JP6033545B2 - 銅系ナノ粒子高濃度分散液を用いた導体膜とその製造方法 - Google Patents
銅系ナノ粒子高濃度分散液を用いた導体膜とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6033545B2 JP6033545B2 JP2011537195A JP2011537195A JP6033545B2 JP 6033545 B2 JP6033545 B2 JP 6033545B2 JP 2011537195 A JP2011537195 A JP 2011537195A JP 2011537195 A JP2011537195 A JP 2011537195A JP 6033545 B2 JP6033545 B2 JP 6033545B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- dispersion
- film
- coating film
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1283—After-treatment of the printed patterns, e.g. sintering or curing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1105—Heating or thermal processing not related to soldering, firing, curing or laminating, e.g. for shaping the substrate or during finish plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1157—Using means for chemical reduction
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/12—Using specific substances
- H05K2203/125—Inorganic compounds, e.g. silver salt
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/14—Related to the order of processing steps
- H05K2203/1476—Same or similar kind of process performed in phases, e.g. coarse patterning followed by fine patterning
Description
Cu2Oを主成分とする銅系ナノ粒子の高濃度分散液を調製するステップSa1と、前記高濃度分散液を基材上に塗布及び乾燥してCu2Oを主成分とする塗膜を得るステップSa2と、
大気圧中で前記塗膜を200℃以下の温度で加熱するステップSa3−1と、還元性雰囲気中で前記塗膜を250℃以下の温度で加熱するステップSa3−2とを備えることを特徴とする。
0.2〜2nm厚みの表面層が
Cu2O相又は
Cu2OとCuOとの混合相で構成されていること、及び、
0.2〜2nm厚みの表面層の内側は、
Cu相、
CuとCu2Oとの混合相、或いは
Cu2O相のいずれか
で構成されていることが好ましい。なお、この場合、銅導体膜形成のための出発物質として、いわゆる「銅と酸化銅によるコア/シェル構造」を用いる場合を含むことになるが、塗膜形成時点で仮にCu層が支配的であっても、上述の通り、ステップSa3−1の工程を経ることにより、還元工程の直前にはCu2Oが支配的となる。
ステップSa3−1の大気圧で加熱するステップと、
ステップSa3−2の還元性雰囲気下で加熱するステップとを1回以上繰り返しても良い。
Cuを主成分とする銅系ナノ粒子の高濃度分散液を調製するステップSb1と、前記高濃度分散液を基材上に塗布及び乾燥してCuを主成分とする塗膜を得るステップSb2と、
大気圧中で前記塗膜を200℃以下の温度で加熱するステップSb3−1と、還元性雰囲気中で前記塗膜を250℃以下の温度で加熱するステップSb3−2とを備えることを特徴とする。
ステップSb3−1の大気圧で加熱するステップと、
ステップSb3−2の還元性雰囲気下で加熱するステップとを1回以上繰り返しても良い。
(i)窒素又はアルゴンを含む不活性ガスによるバブリング、又は
(ii)還元性ガスによるバブリング
のいずれかにより内部の雰囲気が非酸化性雰囲気に保たれていることが好ましい。
(i)γ-ブチロラクトン、ジアセトンアルコール、シクロヘキサンノンを含むケトン類、又は、
(ii)テトラデカンを含む高沸点アルカン
のいずれかに属する有機溶剤を含むことが好ましい。
さらに、ポリイミド樹脂等の耐熱性材料の基材上に形成することで還元処理の温度の上限を250℃程度まで許容すれば、比抵抗3.5×10−8Ω・m以下という低い比抵抗を持つ銅の導体膜が得られる。
