CN104031609B - 研磨组合物 - Google Patents
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Abstract
本发明提供使研磨速度提高并使表面粗糙度降低的研磨组合物。本发明的研磨组合物包含：化合物，其在下述通式(1)所示的嵌段聚醚中至少包含氧乙烯基或氧丙烯基；碱性化合物；以及研磨剂，>N?R?N<…(1)其中，R表示由CnH2n表示的亚烷基，n为不小于1的整数。
Description
技术领域
本发明涉及在研磨硅片的方法中使用的研磨组合物。
背景技术
通过CMP的硅片研磨通过多步即三步或四步来实现高精度平滑化。第1步和第2步中所进行的初始研磨和及第第二次研磨是以表面平滑化为主要目的，并要求高的研磨速度。
为了实现高的研磨速度，改变研磨剂的形状或大小或者添加量，或者添加碱性化合物。专利文献1公开的研磨剂通过使胶体二氧化硅的形状及比表面积最佳化来提高研磨速度。
不仅需要提高研磨速度，而且必须降低研磨硅片的表面粗糙度，并通过加入表面活性剂或有机化合物来改善表面粗糙度。专利文献2公开的研磨组合物包含：研磨剂和作为添加剂的选自碱金属的氢氧化物、碱金属的碳酸盐、碱金属的碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物、过氧酸化合物中的至少一种化合物，从而形成平滑的研磨表面，并获得更高的研磨速度。
随着普遍进行多步研磨以提供高精度平滑化的晶片，诸如第3步或第4步的最终步骤中的抛光研磨与第第二次研磨的区别减小，在第第二次研磨中也需要与抛光研磨相似的研磨特性。
随着评价装置的性能提高，能够将用在抛光研磨中的评价项目应用于第第二次研磨中，在第第二次研磨中需要的评价项目与抛光研磨中的评价项目相同，例如LPD(光点缺陷)的降低、消泡性的提高等。
专利文献3所公开的研磨组合物，其包含选自含有氧乙烯基及氧丙烯基的嵌段聚醚、二氧化硅、碱性化合物、羟乙基纤维素及聚乙烯醇中的至少一种以及水，从而改善COP(晶体原生颗粒(CrystalOriginatedParticle))及雾度水平(hazelevel)。
专利文献1：日本专利特开2004-140394号公报
专利文献2：日本专利特开2001-3036号公报
专利文献3：日本专利特开2005-85858号公报
发明内容
本发明要解决的问题
专利文献1和2所公开的研磨组合物使研磨速度提高，并在某种程度上改善研磨后的晶片表面粗糙度，但无法达到充分的水平。专利文献3所公开的研磨组合物无法获得消泡性，并且在使用研磨组合物时稀释或搅拌所产生的泡沫会附着在用于供应研磨组合物的釜壁表面或研磨装置的各部分，并生成由于该泡沫所引起的凝聚物，使LPD恶化，以至于在第第二次研磨中无法获得充分的研磨性能。
本发明的目的是提供使研磨速度提高并使表面粗糙度降低的研磨组合物。
解决问题的方法
本发明的研磨组合物包含：
化合物，其包含下述通式(1)所示的具有两个氮原子的烷基胺结构以及至少一个与所述烷基胺结构中的两个氮原子结合的嵌段聚醚，所述嵌段聚醚含有氧乙烯基及氧丙烯基；
碱性化合物；以及
研磨剂；
>N-R-N<…(1)
其中，R表示由CnH2n表示的亚烷基，n为不小于1的整数。
根据本发明，所述嵌段聚醚含有选自由下述通式(2)至(5)表示的醚基中的至少一种：
-[(EO)a-(PO)b]x-H...(2)
-[(PO)b-(EO)a]x-H...(3)
-(EO)a-[(PO)b-(EO)a]x-H...(4)
-(PO)b-[(EO)a-(PO)b]x-H...(5)
其中，EO表示氧乙烯基，PO表示氧丙烯基，并且a、b和x各自表示不小于1的整数。
