TW201529801A - 製備色彩穩定之摻雜錳的錯合氟化物磷光體的方法 - Google Patents

製備色彩穩定之摻雜錳的錯合氟化物磷光體的方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201529801A
TW201529801A TW103143523A TW103143523A TW201529801A TW 201529801 A TW201529801 A TW 201529801A TW 103143523 A TW103143523 A TW 103143523A TW 103143523 A TW103143523 A TW 103143523A TW 201529801 A TW201529801 A TW 201529801A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
solution
phosphor
formula
compound
doped
Prior art date
Application number
TW103143523A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI633171B (zh
Inventor
James Edward Murphy
Fang-Ming Du
William Winder Beers
Robert Joseph Lyons
Original Assignee
Gen Electric
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gen Electric filed Critical Gen Electric
Publication of TW201529801A publication Critical patent/TW201529801A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI633171B publication Critical patent/TWI633171B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/615—Halogenides
    • C09K11/616—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本發明係關於一種製備式I之色彩穩定之摻雜Mn4+的錯合氟化物磷光體的方法，其包括Ax(M(1-m),Mnm)Fy (I) 使包含(1-m)份式HxMFy化合物之第一HF水溶液及包含m*n份式Ax[MnFy]化合物之第二HF水溶液與包含(1-n)份式Ax[MnFy]化合物及式AaX化合物之第三HF水溶液接觸，以得到包含該色彩穩定之摻雜Mn4+的錯合氟化物磷光體之沈澱；其中A為Li、Na、K、Rb、Cs、NR4或其組合；M為Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其組合；R為H、低碳數烷基或其組合；X為陰離子；a為該X陰離子之電荷絕對值；x為該[MFy]離子之電荷絕對值；y為5、6或7； 0<m□0.05；0.1□n□1。

Description

製備色彩穩定之摻雜錳的錯合氟化物磷光體的方法
經Mn4+活化之基於錯合氟化物材料的紅光磷光體(諸如描述於GB 1360690、US 3,576,756、US 7,358,542、US 7,497,973及US 7,648,649中之紅光磷光體)可與諸如YAG：Ce之黃光/綠光磷光體或其他石榴石組合物組合使用以自藍色LED達成暖白光(黑體軌跡上之CCT<5000K，顯色指數(CRI)>80)，等效於由目前的螢光燈、白熾燈及鹵素燈所產生的。此等材料強烈吸收藍光且在約610nm至635nm之間有效發射，伴隨少量深紅光/NIR發射。因此，與在眼敏感性不佳之較深紅色光中具有顯著發射之紅色磷光體相比，發光效率達到最大化。量子效率在藍光(440nm至460nm)激發下可超過85%。
雖然使用摻雜Mn4+之氟化物主體之照明系統的效率及CRI會非常高，但一個潛在限制為其在使用條件下易於降解。如US 8,252,613中所描述，使用合成後處理步驟可能減弱此降解。然而，需要研發改良材料穩定性之替代性方法。
簡言之，本發明係關於一種製備式I之色彩穩定之摻雜Mn4+的錯合氟化物磷光體的方法，Ax(M(1-m),Mnm)Fy (I)
該方法包含使包含(1-m)份式HxMFy化合物之第一HF水溶液及包 含m*n份式Ax[MnFy]化合物之第二HF水溶液與包含(1-n)份式Ax[MnFy]化合物及式AaX化合物之第三HF水溶液接觸，以得到包含該色彩穩定之摻雜Mn4+的錯合氟化物磷光體之沈澱；其中A為Li、Na、K、Rb、Cs、NR4或其組合；M為Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其組合；R為H、低碳數烷基或其組合；X為陰離子；a為該X陰離子之電荷絕對值；x為該[MFy]離子之電荷絕對值；y為5、6或7；0<m0.08；0.1n1。
在另一態樣中，本發明係關於藉由該方法製備之具有改良穩定性之摻雜Mn4+的錯合氟化物磷光體，及包括藉由該方法製備之錯合氟化物磷光體之LED照明設備，該等錯合氟化物磷光體安置於LED晶片表面上。
10‧‧‧照明設備/發光總成/燈
12‧‧‧發光二極體晶片/LED晶片/LED
14‧‧‧引線
16‧‧‧引線框
18‧‧‧殼體
20‧‧‧密封劑/密封劑材料
22‧‧‧磷光體組合物
24‧‧‧白光
112‧‧‧LED晶片
114‧‧‧引線
116‧‧‧引線框
118‧‧‧殼體
120‧‧‧密封劑材料
122‧‧‧磷光體組合物
124‧‧‧白光
126‧‧‧箭頭
212‧‧‧LED晶片
214‧‧‧引線
216‧‧‧引線框
218‧‧‧封套
220‧‧‧密封劑/密封劑材料
222‧‧‧磷光體組合物
224‧‧‧白光
226‧‧‧輻射
412‧‧‧LED晶片
416‧‧‧引線/第一引線/第二引線