本発明を実施するにあたっては、銅系ナノ粒子の酸化状態の厳密な制御が特に重要になる。これに関する情報・知見を、銅系ナノ粒子が溶剤中に分散した状態で取得する有効な手法は、分散液(必要に応じて希釈されたもの)の吸光スペクトルもしくは吸収スペクトルである。そこで各実施形態について説明する前に、先ず、銅系ナノ粒子が、酸化状態により、Cu、Cu2O、およびCuOの三種類の組成を有する場合のそれぞれについて、粒子径の関数としての理論的な吸収スペクトルをMie理論に基づいて計算した結果を説明する。ナノ粒子を取り囲む媒体としてアセトンを想定し、その屈折率を計算に用いた。
(a)Cu
(b)Cu2O
(c)CuO
−導体膜の製造方法(その1)−
図1は、本発明の第1の導体膜の製造方法の概略を示している。ここでは各ステップの概要を要約して説明し、各ステップの具体例を含む詳細については実施例として後述する。
本発明の第1の導体膜の製造方法は、銅ナノ粒子の酸化状態の厳密な制御を行う。
純銅は酸化されやすく、0価の銅(Cu)は、時間の経過につれて酸化反応が進行し、
Cu→ Cu2O→ CuO
と酸化状態が変化するためである。酸化状態を制御するための方法はいくつかの方法があるが、いずれの方法を採るにせよ、ステップSa1で最終的に得られる銅ナノ粒子分散液は、粒子全体がCu2Oを主成分とする銅系ナノ粒子分散液からなる。すなわち、出発物質の銅ナノ粒子又は銅系ナノ粒子がどのような構造及び酸化状態にあるものであっても、ステップSa1において最終的に調製される銅系ナノ粒子は、所定の濃度まで高濃度化され、かつ粒子のほぼ全体がCu2Oの状態となっていることが重要である。但し、ごく表面層にCuOが形成されていることは問題ない。
それと共に、ステップSa1で最終的に得られる銅ナノ粒子分散液には、凝集抑制物質や銅の酸化を抑制する酸化抑制物質を実質的に含まないことが必要である。これらはいずれも導電性を阻害する有機物だからである。また、この銅系ナノ粒子分散液中の銅系ナノ粒子の平均粒径は概ね1〜100nmの範囲であって、導体膜が得られる程度に高濃度であり、かつ有機溶剤中で安定的に分散されていることも必要である。
ステップSa1で得られた銅系ナノ粒子分散液を基材上に塗布し、その後乾燥させて塗膜を得る工程である。基材上に塗布した銅系ナノ粒子分散液の塗膜が、銅系ナノ粒子の表面層がCu2O相或いはCu2OとCuOの混合相で構成され、表面層の内側の層がCu相或いはCuとCu2Oの混合相或いはCu2O相で構成されるようにする。なお、本明細書において「基材」とは、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂フィルムやガラス基板、セラミック基板など、その上に導体膜を形成する下地となる全ての絶縁性部材を指すだけでなく、金属基板など導電性部材も含み、かつ、板状のものに限られない。
すなわち、Cu2Oを主成分とする塗膜が得られたか否かを検証するには塗膜を大気中200℃以下の温度に加熱して比抵抗を測定すればよい。Cu2Oを主成分とする塗膜は真性半導体膜としての性質を発現する。真性半導体は一般にわずかな活性化エネルギーによって価電子帯中の電子がバンドギャップを超えて伝導帯中へ励起され、電子的な伝導性を示すようになる。
Cu2Oを主成分とする塗膜を200℃以下の温度で加熱して10Ω・m以下の比抵抗に相当する電子的な伝導性を示すことが検証された場合には、Cu2Oを主成分とする塗膜が得られたと判断することができる。
−事前酸化処理−
まず、Cu2Oを主成分とする真性半導体である塗膜を大気中で200℃以下の温度で加熱して電子を励起して電子的な伝導性を発現させ、この状態を一定時間維持する。この状態は、塗膜と接する任意の還元剤から電子が供給された場合に、その電子が容易に塗膜中を移動できる状況が与えられることを意味すると共に、塗膜の酸化状態を確実にCu2Oまで酸化することを意味する。
−還元処理−
次に、この塗膜に還元剤を供給する。上記ステップSa2−1により塗膜を加熱したことにより電子的な伝導性が発現しているため、この状態で還元剤を供給すれば還元剤から供給される電子が塗膜中に注入される。その結果、還元剤から注入された電子は塗膜中を移動して基材と塗膜との界面に達し、界面のCu2Oが0価のCuに還元される。そして、還元剤からの電子の供給が連続的に行われると界面は基材側から表面方向に移動し、塗膜全体が亀裂のない緻密な還元膜となる。
なお、このとき同時に放出されるO2−イオンは、塗膜の表面に向かって拡散し、上記の電子注入後にプロトン化した水素と結合して水となり、還元反応系外(塗膜外)に除去される。このような過程が続くことにより、導体膜が基板から膜表面に向っての方向性を有して成長する。
表面粗度の小さな平滑な面を持つ樹脂フィルムの場合、樹脂フィルム表面の水素や水酸基と還元された銅膜との間での結合により、また酸化物系セラミックの場合、セラミック表面の酸素が還元された銅膜との間での結合により、密着強度の高い銅膜になるものと推察する。