根据本发明，所述醚基中的氧乙烯基的数值a不小于1并且不大于500，氧丙烯基的数值b不小于1并且不大于200。
根据本发明，当所述嵌段聚醚包含选自由所述通式(2)至(5)表示的醚基中的至少一种时，所述醚基中的氧乙烯基与氧丙烯基的质量比EO:PO不小于10:90并且不大于80:20。
根据本发明，所述碱性化合物为选自碱金属或碱土金属元素的氢氧化物或碳酸盐、季铵及其盐、伯胺、仲胺及叔胺中的至少一种。
根据本发明，所述研磨剂为选自二氧化硅、氧化铝、氧化铈和氧化锆中的至少一种。
根据本发明，所述研磨组合物还包含水溶性高分子化合物。
发明效果
根据本发明，该研磨组合物包含：化合物，其在通式(1)所示的嵌段聚醚中含有氧乙烯基及氧丙烯基；碱性化合物；以及研磨剂。
这些物质使研磨速度提高并使表面粗糙度降低。
根据本发明，所述嵌段聚醚能够为选自下述通式(2)至(5)所示的醚基中的至少一种：
-[(EO)a-(PO)b]x-H...(2)
-[(PO)b-(EO)a]x-H...(3)
-(EO)a-[(PO)b-(EO)a]x-H...(4)
-(PO)b-[(EO)a-(PO)b]x-H...(5)
根据本发明，所述醚基中的氧乙烯基的数值a不小于1并且不大于500，氧丙烯基的数值b不小于1并且不大于200。
根据本发明，当所述嵌段聚醚包含选自由所述通式(2)至(5)表示的醚基中的至少一种时，所述醚基中的氧乙烯基与氧丙烯基的质量比EO:PO不小于10:90并且不大于80:20。
由于醚基满足上述范围，因此可进一步改善研磨特性。
此外，根据本发明，所述碱性化合物可为选自碱金属或碱土金属元素的氢氧化物或碳酸盐、季铵及其盐、伯胺、仲胺及叔胺中的至少一种。
此外，根据本发明，所述研磨剂为选自二氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化锆中的至少一种。
另外，根据本发明，还包含水溶性高分子化合物的研磨组合物能够改善LPD及表面粗糙度。
实施本发明的方式
本发明的研磨组合物包含：化合物(以下简称为“研磨助剂”)，其包含下述通式(1)所示的具有两个氮原子的烷基胺结构以及至少一个与所述烷基胺结构中的两个氮原子结合的嵌段聚醚；碱性化合物；及研磨剂。所述嵌段聚醚含有氧乙烯基及氧丙烯基。注意，其余部分为水。
>N-R-N<…(1)
其中，R表示由CnH2n表示的亚烷基，n为不小于1的整数。
该研磨组合物的使用使研磨速度提高并使表面粗糙度降低。
现在，详细说明本发明的研磨组合物。
对于结构，通式(1)所示的研磨助剂具有为基本骨架的烷基胺结构和嵌段聚醚，该结构使研磨特性提高。
研磨助剂的烷基胺结构部分作为被研磨物吸附在晶片表面，并且吸附于晶片表面的所述研磨助剂粒子通过嵌段聚醚结构部分间的相互作用而彼此相互结合。结果，在在被研磨物表面上形成牢固的表面保护层。
当将被研磨物表面进行研磨，同时在表面形成保护膜成时，凹部分的研磨速度被降低而没有改变被研磨物表面凸部分的研磨速度，结果主要是进行凸部分的研磨，从而能够有效地降低研磨后的被研磨物的表面粗糙度。
另一方面，未吸附于被研磨物表面的研磨助剂部分作为螯合剂以防止被研磨物表面例如被金属污染。例如，使用不锈钢(SUS)作为被研磨物的保持部件，但诸如铬、镍和铁等的金属成分从该SUS部件溶出至研磨组合物中，从而污染作为被研磨物的晶片表面。在存在研磨助剂的情况下，研磨组合物中的金属成分被捕捉并防止其吸附于被研磨物表面，并通过研磨组合物的液流能够将金属成分除去。
通过如上所述的研磨助剂的作用，能够防止金属对被研磨物的污染。
此外，作为研磨组合物，包含碱性化合物能够进一步提高研磨速度，并能够获得适于第二次研磨的研磨组合物。研磨助剂的添加能够提供具有消泡性的研磨组合物。
为了使研磨助剂稳定分散，优选地，所述嵌段聚醚包含选自下述通式(2)至(5)所示的醚基中的至少一种：
