JP2009166249A - 脆性基板の分断方法、及び素子基板の製造方法 - Google Patents
脆性基板の分断方法、及び素子基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009166249A JP2009166249A JP2008003432A JP2008003432A JP2009166249A JP 2009166249 A JP2009166249 A JP 2009166249A JP 2008003432 A JP2008003432 A JP 2008003432A JP 2008003432 A JP2008003432 A JP 2008003432A JP 2009166249 A JP2009166249 A JP 2009166249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- scribe line
- heat conduction
- dividing
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
【課題】スクライブ線を確実に直線状に形成して、基板の分断精度を可及的に向上させる。
【解決手段】脆性を有する基板10の端部表面にクラック11aを形成し、基板10の表面にレーザ光Lを照射して発生した熱応力でクラック11aを直線状に進行させることにより、基板10の表面にスクライブ線11bを形成するスクライブ線形成工程と、基板10をスクライブ線11bに沿って分断する分断工程とを備え、基板10の表面にレーザ光Lの照射による内部への熱伝導を抑制するための熱伝導抑制膜3を、スクライブ線11bが形成される予定のスクライブ予定線11cを軸に線対称に予め設けておく。
【選択図】図3
【解決手段】脆性を有する基板10の端部表面にクラック11aを形成し、基板10の表面にレーザ光Lを照射して発生した熱応力でクラック11aを直線状に進行させることにより、基板10の表面にスクライブ線11bを形成するスクライブ線形成工程と、基板10をスクライブ線11bに沿って分断する分断工程とを備え、基板10の表面にレーザ光Lの照射による内部への熱伝導を抑制するための熱伝導抑制膜3を、スクライブ線11bが形成される予定のスクライブ予定線11cを軸に線対称に予め設けておく。
【選択図】図3
Description
本発明は、脆性基板の分断方法、及び素子基板の製造方法に関し、特に、レーザ光の照射により発生する熱応力を利用してガラス基板などの脆性基板を分断する分断技術に関するものである。
液晶表示パネルやタッチパネルなどを構成するガラス基板を分断する方法として、例えば、超硬合金製又は焼結ダイヤモンド製のホイールカッターを用いてガラス基板の表面に線状のスクライブ線を形成した後に、そのガラス基板をスクライブ線に沿って両側に分断する方法が広く利用されている。
しかしながら、上記のようなホイールカッターを用いてガラス基板の表面にスクライブ線を形成する方法では、そのスクライブ線を形成する際に発生するカレット(ガラス屑)がガラス基板の表面に付着して、種々の欠陥の原因となるおそれがある。そこで、近年では、レーザ光の照射により発生する熱応力を利用して、ガラス基板の表面にスクライブ線を形成する方法が注目されている。
例えば、特許文献1には、被加工材料の割断加工予定線を加熱するためのレーザと、少なくとも、割断加工予定線の両側において、被加工材料に剛性を付与する固定用治具とを有する割断装置及びその方法が開示されている。そして、これによれば、剛性の差が生じ易い被加工材料における様々な割断に際して、割断予定線を挟んで剛性が均等になるので、常に割断予定線上に熱応力発生を限定でき、高精度の割断加工を行える、と記載されている。
特開2002−110589号公報
ところで、液晶表示パネルやタッチパネルなどを構成するガラス基板の表面に、レーザ光の照射により発生する熱応力を利用してスクライブ線を形成すると、所望の直線状のスクライブ線が形成されないことがある。
図4は、所望のスクライブ線が形成されなかったタッチパネルを構成する従来のガラス基板110の平面模式図である。
図4では、スクライブ線111bの起点となる初期クラック111aから直線状に延びる線がスクライブ予定線111cである。そして、ガラス基板110に実際に形成されたスクライブ線111bは、図4に示すように、初期クラック111aから直線状に一旦延び、透明導電膜103が配置する辺りから、透明導電膜103から離間するようにスクライブ予定線111cから逸れてしまっている。
このように、スクライブ線111bがスクライブ予定線111cから逸れてしまうのは、ガラス基板110の表面に配置する透明導電膜103により、レーザ光の照射で発生する熱の中心点がずれてしまうためと考えられる。より具体的に説明すると、図4に示すように、ガラス基板110のスクライブ予定線111cよりも下側の領域Aでは、レーザ光の照射による熱が透明導電膜103により遮蔽(反射)されて基板本体に熱が伝導し難く、また、ガラス基板110のスクライブ予定線111cよりも上側の領域Bでは、レーザ光が基板本体に直接照射されて基板本体に熱が伝導し易いので、レーザ光の照射による熱の中心点が領域B側にずれてしまうと考えられる。そうなると、スクライブ線111bが領域B側に逸れて形成され、ガラス基板110がその逸れたスクライブ線111bに沿って分断されるので、分断精度が低下してしまう。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、スクライブ線を確実に直線状に形成して、基板の分断精度を可及的に向上させることにある。
