CN108963049B - 发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种发光装置,其包括至少一个电极部以及一树脂壳体,该树脂壳体包含一反射材料并覆盖至少一个电极部的一部分。其中,至少一个电极部包括暴露在壳体外面的一翼部,翼部沿壳体的边缘在翼部的长度方向延伸并且在翼部的宽度方向上突出于壳体,长度方向基本上垂直于宽度方向。其中,翼部分包括:一中央区域以及至少一个边缘区域,该边缘区域在长度方向上具有比中央区域更短的长度,并且,至少一个边缘区域沿宽度方向突出于中央区域的端部,至少一个电极部还包括一电极部截面,树脂壳体包括至少一个壳体截面,至少一个壳体截面位于树脂壳体的四个角落附近,至少一个壳体截面与电极部截面不齐平。
Description
分案申请的相关信息
本申请为发明名称为“承载支架、发光装置及其制造方法”的原中国发明专利申请的分案申请。原申请的申请号为201510261472.7;原申请的申请日为2015年5月21日。
技术领域
本发明涉及承载支架及从其所制得的发光装置,特别涉及一种用于容置发光二极管芯片的支架及从其所制得的发光装置。
背景技术
发光二极管具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点,因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。近年来,发光二极管已朝多色彩及高亮度发展,因此其应用领域已扩展至大型户外看板、交通号志灯及相关领域。在未来,发光二极管甚至可能成为兼具省电及环保功能的照明光源主流。为使发光二极管可靠性佳,发光二极管多会经过一封装制程而形成耐用的发光装置。
近来本发明相关领域的业者研发一种切割式的承载支架。这一承载支架是于一金属料片上模塑一塑料体,随后在进行固晶、焊线及封胶后以切割的方式同时切除金属料片及塑料及塑料体,借此形成单独分离的发光装置。然而该切割时容易产生大量的塑料及金属粉尘,严重污染最终产品的表面并因此影响产品的可靠性。另外该制程无法在封胶前进行前点亮测试,需先将最终产品单粒化后才能逐一测量。然而单粒化后的最终产品散乱堆叠,需先进行面向及方向调整后才能利于机台测量。此需额外装设仪器且非常费时。
发明内容
鉴于上述问题,本发明提供一种承载支架,该承载支架具有预先分离的承载体机械耦合于框架上,可便于可在固晶、焊线及封胶后迅速下料。同时本发明的承载支架中各承载体是彼此电性分离,可使发光二极管固晶焊线于承载体后,于下料前进行电性测量。
另外,本发明亦提供由该承载支架所制成的发光装置,本发明提供的发光装置包括至少一个电极部以及一树脂壳体,该树脂壳体包含一反射材料并覆盖所述至少一个电极部的一部分。其中,所述至少一个电极部包括暴露在所述壳体外面的一翼部,所述翼部沿所述壳体的边缘在所述翼部的长度方向延伸并且在所述翼部的宽度方向上突出于所述壳体,所述长度方向基本上垂直于所述宽度方向。其中,所述翼部分包括:一中央区域以及至少一个边缘区域,该边缘区域在所述长度方向上具有比所述中央区域更短的长度,并且,所述至少一个边缘区域沿所述宽度方向突出于所述中央区域的端部,所述至少一个电极部还包括一电极部截面,所述树脂壳体包括至少一个壳体截面,所述至少一个壳体截面位于所述树脂壳体的四个角落附近,所述至少一个壳体截面与所述电极部截面不齐平。
本发明的发光装置借由前述承载支架所具有的优点,可使发光装置的生产速度及良率大幅提升。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明,其中:
图1为本发明的承载支架的一实施态样的局部示意图。
图2为图1的承载支架所用导电支架的局部示意图。
图3为图1的承载支架于形成塑料体后的局部示意图。
图4A及图4B为图1的承载支架于移除残余料后的局部示意图。
图5为本发明的承载支架的一另实施态样的局部示意。
图6为本发明的一实施例的发光装置的俯视图。
图7为本发明的另一实施例的发光装置的俯视图。
图8为本发明的又一实施例的发光装置的俯视图。
图9为本发明的再一实施例的发光装置的俯视图。
图10为本发明的更一实施例的发光装置的俯视图。
图11为本发明的其一实施例的发光装置的俯视图。
图12A至图12D为本发明的其一实施例所提出的承载支架的俯视图、沿前后方向的全剖面图、沿左右方向的全剖面图、及局部放大详图。
图13A至图16为本发明的其一实施例所提出的承载支架的制造方法的各步骤的示意图。
图17A至图17D为本发明的其一实施例所提出的承载支架的俯视图、沿前后方向的全剖面图、沿左右方向的全剖面图、及局部放大详图。
图18A至图22为本发明的其一实施例所提出的承载支架的制造方法的各步骤的示意图。
图中元件标号说明:
100、100’、100”:承载支架
110:承载体
111:壳体
111A:壳体截面
111R:圆角
112:电极部
112A:翼部
112A1:中央外突出区、中央区域
112A2:外侧边缘区域、边缘区域、电极部截面
112B:内侧面
112C:连接面
1121:凹部
120:框架
121:支撑部
122:通道区
123:侧部
130:空乏区
131:间隙
132:第一贯穿槽
133:第二贯穿槽
140:延伸部
141:锁孔
142:阶部
143:凹槽
150:塑料体
151:残余料
160:导电支架
具体实施方式
本发明的承载支架包含一框架以及一承载体,该承载体包含一壳体及至少一电极部。在本发明中框架包含至少一支撑部,并与承载体机械耦合的方式结合,以使承载体支撑于框架之上。在本发明一具体实施态样中,壳体可具有一与支撑部形状契合的凹陷部,借由支撑部与凹陷部间的结合以将承载体支撑于框架之上。在本发明中,凹陷部的位置并无特定限制,可在承载体的侧面或底面与侧面的交界。使对应的支撑部深入承载体的内部或仅位于承载体的底面而半露出。
为本发明的承载支架的一实施态样的局部示意图。如图1所示,承载支架100包含承载体110及框架120,其中承载体110又包含壳体111及二个电极部112。框架120则包含数个支撑部121。如图1所示,承载支架100下方框架120包含四个支撑部121,而壳体111的侧面与底面的交界则包含4个凹陷部(对应至支撑部121的位置),借此使四个支撑部121位于承载体110的底面而半露出。在一实施例中,承载体110更包括一反射凹杯,用以暴露部分的电极部112。其中,电极部112由反射凹杯经由壳体111往外延伸到外部。
框架120亦可具有一通道区122及一侧部123,而通道区122设置于侧部123上。通道区122为一个贯空区域,其用以让后述的塑料体150(如图3所示)流过;支撑部121亦设置于该侧部123上。
