TW201641189A - 金屬奈米線之製造方法 - Google Patents

Abstract

一種金屬奈米線之製造方法，適用以製作銀奈米線與銅奈米線，且包含下列步驟。製備金屬奈米粒子合成溶液，以混合第一金屬離子化合物、第一還原劑與第一包覆劑，而形成複數個金屬奈米粒子。對金屬奈米粒子合成溶液進行光照處理。將經光照處理之金屬奈米粒子合成溶液之一部分與金屬奈米線合成溶液混合，以利用金屬奈米粒子合成溶液之此部分中之金屬奈米粒子作為晶種而形成複數個金屬奈米線。此金屬奈米線合成溶液包含第二金屬離子化合物、第二還原劑與第二包覆劑。

Description

金屬奈米線之製造方法

本發明是有關於一種奈米線之製造方法，且特別是有關於一種金屬奈米線之製造方法，尤其是銀與銅奈米線。

傳統在批次製備銀或銅等金屬奈米線溶液時，反應時間、反應溫度、添加劑量、包覆劑量、金屬前驅物量與還原劑量等重要製程參數，都會影響金屬奈米線的長寬比。然而，若要達到乾淨的金屬奈米線溶液，最重要的參數為金屬前驅物與包覆劑量之間的比例。此一比例在製備過程中必須固定，否則金屬奈米粒子便會生成，而增加後續金屬奈米線純化的困難度。因此，這樣批次製備方式因金屬前驅物會隨時間被消耗，導致反應劑量在溶液中的比例不固定，造成金屬奈米粒子生成，而有金屬奈米線純度不佳的缺點。

目前，為了解決金屬奈米粒子生成問題，一般常見的方法有批次晶種輔助成長法與連續製程法。批次晶種輔助成長法係將事先成長的金屬奈米粒子，取出並放入另一新鮮的成長溶液中，以利用這些金屬奈米粒子當作後續金屬 奈米線的晶種，而在適當條件下成長出金屬奈米線。然而，此法還是有金屬奈米粒子存在金屬奈米線溶液過多的問題，而須透過後續複雜繁瑣的純化動作來得到高純度金屬奈米線溶液。

另一方面，連續製程法則係利用嚴格控制金屬 前驅物與包覆劑量的比例，使此比例控制在一定範圍下，藉以確保生成高純度之金屬奈米線。然而，此方法有不易操作、後續純化複雜與製程條件嚴苛等問題。

因此，本發明之一目的就是在提供一種金屬奈米線之製造方法，其係先生成金屬奈米粒子來當後續成長金屬奈米線的晶種，再對金屬奈米粒子進行光照處理，藉此可促使金屬奈米粒子在金屬奈米線成長製程條件下，只成長成一維結構的金屬奈米線。因此，可順利製作出所需之金屬奈米線。

本發明之另一目的是在提供一種金屬奈米線之製造方法，其透過適當保存作為晶種之金屬奈米粒子的溶液，以限制溶液中的金屬奈米粒子成長為金屬奈米線而造成溶液中金屬奈米粒子與金屬奈米線共存，再搭配對作為晶種之金屬奈米粒子進行光照處理，來促使金屬奈米粒子成長為金屬奈米線。藉此，可有效提升金屬奈米線溶液的純度，並可大幅降低後續金屬奈米線純化的困難度。

根據本發明之上述目的，提出一種金屬奈米線 之製造方法，適用以製作銀奈米線與銅奈米線。在此金屬奈米線之製造方法中，製備金屬奈米粒子合成溶液，其中製備金屬奈米粒子合成溶液之步驟包含混合第一金屬離子化合物、第一還原劑與第一包覆劑，以形成複數個金屬奈米粒子。對金屬奈米粒子合成溶液進行光照處理。將經光照處理之金屬奈米粒子合成溶液之一部分與金屬奈米線合成溶液混合，以利用金屬奈米粒子合成溶液之此部分中之金屬奈米粒子作為晶種而形成複數個金屬奈米線。此金屬奈米線合成溶液包含第二金屬離子化合物、第二還原劑與第二包覆劑，且第二金屬離子化合物、第二還原劑與第二包覆劑分別與第一金屬離子化合物、第一還原劑與第一包覆劑相同。

