TW201604155A - 脆性基板之切斷方法及顯示面板之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明避免非意圖之切斷,且於第1脆性基板上被第2脆性基板覆蓋之部分,亦可設置用於進行切斷之線。
藉由使刀尖於第1脆性基板11之第1主面SF1上滑動而形成溝槽線TL。溝槽線TL係以獲得無裂縫狀態之方式形成。以形成於第1脆性基板11之溝槽線TL被第2脆性基板12至少局部覆蓋之方式,將第1及第2脆性基板11、12相互貼合。其次,使厚度方向之第1脆性基板11之裂縫沿溝槽線TL伸展,藉此形成裂縫線CL。利用裂縫線CL,於溝槽線TL之正下方,第1脆性基板11於與溝槽線TL交叉之方向上連續相連部斷開。
Description
本發明係關於一種脆性基板之切斷方法及顯示面板之製造方法。
於製造液晶顯示器(LCD)面板等平板顯示器面板或太陽能電池面板等電氣設備時,常常需要將玻璃基板等脆性基板切斷。首先,於基板上形成劃線,然後沿此劃線將基板切斷。劃線可使用切割器對基板進行機械加工而形成。藉由使切割器於基板上滑動或滾動,於基板上形成塑性變形所致之溝槽,同時於上述溝槽正下方形成垂直裂縫。然後,實施被稱為斷開步驟之應力賦予。藉由斷開步驟使裂縫沿厚度方向完全行進,藉此將基板切斷。
國際公開第2003/006391號揭示有一種平板顯示器面板之切斷方法。根據其一例,係於脆性基板之一個面上形成劃線。於上述面上貼合另一脆性基板。然後,於上述另一脆性基板上形成劃線。之後,使兩個脆性基板彎曲而將其等同時切斷。
[專利文獻1]國際公開第2003/006391號
於相互貼合之兩個脆性基板中,一脆性基板之貼合面上,有時可能會需要配置有用於進行切斷之線之構造。例如,相符之情形有欲於
貼合面上精密地定位切斷位置。假設,於貼合面之相反面上形成劃線並使用該劃線進行切斷,便會引起裂縫自劃線沿厚度方向伸展時之方向不均,導致貼合面上之切斷位置亦產生偏差。
如上所述之構造利用上述先前技術亦可獲得。但上述先前技術中,係於形成伴隨裂縫之劃線之後進行貼合作業,因此,有時裂縫會沿厚度方向非意圖地伸展,導致脆性基板於意圖時間點之前便被切斷。
本發明係為了解決如上所述之問題研究而成者,其目的在於提供一種脆性基板之切斷方法,於第1脆性基板及第2脆性基板之貼合相關作業中能避免第1脆性基板非意圖地切斷,且於第1脆性基板上被第2脆性基板覆蓋之部分亦可設置用於進行切斷之線。
本發明之脆性基板之切斷方法具有以下步驟。
準備第1脆性基板,具有第1主面及第2主面,該第2主面與第1主面相反,且具有與第1主面垂直之厚度方向。準備第2脆性基板,具有第3主面及第4主面,該第4主面與第3主面相反。
將刀尖壓抵於第1脆性基板之第1主面。使壓抵後之刀尖於第1脆性基板之第1主面上滑動,藉此使第1脆性基板之第1主面上產生塑性變形,從而形成具有槽形狀之第1溝槽線。第1溝槽線形成為:於第1溝槽線之正下方,第1脆性基板處於於與第1溝槽線交叉之方向上連續相連狀態之無裂縫狀態。
於形成有第1溝槽線之後,以第1脆性基板之第1主面與第2脆性基板之第3主面對向之方式,將第1脆性基板及第2脆性基板相互貼合。第1脆性基板及第2脆性基板係以形成於第1脆性基板之第1溝槽線被第2脆性基板至少局部覆蓋之方式,相互貼合。
於第1脆性基板及第2脆性基板相互貼合之後,沿第1溝槽線使厚度方向上之第1脆性基板之裂縫伸展,藉此形成第1裂縫線。藉由第1
裂縫線,於第1溝槽線之正下方,第1脆性基板於與第1溝槽線交叉之方向上之連續相連部斷開。
沿第1裂縫線將第1脆性基板切斷。
根據本發明,作為對第1脆性基板之切斷位置進行規定之線,於其正下方形成不具有裂縫之第1溝槽線。用作切斷之直接契機之裂縫線係於形成第1溝槽線之後才形成。藉此,形成第1溝槽線後且形成裂縫線前之第1脆性基板中,由第1溝槽線規定切斷位置,且尚未形成裂縫線,因此容易處於不產生切斷之穩定狀態。於此穩定狀態下,於第1溝槽線、即對脆性基板之切斷位置進行規定之線上配置第2脆性基板。然後,沿第1溝槽線使裂縫自對準地伸展,藉此形成用作切斷之直接契機之裂縫線。藉此,於被第2脆性基板覆蓋之位置亦可形成裂縫線。如上所述,於第1脆性基板及第2脆性基板之貼合相關作業中,能避免第1脆性基板非意圖地切斷,且於第1脆性基板上被第2脆性基板覆蓋之部分亦可設置用於進行切斷之線。
4‧‧‧玻璃基板(脆性基板)
11‧‧‧CF基板
12‧‧‧TFT基板
13‧‧‧玻璃基板
20‧‧‧液晶層
21‧‧‧密封部
22‧‧‧接合部
51、51v‧‧‧刀尖
52‧‧‧柄
101、102‧‧‧LCD面板(顯示面板)
AL‧‧‧輔助線
CL‧‧‧裂縫線
DT‧‧‧厚度方向
ED1‧‧‧邊(第1邊)
ED2‧‧‧邊(第2邊)
N1‧‧‧位置(第1位置)
N2‧‧‧位置(第2位置)
SD1‧‧‧頂面
SD2‧‧‧側面
SD3‧‧‧側面
SF1、SF3、SF5‧‧‧內表面(主面)
SF2、SF4、SF6‧‧‧外表面(主面)
SL‧‧‧劃線
TL‧‧‧溝槽線
PP、PPv‧‧‧突起部
PS、PSv‧‧‧側部
圖1係概略表示本發明之實施形態1之顯示面板之構成之立體圖(A)、及沿圖1(A)之線IB-IB之概略剖視圖(B)。
圖2係概略表示圖1之顯示面板之製造方法中之脆性基板之切斷方法之流程圖。
圖3係概略表示本發明之實施形態1之脆性基板之切斷方法之第1步驟且沿線IIIA-IIIA(圖4)之剖視圖(A)、概略表示第2步驟且沿線IIIB-IIIB(圖5)之剖視圖(B)、概略表示第3步驟且沿線IIIC-IIIC(圖6)之剖視圖(C)、概略表示第4步驟且沿線IIID-IIID(圖7)之剖視圖(D)、及概略表示第5步驟且沿線IIIE-IIIE(圖8)之剖視圖(E)。
圖4係概略表示本發明之實施形態1之脆性基板之切斷方法之第1
步驟之俯視圖。
圖5係概略表示本發明之實施形態1之脆性基板之切斷方法之第2步驟之俯視圖。
圖6係概略表示本發明之實施形態1之脆性基板之切斷方法之第3步驟之俯視圖。
圖7係概略表示本發明之實施形態1之脆性基板之切斷方法之第4步驟之俯視圖。
圖8係概略表示本發明之實施形態1之脆性基板之切斷方法之第5步驟之俯視圖。
圖9係概略表示本發明之實施形態1之脆性基板之切斷方法中形成之溝槽線之構成之剖視圖(A)、及概略表示裂縫線之構成之剖視圖(B)。
圖10係表示第1比較例之脆性基板之切斷方法之第1~第4步驟之各步驟之剖視圖(A)~(D)。
圖11係表示第2比較例之脆性基板之切斷方法之第1及第2步驟之各步驟之剖視圖(A)及(B)。
圖12係表示圖11(B)之虛線部XIC之局部剖視圖(A)、及表示第2比較例之脆性基板之切斷方法之第3步驟之局部剖視圖(B)。
圖13係概略表示本發明之實施形態2之脆性基板之切斷方法之第1步驟且沿線XIIIA-XIIIA(圖14)之剖視圖(A)、概略表示第2步驟且沿線XIIIB-XIIIB(圖15)之剖視圖(B)、概略表示第3步驟且沿線XIIIC-XIIIC(圖16)之剖視圖(C)、概略表示第4步驟且沿線XIIID-XIIID(圖17)之剖視圖(D)、及概略表示第5步驟且沿線XIIIE-XIIIE(圖18)之剖視圖(E)。
圖14係概略表示本發明之實施形態2之脆性基板之切斷方法之第1步驟之俯視圖。
圖15係概略表示本發明之實施形態2之脆性基板之切斷方法之第2步驟之俯視圖。
圖16係概略表示本發明之實施形態2之脆性基板之切斷方法之第3步驟之俯視圖。
圖17係概略表示本發明之實施形態2之脆性基板之切斷方法之第4步驟之俯視圖。
圖18係概略表示本發明之實施形態2之脆性基板之切斷方法之第5步驟之俯視圖。
圖19係概略表示本發明之實施形態3之脆性基板之切斷方法之第1步驟且沿線XIXA-XIXA(圖20)之剖視圖(A)、概略表示第2步驟且沿線XIXB-XIXB(圖21)之剖視圖(B)、概略表示第3步驟且沿線XIXC-XIXC(圖22)之剖視圖(C)、概略表示第4步驟且沿線XIXD-XIXD(圖23)之剖視圖(D)、及概略表示第5步驟且沿線XIXE-XIXE(圖24)之剖視圖(E)。
圖20係概略表示本發明之實施形態3之脆性基板之切斷方法之第1步驟之俯視圖。
圖21係概略表示本發明之實施形態3之脆性基板之切斷方法之第2步驟之俯視圖。
圖22係概略表示本發明之實施形態3之脆性基板之切斷方法之第3步驟之俯視圖。
圖23係概略表示本發明之實施形態3之脆性基板之切斷方法之第4步驟之俯視圖。
圖24係概略表示本發明之實施形態3之脆性基板之切斷方法之第5步驟之俯視圖。
圖25係概略表示本發明之實施形態4之顯示面板之製造方法中之脆性基板之切斷方法之流程圖。
圖26係概略表示本發明之實施形態4之脆性基板之切斷方法之第1步驟且沿線XXVIA-XXVIA(圖27)之剖視圖(A)、概略表示第2步驟且沿線XXVIB-XXVIB(圖28)之剖視圖(B)、概略表示第3步驟且沿線XXVIC-XXVIC(圖29)之剖視圖(C)、概略表示第4步驟且沿線XXVID-XXVID(圖30)之剖視圖(D)、及概略表示第5步驟且沿線XXVIE-XXVIE(圖31)之剖視圖(E)。
圖27係概略表示本發明之實施形態4之脆性基板之切斷方法之第1步驟之俯視圖。
圖28係概略表示本發明之實施形態4之脆性基板之切斷方法之第2步驟之俯視圖。
圖29係概略表示本發明之實施形態4之脆性基板之切斷方法之第3步驟之俯視圖。
圖30係概略表示本發明之實施形態4之脆性基板之切斷方法之第4步驟之俯視圖。
圖31係概略表示本發明之實施形態4之脆性基板之切斷方法之第5步驟之俯視圖。
圖32係概略表示本發明之實施形態4之變化例之脆性基板之切斷方法之流程圖。
圖33係概略表示本發明之實施形態4之變化例之脆性基板之切斷方法之一步驟且沿線XXXIII-XXXIII(圖34)之剖視圖。
圖34係概略表示本發明之實施形態4之脆性基板之切斷方法之一步驟之俯視圖。
圖35係概略表示本發明之實施形態5之顯示面板之製造方法中之脆性基板之切斷方法之流程圖。
圖36係概略表示本發明之實施形態5之脆性基板之切斷方法之第1步驟且沿線XXXVIA-XXXVIA(圖37)之剖視圖(A)、概略表示第2步驟
且沿XXXVIB-XXXVIB(圖38)之剖視圖(B)、概略表示第3步驟且沿XXXVIC-XXXVIC(圖39)之剖視圖(C)、概略表示第4步驟且沿XXXVID-XXXVID(圖40)之剖視圖(D)、及概略表示第5步驟且沿XXXVIE-XXXVIE(圖41)之剖視圖(E)。
圖37係概略表示本發明之實施形態5之脆性基板之切斷方法之第1步驟之俯視圖。
圖38係概略表示本發明之實施形態5之脆性基板之切斷方法之第2步驟之俯視圖。
圖39係概略表示本發明之實施形態5之脆性基板之切斷方法之第3步驟之俯視圖。
圖40係概略表示本發明之實施形態5之脆性基板之切斷方法之第4步驟之俯視圖。
圖41係概略表示本發明之實施形態5之脆性基板之切斷方法之第5步驟之俯視圖。
圖42係概略表示本發明之實施形態5之變化例之脆性基板之切斷方法之流程圖。
圖43係概略表示本發明之實施形態5之變化例之脆性基板之切斷方法之一步驟且沿XLIII-XLIII(圖44)之剖視圖。
圖44係概略表示本發明之實施形態5之脆性基板之切斷方法之一步驟之俯視圖。
圖45係概略表示本發明之實施形態6之顯示面板之製造方法中之脆性基板之切斷方法之流程圖。
圖46係概略表示本發明之實施形態7之顯示面板之構成之立體圖(A)、及沿圖46(A)之線XLVIB-XLVIB之概略剖視圖(B)。
圖47係概略表示圖46之顯示面板之製造方法中之脆性基板之切斷方法之流程圖。
圖48係概略表示本發明之實施形態7之脆性基板之切斷方法之第1步驟且沿XLVIIIA-XLVIIIA(圖49)之剖視圖(A)、概略表示第2步驟且沿XLVIIIB-XLVIIIB(圖50)之剖視圖(B)、概略表示第3步驟且沿XLVIIIC-XLVIIIC(圖51)之剖視圖(C)、及概略表示第4步驟且沿XLVIIID-XLVIIID(圖52)之剖視圖(D)。
圖49係概略表示本發明之實施形態7之脆性基板之切斷方法之第1步驟之俯視圖。
圖50係概略表示本發明之實施形態7之脆性基板之切斷方法之第2步驟之俯視圖。
圖51係概略表示本發明之實施形態7之脆性基板之切斷方法之第3步驟之俯視圖。
圖52係概略表示本發明之實施形態7之脆性基板之切斷方法之第4步驟之俯視圖。
圖53係表示比較例之脆性基板之切斷方法之第1~第4步驟之各步驟之剖視圖(A)~(D)。
圖54係概略表示本發明之實施形態7之變化例之脆性基板之切斷方法之第1~第4步驟之各步驟之剖視圖(A)~(D)。
圖55係概略表示本發明之實施形態8之顯示面板之製造方法中之脆性基板之切斷方法之流程圖。
圖56係概略表示本發明之實施形態8之脆性基板之切斷方法之第1~第4步驟之各步驟之剖視圖(A)~(D)。
圖57係概略表示本發明之實施形態8之變化例之顯示面板之製造方法中之脆性基板之切斷方法之流程圖。
圖58係概略表示本發明之實施形態8之變化例之脆性基板之切斷方法之一步驟之剖視圖。
圖59係概略表示本發明之實施形態9之顯示面板之製造方法中之
脆性基板之切斷方法之流程圖。
圖60係概略表示本發明之實施形態10之脆性基板之切斷方法中使用之器具之構成之側視圖(A)、及以圖60(A)之箭頭LXB之視角概略表示上述器具之刀尖之構成之俯視圖(B)。
圖61係概略表示本發明之實施形態10之脆性基板之切斷方法之第1及第2步驟之各步驟之俯視圖(A)及(B)。
圖62係概略表示本發明之實施形態10之第1變化例之脆性基板之切斷方法之第1及第2步驟之各步驟之俯視圖(A)及(B)。
圖63係概略表示本發明之實施形態10之第2變化例之脆性基板之切斷方法之俯視圖。
圖64係概略表示本發明之實施形態10之第3變化例之脆性基板之切斷方法之俯視圖。
圖65係概略表示本發明之實施形態11之脆性基板之切斷方法之第1步驟之俯視圖。
圖66係概略表示本發明之實施形態11之脆性基板之切斷方法之第2步驟之俯視圖。
圖67係概略表示本發明之實施形態11之脆性基板之切斷方法之第3步驟之俯視圖。
圖68係概略表示本發明之實施形態11之第1變化例之脆性基板之切斷方法之第1及第2步驟之各步驟之俯視圖(A)及(B)。
圖69係概略表示本發明之實施形態11之第2變化例之脆性基板之切斷方法之俯視圖。
圖70係概略表示本發明之實施形態12之脆性基板之切斷方法之第1及第2步驟之各步驟之俯視圖(A)及(B)。
圖71係概略表示本發明之實施形態13之脆性基板之切斷方法之第1及第2步驟之各步驟之俯視圖(A)及(B)。
圖72係概略表示本發明之實施形態13之變化例之脆性基板之切斷方法之俯視圖。
圖73係概略表示本發明之實施形態14之脆性基板之切斷方法之器具之構成之側視圖(A)、及以圖33(A)之箭頭LXXIIIB之視角概略表示上述器具之刀尖之構成之俯視圖(B)。
以下,基於圖式而言明本發明之實施形態。再者,以下之圖式中,對相同或相當之部分附加相同參照編號,而不重複其說明。
(實施形態1)
以下說明本實施形態之脆性基板之切斷方法。
參照圖1(A)及(B),本實施形態之LCD面板101(顯示面板)具有CF(彩色濾光片)基板11(脆性基板)、TFT(薄膜晶體管)基板12(脆性基板)、密封部21(接合部)、及液晶層20。
CF基板11具有與內表面SF1及與其相反之外表面SF2作為主面。CF基板11具有與內表面SF1垂直之厚度方向DT。CF基板11具體而言係玻璃基板,具有彩色濾光片、黑矩陣及配向膜(未圖示)。TFT基板12具有內表面SF3及與其相反之外表面SF4作為主面。TFT基板12具有與內表面SF3垂直之厚度方向DT。TFT基板12具體而言係玻璃基板,具有配線、有源元件、電極及配向膜(未圖示)。
CF基板11及TFT基板12以內表面SF1及SF3對向之方式,經由密封部21而相互貼合。液晶層20配置於內表面SF1及SF3之間之間隙內,並被密封部21密封。TFT基板12之內表面SF3具有被液晶層20或密封部21覆蓋之部分。又,內表面SF3亦可具有露出之端子區域SF3e。端子區域SF3e可以用於將TFT基板12與外部配線連接。
其次,以下說明LCD面板101之製造方法。
參照圖3(A)及圖4,準備CF基板11(圖2:步驟S11)。於此時間點,
CF基板11係包含為獲得複數個最終製品而被切出之複數個區域之基板(母基板)。其次,將刀尖壓抵於CF基板11之內表面SF1(圖2:步驟S12)。藉由使壓抵後之刀尖在CF基板11之內表面SF1上滑動,而使CF基板11之內表面SF1上產生塑性變形,藉此形成具有槽形狀之溝槽線TL(圖2:步驟S13)。參照圖9(A),CF基板11之溝槽線TL係以獲得無裂縫狀態之方式形成。所謂無裂縫狀態,係指於溝槽線TL之正下方,與溝槽線TL之延伸方向(與圖9(A)所示之剖面垂直之方向)交叉之方向DC上,基板(圖中為CF基板11)連續相連之狀態。於無裂縫狀態下,雖藉由塑性變形形成溝槽線TL,但並不會沿溝槽線TL形成裂縫。藉此,即便如先前斷開步驟般單純地向玻璃基板4施加產生彎曲力矩之外力,亦不容易產生沿溝槽線TL之切斷。因此,於無裂縫狀態下不進行沿溝槽線TL之切斷步驟。
參照圖3(B)及圖5,準備TFT基板12(圖2:步驟S21)。於此時間點,TFT基板12係包含為了獲得複數個最終製品而被切出之複數個區域之基板(母基板)。其次,將刀尖壓抵於TFT基板12之內表面SF3(圖2:步驟S22)。藉由使壓抵後之刀尖在TFT基板12之內表面SF3上滑動,而使TFT基板12之內表面SF3上產生塑性變形,藉此形成具有槽形狀之溝槽線TL(圖2:步驟S23)。
參照圖3(C)及圖6,其次,以CF基板11之內表面SF1與TFT基板12之內表面SF3對向之方式,將CF基板11及TFT基板12相互貼合(圖2:步驟S40)。藉此,獲得CF基板11及TFT基板12之積層體。藉此,形成於CF基板11之溝槽線TL被TFT基板12覆蓋,形成於TFT基板12之溝槽線TL被CF基板11覆蓋。於本實施形態中,形成於CF基板11之溝槽線TL被TFT基板12局部覆蓋。換言之,形成於CF基板11之內表面SF1上之溝槽線TL局部露出。又,形成於TFT基板12之溝槽線TL被CF基板11局部覆蓋。換言之,形成於TFT基板12之內表面SF3上之溝槽線TL局部露出。
參照圖3(D)及圖7,其次,沿CF基板11及TFT基板12之溝槽線TL而形成裂縫線CL(圖2:步驟S60)。裂縫線CL之形成係藉由沿溝槽線TL使厚度方向之基板之裂縫伸展而進行。
參照圖9(B),沿裂縫線CL,於溝槽線TL之正下方,CF基板11於與溝槽線TL之延伸方向(與圖9(B)所示之剖面垂直之方向)交叉之方向DC上,連續相連部斷開。於此,所謂「連續相連部分」,換言之係指未被裂縫阻斷之相連部分。再者,如上所述,於連續相連部斷開之狀態下,基板之部分彼此亦可經由裂縫線CL之裂縫而接觸。關於TFT基板12亦相同。
CF基板11之裂縫線CL之形成,係藉由於露出之溝槽線TL之端部,對CF基板11施加如釋放溝槽線TL附近之內部應力之應變般之應力而開始。應力施加例如可藉由對形成之溝槽線TL上在此壓抵刀尖而施加外部應力、或藉由雷射光照射等之加熱而進行。藉此,裂縫沿溝槽線TL,而自CF基板11之溝槽線TL中露出之部分,向TFT基板12覆蓋之部分伸展。關於TFT基板12亦相同。
而且,參照圖3(E)及圖8,作為步驟S90(圖2),沿CF基板11之裂縫線CL將CF基板11切斷,並沿TFT基板12之裂縫線CL將TFT基板12切斷。即,進行所謂之斷開步驟。斷開步驟例如可藉由向基板施加外力將基板弄彎而進行。
其次,藉由向CF基板11及TFT基板12之間之間隙內注入液晶,而形成液晶層20(圖1(B))。藉由以上步驟,利用一積層體(圖6)而獲得複數個LCD面板101。
其次,以下說明第1比較例。
參照圖10(A)及(B),分開準備形成有劃線SL之CF基板11及形成有劃線SL之TFT基板12。劃線SL係藉由周知之典型刻劃技術而形成之劃線,具有刻劃時形成之垂直裂縫之線。參照圖10(C),將CF基板11及TFT
基板12相互貼合。參照圖10(D),沿劃線SL將CF基板11及TFT基板12切斷。於上述第1比較例中,係於形成有伴隨垂直裂縫之劃線SL之後,將CF基板11及TFT基板12貼合,因此,容易因劃線SL之裂縫沿厚度方向非意圖地伸展,導致於意圖時間點之前CF基板11及TFT基板12之至少任一個便會切斷。結果,可能難以繼續LCD面板101(圖1(B))之製造步驟。
相對於此,根據本實施形態,作為對CF基板11之切斷位置進行規定之線,形成於正下方不具有裂縫之溝槽線TL(圖9(A))。用作切斷之直接契機之裂縫線CL(圖9(B))係於形成溝槽線TL之後才形成。藉此,形成溝槽線TL後且形成裂縫線CL前之CF基板11藉由溝槽線TL規定切斷位置,但仍未形成裂縫線CL,因此處於不容易產生切斷之穩定狀態(無裂縫狀態)。於此穩定狀態下,於CF基板11之溝槽線TL、即對CF基板11之切斷位置進行規定之線上配置TFT基板12。然後,藉由使裂縫沿溝槽線TL自對準地伸展,而形成用作切斷之直接契機之裂縫線CL。藉此,可於被TFT基板12覆蓋之位置亦形成裂縫線CL。如上所述,可於CF基板11及TFT基板12之貼合相關作業中避免CF基板11非意圖地切斷,且於CF基板11上被TFT基板12覆蓋之部分亦可設置用於進行切斷之線。
又,同樣地可於貼合相關作業中避免TFT基板12非意圖地切斷,且於TFT基板12上被CF基板11覆蓋之部分亦可設置用於切斷之線。
其次,以下說明第2比較例。
參照圖11(A)及(B),將CF基板11及TFT基板12相互貼合。其次,於CF基板11及TFT基板12各自之外表面SF2及SF4形成劃線SL。其次,沿劃線SL將CF基板11及TFT基板12切斷。
