JP6432245B2 - 基板分断方法 - Google Patents
基板分断方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6432245B2 JP6432245B2 JP2014196494A JP2014196494A JP6432245B2 JP 6432245 B2 JP6432245 B2 JP 6432245B2 JP 2014196494 A JP2014196494 A JP 2014196494A JP 2014196494 A JP2014196494 A JP 2014196494A JP 6432245 B2 JP6432245 B2 JP 6432245B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- crack
- substrate
- trench
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 131
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 50
- 206010011376 Crepitations Diseases 0.000 claims description 6
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 52
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
図1(A)および(B)を参照して、本実施の形態における基板分断方法に用いられるカッティング器具50は刃先51およびシャンク52を有する。刃先51は、そのホルダとしてのシャンク52に保持されている。
本実施の形態においては、図3(B)までと同様の工程が行われた後、クラックラインCL1aに沿ってガラス基板11が分断される。これにより、図7(A)に示すように、トレンチラインTL2(図3(B))のうちクラックラインCL1aの一方側(クラックラインCL1bなどが形成されていない側)の部分にクラックラインCL2が形成される。さらに図7(B)および(C)を参照して、次に、クラックラインCL1b、CL1cおよびCL1tに沿ってこの順にガラス基板11が分断されることで、クラックラインCL2がさらに形成される。すなわち、クラックラインCL1a〜CL1c、CL1tで分断された箇所から、刃先51の摺動方向に応じて方向DAまたは方向DB(図1(A)および(B))のいずれかに位置するトレンチラインTL2の部分に、クラックラインCL2が形成される。なお、クラックラインCL1a〜CL1c、CL1tを分断する順番はこれに限られず、どのような順番で分断してもよい。
図8(A)を参照して、本実施の形態においてもトレンチラインTL1は実施の形態1(図2(A)および図3(A))と同様の方法により形成される。一方で本実施の形態においては、下面SF2上のクラックラインCL2は通常のスクライブラインとして形成される。たとえば、クラックラインCL2が形成されることになるラインに沿ってガラス基板11の下面SF2上で刃先を変位させることにより、クラックラインCL2が直接形成される。
図9を参照して、本実施の形態においては、ガラス基板11にトレンチラインTL1およびTL2を形成する工程(図2(A)参照)の後、トレンチラインTL1が少なくとも部分的に覆われるように、ガラス基板11にガラス基板12(第2の脆性基板)が貼り合わされる。これにより、ガラス基板11および12を有するセル基板が得られる。
図10(A)および(B)を参照して、上記各実施の形態において、刃先51(図1(A)および(B))に代わり刃先51vが用いられてもよい。刃先51vは、頂点と、円錐面SCとを有する円錐形状を有する。刃先51vの突起部PPvは頂点で構成されている。刃先の側部PSvは頂点から円錐面SC上に延びる仮想線(図10(B)における破線)に沿って構成されている。これにより側部PSvは、線状に延びる凸形状を有する。
CL2 クラックライン(第2のクラックライン)
SF1 上面(第1の主面)
SF2 下面(第2の主面)
TL1 トレンチライン(第1のトレンチライン)
TL2 トレンチライン(第2のトレンチライン)
11 ガラス基板(第1の脆性基板)
12 ガラス基板(第2の脆性基板)
50 カッティング器具
51,51v 刃先
Claims (5)
- 第1の主面と前記第1の主面と反対の第2の主面とを有し、前記第1の主面に垂直な厚さ方向を有する第1の脆性基板を準備する工程と、
前記第1の脆性基板の前記第1の主面に刃先を押し付ける工程と、
前記第1の脆性基板の前記第1の主面に刃先を押し付ける工程によって押し付けられた前記刃先を前記第1の脆性基板の前記第1の主面上で摺動させることによって前記第1の脆性基板の前記第1の主面上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有する少なくとも1つの第1のトレンチラインを形成する工程とを備え、前記第1のトレンチラインを形成する工程は、前記第1のトレンチラインの直下において前記第1の脆性基板が前記第1のトレンチラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行なわれ、さらに
前記第1のトレンチラインに沿って前記厚さ方向における前記第1の脆性基板のクラックを伸展させることによって、少なくとも1つの第1のクラックラインを形成する工程を備え、前記第1のクラックラインによって前記第1のトレンチラインの直下において前記第1の脆性基板は前記第1のトレンチラインと交差する方向において連続的なつながりが断たれており、さらに
前記第1の脆性基板の前記第2の主面上に第2のクラックラインを形成する工程と、
前記第1および第2のクラックラインの各々に沿って前記第1の脆性基板を分断する工程とを備え、
前記第1および第2のクラックラインは平面レイアウトにおいて互いに交差している、基板分断方法。 - 前記第2のクラックラインを形成する工程は、
前記第1の脆性基板の前記第2の主面に刃先を押し付ける工程と、
前記第1の脆性基板の前記第2の主面に刃先を押し付ける工程によって押し付けられた前記刃先を前記第1の脆性基板の前記第2の主面上で摺動させることによって前記第1の脆性基板の前記第2の主面上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有する第2のトレンチラインを形成する工程とを含み、前記第2のトレンチラインを形成する工程は、前記第2のトレンチラインの直下において前記第1の脆性基板が前記第2のトレンチラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行なわれ、さらに
前記第2のトレンチラインに沿って前記厚さ方向における前記第1の脆性基板のクラックを伸展させる工程とを含む、請求項1に記載の基板分断方法。 - 前記少なくとも1つの第1のクラックラインは、トリガークラックラインを含む複数のクラックラインであり、
前記第2のトレンチラインに沿って前記厚さ方向における前記第1の脆性基板のクラックを伸展させる工程は、前記トリガークラックラインに沿って前記第1の脆性基板を分断することにより行われる、請求項2に記載の基板分断方法。 - 前記第2のクラックラインを形成する工程は、前記第2のクラックラインが形成されることになるラインに沿って前記第1の脆性基板の前記第2の主面上で刃先を変位させることにより行われる、請求項1に記載の基板分断方法。
- 前記第1のトレンチラインを形成する工程の後、前記第1の脆性基板に形成された前記第1のトレンチラインが少なくとも部分的に覆われるように、前記第1の脆性基板に第2の脆性基板を貼り合わせる工程をさらに備える、請求項1〜4のいずれか1項に記載の基板分断方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014196494A JP6432245B2 (ja) | 2014-09-26 | 2014-09-26 | 基板分断方法 |
TW104127197A TWI660828B (zh) | 2014-09-26 | 2015-08-20 | 液晶顯示面板之製造方法 |
KR1020150123670A KR20160037076A (ko) | 2014-09-26 | 2015-09-01 | 액정 표시 패널의 제조 방법 |
CN201510589734.2A CN105461202A (zh) | 2014-09-26 | 2015-09-16 | 液晶显示面板的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014196494A JP6432245B2 (ja) | 2014-09-26 | 2014-09-26 | 基板分断方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016069195A JP2016069195A (ja) | 2016-05-09 |
JP6432245B2 true JP6432245B2 (ja) | 2018-12-05 |
Family
ID=55599429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014196494A Expired - Fee Related JP6432245B2 (ja) | 2014-09-26 | 2014-09-26 | 基板分断方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6432245B2 (ja) |
KR (1) | KR20160037076A (ja) |
CN (1) | CN105461202A (ja) |
TW (1) | TWI660828B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6589381B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2019-10-16 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板における垂直クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法 |
KR102167941B1 (ko) * | 2016-05-25 | 2020-10-20 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 취성 기판의 분단 방법 |
JP6760641B2 (ja) * | 2016-06-29 | 2020-09-23 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性基板の分断方法 |
KR102665594B1 (ko) * | 2016-12-01 | 2024-05-17 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 스크라이빙 장치 |
JP2018150191A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス板の製造方法 |
WO2018221208A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ガラスパネルユニットの製造方法及びガラス窓の製造方法 |
JP6955754B2 (ja) * | 2017-07-25 | 2021-10-27 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | ダイヤモンド刃先および基板分断方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6065738A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-15 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 板ガラスの切断方法 |
JP2003012335A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Seiko Epson Corp | ガラス板のスクライブ方法 |
TWI226877B (en) * | 2001-07-12 | 2005-01-21 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | Method of manufacturing adhered brittle material substrates and method of separating adhered brittle material substrates |
JP4167227B2 (ja) * | 2002-11-22 | 2008-10-15 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 基板分断方法およびその方法を用いたパネル製造方法 |
EP1600270A4 (en) * | 2003-01-29 | 2006-09-20 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | DEVICE AND METHOD FOR SUBSTRATE SEPARATION |
JP2007039302A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス基板割断方法およびガラス基板割断装置 |
CN101296787B (zh) * | 2005-10-28 | 2012-02-15 | 三星钻石工业股份有限公司 | 脆性材料基板的划线形成方法及划线形成装置 |
JP2007160811A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Pioneer Electronic Corp | 平面表示パネルの製造方法およびガラス板の分割方法 |
JP4890034B2 (ja) * | 2006-01-19 | 2012-03-07 | 富士吉田ティアック株式会社 | 光学部品の製造方法 |
JP4885675B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2012-02-29 | 株式会社Nsc | 貼合せガラス板の切断分離方法 |
TWI374863B (en) * | 2007-10-12 | 2012-10-21 | Chimei Innolux Corp | Process for manufacturing liquid crystal panel and method for cutting substrate |
KR101235617B1 (ko) * | 2007-10-16 | 2013-02-28 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 취성 재료 기판의 u자 형상 홈 가공 방법 및 이것을 사용한 제거 가공 방법 및 도려내기 가공 방법 및 모따기 방법 |
JP2010023071A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 貼り合わせ基板の端子加工方法 |
JP5192977B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2013-05-08 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 貼り合せ基板のスクライブ方法 |
JP4996703B2 (ja) * | 2010-02-09 | 2012-08-08 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 基板分断装置 |
EP2843688B1 (en) * | 2012-04-24 | 2019-01-16 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Dicing blade |
JP6421472B2 (ja) * | 2014-06-24 | 2018-11-14 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性基板の分断方法および表示パネルの製造方法 |
JP6413496B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2018-10-31 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 液晶表示パネルの製造方法 |
-
2014
- 2014-09-26 JP JP2014196494A patent/JP6432245B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-08-20 TW TW104127197A patent/TWI660828B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-09-01 KR KR1020150123670A patent/KR20160037076A/ko unknown
- 2015-09-16 CN CN201510589734.2A patent/CN105461202A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201611978A (en) | 2016-04-01 |
CN105461202A (zh) | 2016-04-06 |
TWI660828B (zh) | 2019-06-01 |
JP2016069195A (ja) | 2016-05-09 |
KR20160037076A (ko) | 2016-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6432245B2 (ja) | 基板分断方法 | |
JP6508262B2 (ja) | 脆性材料基板の分断方法 | |
JP6544538B2 (ja) | 脆性基板のクラックライン形成方法 | |
JP6350669B2 (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP6555354B2 (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
CN106079116B (zh) | 脆性材料基板的断开方法 | |
JP6288260B2 (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP6413694B2 (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
WO2017026191A1 (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP6648817B2 (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP2016009773A (ja) | 単結晶基板の分断方法 | |
JP2017149079A (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP6547556B2 (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP6544179B2 (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP2017065007A (ja) | 脆性基板の分断方法 | |
JP2016098154A (ja) | 脆性基板の分断方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170829 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181009 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6432245 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |