TW202339098A - 靜電吸盤 - Google Patents

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小野瑛人
池口雅文
梅津智樹
上藤淳平
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日商Ｔｏｔｏ股份有限公司
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Abstract

本發明的課題為其目的是提供一種可抑制冷媒流道的位置偏移的影響之靜電吸盤。 本發明的解決手段為提供一種靜電吸盤，其特徵在於包含：陶瓷介電質基板；底板，支撐陶瓷介電質基板，具有陶瓷介電質基板側的頂面，和與頂面相反側的底面，底板包含配設於頂面與底面之間，冷媒可通過之連通道，連通道包含具有沿著第一方向的一對側面之第一流道部，第一方向係沿著冷媒的流動，一對側面之中的一方的側面當沿著底板與陶瓷介電質基板的積層方向看時，具有：凸向對第一方向垂直，且在從一對側面之中的他方的側面朝向一方的側面的第二方向之凸狀的複數個凸部，與凸向與第二方向相反的方向之凸狀的複數個凹部，複數個凸部與複數個凹部交互排列。

Description

靜電吸盤
本發明的態樣一般是關於靜電吸盤(electrostatic chuck)。
載置半導體晶圓(semiconductor wafer)或玻璃基板(glass substrate)等的處理對象物的靜電吸盤是已知。靜電吸盤在進行例如蝕刻(etching)、CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)、濺鍍(sputtering)、離子注入(ion implantation)或灰化(ashing)等的半導體製造裝置的電漿處理反應室(plasma processing chamber)內，被使用當作吸附保持處理對象物的手段(means)。靜電吸盤是將靜電吸附用電力施加於例如內建的電極，透過靜電力吸附矽晶圓(silicon wafer)等的基板。
靜電吸盤具有：具有載置處理對象物的載置面之陶瓷介電質基板(ceramic dielectric substrate)；支撐該陶瓷介電質基板之底板(base plate)。在該底板，為了冷卻處理對象物往往配設有冷媒流道。
[專利文獻1] 日本國特開2016-115933號公報 [專利文獻2] 日本國特開2020-161597號公報 [專利文獻3] 日本國特開2017-208565號公報
在靜電吸盤的製程中，有冷媒流道的位置偏離設計的情形。例如在冷媒流道之對載置處理對象物的基板的至少一部分的位置發生製造個別差異(individual difference)。冷媒流道的位置偏移的情形，有發生載置面上的溫度分布背離設計的不良狀況之虞。
本發明是基於如此的課題的認識所進行的創作，其目的為提供一種可抑制冷媒流道的位置偏移的影響之靜電吸盤。
第一發明為一種靜電吸盤，其特徵在於包含：陶瓷介電質基板，具有載置處理對象物的載置面；底板，支撐前述陶瓷介電質基板，具有前述陶瓷介電質基板側的頂面，和與前述頂面相反側的底面，前述底板包含配設於前述頂面與前述底面之間，冷媒可通過之連通道，前述連通道包含具有沿著第一方向的一對側面之第一流道部，前述第一方向係沿著冷媒的流動，前述一對側面之中的一方的側面當沿著前述底板與前述陶瓷介電質基板的積層方向看時，具有：凸向對前述第一方向垂直，且在從前述一對側面之中的他方的側面朝向前述一方的側面的第二方向之凸狀的複數個凸部，與凸向與前述第二方向相反的方向之凸狀的複數個凹部，前述複數個凸部與前述複數個凹部交互排列。
依照該靜電吸盤，在連通道的至少一方的側面上複數個凸部與複數個凹部被交互配置。因此，在連通道的位置偏離設計的情形下，可將陶瓷介電質基板的載置面上的溫度分布偏離設計抑制到更小。
第二發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明中，前述一對側面之中的前述他方的側面當沿著前述積層方向看時，具有：凸向前第二方向之凸狀的複數個凸部，與凸向與前述第二方向相反的方向之凸狀的複數個凹部，前述他方的側面的前述複數個凸部與前述他方的側面的前述複數個凹部交互排列。
依照該靜電吸盤，在連通道的兩方的側面上，複數個凸部與複數個凹部被交互配置。據此，可更抑制伴隨連通道的位置偏移之載置面上的溫度分布偏離設計。
第三發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明或第二發明中，前述第一方向為前述底板的周向，前述一方的側面的前述複數個凸部包含第一凸部，前述一方的側面的前述複數個凹部包含與前述第一凸部鄰接的第一凹部，在以與前述第一凸部相切並以前述底板的中心為中心的假想圓(imaginary circle)作為第一假想圓，以與前述第一凹部相切並以前述底板的前述中心為中心的假想圓作為第二假想圓的情形下，前述第一假想圓與前述第二假想圓之間的第一距離比前述一方的側面與前述他方的側面之間的最短距離還長。
依照該靜電吸盤，藉由第一距離長，即使在靜電吸盤的製造時連通道的位置偏移稍微變大，也能抑制載置面上的溫度分布偏離設計。
第四發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第三發明中，前述第一距離為5毫米(millimeter)以上。
依照該靜電吸盤，藉由第一距離長，即使在靜電吸盤的製造時連通道的位置偏移稍微變大，也能抑制載置面上的溫度分布偏離設計。
第五發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第四發明中的任一項發明中，前述第一方向為前述底板的周向，前述一方的側面的前述複數個凸部包含第一凸部，前述一方的側面的前述複數個凹部包含與前述第一凸部鄰接的第一凹部，在以與前述第一凸部相切並以前述底板的中心為中心的假想圓作為第一假想圓，以與前述第一凹部相切並以前述底板的前述中心為中心的假想圓作為第二假想圓，以離前述第一假想圓的距離與離前述第二假想圓的距離相等的假想圓作為第三假想圓，以連結前述第一凸部與前述底板的前述中心的直線作為第一徑向線，以連結前述第一凹部與前述底板的前述中心的直線作為第二徑向線的情形下，前述第一徑向線與前述第三假想圓的交點和前述第二徑向線與前述第三假想圓的交點之間的沿著前述周向的第二距離為30毫米以上140毫米以下。
依照該靜電吸盤，因第二距離比規定值還短，故可更抑制伴隨連通道的位置偏移之載置面上的溫度分布偏離設計。
第六發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第五發明中的任一項發明中，前述第一方向為前述底板的周向，前述一方的側面位於比前述他方的側面還靠前述底板的外周側。
在連通道的第一流道部沿著底板的周向延伸的情形下，若第一流道部的位置偏離設計，則相較於第一流道部的內側在第一流道部的外側中，因位置偏移造成對溫度分布的影響往往大。相對於此，依照該靜電吸盤，在外周側的側面上配設有複數個凸部與複數個凹部。據此，可更抑制在第一流道部的外側中，載置面上的溫度分布偏離設計。
第七發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第三發明或第四發明中，前述連通道包含具有在前述底板的徑向中排列的一對側面之第二流道部，前述第二流道部的前述一對側面之中的一方的側面當沿著前述積層方向看時，具有：凸向前述第二方向之凸狀的複數個凸部，與凸向與前述第二方向相反的方向之凸狀的複數個凹部，前述第二流道部的前述複數個凸部與前述第二流道部的前述複數個凹部交互排列，前述第二流道部位於比前述第一流道部還靠前述底板的內周側，前述第二流道部的前述複數個凸部包含第二凸部，前述第二流道部的前述複數個凹部包含第二凹部，若以與前述第二凸部相切並以前述底板的中心為中心的假想圓作為第四假想圓，以與前述第二凹部相切並以前述底板的前述中心為中心的假想圓作為第五假想圓的情形之以前述第四假想圓與前述第五假想圓之間的距離作為第三距離，則前述第一距離比前述第三距離還長。
沿著周向延伸的連通道的第一流道部及第二流道部的位置偏離設計的情形，相較於位於底板的內周側的第二流道部，在位於外周側的第一流道部中，因位置偏移造成對溫度分布的影響往往大。相對於此，依照該靜電吸盤，因外周側的第一流道部中的第一距離比內周側的第二流道部中的第三距離還長，故可更抑制在外周側的第一流道部中，載置面上的溫度分布偏離設計。
第八發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第五發明中，前述連通道包含具有在前述底板的徑向中排列的一對側面之第二流道部，前述第二流道部的前述一對側面之中的一方的側面當沿著前述積層方向看時，具有：凸向前述第二方向之凸狀的複數個凸部，與凸向與前述第二方向相反的方向之凸狀的複數個凹部，前述第二流道部的前述複數個凸部與前述第二流道部的前述複數個凹部交互排列，前述第二流道部位於比前述第一流道部還靠前述底板的內周側，前述第二流道部的前述複數個凸部包含第二凸部，前述第二流道部的前述複數個凹部包含第二凹部，若以與前述第二凸部相切並以前述底板的前述中心為中心的假想圓作為第四假想圓，以與前述第二凹部相切並以前述底板的前述中心為中心的假想圓作為第五假想圓，以離前述第四假想圓的距離與離前述第五假想圓的距離相等的假想圓作為第六假想圓，以連結前述第二凸部與前述底板的前述中心的直線作為第三徑向線，以連結前述第二凹部與前述底板的前述中心的直線作為第四徑向線的情形之以前述第三徑向線與前述第六假想圓的交點和前述第四徑向線與前述第六假想圓的交點之間的沿著前述周向的距離為第四距離，則前述第二距離比前述第四距離還短。
依照該靜電吸盤，因外周側的第一流道部中的第二距離(例如蜿蜒週期)比內周側的第二流道部中的第四距離(例如蜿蜒週期)還短，故可更抑制在外周側的第一流道部中，載置面上的溫度分布偏離設計。
第九發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明或第二發明中，前述第一方向為直線上的方向，前述一方的側面的前述複數個凸部包含第一凸部，前述一方的側面的前述複數個凹部包含與前述第一凸部鄰接的第一凹部，在以與前述第一凸部相切並以延伸於前述第一方向的直線作為第一直線，以與前述第一凹部相切並以延伸於前述第一方向的直線作為第二直線的情形下，前述第一直線與前述第二直線之間的第五距離比前述一方的側面與前述他方的側面之間的最短距離還長。
依照該靜電吸盤，藉由第五距離(例如連通道的側面的蜿蜒量)長，即使在靜電吸盤的製造時連通道的位置偏移稍微變大，也能抑制載置面上的溫度分布偏離設計。
第十發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第九發明中，前述第五距離為5毫米以上。
依照該靜電吸盤，藉由第五距離(例如連通道的側面的蜿蜒量)長，即使在靜電吸盤的製造時連通道的位置偏移稍微變大，也能抑制載置面上的溫度分布偏離設計。
第十一發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明或第二發明中，前述第一方向為直線上的方向，前述一方的側面的前述複數個凸部包含第一凸部，前述一方的側面的前述複數個凹部包含與前述第一凸部鄰接的第一凹部，在以與前述第一凸部相切並以延伸於前述第一方向的直線作為第一直線，以與前述第一凹部相切並以延伸於前述第一方向的直線作為第二直線，以離前述第一直線的距離與離前述第二直線的距離相等的直線作為第三直線，以通過前述第一凸部並垂直於前述第一直線的直線作為第一垂直線，以通過前述第一凹部並垂直於前述第二直線的直線作為第二垂直線的情形下，前述第一垂直線與前述第三直線的交點和前述第二垂直線與前述第三直線的交點之間的第六距離為30毫米以上140毫米以下。
依照該靜電吸盤，因第六距離(例如連通道的側面的蜿蜒週期)短，故可更抑制伴隨連通道的位置偏移之載置面上的溫度分布偏離設計。
第十二發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第十一發明中的任一項發明中，更包含：配設於前述陶瓷介電質基板的內部，或配設於前述陶瓷介電質基板與前述底板之間，將前述陶瓷介電質基板加熱之加熱器(heater)部，前述加熱器部包含加熱器線(heater line)，前述加熱器線具有沿著前述加熱器線的延伸方向延伸之一對邊，前述一對邊的一方的至少一部分在前述積層方向中與前述第一流道部重疊。
若將載置面冷卻的連通道的位置對將載置面加熱的加熱器部偏離設計，則載置面上的溫度分布偏離設計容易變大。相對於此，依照該靜電吸盤，因加熱器的一邊的至少一部分與連通道的第一流道部重疊，故在連通道的位置對加熱器部偏離設計的情形下，可更抑制載置面上的溫度分布偏離設計。
第十三發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第十二發明中，前述延伸方向為與前述第一方向相同的方向。
依照該靜電吸盤，第一流道部的複數個凹部及複數個凸部沿著加熱器線的延伸方向交互排列。據此，在連通道的位置對加熱器部偏離設計的情形下，可更抑制載置面上的溫度分布偏離設計。
依照本發明的態樣，可提供可抑制冷媒流道的位置偏移的影響的靜電吸盤。
以下就本發明的實施的形態一邊參照圖式，一邊進行說明。此外各圖式中，對同樣的元件附加同一符號而適宜省略詳細的說明。 圖1是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤之斜視圖。 圖2(a)及圖2(b)是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之剖面圖。 在圖1中為了說明的方便起見，在靜電吸盤的一部分中顯示剖面圖。 圖2(a)是由圖1所示的A1-A1剖切之剖面圖。 圖2(b)是圖2(a)所示的區域B1之放大視圖。此外，在圖2(b)中省略處理對象物W。
如圖1、圖2(a)及圖2(b)所示，與實施形態有關的靜電吸盤10具備陶瓷介電質基板100與加熱器部200與底板300。
陶瓷介電質基板100為例如由多晶陶瓷燒結體(​polycrystalline ceramics sintered compact)構成的平板狀的基材，具有：載置半導體晶圓等的處理對象物W的第一主表面(principal surface)101，和與第一主表面101相反側的第二主表面102。
在本案說明書中，以對第一主表面101垂直的方向當作Z方向。Z方向換言之是連結第一主表面101與第二主表面102的方向。Z方向換言之是由底板300朝向陶瓷介電質基板100的方向。而且，以與Z方向正交的方向之一為X方向，以正交於Z方向及X方向的方向為Y方向。在本案說明書中，[面內]是指例如X-Y平面內。而且在本案說明書中，[平面視]是顯示沿著Z方向看的狀態。
作為陶瓷介電質基板100所包含的結晶的材料可舉出例如Al 2O 3、AlN、SiC、Y2O3及YAG等。可藉由使用這種材料提高陶瓷介電質基板100中的紅外線透過性、導熱性(thermal conductivity)、絕緣耐性及電漿耐久性(plasma durability)。
在陶瓷介電質基板100的內部配設有電極層111。電極層111介設於第一主表面101與第二主表面102之間。也就是說，電極層111插入陶瓷介電質基板100之中而被形成。電極層111被一體燒結於陶瓷介電質基板100。
此外，電極層111不被限定於介設於第一主表面101與第二主表面102之間，附設於第二主表面102也可以。
靜電吸盤10藉由對電極層111施加吸附保持用電壓而在電極層111的第一主表面101側產生電荷，透過靜電力吸附保持處理對象物W。
電極層111沿著第一主表面101及第二主表面102被配設。電極層111是用以吸附保持處理對象物W的吸附電極。電極層111既可以是單極型也可以是雙極型。而且，電極層111也可以是三極型或其他的多極型。電極層111的數目或電極層111的配置可適宜選擇。
底板300配設於陶瓷介電質基板100的第二主表面102側，支撐陶瓷介電質基板100。如圖2(a)所示，底板300具有：陶瓷介電質基板100側的頂面302，與和頂面302相反側的底面303。底板300包含配設於頂面302與底面303之間的連通道301。也就是說，連通道301配設於底板300的內部。作為底板300的材料可舉出例如鋁、鋁合金、鈦、鈦合金。
底板300發揮進行陶瓷介電質基板100的溫度調整的作用。例如在將陶瓷介電質基板100冷卻的情形下，使冷卻介質(cooling medium)流入連通道301，使其通過連通道301，由連通道301使冷卻介質流出。據此，可藉由冷卻介質吸收底板300的熱，將安裝於其上的陶瓷介電質基板100冷卻。也就是說，連通道301是當作冷媒可通過的冷媒流道發揮功能。
如圖2(a)所示，在該例子中，底板300包含上構件300a與下構件300b。在下構件300b之上配設有上構件300a。下構件300b的頂面300bf為平面狀。在上構件300a的底面300af設有形成連通道301的溝300g(凹部)。上構件300a的底面300af與下構件300b的頂面300bf互相切合，形成連通道301。也就是說，下構件300b的頂面300bf的一部分成為連通道301的底面301b(底面)。上構件300a的溝300g的內表面成為連通道301的頂面301u與側面301s。側面301s為與X-Y平面交叉的面。
而且，在陶瓷介電質基板100的第一主表面101側依照需要配設有凸部113。在互相相鄰的凸部113之間配設有溝115。溝115互相連通。在搭載於靜電吸盤10的處理對象物W的背面與溝115之間形成有空間。
在溝115連接有貫通底板300及陶瓷介電質基板100的導入道321。若在吸附保持住處理對象物W的狀態下由導入道321導入氦(He)等的傳送氣體，則傳送氣體流到設於處理對象物W與溝115之間的空間，可藉由傳送氣體直接將處理對象物W加熱或冷卻。
加熱器部200將陶瓷介電質基板100加熱。加熱器部200藉由將陶瓷介電質基板100加熱，隔著陶瓷介電質基板100將處理對象物W加熱。在該例子中加熱器部200配設於第一主表面101與第二主表面102之間。也就是說，加熱器部200配設於陶瓷介電質基板100的內部。加熱器部200以插入陶瓷介電質基板100之中的方式形成。換言之，加熱器部200內建於陶瓷介電質基板100。
圖3(a)及圖3(b)是示意地顯示與實施形態的變形例有關的靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖3(b)是圖3(a)所示的區域B1之放大視圖。此外，在圖3(b)中省略處理對象物W。 如圖3(a)及圖3(b)所示，加熱器部200與陶瓷介電質基板100不同體也可以。加熱器部200配設於陶瓷介電質基板100與底板300之間。
在底板300與加熱器部200之間設有接著層403。在加熱器部200與陶瓷介電質基板100之間設有接著層403。作為接著層403的材料可舉出具有較高的導熱性(thermal conductivity)的聚矽氧(silicone)等的耐熱樹脂(heat-resistant resin)。
圖4是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖4對應由圖2所示的A2-A2線剖切的剖面，顯示從上方看底板300及連通道301的平面形狀。底板300的平面形狀例如為圓形。此外，圓形此一範圍不僅完全的圓形，也包含略圓形。
