TW201502717A - 校正方法、測量裝置、曝光裝置以及製造物品的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種用於校正編碼器的方法，編碼器包括標度及配置來接收由該標度所反射的光之光接收單元，且偵測該標度和該光接收單元之間的相對位置的變化，該方法包括測量該標度的表面形狀之變形量的測量步驟、根據在該測量步驟中的測量結果指定一範圍的指定步驟，該範圍包括該標度的表面之該變形量超過一閾值的部分，且該編碼器的偵測值在該範圍內被校正、以及於在該指定步驟中所指定的該範圍內判定用於校正該編碼器的該偵測值之校正值的判定步驟。

Description

校正方法、測量裝置、曝光裝置以及製造物品的方法
本發明關於一種編碼器的校正方法、使用編碼器的測量裝置、曝光裝置以及製造物品的方法。
用來在基板上形成圖案的曝光裝置被要求去準確地定位以保持基板的階台。為達成此目的，準確地測量階台的位置是重要的。曝光裝置可使用編碼器來測量階台的位置，如日本專利公開第2007-129194號中所描述。編碼器包括標度和以光照射標度的表面並接收反射的光之光接收單元，且可偵測標度和光接收單元之間的相對位置。
然而，若標度的表面變形，此變形將造成編碼器中的偵測誤差，從而使其難以去準確地定位階台。為解決此問題，日本專利公開第2007-004175及2008-112160號提出了一種方法，其中使用編碼器的曝光裝置在評估基板上形成圖案，並根據形成在評估基板上的圖案來校正編碼器。
標度可能部分地變形。在此情況下，在標度的整個表面校正標度表示校正在未發生編碼器的偵測誤差之標度的部分中被執行，從而降低效率。
本發明係提供，例如，在校正編碼器上的技術優勢。
根據本發明的一面向，係提供一種用於校正編碼器的方法，編碼器包括標度及配置來接收由標度所反射的光之光接收單元，且偵測標度和光接收單元之間的相對位置的變化，該方法包括：測量步驟，測量標度的表面形狀之變形量；指定步驟，根據在測量步驟中的測量結果來指定一範圍，範圍包括標度的表面之變形量超過一閾值的部分，且編碼器的偵測值在範圍內被校正；以及判定步驟，於在指定步驟中所指定的範圍內判定用於校正編碼器的偵測值之校正值。
本發明進一步的特徵將從參照所附圖式之例示性實施例的以下說明變得清楚。
1，1a，1b‧‧‧光接收單元
2‧‧‧階台
3‧‧‧基板
3a‧‧‧拍攝區域
3b‧‧‧目標拍攝區域
4，4a，4b，4c，4d‧‧‧標度
5‧‧‧板
6‧‧‧投影光學系統
7‧‧‧聚焦測量單元
8‧‧‧光接收單元
9‧‧‧光罩
10‧‧‧光罩保持單元
11，11a，11b‧‧‧測量單元
12‧‧‧照明光學系統
13，13’‧‧‧調正示波器
14a，14b，14c，14d‧‧‧角落
20‧‧‧控制單元
26‧‧‧黏合劑
40a‧‧‧部分
41‧‧‧測量結果
42‧‧‧測量結果
43‧‧‧變形量
44‧‧‧微分值
50b‧‧‧部分
51‧‧‧測量結果
52‧‧‧測量結果
53‧‧‧變形量
54‧‧‧微分值
60a，60b‧‧‧部分
61‧‧‧測量結果
62‧‧‧測量結果
63‧‧‧變形量
64‧‧‧微分值
70a‧‧‧部分
71‧‧‧測量結果
72‧‧‧測量結果
73‧‧‧變形量
74‧‧‧微分值
80a，80b‧‧‧部分
81‧‧‧測量結果
82‧‧‧測量結果
83‧‧‧變形量
84‧‧‧微分值
100‧‧‧曝光裝置
P1，P2’‧‧‧間隔
P2，P2’‧‧‧間隔
S1~S13‧‧‧步驟
Z1，Z2‧‧‧表面形狀
圖1為顯示曝光裝置的校正之示意圖；圖2為說明直到判定用於校正編碼器的偵測值之校正值的程序之流程圖；圖3為顯示標度的例子之視圖； 圖4為顯示標度的變形例子之測量結果的視圖；圖5為顯示標度的另一變形例子之測量結果的視圖；圖6為顯示標度的又一變形例子之測量結果的視圖；圖7為顯示標度的又另一變形例子之測量結果的視圖；圖8為顯示標度的再另一變形例子之測量結果的視圖；圖9A為說明藉由計算得到校正值的方法之視圖；圖9B為說明藉由計算得到校正值的方法之視圖；圖10為顯示調正示波器及其週邊組件的佈置之視圖；圖11為顯示從Z方向觀之的階台及由階台所保持的基板之視圖；圖12為顯示從-Z方向觀之的標度之視圖；圖13為顯示從Z方向觀之的階台及由階台所保持的基板之視圖；圖14為顯示從-Z方向觀之的標度之視圖；圖15A為顯示從Z方向觀之的階台及由階台所保持的基板之視圖；以及 圖15B為顯示從Z方向觀之的階台及由階台所保持的基板之視圖。
本發明的例示性實施例將參照所附圖式描述如下。應注意，在所有的圖式中，相同的標號表示相同的構件，且將不會給予重複的描述。在下面的實施例中，曝光裝置的例子將被描述。然而，本發明並不侷限於此，且本發明可適用於其他的微影裝置，例如，描繪裝置和壓印裝置。
<第一實施例>
根據第一實施例之用於編碼器的校正方法將被說明。在第一實施例中，使用編碼器來定位的曝光裝置100、用於保持基板3的階台2將被舉例。圖1為顯示曝光裝置100的佈置之示意圖。曝光裝置100包括當保持基板3時為可移動的階台2、用於將光罩9的圖案投影到基板3上的投影光學系統6、保持光罩9的光罩保持單元10、以光照射光罩9的照明光學系統12，以及控制單元20。曝光裝置100亦包括透過投影光學系統6來偵測基板3的對位標記之調正示波器13，以及測量基板3的高度(在Z方向上的位置)之聚焦測量單元7。聚焦測量單元7包括以光照射基板3的照射單元7a，以及接收由基板3所反射的光之光接收單元8。控制單元20包括中央處理器及記憶體，且控制基板3的曝光處理(控制曝光裝置100的每 個單元)。
使用曝光裝置100被轉移到基板3的圖案之最小尺寸習知為與使用來轉移的光之波長成正比，且與光學投影系統6的數值孔徑(numerical aperture)成反比。因此，對於曝光裝置100，光的波長以例如，汞燈i線(波長：365nm)、氪氟準分子雷射(KrF excimer laser)(波長：248nm)、以及氬氟準分子雷射(ArF excimer laser)(波長：193nm)的順序變得更短。轉移這樣的精細圖案的曝光裝置100因為光的波長為較短的而被要求去更準確地定位階台2。為達成此，準確地測量階台2的位置為重要的。
第一實施例的曝光裝置100使用編碼器作為測量裝置，用於測量階台2(物體)的位置。第一實施例的編碼器包括標度4及光接收單元1，如圖1所示。各標度4係由，例如，玻璃基板所形成，玻璃基板於其表面上具有線性圖案，線性圖案包括在平行於標度4的表面之方向(X及Y方向)規則地排列之複數條線。在曝光裝置100中，複數個標度4(圖1中的4a和4b)被附接到固定於投影光學系統6的板5。標度4可藉由靜電夾持或真空夾持、藉由使用黏合劑或光接觸法、或藉由機械性夾持法被附接到板5。如圖1所示，光接收單元1被附接到，例如，階台2的四個角落(圖1中的光接收單元1a和1b)，且分別以光照射對應的標度4並接收所反射的光。舉例而言，藉由在階台2移動的同時接收來自標度4的 光，各個光接收單元1依序地接收來自對應的標度4上之線性圖案的光以及來自除了線性圖案以外的部分的光。光接收單元1接著輸出信號，該信號指出在階台2的移動方向(X及Y方向)上的光強度。這使得控制單元20根據該信號及線性圖案的複數條線之間的間隔來得到標度4及光接收單元1之間相對位置的變化，亦即，階台2的位移量。