−再酸化及び再還元処理−
塗膜の主成分がCu2Oという条件を満たし、よって真性半導体に期待される電子的な伝導性が発現する場合においても、実際には上述のような「方向性のある還元反応」が理想的に進行するとは限らず、1回の還元処理のみでは十分高い導電性が得られない場合もある。この場合には、還元後の塗膜を大気中で再加熱することによりCu2Oまで再酸化して、続いて上記の還元処理を繰り返すことにより、次第に導電性が向上し、導体膜としての物質的連続性と機械的強度も飛躍的に増加する。これは、再酸化の過程において、酸素分子は、導体としてのつながりが不十分な部分と優先的に反応し、その部分を再びCu2O相に引き戻すこと、或いは膜全体が、真性半導体の性質を示す、より緻密なCu2O膜に変換されるからである。こうして電子的な伝導性が一層向上した膜を再び還元すると、本発明に係る(基材界面から表面方向への)方向性のある還元反応がより完全な形で発現し、物質的・電気的連結の度合い、すなわち導体としての連続性が向上する導体膜となる。もちろんこの工程は最初の還元処理(1)、(2)で十分に緻密な膜が得られた場合には不要である。
以上のように、本発明に係る第1の導体膜の製造方法によると、Cu2Oを主成分とする銅ナノ粒子の高濃度分散液を出発物質として調製し(Sa1)、塗布及び乾燥工程(Sa2)、導体膜形成工程(Sa3)を経ることで亀裂のない緻密で低抵抗な銅導体膜が得られる。
−導体膜の製造方法(その2)−
第2の実施形態で説明する導体膜の製造方法のうち、全体的なステップについては第1の実施形態と同様であるため図1のフローを援用して説明する。また、ここでも各ステップの概要を要約して説明し、各ステップの具体例を含む詳細については実施例として後述する。
本発明の第2の導体膜の製造方法も、銅系ナノ粒子の酸化状態の厳密な制御を行う点は上述の第1の製造方法同様であるが、高濃度分散液の状態ではCuを出発物質とし、塗膜形成後にCu2Oを主成分とする塗膜が得られるような処理を行う点が異なる。
ステップSb1で得られた銅系ナノ粒子分散液を基材上に塗布し、その後乾燥させて塗膜を得る工程である。上述のステップSa2とは異なり、基材上に塗布した銅系ナノ粒子分散液の塗膜が、Cuナノ粒子で構成されるようにする。
−事前酸化処理−
ステップSb2で得られた塗膜は純銅(但し、焼結等の処理を行っていないため緻密な膜ではない)であり、この状態で直ちに還元処理を行っても、還元は表面近傍から起こり、塗膜全体に浸透せず、すぐに反応が停止する。そこで、ステップSa3−1同様、Cuでを主成分とする塗膜を大気中で200℃以下の温度で加熱することで塗膜全体を酸化してCu2Oを得る。なお、この加熱時間は10分程度でよい。
以上のように、本発明に係る第2の導体膜の製造方法によると、Cuを主成分とする銅系ナノ粒子の高濃度分散液を出発物質として調製し(Sb1)、塗布及び乾燥工程(Sb2)、導体膜形成工程(Sb3)を経ることで亀裂のない緻密で低抵抗な銅導体膜が得られる。
原料銅化合物粉として、CuO粉末(BET比表面積=13m2/g)を作製、使用し、公知のパルスレーザー法(例えば、特許文献4参照)を用いて、ごく標準的な条件で銅系ナノ粒子のアセトン分散液を調製した。
図5は、この分散液の吸収スペクトルを、室温下、大気との接触条件で、時間とともに変化する様子を追跡した結果を示している。調製直後には、図4(a)の理論スペクトルと合致するCuナノ粒子(粒径50nm以下)に帰属されるスペクトル(波長570nm付近にCuナノ粒子の表面プラズモンピークが現れる)が得られた。その後時間とともにスペクトルは大きく変化し、約1日経過した後にはプラズモンピークはごく小さくなり、図4 (b)のCu2Oナノ粒子のそれに近いスペクトルに変化した。さらに数日の後には、Cuのプラズモンピークはほぼ消失し、ナノ粒子の組成は、ほぼ完全にCu2Oとなった。
次に、調製した銅系ナノ粒子のアセトン分散液について、長時間酸化を経たものをガラス基板上に塗布し、その後乾燥する。塗布方法は特に限定されるものではなく、例えばスピン塗布法、スリット塗布法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット塗布法、ディスペンサー塗布法など、膜厚や形成するパターンに応じて最適な塗布法を選択することにより、任意の膜厚でパターンを描画することができる。また、基板はガラス基板に限られず、ポリイミド樹脂やセラミック基板、金属基板などを用いても良い。
図6はその結果を示す一連のXPSスペクトル(Cu2p内殻スペクトルとCuオージェスペクトル)である。
図8(a)〜(c)は調製直後から室温・大気下において数日以上の酸化を経た銅系ナノ粒子分散液の解析結果を示している。
(装置構成)
