TWI826845B - 多壓雙極性靜電夾持 - Google Patents
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Abstract
示例性半導體處理系統包括處理腔室、電源、及夾盤，該夾盤至少部分地設置在該處理腔室內。夾盤包括夾盤主體，該夾盤主體限定真空埠。夾盤亦包括第一及第二共面電極，該第一及第二共面電極嵌入在夾盤主體中並連接至電源。在一些實例中，共面電極包括同心電極，該等同心電極在其間限定同心間隙。示例性半導體處理方法可包括啟動靜電夾盤的電源以將半導體基板緊固在夾盤的主體上，及/或啟動由靜電夾盤的主體限定的真空埠。一些處理可以在增加的壓力下進行，而其他處理可以在降低的壓力及增加的夾持電壓下進行。
Description
本申請案主張2020年10月19日提交的名稱為「MULTI-PRESSURE BIPOLAR ELECTROSTATIC CHUCKING」的美國專利申請第17/073,671號的權益及優先權，該美國專利申請的全部內容據此全文以引用方式併入本文。
本技術係關於用於半導體製造的部件及設備。更特定言之，本技術係關於靜電夾盤部件及其他半導體處理設備。
藉由在基板表面上產生複雜圖案化材料層的製程使得積體電路成為可能。在基板上產生圖案化材料需要形成及移除暴露材料的受控方法。隨著元件大小不斷縮小，沉積的材料可能會在基板上施加應力，此可能導致基板彎曲。在隨後的沉積操作期間，晶圓彎曲可能影響基板支撐件上的接觸，此可影響加熱。基板上的不均勻加熱分佈可影響隨後的沉積操作，從而導致基板表面上的不均勻沉積在多次處理操作中增加。
因此，鑒於上述情況，需要能夠用於生產高品質元件及結構的改進的系統及方法。本技術解決了該等及其他需求。
示例性半導體處理系統可包括處理腔室、電源、及至少部分設置在處理腔室內的靜電夾盤。夾盤包括夾盤主體，該夾盤主體限定真空埠。夾盤亦包括第一及第二共面電極，該第一及第二共面電極嵌入在夾盤主體中並連接至電源。在一些實例中，共面電極包括半環形網狀電極，該等半環形網狀電極在其間限定線性間隙。在一些實例中，共面電極包括同心電極，該等同心電極在其間限定同心間隙。
在一些示例性半導體處理系統中，電源被配置為相對於接地是浮置的。在一些示例性半導體處理系統中，電源被配置為選擇性地逆轉至電極中的至少一個電極的夾持電壓的極性。
示例性半導體處理方法可包括啟動靜電夾盤的電源以將半導體基板緊固在靜電夾盤的主體上，以及啟動由靜電夾盤的主體限定的真空埠。在一些實例中，在半導體處理腔室內部的壓力增加的同時降低電壓。在一些實例中，在增加的壓力下進行次大氣壓化學氣相沉積。在一些實例中，在增加夾持電壓的同時降低壓力。在一些實例中，在半導體處理腔室的內部撞擊出電漿，並進行半導體基板的電漿增強處理。
示例性靜電夾盤可包括：夾盤主體，該夾盤主體限定真空埠；以及第一及第二共面、同心電極，該第一及第二共面、同心電極嵌入在夾盤主體中。該等共面、同心電極在其間限定了同心間隙。在一些實例中，共面、同心電極及同心間隙與夾盤主體的圓周的大部分共同延伸。在一些實例中，共面、同心電極包括至少兩個同心區段。
在各種處理系統中，基板支撐件可以在沉積期間作為基板的熱源及/或夾盤操作。隨著製造製程的執行，可以在基板上形成多個材料層，此可以在基板上施加多個應力。在許多情況下，該等應力可能導致基板的一定量的彎曲，從而導致基板的表面上的不均勻沉積在多次處理操作中增加。
高深寬比處理(high aspect ratio processing, HARP)通常包括多個此類操作。例如，HARP可包括次大氣壓化學氣相沉積(sub-atmospheric chemical vapor deposition, SACVD)及電漿增強(plasma enhanced, PE)製程以提高沉積膜的品質。不同種類的沉積製程通常在不同的壓力及溫度下進行，從而給有效夾持半導體基板以維持平坦性及穩定性帶來了挑戰。在處理腔室中沒有電漿來提供夾持所需的電荷的情況下，使用靜電夾盤(electrostatic chuck, ESC)的單極夾持就不能工作。在低壓處理期間，真空夾持未提供足夠的力來抵消基板晶圓彎曲。此外，使用一些多重壓力製程時，單獨使用的一種類型的夾具可能未提供足夠的力來克服基板晶圓彎曲並防止基板背面沉積及粒子累積，基板背面沉積及粒子累積兩者都可能隨著多個製程的執行而增加。
本技術藉由利用雙極ESC來克服該等挑戰，該雙極ESC亦包括真空夾持。此外，可以使用設計成最小化在多壓力沉積製程中可能出現的缺陷的方法來操作夾盤，該等缺陷例如是由鬆散的夾盤及/或不希望的放電導致的缺陷。本技術的一些實施例亦包括電源，該電源具有一或多個被設計為最小化此類缺陷的特徵。
儘管剩餘的揭示內容將利用所揭示的技術常規地辨識特定的沉積製程，但是將容易理解的是，該等系統及方法同樣適用於其他沉積及清潔腔室，以及可能發生在所述腔室中的製程。因此，該技術不應被認為局限於僅用於該等特定的沉積製程或腔室。在描述根據本技術的實施例的對該系統的額外變化及調節之前，本揭露案將論述一種可能的系統及腔室，該系統及腔室可包括根據本技術的實施例的蓋堆疊部件。
第1圖圖示了根據本技術的一些實施例的示例性半導體處理系統的示意性剖視圖。如圖所示，半導體處理系統100可以是適於蝕刻基板121的蝕刻腔室。處理系統100可用於各種電漿製程。例如，處理系統100可用於用一或多種蝕刻劑執行乾式蝕刻。該處理系統可用於點燃來自前驅物C
xF
y(其中x及y代表已知化合物的值)、O
2、NF
3或其組合的電漿。在另一個實例中，處理腔室100可以用於SACVD。
該系統包括處理腔室，該處理腔室具有腔室主體102、內部120、蓋組件106、及靜電夾盤101。腔室主體經由腔室接地端子140接地。靜電夾盤101包括支撐桿104及夾盤主體107。儘管支撐桿的一部分可以從腔室突出，但是在處理期間靜電夾盤至少部分地容納在處理腔室內。蓋組件106位於腔室主體102的上端處。夾盤主體107可容納在腔室主體102內，並且蓋組件106可耦接至腔室主體102並且將夾盤主體107封閉在處理腔室中。腔室主體102可包括形成在腔室主體102的側壁中的轉移埠126，該轉移埠可包括狹縫閥。轉移埠126可選擇性地打開及閉合，以允許用於基板轉移的基板搬運機器人(未圖示)進入處理腔室的內部120。
電極108可以作為蓋組件106的一部分提供。電極108亦可以用作氣體分配板112，該氣體分配板具有開口118以允許處理氣體進入處理腔室的內部120。製程氣體可經由導管114供應至處理腔室，並且製程氣體可以在流過開口118之前進入氣體混合區域116。電極108可以耦合至電功率源，諸如RF發生器(未圖示)。隔離器110可以接觸電極108，並將電極108與腔室主體102電氣及熱隔離。隔離器110可以使用諸如氧化鋁、氮化鋁及/或其他陶瓷或金屬氧化物的介電材料來構造。加熱器119可耦接至氣體分配板112。加熱器119亦可耦合至AC功率供應(未圖示)。
夾盤101可以經由支撐桿104耦接至升降機構(未圖示)，該支撐桿延伸穿過腔室主體102的底表面。升降機構可以藉由伸縮軟管可撓地密封至腔室主體102，該伸縮軟管防止從支撐桿104周圍發生真空洩漏。升降機構可允許支撐桿104在腔室主體102內在轉移位置與多個處理位置之間豎直移動，以將基板121放置在電極108附近。在典型的實施方案中，夾盤主體107中可包括一或多個基座電極。一或多個基座電極(未圖示)可被配置為向處理腔室的內部120中的電漿輸送RF能量。
靜電夾盤101是雙極靜電夾盤，該雙極靜電夾盤被配置為支撐及保持正在使用兩個電極(一個通常是正的，而一個通常是負的)處理的基板。在一個實施例中，靜電夾盤101包括電極172及174，向該等電極施加電壓以靜電地緊固該等電極上的基板。電極由電源156供電。電源156包括向電極172供電的負電壓源162及向電極174供電的正電壓源164。電源156包括濾波電容器176及濾波電容器178。電源156經由電源接地端子180接地。
示意性地描繪了系統100的電極172及174。實際的實體夾盤電極可以採用各種形狀中的任何形狀，並以各種方式佈置。電極是共面的，並嵌入在夾盤主體內。雙極夾盤電極亦是導電的，並且可以由金屬材料製成。雙極夾盤電極172及174中的每一者都被施加相等且相反的電壓。在雙極夾盤電極172及174之間建立的電場誘發了基板的背側上的電荷積聚，該電荷積聚將基板拉到夾盤的表面。另外，雙極夾盤電極172及174之間存在間隙以防止電極短路。
在電漿處理期間，由於加熱導致的變形、沉積膜厚度增加、夾持功率損失或其組合，位於靜電夾盤上的基板的曲率可能增加。基板的變形可增加製程的不均勻性。在一個實施例中，可以藉由量測緊固基板的靜電夾盤的特征來監測正在處理的基板的平坦度。取決於預定條件，可以調節靜電夾盤的夾持電壓以校正基板變形。然而，在使用腔室內的各種壓力的製程中，僅靜電夾持可能是不夠的。在此種情況下，夾盤主體107的表面中的真空埠經由真空管路182被啟動。本文所述的夾盤可以在加熱器上方的頂表面中包括凹槽或檯面(未圖示)，以便增加可用的真空空間。
第2圖圖示了根據本技術的一些實施例的示例性靜電夾盤的示意性俯視圖。靜電夾盤主體200呈現有透明的頂表面及加熱器，使得可以觀察到夾持電極。夾盤主體200包括第一共面電極202及第二共面電極204。電極限定了其間具有線性間隙206的半環。夾盤主體200亦包括升降銷208及真空埠210，該真空埠由靜電夾盤的主體及半環形電極中的至少一個半環形電極限定。在一些實施例中，電極由金屬網構成。使用夾盤主體200的靜電夾盤可以與第1圖所示的半導體處理系統一起使用。真空可以由在真空埠310與擱置在夾盤主體200上的半導體基板之間的真空管路182產生。
第3圖圖示了根據本技術的一些實施例的示例性半導體處理系統300的一部分的示意圖。系統300包括具有夾盤主體200的靜電夾盤。圖示了電極202。電源356包括負電壓源362，該負電壓源向一個電極供電；及電壓源364，該電壓源向另一個電極供電。電源356包括濾波電容器376及濾波電容器378。與電源156不同，電源356缺少到腔室主體接地端子140的電源連接。因此，電源356相對於腔室主體接地端子140浮置，從而降低了夾盤電極與腔室主體之間DC放電380的風險。
第4圖圖示了根據本技術的一些實施例的示例性電源400的示意圖。電源400包括負電壓源462，該負電壓源向一個電極供電；及電壓源465，該電壓源向另一個電極供電。電源400包括濾波電容器476及濾波電容器478。電源400缺少電源接地端子，並且因此以與第3圖的電源356相同的方式浮置。另外，在一些實施例中，電源400的電壓源465被配置為提供選擇性可逆的極性。選擇性可逆意味著連接至電壓源465的電極的極性可以經切換，使得電極可以是陰極或陽極。在處理期間，可以藉由設計在特定時間改變極性，此可以導致更有效的夾持。應當注意的是，電源400的該兩個特徵僅出於說明的目的而圖示在一起。電源的浮置特性或極性逆轉電壓源可以在諸如半導體處理系統100的系統中獨立地使用。
第5圖圖示了根據本技術的一些實施例的另一示例性靜電夾盤的示意性俯視圖。靜電夾盤主體500呈現有透明的頂表面及加熱器，使得可以觀察到電極。夾盤主體500包括第一及第二共面、同心電極。電極相對於彼此並且相對於夾盤主體的外邊緣是同心的，並且與夾盤主體的圓周的大部分共同延伸。每個電極包括同心區段。例如，第一電極包括區段506、區段507、區段508、及區段509。第二電極包括區段512、區段513、區段514、及區段515。電極藉由限定在電極之間的基本上同心的間隙518彼此分開。術語同心並不意謂為絕對的。若大部分形成平行曲線；例如，若結構的大部分與其他結構或夾盤主體的外邊緣形成平行曲線，則電極、區段或間隙可以被認為是同心的。
夾盤主體500進一步包括升降銷528及一或多個真空埠530，該一或多個真空埠由靜電夾盤的主體及電極中的至少一個電極限定。使用第5圖的夾盤主體500的靜電夾盤可以與第1圖所示的半導體處理系統一起使用。可以在真空埠530與擱置在夾盤主體500上的半導體基板之間產生真空。具有如第5圖所示的電極配置的靜電夾盤可以用來降低DC放電的風險，因為此種電極配置消除了第2圖所示的電極配置所表現出的拐角。此種設計亦可提高均勻性，因為基板的外邊緣全部擱置在單個電極上，並且因此以單極性帶電。
在第5圖的該實例中，具有最靠近夾盤主體的邊緣的區段的電極是陰極(-)，並且另一個電極是陽極(+)。同樣在該實例中，若使用電源（諸如電源400），則陰極根據需要切換極性，使得第一及第二電極都帶正電。具有一對同心電極的夾盤可以用兩個電極的任何極性佈置來實施，以獲得本文所論述的益處中的許多益處。在基板的外邊緣具有單一電壓極性除了降低放電風險之外，亦提高了均勻性。為外邊緣設置負電壓極性可以最小化濺射及無意的電漿撞擊。
第6圖圖示了根據本技術的一些實施例的用於處理半導體基板的方法的流程圖。方法600可以在一或多個腔室(包括本文先前所述的腔室)中執行。方法600可以利用本文先前所述的靜電夾盤中的一種靜電夾盤。方法600可以包括多個可選操作，該等可選操作可以或可以不與本技術的一些實施例特別相關聯。例如，操作中的許多操作經描述以提供更寬範圍的結構用途，但是對於技術而言並不重要，或者可以藉由將容易理解的替代方法來執行。
在方法600的操作602中，將處理腔室在基礎或環境壓力下預熱。在操作604中，使用電源電壓的最大值或接近最大值來啟動夾盤的電源，以便將基板緊固在夾盤的主體上。最大值是指所論述的系統中通常使用的最高值，不一定是來自電源的最大可用值。作為實例，高夾持電壓是從400 V至800 V。在方法600的開始附近需要高夾持電壓，因為基板與夾盤之間的間隙將很大，例如0.5-1.0 mm。在操作606中，啟動由夾盤主體限定的真空埠。在操作608中，降低供應至夾盤的電極的電壓，於此同時將腔室中的壓力增加至約500托。例如，在此時間期間的壓力可以從400托至600托。作為實例，電壓可以從300 V至600 V。可以降低夾持電壓，因為此時基板與夾盤之間的間隙已經閉合。此外，由於壓力增加，真空夾持變得更加重要。降低電壓降低了放電風險。
以第6圖繼續，在操作610中，使用SACVD在增加的壓力下處理基板。在此製程期間，由於由真空埠提供的夾持輔助應該繼續，所以可以進一步降低夾持電壓。作為實例，低電壓是從100 V至400 V。在操作612中，將腔室中的壓力逐漸降低至約7托，於此同時增加電源的電壓。作為實例，壓力可以是4托至10托。腔室中的氣體可以視情況被氮氣或在轉變期間具有更高擊穿電壓的另一種惰性氣體替代，並且一旦達到期望的壓力，就可以逆轉該替代。電漿撞擊發生在操作616中。
在操作618中，可逆轉施加至靜電夾盤中的電極中的一個電極的電壓的極性。在一個實例中，正電壓及負電壓被使用到該製程中的此時間點，並且負電壓源的極性被切換為正。極性改變可以部分地藉由快速降低施加至電極的電壓，並隨後以相反的極性升高電壓來實現。此種轉變將保護電源電路系統免受浪湧，於此同時避免基板彈出。切換極性有效地將夾盤從雙極變為單極，從而提高了PE處理的均勻性。電漿增強處理發生在操作620中，並且額外處理，包括任何所需的壓力升高，可以視情況在操作622中開始。
第7圖圖示了圖表，該圖表說明了根據本技術的一些實施例在處理半導體基板時使用具有不同擊穿電壓的各種氣體的效果。圖表700圖示了可以在半導體處理腔室中使用的氣體(諸如氦)的擊穿電壓曲線702。線704指示了在300 V與400 V之間的典型夾持電壓。圖表700的區域706定義了用於PE處理的壓力範圍的實例。區域708定義了用於SACVD的壓力範圍的實例。由曲線702表徵的氣體在用於PE處理的壓力範圍內具有高擊穿電壓，並且在用於SACVD的壓力範圍內具有甚至更高的擊穿電壓，然而，在兩個壓力範圍之間的過渡期間，該氣體的擊穿電壓下降到低於夾持電壓，從而導致區域710中DC放電的可能性增加。氮氣的擊穿電壓由曲線712指示。當腔室中的氣體基本上被氮氣替代以轉換壓力時，放電的風險大大降低，因為腔室氣氛的擊穿電壓基本上遵循曲線712。
在前面的描述中，出於解釋的目的，已經闡述了許多細節，以便提供對本技術的各種實施例的理解。然而，對於發明所屬技術領域中具有通常知識者而言將顯而易見的是，某些實施例可以在沒有該等細節中的一些細節或者具有額外細節的情況下實踐。
已經揭示了幾個實施例，發明所屬技術領域中具有通常知識者將會認識到，在不脫離實施例的精神的情況下，可以使用各種修改、替代構造和等同物。此外，為了避免不必要地模糊本技術，沒有描述許多眾所周知的製程及元件。因此，以上描述不應被視為限制該技術的範疇。
在提供值範圍的情況下，應當理解的是，除非上下文另有明確指示，否則該範圍的上限與下限之間的每個中介值都精確至下限單位的最小分數亦被特別揭示。包含在規定範圍內的任何規定值或未規定的中介值與該規定範圍內的任何其他規定值或中介值之間的任何較窄範圍。彼等較小範圍的上限及下限可獨立地被包括在該範圍中或排除在該範圍之外，並且該技術亦涵蓋其中任一極限值被包括在較小範圍中、沒有一個極限值被包括在較小範圍中或兩個極限值都被包括在較小範圍中的每個範圍，受制於規定範圍內的任何特別排除的極限值。當規定範圍包括該等極限值中的一或兩者時，亦包括排除了彼等被包括的極限值中的一或兩者的範圍。
如本文和所附申請專利範圍中所使用的，除非上下文另有明確指示，否則單數形式「一個（種）」、「一」和「該」包括複數個引用物。因此，例如，對「一電極」的提及包括複數個此類電極，並且對「該真空埠」的提及包括對一或多個真空埠及發明所屬技術領域中具有通常知識者已知的等同物的提及，等等。