420‧‧‧密封劑材料
430‧‧‧反射杯/杯
432‧‧‧導線
550‧‧‧表面安裝裝置型發光二極體
552‧‧‧發光窗口
554‧‧‧光導引部件
當參考隨附圖式閱讀以下實施方式時，本發明之此等及其他特徵、態樣及優勢將變得更好理解，其中遍及圖式相似符號表示相似零件，其中：圖1為根據本發明之照明設備之示意性截面圖；圖2為根據本發明之照明設備之示意性截面圖；圖3為根據本發明之另一實施例之照明設備的示意性截面圖；圖4為根據本發明之一個實施例之照明設備的剖面側面透視圖； 圖5為表面安裝裝置(SMD)背光LED之示意圖透視圖。
可藉由本發明方法製備之錯合氟化物磷光體為配位化合物，其含有由充當配位體之氟離子包圍且由抗衡離子A電荷補償之配位中心M。使主體晶格材料AxMFy與活化劑材料AxMnFy組合，且Mn4+活化劑或摻雜劑離子亦充當配位中心，取代主體晶格中心M之一部分。包括抗衡離子之主體晶格可進一步修改活化劑離子之激發及發射特性。
製備活化劑材料之方法通常因重金屬或具有2+或3+氧化態錳之化合物污染而得到低於所需純度之產物。在製備磷光體之前可能需要純化活化劑材料。因此，在又一態樣中，本發明係關於一種移除可溶解於顯著不同於活化劑離子之氫氟酸中之雜質的方法，且淨效應為可製備改良之錯合氟化物磷光體。將式AxMnFy化合物溶解於HF水溶液中以形成飽和或接近飽和的溶液。可過濾溶液以移除任何不溶性材料。隨後，使活化劑材料沈澱且分離該沈澱，且其可經洗滌、過濾且乾燥。沈澱可藉由添加過量式AF化合物(在特定實施例中，KF)來實現。誘導沈澱之其他方法包括降低溶液溫度，及添加諸如乙酸或丙酮之反溶劑。亦可使用該等方法之組合。
根據本發明之製備式I之色彩穩定之摻雜Mn4+的錯合氟化物磷光體的方法包括使含有式HxMFy酸(其為MFy離子源)之第一HF水溶液及含有式Ax[MnFy]之活化劑材料之第二HF水溶液與含有活化劑材料及式AaX化合物之第三HF水溶液接觸，以沈澱形式得到色彩穩定之摻雜Mn4+的磷光體。在一些實施例中，可使用含有A+離子(在許多實施例中為K+)之額外來源的第四溶液。與上文所引用專利中所述製備磷光體的方法(其中反應物溶解於常見氫氟酸水溶液中，且磷光體產物藉由添加非溶劑、或常見離子、或僅蒸發溶劑來沈澱)相比，在根據本發明之方法中，反應物以獨立溶液形式供應且經組合以逐漸(亦即歷 經一段時間)產生色彩穩定之磷光體產物。雖然本發明人不希望侷限於任何特定理論來解釋可使用根據本發明之方法產生之色彩穩定性改良，但咸信根據本發明之方法允許遍及磷光粒子併入Mn4+摻雜劑，而突然沈澱出產物之方法會產生具有分級組成之粒子，其中錳優先安置於粒子表面處或接近粒子表面。錳之均勻分佈可防止因摻雜劑離子之從集導致的濃度淬滅及隨之而來的量子效率(QE)損失。
根據本發明之方法可以分批模式或連續地進行。對於分批法，將第一及第二溶液逐漸添加至第三溶液，且產物隨時間形成。對於連續法，可逐漸混合三種溶液。
選擇三種溶液之濃度以使得產物在反應介質中具有低溶解度且易於沈澱。活化劑材料在第二溶液中之量m*n及在第三溶液中之量1-n藉由兩種溶液之間的所要比率n及併入產物中之Mn的量來測定。Mn在第二溶液中之量與在第三溶液中之量之比率在大於0.1至小於1，尤其0.25至0.9，更尤其0.5至0.9，且最尤其0.6至0.8範圍內。在特定實施例中，n為約0.7。Mn在產物中之量為m，且m在0與小於0.08之間的範圍內。製備中所用之活化劑材料的量為至少m，且在一些實施例中，可在第二或第三溶液，或第二及第三溶液兩者中包括額外量的活化劑材料，以使得饋入溶液中之Mn總量大於m，因為一些起始活化劑材料可能未併入產物中。在特定實施例中，色彩穩定之摻雜Mn4+的錯合氟化物磷光體為K2(Si(1-m),Mnm)F6。
式AaX化合物為可充當A+離子源之離子化合物。適合材料之實例包括KF、KHF2、KNO3及CH3COOK。在特定實施例中，該化合物選自KF、KHF2及其組合。用於第三溶液之化合物的量在約1份(莫耳)至至少約3份範圍內。在一些實施例中，含有該化合物之第四溶液可另外與第一、第二及第三溶液接觸。
根據本發明之一個實施例之照明設備或發光總成或燈10展示於 圖1中。照明設備10包括半導體輻射源，展示為發光二極體(LED)晶片12及電連接至LED晶片之引線14。引線14可為由較厚引線框16支撐之細電線，或引線可為自我支撐電極，且可省略引線框。引線14向LED晶片12提供電流且因此使其發射輻射。
燈可包括當所發射之輻射引導至磷光體時能夠產生白光之任何半導體藍色或UV光源。在一個實施例中，半導體光源為摻雜有不同雜質之藍色發光LED。因此，LED可包含基於任何適合III-V、II-VI或IV-IV半導體層且具有約250nm至550nm發射波長之半導體二極體。特定言之，LED可含有至少一個包含GaN、ZnSe或SiC之半導體層。舉例而言，LED可包含由式IniGajAlkN(其中0i；0j；0k且I+j+k=1)表示之氮化物合成半導體，其具有大於約250nm且小於約550nm之發射波長。在特定實施例中，晶片為具有約400nm至約500nm之峰值發射波長之近UV或藍光發光LED。該等LED半導體為此項技術中已知的。為方便起見，輻射源在本文中描述為LED。然而，如本文中所使用，該術語意謂涵蓋所有半導體輻射源，包括例如半導體雷射二極體。此外，雖然本文中論述之本發明例示性結構之一般論述係針對基於無機LED之光源，但應理解除非另外說明，否則LED晶片可由另一輻射源替換，且對於半導體、半導體LED或LED晶片之任何提及僅表示任何適當輻射源，包括(但不限於)有機發光二極體。
在照明設備10中，磷光體組合物22輻射耦合至LED晶片12。輻射耦合意謂元件彼此相關聯，因此輻射自一者傳輸至另一者。磷光體組合物22包括藉由本方法製備且藉由任何適當方法沈積於LED 12上之色彩穩定之摻雜Mn4+的錯合氟化物磷光體。舉例而言，可形成磷光體之基於水之懸浮液，且將其以磷光層形式應用至LED表面。在一種此類方法中，將其中磷光粒子隨機懸浮之聚矽氧漿料置放於LED周圍。此方法僅為磷光體組合物22及LED 12之可能位置之例示。因此，磷 光體組合物22可藉由在LED晶片12上塗佈且乾燥磷光體懸浮液以塗佈於或直接位於LED晶片12之發光表面上。在基於聚矽氧之懸浮液之情況下，在適當溫度下固化懸浮液。殼體18及密封劑20應均為透明的以允許白光24透射穿過彼等元件。雖然不欲受到限制，但在一些實施例中，磷光體組合物之中值粒度在約1微米至約50微米，尤其約15微米至約35微米範圍內。
在其他實施例中，磷光體組合物22散置在密封劑材料20內，而非直接形成於LED晶片12上。磷光體(呈粉末形式)可散置在密封劑材料20之單個區域內或遍及密封劑材料之整個體積。由LED晶片12發射之藍光與由磷光體組合物22發射之光混合，且該混合光呈現為白光。若磷光體散置在密封劑材料20內，則可將磷光體粉末添加至聚合物或聚矽氧前驅體中，裝載在LED晶片12周圍，且隨後聚合物前驅體可經固化以使聚合物或聚矽氧材料凝固。亦可使用其他已知磷光體散置方法，諸如轉移裝載。
在一些實施例中，密封劑材料20為具有折射率R之聚矽氧基質，且此外，磷光體組合物22含有吸收率小於約5%且折射率為R±0.1之稀釋劑材料。稀釋劑材料之折射率1.7，尤其1.6且更尤其1.5。在特定實施例中，稀釋劑材料具有式II，且具有約1.4之折射率。將光學惰性材料添加至磷光體/聚矽氧混合物可在帶上產生較漸進式通量分佈，且可對磷光體產生較小損害。用於稀釋劑之適合材料包括立方氟化合物，諸如LiF、MgF2、CaF2、SrF2、AlF3、K2NaAlF6、KMgF3、CaLiAlF6、KLiAlF6及K2SiF6，其折射率在約1.38(AlF3及K2NaAlF6)至約1.43(CaF2)範圍內，以及折射率在約1.254至約1.7範圍內之聚合物。適用作稀釋劑之聚合物之非限制性實例包括聚碳酸酯；聚酯；耐綸；聚醚醯亞胺；聚醚酮及衍生於苯乙烯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸脂、乙烯基、乙酸乙烯酯、乙烯、環氧丙烷及環氧乙烷單體之聚合 物；及其共聚物，包括鹵化及未鹵化衍生物。此等聚合物粉末可在聚矽氧固化之前直接併入聚矽氧密封劑中。
在另一實施例中，將磷光體組合物22塗佈於殼體18之表面上，而非形成於LED晶片12上。磷光體組合物較佳塗佈於殼體18之內表面上，但必要時磷光體可塗佈於殼體之外表面上。磷光體組合物22可塗佈於殼體之整個表面上或僅殼體表面之頂部。由LED晶片12發射之UV/藍光與由磷光體組合物22發射之光混合，且該混合光呈現為白光。當然，磷光體可定位於任何兩個或所有三個位置中或任何其他適合位置中，諸如與殼體分開或整合至LED中。
圖2說明根據本發明之系統之第二結構。除非另行說明，否則來自圖1至圖4中之相應數字(例如，圖1中之12及圖2中之112)係關於每個圖中之相應結構。圖2之實施例之結構類似於圖1之實施例之結構，除了磷光體組合物122散置在密封劑材料120內，而非直接形成於LED晶片112上。磷光體(呈粉末形式)可散置在密封劑材料之單個區域內或遍及密封劑材料之整個體積。由LED晶片112發射之輻射(由箭頭126指示)與藉由本發明方法製備之色彩穩定之摻雜Mn4+的錯合氟化物磷光體122發射之光混合，且該混合光呈現為白光124。若磷光體散置在密封劑材料120內，則可將磷光體粉末添加至聚合物前驅體中，且裝載在LED晶片112周圍。聚合物或聚矽氧前驅體可隨後經固化以使聚合物或聚矽氧凝固。亦可使用其他已知磷光體散置方法，諸如轉移成型。
圖3說明根據本發明之系統之第三可能結構。展示於圖3中之實施例之結構類似於圖1中之實施例之結構，除了磷光體組合物222(其包括藉由根據本發明方法製備之色彩穩定之摻雜Mn4+的錯合氟化物磷光體)塗佈於封套218之表面上，而非形成於LED晶片212上。磷光體組合物222較佳塗佈於封套218之內表面上，但必要時磷光體可塗佈於 封套之外表面上。磷光體組合物222可塗佈於封套之整個表面上，或僅封套表面之頂部。由LED晶片212發射之輻射226與由磷光體組合物222發射之光混合，且該混合光呈現為白光224。當然，可組合圖1至圖3之結構，且磷光體可定位於任何兩個或所有三個位置中或任何其他適合位置中，諸如與封套分開或整合至LED中。
在上述結構中之任一者中，燈亦可包括複數個嵌入密封劑材料中之散射粒子(未圖示)。散射粒子可包含例如氧化鋁或二氧化鈦。散射粒子可有效地散射自LED晶片發射之定向光，吸收量較佳可忽略。
如圖4中之第四結構中所示，LED晶片412可安裝於反射杯430中。杯430可由介電材料製得或塗有介電材料，諸如氧化鋁、二氧化鈦或此項技術中已知之其他介電粉末，或藉由諸如鋁或銀之反射金屬塗佈。圖4之實施例之結構的其餘部分與先前圖中之任一者的結構相同，且可包括兩條引線416、導線432及密封劑材料420。反射杯430由第一引線416支撐，且導線432用於電連接LED晶片412與第二引線416。
另一結構(尤其用於背光應用)為表面安裝裝置(「SMD」)型發光二極體550，例如如圖5中所說明。此SMD為「側發射型」且在光導引部件554之突出部分上具有發光窗口552。SMD封裝可包含如上文所定義之LED晶片及藉由自LED晶片發射之光激發的磷光材料。
當與在350nm至550nm發射之LED及一或多種其他適當磷光體一起使用時，所得照明系統將產生白光。燈10亦可包括嵌入密封劑材料中之散射粒子(未圖示)。散射粒子可包含例如氧化鋁或二氧化鈦。散射粒子可有效地散射自LED晶片發射之定向光，吸收量較佳可忽略。
除色彩穩定之摻雜Mn4+的錯合氟化物磷光體之外，磷光體組合物22可包括一或多種其他磷光體。當與在約250nm至550nm範圍內發射輻射之藍光或近UV LED組合用於照明設備中時，由總成發射之所 得光將為白光。諸如綠色、藍色、橙色或其他色彩磷光體之其他磷光體可用於摻合物中以將所得光定製為白色且產生較高CRI源。
與式I磷光體一起使用之適合磷光體包括(但不限於)：((Sr1-z(Ca,Ba,Mg,Zn)z)1-(x+w)(Li,Na,K,Rb)wCex)3(Al1-ySiy)O4+y+3(x-w)F1-y-3(x-w)，0<x0.10，0y0.5，0z0.5，0wx；(Ca,Ce)3Sc2Si3O12(CaSiG)；(Sr,Ca,Ba)3Al1-xSixO4+xF1-x：Ce3+((Ca,Sr,Ce)3(Al,Si)(O,F)5(SASOF))；(Ba,Sr,Ca)5(PO4)3(Cl,F,Br,OH)：Eu2+,Mn2+；(Ba,Sr,Ca)BPO5：Eu2+,Mn2+；(Sr,Ca)10(PO4)6*νB2O3：Eu2+(其中0<ν1)；Sr2Si3O8*2SrCl2：Eu2+；(Ca,Sr,Ba)3MgSi2O8：Eu2+,Mn2+；BaAl8O13：Eu2+；2SrO*0.84P2O5*0.16B2O3：Eu2+；(Ba,Sr,Ca)MgAl10O17：Eu2+,Mn2+；(Ba,Sr,Ca)Al2O4：Eu2+；(Y,Gd,Lu,Sc,La)BO3：Ce3+,Tb3+；ZnS：Cu+,Cl-；ZnS：Cu+,Al3+；ZnS：Ag+,Cl-；ZnS：Ag+,Al3+；(Ba,Sr,Ca)2Si1-ξO4-2ξ：Eu2+(其中0ξ0.2)；(Ba,Sr,Ca)2(Mg,Zn)Si2O7：Eu2+；(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga,In)2S4：Eu2+；(Y,Gd,Tb,La,Sm,Pr,Lu)3(Al,Ga)5-αO12-3/2α：Ce3+(其中0α0.5)；(Ca,Sr)8(Mg,Zn)(SiO4)4Cl2：Eu2+,Mn2+；Na2Gd2B2O7：Ce3+,Tb3+；(Sr,Ca,Ba,Mg,Zn)2P2O7：Eu2+,Mn2+；(Gd,Y,Lu,La)2O3：Eu3+,Bi3+；(Gd,Y,Lu,La)2O2S：Eu3+,Bi3+；(Gd,Y,Lu,La)VO4：Eu3+,Bi3+；(Ca,Sr)S：Eu2+,Ce3+；SrY2S4：Eu2+；CaLa2S4：Ce3+；(Ba,Sr,Ca)MgP2O7：Eu2+,Mn2+；(Y,Lu)2WO6：Eu3+,Mo6+；(Ba,Sr,Ca)βSiγNμ：Eu2+(其中2β+4γ=3μ)；Ca3(SiO4)Cl2：Eu2+；(Lu,Sc,Y,Tb)2-u-vCevCa1+uLiwMg2-wPw(Si,Ge)3-wO12-u/2(其中-0.5u1，0<v0.1及0w0.2)；(Y,Lu,Gd)2-φCaφSi4N6+φC1-φ：Ce3+，(其中0φ0.5)；(Lu,Ca,Li,Mg,Y)，摻雜有Eu2+及/或Ce3+之α-SiAlON；β-SiAlON：Eu2+；(Ca,Sr,)AlSiN3：Eu2+(Ca,Sr,Ba)SiO2N2：Eu2+,Ce3+；3.5MgO*0.5MgF2*GeO2：Mn4+；Ca1-c-fCecEufAl1+cSi1-cN3(其中 0c0.2，0f0.2)；Ca1-h-rCehEurAl1-h(Mg,Zn)hSiN3(其中0h0.2，0r0.2)；Ca1-2s-tCes(Li,Na)sEutAlSiN3(其中0s0.2，0f0.2，s+t>0)；及Ca1-σ-χ-Φ Ceσ(Li,Na)χEuΦAl1+σ-χSi1-σ+χN3(其中0σ0.2，0χ0.4，0Φ0.2)。
特定言之，適合與式I磷光體一起用於摻合物中之磷光體為(Ca,Ce)3Sc2Si3O12(CaSiG)；(Sr,Ca,Ba)3Al1-xSixO4+xF1-x：Ce3+((Ca,Sr,Ce)3(Al,Si)(O,F)5(SASOF))；(Ba,Sr,Ca)2Si1-ξO4-2ξ：Eu2+(其中0ξ0.2)；(Y,Gd,Tb,La,Sm,Pr,Lu)3(Al,Ga)5-αO12-3/2α：Ce3+(其中0α0.5)；(Ba,Sr,Ca)βSiγNμ：Eu2+(其中2β+4γ=3μ)；(Y,Lu,Gd)2-φCaφSi4N6+φC1-φ：Ce3+，(其中0φ0.5)；β-SiAlON：Eu2+；及(Ca,Sr,)AlSiN3：Eu2+。
更特定言之，在藉由LED晶片激發後發射黃-綠光之磷光體可包括於含藉由根據本發明方法產生之色彩穩定之摻雜Mn4+的錯合氟化物磷光體之磷光體摻合物中，例如(Y,Gd,Tb,La,Sm,Pr,Lu)3(Al,Ga)5-αO12-3/2α：Ce3+(其中0α0.5)。
本發明之色彩穩定之摻雜Mn4+的磷光體可用於除上文所描述之應用以外的應用。舉例而言，該材料可用作螢光燈、陰極射線管、電漿顯示裝置或液晶顯示器(LCD)中之磷光體。該材料亦可用作電磁量熱計、γ射線攝影機、電腦斷層掃描器或雷射器中之閃爍體。此等用途僅為例示性而非限制性的。
實例 實例1 K2MnF6合成
藉由基於Bode(Angew.Chem.65(11)：304)之一步一鍋法自KMnO4、KF、H2O2及HF水溶液合成K2MnF6：2KMnO4+KF+10 HF+3H2O2 → 2K2MnF6↓+8H2O+3O2。
將50% HF水溶液(1L)饋入配備有塗有鐵氟龍(Teflon)之磁力攪拌棒的4-L聚乙烯燒杯中且用冰浴冷卻。隨後，添加KF(240g，4.13mol)及細粉末狀KMnO4(15g，94.9mmol)且劇烈攪拌混合物15min。停止攪拌且允許任何未溶解材料沈澱。將上清液溶液傾析至第二燒杯中以確保不存在任何未溶解KMnO4，未溶解KMnO4會使得後續滴定步驟中之終點識別變得困難。向冷的深紫色溶液中，用滴管緩慢添加30% H2O2水溶液。在添加各5至10滴之後，暫停進一步添加直至O2停止析出。在添加約20mL H2O2之後，接近終點。形成金茶色沈澱且可藉由停止攪拌且觀察上清液溶液之色彩來判斷終點。當溶液色彩自紫色變為中等紅棕色時，判斷反應完全。使用塑膠布赫納漏斗(Buchner funnel)與鐵氟龍濾紙收集金黃色K2MnF6沈澱。用冷丙酮(各10mL)洗滌沈澱兩次且抽吸至乾燥以得到18.44g(78.6%，以KMnO4計)黃色K2MnF6。
實例2 K2MnF6純化
使用20.3g K2MnF6及282mL 48重量% HF製備K2MnF6於HF中之飽和或接近飽和溶液且真空過濾產物。亦製備40.6g KF溶解於41mL 48% HF中之處理溶液。伴隨攪拌將KF溶液逐滴加至K2MnF6溶液中以形成沈澱。倒掉上清液，且隨後真空濾漿經真空過濾，用冷丙酮洗滌四次，且在真空乾燥器中乾燥。
實例3 K2MnF6純化
使用於40ml 70重量% HF中之10公克K2MnF6製備K2MnF6於70% HF中之飽和或接近飽和溶液。亦製備10g KHF2溶解於10ml 48% HF中之處理溶液。伴隨攪拌將KHF2溶液添加至K2MnF6溶液中。所得漿料經真空過濾且用丙酮覆蓋4次，且在真空乾燥器中乾燥K2MnF6產物。
實例4：藉由ICP-MS之元素分析
測定所合成之及實例2之磷光體樣品中之Al、Ca、Cr、Cu、Fe、Na、Ni及Zr之含量。結果示出在表1中。藉由純化製程，污染物之含量顯著減少。
實例5至實例18 K2SiF6：Mn4+磷光體之製備
通用程序
磷光體製備
伴隨攪拌混合氟矽酸、H2SiF6及HF以形成第一溶液。藉由將氫氟酸傾入含有KF或KHF2及六氟錳酸鉀(PFM，K2MnF6)之燒杯中，伴隨攪拌以溶解固體來製備含有K+源之氫氟酸溶液。此稱作接收溶液。製備含有HF水溶液及K2MnF6之第三溶液；此稱作PFM溶液。伴隨攪拌，將氟矽酸及PFM溶液分開且歷經約10分鐘之時間段逐漸添加至接收溶液中。在PFM添加之前，通常提早1至2分鐘，開始添加氟矽酸溶液。在添加完成之後，攪拌懸浮液幾分鐘，隨後停止攪拌，使磷光體沈澱且傾析上清液。
藉由將K2SiF6添加至含有48% HF之聚丙烯燒杯中來製備由K2SiF6於HF中之飽和或接近飽和溶液組成的處理溶液。覆蓋燒杯，攪拌最少15分鐘，且使用0.65微米孔徑鐵氟龍過濾器真空過濾溶液。將處理溶液添加至含有磷光體之燒杯中且攪拌約15分鐘。在停止攪拌之後，使磷光體沈澱且傾析處理溶液。真空過濾磷光體，用丙酮沖洗三次，在真空下乾燥且篩分以得到摻雜Mn的K2SiF6。
實例7之磷光體之具體製備
藉由將65mL 48%氫氟酸傾入含有8.1公克KHF2之燒杯(燒杯A)中來製備KHF2於48%氫氟酸中之溶液。隨後，將K2MnF6(0.219g，0.00089mol)添加至溶液中，伴隨攪拌以溶解固體。將H2SiF6(15ml 35% H2SiF6，0.036mol)及60ml 48% HF傾入第二燒杯(燒杯B)中且攪拌。將HF(21mL 48% HF)傾入含有K2MnF6(0.219g，0.00089mol)之第三燒杯(燒杯C)中且攪拌以溶解固體。當攪拌燒杯A時，歷時約7分鐘逐滴添加燒杯B及C之內含物。在添加完成之後，另外攪拌懸浮液5 分鐘，隨後停止攪拌，使磷光體沈澱且傾析上清液。隨後，將處理溶液(80mL)添加至燒杯中且攪拌產物15分鐘。停止攪拌，使磷光體沈澱且傾析處理溶液。真空過濾磷光體，用丙酮沖洗三次，在真空下乾燥且篩分以得到摻雜Mn的K2SiF6。
藉由將23g K2SiF6添加至含有500mL 48% HF之聚丙烯燒杯中來製備處理溶液。覆蓋燒杯，攪拌最少15分鐘且使用0.65微米孔徑鐵氟龍過濾器真空過濾溶液以得到處理溶液，其為K2SiF6於HF中之飽和溶液。
雖然本文中已說明且描述本發明之僅某些特徵，但熟習此項技術者將想到許多修改及變化。因此，應理解所附申請專利範圍意欲涵 蓋落入本發明真正精神內之所有該等修改及變化。
10‧‧‧照明設備/發光總成/燈
12‧‧‧發光二極體晶片/LED晶片/LED
14‧‧‧引線
16‧‧‧引線框
18‧‧‧殼體
20‧‧‧密封劑/密封劑材料
22‧‧‧磷光體組合物
24‧‧‧白光

Claims (14)

  1. 一種製備式I之色彩穩定之摻雜Mn4+的錯合氟化物的方法，Ax(M(1-m),Mnm)Fy (I)該方法包含使包含(1-m)份式HxMFy化合物之第一HF水溶液，及包含m*n份式Ax[MnFy]化合物之第二HF水溶液與包含(1-n)份式Ax[MnFy]化合物及式AaX化合物之第三HF水溶液接觸，以得到包含該色彩穩定之摻雜Mn4+的錯合氟化物之沈澱；其中A為Li、Na、K、Rb、Cs、NR4或其組合；M為Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其組合；R為H、低碳數烷基或其組合；X為陰離子；a為該X陰離子之電荷絕對值；x為該[MFy]離子之電荷絕對值；y為5、6或7；0<m0.05；0.1n1。
  2. 如請求項1之方法，其中n在0.25至0.95範圍內。
  3. 如請求項1之方法，其中n在0.5至0.9範圍內。
  4. 如請求項1之方法，其中n在0.6至0.8範圍內。
  5. 如請求項1之方法，其中n為約0.7。
  6. 如請求項1之方法，其中該式I之摻雜Mn4+之錯合氟化物為K2(Si(1-m),Mnm)F6。
  7. 如請求項1之方法，其中該式AaX之鹽係選自KF、KHF2及其組 合。
  8. 如請求項1之方法，其中該第一及該第二HF水溶液係逐漸添加至該第三溶液。
  9. 如請求項1之方法，其另外包含在該接觸步驟之前，自濃HF水溶液沈澱該式AxMnFy化合物，且分離該沈澱。
  10. 一種LED照明設備，其包含藉由如請求項1之方法製備之錯合氟化物。
  11. 一種LED照明設備，其包含LED晶片；及藉由如請求項1之方法製備之錯合氟化物，其安置於該LED晶片之表面上。
  12. 一種製備式K2(Si(1-m),Mnm)F6之色彩穩定之摻雜Mn4+的錯合氟化物磷光體的方法，該方法包含使包含(1-m)份式H2SiF6化合物之第一HF水溶液，及包含m*n份式K2MnF6化合物之第二HF水溶液與包含(1-n)份該式K2MnF6化合物及選自KF、KHF2及其組合之化合物的第三HF水溶液接觸；以得到包含該色彩穩定之摻雜Mn4+的錯合氟化物之沈澱，其中0<m0.08；及0.1n1。
  13. 如請求項1之方法，其中n在0.6至0.8範圍內。
  14. 如請求項1之方法，其另外包含在該逐漸添加步驟之前，自濃HF水溶液沈澱該式K2(Si(1-m),Mnm)F6化合物，且分離該沈澱。
TW103143523A 2013-12-13 2014-12-12 製備色彩穩定之摻雜錳的錯合氟化物磷光體的方法 TWI633171B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361915927P 2013-12-13 2013-12-13
US61/915,927 2013-12-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201529801A true TW201529801A (zh) 2015-08-01
