TW202243189A - 靜電吸盤及半導體製造裝置 - Google Patents

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上藤淳平
梅津智樹
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Abstract

本發明的課題為提供一種可提高周向上的冷卻氣體分布的均勻性之靜電吸盤。 本發明的解決手段為一種靜電吸盤，其特徵在於包含：陶瓷介電質基板及底板，陶瓷介電質基板具有：第一、第二主表面；從第一主表面朝第二主表面凹陷之溝部；貫通溝部與第二主表面之間之複數個冷卻氣體用孔，溝部具有第一、第二周向溝及第一、第二徑向溝，複數個冷卻氣體用孔具有：以平面視看與第一徑向溝重疊之第一孔及以平面視看與第二徑向溝重疊之第二孔，底板具有將冷卻氣體供給到第一孔及第二孔之氣體導入道，第一周向溝具有：位於周向的一端側之第一端部及位於另一端側之第二端部，第二周向溝具有：位於周向的一端側之第三端部及位於另一端側之第四端部，第三端部及第四端部分別在徑向上不與第一端部重疊。

Description

靜電吸盤及半導體製造裝置
本發明的態樣一般是關於靜電吸盤(electrostatic chuck)及半導體製造裝置。
在進行蝕刻(etching)、CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)、濺鍍(sputtering)、離子注入(ion implantation)、灰化(ashing)等的電漿處理反應室(plasma processing chamber)內，靜電吸盤被使用當作吸附保持半導體晶圓(semiconductor wafer)或玻璃基板(glass substrate)等的處理對象物的手段(means)。靜電吸盤是將靜電吸附用電力施加於內建的電極，透過靜電力吸附矽晶圓等的基板。
伴隨著近年來的半導體元件(semiconductor device)的微細化，要求更進一步提高藉由蝕刻等進行的晶圓的加工精度。已知有晶圓的加工精度取決於加工時的晶圓的溫度。因此，為了提高晶圓的加工精度，要求均勻地控制靜電吸盤的表面溫度。
作為控制靜電吸盤的表面溫度的手段，已知有如下方法：設置與將冷卻氣體供給到靜電吸盤(陶瓷介電質基板(ceramic dielectric substrate))的表面的冷卻氣體用孔連通的溝，透過該溝使冷卻氣體流遍靜電吸盤的表面。例如在專利文獻1中揭示有如下的溝圖案：配置複數個延伸於周向的周向溝成同心圓狀，再者藉由將該等周向溝與延伸於徑向的徑向溝連接，使冷卻氣體流遍靜電吸盤的表面。
但是，在專利文獻1的溝圖案中，各周向溝在途中被中斷，各周向溝的端部在徑向上對齊成直線狀。因此，在專利文獻1的溝圖案中，在各周向溝的端部聚集的區域中，冷卻氣體難以流遍，有周向上的冷卻氣體分布的均勻性降低之虞。
[專利文獻1] 日本國特開2001-110883號公報
本發明是基於如此的課題的認識所進行的創作，其目的為提供一種可提高周向上的冷卻氣體分布的均勻性之靜電吸盤及半導體製造裝置。
第一發明為一種靜電吸盤，其特徵在於包含：以平面視看為圓形之陶瓷介電質基板；底板(base plate)，支撐前述陶瓷介電質基板，前述陶瓷介電質基板具有：載置處理對象物之第一主表面(principal surface)，和與前述第一主表面相反側之第二主表面，和從前述第一主表面朝前述第二主表面凹陷之溝部，和貫通前述溝部與前述第二主表面之間且可通過冷卻氣體而被設置之複數個冷卻氣體用孔，前述溝部具有：延伸於周向之第一周向溝，和延伸於周向且至少一部分在徑向上與前述第一周向溝相鄰之第二周向溝，和延伸於徑向且與前述第一周向溝交叉之第一徑向溝，和延伸於徑向且與前述第二周向溝交叉之第二徑向溝，前述複數個冷卻氣體用孔具有：以平面視看與前述第一徑向溝重疊之第一孔，和以平面視看與前述第二徑向溝重疊之第二孔，前述底板具有將前述冷卻氣體供給到前述第一孔及前述第二孔之氣體導入道，前述第一周向溝具有：位於周向的一端側之第一端部，和位於周向的另一端側之第二端部，前述第二周向溝具有：位於周向的前述一端側之第三端部，和位於周向的前述另一端側之第四端部，前述第三端部及前述第四端部分別在徑向上不與前述第一端部重疊。
依照該靜電吸盤，藉由以第二周向溝的第三端部及第四端部分別在徑向上不與第一周向溝的第一端部重疊的方式被配置，可抑制第一周向溝的端部與第二周向溝的端部在徑向上對齊成直線狀。據此，可抑制冷卻氣體難以流遍的區域的產生，可提高周向上的冷卻氣體分布的均勻性。而且，近年來為了提高加工精度，陶瓷介電質基板的構造複雜化，有無法將複數個冷卻氣體用孔配置在同一圓周上的情形。當複數個冷卻氣體用孔不配置在同一圓周上時，有依照溝圖案的形狀而使周向上的冷卻氣體分布的均勻性降低之虞。相對於此，依照該靜電吸盤，即使是複數個冷卻氣體用孔不配置在同一圓周上的情形，也可提高周向上的冷卻氣體分布的均勻性。
第二發明為一種靜電吸盤，其特徵在於包含：以平面視看為圓形之陶瓷介電質基板；底板，支撐前述陶瓷介電質基板，前述陶瓷介電質基板具有：載置處理對象物之第一主表面，和與前述第一主表面相反側之第二主表面，和從前述第一主表面朝前述第二主表面凹陷之溝部，和貫通前述溝部與前述第二主表面之間且可通過冷卻氣體而被設置之複數個冷卻氣體用孔，前述溝部具有：延伸於周向之第一周向溝，和延伸於周向且至少一部分在徑向上與前述第一周向溝相鄰之第二周向溝，和延伸於徑向且與前述第一周向溝交叉之第一徑向溝，和延伸於徑向且與前述第二周向溝交叉之第二徑向溝，前述複數個冷卻氣體用孔具有：以平面視看與前述第一周向溝重疊之第一孔，和以平面視看與前述第二周向溝重疊之第二孔，前述底板具有將前述冷卻氣體供給到前述第一孔及前述第二孔之氣體導入道，前述第一周向溝具有：位於周向的一端側之第一端部，和位於周向的另一端側之第二端部，前述第二周向溝具有：位於周向的前述一端側之第三端部，和位於周向的前述另一端側之第四端部，前述第三端部及前述第四端部分別在徑向上不與前述第一端部重疊。
