TW201627756A - 感光性樹脂組成物、感光性元件、硬化物、半導體裝置、抗蝕劑圖案的形成方法及電路基材的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明的感光性樹脂組成物含有：具有酚性羥基的樹脂；光感應性酸產生劑；具有選自由芳香環、雜環及脂環所組成的組群中的至少一種以及選自由羥甲基及烷氧基烷基所組成的組群中的至少一種的化合物；以及具有兩個以上的選自由丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、縮水甘油氧基、氧雜環丁基烷基醚基、乙烯醚基及羥基所組成的組群中的至少一種官能基的脂肪族化合物，並且所述光感應性酸產生劑為含有陰離子的鋶鹽，所述陰離子具有選自由四苯基硼酸根骨架、碳數1～20的烷基磺酸根骨架、苯基磺酸根骨架及10-樟腦磺酸根骨架所組成的組群中的至少一種骨架。

Description

感光性樹脂組成物、感光性元件、硬化物、半導體裝置、抗蝕劑圖案的形成方法及電路基材的製造方法

本發明是有關於一種感光性樹脂組成物、感光性元件、硬化物、半導體裝置、抗蝕劑圖案的形成方法及電路基材的製造方法。

於半導體元件或安裝有半導體元件的印刷配線板等半導體裝置的製造中，為了形成微細圖案，例如使用負型感光性樹脂組成物。於該方法中，藉由感光性樹脂組成物的塗佈等而於基材（例如半導體元件的情形時為晶片，印刷配線板的情形時為基板）上形成感光層，通過既定的圖案照射光化射線。進而，使用顯影液將未曝光部選擇性地去除，由此於基材上形成樹脂圖案。因此，對於感光性樹脂組成物，要求具有對光化射線的高感度、以及可形成微細圖案的特性（解析性）等優異。因此提出有如下感光性樹脂組成物等：含有可溶於鹼性水溶液中的酚醛清漆樹脂、環氧樹脂、光酸產生劑（光感應性酸產生劑）等的感光性樹脂組成物；以及含有具有羧基的鹼可溶性環氧化合物、及光陽離子聚合起始劑等的感光性樹脂組成物（例如參照下述專利文獻1～專利文獻3）。

進而，對於半導體元件中所用的表面保護膜及層間絕緣膜，要求耐熱性、電氣特性、機械特性等絕緣可靠性。因此，提出有所述感光性樹脂組成物更含有交聯性單體而成的感光性樹脂組成物（例如參照下述專利文獻4）。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平06-059444號公報 [專利文獻2]日本專利特開平09-087366號公報 [專利文獻3]國際公開第2008/010521號 [專利文獻4]日本專利特開2003-215802號公報 [專利文獻5]日本專利特開2009-49364號公報 [專利文獻6]日本專利特開2011-29494號公報 [專利文獻7]日本專利特開2011-82472號公報 [專利文獻8]日本專利特開2012-227557號公報 [專利文獻9]國際公開第2014/034539號公報

[發明所欲解決之課題]

此外，對於感光性樹脂組成物，伴隨著配線的窄間距化，強烈要求提高硬化物的高加速溫度及濕度應力試驗（Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test，HAST）耐性。然而，所述現有技術文獻中記載的感光性樹脂組成物於HAST耐性的方面有改善的餘地。尤其是微細配線間的絕緣可靠性的重要性增大，與迄今為止進行的於85℃、60%RH或85℃、85%RH下施加電壓的試驗相比，要求如130℃、85%RH般試驗溫度高而條件嚴苛的HAST試驗中的耐性。

本發明解決伴隨著如上所述的現有技術的問題，其目的在於提供一種可獲得HAST耐性優異的硬化物的感光性樹脂組成物。另外，本發明的目的在於提供一種使用所述感光性樹脂組成物所得的感光性元件、硬化物及半導體裝置。進而，本發明的目的在於提供一種使用所述感光性樹脂組成物或所述感光性元件的抗蝕劑圖案的形成方法及電路基材的製造方法。 [解決課題之方法]

本發明者等人為了解決所述問題而進行了潛心研究，結果發現了具有優異特性的感光性樹脂組成物。

即，本發明提供一種感光性樹脂組成物，其含有：（A）成分：具有酚性羥基的樹脂；（B）成分：光感應性酸產生劑；（C）成分：具有選自由芳香環、雜環及脂環所組成的組群中的至少一種以及選自由羥甲基及烷氧基烷基所組成的組群中的至少一種的化合物；以及（D）成分：具有兩個以上的選自由丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、縮水甘油氧基、氧雜環丁基烷基醚基、乙烯醚基及羥基所組成的組群中的至少一種官能基的脂肪族化合物，並且所述（B）成分為含有陰離子的鋶鹽，所述陰離子具有選自由四苯基硼酸根骨架、碳數1～20的烷基磺酸根骨架、苯基磺酸根骨架及10-樟腦磺酸根骨架所組成的組群中的至少一種骨架。

根據本發明的感光性樹脂組成物，可獲得HAST耐性優異的硬化物。另外，根據本發明的感光性樹脂組成物，亦可將使感光性樹脂組成物硬化而成的硬化物用作絕緣膜。

所述（B）成分的所述陰離子較佳為選自由四（五氟苯基）硼酸根、三氟甲磺酸根、九氟丁磺酸根、對甲苯磺酸根及10-樟腦磺酸根所組成的組群中的至少一種。

相對於所述（A）成分100質量份，所述（D）成分的含量較佳為1質量份～70質量份。

本發明的感光性樹脂組成物亦可更含有具有Si-O鍵的化合物。

另外，本發明提供一種感光性元件，其具備支撐體及設於該支撐體上的感光層，並且所述感光層含有所述感光性樹脂組成物。

另外，本發明提供一種所述感光性樹脂組成物的硬化物。

另外，本發明提供一種半導體裝置，具備所述感光性樹脂組成物的硬化物。

另外，本發明提供一種抗蝕劑圖案的形成方法，其包括以下步驟：於基材上形成含有所述感光性樹脂組成物的感光層的步驟；對所述感光層以既定的圖案曝光的曝光步驟；於所述曝光步驟後對所述感光層進行顯影而獲得樹脂圖案的顯影步驟；以及對所述樹脂圖案進行加熱處理的熱處理步驟。

另外，本發明提供一種抗蝕劑圖案的形成方法，其包括以下步驟：將所述感光性元件的所述感光層配置於基材上的步驟；將所述感光層以既定的圖案曝光的曝光步驟；於所述曝光步驟後對所述感光層進行顯影而獲得樹脂圖案的顯影步驟；以及對所述樹脂圖案進行加熱處理的熱處理步驟。

本發明的抗蝕劑圖案的形成方法亦可於所述曝光步驟與所述顯影步驟之間，更包括對所述感光層進行加熱處理（曝光後加熱處理。以下亦將該加熱處理稱為「曝光後烘烤」）的步驟。

另外，本發明提供一種電路基材的製造方法，且該電路基材的製造方法包括以下步驟：對所述抗蝕劑圖案的形成方法中的所述熱處理步驟後的所述樹脂圖案的露出部的至少一部分、及所述基材的露出部的至少一部分進行鍍敷處理，藉此形成導體層的導體層形成步驟；以及將所述導體層的一部分去除而形成導體圖案的導體圖案形成步驟，並且所述電路基材具備樹脂圖案及導體圖案。

所述導體層形成步驟可包括藉由在進行無電解鍍敷後進行電解鍍敷而形成所述導體層的步驟，亦可包括藉由在進行濺鍍後進行電解鍍敷而形成所述導體層的步驟。

所述導體圖案形成步驟可包括藉由蝕刻將所述導體層的一部分去除而形成所述導體圖案的步驟，亦可包括藉由研磨將所述導體層的一部分去除而形成所述導體圖案的步驟。 [發明的效果]

根據本發明，可提供一種可獲得HAST耐性優異的硬化物的感光性樹脂組成物。另外，根據本發明，可提供一種使用所述感光性樹脂組成物所得的感光性元件、硬化物及半導體裝置。進而，根據本發明，可提供一種使用所述感光性樹脂組成物或所述感光性元件的抗蝕劑圖案的形成方法及電路基材的製造方法。

根據本發明，可提供一種感光性樹脂組成物或感光性元件於形成抗蝕劑圖案的應用。根據本發明，可提供一種感光性樹脂組成物或感光性元件於製造電路基材的應用。根據本發明，可提供一種感光性樹脂組成物或其硬化物於抗蝕劑圖案的應用。根據本發明，可提供一種感光性樹脂組成物或其硬化物於電路基材的應用。根據本發明，可提供一種感光性樹脂組成物或其硬化物於半導體元件的表面保護膜或層間絕緣膜的應用。根據本發明，可提供一種感光性樹脂組成物或其硬化物於配線板材料的阻焊劑或層間絕緣膜的應用。

以下，對本發明的一實施形態加以具體說明，但本發明不限定於此。

再者，本說明書中，「層」及「膜」一詞於以平面圖的形式觀察時，除了形成於整個面上的形狀的結構以外，亦包含形成於一部分上的形狀的結構。「步驟」一詞不僅是指獨立的步驟，即便於無法與其他步驟明確區分的情形時，只要可達成該步驟的預期目的則包括在本用語中。所謂「EO改質」是指具有（聚）氧伸乙基的化合物，所謂「PO改質」是指具有（聚）氧伸丙基的化合物。此處，所謂「（聚）氧伸乙基」是指氧伸乙基、及兩個以上的伸乙基經醚鍵連結而成的聚氧伸乙基的至少一種。所謂「（聚）氧伸丙基」是指氧伸丙基、及兩個以上的伸丙基經醚鍵連結而成的聚氧伸丙基的至少一種。「Si-O鍵」一詞表示矽原子與氧原子的鍵，亦可為矽氧烷鍵（Si-O-Si鍵）的一部分。使用「～」所表示的數值範圍表示包含「～」的前後所記載的數值分別作為最小值及最大值的範圍。本說明書中階段性地記載的數值範圍中，某階段的數值範圍的上限值或下限值亦可替換為其他階段的數值範圍的上限值或下限值。另外，本說明書中記載的數值範圍中，該數值範圍的上限值或下限值亦可替換為實施例中所示的值。所謂「A或B」，只要包含A及B的任一者即可，亦可兩者均包含。以下例示的材料只要無特別說明，則可單獨使用一種或混合使用兩種以上。關於組成物中的各成分的含量，於組成物中存在多種相當於各成分的物質的情形時，只要無特別說明，則是指存在於組成物中的該多種物質的合計量。

＜感光性樹脂組成物＞ 本實施形態的感光性樹脂組成物含有：（A）成分：具有酚性羥基的樹脂；（B）成分：光感應性酸產生劑；（C）成分：具有選自由芳香環、雜環及脂環所組成的組群中的至少一種以及選自由羥甲基及烷氧基烷基所組成的組群中的至少一種的化合物；（D）成分：具有兩個以上的選自由丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、縮水甘油氧基、氧雜環丁基烷基醚基、乙烯醚基及羥基（hydroxy）所組成的組群中的至少一種官能基的脂肪族化合物，並且所述（B）成分為含有陰離子的鋶鹽，所述陰離子具有選自由四苯基硼酸根骨架、碳數1～20的烷基磺酸根骨架、苯基磺酸根骨架及10-樟腦磺酸根骨架所組成的組群中的至少一種骨架。再者，本說明書中，有時將該些成分簡稱為「（A）成分」、「（B）成分」、「（C）成分」、「（D）成分」等。

關於本實施形態的感光性樹脂組成物的硬化物的HAST耐性優異的原因，本發明者等人考慮如下。於HAST試驗中，作為絕緣材料的電阻值減小而短路的原因，可想到由絕緣材料中的游離氟所致的配線的腐蝕。以前，於使用感光性樹脂組成物所得的絕緣材料含有光感應性酸產生劑的情形時，有時由光感應性酸產生劑所產生的游離氟導致HAST耐性降低。另一方面，本實施形態中，使用與以前相比不易產生游離氟的化合物作為（B）成分，因此推測HAST耐性提高。

此外，近年來伴隨著電子設備的高性能化，半導體元件的高積體化及高可靠性化逐年進步。伴隨著半導體元件的高積體化，要求形成更微細的圖案。因此，對於感光性樹脂組成物，存在使解析性亦以1 μm的單位提高的持續性需求（needs）。

另外，藉由將層間絕緣膜形成得厚，層的厚度方向上的配線間的絕緣性提高，可防止配線的短路，因此與配線間的絕緣相關的可靠性提高。此外，於安裝晶片的情形時，藉由半導體元件具有厚的層間絕緣膜，可緩和對焊料凸塊的焊墊所施加的應力，因此安裝時不易產生連接不良。因此，就絕緣可靠性、及安裝晶片的情形時的生產性優異的觀點而言，亦要求可形成超過20 μm的厚的感光性樹脂組成物的膜。

然而，例如對於所述專利文獻1及專利文獻4中記載的感光性樹脂組成物而言，於塗膜的厚度為10 μm以下時，可獲得間隙寬為5 μm左右的解析性，但厚膜化時無法獲得良好的解析性。另外，對於所述專利文獻2及專利文獻3中記載的感光性樹脂組成物而言，厚膜化時的解析性有改善的餘地。另一方面，根據本實施形態，可提供一種可於基材（例如基板）上形成解析性及感度優異的抗蝕劑圖案的感光性樹脂組成物。本實施形態的感光性樹脂組成物即便於形成具有超過20 μm的厚度的塗膜的情形時，解析性及感度亦優異。

關於本實施形態的感光性樹脂組成物的解析性優異的原因，本發明者等人考慮如下。首先，未曝光部中（A）成分於顯影液中的溶解性因添加（C）成分及（D）成分而提高。繼而，曝光部中因由（B）成分所產生的酸的觸媒效果，（C）成分中的羥甲基彼此或烷氧基烷基彼此、或者（C）成分中的羥甲基或烷氧基烷基與（A）成分伴隨著脫醇而反應，由此組成物於顯影液中的溶解性大幅度地降低。藉此，於顯影時藉由未曝光部及曝光部於顯影液中的溶解性的明顯差異而可獲得優異的解析性。

本實施形態的感光性樹脂組成物視需要可含有（E）成分：增感劑、（F）成分：溶劑、（G）成分：具有Si-O鍵的化合物等。

（（A）成分） 本實施形態的感光性樹脂組成物含有具有酚性羥基的樹脂。具有酚性羥基的樹脂並無特別限定，較佳為可溶於鹼性水溶液中的樹脂，就進一步提高解析性的觀點而言，更佳為酚醛清漆樹脂。酚醛清漆樹脂例如可藉由使酚類與醛類於觸媒的存在下縮合而獲得。

所述酚類可列舉：苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、鄰乙基苯酚、間乙基苯酚、對乙基苯酚、鄰丁基苯酚、間丁基苯酚、對丁基苯酚、2,3-二甲苯酚、2,4-二甲苯酚、2,5-二甲苯酚、2,6-二甲苯酚、3,4-二甲苯酚、3,5-二甲苯酚、2,3,5-三甲基苯酚、3,4,5-三甲基苯酚、鄰苯二酚、間苯二酚、聯苯三酚、α-萘酚、β-萘酚等。酚類可單獨使用一種或混合使用兩種以上。

所述醛類可列舉甲醛、三聚甲醛、乙醛、苄醛等。醛類可單獨使用一種或混合使用兩種以上。

所述酚醛清漆樹脂例如可使用甲酚酚醛清漆樹脂。所述酚醛清漆樹脂的具體例可列舉：苯酚/甲醛縮合酚醛清漆樹脂、苯酚-甲酚/甲醛縮合酚醛清漆樹脂、甲酚/甲醛縮合酚醛清漆樹脂、苯酚-萘酚/甲醛縮合酚醛清漆樹脂等。

酚醛清漆樹脂以外的（A）成分可列舉：聚羥基苯乙烯及其共聚物、苯酚-苯二甲醇縮合樹脂、甲酚-苯二甲醇縮合樹脂、苯酚-二環戊二烯縮合樹脂等。

（A）成分可單獨使用一種或混合使用兩種以上。

就所得的樹脂圖案的解析性、顯影性、熱衝擊性、耐熱性等更優異的觀點而言，（A）成分的重量平均分子量可為100000以下、1000～80000、2000～50000、2000～20000、3000～15000或5000～15000。

再者，本實施形態中，各成分的重量平均分子量例如可使用標準聚苯乙烯的校準曲線藉由凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography，GPC）於下述條件下測定。 使用設備：日立L-6000型（日立製作所股份有限公司製造） 管柱：吉爾帕（Gelpack）GL-R420＋吉爾帕（Gelpack）GL-R430＋吉爾帕（Gelpack）GL-R440（日立化成股份有限公司製造，商品名，共計3根） 管柱規格：10.7 mmf×300 mm 溶離液：四氫呋喃 測定溫度：40℃ 流量：1.75 ml/min 檢測器：L-3300RI（日立製作所股份有限公司製造）

就存在使用所得的感光性樹脂組成物所形成的感光層於鹼性水溶液中的顯影性更優異的傾向的觀點而言，以感光性樹脂組成物的總量（其中，於使用（F）成分的情形時，將（F）成分除外）為基準，（A）成分的含量可為10質量%～90質量%、30質量%～90質量%、30質量%～80質量%、40質量%～80質量%、或40質量%～60質量%。

（（B）成分） 本實施形態的感光性樹脂組成物含有光感應性酸產生劑。光感應性酸產生劑為藉由光化射線等的照射而產生酸的化合物。利用由該光感應性酸產生劑所產生的酸的觸媒效果，（C）成分中的羥甲基彼此或烷氧基烷基彼此、或者（C）成分中的羥甲基或烷氧基烷基與（A）成分伴隨著脫醇而反應，藉此組成物於顯影液中的溶解性大幅度地降低，可形成負型圖案。

（B）成分只要為含有具有選自由四苯基硼酸根骨架、碳數1～20的烷基磺酸根骨架、苯基磺酸根骨架及10-樟腦磺酸根骨架所組成的組群中的至少一種骨架的陰離子的鋶鹽，則並無特別限定。四苯基硼酸根骨架的苯基的氫原子可經選自由氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、硝基、羥基、碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數2～12的烷基羰基及碳數2～12的烷氧基羰基所組成的組群中的至少一種取代，於取代基為多個的情形時，可彼此相同亦可不同。烷基磺酸根骨架的氫原子可經選自由氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、硝基、羥基、烷氧基、烷基羰基及烷氧基羰基所組成的組群中的至少一種取代，於取代基為多個的情形時，可彼此相同亦可不同。苯基磺酸根骨架的苯基的氫原子可經選自由氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、硝基、羥基、碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數2～12的烷基羰基及碳數2～12的烷氧基羰基所組成的組群中的至少一種取代，於取代基為多個的情形時，可彼此相同亦可不同。

用作（B）成分的鋶鹽的陽離子可列舉三芳基鋶（triarylsulfonium）等。三芳基鋶例如可列舉選自由下述通式（b1）所表示的化合物、下述通式（b2）所表示的化合物、下述通式（b3）所表示的化合物及下述通式（b4）所表示的化合物所組成的組群中的至少一種。

[化1]

[化2]

[化3]

[化4]

通式（b1）～通式（b4）的苯基的氫原子可經選自由羥基、碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數2～12的烷基羰基及碳數2～12的烷氧基羰基所組成的組群中的至少一種取代，於取代基為多個的情形時，可彼此相同亦可不同。

就感度及解析性更優異的觀點而言，用作（B）成分的鋶鹽較佳為具有選自由[4-（4-聯苯基硫基）苯基]-4-聯苯基苯基鋶、（2-甲基）苯基[4-（4-聯苯基硫基）苯基]4-聯苯基鋶、[4-（4-聯苯基硫基）-3-甲基苯基]4-聯苯基苯基鋶、（2-乙氧基）苯基[4-（4-聯苯基硫基）-3-乙氧基苯基]4-聯苯基鋶及三[4-（4-乙醯基苯硫基）苯基]鋶所組成的組群中的至少一種作為陽離子的化合物。

用作（B）成分的鋶鹽的陰離子可列舉：三氟甲磺酸根、九氟丁磺酸根、全氟辛烷磺酸根（Heptadecafluorooctanesulfonate）、四（五氟苯基）硼酸根、甲磺酸根、丁磺酸根、辛磺酸根、四苯基硼酸根、對甲苯磺酸根、10-樟腦磺酸根等。就HAST耐性及感度更優異的觀點而言，鋶鹽的陰離子較佳為選自由四（五氟苯基）硼酸根、三氟甲磺酸根、九氟丁磺酸根、對甲苯磺酸根及10-樟腦磺酸根所組成的組群中的至少一種。

鋶鹽的具體例可列舉：（2-乙氧基）苯基[4-（4-聯苯基硫基）-3-乙氧基苯基]4-聯苯基鋶九氟丁磺酸鹽、[4-（4-聯苯基硫基）苯基]-4-聯苯基苯基鋶四（五氟苯基）硼酸鹽、三[4-（4-乙醯基苯硫基）苯基]鋶四（五氟苯基）硼酸鹽等。鋶鹽可單獨使用一種或混合使用兩種以上。

（B）成分可單獨使用一種或混合使用兩種以上。

就進一步提高本實施形態的感光性樹脂組成物的感度、解析性，改善圖案形狀等的觀點而言，相對於（A）成分100質量份，（B）成分的含量可為0.1質量份～15質量份、0.3質量份～10質量份、1質量份～10質量份、3質量份～10質量份、5質量份～10質量份、或6質量份～10質量份。再者，本說明書中，所謂（A）成分100質量份，是指（A）成分的固體成分100質量份。

（（C）成分） 本實施形態的感光性樹脂組成物含有以下化合物作為（C）成分：具有選自由芳香環、雜環及脂環所組成的組群中的至少一種以及選自由羥甲基及烷氧基烷基所組成的組群中的至少一種的化合物（其中，不包含（D）成分及（E）成分）。此處，所謂芳香環是指具有芳香族性的烴基（例如碳原子數為6～10的烴基），例如可列舉苯環及萘環。所謂雜環是指具有至少一個氮原子、氧原子、硫原子等雜原子的環狀基（例如碳原子數為3～10的環狀基），例如可列舉吡啶環、咪唑環、吡咯啶酮環、噁唑啶酮環、咪唑啶酮環及嘧啶酮環。所謂脂環是指不具有芳香族性的環狀烴基（例如碳原子數為3～10的環狀烴基），例如可列舉環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環及環己烷環。所謂烷氧基烷基，是指烷基經由氧原子鍵結於其他烷基而成的基團。烷氧基烷基中，兩個烷基可彼此相同亦可不同，例如可為碳原子數為1～10的烷基。

藉由感光性樹脂組成物含有（C）成分，於曝光時（或進行曝光及曝光後加熱處理而硬化時），（C）成分中的羥甲基彼此或烷氧基烷基彼此、或者（C）成分中的羥甲基或烷氧基烷基與（A）成分伴隨著脫醇而反應，由此組成物於顯影液中的溶解性大幅度地降低，可形成負型圖案。另外，於對樹脂圖案形成後的感光層進行加熱而硬化時，（C）成分與（A）成分反應而形成交聯結構，可防止樹脂圖案的脆弱化及熔融。具體而言，（C）成分較佳為選自由具有酚性羥基的化合物（其中，不包含（A）成分）、具有羥基甲基胺基的化合物及具有烷氧基甲基胺基的化合物所組成的組群中的至少一種。藉由具有酚性羥基的化合物具有羥甲基或烷氧基烷基，可使以鹼性水溶液進行顯影時的未曝光部的溶解速度進一步增加，進一步提高感光層的感度。（C）成分可單獨使用一種或混合使用兩種以上。

所述具有酚性羥基的化合物可使用現有公知的化合物，就未曝光部的溶解促進效果與防止感光性樹脂組成物層的硬化時的熔融的效果的平衡優異的觀點而言，較佳為下述通式（1）所表示的化合物。

[化5]

所述通式（1）中，Z表示單鍵或二價有機基，R⁸¹ 及R⁸² 分別獨立地表示氫原子或一價有機基，R⁸³ 及R⁸⁴ 分別獨立地表示一價有機基，a及b分別獨立地表示1～3的整數，c及d分別獨立地表示0～3的整數。此處，一價有機基例如可列舉：甲基、乙基、丙基等碳原子數為1～10的烷基；乙烯基等碳原子數為2～10的烯基；苯基等碳原子數為6～30的芳基；該些烴基的氫原子的一部分或全部經氟原子等鹵素原子取代的基團。於R⁸¹ ～R⁸⁴ 存在多個的情形時，可彼此相同亦可不同。

所述通式（1）所表示的化合物較佳為下述通式（2）所表示的化合物。

[化6]

所述通式（2）中，X¹ 表示單鍵或二價有機基，多個R分別獨立地表示烷基（例如碳原子數為1～10的烷基）。多個R可彼此相同亦可不同。

另外，亦可使用下述通式（3）所表示的化合物作為所述具有酚性羥基的化合物。

[化7]

所述通式（3）中，多個R分別獨立地表示烷基（例如碳原子數為1～10的烷基）。多個R可彼此相同亦可不同。

所述通式（1）中，Z為單鍵的化合物為聯苯酚（二羥基聯苯）衍生物。另外，Z所表示的二價有機基可列舉：亞甲基、伸乙基、伸丙基等碳原子數為1～10的伸烷基；亞乙基等碳原子數為2～10的亞烷基；伸苯基等碳原子數為6～30的伸芳基；該些烴基的氫原子的一部分或全部經氟原子等鹵素原子取代的基團；磺醯基；羰基；醚鍵；硫醚鍵；醯胺鍵等。該些基團中，Z較佳為下述通式（4）所表示的二價有機基。

[化8]

所述通式（4）中，X表示單鍵、伸烷基（例如碳原子數為1～10的伸烷基）、亞烷基（例如碳原子數為2～10的亞烷基）、該些基團的氫原子的一部分或全部經鹵素原子取代的基團、磺醯基、羰基、醚鍵、硫醚鍵或醯胺鍵。R⁹ 表示氫原子、羥基、烷基（例如碳原子數為1～10的烷基）或鹵代烷基，e表示1～10的整數。多個R⁹ 及X可彼此相同亦可不同。此處，所謂鹵代烷基是指經鹵素原子取代的烷基。

具體而言，具有烷氧基甲基胺基的化合物較佳為選自由下述通式（5）所表示的化合物及下述通式（6）所表示的化合物所組成的組群中的至少一種。

[化9]

所述通式（5）中，多個R分別獨立地表示烷基（例如碳原子數為1～10的烷基）。多個R可彼此相同亦可不同。

[化10]

所述通式（6）中，多個R分別獨立地表示烷基（例如碳原子數為1～10的烷基）。多個R可彼此相同亦可不同。

所述具有羥基甲基胺基的化合物可列舉：（聚）（N-羥基甲基）三聚氰胺、（聚）（N-羥基甲基）甘脲、（聚）（N-羥基甲基）苯并胍胺、（聚）（N-羥基甲基）脲等。所述具有烷氧基甲基胺基的化合物可列舉所述具有羥基甲基胺基的化合物的羥甲基的全部或一部分經烷基醚化而成的含氮化合物等。此處，烷基醚的烷基可列舉甲基、乙基、丁基或將該些基團混合而成的基團，亦可含有一部分自縮合而成的寡聚物成分。具有烷氧基甲基胺基的化合物具體可列舉：六（甲氧基甲基）三聚氰胺、六（丁氧基甲基）三聚氰胺、四（甲氧基甲基）甘脲、四（丁氧基甲基）甘脲、四（甲氧基甲基）脲等。

就存在耐化學品性及耐熱性變良好的傾向的觀點而言，相對於（A）成分100質量份，（C）成分的含量可為5質量份以上、10質量份以上、15質量份以上、20質量份以上或25質量份以上。就存在解析性變得更良好的傾向的觀點而言，相對於（A）成分100質量份，（C）成分的含量可為80質量份以下、70質量份以下、55質量份以下或40質量份以下。

（（D）成分） 本實施形態的感光性樹脂組成物含有脂肪族化合物作為（D）成分，所述脂肪族化合物具有兩個以上的選自由丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、縮水甘油氧基、氧雜環丁基烷基醚基、乙烯醚基及羥基所組成的組群中的至少一種官能基。再者，（D）成分可具有至少各一個不同的兩種以上的官能基，亦可具有兩個以上的一種官能基。該化合物較佳為具有三個以上的所述官能基的脂肪族化合物。所述官能基數的上限並無特別限制，例如為12個。再者，所謂「脂肪族化合物」，是指主骨架為脂肪族骨架而不含芳香環或芳香族雜環的化合物。

就於基材上形成感光性樹脂組成物層（感光層）的情形的作業性優異的觀點而言，對感光性樹脂組成物有時亦要求對基材的貼附性（黏性）優異。於使用不具有充分黏性的感光性樹脂組成物的情形時，曝光部的感光性樹脂組成物容易藉由顯影處理而被去除，存在基材與樹脂圖案（抗蝕劑圖案）的密接性劣化的傾向。本實施形態中，藉由感光性樹脂組成物含有（D）成分，存在感光性樹脂組成物與基材的黏著性（即黏性）提高的傾向。進而，藉由感光性樹脂組成物含有（D）成分，可對感光層（塗膜）賦予柔軟性，另外存在如下傾向：以鹼性水溶液進行顯影時的未曝光部的溶解速度增加，由此樹脂圖案的解析性提高。就黏性、及於鹼性水溶液中的溶解性更優異的觀點而言，（D）成分的重量平均分子量考慮到平衡而可為92～2000、106～1500、或134～1300。再者，關於分子量低的化合物，於難以利用所述重量平均分子量的測定方法來進行測定的情形時，亦可利用其他方法測定分子量並算出其平均值。

（D）成分的具體例例如可列舉下述通式（7）～通式（10）所表示的化合物。下述通式（7）～通式（13）中，氧雜環丁基烷基醚基中的烷基可列舉甲基、乙基、丙基等，較佳為甲基。

[化11]

通式（7）中，R¹ 表示氫原子、甲基、乙基、羥基或下述通式（11）所表示的基團，R² 、R³ 及R⁴ 分別獨立地表示丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、縮水甘油氧基、氧雜環丁基烷基醚基、乙烯醚基、羥基、下述通式（12）所表示的基團或下述通式（13）所表示的基團。

[化12]

通式（8）中，R⁵ 表示氫原子、甲基、乙基、羥基或下述通式（11）所表示的基團，R⁶ 、R⁷ 及R⁸ 分別獨立地表示丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、縮水甘油氧基、氧雜環丁基烷基醚基、乙烯醚基、羥基、下述通式（12）所表示的基團或下述通式（13）所表示的基團。

[化13]

通式（9）中，R⁹ 、R¹⁰ 、R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 及R¹⁴ 分別獨立地表示丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、縮水甘油氧基、氧雜環丁基烷基醚基、乙烯醚基、羥基、下述通式（12）所表示的基團或下述通式（13）所表示的基團。

[化14]

通式（10）中，R¹⁵ 、R¹⁷ 、R¹⁸ 及R²⁰ 分別獨立地表示丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、縮水甘油氧基、氧雜環丁基烷基醚基、乙烯醚基、羥基、下述通式（12）所表示的基團或下述通式（13）所表示的基團，R¹⁶ 及R¹⁹ 分別獨立地表示氫原子、甲基、乙基、羥基或下述通式（11）所表示的基團。

[化15]

通式（11）中，R²¹ 表示丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、縮水甘油氧基、氧雜環丁基烷基醚基、乙烯醚基或羥基。

[化16]

通式（12）中，R²² 表示丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、縮水甘油氧基、氧雜環丁基烷基醚基、乙烯醚基或羥基，n為1～10的整數。

[化17]

通式（13）中，R²³ 表示丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、縮水甘油氧基、氧雜環丁基烷基醚基、乙烯醚基或羥基，m分別為1～10的整數。

具體而言，就感度及解析性進一步提高的觀點而言，（D）成分較佳為具有選自由丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、縮水甘油氧基、氧雜環丁基烷基醚基及乙烯醚基所組成的組群中的至少一種的化合物，更佳為具有兩個以上的縮水甘油氧基或兩個以上的丙烯醯氧基的化合物，進而佳為具有三個以上的縮水甘油氧基或三個以上的丙烯醯氧基的化合物。（D）成分可單獨使用一種或混合使用兩種以上。

（D）成分可使用選自由具有丙烯醯氧基的化合物、具有甲基丙烯醯氧基的化合物、具有縮水甘油氧基的化合物、具有氧雜環丁基烷基醚基的化合物、具有乙烯醚基的化合物及具有羥基的化合物所組成的組群中的至少一種。（D）成分較佳為具有選自由丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基及縮水甘油氧基所組成的組群中的至少一種基團的化合物，就使微細配線的絕緣可靠性提高的觀點而言，更佳為具有選自由丙烯醯氧基及甲基丙烯醯氧基所組成的組群中的至少一種基團的化合物。另外，就顯影性更優異的觀點而言，（D）成分較佳為具有兩個以上的縮水甘油氧基的脂肪族化合物，更佳為具有三個以上的縮水甘油氧基的脂肪族化合物，進而佳為重量平均分子量為1000以下的具有三個以上的縮水甘油氧基的脂肪族化合物。

具有丙烯醯氧基的化合物可列舉：EO改質二季戊四醇六丙烯酸酯、PO改質二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、EO改質二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、PO改質二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、EO改質季戊四醇四丙烯酸酯、PO改質季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、EO改質季戊四醇三丙烯酸酯、PO改質季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、EO改質三羥甲基丙烷丙烯酸酯、PO改質三羥甲基丙烷丙烯酸酯、三羥甲基丙烷丙烯酸酯、EO改質甘油三丙烯酸酯、PO改質甘油三丙烯酸酯、甘油三丙烯酸酯等。具有丙烯醯氧基的化合物可單獨使用一種或混合使用兩種以上。

具有甲基丙烯醯氧基的化合物可列舉：EO改質二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、PO改質二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、EO改質二-三羥甲基丙烷四甲基丙烯酸酯、PO改質二-三羥甲基丙烷四甲基丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四甲基丙烯酸酯、EO改質季戊四醇四甲基丙烯酸酯、PO改質季戊四醇四甲基丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、EO改質季戊四醇三甲基丙烯酸酯、PO改質季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、EO改質三羥甲基丙烷甲基丙烯酸酯、PO改質三羥甲基丙烷甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷甲基丙烯酸酯、EO改質甘油三甲基丙烯酸酯、PO改質甘油三甲基丙烯酸酯、甘油三甲基丙烯酸酯等。具有甲基丙烯醯氧基的化合物可單獨使用一種或混合使用兩種以上。

具有縮水甘油氧基的化合物可列舉：乙二醇二縮水甘油醚、二乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、三丙二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘油醚、甘油二縮水甘油醚、二季戊四醇六縮水甘油醚、季戊四醇四縮水甘油醚、季戊四醇三縮水甘油醚、三羥甲基乙烷三縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、丙三醇聚縮水甘油醚、甘油三縮水甘油醚、丙氧基化甘油三縮水甘油醚、1,4-環己烷二甲醇二縮水甘油醚、1,2-環己烷二羧酸二縮水甘油酯等。具有縮水甘油氧基的化合物可單獨使用一種或混合使用兩種以上。

具有縮水甘油氧基的化合物尤其較佳為選自由二季戊四醇六縮水甘油醚、季戊四醇四縮水甘油醚、季戊四醇三縮水甘油醚、三羥甲基乙烷三縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、丙三醇聚縮水甘油醚及甘油三縮水甘油醚所組成的組群中的至少一種。

具有縮水甘油氧基的化合物例如可作為艾博萊特（Epolite）40E、艾博萊特（Epolite）100E、艾博萊特（Epolite）70P、艾博萊特（Epolite）200P、艾博萊特（Epolite）1500NP、艾博萊特（Epolite）1600、艾博萊特（Epolite）80MF、艾博萊特（Epolite）100MF（以上為共榮社化學股份有限公司製造，商品名），烷基型環氧樹脂ZX-1542（新日鐵住金化學股份有限公司製造，商品名），代那考爾（Denacol）EX-212L、代那考爾（Denacol）EX-214L、代那考爾（Denacol）EX-216L、代那考爾（Denacol）EX-321L及代那考爾（Denacol）EX-850L（以上為長瀨化成（Nagase ChemteX）股份有限公司製造，商品名，「代那考爾（Denacol）」為註冊商標）而於商業上獲取。

具有氧雜環丁基烷基醚基的化合物例如可列舉具有3-烷基-3-氧雜環丁基烷基醚基的化合物，較佳為具有3-乙基-3-氧雜環丁基烷基醚基的化合物。此種氧雜環丁烷化合物可列舉：二季戊四醇六（3-乙基-3-氧雜環丁基甲基）醚、季戊四醇四（3-乙基-3-氧雜環丁基甲基）醚、季戊四醇三（3-乙基-3-氧雜環丁基甲基）醚、三羥甲基乙烷三（3-乙基-3-氧雜環丁基甲基）醚、三羥甲基丙烷三（3-乙基-3-氧雜環丁基甲基）醚、丙三醇聚（3-乙基-3-氧雜環丁基甲基）醚、甘油三（3-乙基-3-氧雜環丁基甲基）醚等。具有氧雜環丁基烷基醚的化合物可單獨使用一種或混合使用兩種以上。

具有羥基的化合物可列舉二季戊四醇、季戊四醇、甘油等多元醇等。具有羥基的化合物可單獨使用一種或混合使用兩種以上。

（D）成分中，就感度及解析性更優異的觀點而言，較佳為選自由三羥甲基乙烷三縮水甘油醚及三羥甲基丙烷三縮水甘油醚所組成的組群中的至少一種。

（D）成分可作為烷基型環氧樹脂（新日鐵住金化學股份有限公司製造，商品名ZX-1542）、烷基型丙烯酸系樹脂（日本化藥股份有限公司製造，商品名PET-30）等而於商業上獲取。

就可對感光層（塗膜）進一步賦予柔軟性、並且以鹼性水溶液進行顯影時的未曝光部的溶解速度容易進一步增加的觀點而言，相對於（A）成分100質量份，（D）成分的含量可為1質量份以上、10質量份以上、20質量份以上、25質量份以上、30質量份以上或40質量份以上。就存在容易將感光性樹脂組成物於所需的支撐體上成膜的傾向的觀點而言，相對於（A）成分100質量份，（D）成分的含量可為70質量份以下、65質量份以下或50質量份以下。

（（E）成分） 本實施形態的感光性樹脂組成物亦可更含有增感劑作為（E）成分。藉由感光性樹脂組成物含有（E）成分，可進一步提高感光性樹脂組成物的感度。增感劑可列舉9,10-二丁氧基蒽等。（E）成分可單獨使用一種或混合使用兩種以上。

相對於（A）成分100質量份，（E）成分的含量可為0.01質量份～1.5質量份或0.05質量份～0.5質量份。

（（F）成分） 為了提高感光性樹脂組成物的操作性、或調節黏度及保存穩定性，本實施形態的感光性樹脂組成物可更含有溶劑作為（F）成分。（F）成分較佳為有機溶劑。有機溶劑只要可發揮所述性能，則並無特別限制，可列舉：乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯等乙二醇單烷基醚乙酸酯；丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚等丙二醇單烷基醚；丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、丙二醇二丙醚、丙二醇二丁醚等丙二醇二烷基醚；丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、丙二醇單丁醚乙酸酯等丙二醇單烷基醚乙酸酯；乙基溶纖劑、丁基溶纖劑等溶纖劑；丁基卡必醇等卡必醇；乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丙酯、乳酸異丙酯等乳酸酯；乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、乙酸正戊酯、乙酸異戊酯、丙酸異丙酯、丙酸正丁酯、丙酸異丁酯等脂肪族羧酸酯；3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯等酯；甲苯、二甲苯等芳香族烴；甲基乙基酮（別名2-丁酮）、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、環己酮等酮；N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺；γ-丁內酯等內酯等。（F）成分可單獨使用一種或混合使用兩種以上。

相對於感光性樹脂組成物的總量（其中，於使用（F）成分的情形時，將（F）成分除外）100質量份，（F）成分的含量可為30質量份～200質量份或40質量份～120質量份。

（（G）成分） 本實施形態的感光性樹脂組成物亦可含有具有Si-O鍵的化合物（將相當於（A）成分～（F）成分的化合物除外）作為（G）成分。具有Si-O鍵的化合物只要為具有矽氧烷鍵的化合物即可。（G）成分只要具有Si-O鍵，則並無特別限定，例如可列舉二氧化矽（二氧化矽填料）及矽烷化合物（矽烷偶合劑等）。（G）成分可單獨使用一種或混合使用兩種以上。

藉由本實施形態的感光性樹脂組成物含有無機填料，可降低樹脂圖案的熱膨脹係數。於使用無機填料作為（G）成分的情形時，無機填料較佳為熔融球狀二氧化矽、熔融粉碎二氧化矽、煙霧狀二氧化矽、溶膠-凝膠二氧化矽等二氧化矽。另外，亦可藉由以矽烷化合物對無機填料進行處理而使無機填料具有Si-O鍵。以矽烷化合物進行處理的無機填料中，二氧化矽以外的無機填料可列舉：氧化鋁、氫氧化鋁、碳酸鈣、氫氧化鈣、硫酸鋇、碳酸鋇、氧化鎂、氫氧化鎂或來源於滑石、雲母等礦產物的無機填料等。

無機填料的平均一次粒徑較佳為100 nm以下，更佳為80 nm以下，就感光層的感光性更優異的觀點而言，進而佳為50 nm以下。若平均一次粒徑為100 nm以下，則感光性樹脂組成物不易白濁，用以進行曝光的光容易透過感光層。結果，容易將未曝光部去除，故存在樹脂圖案的解析性不易降低的傾向。再者，所述平均一次粒徑為由BET比表面積進行換算所得的值。

二氧化矽的熱膨脹係數較佳為5.0×10^-6 /℃以下。就容易獲得合適的粒徑的觀點而言，二氧化矽較佳為熔融球狀二氧化矽、煙霧狀二氧化矽、溶膠-凝膠二氧化矽等二氧化矽，更佳為煙霧狀二氧化矽或溶膠-凝膠二氧化矽。另外，二氧化矽較佳為平均一次粒徑5 nm～100 nm的二氧化矽（奈米二氧化矽）。

於測定無機填料的粒徑時，可使用公知的粒度分佈計。粒度分佈計可列舉：對粒子群照射雷射光，根據由粒子群所發出的繞射光及散射光的強度分佈圖案藉由計算來求出粒度分佈的雷射繞射散射式粒度分佈計；使用基於動態光散射法的頻率分析來求出粒度分佈的奈米粒子的粒度分佈計等。

藉由本實施形態的感光性樹脂組成物含有矽烷化合物，可提高圖案形成後的感光層與基材的密接強度。於使用矽烷化合物作為（G）成分的情形時，只要矽烷化合物具有Si-O鍵，則矽烷化合物並無特別限制。矽烷化合物可列舉：烷基矽烷、烷氧基矽烷、乙烯基矽烷、環氧矽烷、胺基矽烷、丙烯酸矽烷、甲基丙烯酸矽烷、巰基矽烷、硫醚矽烷、異氰酸酯矽烷、硫矽烷（sulfur silane）、苯乙烯基矽烷、烷基氯矽烷等。

作為（G）成分的矽烷化合物較佳為下述通式（14）所表示的化合物。   （R¹⁰¹ O）_4-f -Si-（R¹⁰² ）_f …（14）

通式（14）中，R¹⁰¹ 表示甲基、乙基、丙基等碳數為1～10的烷基，R¹⁰² 表示一價有機基，f表示0～3的整數。於f為0、1或2的情形時，多個R¹⁰¹ 可彼此相同亦可不同。於f為2或3的情形時，多個R¹⁰² 可彼此相同亦可不同。就解析性更優異的觀點而言，R¹⁰¹ 較佳為碳數為1～5的烷基，更佳為碳數為1～2的烷基。於為了提高無機填料的分散性而以矽烷化合物（通式（14）所表示的化合物等）進行處理的情形時，就進一步提高無機填料的分散性的觀點而言，f較佳為0～2，更佳為0～1。

作為（G）成分的矽烷化合物的具體例可列舉：甲基三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三苯氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、二異丙基二甲氧基矽烷、異丁基三甲氧基矽烷、二異丁基二甲氧基矽烷、異丁基三乙氧基矽烷、正己基三甲氧基矽烷、正己基三乙氧基矽烷、環己基甲基二甲氧基矽烷、正辛基三乙氧基矽烷、正十二烷基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、三苯基矽烷醇、四乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-（2-胺基乙基）胺基丙基三甲氧基矽烷、3-（2-胺基乙基）胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、雙（3-（三乙氧基矽烷基）丙基）二硫醚、雙（3-（三乙氧基矽烷基）丙基）四硫醚、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三乙氧基矽烷、N-（1,3-二甲基亞丁基）-3-胺基丙基三乙氧基矽烷等。（G）成分較佳為具有一個以上的縮水甘油氧基的環氧矽烷，更佳為具有選自由三甲氧基矽烷基及三乙氧基矽烷基所組成的組群中的至少一種的環氧矽烷。

相對於（A）成分100質量份，（G）成分的含量較佳為1.8質量份～420質量份，更佳為1.8質量份～270質量份。相對於（A）成分100質量份，（G）成分的含量可為1質量份～20質量份，亦可為3質量份～10質量份。

（其他成分） 本實施形態的感光性樹脂組成物除了（A）成分以外，亦可含有分子量小於1000的酚性低分子化合物（以下稱為「酚化合物（a）」）。酚化合物（a）可列舉：4,4'-二羥基二苯基甲烷、4,4'-二羥基二苯基醚、三（4-羥基苯基）甲烷、1,1-雙（4-羥基苯基）-1-苯基乙烷、三（4-羥基苯基）乙烷、1,3-雙[1-（4-羥基苯基）-1-甲基乙基]苯、1,4-雙[1-（4-羥基苯基）-1-甲基乙基]苯、4,6-雙[1-（4-羥基苯基）-1-甲基乙基]-1,3-二羥基苯、1,1-雙（4-羥基苯基）-1-[4-{1-（4-羥基苯基）-1-甲基乙基}苯基]乙烷、1,1,2,2-四（4-羥基苯基）乙烷等。相對於（A）成分100質量份，酚化合物（a）的含量例如為0質量份～40質量份（尤其是0質量份～30質量份）的範圍。

另外，本實施形態的感光性樹脂組成物亦可含有所述成分以外的其他成分。其他成分可列舉：著色劑、密接助劑、調平劑、不具有Si-O鍵的無機填料等。所述無機填料並無特別限定，例如可列舉：氧化鋁、氫氧化鋁等鋁化合物；鹼金屬化合物；碳酸鈣、氫氧化鈣、硫酸鋇、碳酸鋇、氧化鎂、氫氧化鎂等鹼土金屬化合物；來源於礦山物的無機化合物等。該些無機填料可經粉碎機粉碎，視情況進行分級而以最大粒徑2 μm以下分散。無機填料可單獨使用一種或混合使用兩種以上。任一無機填料均較佳為於分散於感光性樹脂組成物中時以最大粒徑為2μ m以下而分散。此時，為了不凝聚而分散於樹脂中，可使用矽烷偶合劑。以感光性樹脂組成物的總量（其中，於使用（F）成分的情形時，將（F）成分除外）為基準，所述無機填料的含量較佳為1質量%～70質量%，更佳為3質量%～65質量%。

＜感光性元件＞ 繼而，對本實施形態的感光性元件加以說明。

如圖1所示，本實施形態的感光性元件11具備支撐體9及設於該支撐體9上的感光層2，該感光層2含有本實施形態的感光性樹脂組成物。感光層2是使用本實施形態的感光性樹脂組成物而形成。本實施形態的感光性元件11亦可於感光層2上更具備將感光層2被覆的保護層10。本實施形態的感光性元件11可用於本實施形態的電路基材的製造方法。

所述支撐體例如可使用聚酯（聚對苯二甲酸乙二酯等）、聚丙烯、聚乙烯等具有耐熱性及耐溶劑性的聚合物膜。所述支撐體（聚合物膜）的厚度較佳為5 μm～25 μm。再者，所述聚合物膜亦可將一個作為支撐體、另一個作為保護層，積層於感光層的兩面上而使用。即，亦能以由聚合物膜夾持感光層的方式將聚合物膜積層於感光層的兩面上。

所述保護層例如可使用聚酯（聚對苯二甲酸乙二酯等）、聚丙烯、聚乙烯等具有耐熱性及耐溶劑性的聚合物膜。

所述感光層可藉由將所述感光性樹脂組成物塗佈於支撐體或保護層上而形成。塗佈方法可列舉浸漬法、噴霧法、棒塗法、輥塗法、旋塗法等。所述感光層的厚度視用途而不同，使該感光層乾燥後，較佳為1 μm～100 μm，更佳為3 μm～60 μm，進而佳為5 μm～60 μm，尤佳為5 μm～40 μm，極佳為5 μm～25 μm。另外，就絕緣可靠性及安裝晶片的情形時的生產性優異的觀點而言，所述感光層的厚度較佳為超過20 μm，但亦可為20 μm以下。

＜抗蝕劑圖案的形成方法及電路基材的製造方法＞ 繼而，對本實施形態（第1實施形態及第2實施形態）的抗蝕劑圖案的形成方法加以說明。第1實施形態的抗蝕劑圖案的形成方法包括以下步驟：於基材（例如基板）上形成含有所述感光性樹脂組成物的感光層的感光層準備步驟；對所述感光層以既定的圖案進行曝光的曝光步驟；於所述曝光步驟後對所述感光層進行顯影而獲得樹脂圖案的顯影步驟；以及對所述樹脂圖案進行加熱處理的熱處理步驟。第2實施形態的抗蝕劑圖案的形成方法包括以下步驟：將所述感光性元件的所述感光層配置於基材上的感光層準備步驟；對所述感光層以既定的圖案進行曝光的曝光步驟；於所述曝光步驟後對所述感光層進行顯影而獲得樹脂圖案的顯影步驟；以及對所述樹脂圖案進行加熱處理的熱處理步驟。本實施形態的抗蝕劑圖案為藉由本實施形態的抗蝕劑圖案的形成方法所得的抗蝕劑圖案。

第1實施形態的抗蝕劑圖案的形成方法中的感光層準備步驟例如為將所述感光性樹脂組成物塗佈於基材（例如基板）上，使所述感光性樹脂組成物乾燥而形成感光層的步驟。第2實施形態的抗蝕劑圖案的形成方法中的感光層準備步驟例如為使用所述感光性元件，將所述感光層配置於基材（例如基板）上的步驟。感光層準備步驟亦可謂獲得如下基材（例如基板）的步驟，所述基材（例如基板）具備含有感光性樹脂組成物的感光層。本實施形態的抗蝕劑圖案的形成方法亦可於所述曝光步驟與所述顯影步驟之間，更包括對所述感光層進行加熱處理（曝光後烘烤）的步驟。於該情形時，本實施形態的抗蝕劑圖案的形成方法包括以下步驟：對所述感光層以既定的圖案進行曝光，並進行曝光後加熱處理（曝光後烘烤）的步驟；以及對所述加熱處理（曝光後烘烤）後的所述感光層進行顯影，對所得的樹脂圖案進行加熱處理的步驟。以下，對各步驟加以進一步說明。

本實施形態的抗蝕劑圖案的形成方法中，例如首先於需形成抗蝕劑圖案的基材上，形成含有所述感光性樹脂組成物的感光層。該感光層的形成方法可列舉：將所述感光性樹脂組成物塗佈（例如塗敷）於基材上，進行乾燥而使溶劑等揮發，形成感光層（塗膜）的方法；將所述感光性元件的感光層轉印（層壓）至基材上的方法等。

基材可列舉基板等。基材例如可使用：帶樹脂的銅箔、覆銅積層板、帶有金屬濺鍍膜的矽晶圓、帶有銅鍍敷膜的矽晶圓、氧化鋁基板等。基材的形成感光層的面亦可為使用感光性樹脂組成物所形成的硬化樹脂層。於該情形時，有與基材的密接性提高的傾向。

將所述感光性樹脂組成物塗佈於基材上的方法例如可使用浸漬法、噴霧法、棒塗法、輥塗法、旋塗法等塗佈方法。塗膜的厚度可藉由調節塗佈方法、感光性樹脂組成物的固體成分濃度及黏度而適當控制。

繼而，介隔既定的遮罩圖案對所述感光層以既定的圖案進行曝光。用於曝光的光化射線可列舉：以g射線步進機作為光源的光線；以低壓水銀燈、高壓水銀燈、金屬鹵化物燈、i射線步進機等作為光源的紫外線；電子束；雷射光線等。曝光量是根據所使用的光源、感光層的厚度等而適當選定。例如於自高壓水銀燈照射紫外線的情形時，於感光層的厚度為5 μm～50 μm時，曝光量可為100 mJ/cm² ～3000 mJ/cm² 左右。另外，於自高壓水銀燈照射紫外線的情形時，於感光層的厚度為10 μm～50 μm時，曝光量可為100 mJ/cm² ～5000 mJ/cm² 左右。

進而，亦可於曝光後顯影前進行加熱處理（曝光後烘烤）。藉由進行曝光後烘烤，可利用由光感應性酸產生劑所產生的酸來促進（A）成分與（C）成分的硬化反應。曝光後烘烤的條件視感光性樹脂組成物的組成、各成分的含量、感光層的厚度等而不同，例如較佳為於50℃～150℃下加熱1分鐘～60分鐘，更佳為於60℃～100℃下加熱1分鐘～15分鐘。另外，亦可於70℃～150℃下加熱1分鐘～60分鐘，亦可於80℃～120℃下加熱1分鐘～60分鐘。

繼而，藉由鹼性顯影液對進行了曝光及/或曝光後烘烤的感光層進行顯影，將未曝光部的區域（硬化部以外的區域）溶解及去除，藉此獲得所需的抗蝕劑圖案。該情形時的顯影方法可列舉噴淋顯影法、噴霧顯影法、浸漬顯影法、覆液顯影法等。顯影條件例如於噴霧顯影法中為20℃～40℃且10秒鐘～300秒鐘。

所述鹼性顯影液可列舉：將氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化四甲基銨、膽鹼等鹼性化合物以濃度成為1質量%～10質量%的方式溶解於水中而成的鹼性水溶液；氨水等。所述鹼性顯影液中，例如亦可適量添加甲醇、乙醇等水溶性的有機溶劑、界面活性劑等。再者，於以該鹼性顯影液進行顯影後，以水清洗，進行乾燥。就解析性更優異的觀點而言，該鹼性顯影液較佳為氫氧化四甲基銨。

進而，為了表現出絕緣膜特性而進行加熱處理，藉此獲得感光性樹脂組成物的硬化膜（抗蝕劑圖案）。所述感光性樹脂組成物的硬化條件並無特別限制，可根據硬化物的用途而調整。例如可於50℃～250℃下加熱30分鐘～10小時，而使感光性樹脂組成物硬化。

另外，為了使硬化充分地進行及/或為了防止所得的樹脂圖案的變形，亦能以二階段進行加熱。例如亦可於第一階段中於50℃～120℃下加熱5分鐘～2小時，進而於第二階段中於80℃～200℃下加熱10分鐘～10小時而進行硬化。於在所述硬化條件下進行加熱處理的情形時，加熱設備並無特別限制，可使用通常的烘箱、紅外線爐等。

繼而，對本實施形態的電路基材的製造方法加以說明。本實施形態的電路基材的製造方法為具備樹脂圖案及導體圖案的電路基材的製造方法。本實施形態的電路基材的製造方法包括以下步驟：對本實施形態的抗蝕劑圖案的形成方法中的所述熱處理步驟後的所述樹脂圖案的露出部的至少一部分、及所述基材的露出部的至少一部分進行鍍敷處理，藉此形成導體層的導體層形成步驟；以及將所述導體層的一部分去除而形成導體圖案的導體圖案形成步驟。本實施形態的電路基材（例如電路基板）為藉由本實施形態的電路基材的製造方法所得的電路基材。本實施形態的電路基材具備樹脂圖案（抗蝕劑圖案）及導體圖案。

於包含需要高密度相互連接體的先進的電子封裝（package）的製作的用途中，要求可形成10 μm以下的經微細化的導體圖案。根據本實施形態的電路基材的製造方法，可形成與導體圖案具有充分的密接性的樹脂圖案（抗蝕劑圖案），故可形成10 μm以下的導體圖案。

根據具備樹脂圖案及導體圖案的電路基材的製造方法，可獲得具有相較於先前而進一步經微細化的導體圖案的、具有優異的電氣特性的電路基材。本發明者等人認為其原因在於：藉由存在樹脂圖案，而不易產生導體圖案的剝離。藉由在曝光後顯影前進行加熱處理，而促進顯影後作為樹脂圖案而殘存的部分的硬化反應，故存在更容易形成更微細的導體圖案的傾向。

於導體層形成步驟中，於實施了鍍敷處理的區域（所述樹脂圖案的露出部的至少一部分、及所述基材的露出部的至少一部分）形成導體層。導體層形成步驟可包括藉由在進行無電解鍍敷後進行電解鍍敷（電氣鍍敷）而形成所述導體層的步驟，亦可包括藉由在進行濺鍍後進行電解鍍敷而形成所述導體層的步驟。

導體圖案形成步驟可包括藉由蝕刻將所述導體層的一部分去除而形成所述導體圖案的步驟，亦可包括藉由研磨將所述導體層的一部分去除而形成所述導體圖案的步驟。

以下，一面參照圖2，一面對本發明的一實施形態加以具體說明，但本發明不限定於此。圖2（a）~圖2（f）示出作為本實施形態的電路基材的製造方法的一例的電路基板的製造方法。

本實施形態的電路基板的製造方法包括以下步驟：（a）於基板1上形成含有感光性樹脂組成物的感光層2的步驟（參照圖2（a））；（b）對感光層2以既定的圖案進行曝光，並進行顯影，進而進行加熱處理，由此獲得樹脂圖案4的步驟（參照圖2（b）及圖2（c））；（c）對基板1的露出部及樹脂圖案4的露出部進行鍍敷處理，藉此形成導體層7的步驟（參照圖2（d）及圖2（e））；以及（d）將導體層7的一部分去除而形成導體圖案（電路）8的步驟（參照圖2（f））。即，本實施形態的電路基板的製造方法為用以製造如下電路基板的方法，所述電路基板於基板1上具備使用既定的圖案所形成的樹脂圖案4、及經微細化的導體圖案8。此處，所謂樹脂圖案是使形成有既定圖案的感光層硬化所得的樹脂的圖案，樹脂圖案的樹脂的一部分或全部硬化。

於步驟（b）中，藉由鹼性顯影液對曝光後的感光層2進行顯影，將因曝光而硬化的部分以外的區域（未曝光部）溶解及去除，藉此獲得樹脂圖案2a（形成有既定圖案的感光層2）（參照圖2（b））。此處經去除的區域成為需形成導體圖案8的區域（電路槽3）。繼而，對樹脂圖案2a進行加熱處理，由此獲得樹脂圖案4（參照圖2（c））。

所謂步驟（c）中的基板1的露出部，是指基板1的形成有樹脂圖案4的面中的未形成樹脂圖案4的區域。

鍍敷處理的方法並無特別限制，例如可為使用電解鍍敷、無電解鍍敷或濺鍍的方法。

導體層7的厚度可根據要形成的配線槽的高度而適當調整，較佳為1 μm～35 μm，更佳為3 μm～25 μm。

導體層7亦可由晶種金屬層5及成長於其上的鍍敷層6所構成。即，步驟（c）亦可包括於基板1的露出部及樹脂圖案4的露出部上形成晶種金屬層5的步驟（參照圖2（d））。於形成晶種金屬層5的情形時，於所形成的晶種金屬層5上進行鍍敷處理，藉此可形成鍍敷層6（參照圖2（e））。

晶種金屬層5的形成方法並無特別限定，例如可列舉無電解鍍敷及濺鍍。

於藉由無電解鍍敷來形成晶種金屬層5的情形時，構成晶種金屬層5的金屬例如可為金、鉑、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鎳、鈦、鎢、鐵、錫、銦等的金屬單體，亦可為鎳·鉻合金等兩種以上的金屬的固熔體（合金）。該些金屬中，就金屬膜形成的通用性、成本、利用蝕刻的去除的容易性等觀點而言，構成晶種金屬層5的金屬較佳為鉻、鎳、鈦、鎳·鉻合金、鋁、鋅、銅·鎳合金、銅·鈦合金、金、銀或銅，更佳為鉻、鎳、鈦、鎳·鉻合金、鋁、鋅、金、銀或銅，進而佳為鈦或銅。另外，晶種金屬層5可為單層，亦可為兩層以上的不同金屬積層而成的多層結構。

於藉由無電解鍍敷來形成晶種金屬層5的情形時，可使用無電解鍍敷液。無電解鍍敷液可使用公知的自觸媒型的無電解鍍敷液。無電解鍍敷液中所含的金屬種、還原劑種、錯合劑種、氫離子濃度、溶存氧濃度等並無特別限定。無電解鍍敷液例如可使用：以次磷酸銨、次磷酸、氫化硼銨、肼、福馬林等作為還原劑的無電解銅鍍敷液；以次磷酸鈉作為還原劑的無電解鎳-磷鍍敷液；以二甲基胺基硼烷作為還原劑的無電解鎳-硼鍍敷液；無電解鈀鍍敷液；以次磷酸鈉作為還原劑的無電解鈀-磷鍍敷液；無電解金鍍敷液；無電解銀鍍敷液；以次磷酸鈉作為還原劑的無電解鎳-鈷-磷鍍敷液等。

另外，藉由無電解鍍敷來形成晶種金屬層5的方法例如亦可為以下方法：使銀、鈀、鋅、鈷等觸媒核附著於形成晶種金屬層5的部分上後，使用所述無電解鍍敷液於觸媒核上形成金屬薄膜的方法。

使觸媒核附著於基板1的露出部及樹脂圖案4的露出部上的方法並無特別限制。例如可列舉：準備使成為觸媒核的金屬的金屬化合物、鹽或錯合物以濃度成為0.001質量%～10質量%的方式溶解於水或有機溶劑（例如醇及氯仿）中而成的溶液，將形成有樹脂圖案4的基板1浸漬於該溶液中後，將溶液中的金屬還原而使金屬析出的方法。再者，所述方法的溶液視需要可含有酸、鹼、錯合劑、還原劑等。

於藉由濺鍍來形成晶種金屬層5的情形時，構成晶種金屬層5的金屬例如可使用與藉由無電解鍍敷來形成晶種金屬層5的情形相同的金屬。

構成鍍敷層6的金屬並無特別限定，較佳為銅。於晶種金屬層5上形成鍍敷層6的方法例如可列舉藉由電解鍍敷等濕式鍍敷使鍍敷物成長的方法。

於形成晶種金屬層5的情形時，可於形成晶種金屬層5之後、形成鍍敷層6之前，使用防銹劑對晶種金屬層5實施防銹處理。

於形成晶種金屬層5的情形時，晶種金屬層5的厚度並無特別限制，較佳為10 nm～5000 nm，更佳為20 nm～2000 nm，進而佳為30 nm～1000 nm，尤佳為50 nm～500 nm，極佳為50 nm～300 nm。於厚度為10 nm以上的情形時，存在容易藉由電解鍍敷而均勻地形成鍍敷層6的傾向。於厚度為5000 nm以下的情形時，可適度縮短利用蝕刻或研磨的晶種金屬層5的去除時間，故可抑制去除晶種金屬層5所耗費的成本。

形成導體層7後，以提高密接性等為目的，亦可對導體層7進行加熱。加熱溫度通常為50℃～350℃，較佳為80℃～250℃。再者，亦可於加壓條件下實施加熱。加壓方法例如可列舉：使用熱壓機、加壓加熱輥機等物理加壓機構的方法。所施加的壓力通常為0.1 MPa～20 MPa，較佳為0.5 MPa～10 MPa。若為該範圍，則有晶種金屬層5與樹脂圖案4或基板1的密接性優異的傾向。

步驟（d）中，如圖2（e）所示，導體層7形成於基板1的露出部及樹脂圖案4的露出部的整個面上。即，於需形成導體圖案8的區域（電路槽3）以外的區域中亦形成有鍍敷物（金屬膜）。因此，步驟（d）亦可謂將導體層7中形成於電路槽3以外的區域中的金屬膜去除的步驟。

將導體層7的一部分去除的方法可為用以去除金屬的公知的方法。例如可為利用研磨（機械研磨等）的方法及/或利用蝕刻的方法。

於藉由機械研磨將導體層7的一部分去除的情形時，機械研磨的方法較佳為化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing）（以下亦稱為「CMP」）法。藉由CMP法將導體層7的一部分去除的方法例如亦可為以下方法：於研磨定盤（平盤）上貼附研磨布（研磨墊），以金屬用研磨劑浸濕研磨布表面，將導體層7的表面按壓於研磨布表面，於自其背面對導體層7的表面施加既定壓力（以下稱為「研磨壓力」）的狀態下旋轉研磨定盤，藉由研磨劑與導體層7的表面的機械摩擦而將導體層7的一部分去除。

用於CMP的金屬用研磨劑例如可含有氧化劑及固體研磨粒（以下簡稱為「研磨粒」），視需要亦可更含有氧化金屬溶解劑、保護膜形成劑等。可認為使用含有氧化劑及研磨粒的研磨劑的CMP的基本機制如下。可認為，首先作為研磨對象的金屬膜的表面經氧化劑氧化而形成氧化層，該氧化層經研磨粒削去，藉此研磨金屬膜。於藉由此種機制進行研磨的情形時，形成於電路槽3上的金屬膜表面的氧化層基本不接觸研磨布，因此研磨粒的削去效果難以觸及形成於電路槽3上的金屬膜。因此存在以下傾向：隨著CMP的研磨進行而電路槽3以外的區域的金屬膜被去除，而使研磨面平坦化。

研磨劑較佳為可於研磨速度為5000 Å/min～3000 Å/min的範圍內使用的研磨劑。

於藉由蝕刻將導體層7的一部分去除的情形時，蝕刻的方法可列舉噴砂法、濕式蝕刻製程等。噴砂法的情形時，例如藉由將二氧化矽、氧化鋁等的切削粒子噴附於導體層7的需去除的部分而進行蝕刻。濕式蝕刻製程的情形時，使用蝕刻液進行蝕刻。蝕刻液例如可使用氯化銅溶液、氯化鐵溶液、鹼蝕刻溶液、過硫酸銨水溶液及過氧化氫蝕刻液。

導體層7中，步驟（d）中被去除的部分（即，電路槽3以外的區域）的金屬膜的厚度可為0.1 μm～35 μm左右。

藉由所述方法所製作的電路基板可於對應部位安裝半導體元件而確保電性連接。另外，藉由所述方法，可獲得具有經微細化的導體圖案8的電路基板。

＜硬化物及半導體裝置＞ 本實施形態的硬化物為本實施形態的感光性樹脂組成物的硬化物。本實施形態的半導體裝置具備本實施形態的感光性樹脂組成物的硬化物。本實施形態的感光性樹脂組成物的硬化物例如可較佳地用作半導體元件的表面保護膜及/或層間絕緣膜、或者多層印刷配線板的阻焊劑及/或層間絕緣膜。本實施形態的半導體裝置具備具有本實施形態的感光性樹脂組成物的硬化物的電路基材（例如電路基板）。

圖3表示含有本實施形態的感光性樹脂組成物的硬化物作為阻焊劑及/或層間絕緣膜的多層印刷配線板的製造方法。圖3（f）所示的多層印刷配線板100於表面及內部具有配線圖案。多層印刷配線板100是藉由將覆銅積層體、層間絕緣膜、金屬箔等積層並且藉由蝕刻法或半加成法適當形成配線圖案而獲得。以下，根據圖3對本發明的一實施形態的多層印刷配線板100的製造方法加以簡單說明。

首先，於表面上具有配線圖案102的基材101的兩面上形成層間絕緣膜103（參照圖3（a））。層間絕緣膜103可藉由使用網版印刷機或輥塗機印刷感光性樹脂組成物而形成，亦可預先準備所述感光性元件，使用層壓機將該感光性元件的感光層貼附於印刷配線板的表面上而形成。

繼而，於必需與外部電性連接的部位，使用釔鋁石榴石（Yttrium Aluminum Garnet，YAG）雷射或二氧化碳雷射來形成開口部104（參照圖3（b））。開口部104周邊的膠渣（smear，殘渣）是藉由除膠渣處理而去除。

繼而，藉由無電解鍍敷法來形成晶種層105（參照圖3（c））。於所述晶種層105上形成含有感光性樹脂組成物（半加成用感光性樹脂組成物）的感光層，對既定部位進行曝光及顯影處理而形成樹脂圖案106（參照圖3（d））。

然後，藉由電解鍍敷法於晶種層105的未形成樹脂圖案106的部分上形成配線圖案107，藉由剝離液將樹脂圖案106去除後，藉由蝕刻將所述晶種層105的未形成配線圖案107的部分去除（參照圖3（e））。

反覆進行以上操作，於最表面上形成含有所述感光性樹脂組成物的硬化物的阻焊劑108，藉此可製作多層印刷配線板100（參照圖3（f））。如此而獲得的多層印刷配線板100可於對應部位安裝半導體元件而確保電性連接。 [實施例]

以下，藉由實施例對本發明加以詳細說明，但本發明不受該些實施例的任何限定。

（實施例1～實施例4及比較例1～比較例3） 相對於100質量份的樹脂成分（A-1～A-3），以下述表1及表2所示的調配量（單位：質量份）調配三芳基鋶鹽（B-1～B-5）、烷氧基烷基化合物（C-1）、具有縮水甘油氧基的化合物（D-1）、具有丙烯醯氧基的化合物（D-2）、增感劑（E-1）、溶劑（F-1）及具有Si-O鍵的化合物（G-1），獲得感光性樹脂組成物。再者，樹脂成分（A-1～A-3）、三芳基鋶鹽（B-1～B-5）是以固體成分成為表1及表2所示的質量份的方式調配。

再者，表1及表2的簡稱如下。 A-1：甲酚酚醛清漆樹脂（旭有機材工業股份有限公司製造，商品名：EP4020G，重量平均分子量：13000） A-2：甲酚酚醛清漆樹脂（旭有機材工業股份有限公司製造，商品名：TR4020G，重量平均分子量：13000） A-3：甲酚酚醛清漆樹脂（旭有機材工業股份有限公司製造，商品名：TR4080G，重量平均分子量：5000） B-1：三芳基鋶鹽（三亞普羅（San-Apro）股份有限公司製造，商品名：CPI-110B，陰離子：四（五氟苯基）硼酸根） B-2：三芳基鋶鹽（三亞普羅（San-Apro）股份有限公司製造，商品名：CPI-310B，陰離子：四（五氟苯基）硼酸根） B-3：三芳基鋶鹽（三亞普羅（San-Apro）股份有限公司製造，商品名：CPI-101A，陰離子：六氟銻酸根） B-4：三芳基鋶鹽（三亞普羅（San-Apro）股份有限公司製造，商品名：CPI-210S，陰離子：磷系陰離子） B-5：三芳基鋶鹽（三亞普羅（San-Apro）股份有限公司製造，商品名：CPI-300PG，陰離子：磷系陰離子） C-1：1,3,4,6-四（甲氧基甲基）甘脲（三和化學（Sanwa Chemical）股份有限公司製造，商品名：尼卡拉克（Nikalac）MX-270） D-1：三羥甲基丙烷三縮水甘油醚（新日鐵住金化學股份有限公司製造，商品名：ZX-1542） D-2：季戊四醇三丙烯酸酯（日本化藥股份有限公司製造，商品名：PET-30） E-1：9,10-二丁氧基蒽（川崎化成工業股份有限公司製造，商品名：DBA） F-1：甲基乙基酮（和光純藥工業股份有限公司製造，商品名：2-丁酮） G-1：3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷（信越化學工業股份有限公司製造，商品名：KBM-403）

將所述感光性樹脂組成物以感光性樹脂組成物的厚度變均勻的方式塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯膜（帝人杜邦膜（Teijin-Dupont Film）股份有限公司製造，商品名：普雷克斯（Purex）A53，「普雷克斯（Purex）」為註冊商標）（支撐體）上，利用90℃的熱風對流式乾燥機進行10分鐘乾燥。乾燥後，以聚乙烯膜（塔瑪寶利（Tamapoly）股份有限公司製造，商品名：NF-15）（保護層）被覆，獲得感光層的厚度為25 μm的感光性元件。

（解析性及感度的評價） 將所述感光性元件的保護層剝離，將該感光性元件層壓於直徑6吋的矽晶圓上，獲得依序具備支撐體、感光層及矽晶圓的積層體。層壓是使用100℃的熱輥以0.4 MPa的壓接壓力、1.0 m/min的輥速度來進行。繼而，將所述積層體的支撐體剝離，使用i射線步進機（佳能（Canon）股份有限公司製造，商品名：FPA-3000iW）以i射線（365 nm）介隔遮罩對感光層進行縮小投影曝光。關於遮罩，使用在2 μm：2 μm～30 μm：30 μm的範圍以1 μm為單位而具有曝光部及未曝光部的寬度成為1：1的圖案的遮罩。另外，一面使曝光量於100 mJ/cm² ～3000 mJ/cm² 的範圍內以50 mJ/cm² 為單位變化一面進行縮小投影曝光。

將經曝光的感光層於65℃下加熱1分鐘，繼而於95℃下加熱4分鐘（曝光後烘烤）。繼而，使用2.38質量%氫氧化四甲基銨水溶液（多摩化學工業股份有限公司製造，商品名：TMAH2.38%）作為顯影液，並且使用顯影機（瀧澤產業股份有限公司製造，商品名：AD-1200），對該感光層以相當於最短顯影時間（將未曝光部去除的最短時間）的4倍的時間噴霧顯影液（泵噴出壓力[顯影液]：0.16 MPa），將未曝光部去除。繼而，將作為淋洗液的純化水（和光純藥工業股份有限公司製造）噴霧30秒鐘（泵噴出壓力[淋洗液]：0.12 MPa～0.14 MPa）而沖洗顯影液。繼而進行乾燥，藉此形成樹脂圖案。使用金屬顯微鏡將倍率放大至1000倍，對所形成的樹脂圖案進行觀察。於將間隙部分（未曝光部）完全去除、且未產生蜿蜒或缺損而形成有線部分（曝光部）的圖案中，將最小間隙寬的值作為解析度，並且將此時的曝光量作為感度來進行評價。將評價結果示於表1中。

（HAST耐性的評價（HAST條件A）） 對具有將12 μm厚的銅箔積層於玻璃環氧基材上所得的結構的印刷配線板用基板（日立化成股份有限公司製造，商品名：MCL E-679）的銅表面進行蝕刻，形成線/間隙為20 μm/20 μm的梳型電極。將該基板作為評價基板，與所述＜解析性及感度的評價＞同樣地於評價基板上形成抗蝕劑的硬化物（永久抗蝕劑膜）。其後，於130℃、85%RH、6.0 V的條件下進行500小時試驗。對各時間的電阻值進行測定，將其電阻值成為1×10^-6 以下時判定為短路不良，按以下基準來進行HAST耐性的評價。將評價結果示於表1及表2中。 「A」：500小時以上未產生短路。 「B」：於300小時以上且小於500小時的期間中產生短路。 「C」：於200小時以上且小於300小時的期間中產生短路。 「D」：於100小時以上且小於200小時的期間中產生短路。 「E」：於小於100小時的期間中產生短路。

（HAST耐性的評價（HAST條件B）） 對具有將12 μm厚的銅箔積層於玻璃環氧基材上所得的結構的印刷配線板用基板（日立化成股份有限公司製造，商品名：MCL E-679）的銅表面進行蝕刻，形成線/間隙為5 μm/5 μm的梳型電極。將該基板作為評價基板，與所述＜解析性及感度的評價＞同樣地於評價基板上形成抗蝕劑的硬化物（永久抗蝕劑膜）。其後，於130℃、85%RH、6.0V的條件下進行500小時試驗。對各時間的電阻值進行測定，將其電阻值成為1×10^-6 以下時判定為短路不良，按以下基準進行HAST耐性的評價。將評價結果示於表2中。 「A」：100小時以上未產生短路。 「B」：於50小時以上且小於100小時的期間中產生短路。 「C」：於25小時以上且小於50小時的期間中產生短路。 「D」：於10小時以上且小於25小時的期間中產生短路。 「E」：於小於10小時的期間中產生短路。

[表1]

[表2]

如由表1所表明，得知實施例1～實施例2與比較例1～比較例3相比較，HAST耐性極為良好，微細配線間的絕緣可靠性優異。進而，如由表2所表明，得知使用具有丙烯醯氧基的化合物作為（D）成分的實施例3中，較條件A更嚴苛的條件B下的HAST耐性與使用具有縮水甘油氧基的化合物的實施例4相比較極為良好，更短的微細配線間的絕緣可靠性優異。

（參考例1） [感光性樹脂組成物的製備] 相對於100質量份的（A-2）甲酚酚醛清漆樹脂（旭有機材工業股份有限公司製造，商品名：TR4020G），調配8質量份的（B-2）三芳基鋶鹽（三亞普羅（San-Apro）股份有限公司製造，商品名：CPI-310B）、28質量份的（C-1）1,3,4,6-四（甲氧基甲基）甘脲（三和化學（Sanwa Chemical）股份有限公司製造，商品名：MX-270）、43質量份的（D-1）三羥甲基丙烷三縮水甘油醚（新日鐵住金化學股份有限公司製造，商品名：ZX-1542）、100質量份的（F-1）甲基乙基酮（和光純藥工業股份有限公司製造，商品名：2-丁酮）、及3質量份的（G-1）3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷（信越化學工業股份有限公司製造，商品名：KBM-403），獲得感光性樹脂組成物。

[感光性元件的製作] 以感光性樹脂組成物的厚度變均勻的方式將所述感光性樹脂組成物塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯膜（帝人杜邦膜（Teijin-Dupont Film）股份有限公司製造，商品名：普雷克斯（Purex）A53）（支撐體）上。繼而，利用90℃的熱風對流式乾燥機進行10分鐘乾燥，形成乾燥後的感光層的厚度為10 μm的感光層。於該感光層上貼合聚乙烯膜（塔瑪寶利（Tamapoly）股份有限公司製造，商品名：NF-15）（保護層），獲得將所述支撐體、感光層及保護層依序積層而成的感光性元件。

[電路基板的製作：樹脂圖案的形成] 一面將所述感光層的厚度為10 μm的感光性元件的保護層剝離，一面以感光層與矽表面接觸的方式將所述感光性元件層壓於6吋的矽晶圓上。繼而，將感光性元件的支撐體剝離，藉此獲得具備厚度為10 μm的感光層的矽基板。再者，層壓是使用120℃的熱輥以0.4 MPa的壓接壓力、1.0 m/min的輥速度來進行。

對於所得的感光層，使用i射線步進機（佳能（Canon）股份有限公司製造，商品名：FPA-3000iW）藉由i射線（365 nm）以2000 mJ/cm² 的曝光量進行曝光。將經曝光的感光層（塗膜）於65℃下加熱1分鐘，繼而於95℃下加熱4分鐘。進而，利用熱風對流式乾燥機於180℃下進行60分鐘加熱處理，於矽晶圓上獲得硬化樹脂層（硬化膜）。

於所得的6吋的帶硬化膜的矽晶圓上，一面將所述感光層的厚度為10 μm的感光性元件的保護層剝離，一面以感光層與硬化膜表面接觸的方式層壓所述感光性元件。繼而，將支撐體剝離，於硬化膜上獲得厚度為10 μm的感光層。再者，層壓是使用120℃的熱輥以0.4 MPa的壓接壓力、1.0 m/min的輥速度來進行。

對於所得的感光層（塗膜），使用i射線步進機（佳能（Canon）股份有限公司製造，商品名：FPA-3000iW）以i射線（365 nm）介隔遮罩進行縮小投影曝光。關於遮罩，使用在線寬：間隙寬為2 μm：2 μm～30 μm：30 μm的範圍內以1 μm的單位而具有曝光部及未曝光部的寬度成為1：1的圖案的遮罩。一面使曝光量於100 mJ/cm² ～3000 mJ/cm² 的範圍內以100 mJ/cm² 為單位變化一面進行縮小投影曝光。

將經曝光的感光層（塗膜）於65℃下加熱1分鐘，繼而於95℃下加熱4分鐘（曝光後烘烤）。繼而，以相當於最短顯影時間（將未曝光部去除的最短時間）的2倍的時間浸漬於2.38質量%氫氧化四甲基銨水溶液中，藉此進行顯影，將未曝光部去除而進行顯影處理。進而，利用熱風對流式乾燥機於180℃下進行60分鐘加熱處理而於矽晶圓上獲得樹脂圖案。

[導體圖案的形成] 於所述獲得的矽基板的露出部及樹脂圖案的露出部上，使用濺鍍裝置以0.1 μm的厚度形成鈦的濺鍍金屬膜（晶種金屬層）。繼而，以0.1 μm的厚度形成銅的濺鍍金屬膜。進而，於濺鍍膜上進行硫酸銅電解鍍敷。其後，於180℃下進行60分鐘退火處理，藉此於矽基板的露出部及樹脂圖案的露出部上形成厚度10 μm的導體層（鈦層及銅層）。

使用研磨裝置及研磨劑以13 kPa的研磨壓力藉由CMP對所述獲得的導體層進行研磨，形成導體圖案。利用金屬顯微鏡對所形成的導體圖案進行觀察，結果於未產生蜿蜒或缺損而形成有線部分（導體部分）的圖案中，最小線寬的值為3 μm。

（參考例2） 於參考例1的感光性樹脂組成物的製備中，將（A-2）替換為（A-3）甲酚酚醛清漆樹脂（旭有機材工業股份有限公司製造，商品名：TR4080G），除此以外，與參考例1同樣地形成導體圖案。利用金屬顯微鏡對所形成的導體圖案進行觀察，結果於未產生蜿蜒或缺損而形成有線部分（導體部分）的圖案中，最小線寬的值為3 μm。

（參考例3） 於參考例1的感光性樹脂組成物的製備中，將（D-1）替換為（D-2）季戊四醇三丙烯酸酯（日本化藥股份有限公司製造，商品名：PET-30），除此以外，與參考例1同樣地形成導體圖案。利用金屬顯微鏡對所形成的導體圖案進行觀察，結果於未產生蜿蜒或缺損而形成有線部分（導體部分）的圖案中，最小線寬的值為5 μm。

（參考例4） 於參考例3的感光性樹脂組成物的製備中，將（A-2）替換為（A-3）甲酚酚醛清漆樹脂（旭有機材工業股份有限公司製造，商品名：TR4080G），除此以外，與參考例3同樣地形成導體圖案。利用金屬顯微鏡對所形成的導體圖案進行觀察，結果於未產生蜿蜒或缺損而形成有線部分（導體部分）的圖案中，最小線寬的值為5 μm。

（參考例5） 於參考例3的感光性樹脂組成物的製備中，將酚醛清漆樹脂（A-2）100質量份中的50質量份替換為50質量份的（A-3）甲酚酚醛清漆樹脂（旭有機材工業股份有限公司製造，商品名：TR4080G），除此以外，與參考例3同樣地形成導體圖案。利用金屬顯微鏡對所形成的導體圖案進行觀察，結果於未產生蜿蜒或缺損而形成有線部分（導體部分）的圖案中，最小線寬的值為5 μm。

（參考例6） 於參考例1的感光性樹脂組成物的製備中，進一步添加10質量份的經3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷進行了偶合處理的平均一次粒徑15 nm的二氧化矽粒子，除此以外，與參考例1同樣地形成導體圖案。利用金屬顯微鏡對所形成的導體圖案進行觀察，結果於未產生蜿蜒或缺損而形成有線部分（導體部分）的圖案中，最小線寬的值為7 μm。

（參考例7） 於參考例1的導體圖案的形成中，代替藉由濺鍍裝置來形成晶種金屬層，而利用無電解鍍敷法來形成厚度0.5 μm的銅的金屬層（晶種金屬層），除此以外，與參考例1同樣地形成導體圖案。利用金屬顯微鏡對所形成的導體圖案進行觀察，結果於未產生蜿蜒或缺損而形成有線部分（導體部分）的圖案中，最小線寬的值為5 μm。

（參考例8） 於參考例1的導體圖案的形成中，於矽基板的露出部及樹脂圖案的露出部上形成厚度10 μm的導體層（鈦層及銅層）後，將CMP的研磨替換為蝕刻處理，除此以外，與參考例1同樣地形成導體圖案。利用金屬顯微鏡對所形成的導體圖案進行觀察，結果於未產生蜿蜒或缺損而形成有線部分（導體部分）的圖案中，最小線寬的值為3 μm。 [產業上之可利用性]

本發明的實施形態提供一種樹脂圖案的解析性優異的感光性樹脂組成物。根據本發明的實施形態，提供一種可獲得HAST耐性優異的硬化物並且樹脂圖案的解析性優異的感光性樹脂組成物。本發明的感光性樹脂組成物可用作半導體元件的表面保護膜或層間絕緣膜所用的材料。另外，可用作配線板材料的阻焊劑或層間絕緣膜所用的材料。尤其本發明的感光性樹脂組成物由於解析性及硬化後的微細配線間的絕緣可靠性均良好，故可較佳地用於經細線化及高密度化的高積體化封裝基板等。

1‧‧‧基板
2‧‧‧感光層
2a、4、106‧‧‧樹脂圖案
3‧‧‧電路槽
5‧‧‧晶種金屬層
6‧‧‧鍍敷層
7‧‧‧導體層
8‧‧‧導體圖案
9‧‧‧支撐體
10‧‧‧保護層
11‧‧‧感光性元件
100‧‧‧多層印刷配線板
101‧‧‧基材
102、107‧‧‧配線圖案
103‧‧‧層間絕緣膜
104‧‧‧開口部
105‧‧‧晶種層
108‧‧‧阻焊劑

圖1為表示本實施形態的感光性元件的示意剖面圖。 圖2（a）~圖2（f）為表示本實施形態的電路基材的製造方法的示意剖面圖。 圖3（a）~圖3（f）為表示本實施形態的多層印刷配線板的製造方法的示意剖面圖。

2‧‧‧感光層

9‧‧‧支撐體

10‧‧‧保護層

11‧‧‧感光性元件

Claims (15)

1. 一種感光性樹脂組成物，含有： （A）成分：具有酚性羥基的樹脂； （B）成分：光感應性酸產生劑； （C）成分：具有選自由芳香環、雜環及脂環所組成的組群中的至少一種以及選自由羥甲基及烷氧基烷基所組成的組群中的至少一種的化合物；以及 （D）成分：具有兩個以上的選自由丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、縮水甘油氧基、氧雜環丁基烷基醚基、乙烯醚基及羥基所組成的組群中的至少一種官能基的脂肪族化合物，並且 所述（B）成分為含有陰離子的鋶鹽，所述陰離子具有選自由四苯基硼酸根骨架、碳數1～20的烷基磺酸根骨架、苯基磺酸根骨架及10-樟腦磺酸根骨架所組成的組群中的至少一種骨架。
2. 如申請專利範圍第1項所述的感光性樹脂組成物，其中所述（B）成分的所述陰離子為選自由四（五氟苯基）硼酸根、三氟甲磺酸根、九氟丁磺酸根、對甲苯磺酸根及10-樟腦磺酸根所組成的組群中的至少一種。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感光性樹脂組成物，其中相對於所述（A）成分100質量份，所述（D）成分的含量為1質量份～70質量份。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的感光性樹脂組成物，更含有具有Si-O鍵的化合物。
5. 一種感光性元件，具備支撐體及設於所述支撐體上的感光層，並且 所述感光層含有如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的感光性樹脂組成物。
6. 一種感光性樹脂組成物的硬化物，其為如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的感光性樹脂組成物的硬化物。
7. 一種半導體裝置，具備如申請專利範圍第6項所述的感光性樹脂組成物的硬化物。
8. 一種抗蝕劑圖案的形成方法，包括以下步驟： 於基材上形成含有如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的感光性樹脂組成物的感光層的步驟； 對所述感光層以既定的圖案進行曝光的曝光步驟； 於所述曝光步驟後對所述感光層進行顯影而獲得樹脂圖案的顯影步驟；以及 對所述樹脂圖案進行加熱處理的熱處理步驟。
9. 一種抗蝕劑圖案的形成方法，包括以下步驟： 將如申請專利範圍第5項所述的感光性元件的所述感光層配置於基材上的步驟； 對所述感光層以既定的圖案進行曝光的曝光步驟； 於所述曝光步驟後對所述感光層進行顯影而獲得樹脂圖案的顯影步驟；以及 對所述樹脂圖案進行加熱處理的熱處理步驟。
10. 如申請專利範圍第8項或第9項所述的抗蝕劑圖案的形成方法，其中於所述曝光步驟與所述顯影步驟之間，更包括對所述感光層進行加熱處理的步驟。
11. 一種電路基材的製造方法，包括以下步驟： 對如申請專利範圍第8項至第10項中任一項所述的抗蝕劑圖案的形成方法中的所述熱處理步驟後的所述樹脂圖案的露出部的至少一部分、及所述基材的露出部的至少一部分進行鍍敷處理，藉此形成導體層的導體層形成步驟；以及 將所述導體層的一部分去除而形成導體圖案的導體圖案形成步驟，並且 所述電路基材具備樹脂圖案及導體圖案。
12. 如申請專利範圍第11項所述的電路基材的製造方法，其中所述導體層形成步驟包括藉由在進行無電解鍍敷之後進行電解鍍敷而形成所述導體層的步驟。
13. 如申請專利範圍第11項或第12項所述的電路基材的製造方法，其中所述導體層形成步驟包括藉由在進行濺鍍之後進行電解鍍敷而形成所述導體層的步驟。
14. 如申請專利範圍第11項至第13項中任一項所述的電路基材的製造方法，其中所述導體圖案形成步驟包括藉由蝕刻將所述導體層的一部分去除而形成所述導體圖案的步驟。
15. 如申請專利範圍第11項至第14項中任一項所述的電路基材的製造方法，其中所述導體圖案形成步驟包括藉由研磨將所述導體層的一部分去除而形成所述導體圖案的步驟。