TW201544914A - 微影裝置、決定方法及製造物品的方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種在基板上形成圖案的微影術裝置，該裝置包括：台架，其保持基板並且是能移動的；測量單元，其建構為用光照射台架的側表面並且測量台架的位置；產生單元，其建構為在台架移動的空間中產生氣流；檢測單元，其建構為檢測在基板上形成的多個樣本投射區域的各自位置；以及控制單元，其建構為確定檢測單元檢測樣本投射區域的次序，使得相對於基板中心而位在氣流下游側的樣本投射區域，從較接近測量單元的樣本投射區域來依次執行檢測單元的檢測。

Description

微影裝置、決定方法及製造物品的方法

本發明涉及微影術裝置、確定方法和產品的製造方法。

將光罩圖案轉移到基板上的曝光裝置是在半導體器件或類似者的製造步驟(微影術步驟)中要使用的裝置之一。在曝光裝置中，全局對準方法一般用作光罩與基板之間的對準方法。在全局對準方法中，藉由檢測在基板上形成的某些代表性的投射區域(樣本投射區域)的位置並且使用藉由統計處理檢測結果而獲得的指標並且用作基板上的所有投射區域中的共同指標，來執行對準。為了增加產量，日本專利公開案第2005-217092號已提出確定樣本投射區域的檢測次序的方法，以減少基板台架在樣本投射區域的位置檢測結束與樣本投射區域的曝光開始之間的移動距離。

一般而言，曝光裝置包括用光照射基板台架 的側表面並且基於反射光來測量基板台架位置的測量單元(例如干涉儀)，並且基於測量單元的測量結果來控制基板台架的移動。如果由於隨著基板台架的移動所產生熱量的影響而在從測量單元發射的光的光路上出現溫度分佈，則在測量單元的測量結果中可能出現誤差。然後，如果在檢測每個樣本投射區域的位置時出現這種誤差，則可能變得難以正確地獲得在基板上的所有投射區域中使用的共同指標。

本發明例如提供了就執行全局對準而言有利的技術。

根據本發明的一個方面，提供一種在基板上形成圖案的微影術裝置，該裝置包括：台架，其保持基板並且是可移動的；測量單元，其建構為用光照射台架的側表面並且基於由側表面反射的光來測量台架的位置；產生單元，其建構為在台架移動的空間中產生氣流；檢測單元，其建構為檢測在基板上形成的多個樣本投射區域的各自位置；以及控制單元，其建構為確定檢測單元檢測樣本投射區域的次序，使得相對於基板中心而位在氣流下游側的樣本投射區域，從較接近測量單元的樣本投射區域來依次執行檢測單元的檢測。

參照附圖閱讀以下示例性實施例的描述，本發明的進一步特徵將變得清楚。

1‧‧‧光罩

2‧‧‧基板

4‧‧‧第一測量單元

4a‧‧‧光路

5‧‧‧第二測量單元

5a‧‧‧光路

6‧‧‧產生單元

6a‧‧‧噴射單元

6b‧‧‧回收單元

8‧‧‧X滑動器

9‧‧‧Y滑動器

10‧‧‧基座部件

11‧‧‧照射光學系統

12‧‧‧投影光學系統

13‧‧‧光罩台架

14‧‧‧基板台架

14a、14b‧‧‧反射鏡

15‧‧‧檢測單元

16‧‧‧控制單元

17‧‧‧輸送單元

18‧‧‧控制臺單元

21‧‧‧曝光位置

22‧‧‧檢測位置

51~56‧‧‧執行檢測的次序

100‧‧‧曝光裝置

A1~A4‧‧‧樣本投射區域

E1‧‧‧投射區域

H‧‧‧熱量

圖1是示出了根據第一實施例的曝光裝置的配置的示意圖；圖2是示出了基板台架及其周邊部分的配置的示意圖；圖3是用於說明藉由基板台架的移動而產生熱量的圖；圖4是示出了保持基板的基板台架及其周邊部分的配置的示意圖；圖5示出了用於說明第一測量單元與基板台架之間的位置關係的圖；圖6是示出了保持基板的基板台架及其周邊部分的配置的示意圖。

下面將參照附圖來描述本發明的示例性實施例。注意，在所有附圖中相同的參考數字表示相同的部件，並且將不會給出其重複描述。在以下實施例中，將描述把光罩圖案轉移到基板上的曝光裝置。但是，本發明不限於此。本發明例如也可應用於以下的微影術裝置：諸如使用模具而在基板上模製壓印材料的壓印裝置，或用帶電粒子束照射基板並在基板上形成圖案的繪製裝置微影術。