上記目的を達成するために、本発明は、脆性を有する基板の表面に、レーザ光の照射による内部への熱伝導を抑制するための熱伝導抑制膜を、スクライブ予定線を軸に線対称に予め設けておくようにしたものである。
具体的に本発明に係る脆性基板の分断方法は、脆性を有する基板の端部表面にクラックを形成し、該基板の表面にレーザ光を照射して発生した熱応力で該クラックを直線状に進行させることにより、該基板の表面にスクライブ線を形成するスクライブ線形成工程と、上記基板を上記スクライブ線に沿って分断する分断工程とを備える脆性基板の分断方法であって、上記基板の表面に、上記レーザ光の照射による内部への熱伝導を抑制するための熱伝導抑制膜を、上記スクライブ線が形成される予定のスクライブ予定線を軸に線対称に予め設けておくことを特徴とする。
上記の方法によれば、脆性を有する基板の表面に、レーザ光の照射による内部への熱伝導を抑制するための熱伝導抑制膜が、直線状のスクライブ予定線を軸に線対称に予め設けてあるので、スクライブ線形成工程では、レーザ光の照射による基板内部への熱伝導がスクライブ予定線に対して左右対称になる。そのため、レーザ光の照射で発生する熱の中心点が、スクライブ予定線上に位置するので、スクライブ線形成工程では、スクライブ線がスクライブ予定線に一致するように直線状に形成される。これにより、分断工程では、脆性を有する基板が直線状のスクライブ線に沿って精度よく分断される。したがって、スクライブ線を確実に直線状に形成して、基板の分断精度を可及的に向上させることが可能になる。
上記熱伝導抑制膜を、上記スクライブ予定線に沿って線状に延びるように設けておいてもよい。
上記の方法によれば、熱伝導抑制膜がスクライブ予定線に沿って線状に延びるように設けてあるので、スクライブ線形成工程において、レーザ光の照射による基板内部への熱伝導がスクライブ予定線に対して具体的に左右対称になる。
上記レーザ光が照射されるスポットの側端は、上記熱伝導抑制膜を超えなくてもよい。
上記の方法によれば、レーザ光のスポットの側端が熱伝導抑制膜を超えないので、スクライブ予定線を軸に線対称に並んだ一対の線状の熱伝導抑制膜の外側にレーザ光が照射されなくなる。そのため、スクライブ線形成工程において、レーザ光の照射による基板内部への熱伝導がスクライブ予定線に対して具体的に左右対称になる。
上記レーザ光は、炭酸ガスレーザ光であってもよい。
上記の方法によれば、レーザ光が炭酸ガスレーザ光であるので、スクライブ線形成工程において、レーザ光の照射により、脆性基板が溶断(溶融による切断)されることなく、脆性基板の表面にスクライブ線が具体的に形成される。
また、本発明に係る素子基板の製造方法は、脆性を有し、複数の素子単位がマトリクス状に規定された母基板における該各素子単位の間の端部表面にクラックを形成し、該母基板の表面にレーザ光を照射して発生した熱応力で該クラックを直線状に進行させることにより、該母基板の表面に複数のスクライブ線を形成するスクライブ線形成工程と、上記母基板を上記各スクライブ線に沿って上記各素子単位毎に分断することにより、複数の素子基板を作製する分断工程とを備える素子基板の製造方法であって、上記母基板の表面に、上記レーザ光の照射による内部への熱伝導を抑制するための熱伝導抑制膜を、上記各スクライブ線が形成される予定の各スクライブ予定線を軸に線対称に予め設けておくことを特徴とする。
上記の方法によれば、脆性を有し、複数の素子単位がマトリクス状に規定された母基板の表面に、レーザ光の照射による内部への熱伝導を抑制するための熱伝導抑制膜が、直線状のスクライブ予定線を軸に線対称に予め設けてあるので、スクライブ線形成工程では、レーザ光の照射による基板内部への熱伝導がスクライブ予定線に対して左右対称になる。そのため、レーザ光の照射で発生する熱の中心点が、スクライブ予定線上に位置するので、スクライブ線形成工程では、スクライブ線がスクライブ予定線に一致するように直線状に形成される。これにより、分断工程では、脆性を有する母基板が直線状のスクライブ線に沿って各素子単位毎に精度よく分断され、複数の素子基板が作製される。したがって、スクライブ線を確実に直線状に形成して、基板の分断精度を可及的に向上させることが可能になる。
上記各素子単位は、タッチパネルを構成してもよい。
上記の方法によれば、各素子単位がタッチパネルを構成するので、タッチパネル機能を備えた素子基板が具体的に作製される。
上記熱伝導抑制膜を、上記各素子単位毎に枠状に設けておいてもよい。
上記の方法によれば、熱伝導抑制膜が各素子単位毎に枠状に設けてあるので、枠状の熱伝導抑制膜がスクライブ予定線に対して具体的に左右対称になる。
本発明によれば、脆性を有する基板の表面に、レーザ光の照射による内部への熱伝導を抑制するための熱伝導抑制膜を、スクライブ予定線を軸に線対称に予め設けておくので、スクライブ線を確実に直線状に形成して、基板の分断精度を可及的に向上させることができる。
以下、本発明に係る脆性基板の分断方法、及び素子基板の製造方法の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態では、脆性基板として、複数のタッチパネル(素子基板)を多面取りで作製するためのガラス製の母基板を例示するが、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
図1は、本実施形態の母基板10の斜視図であり、図2は、図1中の母基板10の下面側を拡大した平面図である。
母基板10には、図1に示すように、各々、素子基板として設けられた複数のタッチパネル5がマトリクス状に規定されている。
また、母基板10は、脆性を有し、例えば、厚さ0.5mm程度のガラス基板により構成されている。
各タッチパネル5は、図1に示すように、その上面に、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)膜などの透明導電膜により、縦50mm×横70mm程度に矩形状に設けられたタッチ電極1と、タッチ電極1の周端に沿って、例えば、ITO膜などの透明導電膜により、幅1mm程度に枠状に設けられた額縁配線2と、タッチ電極1及び額縁配線2を覆うように、例えば、酸化シリコン膜などの無機絶縁膜により設けられた保護層(不図示)とを備え、その下面に、例えば、ITO膜などの透明導電膜により、幅1mm程度に枠状に設けられた熱伝導抑制膜3を備えている。
図1における母基板10の下面側には、図2に示すように、直線状のスクライブ予定線11cが図中縦方向及び図中横方向に延びるように規定されている。そして、各熱伝導抑制膜3は、スクライブ予定線11cを軸に線対称に設けられている。ここで、熱伝導抑制膜3とスクライブ予定線11cとの間隔Dは、例えば、0.1mm以上且つ0.5mm以下である。なお、図2において、スポットS1は、後述するレーザ光Lの照射される領域である。
次に、上記構成の母基板10を各素子単位毎に分断して、タッチパネル5を製造する方法について、図3を用いて説明する。ここで、図3は、スクライブ線形成工程における母基板10の斜視図である。なお、本実施形態の母基板10の分断方法、すなわち、タッチパネル5の製造方法は、スクライブ線形成工程及び分断工程を備える。
<スクライブ線形成工程>
まず、図3に示すように、上記構成の母基板10を、各熱伝導抑制膜3が形成された面が上側になるように、ステージ20上に載置して固定する。
まず、図3に示すように、上記構成の母基板10を、各熱伝導抑制膜3が形成された面が上側になるように、ステージ20上に載置して固定する。
続いて、母基板10に規定されたスクライブ予定線11cの端部に、ホイールカッター(不図示)の刃先を押し当てて、図3に示すように、初期クラック11aを形成する。
さらに、母基板10に形成された初期クラック11aの近傍のスポットS1に対して、図3に示すように、レーザ光出力部21からレーザ光Lを照射させ、そのスポットS1の後方のスポットS2に冷却ノズル22から水及び空気を含む冷却媒体Cを噴射させると共に、ステージ20を図中左側に移動させる。これによれば、図3に示すように、母基板10の表面において、レーザ光Lが照射されたスポットS1では局部的に加熱されると共に、その後方の冷却媒体Cが噴射されたスポットS2では局部的に冷却されるので、これらの局部的な加熱及び冷却によって生じる熱応力により、クラック11aが母基板10の表面において図中右方向に直線状に進行して、スクライブ線11bが形成される。ここで、スクライブ予定線11cの両側方には、レーザ光Lの照射による基板内部への熱伝導を抑制するための熱伝導抑制膜3が、スクライブ予定線11cを軸に線対称に形成されているので、レーザ光Lの照射による基板内部への熱伝導がスクライブ予定線11cに対して左右対称になる。そのため、レーザ光Lの照射で発生する熱の中心点が、スクライブ予定線11c上に位置するので、スクライブ線11bがスクライブ予定線11cに一致するように直線状に形成される。
なお、レーザ光Lは、例えば、炭酸ガス(CO2)レーザ光であり、強度が100W程度である。これによれば、母基板10が溶断されることなく、母基板10の表面にスクライブ線11bが形成される。また、レーザ光Lが照射されるスポットS1の大きさは、例えば、幅1mm×長さ3mm程度である。これによれば、レーザ光LのスポットS1の側端が熱伝導抑制膜3を超えないので、スクライブ予定線11cを軸に線対称に並んだ一対の線状の熱伝導抑制膜3の外側にレーザ光Lが照射されなくなり、レーザ光Lの照射による基板内部への熱伝導がスクライブ予定線11cに対して左右対称になり易くなる。
<分断工程>
スクライブ線形成工程でスクライブ線11bが形成された母基板10を、例えば、ブレークマシンを用いて、スクライブ線11bに沿って分断する。
スクライブ線形成工程でスクライブ線11bが形成された母基板10を、例えば、ブレークマシンを用いて、スクライブ線11bに沿って分断する。
以上説明したように、本実施形態の母基板10の分断方法及びタッチパネル5の製造方法によれば、脆性を有し、複数のタッチパネル5がマトリクス状に規定された母基板10の表面に、レーザ光Lの照射による内部への熱伝導を抑制するための熱伝導抑制膜3が、直線状のスクライブ予定線11cを軸に線対称に予め設けてあるので、スクライブ線形成工程では、レーザ光Lの照射による基板内部への熱伝導がスクライブ予定線11cに対して左右対称になる。そのため、レーザ光Lの照射で発生する熱の中心点が、スクライブ予定線11c上に位置するので、スクライブ線形成工程では、スクライブ線11bがスクライブ予定線11cに一致するように直線状に形成される。これにより、分断工程では、母基板10が直線状のスクライブ線11bに沿って精度よく分断され、複数のタッチパネル5が作製される。したがって、スクライブ線11bを確実に直線状に形成して、母基板10の分断精度を可及的に向上させることができる。
また、本実施形態では、熱伝導抑制膜3として、ITO膜を例示したが、この熱伝導抑制膜は、アルミニウム膜、チタン膜及びタンタル膜などの金属膜などレーザ光による熱を反射して基板内部への熱伝導を抑制可能な材料であればよい。
また、本実施形態では、母基板10のレーザ光Lを照射する面に熱伝導抑制膜3が形成されていたが、さらに、母基板10のレーザ光Lを照射しない面にもスクライブ予定線11cに対して左右対称の薄膜パターンを形成することにより、より精度の高いスクライブ線を形成することができる。
また、本実施形態では、直線状のスクライブラインに沿って脆性基板を分断する方法を例示したが、本発明は、曲線状やその他の形状のスクライブラインに沿って脆性基板を分断する方法にも適用することができる。
以上説明したように、本発明は、脆性基板を分断するためのスクライブ線が直線状に形成されるので、例えば、ガラス基板を用いたタッチパネル、液晶表示パネル、EL(Electoro Luminescence)表示パネル及びその他の素子基板の製造について有用である。
L レーザ光
S1 スポット
3 熱伝導抑制膜
5 タッチパネル(素子基板)
10 母基板(脆性基板)
11a クラック
11b スクライブ線
11c スクライブ予定線
S1 スポット
3 熱伝導抑制膜
5 タッチパネル(素子基板)
10 母基板(脆性基板)
11a クラック
11b スクライブ線
11c スクライブ予定線
Claims (7)
- 脆性を有する基板の端部表面にクラックを形成し、該基板の表面にレーザ光を照射して発生した熱応力で該クラックを直線状に進行させることにより、該基板の表面にスクライブ線を形成するスクライブ線形成工程と、
上記基板を上記スクライブ線に沿って分断する分断工程とを備える脆性基板の分断方法であって、
上記基板の表面に、上記レーザ光の照射による内部への熱伝導を抑制するための熱伝導抑制膜を、上記スクライブ線が形成される予定のスクライブ予定線を軸に線対称に予め設けておくことを特徴とする脆性基板の分断方法。 - 請求項1に記載された脆性基板の分断方法において、
上記熱伝導抑制膜を、上記スクライブ予定線に沿って線状に延びるように設けておくことを特徴とする脆性基板の分断方法。 - 請求項2に記載された脆性基板の分断方法において、
上記レーザ光が照射されるスポットの側端は、上記熱伝導抑制膜を超えないことを特徴とする脆性基板の分断方法。 - 請求項1に記載された脆性基板の分断方法において、
上記レーザ光は、炭酸ガスレーザ光であることを特徴とする脆性基板の分断方法。
- 脆性を有し、複数の素子単位がマトリクス状に規定された母基板における該各素子単位の間の端部表面にクラックを形成し、該母基板の表面にレーザ光を照射して発生した熱応力で該クラックを直線状に進行させることにより、該母基板の表面に複数のスクライブ線を形成するスクライブ線形成工程と、
上記母基板を上記各スクライブ線に沿って上記各素子単位毎に分断することにより、複数の素子基板を作製する分断工程とを備える素子基板の製造方法であって、
上記母基板の表面に、上記レーザ光の照射による内部への熱伝導を抑制するための熱伝導抑制膜を、上記各スクライブ線が形成される予定の各スクライブ予定線を軸に線対称に予め設けておくことを特徴とする素子基板の製造方法。 - 請求項5に記載された素子基板の製造方法において、
上記各素子単位は、タッチパネルを構成することを特徴とする素子基板の製造方法。 - 請求項5に記載された素子基板の製造方法において、
上記熱伝導抑制膜を、上記各素子単位毎に枠状に設けておくことを特徴とする素子基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008003432A JP2009166249A (ja) | 2008-01-10 | 2008-01-10 | 脆性基板の分断方法、及び素子基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008003432A JP2009166249A (ja) | 2008-01-10 | 2008-01-10 | 脆性基板の分断方法、及び素子基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009166249A true JP2009166249A (ja) | 2009-07-30 |
Family
ID=40968016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008003432A Pending JP2009166249A (ja) | 2008-01-10 | 2008-01-10 | 脆性基板の分断方法、及び素子基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009166249A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101064645B1 (ko) | 2010-06-14 | 2011-09-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 패드부 오염을 방지할 수 있는 터치 패널의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 터치 패널 |
JP2012031035A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 脆性材料基板の割断方法 |
-
2008
- 2008-01-10 JP JP2008003432A patent/JP2009166249A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101064645B1 (ko) | 2010-06-14 | 2011-09-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 패드부 오염을 방지할 수 있는 터치 패널의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 터치 패널 |
JP2012031035A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 脆性材料基板の割断方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI629249B (zh) | Method for cutting tempered glass sheets | |
KR100849696B1 (ko) | 취성재료의 스크라이브 방법 및 스크라이브 장치 | |
JP4251203B2 (ja) | 貼合せマザー基板のスクライブ方法および貼合せマザー基板の分割方法 | |
TWI385047B (zh) | Method for cutting brittle material substrates | |
JP4414473B2 (ja) | 切断方法 | |
JP2008115067A (ja) | フラットパネルディスプレィ薄板の割断方法 | |
WO2006070825A1 (ja) | 脆性材料基板の分断方法および基板分断システム | |
US20150059411A1 (en) | Method of separating a glass sheet from a carrier | |
KR101467157B1 (ko) | 취성 재료 기판의 스크라이브 방법 | |
EP2147899A1 (en) | Method for processing terminal in bonded substrate | |
JP2007021514A (ja) | スクライブ形成方法、分割予定線付き基板 | |
WO2003008352A1 (en) | Device and method for scribing fragile material substrate | |
WO2004014625A1 (ja) | 脆性材料基板のスクライブ方法およびスクライブ装置 | |
CN104364208A (zh) | 玻璃基板的切割方法及玻璃基板的制造方法 | |
JP5536713B2 (ja) | 脆性材料基板の加工方法 | |
JP2010173316A (ja) | スクライブ加工装置及びスクライブ加工方法 | |
JP5258024B2 (ja) | レーザ切断方法および被切断物 | |
JP2009166249A (ja) | 脆性基板の分断方法、及び素子基板の製造方法 | |
JP2004035315A (ja) | 脆性材料基板の分断方法および脆性材料基板分断装置 | |
TWI587960B (zh) | Laser processing method and laser processing device | |
JP5444158B2 (ja) | 脆性材料基板の割断方法 | |
JP2010095414A (ja) | ディスプレイ用マザーガラス基板および脆性材料基板の切断方法、ディスプレイの製造方法 | |
JP2006150642A (ja) | セル及びセルの製造方法 | |
JP2011183434A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2001212683A (ja) | 脆性材料の割断装置、脆性材料の割断方法および液晶表示装置の製造方法 |