連通道301的一端301c位於底板300的平面形狀的中心300c附近。連通道301的他端301d位於底板300的平面形狀的外周部。連通道301在沿著積層方向看時，為連接一端301c與他端301d的渦卷狀。例如冷媒R從一端301c流入連通道301內，流過渦卷狀的連通道301內，並從他端301d流出到連通道301外。與此相反，冷媒R從他端301d流入連通道301內，流過連通道301內，並從一端301c流出到連通道301外也可以。
在實施形態中，連通道301的至少一部分是蜿蜒。例如連通道301包含沿著第一方向D1一邊蜿蜒一邊延伸的第一流道部311。第一方向D1為對底板300與陶瓷介電質基板100的積層方向(亦即Z方向)垂直的方向。 在該例子中，第一方向D1是底板300的平面形狀的周向(以中心300c為中心的圓周上的方向)。第一方向D1例如為沿著冷媒的流動的方向。例如冷媒流動於連通道301內的方向(冷媒流動的路徑)係沿著第一方向D1。
在該例子中，第一流道部311配設於比底板300的中央區域CR還靠外側的區域。中央區域CR例如為在平面視中以中心300c為中心的規定半徑內的範圍。規定半徑例如為底板300的半徑的一半。第一流道部311為渦卷狀的連通道301的最外周的部分。但是，第一流道部311配設於中央區域CR也可以。
第一流道部311以包圍中心300c的周圍的方式配設。例如第一流道部311繞中心300c的周圍一圈，並包圍中心300c的全周。第一流道部311為圓弧狀(渦卷狀或環狀的一部分)也可以，且遍及繞中心300c的周圍一圈以上(例如2~4圈左右以上)而包圍也可以。
連通道301的外周(X-Y平面上的端部(外緣)) 與載置於陶瓷介電質基板100之上的處理對象物W的外周在Z方向上重疊也可以。在平面視中，連通道301的外周為載置於陶瓷介電質基板100之上的處理對象物W的外周的內側或外側也可以。
第一流道部311具有與X-Y平面交叉的一對側面(內壁面)。一對側面例如沿著第一方向D1延伸。例如一對側面的各個一邊蜿蜒一邊沿著第一方向D1延伸。具體而言，第一流道部311具有第一側面31與第二側面32。第一側面31及第二側面32為連通道301的側面301s的一部分。
此外，流道部(第一流道部311、後述的第二流道部312等)或側面(第一側面31、第二側面32、後述的第三側面33、第四側面34等)沿著第一方向D1的範圍包含流道部或側面一邊蜿蜒一邊沿著第一方向D1延伸的情形。在第一方向D1為底板300的周向的情形下，流道部或側面以一邊繞底板300的中心300c的周圍一邊逐漸離開中心300c(或接近中心300c)的方式延伸的形狀也包含在流道部或側面沿著第一方向D1的範圍。例如當流道部為以底板300的中心300c為中心的渦卷狀的一部分時，流道部或側面沿著底板300的周向延伸。
以下，就第一側面31為底板300的外側的側面，第二側面32為底板300的內側的側面的情形進行說明。也就是說，第二側面32位於第一側面31與底板300的中心300c之間。但是，第一側面31為底板300的內側的側面，第二側面32為底板的外側的側面也可以。
第一側面31及第二側面32互相對向，延伸於X-Y平面內。冷媒流動於第一側面31與第二側面32之間。例如第一側面31在底板300的平面形狀的徑向上與第二側面32對向。
連通道301的一對側面的至少一方蜿蜒。也就是說，連通道301的一對側面(第一側面31及第二側面32)的一方當沿著Z方向看時，具有複數個凸部與複數個凹部。例如第一側面31具有複數個凸部31p與複數個凹部31q。複數個凸部31p的各個在第二方向D2為凸狀。複數個凹部31q的各個在與第二方向D2相反的方向D3為凸狀。第二方向D2為對第一方向D1垂直的X-Y平面內的方向。第二方向D2為從連通道301的一對側面的他方(第二側面32)朝向一方(第一側面31)的方向。在該例子中，第二方向為底板300的平面形狀的徑向，為從底板300的中心300c朝向底板300的外周的方向。也就是說，例如在平面視中，凸部31p為凸向底板300的外側之凸狀(例如為凸向從底板300的中心朝向外緣的方向之凸狀)。例如在平面視中，凹部31q為凸向底板300的內側之凸狀(例如為凸向從底板300的外緣朝向中心的方向之凸狀)。
複數個凸部31p與複數個凹部31q沿著冷媒流過連通道301內的路徑交互配設。複數個凸部31p與複數個凹部31q沿著第一方向D1交互排列。例如複數個凸部31p沿著第一方向D1排列，複數個凹部31q沿著第一方向D1排列。1個凹部31q連接複數個凸部31p之中在第一方向D1上最接近的2個凸部31p彼此。而且，1個凸部31p連接複數個凹部31q之中在第一方向D1上最接近的2個凹部31q彼此。
在該例子中，連通道301的一對側面的兩方蜿蜒。也就是說，連通道301的一對側面(第一側面31及第二側面32)的他方的側面當沿著Z方向看時，具有複數個凸部與複數個凹部。也就是說，第二側面32具有複數個凸部32p與複數個凹部32q。複數個凸部32p的各個為凸向第二方向D2之凸狀。複數個凹部32q的各個為凸向與第二方向D2相反的方向D3之凸狀。也就是說，例如在平面視中，凸部32p為凸向底板300的外側之凸狀(例如為凸向從底板300的中心朝向外緣的方向之凸狀)。例如在平面視中，凹部32q為凸向底板300的內側之凸狀(例如為凸向從底板300的外緣朝向中心的方向之凸狀)。
複數個凸部32p與複數個凹部32q沿著冷媒流過連通道301內的路徑交互配設。複數個凸部32p與複數個凹部32q沿著第一方向D1交互排列。
在平面視中，凸部31p、凹部31q、凸部32p、凹部32q分別為曲線(例如圓弧)。但是，凸部31p、凹部31q、凸部32p、凹部32q分別至少在一部分包含直線部分也可以。在凸部31p與凹部31q之間配設有沿著第一方向D1延伸的部分也可以。在凸部32p與凹部32q之間配設有沿著第一方向D1延伸的部分也可以。
例如複數個凸部31p包含凸部31pb與凸部31pc。凸部31pc位於比凸部31pb還靠底板300的內側。例如凸部31pc與凸部31pb在第二方向D2上排列。但是，凸部31pc與凸部31pb不在第二方向D2上排列也可以。 例如複數個凹部31q包含凹部31qb與凹部31qc。凹部31qc位於比凹部31qb還靠底板300的內側。例如凹部31qc與凹部31qb在第二方向D2上排列。但是，凹部31qc與凹部31qb不在第二方向D2上排列也可以。
圖5是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖5係將圖4的一部分放大顯示。各凸部31p具有頂部31pt(例如頂點)。頂部31pt在1個凸部31p之中，從在方向D3上離開該凸部31p的位置(例如底板300的中心300c)看，為最突出於第二方向D2的部分。例如頂部31pt為該凸部31p之中位於底板300的最外側的部分。例如在頂部31pt中，第一側面31與中心300c之間的距離成為極大。例如在頂部31pt中，第一側面31與底板300的外周300e之間的距離成為極小。
各凹部31q具有頂部31qt(例如頂點)。頂部31qt在1個凹部31q之中，從在方向D3上離開該凹部31q的位置(例如底板300的中心300c)看，為最凹陷於方向D3的部分。例如在頂部31qt中，第一側面31與中心300c之間的距離成為極小。例如頂部31qt在該凹部31q之中，為位於底板300的最內側的部分。例如在頂部31qt中，第一側面31與底板300的外周300e之間的距離成為極大。
各凸部32p具有頂部32pt(例如頂點)。頂部32pt在1個凸部32p之中，從在方向D3上離開該凸部32p的位置(例如底板300的中心300c)看，為最突出於第二方向D2的部分。例如頂部32pt為該凸部32p之中位於底板300的最外側的部分。例如在頂部32pt中，第二側面32與中心300c之間的距離成為極大。例如在頂部32pt中，第二側面32與底板300的外周300e之間的距離成為極小。
各凹部32q具有頂部32qt(例如頂點)。頂部32qt在1個凹部32q之中，從在方向D3上離開該凹部32q的位置(例如底板300的中心300c)看，為最凹陷於方向D3的部分。例如頂部32qt為該凹部32q之中位於底板300的最內側的部分。例如在頂部32qt中，第二側面32與中心300c之間的距離成為極小。例如在頂部32qt中，第二側面32與底板300的外周300e之間的距離成為極大。上述的各頂部也可以是邊或面，而不是頂點。
如圖5所示，第一流道部311包含：由頂部31pt形成的第一部分311a；由頂部31qt形成的第二部分311b。 第一部分311a在平面視中，為頂部31pt與第二側面32之中最接近該頂部31pt的位置之間的範圍。也就是說，第一部分311a的各個在平面視中，為頂部31pt的各個與最接近頂部31pt的各個的第二側面32的位置的各個之間的區域。 第二部分311b在平面視中，為頂部31qt與第二側面32之中最接近該頂部31qt的位置之間的範圍。也就是說，第二部分311b的各個在平面視中，為頂部31qt的各個與最接近頂部31qt的各個的第二側面32的位置的各個之間的區域。 沿著冷媒的路徑，第一部分311a與第二部分311b交互排列。
例如在第一流道部311之中沿著冷媒的路徑互相最接近的第一部分311a彼此之間的範圍內，連結位於該範圍的兩端的頂部31pt彼此的方向D31p(參照圖4)係沿著該範圍內的點上的第一方向D1。 例如在第一流道部311之中沿著冷媒的路徑互相最接近的第二部分311b彼此之間的範圍內，連結位於該範圍的兩端的頂部31qt彼此的方向D31q(參照圖4)係沿著該範圍內的點上的第一方向D1。
