TW201544757A - 承載支架及其製造方法以及從該承載支架所製得之發光裝置及其製造方法 - Google Patents

承載支架及其製造方法以及從該承載支架所製得之發光裝置及其製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明係提供一種承載支架，其中包含一框架，該框架包含至少一支撐部；以及一承載體，該承載體係包含一外殼及至少一電極部；其中該承載體係藉由該支撐部機械偶合於該框架之上。此外，本發明亦提供前述承載支架之製造方法；以及從其所製得之發光裝置及其製造方法。特定言之，本發明之承載支架係具有預先彼此分離之承載體機械偶合於框架上，可便於封膠後迅速下料。同時本發明之承載支架中各承載體係彼此電性分離，可於下料前進行電性量測。藉此，可提高從其所製得之發光裝置的生產速度及良率。

Description

承載支架及其製造方法以及從該承載支架所製得之發光裝置及其製造方法 【0001】
本發明係關於承載支架及從其所製得之發光裝置。特別關於一種用於容置發光二極體晶片的支架及從其所製得之發光裝置。
 【0002】
發光二極體具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。近年來，發光二極體已朝多色彩及高亮度發展，因此其應用領域已擴展至大型戶外看板、交通號誌燈及相關領域。在未來，發光二極體甚至可能成為兼具省電及環保功能的照明光源主流。為使發光二極體信賴性佳，發光二極體多會經過一封裝製程而形成耐用的發光裝置。
【0003】
近來本發明相關領域之業者係研發一種切割式的承載支架。其中係於一金屬料片上模塑一塑料體，隨後在進行固晶、銲線及封膠後嗣以切割的方式同時切除金屬料片及塑料及塑料體，藉此形成單獨分離之發光裝置。然而該切割時容易產生大量的塑料及金屬粉塵，嚴重汙染最終產品之表面並因此影響產品之信賴性。另外該製程無法在封膠前進行前點亮測試，需先將最終產品單粒化後才能逐一量測。然而單粒化後之最終產品係散亂堆疊，需先進行面向及方向調整後才能利於機台量測。此需額外裝設儀器且費時不貲。
 【0004】
鑑於上述問題，本發明係提供一種承載支架，該承載支架係具有預先分離之承載體機械偶合於框架上，可便於可在固晶、銲線及封膠後迅速下料。同時本發明之承載支架中各承載體係彼此電性分離，可使發光二極體固晶銲線於承載體後，於下料前進行電性量測。另外，本發明亦提供由該承載支架所製成之發光裝置，藉由前述承載支架所具有之優點，可使發光裝置之生產速度及良率大幅提升。
 【0062】
100、100’、100”‧‧‧承載支架
110‧‧‧承載體
111‧‧‧殼體
111A‧‧‧殼體截面
111R‧‧‧圓角
112‧‧‧電極部
112A‧‧‧翼部
112A1‧‧‧中央外突出區、中央區域
112A2‧‧‧外側邊緣區域、邊緣區域、電極部截面
112B‧‧‧內側面
112C‧‧‧連接面
1121‧‧‧凹部
120‧‧‧框架
121‧‧‧支撐部
122‧‧‧通道區
123‧‧‧側部
130‧‧‧空乏區
131‧‧‧間隙
132‧‧‧第一貫穿槽
133‧‧‧第二貫穿槽
140‧‧‧延伸部
141‧‧‧鎖孔
142‧‧‧階部
143‧‧‧凹槽
150‧‧‧塑料體
151‧‧‧殘餘料
160‧‧‧導電支架
【0005】
第1圖為本發明之承載支架之一實施態樣之局部示意圖。
第2圖為第1圖之承載支架所用導電支架之局部示意圖。
第3圖為第1圖之承載支架於形成塑料體後之局部示意圖。
第4圖及第4A圖為第1圖之承載支架於移除殘餘料後之局部示意圖。
第5圖為本發明之承載支架之一另實施態樣之局部示意。
第6圖為本發明之一實施例的發光裝置的俯視圖。
第7圖為本發明之另一實施例的發光裝置的俯視圖。
第8圖為本發明之又一實施例的發光裝置的俯視圖。
第9圖為本發明之再一實施例的發光裝置的俯視圖。
第10圖為本發明之更一實施例的發光裝置的俯視圖。
第11圖為本發明之其一實施例的發光裝置的俯視圖。
第12A圖至第12D圖為本發明之其一實施例所提出的承載支架的俯視圖、沿前後方向之全剖面圖、沿左右方向之全剖面圖、及局部放大詳圖。
第13A圖至第16圖為本發明之其一實施例所提出的承載支架之製造方法之各步驟之示意圖。
第17A圖至第17D圖為本發明之其一實施例所提出的承載支架的俯視圖、沿前後方向之全剖面圖、沿左右方向之全剖面圖、及局部放大詳圖。
第18A圖至第22圖為本發明之其一實施例所提出的承載支架之製造方法之各步驟之示意圖。
 【0006】
本發明之承載支架包含一框架以及一承載體，該承載體係包含一殼體及至少一電極部。在本發明中框架包含至少一支撐部，並與承載體機械偶合之方式結合，以使承載體支撐於框架之上。在本發明一具體實施態樣中，殼體可具有一與支撐部形狀契合之凹陷部，藉由支撐部與凹陷部間之結合以將承載體支撐於框架之上。在本發明中，凹陷部之位置並無特定限制，可在承載體之側面或底面與側面之交界。使對應之支撐部深入深入承載體之內部或僅位於承載體之底面而半露出。
【0007】
為本發明之承載支架之一實施態樣之局部示意圖。如第1圖所示，承載支架100係包含承載體110及框架120，其中承載體110又包含殼體111及二個電極部112。框架120則包含數個支撐部121。如第1圖所示，承載支架100下方框架120係包含四個支撐部121，而殼體111之側面與底面之交界則包含4個凹陷部（對應至支撐部121之位置），藉此使四個支撐部121位於承載體110之底面而半露出。在一實施例中，承載體110更包括一反射凹杯，用以暴露部份之電極部112。其中，電極部112由反射凹杯經由殼體111往外延伸到外部。
【0008】
框架120亦可具有一通道區122及一側部123，而通道區122設置於側部123上。通道區122為一個貫空區域，其用以讓後述的塑料體150（如第3圖所示）流過；支撐部121亦設置於該側部123上。
【0009】
另外，在本發明中，亦可在電極部112中增加鎖孔、凹槽（電極部表面上之線狀狹縫）及階部設計。藉由鎖孔、凹槽及階部可增加承載體中殼體與電極部間的機械結合力。如第1圖所示，承載體110中之二電極部112各包含兩個鎖孔141及三條凹槽143，並且於二電極部112的被殼體111圍繞之邊緣設置有階部142，藉此增加殼體111與電極部112之結合強度。
【0010】
在本發明承載支架中，各個承載體係藉由凹陷部與支撐部之間的機械偶合而撐持於框架上，各個承載體間之電極部係彼此電性獨立。因此可在後續發光裝置固晶、銲線及封裝後進對未單粒化（即各發光裝置仍有序地撐持於框架上）之發光裝置進行電性量測。其中因各發光裝置排列整齊，可免除面向及方向調整之設備及工時，可大大提升發光裝置之生產速度。
【0011】
本發明承載支架可藉由如下方法製得。首先提供一導電支架，該導電支架包含一框架、至少一空乏區及至少一延伸部，其中框架又包含至少一支撐部。隨後於導電支架上形成一塑料體，該塑料體係覆蓋至少部分之延伸部及至少部分之支撐部，並且填充至少部分之空乏區。嗣後分別移除部分露出殼體之延伸部及部分填充於空乏區中之塑料體，藉此形成承載體。特定言之，經此二移除步驟後，存留之塑料體即形成承載體中之殼體，而存留於塑料體上之延伸部即形成承載體中之電極部。
【0012】
以下配合第2圖至第4圖詳述第1圖中承載支架100之製作過程。首先如提供第2圖所示導電支架160，其中包含框架120、複數個空乏區130及複數個延伸部140。其中框架120亦包含複數個支撐部121，延伸部140則包含多個鎖孔141、凹槽143及階部142。最後，移除部分露出殼體之延伸部140，即形成如第1圖所示之承載支架100。
【0013】
本發明中，導電支架可由金屬片材，包含純金屬、合金及金屬複合層之片材所形成，其中複合板材較佳為覆有較高抗氧化能力或較高焊料結合力之導電層之金屬板材，例如鍍銀銅片等。並且透過適當的方式來形成框架、延伸部及空乏區。以金屬片材為例，較佳可以衝壓的方式形成；然而亦可以切割或者模鑄的方式形成。另外，若導電支架的導電性係不足時，亦可在提供導電支架後，先形成一導電層（圖未示）於該導電支架上（導電層的導電性高於導電支架的導電性），以增加後續的測試結果的可靠度；導電層的材料可包含銀等導電性高的材料。
【0014】
在提供導電支架後，隨後於導電支架上形成塑料體。形成塑料體的方式係無所限制，可以傳遞模塑（Transfer Moulding）、射出成型等方式形成。塑料體之原料亦無所限制，可選用目前業界常用之塑膠複合物，例如環氧樹脂（Epoxy）組成物、矽膠（Silicon）組成物、聚鄰苯二甲醯胺（Polyphthalamide）組成物或聚苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate) 組成物。本發明之一具體實施態樣中係使用環氧樹脂組成物，並以傳遞模塑之方式形成塑料體。在一實施例中，塑料體可以是熱固型材料，且更可包含反光材料，如二氧化鈦（TiO2 ）、氧化鋯（ZnO）或氮化硼（BN）等。
【0015】
隨後如第3圖所示，於導電支架160上形成一塑料體150。塑料體150係覆蓋部分之延伸部140並完整包覆所有的鎖孔141及凹槽143。塑料體150亦填充部分之空乏區130（延伸部140上下之空乏區130並未被填中）並完整覆蓋所有的支撐部121；塑料體150亦會填充於通道區122中，並與相鄰的另一塑料體150為一體。
【0016】
申言之，在本發明中，塑料體150之原料會在形成過程中會填充於模具的模穴及空乏區間。在此步驟中殼體111與殘餘料151仍為一體。殘餘料151之界定範圍係視後續產品之應用範圍而定。如第3圖所示，虛線所為之部分即為本實施例中所定義之殘餘料151。隨後如第4圖所示，移除被定義之殘餘料151，藉此形成承載體110中之殼體111。
【0017】
若通道區122有填充塑料體150時，可分成至少二道步驟來移除殘餘料151，例如先移除填充於通道區122的殘餘料151後、再移除填充於空乏區130的殘餘料151，反之亦可。此舉可簡化每一步驟中用以移除殘餘料151的刀具的配置，使得刀具之間的距離足夠，亦可使刀具有較佳的強度。
【0018】
最後，移除部分露出於殼體111外的延伸部140，以形成如第1圖所示之的承載支架100。在移除延伸部140之前，可選擇地以一長度大於通道區122的刀具來移除通道區122兩旁的部分框架120，以將通道區122內可能尚存的殘餘料151移除乾淨，從而避免殘餘料151脫落至電極部112或發光二極體晶片而產生損害上。通當道區122兩旁的部分框架120被移除後，通道區122的長度會增加，如第4A圖所示。
【0019】
因此，本實施例的製造方法可選擇地對導電支架160進行兩道或以上的移除步驟，亦可對塑料體150（殘餘料151）進行兩道或以上的移除步驟。
【0020】
在本發明中，殘餘料151及延伸部140係分別移除。特定言之，移除殘餘料151及延伸部140之順序並無特殊限制，惟其分別移除即可。舉例言之，可同時移除全部的殘餘料151後再同時移除全部的延伸部140、亦可同時移除全部的延伸部140後再移除全部的殘餘料151，或者亦可分階段地除部分的殘餘料151及延伸部140，兩者可交互進行。移除方法係無所限制，舉例言之，可以切割、衝壓等方式進行，較佳係以衝壓方式進行。在本發明之實施例中係以衝壓為例。
【0021】
本發明可針對移除部分的機械特性加以調整器具及工作強度。特定言之，分別移除步驟可避免同時移除不同材料時所造成之缺點，例如應力不均所造成之缺面缺陷、移除工具（刀具）損壞等。另外，較於移除延伸部，移除塑料體時通常會產生塑料體的粉塵。該等粉塵需以強大外力作用才可去除乾淨，例如強風吹拂、抖動或超音波。倘若同時移除殘餘料及延伸部後進行清潔，此時承載體與框架間的作用力恐難撐持而有落料之虞。因此，本發明較佳係先移除殘餘料後進行清潔工作（即清潔塑料體），隨後再移除延伸部。藉此，可利用延伸部強化承載體與框架間之連結強度，避免清潔時落料的情況產生，最後再移除延伸部。
【0022】
移除後延伸部會於承載體之電極部上產生至少一電極部截面，而移除後殘餘料會於承載體之殼體上產生一殼體截面。在本發明中，視最終產品之安全規範或客戶需求等條件，電極部截面與殼體截面可於承載體之同一面或不同面。又在電極部截面與殼體截面為承載體同一面之情況下，電極部截面與殼體截面可齊平（構成一平直之面）或者不齊平（非構成一平直之面）。
【0023】
如第1圖所示，電極部112具有一外露於殼體之翼部112A，翼部112A係具有一中央外突出區（或稱中央區域）112A1及二外側邊緣區域（或稱邊緣區域）112A2。在第1圖所示之實施例中，每一邊緣區域112A2包含一個電極部截面，該等電極部截面與殼體111之殼體截面111A的部份區域為齊平者，此時承載體具有較平整的外觀。然而，亦可如第5圖所示，電極部112之翼部112A具有一中央外突出區112A1及二外側邊緣區域112A2，電極部112之電極部截面與殼體111之殼體截面111A非齊平者，此時電極部112具有額外的側面積，可增加與銲料間的結合力，進而增強發光裝置於後續打件後之打件強度。
【0024】
另外，在導電支架為抗氧化層之金屬複合片材之情況下，於電極部截面會產生未覆有抗氧化層之截面。在本發明中，未覆有抗氧化層之截面較佳係與電極部之中央區域一體。蓋於後續之打件過程中銲料可沿著翼部之側面爬升並覆蓋側面，此時至少部分之未覆有抗氧化層的截面可被銲料覆蓋，可減少截面部位發生氧化之機率。另外未覆有抗氧化層之截面與相鄰接的中央區域之表面同側，較佳係形成連續的面，以減少電極部產生尖端或毛邊，進而造成後續加工機台的損耗，更甚者會於尖端或毛邊處產生電荷累積之效應，影響末端產品之信賴性。
【0025】
本發明亦提供一種由本發明承載支架所製得之發光裝置，該發光裝置係包含一承載體、一發光二極體晶片及一封裝體。該發光二極體晶片係承載於承載體之中被封裝體所覆蓋。在本發明中封裝體之材料可為環氧樹脂或矽膠等塑膠材料之複合物。另外，本發明之發光裝置可視需要添加螢光材料於封裝體之中，舉例之螢光材料有：鋁酸鹽螢光物質（諸如，經摻雜的釔鋁氧化物化合物、經摻雜的鑥鋁氧化物化合物、經摻雜的鋱鋁氧化物化合物或其組合）、矽酸鹽螢光物質、硫化物螢光物質、氧氮化物螢光物質、氮化物螢光物質、氟化物螢光物質或其組合。
【0026】
本發明之發光裝置可以藉由以下方法所製得。首先提供前述之承載支架。隨後提供一發光二極體晶片並將其固晶、銲線於承載體之反射凹杯之中。嗣後以封裝膠體填充反射凹杯以封裝密封發光二極體晶片，即形成位於框架上之發光裝置。最後分離發光裝置及框架（即分離框架承載體與框架，例如以擠壓方式進行分離），以形成單獨的發光裝置。
【0027】
本發明中亦可提供多個發光二極體晶片於承載體中，該等發光二極體晶片可發射出相同或不同屏譜之光。在固定發光二極體晶片後可進行銲線工作以將發光二極體晶片與電極部電性連接。其中可視最終產品需要於亦可提供其他電子元件，例如齊納二極體或熱敏電阻等。
【0028】
請參考第6圖，其為本發明之一實施例之發光裝置的俯視圖。電極部112之翼部112A具有一中央區域112A1及兩邊緣區域112A2，且中央區域112A1係突出於兩邊緣區域112A2。翼部112A係突出於殼體111之殼體截面111A之外，使得電極部112之翼部112A的中央區域1112A1與殼體111之殼體截面111A為非共平面。其中間隔D1為電極部112之翼部112A的中央區域及殼體111之殼體截面111A的內側區域之間的距離，約為0.1mm。間隔D2為電極部112之翼部112A的中央區域112A1及殼體111之翼部112A的外側區域之間的距離，即電極部112之翼部112A的中央區域112A1及殼體111之翼部112A，約為0.05mm。
【0029】
請參考第7圖，其為本發明之另一實施例之發光裝置的俯視圖。電極部112之翼部112A具有一中央區域112A1及兩邊緣區域112A2，且突出於殼體111之殼體截面111A之外，使得電極部112之翼部112A與殼體111之殼體截面111A為非共平面。其中間隔D1為電極部112之翼部112A的中央及殼體111之殼體截面111A的內側區域之間的距離，約為0.1mm。間隔D3為電極部112之翼部112A的中央區域112A1及殼體111之截面111A的外側區域之間的距離，約為0.075mm。
【0030】
請參考第8圖，其為本發明之再一實施例之發光裝置的俯視圖。電極部112之翼部112A具有一中央區域112A1及兩邊緣區域112A2，且該中央區域112A1係凹陷於兩邊緣區域112A2，又該兩邊緣區域112A2之電極部截面為斜面。翼部112A係凹陷於殼體111之截面111A之內，使得電極部112之翼部112A與殼體111之截面111A為非共平面。其中間隔D4為殼體111之截面111A的外側區域及內側區域之間的距離，約為0.05mm。間隔D5為電極部112之翼部112A的中央及殼體111之截面111A的外側區域之間的距離，約為0.025mm。
【0031】
請參考第9圖，其為本發明之又一實施例之發光裝置的俯視圖。電極部112之翼部112A具有一中央區域112A1及兩邊緣區域112A2，且該中央區域112A1係突出於兩邊緣區域112A2，又該兩邊緣區域112A2之電極部截面為斜面。該翼部112A係突出於殼體111之截面111A之外，使得電極部112之翼部112A與殼體111之截面111A為非共平面。
【0032】
請參考第10圖，其為本發明之更一實施例之發光裝置的俯視圖。電極部112之翼部112A為一外凸曲面，即中央區域之外表面與邊緣區域之外輪廓（電極部截面）係形成一連續的外凸曲面。翼部112A係突出於殼體111之截面111A之外，使得電極部112之翼部112A與殼體111之截面111A為非共平面。
【0033】
請參考第11圖，其為本發明之其一實施例的發光裝置的俯視圖。電極部112之翼部112A為一內凹曲面，即中央區域之外表面與邊緣區域之外輪廓（電極部截面）係形成一連續的內凹曲面。翼部112A凹陷於殼體111之截面111A之內，使得電極部112之翼部112A與殼體111之截面111A為非共平面。
【0034】
請參考第12A圖至第12D圖，其為本發明之其一實施例所提出的承載支架100’的各示意圖（即俯視圖、沿前後方向之全剖面圖、沿左右方向之全剖面圖、及局部放大詳圖）。該承載支架100’與前述的承載支架100相似，也就是，該承載支架100’同樣包含一框架120及一承載體110，該框架120包含至少一支撐部121，而該承載體110具有一殼體111及至少一電極部112，該殼體111藉由該支撐部121而機械偶合於該框架120；因此，上述各元件的技術內容可參考承載支架100的對應者。
【0035】
較佳地，該至少一電極部112可為相分隔的二電極部112，以作為承載體110的陽極端及陰極端。該二電極部112被該框架120環繞，即二電極部112位於框架120本身所圍繞而成的空間之中。該二電極部112與該框架120可藉由至少一空乏區130來分隔，使得兩者不會相接觸，進而使得該二電極部112與該框架120相電性隔離。
【0036】
該框架120之支撐部121朝著該二電極部112的其中之一延伸，但不會接觸到電極部112。本實施例中支撐部121為四個，分布於電極部112的兩側。殼體111可至少包覆該支撐部121及至少部份的二電極部112，且至少設置於部分的空乏區130中：藉此，殼體111藉由支撐部121與框架120相機械地耦合，而殼體111與二電極部112亦相機械相耦合，使得殼體111及二電極部112保持在框架120之中而不脫落。
【0037】
進一步說明電極部112的形狀特徵。請配合參閱第13A圖，該二電極部112之每一個具有相對設置（即相反設置）的一翼部112A及內側面112B，該翼部112A可暴露出殼體111之殼體截面111A外（可參考前述第6圖至第11圖的相關說明），且與另一電極部112之翼部112A不相面對；該二電極部112之內側面112B可為相面對，且至少部分的該二電極部112可被殼體111包覆住。
【0038】
該二電極部112之每一個更具有相對設置的二連接面112C，其連接該翼部112A及內側面112B，即連接面112C的一邊緣（如前邊）連接翼部112A的一邊緣（如左邊），而連接面112C的另一邊緣（如後邊）連接內側面112B的一邊緣（如左邊）。該翼部112A、內側面112B及二連接面112C可為非平面，也就是，該翼部112A、內側面112B及二連接面112C可為凹凸起伏或階梯狀的表面。
【0039】
該二電極部112之每一個更可具有至少一個凹部1121，該凹部1121可設置於該連接面112C上，以使得連接面112C成為凹凸起伏的表面。該凹部1121可增加電極部112與殼體111(塑料體150)之間的接觸面積並且藉由幾何對應關係增加電極部112與殼體111間之卡固作用，以使得電極部112與殼體111之間的結合力較強。若凹部1121為多個時，各凹部1121的尺寸可設計成不一致，以因應電極部112與殼體111之間不同處的所需結合力。
【0040】
該二電極部112的翼部112A、內側面112B及二連接面112C可將該至少一空乏區130區分為複數個空乏區130，即該些空乏區130可分別為一間隙131、二第一貫穿槽132及二第二貫穿槽133，彼此相連通。間隙131設置於該二電極部112的內側面112B之間，而該二第一貫穿槽132沿著該二電極部112的二連接面112C而設置，也就是，一個第一貫穿槽132會由其中一個電極部112的一個連接面112C的一邊緣延伸至另一個電極部112的同面向的一個連接面112C的一邊緣；該二第一貫穿槽132位置上為相分隔。
【0041】
該二第二貫穿槽133則沿著該二電極部112的翼部112A而設置，也就是，一個第二貫穿槽133僅在其中一個電極部112的翼部112A延伸；該二第二貫穿槽133位置上亦為相分隔。
【0042】
框架120之支撐部121可朝著該二電極部112的二連接面112C的其中之一，延伸至該二第一貫穿槽132之其中之一中。該殼體111可選擇地設置於該二第一貫穿槽132及/或該間隙131中。此外，該殼體111之殼體截面111A可以至少包含一彎曲面，例如可具有一圓角111R，如第12D圖所示，其殼體截面為圓角，其連接至該電極部112之電極部截面112A2。該圓角111R可分散撞擊力量，使得單粒化的承載體110在做震動測試時，圓角111R不易被撞斷或撞裂。此外，在如第12D圖所示之實施態樣中，該殼體截面與該電極部截面係非構成一平直之面，即殼體截面與該電極部截面係非齊平者。
【0043】
綜上，承載支架100’亦可使得各個承載體110的電極部112彼此電性獨立，因此在後續的發光裝置固晶、銲線及封裝完成後，可直接對未單粒化之發光裝置進行電性量測，大幅提升發光裝置之生產速度。另說明的是，承載支架100’的技術內容亦可供承載支架100參照。
【0044】
本發明之其中一實施例又提出一種承載支架之製造方法，其可至少製造出上述承載支架100’。該承載支架100’的製造方法與前述承載支架100的製造方法相似，該承載支架100’的製造方法包含以下步驟。
【0045】
請參閱第13A圖至第13C圖，首先提供一導電支架160，該導電支架160包含一框架120，而該框架120包含至少一支撐部121、至少一空乏區130及至少一延伸部140。該至少一空乏區130可對應承載支架100’的一間隙131、二第一貫穿槽132及二第二貫穿槽133，但此時該二第一貫穿槽132及該二第二貫穿槽133尚未相連通。該至少一延伸部140可對應承載支架100’的二電極部112，但此時該二電極部112尚未與框架120相分離。
【0046】
請參閱第14圖，接著於第二步驟中，形成一塑料體150。該塑料體150覆蓋至少部分之該延伸部140及至少部分之該支撐部121，且該塑料體150填充至少部分之該空乏區130。舉例而言，塑料體150部分地覆蓋延伸部140之二電極部112，完整地覆蓋代支撐部121，且塑料體150填充於空乏區130的間隙131及二第一貫穿槽132中，但沒有填充於第二貫穿槽133中。此外，塑料體150可與延伸部140的凹部1121（如第13A圖所示）相接觸，以增加塑料體150與延伸部140之間的接觸面積。
【0047】
請參閱第15圖，於第三步驟中，移除部分填充於空乏區130的塑料體150，也就是，將填充於該二第一貫穿槽132中的部分塑料體150移除。欲移除的塑料體150稱為殘餘料151(如第14圖所示)，該殘餘料151的範圍將依據產品的具體形狀而定。於本實施例中，填充於該二第一貫穿槽132的兩末端區域中的塑料體150將被移除，以使塑料體150的四個角落的凸角被移除。剩餘的塑料體150即形成承載支架100’的殼體111。
【0048】
請參閱第16圖，於第四步驟中，移除部分露出塑料體150之延伸部140，以使得延伸部140的剩餘部分與框架120相分隔。換言之，於此步驟中，該第二貫穿槽133兩旁的延伸部140（如第15圖所示）會被移除，以使得該第二貫穿槽133連通至第一貫穿槽132。剩餘的延伸部140即形成承載支架100’的電極部112。
【0049】
當上述步驟完成後，承載支架100’即可被製造出。上述步驟的若干細部技術內容可參照承載支架100的製造方法，例如導電支架160上可先形成一導電層、第三步驟及第四步驟的實施順序可互換、第四步驟實施前可先清潔塑料體150等。
【0050】
請參考第17A圖至第17D圖，其為第本發明之其一實施例所提出的承載支架100”的各示意圖（即俯視圖、沿前後方向之全剖面圖、沿左右方向之全剖面圖、及局部放大詳圖），其顯示出一個以上的承載支架100”。
【0051】
該承載支架100”與前述的承載支架100及100’相似，故彼此的技術內容應可相互參照。而欲說明的是，承載支架100”之框架120具有一側部123及一通道區122，該側部123可由兩個承載支架100”的框架120所共有，換言之，兩個承載支架100”的框架120可藉由共有的側部123而為一體；此外，兩個承載支架100”的承載體110被該側部123相分隔。該通道區122設置於該側部123中，並連通於每個承載支架100”的該二第一貫穿槽132之其中之一。另說明的是，該殼體111之殼體截面111A可以至少包含一彎曲面，例如可具有一圓角111R，而該圓角111R連接至框架120的側部123。此外，該電極部112之電極部截面同樣可至少包含一彎曲面，而上述所述之彎曲面皆不限於單一曲率。即其邊緣區域之外輪廓呈現一彎曲線。該電極部截面與該圓角111R係不相鄰。藉由彎曲的擊部截面，可分散撞擊力量。同時，在如第17D圖所示之實施例中，該殼體截面與該電極部截面係非構成一平直之面，即殼體截面與該電極部截面係非齊平者。
【0052】
在功效上，承載支架100”亦可使得各個承載體110的電極部112彼此電性獨立，因此在後續的發光裝置固晶、銲線及封裝完成後，可直接對未單粒化之發光裝置進行電性量測，大幅提升發光裝置之生產速度。
【0053】
本發明之其中一實施例又提出一種承載支架之製造方法，其可至少製造出上述承載支架100”。該承載支架100”的製造方法與承載支架100’的製造方法相似，故兩製造方法的相同技術內容將省略或簡化描述。該承載支架100”可包含以下步驟。
【0054】
請參閱第18A圖至第18C圖，首先提供一導電支架160，本實施例以二導電支架160為例。每一個導電支架160包含至少一框架120，而該框架120包含至少一支撐部121、至少一側部123、至少一通道區122、至少一空乏區130及至少一延伸部140。該通道區122設置於該側部123上，並與空乏區130相連通。
【0055】
請參閱第19圖，接著於第二步驟中，形成一塑料體150。該塑料體150覆蓋每一個導電支架160的至少部分之該延伸部140及至少部分之該支撐部121，且該塑料體150填充至少部分之該空乏區130。該塑料體150還填充於通道區122中，也就是，塑料體150會經過通道區122，以覆蓋另一導電支架160。此外，塑料體150還會與延伸部140的凹部1121（如第18A圖所示）相接觸，以增加塑料體150與延伸部140之間的接觸面積。
【0056】
請參閱第20圖，於第三步驟中，移除填充於該通道區122中之該塑料體150。塑料體150的移除可藉由一步驟來完成或由多道步驟來完成。具體而言，採取一道步驟時，一長度大於通道區122的刀具會被使用，以將通道區122兩旁的部分框架120、連同通道區122內的塑料體150一併移除。因此，通道區122內的塑料體150移除後，通道區122將略微變長。
【0057】
採取多道步驟時，首先使用一長度略小於通道區122的刀具，將通道區122內的部分塑料體150移除，接著再使用另一刀具將通道區122內的剩餘塑料體150透過刮除等動作來移除。
【0058】
請參閱第21圖，於第四步驟中，移除部分填充於空乏區130的塑料體150，也就是，將填充於該二第一貫穿槽132中的部分塑料體150（例如四個角落的殘餘料151，如第20圖所示）移除。當第三及第四步驟完成後，未被移除的剩餘塑料體150即形成承載支架100”的殼體111。
【0059】
請參閱第22圖，於第五步驟中，移除部分露出塑料體150之延伸部140（如第21圖所示），以使得延伸部140的剩餘部分與框架120相分隔。換言之，於此步驟中，該第二貫穿槽133兩旁的延伸部140會被移除，以使得該第二貫穿槽133連通至第一貫穿槽132。剩餘的延伸部140即形成承載支架100”的電極部112。
【0060】
當上述步驟完成後，承載支架100”即可被製造出。值得一提的是，上述第三至第五步驟的實施順序可互換，並不限定。
【0061】
雖然上文描述了本揭露的數個實施例，但本揭露的範疇不限於所揭露的實施例，且無法限於所揭露的實施例。更具體言之，一般熟習此項技術者可基於所揭露的實施例而進行各種偏差及改良，且此等偏差及改良仍處於本揭露的範疇內。因此，根據本揭露而頒佈的專利的保護範疇由下文提供的申請專利範圍來確定。
100‧‧‧承載支架
110‧‧‧承載體
111‧‧‧殼體
111A‧‧‧殼體截面
112‧‧‧翼部
112A‧‧‧外側面
112A1‧‧‧中央外突出區、中央區域
112A2‧‧‧外側邊緣區域、邊緣區域、電極部截面
120‧‧‧框架
121‧‧‧支撐部
122‧‧‧通道區
123‧‧‧側部
130‧‧‧空乏區
141‧‧‧鎖孔
142‧‧‧階部
143‧‧‧凹槽

Claims (10)

  1. 【第1項】
    一種承載體，包含：
    至少一電極部，各個電極部係具有一電極部截面；以及
    一殼體，具有一殼體截面，該殼體係包覆至少部分的該至少一電極部；
    其中該殼體截面或該電極部截面可至少包含一彎曲面。
  2. 【第2項】
    如請求項1所述的承載體，其中該電極部具有一中央區域及二邊緣區域，該電極部截面係位於該邊緣區域上。
  3. 【第3項】
    如請求項1所述的承載體，其中該殼體截面具有一圓角。
  4. 【第4項】
    如請求項3所述的承載體，其中該圓角連接該殼體截面。
  5. 【第5項】
    如請求項2所述的承載體，其中該電極部截面與該中央區域係非共平面。
  6. 【第6項】
    一種承載體，包含：
    至少一電極部，各個電極部係具有一電極部截面；以及
    一殼體，具有一殼體截面，該殼體係包覆至少部分的該至少一電極部；
    其中該殼體截面與該電極部截面係非齊平。
  7. 【第7項】
    如請求項6所述的承載體，其中該電極部具有一中央區域及二邊緣區域，該電極部截面係位於該邊緣區域上。
  8. 【第8項】
    如請求項7所述的承載體，其中該中央區域係突出於該等邊緣區域。
  9. 【第9項】
    如請求項7所述的承載體，其中該電極部截面為一斜面。
  10. 【第10項】
    如請求項7所述的承載體，其中該電極部截面與該中央區域係非共平面。
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CN201810654323.0A CN108963049B (zh) 2014-05-23 2015-05-21 发光装置
CN201910950243.4A CN110676359B (zh) 2014-05-23 2015-05-21 承载支架、发光装置及其制造方法
DE202015009402.3U DE202015009402U1 (de) 2014-05-23 2015-05-22 Lichtemittierende Vorrichtung
EP15168968.4A EP2947705B1 (en) 2014-05-23 2015-05-22 Carrier, carrier leadframe, and light emitting device
JP2015104971A JP2015226063A (ja) 2014-05-23 2015-05-22 キャリア、キャリアリードフレーム、及び、発光デバイス
DE202015009510.0U DE202015009510U1 (de) 2014-05-23 2015-05-22 Träger, Trägerrahmen und lichtemittierende Vorrichtung
US14/720,230 US9640733B2 (en) 2014-05-23 2015-05-22 Carrier, carrier leadframe, and light emitting device
EP18174685.0A EP3404727A1 (en) 2014-05-23 2015-05-22 Carrier, carrier leadframe, and light emitting device
US15/441,644 US9905742B2 (en) 2014-05-23 2017-02-24 Carrier, carrier leadframe, and light emitting device
US15/441,582 US9691960B1 (en) 2014-05-23 2017-02-24 Carrier, carrier leadframe, and light emitting device and method for manufacturing same
US15/470,009 US10177292B2 (en) 2014-05-23 2017-03-27 Carrier, carrier leadframe, and light emitting device
JP2017003464U JP3213517U (ja) 2014-05-23 2017-07-28 キャリア、キャリアリードフレーム、及び、発光デバイス
US15/859,858 US10475974B2 (en) 2014-05-23 2018-01-02 Carrier, carrier leadframe, and light emitting device
US16/039,246 US20180351061A1 (en) 2014-05-23 2018-07-18 Carrier and light emitting device

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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10177292B2 (en) 2014-05-23 2019-01-08 Everlight Electronics Co., Ltd. Carrier, carrier leadframe, and light emitting device
TWI553264B (zh) 2014-05-23 2016-10-11 億光電子工業股份有限公司 承載支架及其製造方法以及從該承載支架所製得之發光裝置及其製造方法
JP6248054B2 (ja) * 2015-01-07 2017-12-13 ミネベアミツミ株式会社 面状照明装置
US10461233B2 (en) * 2015-11-27 2019-10-29 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and lighting device
KR102528014B1 (ko) * 2015-11-27 2023-05-10 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 조명 장치
JP6337873B2 (ja) 2015-11-30 2018-06-06 日亜化学工業株式会社 パッケージ、パッケージ中間体、発光装置及びそれらの製造方法
JP6332251B2 (ja) 2015-12-09 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
JP6332253B2 (ja) 2015-12-09 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
JP6394634B2 (ja) 2016-03-31 2018-09-26 日亜化学工業株式会社 リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法
JP2017201689A (ja) * 2016-05-05 2017-11-09 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Ｅｖｅｒｌｉｇｈｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． キャリア、キャリアリードフレーム、及び発光デバイス
CN109285930A (zh) * 2017-07-21 2019-01-29 亿光电子工业股份有限公司 承载体及发光装置
JP6547875B2 (ja) * 2018-05-09 2019-07-24 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法、パッケージ中間体の製造方法及び発光装置の製造方法
JP6975916B2 (ja) * 2018-08-09 2021-12-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN109713107A (zh) * 2018-12-13 2019-05-03 佛山市国星光电股份有限公司 支架结构、led器件和灯组阵列

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030011048A1 (en) 1999-03-19 2003-01-16 Abbott Donald C. Semiconductor circuit assembly having a plated leadframe including gold selectively covering areas to be soldered
KR100567559B1 (ko) * 2002-07-25 2006-04-05 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 광전소자부품
EP1385217A3 (en) * 2002-07-25 2005-04-20 Matsushita Electric Works, Ltd. Photoelectric device-part
JP4645071B2 (ja) * 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
KR100631903B1 (ko) * 2005-02-17 2006-10-11 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 하우징 및 그 제조 방법
KR20070049380A (ko) 2005-11-08 2007-05-11 삼성전자주식회사 하드 마스크막 패턴 형성 방법
WO2007072919A1 (ja) * 2005-12-22 2007-06-28 Matsushita Electric Works, Ltd. Ｌｅｄを用いた照明器具
JP4952233B2 (ja) * 2006-04-19 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 半導体装置
JP4830768B2 (ja) * 2006-05-10 2011-12-07 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
US7625419B2 (en) * 2006-05-10 2009-12-01 Donaldson Company, Inc. Air filter arrangement; assembly; and, methods
JP4922663B2 (ja) * 2006-05-18 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 半導体光学装置
US20070290220A1 (en) * 2006-06-20 2007-12-20 Bily Wang Package for a light emitting diode and a process for fabricating the same
CN201022080Y (zh) * 2007-02-14 2008-02-13 蔡国清 高功率led导线架
JPWO2008111504A1 (ja) * 2007-03-12 2010-06-24 日亜化学工業株式会社 高出力発光装置及びそれに用いるパッケージ
JP5431688B2 (ja) * 2007-06-29 2014-03-05 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド マルチｌｅｄパッケージ
US9685592B2 (en) * 2009-01-14 2017-06-20 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Miniature surface mount device with large pin pads
KR20100083907A (ko) * 2009-01-15 2010-07-23 설명순 Ｌｅｄ 패키지 및 이의 제조 방법
WO2011040372A1 (ja) * 2009-10-01 2011-04-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI427745B (zh) * 2010-01-20 2014-02-21 Lite On Electronics Guangzhou 封裝結構及發光二極體封裝結構
CN102130266B (zh) * 2010-01-20 2013-08-28 光宝电子(广州)有限公司 封装结构及发光二极管封装结构
US8648359B2 (en) * 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
CN201772311U (zh) * 2010-08-12 2011-03-23 厦门市信达光电科技有限公司 一种led灯珠结构
TWM403757U (en) * 2010-10-08 2011-05-11 Fu Sheng Ind Co Ltd LED frame structure
JP2012114286A (ja) * 2010-11-25 2012-06-14 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ
JP2012114311A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Toshiba Corp Ｌｅｄモジュール
CN102834941B (zh) 2010-12-28 2016-10-12 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
TW201250964A (en) * 2011-01-27 2012-12-16 Dainippon Printing Co Ltd Resin-attached lead frame, method for manufacturing same, and lead frame
US9209373B2 (en) * 2011-02-23 2015-12-08 Intellectual Discovery Co., Ltd. High power plastic leaded chip carrier with integrated metal reflector cup and direct heat sink
JP2012227179A (ja) * 2011-04-14 2012-11-15 Panasonic Corp 半導体発光装置及びそれを用いたバックライトユニット
KR20140038553A (ko) * 2011-07-21 2014-03-28 크리,인코포레이티드 향상된 화학적 내성을 위한 발광 장치 패키지들, 부품들 및 방법들 그리고 관련된 방법들
CN103137827B (zh) * 2011-11-30 2016-02-10 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及发光装置
JP6034175B2 (ja) * 2012-01-10 2016-11-30 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
CN102593339A (zh) * 2012-02-23 2012-07-18 日月光半导体制造股份有限公司 芯片构装
US9024514B2 (en) * 2012-02-27 2015-05-05 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting module having connection member to press for direct electrical contact
US9653656B2 (en) * 2012-03-16 2017-05-16 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. LED packages and related methods
CN103367619B (zh) * 2012-03-30 2015-12-02 光宝电子(广州)有限公司 金属支架结构及发光二极管结构
CN103367344B (zh) * 2012-04-11 2016-04-27 光宝电子(广州)有限公司 连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条
TWI497779B (zh) * 2012-07-11 2015-08-21 Fusheng Electronics Corp 發光二極體的支架結構製作方法（三）
JP2014041966A (ja) * 2012-08-23 2014-03-06 Mitsubishi Plastics Inc 発光装置用パッケージ及び発光装置
JP2014060343A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード
TWD154430S (zh) 2012-09-27 2013-07-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝
TWD154432S (zh) 2012-11-12 2013-07-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝
US10026676B2 (en) * 2012-12-11 2018-07-17 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor lead frame package and LED package
KR102011101B1 (ko) * 2012-12-26 2019-08-14 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102029802B1 (ko) 2013-01-14 2019-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
TWM461882U (zh) * 2013-03-08 2013-09-11 Xin Ying Guang Technology Co Ltd 發光二極體封裝結構及應用該封裝結構之發光二極體燈管
CN203423214U (zh) * 2013-04-15 2014-02-05 新莹光科股份有限公司 发光二极管封装结构及发光二极管灯管
TWI553264B (zh) 2014-05-23 2016-10-11 億光電子工業股份有限公司 承載支架及其製造方法以及從該承載支架所製得之發光裝置及其製造方法

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US20170170376A1 (en) 2017-06-15
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DE202015009510U1 (de) 2018-03-15
CN108963049B (zh) 2021-04-20
US9905742B2 (en) 2018-02-27
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US9691960B1 (en) 2017-06-27
JP2015226063A (ja) 2015-12-14
US20170162771A1 (en) 2017-06-08
US20180123012A1 (en) 2018-05-03

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