JP2014048432A - セル基板の加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 紫外線露光装置を用いた接着剤硬化工程を経ることなくセル基板を作成するセル基板の加工方法を提供する。
【解決手段】上側ガラス基板1並びに下側ガラス基板2の相対する面で、少なくともスクライブ予定ラインS1、S2に沿った領域に紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂からなる接着剤3を塗布した後、上側ガラス基板1と下側ガラス基板2を重ね合わせる工程と、スクライブ予定ラインS1、S2に沿ってレーザビームを照射して、上側のガラス基板1の表面にスクライブラインL1を形成すると同時に、レーザビームの紫外線または熱により前記接着剤3を硬化させて前記上下のガラス基板1、2を接着する工程とからなる。
【選択図】図3
【解決手段】上側ガラス基板1並びに下側ガラス基板2の相対する面で、少なくともスクライブ予定ラインS1、S2に沿った領域に紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂からなる接着剤3を塗布した後、上側ガラス基板1と下側ガラス基板2を重ね合わせる工程と、スクライブ予定ラインS1、S2に沿ってレーザビームを照射して、上側のガラス基板1の表面にスクライブラインL1を形成すると同時に、レーザビームの紫外線または熱により前記接着剤3を硬化させて前記上下のガラス基板1、2を接着する工程とからなる。
【選択図】図3
Description
本発明は2枚の大面積ガラス基板が貼り合わされたセル基板の加工方法に関する。このようなセル基板の加工方法は液晶ディスプレイ等の製造工程で使用される。
2枚の大面積のガラス基板を接着剤で貼り合わせたセル基板に対し、従来から行われている分断加工方法として、カッターホイール(スクライビングホイールともいう)やレーザビームを用いて互いに交差する縦、横への有限深さのスクライブライン(切り溝)を上下のガラス基板に加工し、この後、各スクライブラインに沿って外力を印加して基板を撓ませたり、或いは、スクライブラインに沿ってレーザビームを再度照射させたりして、セル基板を複数の単位セルに分断する方法が用いられている。
なお、2枚のガラス基板は、単位セルの周囲を取り囲む領域(すなわち隣接する単位セルとの境界領域)で接着剤が塗布されており、この接着剤が塗布された部分にスクライブラインが形成される(特許文献1参照)。
なお、2枚のガラス基板は、単位セルの周囲を取り囲む領域(すなわち隣接する単位セルとの境界領域)で接着剤が塗布されており、この接着剤が塗布された部分にスクライブラインが形成される(特許文献1参照)。
上記した2枚のガラス基板を貼り合わせるための接着剤として、速乾性に優れた紫外線硬化樹脂が知られている。紫外線硬化樹脂は紫外線を照射することにより短時間で硬化するとともに、紫外線の露光装置は構造が簡単で比較的安価なことから一般に広く用いられている。
しかしながら、上記した従来のセル基板の加工方法では、2枚のガラス基板を貼り合わせる過程において、接着剤である紫外線硬化樹脂を硬化させるために、基板を、紫外線露光装置内を通過させる工程が必要となる。したがって、露光に要する時間だけ作業時間が長くなる。加えて、紫外線露光装置の設置や、紫外線露光装置までの搬送システムなどの付帯設備にかかる設備費用が増大するとともに、製造ラインの設置スペースが大型化することとなっていた。
そこで本発明は、上記課題に鑑みて発明されたものであって、紫外線露光装置を用いた接着剤硬化工程を経ることなくセル基板を作成するセル基板の加工方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明では次のような技術的手段を講じた。すなわち、本発明のセル基板の加工方法は、上側ガラス基板並びに下側ガラス基板の相対する面で、少なくともスクライブ予定ラインに沿った領域に紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂からなる接着剤を塗布した後、上側ガラス基板と下側ガラス基板を重ね合わせる工程と、前記スクライブ予定ラインに沿って紫外線レーザビームまたはガラス基板を加熱するレーザビームを照射して、上側のガラス基板の表面にスクライブラインを形成すると同時に、前記レーザビームの紫外線または熱により前記接着剤を硬化させて上下のガラス基板を接着する工程とからなる。
使用される紫外線レーザビームは、波長315〜400nmの近紫外線(UVAとも称される)が好ましく、特に波長355nmのUVAが好ましい。
また、ガラス基板に照射したときに基板内部で熱が発生するレーザビーム(すなわちレーザエネルギーの一部がガラス基板内部で吸収されるレーザ)として、例えば、Er:YAGレーザ、Ho:YAGレーザ、Erファイバーレーザ、Hoファイバーレーザ、半導体レーザなどを用いることができる。