図3は、本発明の導体膜の形成工程で使用する水素還元や大気酸化の処理装置の一例を示す構成図である。ヒーター1は、基材2を載置する支持台であり、室温から250℃まで上昇させることができる。基材2の上に、公知の塗布法によって塗膜3が形成され、これによって任意の導体膜のパターンが形成される。装置内には水素ガスと窒素ガスと大気の3系統のガスを反応室内に導入するための導入弁4,6,8及び流量計5,7,9がそれぞれ設けられている。また、ガス排出系統は1系統であり、反応室からガス排出弁10を介してガスが排出される。
このようにして、真性半導体としての電子的導通が確認された塗膜を、同温度において、今度は大気圧の水素気流中に置き、塗膜の還元状態の変化を調べた。このとき、基板には透明ガラスを使用し、二つの試料の一方を裏返しに置き、基板のガラスを通して、塗膜/基板界面の反射色の変化も同時に観察した。その結果、例えば約180℃の処理温度において、数分以内に、塗膜表面よりも塗膜/基板界面の方で先に、還元された銅に由来する光沢が表れ、さらに数分間還元処理を続けることにより、塗膜全体が還元された。これにより、図2に示した還元様式の発現が確かめられた。
ただし、この1回の還元処理で得られる銅膜の比抵抗は、必ずしも目的とするレベル(10×10−8Ω・m以下)には到達しなかった。そこで、同還元膜を再び大気中で加熱・再酸化した後に、同様な還元処理を繰り返したところ、その繰り返しにより、次第に導電性が向上し、よりバルク銅に近い、目的とするレベルの比抵抗を示す高導電性銅膜が得られることがわかった。一例として、加熱温度を180℃、水素還元および再酸化の時間をそれぞれ5分間とした場合の、上記の繰り返しの回数と到達比抵抗の関係は、以下の表1に示すようになった。
更に、バルクの銅の比抵抗である1.7×10−8Ω・m(室温)に近づけるため、還元処理の温度を220℃とすると比抵抗は3.0×10−8Ω・mとなり、還元処理の温度を250℃とすると比抵抗は2.2×10−8Ω・mとなった。特に、250℃で処理して得られた比抵抗はバルク銅の比抵抗に対して1.5倍以下という低い比抵抗値を達成しており、このことから、少なくとも相対密度95%以上の高密度の銅膜が得られたと推察できる。
還元前後の各塗膜についてXRDを行った結果を、図10に示す。還元前の塗膜は、Cu2Oであり、水素雰囲気下で加熱処理した後の塗膜はCuであった。また、剥離試験として、この還元膜にテープを貼り、引き剥がしても還元膜のはがれが無く、実用的な密着強度を有していることを確認できた。
まず、酸化銅の代わりに、銅フレーク粉を原料粉として、同じパルスレーザー法で形成した銅ナノ粒子分散液について調べた。そのアセトン分散液の大気による酸化特性を吸収スペクトルの変化を利用して観察したところ、図11に示すように、Cuナノ粒子に付随する表面プラズモンピークが明確に残存するレベルで、それ以上の酸化の進行は停止した。ところが、この分散液中のナノ粒子の酸化状態をXPS表面分析法で調べたところ、二価の銅酸化物の信号のみが観測された。この一見相反する結果は、銅ナノ粒子が、XPSの分析深さに相当する数nm以上の厚さのCuOシェルで覆われた構造を有することを示唆するものと考えられる。
実施例2で調製した銅系ナノ粒子のアセトン分散液を、Cu2Oであることを確認後、γ-ブチロラクトンと置換し、15mass%に濃縮した高濃度分散液を調製し、これに有機物由来の不純物と同定した酢酸銅を、銅系ナノ粒子に対して5重量部添加させた。これをガラス板状に塗膜を調製し、乾燥させ、次に180℃の温度で、水素中で還元させ膜化させた。還元した膜は銅色を呈したが、道電性を発現しないだけなく、ガラス板状の膜に触れると容易にはがれ、実用的な密着強度を有していなかった。
特許文献2に記載された方法は、凝集抑制物質や酸化抑制物質などの保護剤を用いない点、銅/酸化銅コアシェル粒子又は酸化銅粒子を含む分散液を基板上に塗布乾燥後、塗膜を還元して導体膜を得ている点で一致する。しかし、同文献記載の方法は、銅/酸化銅コアシェル粒子の製造原料(第22段落)或いは実施例3(第52〜53段落)の記載を仔細に検討しても酸化銅の価数が不明である点から判断して、本発明のように「酸化状態の厳密な制御」が行われていると認められるものではなく、また還元性液体への浸漬及び加熱による還元及び焼結工程にグリセリンやエチレングリコールなどを例とする「還元性液体」を用いている点で、本発明とは解決課題及び解決手段が本質的に相違するものと考えられる。
更に、還元処理の温度を250℃とした場合、2.2×10−8Ω・mを達成する。従って、基材の耐熱温度が250℃を許容する場合には、バルク銅の比抵抗に対して1.5倍以下という低い比抵抗値を達成できる。
従って、本発明を実施した場合の産業上の利用可能性は極めて大きい。
Claims (13)
- Cu2Oを主成分とする銅系ナノ粒子を導体膜が得られるように高濃度に含有するとともに前記銅系ナノ粒子が分散溶媒中で沈降することなく安定的に分散した銅系ナノ粒子の高濃度分散液を準備するステップSa1と、
前記高濃度分散液を基材上に塗布及び乾燥してCu2Oを主成分とする塗膜を得るステップSa2と、
大気圧中で前記塗膜を200℃以下の温度で加熱するステップSa3−1と、
還元性雰囲気中で前記塗膜を200℃以下の温度で加熱するステップSa3−2とを備え、