TWI633171B TWI633171B (zh) 2018-08-21

Family

ID=52273574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103143523A TWI633171B (zh) 2013-12-13 2014-12-12 製備色彩穩定之摻雜錳的錯合氟化物磷光體的方法

Country Status (11)

Country Link
US (1) US9388336B2 (zh)
EP (1) EP3080230B1 (zh)
JP (1) JP6595998B2 (zh)
KR (1) KR102434076B1 (zh)
CN (1) CN105793389B (zh)
AU (1) AU2014362239B2 (zh)
CA (1) CA2932616C (zh)
MX (1) MX2016007678A (zh)
MY (1) MY183192A (zh)
TW (1) TWI633171B (zh)
WO (1) WO2015089345A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI564367B (zh) * 2015-11-16 2017-01-01 隆達電子股份有限公司 氟化物螢光粉、其製備方法及包含其之發光裝置與背光模組

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6394307B2 (ja) * 2014-01-30 2018-09-26 信越化学工業株式会社 複フッ化物蛍光体及びその製造方法
US9512357B2 (en) * 2014-07-22 2016-12-06 General Electric Company Red-emitting phosphors, associated processes and devices
US10047286B2 (en) * 2014-10-27 2018-08-14 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
JP6603458B2 (ja) * 2015-02-12 2019-11-06 株式会社東芝 蛍光体、およびその製造方法、ならびにその蛍光体を用いた発光装置
US9982190B2 (en) * 2015-02-20 2018-05-29 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
CN106433637B (zh) * 2015-08-04 2018-09-14 云南民族大学 一种新型Mn4+激活的高色纯度氟化物红色发光材料制备方法
FR3043687B1 (fr) * 2015-11-13 2020-07-03 Universite Blaise Pascal Clermont Ii Procede sol-gel de synthese d'un materiau luminescent de formulation generale axbyfz:mn
EP3380581B1 (en) * 2015-11-26 2020-07-15 General Electric Company Processes for synthesizing red-emitting phosphors and related red-emitting phosphors
US10851293B2 (en) * 2016-04-14 2020-12-01 Current Lighting Solutions, Llc Phosphor materials for light sources and method for manufacturing the same
US10193030B2 (en) * 2016-08-08 2019-01-29 General Electric Company Composite materials having red emitting phosphors
CN106221694B (zh) * 2016-08-12 2018-10-30 河北利福光电技术有限公司 一种窄谱带氟化物红光荧光粉及其制备方法
US11114591B2 (en) * 2016-08-17 2021-09-07 Current Lighting Solutions, Llc Core-shell materials with red-emitting phosphors
CN106318381B (zh) * 2016-08-18 2018-06-19 温州大学 一种Mn4+掺杂的氟化氢钠红光材料及其制备方法
US11702348B2 (en) * 2016-08-19 2023-07-18 Current Lighting Solutions, Llc Purified potassium hexafluoromanganate and methods for purifying potassium hexafluoromanganate
US11193059B2 (en) * 2016-12-13 2021-12-07 Current Lighting Solutions, Llc Processes for preparing color stable red-emitting phosphor particles having small particle size
JP6826445B2 (ja) * 2017-01-31 2021-02-03 デンカ株式会社 六フッ化マンガン酸カリウム及びそれを用いたマンガン付活複フッ化物蛍光体
CN109097041B (zh) * 2018-08-30 2021-03-16 合肥工业大学智能制造技术研究院 锰掺杂的红色荧光粉的制备方法、产物、器件及背光模组
