JP6360694B2 - 研磨用組成物 - Google Patents
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(b)−[(PO)b−(EO)a]x−H
(c)−(EO)a−[(PO)b−(EO)a]x−H
(d)−(PO)b−[(EO)a−(PO)b]x−H
なお、式中、EOはオキシエチレン基を示し、POはオキシプロピレン基を示す。オキシエチレン基の数aは1以上の整数であり、1≦a≦500を満たす。また、オキシプロピレン基の数bは1以上の整数であり、1≦b≦200を満たす。xは1以上の整数を示す。
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
研磨装置(SPP800S、岡本工作機械製作所製)を用い、研磨パッド(SUBATM400、ニッタ・ハース社製)に実施例1〜9および比較例の研磨用組成物を600ml/分の割合で供給し、かつ、直径12インチのシリコンウェーハに15kPaの圧力をかけながら研磨定盤を33rpmの回転速度で回転させ、キャリアを30rpmの回転速度で回転させながら、4分間、研磨を行なった。なお、研磨装置の下底盤の揺動速度は600mm/分、及び揺動距離は60mmであった。また、用いたシリコンウェーハは、伝導型がP型、結晶方位が<100>、抵抗率が0.1〜100Ω・cmであった。
研磨後のウェーハ形状を評価するために、ウェーハ用平坦度検査装置(Nanometro 300TT−A、黒田精工株式会社製)を用いてGBIR(Global Back-surface-referenced Ideal Range)を測定した。このGBIRは、ウェーハの表側の面全体について裏側の面を基準とする理想平面からの正負を測定し、これらの偏差の範囲を計算したものであり、定義すべきエッジ除外領域を除いたウェーハ表面の全体的平坦度の指標として扱うことができる。さらに、以下の式により算出される値を形状悪化量として評価した。なお、式中の「研磨取り代」は、上記のウェーハ用平坦度検査装置により測定した研磨前後におけるウェーハの厚さの差により得られる値である。
実施例1〜9および比較例による研磨用組成物を用いてシリコンウェーハを研磨したときのGBIR、形状悪化量及び形状悪化量改善率の結果を表3に示す。なお、表3中の「形状悪化量改善率」は、比較例の形状悪化量と実施例1〜実施例9のそれぞれの形状悪化量との差をとり、さらにそれを比較例の形状悪化量で除した値を百分率で表したものである。また、これらの結果を図3及び図4のグラフにも示す。
表面粗さRaの評価として、非接触表面粗さ測定機(Wyco NT9300、Veeco社製)を用いて、実施例1〜9による研磨用組成物を用いてシリコンウェーハを研磨した後の各ウェーハの表面の粗さを測定した。そして、これらのうち最も大きい値となった実施例4を基準値として、実施例1〜9の表面粗さの値を基準値で除した値を算出した。表4は、これらの結果を示す。
図1及び図2によれば、研磨用組成物にピペラジン化合物又はアルコールアミン化合物のアミン化合物を含む実施例1〜9と、ピペラジン化合物及びアルコールアミン化合物のいずれも含まない比較例とを比較すると、実施例1〜9の研磨用組成物は、比較例の研磨用組成物よりも研磨速度が大幅に向上していることが分かる。特に、実施例1、4及び5の研磨用組成物を用いると、研磨速度が2倍以上になる。
(b)−[(PO)b−(EO)a]x−H
(c)−(EO)a−[(PO)b−(EO)a]x−H
(d)−(PO)b−[(EO)a−(PO)b]x−H
なお、式中、EOはオキシエチレン基を示し、POはオキシプロピレン基を示す。オキシエチレン基の数aは1以上の整数であり、1≦a≦500を満たす。また、オキシプロピレン基の数bは1以上の整数であり、1≦b≦200を満たす。xは1以上の整数を示す。
Claims (3)
- 砥粒と、
エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレンと、
(N−(2−アミノエチル)ピペラジン)と、
を含む、研磨用組成物。 - 請求項1に記載の研磨用組成物において、
さらに、親水性高分子化合物を含む、研磨用組成物。 - 請求項2に記載の研磨用組成物において、
前記親水性高分子化合物は、ヒドロキシエチルセルロースである、研磨用組成物。
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