前記ステップSa1の高濃度分散液は、前記分散溶媒の沸点以上の温度に加熱することにより、または前記分散溶媒の沸点以下の温度で減圧下にこの溶媒を留去することにより高濃度化されたものであって、かつ、その加熱工程中、
(i)窒素又はアルゴンを含む不活性ガスによるバブリング、又は
(ii)還元性ガスによるバブリング
のいずれかにより内部の雰囲気が非酸化性雰囲気に保たれた状態で高濃度化されたものである
ことを特徴とする導体膜の製造方法。 - Cu2Oを主成分とする銅系ナノ粒子を導体膜が得られるように高濃度に含有するとともに前記銅系ナノ粒子が分散溶媒中で沈降することなく安定的に分散した銅系ナノ粒子の高濃度分散液を準備するステップSa1と、
前記高濃度分散液を基材上に塗布及び乾燥してCu2Oを主成分とする塗膜を得るステップSa2と、
大気圧中で前記塗膜を200℃以下の温度で加熱するステップSa3−1と、
還元性雰囲気中で前記塗膜を250℃以下の温度で加熱するステップSa3−2とを備え、
前記ステップSa1の高濃度分散液は、前記分散溶媒の沸点以上の温度に加熱することにより、または前記分散溶媒の沸点以下の温度で減圧下にこの溶媒を留去することにより高濃度化されたものであって、かつ、その加熱工程中、
(i)窒素又はアルゴンを含む不活性ガスによるバブリング、又は
(ii)還元性ガスによるバブリング
のいずれかにより内部の雰囲気が非酸化性雰囲気に保たれた状態で高濃度化されたものである
ことを特徴とする導体膜の製造方法。 - 前記ステップSa1における銅系ナノ粒子は、
0.2〜2nm厚みの表面層が
Cu2O相又は
Cu2OとCuOとの混合相で構成されていると共に、0.2〜2nm厚みの表面層の内側は、
Cu相、
CuとCu2Oとの混合相、或いは
Cu2O相のいずれか
で構成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の導体膜の製造方法。 - Cu2Oを主成分とする銅系ナノ粒子を導体膜が得られるように高濃度に含有するとともに前記銅系ナノ粒子が分散溶媒中で沈降することなく安定的に分散した銅系ナノ粒子の高濃度分散液を準備するステップSa1と、
前記高濃度分散液を基材上に塗布及び乾燥してCu2Oを主成分とする塗膜を得るステップSa2と、
大気圧中で前記塗膜を200℃以下の温度で加熱するステップSa3−1と、
還元性雰囲気中で前記塗膜を250℃以下の温度で加熱するステップSa3−2とを備え、
前記ステップSa1における銅系ナノ粒子は、0.2〜2nm厚みの表面層がCu2O相又はCu2OとCuOとの混合相で構成されていると共に、0.2〜2nm厚みの表面層の内側はCu2O相で構成されている
ことを特徴とする導体膜の製造方法。 - ステップSa3−2の後、
ステップSa3−1の大気圧で加熱するステップと、
ステップSa3−2の還元性雰囲気下で加熱するステップとを1回以上繰り返すことを特徴とする請求項1、2又は4のいずれか1項に記載の導体膜の製造方法。 - 前記高濃度分散液の製造工程は、有機溶剤からなる分散溶媒中に、銅化合物を分散させ、その後分散溶媒中の銅化合物にレーザー光を照射する工程を含む
ことを特徴とする請求項1、2又は4のいずれか1項に記載の導体膜の製造方法。 - Cuを主成分とする銅系ナノ粒子を導体膜が得られるように高濃度に含有するとともに前記銅系ナノ粒子が分散溶媒中で沈降することなく安定的に分散した銅系ナノ粒子の高濃度分散液を準備するステップSb1と、
前記高濃度分散液を基材上に塗布及び乾燥してCuを主成分とする塗膜を得るステップSb2と、
大気圧中で前記塗膜を200℃以下の温度で加熱して前記塗膜の全体がCu2Oとなるまで酸化するとともにCuOまで酸化が進行しないように前記塗膜の酸化状態を制御し、比抵抗が10Ω・m以下の真性半導体膜を得るステップSb3−1と、
還元性雰囲気中で前記真性半導体膜を200℃以下の温度で加熱して前記基材から前記真性半導体膜表面に向かって反応が進行する方向性のある化学的な還元反応プロセスによって前記真性半導体膜を還元して銅の導体膜を得るステップSb3−2とを備え、
前記ステップSb1の高濃度分散液は結合剤を含まない
ことを特徴とする導体膜の製造方法。 - Cuを主成分とする銅系ナノ粒子を導体膜が得られるように高濃度に含有するとともに前記銅系ナノ粒子が分散溶媒中で沈降することなく安定的に分散した銅系ナノ粒子の高濃度分散液を準備するステップSb1と、
前記高濃度分散液を基材上に塗布及び乾燥してCuを主成分とする塗膜を得るステップSb2と、
大気圧中で前記塗膜を200℃以下の温度で加熱して前記塗膜の全体がCu2Oとなるまで酸化するとともにCuOまで酸化が進行しないように前記塗膜の酸化状態を制御し、比抵抗が10Ω・m以下の真性半導体膜を得るステップSb3−1と、
還元性雰囲気中で前記真性半導体膜を250℃以下の温度で加熱して前記基材から前記真性半導体膜表面に向かって反応が進行する方向性のある化学的な還元反応プロセスによって前記真性半導体膜を還元して銅の導体膜を得るステップSb3−2とを備え、