另外,在本发明中,亦可在电极部112中增加锁孔、凹槽(电极部表面上的线状狭缝)及阶部设计。借由锁孔、凹槽及阶部可增加承载体中壳体与电极部间的机械结合力。如图1所示,承载体110中的二电极部112各包含两个锁孔141及三条凹槽143,并且于二电极部112的被壳体111围绕的边缘设置有阶部142,借此增加壳体111与电极部112的结合强度。
在本发明承载支架中,各个承载体是借由凹陷部与支撑部之间的机械耦合而撑持于框架上,各个承载体间的电极部是彼此电性独立。因此可在后续发光装置固晶、焊线及封装后进对未单粒化(即各发光装置仍有序地撑持于框架上)的发光装置进行电性测量。其中因各发光装置排列整齐,可免除面向及方向调整的设备及工时,可大大提升发光装置的生产速度。
本发明承载支架可借由如下方法制得。首先提供一导电支架,该导电支架包含一框架、至少一空乏区及至少一延伸部,其中框架又包含至少一支撑部。随后于导电支架上形成一塑料体,该塑料体覆盖至少部分的延伸部及至少部分的支撑部,并且填充至少部分的空乏区。之后分别移除部分露出壳体的延伸部及部分填充于空乏区中的塑料体,借此形成承载体。特定言之,经此二移除步骤后,存留的塑料体即形成承载体中的壳体,而存留于塑料体上的延伸部即形成承载体中的电极部。
以下配合图2至图4A详述图1中承载支架100的制作过程。首先如提供图2所示导电支架160,其中包含框架120、多个空乏区130及多个延伸部140。其中框架120亦包含多个支撑部121,延伸部140则包含多个锁孔141、凹槽143及阶部142。最后,移除部分露出壳体的延伸部140,即形成如图1所示的承载支架100。
本发明中,导电支架可由金属片材,包含纯金属、合金及金属复合层的片材所形成,其中复合板材较佳为覆有较高抗氧化能力或较高焊料结合力的导电层的金属板材,例如镀银铜片等。并且透过适当的方式来形成框架、延伸部及空乏区。以金属片材为例,较佳可以冲压的方式形成;然而亦可以切割或者模铸的方式形成。另外,若导电支架的导电性不足时,亦可在提供导电支架后,先形成一导电层(图未示)于该导电支架上(导电层的导电性高于导电支架的导电性),以增加后续的测试结果的可靠度;导电层的材料可包含银等导电性高的材料。
在提供导电支架后,随后于导电支架上形成塑料体。形成塑料体的方式无所限制,可以传递模塑(Transfer Moulding)、射出成型等方式形成。塑料体的原料亦无所限制,可选用目前业界常用的塑胶复合物,例如环氧树脂(Epoxy)组成物、硅胶(Silicon)组成物、聚邻苯二甲酰胺(Polyphthalamide)组成物或聚苯二甲酸乙二酯(Polyethyleneterephthalate)组成物。本发明的一具体实施态样中是使用环氧树脂组成物,并以传递模塑的方式形成塑料体。在一实施例中,塑料体可以是热固型材料,且更可包含反光材料,如二氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZnO)或氮化硼(BN)等。
随后如图3所示,于导电支架160上形成一塑料体150。塑料体150覆盖部分的延伸部140并完整包覆所有的锁孔141及凹槽143。塑料体150亦填充部分的空乏区130(延伸部140上下的空乏区130并未被填中)并完整覆盖所有的支撑部121;塑料体150亦会填充于通道区122中,并与相邻的另一塑料体150为一体。
申言之,在本发明中,塑料体150的原料会在形成过程中会填充于模具的模穴及空乏区间。在此步骤中壳体111与残余料151仍为一体。残余料151的界定范围视后续产品的应用范围而定。如图3所示,虚线所为的部分即为本实施例中所定义的残余料151。随后如图4A所示,移除被定义的残余料151,借此形成承载体110中的壳体111。
若通道区122有填充塑料体150时,可分成至少二道步骤来移除残余料151,例如先移除填充于通道区122的残余料151后、再移除填充于空乏区130的残余料151,反之亦可。此举可简化每一步骤中用以移除残余料151的刀具的配置,使得刀具之间的距离足够,亦可使刀具有较佳的强度。
最后,移除部分露出于壳体111外的延伸部140,以形成如图1所示的的承载支架100。在移除延伸部140之前,可选择地以一长度大于通道区122的刀具来移除通道区122两旁的部分框架120,以将通道区122内可能尚存的残余料151移除干净,从而避免残余料151脱落至电极部112或发光二极管芯片而产生损害上。通当道区122两旁的部分框架120被移除后,通道区122的长度会增加,如图4B所示。
因此,本实施例的制造方法可选择地对导电支架160进行两道或以上的移除步骤,亦可对塑料体150(残余料151)进行两道或以上的移除步骤。
在本发明中,残余料151及延伸部140是分别移除。特定言之,移除残余料151及延伸部140的顺序并无特殊限制,只要其分别移除即可。举例言之,可同时移除全部的残余料151后再同时移除全部的延伸部140、亦可同时移除全部的延伸部140后再移除全部的残余料151,或者亦可分阶段地除部分的残余料151及延伸部140,两者可交互进行。移除方法无所限制,举例言之,可以切割、冲压等方式进行,较佳是以冲压方式进行。在本发明的实施例中是以冲压为例。
本发明可针对移除部分的机械特性加以调整器具及工作强度。特定言之,分别移除步骤可避免同时移除不同材料时所造成的缺点,例如应力不均所造成的缺面缺陷、移除工具(刀具)损坏等。另外,较于移除延伸部,移除塑料体时通常会产生塑料体的粉尘。这些粉尘需以强大外力作用才可去除干净,例如强风吹拂、抖动或超音波。倘若同时移除残余料及延伸部后进行清洁,此时承载体与框架间的作用力恐难撑持而有落料的虞。因此,本发明较佳是先移除残余料后进行清洁工作(即清洁塑料体),随后再移除延伸部。借此,可利用延伸部强化承载体与框架间的连结强度,避免清洁时落料的情况产生,最后再移除延伸部。
移除后延伸部会于承载体的电极部上产生至少一电极部截面,而移除后残余料会于承载体的壳体上产生一壳体截面。在本发明中,视最终产品的安全规范或客户需求等条件,电极部截面与壳体截面可于承载体的同一面或不同面。又在电极部截面与壳体截面为承载体同一面的情况下,电极部截面与壳体截面可齐平(构成一平直的面)或者不齐平(不构成一平直的面)。
如图1所示,电极部112具有一外露于壳体的翼部112A,翼部112A具有一中央外突出区(或称中央区域)112A1及二外侧边缘区域(或称边缘区域)112A2。在图1所示的实施例中,每一边缘区域112A2包含一个电极部截面,这些电极部截面与壳体111的壳体截面111A的部分区域为齐平者,此时承载体具有较平整的外观。然而,亦可如图5所示,电极部112的翼部112A具有一中央外突出区112A1及二外侧边缘区域112A2,电极部112的电极部截面与壳体111的壳体截面111A不齐平,此时电极部112具有额外的侧面积,可增加与焊料间的结合力,进而增强发光装置于后续打件后的打件强度。
另外,在导电支架为抗氧化层的金属复合片材的情况下,于电极部截面会产生未覆有抗氧化层的截面。在本发明中,未覆有抗氧化层的截面较佳是与电极部的中央区域一体。盖于后续的打件过程中焊料可沿着翼部的侧面爬升并覆盖侧面,此时至少部分的未覆有抗氧化层的截面可被焊料覆盖,可减少截面部位发生氧化的几率。另外未覆有抗氧化层的截面与相邻接的中央区域的表面同侧,较佳是形成连续的面,以减少电极部产生尖端或毛边,进而造成后续加工机台的损耗,更甚者会于尖端或毛边处产生电荷累积的效应,影响末端产品的可靠性。
本发明亦提供一种由本发明承载支架所制得的发光装置,该发光装置包含一承载体、一发光二极管芯片及一封装体。该发光二极管芯片是承载于承载体之中且被封装体所覆盖。在本发明中封装体的材料可为环氧树脂或硅胶等塑胶材料的复合物。另外,本发明的发光装置可视需要添加荧光材料于封装体之中,举例的荧光材料有:铝酸盐荧光物质(诸如,经掺杂的钇铝氧化物化合物、经掺杂的镥铝氧化物化合物、经掺杂的铽铝氧化物化合物或其组合)、硅酸盐荧光物质、硫化物荧光物质、氧氮化物荧光物质、氮化物荧光物质、氟化物荧光物质或其组合。
本发明的发光装置可以借由以下方法所制得。首先提供前述的承载支架。随后提供一发光二极管芯片并将其固晶、焊线于承载体的反射凹杯之中。嗣后以封装胶体填充反射凹杯以封装密封发光二极管芯片,即形成位于框架上的发光装置。最后分离发光装置及框架(即分离框架承载体与框架,例如以挤压方式进行分离),以形成单独的发光装置。
本发明中亦可提供多个发光二极管芯片于承载体中,这些发光二极管芯片可发射出相同或不同屏谱的光。在固定发光二极管芯片后可进行焊线工作以将发光二极管芯片与电极部电性连接。其中可视最终产品需要于亦可提供其他电子元件,例如齐纳二极管或热敏电阻等。
请参考图6,其为本发明的一实施例的发光装置的俯视图。电极部112的翼部112A具有一中央区域112A1及两边缘区域112A2,且中央区域112A1是突出于两边缘区域112A2。翼部112A是突出于壳体111的壳体截面111A之外,使得电极部112的翼部112A的中央区域1112A1与壳体111的壳体截面111A不是共平面。其中间隔D1为电极部112的翼部112A的中央区域及壳体111的壳体截面111A的内侧区域之间的距离,约为0.1mm。间隔D2为电极部112的翼部112A的中央区域112A1及壳体111的翼部112A的外侧区域之间的距离,即电极部112的翼部112A的中央区域112A1及壳体111的翼部112A,约为0.05mm。
请参考图7,其为本发明的另一实施例的发光装置的俯视图。电极部112的翼部112A具有一中央区域112A1及两边缘区域112A2,且突出于壳体111的壳体截面111A之外,使得电极部112的翼部112A与壳体111的壳体截面111A不是共平面。其中间隔D1为电极部112的翼部112A的中央及壳体111的壳体截面111A的内侧区域之间的距离,约为0.1mm。间隔D3为电极部112的翼部112A的中央区域112A1及壳体111的截面111A的外侧区域之间的距离,约为0.075mm。
请参考图8,其为本发明的再一实施例的发光装置的俯视图。电极部112的翼部112A具有一中央区域112A1及两边缘区域112A2,且该中央区域112A1是凹陷于两边缘区域112A2,又该两边缘区域112A2的电极部截面为斜面。翼部112A是凹陷于壳体111的截面111A之内,使得电极部112的翼部112A与壳体111的截面111A不是共平面。其中间隔D4为壳体111的截面111A的外侧区域及内侧区域之间的距离,约为0.05mm。间隔D5为电极部112的翼部112A的中央及壳体111的截面111A的外侧区域之间的距离,约为0.025mm。
请参考图9,其为本发明的又一实施例的发光装置的俯视图。电极部112的翼部112A具有一中央区域112A1及两边缘区域112A2,且该中央区域112A1是突出于两边缘区域112A2,又该两边缘区域112A2的电极部截面为斜面。该翼部112A是突出于壳体111的截面111A之外,使得电极部112的翼部112A与壳体111的截面111A不是共平面。
请参考图10,其为本发明的更一实施例的发光装置的俯视图。电极部112的翼部112A为一外凸曲面,即中央区域的外表面与边缘区域的外轮廓(电极部截面)是形成一连续的外凸曲面。翼部112A是突出于壳体111的截面111A之外,使得电极部112的翼部112A与壳体111的截面111A不是共平面。
请参考图11,其为本发明的其一实施例的发光装置的俯视图。电极部112的翼部112A为一内凹曲面,即中央区域的外表面与边缘区域的外轮廓(电极部截面)是形成一连续的内凹曲面。翼部112A凹陷于壳体111的截面111A之内,使得电极部112的翼部112A与壳体111的截面111A不是共平面。
请参考图12A至图12D,其为本发明的其一实施例所提出的承载支架100’的各示意图(即俯视图、沿前后方向的全剖面图、沿左右方向的全剖面图、及局部放大详图)。该承载支架100’与前述的承载支架100相似,也就是,该承载支架100’同样包含一框架120及一承载体110,该框架120包含至少一支撑部121,而该承载体110具有一壳体111及至少一电极部112,该壳体111借由该支撑部121而机械耦合于该框架120;因此,上述各元件的技术内容可参考承载支架100的对应者。
较佳地,该至少一电极部112可为相分隔的二电极部112,以作为承载体110的阳极端及阴极端。该二电极部112被该框架120环绕,即二电极部112位于框架120本身所围绕而成的空间之中。该二电极部112与该框架120可借由至少一空乏区130来分隔,使得两者不会相接触,进而使得该二电极部112与该框架120相电性隔离。
该框架120的支撑部121朝着该二电极部112的其中之一延伸,但不会接触到电极部112。本实施例中支撑部121为四个,分布于电极部112的两侧。壳体111可至少包覆该支撑部121及至少部分的二电极部112,且至少设置于部分的空乏区130中:借此,壳体111借由支撑部121与框架120相机械地耦合,而壳体111与二电极部112亦相机械相耦合,使得壳体111及二电极部112保持在框架120之中而不脱落。
