KR20160000412A - 취성 기판의 분단 방법 및 표시 패널의 제조 방법 - Google Patents

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미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 의도하지 않은 분단을 피하면서, 제1 취성 기판 상에 있어서의 제2 취성 기판으로 덮인 부분에도, 그에 따른 분단이 행해지게 되는 라인을 형성한다.
(해결 수단) 날끝을 제1 취성 기판(11)의 제1 주면(SF1) 상에서 슬라이딩시킴으로써 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 트렌치 라인(TL)은 크랙리스 상태가 얻어지도록 형성된다. 제1 및 제2 취성 기판(11, 12)이, 제1 취성 기판(11)에 형성된 트렌치 라인(TL)이 제2 취성 기판(12)에 적어도 부분적으로 덮이도록, 서로 접합된다. 다음으로 트렌치 라인(TL)을 따라 두께 방향에 있어서의 제1 취성 기판(11)의 크랙을 신전시킴으로써, 크랙 라인(CL)이 형성된다. 크랙 라인(CL)에 의해 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에 있어서 제1 취성 기판(11)은 트렌치 라인(TL)과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다.

Description

취성 기판의 분단 방법 및 표시 패널의 제조 방법{ DIVIDING METHOD OF BRITTLE SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY PANEL}
본 발명은 취성 기판(brittle substrate)의 분단 방법 및 표시 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 디스플레이(LCD) 패널 등의 플랫 디스플레이 패널 또는 태양 전지 패널 등의 전기 기기의 제조에 있어서, 유리 기판 등의 취성 기판을 분단(dividing)하는 일이 자주 필요해진다. 우선 기판 상에 스크라이브 라인이 형성되고, 다음으로 이 스크라이브 라인을 따라 기판이 분단된다. 스크라이브 라인은, 커터를 이용하여 기판을 기계적으로 가공함으로써 형성될 수 있다. 커터가 기판 상을 슬라이딩 또는 전동(rolling)함으로써, 기판 상에 소성 변형에 의한 트렌치가 형성됨과 동시에, 이 트렌치의 바로 아래에는 수직 크랙이 형성된다. 그 후, 브레이크 공정이라고 불리는 응력 부여가 이루어진다. 브레이크 공정에 의해 크랙을 두께 방향으로 완전하게 진행시킴으로써, 기판이 분단된다.
국제공개공보 제2003/006391호는, 플랫 디스플레이 패널의 분단 방법을 개시하고 있다. 그 일 예에 의하면, 취성 기판의 하나의 면에 스크라이브 라인이 형성된다. 이 면 상에 다른 취성 기판이 접합된다. 다음으로, 상기 다른 취성 기판에 스크라이브 라인이 형성된다. 다음으로, 양(兩)취성 기판을 휘어지게 함으로써 이들이 동시에 분단된다.
국제공개공보 제2003/006391호
서로 접합된 2개의 취성 기판에 있어서, 한쪽의 취성 기판의 접합면 상에, 그에 따른 분단이 행해지게 되는 라인이 배치된 구조가 요망되는 경우가 있을 수 있다. 예를 들면, 분단 위치를 접합면 상에 있어서 정밀하게 위치 결정하고 싶은 경우가 그러하다. 가령, 접합면과 반대의 면 상에 스크라이브 라인이 형성되어 이 스크라이브 라인을 이용하여 분단이 이루어진다고 하면, 스크라이브 라인으로부터 크랙이 두께 방향으로 신전할 때의 방향 불균일에 기인하여, 접합면 상에 있어서의 분단 위치도 불균일해져 버린다.
상기와 같은 구조는, 전술한 종래 기술에 의해서도 얻을 수 있다. 그러나 이 종래 기술에서는, 크랙을 수반하는 스크라이브 라인이 형성된 후에 접합 작업이 행해지는 점에서, 크랙이 두께 방향으로 의도하지 않게 신전됨으로써, 의도하고 있었던 시점보다 전에 취성 기판이 분단되어 버리는 경우가 있었다.
본 발명은 이상과 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 그 목적은, 제1 취성 기판 및 제2 취성 기판의 접합에 관련된 작업 중에 제1 취성 기판이 의도하지 않게 분단되어 버리는 것을 피하면서, 제1 취성 기판 상에 있어서의 제2 취성 기판으로 덮인 부분에도, 그에 따른 분단이 행해지게 되는 라인을 형성할 수 있는, 취성 기판의 분단 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 취성 기판의 분단 방법은 다음의 공정을 갖는다.
제1 주면(主面)과 제1 주면과 반대의 제2 주면을 갖고, 제1 주면에 수직인 두께 방향을 갖는 제1 취성 기판이 준비된다. 제3 주면과 제3 주면과 반대의 제4 주면을 갖는 제2 취성 기판이 준비된다.
제1 취성 기판의 제1 주면에 날끝이 밀어붙여진다. 밀어붙여진 날끝을 제1 취성 기판의 제1 주면 상에서 슬라이딩시킴으로써 제1 취성 기판의 제1 주면 상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 제1 트렌치 라인이 형성된다. 제1 트렌치 라인은, 제1 트렌치 라인의 바로 아래에 있어서 제1 취성 기판이 제1 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스(crackless) 상태가 얻어지도록 형성된다.
제1 트렌치 라인이 형성된 후, 제1 취성 기판의 제1 주면과 제2 취성 기판의 제3 주면이 대향하도록 제1 취성 기판 및 제2 취성 기판이 서로 접합된다. 제1 취성 기판 및 제2 취성 기판은, 제1 취성 기판에 형성된 제1 트렌치 라인이 제2 취성 기판에 적어도 부분적으로 덮이도록, 서로 접합된다.
제1 취성 기판 및 제2 취성 기판이 서로 접합된 후에, 제1 트렌치 라인을 따라 두께 방향에 있어서의 제1 취성 기판의 크랙을 신전시킴으로써, 제1 크랙 라인이 형성된다. 제1 크랙 라인에 의해 제1 트렌치 라인의 바로 아래에 있어서 제1 취성 기판은 제1 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다.
제1 크랙 라인을 따라 제1 취성 기판이 분단된다.
본 발명에 의하면, 제1 취성 기판이 분단되는 위치를 규정하는 라인으로서, 그 바로 아래에 크랙을 갖지 않는 제1 트렌치 라인이 형성된다. 분단의 직접적인 계기로서 이용되게 되는 크랙 라인은, 제1 트렌치 라인의 형성 후에 형성된다. 이에 따라, 제1 트렌치 라인의 형성 후 또한 크랙 라인의 형성 전의 제1 취성 기판은, 분단되는 위치가 제1 트렌치 라인에 의해 규정되면서도, 크랙 라인이 아직 형성되어 있지 않기 때문에, 용이하게 분단은 발생하지 않는 안정 상태에 있다. 이 안정 상태에 있어서, 제1 트렌치 라인, 즉, 취성 기판이 분단되는 위치를 규정하는 라인 상에 제2 취성 기판이 배치된다. 그 후, 분단의 직접적인 계기로서 이용되게 되는 크랙 라인이, 제1 트렌치 라인을 따라 크랙을 자기 정합적으로 신전시킴으로써 형성된다. 이에 따라, 제2 취성 기판으로 덮인 위치에도 크랙 라인을 형성할 수 있다. 이상과 같이, 제1 취성 기판 및 제2 취성 기판의 접합에 관련된 작업 중에 제1 취성 기판이 의도하지 않게 분단되어 버리는 것을 피하면서, 제1 취성 기판 상에 있어서의 제2 취성 기판으로 덮인 부분에도, 그에 따른 분단이 행해지게 되는 라인을 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 표시 패널의 구성을 개략적으로 나타내는 사시도 도 1(A) 및, 도 1(A)의 선 IB-IB를 따르는 개략 단면도 도 1(B)이다.
도 2는 도 1의 표시 패널의 제조 방법에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는, 선 IIIA-IIIA(도 4)를 따르는 단면도 도 3(A), 제2 공정을 개략적으로 나타내는, 선 IIIB-IIIB(도 5)를 따르는 단면도 도 3(B), 제3 공정을 개략적으로 나타내는, 선 IIIC-IIIC(도 6)를 따르는 단면도 도 3(C), 제4 공정을 개략적으로 나타내는, 선 IIID-IIID(도 7)를 따르는 단면도 도 3(D) 및, 제5 공정을 개략적으로 나타내는, 선 IIIE-IIIE(도 8)를 따르는 단면도 도 3(E)이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제2 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제3 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제4 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제5 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 있어서 형성되는 트렌치 라인의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도 도 9(A) 및, 크랙 라인의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도 도 9(B)이다.
도 10은 제1 비교예에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1∼제4 공정의 각각을 나타내는 단면도 도 10(A)∼도 10(D)이다.
도 11은 제2 비교예에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 및 제2 공정의 각각을 나타내는 단면도 도 11(A) 및 도 11(B)이다.
도 12는 도 11(B)의 파선부 XIC를 나타내는 부분 단면도 도 12(A) 및, 제2 비교예에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제3 공정을 나타내는 부분 단면도 도 12(B)이다.
도 13은 본 발명의 실시 형태 2에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XIIIA-XIIIA(도 14)를 따르는 단면도 도 13(A), 제2 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XIIIB-XIIIB(도 15)를 따르는 단면도 도 13(B), 제3 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XIIIC-XIIIC(도 16)를 따르는 단면도 도 13(C), 제4 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XIIID-XIIID(도 17)를 따르는 단면도 도 13(D) 및, 제5 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XIIIE-XIIIE(도 18)를 따르는 단면도 도 13(E)이다.
도 14는 본 발명의 실시 형태 2에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 15는 본 발명의 실시 형태 2에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제2 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 16은 본 발명의 실시 형태 2에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제3 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 17은 본 발명의 실시 형태 2에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제4 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 18은 본 발명의 실시 형태 2에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제5 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 19는 본 발명의 실시 형태 3에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XIXA-XIXA(도 20)를 따르는 단면도 도 19(A), 제2 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XIXB-XIXB(도 21)를 따르는 단면도 도 19(B), 제3 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XIXC-XIXC(도 22)를 따르는 단면도 도 19(C), 제4 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XIXD-XIXD(도 23)를 따르는 단면도 도 19(D) 및, 제5 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XIXE-XIXE(도 24)를 따르는 단면도 도 19(E)이다.
도 20은 본 발명의 실시 형태 3에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 21은 본 발명의 실시 형태 3에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제2 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 22는 본 발명의 실시 형태 3에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제3 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 23은 본 발명의 실시 형태 3에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제4 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 24는 본 발명의 실시 형태 3에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제5 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 25는 본 발명의 실시 형태 4에 있어서의 표시 패널의 제조 방법에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다.
도 26은 본 발명의 실시 형태 4에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XXVIA-XXVIA(도 27)를 따르는 단면도 도 26(A), 제2 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XXVIB-XXVIB(도 28)를 따르는 단면도 도 26(B), 제3 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XXVIC-XXVIC(도 29)를 따르는 단면도 도 26(C), 제4 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XXVID-XXVID(도 30)를 따르는 단면도 도 26(D) 및, 제5 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XXVIE-XXVIE(도 31)를 따르는 단면도 도 26(E)이다.
