TW201513410A - 發光二極體製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種發光二極體製造方法，包括以下步驟：提供一個基板，其包括基板本體，金屬支架以及複數個反射杯，金屬支架包括複數個第一電極及複數個第二電極，每個反射杯內部形成有固晶凹槽以暴露出金屬支架；在固晶凹槽內部設置發光二極體晶粒；提供一個壓合件，將壓合件抵靠在基板的邊緣以使基板平整化；在固晶凹槽內填充封裝材料以覆蓋發光二極體晶粒；移除壓合件並使封裝材料固化；以及沿複數個反射杯之間的間隙切割基板以形成複數個發光二極體。

Description

發光二極體製造方法
本發明涉及一種發光二極體的製造方法。
發光二極體(Light Emitting Diode，LED)是一種可將電流轉換成特定波長範圍的光電半導體元件。發光二極體以其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與積體電路匹配、驅動簡單、壽命長等優點，從而可作為光源而廣泛應用於照明領域。
在發光二極體的封裝過程中，通常是先提供一個金屬支架，然後在金屬支架上設置發光二極體晶粒以及填充封裝材料層。然而，在上述過程中，金屬支架容易受到外力的擠壓而產生變形。此時，所形成的封裝材料層的形狀將受到影響而產生誤差。
有鑒於此，有必要提供一種不易變形的發光二極體製造方法。
一種發光二極體製造方法，包括以下步驟：
提供一個基板，所述基板包括基板本體，設置於基板本體之中的金屬支架以及設置於金屬支架之上的複數個反射杯，所述金屬支架包括複數個第一電極及複數個第二電極，所述複數個第一電極及複數個第二電極相鄰設置且分別沿基板的延伸方向間隔排列，每個反射杯內部形成有固晶凹槽以暴露出金屬支架；
在固晶凹槽內部設置發光二極體晶粒，所述發光二極體晶粒設置於金屬支架之上且分別與第一電極及第二電極電連接；
提供一個壓合件，將所述壓合件抵靠在基板的邊緣以使基板平整化；
在固晶凹槽內填充封裝材料以覆蓋發光二極體晶粒；
移除壓合件並使封裝材料固化；以及
沿複數個反射杯之間的間隙切割基板以形成複數個發光二極體。
在上述發光二極體的製造方法中，藉由一個壓合件壓在基板的邊緣以使基板平整化，此時，基板因外力作用而產生的變形將會被抑制，後續在固晶凹槽中填充封裝材料的時候，封裝材料的形狀將不會因為基板的變形而產生誤差，從而避免對發光二極體的性能產生影響。
110‧‧‧基板
111‧‧‧基板本體
1111‧‧‧第一凹槽
1112‧‧‧第二凹槽
1113‧‧‧第一腔體
1114‧‧‧第二腔體
1115‧‧‧第三腔體
1116‧‧‧第四腔體
112‧‧‧金屬支架
1121‧‧‧第一電極
1122‧‧‧第二電極
1123‧‧‧第一本體
1124‧‧‧第一貫穿部
1125‧‧‧第二本體
1126‧‧‧第二貫穿部
1127‧‧‧金屬外框
1128‧‧‧第一連接桿
1129‧‧‧第二連接桿
113‧‧‧反射杯
1131‧‧‧固晶凹槽
120‧‧‧發光二極體晶粒
121‧‧‧第一金屬導線
122‧‧‧第二金屬導線
130‧‧‧壓合件
131‧‧‧本體
132‧‧‧突出部
140‧‧‧封裝材料
圖1係本發明實施例提供的基板的俯視示意圖。
圖2係圖1中的基板在III-III處的剖視示意圖。
圖3係圖1中的基板本體的剖視示意圖。
圖4係圖1中的金屬支架的俯視示意圖。
圖5係圖4中的金屬支架在IV-IV處的剖視示意圖。
圖6係將金屬支架設置於基板本體中的剖視示意圖。
圖7係將反射杯設置於金屬支架上的剖視示意圖。
圖8係在反射杯內設置發光二極體晶粒的剖視示意圖。
圖9係採用壓合件壓合基板的俯視示意圖。
圖10係在反射杯的固晶凹槽內填充封裝材料的剖視示意圖。
圖11係使封裝材料固化的剖視示意圖。
圖12係切割基板的剖視示意圖。
請參見圖1-2，提供一個基板110。所述基板110包括基板本體111，設置於基板本體111之中的金屬支架112以及設置於金屬支架112之上的複數個反射杯113。所述金屬支架112由銅、鋁、鐵、鎳、鋅等金屬製成，其包括複數個第一電極1121以及複數個第二電極1122。所述複數個第一電極1121及複數個第二電極1122相鄰設置且分別沿基板110的延伸方向X間隔排列。每個反射杯113的內部形成有固晶凹槽1131以暴露出金屬支架112的第一電極1121及相應的第二電極1122。在本實施例中，所述基板110藉由以下方法製造：
請參見圖3，提供一個基板本體111，所述基板本體111上設置有貫穿基板本體111的複數個第一凹槽1111與複數個第二凹槽1112。所述複數個第一凹槽1111與複數個第二凹槽1112分別沿基板本體111的延伸方向X間隔排列，且每個第一凹槽1111與其相對應的第二凹槽1112相鄰設置。在本實施例中，所述第一凹槽1111包括第一腔體1113與第二腔體1114。第二腔體1114設置於第一腔體1113的底部且第二腔體1114的橫截面的寬度從上到下逐漸減小。所述第二凹槽1112包括第三腔體1115與第四腔體1116，所述第四腔體1116設置於第三腔體1115的底部且第四腔體1116的橫截面的寬度從上到下逐漸減小。
請參見圖4-5，提供一個金屬支架112，所述金屬支架112具有複數個第一電極1121及複數個第二電極1122。所述第一電極1121的位置與第一凹槽1111相對應，所述第二電極1122的位置與第二凹槽1112相對應。在本實施例中，每個第一電極1121包括第一本體1123以及從第一本體1123向下延伸的第一貫穿部1124，第一貫穿部1124的橫截面的寬度從上到下逐漸減小且其大小形狀與第二腔體1114的大小形狀相對應。每個第二電極1122包括第二本體1125以及從第二本體1125向下延伸的第二貫穿部1126，所述第二貫穿部1126的橫截面的寬度從上到下逐漸減小且其大小形狀與第四腔體1116的大小形狀相對應。在本實施例中，所述金屬支架112進一步包括一個金屬外框1127。所述複數個第一電極1121與複數個第二電極1122設置於金屬外框1127之中。複數個第一電極1121之間藉由第一連接桿1128相互連接並連接至金屬外框1127上。複數個第二電極1122之間藉由第二連接桿1129相互連接並連接至金屬外框1127上。
請參見圖6，將金屬支架112覆蓋在基板本體111之上，從而使第一電極1121設置於第一凹槽1111中，並使第二電極1122設置於第二凹槽1112中。其中，第一電極1121的第一本體1123與第一貫穿部1124分別設置於第一凹槽1111的第一腔體1113與第二腔體1114之中；第二電極1122的第二本體1125與第二貫穿部1126分別設置於第二凹槽1112的第三腔體1115與第四腔體1116中。在上述過程中，由於第一貫穿部1124與第二貫穿部1126的橫截面的寬度皆從上到下逐漸減小，此時，第一貫穿部1124與第二貫穿部1126可很方便地定位設置於第二腔體1114與第四腔體1116中。
請參見圖7，在金屬支架112上形成複數個反射杯113，每個反射杯113內部形成有固晶凹槽1131以暴露出金屬支架112的第一電極1121及相對應的第二電極1122。至此，基板110的製作完成。
請參見圖8，在提供基板110之後，在反射杯113的固晶凹槽1131內部設置發光二極體晶粒120。所述發光二極體晶粒120設置於所暴露的金屬支架112之上且分別與第一電極1121及第二電極1122電連接。在本實施例中，所述發光二極體晶粒120設置於第二電極1122之上，其藉由第一金屬導線121與第二金屬導線122分別連接到第一電極1121與第二電極1122。
請參見圖9，提供一個壓合件130，所述壓合件130設置於基板110的與延伸方向X平行的邊緣以使基板110平整化。在本實施例中，所述壓合件130包括本體131以及從本體131兩端垂直延伸的突出部132。所述本體131壓合在基板110的與延伸方向X平行的邊緣，所述突出部132壓合在基板110的兩端。
請參見圖10，在固晶凹槽1131內填充封裝材料140以覆蓋發光二極體晶粒120，然後使封裝材料140固化。根據需要，封裝材料140為環氧樹脂或者矽膠。根據需要，還可以在封裝材料140中填入螢光粉粒子以獲得所需的光線顏色。所述的螢光粉粒子的製作材料選自石榴石結構的螢光粉材料，氮化物系螢光粉材料，磷化物，硫化物與矽酸鹽化合物其中一種或者多種。
請參見圖11，移除壓合件130並使封裝材料140固化。
請參見圖12，沿複數個反射杯113之間的間隙切割基板110以形成複數個發光二極體10。在本實施例中，在切割基板110的時侯，第一電極1121與金屬外框1127之間的第一連接桿1128相應被切斷以使第一電極1121與金屬外框1127電學分離。第二電極1122與金屬外框1127之間的第二連接桿1129亦相應被切斷以使第二電極1122與金屬外框1127電學分離。
在上述發光二極體製造方法中，藉由一個壓合件130壓在基板110的邊緣以使基板110平整化，此時，基板110因外力作用而產生的變形將會被抑制。在後續在固晶凹槽1131中填充封裝材料140的時候，封裝材料140固化後的形狀將不會因為基板110的變形而產生誤差，從而避免對所形成的發光二極體10的性能產生影響。
另外，在上述發光二極體製造方法中，第一電極1121與第二電極1122藉由金屬外框1127之間實現電學連接，該電學連接的狀態一直保持到對基板110進行切割之前。因此，在將發光二極體晶粒120分別電連接到第一電極1121與第二電極1122時，即使基板110上存在著靜電，也不會使發光二極體晶粒120擊穿而使其損壞。因此，上述封裝方法可提高發光二極體封裝產品的良率，降低成本。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
無
111‧‧‧基板本體
112‧‧‧金屬支架
1121‧‧‧第一電極
1122‧‧‧第二電極
113‧‧‧反射杯
120‧‧‧發光二極體晶粒
130‧‧‧壓合件
140‧‧‧封裝材料

Claims (10)

  1. 一種發光二極體製造方法，包括以下步驟：
    提供一個基板，所述基板包括基板本體，設置於基板本體之中的金屬支架以及設置於金屬支架之上的複數個反射杯，所述金屬支架包括複數個第一電極及複數個第二電極，所述複數個第一電極及複數個第二電極相鄰設置且分別沿基板的延伸方向間隔排列，每個反射杯內部形成有固晶凹槽以暴露出金屬支架；
    在固晶凹槽內部設置發光二極體晶粒，所述發光二極體晶粒設置於金屬支架之上且分別與第一電極及第二電極電連接；
    提供一個壓合件，將壓合件抵靠在基板的邊緣以使基板平整化；
    在固晶凹槽內填充封裝材料以覆蓋發光二極體晶粒；
    移除壓合件並使封裝材料固化；以及
    沿複數個反射杯之間的間隙切割基板以形成複數個發光二極體。參照發明內容部分調整。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體製造方法，其中，所述壓合件包括本體以及從本體兩端垂直延伸的突出部，所述本體壓合在基板的與延伸方向平行的邊緣，所述突出部壓合在基板的兩端。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體製造方法，其中，所述封裝材料中含有螢光粉顆粒。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體製造方法，其中，所述基板按以下方法製成：
    提供一個基板本體，所述基板本體上設置有貫穿基板本體的複數個第一凹槽與複數個第二凹槽，所述複數個第一凹槽與複數個第二凹槽沿基板本體的延伸方向間隔排列，所述複數個第二凹槽亦沿基板本體的延伸方向間隔排列且與第一凹槽並排設置；
    提供一個金屬支架，所述金屬支架上具有複數個第一電極及複數個第二電極，所述第一電極的位置與第一凹槽相對應，所述第二電極的位置與第二凹槽相對應；
    將第一電極設置於第一凹槽之中，將第二電極設置於第二凹槽之中；
    在金屬支架上形成複數個反射杯，每個反射杯內部形成有固晶凹槽以暴露出金屬支架的第一電極及相對應的第二電極。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體製造方法，其中，所述第一凹槽包括第一腔體與第二腔體，所述第二腔體設置於第一腔體的底部且第二腔體的橫截面的寬度從上到下逐漸減小。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體製造方法，其中，每個第一電極包括第一本體以及從第一本體向下延伸的第一貫穿部，所述第一貫穿部的橫截面的寬度從上到下逐漸減小，所述第一本體設置於第一腔體之中，第一貫穿部設置於第二腔體之中。
  7. 如申請專利範圍第4項至第5項任意一項所述之發光二極體製造方法，其中，所述第二凹槽包括第三腔體與第四腔體，所述第四腔體設置於第三腔體的底部且第四腔體的橫截面的寬度從上到下逐漸減小。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體製造方法，其中，每個第二電極包括第二本體以及從第二本體向下延伸的第二貫穿部，所述第二貫穿部的橫截面的寬度從上到下逐漸減小，所述第二本體設置於第三腔體之中，第二貫穿部設置於第四腔體之中。
  9. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體製造方法，其中，所述金屬框架包括金屬外框，所述複數個第一電極與複數個第二電極設置於金屬外框之中，所述複數個第一電極藉由第一連接桿相互連接且連接至金屬外框上，所述複數個第二電極藉由第二連接桿相互連接且連接至金屬外框上。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體製造方法，其中，在切割基板時，第一電極與金屬外框之間的第一連接桿相應被切斷以使第一電極與金屬外框電學分離，第二電極與金屬外框之間的第二連接桿亦相應被切斷以使第二電極與金屬外框電學分離。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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