TW201610130A - 研磨組合物 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種可實現研磨速度之高速化及表面粗糙度之降低的研磨組合物。本發明之研磨組合物之特徵在於包含：以下述通式(1)所表示之於嵌段型聚醚中至少含有氧基伸乙基或氧基伸丙基之化合物、鹼性化合物、及研磨粒；[化4]>N-R-N<...(1)(式中，R表示以CnH2n所表示之伸烷基，n為1以上之整數)。
Description
本發明係關於一種用於矽晶圓(silicon wafer)之研磨處理之研磨組合物。
採用CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械研磨法)之矽晶圓研磨，係藉由進行3階段或4階段之多階段研磨而實現高精度之平坦化。第1階段及第2階段中所進行之1次研磨及2次研磨，係以表面平滑化為主要目的，而要求較高之研磨速度。
為了實現較高之研磨速度，而改變研磨粒之形狀或大小或者添加量，或者添加鹼性化合物等。專利文獻1所記載之研磨劑係藉由使膠體二氧化矽之形狀及比表面積最佳化，而使研磨速度提高。
又，不僅要求提高研磨速度，而且亦要求減小研磨後之晶圓表面粗糙度，例如，添加界面活性劑或有機化合物等以改善表面粗糙度。專利文獻2所記載之研磨用組合物包含：研磨材料及作為添加劑之選自由鹼金屬之氫氧化物、鹼金屬之碳酸鹽、鹼金屬之碳酸氫鹽、四級銨鹽、過氧化物、過氧酸化合物所組成群中之至少1種化合物，藉此可形成平滑的研磨表面，並可提高研磨速度。
隨著普遍進行多階段研磨以實現晶圓之高精度平坦化，第3階段或第4階段之最終階段所進行之整飾研磨與2次研磨的區別變得模糊不清，於2次研磨中亦要求與整飾研磨相類似之研磨特性。
隨著評價機器之性能提高，於2次研磨中亦可對整飾研磨中之評
價項目進行評價，於2次研磨中要求有與整飾研磨中之評價項目相同之評價項目，例如LPD(light point defects，光點缺陷)之降低、消泡性之提高等。
專利文獻3所記載之研磨用組合物，含有包含氧基伸乙基及氧基伸丙基之嵌段型聚醚、二氧化矽、鹼性化合物、選自羥乙基纖維素及聚乙烯醇中之至少一種以及水，並改善COP(Crystal Originated Particle，晶體原生顆粒)及霧度水準(haze level)。
專利文獻1：日本專利特開2004-140394號公報
專利文獻2：日本專利特開2001-3036號公報
專利文獻3：日本專利特開2005-85858號公報
專利文獻1、2所記載之研磨用組合物可使研磨速度提高，並某種程度地改善研磨後之晶圓表面粗糙度，但無法使研磨後之晶圓表面粗糙度充分地減小。專利文獻3所記載之研磨用組合物無法獲得消泡性，由於使用研磨組合物時之稀釋或攪拌等而產生之氣泡會附著於研磨組合物供給用槽壁面或研磨裝置之各部分，並產生由於該氣泡所引起之凝聚物，而使得LPD惡化，因此2次研磨時無法獲得充分之研磨性能。
本發明之目的係提供一種可實現研磨速度之高速化及表面粗糙度之降低的研磨組合物。
本發明係一種研磨組合物，其特徵在於包含：含有以下述通式(1)所表示之具有2個氮之烷基胺結構，並且在該烷基胺結構之2個氮上鍵結有至少1個嵌段型聚醚，且該嵌段型聚醚上含有氧基伸乙基及氧基伸丙基之化合物；
鹼性化合物；以及研磨粒；[化1]>N-R-N<...(1)(式中，R表示以CnH2n所表示之伸烷基，n為1以上之整數)。
又，本發明之特徵在於：上述嵌段型聚醚含有選自以下述通式(2)~(5)所表示之醚基中之至少1種：-[(EO)a-(PO)b]x-H...(2)
-[(PO)b-(EO)a]x-H...(3)
-(EO)a-[(PO)b-(EO)a]x-H...(4)
-(PO)b-[(EO)a-(PO)b]x-H...(5)(式中，EO表示氧基伸乙基，PO表示氧基伸丙基，a及b表示1以上之整數，x表示1以上之整數)。
又，本發明之特徵在於：上述醚基中之氧基伸乙基之數a為1~500，氧基伸丙基之數b為1~200。
又，本發明之特徵在於：在上述嵌段型聚醚含有選自以上述通式(2)~(5)所表示之醚基中之至少1種時，上述醚基中之氧基伸乙基與氧基伸丙基之質量比係EO：PO=10：90~80：20。
又，本發明之特徵在於：上述鹼性化合物為選自鹼金屬或鹼土金屬元素之氫氧化物或其碳酸鹽、四級銨及其鹽、一級胺、二級胺及三級胺中之至少1種。
又，本發明之特徵在於：上述研磨粒為選自二氧化矽、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯中之至少1種。
又，本發明之特徵在於：進而包含水溶性高分子化合物。
根據本發明，可提供一種研磨組合物，其特徵在於：包含以上述通式(1)所表示之於嵌段型聚醚中含有氧基伸乙基及氧基伸丙基之化合物、鹼性化合物、研磨粒。
藉由含有該等成分，可實現研磨速度之高速化及表面粗糙度之降低。
又，根據本發明，上述嵌段型聚醚可使用選自以下述通式(2)~(5)所表示之醚基中之至少1種：-[(EO)a-(PO)b]x-H...(2)
-[(PO)b-(EO)a]x-H...(3)
-(EO)a-[(PO)b-(EO)a]x-H...(4)
-(PO)b-[(EO)a-(PO)b]x-H...(5)。
又，根據本發明，醚基中之氧基伸乙基之數a為1~500，氧基伸丙基之數b為1~200。
又，根據本發明，在嵌段型聚醚含有選自以上述通式(2)~(5)所表示之醚基中之至少1種時，上述醚基中之氧基伸乙基與氧基伸丙基之質量比係EO：PO=10：90~80：20。
藉由使醚基滿足此種範圍，可進一步發揮研磨特性之提高效果。
又，根據本發明，作為上述鹼性化合物，可使用選自鹼金屬或鹼土金屬元素之氫氧化物或其碳酸鹽、四級銨及其鹽、一級胺、二級胺及三級胺中之至少1種。
又，根據本發明，作為上述研磨粒，可使用選自二氧化矽、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯中之至少1種。
又，根據本發明，藉由進一步包含水溶性高分子化合物，而可改善LPD及表面粗糙度。
本發明之研磨組合物之特徵在於包含：含有以下述通式(1)所表示之具有2個氮之烷基胺結構，並且在該烷基胺結構之2個氮上鍵結有至少1個嵌段型聚醚，且該嵌段型聚醚中含有氧基伸乙基及氧基伸丙基之化合物(以下，有時簡稱為「研磨助劑」)；鹼性化合物；及研磨粒。再者，其餘部分為水。
[化2]>N-R-N<...(1)(式中，R表示以CnH2n所表示之伸烷基，n為1以上之整數)。
藉由使用此種研磨組合物，可實現研磨速度之高速化及表面粗糙度之降低。
以下，就本發明之研磨組合物加以詳細說明。
以通式(1)所表示之研磨助劑，在其結構上具有：成為基本骨架之烷基胺結構、嵌段型聚醚；由於該等結構而具有研磨特性提高效果。
