CN1702558A - 光刻装置和器件制造方法 - Google Patents

Abstract

一种光刻装置，包括：用于提供辐射投影光束的辐射系统；用于支撑图案成形装置的第一支撑结构，该图案成形装置用于使投影光束根据所需的图案来形成图案；用于支撑衬底的第二支撑结构；以及投影系统，其用于将已形成图案的光束投影到衬底的目标部分上；至少一个气体发生结构，其用于在投影系统和衬底的目标之间延伸的体积中产生经调节的气流。所述气体发生结构设置成可产生气流，其被引向大致位于投影系统下表面之上的上方体积。该结构还包括导向件，其用于将所述气流引导到大致定位在所述投影系统下表面之下的下方体积中。

Description

光刻装置和器件制造方法

技术领域

本发明涉及一种光刻装置。

背景技术

光刻装置是可在衬底的目标部分上施加所需图案的机器。光刻装置例如可用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可采用图案形成装置如掩模来产生与IC的单个层相对应的电路图案，该图案可被成像到具有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的衬底(如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个管芯)上。通常来说，单个衬底包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性地曝光在目标部分上来照射各目标部分，还包括所谓的扫描器，其中通过沿给定方向(“扫描”方向)由投影光束来扫描图案并以平行于或反向平行于此方向的方向同步地扫描衬底来照射各目标部分。

在为了在光刻系统中得到较小成像尺寸下的更高分辨率的现行研究工作中，使用了具有比0.8大得多的数值孔径的投影系统。这些系统趋向于非常庞大和且尺寸很宽，尤其是在系统中的下表面的附近，其中辐射(光)从该下表面处离开投影系统而照亮衬底。此外，这些高数值孔径具有通常非常小(仅几个毫米)的工作距离，这导致投影系统要被放置成非常接近于晶片表面。结果，在实际安装中，对于在投影系统下表面与衬底之间的区域内工作的装置来说只能提供很少的空间。要在上述区域内工作的这些装置中的一种是空气簇射系统，其用来调节该区域内的“空气”(其通常是气体的非常精细调节的成分)。其中，这种调节对于形成稳定的气体环境来说是必要的，这样便使干涉测量光束不会受到折射率波动的影响。这对得到衬底相对投影系统的位置的可靠的(亚)纳米级测量来说也是必要的，这样便可在衬底的预定位置处可靠地对图案成像。

然而，体积庞大的投影系统和接近的工作距离的上述研制工作使得很难以能充分地到达整个这一区域的方式来定位空气簇射系统。特别是，由于工作距离较小和投影系统较大，因此实际上没有足够的空间来以气流能充分地调节位于机器装置的下平面之下和晶片台之上的体积的方式放置空气簇射系统。通常来说，该下平面可由投影系统的最下平面形成，该最下平面可以是下方透镜的出射面。或者，该平面可由用来确定待照亮衬底的Z向高度的Z镜来形成。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种光刻系统，其中空气簇射系统可以更好地到达投影系统下方的区域。为此，本发明提供了一种光刻系统，包括：用于提供辐射投影光束的辐射系统；用于支撑图案成形装置的第一支撑结构，该图案成形装置用于使投影光束根据所需的图案来形成图案；用于支撑衬底的第二支撑结构；投影系统，其用于将已形成图案的光束投影到衬底的目标部分上，并且包括限定了到衬底的工作距离的下表面；以及至少一个气体发生结构，其用于在下表面和衬底之间延伸的体积中产生经调节的气流。根据本发明，导向件在所述投影系统下方的体积中在沿着所述投影系统下表面的方向上引导空气，从而优化投影系统下表面之下的气流，同时可以将空气簇射系统至少部分地大致定位在投影系统下表面之上。

所述导向件优选包括定向成大致正交于气流入射方向的导向面。另外，所述导向件优选将气流从由所述上方体积至所述下方体积的大致向下方向引导到大致平行于投影系统的所述下表面的方向上。这样，在投影系统的一旁向下流动的空气流可以到达投影系统正下方的体积中。

在一个实施例中，所述上方体积被包围了所述投影系统的外壳分开，其中所述导向件是包围了所述投影系统的外壳中的一个切口部分，用于沿着所述切口部分将空气流朝向所述下方体积引导。因此，通过这种方式，借助于这些切口部分，提供了大致穿过投影系统的下方部分的气流通道。特别是，所述切口部分可包括延伸到所述投影系统的大致平坦下表面中的大致向下定向的斜面。应当注意的是，这些切口部分还带来了其它的优点，这是因为它使投影系统的外表面离空气流有一段距离。这样，空气受投影系统的表面温度的影响较小，该温度与空气流的调节温度稍有不同。

在另一实施例中，所述导向件可以是偏转面板，其设置成可使空气流朝向下方体积偏转。这里，所述偏转面板优选成形为可提供第一向下流动方向，以及大致平行于投影系统下表面以便按照Coanda效应来使空气流偏转的第二流动方向。这一效应由Henri-Marie Coanda在1930年发现，他们观察到源于喷嘴的空气流(或其它流体)趋向于随从附近的弯曲表面，尤其是该表面的曲率或表面的角度使得气流倾斜时。

在一个实用的实施例中，所述面板相邻于形成了投影系统下表面的Z镜。另外，所述面板可包括具有抽吸机构的抽吸开口，以便将空气流拉成大致水平的流动。这种抽吸可支持Coanda效应，将气流“拉向”面板弯曲处的附近。另外，所述面板优选包括凹槽，其用于在所述凹槽中引导干涉测量光束。

在另一些实用的实施例中，用于产生所述经调节气流的结构(也简称为“空气簇射器”)包括第二导向件，其设置在气流中以便局部地偏转该气流，以便得到分开的气流，该气流部分地引向所述上方体积，部分地引向所述下方体积。所述分开气流中的气流速度可以不同。特别是，被引向所述投影系统的所述体积的一部分所述气流可具有比被引向所述下方体积的另一部分所述气流更高的速度。在这种结构中，高速气流更容易地渗透到投影系统下表面的正下方的体积中。因此，速度分布引发了压力分布的变化，这可通过对流来提供导向作用，使得更多速度向下的气流的方向也被定向成更多地平行于投影系统的下表面。

第二导向件可由设于气流中的多个板条(slat)来形成。

为了最佳地用于投影系统附近的实际配置中，所述面板可包括在从投影系统的中心看去时定向成大致径向的第一径向形状，以及定向成大致部分地围绕着所述投影系统的第二切向形状，其中，所述气体发生结构设置成可提供大致正交于所述面板结构的气流。

所述导向件优选与携带有所述投影系统的大型框架(metro frame)物理性相连；其中，所述气体发生结构与从所述大型框架上机械式分离的基底框架相连。

虽然在本文中将具体地参考IC制造中的光刻装置的使用，然而应当理解，这里所介绍的光刻装置还具有其它应用，例如集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域的技术人员可以理解，在这种替代性应用的上下文中，用语“晶片”或“管芯”在这里的任何使用分别被视为与更通用的用语“衬底”或“目标区域”具有相同的含义。这里所指的衬底可在曝光前或曝光后例如在轨道(一种通常在衬底上施加抗蚀层并对暴露出来的抗蚀层进行显影的工具)或度量或检查工具中进行加工。在适当之处，本公开可应用于这些和其它衬底加工工具中。另外，衬底可被不止一次地加工，例如以形成多层IC，因此，这里所用的用语“衬底”也可指已经包含有多层已加工的层的衬底。

这里所用的用语“辐射”和“光束”用于包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如波长为365，248，193，157或126纳米)和远紫外线(EUV)辐射(例如具有5-20纳米范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。

这里所用的用语“图案形成装置”应被广义地解释为可用于使投影光束的横截面具有一定的图案以便在衬底的目标部分中形成图案的装置。应当注意的是，施加于投影光束中的图案可以不精确地对应于衬底目标部分中的所需图案。一般来说，施加于投影光束中的图案将对应于待形成在目标部分内的器件如集成电路中的特定功能层。

图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的例子包括掩模、可编程的镜阵列和可编程的LCD面板。掩模在光刻领域中是众所周知的，其包括例如二元型、交变相移型和衰减相移型等掩模类型，还包括各种混合式掩模类型。可编程的镜阵列的一个例子采用微型镜的矩阵设置，各镜子可单独地倾斜以沿不同方向反射所入射的辐射光束；这样，反射光束就形成了图案。在图案形成装置的各例子中，支撑结构例如可为框架或台，其可根据要求为固定的或可动的，并可保证图案形成装置可例如相对于投影系统处于所需的位置。用语“分划板”或“掩模”在本文中的任何使用可被视为与更通用的用语“图案形成装置”具有相同的含义。

这里所用的用语“投影系统”应被广义地理解为包括各种类型的投影系统，包括折射光学系统、反射光学系统和反射折射光学系统，这例如应根据所用的曝光辐射或其它因素如使用浸液或使用真空来适当地确定。用语“透镜”在本文中的任何使用均应被视为与更通用的用语“投影系统”具有相同的含义。特别是，投影系统可包括多个部分堆叠的光学元件，这些元件可以是透射式(透镜)的反射式(反射镜)的。通常来说，投影系统构造成使得辐射离开投影系统，穿过形成了投影系统的下表面的最下方光学元件。更具体地说，投影系统的下表面由位于衬底的扫描区域之上的最下表面形成。在多种结构中，该最下表面可由Z镜形成，其用来控制支撑了衬底的支撑结构的Z向位置。

照明系统也可包括用于对辐射投影光束进行引导、成形或控制的任何类型的光学元件，包括折射、反射和反射折射的光学元件，这些元件在下文中统称或单独地称为“透镜”。

光刻装置可以是具有两个(双级)或多个衬底台(和/或两个或多个掩模台)的那种类型。在这种“多级”式机器中，附加的台可以并联地使用，或者可在一个或多个台上进行预备步骤而将一个或多个其它的台用于曝光。

光刻装置也可以是这样的类型，其中衬底被浸入在具有较高折射率的液体如水中，从而填充了投影系统的最后元件和衬底之间的空间。浸液也可施加到光刻装置的其它空间内，例如掩模和投影系统的第一元件之间。浸没技术在本领域中是众所周知的，其用于增大投影系统的数值孔径。

附图说明

下面将仅通过示例的方式并参考示意性附图来介绍本发明的实施例，在附图中对应的标号表示对应的部分，其中：

图1显示了根据本发明的一个实施例的光刻装置；

图2显示了第一实施例，其中示出了根据本发明的导向件；

图3显示了一个实施例的平面图，其中示出了从下看去的投影系统；

图4示意性地显示了图3所示装置沿线X-X看去的剖视图；

图5显示了根据图4所示装置的最佳方式的模拟；

图6显示了在没有导向件时气流的示意性图示；

图7显示了在存在导向件时气流的示意性图示；

图8显示了本发明的另一实施例；和

图9显示了根据本发明的另外一个实施例。

具体实施方式

图1示意性地显示了根据本发明的一个特定实施例的光刻装置。该装置包括：

-用于提供辐射(例如UV辐射或EUV辐射)的投影光束PB的照明系统(照明器)IL；

-用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA的第一支撑结构(例如掩模台)MT，其与用于将图案形成装置相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM相连；

-用于固定衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W的衬底台(例如晶片台)WT，其与用于将衬底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW相连；和

-用于在衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上对由图案形成装置MA施加给投影光束PB的图案进行成像的投影系统(例如反射型投影透镜)PL。

如这里所述，此装置为透射型(例如采用了透射掩模)。或者，此装置也可以是反射型(例如采用了上述类型的可编程镜阵列)。

照明器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。辐射源和光刻装置可以是单独的实体，例如在辐射源为准分子激光器时。在这种情况下，辐射源不应被视为形成了光刻装置的一部分，辐射光束借助于光束传送系统BD从源SO传递到照明器IL中，光束传送系统BD例如包括适当的引导镜和/或光束扩展器。在其它情况下，该源可以是装置的一个整体部分，例如在该源为水银灯时。源SO和照明器IL和光束传送系统BD一起(如果需要的话)可称为辐射系统。

照明器IL可包括调节装置AM，用于调节光束的角强度分布。通常来说，至少可以调节照明器的光瞳面内的强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，照明器IL通常包括各种器件，例如积分器IN和聚光器CO。照明器提供了经调节的辐射光束，其称为投影光束PB，并在其横截面上具有所需的均匀性和强度分布。

投影光束PB入射在固定于掩模台MT上的掩模MA上。在穿过掩模MA后，投影光束PB通过透镜PL，透镜PL将光束聚焦在衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉测量仪)，衬底台WT可精确地移动，以便例如将不同的目标部分C定位在光束PB的路径中。类似地，可用第一定位装置PM和另一位置传感器(在图1中未明确示出)来相对于光束PB的路径对掩模MA进行精确的定位，例如在将掩模MA从掩模库中机械式地重新取出之后或者在扫描过程中。通常来说，借助于形成为定位装置PM和PW的一部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可实现载物台MT和WT的运动。然而，在采用分档器的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可只与短行程致动器相连，或被固定住。掩模MA和衬底W可采用掩模对准标记M1，M2和衬底对准标记P1，P2来对准。

所述装置可用于下述优选模式中：

1.在步进模式中，掩模台MT和衬底台WT基本上保持静止，而施加到投影光束上的整个图案被一次性投影到目标部分C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动衬底台WT，使得不同的目标部分C被曝光。在步进模式中，曝光区域的最大尺寸限制了在单次静态曝光中所成像的目标部分C的大小。

2.在扫描模式中，掩模台MT和衬底台WT被同步地扫描，同时施加到投影光束上的图案被投影到目标部分C上(即单次动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向由投影系统PL的放大(缩小)和图像倒转特性来确定。在扫描模式中，曝光区域的最大尺寸限制了单次动态曝光中的目标部分的宽度(非扫描方向上)，而扫描运动的长度决定了目标部分的高度(扫描方向上)。

3.在另一模式中，掩模台MT基本上保持固定并夹持了可编程的图案形成装置，而衬底台WT在施加到投影光束上的图案被投影到目标部分C上时产生运动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，可编程的图案形成装置根据需要在衬底台WT的各次运动之后或在扫描期间的两次连续辐射脉冲之间进行更新。这种操作模式可容易地应用于采用了可编程的图案形成装置、例如上述类型的可编程的镜阵列的无掩模式光刻技术。

还可以采用上述使用模式的组合和/或变型，或者采用完全不同的使用模式。

来看图2，图中示意性示出了本发明的工作原理。在图2中，投影系统1显示为处于衬底3上方的工作距离2处。投影系统1通常包括多个部分堆叠的光学元件(未示出)，这些元件可以是透射型(透镜)或反射型(反射镜)。通常来说，投影系统1构造成使得辐射经由最下方光学元件从投影系统中射出，该最下方光学元件形成了投影系统1的下表面4。更具体地说，投影系统1的下表面4由存在于衬底3的扫描区域之上的最下表面形成。在多种构造中，该最下表面由Z镜形成，Z镜将参考图3进一步介绍，其用来控制衬底3的Z向位置。在该实施例中，本发明利用Coanda效应来沿着导向件8的曲面引导从气体发生结构7的喷嘴6发出的气流5，气体发生结构7简称为空气簇射器。这样，导向件8在从大致向下方向到大致平行于投影系统1的所述下表面4的方向上将气流5S引导到大致位于所述投影系统1的下表面4之下的下方体积中。虽然图2显示出气流最初在导向件8一旁被引导，然而如参考图7所示，气流5S可在与导向面形成一定角度并且与下表面4大致成水平的情况下被引导，或者稍呈一定的角度，被导向件沿大致向下的方向向下偏转。

图3显示了当从下看去时处于投影系统1之下的装置的平面图。投影系统1显示为大致圆形的外壳9，其封闭了多个堆叠透镜(未示出)，其中在包围了所述投影系统的外壳中设有切口部分10，用于引导气流沿着所述切口部分进入到位于投影系统1下方的大致中央位置处的体积内。这些切口部分10将参见图9来进一步介绍。此外，图3显示了用来将空气引导到沿着投影系统1下表面的方向上的另一导向件，该导向件的形式为偏转面板8，并定位成可使空气流朝向下方体积偏转。该面板的功能已经参考图1进行了说明。大致沿着装置的中心线设置了Z镜11。Z镜11的功能是形成用于确定衬底3的Z向位置(高度)的基准框架。在所示实施例中，以平行于Z镜11并在其下方(因此在图3中处于Z镜之前)的方式从干涉测量单元13中发出干涉基准光束12，用于确定支撑了衬底的台(未示出)的X向和/或Y向位置。通常来说，出于控制气体折射率的原因，需要被调节的体积形成为沿着干涉光束12的路径，并包围了该路径。因此可以看到，由于相对于衬底的位置较低，因此处于投影系统中央的体积(由虚线示出)很难被调节，这是因为其处于离空气簇射器7最远的位置。为了能够得到处于投影系统1下方的中央部分，空气簇射器通常具有两部分主要方向的气体输出：基本上垂直于Z镜11的第一方向Q，以及定向成从投影系统1的周边沿大致径向朝向投影系统1的中心的第二方向R。为了将气流朝向这些方向引导，在从投影系统1的中心看去时，面板8的第一部分8a沿着Z镜大致径向地对齐，而第二部分8b定位成以切向的形式大致部分地围绕着所述投影系统1。另外，空气簇射器7设置成提供了在一定角度下指向所述面板结构8的气流(Q，R)。

图4示意性地显示了沿线X-X看去的图3所示装置的剖视图。从图4中可以清楚，导向面板8邻近于形成了投影系统下表面的Z镜。通过使用导向面板8，气流便保持与面板8的导向面接触，并且能够到达Z镜下方的区域14，尤其是其中干涉光束的温度和密度均保持稳定的位于与面板8相对的区域。箭头Y表示抽吸口，其包含有将空气流拉成大致水平的流动的抽吸装置。这种抽吸具有可支持Coanda效应的另外的导向效应。

在图5中以剖视图显示了α＝68°时的最佳方式的模拟。气流的更轻部分15显示出具有更高的速度。在这种设置中，气流很好地围绕着偏转器8形成曲线，并且不受干扰地到达相关区域14。

图6和图7组合起来显示了在设置(图6)或未设置(图7)偏转器8的状态下的效果。如图6所示，空气簇射器7的出16朝向位于Z镜11下表面之上的投影系统体积。在无偏转器的状态下，气流5S在Z镜11的侧壁上反弹起来，并且将尤其在区域14中导致干扰和未经调节的空气。然而如图7所示，由于导向面板8的存在，气流5S通过因Coanda效应而沿着导向面板8的轮廓运动而被引向区域14。

另外，图7显示了紧邻于Z镜11并用于引导干涉光束17的凹槽。另外，Z镜11、导向面板8和投影系统1安装在与基底框架18动态间隔开的大型框架上，其中基底框架18接地并且携带有空气簇射器7。

另外，图6-8显示了空气簇射器7包括第二结构19，20，其用于使气流5T部分地偏转到位于Z镜11下表面之下的下方体积中。该第二气流5T优选具有比气流5S的速度更低的气流速度。气流被形成了上方出口16的板条19分开。该板条19形成为与上方导向面20一起向气流提供了加速效果。此外，为了提供稳定的气流S，在气流中形成了多个板条，其用于为气流提供优化的导向效果。在该设置中，气流5S被导向面板8向下偏转到大致向下的方向上。应当注意的是，图8显示为未设置导向件8，但设有用于提供加速气流S的板条19。

图9显示了包括有多个堆叠透镜(未示出)的投影系统1的下方区域的侧视图。图9的视图以大致沿着图3中干涉光束12的路径的方式来显示。通过提供切口10，气流就可以更容易地到达处于投影系统1的更中心位置处的体积。切口部分10包括大致向下的斜面21，其延伸到投影系统的大致平坦的下表面上。该表面设置成与Z镜11(未示出)的基准面重合。另外，通过提供切口，投影系统1的温度就会更微弱地传递到从下方流过的气流中，导致在包含有干涉光束12的相关体积内存在经更好调节的气流。这些光束显示为反射到用来支撑图2所示衬底3的晶片支撑22上。

虽然已经在上文中描述了本发明的特定实施例，然而可以理解，本发明可通过不同于上述的方式来实施。这些描述并不限制本发明。

Claims (16)

1.一种光刻装置，包括：

-用于提供辐射投影光束的辐射系统；

-用于支撑图案成形装置的第一支撑结构，所述图案成形装置用于使投影光束根据所需的图案来形成图案；

-用于支撑衬底的第二支撑结构；和

-投影系统，其用于将已形成图案的光束投影到所述衬底的目标部分上，并且包括限定了到所述衬底的工作距离的下表面；

-至少一个气体发生结构，其用于在所述下表面和所述衬底之间延伸的体积中产生经调节的气流；其中，所述结构还包括导向件，其用于将所述气流引导到大致定位在所述投影系统下表面之下的下方体积中，所述导向件可将所述气流从大致向下的方向引导到大致平行于所述投影系统下表面的方向上。

2.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述导向件包括定位成倾斜于所述气流入射方向的导向面。

3.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述投影系统的所述体积被包围了所述投影系统的外壳分开，所述导向件是包围了所述投影系统的外壳中的切口部分，用来沿着所述切口部分朝向所述下方体积引导所述气流。

4.根据权利要求3所述的光刻装置，其特征在于，所述切口部分包括延伸到所述投影系统的大致平坦下表面上的大致向下定位的斜面。

5.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述导向件是设置成可使气流朝向所述下方体积偏转的偏转面板。

6.根据权利要求5所述的光刻装置，其特征在于，所述偏转面板成形为提供了第一向下流动方向，以及大致平行于所述投影系统的下表面以按照Coanda效应来使气流偏转的第二流动方向。

7.根据权利要求6所述的光刻装置，其特征在于，所述面板邻近于形成了所述投影系统下表面的Z镜。

8.根据权利要求7所述的光刻装置，其特征在于，所述面板包括抽吸口，其包括抽吸装置，以便将气流拉成大致水平的流动。

9.根据权利要求8所述的光刻装置，其特征在于，所述面板包括用于将干涉光束引导到其中的凹槽。

10.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，用于产生所述经调节气流的所述结构包括第二导向件，其设置在所述气流中以使气流局部地偏转，从而形成分开的气流，这些气流部分地被引导到所述投影系统的所述体积中，部分地被引导到所述下方体积中。

11.根据权利要求10所述的光刻装置，其特征在于，被引导到所述投影系统的所述体积中的那部分所述气流具有比被引导到所述下方体积中的那部分所述气流更高的速度。

12.根据权利要求10所述的光刻装置，其特征在于，所述第二导向件包括多个设置在气流中的叶片。

13.根据权利要求7所述的光刻装置，其特征在于，所述面板包括在从投影系统的中心看去时定位成大致径向的第一径向形状，以及定位成大致部分地包围了所述投影系统的第二切向形状，所述气体发生结构设置成可提供大致正交于所述面板结构的气流。

14.根据权利要求13所述的光刻装置，其特征在于，所述气体发生结构包括用于提供大致正交于所述面板的所述径向形状的气流的第一部分，所述气体发生结构包括用于提供大致正交于所述面板的所述切向形状的气流的第二部分。

15.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述导向件与携带了所述投影系统的大型框架物理性相连；所述气体发生结构连接在与所述大型框架机械式分离的基底框架上。

16.一种光刻装置，包括：

-用于提供辐射投影光束的辐射系统；

-用于支撑图案成形装置的第一支撑结构，所述图案成形装置用于使投影光束根据所需的图案来形成图案；

-用于支撑衬底的第二支撑结构；和

-投影系统，其用于将已形成图案的光束投影到所述衬底的目标部分上，并且包括限定了到所述衬底的工作距离的下表面；

-至少一个气体发生结构，其用于在所述下表面和所述衬底之间延伸的体积中产生经调节的气流；其中，所述结构设置成可产生气流，其被引向投影系统中的处于所述下表面之上的体积；所述结构还包括导向件，其用于将所述气流引导到大致定位在所述投影系统下表面之下的下方体积中。

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