进一步说明电极部112的形状特征。请配合参阅图13A,该二电极部112的每一个具有相对设置(即相反设置)的一翼部112A及内侧面112B,该翼部112A可暴露出壳体111的壳体截面111A外(可参考前述图6至图11的相关说明),且与另一电极部112的翼部112A不相面对;该二电极部112的内侧面112B可为相面对,且至少部分的该二电极部112可被壳体111包覆住。
该二电极部112的每一个更具有相对设置的二连接面112C,其连接该翼部112A及内侧面112B,即连接面112C的一边缘(如前边)连接翼部112A的一边缘(如左边),而连接面112C的另一边缘(如后边)连接内侧面112B的一边缘(如左边)。该翼部112A、内侧面112B及二连接面112C可不是平面,也就是,该翼部112A、内侧面112B及二连接面112C可为凹凸起伏或阶梯状的表面。
该二电极部112的每一个更可具有至少一个凹部1121,该凹部1121可设置于该连接面112C上,以使得连接面112C成为凹凸起伏的表面。该凹部1121可增加电极部112与壳体111(塑料体150)之间的接触面积并且借由几何对应关系增加电极部112与壳体111间的卡固作用,以使得电极部112与壳体111之间的结合力较强。若凹部1121为多个时,各凹部1121的尺寸可设计成不一致,以因应电极部112与壳体111之间不同处的所需结合力。
该二电极部112的翼部112A、内侧面112B及二连接面112C可将该至少一空乏区130区分为多个空乏区130,即这些空乏区130可分别为一间隙131、二第一贯穿槽132及二第二贯穿槽133,彼此相连通。间隙131设置于该二电极部112的内侧面112B之间,而该二第一贯穿槽132沿着该二电极部112的二连接面112C而设置,也就是,一个第一贯穿槽132会由其中一个电极部112的一个连接面112C的一边缘延伸至另一个电极部112的同面向的一个连接面112C的一边缘;该二第一贯穿槽132位置上为相分隔。
该二第二贯穿槽133则沿着该二电极部112的翼部112A而设置,也就是,一个第二贯穿槽133仅在其中一个电极部112的翼部112A延伸;该二第二贯穿槽133位置上亦为相分隔。
框架120的支撑部121可朝着该二电极部112的二连接面112C的其中之一,延伸至该二第一贯穿槽132的其中之一中。该壳体111可选择地设置于该二第一贯穿槽132及/或该间隙131中。此外,该壳体111的壳体截面111A可以至少包含一弯曲面,例如可具有一圆角111R,如图12D所示,其壳体截面为圆角,其连接至该电极部112的电极部截面112A2。该圆角111R可分散撞击力量,使得单粒化的承载体110在做震动测试时,圆角111R不易被撞断或撞裂。此外,在如图12D所示的实施态样中,该壳体截面与该电极部截面不构成一平直的面,即壳体截面与该电极部截面不齐平的。
综上,承载支架100’亦可使得各个承载体110的电极部112彼此电性独立,因此在后续的发光装置固晶、焊线及封装完成后,可直接对未单粒化的发光装置进行电性测量,大幅提升发光装置的生产速度。另说明的是,承载支架100’的技术内容亦可供承载支架100参照。
本发明的其中一实施例又提出一种承载支架的制造方法,其可至少制造出上述承载支架100’。该承载支架100’的制造方法与前述承载支架100的制造方法相似,该承载支架100’的制造方法包含以下步骤。
请参阅图13A至图13C,首先提供一导电支架160,该导电支架160包含一框架120,而该框架120包含至少一支撑部121、至少一空乏区130及至少一延伸部140。该至少一空乏区130可对应承载支架100’的一间隙131、二第一贯穿槽132及二第二贯穿槽133,但此时该二第一贯穿槽132及该二第二贯穿槽133尚未相连通。该至少一延伸部140可对应承载支架100’的二电极部112,但此时该二电极部112尚未与框架120相分离。
请参阅图14,接着于第二步骤中,形成一塑料体150。该塑料体150覆盖至少部分的该延伸部140及至少部分的该支撑部121,且该塑料体150填充至少部分的该空乏区130。举例而言,塑料体150部分地覆盖延伸部140的二电极部112,完整地覆盖代支撑部121,且塑料体150填充于空乏区130的间隙131及二第一贯穿槽132中,但没有填充于第二贯穿槽133中。此外,塑料体150可与延伸部140的凹部1121(如图13A所示)相接触,以增加塑料体150与延伸部140之间的接触面积。
请参阅图15,于第三步骤中,移除部分填充于空乏区130的塑料体150,也就是,将填充于该二第一贯穿槽132中的部分塑料体150移除。欲移除的塑料体150称为残余料151(如图14所示),该残余料151的范围将依据产品的具体形状而定。于本实施例中,填充于该二第一贯穿槽132的两末端区域中的塑料体150将被移除,以使塑料体150的四个角落的凸角被移除。剩余的塑料体150即形成承载支架100’的壳体111。
请参阅图16,于第四步骤中,移除部分露出塑料体150的延伸部140,以使得延伸部140的剩余部分与框架120相分隔。换言之,于此步骤中,该第二贯穿槽133两旁的延伸部140(如图15所示)会被移除,以使得该第二贯穿槽133连通至第一贯穿槽132。剩余的延伸部140即形成承载支架100’的电极部112。
当上述步骤完成后,承载支架100’即可被制造出。上述步骤的若干细部技术内容可参照承载支架100的制造方法,例如导电支架160上可先形成一导电层、第三步骤及第四步骤的实施顺序可互换、第四步骤实施前可先清洁塑料体150等。
请参考图17A至图17D,其为第本发明的其一实施例所提出的承载支架100”的各示意图(即俯视图、沿前后方向的全剖面图、沿左右方向的全剖面图、及局部放大详图),其显示出一个以上的承载支架100”。
该承载支架100”与前述的承载支架100及100’相似,故彼此的技术内容应可相互参照。而欲说明的是,承载支架100”的框架120具有一侧部123及一通道区122,该侧部123可由两个承载支架100”的框架120所共有,换言之,两个承载支架100”的框架120可借由共有的侧部123而为一体;此外,两个承载支架100”的承载体110被该侧部123相分隔。该通道区122设置于该侧部123中,并连通于每个承载支架100”的该二第一贯穿槽132的其中之一。另说明的是,该壳体111的壳体截面111A可以至少包含一弯曲面,例如可具有一圆角111R,而该圆角111R连接至框架120的侧部123。此外,该电极部112的电极部截面同样可至少包含一弯曲面,而上述所述的弯曲面皆不限于单一曲率。即其边缘区域的外轮廓呈现一弯曲线。该电极部截面与该圆角111R是不相邻。借由弯曲的击部截面,可分散撞击力量。同时,在如图17D所示的实施例中,该壳体截面与该电极部截面不构成一平直的面,即壳体截面与该电极部截面不齐平。
在功效上,承载支架100”亦可使得各个承载体110的电极部112彼此电性独立,因此在后续的发光装置固晶、焊线及封装完成后,可直接对未单粒化的发光装置进行电性测量,大幅提升发光装置的生产速度。
本发明的其中一实施例又提出一种承载支架的制造方法,其可至少制造出上述承载支架100”。该承载支架100”的制造方法与承载支架100’的制造方法相似,故两制造方法的相同技术内容将省略或简化描述。该承载支架100”可包含以下步骤。
请参阅图18A至图18C,首先提供一导电支架160,本实施例以二导电支架160为例。每一个导电支架160包含至少一框架120,而该框架120包含至少一支撑部121、至少一侧部123、至少一通道区122、至少一空乏区130及至少一延伸部140。该通道区122设置于该侧部123上,并与空乏区130相连通。
请参阅图19,接着于第二步骤中,形成一塑料体150。该塑料体150覆盖每一个导电支架160的至少部分的该延伸部140及至少部分的该支撑部121,且该塑料体150填充至少部分的该空乏区130。该塑料体150还填充于通道区122中,也就是,塑料体150会经过通道区122,以覆盖另一导电支架160。此外,塑料体150还会与延伸部140的凹部1121(如图18A所示)相接触,以增加塑料体150与延伸部140之间的接触面积。
请参阅图20,于第三步骤中,移除填充于该通道区122中的该塑料体150。塑料体150的移除可借由一步骤来完成或由多道步骤来完成。具体而言,采取一道步骤时,一长度大于通道区122的刀具会被使用,以将通道区122两旁的部分框架120、连同通道区122内的塑料体150一并移除。因此,通道区122内的塑料体150移除后,通道区122将略微变长。
采取多道步骤时,首先使用一长度略小于通道区122的刀具,将通道区122内的部分塑料体150移除,接着再使用另一刀具将通道区122内的剩余塑料体150透过刮除等动作来移除。
请参阅图21,于第四步骤中,移除部分填充于空乏区130的塑料体150,也就是,将填充于该二第一贯穿槽132中的部分塑料体150(例如四个角落的残余料151,如图20所示)移除。当第三及第四步骤完成后,未被移除的剩余塑料体150即形成承载支架100”的壳体111。
请参阅图22,于第五步骤中,移除部分露出塑料体150的延伸部140(如图21所示),以使得延伸部140的剩余部分与框架120相分隔。换言之,于此步骤中,该第二贯穿槽133两旁的延伸部140会被移除,以使得该第二贯穿槽133连通至第一贯穿槽132。剩余的延伸部140即形成承载支架100”的电极部112。
当上述步骤完成后,承载支架100”即可被制造出。值得一提的是,上述第三至第五步骤的实施顺序可互换,并不限定。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上,然其并非用以限定本发明,任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的修改和完善,因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
Claims (22)
1.一种发光装置,包括:
至少一个电极部;以及
一树脂壳体,包含一反射材料并覆盖所述至少一个电极部的一部分,
其中,所述至少一个电极部包括暴露在所述壳体外面的一翼部,所述翼部沿所述壳体的边缘在所述翼部的长度方向延伸并且在所述翼部的宽度方向上突出于所述壳体,所述长度方向基本上垂直于所述宽度方向,
其中,所述翼部分包括:
一中央区域;以及
至少一个边缘区域,其在所述长度方向上具有比所述中央区域更短的长度,并且
其中,所述至少一个边缘区域沿所述宽度方向突出于所述中央区域的端部,
其中,所述至少一个电极部还包括一电极部截面,
其中,所述树脂壳体包括至少一个壳体截面,
其中,所述至少一个壳体截面位于所述树脂壳体的四个角落附近,并且,
其中,所述至少一个壳体截面与所述电极部截面不齐平。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述电极部截面包括至少一个弯曲面。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述至少一个电极部包括一内侧面和一连接面,并且所述内侧面和所述连接面彼此连接以形成一阶梯面。
4.根据权利要求3所述的发光装置,其中,至少一个凹陷部位于所述连接面处以形成一凹凸起伏的表面。
5.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述中央区域和所述至少一个边缘区域在所述宽度方向上突出于所述壳体。
6.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述至少一个边缘区域包括两个边缘区域。
7.根据权利要求6所述的发光装置,其中,所述两个边缘区域在所述宽度方向上突出于所述中央区域。
8.根据权利要求6所述的发光装置,其中,所述中央区域沿所述长度方向设置在所述两个边缘区域之间。
9.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述电极部截面对应于所述翼部的外表面的至少一部分。
10.根据权利要求9所述的发光装置,其中,所述电极部截面在所述至少一个电极部的厚度方向上延伸。
11.一种发光装置包括:
至少一个电极部,具有一翼部;以及
一树脂壳体,包含一反射材料,
其中,所述翼部包括:一中央区域,所述中央区域在远离所述壳体的第一方向上突出于所述壳体;以及至少一个边缘区域,所述至少一个边缘区域在所述第一方向上突出于所述中央区域的边缘部分,
其中,所述中央区域在与所述第一方向相反的第二方向上朝向所述壳体凹陷于所述至少一个边缘区域,
其中,所述至少一个电极部还包括一电极部截面,其中,所述树脂壳体包括至少一个壳体截面,
其中,所述至少一个壳体截面位于所述树脂壳体的角落附近,并且,
其中,至少一个壳体截面与所述电极部截面不齐平,
其中,所述至少一个边缘区域包括两个边缘区域,其中,所述两个边缘区域沿所述第一方向突出于所述中央区域。
12.根据权利要求11所述的发光装置,其中,所述翼部暴露在所述树脂壳体的外部。
13.根据权利要求12所述的发光装置,其中,所述翼部包括两个边缘区域。
14.根据权利要求13所述的发光装置,其中,所述两个边缘区域突出于中央区域。
15.根据权利要求11所述的发光装置,其中,所述至少一个电极部截面包括一弯曲面。
16.根据权利要求11所述的发光装置,其中,所述至少一个电极部还包括一导电层。
17.根据权利要求16所述的发光装置,其中,所述导电层不位于所述至少一个电极部截面的表面上。
18.根据权利要求17所述的发光装置,其中,所述导电层位于所述中央区域的表面上。
19.根据权利要求11所述的发光装置,其中,所述至少一个边缘区域的在基本上垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上的宽度不同于所述中央区域的宽度。
20.根据权利要求11所述的发光装置,其中,所述中央区域沿着基本上垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向设置在所述两个边缘区域之间。
21.根据权利要求11所述的发光装置,其中,所述电极部截面对应于所述翼部的外表面的至少一部分。
22.根据权利要求21所述的发光装置,其中,所述电极部截面在所述至少一个电极部的厚度方向上延伸。
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---|---|---|---|---|
TWI553264B (zh) | 2014-05-23 | 2016-10-11 | 億光電子工業股份有限公司 | 承載支架及其製造方法以及從該承載支架所製得之發光裝置及其製造方法 |
US10177292B2 (en) | 2014-05-23 | 2019-01-08 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Carrier, carrier leadframe, and light emitting device |
JP6248054B2 (ja) * | 2015-01-07 | 2017-12-13 | ミネベアミツミ株式会社 | 面状照明装置 |
US10461233B2 (en) * | 2015-11-27 | 2019-10-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and lighting device |
KR102528014B1 (ko) | 2015-11-27 | 2023-05-10 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 조명 장치 |
JP6337873B2 (ja) | 2015-11-30 | 2018-06-06 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ、パッケージ中間体、発光装置及びそれらの製造方法 |
JP6332253B2 (ja) | 2015-12-09 | 2018-05-30 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置 |
JP6332251B2 (ja) | 2015-12-09 | 2018-05-30 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置 |
JP6394634B2 (ja) | 2016-03-31 | 2018-09-26 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法 |
JP2017201689A (ja) * | 2016-05-05 | 2017-11-09 | 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Everlight Electronics Co.,Ltd. | キャリア、キャリアリードフレーム、及び発光デバイス |
CN109285930A (zh) * | 2017-07-21 | 2019-01-29 | 亿光电子工业股份有限公司 | 承载体及发光装置 |
JP6547875B2 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-07-24 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージの製造方法、パッケージ中間体の製造方法及び発光装置の製造方法 |
JP6975916B2 (ja) | 2018-08-09 | 2021-12-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN109713107A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-05-03 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 支架结构、led器件和灯组阵列 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201022080Y (zh) * | 2007-02-14 | 2008-02-13 | 蔡国清 | 高功率led导线架 |
CN201772311U (zh) * | 2010-08-12 | 2011-03-23 | 厦门市信达光电科技有限公司 | 一种led灯珠结构 |
CN103367344A (zh) * | 2012-04-11 | 2013-10-23 | 光宝电子(广州)有限公司 | 连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条 |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030011048A1 (en) | 1999-03-19 | 2003-01-16 | Abbott Donald C. | Semiconductor circuit assembly having a plated leadframe including gold selectively covering areas to be soldered |
KR100567559B1 (ko) * | 2002-07-25 | 2006-04-05 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 광전소자부품 |
EP1385217A3 (en) * | 2002-07-25 | 2005-04-20 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Photoelectric device-part |
JP4645071B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2011-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置 |
KR100631903B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2006-10-11 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 하우징 및 그 제조 방법 |
KR20070049380A (ko) | 2005-11-08 | 2007-05-11 | 삼성전자주식회사 | 하드 마스크막 패턴 형성 방법 |
KR100997946B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2010-12-02 | 파나소닉 전공 주식회사 | Led를 가진 조명 장치 |
JP4952233B2 (ja) * | 2006-04-19 | 2012-06-13 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置 |
JP4830768B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2011-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
US7625419B2 (en) * | 2006-05-10 | 2009-12-01 | Donaldson Company, Inc. | Air filter arrangement; assembly; and, methods |
JP4922663B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2012-04-25 | スタンレー電気株式会社 | 半導体光学装置 |
US20070290220A1 (en) * | 2006-06-20 | 2007-12-20 | Bily Wang | Package for a light emitting diode and a process for fabricating the same |
KR20090124906A (ko) * | 2007-03-12 | 2009-12-03 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 고출력 발광 장치 및 그것에 이용하는 패키지 |
JP5431688B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2014-03-05 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | マルチledパッケージ |
US9685592B2 (en) * | 2009-01-14 | 2017-06-20 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Miniature surface mount device with large pin pads |
KR20100083907A (ko) * | 2009-01-15 | 2010-07-23 | 설명순 | Led 패키지 및 이의 제조 방법 |
EP2485284B1 (en) | 2009-10-01 | 2017-04-12 | Nichia Corporation | Light emitting device |
CN102130266B (zh) * | 2010-01-20 | 2013-08-28 | 光宝电子(广州)有限公司 | 封装结构及发光二极管封装结构 |
TWI427745B (zh) * | 2010-01-20 | 2014-02-21 | Lite On Electronics Guangzhou | 封裝結構及發光二極體封裝結構 |
US8648359B2 (en) * | 2010-06-28 | 2014-02-11 | Cree, Inc. | Light emitting devices and methods |
TWM403757U (en) * | 2010-10-08 | 2011-05-11 | Fu Sheng Ind Co Ltd | LED frame structure |
JP2012114286A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
JP2012114311A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Toshiba Corp | Ledモジュール |
EP2660884B1 (en) | 2010-12-28 | 2019-12-11 | Nichia Corporation | Light-emitting apparatus and method of manufacturing thereof |
TW201250964A (en) | 2011-01-27 | 2012-12-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Resin-attached lead frame, method for manufacturing same, and lead frame |
US9209373B2 (en) * | 2011-02-23 | 2015-12-08 | Intellectual Discovery Co., Ltd. | High power plastic leaded chip carrier with integrated metal reflector cup and direct heat sink |
JP2012227179A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-15 | Panasonic Corp | 半導体発光装置及びそれを用いたバックライトユニット |
TW201312807A (zh) * | 2011-07-21 | 2013-03-16 | Cree Inc | 光發射器元件封裝與部件及改良化學抵抗性的方法與相關方法 |
CN103137827B (zh) * | 2011-11-30 | 2016-02-10 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及发光装置 |
JP6034175B2 (ja) | 2012-01-10 | 2016-11-30 | ローム株式会社 | Ledモジュール |
CN102593339A (zh) * | 2012-02-23 | 2012-07-18 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 芯片构装 |
US9024514B2 (en) * | 2012-02-27 | 2015-05-05 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting module having connection member to press for direct electrical contact |
US9653656B2 (en) * | 2012-03-16 | 2017-05-16 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | LED packages and related methods |
CN103367619B (zh) * | 2012-03-30 | 2015-12-02 | 光宝电子(广州)有限公司 | 金属支架结构及发光二极管结构 |
TWI497779B (zh) * | 2012-07-11 | 2015-08-21 | Fusheng Electronics Corp | 發光二極體的支架結構製作方法(三) |
JP2014041966A (ja) * | 2012-08-23 | 2014-03-06 | Mitsubishi Plastics Inc | 発光装置用パッケージ及び発光装置 |
JP2014060343A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Sanken Electric Co Ltd | 発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード |
TWD154430S (zh) | 2012-09-27 | 2013-07-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體封裝 |
TWD154432S (zh) | 2012-11-12 | 2013-07-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體封裝 |
US10026676B2 (en) * | 2012-12-11 | 2018-07-17 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor lead frame package and LED package |
KR102011101B1 (ko) | 2012-12-26 | 2019-08-14 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
KR102029802B1 (ko) * | 2013-01-14 | 2019-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
TWM461882U (zh) * | 2013-03-08 | 2013-09-11 | Xin Ying Guang Technology Co Ltd | 發光二極體封裝結構及應用該封裝結構之發光二極體燈管 |
CN203423214U (zh) * | 2013-04-15 | 2014-02-05 | 新莹光科股份有限公司 | 发光二极管封装结构及发光二极管灯管 |
TWI553264B (zh) | 2014-05-23 | 2016-10-11 | 億光電子工業股份有限公司 | 承載支架及其製造方法以及從該承載支架所製得之發光裝置及其製造方法 |
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2017
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- 2017-02-24 US US15/441,582 patent/US9691960B1/en active Active
- 2017-07-28 JP JP2017003464U patent/JP3213517U/ja active Active
-
2018
- 2018-01-02 US US15/859,858 patent/US10475974B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201022080Y (zh) * | 2007-02-14 | 2008-02-13 | 蔡国清 | 高功率led导线架 |
CN201772311U (zh) * | 2010-08-12 | 2011-03-23 | 厦门市信达光电科技有限公司 | 一种led灯珠结构 |
CN103367344A (zh) * | 2012-04-11 | 2013-10-23 | 光宝电子(广州)有限公司 | 连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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---|---|---|
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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