<第一實施例>

將參照圖1來描述根據本發明第一實施例的曝光裝置100。圖1是示出了根據第一實施例的曝光裝置100的配置的示意圖。曝光裝置100例如可包括照射光學系統11、投影光學系統12、光罩台架13、基板台架14、檢測單元15和控制單元16。例如，控制單元16包含CPU、存儲器或類似者，並且控制把在光罩1上形成的圖案轉移到基板2上的過程(對基板2進行曝光的過程)。

照射光學系統11用從光源(未示出)發射的光照射由光罩台架13保持的光罩1。投影光學系統12具有預定的倍率(例如×1/2)，並且把在光罩1上形成的圖案投影到基板2上。光罩1和基板2分別由光罩台架13和基板台架14保持，並且經由投影光學系統12在光學上位於近乎共軛位置(投影光學系統12的物面和像面)。例如，光罩台架13藉由真空夾具、靜電夾具或類似者而保持光罩1，並且建構為能夠在例如X方向和Y方向上移動。例如，基板台架14藉由真空夾具、靜電夾具或類似者而保持基板2，並且建構為能夠在例如X方向和Y方向上移動。

檢測單元15檢測在基板上形成的某些代表性的投射區域2a(多個樣本投射區域2b)的位置(包含旋轉)，以使用全局對準方法來執行光罩1與基板2之間的對準。檢測單元15例如藉由檢測設在樣本投射區域2b中的多個標記來獲取各樣本投射區域2b的位置。這允許控 制單元16藉由統計處理由檢測單元15檢測到的各樣本投射區域2b的位置來獲得在基板上的所有投射區域2a中使用的共同指標。在第一實施例中，檢測單元15被提供為在不干涉投影光學系統12的情況下檢測各樣本投射區域2b的位置的軸外檢測單元。但是，本發明不限於此。檢測單元15例如可被提供為經由投影光學系統12檢測各樣本投射區域2b的位置的TTL(通過透鏡，Through The Lens)檢測單元。

現在將參照圖2來描述基板台架14及其周邊部分的配置。圖2是示出了基板台架14及其周邊部分的配置的示意圖。基板台架14保持基板2，並建構為能夠在例如X方向和Y方向上在基座部件10上移動。在根據第一實施例的曝光裝置100中，例如，如圖2中所示，設有建構為在X方向和Y方向上驅動基板台架14的X滑動器8和Y滑動器9。X滑動器8在基座部件10上、在X方向上驅動基板台架14。Y滑動器9在基座部件10上、在Y方向上驅動基板台架14。藉由如上所述地提供X滑動器8和Y滑動器9，保持基板2的基板台架14可建構為能夠在基座部件10上移動。基板台架14也可具有例如在Z方向上驅動基板2以調整基板2的高度、在θ方向上旋轉基板2、或者校正基板2的傾斜的功能。

第一測量單元4和第二測量單元5測量基板台架14的位置。第一測量單元4包括例如干涉儀，用光照射基板台架14在X方向(第一方向)上的側表面，並 且基於由該側表面反射的光來獲得基板台架14在X方向上距參考位置的位移。這允許第一測量單元4測量基板台架14在X方向上的位置。在圖2所示的範例中，第一測量單元4設在X滑動器8上。但是，第一測量單元4可以位於可用光照射基板台架14在X方向上的側表面的位置。

與第一測量單元4類似，第二測量單元5包括例如干涉儀，用光照射基板台架14在Y方向上的側表面，並且基於由該側表面反射的光來獲得基板台架14在Y方向上的位移。這允許第二測量單元5測量基板台架14在Y方向上的位置。在圖2所示的範例中，第二測量單元5設在Y滑動器9上。但是，第二測量單元5可以位於可用光照射基板台架14在Y方向上的側表面的位置。反射鏡14a和14b可分別設在基板台架14被用來自第一測量單元4的光照射的側表面和基板台架14被用來自第二測量單元5的光照射的側表面上。藉由如上所述地在基板台架14的側表面上設置反射鏡14a和14b，第一測量單元4和第二測量單元5可正確地測量基板台架14的位置。

在曝光裝置100中，隨著基板台架14的移動，可能從驅動基板台架14的X滑動器8或Y滑動器9產生熱量。於是，如果隨著基板台架14的移動而產生的熱量被施加到來自第一測量單元4的光的光路4a或來自第二測量單元5的光的光路5a，並且在各光路上出現溫度分佈，則在第一測量單元4和第二測量單元5的測量結 果中可能出現誤差。特別地，如果在檢測各樣本投射區域2b的位置時出現這種誤差，則可能變得難以正確地獲取在基板上的所有投射區域中使用的共同指標。為了對付這一點，在曝光裝置100中設有產生單元6，該產生單元6在基板台架14移動的空間(下文將稱為移動空間)中產生氣體(例如空氣)的流動，以使移動空間保持在恆定的溫度、壓力、濕度或類似者。如圖2中所示，產生單元6例如包括被定位為從±Y方向夾著移動空間的噴射單元6a和回收單元6b。噴射單元6a在與從第一測量單元4發射的光的方向相交的方向(例如-Y方向)上噴射氣體。回收單元6b回收從噴射單元6a發射並穿過移動空間的氣體。藉由如上所述地提供產生單元6，有可能藉由從噴射單元6a噴射的氣體而在-Y方向上移動隨著基板台架14的移動而產生的熱量，並且藉由回收單元6b對其進行回收。

但是，即使提供了在移動空間中產生氣流的產生單元6，在第一測量單元4和第二測量單元5的測量結果中也可能出現誤差。例如，如圖3中所示，如果基板台架14在遠離第一測量單元4的方向(-X方向)上移動，則在基板台架14經過之後的空間中產生負壓力，並且熱量H在該空間中蓄積。然後，在該空間中蓄積的熱量H藉由產生單元6產生的氣流而在-Y方向上流動。此時，藉由氣流而在-Y方向上流動的熱量H可能在藉由第一測量單元4測量基板台架14的位置的時機被施加到來 自第一測量單元4的光的光路4a。結果，可能在光路4a上出現溫度分佈，並且在第一測量單元4的測量結果中可能出現誤差。特別地，當藉由在遠離第一測量單元4的方向上移動基板台架14來測量相對於基板2的中心而位於氣流的下游側的各樣本投射區域2b的位置時，可能出現這種測量誤差。這是因為：與相對於基板2的中心而位於氣流的上游側的各樣本投射區域2b的位置進行檢測的情況相比，在對位於下游側的各樣本投射區域2b的位置進行檢測的情況中，基板台架14位於氣流的上游側。

根據第一實施例的曝光裝置100(控制單元16)確定檢測單元15檢測樣本投射區域2b的次序(下文將稱為檢測次序)，以減少隨著基板台架14的移動而產生的熱量造成的測量誤差。例如，控制單元16獲取指示基板上的各樣本投射區域2b的位置的資訊(例如，指示各樣本投射區域的坐標的資訊)，並且使用該資訊來確定檢測次序。在第一實施例中，當如上所述地確定檢測次序時，考慮氣流在移動空間中的方向以及第一測量單元4與基板台架14之間的位置關係。即，根據第一實施例的控制單元16確定檢測次序以滿足下面的條件1。注意，控制單元16可以確定檢測次序以在相對於基板2的中心而位在氣流的的下游側的所有樣本投射區域2b中滿足條件1。這有可能降低由於基板台架14的移動中的熱量H的影響而在第一測量單元4的測量結果中出現的誤差，並且正確地獲得在基板上的所有投射區域2a中使用的共同指 標。

(條件1)

在相對於基板2的中心而位在氣流的下游側的樣本投射區域2b中，較接近第一測量單元4的樣本投射區域首先接受檢測單元15的檢測。

例如，如圖4中所示，假設在基板上形成有四個樣本投射區域2b(A1至A4)的情況。在這種情況下，控制單元16確定檢測次序(A4→A2)，使得相對於基板2的中心而位在氣流的下游側的兩個樣本投射區域A2和A4中，較接近第一測量單元4的樣本投射區域首先接受檢測單元15的檢測。因此，在樣本投射區域A4的位置檢測與樣本投射區域A2的位置檢測之間，基板台架14在較接近第一測量單元4的方向(+X方向)上移動。在這種情況下，在基板台架14的移動中產生的熱量H在基板台架14的-X方向上蓄積。因此，有可能抑制熱量H向第一測量單元4的光路4a的施加並且抑制在第一測量單元4的測量結果中出現誤差。

除了考慮移動空間中的氣流和第一測量單元4的位置來確定檢測次序以外，控制單元16還可以確定檢測次序以增加產量。即，除了滿足上述條件1以外，控制單元16還可以確定檢測次序，以滿足以下條件：使檢測單元15檢測各樣本投射區域2b的位置所需的檢測時間比預設的允許時間短。除了滿足上述條件1以外，控制單元 16還可以確定檢測次序，以例如滿足以下條件：使檢測單元15檢測各樣本投射區域2b的位置的基板台架14的移動距離比預設的可允許值小。此時，控制單元16可確定檢測次序，以使得檢測時間和移動距離中的至少一個變為最短。

同時，在滿足上述條件1之後，控制單元16可以考慮在藉由輸送單元17將基板2輸送到基板台架上時的基板台架14的位置來確定首先接受檢測單元15的檢測的樣本投射區域2b。即，在滿足條件1之後，控制單元16可以確定檢測次序，使得基板台架14在藉由輸送單元17將基板2輸送到基板台架上與開始檢測單元15的檢測之間的移動量變為最小。此外，在滿足上述條件1之後，控制單元16可以考慮首先形成圖案的投射區域2a(投射區域E1)的位置來確定最後接受檢測單元15的檢測的樣本投射區域2b。即，在滿足條件1之後，控制單元可以確定檢測次序，使得基板台架14在藉由檢測單元15對各樣本投射區域2b的位置進行檢測的結束與投射區域2a中的圖案形成的開始之間的移動量變為最小。藉由如上所述地確定檢測次序，例如，在圖4的範例中，控制單元16可以確定如圖4中的箭頭所示的檢測次序(A1→A3→A4→A2)。

現在將參照圖5來描述在以圖4中的箭頭所示的次序執行檢測單元15的檢測時第一測量單元4與基板台架14之間的位置關係。在圖5中，位置21指示基板 上的執行曝光(執行圖案形成)的位置，並且位置22指示基板上的執行檢測單元15的檢測的位置。首先，如圖5的51中所示，控制單元16使輸送單元17將基板2輸送到基板台架14上。在第一實施例中，當輸送單元17將基板2輸送到基板台架14上時，執行檢測單元15的檢測的位置22變為最接近樣本投射區域A1。因此，控制單元16確定檢測次序，使得首先接受檢測單元15的檢測的樣本投射區域2b變為樣本投射區域A1。在基板2被輸送到基板台架14上之後，如圖5的52中所示，控制單元16控制基板台架14將樣本投射區域A1置於位置22中，並且使檢測單元15檢測樣本投射區域A1的位置。然後，如圖5的53中所示，控制單元16控制基板台架14將樣本投射區域A4置於位置22中，並且使檢測單元15檢測樣本投射區域A4的位置。當如上所述地檢測相對於基板2的中心而位在氣流的上游側的各樣本投射區域2b的位置時，基板台架14可以在遠離第一測量單元4的方向(-X方向)上移動。這是因為：與對下游側的各樣本投射區域2b的位置進行檢測的情況相比，在對上游側的各樣本投射區域2b的位置進行檢測的情況中，基板台架14位於氣流的下游側。因此，即使在對上游側的各樣本投射區域2b的位置進行檢測時基板台架14在遠離第一測量單元4的方向上移動，也有可能回收由基板台架14的移動引起的熱量H，以避免向第一測量單元4的光路4a施加熱量H。結果，誤差變得難以在第一測量單元4的測量結果中 出現。

在對樣本投射區域A4進行檢測之後，如圖5的54中所示，控制單元16控制基板台架14將樣本投射區域A3置於位置22中，並且使檢測單元15檢測樣本投射區域A3的位置。然後，如圖5的55中所示，控制單元16控制基板台架14將樣本投射區域A2置於位置22中，並且使檢測單元15檢測樣本投射區域A2的位置。當如上所述地檢測相對於基板的中心而位在氣流的下游側的各樣本投射區域的位置時，基板台架在更接近第一測量單元4的方向(+X方向)上移動。這使得有可能在基板台架14的-X方向(第一測量單元的相對側)上產生由基板台架14的移動導致的熱量H。因此，即使在對下游側的各樣本投射區域的位置進行檢測時，也有可能難以向第一測量單元4的光路4a施加由基板台架14的移動導致的熱量，以及難以在第一測量單元4的測量結果中造成誤差。在對樣本投射區域A2的位置進行檢測之後，如圖5的56中所示，控制單元16控制基板台架14把首先執行圖案形成的投射區域E1置於位置21中。

在曝光裝置100中，當在基板2上形成圖案時，用戶可能希望重視例如重合精度或產量(產率)。因此，想要的是在確定藉由檢測單元15對各樣本投射區域2b的位置進行檢測的檢測次序時，用戶也可以選擇例如重視重合精度或產量。因此，在根據第一實施例的曝光裝置100中，如圖1中所示，設有由用戶用來向控制單元 16給出指令的控制臺單元18。這允許用戶根據用途來在用於確定檢測次序的多個模式中選擇模式。然後，控制單元16根據用戶選擇的模式來確定檢測次序。該多個模式例如可包括重視重合精度的模式(第一模式)和重視產量的模式(第二模式)。在第一模式中，確定檢測次序，以使得在下游側的樣本投射區域2b中較接近第一測量單元4的樣本投射區域首先接受檢測單元15的檢測，並且可正確地獲得在多個投射區域2a中使用的共同指標。另一方面，在第二模式中，確定檢測次序，以使得檢測單元15檢測各樣本投射區域2b的位置所需的檢測時間變得比允許時間短(例如最短)。與第一模式相比，在第二模式中，不可能正確地獲得指標，但是有可能減少檢測時間(增加產量)。

如上所述，根據第一實施例的曝光裝置100確定檢測次序，使得在下游側的樣本投射區域中較接近第一測量單元4的樣本投射區域首先接受檢測單元15的檢測。結果，有可能難以向第一測量單元4的光路施加由基板台架14的移動導致的熱量而造成誤差，並因此正確地獲得在多個投射區域2a中使用的共同指標。在第一實施例中，如圖4中所示，已描述了在基板上形成四個樣本投射區域2b的範例。但是，例如圖6中所示，可在基板上環狀地形成多個樣本投射區域2b。另外，在這種情況下，藉由根據上述條件來確定如圖6中的箭頭所示的檢測次序，有可能難以向第一測量單元4的光路4a施加由基 板台架14的移動導致的熱量H，以及難以在第一測量單元4的測量結果中造成誤差。

<產品的製造方法的實施例>

根據本發明實施例的產品的製造方法例如適於製造諸如半導體器件之類的微器件或具有微結構的元件的產品。根據本實施例的產品的製造方法包括以下步驟：使用上述微影術裝置(曝光裝置)來在基板上形成圖案(對基板進行曝光的步驟)，和處理在前面的步驟中已在上面形成該圖案的基板。該製造方法還包括其他已知的步驟(氧化、沉積、氣相沉積、摻雜、平坦化、蝕刻、阻劑剝離、切塊、接合和封裝和類似者)。與傳統的方法相比，根據本實施例的產品的製造方法在產品的性能、品質、生產率和生產成本中的至少一個上是有利的。

雖然已參照示例性實施例描述了本發明，但應理解本發明不限於所公開的示例性實施例。以下的申請專利範圍應被賦予最寬泛的解釋以包含所有這種修改和等同的結構及功能。

1‧‧‧光罩

2‧‧‧基板

10‧‧‧基座部件

11‧‧‧照射光學系統

12‧‧‧投影光學系統

13‧‧‧光罩台架

14‧‧‧基板台架

15‧‧‧檢測單元

16‧‧‧控制單元

18‧‧‧控制臺單元

100‧‧‧曝光裝置

Claims (11)

1. 一種在基板上形成圖案的微影術裝置，該裝置包括：台架，其保持基板並且是能移動的；測量單元，其建構為用光照射該台架的側表面並且基於由該側表面反射的光來測量該台架的位置；產生單元，其建構為在該台架移動的空間中產生氣流；檢測單元，其建構為檢測在該基板上形成的多個樣本投射區域的各自位置；以及控制單元，其建構為確定該檢測單元檢測該等樣本投射區域的次序，使得相對於該基板的中心而位在該氣流的下游側的樣本投射區域，從較接近該測量單元的樣本投射區域來依次執行該檢測單元的檢測。
2. 根據申請專利範圍第1項的裝置，其中該控制單元獲取指示該基板上的各樣本投射區域的位置的資訊，並且使用該資訊來確定該次序。
3. 根據申請專利範圍第1項的裝置，其中該控制單元獲取指示該基板上的各樣本投射區域的坐標的資訊，並且使用該資訊來確定該次序。
4. 根據申請專利範圍第1項的裝置，其中該產生單元包括噴射單元，該噴射單元建構為噴射氣體以在該空間中產生與從該測量單元發射的光的方向相交的該氣流。
5. 根據申請專利範圍第1項的裝置，其中該控制單元 確定該次序以滿足以下條件：相對於該基板的該中心而位在該氣流的該下游側的該等樣本投射區域，從較接近該測量單元的該樣本投射區域來依次執行該檢測單元的檢測；以及使該檢測單元檢測該等多個樣本投射區域的該等各自位置所需的時間比允許時間短。
6. 根據申請專利範圍第1項的裝置，其中該控制單元確定該次序以滿足以下條件：相對於該基板的該中心而位在該氣流的該下游側的該等樣本投射區域，從較接近該測量單元的該樣本投射區域來依次執行該檢測單元的檢測；以及使得用於移動該台架以使該檢測單元檢測該等多個樣本投射區域的該等各自位置的距離比允許值小。
7. 根據申請專利範圍第1項的裝置，其中該基板包含多個投射區域，在該等多個投射區域的每個上應形成該圖案，並且，該控制單元確定該次序以滿足以下條件：相對於該基板的該中心而位在該氣流的該下游側的該等樣本投射區域，從較接近該測量單元的該樣本投射區域來依次執行該檢測單元的檢測；並且使得該台架在該檢測單元的檢測結束與各投射區域中的圖案形成開始之間的移動量最小。
8. 根據申請專利範圍第1項的裝置，其還包括輸送單元，該輸送單元建構為將該基板輸送到該台架上，其中該控制單元確定該次序以滿足以下條件：相對於該基板的該中心而位在該氣流的該下游側的該等樣本投射區域，從較接近該測量單元的該樣本投射區域來依次執行 該檢測單元的檢測；並且使得該台架在該輸送單元將該基板輸送到該台架上的結束與該檢測單元的檢測開始之間的移動量最小。
9. 一種在基板上形成圖案的微影術裝置，該裝置包括：台架，其保持該基板並且是能移動的；測量單元，其建構為用光照射該台架的側表面並且基於由該側表面反射的光來測量該台架的位置；產生單元，其建構為在該台架移動的空間中產生氣流；檢測單元，其建構為檢測在該基板上形成的多個樣本投射區域的各自位置；以及控制單元，其建構為根據從多個模式中選擇的模式來確定該檢測單元檢測該等樣本投射區域的次序，其中該等多個模式包括第一模式和第二模式，在該第一模式中，確定該次序，使得相對於該基板的中心而位在該氣流的下游側的樣本投射區域，從較接近該測量單元的樣本投射區域來依次執行該檢測單元的檢測；在第二模式中，確定該次序，使得使該檢測單元檢測該等多個樣本投射區域的各自位置所需的時間比允許時間短。
10. 一種產品的製造方法，該方法包括以下步驟：使用微影術裝置來在基板上形成圖案；以及處理上面已形成有該圖案的該基板以製造該產品，其中該微影術裝置在該基板上形成該圖案，並且該微 影術裝置包括：台架，其保持該基板並且是能移動的；測量單元，其建構為用光照射該台架的側表面並且基於由該側表面反射的光來測量該台架的位置；產生單元，其建構為在該台架移動的空間中產生氣流；檢測單元，其建構為檢測在該基板上形成的多個樣本投射區域的各自位置；以及控制單元，其建構為確定該檢測單元檢測該等樣本投射區域的次序，使得相對於該基板的中心而位在該氣流的下游側的樣本投射區域，從較接近該測量單元的樣本投射區域來依次執行該檢測單元的檢測。
11. 一種在微影術裝置中確定檢測單元檢測樣本投射區域的次序的方法，該微影術裝置在基板上形成圖案並且包括：台架，其保持該基板並且是能移動的；測量單元，其建構為用光照射該台架的側表面並且基於由該側表面反射的光來測量該台架的位置；產生單元，其建構為在該台架移動的空間中產生氣流；以及檢測單元，其建構為檢測在該基板上形成的該等多個樣本投射區域的各自位置，該檢測單元檢測該等樣本投射區域的次序，該方法包括：確定該次序，使得相對於該基板的中心而位在該氣流的下游側的樣本投射區域，從較接近該測量單元的樣本投射區域來依次執行該檢測單元的檢測。