CN105093845A - 光刻装置、确定方法和产品的制造方法 - Google Patents

光刻装置、确定方法和产品的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105093845A
CN105093845A CN201510257107.9A CN201510257107A CN105093845A CN 105093845 A CN105093845 A CN 105093845A CN 201510257107 A CN201510257107 A CN 201510257107A CN 105093845 A CN105093845 A CN 105093845A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
projected area
stand
sample projected
detecting unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510257107.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105093845B (zh
Inventor
小仓匡博
三岛和彦
水元一史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN105093845A publication Critical patent/CN105093845A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105093845B publication Critical patent/CN105093845B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明涉及光刻装置、确定方法和产品的制造方法。本发明提供一种在基板上形成图案的光刻装置，该装置包括：台架，保持基板并且是能移动的；测量单元，被配置为用光照射台架的侧表面并且基于由侧表面反射的光来测量台架的位置；产生单元，被配置为在台架移动的空间中产生气流；检测单元，被配置为检测在基板上形成的多个样本投射区域的各自的位置；以及控制单元，被配置为确定通过检测单元检测样本投射区域的次序，使得在位于气流的相对于基板中心的下游侧的样本投射区域当中，从最接近测量单元的样本投射区域开始依次执行检测单元的检测。

Description

光刻装置、确定方法和产品的制造方法
技术领域
本发明涉及光刻装置、确定方法和产品的制造方法。
背景技术
将掩模图案转印到基板上的曝光装置是在半导体器件等的制造步骤(光刻步骤)中要使用的装置之一。在曝光装置中，全局对准方法一般用作掩模与基板之间的对准的方法。在全局对准方法中，通过检测在基板上形成的某些代表性的投射区域(样本投射区域(sampleshotregion))的位置并且使用通过统计处理检测结果而获得的并且用作基板上的所有投射区域中的公共指标(index)的指标，来执行对准。为了增加产量，日本专利公开No.2005-217092已提出确定样本投射区域的检测次序以减少基板台架在样本投射区域的位置检测的结束与样本投射区域的曝光的开始之间的移动距离的方法。
一般地，曝光装置包括用光照射基板台架的侧表面并且基于反射光来测量基板台架的位置的测量单元(例如，干涉仪)，并且基于测量单元的测量结果来控制基板台架的移动。如果由于随着基板台架的移动而产生的热量的影响在从测量单元发射的光的光路上出现温度分布，则在测量单元的测量结果中可能出现误差。然后，如果在检测每个样本投射区域的位置时出现这种误差，则可能变得难以精确地获得在基板上的所有投射区域中使用的公共指标。
发明内容
本发明例如提供了就执行全局对准而言有利的技术。
根据本发明的一个方面，提供一种在基板上形成图案的光刻装置，该装置包括：台架，保持基板并且是可移动的；测量单元，被配置为用光照射台架的侧表面并且基于由该侧表面反射的光来测量台架的位置；产生单元，被配置为在台架移动的空间中产生气流；检测单元，被配置为检测在基板上形成的多个样本投射区域的各自的位置；以及控制单元，被配置为确定检测单元检测样本投射区域的次序，使得在位于气流的相对于基板中心的下游侧的样本投射区域当中，从最接近测量单元的样本投射区域开始依次执行检测单元的检测。
根据本发明的一个方面，提供一种在基板上形成图案的光刻装置，该装置包括：台架，保持基板并且是可移动的；测量单元，被配置为用光照射台架的侧表面并且基于由该侧表面反射的光来测量台架的位置；产生单元，被配置为在台架移动的空间中产生气流；检测单元，被配置为检测在基板上形成的多个样本投射区域的各自的位置；以及控制单元，被配置为根据从多个模式中选择的模式来确定检测单元检测样本投射区域的次序，其中所述多个模式包括第一模式和第二模式，在第一模式中确定次序使得关于位于气流的相对于基板中心的下游侧的样本投射区域从更接近测量单元的样本投射区域依次执行检测单元的检测，在第二模式中确定次序使得使检测单元对多个样本投射区域的各自的位置进行检测所需的时间段变得短于允许的时间。
根据本发明的一个方面，提供一种产品的制造方法，该方法包括以下的步骤：使用光刻装置在基板上形成图案；以及处理其上形成有图案的基板以制造产品，其中，光刻装置在基板上形成图案并且包括：台架，保持基板并且是可移动的；测量单元，被配置为用光照射台架的侧表面并且基于由该侧表面反射的光来测量台架的位置；产生单元，被配置为在台架移动的空间中产生气流；检测单元，被配置为检测在基板上形成的多个样本投射区域的各自的位置；以及控制单元，被配置为确定检测单元检测样本投射区域的次序，使得在位于气流的相对于基板中心的下游侧的样本投射区域当中，从最接近测量单元的样本投射区域开始依次执行检测单元的检测。
根据本发明的一个方面，提供一种在光刻装置中确定检测单元检测样本投射区域的次序的方法，所述光刻装置在基板上形成图案并且包括：台架，保持基板并且是可移动的；测量单元，被配置为用光照射台架的侧表面并且基于由该侧表面反射的光来测量台架的位置；产生单元，被配置为在台架移动的空间中产生气流；以及检测单元，被配置为检测在基板上形成的多个样本投射区域的各自的位置，该方法包括：确定所述次序，使得在位于气流的相对于基板中心的下游侧的样本投射区域当中，从最接近测量单元的样本投射区域开始依次执行检测单元的检测。
参照附图阅读示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清楚。
附图说明
图1是示出了根据第一实施例的曝光装置的布置的示意图；
图2是示出了基板台架及其周边部分的布置的示意图；
图3是用于说明通过基板台架的移动而产生的热量的示图；
图4是示出了保持基板的基板台架及其周边部分的布置的示意图；
图5示出了用于说明第一测量单元与基板台架之间的位置关系的示图；
图6是示出了保持基板的基板台架及其周边部分的布置的示意图。
具体实施方式
下面参照附图来描述本发明的示例性实施例。注意，在所有附图中相同的附图标记表示相同的部件，并且将不会给出对其的重复描述。在以下实施例中，将描述把掩模图案转印到基板上的曝光装置。但是，本发明不限于此。本发明例如也可应用于诸如使用模具来使基板上的压印材料成形的压印装置，或用带电粒子束照射基板并在基板上形成图案的绘制装置之类的光刻装置。
<第一实施例>
将参照图1来描述根据本发明第一实施例的曝光装置100。图1是示出了根据第一实施例的曝光装置100的布置的示意图。曝光装置100例如可包括照射光学系统11、投影光学系统12、掩模台架13、基板台架14、检测单元15和控制单元16。例如，控制单元16包含CPU、或存储器等，并且控制把在掩模1上形成的图案转印到基板2上的处理(对基板2进行曝光的处理)。
照射光学系统11用从光源(未示出)发射的光照射由掩模台架13保持的掩模1。投影光学系统12具有预定的倍率(例如，×1/2)，并且把在掩模1上形成的图案投影到基板2上。掩模1和基板2分别由掩模台架13和基板台架14保持，并且经由投影光学系统12在光学上位于近乎共轭位置(投影光学系统12的物面和像面)中。例如，掩模台架13通过真空夹具或静电夹具等保持掩模1，并且被配置为能够在例如X方向和Y方向上移动。例如，基板台架14通过真空夹具或静电夹具等保持基板2，并且被配置为能够在例如X方向和Y方向上移动。
检测单元15检测在基板上形成的某些代表性的投射区域2a(多个样本投射区域2b)的位置(包含旋转)，以使用全局对准方法来执行掩模1与基板2之间的对准。检测单元15例如通过检测设在样本投射区域2b中的多个标记来获取各样本投射区域2b的位置。这允许控制单元16通过统计处理由检测单元15检测到的各样本投射区域2b的位置来获得在基板上的所有投射区域2a中使用的公共指标。在第一实施例中，检测单元15被提供为在不干涉投影光学系统12的情况下检测各样本投射区域2b的位置的轴外检测单元。但是，本发明不限于此。检测单元15例如可被提供为经由投影光学系统12检测各样本投射区域2b的位置的TTL(通过透镜，ThroughTheLens)检测单元。
现在将参照图2来描述基板台架14及其周边部分的布置。图2是示出了基板台架14及其周边部分的布置的示意图。基板台架14保持基板2，并被配置为能够在例如X方向和Y方向上在基座部件10上移动。在根据第一实施例的曝光装置100中，例如，如图2中所示，设有被配置为在X方向和Y方向上驱动基板台架14的X滑动器8和Y滑动器9。X滑动器8在基座部件10上在X方向上驱动基板台架14。Y滑动器9在基座部件10上在Y方向上驱动基板台架14。通过如上所述地提供X滑动器8和Y滑动器9，保持基板2的基板台架14可被配置为能够在基座部件10上移动。基板台架14还可具有例如在Z方向上驱动基板2以调整基板2的高度、在θ方向上旋转基板2、或者校正基板2的倾斜的功能。
第一测量单元4和第二测量单元5测量基板台架14的位置。第一测量单元4包括例如干涉仪，用光照射基板台架14的在X方向(第一方向)上的侧表面，并且基于由该侧表面反射的光来获得基板台架14在X方向上距基准位置的位移。这允许第一测量单元4测量基板台架14在X方向上的位置。在图2所示的示例中，第一测量单元4设在X滑动器8上。但是，第一测量单元4可以位于可用光照射基板台架14的X方向上的侧表面的位置。
与第一测量单元4类似，第二测量单元5包括例如干涉仪，用光照射基板台架14的Y方向上的侧表面，并且基于由该侧表面反射的光来获得基板台架14在Y方向上的位移。这允许第二测量单元5测量基板台架14在Y方向上的位置。在图2所示的示例中，第二测量单元5设在Y滑动器9上。但是，第二测量单元5可以位于可用光照射基板台架14的Y方向上的侧表面的位置。反射镜14a和14b可分别设在基板台架14的被用来自第一测量单元4的光照射的侧表面和基板台架14的被用来自第二测量单元5的光照射的侧表面上。通过如上所述地在基板台架14的侧表面上设置反射镜14a和14b，第一测量单元4和第二测量单元5可精确地测量基板台架14的位置。
在曝光装置100中，随着基板台架14的移动，可能从驱动基板台架14的X滑动器8或Y滑动器9产生热量。于是，如果随着基板台架14的移动而产生的热量被施加到来自第一测量单元4的光的光路4a或来自第二测量单元5的光的光路5a，并且在各光路上出现温度分布，则在第一测量单元4和第二测量单元5的测量结果中会出现误差。特别地，如果在检测各样本投射区域2b的位置时出现这种误差，则可能变得难以精确地获取在基板上的所有投射区域中使用的公共指标。为了应对这一点，在曝光装置100中设有产生单元6，该产生单元6在基板台架14移动的空间(下文将称为移动空间)中产生气体(例如，空气)的流动，以使移动空间保持在恒定的温度、压力或湿度等。如图2中所示，产生单元6例如包括被定位为从±Y方向夹着移动空间的喷射单元6a和回收单元6b。喷射单元6a在与从第一测量单元4发射的光的方向相交的方向(例如，-Y方向)上喷射气体。回收单元6b回收从喷射单元6a发射并穿过移动空间的气体。通过如上所述地提供产生单元6，可以通过从喷射单元6a喷射的气体在-Y方向上移动随着基板台架14的移动而产生的热量，并且通过回收单元6b对其进行回收。
但是，即使提供了在移动空间中产生气流的产生单元6，在第一测量单元4和第二测量单元5的测量结果中也可能出现误差。例如，如图3中所示，如果基板台架14在远离第一测量单元4的方向(-X方向)上移动，则在基板台架14经过之后的空间中产生负压力，并且热量H在该空间中蓄积。然后，在该空间中蓄积的热量H通过由产生单元6产生的气流而在-Y方向上流动。此时，通过气流而在-Y方向上流动的热量H可能在用于通过第一测量单元4测量基板台架14的位置的定时被施加到来自第一测量单元4的光的光路4a。作为结果，可能在光路4a上出现温度分布，并且在第一测量单元4的测量结果中可能出现误差。特别地，当通过在远离第一测量单元4的方向上移动基板台架14来测量位于气流的相对于基板2的中心的下游侧的各样本投射区域2b的位置时，可能出现这种测量误差。这是因为，与对位于气流的相对于基板2的中心的上游侧的各样本投射区域2b的位置进行检测的情况相比，在对下游侧的各样本投射区域2b的位置进行检测的情况中，基板台架14位于气流的上游侧。
根据第一实施例的曝光装置100(控制单元16)确定检测单元15检测样本投射区域2b的次序(下文将称为检测次序)，以减少由随着基板台架14的移动而产生的热量造成的测量误差。例如，控制单元16获取指示基板上的各样本投射区域2b的位置的信息(例如，指示各样本投射区域的坐标的信息)，并且使用该信息来确定检测次序。在第一实施例中，当如上所述地确定检测次序时，考虑气流在移动空间中的方向以及第一测量单元4与基板台架14之间的位置关系。即，根据第一实施例的控制单元16确定检测次序以满足下面的条件1。注意，控制单元16可以确定检测次序以在位于气流的相对于基板2的中心的下游侧的所有样本投射区域2b中满足条件1。这使得可以降低由于基板台架14的移动中的热量H的影响而在第一测量单元4的测量结果中出现的误差，并且精确地获得在基板上的所有投射区域2a中使用的公共指标。
(条件1)
在位于气流的相对于基板2的中心的下游侧的样本投射区域2b中，更接近第一测量单元4的样本投射区域首先经受检测单元15的检测。
例如，如图4中所示，假设在基板上形成有四个样本投射区域2b(A1至A4)的情况。在这种情况下，控制单元16确定检测次序(A4→A2)，使得在位于气流的相对于基板2的中心的下游侧的两个样本投射区域A2和A4中，更接近第一测量单元4的样本投射区域首先经受检测单元15的检测。因此，在样本投射区域A4的位置检测与样本投射区域A2的位置检测之间，基板台架14在更接近第一测量单元4的方向(+X方向)上移动。在这种情况下，在基板台架14的移动中产生的热量H在基板台架14的-X方向上蓄积。因此，可以抑制热量H向第一测量单元4的光路4a的施加并且抑制在第一测量单元4的测量结果中出现误差。
除了考虑移动空间中的气流和第一测量单元4的位置来确定检测次序以外，控制单元16还可以确定检测次序以增加产量。即，除了满足上述条件1以外，控制单元16还可以确定检测次序，以满足：使得使检测单元15检测各样本投射区域2b的位置所需的检测时间比预设的允许时间短的条件。除了满足上述条件1以外，控制单元16还可以确定检测次序，以例如满足：使得使检测单元15检测各样本投射区域2b的位置的基板台架14的移动距离比预设的可允许值小的条件。此时，控制单元16可确定检测次序，以使得检测时间和移动距离中的至少一个变为最短。
另外，在满足上述条件1之后，控制单元16可以考虑在通过输送单元17将基板2输送到基板台架上时的基板台架14的位置来确定首先经受检测单元15的检测的样本投射区域2b。即，在满足条件1之后，控制单元16可以确定检测次序，使得基板台架14在通过输送单元17将基板2输送到基板台架上与开始检测单元15的检测之间的移动量变为最小。此外，在满足上述条件1之后，控制单元16可以考虑首先形成图案的投射区域2a(投射区域E1)的位置来确定最后经受检测单元15的检测的样本投射区域2b。即，在满足条件1之后，控制单元可以确定检测次序，使得基板台架14在通过检测单元15对各样本投射区域2b的位置进行检测的结束与投射区域2a中的图案形成的开始之间的移动量变为最小。通过如上所述地确定检测次序，例如，在图4的示例中，控制单元16可以确定如图4中的箭头所示的检测次序(A1→A3→A4→A2)。
现在将参照图5来描述在以图4中的箭头所示的次序执行检测单元15的检测时第一测量单元4与基板台架14之间的位置关系。在图5中，位置21指示基板上的执行曝光(执行图案形成)的位置，并且位置22指示基板上的执行检测单元15的检测的位置。首先，如图5的51中所示，控制单元16使输送单元17将基板2输送到基板台架14上。在第一实施例中，当输送单元17将基板2输送到基板台架14上时，执行检测单元15的检测的位置22变为最接近样本投射区域A1。因此，控制单元16确定检测次序，使得首先经受检测单元15的检测的样本投射区域2b变为样本投射区域A1。在基板2被输送到基板台架14上之后，如图5的52中所示，控制单元16控制基板台架14将样本投射区域A1置于位置22中，并且使检测单元15检测样本投射区域A1的位置。然后，如图5的53中所示，控制单元16控制基板台架14将样本投射区域A4置于位置22中，并且使检测单元15检测样本投射区域A4的位置。当如上所述地检测位于气流的相对于基板2的中心的上游侧的各样本投射区域2b的位置时，基板台架14可以在远离第一测量单元4的方向(-X方向)上移动。这是因为，与对下游侧的各样本投射区域2b的位置进行检测的情况相比，在对上游侧的各样本投射区域2b的位置进行检测的情况中，基板台架14位于气流的下游侧。因此，即使在对上游侧的各样本投射区域2b的位置进行检测时基板台架14在远离第一测量单元4的方向上移动，也可以回收由基板台架14的移动引起的热量H，以避免向第一测量单元4的光路4a施加热量H。作为结果，误差变得难以在第一测量单元4的测量结果中出现。
在对样本投射区域A4进行检测之后，如图5的54中所示，控制单元16控制基板台架14将样本投射区域A3置于位置22中，并且使检测单元15检测样本投射区域A3的位置。然后，如图5的55中所示，控制单元16控制基板台架14将样本投射区域A2置于位置22中，并且使检测单元15检测样本投射区域A2的位置。当如上所述地检测位于气流的相对于基板中心的下游侧的各样本投射区域的位置时，基板台架在更接近第一测量单元4的方向(+X方向)上移动。这使得可以在基板台架14的-X方向(第一测量单元的相对侧)上产生由基板台架14的移动导致的热量H。因此，即使在对下游侧的各样本投射区域的位置进行检测时，也可以使得难以向第一测量单元4的光路4a施加由基板台架14的移动导致的热量，以及难以在第一测量单元4的测量结果中造成误差。在对样本投射区域A2的位置进行检测之后，如图5的56中所示，控制单元16控制基板台架14把首先执行图案形成的投射区域E1置于位置21中。
在曝光装置100中，当在基板2上形成图案时，用户可能希望重视例如重合精度或产量(产率)。因此，可取的是，在确定通过检测单元15对各样本投射区域2b的位置进行检测的检测次序时用户可以选择例如重视重合精度或产量。因此，在根据第一实施例的曝光装置100中，如图1中所示，设有由用户用来向控制单元16给出指令的控制台单元18。这允许用户根据用途来在用于确定检测次序的多个模式中选择模式。然后，控制单元16根据用户选择的模式来确定检测次序。所述多个模式例如可包括重视重合精度的模式(第一模式)和重视产量的模式(第二模式)。在第一模式中，确定检测次序，以使得在下游侧的样本投射区域2b中更接近第一测量单元4的样本投射区域首先经受检测单元15的检测，并且可精确地获得在多个投射区域2a中使用的公共指标。另一方面，在第二模式中，确定检测次序，以使得使检测单元15检测各样本投射区域2b的位置所需的检测时间变得比允许时间短(例如，最短)。与第一模式相比，在第二模式中，不能精确地获得指标，但是可以减少检测时间(增加产量)。
如上所述，根据第一实施例的曝光装置100确定检测次序，使得在下游侧的样本投射区域中更接近第一测量单元4的样本投射区域首先经受检测单元15的检测。作为结果，可以使得难以由向第一测量单元4的光路施加由基板台架14的移动导致的热量而造成误差，并因此精确地获得在多个投射区域2a中使用的公共指标。在第一实施例中，如图4中所示，已描述了在基板上形成四个样本投射区域2b的示例。但是，例如如图6中所示，可在基板上环状地形成多个样本投射区域2b。另外，在这种情况下，通过根据上述条件来确定如图6中的箭头所示的检测次序，可以使得难以向第一测量单元4的光路4a施加由基板台架14的移动导致的热量H，以及难以在第一测量单元4的测量结果中造成误差。
<产品的制造方法的实施例>
根据本发明实施例的产品的制造方法适于制造例如诸如半导体器件之类的微器件或具有微结构的元件的产品。根据本实施例的产品的制造方法包括：使用上述光刻装置(曝光装置)来在基板上形成图案的步骤(对基板进行曝光的步骤)，和处理已在前面的步骤中形成所述图案的基板的步骤。该制造方法还包括其它已知的步骤(氧化、沉积、气相沉积、掺杂、平坦化、蚀刻、抗蚀剂剥离、切割、接合和封装等)。与传统的方法相比，根据本实施例的产品的制造方法在产品的性能、质量、生产率和生产成本中的至少一个上是有利的。
虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但应理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。以下的权利要求的范围应被赋予最宽泛的解释以包含所有这种修改和等同的结构及功能。

Claims (11)

1.一种在基板上形成图案的光刻装置，其特征在于，该装置包括：
台架，保持基板并且是能移动的；
测量单元，被配置为用光照射台架的侧表面并且基于由所述侧表面反射的光来测量台架的位置；
产生单元，被配置为在台架移动的空间中产生气流；
检测单元，被配置为检测在基板上形成的多个样本投射区域的各自的位置；以及
控制单元，被配置为确定检测单元检测样本投射区域的次序，使得在位于气流的相对于基板的中心的下游侧的样本投射区域当中，从最接近测量单元的样本投射区域开始依次执行检测单元的检测。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制单元获取指示基板上的各样本投射区域的位置的信息，并且使用该信息来确定所述次序。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制单元获取指示基板上的各样本投射区域的坐标的信息，并且使用该信息来确定所述次序。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述产生单元包括喷射单元，所述喷射单元被配置为喷射气体以在所述空间中产生与从测量单元发射的光的方向相交的方向上的气流。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制单元确定所述次序以满足：关于位于气流的相对于基板的中心的下游侧的样本投射区域从更接近测量单元的样本投射区域依次执行检测单元的检测的条件，以及使得使检测单元检测所述多个样本投射区域的各自的位置所需的时间段比允许时间短的条件。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制单元确定所述次序以满足：关于位于气流的相对于基板的中心的下游侧的样本投射区域从更接近测量单元的样本投射区域依次执行检测单元的检测的条件，以及使得用于移动台架以使检测单元检测所述多个样本投射区域的各自的位置的距离比允许值小的条件。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，基板包含多个投射区域，在所述多个投射区域的每个上应形成图案，并且，
所述控制单元确定所述次序，以满足关于位于气流的相对于基板的中心的下游侧的样本投射区域从更接近测量单元的样本投射区域依次执行检测单元的检测的条件，并且使得台架在检测单元的检测的结束与各投射区域中的图案形成的开始之间的移动量最小。
8.根据权利要求1所述的装置，还包括输送单元，所述输送单元被配置为将基板输送到台架上，
其中，所述控制单元确定所述次序，以满足关于位于气流的相对于基板的中心的下游侧的样本投射区域从更接近测量单元的样本投射区域依次执行检测单元的检测的条件，并且使得台架在通过输送单元将基板输送到台架上的结束与检测单元的检测开始之间的移动量最小。
9.一种在基板上形成图案的光刻装置，其特征在于，该装置包括：
台架，保持基板并且是能移动的；
测量单元，被配置为用光照射台架的侧表面并且基于由所述侧表面反射的光来测量台架的位置；
产生单元，被配置为在台架移动的空间中产生气流；
检测单元，被配置为检测在基板上形成的多个样本投射区域的各自的位置；以及
控制单元，被配置为根据从多个模式中选择的模式来确定检测单元检测样本投射区域的次序，
其中，所述多个模式包括第一模式和第二模式，其中，在第一模式中，确定所述次序使得关于位于气流的相对于基板的中心的下游侧的样本投射区域从更接近测量单元的样本投射区域依次执行检测单元的检测；在第二模式中，确定所述次序使得使检测单元检测所述多个样本投射区域的各自的位置所需的时间段比允许时间短。
10.一种产品的制造方法，其特征在于，该方法包括以下的步骤：
使用光刻装置来在基板上形成图案；以及
处理上面已形成有图案的基板以制造产品，
其中，光刻装置在基板上形成图案，并且所述光刻装置包括：
台架，保持基板并且是能移动的；
测量单元，被配置为用光照射台架的侧表面并且基于由所述侧表面反射的光来测量台架的位置；
产生单元，被配置为在台架移动的空间中产生气流；
检测单元，被配置为检测在基板上形成的多个样本投射区域的各自的位置；以及
控制单元，被配置为确定检测单元检测样本投射区域的次序，使得在位于气流的相对于基板的中心的下游侧的样本投射区域当中，从最接近测量单元的样本投射区域开始依次执行检测单元的检测。
11.一种在光刻装置中确定通过检测单元检测样本投射区域的次序的方法，所述光刻装置在基板上形成图案并且包括：台架，保持基板并且是能移动的；测量单元，被配置为用光照射台架的侧表面并且基于由所述侧表面反射的光来测量台架的位置；产生单元，被配置为在台架移动的空间中产生气流；以及检测单元，被配置为检测在基板上形成的多个样本投射区域的各自的位置，
其特征在于，该方法包括：
确定所述次序，使得在位于气流的相对于基板的中心的下游侧的样本投射区域当中，从最接近测量单元的样本投射区域开始依次执行检测单元的检测。
CN201510257107.9A 2014-05-21 2015-05-20 光刻装置、确定方法和产品的制造方法 Active CN105093845B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-105667 2014-05-21
JP2014105667A JP6278833B2 (ja) 2014-05-21 2014-05-21 リソグラフィ装置、および物品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105093845A true CN105093845A (zh) 2015-11-25
CN105093845B CN105093845B (zh) 2018-03-23

Family

ID=53181041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510257107.9A Active CN105093845B (zh) 2014-05-21 2015-05-20 光刻装置、确定方法和产品的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9606456B2 (zh)
EP (1) EP2947512B1 (zh)
JP (1) JP6278833B2 (zh)
KR (1) KR101751593B1 (zh)
CN (1) CN105093845B (zh)
TW (1) TWI637240B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6333039B2 (ja) 2013-05-16 2018-05-30 キヤノン株式会社 インプリント装置、デバイス製造方法およびインプリント方法
JP6315904B2 (ja) * 2013-06-28 2018-04-25 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及びデバイスの製造方法
US10644239B2 (en) 2014-11-17 2020-05-05 Emagin Corporation High precision, high resolution collimating shadow mask and method for fabricating a micro-display
US10386731B2 (en) 2016-05-24 2019-08-20 Emagin Corporation Shadow-mask-deposition system and method therefor
TWI633197B (zh) * 2016-05-24 2018-08-21 美商伊麥傑公司 高精準度蔽蔭遮罩沉積系統及其方法
NL2023511A (en) * 2018-08-23 2020-02-27 Asml Netherlands Bv Substrate Support, Lithographic Apparatus, Substrate Inspection Apparatus, Device Manufacturing Method
JP7270417B2 (ja) * 2019-03-08 2023-05-10 キヤノン株式会社 インプリント装置の制御方法、インプリント装置、および物品製造方法
WO2021018627A1 (en) * 2019-07-30 2021-02-04 Asml Netherlands B.V. Method of determining a mark measurement sequence, stage apparatus and lithographic apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1650401A (zh) * 2002-04-09 2005-08-03 株式会社尼康 曝光方法与曝光装置、以及器件的制造方法
JP2005217092A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Canon Inc 半導体露光方法及び半導体露光装置
CN1702558A (zh) * 2004-05-17 2005-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
KR20050118309A (ko) * 2003-04-17 2005-12-16 가부시키가이샤 니콘 선출 방법, 노광 방법, 선출 장치, 노광 장치 및 디바이스제조 방법
EP1783822A1 (en) * 2004-06-21 2007-05-09 Nikon Corporation Exposure device, exposure device member cleaning method, exposure device maintenance method, maintenance device, and device manufacturing method
CN102243441A (zh) * 2010-05-12 2011-11-16 上海微电子装备有限公司 温度控制装置、应用其的投影曝光装置及温度控制方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3365571B2 (ja) * 1993-11-10 2003-01-14 株式会社ニコン 光学式計測装置及び露光装置
JP4029181B2 (ja) * 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置
JP3013837B2 (ja) * 1998-04-27 2000-02-28 日本電気株式会社 ステージ位置計測装置およびその計測方法
JP2000260827A (ja) * 1999-03-12 2000-09-22 Towa Corp 半導体チップ実装用加熱装置及び加熱方法
JP4614386B2 (ja) * 2005-02-04 2011-01-19 キヤノン株式会社 位置決め装置、露光装置およびそれを用いたデバイス製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1650401A (zh) * 2002-04-09 2005-08-03 株式会社尼康 曝光方法与曝光装置、以及器件的制造方法
KR20050118309A (ko) * 2003-04-17 2005-12-16 가부시키가이샤 니콘 선출 방법, 노광 방법, 선출 장치, 노광 장치 및 디바이스제조 방법
JP2005217092A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Canon Inc 半導体露光方法及び半導体露光装置
CN1702558A (zh) * 2004-05-17 2005-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
EP1783822A1 (en) * 2004-06-21 2007-05-09 Nikon Corporation Exposure device, exposure device member cleaning method, exposure device maintenance method, maintenance device, and device manufacturing method
CN102243441A (zh) * 2010-05-12 2011-11-16 上海微电子装备有限公司 温度控制装置、应用其的投影曝光装置及温度控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150338751A1 (en) 2015-11-26
KR101751593B1 (ko) 2017-06-27
TWI637240B (zh) 2018-10-01
TW201544914A (zh) 2015-12-01
EP2947512A3 (en) 2016-03-30
JP2015220447A (ja) 2015-12-07
US9606456B2 (en) 2017-03-28
JP6278833B2 (ja) 2018-02-14
KR20150134270A (ko) 2015-12-01
EP2947512B1 (en) 2022-03-23
EP2947512A2 (en) 2015-11-25
CN105093845B (zh) 2018-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105093845A (zh) 光刻装置、确定方法和产品的制造方法
US11460768B2 (en) Pattern formation method, lithography apparatus, lithography system, and article manufacturing method
JP6180131B2 (ja) インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
KR101454063B1 (ko) 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법
JP4848832B2 (ja) ナノインプリント装置及びナノインプリント方法
US9810979B2 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
JP2005101201A (ja) ナノインプリント装置
US20120217675A1 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
US10303069B2 (en) Pattern forming method and method of manufacturing article
JP2013055157A (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
US9594315B2 (en) Detection apparatus, lithography apparatus and method of manufacturing article
TWI579661B (zh) 取得鄰近第一拍攝區域之第二拍攝區域的位置之方法，曝光方法，曝光設備，及製造物品之方法
TWI780106B (zh) 用於監測微影製造程序的方法及設備
US11300888B2 (en) Methods of determining stress in a substrate, control system for controlling a lithographic process, lithographic apparatus and computer program product
KR101005582B1 (ko) 기판 정렬 모듈 및 이를 구비하는 리소그래피 장치
JP2013149928A (ja) リソグラフィー装置および物品を製造する方法
US10036967B2 (en) Lithography apparatus, lithography method, and article manufacturing method
US11829083B2 (en) Detection apparatus, lithography apparatus, article manufacturing method, and detection method
JP2019158516A (ja) 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法
CN103309167B (zh) 运动台定位精度的测量系统及测量方法
KR20220107951A (ko) 검출 장치, 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법
JP2013239639A (ja) 露光装置及びその調整方法、パターンのずれの計測方法、並びに、デバイス製造方法
JP2023056347A (ja) 計測装置、計測方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant