JP6053725B2 - 銅系ナノ粒子分散液とその製造方法及びその分散液から製造される銅導体膜が形成された基材 - Google Patents
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Description
下記実施形態では、原料分散液から目標生成物である純銅(Cu)の導体膜が得られるまでの全ての工程において、酸化状態の厳密な制御を行っているが、はじめにその技術的意義について説明する。
第1の実施形態の本発明分散液は、原料分散液、ジエチレングリコール及び質量数600以下の炭素水素酸素化合物(後述する)を混合して製造することができる。
本発明分散液中には、好ましくは粒子径1〜500[nm]の結晶性亜酸化銅(Cu2O)ナノ粒子が、5〜40[wt%]の濃度で分散している。なお、本明細書において「粒子径」とは、電子顕微鏡で撮影して計測したナノ粒子の直径を指すものとする。
第2の実施形態の本発明分散液は、亜酸化銅ナノ粒子とγ―ブチロラクトンからなる分散液(原料分散液)とジエチレングリコールとを混合する工程(工程A)と、次いで、流量比9/1〜0/10の窒素/酸素の混合ガスを工程Aで得た混合液中にバブリングしながらこの混合液を155〜185[℃]で加熱攪拌する工程(工程B)とを含む方法で製造することができる。
事前酸化処理として、亜酸化銅を主成分とする真性半導体である塗膜を大気中で200[℃]以下の温度で加熱して電子を励起して電子的な伝導性を発現させ、この状態を一定時間維持する。この状態は、塗膜と接する任意の還元剤から電子が供給された場合に、その電子が容易に塗膜中を移動できる状況が与えられることを意味すると共に、塗膜の酸化状態を確実に亜酸化銅まで酸化することを意味する。
先ず、銅(Cu)ナノ粒子分散液を調製するために、金属化合物として、BET比表面積が40[m2/g]の酸化銅粉末を用い、分散媒としてγ−ブチロラクトンを用いた。350[ml]のγ−ブチロラクトンに対して3.5[g]の酸化銅を、マグネチックスターラーを備えた内容量500[ml]のガラス製ビーカーに入れて分散液とした。この分散液を100〜150[℃]に維持し、窒素ガスを1[L/分]の流量でバブリングしながら、レーザー照射装置として、Spectra−Physics社製Quanta−Ray PRO−230 Nd:YAGレーザーを使用し、波長1064[nm]、パルス幅10[ns]、パルス周波数30[Hz]、1パルス当たりの照射エネルギー1[J]のレーザー光を12分間照射した。レーザー光照射後、株式会社コクサン製冷却高速遠心機H−9Rを使用して、テフロン(登録商標)製容器内の内容物を毎分3000回転で5分間遠心分離することにより、沈降物と銅ナノ粒子分散液を分離した。
三口フラスコ、即ち、真ん中の口には冷却管を取り付け、その上部には、ガス排出口が開放され、横の口は、各々熱電対とガス流入ノズルを取り付けた密閉栓を設けた容器を準備する。この容器内に、原料分散液(亜酸化銅ナノ粒子の濃度30[wt%])、39[g](25[mL])と関東化学株式会社製ジエチレングリコール(DEG)8.27[g]を入れて(工程A)、マグネチックスターラーにより毎分600回転で攪拌し、更に窒素ガス流量と酸素ガス流量の割合を2:1にして合計2.4[L/分]の流量でバブリングしながら、170[℃]で5時間、加熱処理した(工程B)。室温まで冷却した後に、回収し本発明分散液を得た。
以上の事実・知見を総合すれば、本発明の分散液に含まれる、本発明の分散液に上記の様々な特性を付与するところの「質量数600以下の炭素水素酸素化合物」とは、単一組成・単一質量数の物質ではないものの、少なくとも以下のa)〜e)の全てを満足する炭素水素酸素化合物として明確に定義することができる。
a)質量数600以下の分子からなる。
b)大気圧下における該混合化合物の実効的な沸点温度は200℃以上である。
c)カルボニル基を有するがアルデヒド類ではない。
d)波数1000〜1500cm-1の領域に、図2のスペクトルに示されたような、特長的な一群の赤外振動ピークを与える。
e)波長400nm以下の紫外領域に、図13(A)で示されたような、幅広く、かつ短波長に向かって単調に吸光度が増加する紫外線吸収スペクトルを与える。
本発明分散液の成分構成は、1)亜酸化銅ナノ粒子、2)γ-ブチロラクトン、3)ジエチレングリコール、4)質量数600以下の炭素水素酸素化合物、の4種類である。4)の重量分率を決定するために、以下の実験を行った。
a)所定量の分散液をガラス基板(あらかじめその重量を測定しておく)上に塗布して、乾燥前のインクの全重量を測定、その値をW0とする。
b)これを乾燥後、揮発成分を完全に取り除き、かつ固形分が完全に還元される十分な高温(350[℃]以上)下で還元を行い、その後に残存する重量を測定、これをW1とする。
c)W1は、所定量の分散液中に含まれる銅由来の固形分が還元されたCuの重量を表し、R1=W1/W0は分散液の全重量に対するその比率である。
d)同量の固形分が亜酸化銅(Cu2O)の組成で存在する場合のその重量分率は、Cu2Oの分子量の1/2(CuO0.5)とCuの原子量の比(1.12)をR1に乗じた値である。これをR2とする。
e) 同じく、固形分がCuOの組成で存在する場合のその重量分率は、CuOの分子量とCuの原子量の比(1.25)をR1に乗じた値である。これをR3とする。
a)所定量の分散液をガラス基板(あらかじめその重量を測定しておく)上に塗布して、乾燥前の分散液の全重量を測定し、その値をM0とする。
b)これを各温度(80[℃]、150[℃]、200[℃]、250[℃]、300[℃])に設定したホットプレート上で大気中加熱し、一定時間加熱後の重量M1を逐一測定する。元のインクの全重量M0に対する比(残存重量比)M1/M0を上記のR1〜R3と比較すれば、本発明分散液中の質量数600以下の炭素水素酸素化合物の重量比が推定できる。
c)例えば、該加熱温度でナノ粒子の組成が亜酸化銅に維持され、かつナノ粒子以外の全ての成分が加熱除去された時のM1/M0は、R2に一致しなければならない。一方、その値がR2より大きくなれば、その差はまだ揮発せずに残っている溶媒もしくはその他の不純物の割合を与えることになる。また加熱温度が高くなり、ナノ粒子の酸化状態が酸化銅まで進むと、新たに結合した酸素原子に対応する重量増加も起こる。
図7は、上記の実験をまず原料分散液について行った結果をまとめたものである。
横軸は各温度(図7中に記載)における加熱時間、縦軸は残存重量比M1/M0を百分率で示す。点線で示した二本の横線は、それぞれ上記のR2(Cu2O組成)およびR3(CuO組成)に対応するラインである。
80[℃]という低温での加熱(ナノ粒子の組成はCu2O)でも、十分時間をかければ残存重量比はR2にごく近いレベルまで漸近しており、150[℃]〜200[℃](この温度範囲ではナノ粒子組成はなおCu2Oに保たれる)では20分以内にこのラインに到達している。それ以上の温度では、長い加熱時間で残存重量比はR3に近づいていくが、これはCu2O → CuOの酸化の進行を表す。この結果から、原料分散液中には、比較的容易に揮発する溶媒成分を除いて、それ以外の余分の物質はほとんど含まれない(最大1[wt%]未満)ことがわかる。
図8は、本発明分散液についての同様な実験の結果をまとめたものである。原料分散液とは大きな違いがみられ、80[℃]の加熱では、残存重量比の値はR2やR3のラインをはるかに上回り、この温度での加熱では容易に除去できない新たな成分が本発明分散液の調製工程で生成したことを示す。