研磨助劑所具有之烷基胺結構部分吸附於作為被研磨物的晶圓表面，進而藉由嵌段型聚醚結構部分之相互作用，而使吸附於晶圓表面之研磨助劑彼此間相互結合，結果在被研磨物表面上形成牢固的表面保護膜。
若在形成有牢固的表面保護膜之狀態下進行被研磨物表面之研磨，則抑制凹部分之研磨速度而不會改變被研磨物表面之凸部分之研磨速度，結果主要是進行凸部分之研磨，因此可有效地減小研磨後之被研磨物之表面粗糙度。
另一方面，未吸附於被研磨物表面之研磨助劑，發揮出作為螯合劑之功能，可防止金屬對被研磨物表面之污染等。例如，被研磨物之保持構件等係使用不鏽鋼(SUS)，但鉻、鎳、鐵等金屬成分會自該SUS構件溶出至研磨組合物中，從而污染作為被研磨物的晶圓表面。
若存在研磨助劑，則研磨助劑會捕捉研磨組合物中之金屬成分從而防止其吸附於被研磨物表面，並可利用研磨組合物之液流將金屬成分除去。
藉由此種研磨助劑之作用，可實現防止金屬對被研磨物之污染之結果。
又，作為研磨組合物，藉由包含鹼性化合物，可進一步使研磨速度高速化，並可實現適於2次研磨之研磨組合物。又，藉由添加研磨助劑，可對研磨組合物賦予消泡性。
又，為了發揮研磨助劑之分散穩定性，較好的是嵌段型聚醚含有選自以下述通式(2)~(5)所表示之醚基中之至少1種醚基：-[(EO)a-(PO)b]x-H...(2)
-[(PO)b-(EO)a]x-H...(3)
-(EO)a-[(PO)b-(EO)a]x-H...(4)
-(PO)b-[(EO)a-(PO)b]x-H...(5)(式中，EO表示氧基伸乙基，PO表示氧基伸丙基，a及b表示1以上之整數，x表示1以上之整數)。
為了進一步發揮此種結構所產生之效果，尤其好的是嵌段型聚醚含有選自以下述通式(6)~(9)所表示之醚基中之至少1種醚基。該等通式係於上述通式(2)~(5)中x=1時之通式：-(EO)a-(PO)b-H...(6)
-(PO)b-(EO)a-H...(7)
-(EO)a-(PO)b-(EO)a-H...(8)
-(PO)b-(EO)a-(PO)b-H...(9)(式中，a及b表示1以上之整數)。
又，醚基中所含有之氧基伸乙基之數a為1~500，較好的是1~200。醚基中所含有之氧基伸丙基之數b為1~200，較好的是1~50。
於a超過500之情形時、或b超過200之情形時，由於嵌段型聚醚部分之立體阻礙，研磨助劑變得難以吸附於晶圓表面，進而可成為使研磨粒凝聚之原因。
又，表示重複數之x為1以上、60以下，較好的是40以下，尤其好的是20以下。若x超過60，則研磨組合物中之研磨助劑之狀態會發生變化，即研磨助劑發生凝聚或者形成乳液等，從而使研磨特性下降。
就藉由添加研磨助劑而對研磨組合物賦予消泡性之功能加以說明。研磨助劑具有破泡效果，即研磨助劑進入形成氣泡表面之界面活性劑的膜中，部分地使膜厚變薄而使氣泡破裂。又，因研磨助劑分散於研磨組合物中，故具有預防界面活性劑所致之氣泡自生之抑制效果。研磨助劑之消泡性係藉由該等破泡效果、抑制效果而發揮。
利用該研磨助劑，可抑制研磨組合物起泡，並且亦可改善LPD(light point defects)、霧度(表面渾濁)及COP(Crystal Originated Particle)等尤其是研磨後之表面特性。研磨助劑之特徵在於：在將烷基胺結構所具有之伸烷基R之碳數設為n、將嵌段型聚醚中之氧基伸乙基之數設為a、將氧基伸丙基之數設為b時，於僅在烷基胺結構所具有之1個氮上鍵結有嵌段型聚醚之情形時，滿足下述式(10)，於烷基胺結構所具有之2個氮上鍵結有嵌段型聚醚之情形時，滿足下述式(11)：1≦n≦2a+2b...(10)