參照圖12(A),於上述比較例中,如上所述,劃線SL形成於外表面SF2及SF4上。參照圖12(B),使用此種劃線SL進行切斷後,有時內
表面SF1上之切斷位置會產生誤差E1,且內表面SF3上之切斷位置有時會產生誤差E2。其原因在於裂縫之伸展方向(參照圖12(A)中之箭頭)上存在偏差。
相對於此,根據本實施形態,對CF基板11之切斷位置進行規定之溝槽線TL形成於內表面SF1上(參照圖3(C)),因此與使用形成於外表面SF2之線進行切斷之情形相比,內表面SF1上之切斷位置之精度提高。
又,對TFT基板12之切斷位置進行規定之溝槽線TL形成於內表面SF3上(參照圖3(C)),因此,與使用形成於TFT基板12之外表面SF4之線進行切斷之情形相比,內表面SF3上之切斷位置之精度提高。結果,內表面SF1及SF3各個上、即CF基板11及TFT基板12之貼合面上之CF基板11及TFT基板12之相對切斷位置之精度亦提高。
再者,本實施形態之裂縫線CL之形成步驟與先前之所謂斷開步驟有本質上不同。斷開步驟係使業已形成之裂縫沿厚度方向進一步伸展。另一方面,本實施形態之裂縫線CL之形成步驟係自藉由形成溝槽線TL獲得之無裂縫狀態變化成有裂縫之狀態。本發明者認為該變化係由於無裂縫狀態具有之內部應力之釋放而產生。形成溝槽線TL時之塑性變形、及藉由形成溝槽線TL而產生之內部應力之大小、方向性等狀態,於使用旋轉刀進行滾動之情形、和如本實施形態般使用刀尖進行滑動之情形時不同,使用刀尖進行滑動情形時,於更廣之刻劃條件下容易產生裂縫。又,內部應力之釋放需要某種契機,如上所述自外部施加應力使溝槽線TL上之裂縫產生,便係作為此種契機發揮作用。關於溝槽線TL及裂縫線CL之較佳形成方法將於下文詳細敍述。
(實施形態2)
圖13(A)~(E)分別係概略表示本實施形態之CF基板11及TFT基板12之切斷方法之第1~第5步驟之剖視圖。再者,圖13(A)~(E)各自之剖面係沿線XIIIA-XIIIA(圖14)、線XIIIB-XIIIB(圖15)、線
XIIIC-XIIIC(圖16)、線XIIID-XIIID(圖17)及線XIIIE-XIIIE(圖18)。
於本實施形態中,TFT基板12之溝槽線TL形成於外表面SF4上。因此,TFT基板12之裂縫線CL亦形成於外表面SF4上。
再者,關於上述以外之構成,與上述實施形態1之構成大致相同,因此對相同或對應之要素附加相同符號,且不重複其說明。
根據本實施形態,亦與實施形態1同樣地,可於CF基板11及TFT基板12之貼合相關作業中避免CF基板11非意圖地切斷,且於CF基板11上被TFT基板12覆蓋之部分亦可設置用於進行切斷之線。又,CF基板11之內表面SF1上之切斷位置之精度提高。
又,根據本實施形態,可以代替常因配置TFT等而構成複雜之內表面SF3,而於外表面SF4配置溝槽線TL。藉此,可以穩定地形成TFT基板12之溝槽線TL。
(實施形態3)
圖19(A)~(E)分別係概略表示本實施形態之CF基板11及TFT基板12之切斷方法之第1~第5步驟之剖視圖。再者,圖19(A)~(E)各自之剖面係沿線XIXA-XIXA(圖20)、線XIXB-XIXB(圖21)、線XIXC-XIXC(圖22)之剖視圖(C)、線XIXD-XIXD(圖23)及線XIXE-XIXE(圖24)。
於本實施形態中,CF基板11之溝槽線TL形成於外表面SF2上。藉此,CF基板11之裂縫線CL亦形成於外表面SF2上。
再者,關於上述以外之構成,與上述實施形態1之構成大致相同,因此對相同或對應之要素附加相同符號,且不重複其說明。
根據本實施形態,亦與實施形態1同樣地,可於CF基板11及TFT基板12之貼合相關作業中避免TFT基板12非意圖地切斷,且於TFT基板12上被CF基板11覆蓋之部分亦可設置用於進行切斷之線。又,TFT基板12之內表面SF3上之切斷位置之精度提高。
又,根據本實施形態,可以代替大多情形時因配置彩色濾光片及黑矩陣等而構成複雜之內表面SF1,於外表面SF2配置溝槽線TL。藉此,可以穩定地形成CF基板11之溝槽線TL。
(實施形態4)
圖25係概略表示本實施形態之LCD面板101(圖1(A)及(B))之製造方法中之CF基板11及TFT基板12之切斷方法之流程圖。再者,圖26(A)~(E)各自之剖面係沿線XXVIA-XXVIA(圖27)、線XXVIB-XXVIB(圖28)、線XXVIC-XXVIC(圖29)、線XXVID-XXVID(圖30)及線XXVIE-XXVIE(圖31)。
參照圖26(A)及圖27,藉由與實施形態1相同之步驟S11~S13(圖25),準備形成有溝槽線TL之CF基板11。
參照圖26(B)及圖28,準備TFT基板12(圖25:步驟S21)。以CF基板11之內表面SF1與TFT基板12之內表面SF3對向之方式,將CF基板11及TFT基板12相互貼合(圖25:步驟S40)。藉此,獲得CF基板11及TFT基板12之積層體。形成於CF基板11之溝槽線TL被TFT基板12覆蓋。於本實施形態中,形成於CF基板11之溝槽線TL被TFT基板12局部覆蓋。換言之,形成於CF基板11之內表面SF1上之溝槽線TL局部露出。
參照圖26(C)及圖29,其次,沿CF基板11之溝槽線TL而形成裂縫線CL(圖25:步驟S61)。
參照圖26(D)及圖30,其次,於TFT基板12之外表面SF4上形成劃線SL(圖25:步驟S72)。如上所述,劃線SL係藉由周知之典型刻劃技術而形成之劃線,具有刻劃時形成之垂直裂縫之線。
而且,參照圖26(E)及圖31,作為步驟S90(圖25),沿CF基板11之裂縫線CL將CF基板11切斷,且沿TFT基板12之劃線SL將TFT基板12切斷。即,進行所謂之斷開步驟。斷開步驟例如可藉由向基板施加外力將基板弄彎而進行。
其次,藉由向CF基板11及TFT基板12之間之間隙內注入液晶,而形成液晶層20(圖1(B))。藉由以上步驟,利用一積層體(圖28)而獲得複數個LCD面板101。
根據本實施形態,與實施形態1同樣地,可於CF基板11及TFT基板12之貼合相關作業中避免CF基板11非意圖地切斷,且於CF基板11上被TFT基板12覆蓋之部分亦可設置用於進行切斷之線。又,CF基板11之內表面SF1上之切斷位置之精度提高。
又,根據本實施形態,於形成劃線SL之時間點,CF基板11及TFT基板12業已相互貼合,進一步在CF基板11上形成裂縫線CL。藉此,即便劃線SL之垂直裂縫因某種要因伸展而非意圖地產生沿劃線SL之切斷,通常亦無問題。
又,TFT基板12之劃線SL並非形成於大多情形時因配置TFT等而構成複雜之內表面SF3,而係形成於外表面SF4。藉此,可穩定地形成劃線SL。
參照圖32,於本實施形態之變化例中,替換上述步驟S61及S72(圖25)之順序。圖33及圖34概略表示藉由步驟S72形成劃線SL之時間點之構成。
(實施形態5)
圖35係概略表示本實施形態之LCD面板101(圖1(A)及(B))之製造方法中之CF基板11及TFT基板12之切斷方法之流程圖。再者,圖36(A)~(E)各自之剖面係沿線XXXVIA-XXXVIA(圖37)、線XXXVIB-XXXVIB(圖38)、線XXXVIC-XXXVIC(圖39)、線XXXVID-XXXVID(圖40)及線XXXVIE-XXXVIE(圖41)。
參照圖36(A)及圖37,藉由與實施形態1相同之步驟S21~S23(圖35),準備形成有溝槽線TL之TFT基板12。
參照圖36(B)及圖38,準備TFT基板12(圖35:步驟S21)。以CF基
板11之內表面SF1與TFT基板12之內表面SF3對向之方式,將CF基板11及TFT基板12相互貼合(圖35:步驟S40)。藉此,獲得CF基板11及TFT基板12之積層體。形成於TFT基板12之溝槽線TL被CF基板11覆蓋。於本實施形態中,形成於TFT基板12之溝槽線TL被CF基板11局部覆蓋。換言之,形成於TFT基板12之內表面SF3上之溝槽線TL局部露出。
參照圖36(C)及圖39,其次,沿TFT基板12之溝槽線TL形成裂縫線CL(圖35:步驟S61)。
參照圖36(D)及圖40,其次,於CF基板11之外表面SF2上形成劃線SL(圖35:步驟S72)。如上所述,劃線SL係藉由周知之典型刻劃技術而形成之劃線,具有刻劃時形成之垂直裂縫之線。
而且,參照圖36(E)及圖41,作為步驟S90(圖35),沿TFT基板12之裂縫線CL將TFT基板12切斷,且沿CF基板11之劃線SL將CF基板11切斷。即,進行所謂之斷開步驟。斷開步驟例如可藉由向基板施加外力將基板弄彎而進行。
其次,藉由向CF基板11及TFT基板12之間之間隙內注入液晶,而形成液晶層20(圖1(B))。藉由以上步驟,利用一積層體(圖38)獲得複數個LCD面板101。
根據本實施形態,與實施形態1同樣地,可於CF基板11及TFT基板12之貼合相關作業中避免TFT基板12非意圖地切斷,且於TFT基板12上被CF基板11覆蓋之部分亦可設置用於進行切斷之線。又,TFT基板12之內表面SF3上之切斷位置之精度提高。
又,根據本實施形態,於形成劃線SL之時間點,CF基板11及TFT基板12業已相互貼合,進一步在TFT基板12形成裂縫線CL。藉此,即便劃線SL之垂直裂縫因某種要因伸展而非意圖地產生沿劃線SL之切斷,通常亦無問題。
又,CF基板11之劃線SL並非形成於大多情形時因配置彩色濾光片
及黑矩陣等而構成複雜之內表面SF1,而係形成於外表面SF2。藉此,可以穩定地形成劃線SL。
參照圖42,於本實施形態之變化例中,替換上述步驟S62及S71(圖35)之順序。圖43及圖44概略表示藉由步驟S71形成劃線SL之時間點之構成。
(實施形態6)
圖45係概略表示本實施形態之LCD面板101(圖1(A)及(B))之製造方法中之CF基板11及TFT基板12之切斷方法之流程圖。與實施形態2~5不同地,於本實施形態中,針對CF基板11及TFT基板12之任一個,切斷位置之規定係劃分成溝槽線TL之形成(步驟S13或S23)、及劃線SL之形成(步驟S70)而進行。該劃分方法為任意,例如在平面佈局之XY正交座標中,形成沿X軸之溝槽線TL、及沿Y軸之劃線SL。再者,亦可替換步驟S60及S70之順序。
再者,關於上述以外之構成,與上述實施形態2~5之構成大致相同,因此對相同或對應之要素附加相同符號,且不重複其說明。
(實施形態7)
參照圖46(A)及(B),本實施形態之LCD面板102(顯示面板)除了具有LCD面板101(圖1(A)及(B))之構成以外,還具有玻璃基板13及接合部22。玻璃基板13具有內表面SF5及與其相反之外表面SF6作為主面。玻璃基板13係以其內表面SF5與CF基板11之外表面SF2對向之方式,經由接合部22而配置於CF基板11之外表面SF2上。藉此,構成具有TFT基板12、CF基板11及玻璃基板13之積層體。
其次,以下說明LCD面板102之製造方法。
與實施形態1同樣地,準備CF基板11(圖3(A))及TFT基板12(圖3(B))。
參照圖48(A)及圖49,準備玻璃基板13(圖47:步驟S31)。於此時
間點,玻璃基板13係包含為了獲得複數個最終製品而被切出之複數個區域之基板(母基板)。其次,將刀尖壓抵於玻璃基板13之內表面SF5(圖47:步驟S32)。藉由使壓抵後之刀尖在玻璃基板13之內表面SF5上滑動,使玻璃基板13之內表面SF5上產生塑性變形,藉此形成具有槽形狀之溝槽線TL(圖47:步驟S33)。
參照圖48(B)及圖50,其次,將CF基板11、TFT基板12及玻璃基板12貼合(圖47:步驟S43)。此時,CF基板11與TFT基板12構成與圖3(C)(實施形態1)相同之積層體。又,玻璃基板13係以內表面SF5與CF基板11之外表面SF2對向之方式,向CF基板11安裝。藉此,獲得CF基板11、TFT基板12及玻璃基板13之積層體。
藉由上述積層,形成於玻璃基板13之溝槽線TL被CF基板11覆蓋。於本實施形態中,形成於玻璃基板13之溝槽線TL被CF基板11局部覆蓋。換言之,形成於玻璃基板13之內表面SF5上之溝槽線TL局部露出。
又,藉由上述積層,TFT基板12及玻璃基板13在厚度方向夾住形成於CF基板11之溝槽線TL。於本實施形態中,TFT基板12及玻璃基板13局部夾住形成於CF基板11之溝槽線TL。
參照圖48(C)及圖51,其次,沿CF基板11、TFT基板12及玻璃基板13之溝槽線TL而形成裂縫線CL(圖47:步驟S63)。裂縫線CL之形成係藉由使厚度方向之基板之裂縫沿溝槽線TL伸展而進行。玻璃基板13之裂縫線CL之形成係藉由在露出之溝槽線TL之端部在玻璃基板13施加應力而開始。應力之施加例如可藉由對形成之溝槽線TL上在此壓抵刀尖而施加外部應力、或藉由雷射光之照射等之加熱而進行。藉此,裂縫沿溝槽線TL而自玻璃基板13之溝槽線TL中露出之部分,向被CF基板11覆蓋之部分伸展。關於CF基板11及TFT基板12亦相同。
而且,參照圖48(D)及圖52,作為步驟S93(圖47),沿CF基板11之裂縫線CL將CF基板11切斷,沿TFT基板12之裂縫線CL將TFT基板12切
斷,且沿玻璃基板13之裂縫線CL將玻璃基板13切斷。即,進行所謂之斷開步驟。斷開步驟例如可藉由對基板施加外力將基板弄彎而進行。
其次,藉由向CF基板11及TFT基板12之間之間隙內注入液晶,而形成液晶層20(圖46(B))。藉由以上步驟,利用一積層體(圖50)而獲得複數個LCD面板102。
再者,作為實施形態7之變化例,亦可於對TFT基板12或玻璃基板13進行了斷開步驟之後,進行裂縫線CL向CF基板11之形成。根據該變化例,形成於CF基板11之溝槽線TL在TFT基板12及玻璃基板13被斷開後局部露出便可,基板積層時形成於CF基板11之溝槽線TL亦可完全被覆蓋。又,藉由改變CF基板11、TFT基板12及玻璃基板13之切斷順序,可以分散步驟而加快工作節拍(line tact)。
其次,以下說明比較例。參照圖53(A),準備形成有劃線SL之CF基板11。劃線SL係藉由周知之典型刻劃技術而形成之劃線,具有刻劃時形成之垂直裂縫之線。參照圖53(B),將CF基板11、TFT基板12及玻璃基板13貼合。其次,於TFT基板12及玻璃基板13各自之外表面SF4及SF6形成劃線SL。而且,參照圖53(D),沿劃線SL將CF基板11、TFT基板12及玻璃基板13切斷。於上述比較例中,CF基板11、TFT基板12及玻璃基板13係於CF基板形成有伴隨垂直裂縫之劃線SL之後才貼合,因此,由於劃線SL之裂縫沿厚度方向非意圖地伸展,使得CF基板11容易在意圖時間點之前便切斷。於對TFT基板12及玻璃基板13形成有伴隨垂直裂縫之劃線SL之後貼合之情形亦相同,CF基板11、TFT基板12及玻璃基板13均容易在意圖時間點之前便切斷。結果,有可能難以繼續LCD面板102(圖46(B))之製造步驟。
相對於此,根據本實施形態,作為對CF基板11之切斷位置進行規定之線,形成於其正下方不具有裂縫之溝槽線TL。用作切斷之直接契機之裂縫線CL係於形成溝槽線TL之後才形成。藉此,形成溝槽線TL
後且形成裂縫線CL前之CF基板11,由溝槽線TL規定切斷位置,但仍未形成裂縫線CL,因此處於不容易產生切斷之穩定狀態。於此穩定狀態下,於CF基板11之溝槽線TL、即對CF基板11之切斷位置進行規定之線上配置TFT基板12。然後,藉由使裂縫沿溝槽線TL自對準地伸展,而形成用作切斷之直接契機之裂縫線CL。藉此,可於被TFT基板12覆蓋之位置亦形成裂縫線CL。如上所述,可於CF基板11及TFT基板12之貼合相關作業中避免CF基板11非意圖地切斷,且於CF基板11上被TFT基板12覆蓋之部分亦可設置用於進行切斷之線。
CF基板11中在厚度方向被TFT基板12及玻璃基板13夾住之部分,於內表面SF1及外表面SF2均不露出,因此上述部分係於配置了TFT基板12及玻璃基板13後(圖48(B))刀尖無法碰到之部分。根據本實施形態,對於此種部分,藉由事先形成溝槽線TL(圖48(A)),於配置了TFT基板12及玻璃基板13後,亦可形成裂縫線CL(圖48(C))。
再者,玻璃基板13之溝槽線TL亦可代替形成於內表面SF5,而形成於外表面SF6(參照圖54(A)~(E))。
(實施形態8)
圖55係概略表示本實施形態之LCD面板102(圖46(A)及(B))之製造方法中之CF基板11、TFT基板12及玻璃基板13之切斷方法之流程圖。
參照圖56(A),藉由與實施形態1相同之步驟S11~S13及S21~23(圖47),準備形成有溝槽線TL之CF基板11及TFT基板。然後,將CF基板11、TFT基板12及玻璃基板13貼合。
參照圖56(B),接下來沿CF基板11及TFT基板12之溝槽線TL而形成裂縫線CL(圖55:步驟S60)。
參照圖56(C),接下來在玻璃基板13之外表面SF6上形成劃線SL(圖55:步驟S73)。如上所述,劃線SL係藉由周知之典型刻劃技術而形成之劃線,具有刻劃時形成之垂直裂縫之線。
而且,參照圖56(D),作為步驟S90(圖25),沿CF基板11及TFT基板12之裂縫線CL將CF基板11及TFT基板12切斷,且沿玻璃基板13之劃線SL將玻璃基板13切斷。即,進行所謂之斷開步驟。斷開步驟例如可藉由對基板施加外力將基板弄彎而進行。
其次,藉由向CF基板11及TFT基板12之間之間隙內注入液晶,而形成液晶層20(圖46(B))。藉由以上步驟,利用一積層體(圖56(A)~(C))而獲得複數個LCD面板102。
根據本實施形態,可獲得與實施形態7大致相同之效果。再者,根據本實施形態,於形成劃線SL之時間點,CF基板11、TFT基板12及玻璃基板13業已相互貼合,進一步在CF基板11及TFT基板12形成裂縫線CL。藉此,即便劃線SL之垂直裂縫因某種要因伸展,而非意圖地產生沿劃線SL之切斷,通常亦無問題。
參照圖57,於本實施形態之變化例中,替換上述步驟S60及S73(圖55)之順序。圖58概略表示藉由步驟S73形成劃線SL之時間點之構成。
(實施形態9)
圖59係概略表示本實施形態之LCD面板102(圖46(A)及(B))之製造方法中之CF基板11、TFT基板12及玻璃基板13之切斷方法之流程圖。與實施形態7及8不同地,於本實施形態中,針對玻璃基板13,切斷位置之規定係劃分成溝槽線TL之形成(步驟S33)、及劃線SL之形成(步驟S73)而進行。上述劃分方法為任意,例如在平面佈局之XY正交座標中,形成沿X軸之溝槽線TL、及沿Y軸之劃線SL。再者,亦可替換步驟S63及S73之順序。
再者,關於上述以外之構成,與上述實施形態7或8之構成大致相同,因此對相同或對應之要素附加相同符號,且不重複其說明。
(實施形態10)
以下說明上述各實施形態中形成溝槽線TL所使用之具有刀尖之
切割器具。
圖60(A)及(B)表示將刀尖51壓抵於CF基板11之情形。切割器具50具有刀尖51及柄52。於刀尖51設有頂面SD1(第1面)、及包圍頂面SD1之複數個面。上述複數個面包含側面SD2(第2面)及側面SD3(第3面)。頂面SD1、側面SD2及SD3(第1~第3面)面朝彼此不同之方向,且相互鄰接。刀尖51具有由頂面SD1、側面SD2及SD3合流之頂點,藉此頂點構成刀尖51之突起部PP。又,側面SD2及SD3形成構成刀尖51之側部PS之脊線。側部PS自突起部PP呈線狀延伸。又,如上所述,側部PS係脊線,因此具有呈線狀延伸之凸形狀。
刀尖51較佳為金剛石刻刀。即,就硬度及減低表面粗糙度方面而言,刀尖51較佳利用金剛石製作。更佳為,刀尖51利用單晶金剛石製作。而且,較佳為自結晶學而言,頂面SD1為{001}面,側面SD2及SD3分別為{111}面。於該情形時,側面SD2及SD3雖具有不同朝向,但自結晶學上而言係相互等價之結晶面。
再者,亦可使用並非單晶之金剛石,例如可以使用藉由CVD(Chemical Vapor Deposition)法合成之多晶體金剛石。或者,亦可使用燒結金剛石,該燒結金剛石係將微粒石墨或非石墨狀碳不含鐵族元素等結合材料地燒結所得之多晶體金剛石粒子,利用鐵族元素等結合材料結合而成。
柄52沿軸方向AX延伸。較佳為,刀尖51以頂面SD1之法線方向大致沿著軸方向AX之方式安裝於柄52。
為了使用切割器具50形成溝槽線TL(圖9(A)),於CF基板11之內表面SF1,將刀尖51之突起部PP及側部PS朝CF基板11具有之厚度方向DT壓抵。其次,大致沿側部PS在內表面SF1上之投影方向,使刀尖51於內表面SF1上滑動。藉此,內表面SF1上形成不伴隨垂直裂縫之槽狀之溝槽線TL。溝槽線TL係藉由CF基板11之塑性變形而產生,但此時亦可
略微對CF基板11進行研削。但,此種研削可能會產生細微碎片,因此較佳為儘量少研削。
藉由刀尖51之滑動,有時同時形成溝槽線TL及裂縫線CL(圖9(B)),有時僅形成溝槽線TL(圖9(A))。裂縫線CL係自溝槽線TL之凹處向厚度方向DT伸展之裂縫,於內表面SF1上呈線狀延伸。根據後述方法,可於僅形成溝槽線TL之後,沿該溝槽線TL形成裂縫線CL。
其次,尤其關注CF基板11之切斷方法,以下進行說明。再者,為了便於理解圖及說明,僅說明沿一方向(各俯視圖中、橫向)之切斷,但如實施形態1~9說明般,切斷可為沿複數個方向(例如各俯視圖中、橫向及縱向)之切斷。又,關於CF基板11與另一基板之間之貼附,係與實施形態1~9之說明一樣,因此省略圖示。又,關於TFT基板12及玻璃基板13亦可應用相同之切斷方法。
參照圖61(A),CF基板11具有平坦之內表面SF1。包圍內表面SF1之緣包含相互對向之邊ED1(第1邊)及邊ED2(第2邊)。於圖61(A)所示之例子中,緣為長方形狀。藉此,邊ED1及ED2為相互平行之邊。又,於圖61(A)所示之例子中,邊ED1及ED2為長方形之短邊。
於內表面SF1,將刀尖51壓抵於位置N1。關於位置N1將於下文進行詳細敍述。參照圖60(A),刀尖51之壓抵係以如下方式進行:於CF基板11之內表面SF1上,將刀尖51之突起部PP配置於邊ED1及側部PS之間,且將刀尖51之側部PS配置於突起部PP與邊ED2之間。
其次,於內表面SF1上形成複數個溝槽線TL(圖中中為2條線)。溝槽線TL之形成係於位置N1(第1位置)及位置N3之間進行。位置N2(第2位置)位於位置N1及N3之間。藉此,溝槽線TL形成於位置N1及N2之間、位置N2及N3之間。位置N1及N3可遠離CF基板11之內表面SF1之緣,或者亦可一方或兩方位於內表面SF1之緣。形成之溝槽線TL於前者情形時遠離CF基板11之緣,於後者情形時與CF基板11之緣相接。位
置N1及N2中,位置N1更靠近邊ED1,且位置N1及N2中,位置N2更靠近邊ED2。再者,於圖61(A)所示之例子中,位置N1靠近邊ED1及ED2中之邊ED1。位置N2靠近邊ED1及ED2中之邊ED2,但亦可使位置N1及N2之兩方靠近邊ED1或ED2之任一方。
於形成溝槽線TL時,於本實施形態中,刀尖51自位置N1向位置N2移位,進一步自位置N2向位置N3移位。即,參照圖60(A),刀尖51朝邊ED1向邊ED2之方向即朝方向DA移位。方向DA對應於自刀尖51延伸之軸方向AX於內表面SF1上投影之方向。於該情形時,利用柄52在內表面SF1上拖動刀尖51。
其次,將實施形態1所說明之無裂縫狀態(圖9(A))維持所需時間。於此期間,如實施形態1~9說明般,進行CF基板11與另一基板(未圖示)之貼附。
參照圖61(B),於形成溝槽線TL後,使厚度方向DT之CF基板11之裂縫沿溝槽線TL,自位置N2向位置N1(圖中參照虛線箭頭)伸展,藉此形成裂縫線CL。裂縫線CL之形成係藉由輔助線AL及溝槽線TL在位置N2相互交叉而開始。目的係於形成溝槽線TL之後形成輔助線AL。輔助線AL係伴隨厚度方向DT之裂縫之普通劃線。輔助線AL之形成方法並無特別限定,如圖61(B)所示,亦可將內表面SF1之緣作為基點而形成。
再者,與位置N2向位置N1之方向相比,位置N2向位置N3之方向上難以形成裂縫線CL。即,裂縫線CL之伸展容易性存在方向依存性。藉此,可能產生裂縫線CL形成於位置N1及N2之間但未形成於位置N2及N3之間之現象。本實施形態以沿位置N1及N2之間切斷CF基板11為目的,沿位置N2及N3之間分離CF基板11並非目的。藉此,需要在位置N1及N2間形成裂縫線CL,另一方面位置N2及N3間之裂縫線CL之形成難度不會成為問題。
其次,沿裂縫線CL將CF基板11切斷。具體而言,進行斷開步驟。再者,裂縫線CL在形成時沿厚度方向DT完全行進之情形時,可以同時產生裂縫線CL之形成及CF基板11之切斷。於該情形時可以省略斷開步驟。
藉由以上步驟,進行CF基板11之切斷。
其次,以下說明上述切斷方法之第1~第3變化例。
參照圖62(A),第1變化例係關於輔助線AL與溝槽線TL之交叉不足以作為裂縫線CL(圖61(B))之形成開始之契機之情形。參照圖62(B),藉由對CF基板11施加產生彎曲力矩等之外力,厚度方向DT之裂縫沿輔助線AL伸展,結果CF基板11分離。藉此,開始裂縫線CL之形成。再者,於圖62(A)中,輔助線AL係形成於CF基板11之內表面SF1上,但用來分離CF基板11之輔助線AL亦可形成於CF基板11之外表面SF2上。於該情形時,輔助線AL及溝槽線TL在平面佈局上係於位置N2相互交叉,但彼此並不直接接觸。於該情形時,與第1實施形態不同地,CF基板11之溝槽線TL之端部無須露出。
又,於第1變化例中,因CF基板11之分離而溝槽線TL附近之內部應力之應變釋放,藉此開始裂縫線CL之形成。因此,輔助線AL自身亦可為藉由對溝槽線TL施加應力而形成之裂縫線CL。
參照圖63,於第2變化例中,於CF基板11之內表面SF1將刀尖51壓抵於位置N3。於形成溝槽線TL時,本變化例中,刀尖51自位置N3向位置N2移位,進一步自位置N2向位置N1移位。即,參照圖60,刀尖51朝邊ED2向邊ED1之方向即朝方向DB移位。方向DB對應於自刀尖51延伸之軸方向AX在內表面SF1上投影之方向之相反方向。於該情形時,利用柄52使刀尖51在內表面SF1上推進。
參照圖64,於第3變化例中,於形成溝槽線TL時,刀尖51在位置N2以較位置N1大之力,壓抵於CF基板11之內表面SF1。具體而言,將
位置N4作為位置N1及N2之間之位置,於溝槽線TL之形成到達位置N4之時間點,提高刀尖51之負荷。換言之,溝槽線TL之負荷為與位置N1相比,於溝槽線TL之終端部即位置N4及N3之間提高。藉此,可減輕終端部以外之負荷,且可容易引發位置N2之裂縫線CL之形成。
根據本實施形態,可更確切地利用溝槽線TL形成裂縫線CL。
又,與後述實施形態11不同地,於本實施形態中,於形成溝槽線TL之時間點(圖61(A)),仍未形成輔助線AL。藉此,可不受輔助線AL影響,而更穩定地維持無裂縫狀態。再者,當無裂縫狀態之穩定性不成問題時,亦可代替未形成輔助線AL之圖61(A)之狀態,而於形成有輔助線AL之圖62(A)之狀態下維持無裂縫狀態。
(實施形態11)
以下,使用圖65~圖67而言明本實施形態之脆性基板之切斷方法。
參照圖65,於本實施形態中,輔助線AL係於形成溝槽線TL之前形成之。輔助線AL之形成方法自身與圖61(B)(實施形態10)相同。
參照圖66,接下來將刀尖51壓抵於內表面SF1,然後形成溝槽線TL。溝槽線TL之形成方法自身與圖61(A)(實施形態10)相同。輔助線AL及溝槽線TL在位置N2相互交叉。其次,如實施形態1~9說明般,進行CF基板11與另一基板(未圖示)之貼附。
參照圖67,接下來藉由對CF基板11施加產生彎曲力矩等之外力之普通斷開步驟,沿輔助線AL將CF基板11分離。藉此,開始裂縫線CL(圖9(B))之形成(圖中參照虛線箭頭)。再者,於圖65中輔助線AL係形成於CF基板11之內表面SF1上,但用來分離CF基板11之輔助線AL亦可形成於CF基板11之外表面SF2上。於該情形時,輔助線AL及溝槽線TL在平面佈局上係於位置N2相互交叉,但彼此並不直接接觸。
再者,關於上述以外之構成,與上述實施形態10之構成大致相同。
參照圖68(A),於第1變化例中,用來分離CF基板11之輔助線AL係形成於CF基板11之外表面SF2上。與圖63(實施形態10)同樣地,溝槽線TL之形成係自位置N3向位置N1進行。參照圖68(B),藉由對CF基板11施加產生彎曲力矩等之外力而沿輔助線AL將CF基板11分離。藉此,開始裂縫線CL之形成(圖中參照虛線箭頭)。
參照圖69,於第2變化例中,形成溝槽線TL時,刀尖51在位置N2以較位置N1大之力,壓抵於CF基板11之內表面SF1。具體而言,將位置N4作為位置N1及N2之間之位置,於溝槽線TL之形成到達位置N4之時間點,提高刀尖51之負荷。換言之,溝槽線TL之負荷為與位置N1相比溝槽線TL之終端部即位置N4及N3之間提高。藉此,可減輕終端部以外之負荷,且可容易引發位置N2之裂縫線CL之形成。
(實施形態12)
參照圖70(A),於本實施形態之脆性基板之切斷方法中,形成自位置N1經過位置N2並到達邊ED2之溝槽線TL。其次,將實施形態1所說明之無裂縫狀態(圖9(A))維持所需時間。於此期間,如實施形態1~9說明般,進行CF基板11與另一基板(未圖示)之貼附。
參照圖70(B),接下來對位置N2與邊ED2之間,施加使溝槽線TL附近之內部應力之應變釋放之應力。藉此,引發沿溝槽線TL之裂縫線之形成。
作為應力施加,具體而言係於內表面SF1上之位置N2與邊ED2之間(圖中虛線及邊ED2之間之區域),使壓抵之刀尖51滑動。該滑動進行至到達邊ED2為止。刀尖51較佳以與最初形成之溝槽線TL之軌道交叉之方式滑動,更佳以與最初形成之溝槽線TL之軌道重疊之方式滑動。該再次滑動之長度為例如0.5mm左右。
作為變化例,為了對位置N2與邊ED2之間施加應力,亦可代替上述刀尖51之再次滑動,而對內表面SF1上之位置N2與邊ED2之間照射雷
射光。藉此,利用產生之熱應力,亦可釋放溝槽線TL附近之內部應力之應變,藉此可引發裂縫線之形成開始。
再者,關於上述以外之構成,與上述實施形態10之構成大致相同。
(實施形態13)
參照圖71(A),於本實施形態之脆性基板之切斷方法中,使刀尖51自位置N1向位置N2移位,然後進一步向位置N3移位,藉此形成遠離內表面SF1之緣之溝槽線TL。溝槽線TL之形成方法自身與圖61(A)(實施形態10)大致相同。
其次,將實施形態1所說明之無裂縫狀態(圖9(A))維持所需時間。於此期間,如實施形態1~9說明般,進行CF基板11與另一基板(未圖示)之貼附。
參照圖71(B),進行與圖70(B)(實施形態12或其變化例)相同之應力施加。藉此,引發沿溝槽線TL之裂縫線之形成。
參照圖72,作為圖71(A)之步驟之變化例,於形成溝槽線TL時,亦可使刀尖51自位置N3向位置N2移位,然後自位置N2向位置N1移位。
再者,關於上述以外之構成,與上述實施形態10之構成大致相同。
(實施形態14)
參照圖73(A)及(B),於上述各實施形態中,亦可代替刀尖51(圖60(A)及(B))而使用刀尖51v。刀尖51v具有含頂點及圓錐面SC之圓錐形狀。刀尖51v之突起部PPv係由頂點構成。刀尖之側部PSv係自頂點沿在圓錐面SC上延伸之假想線(圖73(B)中之虛線)而構成。藉此,側部PSv具有呈線狀延伸之凸形狀。
再者,於上述實施形態10~14中,玻璃基板之緣之第1及第2邊為長方形之短邊,但第1及第2邊亦可為長方形之長邊。又,緣之形狀並不限定於長方形,例如亦可為正方形。又,第1及第2邊並不限定於直線狀,亦可為曲線狀。又,於上述各實施形態中,基板之主面平坦,
但基板之主面亦可彎曲。
又,於上述各實施形態中,為了獲得複數個顯示面板,亦可先將具有脆性基板之一積層體切斷成複數個部分,接下來進一步切斷各部分,藉此獲得複數個顯示面板。例如,亦可將上述積層體先切斷成長方形狀之部分,接下來以分割其長邊之方式進一步切斷該長方形狀之部分,藉此獲得複數個顯示面板。
又,上述脆性基板之切斷方法亦可用於顯示面板之製造方法以外之用途。又,作為尤其適於上述切斷方法之脆性基板,係使用玻璃基板,但脆性基板並不限定於玻璃基板。脆性基板除了利用玻璃製作以外,亦可利用例如陶瓷、矽、化合物半導體、藍寶石或石英製作。
又,於上述脆性基板之切斷方法中,係對在玻璃基板設有彩色濾光片、黑矩陣及配向膜之CF基板11、以及於玻璃基板設有配線、有源元件、電極及配向膜之TFT基板12形成溝槽線,但亦可於玻璃基板形成溝槽線之後,對玻璃基板進行加工設置成作為CF基板11或TFT基板12之構成,然後進行積層步驟。
本發明於此發明之範圍內可自由地組合各實施形態、或者適當地變化、省略各實施形態。
11‧‧‧CF基板
12‧‧‧TFT基板
21‧‧‧密封部
CL‧‧‧裂縫線
SF1、SF3‧‧‧內表面(主面)
SF2、SF4‧‧‧外表面(主面)
TL‧‧‧溝槽線
Claims (7)
- 一種脆性基板之切斷方法,其包含以下步驟:準備第1脆性基板,其具有第1主面及與上述第1主面相反之第2主面,且具有與上述第1主面垂直之厚度方向;準備第2脆性基板,其具有第3主面及與上述第3主面相反之第4主面;將刀尖壓抵於上述第1脆性基板之上述第1主面;及使藉由上述壓抵步驟而壓抵之上述刀尖於上述第1脆性基板之上述第1主面上滑動,藉此使上述第1脆性基板之上述第1主面上產生塑性變形,從而形成具有槽形狀之第1溝槽線;且形成上述第1溝槽線之步驟係以如下方式進行:獲得於上述第1溝槽線之正下方,上述第1脆性基板於與上述第1溝槽線交叉之方向上連續相連之狀態即無裂縫狀態;且上述脆性基板之切斷方法進而包含貼合步驟,上述貼合步驟係於形成上述第1溝槽線之步驟之後,以上述第1脆性基板之上述第1主面與上述第2脆性基板之上述第3主面對向之方式,將上述第1脆性基板及上述第2脆性基板相互貼合;將上述第1脆性基板及上述第2脆性基板相互貼合之步驟,係以形成於上述第1脆性基板之上述第1溝槽線被上述第2脆性基板至少局部覆蓋之方式形成;上述脆性基板之切斷方法進而包含第1裂縫線形成步驟,上述第1裂縫線形成步驟係於將上述第1脆性基板及上述第2脆性基板相互貼合之步驟之後,使上述厚度方向之上述第1脆性基板之裂縫沿上述第1溝槽線伸展,藉此形成第1裂縫線;利用上述第1裂縫線,於上述第1溝槽線之正下方,上述第1脆性基板於與 上述第1溝槽線交叉之方向上連續相連部斷開;上述脆性基板之切斷方法進而包含沿上述第1裂縫線將上述第1脆性基板切斷之步驟。
- 如請求項1之脆性基板之切斷方法,其中將上述第1脆性基板及上述第2脆性基板相互貼合之步驟,係以形成於上述第1脆性基板之上述第1溝槽線TL局部露出之方式進行;形成上述第1裂縫線之步驟,係藉由使裂縫沿上述第1溝槽線,自上述第1溝槽線中露出之部分,向上述第1溝槽線中被上述第2脆性基板覆蓋之部分伸展而進行。
- 如請求項1或2之脆性基板之切斷方法,其於將上述第1脆性基板及上述第2脆性基板相互貼合之步驟之前,進而包含如下步驟:使上述第2脆性基板之上述第3主面上產生塑性變形,藉此形成具有槽形狀之第2溝槽線。
- 如請求項1或2之脆性基板之切斷方法,其中上述第1脆性基板係以玻璃製作。
- 如請求項1或2之脆性基板之切斷方法,其進而包含如下步驟:於將上述第1脆性基板切斷之步驟之前,以與上述第1脆性基板之上述第2主面對向之方式將第3脆性基板安裝至上述第1脆性基板,上述第2脆性基板及上述第3脆性基板至少將形成於上述第1脆性基板之上述第1溝槽線之局部夾住。
- 如請求項1或2之脆性基板之切斷方法,其中於準備上述第1脆性基板之步驟中,上述第1主面被包含相互對向之第1及第2邊之緣包圍;於壓抵上述刀尖之步驟中,上述刀尖包含突起部、及自上述突起部延伸且具凸形狀之側部,壓抵上述刀尖之步驟以如下方式進行:於上述第1脆性基板之上述第1主面上,將上述刀尖之上述突 起部配置於上述第1邊及上述側部之間,且將上述刀尖之上述側部配置於上述突起部與上述第2邊之間;於形成上述第1溝槽線之步驟中,上述第1溝槽線形成於靠近上述第1及第2邊中之上述第1邊之第1位置、及靠近上述第1及第2邊中之上述第2邊之第2位置之間;形成上述第1裂縫線之步驟係藉由使上述厚度方向之上述第1脆性基板之裂縫,沿上述第1溝槽線自上述第2位置向上述第1位置伸展而進行。
- 一種顯示面板之製造方法,其包含如請求項1至6中任一項之脆性基板之切斷方法。
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