JP2023056347A - 計測装置、計測方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】マークの位置の計測精度を向上させるために有利な技術を提供する【解決手段】第１マークと第２マークとの相対位置を計測する計測装置は、回折光学素子からの回折光で前記第１マークおよび前記第２マークを照明しながら、前記第１マークからの光と前記第２マークからの光との干渉で生じる第１干渉縞を検出する検出部と、前記第１干渉縞に基づいて前記相対位置を求める処理部と、前記第１マークおよび前記第２マークに対する前記回折光学素子の相対的な回転角度を変更する変更部と、を備え、前記検出部では、前記回折光学素子のパターンの像が前記第２マーク上に形成されることにより生じる第２干渉縞が検出され、前記処理部は、前記変更部により前記回転角度を変更することで前記第１干渉縞の方向と前記第２干渉縞の方向との直交度を補正し、前記直交度を補正した状態において前記検出部で検出された前記第１干渉縞に基づいて前記相対位置を求める。【選択図】図２

Description

本発明は、計測装置、計測方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。

インプリント技術は、基板上に供給されたインプリント材をモールド（型）で成形し、インプリント材で構成された微細なパターンを基板上に形成する技術である。例えば、インプリント技術の１つとして光硬化法がある。この光硬化法を用いたインプリント技術では、基板上に液状のインプリント材（光硬化性樹脂）を供給し、モールドと基板上のインプリント材とを接触させ、その状態でインプリント材に光を照射して当該インプリント材を硬化させる。そして、硬化したインプリント材からモールドを剥離（分離）することにより、インプリント材の硬化物から成るパターンを基板上に形成することができる。

インプリント技術では、モールドと基板上のインプリント材とを接触させる際に、モールドと基板との正確なアライメント（位置合わせ）が要求される。一般に、インプリント技術では、基板のショット領域ごとに、モールドに設けられたマークと基板に設けられたマークとの相対位置を検出してモールドと基板とのアライメントを行う、いわゆるダイバイダイ方式が用いられうる。特許文献１には、モールドのアライメントマークからの光と基板のアライメントマークからの光とが干渉して形成される干渉縞（モアレ縞）を検出装置によって検出し、その検出結果に基づいてモールドと基板とのアライメントを行うことが記載されている。

特許第６６３２２５２号公報

特許文献１に記載された検出装置では、回折光学素子を用いることにより、アライメントマークの非計測方向に角度分布を有する光で当該アライメントマークを照明し、計測方向におけるアライメントマークの端部で生じる散乱光を低減することができる。しかしながら、回折光学素子は、モールドおよび基板と共役な位置に配置されるため、回折光学素子のパターンの像がモールドのマークおよび基板のマークの周辺に形成され、モールドと基板とのアライメントに使用する干渉縞とは異なる干渉縞が生成されうる。そして、このように回折光学素子に起因して生成される干渉縞の方向によっては、モールドのマークと基板のマークとの相対位置を精度よく計測することが困難になりうる。

そこで、本発明は、マークの位置の計測精度を向上させるために有利な技術を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての計測装置は、第１部材に設けられた第１マークと第２部材に設けられた第２マークとの相対位置を計測する計測装置であって、回折光学素子を有し、前記回折光学素子によって生成された回折光で前記第１マークおよび前記第２マークを照明しながら、前記第１マークからの光と前記第２マークからの光との干渉により生じる第１干渉縞を検出する検出部と、前記検出部により検出された前記第１干渉縞に基づいて前記相対位置を求める処理部と、前記第１マークおよび前記第２マークに対する前記回折光学素子の相対的な回転角度を変更する変更部と、を備え、前記検出部では、前記回折光学素子のパターンの像が前記第２マーク上に形成されることにより生じる第２干渉縞が、前記第１干渉縞に重なり合うように検出され、前記処理部は、前記変更部により前記回転角度を変更することで前記第１干渉縞の方向と前記第２干渉縞の方向との直交度を補正し、前記直交度を補正した状態において前記検出部で検出された前記第１干渉縞に基づいて前記相対位置を求める、ことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、マークの位置の計測精度を向上させるために有利な技術を提供することができる。

インプリント装置の構成例を示す概略図 計測部の構成例を示す概略図 型マークおよび基板マークの周辺をＹ軸方向から見た断面図 型マークおよび基板マークに対する回折光学素子の相対回転角度が理想的な状態を示す図 型マークおよび基板マークに対する回折光学素子の相対回転角度が理想的な状態から変動した状態を示す図 インプリント装置において基準マークを計測部で検出している状態を示す図 計測部により第３干渉縞を検出している状態を示す図 基準マーク上に形成された回折光学素子のパターンの像の方向が、基準マークの回折格子の方向に対して回転ずれを起こしている状態を示す図 第３干渉縞の方向と目標方向との角度差が低減するように相対回転角度を変更した状態を示す図 第１実施形態において第１干渉縞の方向と第２干渉縞の方向との直交度を補正する方法を示すフローチャート プリアライメントを説明するための図 第２実施形態において第１干渉縞の方向と第２干渉縞の方向との直交度を補正する方法を示すフローチャート 物品の製造方法を示す図

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

以下の実施形態では、本発明に係る計測装置を、モールド（原版）を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置に適用する例を説明するが、それに限られるものではない。例えば、基板を露光してマスク（原版）のパターンを基板上に転写する露光装置や、荷電粒子線を基板に照射して基板上にパターンを形成する描画装置などの他のリソグラフィ装置においても、本発明に係る計測装置を適用することができる。

＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。例えば、インプリント装置は、基板上に液状のインプリント材を複数の液滴として供給し、凹凸のパターンが形成されたモールドを基板上のインプリント材に接触させた状態で当該インプリント材に光を照射することにより当該インプリント材を硬化させる。そして、モールドと基板との間隔を広げて、硬化したインプリント材からモールドを分離（剥離）することで、基板上のインプリント材にモールドのパターンを転写することができる。このような一連の処理は「インプリント処理」と呼ばれ、基板における複数のショット領域の各々について行われる。

インプリント材には、硬化用のエネルギが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合成化合物と光重合開始材とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合成化合物または溶剤を含有してもよい。非重合成化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマ成分などの群から選択される少なくとも一種である。

インプリント材は、スピンコータやスリットコータにより基板上に膜状に付与される。あるいは、液体噴射ヘッドにより、液滴状、あるいは複数の液滴が繋がってできた島状または膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。

［インプリント装置の構成］
図１は、本実施形態のインプリント装置１００の構成例を示す概略図である。ここでは、インプリント装置１００として、ＵＶ光（紫外線）の照射によってインプリント材（樹脂）を硬化させるＵＶ光硬化型のインプリント装置を例示して説明する。ただし、インプリント装置１００は、他の波長域の光の照射によってインプリント材を硬化させる構成、あるいは、熱などの他のエネルギによってインプリント材を硬化させる構成であってもよい。

インプリント装置１００は、例えば、硬化部１０と、モールド保持部２０と、モールド補正部３０と、基板保持部４０と、供給部５０と、観察部６０と、計測部７０と、制御部８０とを含みうる。制御部８０は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を有するコンピュータによって構成され、インプリント装置１００の各部を制御することによりインプリント処理を制御する。また、インプリント装置１００は、モールド保持部２０を支持するためのブリッジ定盤ＢＳや、基板保持部４０を移動可能に支持するためのベース定盤（不図示）なども有する。なお、図１では、基板Ｗの表面に平行な面内において互いに異なる２つの方向（例えば、互いに直交する２つの方向）をＸ軸方向およびＹ軸方向とし、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に垂直な方向をＺ軸方向としている。「Ｘ軸方向」とは、＋Ｘ方向よび－Ｘ方向を含むものとして定義されうる。「Ｙ軸方向」および「Ｚ軸方向」についても同様である。

モールドＭは、例えば、デバイスの回路パターン等の凹凸パターンが３次元状に形成された型であり、紫外線を透過させることが可能な石英などの材質を用いて作製される。また、基板Ｗとしては、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板Ｗとしては、具体的に、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、石英ガラスなどである。また、インプリント材の供給前に、必要に応じて、インプリント材と基板との密着性を向上させるために密着層を設けてもよい。

硬化部１０は、モールドＭを介して基板上のインプリント材Ｒ（樹脂、レジスト）に光（例えば紫外光）を照射することにより、当該インプリント材Ｒを硬化させる。本実施形態において、インプリント材Ｒは、紫外光の照射によって硬化する性質を有する紫外光硬化樹脂である。硬化部１０は、例えば、光源部１１と、光学系１２とを含む。光源部１１は、例えば、インプリント材Ｒを硬化させるための硬化光（例えば、ｉ線、ｇ線）を発する水銀ランプなどの光源と、該光源から発せられた硬化光を集光する楕円鏡とを含みうる。光学系１２は、光源部１１から射出された硬化光が基板Ｗのショット領域上のインプリント材Ｒに照射されるように、該硬化光を整形するためのレンズ、アパーチャなどを含みうる。アパーチャは、インプリント処理の対象となる基板Ｗのショット領域（対象ショット領域）に硬化光を照射するための画角制御や、硬化光が基板Ｗのショット領域の外側に照射されることを制限するための外周遮光制御などに使用されうる。光学系１２は、モールドＭを均一に照明するためのオプティカルインテグレータを含んでもよい。光学系１２から射出された光は、ハーフミラーＨＭで反射され、モールドＭを介して基板上のインプリント材Ｒに入射する。

モールド保持部２０は、インプリントヘッドとも呼ばれ、例えば、真空圧などの保持力を発生してモールドＭを保持するモールドチャック２１と、モールドチャック２１を駆動することによってモールドＭを駆動するモールド駆動部２２とを含みうる。モールド保持部２０は、モールドＭの位置を６軸に関して制御する位置決め機構、および、モールドＭを基板Ｗ或いはその上のインプリント材Ｒに押し付けたり、硬化したインプリント材ＲからモールドＭを分離したりする機構を含む。ここで、６軸は、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸に加えて、それらの各軸周りの回転を含みうる。

モールド補正部３０は、例えば、モールド保持部２０に設けられ、空気や油等の流体で作用するシリンダなどのアクチュエータを用いてモールドＭを外周方向から加圧することにより、モールドＭの形状を補正する。また、モールド補正部３０は、例えば、モールドＭの温度を制御する温度制御機構を含み、モールドＭの温度を制御することにより、モールドＭの形状を補正する構成であってもよい。基板Ｗは、熱処理などのプロセスを経ることによって変形（典型的には、膨張又は収縮）しうる。モールド補正部３０は、このような基板Ｗの変形に応じて、モールドＭのパターンと基板上の既パターン（対象ショット領域）とのオーバーレイ誤差が許容範囲に収まるように、モールドＭの形状を補正することができる。

基板保持部４０は、基板ステージとも呼ばれ、基板Ｗを保持して移動可能に構成されうる。基板保持部４０は、例えば、真空圧などの保持力を発生して基板Ｗをチャックする基板チャック４１と、基板チャック４１を駆動することによって基板Ｗを駆動する基板駆動部４２とを含みうる。基板駆動部４２は、基板Ｗの位置を前述の６軸に関して制御することによって基板Ｗの位置を制御する位置決め機構を含みうる。

供給部５０は、基板上にインプリント材Ｒを供給（塗布）する。供給部５０は、例えば、インプリント材Ｒを収容するタンクと、該タンクから供給路を通して供給されるインプリント材Ｒを基板Ｗに対して吐出する複数の吐出口と、各吐出口に連通する供給路に設けられた圧電素子（バルブ）と、供給量制御部とを有しうる。供給量制御部は、例えば、圧電素子に供給する信号値を調整することにより、各吐出口から液滴として吐出されるインプリント材Ｒの量を制御することができる。

観察部６０は、インプリント処理が行われている基板Ｗの対象ショット領域を観察するためのスコープを含む。例えば、観察部６０は、対象ショット領域全体が収まる視野を有する撮像素子を含み、インプリント処理が行われている対象ショット領域を撮像素子により撮像する。観察部６０は、モールドＭとインプリント材Ｒとの押印（インプリント）の状態や、モールドＭのパターンの凹部へのインプリント材Ｒの充填の進み具合などを確認するために用いられる。

計測部７０（計測装置）は、モールドＭに設けられたアライメントマーク９１（以下では、型マーク９１と呼ぶことがある）と、基板Ｗに設けられたアライメントマーク９２（以下では、基板マーク９２と呼ぶことがある）との相対位置を計測する。図１の例では、計測部７０は、ミラーＭＲを介して型マーク９１と基板マーク９２との相対位置を計測するように構成されているが、ミラーＭＲを介さずに当該相対位置を計測するように構成されてもよい。なお、計測部７０の具体的な構成については後述する。

ここで、本実施形態では、モールドＭおよび基板Ｗのうちの一方（第１部材）に設けられたアライメントマーク（第１マーク）が、ラインアンドスペース状の回折格子によって構成される。また、モールドＭおよび基板Ｗのうちの他方（第２部材）に設けられたアライメントマーク（第２マーク）が、チェッカーボード状の回折格子によって構成される。以下では、型マーク９１がラインアンドスペース状の回折格子によって構成され、基板マーク９２がチェッカーボード状の回折格子によって構成されている例を説明する。

［インプリント処理］
インプリント装置１００によるインプリント処理について説明する。インプリント処理は、制御部８０によって制御されうる。まず、モールドＭが、モールド搬送部（不図示）によりモールド保持部２０に搬送され、モールド保持部２０（モールドチャック２１）により保持される。基板Ｗは、基板搬送部（不図示）により基板保持部４０に搬送され、基板保持部４０（基板チャック４１）により保持される。次いで、インプリント処理を行うショット領域（対象ショット領域）を供給部５０の下方に移動させ、供給部５０により、インプリント材Ｒ（例えば液滴）を対象ショット領域上に供給する（供給工程）。

対象ショット領域上にインプリント材を供給した後、対象ショット領域をモールドＭの下方に移動させ、モールドＭと基板Ｗとをそれらの間隔が狭まるようにＺ軸方向に相対駆動してモールドＭと基板上のインプリント材Ｒとを接触させる（接触工程）。接触工程において、インプリント材Ｒは、モールドＭと基板Ｗとの間を徐々に拡がり、モールドＭに形成されたパターン凹部に充填される。また、接触工程では、計測部７０での計測結果に基づいて、モールドＭと基板Ｗとのアライメント（位置合わせ）が行われる。当該アライメントは、モールド駆動部２２および基板駆動部４２によるモールドＭと基板Ｗとの相対位置（ＸＹ方向）の補正と、モールド補正部３０によるモールドＭの形状補正とを含みうる。

モールドＭのパターン凹部にインプリント材Ｒが充填され、モールドＭと基板Ｗとのアライメントが終了した後、硬化部１０によりインプリント材Ｒに光を照射して当該インプリント材Ｒを硬化させる（硬化工程）。そして、モールドＭと基板Ｗとをそれらの間隔が広がるようにＺ軸方向に相対駆動することにより、硬化したインプリント材ＲからモールドＭを剥離する（離型工程）。これにより、モールドＭの凹凸パターンが転写されたインプリント材Ｒの硬化物から成るパターンを対象ショット領域上に形成することができる。このようなインプリント処理は、基板Ｗにおける複数のショット領域の各々に対して行われる。

［計測部の構成］
次に、計測部７０の構成について説明する。図２は、計測部７０の構成例を示す概略図である。本実施形態の計測部７０は、検出部７１と、処理部７２と、変更部７３とを含みうる。なお、図２では、計測部７０の説明を容易にするため、単一方向における型マーク９１と基板マーク９２との相対位置を計測する例を示しており、図１で図示されたミラーＭＲを省略している。図２の例では、Ｘ軸方向を計測方向とする型マーク９１と基板マーク９２との相対位置を計測する例を示している。

型マーク９１および基板マーク９２は、それぞれ回折格子によって構成され、計測方向（Ｘ軸方向）における格子ピッチが互いに異なる。これにより、型マーク９１からの反射光（回折光）と基板マーク９２からの反射光（回折光）との干渉によって干渉縞（以下では、第１干渉縞と呼ぶことがある）を生成することができる。本実施形態の場合、型マーク９１は、Ｙ軸方向に伸びる複数のラインがＸ軸方向に配列されたラインアンドスペース状の回折格子によって構成される。基板マーク９２は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の各々に格子ピッチを有するチェッカーボード状の回折格子によって構成される。型マーク９１および基板マーク９２の一方をチェッカーボード状の回折格子で構成することにより、不要回折光が低減され、第１干渉縞のコントラストを向上させることができる。さらに、第１干渉縞の周期が短くなり、モールドＭと基板Ｗとの相対位置の変化に応じた干渉縞の位相変化の敏感度が向上するため、計測精度を向上させることができる。なお、干渉縞は、モアレ縞と呼ばれることもある。

検出部７１は、回折光学素子７１ｂを有し、回折光学素子７１ｂによって生成された回折光で型マーク９１および基板マーク９２を照明しながら、型マーク９１からの反射光と基板マーク９２からの反射光との干渉により生じる第１干渉縞を検出する。本実施形態の場合、検出部７１は、光源７１ａと、回折光学素子７１ｂと、第１レンズ７１ｃと、絞り７１ｄと、ビームスプリッタ７１ｅと、第２レンズ７１ｆと、第３レンズ７１ｇと、撮像素子７１ｈとを含みうる。検出部７１において、回折光学素子７１ｂ、第１レンズ７１ｃ、絞り７１ｄ、ビームスプリッタ７１ｅおよび第２レンズ７１ｆが照明光学系を構成し、第２レンズ７１ｆ、ビームスプリッタ７１ｅおよび第３レンズ７１ｇが結像光学系を構成する。また、撮像素子７１ｈは、光電変換素子であり、例えばＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサなどの２次元イメージセンサによって構成されうる。

光源７１ａから射出された光は、回折光学素子７１ｂに入射する。回折光学素子７１ｂは、計測方向（Ｘ軸方向）に伸びる複数のラインがＹ軸方向に配列されたラインアンドスペース状の回折格子パターンを有し、Ｙ軸方向に光を回折して、Ｙ軸方向に角度分布を有する回折光を生成する。回折光学素子７１ｂにより生成された回折光は、第１レンズ７１ｃを通過して絞り７１ｄに入射する。絞り７１ｄには、Ｙ軸方向（ＸＺ平面に含まれる方向）に角度分布を有する２つの光束を型マーク９１および基板マーク９２に斜入射させる二重極照明を実現するための２つの開口ＩＬ１～ＩＬ２を有する。絞り７１ｄの開口ＩＬ１～ＩＬ２を通過することにより生成された２つの光束は、ビームスプリッタ７１ｅおよび第２レンズ７１ｆを通過し、対向配置された型マーク９１および基板マーク９２に斜入射する。即ち、型マーク９１および基板マーク９２が、絞り７１ｄにより生成された２つの光束で二重極照明される。

型マーク９１で反射（回折）された光と基板マーク９２で反射（回折）された光とは、第２レンズ７１ｆを通過した後、ビームスプリッタ７１ｅで反射され、第３レンズ７１ｇを介して撮像素子７１ｈに入射する。そして、撮像素子７１ｈの受光面には、型マーク９１からの光と基板マーク９２からの光との干渉によって第１干渉縞が生成される。第１干渉縞の位相は、モールドＭと基板Ｗの相対位置がＸ軸方向に変化すると、それに応じて変化する。

処理部７２は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を有するコンピュータによって構成され、検出部７１（撮像素子７１ｈ）で検出された第１干渉縞に基づいて型マーク９１と基板マーク９２との相対位置を求める。このように処理部７２で求められた型マーク９１と基板マーク９２との相対位置の情報は制御部８０に送信され、当該相対位置に基づいて、制御部８０によりモールドＭと基板Ｗとのアライメントが制御される。ここで、本実施形態の処理部７２は、インプリント装置１００の制御部８０と別体として構成されているが、制御部８０と一体として構成されてもよい。

変更部７３は、型マーク９１および基板マーク９２に対する回折光学素子７１ｂの相対的な回転角度（以下では、相対回転角度と呼ぶことがある）を変更する。本実施形態の場合、変更部７３は、ωＺ方向（Ｚ軸周りの回転方向）に回折光学素子７１ｂを回転駆動する駆動部（アクチュエータ）を含み、当該駆動部により回折光学素子７１ｂをωＺ方向に回転駆動することで相対回転角度を変更するように構成されている。また、変更部７３は、型マーク９１および基板マーク９２を回転駆動することにより相対回転角度を変更するように構成されてもよい。この場合、モールドＭを回転駆動するモールド駆動部２２、および、基板Ｗを回転駆動する基板駆動部４２が、相対回転角度を変更する変更部７３として機能しうる。

ここで、図２の計測部７０は、Ｘ軸方向におけるモールドＭと基板Ｗとの相対位置を計測するための光学配置であり、回折光学素子７１ｂおよび絞り７１ｄにより生成された２つの光束で、Ｙ軸方向から型マーク９１および基板マーク９２を照明している。一方、Ｙ軸方向におけるモールドＭと基板Ｗとの相対位置を計測する場合には、回折光学素子７１ｂ、絞り７４ｂ、型マーク９１および基板マーク９２を、Ｚ軸を中心に９０度回転した光学配置となる。この場合、回折光学素子７１ｂおよび絞り７１ｄにより生成された２つの光束で、Ｙ軸方向を計測方向とする型マーク９１および基板マーク９２がＸ軸方向（ＸＺ平面に含まれる方向）から照明されることとなる。

また、本実施形態では、計測方向ごとに個別照明および個別検出を行っているが、個別照明を行わず、Ｙ軸方向とＸ軸方向とから同時に照明光を照射した場合（四重極照明）、次の問題が発生する。Ｘ軸方向のアライメント計測を行う場合、Ｙ軸方向のアライメント計測用の照明光により発生した不要光がＸ軸方向のアライメント計測光に混入し、計測精度が低下する要因となる。同様に、Ｙ軸方向のアライメント計測を行う場合、Ｘ軸方向のアライメント計測用の照明光により発生した不要光がＸ軸方向のアライメント計測光に混入し、計測精度が低下する要因となる。このような不要光を低減するため、上述した計測部７０の構成にすることで、計測方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）ごとに個別に効率よく型マーク９１および基板マーク９２を照明している。

［計測部での計測］
上記のように構成された計測部７０では、回折光学素子７１ｂがモールドＭおよび基板Ｗと共役な位置に配置されるため、回折光学素子７１ｂのパターンの像が型マーク９１上または基板マーク９２上に形成される。図３は、図２に示される型マーク９１および基板マーク９２の周辺をＹ軸方向から見た断面図である。図３に示されるように、回折光学素子７１ｂのパターンの結像面ＩＳは、型マーク９１および基板マーク９２の周辺（例えば、基板マーク９２上）に形成される。このように回折光学素子７１ｂのパターンの結像面ＩＳが、型マーク９１および基板マーク９２の周辺に形成される理由は、前述したように、回折光学素子７１ｂとモールドＭおよび基板Ｗとが共役関係だからである。それらを共役な位置に配置することにより、型マーク９１および基板マーク９２における照明領域を限定し、型マーク９１および基板マーク９２の周縁で発生するフレア光を低減することができる。

しかしながら、回折光学素子７１ｂをモールドＭおよび基板Ｗと共役な位置に配置すると、回折光学素子７１ｂのパターンの像が基板マーク９２上に形成されることにより、第１干渉縞と異なる干渉縞（第２干渉縞）が生成される。第２干渉縞は、回折光学素子７１ｂのパターンと基板マーク９２とによって生成される干渉縞として理解されてもよく、第１干渉縞と重なり合うように検出部７１（撮像素子７１ｈ）によって検出される。そのため、第２干渉縞の方向によっては、第２干渉縞が第１干渉縞に対してノイズ成分（エラー成分）として作用し、第１干渉縞に基づいて型マーク９１と基板マーク９２との相対位置を精度よく計測することが困難になりうる。

図４は、型マーク９１および基板マーク９２に対する回折光学素子７１ｂの相対的な回転角度（相対回転角度）が理想的な状態を示している。図４（ａ）は型マーク９１を示し、図４（ｂ）は、基板マーク９２上に形成される回折光学素子７１ｂのパターンの像ＩＭを示し、図４（ｃ）は、基板マーク９２を示している。型マーク９１と基板マーク９２とは、計測方向であるＸ軸方向における格子ピッチが互いに異なり、空気またはインプリント材を介して対向配置される。また、図４（ｄ）は、図４（ａ）～（ｃ）に示される型マーク９１と基板マーク９２と回折光学素子７１ｂのパターンの像との位置関係によって発生する理想的な干渉縞９６ａを示している。干渉縞９６ａは、第１干渉縞９７と第２干渉縞９８とが重なり合うことによって構成され、第１干渉縞９７の方向と第２干渉縞９８の方向とが直交している。なお、干渉縞の方向とは、干渉縞の明暗が繰り返される方向として定義されうる。

第１干渉縞９７は、型マーク９１からの光と基板マーク９２からの光との干渉によって生じる干渉縞であり、その明暗はＸ軸方向（計測方向）に繰り返されている。モールドＭと基板Ｗとの相対位置がＸ軸方向に変化すると、第１干渉縞９７の明暗はＸ軸方向に沿って変化する（位相が変化する）。この位相変化を検出することにより型マーク９１と基板マーク９２との相対位置が計測され、その計測結果に基づいてモールドＭと基板Ｗとのアライメントが行われる。また、第２干渉縞９８は、回折光学素子７１ｂのパターンの像が基板マーク９２上に形成されることにより生じる干渉縞である。第２干渉縞９８の方向は、図４（ｄ）に示されるように、第１干渉縞９７の方向に直交すること（即ち、第２干渉縞９８の方向がＹ軸方向であること）が理想的である。この場合、第２干渉縞９８が第１干渉縞９７に対してノイズ成分（エラー成分）として作用して計測誤差が生じることを低減することができる。即ち、第２干渉縞９８がＹ軸方向に変化しても、第１干渉縞９７による型マーク９１と基板マーク９２との相対位置の計測精度への影響は小さい。

一方、図５は、型マーク９１および基板マーク９２に対する回折光学素子７１ｂの相対的な回転角度（相対回転角度）が理想的な状態から変動した状態を示している。図５（ａ）は型マーク９１を示し、図５（ｂ）は、基板マーク９２上に形成される回折光学素子７１ｂのパターンの像ＩＭを示し、図５（ｃ）は、基板マーク９２を示している。この例では、型マーク９１および基板マーク９２に対する回折光学素子７１ｂの相対回転角度が理想的な状態から変動しており、それに応じて、図５（ｂ）に示されるように、基板マーク９２上に形成される回折光学素子７１ｂのパターンの像も変動している。相対回転角度が変動する要因としては、例えば、計測部７０が受ける振動、あるいは、熱による光学部品の膨張などの外乱が考えられる。また、図５（ｄ）は、図５（ａ）～（ｃ）に示される型マーク９１と基板マーク９２と回折光学素子７１ｂのパターンの像との位置関係によって発生する干渉縞９６ｂを示している。干渉縞９６ｂは、第１干渉縞９７と第２干渉縞９８とが重なり合うことによって構成され、第２干渉縞の方向が第１干渉縞９７の方向に対して傾いている。

図５（ｄ）に示される干渉縞９６ｂでは、第２干渉縞９８におけるＸ軸方向の成分が、第１干渉縞９７に対してノイズ成分（エラー成分）として作用してしまう。その結果、第１干渉縞９７に基づいて型マーク９１と基板マーク９２との相対位置を精度よく計測することが困難になりうる。第２干渉縞９８は、回折光学素子７１ｂを用いている場合には必然的に発生するものである。そのため、第１干渉縞９７に基づいて型マーク９１と基板マーク９２との相対位置を精度よく計測するには、第２干渉縞９８においてノイズ成分として作用するＸ軸方向の成分を低減するとよい。即ち、第１干渉縞９７の方向と第２干渉縞９８とを直交させるとよい。

そこで、本実施形態の計測部７０は、型マーク９１および基板マーク９２に対する回折光学素子７１ｂの相対回転角度を変更する変更部７３を含む。そして、変更部７３により相対回転角度を変更することで第１干渉縞９７の方向と第２干渉縞９８の方向との直交度を補正し、直交度を補正した状態で検出部７１で検出された第１干渉縞９７に基づいて型マーク９１と基板マーク９２との相対位置を求める。これにより、検出部７１で検出される第２干渉縞９８においてノイズ成分として作用する方向成分を低減し、検出部７１で検出された第１干渉縞９７に基づいて型マーク９１と基板マーク９２との相対位置を精度よく求めることができる。

［直交度の補正方法］
次に、第１干渉縞９７の方向と第２干渉縞９８の方向との直交度を補正する方法について説明する。本実施形態では、型マーク９１および基板マーク９２の代わりに基準マーク９３を用いて、第１干渉縞９７の方向と第２干渉縞９８の方向との直交度を補正する例を説明する。

図６は、図１を用いて前述したインプリント装置１００においてモールドＭおよび基板Ｗが搬送（搭載）される前の状態であり、基準マーク９３を計測部７０（検出部７１）により検出している状態を示している。基準マーク９３は、基板保持部４０に設けられた基準部材４３（基準マーク台）に形成されている。図６に示されるインプリント装置１００の構成は、図１に示されるインプリント装置１００の構成と同じである。

図７は、計測部７０の検出部７１により、基準マーク９３を照明しながら、回折光学素子７１ｂのパターンの像が基準マーク上に形成されることにより生じる干渉縞（以下では、第３干渉縞と呼ぶことがある）を検出している状態を示している。図７に示される計測部７０の構成は、図２に示される計測部７０の構成と同じである。基準マーク９３は、回折光学素子７１ｂと同様に、Ｘ軸方向に伸びる複数のラインがＹ軸方向に配列されたラインアンドスペース状の回折格子によって構成されるが、Ｙ軸方向における格子ピッチが回折光学素子７１ｂと異なる。また、基準マーク９３は、その回折格子の方向（ラインアンドスペースの繰り返しの方向）が、型マーク９１における回折格子の方向（ラインアンドスペースの繰り返しの方向）と直交するように配置されるとよい。これにより、回折光学素子７１ｂのパターンの像が基準マーク上に形成されることで、干渉縞の方向が第２干渉縞９８と同様になる第３干渉縞を生成することができる。

図８は、基準マーク９３上に形成された回折光学素子７１ｂのパターンの像ＩＭの方向（明暗の方向）が、基準マーク９３の回折格子の方向（ラインアンドスペースの繰り返しの方向）に対して回転ずれを起こしている状態を示している。図８（ａ）は、基準マーク９３上に形成される回折光学素子７１ｂのパターンの像ＩＭを示し、図８（ｂ）は、検出部７１（撮像素子７１ｈ）で検出される第３干渉縞９９を示している。図８の状態では、回折光学素子７１ｂのパターンの像ＩＭの回転ずれにより、第３干渉縞９９の方向が、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に対して傾いており、目標方向からずれている。目標方向は、基準マーク９３における回折格子の方向、即ち、検出部７１で検出されるべき第１干渉縞９７の（計測方向）に垂直な方向に設定され、図８ではＹ軸方向である。したがって、処理部７２は、第３干渉縞９９の方向と目標方向との角度差を、第１干渉縞９７の方向と第２干渉縞９８の方向との直交度を補正するための相対回転角度の変更量として決定することができる。

図９は、第３干渉縞９９の方向と目標方向との角度差が低減するように、変更部７３により相対回転角度を変更した状態を示している。図９（ａ）は、基準マーク９３上に形成される回折光学素子７１ｂのパターンの像ＩＭを示し、図９（ｂ）は、検出部７１（撮像素子７１ｈ）で検出される第３干渉縞９９を示している。変更部７３により相対回転角度を変更して第３干渉縞９９の方向と目標方向との角度差を低減させると、モールドＭおよび基板Ｗがインプリント装置１００に搭載された際に検出部７１で検出される第１干渉縞９７と第２干渉縞９８とを直交させることができる。

図１０は、第１干渉縞９７の方向と第２干渉縞９８の方向との直交度を補正する方法を示すフローチャートである。図１０のフローチャートの各工程は、計測部７０の処理部７２によって実行されうる。

ステップＳ１１では、処理部７２は、回折光学素子７１ｂのパターンの像ＩＭが基準マーク９３上に形成されることにより生じる第３干渉縞９９を検出部７１（撮像素子７１ｈ）に検出させる。そして、検出部７１で得られた第３干渉縞９９の画像に基づいて、第３干渉縞９９の方向と目標方向との角度差を求める。次いで、ステップＳ１２では、処理部７２は、ステップＳ１１（またはステップＳ１３）で求めた角度差に基づいて、直交度を補正するための回折光学素子７１ｂの回転角度の変更量を決定する。そして、決定した変更量だけ、変更部７３に回折光学素子７１ｂの回転角度を変更させる。

ステップＳ１３では、処理部７２は、第３干渉縞９９を検出部７１（撮像素子７１ｈ）に検出させ、検出部７１で得られた第３干渉縞９９の画像に基づいて、第３干渉縞９９の方向と目標方向との角度差を求める。次いで、ステップＳ１４では、処理部７２は、ステップＳ１３で求めた角度差が許容範囲内か否かを判断する。当該角度差は、モールドＭおよび基板Ｗがインプリント装置１００に搭載された際に検出部７１で検出される第１干渉縞９７と第２干渉縞９８との直交度に関連し、角度差の許容範囲は、直交度の許容範囲に相当するものとして理解されてもよい。直交度の許容範囲は、型マーク９１と基板マーク９２との相対位置の計測精度に応じて実験やシミュレーション等によって事前に設定されうる。角度差が許容範囲内でない場合にはステップＳ１２に進み、角度差が許容範囲内である場合には終了する。

ここで、ステップＳ１１およびＳ１３において、検出部７１で得られた第３干渉縞９９の画像に基づいて第３干渉縞９９の方向と目標方向との角度差を求める算出方法の一例を説明する。角度差の算出は、検出部７１で得られた第３干渉縞９９の画像に対して以下の画像処理を行うことにより行われうる。

（工程Ａ１）検出部７１（撮像素子７１ｈ）で得られた第３干渉縞９９の画像データにおいて、第３干渉縞９９における少なくとも１本の暗い部分（または１本の明るい部分）に着目する。

（工程Ａ２）着目した第３干渉縞９９の暗い部分（または明るい部分）が連続的に続く方向と、検出部７１の撮像素子７１ｈを形成しているピクセルの配列方向（例えばＸ軸方向）とが成す角度を求める。例えば、画像データ上の第３干渉縞９９の暗い部分（または明るい部分）の少なくとも２点の座標値に基づいて、当該角度を計算することができる。

（工程Ａ３）計測方向と撮像素子７１ｈを形成しているピクセルの配列方向（例えばＸ軸方向）とは、事前の装置調整工程で一致させている、または、それらの成す角度が把握されている。そのため、上記の工程Ａ２での計算結果に基づいて、第３干渉縞９９の暗い部分（または明るい部分）が連続的に続く方向と計測方向と成す角度が得られ、第３干渉縞９９の方向と目標方向との角度差を求めることができる。

上述したように、本実施形態の計測部７０は、検出部７１で検出される第１干渉縞９７の方向と第２干渉縞９８の方向とが互いに直交するように変更部７３により相対回転角を変更する。これにより、検出部７１で検出される第２干渉縞９８においてノイズ成分として作用する方向成分を低減し、検出部７１で検出された第１干渉縞９７に基づいて型マーク９１と基板マーク９２との相対位置を精度よく求めることができる。

＜第２実施形態＞
本発明に係る第２実施形態について説明する。第１実施形態では、型マーク９１および基板マーク９２の代わりに基準マーク９３を用いて、第１干渉縞９７の方向と第２干渉縞９８の方向との直交度を補正する例を説明した。第２実施形態では、検出部７１による第１干渉縞９７および第２干渉縞９８の検出で得られる画像に基づいて、第１干渉縞９７の方向と第２干渉縞９８の方向との直交度を補正する例を説明する。なお、本実施形態は、第１実施形態を基本的に引き継ぐものであり、以下で説明する事項以外については第１実施形態で説明したとおりである。

図５（ｄ）は、検出部７１（撮像素子７１ｈ）で第１干渉縞９７および第２干渉縞９８を検出することにより得られる画像を示している。図５（ｄ）に示される画像の干渉縞９６ｂは、第１干渉縞９７と第２干渉縞９８とが重なり合うことによって構成され、第１干渉縞９７の方向と第２干渉縞９８の方向とが角度θで交差している。

ここで、第２実施形態では、基板保持部４０の移動方向（例えばＸ軸方向）と基板Ｗにおける複数のショット領域の配列方向（例えばＸ軸方向）とが成す角度θｗの調整、いわゆるプリアライメントが既に行われている状態である。プリアライメントは、図１１（ａ）に示されるように、基板Ｗ上の左右に配置されたプリアライメントマークＰＭ１、ＰＭ２を用いて行われる。プリアライメントの流れは以下の通りである。

（工程Ｂ１）図１１（ｂ）に示されるように、観察部６０の視野内にプリアライメントマークＰＭ１が収まるように基板保持部４０を移動させ、観察部６０にプリアライメントマークＰＭ１の画像を取得させる。

（工程Ｂ２）工程Ｂ１で取得された画像に基づいて、プリアライメントマークＰＭ１の位置を、観察部６０が有する撮像素子（不図示）の装置座標を基準に（ｘｌ、ｙｌ）として算出する。

（工程Ｂ３）図１１（ｃ）に示されるように、観察部６０の視野内にプリアライメントマークＰＭ２が収まるように基板保持部４０を移動させ、観察部６０にプリアライメントマークＰＭ２の画像を取得させる。

（工程Ｂ４）工程Ｂ３で取得された画像に基づいて、プリアライメントマークＰＭ２の位置を、観察部６０が有する撮像素子（不図示）の装置座標を基準に（ｘｒ、ｙｒ）として算出する。

（工程Ｂ５）工程Ｂ１を行ってから工程Ｂ３に移行する際の基板保持部４０のＸ軸方向への移動量Ｌと、ｙｌ、ｙｒの値から、以下の式１により角度θｗを求める。
θｗ＝（ｙｌ－ｙｒ）／Ｌ （式１）

（工程Ｂ６）角度θｗが許容範囲内であるか否かを判断する。角度θｗが許容範囲内である場合にプリアライメントを終了する。角度θｗが許容範囲外であれば、基板ＷをＺ軸を中心に回転させて角度θｗが許容範囲内になるように調整を行う。

図１２は、第１干渉縞９７の方向と第２干渉縞９８の方向との直交度を補正する方法を示すフローチャートである。図１２のフローチャートの各工程は、計測部７０の処理部７２によって実行されうる。

ステップＳ２１では、処理部７２は、第１干渉縞９７および第２干渉縞９８を検出部７１（撮像素子７１ｈ）に検出させる。そして、検出部７１で得られた第１干渉縞９７および第２干渉縞９８の画像に基づいて、第１干渉縞９７の方向と第２干渉縞９８の方向との角度差を求める。次いで、ステップＳ２２では、処理部７２は、ステップＳ２１（またはステップＳ２３）で求めた角度差に基づいて、直交度を補正するための回折光学素子７１ｂの回転角度の変更量を決定する。そして、決定した変更量だけ、変更部７３に回折光学素子７１ｂの回転角度を変更させる。

ステップＳ２３では、処理部７２は、第１干渉縞９７および第２干渉縞９８を検出部７１（撮像素子７１ｈ）に検出させ、それにより得られた画像に基づいて、第１干渉縞９７の方向と第２干渉縞９８の方向との角度差を求める。次いで、ステップＳ２４では、処理部７２は、ステップＳ２３で求めた角度差が許容範囲内か否かを判断する。当該角度差は、モールドＭおよび基板Ｗがインプリント装置１００に搭載された際に検出部７１で検出される第１干渉縞９７と第２干渉縞９８との直交度に関連し、角度差の許容範囲は、直交度の許容範囲に相当するものとして理解されてもよい。直交度の許容範囲は、型マーク９１と基板マーク９２との相対位置の計測精度に応じて実験やシミュレーション等によって事前に設定されうる。角度差が許容範囲内でない場合にはステップＳ２２に進み、角度差が許容範囲内である場合には終了する。

本実施形態では、検出部７１で得られた第１干渉縞９１および第２干渉縞９２の画像に基づいて、第１干渉縞９７の方向と第２干渉縞９８の方向とが互いに直交するように変更部７３により相対回転角を変更する。これにより、第１実施形態と同様に、検出部７１で検出される第２干渉縞９８においてノイズ成分として作用する方向成分を低減し、検出部７１で検出された第１干渉縞９７に基づいて型マーク９１と基板マーク９２との相対位置を精度よく求めることができる。

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、上記のリソグラフィ装置（インプリント装置）を用いて基板上にパターンを形成する形成工程と、形成工程でパターンが形成された基板を加工する加工工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

リソグラフィ装置としてインプリント装置が用いられ場合、インプリント装置によって成形される硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１３（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウェハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図１３（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１３（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギとして光を型４ｚを通して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

図１３（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図１３（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１３（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１０：硬化部、２０：モールド保持部、３０：モールド補正部、４０：基板保持部、５０：供給部、６０：観察部、７０：計測部、７１：検出部、７２：処理部、７３：変更部、８０：制御部、１００：インプリント装置

Claims (11)

1. 第１部材に設けられた第１マークと第２部材に設けられた第２マークとの相対位置を計測する計測装置であって、
   回折光学素子を有し、前記回折光学素子によって生成された回折光で前記第１マークおよび前記第２マークを照明しながら、前記第１マークからの光と前記第２マークからの光との干渉により生じる第１干渉縞を検出する検出部と、
   前記検出部での検出結果に基づいて前記相対位置を求める処理部と、
   前記第１マークおよび前記第２マークに対する前記回折光学素子の相対的な回転角度を変更する変更部と、
   を備え、
   前記検出部では、前記回折光学素子のパターンの像が前記第２マーク上に形成されることにより生じる第２干渉縞が、前記第１干渉縞に重なり合うように検出され、
   前記処理部は、前記変更部により前記回転角度を変更することで前記第１干渉縞の方向と前記第２干渉縞の方向との直交度を補正し、前記直交度を補正した状態において前記検出部で検出された前記第１干渉縞に基づいて前記相対位置を求める、ことを特徴とする計測装置。
2. 前記第１マークは、ラインアンドスペース状の回折格子によって構成され、
   前記第２マークは、チェッカーボード状の回折格子によって構成され、
   前記回折光学素子のパターンは、ラインアンドスペース状の回折格子によって構成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の計測装置。
3. 前記変更部は、前記回折光学素子を回転駆動することにより前記回転角度を変更する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の計測装置。
4. 前記変更部は、前記第１マークおよび前記第２マークの各々を回転駆動することにより前記回転角度を変更する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の計測装置。
5. 前記処理部は、前記検出部による前記第１干渉縞および前記第２干渉縞の検出で得られる画像に基づいて、前記直交度を補正するための前記回転角度の変更量を決定する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の計測装置。
6. 前記処理部は、
   前記第１マークおよび前記第２マークの代わりに配置された基準マークを前記回折光で照明しながら、前記回折光学素子のパターンの像が前記基準マーク上に形成されることにより生じる第３干渉縞を前記検出部に検出させ、
   前記検出部による前記第３干渉縞の検出で得られる画像に基づいて、前記直交度を補正するための前記回転角度の変更量を決定する、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の計測装置。
7. 前記処理部は、前記検出部で検出される前記第３干渉縞の方向が目標方向になるように前記回転角度の変更量を決定し、
   前記目標方向は、前記検出部で検出されるべき前記第１干渉縞の方向に垂直な方向である、ことを特徴とする請求項６に記載の計測装置。
8. 前記基準マークは、ラインアンドスペース状の回折格子によって構成されている、ことを特徴とする請求項６又は７に記載の計測装置。
9. 原版のパターンを基板上に転写するリソグラフィ装置であって、
   第１部材に設けられた第１マークと第２部材に設けられた第２マークとの相対位置を計測する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の計測装置と、
   前記計測装置での計測結果に基づいて前記原版と前記基板とのアライメントを制御する制御部と、
   を備え、
   前記第１部材は前記原版および前記基板の一方であり、前記第２部材は前記原版および前記基板の他方である、ことを特徴とするリソグラフィ装置。
10. 請求項９に記載のリソグラフィ装置を用いて基板上にパターンを形成する形成工程と、
    前記形成工程でパターンが形成された前記基板を加工する加工工程と、を含み、
    前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
11. 第１部材に設けられた第１マークと第２部材に設けられた第２マークとの相対位置を計測する計測方法であって、
    回折光学素子によって生成された回折光で前記第１マークおよび前記第２マークを照明しながら、前記第１マークからの光と前記第２マークからの光との干渉により生じる第１干渉縞を検出する検出工程と、
    前記検出工程で検出された前記第１干渉縞に基づいて前記相対位置を求める処理工程と、
    を含み、
    前記検出工程では、前記回折光学素子のパターンの像が前記第２マーク上に形成されることにより生じる第２干渉縞が、前記第１干渉縞に重なり合うように検出され、
    前記処理工程では、前記第１マークおよび前記第２マークに対する前記回折光学素子の相対的な回転角度を変更することにより前記第１干渉縞の方向と前記第２干渉縞の方向との直交度を補正し、前記直交度を補正した状態において前記検出工程で検出された前記第１干渉縞に基づいて前記相対位置を求める、ことを特徴とする計測方法。

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