先にも述べたように、200[℃]程度の加熱では、ナノ粒子の組成は亜酸化銅に止まる。またこの温度では、溶媒由来の揮発性成分は10分以内に除去されるので、数分以内に急激に重量減少が生じた後の残存重量比(図から約30[wt%])とR2ラインの差は、すなわち本発明の調製工程で新たに生成した化合物(すなわち質量数600以下の炭素酸水素酸素化合物)の重量比を表す。図8に示すとおり、この値は8.0[wt%]となる。
250[℃]までの温度処理の範囲では、本発明分散液中に含まれる質量数600以下の炭素水素酸素化合物の働きで、基材表面と亜酸化銅が還元された銅膜との間で結合が生じ、密着性が保持される。250[℃]を越えるとこの質量数600以下の炭素水素酸素化合物は分解し、基材表面と亜酸化銅が還元された銅膜との間で結合が無くなり密着性が失われる。ところが280[℃]を越えると、酸化物系セラミックであるガラスなどの場合、表面の酸素と還元された銅膜との間での化学的な結合により、すなわちSi−O−のOとCuとの間で結合が生じることで、密着強度の高い銅膜になったものと推定する。
実施例1と同様の原料分散液を用いて、表2に示す条件で本発明分散液を調製した。得られた本発明分散液を実施例1の場合と同様にして、塗膜を形成し、導体膜を形成した。何れの場合にも、目的とする30[μΩ・cm]以下の比抵抗を示す高導電性銅膜が得られた。
実施例1と同様の原料分散液を用いて、表3に示す条件で比較例の分散液の調製を行った。得られた比較例分散液を使用して実施例1の場合と同様にして、基板上に塗膜を形成したところ、比較例の分散液を使用した何れの場合も、塗膜を乾燥し、乾燥膜にしたときに亀裂が生じ、基材との密着も良くなかった。
比較例の分散液を用いると、300[℃]以下の低温還元処理で塗布膜厚みを1[μm]以下にしても、塗布後の乾燥膜中に亀裂が入り、これを還元した後の膜は比抵抗が30[μΩ・cm]以下の値とならなかった。これら比較例の分散液には、質量数600以下の炭素水素酸素化合物の生成そのものが不十分であったか(比較例1、2、4、および6)、もしくは 質量数600以下の炭素水素酸素化合物以外に、塗膜を乾燥にするときに亜酸化銅ナノ粒子が均一な分散状態に維持することを妨げるものが付加的に生成し(比較例3および5)、総じて質量数600以下の炭素水素酸素化合物の好ましい生成量が維持できなかったことが示唆される。
図3(B)は200[℃]で数分間加熱後のスペクトル(図3(A)の実線の拡大スペクトル)であり、この比較例の分散液が本発明分散液のそれ(図2)と大きく異なることを示している。即ち、図2では認められなかった位置(×印及び矢印(↓)で示す)に、複数の鋭い振動ピークが見られる。その正体としては、難揮発性の不飽和もしくは環状化合物の生成が強く示唆される。すなわちこの場合、質量数600以下の炭素水素酸素化合物以外に、塗膜を乾燥するときに亜酸化銅ナノ粒子が均一な分散状態を維持することを妨げるものが付加的に生成し、総じて質量数600以下の炭素水素酸素化合物の好ましい生成量が維持できなくなったことを意味する。
図4は、比較例1、2、4、および6に係る分散液をシリコン基板上に塗布して、200℃で数分間加熱した後に測定した赤外線吸収スペクトルである。Cu2Oナノ粒子のピーク強度と比べて、質量数600以下の炭素水素酸素化合物のピーク強度が非常に小さいことから、その生成速度そのものが極度に低下し、もってその好ましい生成量が維持できなかったことを意味する。