また、ガラス基板に照射したときに基板内部で熱が発生するレーザビーム(すなわちレーザエネルギーの一部がガラス基板内部で吸収されるレーザ)として、例えば、Er:YAGレーザ、Ho:YAGレーザ、Erファイバーレーザ、Hoファイバーレーザ、半導体レーザなどを用いることができる。
本発明によれば、レーザビームによるスクライブラインの加工と同時に2枚のガラス基板を接着することができるので、作業時間の短縮を図ることができる。加えて、従来のように接着剤を硬化させるための装置の設置や、該装置までの搬送システムなどの付帯設備を省略できて製造ラインの設置スペースをコンパクトにすることができるとともに、設備費用の低減化が可能となるといった効果がある。
上記発明において、スクライブ予定ラインの直下の位置で接着剤の層に切り目を形成しておくのがよい。この切り目は、接着剤を塗布するときに切り目の相当する部分のみ塗布しないようにして形成するか、或いは接着剤を塗布した後、レーザビームの焦点を接着剤の層に当てて局部的に接着剤を溶融・昇華させて切り目を形成する。
これにより、後工程で基板をスクライブラインから分断するときに、接着剤の層も予め切り目から分断されているので、確実に単位セルを切り出すことができる。
これにより、後工程で基板をスクライブラインから分断するときに、接着剤の層も予め切り目から分断されているので、確実に単位セルを切り出すことができる。
以下、本発明に係るセル基板の加工方法について、図面を用いて説明する。
図1は、本発明の基板加工方法においてスクライブラインを加工するためのスクライブ装置の一例を示す斜視図である。
図1は、本発明の基板加工方法においてスクライブラインを加工するためのスクライブ装置の一例を示す斜視図である。
スクライブ装置Aは、加工すべきセル基板Wを載置するテーブル4を備えている。テーブル4は、この上に載置した基板Wを定位置で保持できるようにエア吸引孔(図示外)などの保持機構を備えている。また、テーブル4は、水平なレール5に沿ってY方向(図1の前後方向)に移動できるようになっており、モータ(図示外)によって回転するネジ軸6により駆動される。さらにテーブル4は、モータを内蔵する回転駆動部7により水平面内で回動できるようになっている。
テーブル4を挟んで設けてある両側の支持柱8、8と、X方向に水平に延びるビーム(横桟)9とを備えたブリッジ10が、テーブル4上を跨ぐようにして設けられている。ビーム9には、X方向に水平に延びるガイド11が設けられ、このガイド11に紫外線レーザビームを照射するためのビーム照射部12を保持するスクライブヘッド13がモータ14の駆動によりX方向に移動できるように取り付けられている。
図2は本発明に係るセル基板の斜視図であり、図3はその第1実施例での製造工程を順に示す一部分の断面図である。
セル基板Wは、大面積の上側ガラス基板1並びに下側ガラス基板2を、接着剤3を介して貼り合わせて構成される。接着剤3には紫外線硬化樹脂が用いられ、図2に示すように、切り出される複数の(本実施例では4枚の)単位セルW1を取り囲むように塗布されている。この接着剤を塗布した帯状の領域の中間にX方向、並びにY方向のスクライブ予定ラインS1、S2が設定される。
セル基板Wは、大面積の上側ガラス基板1並びに下側ガラス基板2を、接着剤3を介して貼り合わせて構成される。接着剤3には紫外線硬化樹脂が用いられ、図2に示すように、切り出される複数の(本実施例では4枚の)単位セルW1を取り囲むように塗布されている。この接着剤を塗布した帯状の領域の中間にX方向、並びにY方向のスクライブ予定ラインS1、S2が設定される。
接着剤3を塗布して重ね合わされた上下のガラス基板1、2をスクライブ装置Aのテーブル4上に載置する。そして、図3(a)に示すように、ビーム照射部12から紫外線レーザビームを照射しながらテーブル4またはスクライブヘッド13を移動させることにより、X方向のスクライブ予定ラインS1に沿って上側ガラス基板1の上面にレーザーアブレーション加工を施し、スクライブラインL1を形成する。ここで使用される紫外線レーザビームには波長355nmのUVAが用いられる。
X方向のスクライブ予定ラインS1の全てをスクライブした後、テーブル4を90度回転させてY方向のスクライブ予定ラインS2の全てにスクライブを行い、Y方向のスクライブラインを加工する。なお、Y方向のスクライブラインも図面上ではL1と表示する。このX−Y方向のスクライブラインL1の加工時において、上側ガラス基板1を透過して拡散した紫外線により紫外線硬化樹脂からなる接着剤3が紫外線照射領域の範囲内で硬化する。これにより、スクライブラインL1の加工と同時に上下のガラス基板1、2が接着されて大面積のセル基板Wが作成される。
次いで、図3(b)に示すように、セル基板Wを反転させ、先に加工したスクライブラインL1と相対する下側ガラス基板2の表面にX−Y方向のスクライブラインL2を加工する。このスクライブラインL2の加工は先と同じ紫外線レーザビームで行ってもよいが、特に紫外線に限定されるものではない。また、カッターホイールなどのメカニカルツールで加工してもよい。この後、セル基板Wはブレイク装置に送られて、上下のスクライブラインL1、L2から分断され、単位セルW1が切り出される。
図4は本発明方法の第2実施例を示すものである。
上記の図3で示した実施例において、ブレイク装置でセル基板Wを単位セルW1に切り出すときに、接着剤3の質や塗布量によっては接着剤の層が完全分離しないで単位セル同士が繋がってしまうことがある。
これをなくすようにしたのが本実施例であって、図4(a)に示すように、前記接着剤3の塗布領域において、塗布工程で、前記したスクライブ予定ラインの直下の位置で接着剤が塗布されない切り目3aを形成するようにしてある。これにより、先の実施例で説明した工程と同様の工程を経て単位セルW1が切り出されたときに、接着剤3が切り目3aで予め分断されているので、確実に完全分離することができる。
上記の図3で示した実施例において、ブレイク装置でセル基板Wを単位セルW1に切り出すときに、接着剤3の質や塗布量によっては接着剤の層が完全分離しないで単位セル同士が繋がってしまうことがある。
これをなくすようにしたのが本実施例であって、図4(a)に示すように、前記接着剤3の塗布領域において、塗布工程で、前記したスクライブ予定ラインの直下の位置で接着剤が塗布されない切り目3aを形成するようにしてある。これにより、先の実施例で説明した工程と同様の工程を経て単位セルW1が切り出されたときに、接着剤3が切り目3aで予め分断されているので、確実に完全分離することができる。
図5は本発明のさらに別の第3実施例を示すものであって、図4に示す第2実施例と同じ接着剤層の完全分離を図るものである。
この実施例では、図5(a)で示すように、スクライブラインL1、L2の加工と同時に上下のガラス基板1、2が接着された後、図5(b)に示すように、セル基板Wを反転させる。そして、レーザビームのスポット(焦点)Pを、下側ガラス基板2の表面からスクライブラインL1に相対する位置で接着剤3の層に合わせてレーザビームを照射する。このときに使用されるレーザビームは紫外線に限らず他のレーザビームであってもよい。これにより、接着剤3のレーザビームが照射された部分が局部的に溶融・昇華(局部的な微小アブレーション)して切り目3bが形成される。
この実施例では、図5(a)で示すように、スクライブラインL1、L2の加工と同時に上下のガラス基板1、2が接着された後、図5(b)に示すように、セル基板Wを反転させる。そして、レーザビームのスポット(焦点)Pを、下側ガラス基板2の表面からスクライブラインL1に相対する位置で接着剤3の層に合わせてレーザビームを照射する。このときに使用されるレーザビームは紫外線に限らず他のレーザビームであってもよい。これにより、接着剤3のレーザビームが照射された部分が局部的に溶融・昇華(局部的な微小アブレーション)して切り目3bが形成される。
次いで、図5(c)に示すように、先に加工したスクライブラインL1と相対する下側ガラス基板2の表面にスクライブラインL2を加工する。このスクライブラインL2の加工は紫外線レーザビームで行ってもよいが、特に紫外線に限定されるものではない。また、カッターホイールなどのメカニカルツールで加工してもよい。この後、セル基板Wはブレイク装置に送られて、上下のスクライブラインL1、L2から分断され、単位セルW1が切り出される。この場合も単位セルW1を切り出したときに、接着剤の層は切り目3bで予め切り離されているので完全分離することができる。
図6は、本発明のさらに別の第4実施例を示すものである。この実施例では、図6(a)に示すように、紫外線硬化樹脂からなる接着剤3を塗布して上下のガラス基板1、2を重ね合わせた後、上側ガラス基板1の上方から、レーザビームのスポット(焦点)を下側ガラス基板2の上面(上側ガラス基板2との接触面)の近傍に合わせてレーザビームを照射する。このときに使用されるレーザビームは紫外線に限らず他のレーザビームであってもよい。これにより、下側ガラス基板2の上面にX−Y方向のスクライブラインL3を加工すると同時に、この部分を覆う接着剤3を局部的に溶融・昇華させて接着剤3の層に切り目3cを形成する。
次いで、図6(b)に示すように、上側ガラス基板1の上方から先に形成したスクライブラインL3の直上で上側ガラス基板1の表面に、紫外線レーザビームを照射して前記実施例と同様のスクライブラインL1を加工する。同時に、上側ガラス基板1を透過して拡散した紫外線により紫外線硬化樹脂からなる接着剤3が紫外線照射領域の範囲内で硬化する。これによりスクライブラインL1の加工と同時に上下のガラス基板1、2が接着される。この後、基板はブレイク装置に送られて上下のスクライブラインL1、L3から分断され、単位セルW1が切り出される。この場合も単位セルW1を切り出したときに、接着剤の層は切り目3cで切り離されているので完全分離することができる。また、この実施例では基板を反転させることなく加工することができる。
本発明では、上記した紫外線硬化樹脂に代えて熱硬化樹脂を接着剤3に使用し、ガラス基板を加熱できるレーザビームでスクライブラインL1の形成と接着剤の硬化を同時に行うようにすることも可能である。
この場合、使用されるレーザビームは、例えば、Er:YAGレーザ、Ho:YAGレーザ、Erファイバーレーザ、Hoファイバーレーザ、半導体レーザなどを用いることができる。このようなレーザビームは、その一部がガラスに吸収され、一部がガラスを透過するので、ガラス基板を加熱して生じさせた熱応力によりスクライブ予定ラインに沿って亀裂のスクライブラインを形成すると同時に、ガラス基板を透過したレーザビームで熱硬化樹脂を加熱して硬化させることができる。
なお、CO2レーザなどのガラス基板を透過しないレーザビームを用いて、ガラス基板を加熱し、ガラス基板からの熱伝導により熱硬化樹脂を熱して硬化させることとしてもよい。
この場合、使用されるレーザビームは、例えば、Er:YAGレーザ、Ho:YAGレーザ、Erファイバーレーザ、Hoファイバーレーザ、半導体レーザなどを用いることができる。このようなレーザビームは、その一部がガラスに吸収され、一部がガラスを透過するので、ガラス基板を加熱して生じさせた熱応力によりスクライブ予定ラインに沿って亀裂のスクライブラインを形成すると同時に、ガラス基板を透過したレーザビームで熱硬化樹脂を加熱して硬化させることができる。
なお、CO2レーザなどのガラス基板を透過しないレーザビームを用いて、ガラス基板を加熱し、ガラス基板からの熱伝導により熱硬化樹脂を熱して硬化させることとしてもよい。
以上、本発明の代表的な実施例について説明したが、本発明は必ずしも上記の実施形態に特定されるものでなく、本発明の目的を達成し、請求の範囲を逸脱しない範囲内で適宜修正、変更することが可能である。
本発明の基板加工方法は、2枚のガラス基板を貼り合わせて大面積のセル基板を作成し、このセル基板を複数枚の単位セルにブレイクするセル基板の加工方法に利用される。
A スクライブ装置
W セル基板
S1 X方向のスクライブ予定ライン
S2 Y方向のスクライブ予定ライン
L1〜L3 スクライブライン
1 上側基板
2 下側基板
3 接着剤
3a〜3c 切り目
4 テーブル
W セル基板
S1 X方向のスクライブ予定ライン
S2 Y方向のスクライブ予定ライン
L1〜L3 スクライブライン
1 上側基板
2 下側基板
3 接着剤
3a〜3c 切り目
4 テーブル
Claims (6)
- 上側ガラス基板並びに下側ガラス基板の相対する面で、少なくともスクライブ予定ラインに沿った領域に紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂からなる接着剤を塗布した後、上側ガラス基板と下側ガラス基板を重ね合わせる工程と、
前記スクライブ予定ラインに沿って紫外線レーザビームまたはガラス基板を加熱するレーザビームを照射して、上側のガラス基板の表面にスクライブラインを形成すると同時に、前記レーザビームの紫外線または熱により前記接着剤を硬化させて上下のガラス基板を接着する工程とからなるセル基板の加工方法。 - 前記レーザビームが紫外線レーザビームであり、前記接着剤が紫外線硬化樹脂である請求項1に記載のセル基板の加工方法。
- 前記レーザビームがガラス基板を加熱するレーザビームであり、前記接着剤が熱硬化樹脂である請求項1に記載のセル基板の加工方法。
- 前記接着剤の塗布領域において、スクライブ予定ラインの直下の位置で接着剤が塗布されない切り目を予め形成するようにした請求項1〜請求項3の何れかの請求項に記載のセル基板の加工方法。
- 請求項1に記載の工程の後、上側ガラス基板のスクライブラインと相対する位置で下側ガラス基板の表面にスクライブラインを加工する工程と、
これら上下のスクライブラインから基板を分断する工程と、
を含む請求項1〜請求項4の何れかの請求項に記載のセル基板の加工方法。 - 請求項1に記載の工程の後、レーザビームのビームスポットを接着剤層に照射させてスクライブライン直下の接着剤層に切り目を加工する工程と、
上側ガラス基板のスクライブラインと相対する位置で下側ガラス基板の表面にスクライブラインを加工する工程と、
これら上下のスクライブラインから基板を分断する工程と、
を含む請求項1〜請求項3の何れかの請求項に記載のセル基板の加工方法。
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