도 27은 본 발명의 실시 형태 4에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 28은 본 발명의 실시 형태 4에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제2 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 29는 본 발명의 실시 형태 4에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제3 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 30은 본 발명의 실시 형태 4에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제4 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 31은 본 발명의 실시 형태 4에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제5 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 32는 본 발명의 실시 형태 4의 변형예에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다.
도 33은 본 발명의 실시 형태 4의 변형예에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XXXIII-XXXIII(도 34)을 따르는 단면도이다.
도 34는 본 발명의 실시 형태 4에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 35는 본 발명의 실시 형태 5에 있어서의 표시 패널의 제조 방법에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다.
도 36은 본 발명의 실시 형태 5에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XXXVIA-XXXVIA(도 37)를 따르는 단면도 도 36(A), 제2 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XXXVIB-XXXVIB(도 38)를 따르는 단면도 도 36(B), 제3 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XXXVIC-XXXVIC(도 39)를 따르는 단면도 도 36(C), 제4 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XXXVID-XXXVID(도 40)를 따르는 단면도 도 36(D) 및, 제5 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XXXVIE-XXXVIE(도 41)를 따르는 단면도 도 36(E)이다.
도 37은 본 발명의 실시 형태 5에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 38은 본 발명의 실시 형태 5에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제2 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 39는 본 발명의 실시 형태 5에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제3 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 40은 본 발명의 실시 형태 5에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제4 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 41은 본 발명의 실시 형태 5에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제5 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 42는 본 발명의 실시 형태 5의 변형예에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다.
도 43은 본 발명의 실시 형태 5의 변형예에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XLIII-XLIII(도 44)을 따르는 단면도이다.
도 44는 본 발명의 실시 형태 5에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 45는 본 발명의 실시 형태 6에 있어서의 표시 패널의 제조 방법에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다.
도 46은 본 발명의 실시 형태 7에 있어서의 표시 패널의 구성을 개략적으로 나타내는 사시도 도 46(A) 및, 도 46(A)의 선 XLVIB-XLVIB를 따르는 개략 단면도 도 46(B)이다.
도 47은 도 46의 표시 패널의 제조 방법에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다.
도 48은 본 발명의 실시 형태 7에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XLVIIIA-XLVIIIA(도 49)를 따르는 단면도 도 48(A), 제2 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XLVIIIB-XLVIIIB(도 50)를 따르는 단면도 도 48(B), 제3 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XLVIIIC-XLVIIIC(도 51)를 따르는 단면도 도 48(C) 및, 제4 공정을 개략적으로 나타내는, 선 XLVIIID-XLVIIID(도 52)를 따르는 단면도 도 48(D)이다.
도 49는 본 발명의 실시 형태 7에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 50은 본 발명의 실시 형태 7에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제2 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 51은 본 발명의 실시 형태 7에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제3 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 52는 본 발명의 실시 형태 7에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제4 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 53은 비교예에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1∼제4 공정의 각각을 나타내는 단면도 도 53(A)∼도 53(D)이다.
도 54는 본 발명의 실시 형태 7의 변형예에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1∼제4 공정의 각각을 개략적으로 나타내는 단면도 도 54(A)∼도 54(D)이다.
도 55는 본 발명의 실시 형태 8에 있어서의 표시 패널의 제조 방법에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다.
도 56은 본 발명의 실시 형태 8에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1∼ 제4 공정의 각각을 개략적으로 나타내는 단면도 도 56(A)∼도 56(D)이다.
도 57은 본 발명의 실시 형태 8의 변형예에 있어서의 표시 패널의 제조 방법에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다.
도 58은 본 발명의 실시 형태 8의 변형예에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 59는 본 발명의 실시 형태 9에 있어서의 표시 패널의 제조 방법에 있어서의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다.
도 60은 본 발명의 실시 형태 10에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 이용되는 기구(器具)의 구성을 개략적으로 나타내는 측면도 도 60(A), 및, 상기 기구가 갖는 날끝의 구성을 도 60(A)의 화살표 LXB의 시점(視點)에서 개략적으로 나타내는 평면도 도 60(B)이다.
도 61은 본 발명의 실시 형태 10에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 및 제2 공정의 각각을 개략적으로 나타내는 평면도 도 61(A) 및 도 61(B)이다.
도 62는 본 발명의 실시 형태 10의 제1 변형예의 취성 기판의 분단 방법의 제1 및 제2 공정의 각각을 개략적으로 나타내는 평면도 도 62(A) 및 도 62(B)이다.
도 63은 본 발명의 실시 형태 10의 제2 변형예의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 64는 본 발명의 실시 형태 10의 제3 변형예의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 65는 본 발명의 실시 형태 11에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 66은 본 발명의 실시 형태 11에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제2 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 67은 본 발명의 실시 형태 11에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제3 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 68은 본 발명의 실시 형태 11의 제1 변형예의 취성 기판의 분단 방법의 제1 및 제2 공정의 각각을 개략적으로 나타내는 평면도 도 68(A) 및 도 68(B)이다.
도 69는 본 발명의 실시 형태 11의 제2 변형예의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 70은 본 발명의 실시 형태 12에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 및 제2 공정의 각각을 개략적으로 나타내는 평면도 도 70(A) 및 도 70(B)이다.
도 71은 본 발명의 실시 형태 13에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 및 제2 공정의 각각을 개략적으로 나타내는 평면도 도 71(A) 및 도 71(B)이다.
도 72는 본 발명의 실시 형태 13의 변형예의 취성 기판의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 73은 본 발명의 실시 형태 14에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 이용되는 기구의 구성을 개략적으로 나타내는 측면도 도 73(A), 및, 상기 기구가 갖는 날끝의 구성을 도 33(A)의 화살표 LXXIIIB의 시점에서 개략적으로 나타내는 평면도 도 73(B)이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 도면에 기초하여 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다. 또한, 이하의 도면에 있어서 동일 또는 상당하는 부분에는 동일한 참조 번호를 붙이고 그 설명은 반복하지 않는다.
(실시 형태 1)
본 실시 형태의 취성 기판의 분단 방법에 대해서, 이하에 설명한다.
도 1(A) 및 도 1(B)를 참조하여, 본 실시 형태의 LCD 패널(101)(표시 패널)은, CF(컬러 필터) 기판(11)(취성 기판)과, TFT(박막 트랜지스터) 기판(12)(취성 기판)과, 시일부(21)(접합부)와, 액정층(20)을 갖는다.
CF 기판(11)은, 주면으로서, 내면(SF1)과 그 반대의 외면(SF2)을 갖는다. CF 기판(11)은, 내면(SF1)에 수직인 두께 방향(DT)을 갖는다. CF 기판(11)은, 구체적으로는 유리 기판이고, 컬러 필터, 블랙 매트릭스 및 배향막(도시하지 않음)을 갖는다. TFT 기판(12)은, 주면으로서, 내면(SF3)과 그 반대의 외면(SF4)을 갖는다. TFT 기판(12)은, 내면(SF3)에 수직인 두께 방향(DT)을 갖는다. TFT 기판(12)은, 구체적으로는 유리 기판이고, 배선, 액티브 소자, 전극 및 배향막(도시하지 않음)을 갖는다.
CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)은, 내면(SF1 및 SF3)이 대향하도록, 시일부(21)을 통하여 서로 접합되어 있다. 액정층(20)은, 내면(SF1 및 SF3)의 사이의 갭(gap) 내에 배치되어 있고, 시일부(21)에 의해 밀봉(seal)되어 있다. TFT 기판(12)의 내면(SF3)은, 액정층(20) 또는 시일부(21)에 의해 덮인 부분을 갖는다. 또한 내면(SF3)은, 노출된 단자 영역(SF3e)을 갖고 있어도 좋다. 단자 영역(SF3e)은, TFT 기판(12)을 외부 배선과 접속하기 위해 이용할 수 있다.
다음으로 LCD 패널(101)의 제조 방법에 대해서, 이하에 설명한다.
도 3(A) 및 도 4를 참조하여, CF 기판(11)이 준비된다(도 2: 스텝 S11). 이 시점에서는 CF 기판(11)은, 복수의 최종 제품을 얻기 위해 잘라내어지는 복수의 영역을 포함하는 기판(마더 기판(mother substrate)이다. 다음으로 CF 기판(11)의 내면(SF1)으로 날끝이 밀어붙여진다(도 2: 스텝 S12). 밀어붙여진 날끝이 CF 기판(11)의 내면(SF1) 상에서 슬라이딩됨으로써 CF 기판(11)의 내면(SF1) 상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인(TL)이 형성된다(도 2: 스텝 S13). 도 9(A)를 참조하여, CF 기판(11)의 트렌치 라인(TL)은 크랙리스 상태가 얻어지도록 형성된다. 크랙리스 상태란, 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에 있어서, 트렌치 라인(TL)의 연재(extending) 방향(도 9(A)가 나타내는 단면에 수직인 방향)과 교차하는 방향(DC)에 있어서 기판(도면 중에서는 CF 기판(11))이 연속적으로 연결되어 있는 상태이다. 크랙리스 상태에 있어서는, 소성 변형에 의한 트렌치 라인(TL)은 형성되어 있기는 하지만, 그에 따른 크랙은 형성되어 있지 않다. 따라서 종래의 브레이크 공정과 같이 유리 기판(4)에 단순하게 굽힘 모멘트가 발생하는 바와 같은 외력을 가해도, 트렌치 라인(TL)을 따른 분단은 용이하게는 발생하지 않는다. 이 때문에 크랙리스 상태에 있어서는 트렌치 라인(TL)을 따른 분단 공정은 행해지지 않는다.
도 3(B) 및 도 5를 참조하여, TFT 기판(12)이 준비된다(도 2: 스텝 S21). 이 시점에서는 TFT 기판(12)은, 복수의 최종 제품을 얻기 위해 잘라내어지는 복수의 영역을 포함하는 기판(마더 기판)이다. 다음으로 TFT 기판(12)의 내면(SF3)으로 날끝이 밀어붙여진다(도 2: 스텝 S22). 밀어붙여진 날끝이 TFT 기판(12)의 내면(SF3) 상에서 슬라이딩됨으로써 TFT 기판(12)의 내면(SF3) 상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인(TL)이 형성된다(도 2: 스텝 S23).
도 3(C) 및 도 6을 참조하여, 다음으로, CF 기판(11)의 내면(SF1)과 TFT 기판(12)의 내면(SF3)이 대향하도록 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)이 서로 접합된다(도 2: 스텝 S40). 이에 따라, CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 적층체가 얻어진다. 이에 따라, CF 기판(11)에 형성된 트렌치 라인(TL)은 TFT 기판(12)으로 덮이고, TFT 기판(12)에 형성된 트렌치 라인(TL)은 CF 기판(11)으로 덮인다. 본 실시 형태에 있어서는, CF 기판(11)에 형성된 트렌치 라인(TL)이 TFT 기판(12)에 부분적으로 덮인다. 환언하면, CF 기판(11)의 내면(SF1) 상에 형성된 트렌치 라인(TL)이 부분적으로 노출된다. 또한 TFT 기판(12)에 형성된 트렌치 라인(TL)이 CF 기판(11)에 부분적으로 덮인다. 환언하면, TFT 기판(12)의 내면(SF3) 상에 형성된 트렌치 라인(TL)이 부분적으로 노출된다.