依照該靜電吸盤，藉由以第二周向溝的第三端部及第四端部分別在徑向上不與第一周向溝的第一端部重疊的方式被配置，可抑制第一周向溝的端部與第二周向溝的端部在徑向上對齊成直線狀。據此，可抑制冷卻氣體難以流遍的區域的產生，可提高周向上的冷卻氣體分布的均勻性。而且，依照該靜電吸盤，即使是複數個冷卻氣體用孔不配置在同一圓周上的情形，也可提高周向上的冷卻氣體分布的均勻性。
第三發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明或第二發明中，從前述第一徑向溝與前述第一周向溝的交點到前述第一孔的距離和從前述第二徑向溝與前述第二周向溝的交點到前述第二孔的距離相等。
依照該靜電吸盤，藉由使從第一徑向溝與第一周向溝的交點到第一孔的距離和從第二徑向溝與第二周向溝的交點到第二孔的距離相等，即使是第一孔與第二孔不配置在同一圓周上的情形，也可提高周向上的冷卻氣體分布的均勻性。
第四發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第三發明中的任一項發明中，前述第三端部及前述第四端部分別在徑向上不與前述第二端部重疊。
依照該靜電吸盤，藉由以第二周向溝的第三端部及第四端部分別在徑向上不與第一周向溝的第二端部重疊的方式被配置，可抑制第一周向溝的端部與第二周向溝的端部在徑向上對齊成直線狀。據此，可更抑制冷卻氣體難以流遍的區域的產生，可更提高周向上的冷卻氣體分布的均勻性。
第五發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第四發明中的任一項發明中，前述第一周向溝具有包含周向上的中央之中央區域，前述第三端部在徑向上與前述中央區域重疊。
依照該靜電吸盤，藉由以第二周向溝的第三端部在徑向上與第一周向溝的中央區域重疊的方式被配置，可更提高周向上的冷卻氣體分布的均勻性。
第六發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第五發明中，前述第三端部位於比前述第一周向溝的周向上的前述中央還靠周向的前述另一端側。
依照該靜電吸盤，藉由第二周向溝的第三端部位於比第一周向溝的周向上的中央還靠周向的另一端側，可更提高周向上的冷卻氣體分布的均勻性。
第七發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第六發明中，前述第四端部位於比前述第二端部還靠周向的前述另一端側。
依照該靜電吸盤，藉由第二周向溝的第四端部位於比第一周向溝的第二端部還靠周向的另一端側，可更提高周向上的冷卻氣體分布的均勻性。
第八發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第七發明中的任一項發明中，更具備將前述陶瓷介電質基板加熱之加熱器(heater)。
依照該靜電吸盤，即使是配設有加熱器的情形，也可提高周向上的冷卻氣體分布的均勻性。
第九發明為一種半導體製造裝置，其特徵在於包含：第一發明至第八發明中的任一項發明之靜電吸盤，和透過前述氣體導入道將前述冷卻氣體供給到前述第一孔及前述第二孔之氣體供給部。
依照該半導體製造裝置，可更均勻地控制靜電吸盤的表面溫度，可提高藉由蝕刻等進行的晶圓的加工精度。
依照本發明的態樣，可提供可提高周向上的冷卻氣體分布的均勻性之靜電吸盤及半導體製造裝置。
以下就本發明的實施的形態一邊參照圖式，一邊進行說明。此外各圖式中，對同樣的構成元件附加同一符號而適宜省略詳細的說明。
圖1是示意地顯示與第一實施形態有關的靜電吸盤之剖面圖。 如圖1所示，與第一實施形態有關的靜電吸盤100具備陶瓷介電質基板10與底板20與加熱器30。
陶瓷介電質基板10例如為由多晶陶瓷燒結體(polycrystalline ceramics sintered compact)構成的平板狀的基材。作為包含於陶瓷介電質基板10的結晶的材料，例如可舉出：Al2O3、Y2O3及YAG(釔鋁石榴石(yttrium aluminum garnet))等。藉由使用這種材料，可提高陶瓷介電質基板10中的紅外線透過性、絕緣耐性及電漿耐久性(plasma durability)。
陶瓷介電質基板10具有第一主表面11與第二主表面12與溝部13與複數個冷卻氣體用孔14。第一主表面11露出於外部，是載置半導體晶圓等的處理對象物W的面。第二主表面12是與第一主表面11相反側的面。溝部13是從第一主表面11朝第二主表面12凹陷的凹部。複數個冷卻氣體用孔14貫通溝部13與第二主表面12之間。複數個冷卻氣體用孔14係冷卻氣體可通過而被設置。複數個冷卻氣體用孔14與溝部13連通。據此，溝部13使從複數個冷卻氣體用孔14供給的冷卻氣體擴散在第一主表面11。關於溝部13及複數個冷卻氣體用孔14係於後述。
在本案說明書中，將對第一主表面11垂直的方向當作Z方向。Z方向換言之是連結第一主表面11與第二主表面12的方向。而且，將與Z方向正交的方向之一當作X方向，將正交於Z方向及X方向的方向當作Y方向。在本案說明書中，[面內]是指例如X-Y平面內。而且，在本案說明書中，[平面視]是表示沿著Z方向看的狀態。
第一主表面11例如具有平面部11a與突起部11b。平面部11a例如為對第二主表面12平行的面。突起部11b從平面部11a朝與第二主表面12相反側突出。處理對象物W被載置於突起部11b之上，藉由突起部11b支撐。突起部11b與處理對象物W的背面相接。藉由配設突起部11b，可在載置於靜電吸盤100的處理對象物W的背面與平面部11a之間形成空間。藉由適宜選擇突起部11b的高度、數量、突起部11b的面積比率、形狀等，例如可使附著於處理對象物W的微粒(particle)成較佳的狀態。
在陶瓷介電質基板10的內部配設有電極層15。電極層15介設於第一主表面11與第二主表面12之間。也就是說，電極層15以插入陶瓷介電質基板10之中的方式形成。電極層15被一體燒結於陶瓷介電質基板10。此外，電極層15不被限定於介設於第一主表面11與第二主表面12之間，也可以附設於第二主表面12。
在電極層15配設有延伸於陶瓷介電質基板10的第二主表面12側的連接部16。連接部16是與電極層15導通的介層(via)(實心型)或介層孔(via hole)(空心型)，或者是藉由硬銲(brazing)等的適切的方法連接金屬端子者。
靜電吸盤100藉由從吸附用電源505對電極層15施加電壓(吸附用電壓)，在電極層15的第一主表面11側產生電荷，藉由靜電力吸附保持處理對象物W。
電極層15沿著第一主表面11及第二主表面12被配設。電極層15是用以吸附保持處理對象物W的吸附電極。電極層151既可以是單極型也可以是雙極型。而且，電極層15也可以是三極型以及其他的多極型。電極層15的數量及電極層15的配置可適宜選擇。
底板20配設於陶瓷介電質基板10的第二主表面12側，支撐陶瓷介電質基板10。底板20例如是鋁等的金屬製。
底板20例如分成上部20a與下部20b。在上部20a與下部20b之間設置有連通道25。連通道25係一端側連接於輸入道21，另一端側連接於輸出道22。
底板20也發揮進行靜電吸盤100的溫度調整的作用。例如在將靜電吸盤100冷卻的情形下，從輸入道21流入氦氣等的冷卻介質(cooling medium)，使其通過連通道25從輸出道22流出。據此，藉由冷卻介質吸收底板20的熱，可冷卻安裝在其上的陶瓷介電質基板10。另一方面，在將靜電吸盤100保溫的情形下，也可將保溫介質放入連通道25內。
而且，在底板20至少設置有1個氣體導入道23。在該例子中，在底板20設置有複數個氣體導入道23。各氣體導入道23以例如在Z方向上貫通底板20的方式被設置。複數個氣體導入道23分別與陶瓷介電質基板10的複數個冷卻氣體用孔14連通。據此，從底板20的氣體導入道23導入的冷卻氣體通過陶瓷介電質基板10的冷卻氣體用孔14，沿著與冷卻氣體用孔14連通的溝部13擴散在第一主表面11。氣體導入道23如後述，也可以在底板20的內部分岔(參照圖14)。
在冷卻氣體用孔14從氣體供給部24供給有冷卻氣體(參照圖13、圖14)。氣體供給部24連接於氣體導入道23，透過氣體導入道23將冷卻氣體供給到冷卻氣體用孔14。氣體供給部24例如控制所供給的冷卻氣體的壓力或冷卻氣體的供給開始及供給停止。
在該例子中，複數個氣體導入道23連接於1個氣體供給部24。也就是說，在該例子中，從1個氣體供給部24透過複數個氣體導入道23使冷卻氣體供給到複數個冷卻氣體用孔14。換言之，在該例子中，複數個冷卻氣體用孔14藉由1個氣體供給部24控制。被供給到各冷卻氣體用孔14的冷卻氣體的壓力例如分別相同。
在實施形態中，也可以1個氣體導入道23與複數個冷卻氣體用孔14連接(連通)。即使是此情形，連接於該1個氣體導入道23的複數個冷卻氣體用孔14也藉由1個氣體供給部24控制。
在該例子中，在氣體導入道23與冷卻氣體用孔14的連接部設置有第一多孔質部41與第二多孔質部42。第一多孔質部41設置在冷卻氣體用孔14的內部。第二多孔質部42設置在氣體導入道23的內部。第一多孔質部41及第二多孔質部42在Z方向上互相對向。
第一多孔質部41及第二多孔質部42的材料例如可以是具有絕緣性的陶瓷。第一多孔質部41及第二多孔質部42例如包含氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)及氧化釔(Y2O3)的至少任一個。此外，第一多孔質部41及第二多孔質部42係依照需要設置，可省略。
加熱器30將陶瓷介電質基板10加熱。藉由加熱器30將陶瓷介電質基板10加熱而透過陶瓷介電質基板10將處理對象物W加熱。在該例子中，加熱器30與陶瓷介電質基板10不同體，加熱器30配設於陶瓷介電質基板10與底板20之間。加熱器30例如透過接著層接著於底板20。加熱器30例如透過接著層接著於陶瓷介電質基板10。
此外，加熱器30以插入陶瓷介電質基板10之中的方式形成也可以。換言之，加熱器30也可以內建於陶瓷介電質基板10。加熱器30係依照需要設置，可省略。
圖2是示意地顯示與第一實施形態有關的陶瓷介電質基板之俯視圖。 圖3是示意地顯示與第一實施形態有關的陶瓷介電質基板的一部分之俯視圖。 圖2及圖3是從第一主表面11側看陶瓷介電質基板10時之俯視圖。 圖3是圖2所示的區域R1之放大圖。 如圖2及圖3所示，陶瓷介電質基板10以平面視看為圓形。
在陶瓷介電質基板10的第一主表面11側設置有溝部13。溝部13具有周向溝部60與徑向溝部70。周向溝部60具有延伸於周向Dc且排列於徑向Dr的複數個周向溝。徑向溝部70具有延伸於徑向Dr且排列於周向Dc的複數個徑向溝。複數個徑向溝的至少一部分與複數個周向溝的至少一部分交叉。周向Dc是指沿著以陶瓷介電質基板10的中心CT為中心的圓的圓周的方向。徑向Dr是指從陶瓷介電質基板10的中心CT朝向陶瓷介電質基板10的外緣10a的方向。
在該例子中，周向溝部60具有在徑向Dr上排列的複數個周向溝60a～60e。各周向溝60a～60e在徑向Dr上，從最外周朝中心CT以周向溝60a、周向溝60b、周向溝60c、周向溝60d、周向溝60e的順序排列。各周向溝60a～60e設置在以中心CT為中心具有不同的半徑的同心圓的圓周上。各周向溝60a～60e在徑向Dr上被設置成等間隔。在該等周向溝60a～60e之中，以在徑向Dr上互相相鄰的2個當作第一周向溝61及第二周向溝62。
以下，雖然以周向溝60b當作第一周向溝61，以位於比第一周向溝61還靠徑向Dr的內側且與第一周向溝61相鄰的周向溝60c當作第二周向溝62進行說明，但是第一周向溝61及第二周向溝62不被限定於此。只要第一周向溝61及第二周向溝62為在徑向Dr上互相相鄰的任2個周向溝即可。也就是說，例如周向溝60c為第一周向溝61，周向溝60d為第二周向溝62也可以。而且，第二周向溝62是位於比第一周向溝61還靠徑向Dr的外側且與第一周向溝61相鄰的周向溝也可以。也就是說，例如周向溝60c為第一周向溝61，周向溝60b為第二周向溝62也可以。
第二周向溝62的至少一部分在徑向Dr上與第一周向溝61重疊。既可以第二周向溝62的全部在徑向Dr上與第一周向溝61重疊，也可以僅第二周向溝62的一部分在徑向Dr上與第一周向溝61重疊。也就是說，第二周向溝62的一部分在徑向Dr上不與第一周向溝61重疊也可以。在該例子中，僅第二周向溝62的一部分在徑向Dr上與第一周向溝61重疊。
此外，在徑向Dr上排列的複數個周向溝的數量不被限定於5，只要為2以上即可。而且，在徑向Dr上排列的複數個周向溝之間的間隔不是等間隔也可以。
而且，在該例子中，各周的周向溝在同一圓周上不連續地設置有複數個。更具體而言，周向溝60a在同一圓周上不連續地設置有2個。設置在同一圓周上的各周向溝60a的周向Dc上的長度為同一。而且，周向溝60b在同一圓周上不連續地設置有5個。設置在同一圓周上的各周向溝60b的周向Dc上的長度為同一。而且，周向溝60c在同一圓周上不連續地設置有5個。設置在同一圓周上的各周向溝60c的周向Dc上的長度為同一。周向溝60d在同一圓周上不連續地設置有5個。設置在同一圓周上的各周向溝60d的周向Dc上的長度為同一。周向溝60e在同一圓周上不連續地設置有10個。設置在同一圓周上的各周向溝60e的周向Dc上的長度為同一。設置在同一圓周上的周向溝的數量例如為2以上較佳。
在該例子中，徑向溝部70具有在周向Dc上排列的複數個徑向溝70a～70j。各徑向溝70a～70j在周向Dc上，順時針旋轉以徑向溝70a、徑向溝70b、徑向溝70c、徑向溝70d、徑向溝70e、徑向溝70f、徑向溝70g、徑向溝70h、徑向溝70i、徑向溝70j的順序排列。各徑向溝70a～70j在周向Dc上被設置成等間隔。在該等徑向溝70a～70j之中，以與第一周向溝61交叉的1個當作第一徑向溝71，以與第二周向溝62交叉的1個當作第二徑向溝72。而且，以第一徑向溝71與第一周向溝61的交點當作交點P1，以第二徑向溝72與第二周向溝62的交點當作交點P2。第一徑向溝71及第二徑向溝72例如在周向Dc上互相相鄰。在該例子中，徑向溝70a是第一徑向溝71，徑向溝70j是第二徑向溝72。
第二徑向溝72的至少一部分在周向Dc上與第一徑向溝71重疊較佳。在該例子中，徑向溝70a～70j的全部從周向溝60a延伸至周向溝60e。也就是說，在該例子中，第二徑向溝72的全部在周向Dc上與第一徑向溝71重疊。
此外，在周向Dc上排列的複數個徑向溝的數量不被限定於10，只要為2以上即可。在周向Dc上排列的複數個徑向溝的數量，例如與設置在同一圓周上的第一周向溝61的數量和設置在同一圓周上的第二周向溝62的數量之合計相等。而且，在周向Dc上排列的複數個徑向溝之間的間隔不是等間隔也可以。
如圖3所示，第一周向溝61具有第一端部61a與第二端部61b。第一端部61a位於第一周向溝61的周向Dc的一端側。第二端部61b位於第一周向溝61的周向Dc的另一端側。第二周向溝62具有第三端部62a與第四端部62b。第三端部62a位於第二周向溝62的周向Dc的一端側。第四端部62b位於第二周向溝62的周向Dc的另一端側。此外，在該例子中，雖然以順時針旋轉的方向的端部當作一端側，以逆時針旋轉的方向的端部當作另一端側，但是一端側與另一端側相反也可以。
第二周向溝62的第三端部62a在徑向Dr上不與第一周向溝61的第一端部61a重疊。也就是說，連結第三端部62a與中心CT的假想直線IL3和連結第一端部61a與中心CT的假想直線IL1交叉。而且，第二周向溝62的第四端部62b在徑向Dr上不與第一周向溝61的第一端部61a重疊。也就是說，連結第四端部62b與中心CT的假想直線IL4和假想直線IL1交叉。
藉由以第二周向溝62的第三端部62a及第四端部62b分別在徑向Dr上不與第一周向溝61的第一端部61a重疊的方式被配置，可抑制第一周向溝61的端部與第二周向溝62的端部在徑向Dr上對齊成直線狀。據此，可抑制冷卻氣體難以流遍的區域的產生，可提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。
而且，近年來為了提高加工精度，陶瓷介電質基板10的構造複雜化，有無法將複數個冷卻氣體用孔14配置在同一圓周上的情形。例如於在陶瓷介電質基板10之中配設有加熱器30的情形下，以避開加熱器30的方式設置複數個冷卻氣體用孔14的結果，有無法將複數個冷卻氣體用孔14配置在同一圓周上的情形。當複數個冷卻氣體用孔14不配置在同一圓周上時，有依照溝圖案的形狀而使周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性降低之虞。相對於此，依照該靜電吸盤100，即使是複數個冷卻氣體用孔14不配置在同一圓周上的情形，也可提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。例如即使是在配設有加熱器30的靜電吸盤100中，也可提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。
而且，在該例子中，第二周向溝62的第三端部62a在徑向Dr上不與第一周向溝61的第二端部61b重疊。也就是說，在該例子中，假想直線IL3和連結第二端部61b與中心CT的假想直線IL2交叉。而且，在該例子中，第二周向溝62的第四端部62b在徑向Dr上不與第一周向溝61的第二端部61b重疊。也就是說，在該例子中，假想直線IL4與假想直線IL2交叉。
藉由以第二周向溝62的第三端部62a及第四端部62b分別在徑向Dr上不與第一周向溝61的第二端部61b重疊的方式被配置，可抑制第一周向溝61的端部與第二周向溝62的端部在徑向Dr上對齊成直線狀。據此，可更抑制冷卻氣體難以流遍的區域的產生，可更提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。
此外，第三端部62a在徑向Dr上與第二端部61b重疊也可以。也就是說，假想直線IL3與假想直線IL2位於同一直線上也可以。而且，第四端部62b在徑向Dr上與第二端部61b重疊也可以。也就是說，假想直線IL4與假想直線IL2位於同一直線上也可以。
在該例子中，複數個冷卻氣體用孔14以平面視看設置在與徑向溝70a～70j重疊的位置。複數個冷卻氣體用孔14具有：以平面視看與第一徑向溝71重疊之第一孔14a；以平面視看與第二徑向溝72重疊之第二孔14b。第一孔14a與第一徑向溝71連通。第二孔14b與第二徑向溝72連通。在該例子中，包含第一孔14a及第二孔14b的複數個冷卻氣體用孔14配置在以中心CT為中心的同一圓周上。
第一孔14a及第二孔14b連接於1個氣體導入道23。也就是說，第一孔14a及第二孔14b連接於相同的氣體導入道23。換言之，第一孔14a及第二孔14b連接於1個氣體供給部24。換言之，第一孔14a及第二孔14b藉由1個氣體供給部24控制。供給到第一孔14a的冷卻氣體的壓力，例如與供給到第二孔14b的冷卻氣體的壓力相同。在該例子中，包含第一孔14a及第二孔14b的全部的冷卻氣體用孔14連接於1個氣體供給部24。
而且，從第一徑向溝71與第一周向溝61的交點P1到第一孔14a的距離D1，和從第二徑向溝72與第二周向溝62的交點P2到第二孔14b的距離D2相等。藉由使距離D1與距離D2相等，即使是第一孔14a與第二孔14b不配置在同一圓周上的情形，也可提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。
此外，距離D1及距離D2分別不同也可以。而且，距離D1及距離D2分別為0也可以。也就是說，第一孔14a設置在與交點P1重疊的位置也可以，第二孔14b設置在與交點P2重疊的位置也可以。關於這種例子，在圖8及圖9進行說明。
而且，第二周向溝62的至少一部分在徑向Dr上與第一周向溝61重疊。也就是說，第二周向溝62的第三端部62a及第四端部62b的至少任一個在徑向Dr上與第一周向溝61重疊。在該例子中，第二周向溝62的第三端部62a在徑向Dr上與第一周向溝61重疊，第二周向溝62的第四端部62b在徑向Dr上不與第一周向溝61重疊。也就是說，第二周向溝62的一部分在徑向Dr上與第一周向溝61重疊，第二周向溝62的另一部分在徑向Dr上不與第一周向溝61重疊。換言之，第二周向溝62在徑向Dr上與第一周向溝61錯開而被配置。
第一周向溝61具有中央區域61c與第一端區域61d與第二端區域61e。第一端區域61d位於周向Dc的一端側，是包含第一端部61a的區域。第二端區域61e位於周向Dc的另一端側，是包含第二端部61b的區域。中央區域61c是在周向Dc上位於第一端區域61d與第二端區域61e之間的區域。中央區域61c包含第一周向溝61的周向Dc上的中央。在圖3中，以一點鏈線表示通過第一周向溝61的周向Dc上的中央，延伸於徑向Dr的中央線CL。在該例子中，第一周向溝61的周向Dc上的中央與交點P1一致。例如當將第一周向溝61在周向Dc上等分成3個區域時，可將位於最靠一端側的區域視為第一端區域61d，將位於最靠另一端側的區域視為第二端區域61e，將位於中央的區域視為中央區域61c。
第二周向溝62的第三端部62a例如在徑向Dr上與第一周向溝61的中央區域61c重疊。藉由以第二周向溝62的第三端部62a在徑向Dr上與第一周向溝61的中央區域61c重疊的方式被配置，可更提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。
而且此情形，第二周向溝62的第三端部62a位於比第一周向溝61的周向Dc上的中央(中央線CL)還靠周向Dc的另一端側較佳。也就是說，第二周向溝62以平面視看不與中央線CL重疊較佳。藉由第二周向溝62的第三端部62a位於比第一周向溝61的周向Dc上的中央(中央線CL)還靠周向Dc的另一端側，可更提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。
而且此情形，第二周向溝62的第四端部62b位於比第一周向溝61的第二端部61b還靠周向Dc的另一端側較佳。也就是說，第二周向溝62的第四端部62b在徑向Dr上不與第一周向溝61重疊較佳。藉由第二周向溝62的第四端部62b位於比第一周向溝61的第二端部61b還靠周向Dc的另一端側，可更提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。
此外，第二周向溝62的第三端部62a在徑向Dr上既可以與第一周向溝61的第一端區域61d重疊，也可以與第一周向溝61的第二端區域61e重疊。而且，第二周向溝62的第三端部62a位於比第一周向溝61的周向Dc上的中央(中央線CL)還靠周向Dc的一端側也可以。也就是說，第二周向溝62以平面視看與中央線CL重疊也可以。而且，第二周向溝62的第四端部62b位於比第一周向溝61的第二端部61b還靠周向Dc的一端側也可以。也就是說，第二周向溝62的第四端部62b在徑向Dr上與第一周向溝61重疊也可以。
而且，在該例子中，周向溝60d的周向Dc的一端側的端部在徑向Dr上與周向溝60b(第一周向溝61)的周向Dc的一端側的端部(第一端部61a)重疊。而且，周向溝60d的周向Dc的另一端側的端部在徑向Dr上與周向溝60b(第一周向溝61)的周向Dc的另一端側的端部(第二端部61b)重疊。如此，當在2個周向溝之間配置有其他的周向溝時(也就是說，當2個周向溝互相不相鄰時)，該2個周向溝的端部在徑向Dr上重疊也可以。
圖4是示意地顯示與第一實施形態的變形例有關的陶瓷介電質基板的一部分之俯視圖。 圖4是從第一主表面11側看陶瓷介電質基板10A時之俯視圖。 圖4是相當於圖2所示的區域R1的區域之放大圖。 如圖4所示，在該例子中，第一孔14a及第二孔14b不配置在同一圓周上。除此之外，和與圖2及圖3所示的第一實施形態有關的陶瓷介電質基板10相同。
在該例子中，也藉由以第二周向溝62的第三端部62a及第四端部62b分別在徑向Dr上不與第一周向溝61的第一端部61a或第二端部61b重疊的方式被配置，可提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。
而且，在該例子中，也是從第一徑向溝71與第一周向溝61的交點P1到第一孔14a的距離D1，和從第二徑向溝72與第二周向溝62的交點P2到第二孔14b的距離D2相等。藉由使距離D1與距離D2相等，即使是第一孔14a與第二孔14b不配置在同一圓周上的情形，也可提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。
圖5是示意地顯示與第二實施形態有關的陶瓷介電質基板之俯視圖。 圖6是示意地顯示與第二實施形態有關的陶瓷介電質基板的一部分之俯視圖。 圖5及圖6是從第一主表面11側看陶瓷介電質基板10B時之俯視圖。 圖5是圖6所示的區域R2之放大圖。 如圖5及圖6所示，在該例子中，複數個冷卻氣體用孔14以平面視看設置在與周向溝60a、60b重疊的位置。複數個冷卻氣體用孔14具有：以平面視看與第一周向溝61重疊之第一孔14a；以平面視看與第二周向溝62重疊之第二孔14b。第一孔14a與第一周向溝61連通。第二孔14b與第二周向溝62連通。除此之外，和與圖2及圖3所示的第一實施形態有關的陶瓷介電質基板10相同。
在該例子中，也是第二周向溝62的第三端部62a在徑向Dr上不與第一周向溝61的第一端部61a重疊。而且，第二周向溝62的第四端部62b在徑向Dr上不與第一周向溝61的第一端部61a重疊。而且，第二周向溝62的第三端部62a在徑向Dr上不與第一周向溝61的第二端部61b重疊。而且，第二周向溝62的第四端部62b在徑向Dr上不與第一周向溝61的第二端部61b重疊。
藉由以第二周向溝62的第三端部62a及第四端部62b分別在徑向Dr上不與第一周向溝61的第一端部61a或第二端部61b重疊的方式被配置，可抑制第一周向溝61的端部與第二周向溝62的端部在徑向Dr上對齊成直線狀。據此，可抑制冷卻氣體難以流遍的區域的產生，可提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。而且，即使是冷卻氣體用孔14不配置在同一圓周上的情形，也可提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。
而且，在該例子中，也是從第一徑向溝71與第一周向溝61的交點P1到第一孔14a的距離D1，和從第二徑向溝72與第二周向溝62的交點P2到第二孔14b的距離D2相等。藉由使距離D1與距離D2相等，即使是第一孔14a與第二孔14b不配置在同一圓周上的情形，也可提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。
圖7是示意地顯示與第二實施形態的變形例有關的陶瓷介電質基板的一部分之俯視圖。 圖7是從第一主表面11側看陶瓷介電質基板10C時之俯視圖。 圖7是相當於圖5所示的區域R2的區域之放大圖。 如圖7所示，在該例子中，第一孔14a及第二孔14b設置於在徑向Dr上重疊的位置。除此之外，和與圖5及圖6所示的第二實施形態有關的陶瓷介電質基板10B相同。
在該例子中，也是藉由以第二周向溝62的第三端部62a及第四端部62b分別在徑向Dr上不與第一周向溝61的第一端部61a或第二端部61b重疊的方式被配置，可提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。
而且，在該例子中，也是從第一徑向溝71與第一周向溝61的交點P1到第一孔14a的距離D1，和從第二徑向溝72與第二周向溝62的交點P2到第二孔14b的距離D2相等。藉由使距離D1與距離D2相等，即使是第一孔14a及第二孔14b設置於在徑向Dr上重疊的位置的情形，也可提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。
圖8是示意地顯示與第三實施形態有關的陶瓷介電質基板之俯視圖。 圖8是從第一主表面11側看陶瓷介電質基板10D時之俯視圖。 如圖8所示，在該例子中，第一孔14a設置在與交點P1重疊的位置。而且，第二孔14b設置在與交點P2重疊的位置。除此之外，和與圖2及圖3所示的第一實施形態有關的陶瓷介電質基板10相同。
在該例子中，也是藉由以第二周向溝62的第三端部62a及第四端部62b分別在徑向Dr上不與第一周向溝61的第一端部61a或第二端部61b重疊的方式被配置，可提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。
如此，冷卻氣體用孔14既可以設置在與周向溝(第一周向溝61或第二周向溝62)重疊的位置，也可以設置在與徑向溝(第一徑向溝71或第二徑向溝72)重疊的位置，也可以設置在與周向溝和徑向溝的交點(交點P1或交點P2)重疊的位置。
圖9是示意地顯示與第三實施形態的變形例有關的陶瓷介電質基板之俯視圖。 圖9是從第一主表面11側看陶瓷介電質基板10E時之俯視圖。 如圖9所示，在該例子中，除了在與圖8所示的第三實施形態有關的陶瓷介電質基板10D中設置的冷卻氣體用孔14之外，還在與周向溝和徑向溝的其他交點的一部分重疊的位置設置有冷卻氣體用孔14。該等設置在與其他交點重疊的位置的冷卻氣體用孔14係依照需要設置，可省略。
在該例子中，也是藉由以第二周向溝62的第三端部62a及第四端部62b分別在徑向Dr上不與第一周向溝61的第一端部61a或第二端部61b重疊的方式被配置，可提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。
圖10及圖11是示意地顯示與第四實施形態有關的陶瓷介電質基板之俯視圖。 圖10及圖11是從第一主表面11側看陶瓷介電質基板10F時之俯視圖。 如圖10及圖11所示，在該例子中，陶瓷介電質基板10F具有第一區210與第二區220。除此之外，和與圖4所示的第一實施形態的變形例有關的陶瓷介電質基板10A相同。
在該例子中，第一區210及第二區220在徑向Dr上排列。第二區220在徑向Dr上位於第一區210的內側。在該例子中，二點鏈線的外側為第一區210，二點鏈線的內側為第二區220。第一區210例如包含外緣10a。第二區220例如包含中心CT。
如圖10所示，第一區210及第二區220分別具有溝部13(周向溝部60及徑向溝部70)與複數個冷卻氣體用孔14。第一區210的溝部13與第二區220的溝部13互相不連通。
第一區210具有：以平面視看與第一徑向溝71重疊之第一孔14a；以平面視看與第二徑向溝72重疊之第二孔14b。在該例子中，第一孔14a及第二孔14b不配置在同一圓周上。第一孔14a及第二孔14b配置在同一圓周上也可以。而且，第一孔14a及第二孔14b以平面視看既可以配置在與周向溝部60重疊的位置，也可以配置在與周向溝部60和徑向溝部70的交點重疊的位置。
在該例子中，周向溝部60除了設置於第一區210的周向溝60a～60e之外，還具有設置於第二區220的周向溝60f～60h。各周向溝60f～60h在徑向Dr上，從外周側朝中心CT以周向溝60f、周向溝60g、周向溝60h的順序排列。各周向溝60f～60h設置在以中心CT為中心具有不同的半徑的同心圓的圓周上。各周向溝60f～60h在徑向Dr上被設置成等間隔。該等周向溝60f～60h之中，以在徑向Dr上互相相鄰的2個當作第三周向溝63及第四周向溝64。
第二區220中的第三周向溝63及第四周向溝64分別對應第一區210中的第一周向溝61及第二周向溝62。例如上述的第一周向溝61與第二周向溝62之間的關係也適用於第三周向溝63與第四周向溝64之間的關係。
在該例子中，徑向溝部70除了設置於第一區210的徑向溝70a～70j之外，還具有設置於第二區220的徑向溝70k～70r。各徑向溝70k～70r在周向Dc上，順時針旋轉以徑向溝70k、徑向溝70m、徑向溝70n、徑向溝70p、徑向溝70q、徑向溝70r的順序排列。各徑向溝70k～70r在周向Dc上被設置成等間隔。該等徑向溝70k～70r之中，以與第三周向溝63交叉的1個當作第三徑向溝73，以與第四周向溝64交叉的1個當作第四徑向溝74。
第二區220中的第三徑向溝73及第四徑向溝74分別對應第一區210中的第一徑向溝71及第二徑向溝72。例如上述的第一徑向溝71與第二徑向溝72之間的關係也適用於第三徑向溝73與第四徑向溝74之間的關係。
第二區220具有：以平面視看與第三徑向溝73重疊之第三孔14c；以平面視看與第四徑向溝74重疊之第四孔14d。在該例子中，第三孔14c及第四孔14d不配置在同一圓周上。第三孔14c及第四孔14d配置在同一圓周上也可以。而且，第三孔14c及第四孔14d以平面視看既可以配置在與周向溝部60重疊的位置，也可以配置在與周向溝部60和徑向溝部70的交點重疊的位置。
如圖11所示，在該例子中，氣體導入道23具有第一氣體導入道23a與第二氣體導入道23b。在圖11中，以二點鏈線表示第一氣體導入道23a及第二氣體導入道23b的平面視中的位置。
第一氣體導入道23a設置於第一區210，連接於設置在第一區210的冷卻氣體用孔14。第一孔14a及第二孔14b連接於第一氣體導入道23a。
第二氣體導入道23b設置於第二區220，連接於設置在第二區220的冷卻氣體用孔14。第三孔14c及第四孔14d連接於第二氣體導入道23b。
第一氣體導入道23a及第二氣體導入道23b分別以平面視看被設置成略環狀。第二氣體導入道23b例如以平面視看對第一氣體導入道23a位於徑向Dr的內側。
第一氣體導入道23a及第二氣體導入道23b例如分別連接於不同的氣體供給部24。也就是說，將冷卻氣體供給到第三孔14c及第四孔14d的氣體供給部24例如與將冷卻氣體供給到第一孔14a及第二孔14b的氣體供給部24不同。設置於第二區220的冷卻氣體用孔14(第三孔14c及第四孔14d)例如藉由與設置在第一區210的冷卻氣體用孔14(第一孔14a及第二孔14b)不同的氣體供給部24控制。據此，例如可各自控制設置於第一區210的冷卻氣體用孔14(第一孔14a及第二孔14b)與設置於第二區220的冷卻氣體用孔14(第三孔14c及第四孔14d)。供給到第三孔14c及第四孔14d的冷卻氣體的壓力例如既可與供給到第一孔14a及第二孔14b的冷卻氣體的壓力相同，也可以不同。
在該例子中，也是藉由以在第一區210中第二周向溝62的第三端部62a及第四端部62b分別在徑向Dr上不與第一周向溝61的第一端部61a或第二端部61b重疊的方式被配置，可提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。而且，藉由以在第二區220中第四周向溝64的第三端部62a及第四端部62b分別在徑向Dr上不與第三周向溝63的第一端部61a或第二端部61b重疊的方式被配置，可提高周向Dc上的冷卻氣體分布的均勻性。
而且，藉由可各自控制設置於第一區210的冷卻氣體用孔14(第一孔14a及第二孔14b)與設置於第二區220的冷卻氣體用孔14(第三孔14c及第四孔14d)，可更提高面內的冷卻氣體分布的均勻性。
圖12是示意地顯示具備與實施形態有關的靜電吸盤的晶圓處理裝置之剖面圖。 如圖12所示，晶圓處理裝置500具備：處理容器501與高頻電源504與吸附用電源505與上部電極510與靜電吸盤100。在處理容器501的頂部設置有：用以將處理氣體導入到內部的處理氣體導入口502，及上部電極510。在處理容器501的底板設置有用以將內部減壓排氣的排氣口503。靜電吸盤部100在處理容器501的內部中配置於上部電極510之下。靜電吸盤100的底板20及上部電極510與高頻電源504連接。靜電吸盤100的電極層15與吸附用電源505連接。
底板20與上部電極510相互隔著規定的間隔略平行被配設。處理對象物W被載置在位於底板20與上部電極510之間的第一主表面11。
若從高頻電源504將電壓(高頻電壓)施加到底板20及上部電極510，就發生高頻放電(high frequency discharge)，被導入到處理容器501內的處理氣體藉由電漿激發而被活性化，使處理對象物W被處理。
若從吸附用電源505將電壓(吸附用電壓)施加到電極層15，在電極層15的第一主表面11側就產生電荷，利用靜電力使處理對象物W吸附保持於靜電吸盤100。
圖13是示意地顯示具備與第一實施形態有關的靜電吸盤的晶圓處理裝置之剖面圖。 如圖13所示，在該例子中，複數個氣體導入道23連接於1個氣體供給部24。從氣體供給部24供給的冷卻氣體通過各氣體導入道23被供給到各冷卻氣體用孔14。據此，複數個冷卻氣體用孔14藉由1個氣體供給部24控制。
圖14是示意地顯示具備與第一實施形態的變形例有關的靜電吸盤的晶圓處理裝置之剖面圖。 如圖14所示，在該例子中，氣體導入道23在底板20的內部分岔。氣體導入道23具有：連通於各冷卻氣體用孔14之複數個第一部分26a(氣體流出道)；延伸於橫向且匯集複數個第一部分26a之第二部分26b(氣體橫切道)；從第二部分26b延伸至底板20背面之第三部分26c(氣體流入道)。
第三部分26c連接於氣體供給部24。從氣體供給部24供給的冷卻氣體通過第三部分26c、第二部分26b及各第一部分26a，被供給到各冷卻氣體用孔14。據此，複數個冷卻氣體用孔14藉由1個氣體供給部24控制。
如以上，依照實施形態，可提供可提高周向上的冷卻氣體分布的均勻性之靜電吸盤及半導體製造裝置。
以上就本發明的實施的形態進行了說明。但是，本發明不是被限定於該等記述。關於前述的實施的形態，熟習該項技術者適宜加入了設計變更只要具備本發明的特徵就包含於本發明的範圍。例如靜電吸盤所具備的各元件的形狀、尺寸、材質、配置、設置形態等並非被限定於所舉例說明者，可適宜變更。 而且，前述的各實施的形態所具備的各元件在技術上盡可能可組合，組合該等元件者只要也包含本發明的特徵就包含於本發明的範圍。
10、10A、10B、10C、10D、10E:陶瓷介電質基板 10a:外緣 11:第一主表面 11a:平面部 11b:突起部 12:第二主表面 13:溝部 14:冷卻氣體用孔 14a:第一孔 14b:第二孔 14c:第三孔 14d:第四孔 15:電極層 16:連接部 20:底板 20a:上部 20b:下部 21:輸入道 22:輸出道 23:氣體導入道 23a:第一氣體導入道 23b:第二氣體導入道 24:氣體供給部 25:連通道 26a:第一部分 26b:第二部分 26c:第三部分 30:加熱器 41:第一多孔質部 42:第二多孔質部 60:周向溝部 60a～60e:周向溝 61:第一周向溝 61a:第一端部 61b:第二端部 61c:中央區域 61d:第一端區域 61e:第二端區域 62a:第三端部 62b:第四端部 62:第二周向溝 63:第三周向溝 64:第四周向溝 70:徑向溝部 70a～70j:徑向溝 71:第一徑向溝 72:第二徑向溝 73:第三徑向溝 74:第四徑向溝 100:靜電吸盤 210:第一區 220:第二區 500:晶圓處理裝置 501:處理容器 502:處理氣體導入口 503:排氣口 504:高頻電源 505:吸附用電源 510:上部電極 CT:中心 CL:中央線 D1、D2:距離 Dc:周向 Dr:徑向 IL1-IL4:假想直線 P1、P2:交點 R1、R2:區域 W:處理對象物
圖1是示意地顯示與第一實施形態有關的靜電吸盤之剖面圖。 圖2是示意地顯示與第一實施形態有關的陶瓷介電質基板之俯視圖。 圖3是示意地顯示與第一實施形態有關的陶瓷介電質基板的一部分之俯視圖。 圖4是示意地顯示與第一實施形態的變形例有關的陶瓷介電質基板的一部分之俯視圖。 圖5是示意地顯示與第二實施形態有關的陶瓷介電質基板之俯視圖。 圖6是示意地顯示與第二實施形態有關的陶瓷介電質基板的一部分之俯視圖。 圖7是示意地顯示與第二實施形態的變形例有關的陶瓷介電質基板的一部分之俯視圖。 圖8是示意地顯示與第三實施形態有關的陶瓷介電質基板之俯視圖。 圖9是示意地顯示與第三實施形態的變形例有關的陶瓷介電質基板之俯視圖。 圖10是示意地顯示與第四實施形態有關的陶瓷介電質基板之俯視圖。 圖11是示意地顯示與第四實施形態有關的陶瓷介電質基板之俯視圖。 圖12是示意地顯示具備與第一實施形態有關的靜電吸盤的晶圓處理裝置之剖面圖。 圖13是示意地顯示具備與第一實施形態有關的靜電吸盤的晶圓處理裝置之剖面圖。 圖14是示意地顯示具備與第一實施形態的變形例有關的靜電吸盤的晶圓處理裝置之剖面圖。
10:陶瓷介電質基板
10a:外緣
13:溝部
14:冷卻氣體用孔
14a:第一孔
14b:第二孔
60:周向溝部
60a~60e:周向溝
61:第一周向溝
62:第二周向溝
70:徑向溝部
70a~70j:徑向溝
71:第一徑向溝
72:第二徑向溝
CT:中心
Dc:周向
Dr:徑向
R1:區域

Claims (9)

  1. 一種靜電吸盤，其特徵在於包含： 以平面視看為圓形之陶瓷介電質基板；以及 底板，支撐該陶瓷介電質基板， 該陶瓷介電質基板具有：載置處理對象物之第一主表面，和與該第一主表面相反側之第二主表面，和從該第一主表面朝該第二主表面凹陷之溝部，和貫通該溝部與該第二主表面之間且可通過冷卻氣體而被設置之複數個冷卻氣體用孔， 該溝部具有：延伸於周向之第一周向溝，和延伸於周向且至少一部分在徑向上與該第一周向溝相鄰之第二周向溝，和延伸於徑向且與該第一周向溝交叉之第一徑向溝，和延伸於徑向且與該第二周向溝交叉之第二徑向溝， 該複數個冷卻氣體用孔具有：以平面視看與該第一徑向溝重疊之第一孔，和以平面視看與該第二徑向溝重疊之第二孔， 該底板具有將該冷卻氣體供給到該第一孔及該第二孔之氣體導入道， 該第一周向溝具有：位於周向的一端側之第一端部，和位於周向的另一端側之第二端部， 該第二周向溝具有：位於周向的該一端側之第三端部，和位於周向的該另一端側之第四端部， 該第三端部及該第四端部分別在徑向上不與該第一端部重疊。
  2. 一種靜電吸盤，其特徵在於包含： 以平面視看為圓形之陶瓷介電質基板；以及 底板，支撐該陶瓷介電質基板， 該陶瓷介電質基板具有：載置處理對象物之第一主表面，和與該第一主表面相反側之第二主表面，和從該第一主表面朝該第二主表面凹陷之溝部，和貫通該溝部與該第二主表面之間且可通過冷卻氣體而被設置之複數個冷卻氣體用孔， 該溝部具有：延伸於周向之第一周向溝，和延伸於周向且至少一部分在徑向上與該第一周向溝相鄰之第二周向溝，和延伸於徑向且與該第一周向溝交叉之第一徑向溝，和延伸於徑向且與該第二周向溝交叉之第二徑向溝， 該複數個冷卻氣體用孔具有：以平面視看與該第一周向溝重疊之第一孔，和以平面視看與該第二周向溝重疊之第二孔， 該底板具有將該冷卻氣體供給到該第一孔及該第二孔之氣體導入道， 該第一周向溝具有：位於周向的一端側之第一端部，和位於周向的另一端側之第二端部， 該第二周向溝具有：位於周向的該一端側之第三端部，和位於周向的該另一端側之第四端部， 該第三端部及該第四端部分別在徑向上不與該第一端部重疊。
  3. 如請求項1或請求項2之靜電吸盤，其中從該第一徑向溝與該第一周向溝的交點到該第一孔的距離和從該第二徑向溝與該第二周向溝的交點到該第二孔的距離相等。
  4. 如請求項1或請求項2之靜電吸盤，其中該第三端部及該第四端部分別在徑向上不與該第二端部重疊。
  5. 如請求項1或請求項2之靜電吸盤，其中該第一周向溝具有包含周向上的中央之中央區域， 該第三端部在徑向上與該中央區域重疊。
  6. 如請求項5之靜電吸盤，其中該第三端部位於比該第一周向溝的周向上的該中央還靠周向的該另一端側。
  7. 如請求項6之靜電吸盤，其中該第四端部位於比該第二端部還靠周向的該另一端側。
  8. 如請求項1或請求項2之靜電吸盤，其中更具備將該陶瓷介電質基板加熱之加熱器。
  9. 一種半導體製造裝置，其特徵在於包含： 請求項1至請求項8中任一項之靜電吸盤；以及 氣體供給部，透過該氣體導入道將該冷卻氣體供給到該第一孔及該第二孔。
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