如上所述，使用編碼器的曝光裝置100參照佈置在標度4的表面上之複數條線之間的間隔而得到階台2的位移量，並接著定位階台2。然而，複數條線之間的間隔可能因標度4的表面形狀隨時間變化而部分地變化。在複數條線之間的間隔中的變化可能導致由編碼器所偵測之階台2的位移量之誤差，從而使其難以去準確地定位階台2。因此，對使用編碼器的曝光裝置100而言，校正編碼器以減少編碼器的偵測誤差(使得編碼器的偵測誤差落在公差範圍內)為重要的。
為達成此目的，在第一實施例中，用來測量對應標度4的表面形狀之各個測量單元11與編碼器共同被包含來作為用來測量階台2的位置之測量裝置。測量單元11由階台2支承，且分別佈置成鄰接光接收單元1。各個測量單元11包括，例如，配置來以雷射光束照射對應之標度4的雷射干涉儀。雷射干涉儀以雷射光束照射標度4及參考表面，並根據由標度4所反射的雷射光束以及由參考表面所反射之雷射光束之間的干涉來偵測標度4的 表面在Z方向相對於參考位置之位移量。各個測量單元11可藉由使用雷射干涉儀得到在標度4上的複數個位置之Z方向上的位移量來測量對應之標度4的表面形狀。在圖1中，測量單元11係佈置在階台2及光接收單元1之間。然而，測量單元11可被佈置在光接收單元1之外。
根據第一實施例之用於編碼器的校正方法將參照圖2來描述。圖2為說明從將各個標度4附接到板5上的步驟到判定用於校正編碼器的偵測值之校正值的步驟之程序的流程圖。
在步驟S1中，各個標度4被附接到板5。在步驟S2中，參考基板被安裝到階台2上，且使用參考基板來校正編碼器。由於板5的夾持表面(黏合表面)之形狀及標度4的製造誤差，附接到板5之標度4的複數條線之間的間隔可能不同於設計值。在此情況下，不被期望的偵測誤差(在下文的附接時間點被稱作誤差)發生於編碼器。因此，需要使用參考基板去校正編碼器，使得在附接時間點之誤差落在公差範圍內。
參考基板由階台2保持，類似於基板3，且在其整個表面上具有以給定的間隔所形成的複數個標記。參考基板的標記之間的間隔以，例如，曝光裝置100外的距離測量裝置，來事先測量。控制單元20使得調正示波器13在於X及Y方向移動階台2的同時經由投影光學系統6去偵測參考基板的標記，並且還使得編碼器去偵測階台2在X及Y方向的位移量。控制單元20根據編碼器的偵 測結果以及調正示波器13的偵測結果來計算參考基板的標記之間的間隔，並將計算出的標記間隔和事先測量的標記間隔加以比較。若計算出的標記間隔不同於事先測量的標記間隔，控制單元20判定誤差已在附接時間點發生。控制單元20接著判定用於校正編碼器的偵測值之校正值，使得計算出的標記間隔變得接近事先測量的標記間隔。因此判定的校正值被關聯到在標度4上的位置，且被儲存在，例如，控制單元20或外部儲存裝置。這使得校正編碼器以使在附接時間點的誤差落在公差範圍內為可能的。
在步驟S3中，測量單元11測量標度4的表面形狀(在第一時間點的測量)。在步驟S3中，當在X及Y方向移動階台2時，與由聚焦測量單元7之參考基板在Z方向的位置之測量同時地，由測量單元11之標度4的表面形狀之測量被執行。此時，藉由將參考基板在Z方向上的位置設定為參考位置，測量單元11根據標度4的表面在Z方向上相對於參考位置的位移量來測量標度4的表面形狀。然而，當階台2在X及Y方向移動時，參考基板可能在Z方向變動，且因此測量誤差可能發生在測量單元11。第一實施例的曝光裝置100使得聚焦測量單元7去測量參考基板在Z方向上的位置，並校正歸因於參考基板(參考位置)的變動之測量單元11的測量誤差，從而準確地測量標度4的表面形狀。因此而測得的標度4之表面形狀被儲存於，例如，控制單元20或外部儲存裝置。