而且，例如冷媒流過第一流道部311內的方向DR1(以下，有稱為[第一冷媒方向DR1]的情形)係沿著第一方向D1。在該例子中，因連通道301彎曲，第一側面31及第二側面32蜿蜒，故沿著冷媒的路徑第一冷媒方向DR1變化也可以。此情形，例如在第一流道部311之中的任意處中的第一冷媒方向DR1係沿著該處中的第一方向D1(在該例子中為該處中的周向)。
例如如圖5所示，第一流道部311之中，在沿著冷媒的路徑互相鄰接的第一部分311a與第二部分311b之間的範圍中，第一冷媒方向DR1可當作連結位於該範圍的一端的第一部分311a的中心與位於該範圍的他端的第二部分311b的中心的方向。
此外，2個方向[沿著]是指不僅2個方向為平行的情形，也可以為2個方向所成的角度(2個方向之間的較小的角度)為50°以下或25°以下的範圍。例如如圖5所示，在第一流道部311的任意的點中，第一方向D1(周向)與第一冷媒方向DR1所成的角度θ為50°以下或25°以下。
此外，將圖5所示的方向Dα當作連通道301內的任意的點α中的第一冷媒方向DR1使用也可以。方向Dα在平面視中，為對最短連結第一側面31與第二側面32的線段L垂直的方向。線段L通過該任意的點α。 或者，第一流道部311之中，在沿著冷媒的路徑互相鄰接的第一部分311a彼此之間的範圍中，將連結位於該範圍的兩端的頂部31pt彼此的方向D31p(參照圖4)當作第一冷媒方向DR1使用也可以。 或者，第一流道部311之中，在沿著冷媒的路徑互相鄰接的第二部分311b彼此之間的範圍中，將連結位於該範圍的兩端的彼此頂部31qt的方向D31q(參照圖4)當作第一冷媒方向DR1使用也可以。
在該例子中，第一流道部311的寬度為一定。例如凸部31p(頂部31pt)與凸部32p(頂部32pt)在第二方向D2上排列。例如凹部31q(頂部31qt)與凹部32q(頂部32qt)在第二方向D2上排列。但是，在實施形態中，第一流道部311的寬度不為一定，而是沿著冷媒的路徑變化也可以。凸部31p(頂部31pt)不與凸部32p(頂部32pt)在第二方向D2上排列，而與凹部32q(頂部32qt)在第二方向D2上排列也可以。凹部31q(頂部31qt)不與凹部32q(頂部32qt)在第二方向D2上排列，而與凸部32p(頂部32pt)在第二方向D2上排列也可以。
圖6是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖6為將圖4的一部分放大顯示。複數個凸部31p包含凸部31p的1個之第一凸部31pa。複數個凹部31q包含凹部31q的1個之第一凹部31qa。第一凹部31qa與第一凸部31pa鄰接，與第一凸部31pa接續。也就是說，第一凹部31qa與第一凸部31pa在第一方向D1上排列，為複數個凹部31q之中最接近第一凸部31pa的凹部。
圖6所示的距離L1(第一距離)比距離La還長。距離La為第一流道部311的一方的側面(第一側面31)與他方的側面(第二側面32)之間的最短距離。也就是說，距離La為平面視中的第一流道部311的最窄的部分的寬度。此外，如上述，在該例子中，第一流道部311的寬度為一定。
距離L1對應第一凸部31pa的頂部31pt與第一凹部31qa的頂部31qt之間的沿著第二方向D2(該頂部31pt或該頂部31qt中的第二方向D2)的距離。例如距離L1對應第一側面31的蜿蜒的振幅的倍的長度。
更具體而言，距離L1為圖6所示的第一假想圓IC1與第二假想圓IC2之間的距離(最短距離)。第一假想圓IC1為與第一凸部31pa(第一凸部31pa的頂部31pt)相切，以底板300的中心300c為中心的假想圓。第二假想圓IC2為與第一凹部31qa(第一凹部31qa的頂部31qt)相切，以底板300的中心300c為中心的假想圓。距離L1例如為5毫米(mm)以上、30mm以下，較佳為10mm以上、15mm以下。例如振幅(距離L1的一半)也可以為距離La以下。 距離L1以距離La的2倍以上、3倍以下較佳。例如當距離La為3mm時，距離L1以6mm以上、9mm以下，當距離La為7mm時，距離L1以14mm以上、21mm以下較佳。
圖6所示的距離L2(第二距離)例如為30mm以上、140mm以下，較佳為50mm以上、80mm以下。距離L2對應第一凸部31pa的頂部31pt與第一凹部31qa的頂部31qt之間的沿著第一方向D1的距離。例如距離L2對應第一側面31的蜿蜒週期的一半的長度。 距離L2以距離La的10倍以上、20倍以下較佳。例如當距離La為3mm時，距離L2以30mm以上、60mm以下，當距離La為7mm時，距離L2以70mm以上、140mm以下較佳。
更具體而言，距離L2為圖6所示的點p1與點p2之間的沿著第一方向D1(周向)的距離。 點p1為第三假想圓IC3與第一徑向線R1的交點。點p2為第三假想圓IC3與第二徑向線R2的交點。第三假想圓IC3為以底板300的中心300c為中心，位於第一假想圓IC1與第二假想圓IC2之間的假想圓。第一假想圓IC1與第三假想圓IC3之間的距離(最短距離)和第二假想圓IC2與第三假想圓IC3之間的距離(最短距離)相等。第一徑向線R1為通過底板300的中心300c與第一凸部31pa(第一凸部31pa的頂部31pt)的直線。第二徑向線R2為通過底板300的中心300c與第一凹部31qa(第一凹部31qa的頂部31qt)的直線。
此外，關於配設於第二側面32的凹部及凸部的形狀，可適用與關於配設於第一側面31的凹部及凸部的形狀的說明一樣的說明。
圖7(a)～圖7(f)是顯示與實施形態有關的靜電吸盤的製造方法的一例之示意剖面圖。 在靜電吸盤的製程中，有配設於底板300的連通道301(冷媒流道)的位置偏離設計的情形。圖7(a)～圖7(c)顯示連通道301的位置不偏離設計的情形。圖7(d)～圖7(f)顯示連通道301的位置偏離設計的情形的一例。
如圖7(a)所示，在下構件300b之上接合上構件300a。據此，如圖7(b)所示，形成底板300。而且，在底板300之上接合陶瓷介電質基板100。據此，如圖7(c)所示，製造靜電吸盤10。此外，在該例子中，加熱器部200內建於陶瓷介電質基板100，省略電極111。
例如如圖7(d)所示，在上構件300a與下構件300b的接合中，上構件300a與下構件300b的相對位置有偏離設計的情形。據此，對陶瓷介電質基板100的載置面(及載置於其上的處理對象物)或加熱器部200之連通道301的相對位置有偏離設計的情形。
例如如圖7(e)所示，在陶瓷介電質基板100及加熱器部200的製程中，陶瓷介電質基板100與加熱器部200的相對位置有偏離設計的情形。據此，對加熱器部200之連通道301的相對位置有偏離設計的情形。
例如如圖7(f)所示，在陶瓷介電質基板100與底板300的接合中，陶瓷介電質基板100與底板300的相對位置有偏離設計的情形。據此，對陶瓷介電質基板100的載置面(及載置於其上的處理對象物)或加熱器部200之連通道301的相對位置有偏離設計的情形。
如以上說明，在靜電吸盤10為了冷卻被吸附物之晶圓(wafer)等，在底板300配設有連通道301。藉由該冷媒，抑制例如來自處理中的電漿的熱輸入使得晶圓被過熱。在包含加熱器部200的靜電吸盤10中，藉由利用加熱器部200進行的加熱及利用冷媒進行的冷卻，控制載置處理對象物的面的溫度。而且，在陶瓷介電質基板也配設有冷卻氣體導入孔或溝，藉由氦氣等實施被吸附物的溫度控制。適切地設計這種冷卻氣體導入孔或溝的配置等與連通道的位置關係，以使載置處理對象物的面上的溫度分布盡可能成為均勻。
例如靜電吸盤10藉由接合層將底板與陶瓷基板接合而形成。而且，也有將複數個構件接合形成底板的情形。在靜電吸盤10的製程中，有連通道301之對陶瓷介電質基板100的位置偏離設計的情形。連通道301的位置偏移的情形，有發生陶瓷介電質基板100之載置處理對象物的面上的溫度分布背離設計的不良狀況之虞。
相對於此，在與實施形態有關的靜電吸盤中，在連通道301的第一流道部311的至少一方的側面上交互配置有複數個凸部與複數個凹部。因此，在連通道的位置偏離設計的情形下， 可將陶瓷介電質基板的載置面上的溫度分布偏離設計抑制到更小。
圖8(a)～圖8(d)及圖9(a)～(f)是顯示靜電吸盤的溫度分布的模擬之示意圖。 圖8(a)～圖8(d)顯示用於模擬的靜電吸盤的模式(model)。圖8(a)及圖8(b)對應從上方看與參考例有關的靜電吸盤之透視圖。在圖8(a)及圖8(b)中，區域Ra對應陶瓷介電質基板的載置面，區域Rb對應位於區域Ra的下方的連通道(冷媒流道)。在與參考例有關的靜電吸盤中，在區域Rb(連通道)未配設有凹凸。圖8(b)顯示區域Rb對區域Ra的位置從圖8(a)的狀態在箭頭方向僅偏移距離d的份的狀態。
圖8(c)及圖8(d)對應從上方看與實施形態有關的靜電吸盤的透視圖。在圖8(c)及圖8(d)中，區域Ra對應陶瓷介電質基板的載置面，區域Rc對應位於區域Ra的下方的連通道(冷媒流道)。在與實施形態有關的靜電吸盤中，在區域Rc(連通道)配設有凹凸。也就是說，區域Rc具有複數個部分Rc1與複數個部分Rc2。例如部分Rc1對應凸部31p，部分Rc2對應凹部31q。圖8(d)顯示區域Rc對區域Ra的位置從圖8(c)的狀態在箭頭方向僅偏移距離d的份的狀態。在圖8(b)及圖8(d)中偏移量(距離d)相同。
圖9(a)～圖9(c)對應與參考例有關的靜電吸盤中的陶瓷介電質基板的載置面的溫度分布。圖9(a)對應在圖8(a)所示的模式中以規定的熱量一邊冷卻區域Rb一邊加熱全體時的溫度分布。圖9(b)對應在圖8(b)所示的模式中以規定的熱量一邊冷卻區域Rb一邊加熱全體的情形的溫度分布。圖9(c)顯示從圖9(b)的溫度減去圖9(a)的溫度的值。也就是說，圖9(c)顯示區域Rb的位置偏移造成對溫度分布的影響。
同樣地，圖9(d)～圖9(f)對應與實施形態有關的靜電吸盤中的陶瓷介電質基板的載置面的溫度分布。圖9(d)對應在圖8(c)所示的模式中以規定的熱量一邊冷卻區域Rc一邊加熱全體的情形的溫度分布。圖9(e)對應在圖8(d)所示的模式中以規定的熱量一邊冷卻區域Rc一邊加熱全體的情形的溫度分布。圖9(f)顯示從圖9(d)的溫度減去圖9(e)的溫度的值。也就是說，圖9(f)顯示區域Rc的位置偏移造成對溫度分布的影響。
在圖9(c)所示的箭頭的位置的附近中，因區域Rb的位置偏移而使溫度變化18℃。相對於此，在圖9(f)所示的箭頭的位置的附近中，因區域Rc的位置偏移而使溫度變化3℃。而且，圖9(f)中的溫度的變化比圖9(c)中的溫度變化還平緩。藉由在連通道配設凹凸。可減小因連通道的位置偏移造成的載置面的溫度變化。也就是說，例如藉由在延伸於第一方向D1的連通道中，在其側面追加凹凸，使得對連通道的位置偏移的溫度分布的強健性(robustness)提高。
在該例子中，如已經敘述的，即使在一對側面(第一側面31及第二側面32)之中的他方的側面上，也配設複數個凸部與複數個凹部，該複數個凸部與該複數個凹部交互排列。也就是說，在連通道301的兩方的側面上，複數個凸部與複數個凹部被交互配置。據此，可更抑制伴隨連通道301的位置偏移之載置面上的溫度分布偏離設計。
但是，在實施形態中，只要在一對側面(第一側面31及第二側面32)的至少一方配設有凹部及凸部即可。第一側面31具有凸部及凹部，且第二側面32不具有凸部及凹部而延伸於第一方向D1也可以。例如一對側面之中具有複數個凹部及複數個凸部的一方的側面(第一側面31)位於比他方的側面(第二側面32)還靠底板300的外周側。在連通道301的第一流道部311沿著底板300的周向延伸的情形下，若第一流道部311的位置偏離設計，則相較於第一流道部311的內側在第一流道部311的外側中，因位置偏移造成對溫度分布的影響往往大。相對於此，在外周側的側面(第一側面31)上配設有複數個凸部與複數個凹部。據此，可更抑制在第一流道部311的外周側中，載置面上的溫度分布偏離設計。但是，第二側面32具有凸部及凹部，且第一側面31不具有凸部及凹部而延伸於第一方向D1也可以。
而且，在該例子中，第一方向D1為底板300的周向。據此，例如第一流道部311沿著底板300或處理對象物W的外形延伸。據此，容易抑制例如在外周側中位置偏移造成對溫度分布的影響。
而且，如關於圖6所說明的，距離L1比距離La還長。距離L1例如為5mm以上。如此，藉由第一距離L1(例如連通道的側面的蜿蜒量)長，即使在靜電吸盤的製造時連通道的位置偏移稍微變大，也可抑制載置面上的溫度分布偏離設計。
而且，如關於圖6所說明的，第二距離L2為30mm以上、140mm以下。因第二距離L2(例如連通道的側面的蜿蜒週期的一半)比規定值還短，故可更抑制伴隨連通道的位置偏移之載置面上的溫度分布偏離設計。
此外，在實施形態的說明中，為了方便起見使用[振幅]及[週期]此一用語。但是，在實施形態中，遍及全周第一距離L1未必為一定也可以，且第二距離L2未必為一定也可以。也就是說，凹部與凸部未必以一定的間隔重複也可以。
圖10是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之斜視圖。 在圖10顯示加熱器部200的一部分與連通道301的一部分。 加熱器部200包含位於連通道301的上方的加熱器元件(heater element)230。加熱器元件230包含沿著X-Y平面延伸的帶狀的導電部。例如加熱器元件230與外部電源(未圖示)電連接。在加熱器元件230從外部供給自加熱器元件230的一端流到他端的電流。據此，加熱器元件230(加熱器線)發熱。藉由控制流到加熱器元件230的電流，可控制加熱器元件230的發熱量，可控制陶瓷介電質基板100的載置面的溫度。
加熱器元件230配設複數個也可以。複數個加熱器元件230在X-Y平面上排列也可以。複數個加熱器元件230透過絕緣膜積層於Z方向也可以。藉由配設複數個加熱器元件230，使得載置面及處理對象物的溫度容易控制。例如可提高放置於載置面的處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
作為加熱器元件230的材料，例如可舉出包含不銹鋼(stainless)、鈦、鉻、鎳、銅、鋁、英高鎳(Inconel)(註冊商標)、鉬、鎢、鈀、鉑、銀、鉭、碳化鉬(molybdenum carbide)及碳化鎢(tungsten carbide)的至少任一種的金屬等。加熱器元件230的厚度(Z方向的長度)為例如約0.01mm以上、0.20mm以下左右。
在圖10所示的例子中，加熱器元件230包含第一加熱器元件230a與第二加熱器元件230b。第一加熱器元件230a包含第一～第五加熱器線231～235。第一～第五加熱器線231～235既可以互相被電連接，也可以被絕緣。第二加熱器元件230b包含第六～第九加熱器線236～239。第六～第九加熱器線236～239既可以互相被電連接，也可以被絕緣。
例如第一～第九加熱器線231～239分別為沿著第一方向D1(周向)延伸的圓弧狀。在平面視中，第一～第九加熱器線231～239從外周側起以該順序排列。也就是說，第一加熱器線231為複數個加熱器元件230之中位於最外周的部分。此外，加熱器元件230的形狀未必沿著周向延伸也可以，且不是圓弧狀也可以。
圖11(a)及圖11(b)是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之透視俯視圖。 圖11(a)及圖11(b)分別對應從上方看圖10所示的加熱器元件230與連通道301的狀態。圖11(a)顯示對加熱器部200之連通道301的相對位置不偏離設計的情形。圖11(b)顯示對加熱器部200之連通道301的相對位置偏離設計的情形。
在平面視中，第一加熱器線231具有沿著第一加熱器線231的延伸方向(在該例子中為周向)延伸的第一邊q1與第二邊q2。第一邊q1與第二邊q2在徑向(第二方向D2)上排列。第一邊q1位於比第二邊q2還靠底板300的外側。同樣地，第二～第九加熱器線232～239的各個具有一對邊(第一邊q1及第二邊q2)。
如圖11(a)及圖11(b)所示，第一加熱器線231的一對邊的至少一方在Z方向上與第一流道部311重疊。對加熱載置面的加熱器部200，若冷卻載置面的連通道301的位置偏離設計，則載置面上的溫度分布偏離設計容易變大。相對於此，依照實施形態，因加熱器線的一邊的至少一部分與連通道301的第一流道部311重疊，故在連通道301對加熱器部200的位置偏離設計的情形下，可更抑制載置面上的溫度分布偏離設計。
例如第一加熱器線231的第一邊q1在Z方向上與第一側面31重疊。第一加熱器線231的第二邊q2在Z方向上與第二側面32重疊。例如第一加熱器線231的延伸方向與第一方向D1相同。此情形，第一流道部311的複數個凹部31q及複數個凸部31p沿著第一加熱器線的延伸方向交互排列。據此，在連通道301對加熱器部200的位置偏離設計的情形下，可更抑制載置面上的溫度分布偏離設計。
例如第一流道部311在平面視中，與複數個加熱器線重疊也可以。在圖11(a)及圖11(b)的例子中，第一流道部311在Z方向上與第一加熱器線231及第二加熱器線232重疊。第一流道部311在Z方向上既可以僅與1個加熱器線重疊，也可以與3個以上的加熱器線重疊。
圖12是示意地顯示與實施形態有關的另一靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖12與圖4一樣，顯示與實施形態有關的靜電吸盤11的一部分的剖面，顯示從上方看底板300及連通道301的平面形狀。靜電吸盤11例如包含一邊蜿蜒一邊沿著第一方向D1延伸的第二流道部312。除此之外，對靜電吸盤11可適用與靜電吸盤10一樣的說明。
第二流道部312位於比第一流道部311還靠底板300的內周側。例如第二流道部312位於第一流道部311與底板300的中心300c之間。第二流道部312也可以配設於底板300的中央區域CR。第二流道部312為一條渦卷狀的連通道301之中的一部分，且與第一流道部311連接。第二流道部312以包圍中心300c的周圍的方式被配設。例如第二流道部312繞中心300c的周圍一圈，並包圍中心300c的全周。但是，第二流道部312為圓弧狀(渦卷狀或環狀的一部分)也可以，且遍及繞中心300c的周圍一圈以上而包圍也可以。
第二流道部312具有與X-Y平面交叉的一對側面(內壁面)。一對側面例如沿著第一方向D1延伸。具體而言，第二流道部312具有第三側面33與第四側面34。
以下，就第三側面33為底板300的外側的側面，第四側面34為底板300的內側的側面的情形進行說明。也就是說，第四側面34位於第三側面33與底板300的中心300c之間。但是，在以下的說明中，第三側面33為底板300的內側的側面，第四側面34為底板的外側的側面也可以。
第三側面33及第四側面34互相對向，延伸於X-Y平面內。冷媒流動於第三側面33與第四側面34之間。例如第三側面33在底板300的平面形狀的徑向上與第四側面34對向。
第二流道部312的一對側面(第三側面33及第四側面34)的一方在沿著Z方向看的情形下，具有複數個凸部與複數個凹部。例如第三側面33具有複數個凸部33p與複數個凹部33q。複數個凸部33p的各個為凸向第二方向D2之凸狀。複數個凹部33q的各個為凸向與第二方向D2相反的方向D3之凸狀。也就是說，例如在平面視中，凸部33p為凸向底板300的外側之凸狀(例如為凸向從底板300的中心朝向外緣的方向之凸狀)。例如在平面視中，凹部33q為凸向底板300的內側之凸狀(例如為凸向從底板300的外緣朝向中心的方向之凸狀)。
複數個凸部33p與複數個凹部33q沿著冷媒流動於連通道301內的路徑交互配設。複數個凸部33p與複數個凹部33q沿著第一方向D1交互排列。
在該例子中，第二流道部312的一對側面的兩方蜿蜒。也就是說，第二流道部312的一對側面(第三側面33及第四側面34)的他方的側面在沿著Z方向看的情形下，具有複數個凸部與複數個凹部。也就是說，第四側面34具有複數個凸部34p與複數個凹部34q。複數個凸部34p的各個為凸向第二方向D2之凸狀。複數個凹部34q的各個為凸向與第二方向D2相反的方向D3之凸狀。也就是說，例如在平面視中，凸部34p為凸向底板300的外側之凸狀(例如為凸向從底板300的中心朝向外緣的方向之凸狀)。例如在平面視中，凹部34q為凸向底板300的內側之凸狀(例如為凸向從底板300的外緣朝向中心的方向之凸狀)。
複數個凸部34p與複數個凹部34q沿著冷媒流動於連通道301內的路徑交互配設。複數個凸部34p與複數個凹部34q沿著第一方向D1交互排列。
在平面視中，凸部33p、凹部33q、凸部34p、凹部34q分別為曲線(例如圓弧)。但是，凸部33p、凹部33q、凸部34p、凹部34q分別在至少在一部分包含直線部分也可以。在凸部33p與凹部33q之間配設有沿著第一方向D1延伸的部分也可以。在凸部34p與凹部34q之間配設有沿著第一方向D1延伸的部分也可以。
圖13是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖13係將圖12的一部分放大顯示。各凸部33p具有頂部33pt(例如頂點)。頂部33pt在1個凸部33p之中，從在方向D3上離開該凸部33p的位置(例如底板300的中心300c)看，為最突出於第二方向D2的部分。例如頂部33pt為該凸部33p之中位於底板300的最外側的部分(在平面視中最離開中心300c的部分)。
各凹部33q具有頂部33qt(例如頂點)。頂部33qt在1個凹部33q之中，從在方向D3上離開該凹部33q的位置(例如底板300的中心300c)看，為最凹陷於方向D3的部分。例如頂部33qt為該凹部33q之中位於底板300的最內側的部分(在平面視中最接近中心300c的部分)。
各凸部34p具有頂部34pt(例如頂點)。頂部34pt在1個凸部34p之中，從在方向D3離開該凸部34p的位置(例如底板300的中心300c)看，為最突出於第二方向D2的部分。例如頂部34pt為該凸部34p之中位於底板300的最外側的部分。
各凹部34q具有頂部34qt(例如頂點)。頂部34qt在1個凹部34q之中，從在方向D3上離開該凹部34q的位置(例如底板300的中心300c)看，為最凹陷於方向D3的部分。例如頂部34qt為該凹部34q之中位於底板300的最內側的部分。上述的各頂部也可以是邊，而不是頂點。
如圖13所示，第二流道部312包含：由頂部33pt形成的第三部分312a；由頂部33qt形成的第四部分312b。 第三部分312a在平面視中，為頂部33pt與第四側面34之中最接近該頂部33pt的位置之間的範圍。也就是說，第三部分312a的各個在平面視中，為頂點33pt的各個與最接近頂點33pt的各個的第四側面34的位置的各個之間的區域。 第四部分312b在平面視中，為頂部33qt與第四側面34之中最接近該頂部33qt的位置之間的範圍。也就是說，第四部分312b的各個在平面視中，為頂點33qt的各個與最接近頂點33qt的各個的第四側面34的位置的各個之間的區域。 沿著冷媒的路徑，第三部分312a與第四部分312b交互排列。
例如在第二流道部312之中沿著冷媒的路徑互相最接近的第三部分312a彼此之間的範圍中，連結位於該範圍的兩端的頂部33pt彼此的方向D33p(參照圖12)係沿著該範圍內的點上的第一方向D1。 例如在第二流道部312之中沿著冷媒的路徑互相最接近的第四部分312b彼此之間的範圍中，連結位於該範圍的兩端的頂部33qt彼此的方向D33q(參照圖12)係沿著該範圍內的點上的第一方向D1。
而且，例如冷媒流過第二流道部312內的方向DR2(以下有稱為[第二冷媒方向DR2]的情形)係沿著第一方向D1。在該例子中，因連通道301彎曲，第三側面33及第四側面34蜿蜒，故第二冷媒方向DR2沿著冷媒的路徑變化。此情形，例如第二流道部312之中的任意處中的第二冷媒方向DR2係沿著該處中的第一方向D1(在該例子中為該處中的周向)。
例如如圖13所示，第二流道部312之中，在沿著冷媒的路徑互相鄰接的第三部分312a與第四部分312b之間，第二冷媒方向DR2可當作連結該第三部分312a的中心與該第四部分312b的中心的方向。
此外，將圖13所示的方向Dβ當作連通道301內的任意的點β中的第二冷媒方向DR2使用也可以。方向Dβ在平面視中，為對最短連結第三側面33與第四側面34的線段Lβ垂直的方向。線段Lβ通過該任意的點β。 或者，第二流道部312之中在沿著冷媒的路徑互相鄰接的第三部分312a彼此之間的範圍中，將連結位於該範圍的兩端的頂部33pt彼此的方向D33p(參照圖12)當作第二冷媒方向DR2使用也可以。 或者，第二流道部312之中在沿著冷媒的路徑互相鄰接的第四部分312b彼此之間的範圍中，將連結位於該範圍的兩端的頂部33qt彼此的方向D33q(參照圖12)當作第二冷媒方向DR2使用也可以。
第二流道部312的寬度一定也可以。例如凸部33p(頂部33pt)與凸部34p(頂部34pt)在第二方向D2上排列。例如凹部33q(頂部33qt)與凹部34q(頂部34qt)在第二方向D2上排列。但是，在實施形態中，第二流道部312的寬度不為一定，而沿著冷媒的路徑變化也可以。凸部33p(頂部33pt)不與凸部34p(頂部34pt)在第二方向D2上排列，而與凹部34q(頂部34qt)在第二方向D2上排列也可以。凹部33q(頂部33qt)不與凹部34q(頂部34qt)在第二方向D2上排列，而與凸部34p(頂部34pt)在第二方向D2上排列也可以。
圖14是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖14係將圖12的一部分放大顯示。複數個凸部33p包含凸部33p的1個之第二凸部33pa。複數個凹部33q包含凹部33q的1個之第二凹部33qa。第二凹部33qa與第二凸部33pa鄰接，與第二凸部33pa接續。也就是說，第二凹部33qa與第二凸部33pa在第一方向D1上排列，為複數個凹部33q之中最接近第二凸部33pa的凹部。
例如圖14所示的距離L3(第三距離)比距離Lb還長。距離Lb為第二流道部312的一方的側面(第三側面33)與他方的側面(第四側面34)之間的最短距離。也就是說，距離Lb為平面視中的第二流道部312的最窄的部分的寬度。
距離L3對應第二凸部33pa的頂部33pt與第二凹部33qa的頂部33qt之間的沿著第二方向D2(該頂部33pt或該頂部33qt中的第二方向D2)的距離。例如距離L3對應第三側面33的蜿蜒的振幅的倍的長度。
更具體而言，距離L3為圖14所示的第四假想圓IC4與第五假想圓IC5之間的距離(最短距離)。第四假想圓IC4為與第二凸部33pa(第二凸部33pa的頂部33pt)相切，以底板300的中心300c為中心的假想圓。第五假想圓IC5為與第二凹部33qa(第二凹部33qa的頂部33qt)相切，以底板300的中心300c為中心的假想圓。距離L3例如為5毫米(mm)以上、30mm以下。
例如第二流道部312的距離L3(第三距離)比第一流道部311的距離L1(第一距離)還短。當沿著周向延伸的連通道301的第一流道部311及第二流道部312的位置偏離設計時，在位於比位於底板300的內周側的第二流道部312還靠外周側的第一流道部311中，因位置偏移造成對溫度分布的影響往往大。相對於此，因外周側的第一流道部311中的第一距離比內周側的第二流道部中的第三距離還長，故可更抑制在外周側的第一流道部中，載置面上的溫度分布偏離設計。
圖14所示的距離L4(第四距離)例如為30mm以上、140mm以下。距離L2對應第二凸部33pa的頂部33pt與第二凹部33qa的頂部33qt之間的沿著第一方向D1的距離。例如距離L4對應第三側面33的蜿蜒週期的一半的長度。
更具體而言，距離L4為圖14所示的點p3與點p4之間的沿著第一方向D1(周向)的距離。 點p3為第六假想圓IC6與第三徑向線R3的交點。點p4為第六假想圓IC6與第四徑向線R4的交點。第六假想圓IC6為以底板300的中心300c為中心，位於第四假想圓IC4與第五假想圓IC5之間的假想圓。第四假想圓IC4與第六假想圓IC6之間的距離(最短距離)和第五假想圓IC5與第六假想圓IC6之間的距離(最短距離)相等。第三徑向線R3為通過底板300的中心300c與第二凸部33pa(第二凸部33pa的頂部33pt)的直線。第四徑向線R4為通過底板300的中心300c與第二凹部33qa(第二凹部33qa的頂部33qt)的直線。
例如第二流道部312的距離L4(第四距離)比第一流道部311的距離L2(第二距離)還長。因外周側的第一流道部311中的第二距離(例如蜿蜒週期)比內周側的第二流道部312中的第四距離(例如蜿蜒週期)還短，故可更抑制在外周側的第一流道部中，載置面上的溫度分布偏離設計。
此外，關於配設於第四側面34的凹部及凸部的形狀，可適用與關於配設於第三側面33的凹部及凸部的形狀的說明一樣的說明。
圖15、圖16(a)及圖16(b)是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之透視俯視圖。 圖15顯示靜電吸盤11的加熱器元件230與連通道301。在該例子中，加熱器元件230包含第一～第七加熱器線231～237。各加熱器線的平面形狀例如為環狀。
圖16(a)及圖16(b)為分別對應圖15所示的加熱器元件230及連通道301的一部分之圖。圖16(a)顯示對加熱器部200之連通道301的相對位置不偏離設計的情形。圖16(b)顯示對加熱器部200之連通道301的相對位置偏離設計的情形。
如圖16(a)及圖16(b)所示，第一加熱器線231的一對邊的至少一方在Z方向上與第一流道部311重疊。而且，如圖15所示，例如第三加熱器線233的一對邊的至少一方在Z方向上與第二流道部312重疊。據此，在連通道301對加熱器部200的位置偏離設計的情形下，可更抑制載置面上的溫度分布偏離設計。
例如第二流道部312與第二加熱器線232及第三加熱器線233在Z方向上重疊。第二流道部312既可以僅與1個加熱器線重疊，也可以與複數個加熱器線重疊。
圖17是示意地顯示與實施形態有關的另一靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖17顯示從上方看與實施形態有關的靜電吸盤12的底板300及連通道301的平面形狀。靜電吸盤12在連通道301的平面形狀中，與靜電吸盤10不同，不是渦卷狀，而是例如鋸齒狀或蛇狀。在該例子中，第一方向D1為與Y方向平行的直線Ly上的方向，為Y方向或與Y方向相反的方向。第二方向D2為對第一方向D1垂直的方向。
在靜電吸盤12中，連通道301也包含第一流道部311。第一流道部311包含第一側面31與第二側面32。第一流道部311、第一側面31及第二側面32的各個例如一邊蜿蜒一邊沿著第一方向D1延伸。第一側面31包含複數個凸部31p與複數個凹部31q。第二側面32包含複數個凸部32p與複數個凹部32q。連結複數個凸部31p之中最接近的凸部31p的頂部彼此的方向係沿著第一方向D1，例如平行於第一方向D1。連結複數個凹部31q之中最接近的凹部31q的頂部彼此的方向係沿著第一方向D1，例如平行於第一方向D1。
例如第一流道部311配設有複數個，在第二方向D2上排列也可以。連通道301具有在第二方向D2上與第一流道部311鄰接的流道部313也可以。在流道部313中冷媒的流動係沿著與第一方向D1相反的方向。除此之外，流道部313的形狀與第一流道部311一樣也可以。也就是說，流道部313例如一邊蜿蜒一邊沿著第一方向D1延伸。流道部313的一對側面的各個例如一邊蜿蜒一邊沿著第一方向D1延伸。流道部313的一對側面的各個包含：凸向第二方向D2之凸狀的複數個凸部，與凸向方向D3之凸狀的複數個凹部。連通道313與第一流道部311藉由連通道301的彎曲部連接。
而且，連通道301包含第二流道部312。第二流道部312包含第三側面33與第四側面34。第二流道部312、第三側面33及第四側面34的各個例如一邊蜿蜒一邊沿著第一方向D1延伸。第三側面33包含複數個凸部33p與複數個凹部33q。第四側面34包含複數個凸部34p與複數個凹部34q。連結複數個凸部33p之中最接近的凸部33p的頂部彼此的方向係沿著第一方向D1，例如平行於第一方向D1。連結複數個凹部33q之中最接近的凹部33q的頂部彼此的方向係沿著第一方向D1，例如平行於第一方向D1。
例如第二流道部312配設有複數個，在第二方向D2上排列也可以。連通道301具有在第二方向D2上與第二流道部312鄰接的流道部314也可以。在流道部314中冷媒的流動沿著與第一方向D1相反的方向。除此之外，流道部314的形狀與第二流道部312一樣也可以。也就是說，流道部314例如一邊蜿蜒一邊沿著第一方向D1延伸。流道部314的一對側面的各個例如一邊蜿蜒一邊沿著第一方向D1延伸。流道部314的一對側面的各個包含：凸向第二方向D2之凸狀的複數個凸部，與凸向方向D3之凸狀的複數個凹部。流道部314與第二流道部312藉由連通道301的彎曲部連接。
圖18是示意地顯示與實施形態有關的另一靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖18係將圖17所示的第一流道部311的一部分放大顯示。 複數個凸部31p包含凸部31p的1個之第一凸部31pa。複數個凹部31q包含凹部31q的1個之第一凹部31qa。 圖18所示的距離L5(第五距離)例如比距離La還長。距離La為第一流道部311的一方的側面(第一側面31)與他方的側面(第二側面32)之間的最短距離。
距離L5為圖18所示的第一直線IL1與第二直線IL2之間的距離(最短距離)。第一直線IL1為與第一凸部31pa(第一凸部31pa的頂部31pt)相切，延伸於第一方向D1的直線。第二直線IL2為與第一凹部31qa(第一凹部31qa的頂部31qt)相切，延伸於第一方向D1的直線。距離L5例如為5毫米(mm)以上、30mm以下。
圖18所示的距離L6(第六距離)例如為30mm以上、140mm以下。距離L6為圖18所示的點p5與點p6之間的沿著第一方向D1的距離。點p5為第三直線IL3與第一垂直線V1的交點。點p6為第三直線IL3與第二垂直線V2的交點。第三直線IL3為位於第一直線IL1與第二直線IL2之間的直線。第一直線IL1與第三直線IL3之間的距離(最短距離)和第二直線IL2與第三直線IL3之間的距離(最短距離)相等。第一垂直線V1為通過第一凸部31pa(第一凸部31pa的頂部31pt)，垂直於第一直線IL1的直線。第二垂直線V2為通過第一凹部31qa(第一凹部31qa的頂部31qt)，垂直於第二直線IL2的直線。
藉由第五距離(例如連通道的側面的蜿蜒量)比較長，即使在靜電吸盤的製造時連通道的位置偏移稍微變大，也可抑制載置面上的溫度分布偏離設計。因第六距離(例如連通道的側面的蜿蜒週期)短，故可更抑制伴隨連通道的位置偏移的載置面上的溫度分布偏離設計。
在圖18的例子中，凸部31p(頂部31pt)與凸部32p(頂部32pt)在第二方向D2上排列。而且，凹部31q(頂部31qt)與凹部32q(頂部32qt)在第二方向D2上排列。據此，可使第一流道部311的寬度一定。但是，凸部31p(頂部31pt)不與凸部32p(頂部32pt)在第二方向D2上排列也可以。凹部31q(頂部31qt)不與凹部32q(頂部32qt)在第二方向D2上排列也可以。
圖19是示意地顯示與實施形態有關的另一靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖19係將圖17所示的第一流道部311的一部分放大顯示。 複數個凸部33p包含凸部33p的1個之第二凸部33pa。複數個凹部33q包含凹部33q的1個之第二凹部33qa。 圖19所示的距離L7比距離Lb還長。距離Lb為第二流道部332的一方的側面(第三側面33)與他方的側面(第四側面34)之間的最短距離。
距離L7為圖19所示的第四直線IL4與第五直線IL5之間的距離(最短距離)。第四直線IL4為與第二凸部33pa(第二凸部33pa的頂部33pt)相切，延伸於第一方向D1的直線。第五直線IL5為與第二凹部33qa(第二凹部33qa的頂部33qt)相切，延伸於第一方向D1的直線。距離L7例如為5毫米(mm)以上、30mm以下。
圖19所示的距離L8例如為30mm以上、140mm以下。距離L8為圖19所示的點p7與點p8之間的沿著第一方向D1的距離。點p7為第六直線IL6與第三垂直線V3的交點。點p8為第六直線IL6與第四垂直線V4的交點。第六直線IL6為位於第四直線IL4與第五直線IL5之間的直線。第四直線IL4與第六直線IL6之間的距離(最短距離)和第五直線IL5與第六直線IL6之間的距離(最短距離)相等。第三垂直線V3為通過第二凸部33pa(第二凸部33pa的頂部33pt)，垂直於第四直線IL4的直線。第四垂直線V4為通過第二凹部33qa(第二凹部33qa的頂部33qt)，垂直於第五直線IL5的直線。
在圖19的例子中，凸部33p(頂部33pt)與凸部34p(頂部34pt)不在第二方向D2上排列。凹部33q(頂部33qt)與凹部34q(頂部34qt)不在第二方向D2上排列。也就是說，第二流道部312的寬度沿著第一方向變化。據此，例如第二流道部312內的冷媒的流動紊亂，可提高冷卻效果。但是，凸部33p(頂部33pt)與凸部34p(頂部34pt)在第二方向D2上排列也可以。而且，凹部33q(頂部33qt)與凹部34q(頂部34qt)在第二方向D2上排列也可以。
如以上，依照實施形態，可提供一種可抑制冷媒流道的位置偏移的影響之靜電吸盤。例如可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
以上針對本發明的實施的形態進行了說明。但是，本發明不是被限定於該等記述。關於前述的實施的形態，熟習該項技術者適宜加入了設計變更只要也具備本發明的特徵就包含於本發明的範圍。例如靜電吸盤所具備的各元件的形狀、尺寸、材質、配置、設置形態等並非被限定於舉例說明者，可適宜變更。
而且，前述的各實施的形態所具備的各元件在技術上盡可能可組合，組合該等元件只要也包含本發明的特徵就包含於本發明的範圍。
10-12:靜電吸盤 31:第一側面 31p、31pb、31pc、32p、33p、34p、113:凸部 31pa:第一凸部 31pt、31qt、32pt、32qt、33pt、33q、34pt、34qt:頂部 31q、31qb、31qc、32q、33q、34q:凹部 31qa:第一凹部 32:第二側面 33:第三側面 33pa:第二凸部 33qa:第二凹部 34:第四側面 100:陶瓷介電質基板 101:第一主表面 102:第二主表面 111:電極層 115:溝 200:加熱器部 230:加熱器元件 230a:第一加熱器元件 230b:第二加熱器元件 231～239:第一～第九加熱器線 300:底板 300a:上構件 300af:底面 300b:下構件 300bf:頂面 300c:中心 300e:外周 300g:溝 301:連通道 301c:一端 301d:他端 301g、303:底面 301s:側面 301u、302:頂面 311:第一流道部 311a:第一部分 311b:第二部分 312:第二流道部 312a:第三部分 312b:第四部分 321:導入道 332:流道部 403:接著層 B1:區域 CR:中央區域 d:距離 Dα、Dβ:方向 D1～D3:第一～第三方向 D31p、D31q、D33p、D33q:方向 DR1:第一冷媒方向 DR2:第二冷媒方向 IC1～IC6:第一～第六假想圓 IL1～IL6:第一～第六直線 L、Lβ:線段 L1～L8、La、Lb:距離 Ly:直線 p1～p8:点 q1、q2:第一、第二邊 R:冷媒 R1～R4-第一～第四徑向線 Ra、Rb、Rc:區域 Rc1、Rc2:部分 V1～V4-第一～第四垂直線 W:處理對象物 α、β:点 θ:角度
圖1是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤之斜視圖。 圖2(a)及圖2(b)是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖3(a)及圖3(b)是示意地顯示與實施形態的變形例有關的靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖4是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖5是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖6是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖7(a)~圖7(f)是顯示與實施形態有關的靜電吸盤的製造方法的一例之示意剖面圖。 圖8(a)~圖8(d)是顯示靜電吸盤的溫度分布的模擬(simulation)之示意圖。 圖9(a)~圖9(f)是顯示靜電吸盤的溫度分布的模擬之示意圖。 圖10是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之斜視圖。 圖11(a)及圖11(b)是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之透視俯視圖。 圖12是示意地顯示與實施形態有關的另一靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖13是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖14是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖15是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之透視俯視圖。 圖16(a)及圖16(b)是示意地顯示與實施形態有關的靜電吸盤的一部分之透視俯視圖。 圖17是示意地顯示與實施形態有關的另一靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖18是示意地顯示與實施形態有關的另一靜電吸盤的一部分之剖面圖。 圖19是示意地顯示與實施形態有關的另一靜電吸盤的一部分之剖面圖。
31:第一側面
31p、31pb、31pc、32p:凸部
31pt、31qt:頂部
31q、31qb、31qc、32q:凹部
32:第二側面
300:底板
300a:上構件
300c:中心
300g:溝
301c:一端
301d:他端
301s:側面
311:第一流道部
CR:中央區域
D1~D3:第一~第三方向
D31p、D31q:方向
DR1:第一冷媒方向
R:冷媒

Claims (13)

  1. 一種靜電吸盤，其特徵在於包含： 陶瓷介電質基板，具有載置處理對象物的載置面；以及 底板，支撐該陶瓷介電質基板，具有該陶瓷介電質基板側的頂面，和與該頂面相反側的底面， 該底板包含配設於該頂面與該底面之間，冷媒可通過之連通道， 該連通道包含具有沿著第一方向的一對側面之第一流道部，該第一方向係沿著冷媒的流動， 該一對側面之中的一方的側面當沿著該底板與該陶瓷介電質基板的積層方向看時，具有： 凸向對該第一方向垂直，且在從該一對側面之中的他方的側面朝向該一方的側面的第二方向之凸狀的複數個凸部；以及 凸向與該第二方向相反的方向之凸狀的複數個凹部， 該複數個凸部與該複數個凹部交互排列。
  2. 如請求項1之靜電吸盤，其中該一對側面之中的該他方的側面當沿著該積層方向看時，具有： 凸向該第二方向之凸狀的複數個凸部；以及 凸向與該第二方向相反的方向之凸狀的複數個凹部， 該他方的側面的該複數個凸部與該他方的側面的該複數個凹部交互排列。
  3. 如請求項1或請求項2之靜電吸盤，其中該第一方向為該底板的周向， 該一方的側面的該複數個凸部包含第一凸部， 該一方的側面的該複數個凹部包含與該第一凸部鄰接的第一凹部， 在以與該第一凸部相切並以該底板的中心為中心的假想圓作為第一假想圓，以與該第一凹部相切並以該底板的該中心為中心的假想圓作為第二假想圓的情形下，該第一假想圓與該第二假想圓之間的第一距離比該一方的側面與該他方的側面之間的最短距離還長。
  4. 如請求項3之靜電吸盤，其中該第一距離為5毫米以上。
  5. 如請求項1或請求項2之靜電吸盤，其中該第一方向為該底板的周向， 該一方的側面的該複數個凸部包含第一凸部， 該一方的側面的該複數個凹部包含與該第一凸部鄰接的第一凹部， 在以與該第一凸部相切並以該底板的中心為中心的假想圓作為第一假想圓，以與該第一凹部相切並以該底板的該中心為中心的假想圓作為第二假想圓，以離該第一假想圓的距離與離該第二假想圓的距離相等的假想圓作為第三假想圓，以連結該第一凸部與該底板的該中心的直線作為第一徑向線，以連結該第一凹部與該底板的該中心的直線作為第二徑向線的情形下，該第一徑向線與該第三假想圓的交點和該第二徑向線與該第三假想圓的交點之間的沿著該周向的第二距離為30毫米以上140毫米以下。
  6. 如請求項1或請求項2之靜電吸盤，其中該第一方向為該底板的周向， 該一方的側面位於比該他方的側面還靠該底板的外周側。
  7. 如請求項3之靜電吸盤，其中該連通道包含具有在該底板的徑向中排列的一對側面之第二流道部， 該第二流道部的該一對側面之中的一方的側面當沿著該積層方向看時，具有：凸向該第二方向之凸狀的複數個凸部，與凸向與該第二方向相反的方向之凸狀的複數個凹部， 該第二流道部的該複數個凸部與該第二流道部的該複數個凹部交互排列， 該第二流道部位於比該第一流道部還靠該底板的內周側， 該第二流道部的該複數個凸部包含第二凸部， 該第二流道部的該複數個凹部包含第二凹部， 若以與該第二凸部相切並以該底板的中心為中心的假想圓作為第四假想圓，以與該第二凹部相切並以該底板的該中心為中心的假想圓作為第五假想圓的情形之以該第四假想圓與該第五假想圓之間的距離作為第三距離，則該第一距離比該第三距離還長。
  8. 如請求項5之靜電吸盤，其中該連通道包含具有在該底板的徑向中排列的一對側面之第二流道部， 該第二流道部的該一對側面之中的一方的側面當沿著該積層方向看時，具有：凸向該第二方向之凸狀的複數個凸部，與凸向與該第二方向相反的方向之凸狀的複數個凹部， 該第二流道部的該複數個凸部與該第二流道部的該複數個凹部交互排列， 該第二流道部位於比該第一流道部還靠該底板的內周側， 該第二流道部的該複數個凸部包含第二凸部， 該第二流道部的該複數個凹部包含第二凹部， 若以與該第二凸部相切並以該底板的該中心為中心的假想圓作為第四假想圓，以與該第二凹部相切並以該底板的該中心為中心的假想圓作為第五假想圓，以離該第四假想圓的距離與離該第五假想圓的距離相等的假想圓作為第六假想圓，以連結該第二凸部與該底板的該中心的直線作為第三徑向線，以連結該第二凹部與該底板的該中心的直線作為第四徑向線的情形之以該第三徑向線與該第六假想圓的交點和該第四徑向線與該第六假想圓的交點之間的沿著該周向的距離為第四距離，則該第二距離比該第四距離還短。
  9. 如請求項1或請求項2之靜電吸盤，其中該第一方向為直線上的方向， 該一方的側面的該複數個凸部包含第一凸部， 該一方的側面的該複數個凹部包含與該第一凸部鄰接的第一凹部， 在以與該第一凸部相切並以延伸於該第一方向的直線作為第一直線，以與該第一凹部相切並以延伸於該第一方向的直線作為第二直線的情形下，該第一直線與該第二直線之間的第五距離比該一方的側面與該他方的側面之間的最短距離還長。
  10. 如請求項9之靜電吸盤，其中該第五距離為5毫米以上。
  11. 如請求項1或請求項2之靜電吸盤，其中該第一方向為直線上的方向， 該一方的側面的該複數個凸部包含第一凸部， 該一方的側面的該複數個凹部包含與該第一凸部鄰接的第一凹部， 在以與該第一凸部相切並以延伸於該第一方向的直線作為第一直線，以與該第一凹部相切並以延伸於該第一方向的直線作為第二直線，以離該第一直線的距離與離該第二直線的距離相等的直線作為第三直線，以通過該第一凸部並垂直於該第一直線的直線作為第一垂直線，以通過該第一凹部並垂直於該第二直線的直線作為第二垂直線的情形下，該第一垂直線與該第三直線的交點和該第二垂直線與該第三直線的交點之間的第六距離為30毫米以上140毫米以下。
  12. 如請求項1或請求項2之靜電吸盤，其中更包含：配設於該陶瓷介電質基板的內部，或配設於該陶瓷介電質基板與該底板之間，將該陶瓷介電質基板加熱之加熱器部， 該加熱器部包含加熱器線， 該加熱器線具有沿著該加熱器線的延伸方向延伸之一對邊， 該一對邊的一方的至少一部分在該積層方向中與該第一流道部重疊。
  13. 如請求項12之靜電吸盤，其中該延伸方向為與該第一方向相同的方向。
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