JP5231165B2 - 貼り合わせウエーハの分割方法 - Google Patents
貼り合わせウエーハの分割方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5231165B2 JP5231165B2 JP2008273817A JP2008273817A JP5231165B2 JP 5231165 B2 JP5231165 B2 JP 5231165B2 JP 2008273817 A JP2008273817 A JP 2008273817A JP 2008273817 A JP2008273817 A JP 2008273817A JP 5231165 B2 JP5231165 B2 JP 5231165B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- bonded
- dividing
- protective
- adhesive tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 62
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
波長:1064nm
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:40ns
平均出力:1W
集光スポット径:φ1μm
加工送り速度:100mm/秒
次に、図7を参照して本発明による変質層形成工程について説明する。本発明の変質層形成工程は、保護ウエーハ12内部に変質層を形成する第1変質層形成工程と、デバイスウエーハ2の内部に変質層を形成する第2変質層形成工程とから構成される。
4 ストリート(分割予定ライン)
6 デバイス(チップ)
6A 保護部材付きデバイス(保護部材付きチップ)
8 素子
10 電極
12 保護ウエーハ
14 貼り合わせウエーハ
16 接着剤層
20 レーザ加工装置
24 レーザ照射ユニット
28 集光器(レーザ照射ヘッド)
30 撮像手段
32 第1変質層
34 第2変質層
36 粘着テープ
40 端材
42 ピックアップ装置
44 固定円筒
46 移動円筒
Claims (6)
- 表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイスウエーハの表面に、該デバイスを保護する保護ウエーハが貼り合わされた貼り合わせウエーハを、該分割予定ラインに沿って分割する貼り合わせウエーハの分割方法であって、
前記各デバイスは、素子と、該素子の外周に形成された電極とを含み、
該保護ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを該分割予定ラインに沿って該電極を跨ぐように2条を照射し、該保護ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿って2条の第1変質層を形成する第1変質層形成工程と、
該デバイスウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを、該保護ウエーハに形成された2条の前記第1変質層の中間に対応する位置で該デバイスウエーハの該電極を避けて該分割予定ラインに沿って照射し、該デバイスウエーハの内部に該分割予定ラインに沿って第2変質層を形成する第2変質層形成工程と、
該保護ウエーハに前記第1変質層が形成され、該デバイスウエーハに前記第2変質層が形成された該貼り合わせウエーハに、外力を付与して該第1及び第2変質層に沿って該貼り合わせウエーハを個々のチップに分割する分割工程とを具備し、
前記分割工程では、該保護ウエーハは2条の前記第1変質層に沿って分割され、該デバイスウエーハは前記第2変質層に沿って分割されることで、前記電極が露出された個々のチップと、該保護ウエーハの2条の前記第1変質層間に形成された該保護ウエーハの端材とに分割されることを特徴とする貼り合わせウエーハの分割方法。 - 前記レーザビームの波長は1064nmである請求項1記載の貼り合わせウエーハの分割方法。
- 前記第1変質層形成工程と前記第2変質層形成工程とを実施する前又は後に、前記貼り合わせウエーハより広い面積を有する粘着テープに該貼り合わせウエーハを貼着する粘着テープ貼着工程を更に具備し、
前記分割工程では、該貼り合わせウエーハが貼着された該粘着テープを拡張して該貼り合わせウエーハを前記第1及び第2変質層に沿って個々のチップに分割するとともに、各チップ間に間隔を形成する請求項1又は2記載の貼り合わせウエーハの分割方法。 - 前記分割工程が実施された後に該粘着テープから各チップをピックアップするピックアップ工程を更に具備し、
前記粘着テープ貼着工程では該デバイスウエーハ面に前記粘着テープを貼着し、該ピックアップ工程では各チップの該保護ウエーハ側をピックアップする請求項3記載の貼り合わせウエーハの分割方法。 - 前記分割工程が実施された後に該粘着テープから各チップをピックアップするピックアップ工程を更に具備し、
前記粘着テープ貼着工程では該保護ウエーハ面に前記粘着テープを貼着し、該ピックアップ工程で該デバイスウエーハ側から各チップをピックアップするとともに前記端材は該粘着テープに保持された状態で残存する請求項3記載の貼り合わせウエーハの分割方法。 - 前記デバイスは半導体イメージセンサから構成され、前記保護ウエーハはガラスウエーハから構成される請求項1〜5の何れかに記載の貼り合わせウエーハの分割方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008273817A JP5231165B2 (ja) | 2008-10-24 | 2008-10-24 | 貼り合わせウエーハの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008273817A JP5231165B2 (ja) | 2008-10-24 | 2008-10-24 | 貼り合わせウエーハの分割方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010103328A JP2010103328A (ja) | 2010-05-06 |
JP5231165B2 true JP5231165B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=42293717
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008273817A Active JP5231165B2 (ja) | 2008-10-24 | 2008-10-24 | 貼り合わせウエーハの分割方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5231165B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5995428B2 (ja) * | 2011-11-11 | 2016-09-21 | 株式会社ディスコ | カバー付きチップの製造方法 |
JP6730891B2 (ja) * | 2016-09-15 | 2020-07-29 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007066951A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Seiko Epson Corp | 積層体の加工方法、積層体、デバイスの製造方法、デバイス、インクジェット記録装置 |
WO2007055010A1 (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-18 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2007230818A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Seiko Epson Corp | ワークの分割方法および貼合せ基板の分割方法 |
-
2008
- 2008-10-24 JP JP2008273817A patent/JP5231165B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010103328A (ja) | 2010-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4777761B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP4769560B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
US7435607B2 (en) | Method of wafer laser processing using a gas permeable protective tape | |
KR101418613B1 (ko) | 웨이퍼 분할 방법 | |
US7888239B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
JP5595716B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP2006229021A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2005129607A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5992731B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR20090049534A (ko) | 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
JP2009182178A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP2008294191A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2007242787A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2006202933A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2006245209A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
CN105679709B (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP5231167B2 (ja) | 貼り合わせウエーハの分割方法及び該分割方法により製造されるデバイス | |
JP4471627B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
KR102256562B1 (ko) | 적층 기판의 가공 방법 | |
JP2011151070A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2005116739A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP4402974B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5231165B2 (ja) | 貼り合わせウエーハの分割方法 | |
JP4532358B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP2014013807A (ja) | ウエーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110921 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130314 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130319 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130321 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160329 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5231165 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |