TW201606923A - 用於搬運供加工之基板的靜電載體 - Google Patents

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Abstract

說明了一種用於承載基板以搬運通過不同製程的靜電載體。該載體具有一介電質板材與一基部板材，該介電質板材具有一頂側與一底側，且係配置以利用靜電力而於該板材的一頂側上貼附至一基板，且該基部板材耦接至該介電質板材的一底側。電極是形成在基部板材上，且於整個基部板材上延伸而平行於該介電質板材的頂側。該等電極係配置以載送一靜電電荷，且是形成為使得具一第一電荷的電極係置位於具一第二電荷的電極附近。連接器係延伸通過該基部板材至該等電極，以使該等電極耦接至一靜電電荷來源。

Description

用於搬運供加工之基板的靜電載體
本發明與用於搬運供加工之基板的靜電載體有關。
半導體與微機械晶片一般是利用晶圓開始形成，通常是矽晶圓。晶圓一般是圓的，且直徑約為300毫米。然而，偶爾也會使用其他的晶圓形狀。晶片是利用各種不同的處理腔室而形成於晶圓的表面上，這些處理腔室包括電漿、氣相沈積、光微影術及機械處理，例如研磨、機械加工與鑽孔。形成於晶圓上的電路與其他元件一般都是相當薄的，且僅由晶圓厚度的一小部分製成。
為了使半導體和微機械晶片更小，係致力於減少形成基板之晶圓的厚度，在基板上方係形成有主動電路。一種減少晶圓厚度的方式是，在已經於前側上形成電路之後，研磨晶圓的背側。另一個方式是從一開始就使用較薄的晶圓。可惜的是，薄的晶圓容易翹曲與破裂。為了避免翹曲與破裂，先利用黏著劑將厚的晶圓接合至玻璃或矽基板。在接合之後，將晶圓的前側薄化，一般是藉由機械研磨的方式。接著於晶圓的前側上形成電路與其他元件。然後使完成的薄化晶圓自基板脫黏。
說明了一種用於承載一基板以搬運通過不同的製程之靜電載體。該載體具有一介電質板材，該介電質板材具有一頂側與一底側，且係配置以利用靜電力而於該板材的一頂側上貼附至一基板；且該載體具有一基部板材，該基部板材係耦接至該介電質板材的一底側。電極係形成於該基部板材上，並於整個基部板材上延伸平行於該介電質板材的該頂側。該等電極係配置以載送一靜電電荷，並且形成為使得具一第一電荷的電極是置位於具一第二電荷的電極附近。連接器係延伸通過該基部板材而至該等電極，以使該等電極耦接至一靜電電荷來源。
102‧‧‧介電質板材
104‧‧‧基部板材
106‧‧‧電極
108‧‧‧連接器
110A‧‧‧指部
110B‧‧‧指部
202‧‧‧介電質板材
204‧‧‧基部板材
206‧‧‧電極圖案
208‧‧‧連接器
210A‧‧‧正電極
210B‧‧‧負電極
222‧‧‧基部板材
224‧‧‧底板
302‧‧‧介電質板材
304‧‧‧基部板材
306‧‧‧電極
308‧‧‧連接器
310A‧‧‧電極
310B‧‧‧電極
322‧‧‧部件
324‧‧‧底部部件
326‧‧‧電容器部件
402‧‧‧頂板
404‧‧‧基部板材
406‧‧‧電極
408‧‧‧連接器
410A‧‧‧正電極
410B‧‧‧負電極
422‧‧‧頂部部分
426‧‧‧電容器
505‧‧‧接地腔室
500‧‧‧處理系統
515‧‧‧開口
510‧‧‧工作部件
528‧‧‧功率導管
525‧‧‧電漿偏壓功率
530‧‧‧電漿來源功率
529‧‧‧氣體來源
541‧‧‧熱傳流體迴路
535‧‧‧電漿產生元件
543‧‧‧介電層
542‧‧‧夾盤組件
545‧‧‧定位盤
544‧‧‧冷卻基部組件
551‧‧‧排氣閥
549‧‧‧流量控制器
570‧‧‧系統控制器
555‧‧‧堆疊結構
573‧‧‧記憶體
572‧‧‧中央處理單元
575‧‧‧溫度控制器
574‧‧‧輸入/輸出介面
577‧‧‧熱交換器
576‧‧‧加熱器電源
579‧‧‧電源
581‧‧‧閥門
585‧‧‧流量計
602‧‧‧陶瓷板材
604A‧‧‧電極
604B‧‧‧電極
606‧‧‧接觸點
608‧‧‧介電質板材
610‧‧‧晶圓載體
612‧‧‧裝置晶圓
614‧‧‧電源控制器
616‧‧‧箭頭
702‧‧‧矽晶圓
704‧‧‧金屬層
706‧‧‧接觸點
708A‧‧‧電極
708B‧‧‧電極
710‧‧‧晶圓載體
714‧‧‧頂部表面
720‧‧‧裝置晶圓
722‧‧‧控制器
724‧‧‧箭頭
802‧‧‧基部板材
804‧‧‧接觸孔
806‧‧‧介電層
808‧‧‧金屬層
810‧‧‧光阻遮罩
812‧‧‧介電層
814‧‧‧介電層
902‧‧‧基部板材
904‧‧‧第一電極
906‧‧‧第二電極
908‧‧‧空間
1002‧‧‧基部板材
1004‧‧‧第一電極
1006‧‧‧第二電極
1008‧‧‧基部板材
1102‧‧‧頂板
1104‧‧‧電極
1106‧‧‧電極
1202‧‧‧基部板材
1204‧‧‧第一方塊
1206‧‧‧第二方塊
1208‧‧‧第三方塊
1210‧‧‧水平電極
1212‧‧‧方塊
1214‧‧‧方塊
1216‧‧‧方塊
1302‧‧‧電極
1304‧‧‧延伸向上刺部
1306‧‧‧延伸向下刺部
1310‧‧‧極性
1312‧‧‧延伸向下刺部
1314‧‧‧延伸向上刺部
1320
1402‧‧‧晶圓
1404‧‧‧晶圓載體
1406‧‧‧正電極
1408‧‧‧負電極
1410‧‧‧充負電區域
1412‧‧‧充正電區域
1414‧‧‧大箭頭
1416‧‧‧反向力
1420‧‧‧箭頭
1422‧‧‧排斥力
現將藉由舉例、而非限制來說明如附圖式之附圖中的本發明具體實施例，其中：第1A圖與第1B圖為根據本發明一具體實施例之靜電基板載體的截面圖和分解等距圖之圖式；第2A圖與第2B圖為根據本發明一第二具體實施例之靜電基板載體的截面圖和分解等距圖之圖式；第3A圖與第3B圖為根據本發明一第三具體實施例之靜電基板載體的截面圖和分解等距圖之圖式；第4A圖與第4B圖為根據本發明一第四具體實施例之靜電基板載體的截面圖和分解等距圖之圖式； 第5圖為一電漿蝕刻系統的示意圖，該電漿蝕刻系統包括一夾盤組件以固持一基板與根據本發明一具體實施例之基板載體；第6A圖至第6D圖為製造與使用根據本發明一具體實施例之靜電基板載體的操作工件台的等距圖圖式；第7A圖至第7G圖為製造與使用根據本發明一第二具體實施例之靜電基板載體的操作工件台的等距圖圖式；第8A圖至第8F圖為製造與使用根據本發明一第三具體實施例之靜電基板載體的操作工件台的等距圖圖式；第9圖為一電極圖案的上視平面圖，該電極圖案適合用於本文所述之根據本發明一具體實施例的任何基板載體；第10圖為一第二電極圖案的上視平面圖，該第二電極圖案適合用於本文所述之根據本發明一具體實施例的任何基板載體；第11圖為一第三電極圖案的上視平面圖，該第三電極圖案適合用於本文所述之根據本發明一具體實施例的任何基板載體；第12圖為包括一第四電極圖案的放大區段之上視平面圖，該第四電極圖案適合用於本文所述之根據本發明一具體實施例的任何基板載體； 第13圖為包括一第五電極圖案的放大區段之上視平面圖，該第五電極圖案適合用於本文所述之根據本發明一具體實施例的任何基板載體；及第14圖為根據本發明一具體實施例的基板載體與基板上靜電力的側截面圖。
在下述說明中提出了各種細節，然而，熟習本領域技藝者將可明顯理解，本發明可在無這些具體細節下實施。在一些例子中，為避免混淆本發明，習知方法與裝置係以方塊圖的形式呈現而未詳細繪示。如在本說明書中提及「一具體實施例」或「一個具體實施例」時，是指關於該具體實施例所說明的一特定特徵、結構、功能或特性是包含在本發明的至少一個具體實施例中。因此，在本說明書中各種地方所出現的「在一具體實施例中」或「在一個具體實施例中」等用語並不是一定要指本發明的相同具體實施例。此外，該特定特徵、結構、功能或特性係可以任何適當方式組合於一個或多個具體實施例中。舉例而言，一第一具體實施例與一第二具體實施例在與這兩個具體實施例相關聯的這些特定特徵、結構、功能或特性不互相排斥的任何地方皆可加以組合。
如在本發明之描述及如附申請專利範圍中所使用，單數形式用語「一(“a”、“an”)」與「該」係意欲同時涵蓋複數形式，除非上下文中有清楚相反指示。也可 理解本文中所使用之用語「及/或」是意指及涵蓋一個或多個相關所列項目之任何及所有可能組合。
用語「耦接」及「連接」與它們的衍生詞在本文中是用以描述元件之間的功能性或結構性關係。應理解的是，這些用語並不是意指彼此之同義詞。反而是，在特定的具體實施例中，「連接」是用以表示兩個或更多個元件是直接在物理上、光學上或電氣上彼此接觸；「耦接」是用以表示兩個或多個元件為直接或間接(在它們之間還有其他的中間元件)在物理上、光學上或電氣上彼此接觸，及/或這兩個或多個元件係彼此共同協作或互動(例如是效果的關係)。
在本文中所用之用語「上方」、「下方」、「之間」及「上」是指一個元件或材料層對於其他元件或層體的相對位置，其中這些物理關係是值得一提的。舉例而言，在材料層的上下文中，設置於另一層上方或下方的一層係直接與另一層接觸，或可具有一或多層中間層。此外，設置在兩層之間的一層可直接與這兩層接觸，或可具有一或多層中間層。相較之下，在一第二層「上」的一第一層係與該第二層間接接觸。在元件組件的上下文中也有類似的區分。
本發明說明是以用於承載一半導體或矽晶圓之半導體或矽晶圓載體的上下文而呈現，然本發明並不受此限制。晶圓載體係用以承載各種不同的其他類型基板，包 括砷化鎵、鈮酸鋰、非晶性介電質(如玻璃與陶瓷)。晶圓載體係因此而為可適用於各種目的之基板載體。
可產生一晶圓載體，該晶圓載體係靜電地接合至一薄晶圓。靜電接合可藉由中和使晶圓固持於載體的靜電電荷而被電氣釋放。這可避免在釋放黏著性接合時所產生的應力、污染與可能的傷害。靜電晶圓載體可利用具有嵌入的傳導電極之剛性介電質基板而製成。這些電極形成了具有變化寬度與指部間間隙的互相交錯的網。載體厚度可大致為1毫米，而直徑僅略大於晶圓的直徑，例如約為301毫米。
在使用時，先將晶圓置於晶圓載體上。接著透過在整個嵌入的電極上施加高電壓，由一控制單元對載體充電。所施加的電壓在整個晶圓與載體上產生了局部化的雙極靜電吸引，產生晶圓與載體的靜電接合堆疊結構。此一晶圓載體可保持充足的接合達十天以上，無需額外施加任何電壓。接合的堆疊結構可恰如為單一晶圓般地被搬運，以經歷任何相關的半導體或微加工處理步驟。此搬運可包括由真空或靜電夾盤予以承載進出各個處理腔室。
一般而言，在晶圓與載體之間的靜電接合強度對於傳導材料而言是最強的，而絕緣材料是最弱的。然而，可針對每一種材料類型而以本文所述方式使電極佈局與充電演算法最佳化，以能有充足的接合。藉由將一高電容性片材材料併入載體中以增加載體所儲存的電荷量，即可增加接合歷時。
晶圓載體可以各種不同方式予以強化。作為例示，可於載體的外部表面塗敷一疏水性塗層，以確保液體不會進入接合界面中。液體會中和靜電電荷。舉例而言，可於需要濕式化學相容性的應用中使用疏水性塗層。
可使用細微拋光的氮化鋁(AlN)或類似的陶瓷介電質基板來保持平坦性與避免孔隙。例如，氮化鋁具有高介電常數與非常好的抗化學性和抗熱性。這對於接合晶圓將受到張力與剪力的應用是特別有用處的，例如在藉由研磨對晶圓進行薄化的情形。AlN陶瓷介電質也提供了良好的導熱性，這在接合晶圓將受到對於溫度非常敏感的處理時是有用處的，例如PVD(電漿氣相沈積)、CVD(化學氣相沈積)與蝕刻處理。
在本文中說明了能夠內嵌於晶圓載體內的各種不同的電極佈局與型態。電極係經最佳化，以提供強的接合強度與不同應用之電荷載送參數。電極係針對具有額外塗層的晶圓而予以最佳化，例如聚醯亞胺、氧化物、氮化物或層體與塗層的任何其他組合。在使用如玻璃與環氧樹脂等絕緣材料進行接合時，可使用不同的最佳化方式。晶圓係由矽、鈮酸鋰、砷化鎵、或各種其他材料中的任一者。載體也用以承載其他類型之基板。載體的特定設計與型態係適用於不同類型之基板。
第1A圖為根據一個具體實施例之晶圓載體的一部分之截面圖。雖然載體是被稱為晶圓載體，但本發明並不限於此。載體可用以靜電夾取及載送各種不同類型的 基板。此晶圓載體具有完全為氮化鋁之兩部分本體。氮化鋁是一種具有高介電常數與低熱膨脹係數的陶瓷材料。晶圓載體具有上部陶瓷本體102與下部基部板材104。一系列的電極106是形成於基部板材上，而連接器108將電極連接至一外部電源。
頂部介電質板材102係配置以利用電極106所產生的電場而靜電貼附至矽晶圓或其他類型的晶圓(未示)。基部板材係固定至介電質板材，它們兩者一般都是圓形，且具有大致相同的尺寸。如前述說明，板材大致都是與這些板材被設計所要承載的晶圓尺寸相同。對於300毫米的晶圓而言，板材約為305毫米。對於450毫米的晶圓而言，板材約為455毫米。
第1B圖為第1A圖中所述兩部分晶圓載體的分解等軸圖。頂部介電質板材係呈現為具有一平滑頂部表面，如上所述，載體表面係經拋光。接著視情況於頂部上方形成凸塊(未示)，以於頂板與晶圓之間提供一位移。頂部表面的特定型態與形狀係適用於此晶圓載體所要承載的各種不同晶圓。
基部板材104具有形成於陶瓷基部板材104上方的兩組電極106。這兩組不同電極具有相反的電荷，使得第一電極帶正電，而第二電極帶負電(反之亦可)。如圖所示，電極係延伸於一個極性之長指部110A及相反極性之長指部110B中。這兩組指部係於整個電極表面上交替，因此晶圓可於介電質板材102的整個表面上感受到正電場 與負電場間的變化。這些電極指部係因此於整個基部板材表面上互相交錯。
帶有電極的基部板材係接合至頂板，因此電極是在頂板近處、或甚至與頂板相鄰。電極接著會於頂板中產生靜電電場。頂板可製薄，使得靜電電場會施加通過頂板而至兩部分載體所承載的晶圓。電極是嵌在它們受到保護的兩個部件內。電極可透過從基部板材底部穿透至基部板材頂部上電極的連接器108而存取。
第2A圖繪示了晶圓載體的另一種型態，其中頂部介電質板材202係如第1A圖所示為陶瓷，但基部板材是由夾置在一起的兩種不同材料所形成之兩個不同部件形成。基部板材204具有由第一介電材料部件(例如氧化矽、氮化矽或聚醯亞胺)所形成之上部222、以及由第二介電非傳導材料部件(例如裸矽或玻璃)所形成之下部224。電極206的圖案是形成於基部板材上。在所述實例中，電極是形成於基部板材的上部222上，其中連接器208係穿透基部板材的兩個部件，以使電極連接至一外部電源。這允許電極能夠盡可能實施地靠近載體上所要承載的晶圓。
第2B圖為第2A圖之晶圓載體的三個部分的分解等軸圖。如圖所示，頂板202是由陶瓷所形成，例如、但不限於氮化鋁。基部板材222的頂部部分是由矽、聚醯亞胺或非晶性材料(例如玻璃)所形成。電極(正電極210A與負電極210B兩者)係形成於基部板材的頂部上方。電極圖案與第1B圖所示相同，然而，也可於此處及任何其他具 體實施例中使用其他圖案。這些可由旋塗、電鍍、網印或以任何其他方式而形成。
底部部件224接著係接合至頂部部件，以形成單一基部板材204，基部板材204接著被鎖固至介電質板材202。這形成了如第2A圖截面圖所示之夾置結構。或者是，AlN頂板可沈積於基部板材和電極上方。第2A圖之例示晶圓載體會更易於建構，因為基部板材的頂板是由矽或聚醯亞胺材料所形成。這使得標準半導體製程技術可被用以將電極施加於基部板材。在使用標準半導體製程之後，陶瓷基部板材係貼附或形成於基部板材和電極上方，以貼附至承載的晶圓。
第3A圖為晶圓載體的另一種替代實施方式的截面側視圖。介電質板材302係由基部板材304承載。基部板材是由四個部件所製成。基部板材的頂板322是如同第2A圖的實例由氧化矽、氮化矽、聚醯亞胺或各種其他材料中任一種所形成。基部板材的頂部部分承載電極306。基部板材的底部部分324也是由裸矽或玻璃材料所形成。電容器部分326係嵌於基部板材的頂部部件和基部板材的底部部件之間。此一嵌入的電容器可使晶圓載體保持靜電電荷達較久時間。
利用這種架構，電極306上的靜電電荷能夠承載晶圓達數天而不需要對電極施加額外電荷。第3A圖的電極係形成於介電質板材下方，並且由穿透基部板材的連接器308耦接至外部電源。
第3B圖為第3A圖之晶圓載體的分解圖，在此繪示出了基部板材304的每一個部件302、322、326、324。介電質頂板302係貼附或沈積於基部板材304上方，基部板材304包括具有電極310a與310B的聚合物頂部部件、電容器部件326和底部部件324。
第4A圖係以部分截面側視圖的方式繪示了晶圓載體的另一個替代實施方式。陶瓷頂板402係貼附至基部板材404。基部板材包括由氧化矽、氮化矽或聚醯亞胺部件所形成之上部部分422。電極406已經形成於基部板材的上部部分上，這些是於基部板材被貼附至介電質板材時與晶圓載體的介電質板材接觸、或是在相當近處。電極係由對一外部電源之連接器408所啟動。
如在第3A圖之實例中，第4A圖的截面圖式也包括嵌入的電容器426。然而，在此例中，嵌入的電容器426係夾設於基部板材的聚合物上部部分或頂部部分422及基部板材的陶瓷底部部分428之間。如同在第3A圖的實例，不具有裸矽或玻璃板材。
第4B圖為繪示了基部板材404的三個部件的等軸分解視圖。正電極410A與負電極410B係形成於基部板材的頂部部分的頂部上方。如同在第1B圖、第2B圖與第3B圖的實例中，正電極410A是成形為具有大周邊弧體的形式，它具有自該弧體延伸於整個晶圓載體的基部板材上部部分的頂部表面之平行指部。類似地，負電極410B也延伸於頂板的周邊附近。如圖所示，正充電電極係延伸於頂 板的周邊一半附近，而負充電電極係延伸於頂板的周邊的另一半附近。兩個電極接著連接至電極的平行指部，這些平行指部係延伸於頂板的整個表面上。這些指部在位置上是交替的，因此正電極指部是位於兩個負電極指部之間(反之亦同)。電極的交替指部具有用於靜電地固持晶圓之明顯優點，如下文將更詳細說明。
第1A圖至第4A圖的電極係繪示為電極的平行線，它們是在基部板材的整個表面上都是互相交錯的，且在極性上是交替的。電極可形成為各種其他型態。電極的特定型態是適用於任何特定實施方式。在本文中說明了各種不同的電極型態。這些型態中的任一或多種係適用於本文所示的任何不同架構，以實現所需要的完整載體晶圓設計。
第5圖為一晶圓處理系統500的示意圖，該系統係用於低溫化學氣相沈積之電漿蝕刻，或用於各種其他用途。根據本發明一具體實施例，該系統包括一夾盤組件542。處理系統500可為該領域中習知的任何類型之腔室，例如、但不限於EnablerTM、DPS II、AdventEdgeTM G3、E-MAX®、Axiom、Orion或Mesa CIP腔室，它們都是由美國加州應用材料公司所製造。其他的可商業供應之處理腔室係類似地利用本文所述之夾盤組件。雖然例示具體實施例是以電漿蝕刻系統的上下文加以描述，但本文所述的夾盤組件也可適用於用以執行其他製程的其他處理系統(例如電漿沈積系統等)。
處理系統500包括一接地腔室505。處理氣體是從氣體來源529供應，氣體來源529係經由對腔室505內部之流量控制器549連接至該腔室。腔室505是經由連接至高容量真空泵堆疊結構555的排氣閥551而排空。當對腔室505施加電漿功率時，電漿係形成於工作部件510上方的處理區域中。電漿偏壓功率525係耦接至夾盤組件542中以激化電漿。電漿偏壓功率525是在2MHz到60MHz的範圍中。電漿偏壓功率525係經由功率導管528而耦接至較低電極(未示)。一第二電漿來源功率530或同一來源的分支係耦接至一電漿產生元件535，以提供高頻來源功率以感應地激化電漿。電漿來源功率530具有比電漿偏壓功率525更高的頻率，例如介於500與580MHz之間，且可例如在562MHz帶寬中。
工作部件510被負載通過開口515並且被夾置至在腔室內部的夾盤組件542。工作部件510(例如接合至載體的半導體晶圓)可為接合至本文所述之任何各種晶圓載體與變化例的任何類型之晶圓、基板或其他材料。工作部件510係設置在介電層545的頂部表面上、或是在設置於夾盤組件的冷卻基部組件544上方之夾盤組件的定位盤上。夾具電極(未示)是嵌於介電層543中。夾具電極提供靜電力以將晶圓固持至介電質定位盤545，並由電源579予以驅動。
系統控制器570係耦接至各種不同系統，以控制腔室中的製程。控制器570包括溫度控制器575，以執行 溫度控制演算法(例如溫度反饋控制)，且可為軟體或硬體、或軟體與硬體兩者的組合。系統控制器570也包括中央處理單元572、記憶體573與輸入/輸出介面574。溫度控制器自夾盤上的感測器543所接收溫度讀值。溫度感測器可在一冷卻通道附近、在晶圓附近、或置於夾盤的介電質材料中。溫度控制器575使用感測的溫度或多個溫度來輸出控制訊號，所述控制訊號影響夾盤組件542與在電漿腔室505外部的熱源及/或熱沉(例如加熱器電源576與熱交換器577)之間的熱傳速率。加熱器電源提供電流以驅動在夾盤組件542內的一或多個加熱器(未示)。
該系統也包括具有基於溫度反饋迴路而控制之流量的一控制熱傳流體迴路541。在例示具體實施例中，溫度控制器575係耦接至一熱交換器(HTX)/冷卻器577。熱傳流體是以由閥門通過熱傳流體迴路541所控制之速率而流經閥門581。熱傳流體流經夾盤組件542中的導管，然後返至HTX 577。HTX降低熱傳流體的溫度，然後此流體返轉通過迴路而回到夾盤組件。
在HTX 577與夾盤組件542中流體導管之間的閥門581(或其他流量控制裝置)係由溫度控制器575所控制，以控制熱傳流體對流體迴路的流量速率。雖然溫度控制器575、溫度感測器573與閥門581皆繪示為個別的構件，但它們也可為簡化架構與操作而加以組合。在具體實施例中，熱交換器在熱傳流體從流體導管返轉後的熱傳流體溫度，並根據流體的溫度及腔室505的操作狀態所需溫 度而冷卻熱傳流體。在夾盤組件中係使用電加熱器來對夾盤組件施加熱量。
背側氣體來源578(例如加壓氣體來源)或泵與氣體貯槽係經由流量計585或其他類型的閥門而耦接至夾盤組件542。背側氣體可為氬氣、或可於晶圓與定位盤之間提供熱傳導而不影響腔室製程的任何氣體。氣體來源在系統所連接之系統控制器570的控制下泵送氣體通過夾盤組件的一氣體出流口而至晶圓的背側。
第6A圖至第6D圖繪示了建構例如第1A圖中所示晶圓載體的實例。在第6A圖中，一陶瓷板材602(例如氮化鋁板材)是被加工為一剛性基板與絕緣體。該板材具有適用於配合它被設計要承載之晶圓的頂部外表面。一般而言，晶圓是大致為直徑300毫米，因此陶瓷板材具有相同尺寸、或稍微較大。該板材相當薄，例如為1毫米厚，端視於陶瓷材料的本質與結構而定。
在第6B圖中，陶瓷板材602係鍍有銅、鈦、鋁或其他傳導材料，以形成電極604A、604B。根據所需特性而定，也可使用包括不同金屬之各種不同材料。在第6B圖的實例中，電極係形成為第一銅半圓604A以形成正電極、以及一第二銅半圓604B以形成負電極。在某些具體實施例中，銅是先鍍至陶瓷上，然後利用傳統的金屬圖案化技術予以圖案化。藉由圖案化金屬，即可形成本文所述之任一或多種電極型態。
在第6C圖中，已經施用了額外的圖案化。這可用以形成如同例如第1B圖中所示之互相交錯的電極，或是任何其他所需型態。在所述實例中，對陶瓷板材施加接觸點606，以使電極可連接至一外部電壓來源以對電極施加電荷。
在第6D圖中，頂部介電質板材608(例如陶瓷板材)已經接合至第6C圖的基部板材602的頂部。此一完成的晶圓載體係用以將裝置晶圓612靜電貼附至完成的晶圓載體610。一外部電源控制器614係用以對電極施加靜電電荷。這可將裝置晶圓下拉至晶圓載體上，如箭頭616所示。
第7A圖至第7G圖說明了用於形成裝置晶圓載體的替代製程。在第7A圖中，矽晶圓702取代了氮化鋁板材而被使用作為最初起始點。如同第6A圖的陶瓷板材602，此矽晶圓702大致與它所要承載的裝置晶圓相同尺寸、或稍微較大。可使用各種其他材料來取代矽，例如聚醯亞胺玻璃強化基板、玻璃基板、或甚至是陶瓷基板。矽晶圓可薄達0.7毫米，然而特定晶圓厚度係適用於配合任何特定的實施方式。
在第7B圖中，藉由雷射或機械鑽孔對晶圓鑽孔。這形成了電氣連接器之接觸點706。電極係耦接至這些連接器。
在第7C圖中，藉由例如濺鍍、電鍍、電漿氣相沈積或任何各種其他技術於矽晶圓上方施加鋁、銅、鈦、 其他金屬或其他傳導材料。在第7D圖中，形成於矽晶圓上方的金屬層704係經圖案化以形成至少兩個電極708A、708B。這些電極係經圖案化為所示之左側部與右側部，或是如本文其他具體實施例中所述之更複雜形狀。
在第7E圖中，使用電漿氣相沈積濺鍍而於電極上方施加氮化鋁或其他介電質材料之上部層714。在第7F圖中，介電質702的頂部表面714係經拋光以形成表面輪廓。接著以矽基部板材702、電極708A、708B與頂部介電層714來形成晶圓載體710。在第7G圖中，利用控制器722透過接觸點706對電極施加靜電力而將裝置晶圓720貼附至此一完成的晶圓載體。這會將晶圓向下拉向將貼附晶圓之介電質板材，如箭頭724所示。
第8A圖至第8F圖繪示了用以產生第1A圖至第4A圖中任一或多種晶圓載體的另一種替代製程流程。此晶圓載體是由含上述各種不同材料的多層或多個部件所形成。在某些具體實施例中，頂部介電質板材係利用黏著性接合或機械鎖固件(例如螺栓、鉚釘或螺絲)而貼附於基部板材上方。然而，在第8A圖至第8F圖的實例中，頂部介電質板材是藉由化學氣相沈積而形成於基部板材上方。
在第8A圖中，使用一初始基部板材802。此板材可由陶瓷、聚醯亞胺、矽化合物、裸矽、玻璃或任何各種其他材料製成。先以雷射鑽孔、研磨、或蝕刻製備板材，以形成一系列的接觸孔804。在第8B圖中，基部板材802的頂部表面覆有介電質材料，例如二氧化矽。這可利用例 如TEOS(四乙氧基矽烷)或任何各種其他材料的化學氣相沈積而完成。
在第8C圖中，接著以金屬層808覆蓋基部板材的頂部表面。可一起使用鈦或銅的電漿氣相沈積。可替代地，可使用ECP(電機械銅電鍍)於介電層806上方沈積金屬層808。此層係以任何所需拋光形式加以修整，例如化學機械研磨(CMP)。
第8D圖繪示了形成於金屬層上方的光阻遮罩810。此光阻遮罩接著係經顯影與濕式蝕刻，以形成所需的電極圖案。在第8D圖的例示截面圖式中，電極係呈現為在基部板材的整個頂部上之一系列直線。然而，從上視圖觀之，特定型態可更複雜許多。本文所述的任何電極圖案皆可藉由光微影技術而形成。
在第8E圖中，在已經移除光阻之後，利用進一步的化學氣相沈積在銅電極圖案的線之間施加一層介電層812。介電質使每一個電極在電荷被施加於整個電極時可彼此電氣隔離。在第8F圖中，頂部介電層814係藉由氮化鋁的電漿氣相沈積而形成於整個電極上方。第8A圖至第8F圖所示製程能夠在傳統的電漿蝕刻腔室中利用傳統的半導體處理技術形成晶圓載體。
可根據欲承載晶圓及要施加於晶圓的力使用各種不同的電極型態。第9圖說明一種簡單的電極型態，其中該基部板材902係由直徑從基部板材的頂部圓形表面的一側至圓形基部板材的另一側分為兩半。第一電極904佔有 基部板材的頂部表面的圓形的一半，而第二電極906佔有另一半。這讓一個電極被充正電，而另一個電極被充負電。在電極之間有一個空間908，使得電極可在靜電能量已經施加至這兩個電極之後保持它們的電荷。簡單的設計足以固持裝置晶圓通過各種物理干擾。
第10圖說明了一種較複雜的型態，其中該基部板材1002具有一第一電極1004與一第二電極1006。該基部板材1002仍分為一半，然而，這些電極形成了半圓形弧體的路徑，它們同心圍繞於基部板材1008的中心周圍。第一電極的弧體係由第二電極的弧體所圍繞，因此，從基部板材1002的周邊邊緣向基部板材的中心，電極弧體朝中心進行係呈現從正到負交替。這些同心半圓形弧體覆蓋了基部板材的整體表面，且互相交錯為交替的半圓形。
第11圖繪示了一替代具體實施例，其中頂板1102具有兩個電極1104和1106。如在第2B圖的實例中，電極是排列為從基部板材1102的一個側部橫越至基部板材另一側部的互相交錯的線，以於整個基部板材上形成平行指部。然而，在第11圖的實例中，圓形基部板材同樣被平分、或被分為一半成為兩個半圓。在一個半圓上，互相交錯的電極是排列於一第一方向，而在另一個半圓上，互相交錯的電極是從另一側上的方向以一正交方向90°延伸。如第11圖的圖式所示，圓形基部板材的左半部具有如紙面上所示之水平電極，而基部板材1102的右半部具有垂直電極。這使得正負電極之間的交替性在整個板材表面上 更有效率。此外，方向的改變進一步防止晶圓在晶圓載體上的水平平移。如頁面上所示，水平電極防止晶圓向頁面上下移動，而垂直電極防止晶圓在側部上的移動。電極方向的交替性對於晶圓在整個晶圓載體上的任何平移都提供了更大的抵抗性。
第12圖說明了基部板材1202的一部分，其中電極方向的正交變化已經延伸至非常細微節距的電極圖案中。在第12圖的實例中，基部板材1202的頂部的圓形面已經分為矩形方塊格。每一個方塊具有排列在水平或垂直方向中的電極微細圖案。每一個方塊是正的或者是負的。一系列連續方塊在方向上、極性上、或兩者上是交替的。
如圖所示，靠近基部板材的一個邊緣的一部分具有第一方塊1204、第二方塊1206與第三方塊1208之一垂直系列或行。這些方塊全部具有水平電極1210、但在極性上是交替的。在下一行中，三個方塊1212、1214與1216之集合具有垂直電極、但在電荷上是交替的。這些垂直電極方塊與水平電極方塊相鄰，且恰置為緊鄰水平電極方塊。這種水平與垂直電極在電極圖案內整個方塊整體表面上交替的圖案可抵抗在較細微圖案中產生於晶圓上的平移力。這增加了固持於晶圓上抵抗這類平移力的載體能力。
正如同第12圖中的電極圖案是比例如第1B圖的電極圖案更微細許多，本文所示之任何其他電極也可製得更微細許多、或粗糙許多，端視於特定實施方式而定。 利用本文所述之光微影技術，即可形成銅、鈦、鉬或其他電極類型之非常微細圖案。
第13圖說明了可應用於本文所述任何線性電極或弧形電極之進一步電極變化例。每一個電極1302具有自電極另一線性延伸部延伸的一系列刺部或根部。這些刺部係延伸向上1306及延伸向下1304。同樣地，具有相反極性的下一個最接近電極1310具有延伸向下的刺部1312與延伸向上的刺部1314。上電極的向下延伸刺部1312係延伸於下電極的向上延伸刺部1306之間。
因此，除了線性電極1302、1310的交替極性之外，刺部1312也呈現出由刺部1312、1306互相交錯、在極性上也呈交替的較複雜圖案。這些刺部係延伸而與線性電極的主線正交，或是呈一傾斜方向。在所述實例中，刺部係偏離正交方向約30°，然而，刺部與線性電極之間所呈的特定角度係適用於配合任何特定實施方式。這種互扣的刺部圖案產生了正與負電荷的進一步變化，使靜電晶圓載體可抵抗施抵於它所承載晶圓的力量。
第14圖說明一種支撐晶圓1402的晶圓載體1404。在此簡化截面圖中，晶圓載體具有正電極1406與負電極1408。正電極1406於晶圓上產生了充負電區域1410，以將晶圓固持於晶圓載體上。同樣地，充負電的電極1408在晶圓上產生了充正電區域1412。當大平移力(如大箭頭1414所示)被施加於晶圓邊緣以使晶圓平移偏離晶圓載體時，晶圓上正電極1406與負電區域1410所具靜電 電荷即可抵抗此力。當晶圓以圖式上所示左方方向平移時，會有相反方向的反向力1416產生。此反向力是因為在電極與晶圓上相反充電的區域之間的吸引力所致，如箭頭1408與1420所示。
此外，在負電極1408與晶圓1402的充負電區域1410之間會有一排斥力1422。在晶圓載體和晶圓之間的吸引力、以及載體與晶圓之間的排斥力會將晶圓推回它的原始位置，傾向於利用平移力回復晶圓。藉由增加晶圓上正負區域的數量，即可增加回復的排斥力1422的數量。雖然每一個區域的電荷量不會增加，但區域數量及排斥力都會增加。因此，在整個基部板材整體表面上的微細圖案係傾向於比例如第9圖中所示的簡單雙極性半圓形圖案更能有效排斥平移力1414。
應理解的是，上述說明意欲作為例示用、而非限制用。舉例而言，雖然圖式中的連續圖說明了本發明特定具體實施例所執行的特定操作次序，但應理解這種次序並非必要(例如，替代具體實施例可以不同次序來執行操作、可組合某些操作、可重複某些操作等)。此外，具該領域技術之人在研讀與理解上述說明後，顯然可知曉許多其他具體實施例。雖然本發明已經參照特定例示具體實施例來說明，但可知本發明並不限於所述具體實施例，而是能在如附申請專利範圍的精神與範疇內進行修飾與調整而實施。因此，本發明的範疇應參照如附申請專利範圍、連同這些請求項所主張內容之等效例的完整範疇來決定。
102‧‧‧介電質板材
104‧‧‧基部板材
106‧‧‧電極
108‧‧‧連接器
110A‧‧‧指部
110B‧‧‧指部

Claims (20)

  1. 一種載體，用以承載一供加工之基板，該載體包括：一介電質板材，該介電質板材具有一頂側與一底側，且係配置以利用靜電力而於該板材的一頂側上貼附至一基板；一基部板材，耦接至該介電質板材的一底側；電極，形成於該基部板材上並且於整個該基部板材上延伸而平行於該介電質板材的該頂側，該等電極係配置以運載一靜電電荷，且係形成以使得一第一電荷之電極係置位於靠近一第二電荷之電極處；及連接器，延伸通過該基部板材而至該等電極，以使該等電極耦接至一靜電電荷來源。
  2. 如請求項1所述之載體，其中該基部板材包括一陶瓷盤，且該等電極係形成於該陶瓷上方，使得該等電極係與該陶瓷相鄰。
  3. 如請求項1所述之載體，其中該基部板材包括一陶瓷底板與一聚合物頂板，以及其中該等電極係形成於該聚合物頂板上。
  4. 如請求項1所述之載體，其中該基部板材包括一非晶性底板與一聚合物頂板，以及其中該等電極係形成於該聚合物頂板上。
  5. 如請求項4所述之載體，其中該非晶性底板係由一玻璃形成，且該聚合物頂板係由一矽膠形成。
  6. 如請求項4所述之載體，進一步包括在該底板與該頂板之間的一嵌入電容器。
  7. 如請求項1所述之載體，其中該等電極形成互相交錯的正負電荷平行線。
  8. 如請求項1所述之載體，其中該等電極於該基部板材的周邊附近形成一弧體，其中平行線係自該弧體延伸於整個該基部板材，且其中該等平行線係互相交錯。
  9. 如請求項7所述之載體，其中該等平行線包括自該等平行線延伸之尖齒部，一個電極的尖齒部係於該一個電極的任一側上延伸於另一個電極的尖齒部之間。
  10. 如請求項7所述之載體，其中該等尖齒部係以偏離正交之一角度自該等平行線延伸。
  11. 如請求項1所述之載體，其中該基板是一薄化矽晶圓，且所述加工是在一處理腔室中的一半導體製程。
  12. 一種使一載體承載一供加工之基板的方法，該方法包括：於一基板上方沈積一傳導層；圖案化該傳導層為正與負電極；於該傳導層及該基板上方沈積一介電層；及 於該介電層上方沈積一陶瓷層。
  13. 如請求項12所述之方法，進一步包括在沈積該傳導層之前，於該基板上方沈積一介電層。
  14. 如請求項12所述之方法，其中沈積一傳導層包括藉由化學氣相沈積施加一金屬層，並藉由化學機械研磨拋光該金屬層。
  15. 如請求項12所述之方法，其中圖案化該傳導層包括施加一光阻，圖案化該光阻，及蝕刻該傳導層以形成該圖案。
  16. 如請求項12所述之方法，其中沈積一陶瓷層包括藉由化學氣相沈積沈積氮化鋁。
  17. 如請求項16所述之方法，進一步包括拋光該氮化鋁。
  18. 一種供半導體製程用之晶圓載體，該載體包括：一基部板材，具有一第一與第二介電層，及在該第一與第二介電層之間的一電容層；形成於該第一介電層上方之複數個互相交錯的電極，該等電極載送一第一靜電電荷，使得所述互相交錯的電極在充電時係於正與負電荷之間交替；及在該基部板材的頂部介電層上方之一陶瓷板材，該陶瓷板材具有配置以承載一矽晶圓之一頂部表面。
  19. 如請求項18所述之晶圓載體，其中該陶瓷板材係由氮化鋁藉由化學氣相沈積形成於該頂部介電層上方。
  20. 如請求項18所述之晶圓載體，其中該等電極係藉由於該頂部介電層上方沈積一金屬層並利用光微影術圖案化該金屬層而形成。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI752489B (zh) * 2020-05-08 2022-01-11 特銓股份有限公司 用於無線靜電吸盤之粘脫設備、自動粘脫系統及其粘脫方法
TWI826845B (zh) * 2020-10-19 2023-12-21 美商應用材料股份有限公司 多壓雙極性靜電夾持

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015013142A1 (en) 2013-07-22 2015-01-29 Applied Materials, Inc. An electrostatic chuck for high temperature process applications
KR20170124620A (ko) 2013-08-05 2017-11-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인-시츄 제거 가능한 정전 척
JP6518666B2 (ja) 2013-08-05 2019-05-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 薄い基板をハンドリングするための静電キャリア
JP6441927B2 (ja) 2013-08-06 2018-12-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 局部的に加熱されるマルチゾーン式の基板支持体
WO2015042309A1 (en) 2013-09-20 2015-03-26 Applied Materials, Inc. Substrate carrier with integrated electrostatic chuck
US9460950B2 (en) 2013-12-06 2016-10-04 Applied Materials, Inc. Wafer carrier for smaller wafers and wafer pieces
US10153191B2 (en) 2014-05-09 2018-12-11 Applied Materials, Inc. Substrate carrier system and method for using the same
KR20170002603A (ko) 2014-05-09 2017-01-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 보호 커버링을 갖는 기판 캐리어 시스템
US9959961B2 (en) 2014-06-02 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Permanent magnetic chuck for OLED mask chucking
WO2016195945A1 (en) 2015-06-04 2016-12-08 Applied Materials, Inc. Transparent electrostatic carrier
JP2017157641A (ja) * 2016-02-29 2017-09-07 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
US20180025931A1 (en) 2016-07-22 2018-01-25 Applied Materials, Inc. Processed wafer as top plate of a workpiece carrier in semiconductor and mechanical processing
JP7190802B2 (ja) * 2017-02-16 2022-12-16 日本特殊陶業株式会社 静電チャックおよび基板保持方法
CN107611076B (zh) * 2017-09-05 2019-11-15 苏州威格尔纳米科技有限公司 一种衬底吸附平台
US20190115241A1 (en) * 2017-10-12 2019-04-18 Applied Materials, Inc. Hydrophobic electrostatic chuck
US11094573B2 (en) 2018-11-21 2021-08-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for thin wafer carrier
CN112864072A (zh) * 2019-11-28 2021-05-28 上海新微技术研发中心有限公司 衬底的加工方法
EP3971647A1 (en) * 2020-09-16 2022-03-23 ASML Netherlands B.V. Base plate and substrate assembly
US20230290665A1 (en) * 2020-09-16 2023-09-14 Asml Netherlands B.V. Base plate and substrate assembly
US20240120229A1 (en) * 2022-10-07 2024-04-11 Applied Materials, Inc. Bipolar electrostatic chuck for etch chamber

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4962441A (en) * 1989-04-10 1990-10-09 Applied Materials, Inc. Isolated electrostatic wafer blade clamp
JP3101354B2 (ja) * 1990-07-20 2000-10-23 東京エレクトロン株式会社 静電チャック及びこの静電チャックを備えたプラズマ装置
JP3095790B2 (ja) 1991-01-22 2000-10-10 富士電機株式会社 静電チャック
JPH05315429A (ja) * 1992-05-07 1993-11-26 Hitachi Ltd 半導体製造装置の搬送装置
JPH07161803A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Tokyo Electron Ltd アルミニウム部材とポリベンズイミダゾール部材との接合方法、静電チャックの電極構造およびその製造方法
JPH08507196A (ja) * 1994-01-31 1996-07-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 共形な絶縁体フィルムを有する静電チャック
US5788814A (en) * 1996-04-09 1998-08-04 David Sarnoff Research Center Chucks and methods for positioning multiple objects on a substrate
JPH11354504A (ja) 1998-06-08 1999-12-24 Sony Corp ガラス基板処理装置
JP3323135B2 (ja) * 1998-08-31 2002-09-09 京セラ株式会社 静電チャック
US7027283B2 (en) * 2000-08-02 2006-04-11 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Mobile holder for a wafer
JP2002324834A (ja) * 2002-04-03 2002-11-08 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置、静電チャック用積層シート、および静電チャック用接着剤
JP2004260088A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Taiheiyo Cement Corp 静電チャック
JP2004356350A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Kyocera Corp 静電チャック
DE102005056364B3 (de) * 2005-11-25 2007-08-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Bipolarer Trägerwafer und mobile, bipolare, elektrostatische Waferanordnung
JP2008028297A (ja) 2006-07-25 2008-02-07 Zaiken:Kk 静電チャック
JP2008041993A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック
US7619870B2 (en) * 2006-08-10 2009-11-17 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck
TW200832604A (en) * 2006-10-31 2008-08-01 Tomoegawa Co Ltd Electrostatic chuck device
JP2008244149A (ja) 2007-03-27 2008-10-09 Taiheiyo Cement Corp 静電チャック及びその製造方法
US7972444B2 (en) * 2007-11-07 2011-07-05 Mattson Technology, Inc. Workpiece support with fluid zones for temperature control
US7929269B2 (en) * 2008-09-04 2011-04-19 Momentive Performance Materials Inc. Wafer processing apparatus having a tunable electrical resistivity
US9460950B2 (en) * 2013-12-06 2016-10-04 Applied Materials, Inc. Wafer carrier for smaller wafers and wafer pieces

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI752489B (zh) * 2020-05-08 2022-01-11 特銓股份有限公司 用於無線靜電吸盤之粘脫設備、自動粘脫系統及其粘脫方法
TWI826845B (zh) * 2020-10-19 2023-12-21 美商應用材料股份有限公司 多壓雙極性靜電夾持

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