依據本發明之一實施例，上述之每一第一金屬 離子化合物與第二金屬離子化合物包含至少一種銀離子化合物，每一第一包覆劑與第二包覆劑為聚乙烯吡咯烷酮，每一第一還原劑與第二還原劑為乙二醇、1,2-丙二醇或1,3-丙二醇。

依據本發明之另一實施例，上述製備金屬奈米 粒子合成溶液之步驟更包含混合一鹽類添加劑。

依據本發明之又一實施例，上述之鹽類添加劑 包含至少一種含氯化合物。

依據本發明之再一實施例，上述製備金屬奈米 粒子合成溶液之步驟包含下列步驟。將鹽類添加劑與第一包覆劑混合於第一還原劑中，以形成混合溶液。將此混合溶液 置入不透光之緊閉瓶中。對不透光之緊閉瓶中之混合溶液進行預熱處理，以將混合溶液提升至合成溫度。於合成溫度下，將第一金屬離子化合物加入混合溶液中，以形成金屬奈米粒子。

依據本發明之再一實施例，上述將鹽類添加劑 與第一包覆劑混合於第一還原劑中時，更包含控制混合溫度為10℃至50℃。

依據本發明之再一實施例，上述之合成溫度為 70℃至170℃。

依據本發明之再一實施例，上述之聚乙烯吡咯 烷酮之分子量為30000至360000。

依據本發明之再一實施例，上述將金屬奈米粒 子合成溶液之部分與金屬奈米線合成溶液混合之步驟包含下列步驟。將金屬奈米粒子合成溶液之此部分與第二包覆劑混合於第二還原劑中，以形成混合溶液。將混合溶液置入不透光之緊閉瓶中。對不透光之緊閉瓶中之混合溶液進行預熱處理，以將混合溶液提升至合成溫度。於合成溫度下，將第二金屬離子化合物加入混合溶液中，以利用金屬奈米粒子作為晶種而形成金屬奈米線。

依據本發明之再一實施例，上述將金屬奈米粒 子合成溶液之部分與第二包覆劑混合於第二還原劑中時，更包含控制混合溫度為10℃至50℃。

依據本發明之再一實施例，上述之合成溫度為 70℃至170℃。

依據本發明之再一實施例，上述之每一第一金 屬離子化合物與第二金屬離子化合物包含至少一種銅離子化合物，每一第一包覆劑與第二包覆劑為胺類化合物，每一第一還原劑與第二還原劑為醛基化合物。

依據本發明之再一實施例，上述之胺類化合物 為己二胺，醛基化合物為醣類、維他命C或聯胺。

依據本發明之再一實施例，上述製備金屬奈米 粒子合成溶液之步驟包含下列步驟。利用一溶劑混合第一金屬離子化合物與第一包覆劑，以形成混合溶液，其中此溶劑為二段水。將混合溶液置入不透光之緊閉瓶中。對不透光之緊閉瓶中之混合溶液進行預熱處理。將第一還原劑加入混合溶液中，並將混合溶液提升至合成溫度，以形成金屬奈米粒子。

依據本發明之再一實施例，上述利用溶劑混合 第一金屬離子化合物與第一包覆劑時，更包含控制混合溫度為10℃至50℃。

依據本發明之再一實施例，上述之合成溫度為 70℃至170℃。

依據本發明之再一實施例，上述將金屬奈米粒 子合成溶液之部分與金屬奈米線合成溶液混合之步驟包含下列步驟。利用一溶劑混合第二金屬離子化合物與第二包覆劑，以形成混合溶液，其中此溶劑為二段水。將混合溶液置入不透光之緊閉瓶中。將金屬奈米粒子合成溶液之此部分加入混合溶液中。對不透光之緊閉瓶中之混合溶液進行預熱處 理。將第二還原劑加入混合溶液中，並將混合溶液提升至合成溫度，以利用金屬奈米粒子作為晶種而形成金屬奈米線。

依據本發明之再一實施例，上述利用溶劑混合 第二金屬離子化合物與第二包覆劑時，更包含控制混合溫度為10℃至50℃。

依據本發明之再一實施例，上述之合成溫度為 70℃至170℃。

依據本發明之再一實施例，於製備金屬奈米粒 子合成溶液之步驟與進行光照處理步驟之間，上述金屬奈米線之製造方法更包含將金屬奈米粒子合成溶液保存不透光且於一保存溫度下，其中此保存溫度為-20℃至60℃。

依據本發明之再一實施例，上述進行光照處理 步驟包含利用一光源，此光源之波長為325nm至800nm。

依據本發明之再一實施例，於將金屬奈米粒子 合成溶液之部分與金屬奈米線合成溶液混合之步驟後，上述金屬奈米線之製造方法更包含下列步驟。利用丙酮對金屬奈米線進行第一潤洗處理，利用二段水對金屬奈米線進行第二潤洗處理，將金屬奈米線保存於二段水中。

100‧‧‧步驟

102‧‧‧步驟

104‧‧‧步驟

106‧‧‧步驟

108‧‧‧步驟

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下： 〔圖1〕係繪示依照本發明之一實施方式的一種金屬奈米線之製造方法的流程圖。

有鑑於習知批次製備金屬奈米線時，金屬奈米線溶液之純度低，且後續純化複雜與製程條件嚴苛，因此本發明在此提出一種金屬奈米線之製造方法，適用以製作銀奈米線與銅奈米線。在本發明中，藉由對作為晶種之金屬奈米粒子進行光照處理，可促使金屬奈米粒子在後續只成長為一維結構之金屬奈米線。此外，可再結合妥善保存金屬奈米粒子晶種的條件。如此一來，可獲得高純度之金屬奈米線溶液，而大大的降低後續純化程序的難度，甚至可免除後續之純化程序。因此，本發明之金屬奈米線之製造方法具有操作容易、製程簡單、金屬奈米線溶液之純度高等優勢。

請參照圖1，其係繪示依照本發明之一實施方式的一種金屬奈米線之製造方法的流程圖。此金屬奈米線之製造方法可適用以製作銀奈米線與銅奈米線。在本實施方式中，係採用批次製備方式來製作金屬奈米線。在一些實施例中，製作金屬奈米線時，先進行步驟100，以製備金屬奈米粒子合成溶液。製備金屬奈米粒子合成溶液時可混合第一金屬離子化合物、第一還原劑與第一包覆劑。將第一金屬離子化合物、第一還原劑與第一包覆劑混合後，可形成具有許多金屬奈米粒子的金屬奈米粒子合成溶液。這些金屬奈米粒子 在後續製程中可作為成長金屬奈米線的晶種。在一些示範例子中，金屬奈米粒子合成溶液更包含有鹽類添加劑。

在一些例子中，完成金屬奈米粒子合成溶液的 製備後，可根據製程需求，而選擇性地先將金屬奈米粒子合成溶液保存在適當條件下，以避免反應繼續進行而使得金屬奈米粒子成長為金屬奈米線。舉例而言，可將金屬奈米粒子合成溶液保存在不透光，且保存溫度介於-20℃至60℃的環境下。

接下來，進行步驟102，以對金屬奈米粒子合 成溶液進行光照處理。透過此光照處理，可促使金屬奈米粒子在後續的金屬奈米線成長期間，成長為一維結構，也就是金屬奈米線的結構。在一些例子中，進行光照處理步驟包含利用一光源，且此光源之波長可為325nm至800nm。

