CN104253191A - 发光二极管制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 17
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 15
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 3
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 abstract 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940074869 marquis Drugs 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- VBUNOIXRZNJNAD-UHFFFAOYSA-N ponazuril Chemical compound CC1=CC(N2C(N(C)C(=O)NC2=O)=O)=CC=C1OC1=CC=C(S(=O)(=O)C(F)(F)F)C=C1 VBUNOIXRZNJNAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 silicate compound Chemical class 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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Abstract
一种发光二极管制造方法,包括以下步骤:提供一个基板,其包括基板本体,设置在基板本体之中的金属支架以及设置在金属支架之上的多个反射杯,金属支架包括多个第一电极及多个第二电极,第一电极及第二电极相邻设置且分别沿基板的延伸方向间隔排列,每个反射杯内部形成有固晶凹槽以暴露出金属支架;在固晶凹槽内部设置发光二极管晶粒,发光二极管晶粒设置在金属支架之上且分别与第一电极及第二电极电连接;提供一个压合件,将压合件抵靠在基板的边缘以使基板平整化;在固晶凹槽内填充封装材料以覆盖发光二极管晶粒;移除压合件并使封装材料固化;以及沿多个反射杯之间的间隙切割基板以形成多个发光二极管。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管的制造方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点,从而可作为光源而广泛应用于照明领域。
在发光二极管的封装过程中,通常是先提供一个金属支架,然后在金属支架上设置发光二极管晶粒以及填充封装材料层。然而,在上述过程中,金属支架容易受到外力的挤压而产生变形。此时,所形成的封装材料层的形状将受到影响而产生误差。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种不易变形的发光二极管制造方法。
一种发光二极管制造方法,包括以下步骤:
提供一个基板,所述基板包括基板本体,设置在基板本体之中的金属支架以及设置在金属支架之上的多个反射杯,所述金属支架包括多个第一电极及多个第二电极,所述多个第一电极及多个第二电极相邻设置且分别沿基板的延伸方向间隔排列,每个反射杯内部形成有固晶凹槽以暴露出金属支架;
在固晶凹槽内部设置发光二极管晶粒,所述发光二极管晶粒设置在金属支架之上且分别与第一电极及第二电极电连接;
提供一个压合件,将所述压合件抵靠在基板的边缘以使基板平整化;
在固晶凹槽内填充封装材料以覆盖发光二极管晶粒;
移除压合件并使封装材料固化;以及
沿多个反射杯之间的间隙切割基板以形成多个发光二极管。
在上述发光二极管的制造方法中,通过一个压合件压在基板的边缘以使基板平整化,此时,基板因外力作用而产生的变形将会被抑制,后续在固晶凹槽中填充封装材料的时候,封装材料的形状将不会因为基板的变形而产生误差,从而避免对发光二极管的性能产生影响。
附图说明
图1是本发明实施例提供的基板的俯视示意图。
图2是图1中的基板在III-III处的剖视示意图。
图3是图1中的基板本体的剖视示意图。
图4是图1中的金属支架的俯视示意图。
图5是图4中的金属支架在IV-IV处的剖视示意图。
图6是将金属支架设置在基板本体中的剖视示意图。
图7是将反射杯设置在金属支架上的剖视示意图。
图8是在反射杯内设置发光二极管晶粒的剖视示意图。
图9是采用压合件压合基板的俯视示意图。
图10是在反射杯的固晶凹槽内填充封装材料的剖视示意图。
图11是使封装材料固化的剖视示意图。
图12是切割基板的剖视示意图。
主要元件符号说明
基板 | 110 |
基板本体 | 111 |
第一凹槽 | 1111 |
第二凹槽 | 1112 |
第一腔体 | 1113 |
第二腔体 | 1114 |
第三腔体 | 1115 |
第四腔体 | 1116 |
金属支架 | 112 |
第一电极 | 1121 |
第二电极 | 1122 |
第一本体 | 1123 |
第一贯穿部 | 1124 |
第二本体 | 1125 |
第二贯穿部 | 1126 |
金属外框 | 1127 |
第一连接杆 | 1128 |
第二连接杆 | 1129 |
反射杯 | 113 |
固晶凹槽 | 1131 |
发光二极管晶粒 | 120 |
第一金属导线 | 121 |
第二金属导线 | 122 |
压合件 | 130 |
本体 | 131 |
突出部 | 132 |
封装材料 | 140 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参见图1-2,提供一个基板110。所述基板110包括基板本体111,设置在基板本体111之中的金属支架112以及设置在金属支架112之上的多个反射杯113。所述金属支架112由铜、铝、铁、镍、锌等金属制成,其包括多个第一电极1121以及多个第二电极1122。所述多个第一电极1121及多个第二电极1122相邻设置且分别沿基板110的延伸方向X间隔排列。每个反射杯113的内部形成有固晶凹槽1131以暴露出金属支架112的第一电极1121及相应的第二电极1122。在本实施例中,所述基板110通过以下方法制造:
请参见图3,提供一个基板本体111,所述基板本体111上设置有贯穿基板本体111的多个第一凹槽1111和多个第二凹槽1112。所述多个第一凹槽1111和多个第二凹槽1112分别沿基板本体111的延伸方向X间隔排列,且每个第一凹槽1111与其相对应的第二凹槽1112相邻设置。在本实施例中,所述第一凹槽1111包括第一腔体1113和第二腔体1114。第二腔体1114设置在第一腔体1113的底部且第二腔体1114的横截面的宽度从上到下逐渐减小。所述第二凹槽1112包括第三腔体1115和第四腔体1116,所述第四腔体1116设置在第三腔体1115的底部且第四腔体1116的横截面的宽度从上到下逐渐减小。
请参见图4-5,提供一个金属支架112,所述金属支架112具有多个第一电极1121及多个第二电极1122。所述第一电极1121的位置与第一凹槽1111相对应,所述第二电极1122的位置与第二凹槽1112相对应。在本实施例中,每个第一电极1121包括第一本体1123以及从第一本体1123向下延伸的第一贯穿部1124,第一贯穿部1124的横截面的宽度从上到下逐渐减小且其大小形状与第二腔体1114的大小形状相对应。每个第二电极1122包括第二本体1125以及从第二本体1125向下延伸的第二贯穿部1126,所述第二贯穿部1126的横截面的宽度从上到下逐渐减小且其大小形状与第四腔体1116的大小形状相对应。在本实施例中,所述金属支架112进一步包括一个金属外框1127。所述多个第一电极1121和多个第二电极1122设置在金属外框1127之中。多个第一电极1121之间通过第一连接杆1128相互连接并连接至金属外框1127上。多个第二电极1122之间通过第二连接杆1129相互连接并连接至金属外框1127上。
请参见图6,将金属支架112覆盖在基板本体111之上,从而使第一电极1121设置在第一凹槽1111中,并使第二电极1122设置在第二凹槽1112中。其中,第一电极1121的第一本体1123和第一贯穿部1124分别设置在第一凹槽1111的第一腔体1113和第二腔体1114之中;第二电极1122的第二本体1125和第二贯穿部1126分别设置在第二凹槽1112的第三腔体1115和第四腔体1116中。在上述过程中,由于第一贯穿部1124和第二贯穿部1126的横截面的宽度皆从上到下逐渐减小,此时,第一贯穿部1124和第二贯穿部1126可很方便地定位设置在第二腔体1114和第四腔体1116中。
请参见图7,在金属支架112上形成多个反射杯113,每个反射杯113内部形成有固晶凹槽1131以暴露出金属支架112的第一电极1121及相对应的第二电极1122。至此,基板110的制作完成。
请参见图8,在提供基板110之后,在反射杯113的固晶凹槽1131内部设置发光二极管晶粒120。所述发光二极管晶粒120设置在所暴露的金属支架112之上且分别与第一电极1121及第二电极1122电连接。在本实施例中,所述发光二极管晶粒120设置在第二电极1122之上,其通过第一金属导线121和第二金属导线122分别连接到第一电极1121和第二电极1122。
请参见图9,提供一个压合件130,所述压合件130设置在基板110的与延伸方向X平行的边缘以使基板110平整化。在本实施例中,所述压合件130包括本体131以及从本体131两端垂直延伸的突出部132。所述本体131压合在基板110的与延伸方向X平行的边缘,所述突出部132压合在基板110的两端。
请参见图10,在固晶凹槽1131内填充封装材料140以覆盖发光二极管晶粒120,然后使封装材料140固化。根据需要,封装材料140为环氧树脂或者硅胶。根据需要,还可以在封装材料140中填入荧光粉粒子以获得所需的光线颜色。所述的荧光粉粒子的制作材料选自石榴石结构的荧光粉材料,氮化物系荧光粉材料,磷化物,硫化物和硅酸盐化合物其中一种或者多种。
请参见图11,移除压合件130并使封装材料140固化。
请参见图12,沿多个反射杯113之间的间隙切割基板110以形成多个发光二极管10。在本实施例中,在切割基板110的时侯,第一电极1121与金属外框1127之间的第一连接杆1128相应被切断以使第一电极1121与金属外框1127电学分离。第二电极1122与金属外框1127之间的第二连接杆1129亦相应被切断以使第二电极1122与金属外框1127电学分离。
在上述发光二极管制造方法中,通过一个压合件130压在基板110的边缘以使基板110平整化,此时,基板110因外力作用而产生的变形将会被抑制。在后续在固晶凹槽1131中填充封装材料140的时候,封装材料140固化后的形状将不会因为基板110的变形而产生误差,从而避免对所形成的发光二极管10的性能产生影响。
另外,在上述发光二极管制造方法中,第一电极1121和第二电极1122通过金属外框1127之间实现电学连接,该电学连接的状态一直保持到对基板110进行切割之前。因此,在将发光二极管晶粒120分别电连接到第一电极1121和第二电极1122时,即使基板110上存在着静电,也不会使发光二极管晶粒120击穿而使其损坏。因此,上述封装方法可提高发光二极管封装产品的良率,降低成本。
应该指出,上述实施方式仅为本发明的较佳实施方式,本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化。这些依据本发明精神所做的变化,都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管制造方法,包括以下步骤:
提供一个基板,所述基板包括基板本体,设置在基板本体之中的金属支架以及设置在金属支架之上的多个反射杯,所述金属支架包括多个第一电极及多个第二电极,所述多个第一电极及多个第二电极相邻设置且分别沿基板的延伸方向间隔排列,每个反射杯内部形成有固晶凹槽以暴露出金属支架;
在固晶凹槽内部设置发光二极管晶粒,所述发光二极管晶粒设置在金属支架之上且分别与第一电极及第二电极电连接;
提供一个压合件,将压合件抵靠在基板的边缘以使基板平整化;
在固晶凹槽内填充封装材料以覆盖发光二极管晶粒;
移除压合件并使封装材料固化;以及
沿多个反射杯之间的间隙切割基板以形成多个发光二极管。
2.参照发明内容部分调整
如权利要求1所述的发光二极管制造方法,其特征在于,所述压合件包括本体以及从本体两端垂直延伸的突出部,所述本体压合在基板的与延伸方向平行的边缘,所述突出部压合在基板的两端。
3.如权利要求1所述的发光二极管制造方法,其特征在于,所述封装材料中含有荧光粉颗粒。
4.如权利要求1所述的发光二极管制造方法,其特征在于,所述基板按以下方法制成:
提供一个基板本体,所述基板本体上设置有贯穿基板本体的多个第一凹槽和多个第二凹槽,所述多个第一凹槽和多个第二凹槽沿基板本体的延伸方向间隔排列,所述多个第二凹槽亦沿基板本体的延伸方向间隔排列且与第一凹槽并排设置;
提供一个金属支架,所述金属支架上具有多个第一电极及多个第二电极,所述第一电极的位置与第一凹槽相对应,所述第二电极的位置与第二凹槽相对应;
将第一电极设置在第一凹槽之中,将第二电极设置在第二凹槽之中;
在金属支架上形成多个反射杯,每个反射杯内部形成有固晶凹槽以暴露出金属支架的第一电极及相对应的第二电极。
5.如权利要求4所述的发光二极管制造方法,其特征在于,所述第一凹槽包括第一腔体和第二腔体,所述第二腔体设置在第一腔体的底部且第二腔体的横截面的宽度从上到下逐渐减小。
6.如权利要求5所述的发光二极管制造方法,其特征在于,每个第一电极包括第一本体以及从第一本体向下延伸的第一贯穿部,所述第一贯穿部的横截面的宽度从上到下逐渐减小,所述第一本体设置在第一腔体之中,第一贯穿部设置在第二腔体之中。
7.如权利要求4-6任意一项所述的发光二极管制造方法,其特征在于,所述第二凹槽包括第三腔体和第四腔体,所述第四腔体设置在第三腔体的底部且第四腔体的横截面的宽度从上到下逐渐减小。
8.如权利要求7所述的发光二极管制造方法,其特征在于,每个第二电极包括第二本体以及从第二本体向下延伸的第二贯穿部,所述第二贯穿部的横截面的宽度从上到下逐渐减小,所述第二本体设置在第三腔体之中,第二贯穿部设置在第四腔体之中。
9.如权利要求4所述的发光二极管制造方法,其特征在于,所述金属框架包括金属外框,所述多个第一电极和多个第二电极设置在金属外框之中,所述多个第一电极通过第一连接杆相互连接且连接至金属外框上,所述多个第二电极通过第二连接杆相互连接且连接至金属外框上。
10.如权利要求9所述的发光二极管制造方法,其特征在于,在切割基板时,第一电极与金属外框之间的第一连接杆相应被切断以使第一电极与金属外框电学分离,第二电极与金属外框之间的第二连接杆亦相应被切断以使第二电极与金属外框电学分离。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310264930.3A CN104253191A (zh) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | 发光二极管制造方法 |
TW102124084A TW201513410A (zh) | 2013-06-28 | 2013-07-04 | 發光二極體製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310264930.3A CN104253191A (zh) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | 发光二极管制造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104253191A true CN104253191A (zh) | 2014-12-31 |
Family
ID=52187916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310264930.3A Pending CN104253191A (zh) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | 发光二极管制造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104253191A (zh) |
TW (1) | TW201513410A (zh) |
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-
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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