도 3(D) 및 도 7을 참조하여, 다음으로, CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 트렌치 라인(TL)을 따라 크랙 라인(CL)이 형성된다(도 2: 스텝 S60). 크랙 라인(CL)의 형성은, 트렌치 라인(TL)을 따라 두께 방향에 있어서의 기판의 크랙을 신전시킴으로써 행해진다.
도 9(B)를 참조하여, 크랙 라인(CL)에 의해 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에 있어서 CF 기판(11)은 트렌치 라인(TL)의 연재 방향(도 9(B)가 나타내는 단면에 수직인 방향)과 교차하는 방향(DC)에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다. 여기에서 「연속적인 연결」이란, 환언하면, 크랙에 의해 차단되어 있지 않은 연결이다. 또한, 전술한 바와 같이 연속적인 연결이 끊어져 있는 상태에 있어서, 크랙 라인(CL)의 크랙을 통하여 기판의 부분끼리가 접촉하고 있어도 좋다. TFT 기판(12)에 대해서도 동일하다.
CF 기판(11)의 크랙 라인(CL)의 형성은, 노출된 트렌치 라인(TL)의 단부에 있어서 CF 기판(11)에 트렌치 라인(TL) 부근의 내부 응력의 변형을 해방하는 바와 같은 응력을 인가함으로써 개시된다. 응력의 인가는, 예를 들면, 형성된 트렌치 라인(TL) 상에 재차 날끝을 밀어붙이는 것에 의한 외부 응력의 인가, 또는, 레이저 광의 조사 등에 의한 가열에 의해 행할 수 있다. 이에 따라 CF 기판(11)의 트렌치 라인(TL) 중 노출된 부분으로부터, TFT 기판(12)에 의해 덮인 부분으로, 트렌치 라인(TL)을 따라 크랙이 신전된다. TFT 기판(12)에 대해서도 동일하다.
또한 도 3(E) 및 도 8을 참조하여, 스텝 S90(도 2)으로서, CF 기판(11)의 크랙 라인(CL)을 따라 CF 기판(11)이 분단되고, 또한 TFT 기판(12)의 크랙 라인(CL)을 따라 TFT 기판(12)이 분단된다. 즉, 소위 브레이크 공정이 행해진다. 브레이크 공정은, 예를 들면, 기판으로의 외력의 인가에 의해 기판을 휘어지게 함으로써 행할 수 있다.
다음으로 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 사이의 갭 내에 액정이 주입됨으로써, 액정층(20)(도 1(B))이 형성된다. 이상에 의해, 하나의 적층체(도 6)로부터 복수의 LCD 패널(101)이 얻어진다.
다음으로 제1 비교예에 대해서, 이하에 설명한다.
도 10(A) 및 도 10(B)를 참조하여, 스크라이브 라인(SL)이 형성된 CF 기판(11)과 스크라이브 라인(SL)이 형성된 TFT 기판(12)이 개별적으로 준비된다. 스크라이브 라인(SL)은, 공지의 전형적인 스크라이브 기술에 의해 형성될 수 있는 것이고, 스크라이브시에 형성된 수직 크랙의 라인을 갖는다. 도 10(C)을 참조하여 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)이 서로 접합된다. 도 10(D)를 참조하여, 스크라이브 라인(SL)을 따라 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)이 분단된다. 이 제1 비교예에 있어서는, 수직 크랙을 수반하는 스크라이브 라인(SL)이 형성된 후에 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)이 접합되는 점에서, 스크라이브 라인(SL)의 크랙이 두께 방향으로 의도하지 않게 신전됨으로써, 의도하고 있었던 시점보다 전에 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 적어도 어느 것이 분단되어 버리기 쉽다. 이 결과, LCD 패널(101)(도 1(B))의 제조 공정의 계속이 곤란해질 수 있다.
이에 대하여 본 실시 형태에 의하면, CF 기판(11)이 분단되는 위치를 규정하는 라인으로서, 그 바로 아래에 크랙을 갖지 않는 트렌치 라인(TL)(도 9(A))이 형성된다. 분단의 직접적인 계기로서 이용되게 되는 크랙 라인(CL)(도 9(B))은, 트렌치 라인(TL)의 형성 후에 형성된다. 이에 따라, 트렌치 라인(TL)의 형성 후 또한 크랙 라인(CL)의 형성 전의 CF 기판(11)은, 분단되는 위치가 트렌치 라인(TL)에 의해 규정되면서도, 크랙 라인(CL)이 아직 형성되어 있지 않기 때문에 용이하게 분단은 발생하지 않는 안정 상태(크랙리스 상태)에 있다. 이 안정 상태에 있어서, CF 기판(11)의 트렌치 라인(TL), 즉, CF 기판(11)이 분단되는 위치를 규정하는 라인 상에 TFT 기판(12)이 배치된다. 그 후, 분단의 직접적인 계기로서 이용되는 크랙 라인(CL)이, 트렌치 라인(TL)을 따라 크랙을 자기 정합적으로 신전시킴으로써 형성된다. 이에 따라 크랙 라인(CL)을, TFT 기판(12)으로 덮인 위치에도 형성할 수 있다. 이상과 같이, CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 접합에 관련된 작업 중에 CF 기판(11)이 의도하지 않게 분단되어 버리는 것을 피하면서, CF 기판(11) 상에 있어서의 TFT 기판(12)으로 덮인 부분에도, 그에 따른 분단이 행해지게 되는 라인을 형성할 수 있다.
또한 마찬가지로, 접합에 관련된 작업 중에 TFT 기판(12)이 의도하지 않게 분단되어 버리는 것을 피하면서, TFT 기판(12) 상에 있어서의 CF 기판(11)으로 덮인 부분에도, 그에 따른 분단이 행해지게 되는 라인을 형성할 수 있다.
다음으로 제2 비교예에 대해서, 이하에 설명한다.
도 11(A) 및 도 11(B)를 참조하여, CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)이 서로 접합된다. 다음으로 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 각각의 외면(SF2 및 SF4)에 스크라이브 라인(SL)이 형성된다. 다음으로 스크라이브 라인(SL)을 따라 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)이 분단된다.
도 12(A)를 참조하여, 이 비교예에 있어서는 전술한 바와 같이 스크라이브 라인(SL)이 외면(SF2 및 SF4) 상에 형성된다. 도 12(B)를 참조하여, 그러한 스크라이브 라인(SL)을 이용한 분단의 결과, 내면(SF1) 상에 있어서의 분단 위치에 오차 E1이 발생하는 경우가 있고, 또한 내면(SF3) 상에 있어서의 분단 위치에 오차 E2가 발생하는 경우가 있다. 이것은, 크랙이 신전하는 방향(도 12(A)에 있어서의 화살표 참조)에 불균일이 존재하기 때문이다.
이에 대하여 본 실시 형태에 의하면, CF 기판(11)이 분단되는 위치를 규정하는 트렌치 라인(TL)이 내면(SF1) 상에 형성되기 때문에(도 3(C) 참조), 외면(SF2)에 형성된 라인을 이용하여 분단이 행해지는 경우에 비해, 내면(SF1) 상에 있어서의 분단 위치의 정밀도가 높아진다.
또한 TFT 기판(12)이 분단되는 위치를 규정하는 트렌치 라인(TL)이 내면(SF3) 상에 형성되기 때문에(도 3(C) 참조), TFT 기판(12)의 외면(SF4)에 형성된 라인을 이용하여 분단이 행해지는 경우에 비해, 내면(SF3) 상에 있어서의 분단 위치의 정밀도가 높아진다. 이 결과, 내면(SF1 및 SF3)의 각각, 즉 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 접합면에 있어서의 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 상대적인 분단 위치의 정밀도도 또한 높아진다.
또한 본 실시 형태에 있어서의 크랙 라인(CL)의 형성 공정은, 종래의 소위 브레이크 공정과 본질적으로 상이하다. 브레이크 공정은, 이미 형성되어 있는 크랙을 두께 방향으로 추가로 신전시키는 것이다. 한편, 본 실시 형태에 있어서의 크랙 라인(CL)의 형성 공정은, 트렌치 라인(TL)의 형성에 의해 얻어진 크랙리스 상태로부터, 크랙을 갖는 상태로의 변화를 초래하는 것이다. 이 변화는, 크랙리스 상태가 갖는 내부 응력의 개방에 의해 발생한다고 생각된다. 트렌치 라인(TL)의 형성시의 소성 변형 및, 트렌치 라인(TL)의 형성에 의해 생성되는 내부 응력의 크기나 방향성 등의 상태는, 회전날의 전동이 이용되는 경우와, 본 실시 형태와 같이 날끝의 슬라이딩이 이용되는 경우와는 상이하다고 생각되고, 날끝의 슬라이딩이 이용되는 경우에는, 보다 넓은 스크라이브 조건에 있어서 크랙이 발생하기 쉬워진다. 또한 내부 응력의 개방에는 어떠한 계기가 필요하고, 전술한 바와 같은 외부로부터의 응력 인가에 의한 트렌치 라인(TL) 상의 크랙의 발생이 그러한 계기로서 작용한다고 생각된다. 트렌치 라인(TL) 및 크랙 라인(CL)의 적합한 형성 방법의 상세는 후술된다.
(실시 형태 2)
도 13(A)∼도 13(E)의 각각은, 본 실시 형태에 있어서의 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 분단 방법의 제1∼ 제5 공정을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 또한 도 13(A)∼도 13(E)의 각각의 단면은, 선 XIIIA-XIIIA(도 14), 선 XIIIB-XIIIB(도 15), 선 XIIIC-XIIIC(도 16), 선 XIIID-XIIID(도 17) 및 선 XIIIE-XIIIE(도 18)를 따르고 있다.
본 실시 형태에 있어서는, TFT 기판(12)의 트렌치 라인(TL)이 외면(SF4) 상에 형성된다. 이에 따라 TFT 기판(12)의 크랙 라인(CL)도 외면(SF4) 상에 형성된다.
또한, 상기 이외의 구성에 대해서는, 전술한 실시 형태 1의 구성과 거의 동일하기 때문에, 동일 또는 대응하는 요소에 대해서 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 반복하지 않는다.
본 실시 형태에 의해서도, 실시 형태 1과 동일하게, CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 접합에 관련된 작업 중에 CF 기판(11)이 의도하지 않게 분단되어 버리는 것을 피하면서, CF 기판(11) 상에 있어서의 TFT 기판(12)으로 덮인 부분에도, 그에 따른 분단이 행해지게 되는 라인을 형성할 수 있다. 또한 CF 기판(11)의 내면(SF1) 상에 있어서의 분단 위치의 정밀도가 높아진다.
또한 본 실시 형태에 의하면, TFT 등이 배치됨으로써 복잡한 구성을 갖는 경우가 많은 내면(SF3) 대신에 외면(SF4)에 트렌치 라인(TL)을 배치할 수 있다. 이에 따라 TFT 기판(12)의 트렌치 라인(TL)을 안정적으로 형성할 수 있다.
(실시 형태 3)
도 19(A)∼도 19(E)의 각각은, 본 실시 형태에 있어서의 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 분단 방법의 제1∼ 제5 공정을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 또한 도 19(A)∼도 19(E)의 각각의 단면은, 선 XIXA-XIXA(도 20), 선 XIXB-XIXB(도 21), 선 XIXC-XIXC(도 22)를 따르는 단면도 도 19(C), 선 XIXD-XIXD(도 23) 및 선 XIXE-XIXE(도 24)를 따르고 있다.
본 실시 형태에 있어서는, CF 기판(11)의 트렌치 라인(TL)이 외면(SF2) 상에 형성된다. 이에 따라 CF 기판(11)의 크랙 라인(CL)도 외면(SF2) 상에 형성된다.
또한, 상기 이외의 구성에 대해서는, 전술한 실시 형태 1의 구성과 거의 동일하기 때문에, 동일 또는 대응하는 요소에 대해서 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 반복하지 않는다.
본 실시 형태에 의해서도, 실시 형태 1과 동일하게, CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 접합에 관련된 작업 중에 TFT 기판(12)이 의도하지 않게 분단되어 버리는 것을 피하면서, TFT 기판(12) 상에 있어서의 CF 기판(11)으로 덮인 부분에도, 그에 따른 분단이 행해지게 되는 라인을 형성할 수 있다. 또한 TFT 기판(12)의 내면(SF3) 상에 있어서의 분단 위치의 정밀도가 높아진다.
또한 본 실시 형태에 의하면, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스 등이 배치됨으로써 복잡한 구성을 갖는 경우가 많은 내면(SF1) 대신에 외면(SF2)에 트렌치 라인(TL)을 배치할 수 있다. 이에 따라 CF 기판(11)의 트렌치 라인(TL)을 안정적으로 형성할 수 있다.
(실시 형태 4)
도 25는, 본 실시 형태에 있어서의 LCD 패널(101)(도 1(A) 및 도 1(B))의 제조 방법에 있어서의 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다. 또한 도 26(A)∼도 26(E)의 각각의 단면은, 선 XXVIA-XXVIA(도 27), 선 XXVIB-XXVIB(도 28), 선 XXVIC-XXVIC(도 29), 선 XXVID-XXVID(도 30) 및 선 XXVIE-XXVIE(도 31)를 따르고 있다.
도 26(A) 및 도 27을 참조하여, 실시 형태 1과 동일한 스텝 S11∼S13(도 25)에 의해, 트렌치 라인(TL)이 형성된 CF 기판(11)이 준비된다.
도 26(B) 및 도 28을 참조하여, TFT 기판(12)이 준비된다(도 25: 스텝 S21). CF 기판(11)의 내면(SF1)과 TFT 기판(12)의 내면(SF3)이 대향하도록 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)이 서로 접합된다(도 25: 스텝 S40). 이에 따라, CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 적층체가 얻어진다. CF 기판(11)에 형성된 트렌치 라인(TL)은 TFT 기판(12)으로 덮인다. 본 실시 형태에 있어서는, CF 기판(11)에 형성된 트렌치 라인(TL)이 TFT 기판(12)에 부분적으로 덮인다. 환언하면, CF 기판(11)의 내면(SF1) 상에 형성된 트렌치 라인(TL)이 부분적으로 노출된다.
도 26(C) 및 도 29를 참조하여, 다음으로, CF 기판(11)의 트렌치 라인(TL)을 따라 크랙 라인(CL)이 형성된다(도 25: 스텝 S61).
도 26(D) 및 도 30을 참조하여, 다음으로, TFT 기판(12)의 외면(SF4) 상에 스크라이브 라인(SL)이 형성된다(도 25: 스텝 S72). 스크라이브 라인(SL)은, 전술한 바와 같이, 공지의 전형적인 스크라이브 기술에 의해 형성될 수 있는 것이고, 스크라이브시에 형성된 수직 크랙의 라인을 갖는다.
또한 도 26(E) 및 도 31을 참조하여, 스텝 S90(도 25)으로서, CF 기판(11)의 크랙 라인(CL)을 따라 CF 기판(11)이 분단되고, 또한 TFT 기판(12)의 스크라이브 라인(SL)을 따라 TFT 기판(12)이 분단된다. 즉, 소위 브레이크 공정이 행해진다. 브레이크 공정은, 예를 들면, 기판으로의 외력의 인가에 의해 기판을 휘어지게 함으로써 행할 수 있다.
다음으로 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 사이의 갭 내에 액정이 주입됨으로써, 액정층(20)(도 1(B))이 형성된다. 이상에 의해, 하나의 적층체(도 28)로부터 복수의 LCD 패널(101)이 얻어진다.
본 실시 형태에 의해서도, 실시 형태 1과 동일하게, CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 접합에 관련된 작업 중에 CF 기판(11)이 의도하지 않게 분단되어 버리는 것을 피하면서, CF 기판(11) 상에 있어서의 TFT 기판(12)으로 덮인 부분에도, 그에 따른 분단이 행해지게 되는 라인을 형성할 수 있다. 또한 CF 기판(11)의 내면(SF1) 상에 있어서의 분단 위치의 정밀도가 높아진다.
또한 본 실시 형태에 의하면, 스크라이브 라인(SL)이 형성된 시점에서 이미, CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)이 서로 접합되어 있고, 또한 CF 기판(11)에 크랙 라인(CL)이 형성되어 있다. 따라서 스크라이브 라인(SL)의 수직 크랙이 어떠한 요인으로 신전됨으로써 스크라이브 라인(SL)을 따른 분단이 의도하지 않게 발생했다고 해도, 통상, 특별히 지장이 없다.
또한 TFT 기판(12)의 스크라이브 라인(SL)은, TFT 등이 배치됨으로써 복잡한 구성을 갖는 경우가 많은 내면(SF3)이 아니라 외면(SF4)에 형성된다. 이에 따라 스크라이브 라인(SL)을 안정적으로 형성할 수 있다.
도 32를 참조하여, 본 실시 형태의 변형예에 있어서는, 전술한 스텝 S61 및 S72(도 25)의 순서를 바꿀 수 있다. 도 33 및 도 34는, 스텝 S72에서 스크라이브 라인(SL)이 형성된 시점에서의 구성을 개략적으로 나타낸다.
(실시 형태 5)
도 35는, 본 실시 형태에 있어서의 LCD 패널(101)(도 1(A) 및 도 1(B))의 제조 방법에 있어서의 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다. 또한 도 36(A)∼도 36(E)의 각각의 단면은, 선 XXXVIA-XXXVIA(도 37), 선 XXXVIB-XXXVIB(도 38), 선 XXXVIC-XXXVIC(도 39), 선 XXXVID-XXXVID(도 40) 및 선 XXXVIE-XXXVIE(도 41)를 따르고 있다.
도 36(A) 및 도 37을 참조하여, 실시 형태 1과 동일한 스텝 S21∼S23(도 35)에 의해, 트렌치 라인(TL)이 형성된 TFT 기판(12)이 준비된다.
도 36(B) 및 도 38을 참조하여, CF 기판(11)이 준비된다(도 35: 스텝 S21). CF 기판(11)의 내면(SF1)과 TFT 기판(12)의 내면(SF3)이 대향하도록 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)이 서로 접합된다(도 35: 스텝 S40). 이에 따라, CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 적층체가 얻어진다. TFT 기판(12)에 형성된 트렌치 라인(TL)은 CF 기판(11)으로 덮인다. 본 실시 형태에 있어서는, TFT 기판(12)에 형성된 트렌치 라인(TL)이 CF 기판(11)에 부분적으로 덮인다. 환언하면, TFT 기판(12)의 내면(SF3) 상에 형성된 트렌치 라인(TL)이 부분적으로 노출된다.
도 36(C) 및 도 39를 참조하여, 다음으로, TFT 기판(12)의 트렌치 라인(TL)을 따라 크랙 라인(CL)이 형성된다(도 35: 스텝 S61).
도 36(D) 및 도 40을 참조하여, 다음으로, CF 기판(11)의 외면(SF2) 상에 스크라이브 라인(SL)이 형성된다(도 35: 스텝 S72). 스크라이브 라인(SL)은, 전술한 바와 같이, 공지의 전형적인 스크라이브 기술에 의해 형성될 수 있는 것이고, 스크라이브시에 형성된 수직 크랙의 라인을 갖는다.
또한 도 36(E) 및 도 41을 참조하여, 스텝 S90(도 35)으로서, TFT 기판(12)의 크랙 라인(CL)을 따라 TFT 기판(12)이 분단되고, 또한 CF 기판(11)의 스크라이브 라인(SL)을 따라 CF 기판(11)이 분단된다. 즉, 소위 브레이크 공정이 행해진다. 브레이크 공정은, 예를 들면, 기판으로의 외력의 인가에 의해 기판을 휘어지게 함으로써 행할 수 있다.
다음으로 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 사이의 갭 내에 액정이 주입됨으로써, 액정층(20)(도 1(B))이 형성된다. 이상에 의해, 하나의 적층체(도 38)로부터 복수의 LCD 패널(101)이 얻어진다.
본 실시 형태에 의해서도, 실시 형태 1과 동일하게, CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 접합에 관련된 작업 중에 TFT 기판(12)이 의도하지 않게 분단되어 버리는 것을 피하면서, TFT 기판(12) 상에 있어서의 CF 기판(11)으로 덮인 부분에도, 그에 따른 분단이 행해지게 되는 라인을 형성할 수 있다. 또한 TFT 기판(12)의 내면(SF3) 상에 있어서의 분단 위치의 정밀도가 높아진다.
또한 본 실시 형태에 의하면, 스크라이브 라인(SL)이 형성된 시점에서 이미, CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)이 서로 접합되어 있고, 또한 TFT 기판(12)에 크랙 라인(CL)이 형성되어 있다. 따라서 스크라이브 라인(SL)의 수직 크랙이 어떠한 요인으로 신전됨으로써 스크라이브 라인(SL)을 따른 분단이 의도하지 않게 발생했다고 해도, 통상, 특별히 지장이 없다.
또한 CF 기판(11)의 스크라이브 라인(SL)은, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스 등이 배치됨으로써 복잡한 구성을 갖는 경우가 많은 내면(SF1)이 아니라 외면(SF2)에 형성된다. 이에 따라 스크라이브 라인(SL)을 안정적으로 형성할 수 있다.
도 42를 참조하여, 본 실시 형태의 변형예에 있어서는, 전술한 스텝 S62 및 S71(도 35)의 순서를 바꿀 수 있다. 도 43 및 도 44는, 스텝 S71에서 스크라이브 라인(SL)이 형성된 시점에서의 구성을 개략적으로 나타낸다.
(실시 형태 6)
도 45는, 본 실시 형태에 있어서의 LCD 패널(101)(도 1(A) 및 도 1(B))의 제조 방법에 있어서의 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다. 실시 형태 2∼5와 상이하게 본 실시 형태에 있어서는, CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 어느 것에 대해서, 분단되는 위치의 규정이, 트렌치 라인(TL)의 형성(스텝 S13 또는 S23)과, 스크라이브 라인(SL)의 형성(스텝 S70)으로 나누어 행해진다. 이 나누는 방법은 임의이고, 예를 들면, 평면 레이아웃의 XY 직교 좌표에 있어서, X축을 따른 트렌치 라인(TL)과, Y축을 따른 스크라이브 라인(SL)이 형성된다. 또한 스텝 S60 및 S70의 순서는 바뀌어도 좋다.
또한 상기 이외의 구성에 대해서는, 전술한 실시 형태 2∼5의 구성과 거의 동일하기 때문에, 동일 또는 대응하는 요소에 대해서 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 반복하지 않는다.
(실시 형태 7)
도 46(A) 및 도 46(B)를 참조하여, 본 실시 형태의 LCD 패널(102)(표시 패널)은, LCD 패널(101)(도 1(A) 및 도 1(B))의 구성에 더하여 추가로 유리 기판(13) 및 접합부(22)를 갖는다. 유리 기판(13)은, 주면으로서, 내면(SF5)과 그 반대의 외면(SF6)을 갖는다. 유리 기판(13)은, 그 내면(SF5)과 CF 기판(11)의 외면(SF2)이 대향하도록, 접합부(22)를 통하여 CF 기판(11)의 외면(SF2) 상에 배치되어 있다. 이에 따라 TFT 기판(12)과 CF 기판(11)과 유리 기판(13)을 갖는 적층체가 구성되어 있다.
다음으로 LCD 패널(102)의 제조 방법에 대해서, 이하에 설명한다.
실시 형태 1과 동일하게, CF 기판(11)(도 3(A)) 및 TFT 기판(12)(도 3(B))이 준비된다.
도 48(A) 및 도 49를 참조하여, 유리 기판(13)이 준비된다(도 47: 스텝 S31). 이 시점에서는 유리 기판(13)은, 복수의 최종 제품을 얻기 위해 잘라내는 복수의 영역을 포함하는 기판(마더 기판)이다. 다음으로, 유리 기판(13)의 내면(SF5)으로 날끝이 밀어붙여진다(도 47: 스텝 S32). 밀어붙여진 날끝이 유리 기판(13)의 내면(SF5) 상에서 슬라이딩됨으로써 유리 기판(13)의 내면(SF5) 상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인(TL)이 형성된다(도 47: 스텝 S33).
도 48(B) 및 도 50을 참조하여, 다음으로, CF 기판(11), TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)이 접합된다(도 47: 스텝 S43). 이때, CF 기판(11)과 TFT 기판(12)은, 도 3(C)(실시 형태 1)와 동일한 적층체를 구성한다. 또한 유리 기판(13)은 내면(SF5)이 CF 기판(11)의 외면(SF2)과 대향하도록 CF 기판(11)에 부착된다. 이에 따라, CF 기판(11), TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)의 적층체가 얻어진다.
전술한 적층에 의해, 유리 기판(13)에 형성된 트렌치 라인(TL)은 CF 기판(11)으로 덮인다. 본 실시 형태에 있어서는, 유리 기판(13)에 형성된 트렌치 라인(TL)이 CF 기판(11)에 부분적으로 덮인다. 환언하면, 유리 기판(13)의 내면(SF5) 상에 형성된 트렌치 라인(TL)이 부분적으로 노출된다.
또한 전술한 적층에 의해, TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)은, CF 기판(11)에 형성된 트렌치 라인(TL)을 두께 방향에 있어서 사이에 끼운다. 본 실시 형태에 있어서는, TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)은, CF 기판(11)에 형성된 트렌치 라인(TL)을 부분적으로 사이에 끼운다.
도 48(C) 및 도 51을 참조하여, 다음으로, CF 기판(11), TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)의 트렌치 라인(TL)을 따라 크랙 라인(CL)이 형성된다(도 47: 스텝 S63). 크랙 라인(CL)의 형성은, 트렌치 라인(TL)을 따라 두께 방향에 있어서의 기판의 크랙을 신전시킴으로써 행해진다. 유리 기판(13)의 크랙 라인(CL)의 형성은, 노출된 트렌치 라인(TL)의 단부에 있어서 유리 기판(13)에 응력을 인가함으로써 개시된다. 응력의 인가는, 예를 들면, 형성된 트렌치 라인(TL) 상에 재차 날끝을 밀어붙이는 것에 의한 외부 응력의 인가, 또는, 레이저광의 조사 등에 의한 가열에 의해 행할 수 있다. 이에 따라 유리 기판(13)의 트렌치 라인(TL) 중 노출된 부분으로부터, CF 기판(11)에 의해 덮인 부분으로, 트렌치 라인(TL)을 따라 크랙이 신전된다. CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)에 대해서도 동일하다.
또한 도 48(D) 및 도 52를 참조하여, 스텝 S93(도 47)으로서, CF 기판(11)의 크랙 라인(CL)을 따라 CF 기판(11)이 분단되고, TFT 기판(12)의 크랙 라인(CL)을 따라 TFT 기판(12)이 분단되고, 또한 유리 기판(13)의 크랙 라인(CL)을 따라 유리 기판(13)이 분단된다. 즉, 소위 브레이크 공정이 행해진다. 브레이크 공정은, 예를 들면, 기판으로의 외력의 인가에 의해 기판을 휘어지게 함으로써 행할 수 있다.
다음으로 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 사이의 갭 내에 액정이 주입됨으로써, 액정층(20)(도 46(B))이 형성된다. 이상에 의해, 하나의 적층체(도 50)로부터 복수의 LCD 패널(102)이 얻어진다.
또한, 실시 형태 7의 변형예로서, CF 기판(11)으로의 크랙 라인(CL)의 형성은, TFT 기판(12) 또는 유리 기판(13)에 브레이크 공정이 행해진 후에 행해져도 좋다. 이 변형예에 의하면, CF 기판(11)에 형성된 트렌치 라인(TL)은 TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)이 브레이크된 후에 부분적으로 노출되면 좋고, 기판의 적층시에는 CF 기판(11)에 형성된 트렌치 라인(TL)이 완전하게 덮여 있어도 좋다. 또한, CF 기판(11), TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)의 분단의 순서를 바꿈으로써, 공정을 분산하여 라인 택트를 빠르게 할 수 있다.
다음으로 비교예에 대해서, 이하에 설명한다. 도 53(A)를 참조하여, 스크라이브 라인(SL)이 형성된 CF 기판(11)이 준비된다. 스크라이브 라인(SL)은, 공지의 전형적인 스크라이브 기술에 의해 형성될 수 있는 것이고, 스크라이브시에 형성된 수직 크랙의 라인을 갖는다. 도 53(B)를 참조하여 CF 기판(11), TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)이 접합된다. 다음으로 TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)의 각각의 외면(SF4 및 SF6)에 스크라이브 라인(SL)이 형성된다. 또한 도 53(D)를 참조하여, 스크라이브 라인(SL)을 따라, CF 기판(11), TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)이 분단된다. 이 비교예에 있어서는 CF 기판(11), TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)이, CF 기판에 수직 크랙을 수반하는 스크라이브 라인(SL)이 형성된 후에 접합되는 점에서, 스크라이브 라인(SL)의 크랙이 두께 방향으로 의도하지 않게 신전됨으로써, CF 기판(11)이, 의도하고 있었던 시점보다 전에 분단되어 버리기 쉽다. TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)에 대하여 수직 크랙을 수반하는 스크라이브 라인(SL)이 형성된 후에 접합이 행해지는 경우도 동일하게, CF 기판(11), TFT 기판(12) 및 유리 기판(13) 중 어느 것이 의도하고 있었던 시점보다 전에 분단되어 버리기 쉽다. 이 결과, LCD 패널(102)(도 46(B))의 제조 공정의 계속이 곤란해질 수 있다.
이에 대하여, 본 실시 형태에 의하면, CF 기판(11)이 분단되는 위치를 규정하는 라인으로서, 그 바로 아래에 크랙을 갖지 않는 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 분단의 직접적인 계기로서 이용되게 되는 크랙 라인(CL)은, 트렌치 라인(TL)의 형성 후에 형성된다. 이에 따라, 트렌치 라인(TL)의 형성 후 또한 크랙 라인(CL)의 형성 전의 CF 기판(11)은, 분단되는 위치가 트렌치 라인(TL)에 의해 규정되면서도, 크랙 라인(CL)이 아직 형성되어 있지 않기 때문에 용이하게 분단은 발생하지 않는 안정 상태에 있다. 이 안정 상태에 있어서, CF 기판(11)의 트렌치 라인(TL), 즉, CF 기판(11)이 분단되는 위치를 규정하는 라인 상에 TFT 기판(12)이 배치된다. 그 후, 분단의 직접적인 계기로서 이용되게 되는 크랙 라인(CL)이, 트렌치 라인(TL)을 따라 크랙을 자기 정합적으로 신전시킴으로써 형성된다. 이에 따라 크랙 라인(CL)을, TFT 기판(12)으로 덮인 위치에도 형성할 수 있다. 이상과 같이, CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 접합에 관련된 작업 중에 CF 기판(11)이 의도하지 않게 분단되어 버리는 것을 피하면서, CF 기판(11) 상에 있어서의 TFT 기판(12)으로 덮인 부분에도, 그에 따른 분단이 행해지게 되는 라인을 형성할 수 있다.
CF 기판(11) 중 TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)에 두께 방향에 있어서 사이에 끼워진 부분은, 내면(SF1) 및 외면(SF2)의 모두가 노출되어 있지 않기 때문에, TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)을 배치한 후(도 48(B))에 날끝을 댈 수 없는 부분이다. 본 실시 형태에 의하면, 이러한 부분이라도, 사전에 트렌치 라인(TL)을 형성해 둠으로써(도 48(A)), TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)을 배치한 후라도 크랙 라인(CL)(도 48(C))을 형성할 수 있다.
또한 유리 기판(13)의 트렌치 라인(TL)은, 내면(SF5) 대신에 외면(SF6)에 형성되어도 좋다(도 54(A)∼도 54(E) 참조).
(실시 형태 8)
도 55는, 본 실시 형태에 있어서의 LCD 패널(102)(도 46(A) 및 도46(B))의 제조 방법에 있어서의 CF 기판(11), TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다.
도 56(A)를 참조하여, 실시 형태 1과 동일한 스텝 S11∼S13 및 S21∼23(도 47)에 의해, 트렌치 라인(TL)이 형성된 CF 기판(11) 및 TFT 기판이 준비된다. 그리고 CF 기판(11), TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)이 접합된다.
도 56(B)를 참조하여, 다음으로, CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 트렌치 라인(TL)을 따라 크랙 라인(CL)이 형성된다(도 55: 스텝 S60).
도 56(C)를 참조하여, 다음으로, 유리 기판(13)의 외면(SF6) 상에 스크라이브 라인(SL)이 형성된다(도 55: 스텝 S73). 스크라이브 라인(SL)은, 전술한 바와 같이, 공지의 전형적인 스크라이브 기술에 의해 형성될 수 있는 것이고, 스크라이브시에 형성된 수직 크랙의 라인을 갖는다.
또한 도 56(D)를 참조하여, 스텝 S90(도 25)으로서, CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 크랙 라인(CL)을 따라 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)이 분단되고, 또한 유리 기판(13)의 스크라이브 라인(SL)을 따라 유리 기판(13)이 분단된다. 즉, 소위 브레이크 공정이 행해진다. 브레이크 공정은, 예를 들면, 기판으로의 외력의 인가에 의해 기판을 휘어지게 함으로써 행할 수 있다.
다음으로 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)의 사이의 갭 내에 액정이 주입됨으로써, 액정층(20)(도 46(B))이 형성된다. 이상에 의해, 하나의 적층체(도 56(A)∼ 도 56(C))로부터 복수의 LCD 패널(102)이 얻어진다.
본 실시 형태에 의해서도, 실시 형태 7과 거의 동일한 효과가 얻어진다. 또한 본 실시 형태에 의하면, 스크라이브 라인(SL)이 형성된 시점에서 이미, CF 기판(11), TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)이 서로 접합되어 있고, 또한 CF 기판(11) 및 TFT 기판(12)에 크랙 라인(CL)이 형성되어 있다. 따라서 스크라이브 라인(SL)의 수직 크랙이 어떠한 요인으로 신전됨으로써 스크라이브 라인(SL)을 따른 분단이 의도하지 않게 발생했다고 해도, 통상, 특별히 지장이 없다.
도 57을 참조하여, 본 실시 형태의 변형예에 있어서는, 전술한 스텝 S60 및 S73(도 55)의 순서를 바꿀 수 있다. 도 58은, 스텝 S73에서 스크라이브 라인(SL)이 형성된 시점에서의 구성을 개략적으로 나타낸다.
(실시 형태 9)
도 59는, 본 실시 형태에 있어서의 LCD 패널(102)(도 46(A) 및 도 46(B))의 제조 방법에 있어서의 CF 기판(11), TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)의 분단 방법을 개략적으로 나타내는 플로우도이다. 실시 형태 7 및 8과 상이하게 본 실시 형태에 있어서는, 유리 기판(13)에 대해서, 분단되는 위치의 규정이, 트렌치 라인(TL)의 형성(스텝 S33)과, 스크라이브 라인(SL)의 형성(스텝 S73)으로 나누어 행해진다. 이 나누는 방법은 임의로서, 예를 들면, 평면 레이아웃의 XY 직교 좌표에 있어서, X축에 따른 트렌치 라인(TL)과, Y축에 따른 스크라이브 라인(SL)이 형성된다. 또한 스텝 S63 및 S73의 순서는 바뀌어도 좋다.
또한 상기 이외의 구성에 대해서는, 전술한 실시 형태 7 또는 8의 구성과 거의 동일하기 때문에, 동일 또는 대응하는 요소에 대해서 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 반복하지 않는다.
(실시 형태 10)
상기 각 실시 형태에 있어서의 트렌치 라인(TL)의 형성에 이용되는, 날끝을 갖는 커팅 기구에 대해서, 이하에 설명한다.
도 60(A) 및 도 60(B)는, 날끝(51)이 CF 기판(11)에 밀어붙여져 있는 모양을 나타낸다. 커팅 기구(50)는 날끝(51) 및 생크(shank;52)를 갖는다. 날끝(51)에는, 천면(天面) SD1(제1 면)과, 천면 SD1을 둘러싸는 복수의 면이 형성되어 있다. 이들 복수의 면은 측면 SD2(제2 면) 및 측면 SD3(제3 면)을 포함한다. 천면 SD1, 측면 SD2 및 SD3(제1∼제3 면)은, 서로 상이한 방향을 향하고 있고, 또한 서로 이웃하고 있다. 날끝(51)은, 천면 SD1, 측면 SD2 및 SD3이 합류하는 정점을 갖고, 이 정점에 의해 날끝(51)의 돌기부(PP)가 구성되어 있다. 또한 측면 SD2 및 SD3은, 날끝(51)의 측부(PS)를 구성하는 능선을 이루고 있다. 측부(PS)는 돌기부(PP)로부터 선 형상으로 연장되어 있다. 또한 측부(PS)는, 전술한 바와 같이 능선인 점에서, 선 형상으로 연장되는 볼록 형상을 갖는다.
날끝(51)은 다이아몬드 포인트인 것이 바람직하다. 즉 날끝(51)은, 경도 및 표면 거칠기를 작게 할 수 있는 점에서 다이아몬드로부터 만들어져 있는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 날끝(51)은 단결정 다이아몬드로부터 만들어져 있다. 더욱 바람직하게는 결정학적으로 말해서, 천면 SD1은 {001}면이고, 측면 SD2 및 SD3의 각각은 {111}면이다. 이 경우, 측면 SD2 및 SD3은, 상이한 방향을 갖기는 하지만, 결정학상, 서로 등가인 결정면이다.
또한 단결정이 아닌 다이아몬드가 이용되어도 좋고, 예를 들면, CVD(Chemical Vapor Deposition)법으로 합성된 다결정체 다이아몬드가 이용되어도 좋다. 혹은, 미립의 그라파이트나 비(非)그라파이트 형상 탄소로부터, 철족 원소 등의 결합재를 포함하지 않고 소결된 다결정체 다이아몬드 입자를 철족 원소 등의 결합재에 의해 결합시킨 소결 다이아몬드가 이용되어도 좋다.
생크(52)는 축방향(AX)을 따라 연재되어 있다. 날끝(51)은, 천면 SD1의 법선 방향이 축방향(AX)에 대체로 따르도록 생크(52)에 부착되는 것이 바람직하다.
커팅 기구(50)를 이용하여 트렌치 라인(TL)(도 9(A))을 형성하기 위해서는, CF 기판(11)의 내면(SF1)에, 날끝(51)의 돌기부(PP) 및 측부(PS)가, CF 기판(11)이 갖는 두께 방향(DT)으로 밀어붙여진다. 다음으로 측부(PS)를 내면(SF1) 상에 투영한 방향으로 대체로 따라, 날끝(51)이 내면(SF1) 상을 슬라이딩된다. 이에 따라 내면(SF1) 상에, 수직 크랙을 수반하지 않는 홈 형상의 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 트렌치 라인(TL)은 CF 기판(11)의 소성 변형에 의해 발생하지만, 이때에 CF 기판(11)이 약간 깎여도 좋다. 단 이러한 깎임은 미세한 파편을 발생시킬 수 있는 점에서, 가능한 한 적은 것이 바람직하다.
날끝(51)의 슬라이딩에 의해, 트렌치 라인(TL) 및 크랙 라인(CL)이 동시에 형성되는 경우(도 9(B))와, 트렌치 라인(TL)만이 형성되는 경우(도 9(A))가 있다. 크랙 라인(CL)은, 트렌치 라인(TL)의 오목 부분으로부터 두께 방향(DT)으로 신전된 크랙이고, 내면(SF1) 상에 있어서는 선 형상으로 연장되어 있다. 후술하는 방법에 의하면, 트렌치 라인(TL)만이 형성된 후, 그에 따라 크랙 라인(CL)을 형성할 수 있다.
다음으로, CF 기판(11)의 분단 방법에 대해서 특히 착안하여, 이하에 설명한다. 또한, 도면 및 설명을 알기 쉽게 하기 위해, 하나의 방향(각 평면도 중, 횡방향)을 따른 분단에 대해서만 설명하지만, 분단은, 실시 형태 1∼9에서 설명한 바와 같이, 복수의 방향(예를 들면, 각 평면도 중, 횡방향 및 종방향)에 따른 분단이 행해질 수 있다. 또한 CF 기판(11)과 다른 기판과의 사이의 접착에 대해서는 실시 형태 1∼9에 있어서 설명한 바와 같으며, 그 도시를 생략한다. 또한 TFT 기판(12) 및 유리 기판(13)에 대해서도 동일한 분단 방법을 적용할 수 있다.
도 61(A)를 참조하여, CF 기판(11)은 평탄한 내면(SF1)을 갖는다. 내면(SF1)을 둘러싸는 테두리는, 서로 대향하는 변(ED1)(제1 변) 및 변(ED2)(제2 변)을 포함한다. 도 61(A)에서 나타내는 예에 있어서는, 테두리는 장방형 형상이다. 따라서 변(ED1 및 ED2)은 서로 평행한 변이다. 또한 도 61(A)에서 나타내는 예에 있어서는 변(ED1 및 ED2)은 장방형의 단변이다.
내면(SF1)에 날끝(51)이 위치(N1)에서 밀어붙여진다. 위치(N1)의 상세는 후술한다. 날끝(51)의 밀어붙임은, 도 60(A)를 참조하여, CF 기판(11)의 내면(SF1) 상에서 날끝(51)의 돌기부(PP)가 변(ED1) 및 측부(PS)의 사이에 배치되도록, 또한 날끝(51)의 측부(PS)가 돌기부(PP)와 변(ED2)의 사이에 배치되도록 행해진다.
다음으로, 내면(SF1) 상에 복수의 트렌치 라인(TL)(도면 중에서는 2개의 라인)이 형성된다. 트렌치 라인(TL)의 형성은, 위치(N1)(제1 위치) 및 위치(N3)의 사이에서 행해진다. 위치(N1 및 N3)의 사이에는 위치(N2)(제2 위치)가 위치한다. 따라서 트렌치 라인(TL)은, 위치(N1 및 N2)의 사이와, 위치(N2 및 N3)의 사이에 형성된다. 위치(N1 및 N3)는 CF 기판(11)의 내면(SF1)의 테두리로부터 떨어져 위치해도 좋고, 혹은, 그 한쪽 또는 양쪽이 상면(SF1)의 테두리에 위치해도 좋다. 형성되는 트렌치 라인(TL)은, 전자의 경우는 CF 기판(11)의 테두리로부터 떨어져 있고, 후자의 경우는 CF 기판(11)의 테두리에 접하고 있다. 위치(N1 및 N2) 중 위치(N1)의 쪽이 변(ED1)에 보다 가깝고, 또한 위치(N1 및 N2) 중 위치(N2)가 변(ED2)에 보다 가깝다. 또한 도 61(A)에 나타내는 예에서는, 위치(N1)는 변(ED1 및 ED2) 중 변(ED1)에 가깝다. 위치(N2)는 변(ED1 및 ED2) 중 변(ED2)에 가깝지만, 위치(N1 및 N2)의 양쪽이 변(ED1 또는 ED2)의 어느 한쪽의 가까이에 위치해도 좋다.
트렌치 라인(TL)이 형성될 때에는, 본 실시 형태에 있어서는, 위치(N1)로부터 위치(N2)로 날끝(51)이 변위되고, 또한 위치(N2)로부터 위치(N3)로 변위된다. 즉, 도 60(A)를 참조하여, 날끝(51)이, 변(ED1)으로부터 변(ED2)으로 향하는 방향인 방향(DA)으로 변위된다. 방향 DA는, 날끝(51)으로부터 연장되는 축방향(AX)을 내면(SF1) 상에 투영한 방향에 대응하고 있다. 이 경우, 날끝(51)은 생크(52)에 의해 내면(SF1) 상을 끌려간다.
다음으로, 실시 형태 1에서 설명한 크랙리스 상태(도 9(A))가 소망하는 시간에 걸쳐 유지된다. 그 사이에, 실시 형태 1∼9에서 설명한 바와 같이, CF 기판(11)과 다른 기판(도시하지 않음)과의 접착이 행해진다.
도 61(B)를 참조하여, 트렌치 라인(TL)이 형성된 후에, 트렌치 라인(TL)을 따라 위치(N2)로부터 위치(N1)의 쪽으로(도면 중, 파선 화살표 참조), 두께 방향 (DT)에 있어서의 CF 기판(11)의 크랙을 신전시킴으로써 크랙 라인(CL)이 형성된다. 크랙 라인(CL)의 형성은, 어시스트 라인(AL) 및 트렌치 라인(TL)이 위치(N2)에서 서로 교차함으로써 개시된다. 이 목적으로, 트렌치 라인(TL)을 형성한 후에 어시스트 라인(AL)이 형성된다. 어시스트 라인(AL)은, 두께 방향(DT)에 있어서의 크랙을 수반하는 통상의 스크라이브 라인이다. 어시스트 라인(AL)의 형성 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 도 61(B)에 나타내는 바와 같이, 내면(SF1)의 테두리를 기점으로 하여 형성되어도 좋다.
또한 위치(N2)로부터 위치(N1)로의 방향에 비해, 위치(N2)로부터 위치(N3)로의 방향으로는, 크랙 라인(CL)이 형성되기 어렵다. 즉 크랙 라인(CL)의 신전의 용이함에는 방향 의존성이 존재한다. 따라서 크랙 라인(CL)이 위치(N1 및 N2)의 사이에는 형성되고 위치(N2 및 N3)의 사이에는 형성되지 않는다는 현상이 발생할 수 있다. 본 실시 형태는 위치(N1 및 N2) 사이를 따른 CF 기판(11)의 분단을 목적으로 하고 있고, 위치(N2 및 N3) 사이를 따른 CF 기판(11)의 분리는 목적으로 하고 있지 않았다. 따라서 위치(N1 및 N2) 사이에서 크랙 라인(CL)이 형성되는 것이 필요한 한편으로, 위치(N2 및 N3) 사이에서의 크랙 라인(CL)이 형성되기 어려움은 문제가 되지 않는다.
다음으로, 크랙 라인(CL)을 따라 CF 기판(11)이 분단된다. 구체적으로는 브레이크 공정이 행해진다. 또한 크랙 라인(CL)이 그 형성시에 두께 방향(DT)으로 완전하게 진행된 경우는, 크랙 라인(CL)의 형성과 CF 기판(11)의 분단이 동시에 발생할 수 있다. 이 경우, 브레이크 공정을 생략할 수 있다.
이상에 의해 CF 기판(11)의 분단이 행해진다.
다음으로, 상기 분단 방법의 제1∼제3 변형예에 대해서, 이하에 설명한다.
도 62(A)를 참조하여, 제1 변형예는, 어시스트 라인(AL)과 트렌치 라인(TL)과의 교차가, 크랙 라인(CL)(도 61(B))의 형성 개시의 계기로서 불충분한 경우에 관한 것이다. 도 62(B)를 참조하여, CF 기판(11)으로, 굽힘 모멘트 등을 발생시키는 외력을 가함으로써 어시스트 라인(AL)을 따라 두께 방향(DT)에 있어서의 크랙이 신전하고, 그 결과, CF 기판(11)이 분리된다. 이에 따라 크랙 라인(CL)의 형성이 개시된다. 또한, 도 62(A)에 있어서는 어시스트 라인(AL)이 CF 기판(11)의 내면(SF1) 상에 형성되지만, CF 기판(11)을 분리하기 위한 어시스트 라인(AL)은 CF 기판(11)의 하면(SF2) 상에 형성되어도 좋다. 이 경우, 어시스트 라인(AL) 및 트렌치 라인(TL)은, 평면 레이아웃 상, 위치(N2)에서 서로 교차하지만, 서로 직접 접촉은 하지 않는다. 이 경우에는, 제1 실시 형태와 상이하게, CF 기판(11)의 트렌치 라인(TL)의 단부가 노출되어 있을 필요가 없다.
또한 제1 변형예에 있어서는, CF 기판(11)의 분리에 의해 트렌치 라인(TL) 부근의 내부 응력의 변형이 해방되어, 그에 따라 크랙 라인(CL)의 형성이 개시된다. 따라서 어시스트 라인(AL) 자신이, 트렌치 라인(TL)에 응력을 가함으로써 형성된 크랙 라인(CL)이라도 좋다.
도 63을 참조하여, 제2 변형예에 있어서는, CF 기판(11)의 내면(SF1)에 날끝(51)이 위치(N3)에서 밀어붙여진다. 트렌치 라인(TL)이 형성될 때에는, 본 변형예에 있어서는, 위치(N3)로부터 위치(N2)로 날끝(51)이 변위되고, 추가로 위치(N2)로부터 위치(N1)로 변위된다. 즉, 도 60을 참조하여, 날끝(51)이, 변(ED2)으로부터 변(ED1)으로 향하는 방향인 어느 방향 DB로 변위된다. 방향 DB는, 날끝(51)으로부터 연장되는 축방향(AX)를 내면(SF1) 상으로 투영한 방향과 반대 방향으로 대응하고 있다. 이 경우, 날끝(51)은 생크(52)에 의해 내면(SF1) 상을 밀어나간다.
도 64를 참조하여, 제3 변형예에 있어서는, 트렌치 라인(TL)이 형성될 때에, 날끝(51)은 CF 기판(11)의 내면(SF1)의 위치(N1)에 비해 위치(N2)에서 보다 큰 힘으로 밀어붙여진다. 구체적으로는, 위치(N4)를 위치(N1 및 N2)의 사이의 위치로 하여, 트렌치 라인(TL)의 형성이 위치(N4)에 도달한 시점에서, 날끝(51)의 하중이 높아진다. 환언하면, 트렌치 라인(TL)의 하중이, 위치(N1)에 비해, 트렌치 라인(TL)의 종단부인 위치(N4 및 N3)의 사이에서 높아진다. 이에 따라, 종단부 이외에서의 하중을 경감하면서, 위치(N2)로부터의 크랙 라인(CL)의 형성을 야기되기 쉽게 할 수 있다.
본 실시 형태에 의하면, 트렌치 라인(TL)으로부터 크랙 라인(CL)을, 보다 확실하게 형성할 수 있다.
또한, 후술하는 실시 형태 11과 상이하게 본 실시 형태에 있어서는, 트렌치 라인(TL)이 형성된 시점(도 61(A))에서는 어시스트 라인(AL)은 아직 형성되어 있지 않다. 따라서 크랙리스 상태를, 어시스트 라인(AL)으로부터의 영향 없이, 보다 안정적으로 유지할 수 있다. 또한, 크랙리스 상태의 안정성이 문제가 되지 않는 경우는, 어시스트 라인(AL)이 형성되어 있지 않은 도 61(A)의 상태 대신에, 어시스트 라인(AL)이 형성된 도 62(A)의 상태에서 크랙리스 상태가 유지되어도 좋다.
(실시 형태 11)
본 실시 형태에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 대해서, 도 65∼도 67을 이용하면서, 이하에 설명한다.
도 65를 참조하여, 본 실시 형태에 있어서는 어시스트 라인(AL)이 트렌치 라인(TL)의 형성 전에 형성된다. 어시스트 라인(AL)의 형성 방법 자체는, 도 61(B)(실시 형태 10)와 동일하다.
도 66을 참조하여, 다음으로, 내면(SF1)으로 날끝(51)이 밀어붙여지고, 그리고 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 트렌치 라인(TL)의 형성 방법 자체는, 도 61(A)(실시 형태 10)와 동일하다. 어시스트 라인(AL) 및 트렌치 라인(TL)은 위치(N2)에서 서로 교차한다. 다음으로, 실시 형태 1∼9에서 설명한 바와 같이, CF 기판(11)과 다른 기판(도시하지 않음)과의 접착이 행해진다.
도 67을 참조하여, 다음으로, CF 기판(11)에 굽힘 모멘트 등을 발생시키는 외력을 가하는 통상의 브레이크 공정에 의해 어시스트 라인(AL)을 따라 CF 기판(11)이 분리된다. 이에 따라, 크랙 라인(CL)(도 9(B))의 형성이 개시된다(도면 중, 파선 화살표 참조). 또한, 도 65에 있어서는 어시스트 라인(AL)이 CF 기판(11)의 내면(SF1) 상에 형성되지만, CF 기판(11)을 분리하기 위한 어시스트 라인(AL)은 CF 기판(11)의 하면(SF2) 상에 형성되어도 좋다. 이 경우, 어시스트 라인(AL) 및 트렌치 라인(TL)은, 평면 레이아웃 상, 위치(N2)에서 서로 교차하지만, 서로 직접 접촉은 하지 않는다.
또한, 상기 이외의 구성에 대해서는, 전술한 실시 형태 10의 구성과 거의 동일하다.
도 68(A)를 참조하여, 제1 변형예에 있어서는, CF 기판(11)을 분리하기 위한 어시스트 라인(AL)은 CF 기판(11)의 하면(SF2) 상에 형성된다. 도 63(실시 형태 10)과 동일하게, 트렌치 라인(TL)의 형성이 위치(N3)로부터 위치(N1)로 행해진다. 도 68(B)를 참조하여, CF 기판(11)에 응력을 가함으로써 어시스트 라인(AL)을 따라 CF 기판(11)이 분리된다. 이에 따라 크랙 라인(CL)의 형성이 개시된다(도면 중, 파선 화살표 참조).
도 69를 참조하여, 제2 변형예에 있어서는, 트렌치 라인(TL)이 형성될 때에, 날끝(51)은 CF 기판(11)의 내면(SF1)의 위치(N1)에 비해 위치(N2)에서 보다 큰 힘으로 밀어붙여진다. 구체적으로는, 위치(N4)를 위치(N1 및 N2)의 사이의 위치로 하여, 트렌치 라인(TL)의 형성이 위치(N4)에 도달한 시점에서, 날끝(51)의 하중이 높아진다. 환언하면, 트렌치 라인(TL)의 하중이, 위치(N1)에 비해, 트렌치 라인(TL)의 종단부인 위치(N4 및 N3)의 사이에서 높아진다. 이에 따라, 종단부 이외에서의 하중을 경감하면서, 위치(N2)로부터의 크랙 라인(CL)의 형성을 야기되기 쉽게 할 수 있다.
(실시 형태 12)
도 70(A)를 참조하여, 본 실시 형태에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 있어서는, 위치(N1)로부터 위치(N2)를 경유하여 변(ED2)으로 도달하는 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 다음으로, 실시 형태 1에서 설명한 크랙리스 상태(도 9(A))가 소망하는 시간에 걸쳐 유지된다. 그 사이에, 실시 형태 1∼9에서 설명한 바와 같이, CF 기판(11)과 다른 기판(도시하지 않음)과의 접착이 행해진다.
도 70(B)를 참조하여, 다음으로 위치(N2)와 변(ED2)과의 사이에, 트렌치 라인(TL) 부근의 내부 응력의 변형을 해방시키는 바와 같은 응력이 가해진다. 이에 따라 트렌치 라인(TL)을 따른 크랙 라인의 형성이 야기된다.
응력의 인가로서 구체적으로는, 내면(SF1) 상에 있어서 위치(N2)와 변(ED2)과의 사이(도면 중, 파선 및 변(ED2)의 사이의 영역)에서, 밀어붙여진 날끝(51)이 슬라이딩된다. 이 슬라이딩은 변(ED2)에 도달할 때까지 행해진다. 날끝(51)은 바람직하게는 최초로 형성된 트렌치 라인(TL)의 궤도에 교차하도록, 보다 바람직하게는 최초로 형성된 트렌치 라인(TL)의 궤도에 겹쳐지도록 슬라이딩된다. 이 재차의 슬라이딩의 길이는, 예를 들면 0.5㎜ 정도이다.
변형예로서, 위치(N2)와 변(ED2)과의 사이에 응력을 가하기 위해, 전술한 날끝(51)의 재차의 슬라이딩을 대신하여, 내면(SF1) 상에 있어서 위치(N2)와 변(ED2)과의 사이에 레이저광이 조사되어도 좋다. 이에 따라 발생한 열응력에 의해서도, 트렌치 라인(TL) 부근의 내부 응력의 변형이 해방되어, 그에 의해 크랙 라인의 형성 개시를 야기할 수 있다.
또한, 상기 이외의 구성에 대해서는, 전술한 실시 형태 10의 구성과 거의 동일하다.
(실시 형태 13)
도 71(A)를 참조하여, 본 실시 형태에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 있어서는, 위치(N1)로부터 위치(N2)로, 그리고 또한 위치(N3)로 날끝(51)을 변위시킴으로써, 내면(SF1)의 테두리로부터 떨어진 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 트렌치 라인(TL)의 형성 방법 자체는 도 61(A)(실시 형태 10)와 거의 동일하다.
다음으로, 실시 형태 1에서 설명한 크랙리스 상태(도 9(A))가 소망하는 시간에 걸쳐 유지된다. 그 사이에, 실시 형태 1∼9에서 설명한 바와 같이, CF 기판(11)과 다른 기판(도시하지 않음)과의 접착이 행해진다.
도 71(B)를 참조하여, 도 70(B)(실시 형태 12 또는 그 변형예)와 동일한 응력 인가가 행해진다. 이에 따라 트렌치 라인(TL)을 따른 크랙 라인의 형성이 야기된다.
도 72를 참조하여, 도 71(A)의 공정의 변형예로서, 트렌치 라인(TL)의 형성에 있어서, 날끝(51)이 위치(N3)로부터 위치(N2)로 그리고 위치(N2)로부터 위치(N1)로 변위되어도 좋다.
또한, 상기 이외의 구성에 대해서는, 전술한 실시 형태 10의 구성과 거의 동일하다.
(실시 형태 14)
도 73(A) 및 도 73(B)를 참조하여, 상기 각 실시 형태에 있어서, 날끝(51)(도 60(A) 및 도 60(B))을 대신하여, 날끝(51v)이 이용되어도 좋다. 날끝(51v)은, 정점과, 원추면 SC를 갖는 원추 형상을 갖는다. 날끝(51v)의 돌기부(PPv)는 정점으로 구성되어 있다. 날끝의 측부(PSv)는 정점으로부터 원추면 SC 상에 연장되는 가상선(도 73(B)에 있어서의 파선)을 따라 구성되어 있다. 이에 따라 측부(PSv)는, 선 형상으로 연장되는 볼록 형상을 갖는다.
또한 상기 실시 형태 10∼14에 있어서는 유리 기판의 테두리의 제1 및 제2 변이 장방형의 단변이지만, 제1 및 제2 변은 장방형의 장변이라도 좋다. 또한 테두리의 형상은 장방형으로 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 정방형이라도 좋다. 또한 제1 및 제2 변은 직선 형상인 것에 한정되는 것이 아니라 곡선 형상이라도 좋다. 또한 상기 각 실시 형태에 있어서는 기판의 주면이 평탄하지만, 기판의 주면은 만곡되어 있어도 좋다.
또한 상기 각 실시 형태에 있어서, 복수의 표시 패널을 얻기 위해, 우선, 취성 기판을 갖는 하나의 적층체가 복수의 부분으로 분단되고, 다음으로 각 부분이 추가로 분단됨으로써 복수의 표시 패널이 얻어져도 좋다. 예를 들면, 상기 적층체가 우선 장방형 형상의 부분으로 분단되고, 다음으로 그 장변이 분할되도록 이 장방형 형상의 부분이 추가로 분단됨으로써 복수의 표시 패널이 얻어져도 좋다.
또한 전술한 취성 기판의 분단 방법은, 표시 패널의 제조 방법 이외의 용도로 이용되어도 좋다. 또한 전술한 분단 방법에 특히 적합한 취성 기판으로서 유리 기판이 이용되지만, 취성 기판은 유리 기판으로 한정되는 것은 아니다. 취성 기판은, 유리 이외에, 예를 들면, 세라믹스, 실리콘, 화합물 반도체, 사파이어, 또는 석영으로부터 만들어질 수 있다.
또한 전술한 취성 기판의 분단 방법에 있어서는, 유리 기판에 컬러 필터, 블랙 매트릭스 및 배향막을 형성한 CF 기판(11)과, 유리 기판에 배선, 액티브 소자, 전극 및 배향막을 형성한 TFT 기판(12)에 대하여 트렌치 라인이 형성되지만, 유리 기판에 트렌치 라인이 형성된 후에, 유리 기판에 대하여 CF 기판(11)이나 TFT 기판(12)으로서의 구성을 형성하기 위한 가공을 행하고, 그것에 이어서 적층 공정을 행해도 좋다.
본 발명은, 그 발명의 범위 내에 있어서, 각 실시 형태를 자유롭게 조합하거나, 각 실시 형태를 적절히, 변형, 생략하는 것이 가능하다.
4 : 유리 기판(취성 기판)
11 : CF 기판
12 : TFT 기판
13 : 유리 기판
20 : 액정층
21 : 시일부
22 : 접합부
51, 51v : 날끝
101, 102 : LCD 패널(표시 패널)
AL : 어시스트 라인
CL : 크랙 라인
ED1 : 변(제1 변)
ED2 : 변(제2 변)
N1 : 위치(제1 위치)
N2 : 위치(제2 위치)
SF1, SF3, SF5 : 내면(주면)
SF2, SF4, SF6 : 외면(주면)
SL : 스크라이브 라인
TL : 트렌치 라인
PP, PPv : 돌기부
PS, PSv : 측부

Claims (7)

  1. 제1 주면과 상기 제1 주면과 반대의 제2 주면을 갖고, 상기 제1 주면에 수직인 두께 방향을 갖는 제1 취성 기판을 준비하는 공정과,
    제3 주면과 상기 제3 주면과 반대의 제4 주면을 갖는 제2 취성 기판을 준비하는 공정과,
    상기 제1 취성 기판의 상기 제1 주면에 날끝을 밀어붙이는 공정과,
    상기 밀어붙이는 공정에 의해 밀어붙여진 상기 날끝을 상기 제1 취성 기판의 상기 제1 주면 상에서 슬라이딩시킴으로써 상기 제1 취성 기판의 상기 제1 주면 상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 제1 트렌치 라인을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 제1 트렌치 라인을 형성하는 공정은, 상기 제1 트렌치 라인의 바로 아래에 있어서 상기 제1 취성 기판이 상기 제1 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 행해지고, 또한
    상기 제1 트렌치 라인을 형성하는 공정 후, 상기 제1 취성 기판의 상기 제1 주면과 상기 제2 취성 기판의 상기 제3 주면이 대향하도록 상기 제1 취성 기판 및 상기 제2 취성 기판을 서로 접합하는 공정을 구비하고, 상기 제1 취성 기판 및 상기 제2 취성 기판을 서로 접합하는 공정은, 상기 제1 취성 기판에 형성된 상기 제1 트렌치 라인이 상기 제2 취성 기판에 적어도 부분적으로 덮이도록 행해지고, 또한
    상기 제1 취성 기판 및 상기 제2 취성 기판을 서로 접합하는 공정 후에, 상기 제1 트렌치 라인을 따라 상기 두께 방향에 있어서의 상기 제1 취성 기판의 크랙을 신전시킴으로써, 제1 크랙 라인을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 제1 크랙 라인에 의해 상기 제1 트렌치 라인의 바로 아래에 있어서 상기 제1 취성 기판은 상기 제1 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있고, 또한
    상기 제1 크랙 라인을 따라 상기 제1 취성 기판을 분단하는 공정을 구비하는 취성 기판의 분단 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 취성 기판 및 상기 제2 취성 기판을 서로 접합하는 공정은, 상기 제1 취성 기판에 형성된 상기 제1 트렌치 라인(TL)이 부분적으로 노출되도록 행해지고,
    상기 제1 크랙 라인을 형성하는 공정은, 상기 제1 트렌치 라인 중 노출된 부분으로부터, 상기 제1 트렌치 라인 중 상기 제2 취성 기판에 의해 덮인 부분으로, 상기 제1 트렌치 라인을 따라 크랙을 신전시킴으로써 행해지는 취성 기판의 분단 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 취성 기판 및 상기 제2 취성 기판을 서로 접합하는 공정 전에, 상기 제2 취성 기판의 상기 제3 주면 상에 소성 변형을 발생시킴으로써, 홈 형상을 갖는 제2 트렌치 라인을 형성하는 공정을 추가로 구비하는 취성 기판의 분단 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 취성 기판은 유리로부터 만들어져 있는 취성 기판의 분단 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 취성 기판을 분단하는 공정 전에, 상기 제1 취성 기판의 상기 제 2 주면과 대향하도록 상기 제1 취성 기판에 제3 취성 기판을 부착하는 공정을 구비하고, 상기 제2 취성 기판 및 상기 제3 취성 기판은, 상기 제1 취성 기판에 형성된 상기 제1 트렌치 라인을 적어도 부분적으로 사이에 끼우는 취성 기판의 분단 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 취성 기판을 준비하는 공정에 있어서, 상기 제1 주면은, 서로 대향하는 제1 및 제2 변을 포함하는 테두리에 둘러싸여 있고,
    상기 날끝을 밀어붙이는 공정에 있어서, 상기 날끝은, 돌기부와, 상기 돌기부로부터 연장되고 또한 볼록 형상을 갖는 측부를 갖고, 상기 날끝을 밀어붙이는 공정은 상기 제1 취성 기판의 상기 제1 주면 상에서 상기 날끝의 상기 돌기부가 상기 제1 변 및 상기 측부의 사이에 배치되고 또한 상기 날끝의 상기 측부가 상기 돌기부와 상기 제2 변의 사이에 배치되도록 행해지고,
    상기 제1 트렌치 라인을 형성하는 공정에 있어서, 상기 제1 트렌치 라인은, 상기 제1 및 제2 변 중 상기 제1 변에 가까운 제1 위치와, 상기 제1 및 제2 변 중 상기 제2 변에 가까운 제2 위치와의 사이에서 형성되고,
    상기 제1 크랙 라인을 형성하는 공정은, 상기 제1 트렌치 라인을 따라 상기 제2 위치로부터 상기 제1 위치의 쪽으로, 상기 두께 방향에 있어서의 상기 제1 취성 기판의 크랙을 신전시킴으로써 행해지는 취성 기판의 분단 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 취성 기판의 분단 방법을 포함하는 표시 패널의 제조 방법.
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