此外，當在本說明書和以下申請專利範圍中使用時，詞語「包括」、「包含」和「含有」意欲指定所陳述的特徵、整數、部件或操作的存在，但是它們不排除一或多個其他特徵、整數、部件、操作、動作或基團的存在或添加。詞語「耦合」、「連接」、「設置」及類似術語可以指部件之間的直接連接或放置，或者具有中介部件的連接或放置。諸如「上方」、「下方」、「頂部」及「底部」的術語係指當以正常取向觀察圖形時的相對位置，並不一定意味著在實體系統中的實際定位。
100:半導體處理系統
101:靜電夾盤
102:腔室主體
104:支撐桿
106:蓋組件
107:夾盤主體
108:電極
110:隔離器
112:氣體分配板
114:導管
116:氣體混合區域
118:開口
119:加熱器
120:內部
121:基板
126:轉移埠
140:腔室主體接地端子
156:電源
162:負電壓源
164:正電壓源
172:電極
174:電極
176:濾波電容器
178:濾波電容器
180:電源接地端子
182:真空管路
200:靜電夾盤主體
202:第一共面電極
204:第二共面電極
206:線性間隙
208:升降銷
210:真空埠
300:半導體處理系統
310:真空埠
356:電源
362:負電壓源
364:電壓源
376:濾波電容器
378:濾波電容器
380:DC放電
400:電源
462:電壓源
465:電壓源
476:濾波電容器
478:濾波電容器
500:靜電夾盤主體
506:區段
507:區段
508:區段
509:區段
512:區段
513:區段
514:區段
515:區段
518:間隙
528:升降銷
530:真空埠
600:方法
602:操作
604:操作
606:操作
608:操作
610:操作
612:操作
616:操作
618:操作
620:操作
622:操作
700:圖表
702:曲線
704:線
706:區域
708:區域
710:區域
712:曲線
藉由參考說明書的剩餘部分和附圖，可以實現對所揭示技術的本質和優點的進一步理解。
第1圖圖示了根據本技術的一些實施例的示例性半導體處理系統的示意性剖視圖。
第2圖圖示了根據本技術的一些實施例的示例性靜電夾盤的示意性俯視圖。
第3圖圖示了根據本技術的一些實施例的示例性半導體處理系統的一部分的示意圖。
第4圖圖示了根據本技術的一些實施例的示例性電源的示意圖。
第5圖圖示了根據本技術的一些實施例的另一示例性靜電夾盤的示意性俯視圖。
第6圖圖示了根據本技術的一些實施例的用於處理半導體基板的方法的流程圖。
第7圖圖示了圖表，該圖表說明根據本技術的一些實施例在處理半導體基板時使用具有不同擊穿電壓的各種氣體的效果。
附圖中的幾幅圖被包括作為示意圖。應當理解的是，該等圖是為了說明的目的，並且除非特別聲明是按比例的，否則不視為係按比例的。此外，該等圖本質上是示意性的，提供該等圖是為了幫助理解，並且與現實表示相比，該等圖可不包括所有態樣或資訊。出於說明的目的，附圖可包括誇大的材料。相似的部件及/或特徵在不同的圖中可以具有相同的參考標記。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
400:電源
462:電壓源
465:電壓源
476:濾波電容器
478:濾波電容器
Claims (20)
- 一種半導體處理系統，包括： 一處理腔室； 一電源；以及 一靜電夾盤，該靜電夾盤至少部分地設置在該處理腔室內，該靜電夾盤進一步包括： 一夾盤主體，該夾盤主體限定一真空埠；以及 第一及第二共面電極，該第一及第二共面電極嵌入在該夾盤主體中並連接至該電源。
- 如請求項1所述之半導體處理系統，其中該第一及第二共面電極包括半環形網狀電極，該等半環形網狀電極在其間限定一線性間隙。
- 如請求項1所述之半導體處理系統，進一步包括一接地端子，該接地端子連接至該處理腔室。
- 如請求項3所述之半導體處理系統，其中該電源被配置為相對於接地係浮置的。
- 如請求項1所述之半導體處理系統，其中該第一及第二共面電極包括同心電極，該等同心電極在其間限定一同心間隙，其中該等同心電極及該同心間隙與該夾盤主體的一圓周的一大部分共同延伸。
- 如請求項5所述之半導體處理系統，其中該等同心電極中的每個同心電極包括至少兩個同心區段。
- 如請求項5所述之半導體處理系統，其中該電源被配置為選擇性地逆轉至該等同心電極中的至少一個同心電極的一夾持電壓的一極性。
- 一種在一半導體基板中處理一基板的方法，該方法包括以下步驟： 使用處於或接近一靜電夾盤的一電源的一電壓的一最大值來啟動該電源，以將一半導體基板緊固在該靜電夾盤的一主體上； 啟動由該靜電夾盤的該主體限定的一真空埠； 降低該電壓，於此同時增加一半導體處理腔室的一內部中的一壓力，該半導體處理腔室包括該靜電夾盤的該主體及該半導體基板； 使用次大氣壓化學氣相沉積在增加的壓力下處理設置在該靜電夾盤上的一半導體基板； 降低該半導體處理腔室的該內部中的該壓力，於此同時增加該電源的該電壓； 在減壓下在該半導體處理腔室的該內部中激發電漿；以及 執行該半導體基板的電漿增強處理。
- 如請求項8所述之方法，進一步包括以下步驟：操作複數個升降銷以減小該靜電夾盤的該主體與該半導體基板之間的一間距，以供用於該選擇性區域化學氣相沉積或該電漿增強處理中的至少一者。
- 如請求項8所述之方法，其中該增加的壓力係約500托，並且該減少的壓力係約7托。
- 如請求項8所述之方法，進一步包括以下步驟：在該電漿增強處理之前，逆轉施加至該靜電夾盤的該主體中的一對電極中的一個電極的該電壓的一極性。
- 如請求項11所述之方法，其中逆轉該極性之步驟進一步包括以下步驟：在逆轉該極性之前使施加至該對電極中的一個電極的該電壓下降，並且在逆轉該極性之後以足以避免彈出該半導體基板的一速率使施加至該對電極中的一個電極的該電壓上升。
- 如請求項12所述之方法，其中該對電極中的該一個電極包括最靠近該靜電夾盤的該主體的一外邊緣的一同心區段。
- 如請求項8所述之方法，進一步包括以下步驟：當在壓力之間轉換時，用具有高於該電源的該電壓的該最大值的一擊穿電壓的一惰性氣體替代該半導體處理腔室的該內部中的氣體。
- 如請求項14所述之方法，其中該惰性氣體包括氮氣。
- 一種靜電夾盤，包括： 一夾盤主體，該夾盤主體限定一真空埠；以及 第一及第二共面、同心電極，該第一及第二共面、同心電極嵌入在該夾盤主體中，被配置為連接至一電源，該第一及第二共面、同心電極在其間限定一同心間隙。
- 如請求項16所述之靜電夾盤，其中該第一及第二共面、同心電極及該同心間隙與該夾盤主體的一圓周的一大部分共同延伸。
- 如請求項17所述之靜電夾盤，其中該第一及第二共面、同心電極中的每一者包括至少兩個同心區段。
- 如請求項16所述之靜電夾盤，其中該電源被配置為選擇性地逆轉至該第一及第二共面、同心電極中的至少一個共面、同心電極的一夾持電壓的一極性。
- 如請求項19所述之靜電夾盤，其中該第一及第二共面、同心電極被配置為使得最靠近該夾盤主體的一外邊緣的一同心區段可操作以選擇性地逆轉該極性。
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