完成光照處理後，可進行步驟104，從經光照 處理後之金屬奈米粒子合成溶液中取出一部分，並將所取出之金屬奈米粒子合成溶液與金屬奈米線合成溶液混合。在金屬奈米粒子合成溶液與金屬奈米線合成溶液混合過程中，金屬奈米粒子合成溶液中之金屬奈米粒子可作為成長晶種，再加上金屬奈米粒子經光照處理後有利於朝一維結構的型態成長，因此可以金屬奈米粒子為基礎而順利成長出許多的金屬奈米線。在一些示範例子中，可成長出線直徑為50~200nm且長寬比為40~500的金屬奈米線。此外，在溶液中，金屬奈米粒子/金屬奈米線之數量比介於0~4。

在一些例子中，金屬奈米線合成溶液包含第二 金屬離子化合物、第二還原劑與第二包覆劑。此外，金屬奈米線合成溶液中的第二金屬離子化合物、第二還原劑與第二包覆劑可例如分別與第一金屬離子化合物、第一還原劑與第一包覆劑相同。在一些示範例子中，金屬奈米線合成溶液更包含有鹽類添加劑，此鹽類添加劑可與金屬奈米粒子合成溶液中的鹽類添加劑相同，亦可不同。

在一些例子中，於將金屬奈米粒子合成溶液的 一部分與金屬奈米線合成溶液混合之步驟後，更可選擇性地進行步驟106，以利用丙酮對這些金屬奈米線進行一道潤洗處理，以去除金屬奈米線上的雜質，例如殘留之還原劑。在一些特定例子中，可選擇性地進行步驟108，以利用二段水對這些金屬奈米線再進行一道潤洗處理。完成金屬奈米線的潤洗後，可將這些金屬奈米線保存於二段水中。

以下利用一些實施例來更具體說明上述實施方 式於銀奈米線與銅奈米線之製作上的運用。在一些實施例中，係運用此方法來製作銀奈米線。先製備銀奈米粒子合成溶液，其中銀奈米粒子合成溶液包含銀離子化合物(即銀前驅物)、還原劑與包覆劑。銀奈米粒子合成溶液中包含至少一種銀離子化合物。銀離子化合物可例如為硝酸銀(AgNO₃)。還原劑可例如為乙二醇、1,2-丙二醇或1,3-丙二醇。包覆劑可例如為聚乙烯吡咯烷酮。

本案發明人發現，在製備銀奈米線的過程中， 使用不同分子量之聚乙烯吡咯烷酮包覆劑，會影響銀奈米線 在溶液中的純度。例如，低分子量的聚乙烯吡咯烷酮傾向合成銀奈米粒子與低長寬比的銀奈米線，而高分子量的聚乙烯吡咯烷酮傾向合成高長寬比之銀奈米線。因此，在一些例子中，所採用之聚乙烯吡咯烷酮的分子量範圍係從30000至360000。

在這些實施例中，製備銀奈米粒子合成溶液時 除了混合銀離子化合物、還原劑與包覆劑外，更可選擇性地混合鹽類添加劑，例如ⅦA族化合物。在一些例子中，鹽類添加劑包含至少一種含氯化合物。在示範例子中，鹽類添加劑包含氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KCl)、溴化鈉(NaBr)及/或溴化鉀(KBr)。

在這些實施例中，製備銀奈米粒子合成溶液之 步驟包含將鹽類添加劑與包覆劑混合於還原劑中，而形成混合溶液。在一些例子中，混合鹽類添加劑、包覆劑與還原劑時將混合時之溫度控制在10℃至50℃。接下來，可將此混合溶液置入不透光之緊閉瓶中。再對不透光之緊閉瓶中之混合溶液進行預熱處理，以將此混合溶液提升至合成溫度。此合成溫度為生成銀奈米粒子的反應溫度，可例如為70℃至170℃。在此合成溫度的環境下，將銀離子化合物加入混合溶液中，即可形成銀奈米粒子。這些銀奈米粒子合成完後，較佳係保存在-20℃至60℃且無照光的環境下，以避免銀奈米粒子繼續反應而成長為銀奈米線。

接著，對銀奈米粒子合成溶液進行光照處理。 透過此光照處理，可促使銀奈米粒子在後續的銀奈米線成長 期間，成長為一維的奈米線結構。在一些例子中，光照處理步驟所採用之光源的波長可為325nm至800nm。

隨後，從光照處理後之銀奈米粒子合成溶液中 取出一部分，使其與銀奈米線合成溶液混合，藉以利用光照處理後銀奈米粒子當作晶種，而順利成長出銀奈米線。在一些示範例子中，可成長出線直徑為50~200nm且長寬比為40~500的銀奈米線，而銀奈米粒子/銀奈米線之數量比介於0~4。銀奈米線合成溶液可包含銀離子化合物、還原劑與包覆劑，其可例如分別與銀奈米粒子合成溶液中的銀離子化合物、還原劑與包覆劑相同。在一些示範例子中，銀奈米線合成溶液更包含有鹽類添加劑，其可與銀奈米粒子合成溶液中的鹽類添加劑相同，亦可不同。

在一些例子中，混合部分之銀奈米粒子合成溶 液與銀奈米線合成溶液時，可先將銀奈米粒子合成溶液與包覆劑混合於還原劑中，以形成混合溶液。混合時之溫度可例如控制在10℃至50℃。接下來，可將此混合溶液置入不透光之緊閉瓶中。再對不透光之緊閉瓶中之混合溶液進行預熱處理，以將此混合溶液提升至合成溫度。此合成溫度為生成銀奈米線的反應溫度，可例如為70℃至170℃。在此合成溫度的環境下，將銀離子化合物加入混合溶液中，即可利用銀奈米粒子作為晶種而形成銀奈米線。然後，可利用丙酮對銀奈米線進行潤洗處理，以去除銀奈米線上的殘留還原劑等雜質。再將這些銀奈米線保存於二段水中。

在一些示範例子中，製作銀奈米線時，先製備 銀奈米粒子合成溶液。先將0.004g的氯化鈉與0.4g且分子量為360000的聚乙烯吡咯烷酮混合於60mL的乙二醇中。 並將此混合溶液放入不透光之緊閉瓶內。接著，以烘箱對此混合溶液進行溫度160℃的預熱。待混合溶液之溫度達160℃時，再將0.25g之硝酸銀粉末直接加入此混合溶液中，隨後使其冷卻，並保存在溫度60℃的環境下。

接下來，對銀奈米粒子合成溶液進行光照處 理，以於溫度60℃的環境下，利用光強度20mW/cm²的白光進行60分鐘的光照處理。

隨後，取上述經光照處理之銀奈米粒子溶液 5mL與0.4g且分子量為360000的聚乙烯吡咯烷酮，混合於60mL的乙二醇中。並將此混合溶液放入不透光之緊閉瓶內。再以適當的烘箱溫度，例如160℃進行預熱。待混合溶液之溫度達設定溫度時，例如160℃，再將0.25g的硝酸銀粉末直接加入此混合溶液中。在適當的反應溫度與反應時間下，例如160℃下反應30分鐘，即可製備出高純度之銀奈米線。隨後，可利用丙酮潤洗去除還原劑等雜質，再將銀奈米線保存於二段水中。

在一些實施例中，係運用此方法來製作銅奈米 線。先製備銅奈米粒子合成溶液，其中銅奈米粒子合成溶液包含銅離子化合物(即銅前驅物)、還原劑與包覆劑。銅奈米粒子合成溶液中包含至少一種銅離子化合物。銅離子化合物 可例如為氯化銅(CuCl₂)。還原劑可為醛基化合物，例如醣類、維他命C或聯胺。包覆劑可為胺類化合物，例如己二胺。