まず、三口フラスコ、即ち、真ん中の口には冷却管を取り付け、その上部には、ガス排出口が開放され、横の口は、各々熱電対とガス流入ノズルを取り付けた密閉栓を設けた容器を準備する。この容器内に、三菱化学株式会社製γ―ブチロラクトン27.5[g]と、関東化学株式会社製ジエチレングリコール8.25[g]を入れて混合し(工程C)、これを、マグネチックスターラーにより毎分600回転で攪拌し、窒素ガス流量と酸素ガス流量の割合を2:1にして合計2.4[L/分]の流量でバブリングしながら、170[℃]で6時間加熱した(工程D)。室温で冷却した後に、回収したものは、γ―ブチロラクトンが66.9[wt%]、ジエチレングリコールが23.1[wt%]、質量数600以下の炭素水素酸素化合物1.32[wt%]が含まれた混合溶液であった(以下、「調整液A」という。)。以下、本発明分散液の調整にあたっては、調製液A中の未反応のγ−ブチロラクトンおよびジエチレングリコールを蒸発により部分的に除去することにより、質量数600以下の炭素水素酸素化合物の割合を所定量まで高めた。
図12は、調製液Aをシリコン基板上に塗布して、200℃で数分間加熱した後に測定した赤外線吸収スペクトルである。図2に示された質量数600以下の炭素水素酸素化合物と同一の物質の生成が確認できる。
また調製液Aには亜酸化銅ナノ粒子が含まれないため、質量数600以下の炭素水素酸素化合物の生成を紫外吸収分光法(株式会社島津製作所製UV−3600)によって確かめることもできる。 図13(A)は調製液A中に生成した質量数600以下の炭素水素酸素化合物の紫外線吸収スペクトルであり、図13(B)はγ―ブチロラクトンのみを同条件で加熱処理した際に生成するところの、より単純な溶媒酸化変性物の紫外線吸収スペクトルである。両者の違いは明瞭である。なお、ジエチレングリコールのみを同条件で加熱処理した場合は、溶媒酸化変性物の生成は認められなかった。
実施例15と同様の方法で、予め、三菱化学株式会社製γ―ブチロラクトンと関東化学株式会社製ジエチレングリコール(DEG)を所定の割合で混合し(工程C)、マグネチックスターラーで毎分600回転で攪拌し、更に窒素ガス流量と酸素ガス流量の割合を2:1にして合計2.4[L/分]の流量でバブリングしながら、170[℃]で6時間加熱処理した(工程D)。室温まで冷却しγ―ブチロラクトン、ジエチレングリコールと、質量数600以下の炭素水素酸素化合物が夫々所望の割合で含まれた2種の混合溶液を得た(ここで得られた混合溶液を夫々調製液B、調製液Cという。)。
これらを、実施例1の場合と同様に使用して、塗膜を形成し、導体膜を形成した。目的とする、30[μΩ・cm]以下の比抵抗を示す高導電性銅膜が得られた。
Claims (10)
- 亜酸化銅ナノ粒子、γ―ブチロラクトン、ジエチレングリコールと、その他の質量数600以下の炭素水素酸素のみからなる複数の化合物の混合物を含む亜酸化銅ナノ粒子分散液であって、
前記亜酸化銅ナノ粒子の粒子径の長さが1〜500[nm]の範囲にあり、
前記質量数600以下の炭素水素酸素のみからなる複数の化合物の混合物は、カルボニル基を有し、かつ、アルデヒド類ではなく、波数1000〜1500cm-1の領域に、一群の赤外振動ピークを与えることを特徴とする亜酸化銅ナノ粒子分散液。 - 前記亜酸化銅ナノ粒子分散液中の亜酸化銅ナノ粒子は、結晶性であって、前記亜酸化銅ナノ粒子分散液中に5〜40[wt%]含まれていることを特徴とする請求項1記載の亜酸化銅ナノ粒子分散液。
- 前記亜酸化銅ナノ粒子分散液中に含まれる、γ―ブチロラクトンの濃度は28〜88[wt%]であり、前記ジエチレングリコールの濃度は4〜20[wt%]であり、前記質量数600以下の炭素水素酸素のみからなる複数の化合物の混合物の濃度は2〜12[wt%]であることを特徴とする請求項1記載の亜酸化銅ナノ粒子分散液。
- 前記質量数600以下の炭素水素酸素のみからなる複数の化合物の混合物が、γ−ブチロラクトンとジエチレングリコールとを混合する工程(工程C)と、体積流量比9/1〜0/10の窒素/酸素の混合ガスを工程Cで得た混合液中にバブリングしながら、前記混合液を155〜185[℃]で加熱撹拌する工程(工程D)とを含む工程で調整されることを特徴とする請求項1記載の亜酸化銅ナノ粒子分散液の製造方法。
- 前記亜酸化銅ナノ粒子と前記γ―ブチロラクトンからなる分散液と前記ジエチレングリコールとを混合する工程(工程A)と、
体積流量比9/1〜0/10の窒素/酸素の混合ガスを工程Aで得た混合液中にバブリングしながら、前記混合液を155〜185[℃]で加熱攪拌する工程(工程B)とを含み、
前記ジエチレングリコールの配合量a[wt%]が、下記の数式(I)で示される量であることを特徴とする、請求項1記載の亜酸化銅ナノ粒子分散液の製造方法。
数式(I):a=(0.35±0.05)×b+(7.3±0.3)
(式中、bは工程Aで用いる、亜酸化銅ナノ粒子とγ―ブチロラクトンからなる分散液中の亜酸化銅ナノ粒子含有量(wt%)を示し、5≦b≦50の正数である。) - 亜酸化銅ナノ粒子5〜40[wt%]、γ―ブチロラクトン28〜88[wt%]、ジエチレングリコール4〜20[wt%]及びその他の質量数600以下の炭素水素酸素のみからなる複数の化合物の混合物2〜12[wt%]を配合し、混合する工程からなる亜酸化銅ナノ粒子分散液の製造方法であって、
前記亜酸化銅ナノ粒子の粒子径の長さが1〜500[nm]の範囲にあり、
前記質量数600以下の炭素水素酸素のみからなる複数の化合物の混合物は、カルボニル基を有し、かつ、アルデヒド類ではなく、波数1000〜1500cm-1の領域に、一群の赤外振動ピークを与えることを特徴とする亜酸化銅ナノ粒子分散液の製造方法。 - 前記質量数600以下の炭素水素酸素のみからなる複数の化合物の混合物が、γ―ブチロラクトンとジエチレングリコールとを混合する工程(工程C)と、体積流量比9/1〜0/10の窒素/酸素の混合ガスを工程Cで得た混合液中にバブリングしながら、前記混合液を155〜185[℃]で加熱攪拌する工程(工程D)とを含む工程で調製されるものであることを特徴とする、請求項6に記載の亜酸化銅ナノ粒子分散液の製造方法。
- 亜酸化銅ナノ粒子とγ―ブチロラクトンからなる分散液とジエチレングリコールとを混合する工程(工程A)と、
体積流量比9/1〜0/10の窒素/酸素の混合ガスを工程Aで得た混合液中にバブリングしながら、前記混合液を155〜185[℃]、1〜10[時間]で加熱攪拌する工程(工程B)とを含み、
前記ジエチレングリコールの配合量a[wt%]が、下記の数式(I)で示される量であることを特徴とする亜酸化銅ナノ粒子分散液の製造方法。
数式(I): a=(0.35±0.05)×b+(7.3±0.3)
(式中、bは工程Aで用いる、亜酸化銅ナノ粒子とγ―ブチロラクトンからなる分散液中の亜酸化銅ナノ粒子含有量(wt%)を示し、5≦b≦50の正数である。) - 請求項4、5又は8に記載の亜酸化銅ナノ粒子分散液の製造方法により製造された前記亜酸化銅ナノ粒子分散液を基材上に塗布・乾燥し、還元性雰囲気の下に、170℃〜300℃の温度範囲で加熱することにより得られる銅導体膜が形成された基材の製造方法。
- 請求項1乃至3のいずれかの請求項に記載の亜酸化銅ナノ粒子分散液を基材上に塗布・乾燥し、還元性雰囲気の下に、170℃〜300℃の温度範囲で加熱することにより得られる銅導体膜が形成された基材の製造方法。
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