CN111057535A (zh) * 2018-10-16 2020-04-24 云南民族大学 一种Mn4+掺杂的氟化物同质包裹的红色发光晶体制备方法
US11261375B2 (en) 2019-05-22 2022-03-01 General Electric Company Method to enhance phosphor robustness and dispersability and resulting phosphors
CN115698199A (zh) 2020-04-14 2023-02-03 通用电气公司 具有窄带发射磷光体材料的油墨组合物和膜
WO2023176559A1 (ja) * 2022-03-15 2023-09-21 デンカ株式会社 複フッ化物蛍光体の製造方法

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2522074A (en) 1946-05-03 1950-09-12 Univ Rochester Method of rendering infrared radiation visible employing doubly activated alkaline earth sulfide phosphors
US3576756A (en) 1968-06-12 1971-04-27 Mallinckrodt Chemical Works Fluocomplexes of titanium, silicon, tin and germanium, activated by tetravalent manganese
GB1360690A (en) 1973-02-16 1974-07-17 Gen Electric Co Ltd Luminescent materials
US4479886A (en) 1983-08-08 1984-10-30 Gte Products Corporation Method of making cerium activated yttrium aluminate phosphor
US6103296A (en) 1998-04-22 2000-08-15 Osram Sylvania Inc. Method for improving the screen brightness of gadolinium oxysulfide x-ray phosphors
CN1157462C (zh) 2002-04-15 2004-07-14 清华大学 一种制备纳米级氟化物基质上转换荧光材料的方法
KR100875575B1 (ko) 2004-09-10 2008-12-29 쇼와 덴코 가부시키가이샤 불화망간의 제조 방법
US7270773B2 (en) 2005-01-10 2007-09-18 General Electric Company Quantum-splitting fluoride-based phosphors, method of producing, and radiation sources incorporating same
US7497973B2 (en) * 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US7648649B2 (en) 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
US7358542B2 (en) 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
TWI389337B (zh) 2005-05-12 2013-03-11 Panasonic Corp 發光裝置與使用其之顯示裝置及照明裝置，以及發光裝置之製造方法
KR101201266B1 (ko) 2005-06-14 2012-11-14 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 형광체 함유 수지 조성물 및 시트, 그것들을 사용한 발광소자
WO2008123498A1 (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置
US20110182072A1 (en) 2007-06-29 2011-07-28 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, production method of phosphor, phosphor-containing composition, and light emitting device
WO2009012301A2 (en) 2007-07-16 2009-01-22 Lumination Llc Red line emitting complex fluoride phosphors activated with mn4+
WO2009099211A1 (ja) 2008-02-07 2009-08-13 Mitsubishi Chemical Corporation 半導体発光装置、バックライト、カラー画像表示装置、及びそれらに用いる蛍光体
CN101960624B (zh) 2008-03-03 2012-09-26 夏普株式会社 发光装置
WO2009119486A1 (ja) 2008-03-25 2009-10-01 国立大学法人群馬大学 蛍光体及びその製造方法並びに該蛍光体を用いた白色発光ダイオード
TWI410994B (zh) * 2008-04-03 2013-10-01 Fih Hong Kong Ltd 按鍵結構
JP5239043B2 (ja) 2008-07-18 2013-07-17 シャープ株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP5682104B2 (ja) * 2008-09-05 2015-03-11 三菱化学株式会社 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