在這些實施例中，製備銅奈米粒子合成溶液之 步驟包含利用溶劑混合銅離子化合物與包覆劑，而形成混合溶液，其中溶劑可例如為二段水。在一些例子中，利用溶劑混合銅離子化合物與包覆劑時將混合之溫度控制在10℃至50℃。接下來，可將此混合溶液置入不透光之緊閉瓶中。 再對不透光之緊閉瓶中之混合溶液進行預熱處理。接著，將還原劑加入混合溶液中，並將混合溶液提升至合成溫度即可形成銅奈米粒子。此合成溫度為生成銅奈米粒子的反應溫度，可例如為70℃至170℃。這些銅奈米粒子合成完後，較佳係保存在-20℃至60℃且無照光的環境下，以避免銅奈米粒子繼續反應而成長為銅奈米線。

接著，對銅奈米粒子合成溶液進行光照處理。 透過此光照處理，可促使銅奈米粒子在後續的銅奈米線成長期間，成長為一維的奈米線結構。在一些例子中，光照處理步驟所採用之光源的波長可為325nm至800nm。

然後，從光照處理後之銅奈米粒子合成溶液中 取出一部分，使其與銅奈米線合成溶液混合，藉以利用光照處理後銅奈米粒子當作晶種，而順利成長出銅奈米線。在一些示範例子中，可成長出線直徑為50~300nm且長寬比為40~500的銅奈米線，而銅奈米粒子/銅奈米線之數量比介於0~4。銅奈米線合成溶液可包含銅離子化合物、還原劑與包 覆劑，其可例如分別與銅奈米粒子合成溶液中的銅離子化合物、還原劑與包覆劑相同。

在一些例子中，混合部分之銅奈米粒子合成溶 液與銅奈米線合成溶液時，可先利用溶劑混合銅離子化合物與包覆劑，以形成混合溶液，其中此溶劑同樣為二段水。混合時之溫度可例如控制在10℃至50℃。接下來，可將此混合溶液置入不透光之緊閉瓶中。將銅奈米粒子合成溶液加入混合溶液中。再對不透光之緊閉瓶中之混合溶液進行預熱處理。此接著，將還原劑加入混合溶液中，再將混合溶液提升至合成溫度，即可利用銅奈米粒子作為晶種而形成銅奈米線。合成溫度為生成銅奈米線的反應溫度，可例如為70℃至170℃。然後，可利用丙酮對銅奈米線進行潤洗處理，以去除銅奈米線上的殘留還原劑等雜質。此外，可選擇性地利用二段水，對銅奈米現再次進行潤洗處理。接著，將這些銅奈米線保存於二段水中。

在一些示範例子中，製作銅奈米線時，先製備 銅奈米粒子合成溶液。先利用二段水來混合0.63g的氯化銅與3.78g的己二胺。並將此混合溶液放入不透光之緊閉瓶內。接著，以加熱板在50℃下且以120rpm的轉速對此混合溶液進行旋轉攪拌預熱。接著，將1.05g的蔗糖直接加入此混合溶液中。待混合均勻後，再將混合溶液放入設定103℃的烘箱中加熱2小時，即可成長出銅奈米粒子。隨後使其冷卻，並保存在溫度60℃的環境下。

接下來，對銅奈米粒子合成溶液進行光照處 理，以於溫度60℃的環境下，利用光強度20mW/cm²的白光進行60分鐘的光照處理。

隨後，將0.63g的氯化銅與3.78g的己二胺溶於 210mL的二段水中。並將此混合溶液放入不透光之緊閉瓶內。接著，將21mL上述經光照處理之銅奈米粒子溶液加入混合溶液中。並以加熱板在50℃下且以120rpm的轉速對此混合溶液進行旋轉攪拌預熱。隨後，將1.05g的蔗糖直接加入此混合溶液中。待混合均勻後，再將混合溶液放入設定103℃的烘箱中加熱12小時，即可製備出高純度之銅奈米線。隨後，可依序利用丙酮與二段水潤洗去除還原劑等雜質，再將銅奈米線保存於二段水中。