前記ステップSb1の高濃度分散液は結合剤を含まない
ことを特徴とする導体膜の製造方法。 - ステップSb3−2の後、
ステップSb3−1の大気圧で加熱するステップと、
ステップSb3−2の還元性雰囲気下で加熱するステップとを1回以上繰り返すことを特徴とする請求項7又は8記載の導体膜の製造方法。 - 前記高濃度分散液は、
酸化や凝集を抑制するための凝集抑制物質及び酸化抑制物質を実質的に含まないことを特徴とする請求項1、2、4、7又は8のいずれか1項に記載の導体膜の製造方法。 - 前記高濃度分散液は、
(i)γ-ブチロラクトン、ジアセトンアルコール、シクロヘキサンノンを含むケトン類、又は、
(ii)テトラデカンを含む高沸点アルカン
のいずれかに属する有機溶剤を含むことを特徴とする請求項1、2、4、7又は8のいずれか1項に記載の導体膜の製造方法。 - 前記塗膜の組成は、前記還元性雰囲気で加熱するステップ(Sa3−2、Sb3−2)において、Cu2Oを主成分とすることを特徴とする請求項1、2、4、7又は8のいずれか1項に記載の導体膜の製造方法。
- 前記還元性雰囲気で加熱するステップ(Sa3−2、Sb3−2)は、水素ガス雰囲気中で160℃以上250℃以下に加熱することを特徴とする請求項1、2、4、7又は8のいずれか1項に記載の導体膜の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009244308 | 2009-10-23 | ||
JP2009244308 | 2009-10-23 | ||
PCT/JP2010/067389 WO2011048937A1 (ja) | 2009-10-23 | 2010-10-04 | 銅系ナノ粒子高濃度分散液を用いた導体膜とその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015210778A Division JP2016096136A (ja) | 2009-10-23 | 2015-10-27 | 銅系ナノ粒子分散液を用いた導体膜とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011048937A1 JPWO2011048937A1 (ja) | 2013-03-07 |
JP6033545B2 true JP6033545B2 (ja) | 2016-11-30 |
Family
ID=43900169
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011537195A Active JP6033545B2 (ja) | 2009-10-23 | 2010-10-04 | 銅系ナノ粒子高濃度分散液を用いた導体膜とその製造方法 |
JP2015210778A Pending JP2016096136A (ja) | 2009-10-23 | 2015-10-27 | 銅系ナノ粒子分散液を用いた導体膜とその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015210778A Pending JP2016096136A (ja) | 2009-10-23 | 2015-10-27 | 銅系ナノ粒子分散液を用いた導体膜とその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6033545B2 (ja) |
CN (1) | CN102576584B (ja) |
WO (1) | WO2011048937A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102576584B (zh) * | 2009-10-23 | 2014-07-09 | 国立大学法人京都大学 | 使用铜类纳米颗粒高浓度分散液的导体膜及其制造方法 |
JP6042793B2 (ja) * | 2012-12-07 | 2016-12-14 | 富士フイルム株式会社 | 導電膜の製造方法、プリント配線基板 |
CN105324337B (zh) * | 2013-06-21 | 2017-05-17 | 日清工程株式会社 | 氧化亚铜微粒子的制造方法、氧化亚铜微粒子、和导体膜的制造方法 |
JP6053725B2 (ja) * | 2013-07-04 | 2016-12-27 | 国立大学法人京都大学 | 銅系ナノ粒子分散液とその製造方法及びその分散液から製造される銅導体膜が形成された基材 |
WO2016088554A1 (ja) * | 2014-12-03 | 2016-06-09 | 株式会社日立製作所 | 接合用金属酸化物粒子、これを含む焼結接合剤、接合用金属酸化物粒子の製造方法、及び電子部品の接合方法 |
CN105751621A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-07-13 | 苏州巨邦新材料科技有限公司 | 一种高效导电复合材料及其制备工艺 |
CN105741918A (zh) * | 2016-04-29 | 2016-07-06 | 苏州巨邦新材料科技有限公司 | 一种基于纳米铜的导电复合材料及其制备工艺 |
JP7059643B2 (ja) * | 2018-01-18 | 2022-04-26 | 住友電気工業株式会社 | プリント配線板用基板の製造方法 |
JP7099867B2 (ja) * | 2018-05-16 | 2022-07-12 | 日本化学工業株式会社 | 光焼結型組成物及びそれを用いた導電膜の形成方法 |
WO2020004522A1 (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-02 | 株式会社フジクラ | 高周波受動部品 |
CN112444152B (zh) * | 2019-09-03 | 2022-01-11 | 广州力及热管理科技有限公司 | 一种链状铜金属毛细结构及其制作方法 |
CN111515385B (zh) * | 2020-04-30 | 2021-08-24 | 厦门大学 | 一种铜-镍核壳型纳米粉体和导电薄膜及其制备方法和应用 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009231755A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Hiroshima Univ | 微細配線作製方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003051562A1 (fr) * | 2001-12-18 | 2003-06-26 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Dispersion d'oxyde metallique |
JP5326317B2 (ja) * | 2007-10-22 | 2013-10-30 | 日立化成株式会社 | 金属膜形成用の複合材料液及びそれを用いた金属化合物膜、金属/金属化合物膜、並びに複合材料 |
KR101637200B1 (ko) * | 2008-08-11 | 2016-07-07 | 지호우 도쿠리츠 교세이 호진 오사카 시리츠 고교 겐큐쇼 | 구리계 나노입자 및 그 제조방법 |
JP5778382B2 (ja) * | 2008-10-22 | 2015-09-16 | 東ソー株式会社 | 金属膜製造用組成物、金属膜の製造方法及び金属粉末の製造方法 |
CN102576584B (zh) * | 2009-10-23 | 2014-07-09 | 国立大学法人京都大学 | 使用铜类纳米颗粒高浓度分散液的导体膜及其制造方法 |
-
2010
- 2010-10-04 CN CN201080047495.3A patent/CN102576584B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-04 WO PCT/JP2010/067389 patent/WO2011048937A1/ja active Application Filing
- 2010-10-04 JP JP2011537195A patent/JP6033545B2/ja active Active
-
2015
- 2015-10-27 JP JP2015210778A patent/JP2016096136A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009231755A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Hiroshima Univ | 微細配線作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102576584A (zh) | 2012-07-11 |
JP2016096136A (ja) | 2016-05-26 |
JPWO2011048937A1 (ja) | 2013-03-07 |
WO2011048937A1 (ja) | 2011-04-28 |
CN102576584B (zh) | 2014-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6033545B2 (ja) | 銅系ナノ粒子高濃度分散液を用いた導体膜とその製造方法 | |
JP6376176B2 (ja) | 銅粉末、銅ペースト、導電性塗膜の製造方法及び導電性塗膜 | |
US8801971B2 (en) | Copper conductor film and manufacturing method thereof, conductive substrate and manufacturing method thereof, copper conductor wiring and manufacturing method thereof, and treatment solution | |
JP4918994B2 (ja) | 金属被膜の形成方法および金属配線 | |
Kim et al. | Synthesis of oxidation-resistant core–shell copper nanoparticles | |
US20150214095A1 (en) | Method for Producing a Copper Layer on a Semiconductor Body Using a Printing Process | |
EP2441922A1 (en) | Metal nanoparticle dispersion | |
JP5067426B2 (ja) | 銅配線パターン形成方法及びそれに用いる酸化銅粒子分散液 | |
TW201608689A (zh) | 三次元配線的形成方法、具有三次元配線的電路裝置及三次元配線用的金屬膜形成用組成物 | |
JP2011038141A (ja) | 複合金属微粒子材料、金属膜及び金属膜の製造方法、並びにプリント配線板及び電線ケーブル | |
WO2016088554A1 (ja) | 接合用金属酸化物粒子、これを含む焼結接合剤、接合用金属酸化物粒子の製造方法、及び電子部品の接合方法 | |
JP2017155166A (ja) | 接合用組成物 | |
JP2009123674A (ja) | 金属膜形成用の複合材料液及びそれを用いた金属化合物膜、金属/金属化合物膜、並びに複合材料 | |
JP5119362B2 (ja) | 金属系ナノ粒子とそれを含んだ分散液及びその製造方法 | |
WO2014059798A1 (zh) | 纳米铜油墨和铜导电薄膜的制备方法 | |
JP5286846B2 (ja) | 導電性基板及びその製造方法、並びに銅配線基板及びその製造方法 | |
TW201615785A (zh) | 接合用組成物 | |
JP4761110B2 (ja) | 金属被膜とその形成方法 | |
JP2009097082A (ja) | 金属ナノ粒子及びその製造方法、並びに水性分散物、プリント配線・電極の製造方法、及びプリント配線基板・デバイス | |
JP7048193B2 (ja) | 亜酸化銅粒子の製造方法 | |
JP6626572B2 (ja) | 金属接合材料及びその製造方法、並びにそれを使用した金属接合体の製造方法 | |
JP6053725B2 (ja) | 銅系ナノ粒子分散液とその製造方法及びその分散液から製造される銅導体膜が形成された基材 | |
JP5124822B2 (ja) | 複合金属粉体およびその分散液の製造法 | |
JP7332226B1 (ja) | 銀合金ナノ粒子含有組成液の調製方法、銀合金被膜の形成方法及びこの銀合金被膜を用いた配線回路の製造方法 | |
WO2019225340A1 (ja) | 導体の製造方法、配線基板の製造方法及び導体形成用組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20130521 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130813 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150428 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150625 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150728 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20150915 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20150915 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20151027 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20151118 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20151228 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160913 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161026 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6033545 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |