TW201620343A - 導線結構及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種導線結構及其製造方法，可藉由形成一觸發材料層於一基板上、活化觸發材料層、和在觸發材料層上方形成一導電層，使形成之導線結構保有高導電特性；其中觸發材料層至少包括40wt%~90wt%之高分子材料和10wt%~60wt%之觸發子，且導電層與觸發材料層之間係具有一界面。

Description

導線結構及其製造方法
本發明是有關於一種導線結構及其製造方法，且特別是有關於一種具高導電性之細微導線結構及其製造方法。
印刷電子產品在未來具有很大的市場潛力，而這些電子產品的共通點在於體積不斷的微型化。為了滿足產品更輕、更小、或更薄的設計需求，產品內的各個部件所占的體積都受到嚴格的限制。以印刷電子產品中最常用的導線為例，導線線寬由過去的百微米級，目前在部分產品已被要求縮小到只剩幾個微米等級，衍生而出的是製程能力與製程成本的拉鋸。印刷技術具有快速連續生產、低耗能及低汙染等優勢，被視為下世代電子產品生產之先進技術。因應微型化的趨勢，印刷導線兼顧線寬的縮小與電性的提升至為重要。
本發明係有關於一種導線結構及其製造方法，可藉由印刷製程製作觸發材料層線路，活化觸發材料層後，在其上方成長一導電層，所形成之導線結構保有高導電特性。因此，應用 實施例之導線結構作為其細微線路的電子產品可具有良好穩定的導電性，且具有高產品良率、低生產成本和製程簡單快速、低汙染之優點。
根據本發明，係提出一種導線結構，包括一基板；形成於基板上之一觸發材料層，且觸發材料層至少包括40wt%~90wt%之高分子材料和10wt%~60wt%之觸發子；以及形成於觸發材料層之一導電層。其中導電層與觸發材料層之間係具有一界面。
根據本發明，係提出一種導線結構之製造方法，包括：提供一基板；形成一觸發材料層於基板上，且觸發材料層至少包括40wt%~90wt%之高分子材料和10wt%~60wt%之觸發子；活化觸發材料層；和形成一導電層於觸發材料層上，其中導電層與觸發材料層之間係具有一界面。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
301‧‧‧凹版模具
303‧‧‧轉印介質
30‧‧‧基板
31M‧‧‧觸發材料
31‧‧‧觸發材料層
31’‧‧‧活化之觸發材料層
312‧‧‧高分子材料
314‧‧‧觸發子
314’‧‧‧活化之觸發子
35‧‧‧導電層
P‧‧‧導電層與觸發材料層之間之界面
101、103、105、107、401、403、405、407‧‧‧步驟
第1圖係為本揭露實施例的導線結構之製造方法流程圖。
第2圖為本揭露一實施例之利用凹版轉印製程製造導線結構之示意圖。
第3圖係為本揭露一實施例的導線結構之製造方法流程圖。
第4圖係繪示依據本揭露實施例之製造方法所製得之導線結構之示意圖。
第5圖為黃光製程、印刷製程與本揭露製程所製得之導線其截面積與導電率之曲線圖。
本揭露係提出一種導線結構及其製造方法，其實施例中細微導線結構可藉由印刷製程製作圖案化觸發材料層線路，並直接在其上方成長緻密導電層，因此形成之細微導線結構係保有高導電特性，且產品良率高(沒有黃光製程產生的切口缺陷而易斷線的問題)，應用實施例之導線結構作為其細微線路的電子產品可具有良好穩定的導電性。再者，實施例之製造方法簡單快速、低汙染和具低生產成本，非常適合量產。
第1圖係為本揭露實施例的導線結構之製造方法流程圖。如步驟101所示，提供一基板。形成一觸發材料層於基板上，形成方法例如為利用凹版印刷製程將觸發材料印製在基板表面，且觸發材料層至少包括40wt%~90wt%之高分子材料和10wt%~60wt%之觸發子，如步驟103所示。接著，活化觸發材料層，如步驟105所示。之後，利用活化後的觸發材料層，形成一導電層於觸發材料層上，其中導電層與觸發材料層之間係具有一界面，如步驟107所示，上述形成導電層於觸發材料層上的方法例如為電鍍或化學鍍。根據本揭露實施例所製得之導線結構，其 基板上具有含高分子材料及觸發子的一觸發材料層，觸發材料層上方成長有一緻密導電層(例如緻密金屬層)，相較於黃光製程之導線(即基材上直接形成緻密金屬層、或金屬附著層上形成有緻密金屬層)以及一般印刷製程之導線(基材上具有導電粒子與高分子材料混合物之一導電層)，在結構上截然不同。
以下係參照所附圖式詳細敘述實施態樣。需注意的是，實施例所提出的製造方法、結構和相關細節僅為舉例說明之用，本揭露欲保護之範圍並非僅限於所述之該些內容。需注意的是，本揭露並非顯示出所有可能的實施例。可在不脫離本揭露之精神和範圍內對製造方法和結構加以變化與修飾，以符合實際應用所需。因此，未於本揭露提出的其他實施態樣也可能可以應用。再者，圖式係已簡化以利清楚說明實施例之內容，圖式上的尺寸比例並非按照實際產品等比例繪製。因此，說明書和圖示內容僅作敘述實施例之用，而非作為限縮本揭露保護範圍之用。
第2圖為本揭露一實施例之利用凹版轉印製程製造導線結構之示意圖。第3圖係為本揭露一實施例的導線結構之製造方法流程圖。請同時參照第2圖和第3圖。
一實施例中，如步驟401提供一基板後，可利用凹版轉印製程將配製之觸發材料印製於所提供之基板表面，且觸發材料層至少包括40wt%~90wt%之高分子材料和10wt%~60wt%之觸發子，如步驟403所示。請參照第2圖，凹版轉印製程中，係將配製好之觸發材料31M注入一凹版模具301中，透過轉印介質 303如一滾輪其表面沾上觸發材料31M(步驟(a))，再將觸發材料31M轉印於基板30之表面上而形成一觸發材料層31(步驟(b))。
一實施例中，觸發材料31M包含40wt%~90wt%之高分子材料和10wt%~60wt%之觸發子。觸發材料31M透過轉印介質303轉印於基板30表面。
一實施例中，觸發材料層31例如是一膠體層，包含40wt%~90wt%之高分子材料和10wt%~60wt%之觸發子，觸發材料層31中的高分子材料312例如是選自壓克力系、環氧樹脂(epoxy resin)、酚類(phenol)高分子或上述混合物。一實施例中，觸發材料層31中的觸發子314例如是選自有機金屬化合物或金屬粒子或其混合物。一實施例中，觸發子314例如是包括醋酸銀、或銅粒子、或銀粒子、或前述之混合物。但本揭露並不以該些材料為限。其他適用於凹版轉印製程且可與選用之觸發子適當混合的高分子材料亦可應用。再者，其他可經由適當處理而產生活化，而可還原金屬離子產生金屬層的其他材料亦可選用做為實施例之觸發子314。實施例內容提出之物質僅為舉例之用，並非特別用以限制本揭露。
接著，如第2圖之步驟(c)和第3圖之步驟405所示，利用照射UV光、加熱製程、或電漿製程處理，以活化觸發材料層31。活化觸發材料層31之後產生活化之觸發子314’如第2圖之步驟(d)所示。其中，步驟(d)所繪示之虛線箭頭代表活化觸發材料層31時所產生之氣體，例如碳氫化合物、氧化碳、水、氯化 氫。
再者，基板30表面上的觸發材料層31除了混合的高分子材料312和觸發子314，還可視所欲選用的活化處理方式、或觸發材料31M特性等因素適當加入其他添加物。例如，一實施例中，若選用照射UV光方式活化觸發材料層31，則可於觸發材料31M中添加一光起始劑。另外，若選用熱能供給方式活化觸發材料層31，可利用加熱如高溫烘烤方式以活化觸發子314，烘烤溫度和時間係視選用的高分子材料312和觸發子314材料而定。
再者，一實施例中，觸發材料31M係具有一表面張力於20mN/m~40mN/m的範圍之間，以適用凹版轉印製程。觸發材料31M中可以選擇其表面張力接近或位於20mN/m~40mN/m範圍之間的高分子材料312，但本揭露並不以此為限。如果所選用的高分子材料312其表面張力不在此範圍內，亦可適當加入一表面張力調整劑，以使配製後的觸發材料31M的表面張力調整至適用於凹版轉印製程。另外，觸發材料31M中亦可選擇性地添加黏度調整劑，以調整配製之觸發材料31M的黏度可適用於凹版轉印製程。
之後，可提供具有金屬離子之一外界環境給活化後之觸發材料層31’。如第2圖之步驟(e)和第3圖之步驟407，活化後之觸發材料層31’可還原外界環境之金屬離子，以在觸發材料層31’之表面形成導電層35。其中，步驟(e)以提供之外界環境包括硫酸銅(H2SO4)和甲醛(CH2O)為例，活化後之觸發子314’係 還原硫酸銅(H2SO4)和甲醛(CH2O)而形成緻密導電層35(如金屬銅)，和產生硫酸根離子(SO4 -)和甲酸(HCOOH)。一實施例中，例如是將基板30與活化後之觸發材料層31’放入一化學鍍液進行電鍍或化學鍍反應，以還原化學鍍液中之金屬離子，而在觸發材料層之表面成長形成緻密導電層(即一緻密金屬連續層，使細微線路具有純金屬之導電特性)。一實施例中，化學鍍液例如是含有硫酸銅，在觸發材料層表面上係可長成緻密金屬銅層。
第4圖係繪示依據本揭露實施例之製造方法所製得之導線結構之示意圖。根據上述製造方法，所製得之導線結構包括形成於基板30上之觸發材料層31，和形成於觸發材料層31表面上之一導電層35，其中，觸發材料層31至少包括40wt%~90wt%之高分子材料312以及10wt%~60wt%之觸發子314。導電層35與觸發材料層31之間係具有一界面P；一實施例中，界面P係實質上平行於基板30之表面。再者，一實施例中，觸發材料層31具有一表面張力於20mN/m~40mN/m之間，可利用凹版轉印製程將觸發材料層31塗佈於基板30之表面上。根據本揭露之製造方法，可製作具高導電性的細微線路，其導電層35之線寬可大於0μm小於等於30μm，例如大於等於20μm小於等於30μm。一實施例中，導電層35之線寬係大於0μm小於等於20μm。另一實施例中，導電層35之線寬可達到10μm，甚至大於0μm小於等於10μm。根據本揭露一實施例，整合凹板轉印製程、觸發材料及選擇性鍍銅技術所製作之具高導電性之細微線路，可完成線寬 約為10μm之PCB線路製作，其導線阻值可達0.015Ω，與純金屬導線之電性相近。
若比較不同製程技術，即黃光及其衍生製程、印刷及其衍生製程與本揭露之技術所形成之導線截面，有很大的不同。目前在黃光製程部分，其在截面特徵上為有一層包括金屬之緻密附著層(如：鉻、鈦..等金屬)，再以濺鍍或蒸鍍方式於緻密附著層表面鍍上緻密導電金屬層(如：銀、金、銅等)，因此黃光製程所製得之導線結構，兩層都是金屬。而在印刷製程部分，其截面特徵主要為在基板表面具有一層導電複合物，此複合物組成包括混合之導電填充物(如：銀、銅、金、錫...等粒子)及高分子材料。而本揭露之導線結構在截面特徵上為，在基板表面有一觸發材料層(包括高分子材料及觸發子)，觸發材料層上方則有以化學電鍍製程之緻密導電層(ex：緻密金屬層)。
因此，傳統黃光製程技術在細微線路之剖面結構為堆疊連續金屬層且具高純度，雖然具有高導電性但其需要真空製程且製程設備昂貴；而印刷製程製作線路雖可快速製造，但線路電性仍需改進且耐彎曲性差(無金屬延伸性)。本揭露之製造方法除了具有印刷製程之低生產成本及快速製造等優點，且產品良率高(沒有黃光製程產生的切口缺陷而易斷線的問題)，其導線結構的線路特性與黃光製程相似，保有高導電特性。
第5圖為黃光製程、印刷製程與本揭露製程所製得之導線其截面積與導電率之曲線圖。其中曲線(I)代表由黃光製程 製得之純金屬導線的截面積與導電率之曲線，曲線(II)代表由一般印刷製程製得之導線(高分子與導電材料之混合物)的截面積與導電率之曲線，曲線(III)代表由本揭露製程製得之導線的截面積與導電率之曲線。如第5圖所示，黃光製程在基板上為一緻密金屬層，其導電率會隨截面積增加而增加，導電效果最佳。印刷製程之導電材料組成為高分子材料及導電填充物，其經高溫燒結雖可使導電粒子熔融而連結在一起，但畢竟不是一緻密金屬層，其導電效果會隨著截面積減少而出現大幅下降趨勢。本揭露是使用印刷製程印製觸發材料層(實施例中觸發材料層例如，不限制地是，是低導電性或非導電性，且厚度例如可小於3μm)，再以化學鍍或電鍍製程在觸發材料層表面形成一緻密金屬層。因此，在相同導線截面積下，本揭露之截面會出現緻密導電層，雖然電性相較黃光製程會出現差異，但兩者之電性(曲線(III)和曲線(I))十分近似。而印刷製程導線(曲線(II))的導電度則遠不如本揭露製程導線(曲線(III))與黃光製程導線(曲線(I))的導電度。
以下係提出本揭露其中幾組可實施之製造方法。然而以下各實施例中所述之步驟與相關數值僅是一組可行之實驗流程，並非用以限縮本揭露保護之範圍。
<實施例一>
實施例一中係利用凹板轉印製程技術將觸發材料由轉印介質印製於厚度為7μm之聚醯亞胺(polyimide，PI)基板表面，形成線寬介於20μm~100μm且膜厚小於1μm之圖案化線 路。接著，將基板被送入烘箱以120℃烘烤30分鐘活化觸發材料內之觸發子。觸發材料組成為：1g聚丙烯酸酯-環氧樹脂(型號395，購自chembridge公司)、0.1g酚(phenol)樹脂(型號：3760，購自chembridge公司)及0.2g醋酸銀(購自SIGMA公司)；觸發材料的表面張力為23.8mN/m。最後，基板與活化後之觸發材料層被送入含有硫酸銅之化學鍍液內進行反應。化學鍍液包括14.9g/L硫酸銅(copper sulfate)、35.1g/L乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacetic acid，簡稱EDTA)和10mL/L甲醛(formaldehyde)。進行加熱反應75℃經30分鐘，活化後之觸發子會還原鍍液中之金屬離子並在觸發材料層表面成長而形成一緻密導電層，如第4圖所示。根據實施例一，可利用凹板轉印製程技術完成導電度接近純銅之圖案化線路之製作。
<實施例二>
實施例二中係利用凹板轉印製程製作細微線路之金屬網絡結構並檢測其片電阻。其觸發材料之組成為1g聚丙烯酸酯-環氧樹脂(型號395，購自chembridge公司)、0.1g酚樹脂(型號3760，購自chembridge公司)及0.3g醋酸銀(購自SIGMA公司)及0.1克20nm奈米銀粒子。組成中添加少量奈米銀粒子將有助於提升塗料之化鍍活性，進而增加無電解電鍍之鍍率。經檢測其表面張力發現，觸發材料之表面張力相較無添加奈米銀粒子可增加約1.7mN/m，達到25.5mN/m。實施例二中，經凹板轉印製程將塗料轉印至聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate， PET)基材表面，經加熱120℃烘烤30分鐘活化觸發材料內之觸發子後，再將基板與活化後之觸發材料層送入化學鍍液內進行反應(化學鍍液包括：14.9g/L硫酸銅、35.1g/L乙二胺四乙酸和10mL/L甲醛)(加熱75℃經30分鐘)，在其表面成長一緻密銅層(化鍍時間為15min)，以提升導電特性。實施例二之實驗結果顯示，印製線寬8.9μm與週期1000之金屬網絡結構，其片電阻為1400mΩ/□(透光度90.4%)，其導電特性與純銅相近。因此根據實施例二，可利用凹板轉印製程完成細微導線(i.e.線寬8.9μm及週期1000)之金屬網絡結構之製作。
<實施例三>
實施例三中係利用如實施例二之凹板轉印製程製作細微線路之金屬網絡結構並檢測其片電阻。請參照如上實施例二所述之製程，在此不贅述。
實施例三之實驗結果顯示，印製線寬9.2μm及週期600之金屬網絡結構，其片電阻為26.7mΩ/□(透光度88.6%)，其導電特性與純銅相近。因此根據實施例三，可利用凹板轉印製程完成細微導線(i.e.線寬9.2μm及週期600)之金屬網絡結構之製作。
<實施例四>
實施例四為軟性印刷電路板(FPCB)之製作流程，先以凹板轉印製程在PI基板表面印製細微線路之圖案化觸發材料層。觸發材料組成為1g聚丙烯酸酯-環氧樹脂(型號395，購自 chembridge公司)、0.1g酚樹脂(型號：3760，購自chembridge公司)、0.2g醋酸銀(購自SIGMA公司，觸發子)及表面張力調整劑0.21g；膠體表面張力37.6mN/m。再以180℃加熱經30分鐘活化後，浸入含有硫酸銅之化學鍍液約30分鐘進行反應(還原銅離子，形成金屬銅層於觸發材料層上)(化學鍍液包括：14.9g/L硫酸銅、35.1g/L乙二胺四乙酸和10mL/L甲醛)，即可完成FPCB之細微線路製作。因此根據實施例四，可利用凹板轉印製程完成細微導線之FPCB線路之製作，其線寬約為10μm。
<實施例五>
實施例五是以UV光取代加熱製程活化觸發材料。實施例四中，利用印刷將觸發材料印製於基板表面，再以UV光照射(UV光的能量波長365nm)方式使觸發材料產生活性，活化後之觸發材料可還原化鍍液中之金屬離子，進而在觸發材料表面沉積而形成緻密金屬層。觸發材料組成：1g聚丙烯酸酯-環氧樹脂(型號395，購自chembridge公司)，0.1g酚樹脂(型號：3760，購自chembridge公司)、0.01g TPO光起始劑(購自chembridge公司)及0.2g醋酸銀(購自SIGMA公司)。利用凹板轉印製程技術將UV型觸發材料轉印至PI基板表面形成圖案化線路，再以UV光照射約1分鐘，使觸發材料活化及固化；最後，再將基板與活化後之觸發材料送入含有硫酸銅之化學鍍液(鍍液包括：14.9g/L硫酸銅、35.1g/L乙二胺四乙酸和10mL/L甲醛)進行反應，以在其表面成長一緻密銅層(化鍍時間為15min)，形成圖案化細微導線。
<實施例六>
實施例六是以大氣電漿製程活化觸發材料。將如實施例一所述之觸發材料送入烘箱以120℃烘烤5分鐘使溶劑揮發後，再以電漿製程處理，使觸發材料活化。最後，再將基板與活化後之觸發材料浸泡至如實施例一所述之化學鍍液(鍍液包括：14.9g/L硫酸銅、35.1g/L乙二胺四乙酸和10mL/L甲醛)，使其表面成長一緻密銅層(化鍍時間為15min)，進而形成圖案化細微導線。
<實施例七>：
實施例七係使用環氧樹脂型(Epoxy-based)觸發膠體之觸發材料。實施例七中，將1g環氧樹脂(型號TC19CW10購自冠品公司)及0.2g醋酸銀(購自SIGMA公司，觸發子)均勻混合攪拌後，並印刷至PI基板表面形成圖案化線路，之後進行活化步驟(如實施例一中所述)以活化觸發材料內之觸發子。最後，將樣品浸入如實施例一所述之化學鍍液內進行30分鐘反應後，可在觸發材料層表面形成一緻密銅層。
<實施例八>
實施例八係使用酚樹脂型(Phenol-based)觸發膠體之觸發材料。實施例八中，將1g酚樹脂(phenol resin，型號3760，購自chembridge公司)及0.2g醋酸銀(購自SIGMA公司，觸發子)均勻混合攪拌後，並印刷至PI基板表面形成圖案化線路，之後進行活化步驟(如實施例一中所述)以活化觸發材料內之觸發 子。最後，將樣品浸入如實施例一所述之化學鍍液內進行30分鐘反應後，可在觸發材料層表面形成一緻密銅層。
<實施例九>
實施例九係使用銅粒子觸發材料。實施例九中，將1g聚丙烯酸酯-環氧樹脂(型號395，購自chembridge公司)、0.1g酚樹脂(型號：3760，購自chembridge公司)及3g之銅粒子(粒徑1~3um，觸發子)均勻攪拌混合後，並印刷至PI基板表面形成圖案化線路，之後進行活化步驟(如實施例一中所述)以活化觸發材料內之觸發子。最後，將樣品浸入如實施例一所述之化學鍍液內進行30分鐘反應後，可在觸發材料層表面形成一緻密銅層。
<實施例十>
實施例十係使用銀粒子觸發材料。將1g聚丙烯酸酯-環氧樹脂(型號395，購自chembridge公司)、0.1g酚樹脂(型號：3760，購自chembridge公司)及5g之銀粒子(粒徑20nm，觸發子)均勻攪拌混合後，並印刷至PI基板表面形成圖案化線路，之後進行活化步驟(如實施例一中所述)以活化觸發材料內之觸發子。最後，將樣品浸入如實施例一所述之化學鍍液內進行30分鐘反應後，可在觸發材料層表面形成一緻密銅層。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
30‧‧‧基板
31‧‧‧觸發材料層
35‧‧‧導電層
P‧‧‧導電層與觸發材料層之間之界面

Claims (22)

  1. 一種導線結構，包括：一基板；一觸發材料層，形成於該基板上，且該觸發材料層至少包括：40wt%~90wt%之高分子材料；以及10wt%~60wt%之觸發子；和一導電層，形成於該觸發材料層上，其中該導電層與該觸發材料層之間係具有一界面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導線結構，其中該觸發材料層具有一表面張力在20mN/m~40mN/m的範圍之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之導線結構，其中該觸發材料層係以凹版轉印製程塗佈於該基板之一表面上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之導線結構，其中該導電層之線寬係小於等於30μm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之導線結構，其中該導電層與該觸發材料層之間的該界面係實質上平行於該基板之表面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之導線結構，其中該觸發材料層之厚度係小於等於3μm。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之導線結構，其中該觸發材料層之該高分子材料係選自壓克力系、環氧樹脂、酚類樹脂或上述混合物。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之導線結構，其中該觸發材料層之該觸發子係選自有機金屬化合物、金屬粒子或其混合物。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之導線結構，其中該觸發材料層之該觸發子係包括醋酸銀、銅粒子、銀粒子或前述之混合物。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之導線結構，其中該界面係實質上平行於該基板之表面。
  11. 一種導線結構之製造方法，包括：提供一基板；形成一觸發材料層於該基板上，且該觸發材料層至少包括40wt%~90wt%之高分子材料和10wt%~60wt%之觸發子；活化該觸發材料層；和形成一導電層於該觸發材料層上，其中該導電層與該觸發材料層之間係具有一界面。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中形成之該觸發材料層具有一表面張力在20mN/m~40mN/m的範圍之間。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中係以凹版轉印製程將該觸發材料層形成於該基板之一表面上。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中活化該觸發材料層之方法包括：照射UV光、加熱製程、或電漿製程處理。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中活化後之該觸發材料層係還原一外界環境之金屬離子，以在該觸發材料層之表面將該金屬離子還原而形成該導電層。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中活化後之該觸發材料層係放入一化學鍍液進行反應，以還原該化學鍍液 中之金屬離子，以在該觸發材料層之表面成長而形成該導電層。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中所形成之該導電層之線寬係小於等於30μm。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中所形成之該導電層與該觸發材料層之間的該界面係實質上平行於該基板之表面。
  19. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中所形成之該觸發材料層的厚度係小於等於3μm。
  20. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中該觸發材料層之該高分子材料係選自壓克力系、環氧樹脂、酚類樹脂或上述混合物。
  21. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中該觸發材料層之該觸發子係選自有機金屬化合物、金屬粒子或其混合物。
  22. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中該觸發材料層之該觸發子係包括醋酸銀、銅粒子、銀粒子或前述之混合物。
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