1≦n≦2×(2a+2b)...(11)。
藉由將伸烷基之碳數、氧基伸乙基之數以及氧基伸丙基之數設為此種範圍，可進一步發揮改善表面粗糙度之效果。
又，嵌段型聚醚中之氧基伸乙基與氧基伸丙基之質量比，較好的是EO：PO=10：90~80：20。
藉由使嵌段型聚醚滿足此種範圍，而可分別提高消泡性、對晶圓之吸附性以及水溶性，藉此進一步發揮研磨特性之提高效果。
至於本發明之研磨組合物中之研磨助劑的含量，宜為研磨組合物總量之0.00001~10重量%，較好的是0.0001~1重量%，更好的是0.0005~0.05重量%。若研磨助劑之含量未達0.00001重量%，則不會充分提高消泡性及表面粗糙度之降低等研磨特性。若含量超過10重量%，則變得過量而引起粒子之凝聚沈降。
至於本發明之研磨組合物中所包含之鹼性化合物，為選自鹼金屬或鹼土金屬元素之氫氧化物或其碳酸鹽、四級銨及其鹽、一級胺、二級胺及三級胺中之至少1種，較好的是三伸乙基四胺(TETA，triethylenetetramine)、哌。
至於本發明之研磨組合物中之鹼性化合物的含量，宜為研磨組合物總量之0.001~10重量%，較好的是0.01~2重量%。若鹼性化合物之含量未達0.001重量%，則研磨速度下降，若超過10重量%，則與其他組成之平衡被破壞，而使研磨速度下降。
本發明之研磨組合物中所包含之研磨粒，為選自二氧化矽、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯中之至少1種。
至於本發明之研磨組合物中之研磨粒的含量，宜為研磨組合物總量之0.01~15重量%，較好的是0.1~10重量%。若研磨粒之含量未達0.01質量%，則無法獲得充分之研磨速度，若超過10重量%，則研磨粒變得過量，而易於凝聚。
進而，本發明之研磨組合物中可包含水溶性高分子化合物，作為水溶性高分子化合物，宜為羥甲基纖維素、羥乙基纖維素(HEC，hydroxyethyl cellulose)等水溶性多糖類或者聚乙烯醇類，較好的是聚乙烯醇(PVA，polyvinyl alcohol)。
至於本發明之研磨組合物中之水溶性高分子化合物的含量，宜
為研磨組合物總量之0.001~10質量%，較好的是0.01~1質量%。
若水溶性高分子化合物之含量未達0.001重量%，則無法充分降低表面粗糙度或LPD，若超過10重量%則研磨速度下降。
本發明之研磨組合物中可包含pH值調節劑，例如可舉出：氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鈣、氫氧化鈉等。本發明之研磨組合物之pH值，係利用此種pH值調節劑來加以調整，宜為鹼性8~12之範圍，較好的是9~11。
本發明之研磨組合物在不損及其較佳特性之範圍內，可含有1種或2種以上之先前以來該領域之研磨組合物中所常用的各種添加劑。
作為本發明之研磨組合物中所使用之水，並無特別限制，若考慮到在半導體元件等之製造步驟中之使用，則例如較好的是純水、超純水、離子交換水、蒸餾水等。
以下，就本發明之實施例及比較例加以說明。
首先，測定在改變研磨助劑、鹼性化合物及水溶性高分子化合物之濃度時之表面粗糙度及研磨速度。
將研磨助劑及鹼性化合物之濃度及測定結果示於表1。再者，於研磨組合物中，使用二氧化矽粒子作為研磨粒，使用TETA作為鹼性化合物，使用PVA作為水溶性高分子化合物；作為研磨助劑，係使用在烷基胺結構所具有之2個氮上各鍵結2個含有以上述通式(6)所表示之醚基的嵌段型聚醚之結構者(以下，稱為研磨助劑1)。
該研磨助劑1中，R為以n=2所表示之伸乙基，氧基伸乙基之數a為16，氧基伸丙基之數b為19。又，分子量為7240，氧基伸乙基與氧基伸丙基之質量比係EO：PO=40：60。重複數x=1。
此處，研磨助劑之濃度及鹼性化合物之濃度係原液濃度，於實際之研磨處理中將原液稀釋至10倍後使用。
利用實施例1~9及比較例1~3並以下列條件進行研磨試驗，並對研磨速度、表面粗糙度進行評價。進而，於實施例1A、2B及比較例1中，對LPD進行評價，於實施例2B、3及比較例4中，對表面張力測定及振盪試驗進行評價。
以下表示研磨條件。
[研磨條件]
被研磨基板：8英吋矽晶圓
研磨裝置：Strasbaugh單面研磨機
研磨墊：SUBA400(Nitta Haas股份有限公司製造)
研磨壓盤旋轉速度：115rpm
載體旋轉速度：100rpm
研磨負荷面壓：150gf/cm2
研磨組合物之流量：300ml/min
研磨時間：6min
[研磨速度]
研磨速度係以單位時間內藉由研磨而除去之晶圓厚度(μm/min)來表示。藉由研磨而除去之晶圓厚度，係藉由使用ADE9500(ADE公司製造)測定研磨前後之晶圓的平均厚度而求得，將其除以研磨時間而算出研磨速度。
[表面粗糙度]
表面粗糙度Ra係使用非接觸表面粗糙度測定機(New View 200/GP，Zygo公司製造)，測定研磨試驗後之晶圓的表面粗糙度。
[LPD]
LPD係使用晶圓表面檢查裝置(LS6600，Japan Electronics Engineering公司製造)，測定研磨試驗後存在於晶圓表面之粒徑為100nm以上之尺寸的粒子之個數，並以每1片晶圓之粒子的個數之形式進
行測定。
將含有3.0重量%之作為研磨粒的二氧化矽粒子、35ppm之作為研磨助劑的上述研磨助劑1、3500ppm之作為鹼性化合物的TETA、不含水溶性高分子化合物者作為實施例1A，將含有70ppm之研磨助劑1、3500ppm之TETA者作為實施例1B，將含有100ppm之研磨助劑1、5000ppm之TETA者作為實施例1C，將含有150ppm之研磨助劑1、7000ppm之TETA者作為實施例1D。將含有3.0重量%之作為研磨粒的二氧化矽粒子、35ppm之研磨助劑1、1750ppm之TETA、250ppm之作為水溶性高分子的PVA者作為實施例2A。將僅使TETA之濃度變化
為3500ppm、5000ppm、10000ppm者分別作為實施例2B~2D，將含有5ppm之研磨助劑1、3500ppm之TETA、400ppm之PVA者作為實施例2E。
作為比較例1，係使用不含有研磨助劑、鹼性化合物、水溶性高分子化合物中之任一成分而含有膠體二氧化矽及有機胺等者。比較例2係使用在比較例1中含有35ppm之作為研磨助劑的上述研磨助劑1、250ppm之作為水溶性高分子的PVA者。比較例3係使用在比較例1中含有250ppm之PVA者。
於研磨助劑及鹼性化合物兩者均不含有之比較例1、3中，研磨速度較高，但表面粗糙度劣化。於未添加鹼性化合物之條件下，若增加研磨助劑之濃度，則如比較例2般晶圓之表面粗糙度降低而得到改善，但研磨速度下降。
如實施例1A及實施例2A~2D般，若將研磨助劑之濃度設為固定並增加鹼性化合物之添加量，則研磨速度上升，並且表面粗糙度亦得到改善。於添加10000ppm之鹼性化合物之實施例2D中，研磨速度之上升受到抑制，但表面粗糙度得到進一步改善。
如實施例1A~1D及實施例2E般，當改變研磨助劑之濃度時，相對於比較例而言，表面粗糙度得到改善，研磨速度上升。
如此可知，藉由添加研磨助劑及鹼性化合物，可實現表面粗糙度之降低、及研磨速度之上升。
繼而，改變研磨助劑之種類並以與上述同樣之方式測定表面粗糙度及研磨速度。此處所使用之研磨助劑係氧基伸乙基與氧基伸丙基之質量比、EO與PO之配置與實施例2B中所使用之研磨助劑1不同的結構。再者，重複數x=1，碳數n=2。
實施例3中所使用之研磨助劑，係具有鍵結含有以上述通式(7)所表示之醚基之嵌段型聚醚來代替研磨助劑1之含有以上述通式(6)所表
示之醚基之嵌段型聚醚的結構，且EO與PO之質量比EO：PO=10：90的研磨助劑2。實施例4中所使用之研磨助劑，係具有鍵結含有以上述通式(7)所表示之醚基之嵌段型聚醚來代替研磨助劑1之含有以上述通式(6)所表示之醚基之嵌段型聚醚的結構，且EO與PO之質量比EO：PO=40：60的研磨助劑3。實施例5中所使用之研磨助劑，係具有鍵結含有以上述通式(7)所表示之醚基之嵌段型聚醚來代替研磨助劑1之含有以上述通式(6)所表示之醚基之嵌段型聚醚的結構，且EO與PO之質量比EO：PO=80：20的研磨助劑4。實施例6中所使用之研磨助劑，係具有鍵結含有以上述通式(9)所表示之醚基之嵌段型聚醚來代替研磨助劑1之含有以上述通式(6)所表示之醚基之嵌段型聚醚的結構，且EO與PO之質量比EO：PO=32：68的研磨助劑5。將測定結果示於表2。
由表2之結果可知，即便使用EO與PO之質量比或嵌段型聚醚所含有之醚基之結構如上述通式(6)~(9)般各不相同之研磨助劑，亦可實
現研磨速度之高速化及表面粗糙度之降低。又，與如比較例1、2所示之未添加研磨助劑或TETA者相比，於實施例中表面粗糙度降低，研磨速度亦變高。
繼而，改變鹼性化合物之種類並以與上述同樣之方式測定表面粗糙度及研磨速度。實施例7係使用哌、實施例8A及8B係使用氫氧化鉀(KOH)來代替TETA作為鹼性化合物。將測定結果示於表3。
可知，即便使用哌作為除TETA以外之鹼性化合物，亦可實現與使用TETA時同等的表面粗糙度及研磨速度。並且可知，於使用氫氧化鉀(KOH)作為除TETA以外之鹼性化合物之情形時，表面粗糙度之改善程度係使用TETA時較差，但研磨速度與使用TETA時為同等。
繼而，改變水溶性高分子化合物之種類並以與上述同樣之方式測定表面粗糙度及研磨速度。實施例9A、9B係使用HEC來代替PVA作為水溶性高分子化合物。將測定結果示於表4。
即便使用HEC作為除PVA以外之水溶性高分子化合物，亦可實現與使用PVA時同等之表面粗糙度，研磨速度進一步提高。
於上述中，對表面粗糙度及研磨速度之提高效果進行了確認。以下，除該等外，亦進行LPD之評價。所使用之研磨組合物為實施例1A、2B及比較例1。將結果示於表5。
可知，含有PVA之實施例2B與不含有PVA之實施例1A相比，LPD大幅降低，如表1所示表面粗糙度亦降低。又，雖含有PVA但不含有研磨助劑及鹼性化合物之比較例1，係超過可檢測數即40000之結果。
進而，為了確認消泡性之效果，而進行表面張力測定及振盪試驗。所使用之研磨組合物為實施例2B、3及比較例4。
此處，比較例4中除使用專利文獻3所記載之嵌段型聚醚來代替
研磨助劑以外，組成與實施例2B、3相同。表面張力測定及振盪試驗如下。
[表面張力測定]
對實施例2B、3及比較例4進行表面張力測定。所謂表面張力，係界面張力之一種，一般將氣液界面之張力之情形表現為液體之表面張力。使用全自動接觸角計(商品名：DM500，協和界面科學股份有限公司製造)，藉由懸滴法測定表面張力。
[振盪試驗]
振盪試驗係向50ml之樣品管中加入實施例2B、3及比較例4之各研磨組合物10ml，再將該樣品管設置於縱型振盪機(商品名：KM Shaker V-SX，岩城產業(Iwaki Sangyo)股份有限公司製造)中，以振盪速度310spm、振盪衝程40mm進行1分鐘振盪。振盪結束後，靜置一分鐘，測定起泡距液面之高度。將測定結果示於表6。
含有研磨助劑1之實施例2B、3，與含有專利文獻3所記載之嵌段型聚醚來代替研磨助劑1之比較例4相比，表面張力變低，起泡高度亦變低。由此可知，藉由含有研磨助劑可實現消泡性。
若將上述結果加以匯總則如以下所述。
藉由含有研磨助劑及鹼性化合物，可提高研磨速度並且亦改善
表面粗糙度。
可知，藉由含有研磨助劑，而與含有專利文獻3所記載之嵌段型聚醚之阻成相比，表面張力變低，並具有優異之消泡性。
藉由進一步含有水溶性高分子化合物，而LPD大幅降低。
本發明在不脫離其精神或主要特徵之情況下能以其他各種形態實施。因此，上述實施形態在所有方面只不過為例示，本發明之範圍係申請專利範圍中所示者，並不受說明書本文的任何限制。進而，屬於申請專利範圍之變形或變更係全部包括在本發明之範圍內。
Claims (7)
- 一種研磨組合物，其特徵在於包含：含有以下述通式(1)所表示之具有2個氮之烷基胺結構，並且在該烷基胺結構之2個氮的任一個氮上鍵結有至少1個嵌段型聚醚，且該嵌段型聚醚中含有氧基伸乙基及氧基伸丙基之化合物；鹼性化合物；以及研磨粒；[化3]>N-R-N<...(1)(式中，R表示以CnH2n所表示之伸烷基，n為1以上之整數)。
- 如請求項1之研磨組合物，其中上述嵌段型聚醚含有選自以下述通式(2)~(5)所表示之醚基中之至少1種：-[(EO)a-(PO)b]x-H...(2) -[(PO)b-(EO)a]x-H...(3) -(EO)a-[(PO)b-(EO)a]x-H...(4) -(PO)b-[(EO)a-(PO)b]x-H...(5)(式中，EO表示氧基伸乙基，PO表示氧基伸丙基，a及b表示1以上之整數，x表示1以上之整數)。
- 如請求項2之研磨組合物，其中上述醚基中之氧基伸乙基之數a為1~500，氧基伸丙基之數b為1~200。
- 如請求項2或3之研磨組合物，其中在上述嵌段型聚醚含有選自以上述通式(2)~(5)所表示之醚基中之至少1種時，上述醚基中之氧基伸乙基與氧基伸丙基之質量比係EO：PO=10：90~80：20。
- 如請求項1至4中任一項之研磨組合物，其中上述鹼性化合物為 選自鹼金屬或鹼土金屬元素之氫氧化物或其碳酸鹽、四級銨及其鹽、一級胺、二級胺及三級胺中之至少1種。
- 如請求項1至5中任一項之研磨組合物，其中上述研磨粒為選自二氧化矽、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯中之至少1種。
- 如請求項1至6中任一項之研磨組合物，其進而包含水溶性高分子化合物。
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