由上述之實施方式可知，本發明之一優點就是 因為本發明之金屬奈米線之製造方法係先生成金屬奈米粒子來當後續成長金屬奈米線的晶種，再對金屬奈米粒子進行光照處理，藉此可促使金屬奈米粒子在金屬奈米線成長製程條件下，只成長成一維結構的金屬奈米線。因此，可順利製作出所需之金屬奈米線。

由上述之實施方式可知，本發明之另一優點就 是因為本發明之金屬奈米線之製造方法透過適當保存作為晶種之金屬奈米粒子的溶液，以限制溶液中的金屬奈米粒子成長為金屬奈米線而造成溶液中金屬奈米粒子與金屬奈米線共存，再搭配對作為晶種之金屬奈米粒子進行光照處理，來促使金屬奈米粒子成長為金屬奈米線。藉此，可有效提升 金屬奈米線溶液的純度，並可大幅降低後續金屬奈米線純化的困難度。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何在此技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧步驟

102‧‧‧步驟

104‧‧‧步驟

106‧‧‧步驟

108‧‧‧步驟

Claims (22)

1. 一種金屬奈米線之製造方法，適用以製作複數個銀奈米線與複數個銅奈米線，該金屬奈米線之製造方法包含：製備一金屬奈米粒子合成溶液，其中製備該金屬奈米粒子合成溶液之步驟包含混合一第一金屬離子化合物、一第一還原劑與一第一包覆劑，以形成複數個金屬奈米粒子；對該金屬奈米粒子合成溶液進行一光照處理；以及將經該光照處理之該金屬奈米粒子合成溶液之一部分與一金屬奈米線合成溶液混合，以利用該金屬奈米粒子合成溶液之該部分中之該些金屬奈米粒子作為晶種而形成複數個金屬奈米線，其中該金屬奈米線合成溶液包含一第二金屬離子化合物、一第二還原劑與一第二包覆劑，且該第二金屬離子化合物、該第二還原劑與該第二包覆劑分別與該第一金屬離子化合物、該第一還原劑與該第一包覆劑相同。
2. 如申請專利範圍第1項之金屬奈米線之製造方法，其中每一該第一金屬離子化合物與該第二金屬離子化合物包含至少一種銀離子化合物；每一該第一包覆劑與該第二包覆劑為聚乙烯吡咯烷酮；以及每一該第一還原劑與該第二還原劑為乙二醇、1,2-丙二醇或1,3-丙二醇。
3. 如申請專利範圍第2項之金屬奈米線之製造方法，其中製備該金屬奈米粒子合成溶液之步驟更包含混合一鹽類添加劑。
4. 如申請專利範圍第3項之金屬奈米線之製造方法，其中該鹽類添加劑包含至少一種含氯化合物。
5. 如申請專利範圍第3項之金屬奈米線之製造方法，其中製備該金屬奈米粒子合成溶液之步驟包含：將該鹽類添加劑與該第一包覆劑混合於該第一還原劑中，以形成一混合溶液；將該混合溶液置入一不透光之緊閉瓶中；對該不透光之緊閉瓶中之該混合溶液進行一預熱處理，以將該混合溶液提升至一合成溫度；以及於該合成溫度下，將該第一金屬離子化合物加入該混合溶液中，以形成該些金屬奈米粒子。
6. 如申請專利範圍第5項之金屬奈米線之製造方法，其中將該鹽類添加劑與該第一包覆劑混合於該第一還原劑中時，更包含控制一混合溫度為10℃至50℃。
7. 如申請專利範圍第5項之金屬奈米線之製造方法，其中該合成溫度為70℃至170℃。
8. 如申請專利範圍第2項之金屬奈米線之製造方法，其中該聚乙烯吡咯烷酮之分子量為30000至360000。