-[(EO)a-(PO)b]x-H...(2)
-[(PO)b-(EO)a]x-H...(3)
-(EO)a-[(PO)b-(EO)a]x-H...(4)
-(PO)b-[(EO)a-(PO)b]x-H...(5)
其中，EO表示氧乙烯基，PO表示氧丙烯基，并且a、b和x各自表示不小于1的整数。
为了更完整地提供该结构所产生的效果，特别优选地，所述嵌段聚醚含有选自下述通式(6)至(9)所示的醚基中的至少一种醚基。这些通式由所述通式(2)至(5)获得，其中x＝1：
-(EO)a-(PO)b-H…(6)
-(PO)b-(EO)a-H…(7)
-(EO)a-(PO)b-(EO)a-H…(8)
-(PO)b-(EO)a-(PO)b-H…(9)
其中，a和b各自表示不小于1的整数。
醚基中所含有的氧乙烯基的数值a不小于1并且不大于500，优选不小于1并且不大于200。醚基中所含有的氧丙烯基的数值b不小于1并且不大于200，优选不小于1并且不大于50。当a超过500或b超过200时，嵌段聚醚部分的位阻使研磨助剂变得难以吸附于晶片表面，这归因于研磨剂的凝聚。
而且，表示重复单元数值的x不小于1并且不大于60，优选不大于40，更优选不大于20。当x超过60时，研磨助剂发生凝聚或者形成乳液以改变研磨组合物中的研磨助剂的状态，从而使研磨特性下降。
现在，将描述通过添加研磨助剂而对研磨组合物提供消泡性的功能。研磨助剂进入形成泡沫表面的表面活性剂的膜中并部分减小膜厚而有效使泡沫破裂。研磨助剂分散于研磨组合物中，并由此通过表面活性剂能够阻止泡沫形成。通过这些泡沫破裂效果和抑制效果来提供研磨助剂的消泡性。
该研磨助剂的使用能够减少研磨组合物起泡，并且在研磨后，特别改善诸如LPD(光点缺陷)、雾度(表面浑浊)及COP(晶体原生颗粒)等的表面特性。当烷基胺结构中的亚烷基R的碳数为n，嵌段聚醚中的氧乙烯基的数量为a，氧丙烯基的数量为b，并且嵌段聚醚仅与烷基胺结构中的一个氮原子结合时，研磨助剂满足下述式(10)，而当嵌段聚醚与烷基胺结构中的两个氮原子结合时，满足下述式(11)：
1≤n≤2a+2b…(10)
1≤n≤2×(2a+2b)…(11)。
当亚烷基的碳数、氧乙烯基的数量以及氧丙烯基的数量为上述范围时，能够进一步改善表面粗糙度。
优选地，嵌段聚醚中的氧乙烯基与氧丙烯基的质量比EO:PO不小于10:90并且不大于80:20。
当嵌段聚醚满足上述范围时，改善了消泡性、对晶片的吸附性以及水溶性，从而能够进一步改善研磨特性。
基于研磨组合物总量，本发明研磨组合物中的研磨助剂的含量不小于0.00001％重量比并且不大于10％重量比，优选不小于0.0001％重量比并且不大于1％重量比，更优选不小于0.0005％重量比并且不大于0.05％重量比。如果研磨助剂的含量小于0.00001％重量比，则不能充分改善诸如消泡性和表面粗糙度等的研磨特性。超过10％重量比的含量是过量的并引起粒子的凝聚并沉积。
本发明的研磨组合物中所包含的碱性化合物选自碱金属或碱土金属元素的氢氧化物或碳酸盐、季铵及其盐、伯胺、仲胺及叔胺中的至少一种，优选为三亚乙基四胺(TETA)或哌嗪。
基于研磨组合物的总量，本发明的研磨组合物中的碱性化合物的含量不小于0.001％重量比并且不大于10％重量比，优选不小于0.01％重量比并且不大于2％重量比。如果碱性化合物的含量小于0.001％重量比，则研磨速度下降，而如果含量超过10％重量比，则与其它成分的比例失衡，从而使研磨速度下降。
本发明研磨组合物中所包含的研磨剂为选自二氧化硅、氧化铝、氧化铈和氧化锆中的至少一种。
基于研磨组合物的总量，本发明研磨组合物中的研磨剂的含量不小于0.01％重量比并且不大于15％重量比，优选不小于0.1％重量比并且不大于10％重量比。如果研磨剂的含量小于0.01％重量比，则无法获得充分的研磨速度，而如果含量超过10％重量比，则研磨剂是过量的并易于凝聚。
本发明的研磨组合物中还可包含水溶性高分子化合物，所述水溶性高分子化合物优选为诸如羟甲基纤维素和羟乙基纤维素(HEC)等的水溶性多糖类或者聚乙烯醇类，优选为聚乙烯醇(PVA)。
基于研磨组合物的总量，本发明研磨组合物中的水溶性高分子化合物的含量不小于0.001％重量比并且不大于10％重量比，优选不小于0.01％重量比并且不大于1％重量比。
如果水溶性高分子化合物的含量小于0.001％重量比，则不能充分降低表面粗糙度或LPD，而如果含量超过10重量％，则研磨速度下降。
本发明的研磨组合物可包含pH值调节剂，例如氢氧化钾(KOH)、氢氧化钙和氢氧化钠。使用这样的pH值调节剂将本发明的研磨组合物的pH值调节至不小于8并且不大于12(碱性)，优选不小于9并且不大于11。
本发明的研磨组合物可含有一种或多种通常在常规技术领域中的研磨组合物中使用的各种添加剂，除非没有失去其优选的特性。
对本发明研磨组合物中所使用的水没有特别限制，但是鉴于可能用在制备半导体装置的方法中，优选使用纯水、超纯水、离子交换水和蒸馏水。
实施例
现在，对发明实施例及比较例加以说明。
首先，当改变研磨助剂、碱性化合物及水溶性高分子化合物的浓度时，测定表面粗糙度及研磨速度。
研磨助剂及碱性化合物的浓度以及测定结果显示于表1中。注意在研磨组合物中，使用二氧化硅粒子作为研磨剂，使用TETA作为碱性化合物，使用PVA作为水溶性高分子化合物；所用研磨助剂(下文称为研磨助剂1)具有其中含有所述通式(6)所示的醚基的两个嵌段聚醚各自与烷基胺结构中的两个氮原子结合的结构。
在该研磨助剂1中，R为n＝2的亚乙基，氧乙烯基的数值a为16，氧丙烯基的数值b为19。分子量为7240，并且氧乙烯基与氧丙烯基的质量比EO:PO＝40:60。重复单元数x＝1。
此处，研磨助剂的浓度及碱性化合物的浓度是指未稀释溶液的浓度，在实际的研磨处理中将未稀释的溶液稀释至10倍。
在下列条件下，对发明实施例1至9及比较例1至3进行研磨试验，并对研磨速度和表面粗糙度进行评价。进而，就，对发明实施例1A、2B及比较例1进行LPD评价，对发明实施例2B、3及比较例4进行表面张力测定并进行振荡试验评价。
研磨条件表示如下：
研磨条件：
被研磨晶片：8英寸硅片
研磨装置：Strasbaugh单面研磨机
研磨垫：SUBA400((ニッタ·ハース(NittaHaas)株式会社制造)
研磨压盘旋转速度：115rpm
载体旋转速度：100rpm
研磨负荷表面压力：150gf/cm2
研磨组合物的流量：300ml/min
研磨时间：6min
研磨速度：
研磨速度以每单位时间通过研磨除去的晶片厚度(μm/min)来表示。使用ADE9500(ADE社制造)测定研磨前后的晶片的平均厚度来获得通过研磨除去的晶片厚度，并将其除以研磨时间得出研磨速度。
表面粗糙度
使用非接触表面粗糙度测定仪(NewView200/GP，Zygo社制造)测定研磨试验后的晶片的表面粗糙度来获得表面粗糙度Ra。
LPD
通过使用晶片表面检查装置(LS6600，日本電子エンジニアリング社制造)来获得研磨试验后存在于晶片表面的粒径为大于等于100nm的粒子数，并测定每片晶片的粒子数来进行测定LPD。
表1
发明实施例1A包含3.0％重量比的作为研磨剂的二氧化硅粒子、35ppm的作为研磨助剂的上述研磨助剂1和3500ppm的作为碱性化合物的TETA，并且不含水溶性高分子化合物。发明实施例1B包含70ppm的研磨助剂1和3500ppm的TETA。发明实施例1C包含100ppm的研磨助剂1和5000ppm的TETA。发明实施例1D包含150ppm的研磨助剂1和7000ppm的TETA。发明实施例2A包含3.0％重量比的作为研磨剂的二氧化硅粒子和35ppm的研磨助剂1、1750ppm的TETA和250ppm的作为水溶性高分子的PVA。发明实施例2B至2D之间仅TETA的浓度不同，分别为为3500ppm、5000ppm和10000ppm，发明实施例2E包含5ppm的研磨助剂1、3500ppm的TETA和400ppm的PVA。
比较例1不含有任何研磨助剂、碱性化合物和水溶性高分子化合物并含有胶体二氧化硅及有机胺等。比较例2包含35ppm的作为研磨助剂的上述研磨助剂1、250ppm的作为水溶性高分子的PVA。比较例3除比较例1外还包含250ppm的PVA。
在不含有研磨助剂及碱性化合物的比较例1和3中，获得高的研磨速度，但表面粗糙度变差。当增加研磨助剂的浓度并不包含碱性化合物时，如在比较例2中晶片的表面粗糙度降低或被改善，但研磨速度下降。
如在发明实施例1A及发明实施例2A至2D中，当增加碱性化合物的添加量同时固定研磨助剂的浓度时，则研磨速度上升，并且表面粗糙度得到改善。在添加10000ppm的碱性化合物的发明实施例2D中，研磨速度的提高被抑制，但表面粗糙度得到进一步改善。
如在发明实施例1A至1D及发明实施例2E中，当改变研磨助剂的浓度时，相对于比较例而言，表面粗糙度得到改善，研磨速度提高。
如此可知，研磨助剂及碱性化合物的添加使表面粗糙度降低并且使研磨速度提高。
继而，使用不同种类的研磨助剂，并以与以上相同的方式测定表面粗糙度及研磨速度。此处所使用的研磨助剂与在发明实施例2B中所使用的研磨助剂1不同，该研磨助剂具有不同的氧乙烯基与氧丙烯基的质量比和EO与PO之间不同的配置。注意重复单元x＝1，碳数n＝2。
发明实施例3中所使用的研磨助剂是研磨助剂2，该研磨助剂2具有其中结合包含所述通式(7)所示的醚基的嵌段聚醚来代替研磨助剂1的包含所述通式(6)所示的醚基的嵌段聚醚的结构，且EO与PO的质量比EO:PO＝10:90。发明实施例4中所使用的研磨助剂是研磨助剂3，该研磨助剂3具有结合包含所述通式(7)所示的醚基的嵌段聚醚来代替研磨助剂1的包含所述通式(6)所示的醚基的嵌段聚醚的结构，且EO与PO的质量比EO:PO＝40:60。发明实施例5中所使用的研磨助剂是研磨助剂4，该研磨助剂4具有结合包含所述通式(7)所示的醚基的嵌段聚醚来代替研磨助剂1的包含所述通式(6)所示的醚基的嵌段聚醚的结构，且EO与PO的质量比EO:PO＝80:20。发明实施例6中所使用的研磨助剂是研磨助剂5，该研磨助剂5具有结合包含所述通式(9)所示的醚基的嵌段聚醚来代替研磨助剂1的包含所述通式(6)所示的醚基的嵌段聚醚的结构，且EO与PO的质量比EO:PO＝32:68。将测定结果示于表2。
表2
由表2的结果可知，使用不同的研磨助剂，其中如上述通式(6)至(9)所示EO与PO的质量比和含在嵌段聚醚中的醚基结构发生变化，能够提高研磨速度并降低表面粗糙度。与不含研磨助剂或TETA的比较例1和2相比，发明实施例中的表面粗糙度降低并且研磨速度提高。
以与以上相同的方式来测定表面粗糙度及研磨速度，同时碱性化合物的种类。如发明实施例7，使用哌嗪来代替TETA作为碱性化合物，如发明实施例8A及8B，使用氢氧化钾(KOH)作为碱性化合物。将测定结果示于表3。
表3
发现，使用哌嗪作为碱性化合物来代替TETA，能够获得与使用TETA时相等的表面粗糙度及研磨速度。当使用氢氧化钾(KOH)作为碱性化合物来代替TETA时，表面粗糙度的改善程度低于使用TETA时所获得的表面粗糙度的改善程度，但研磨速度与使用TETA时相同。
改变水溶性高分子化合物的种类并以与以上相同的方式测定表面粗糙度及研磨速度。发明实施例9A和9B中使用HEC来代替PVA作为水溶性高分子化合物。将测定结果示于表4。
表4
使用HEC来代替PVA作为水溶性高分子化合物，获得与使用PVA时相等的表面粗糙度，研磨速度进一步提高。
之前，显示了如何能够改善表面粗糙度及研磨速度。下面，除上述外，将进行LPD的评价。使用在实施例1A、2B及比较例1中的研磨组合物为。将结果示于表5。
表5
发现，在含有PVA的发明实施例2B中，与不含有PVA的发明实施例1A相比，LPD大幅降低，并且如表1所示表面粗糙度也降低。在含有PVA但不含研磨助剂和碱性化合物的比较例1中，该值超过可检测数值即40000。
而且，为了确认消泡性的效果，测定表面张力及并进行振荡试验。所使用的研磨组合物为发明实施例2B和3及比较例4的研磨组合物。
此处，除使用专利文献3所描述的嵌段聚醚来代替研磨助剂外，比较例4具有与发明实施例2B和3相同的结构。如下进行表面张力测定及振荡试验。
表面张力试验
对发明实施例2B和3以及比较例4进行表面张力测定。表面张力是一种界面张力，并且通常将气液界面的张力称为“液体的表面张力”。使用全自动接触角仪(商品名：DM500，其由协和界面科学株式会社制造)，根据悬滴法测定表面张力。
振荡试验
在振荡试验中，将来自发明实施例2B和3以及比较例4的各研磨组合物10ml放置在50ml的样品管中，并将该样品管设置于纵型振荡机(商品名：KMShakerV-SX，岩城产业(IwakiSangyo)株式会社制造)中，并以振荡速度310spm、振荡冲程40mm进行1分钟振荡。振荡后，将样品静置一分钟，并测定距液体表面的泡沫高度。将测定结果示于表6。
表6
与含有专利文献3所公开的嵌段聚醚来代替研磨助剂1的比较例4相比，包含研磨助剂1的发明实施例2B和3具有更低的表面张力值，并由此具有更低的泡沫高度。由此可知，含有研磨助剂可获得消泡性。
能够将上述结果汇总如下。
含有研磨助剂及碱性化合物使研磨速度提高并且使表面粗糙度得到改善。
发现，与含有专利文献3所公开的嵌段聚醚的组成相比，加入研磨助剂使表面张力降低，从而获得高的消泡性。
当还包含水溶性高分子化合物是，LPD大幅降低。
本发明能够体现在各种其它形式中，而不背离其精神或主要特征。因此，上述实施方案在所有方面仅为例示，通过权利要求来确定本发明的范围，而不是由之前的说明书来确定。而且落在权利要求范围内的所有变形或变化旨在包括在权利要求中。
Claims (5)
1.研磨组合物，其包含：
化合物，其包含下述通式(1)所示的具有两个氮原子的烷基胺结构以及至少一个与所述烷基胺结构中的两个氮原子中的一个氮原子结合的嵌段聚醚，所述嵌段聚醚含有氧乙烯基及氧丙烯基；
碱性化合物；以及
研磨剂，
>N-R-N<…(1)
其中，R表示CnH2n所示的亚烷基，n为不小于1的整数；以及
所述研磨组合物的pH值不小于8并且不大于12。
2.如权利要求1所述的研磨组合物，其中所述嵌段聚醚含有选自下述通式(2)至(5)所示的醚基中的至少一种：
-[(EO)a-(PO)b]x-H...(2)
-[(PO)b-(EO)a]x-H...(3)
-(EO)a-[(PO)b-(EO)a]x-H...(4)
-(PO)b-[(EO)a-(PO)b]x-H...(5)
其中，EO表示氧乙烯基，PO表示氧丙烯基，并且a、b和x各自表示不小于1的整数。
3.如权利要求1所述的研磨组合物，其中所述碱性化合物为选自碱金属或碱土金属元素的氢氧化物或碳酸盐、季铵及其盐、伯胺、仲胺及叔胺中的至少一种。
4.如权利要求1所述的研磨组合物，其中所述研磨剂为选自二氧化硅、氧化铝、氧化铈和氧化锆中的至少一种。
5.如权利要求1所述的研磨组合物，其还包含水溶性高分子化合物。
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