在步驟S4中，圖案將被形成於其上的基板3(將經歷曝光處理的基板3)被安裝在階台上，並經歷曝光處理。在步驟S5中，其係判定是否要測量標度4的表面形狀。舉例而言，若已經歷曝光過程的基板3之數量超過預定數量，或在標度4的表面形狀被測量的步驟S3之後經過的時間超過預定時間，控制單元20判定去測量標度4的表面形狀。若控制單元20判定不去測量標度4的表面形狀(否)，過程回到步驟S4，且新的基板3被安裝到階台，並經歷曝光過程。另一方面，若控制單元20判定去測量標度4的表面形狀(是)，過程前進到步驟S6。
在步驟S6中，參考基板再次被安裝到階台，且測量單元11測量標度的表面形狀(在第二時間點的測量)。在步驟S6中，當在X及Y方向移動階台2時，與由聚焦測量單元7之參考基板在Z方向的位置之測量同時地，由測量單元11之標度4的表面形狀之測量被執行，類似於步驟S3。因此而測得的標度4的表面形狀被儲存於，例如，控制單元20或外部儲存裝置。在步驟S7中，在第一時間點之測量單元11的測量結果和在第二時間點之測量單元11的測量結果之間的差異被得到作為標度4的表面形狀已隨時間變化的量(變形量)。在步驟S8中，其係判定標度4的表面形狀之變形量是否超過閾值。閾值可事先根據階台的定位準確度等等來加以設定。若控制單元20判定標度4的表面形狀之變形量並未超過閾值 (否)，過程回到步驟S4，且新的基板3被安裝到階台上，並經歷曝光過程。另一方面，若控制單元20判定標度4的表面形狀之變形量超過閾值(是)，過程前進到步驟S9。
在步驟S9中，編碼器的偵測值在其中被校正(修正)的範圍(下文中被稱作校正範圍)被指定，以包括標度4的表面之變形量超過閾值的部分。現在將描述指定校正範圍的方法。舉例而言，當測量單元11藉由在Y方向移動階台2來測量標度4在Y方向的表面形狀時，標度4包括線性圖案，線性圖案包括以給定的間隔在Y方向上被佈置的複數條線，如圖3所示。標度4可配置為使得複數條線被佈置在相對於Y方向形成45度角的方向上。在此情形下，測量單元11可藉由在X及Y方向上移動階台2來測量標度4在X及Y方向的每一者之表面形狀。
圖4顯示由測量單元11所測得的標度4在Y方向上的表面形狀之測量結果。參照圖4，41顯示標度4的表面形狀Z1在第一時間點的測量結果(在步驟S3中的測量結果)，且42顯示標度4的表面形狀Z2在第二時間點的測量結果(在步驟S6中的測量結果)。須注意的是，當階台2移動時，藉由同時地執行由測量單元11之標度4的表面形狀之測量以及由聚焦測量單元7之參考基板在Z方向上的位置之測量，標度4的表面形狀被得到，如上所述。
如圖4之41中所示，在第一時間點的標度之 表面形狀Z1指出標度4的中央部分相較於其週邊部分凸出的狀態(在Z方向的凸出狀態)。在曝光過程被執行之後的第二時間點之標度的表面形狀Z2指出，相較於在第一時間點的標度之表面形狀Z1，標度在Y方向作為一整體擴張的狀態。如圖4之43中所示，控制單元20得到標度的表面形狀Z1在第一時間點和標度的表面形狀Z2在第二時間點之間的差異，亦即，標度的變形量△Z。控制單元20藉由將顯示於圖4之43中的變形量△Z微分而得到變形量的微分值(derivative value)D，如圖4之44所示。藉由以此方式得到標度4的變形量△Z和微分值D，控制單元20可根據圖4之43和44判定標度的變形狀態。舉例而言，在圖4之43和44中，具有變形量△Z和微分值D突然變化的部分40a，且其可看出在整個表面上變形量△Z和微分值D均不為零。若這樣的趨勢被看出，控制單元20可判定標度4在Y方向上均勻地擴張，且編碼器的偵測誤差已在標度4的整個表面上發生。根據此判定，控制單元20將標度4的整個表面指定為校正範圍。
以下將參照圖5到8說明根據標度4的變形量△Z和微分值D來判定標度4的變形狀態的情形。首先參照圖5說明標度未擴張或收縮但已部分地變形的情形。參照圖5，51顯示標度4的表面形狀Z1在第一時間點的測量結果(在步驟S3中的測量結果)，且52顯示標度4的表面形狀Z2在第二時間點的測量結果(在步驟S6中的測量結果)。在此情況下，相較於在第一時間點之標度4 的表面形狀Z1，在第二時間點之標度4的表面形狀Z2已部分地變形。控制單元20藉由得到標度4的變形量△Z和微分值D來得到圖5之53及54。在圖5之53和54中，具有變形量△Z和微分值D部分地變化的部分50b。因此，控制單元20可判定標度4的表面已部分地變形，且編碼器的偵測誤差已在部分50b中發生。若部分50b的值超過閾值，控制單元20根據該判定指定包括部分50b的範圍作為校正範圍。
參照圖6說明標度4已均勻地擴張及收縮且部分地變形的情形。參照圖6，61顯示標度4的表面形狀Z1在第一時間點的測量結果(在步驟S3中的測量結果)，且62顯示標度4的表面形狀Z2在第二時間點的測量結果(在步驟S6中的測量結果)。相較於在第一時間點的標度之表面形狀Z1，在第二時間點的標度之表面形狀Z2已均勻地在Y方向擴張且部分地變形。在此情況下，在分別顯示變形量△Z和微分值D的圖6之63和64中，具有數值突然變化的部分60a和數值部分地變化的部分60b。根據部分60a和60b，控制單元20可判定標度4已均勻地在Y方向擴張、標度4的表面已部分地變形、且編碼器的偵測誤差已在標度4的整個表面上發生。根據此判定，控制單元20將標度4的整個表面指定為校正範圍。
參照圖7說明標度已均勻地擴張及收縮的情形。參照圖7，71顯示標度的表面形狀Z1在第一時間點 的測量結果(在步驟S3中的測量結果)，且72顯示標度的表面形狀Z2在第二時間點的測量結果(在步驟S6中的測量結果)。此外，圖7之73和74分別顯示標度4的變形量△Z和微分值D。由於在圖7之73及74中有數值突然變化的部分70a，控制單元20判定標度4已均勻地在Y方向擴張，且編碼器的偵測誤差已在標度4的整個表面上發生。根據此判定，控制單元20將標度4的整個表面指定為校正範圍。
參照圖8說明標度4已在第一時間點部分地變形，且在所有的時間均勻地擴張及收縮的情形。參照圖8，81顯示標度4的表面形狀Z1在第一時間點的測量結果(在步驟S3中的測量結果)，且82顯示標度4的表面形狀Z2在第二時間點的測量結果(在步驟S6中的測量結果)。在分別顯示標度4的變形量△Z和微分值D之圖8的83及84中，具有數值突然變化的部分80a以及數值部分地變化的部分80b。根據部分80a和80b，控制單元20可判定標度4已在Y方向均勻地擴張、標度4的表面已部分地變形、以及編碼器的偵測誤差已在標度4的整個表面上發生。根據此判定，控制單元20將標度4的整個表面指定為校正範圍。
如上所述，藉由得到作為在第一時間點的表面形狀Z1和在第二時間點的表面形狀Z2之間的差異之變形量△Z以及變形量△Z的微分值D，擷取標度4的變形狀態是可能的。控制單元20接著根據變形量△Z及微分 值D變化的部分來判定標度4的變形狀態，並指定校正範圍。舉例而言，當標度4均勻地擴張及收縮時，控制單元20將標度4的整個表面指定為校正範圍。當標度4部分地變形時，控制單元20將包括標度4之變形部分的範圍指定為校正範圍。
復參照圖2所顯示之流程圖，將描述用於編碼器的校正方法。在步驟S10中，得到用於校正編碼器的偵測值之新的校正值之方法被判定。得到新的校正值的方法之例子為參照步驟S2所述之藉由使用參考基板及測量形成在參考基板上的標記來得到校正值的方法，以及藉由使用在步驟S7中所得到的變形量之計算來得到校正值的方法。前者的方法為如參照步驟S2所述，且其描述將被省略。後者的方法將於稍後描述。
在步驟S11中，在校正範圍內，校正值被修正的位置之數量及校正值被修正的複數個位置之間的間隔被判定。舉例而言，若標度4的變形量△Z小於參考值，複數個位置之間的間隔被拉長，且位置的數量因此被減少。另一方面，若標度4的變形量△Z大於參考值，複數個位置之間的間隔被縮短，且位置的數量因此被增加。在步驟S12中，在步驟S9中所指定的校正範圍內，根據在步驟S10中所判定的方法、以及在步驟S11中已被判定之校正值被修正之位置的數量和位置之間的間隔，新的校正值被判定。因此被判定的新的校正值係被關聯到標度4上的位置，且儲存在，例如，控制單元20或外部儲存裝 置。在此情況下，控制單元20以在步驟S12中所判定之新的校正值來修正在步驟S2中所判定之校正值或是先前被修正的校正值。此時，若步驟S2未被執行且沒有校正值被設定，在步驟S12中所判定之新的修正值被設定不變。在步驟S13中，其係判定是否有下一個將經歷曝光過程的基板3(下文稱作下一個基板3)。若有下一個基板3，過程回到步驟S4，下一個基板3被安裝到階台2上並經歷曝光過程。另一方面，若沒有下一個基板3，則過程結束。
將參照圖9A及9B來描述藉由計算來得到校正值的方法。標度4已部分地變形的情形將被說明。圖9A顯示在第一時間點的標度4。圖9B顯示在第二時間點的標度4。在圖9A及9B中，假設標度4已由黏合劑26附接到板5。相較於顯示於圖9A中的標度4，亦假設顯示於圖9B中的標度4已在部分B中沿著Z方向以△Zy1變形。在此情況下，在沒有發生在Z方向的變形之部分A中，線之間的間隔P1在Y方向不會隨時間變化(P1=P1')。另一方面，在已於Z方向發生變形的部分B中，線之間的間隔P2在Y方向隨時間變化(P2P2')。亦即，當標度4的部分B在Z方向變形時，線之間的間隔在部分B中沿著Y方向以P2'-P2擴張。在此情況下，控制單元20得到，例如，指出標度4在Z方向的變形量△Z和線之間的間隔的變化量△E(=P2'-P2)之間的關係的資訊(例如，關連式表式)。控制單元20可根據該資訊 從已根據測量單元的測量結果被得到之標度4在Z方向的變形量△Z來得到線之間的間隔的變化量△E，並將所得到的變化量△E設定為校正值。指出變形量△Z與變化量△E之間的關係的資訊可事先藉由，例如，實驗或模擬，來得到。在第一實施例中，所得到的變化量△E被設定為校正值。舉例而言，從編碼器的輸出所得到的階台2的位移量被相乘之係數可根據P2/(P2+△E(y))來得到，並設定為校正值。
如上所述，第一實施例的曝光裝置100包括測量單元11，各測量單元11係用於測量編碼器之對應的標度4的表面形狀。藉由使各測量單元11在不同時間點去測量標度4的表面形狀，曝光裝置100得到指出各標度4之表面形狀之時間變化的變形量，且根據該變形量，曝光裝置100指定編碼器的偵測值於其中被校正(修正)的範圍。以此方式，藉由測量各標度4的表面形狀及指定校正值於其中被校正的範圍，可能有效地來校正編碼器。
第一實施例的曝光裝置100採用電晶體-電晶體邏輯(TTL,transistor-transistor logic)方案，其中調正示波器13被使用來透過投影光學系統6去偵測在參考基板上的標記。標度4因此被附接到固定於投影光學系統6的板5。然而，本發明並不侷限於此。舉例而言，當藉由離軸(off-axis)方案來偵測在參考基板上的標記時，不同於在TTL方案中所使用的調正示波器13之調正示波器13’被佈置在投影光學系統6的旁邊。在此情況下，如圖 10所示，標度4被佈置在調正示波器13’中。佈置在調正示波器13’中的標度4可被附接到固定於調正示波器13’的板5’。
<第二實施例>
在第二實施例中，將參照圖11及12描述決定測量單元11測量表面形狀之標度的區域之方法。圖11為顯示從Z方向觀之的階台2與由階台2所保持之基板3的視圖。複數個拍攝區域3a被形成在基板3上，且賦予拍攝區域3a的數字指出執行曝光過程的順序。測量單元11和編碼器的光接收單元1被佈置在階台2的四個角落14a到14d的每一個。圖12為顯示從-Z方向觀之的標度4a到4d的視圖。標度4a到4d被佈置在投影光學系統6之外，以分別對應到佈置在階台2的四個角落14a到14d之光接收單元1。在每個標度4中，複數條線被佈置為以使光接收單元1能夠偵測階台2在X及Y方向的位移量。
若形成在基板3上各個拍攝區域3a的曝光過程以圖11所指出的順序被執行，各個光接收單元1照射對應的標度4之光係沿著圖12中的箭頭所指出的路徑移動。例如，對於每批或每個曝光層，形成在基板3上之複數個拍攝區域3a的佈置被判定。因此，除非多批或多曝光層改變，光接收單元1用以照射標度4的光之路徑不會改變。亦即，除非多批或多曝光層改變，否則測量單元11僅需測量包括圖2之步驟S3及S6中光的路徑之區域19內的表面形狀。換言之，控制單元20可判定測量單元 11根據形成在基板3上的複數個拍攝區域3a的佈置來測量表面形狀的區域19。這使得其可更有效地校正編碼器。
<第三實施例>
在第三實施例中，將描述當調正示波器13’如圖10所示地被佈置時之決定測量單元11測量表面形狀之標度4的區域之方法。圖13為顯示從Z方向觀之的階台2與由階台2所保持之基板3的視圖。複數個拍攝區域3a被形成在基板3上。在複數個拍攝區域3a中，以黑色填滿的拍攝區域指出在執行全局校準(global alignment)的時間點經歷校準測量的拍攝區域(下文稱作目標拍攝區域3b)。測量單元11和編碼器的光接收單元1被佈置在階台2的四個角落14a到14d的每一個。
在全局校準中，以例如，圖13中的箭頭，所指出的順序對形成在基板3上的各個目標拍攝區域3b執行校準測量。在此情況下，各個光接收單元1用以照射對應的標度4的光沿著由圖14中的箭頭所指出的路徑移動。圖14為顯示從-Z方向觀之的標度4a到4d的視圖。需注意的是，例如，對於每批或每個曝光層，形成在基板3上的複數個拍攝區域3a的佈置被判定，並且，對於每批或每個曝光層，形成在基板3上的目標拍攝區域3b的佈置亦被判定。因此，除非多批或多曝光層改變，光接收單元1用以照射標度4的光之路徑不會改變。亦即，除非多批或多曝光層改變，否則測量單元11僅需測量在圖2 之步驟S3及S6中之光的路徑上的表面形狀。換言之，控制單元20可判定測量單元11根據形成在基板3上的目標拍攝區域3b的佈置來測量表面的區域。
舉例而言，圖15A及15B係為分別顯示從Z方向觀之的基板3與由階台2所保持之基板3的視圖，其中複數個拍攝區域3a的佈置係與在圖13中所顯示的佈置不同。由於複數個拍攝區域3a的佈置改變，目標拍攝區域3b的佈置亦改變。如上所述，由於目標拍攝區域3b的佈置改變，光接收單元1用以照射標度的光之路徑根據該配置而改變。因此，測量單元11測量表面形狀的區域亦被改變。
<製造物品的方法之實施例>
根據本發明的實施例之製造物品的方法係適用於製造一物品，例如，像是半導體裝置的微裝置、或是具有微結構之元件。根據本實施例之製造物品的方法包括藉由使用上述的掃描曝光裝置(曝光基板的步驟)來在被施加到基板上的光敏劑上形成潛像圖型的步驟，以及將潛像圖型在上面步驟中被形成在其上之基板顯影的步驟。此製造方法還包括其他習知的步驟(例如，氧化、成膜、沉積、摻雜、平坦化、蝕刻、去除抗蝕劑、切割、接合以及封裝)。當與習知方法比較時，根據本實施例之製造物品的方法在物品的性能、質量、生產率和生產成本的至少一者上為有利的。
雖然本發明已參照例示性實施例加以描述， 應理解的是，本發明並不侷限在所揭露的例示性實施例。以下申請專利範圍的範疇應被賦予最寬廣的解釋，以涵蓋所有這樣的修改及相當的結構和功能。

Claims (8)

  1. 一種校正編碼器的方法，該編碼器包括標度及配置來接收由該標度所反射的光之光接收單元，且偵測該標度和該光接收單元之間的相對位置的變化，該方法包括：測量步驟，測量該標度的表面形狀之變形量；指定步驟，根據在該測量步驟中的測量結果來指定一範圍，該範圍包括該標度的表面之該變形量超過一閾值的部分，且該編碼器的偵測值在該範圍內被校正；以及判定步驟，於在該指定步驟中所指定的該範圍內判定用於校正該編碼器的該偵測值之校正值。
  2. 如申請專利範圍第1項之校正編碼器的方法，其中，在該測量步驟中，係包括在第一時間點測量該標度的該表面形狀之第一測量步驟，以及在不同於該第一時間點之第二時間點測量該標度的該表面形狀之第二測量步驟，並且，得到在該第一測量步驟中的測量結果和在該第二測量步驟中的測量結果之間的差異來作為該變形量。
  3. 如申請專利範圍第1項之校正編碼器的方法，其中，該標度包括規則地佈置的線性圖案，及在該判定步驟中，該校正值被判定，以減少該編碼器的偵測誤差，該等偵測誤差係由在該線型圖案的複數條線之間的間隔中的變化所造成。
  4. 如申請專利範圍第3項之校正編碼器的方法，其中，在該判定步驟中，根據在該間隔中指出該變形量和該 變化之間的關係之資訊，從在該測量步驟中所測得的該變形量得到該間隔的變化量，且該間隔之該得到的變化量被判定為該校正值。
  5. 一種測量裝置，用於測量物體的位移，該測量裝置包括：編碼器，包括標度及配置來接收由該標度所反射的光之光接收單元，且配置來偵測該標度和該光接收單元之間的相對位置的變化；測量單元，配置來測量該標度的表面形狀之變形量；以及控制單元，根據由該測量單元的測量結果，該控制單元係配置來指定一範圍，該範圍包括該標度的表面之該變形量超過一閾值的部分，且該編碼器的偵測值在該範圍內被校正，並且該控制單元係配置來在該指定的範圍內判定用於校正該編碼器的該偵測值之校正值。
  6. 一種曝光裝置，用於曝光一基板，該曝光裝置包括：投影光學系統，配置來將光罩的圖案投影到該基板上；階台，其係配置成在保持該基板的同時為可移動的；以及如申請專利範圍第5項所定義之測量裝置，其中，該測量裝置測量該階台的位移作為該物體的該位移。
  7. 如申請專利範圍第6項之曝光裝置，其中，該基板包括複數個拍攝區域，以及控制單元，根據該複數個拍攝區域的佈置，該控制單元判定測量單元測量表面形狀的標度之表面的區域。
  8. 一種製造物品的方法，該方法包括：使用曝光裝置曝光一基板；顯影該曝光的基板；處理該顯影的基板以製造該物品，其中，該曝光裝置包括：投影光學系統，配置來將光罩的圖案投影到該基板上；階台，其係配置成在保持該基板的同時為可移動的；以及測量裝置，配置來測量該階台的位移，其中，該測量裝置包括：編碼器，包括標度及配置來接收由該標度所反射的光之光接收單元，且配置來偵測該標度和該光接收單元之間的相對位置的變化；測量單元，配置來測量該標度的表面形狀之變形量；以及控制單元，根據由該測量單元的測量結果，該控制單元係配置來指定一範圍，該範圍包括該標度的表面之該變形量超過一閾值的部分，且該編碼器的偵測值在該範圍內被校正，並且該控制單元係配置來在該指定的範圍內判定 用於校正該編碼器的該偵測值之校正值。
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