JP2015220447A - リソグラフィ装置、および物品の製造方法 - Google Patents

リソグラフィ装置、および物品の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】グローバルアライメントを行う上で有利な技術を提供する。【解決手段】基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置は、前記基板を保持して移動可能なステージと、前記ステージの側面に光を照射し、反射された光に基づいて前記ステージの位置を計測する計測部と、前記ステージが移動する空間に気体の流れを発生させる発生部と、前記基板上に形成された複数のサンプルショット領域の各々の位置を検出する検出部と、前記検出部による検出を行うサンプルショット領域の順番を、前記複数のサンプルショット領域のうち前記基板の中心より前記気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域については前記計測部に近い方から先に前記検出部による検出が行われるように決定する制御部とを含む。【選択図】図1

Description

本発明は、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。
半導体デバイスなどの製造工程(リソグラフィ工程)で用いられる装置の1つとして、マスクのパターンを基板に転写する露光装置がある。露光装置では、一般に、マスクと基板とのアライメント方式としてグローバルアライメント方式が用いられている。グローバルアライメント方式とは、基板上に形成された代表的な幾つかのショット領域(サンプルショット領域)の位置を検出し、その検出結果を統計処理して求めた指標を、基板上の全てのショット領域で共通に用いてアライメントを行う方式である。特許文献1には、スループットを向上させるため、サンプルショット領域の位置の検出が終了してからショット領域の露光を開始するまでの間における基板ステージの移動距離が短くなるように、サンプルショット領域の検出順番を決定する方法が提案されている。
特開2005−217092号公報
露光装置は、一般に、基板ステージの側面に光を照射し、反射された光に基づいて基板ステージの位置を計測する計測部(例えば干渉計)を有し、計測部による計測結果に基づいて基板ステージの移動を制御する。基板ステージの移動に伴って発生した熱の影響によって計測部から射出された光の光路上で温度分布が生じてしまうと、計測部による計測結果に誤差が生じうる。そして、このような誤差が、各サンプルショット領域の位置の検出を行っている間において生じてしまうと、基板上の全てのショット領域で共通に用いられる指標を精度よく求めることが困難になりうる。
そこで、本発明は、グローバルアライメントを行う上で有利な技術を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、前記基板を保持して移動可能なステージと、前記ステージの側面に光を照射し、反射された光に基づいて前記ステージの位置を計測する計測部と、前記ステージが移動する空間に気体の流れを発生させる発生部と、前記基板上に形成された複数のサンプルショット領域の各々の位置を検出する検出部と、前記検出部による検出を行うサンプルショット領域の順番を、前記複数のサンプルショット領域のうち前記基板の中心より前記気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域については前記計測部に近い方から先に前記検出部による検出が行われるように決定する制御部と、を含むことを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、グローバルアライメントを行う上で有利な技術を提供することができる。
第1実施形態の露光装置の構成を示す概略図である。 基板ステージとその周辺の構成を示す概略図である。 基板ステージの移動によって発生する熱について説明するための図である。 基板を保持する基板ステージとその周辺の構成を示す概略図である。 第1計測部と基板ステージとの位置関係について説明するための図である。 基板を保持する基板ステージとその周辺の構成を示す概略図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、以下の実施形態では、マスクのパターンを基板に転写する露光装置について説明するが、それに限られるものではない。例えば、基板上のインプリント材をモールドを用いて成形するインプリント装置や、荷電粒子線を基板に照射して基板にパターンを形成する描画装置などのリソグラフィ装置においても、本発明を適用することができる。
<第1実施形態>
本発明の第1実施形態の露光装置100について、図1を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態の露光装置100の構成を示す概略図である。露光装置100は、例えば、照明光学系11と、投影光学系12と、マスクステージ13と、基板ステージ14と、検出部15と、制御部16とを含みうる。制御部16は、例えば、CPUやメモリなどを含み、マスク1に形成されたパターンを基板2に転写する処理(基板2を露光する処理)を制御する。
照明光学系11は、光源(不図示)から射出された光を用いて、マスクステージ13により保持されたマスク1を照明する。投影光学系12は、所定の倍率(例えば1/2倍)を有し、マスク1に形成されたパターンを基板2に投影する。マスク1および基板2は、マスクステージ13および基板ステージ14によってそれぞれ保持されており、投影光学系12を介して光学的にほぼ共役な位置(投影光学系12の物体面および像面)に配置される。マスクステージ13は、例えば、真空吸着や静電吸着などによってマスク1を保持し、例えばXY方向に移動可能に構成される。また、基板ステージ14は、例えば、真空吸着や静電吸着などによって基板2を保持し、例えばXY方向に移動可能に構成される。
検出部15は、グローバルアライメント方式を用いたマスク1と基板2とのアライメントを行うため、基板上に形成された代表的な幾つかのショット領域2a(複数のサンプルショット領域2b)の位置(回転を含む)を検出する。例えば、検出部15は、各サンプルショット領域2bに設けられた複数のマークを検出することで、当該サンプルショット領域2bの位置を求める。これにより、制御部16は、検出部15によって検出された各サンプルショット領域2bの位置に対して統計処理を行うことにより、基板上の全てのショット領域2aで共通に用いられる指標を求めることができる。ここで、第1実施形態では、検出部15が、投影光学系12を介さずに各サンプルショット領域2bの位置を検出するオフアクシス検出部として設けられているが、それに限られるものではない。例えば、投影光学系12を介して各サンプルショット領域2bの位置を検出するTTL(Through The Lens)検出部として設けられてもよい。
次に、基板ステージ14とその周辺の構成について、図2を参照しながら説明する。図2は、基板ステージ14とその周辺の構成を示す概略図である。基板ステージ14は、基板2を保持し、例えばXY方向においてベース部材10上を移動可能に構成されている。例えば、第1実施形態の露光装置100には、図2に示すように、基板ステージ14をXY方向に駆動するためのXスライダ8およびYスライダ9が設けられている。Xスライダ8は、ベース部材10上において基板ステージ14をX方向に駆動し、Yスライダ9は、ベース部材10上において基板ステージ14をY方向に駆動する。このようにXスライダ8とYスライダ9とを設けることにより、基板2を保持する基板ステージ14をベース部材10上で移動可能に構成することができる。また、基板ステージ14は、基板2をZ方向に駆動して基板2の高さを調整する機能や、基板2をθ方向に回転させる機能、基板2の傾き(チルト)を補正する機能などを有していてもよい。
基板ステージ14の位置は、第1計測部4および第2計測部5によって計測される。第1計測部4は、例えば干渉計を含み、基板ステージ14のX方向側(第1方向側)の側面に光を照射し、その側面で反射された光に基づいてX方向における基板ステージ14の基準位置からの変位を求める。これにより、第1計測部4は、基板ステージ14のX方向における位置を計測することができる。図2に示す例では、第1計測部4が、Xスライダ8上に設けられているが、基板ステージ14のX方向側の側面に光を照射することができる位置に配置されていればよい。
また、第2計測部5は、第1計測部4と同様に、例えば干渉計を含み、基板ステージ14のY方向側の側面に光を照射し、その側面で反射された光に基づいてY方向における基板ステージ14の変位を求める。これにより、第2計測部5は、基板ステージ14のY方向における位置を計測することができる。図2に示す例では、第2計測部5が、Yスライダ9上に設けられているが、基板ステージ14のY方向側の側面に光を照射することができる位置に配置されていればよい。ここで、第1計測部4からの光が照射される基板ステージ14の側面、および第2計測部5からの光が照射される基板ステージ14の側面のそれぞれにはミラー14aおよび14bが設けられうる。このようにミラー14aおよび14bを基板ステージ14の側面に設けることにより、第1計測部4および第2計測部5による基板ステージ14の位置の計測を精度よく行うことができる。
露光装置100では、基板ステージ14の移動に伴い、基板ステージ14を駆動するXスライダ8やYスライダ9から熱が発生しうる。そして、基板ステージ14の移動に伴って発生した熱が第1計測部4からの光の光路4aや第2計測部5からの光の光路5aにかかり、当該光路上で温度分布が生じてしまうと、第1計測部4および第2計測部5による計測結果に誤差が生じうる。特に、このような誤差が、各サンプルショット領域2bの位置の検出を行っている間に生じてしまうと、基板上の全てのショット領域で共通に用いられる指標を精度よく求めることが困難になりうる。そのため、露光装置100には、基板ステージ14が移動する空間(以下、移動空間)における温度や圧力、湿度などを一定に保つため、移動空間に気体の流れを発生させる発生部6が設けられている。発生部6は、例えば、図2に示すように、移動空間を±Y方向から挟むように配置された噴射部6aおよび回収部6bを有する。噴射部6aは、第1計測部4から射出される光の方向と交差する方向(例えば−Y方向)に向けて気体を噴射し、回収部6bは、噴射部6aから噴射されて移動空間を通過した気体を回収する。このように発生部6を設けることにより、基板ステージ14の移動に伴って発生した熱を噴射部6aから噴射された気体によって−Y方向に移動させ、回収部6bによって回収することができる。
しかしながら、移動空間に気体の流れを発生させる発生部6を設けても、第1計測部4および第2計測部5による計測結果に誤差が生じることがある。例えば、図3に示すように、第1計測部4から遠ざかる方向(−X方向)に基板ステージ14を移動させると、基板ステージ14が通り過ぎた後の空間が負圧になり、その空間に熱Hが溜まってしまう。そして、当該空間に溜まった熱Hは、発生部6によって発生された気体の流れによって−Y方向に流される。このとき、気体の流れによって−Y方向に流された熱Hが、第1計測部4が基板ステージ14の位置を計測するタイミングで、第1計測部4からの光の光路4aに掛かってしまうことがある。その結果、当該光路4a上において温度分布が生じてしまい、第1計測部4の計測結果に誤差が生じうる。また、このような計測誤差は、特に、基板2の中心より気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域2bの位置を、第1計測部4から遠ざかる方向に基板ステージ14を移動させて検出する場合に生じうる。これは、基板2の中心より気体の流れの上流側に配置されたサンプルショット領域2bの位置を検出する場合と比べて、下流側に配置されたサンプルショット領域2bの位置を検出する場合の方が、基板ステージ14が気体の流れの上流側に配置されるからである。
そこで、第1実施形態の露光装置100(制御部16)は、基板ステージ14の移動に伴う熱による計測誤差が低減されるように、検出部15による検出を行うサンプルショット領域2bの順番(以下、検出順番)を決定する。例えば、制御部16は、基板上における各サンプルショット領域2bの配置を示す情報(例えば、各サンプルショット領域の座標を示す情報)を取得し、その情報を用いて検出順番を決定する。第1実施形態では、このように検出順番を決定する際において、移動空間における気体の流れの方向、および第1計測部4と基板ステージ14との位置関係が考慮される。即ち、第1実施形態の制御部16は、以下の条件1を満たすように検出順番を決定する。ここで、制御部16は、基板2の中心より気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域2bの全てにおいて条件1を満たすように検出順番を決定することが好ましい。これにより、基板ステージ14の移動に伴う熱Hの影響によって第1計測部4による計測結果に誤差が生じることを低減し、基板上の全てのショット領域2aで共通に用いられる指標を精度よく求めることができる。
(条件1)基板2の中心より気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域2bについては第1計測部4に近い方から先に検出部15による検出を行う。
例えば、図4に示すように、基板上に4つのサンプルショット領域2b(A1〜A4)が形成されている場合を想定する。この場合、制御部16は、基板2の中心より気体の流れの下流側に配置された2つのサンプルショット領域A2およびA4において、第1計測部4に近い方から先に検出部15による検出が行われるように検出順番(A4→A2)を決定する。これにより、サンプルショット領域A4の位置を検出してからサンプルショット領域A2の位置を検出するまでの間では、基板ステージ14を第1計測部4に近づく方向(+X方向)に移動させることになる。この場合、基板ステージ14の移動に伴って発生した熱Hは基板ステージ14の−X方向側に溜まるため、第1計測部4の光路4aに熱Hが掛かり第1計測部4による計測結果に誤差が生じることを抑制することができる。
ここで、制御部16は、移動空間における気体の流れおよび第1計測部4の位置を考慮して検出順番を決定することに加えて、スループットが向上するように検出順番を決定することが好ましい。即ち、制御部16は、上述の条件1を満たすことに加えて、各サンプルショット領域2bの位置を検出部15に検出させるために要する検出時間を予め設定された許容時間より短くする条件を満たすように検出順番を決定してもよい。例えば、制御部16は、上述の条件1を満たすことに加えて、各サンプルショット領域2bの位置を検出部15に検出させるために基板ステージ14を移動させる移動距離を、予め設定された許容値より短くする条件を満たすように検出順番を決定するとよい。このとき、制御部16は、検出時間および移動距離の少なくとも一方が最も短くなるように検出順番を決定することが好ましい。
また、制御部16は、上述の条件1を満たした上で、搬送部17によって基板2が基板上に搬送されたときの基板ステージ14の位置を考慮して、検出部15による検出を最初に行うサンプルショット領域2bを決定するとよい。即ち、制御部16は、条件1を満たした上で、搬送部17によって基板2が基板ステージ上に搬送されてから検出部15による検出を開始するまでの間における基板ステージ14の移動量が最も短くなるように検出順番を決定するとよい。さらに、制御部16は、上述の条件1を満たした上で、パターンを最初に形成するショット領域2a(ショット領域E1)の位置を考慮して、検出部15による検出を最後に行うサンプルショット領域2bを決定するとよい。即ち、制御部は、条件1を満たした上で、検出部15によるサンプルショット領域2bの位置の検出が終了してからショット領域2aへのパターンの形成を開始するまでの間における基板ステージ14の移動量が最も短くなるように検出順番を決定するとよい。このように検出順番を決定することにより、例えば図4の例では、制御部16は、図中の矢印に示すように検出順番(A1→A3→A4→A2)を決定することができる。
次に、図4の矢印に示す順番で検出部15による検出を行う場合における第1計測部4と基板ステージ14との位置関係について、図5を参照しながら説明する。図5において、位置21は露光が行われる(パターンの形成が行われる)基板上の位置を示し、位置22は検出部15による検出が行われる基板上の位置を示す。まず、制御部16は、図5(a)に示すように、搬送部17に基板2を基板ステージ14上に搬送させる。第1実施形態では、搬送部17によって基板2が基板ステージ14上に搬送されたとき、検出部15による検出が行われる位置22がサンプルショット領域A1に最も近くなる。そのため、制御部16は、検出部15による検出を最初に行うサンプルショット領域2bがサンプルショット領域A1になるように検出順番を決定している。基板2が基板ステージ14上に搬送された後、制御部16は、図5(b)に示すように、サンプルショット領域A1が位置22に配置されるように基板ステージ14を制御し、サンプルショット領域A1の位置を検出部15に検出させる。そして、制御部16は、図5(c)に示すように、サンプルショット領域A4が位置22に配置されるように基板ステージ14を制御し、サンプルショット領域A4の位置を検出部15に検出させる。このように基板2の中心より気体の流れの上流側に配置されたサンプルショット領域2bの位置を検出するときには、基板ステージ14を第1計測部4から離れる方向(−X方向)に移動させてもよい。これは、下流側のサンプルショット領域2bの位置を検出する場合と比べて、上流側のサンプルショット領域2bの位置を検出する場合の方が、基板ステージ14が気体の流れの下流側に配置されるからである。したがって、上流側のサンプルショット領域2bの位置を検出するときに基板ステージ14を第1計測部4から離れる方向に移動させても、基板ステージ14の移動による熱Hを、第1計測部4の光路4aに掛からないように回収することができる。結果、第1計測部4の計測結果に誤差を生じさせにくくすることができる。
サンプルショット領域A4の位置を検出した後、制御部16は、図5(d)に示すように、サンプルショット領域A3が位置22に配置されるように基板ステージ14を制御し、サンプルショット領域A3の位置を検出部15に検出させる。そして、制御部16は、図5(e)に示すように、サンプルショット領域A2が位置22に配置されるように基板ステージ14を制御し、サンプルショット領域A2の位置を検出部15に検出させる。このように基板の中心より気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域の位置を検出するときには、基板ステージを第1計測部4に近づく方向(+X方向)に移動させる。これにより、基板ステージ14の移動による熱Hを、基板ステージ14の−X方向側(第1計測部の反対側)に生じさせることができる。したがって、下流側のサンプルショット領域の位置を検出しているときであっても、基板ステージ14の移動による熱Hを第1計測部4の光路4aに掛かりにくくし、第1計測部4の計測結果に誤差を生じさせにくくすることができる。サンプルショット領域A2の位置を検出した後、制御部16は、図5(f)に示すように、パターンの形成を最初に行うショット領域E1が位置21に配置されるように基板ステージ14を制御する。
ここで、露光装置100では、基板2にパターンを形成する際、重ね合わせ精度を重視したい場合や、スループット(生産性)を重視したい場合などがある。そのため、検出部15によって各サンプルショット領域2bの位置を検出する検出順番を決定するときにおいても、重ね合わせ精度を重視するのか、スループットを重視するのかなどが選択できることが好ましい。そこで、第1実施形態の露光装置100では、図1に示すように、ユーザが制御部16に指令するためのコンソール部18が設けられている。これにより、ユーザは、検出順番を決定するための複数のモードの中から、用途に合わせてモードを選択することができる。そして、制御部16は、ユーザにより選択されたモードに応じて検出順番を決定する。複数のモードは、例えば、重ね合わせ精度を重視するモード(第1モード)と、スループットを重視するモード(第2モード)とを含みうる。第1モードは、下流側のサンプルショット領域2bについては第1計測部4に近い方から先に検出部15による検出が行われるように検出順番を決定するモードであり、複数のショット領域2aで共通に用いられる指標を精度よく求めることができる。また、第2モードは、各サンプルショット領域2bの位置を検出部15に検出させるために要する検出時間が許容時間より短くなるように(例えば最小になるように)検出順番を決定するモードである。第2モードでは、当該指標を第1モードより精度よく求めることができないが、検出時間を第1モードより短くすること(スループットを向上させること)ができる。
上述のように、第1実施形態の露光装置100は、下流側のサンプルショット領域については第1計測部4に近い方から先に検出部15による検出が行われるように検出順番を決定する。これにより、第1計測部4の計測結果に、基板ステージ14の移動による熱Hが第1計測部4の光路に掛かることによる誤差を生じさせにくくすることができるため、複数のショット領域2aで共通に用いられる指標を精度よく求めることができる。ここで、第1実施形態では、図4に示すように、基板上に4つのサンプルショット領域2bが形成されている例について説明したが、例えば図6に示すように、基板上に複数のサンプルショット領域2bが環状に形成されている場合がある。この場合においても、上述の条件に従って図6の矢印のように検出順番を決定することにより、基板ステージ14の移動による熱Hを第1計測部4の光路4aに掛かりにくくし、第1計測部4の計測結果に誤差を生じさせにくくすることができる。
<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、上記のリソグラフィ装置(露光装置)を用いて基板にパターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程でパターンが形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
2:基板、4:第1計測部、5:第2計測部、6:発生部、15:検出部、16:制御部、100:露光装置

Claims (11)

  1. 基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
    前記基板を保持して移動可能なステージと、
    前記ステージの側面に光を照射し、反射された光に基づいて前記ステージの位置を計測する計測部と、
    前記ステージが移動する空間に気体の流れを発生させる発生部と、
    前記基板上に形成された複数のサンプルショット領域の各々の位置を検出する検出部と、
    前記検出部による検出を行うサンプルショット領域の順番を、前記複数のサンプルショット領域のうち前記基板の中心より前記気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域については前記計測部に近い方から先に前記検出部による検出が行われるように決定する制御部と、
    を含むことを特徴とするリソグラフィ装置。
  2. 前記制御部は、前記基板上における各サンプルショット領域の配置を示す情報を取得し、当該情報を用いて前記順番を決定する、ことを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  3. 前記制御部は、前記基板上における各サンプルショット領域の座標を示す情報を取得し、当該情報を用いて前記順番を決定する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のリソグラフィ装置。
  4. 前記発生部は、前記計測部から射出される光の方向と交差する方向に沿った前記気体の流れを前記空間に発生させるように前記気体を噴射する噴射部を含む、ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  5. 前記制御部は、前記基板の中心より前記気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域について前記計測部に近い方から先に前記検出部による検出を行う条件と、各サンプルショット領域の位置を前記検出部に検出させるために要する時間を許容時間より短くする条件とを満たすように前記順番を決定する、ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  6. 前記制御部は、前記基板の中心より前記気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域について前記計測部に近い方から先に前記検出部による検出を行う条件と、各サンプルショット領域の位置を前記検出部に検出させるために前記ステージを移動させる距離を許容値より短くする条件とを満たすように前記順番を決定する、ことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  7. 前記基板は、前記パターンがそれぞれ形成される複数のショット領域を有し、
    前記制御部は、前記基板の中心より前記気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域について前記計測部に近い方から先に前記検出部による検出を行う条件を満たした上で、前記検出部による検出を終了してから各ショット領域への前記パターンの形成を開始するまでの間における前記ステージの移動量が最も短くなるように前記順番を決定する、ことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  8. 前記基板を前記ステージ上に搬送する搬送部を更に含み、
    前記制御部は、前記基板の中心より前記気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域について前記計測部に近い方から先に前記検出部による検出を行う条件を満たした上で、前記搬送部によって前記基板が前記ステージ上に搬送されてから前記検出部による検出を開始するまでの間における前記ステージの移動量が最も短くなるように前記順番を決定する、ことを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  9. 基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
    前記基板を保持して移動可能なステージと、
    前記ステージの側面に光を照射し、反射された光に基づいて前記ステージの位置を計測する計測部と、
    前記ステージが移動する空間に気体の流れを発生させる発生部と、
    前記基板上に形成された複数のサンプルショット領域の各々の位置を検出する検出部と、
    複数のモードの中から選択されたモードに応じて、前記検出部による検出を行うサンプルショット領域の順番を決定する制御部と、
    を含み、
    前記複数のモードは、前記複数のサンプルショット領域のうち前記基板の中心より前記気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域については前記計測部に近い方から先に前記検出部による検出が行われるように前記順番を決定する第1モードと、各サンプルショット領域の位置を前記検出部に検出させるために要する時間が許容時間より短くなるように前記順番を決定する第2モードとを含む、ことを特徴とするリソグラフィ装置。
  10. 請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
    前記工程でパターンを形成された前記基板を加工する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。
  11. 基板を保持して移動可能なステージと、前記ステージの側面に光を照射し、反射された光に基づいて前記ステージの位置を計測する計測部と、前記ステージが移動する空間に気体の流れを発生させる発生部と、前記基板上に形成された複数のサンプルショット領域の各々の位置を検出する検出部とを有し、基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置において、前記検出部による検出を行うサンプルショット領域の順番を決定する決定方法であって、
    前記複数のサンプルショット領域のうち前記基板の中心より前記気体の流れの下流側に配置されたサンプルショット領域については前記計測部に近い方から先に位置の検出が行われるように前記順番を決定する、ことを特徴とする決定方法。
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