9. 如申請專利範圍第2項之金屬奈米線之製造方法，其中將該金屬奈米粒子合成溶液之該部分與該金屬奈米線合成溶液混合之步驟包含：將該金屬奈米粒子合成溶液之該部分與該第二包覆劑混合於該第二還原劑中，以形成一混合溶液；將該混合溶液置入一不透光之緊閉瓶中；對該不透光之緊閉瓶中之該混合溶液進行一預熱處理，以將該混合溶液提升至一合成溫度；以及於該合成溫度下，將該第二金屬離子化合物加入該混合溶液中，以利用該些金屬奈米粒子作為晶種而形成該些金屬奈米線。
10. 如申請專利範圍第9項之金屬奈米線之製造方法，其中將該金屬奈米粒子合成溶液之該部分與該第二包覆劑混合於該第二還原劑中時，更包含控制一混合溫度為10℃至50℃。
11. 如申請專利範圍第9項之金屬奈米線之製造方法，其中該合成溫度為70℃至170℃。
12. 如申請專利範圍第1項之金屬奈米線之製造方法，其中每一該第一金屬離子化合物與該第二金屬離子化合物包含至少一種銅離子化合物；每一該第一包覆劑與該第二包覆劑為胺類化合物；以及每一該第一還原劑與該第二還原劑為醛基化合物。
13. 如申請專利範圍第12項之金屬奈米線之製造方法，其中該胺類化合物為己二胺，該醛基化合物為醣類、維他命C或聯胺。
14. 如申請專利範圍第12項之金屬奈米線之製造方法，其中製備該金屬奈米粒子合成溶液之步驟包含：利用一溶劑混合該第一金屬離子化合物與該第一包覆劑，以形成一混合溶液，其中該溶劑為二段水；將該混合溶液置入一不透光之緊閉瓶中；對該不透光之緊閉瓶中之該混合溶液進行一預熱處理；以及將該第一還原劑加入該混合溶液中，並將該混合溶液提升至一合成溫度，以形成該些金屬奈米粒子。
15. 如申請專利範圍第14項之金屬奈米線之製造方法，其中利用該溶劑混合該第一金屬離子化合物與該第一包覆劑時，更包含控制一混合溫度為10℃至50℃。
16. 如申請專利範圍第14項之金屬奈米線之製造方法，其中該合成溫度為70℃至170℃。
17. 如申請專利範圍第12項之金屬奈米線之製造方法，其中將該金屬奈米粒子合成溶液之該部分與該金屬奈米線合成溶液混合之步驟包含：利用一溶劑混合該第二金屬離子化合物與該第二包覆劑，以形成一混合溶液，其中該溶劑為二段水；將該混合溶液置入一不透光之緊閉瓶中；將該金屬奈米粒子合成溶液之該部分加入該混合溶液中；對該不透光之緊閉瓶中之該混合溶液進行一預熱處理；以及將該第二還原劑加入該混合溶液中，並將該混合溶液提升至一合成溫度，以利用該些金屬奈米粒子作為晶種而形成該些金屬奈米線。
18. 如申請專利範圍第17項之金屬奈米線之製造方法，其中利用該溶劑混合該第二金屬離子化合物與該第二包覆劑時，更包含控制一混合溫度為10℃至50℃。
19. 如申請專利範圍第17項之金屬奈米線之製造方法，其中該合成溫度為70℃至170℃。
20. 如申請專利範圍第1項之金屬奈米線之製造方法，於製備該金屬奈米粒子合成溶液之步驟與進行該光照處理步驟之間，更包含將該金屬奈米粒子合成溶液保存不透光且於一保存溫度下，其中該保存溫度為-20℃至60℃。
21. 如申請專利範圍第1項之金屬奈米線之製造方法，其中進行該光照處理步驟包含利用一光源，該光源之波長為325nm至800nm。
22. 如申請專利範圍第1項之金屬奈米線之製造方法，於將該金屬奈米粒子合成溶液之該部分與該金屬奈米線合成溶液混合之步驟後，更包含：利用丙酮對該些金屬奈米線進行一第一潤洗處理；利用二段水對該些金屬奈米線進行一第二潤洗處理；以及將該些金屬奈米線保存於二段水中。