔件，並未被設在上述兩個板狀構件11A、11B之對向面的局部(下方端部)，在該貯留部11T的下方，形成有用來將處理液噴設成簾瀑狀的槽縫狀吐出部11S(以下，簡稱為槽縫11S)。槽縫11S，被連接於貯留部11T，為了能噴出簾瀑狀的處理液膜，而形成細長的長方形。

第4圖，是第2圖所示之水刀11的B-B線剖面圖。如第4圖所示，處理液供給通路11P，貫穿「構成水刀11的第1板狀構件11A」之側面的長度方向中央部分，並連接於貯留部11T。如此一來，藉由將處理液供給通路11P設在貯留部11T之長度方向的中央部分，可均勻地將處理液供給至貯留部11T內。處理液供給通路11P，連接於處理液供給槽等圖面中未顯示的處理液供給源。2個吸引通路11V，在水刀11的長度方向，設成包夾處理液供給通路11P。從處理液供給通路11P所供給的處理液，如第4 圖的箭號所示，流動於貯留部11T內。

如先前所述，一旦因存在於貯留部11T的空氣混入處理液而產生氣泡，將成為「由槽縫11S所吐出之簾瀑狀的處理液產生間斷」的原因。因此，「在整個貯留部11T內充滿了處理液的狀態下，執行從槽縫11S的吐出」的這一點，變成必要的前提。因此，如同第2圖~第4圖所示，在本實施形態中，於第2板狀構件11B的上面，設有連接於貯留部11T的吸引通路11V。藉由來自於該吸引通路11V的吸引力，而形成可將貯留部11T內所存在的氣體(在本實施形態中為空氣)從貯留部11T排出。

接著，採用第5圖(a)~第5圖(d)，說明基板處理裝置100在開始基板W的處理前之水刀11的調整(以下，稱為(「事前調整」)。

該事前調整，是水刀11內之貯留部11T中液面L的調整，在使用基板處理裝置100開始基板W的處理之前進行。

以下，針對與採用傳統水刀時之事前調整的差異進行說明。

在傳統的水刀中，如同以上所述，第9圖所示之貯留部110T的液面，因為由處理液供給通路110P所供給之處理液的自然增加而上升，在形成「貯留部110T被處理液所充滿」的狀態之前，需要大量的時間。更具體地說，雖然處理液是經由處理供給通路110P供給至貯留部110T，並從槽縫110S吐出該處理液，但在傳統的水刀中，只要在 貯留部110T存在氣體，便構成：藉由處理液本身的重量而從槽縫110S吐出之處理液的每個單位時間的吐出量，低於由處理液供給通路110P所供給的液量。因此形成：在對貯留部110T開始處理液的供給之後，對應於前述「吐出量與供給液量之間的差異值」，貯留部110T的液面隨著時間的經過而上升。

然而，在該貯留部110T之處理液的液面到達最高位置之前(亦即，在貯留部110T被處理液充滿之前)，譬如花費1個小時以上，需要長時間待機的這點，則如同先前所述。這是由於：相對於「由處理液供給管110P所供給之處理液的每個單位時間的吐出量為不變」，隨著處理液緩緩地充滿貯留部110T內，作用於槽縫110S附近之處理液的壓力也隨之上升，致使從槽縫110S吐出的液量緩緩地增加，而成為貯留部110T中液面的上升速度緩緩地變慢的起因。此外，由於氣體的脫逸場所僅限於槽縫110S，即使以「貯留部110T之處理液的液面到達最高位置所需的特定時間」進行待機，有時貯留部110T的全域也難以完全被處理液所充滿。如此一來，在貯留部110T殘留有空氣的狀態下開始處理的場合中，於從水刀連續吐出處理液的途中，會不經意地吐出「混入有空氣之狀態處理液」，而導致間斷產生。

在本實施形態的水刀11中，與傳統的水刀相同，就開始基板W之處理前的事前調整而言，是以處理液充滿貯留部11T內。

因此，在本實施形態中，雖然與傳統的水刀相同，在貯留部11T經由處理液供給通路11P供給處理液，除此之外，還利用來自於吸引通路11V的吸引力執行貯留部11T的壓力調整。

具體地說，首先，經由處理液供給通路11P，對充滿空氣的貯留部11T開始處理液的供給。如此一來，使處理液緩緩地貯留於貯留部11T(第5圖(a))。在第5圖中，並未顯示從槽縫11S吐出的處理液。截至目前為止，與傳統相同，每個單位時間被供給至貯留部11T之處理液的流量，比從槽縫11S吐出之處理液的流量更多。在本實施形態中，在該階段開啟壓力調整閥11C使貯留部11T內的壓力下降。一旦對貯留於貯留部11T的處理液作用負壓，將對貯留於貯留部11T的處理液，施加用來阻止「該處理液從槽縫11S排出」之方向的力。如此一來，即使貯留部11T處的液面L變高，也不會使從槽縫11S吐出之處理液的量產生變化或減少。換言之，執行壓力調整，盡可能地減少從槽縫11S流出的處理液，使處理液滯留於貯留部11T。但是，施加於貯留部11T的負壓(吸引力)，最大為「不會從槽縫11S吸入外部的空氣」的程度，換言之，最好是形成：處理液不會從槽縫11S吐出之狀態的負壓。不僅如此，從處理液供給通路11P朝貯留部11T供給之處理液的供給壓力，高於吸引通路11V吸引貯留部11T的吸引力。該調整壓力，因槽縫11S的寬度、和水刀11的大小而異，可藉由預先實驗等而求出。

藉由上述的調整，雖然一開始，如第5圖(a)所示的低液面L，如第5圖(b)、第5圖(c)所示地逐漸上升，但是液面L的上升速度，遠高於第9圖所示的傳統技術中利用自然增加的速度。由於貯留部11T中處理液的貯留量隨著時間的流逝而增加，液面L的液位(level)逐漸上升，因此倘若利用吸引通路11V的壓力調整閥11C而從吸引通路11V吸引的力量(施加於貯留部11T的負壓)，也對應於液面L的液位上升而緩緩地上升，則為有效。這是由於隨著貯留部11T內之液體的量增加，為了盡可能地阻止處理液從槽縫11S吐出，而需要以更強的吸引力來吸引。一旦貯留部11T之液面L的液位如第5圖(d)所示地形成最高位置(貯留部11T滿載的狀態)，水刀11之處理前的事前調整便完成。如此一來，吸引通路11V對貯留部11T的吸引，與「從處理液供給通路11P朝貯留部11T之處理液的供給」同時執行。此外，利用吸引通路11V吸引貯留部11T的力，是不會從槽縫11S側將空氣吸入貯留部11T內的吸引力。這是由於一旦從槽縫11S吸入空氣，將成為氣泡混入貯留部11T內之處理液的原因。

接著，針對基板處理裝置100之基板處理的步驟進行說明。以下的動作控制，全部是由圖面中未顯示的控制部自動控制。

一旦水刀11之處理前的事前調整完成，便關閉壓力調整閥11C(停止來自於吸引通路11V的吸引)。持續從處理液供給通路11P對貯留部11T的處理液供給。在關閉壓 力調整閥11C的同時，如第1圖所示，利用搬送部H將基板W從搬入口101朝基板處理裝置100的水刀處理部10搬入，開始水刀11的處理。基板W，由水刀11供給處理液並被搬送(水刀處理步驟)，在前段的裝置沖洗附著於基板W的藥液、或從水刀11對基板W供給藥液。

在水刀11的貯留部11T，由處理液供給通路11P持續供給處理液，由於吸引通路11V的壓力調整閥11C被關閉，因此從槽縫11S供給之簾瀑狀的處理液膜，經常在「貯留部11T被充滿」的狀態下形成。因此，由於從槽縫11S吐出的處理液，不容易形成間斷，可平均地對基板W供給處理液，因此能一致地執行處理。此外，在貯留部11T形成被處理液充滿的狀態後，藉由從處理液供給通路11P供給至貯留部11T之處理液的供給控制，使「從槽縫11S吐出之處理液的狀態」受到控制。換言之，藉由調整「從處理液供給通路11P供給至貯留部11T之處理液的流量」，可調節從槽縫11S吐出之處理液的流量、流速等。

接著，基板W被朝噴水洗淨部20搬送。在噴水洗淨部20，由噴水噴嘴21、噴水噴嘴22洗淨基板W的兩面(沖洗處理步驟)。藉由「由前段的水刀處理部10、或水刀處理部10前段的裝置所執行的藥液處理」，並藉由「由噴水噴嘴21、噴水噴嘴22所供給的純水」沖洗殘留於基板W上的藥液和粒子(particle)等。

已在噴水洗淨部20洗淨的基板W，繼續由搬送部H朝乾燥部30搬送，並由氣刀31、氣刀32所吐出的空氣 執行乾燥處理(乾燥處理步驟)。氣刀31、氣刀32，皆為了朝向基板W的搬送方向上游側吐出空氣，而傾斜地設置。已在乾燥部30實施了乾燥處理的基板W，從搬出口102朝基板處理裝置100的外部搬出。

如同以上的說明，根據本實施形態，由於在水刀11之處理前的事前調整中，以處理液充滿貯留部11T，因此能從槽縫11S吐出一致之簾瀑狀的處理液膜，能以防止間斷且一致的狀態將處理液供給至基板W。

不僅如此，當處理液充滿貯留部11T時，藉由吸引貯留部11T，相較於根據本身(指處理液)的重量而流出的液量，能抑制從槽縫11S流出之處理液的量。如此一來，相較於傳統，在事前調整中，令貯留部11T中液面L的上升速度加速，能以較傳統更短的時間使處理液充滿貯留部11T，可快速地開始基板W的處理。

除此之外，利用吸引通路11V吸引貯留部11T的力形成：不會從槽縫11S側將空氣吸入貯留部11T內的吸引力。因此，也能防止貯留部11T內的處理液中混入新的氣泡。

此外，由於貯留部11T內的空氣，經由吸引通路11V朝貯留部11T的外部排出，故能防止空氣殘留於貯留部11T內。

(第2實施形態)

接著，採用第6圖及第7圖來說明本發明的第2實施 形態。

第2實施形態，基本上與第1實施形態相同。因此，在第2實施形態中，針對與第1實施形態不同的差異點進行說明，並省略其他的說明。如第6圖及第7圖所示，第2實施形態的基板處理裝置所具有的水刀12與上述第1實施形態不同之處，在於處理液供給通路11P有複數個，亦即具備處理液供給通路11P₁~11P₄，且設有複數個吸引通路11V，亦即吸引通路11V₁~11V₃。不僅如此，該處理液供給通路11P₁~11P₄與吸引通路11V₁~11V₃，在水刀12的長度方向，設成彼此交錯。

第6圖，是第2實施形態中水刀12的立體圖。處理液供給通路11P₁~11P₄，與第1實施形態相同，被設在水刀12的長度方向側面，這些處理液供給通路11P₁~11P₄是保持特定間隔所設置。吸引通路11V₁~11V₃，也與第1實施形態相同，被設在水刀12的上面，這些吸引通路11V₁~11V₃是保持特定間隔所設置。貯留部11T的壓力調整，是以與第1實施形態相同的步驟所執行。

此外，在吸引通路11V₁~11V₃設有：可分別調整吸引力的壓力調整閥11C₁~11C₃。從處理液供給通路11P₁~11P₄所供給的處理液，如第7圖的箭號所示，流動於貯留部11T內，使液面L逐漸上升。然後，原本存在於貯留部11T的氣體，隨著處理液被供給至貯留部11T，藉由「貯留部11T之處理液的液面逐漸上升」，而被上方排擠。分別由吸引通路11V₁~11V₃吸引該被排擠的氣體。

如先前所述，在第2實施形態中，由於處理液供給通路11P₁~11P₄與吸引通路11V₁~11V₃交錯設置，因此從處理液供給通路11P₁~11P₄平均地朝貯留部11T供給處理液。不僅如此，由於位於處理液供給通路11P₁與處理液供給通路11P₂之間的氣體吸引通路11V₁、位於處理液供給通路11P₂與處理液供給通路11P₃之間的氣體吸引通路11V₂、位於處理液供給通路11P₃與處理液供給通路11P₄之間的氣體吸引通路11V₃進行吸引，故能防止多餘的氣體滯留於貯留部11T中。

在本實施形態之水刀12的事前調整中，以下幾點與第1實施形態相同：從處理液供給通路11P₁~11P₄供給至貯留部11T的每單位時間之處理液的流量，多於從槽縫11S所吐出之處理液的流量；吸引通路11V₁~11V₃對貯留部11T的吸引，與「從處理液供給通路11P₁~11P₄朝貯留部11T之處理液的供給」同時執行；由吸引通路11V₁~11V₃對貯留部11T吸引的力，是不會從槽縫11S側將外部的空氣吸入貯留部11T的吸引力等。

藉由這樣的構造，由於處理液均勻地充滿貯留部11T，因此能從槽縫11S吐出更加一致的處理液膜。據此，基板W的處理也能一致地執行。

〈其他實施形態〉

雖然在上述的實施形態中，列舉了「水刀11、12，為了可朝向基板W的搬送方向下游側吐出處理液，而傾斜 設置」的例子，但本發明並不侷限於此，亦可為了能朝向搬送方向上游側吐出處理液，而傾斜設置，即使垂直設置亦無妨。在為了能朝向搬送方向下游側吐出而傾斜設置的場合中，能獲得所謂「基板W的處理可一致地執行」的效果。亦即，在水刀11、12相對於基板W而設成垂直的場合中、和為了朝向基板W的搬送方向上游側吐出而傾斜設置的場合中，被供給至基板W的處理液，朝搬送方向上游側擴散，導致基板W之搬送方向上游側的表面，相較於基板W的下游側前端部分，處理的開始時機通常更早。相對於此，在如同上述的實施形態，相對於基板W，為了從水刀11、12朝向搬送方向下游側吐出處理液，而傾斜供給處理液的場合，處理液對「所搬送的基板W」之處理開始的時機相同，因此能執行一致的處理。此外，在為了不使基板W上的處理液被帶往後續步驟而將其去除的場合中，倘若使處理液朝向基板W的搬送方向上游側吐出，由於來自於水刀11、12的處理液、與所搬送的基板W之間的相對速度增加，因此能更有效率地排除基板W的液體。

此外，雖然在上述的實施形態中，列舉了「水刀11、12僅具備於基板W的上方，噴水噴嘴21、22及氣刀31、32則具備於基板W上下」的例子，但本發明並不侷限於此，亦可設成朝向基板W之任何一側的表面，或亦可設成朝向兩側的面。

此外，雖然在上述的實施形態中，列舉了「處理液供 給通路11P、11P₁~11P₄，沿著水刀11、12之長度方向的側面設置」的例子，但本發明並不侷限於此，即使設在水刀11、12的上面亦無妨。但是，在將處理液供給通路11P設於水刀11、12側面的場合中，由於處理液沿著貯留部11T的壁面供給至貯留部11T，因此在事前調整中，貯留部11T內的處理液不易起泡，能防止氣泡的產生，此外，在基板W的處理中，可防止經由處理液供給通路11P所供給之處理液的供給變動，直接成為來自於槽縫11S的吐出變動，因此能從槽縫11S吐出更一致之簾瀑狀的處理液膜。

此外，在上述的實施形態中，針對吸引通路11V、11V₁~11V₃對貯留部11T的壓力調整，雖然「使負壓朝貯留部11T作用的開始時機」，是在「開始對貯留部11T供給處理液」之後，但亦可在供給開始前。

此外，雖然形成「隨著貯留部11T之液面L的液位上升，從吸引通路11V、11V₁~11V₃吸引的力量也漸漸地上升」的效果，但吸引力亦可一定，譬如，從一開始便以與「液面L的液位達到最高位置時的壓力」相同的壓力(負壓)持續吸引。在該場合中，由於處理液能更快速地充滿貯留部11T，因此有效率。但是，相較於「一開始便以相同的壓力進行吸引」的場合，如同上述的實施形態般緩緩地提高吸引力的場合，能節約能源，因此更為經濟。既使在該場合中，利用吸引通路11V、11V₁~11V₃吸引貯留部11T的力，最好是形成：不會從槽縫11S側將空氣吸入貯留部 11T內的吸引力。

此外，雖然在上述的實施形態中，說明了「水刀11、12，是由第1板狀構件11A與第2板狀構件11B構成一體化」的構造，但本發明並不侷限於此，亦可形成：藉由加工一片板狀構件，而構成貯留部11T、槽縫11S等。

此外，在上述的實施形態中，當對應於液面L之液位的上升來調整施加於貯留部11T的負壓時，對於貯留部11T之液面L的液位，亦可預先設置用來偵測的測量器、或預先利用實驗來求出「液面L的液位因時間進程(time course)而產生的變化」，再根據測量器的測量值和時間進程，來控制貯留部11T的壓力。就測量器而言，可採用：使用光和導通線的位移計；和設有觀察窗並利用相機攝影等的習知液面感測器。或者，亦可當已從吸引通路11V、11V₁~11V₃吸到處理液時，便判斷貯留部11T已被充滿。

此外，在上述的實施形態中，水刀11、12之事前調整中的控制，亦可根據來自於前述測量器的輸出訊號和時間控制，由圖面中未顯示的控制部自動地執行，亦可由操作者以手動執行。

本發明，並不侷限於實施例所揭示之「從槽縫11S，使處理液成為簾瀑狀的膜後吐出」的例子，可適用於具有貯留部的各種水刀。

以上，雖然說明了本發明的幾個實施形態，但是上述的實施形態僅是作為例子所提示的形態，本發明的範圍並不侷限於上述的實施形態。上述之嶄新的實施形態，能以 其他的各種形態實施，在不脫離本發明要旨的範圍內，可執行各種的省略、置換、變更。這些實施形態及其變形的態樣，皆為本發明的範圍和要旨所包含，且皆包含於本發明之申請專利範圍所記載的發明、及與本發明之申請專利範圍均等的範圍。

L‧‧‧液面

11A‧‧‧第1板狀構件

11B‧‧‧第2板狀構件

11P‧‧‧處理液供給通路

11S‧‧‧吐出部

11T‧‧‧貯留部

11V‧‧‧吸引通路

Claims (5)

1. 一種水刀，其特徵為：具有：貯留部，用來貯留處理液；和吐出部，形成朝前述貯留部之長度方向延伸的槽縫狀，連接於前述貯留部並用來吐出前述處理液；和處理液供給通路，用來對前述貯留部供給處理液；及吸引通路，連接於前述貯留部，用來吸引存在於前述貯留部的氣體，從前述處理液供給通路對前述貯留部供給前述處理液，並同時對前述貯留部作用不會從前述吐出部將外部的氣體吸入前述貯留部內的吸引力。
2. 如申請專利範圍第1項所記載的水刀，其中前述吸引通路的吸引力，對應貯留於前述貯留部的前述處理液之液面的上升而升高。
3. 一種基板處理裝置，其特徵為：具有：水刀處理部，藉由從水刀吐出的處理液，對所搬送的基板執行處理；及乾燥處理部，利用氣刀，促使經前述處理液處理的前述基板乾燥，前述水刀具有：貯留部，用來貯留處理液；和吐出部，形成朝前述貯留部之長度方向延伸的槽縫 狀，連接於前述貯留部並用來吐出前述處理液；和處理液供給通路，用來對前述貯留部供給處理液；及吸引通路，連接於前述貯留部，用來吸引存在於前述貯留部的氣體，從前述處理液供給通路對前述貯留部供給前述處理液，並同時對前述貯留部作用不會從前述吐出部將外部的氣體吸入前述貯留部內的吸引力。
4. 一種基板處理方法，其特徵為：具有：水刀處理步驟，藉由從水刀吐出的處理液，對所搬送的基板執行處理；及乾燥處理步驟，利用氣刀，促使經前述處理液處理的前述基板乾燥，前述水刀具有：貯留部，用來貯留處理液；和吐出部，形成朝前述貯留部之長度方向延伸的槽縫狀，連接於前述貯留部並用來吐出前述處理液；和處理液供給通路，用來對前述貯留部供給處理液；及吸引通路，連接於前述貯留部，用來吸引存在於前述貯留部的氣體，從前述處理液供給通路對前述貯留部供給前述處理液，並同時對前述貯留部作用不會從前述吐出部將外部的氣體吸入前述貯留部內的吸引力。
5. 如申請專利範圍第4項所記載的基板處理方法， 其中一旦前述貯留部被前述處理液所充滿，便停止存在於前述貯留部之氣體的吸引，在此之後，開始前述水刀處理步驟。