JP2010093132A (ja) 2008-10-09 2010-04-22 Sharp Corp 半導体発光装置およびそれを用いた画像表示装置、液晶表示装置
US8703016B2 (en) 2008-10-22 2014-04-22 General Electric Company Phosphor materials and related devices
JP5446432B2 (ja) * 2009-04-28 2014-03-19 三菱化学株式会社 蛍光体と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
JP5446511B2 (ja) * 2009-06-30 2014-03-19 三菱化学株式会社 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
JP2011029497A (ja) * 2009-07-28 2011-02-10 Mitsubishi Chemicals Corp 白色発光装置およびそれを用いた照明装置
TW201140890A (en) 2009-12-17 2011-11-16 Koninkl Philips Electronics Nv Lighting device with light source and wavelength converting element
JP5698762B2 (ja) 2009-12-17 2015-04-08 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ ルミネッセント材料を含む発光ダイオードデバイス
US8593062B2 (en) 2010-04-29 2013-11-26 General Electric Company Color stable phosphors for LED lamps and methods for preparing them
US8057706B1 (en) * 2010-07-27 2011-11-15 General Electric Company Moisture-resistant phosphor and associated method
US8210698B2 (en) 2010-07-28 2012-07-03 Bridgelux, Inc. Phosphor layer having enhanced thermal conduction and light sources utilizing the phosphor layer
WO2012050199A1 (ja) 2010-10-15 2012-04-19 三菱化学株式会社 白色発光装置及び照明器具
US8252613B1 (en) 2011-03-23 2012-08-28 General Electric Company Color stable manganese-doped phosphors
MY161542A (en) 2011-04-08 2017-04-28 Shinetsu Chemical Co Preparation of complex fluoride and complex fluoride phosphor
JP5418548B2 (ja) * 2011-07-06 2014-02-19 日亜化学工業株式会社 フッ化物蛍光体及びそのフッ化物蛍光体を用いた発光装置
JP5375906B2 (ja) * 2011-09-13 2013-12-25 日亜化学工業株式会社 フッ化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
WO2013088313A1 (en) * 2011-12-16 2013-06-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Mn-activated hexafluorosilicates for led applications
RU2613963C2 (ru) 2012-02-16 2017-03-22 Конинклейке Филипс Н.В. Имеющие покрытие фторсиликаты, излучающие красный узкополосный свет, для полупроводниковых светоизлучающих устройств
WO2013138347A1 (en) 2012-03-12 2013-09-19 Nitto Denko Corporation Emissive compacts and method of making the same
JP5840540B2 (ja) 2012-03-15 2016-01-06 株式会社東芝 白色照明装置
US9343613B2 (en) 2012-03-29 2016-05-17 Koninklijke Philips N.V. Phosphor in inorganic binder for LED applications
WO2013158929A1 (en) 2012-04-18 2013-10-24 Nitto Denko Corporation Phosphor ceramics and methods of making the same
CN102827601B (zh) 2012-09-17 2014-08-20 中国科学院福建物质结构研究所 氟化物荧光粉体材料及其半导体发光器件
CN102851026B (zh) 2012-10-15 2014-07-02 温州大学 一种二基色白光led用红光材料及其制备方法
KR20150082426A (ko) 2012-11-01 2015-07-15 코닌클리케 필립스 엔.브이. 넓은 색 역을 가진 led 기반 장치
JP6149606B2 (ja) * 2013-08-26 2017-06-21 日亜化学工業株式会社 フッ化物蛍光体の製造方法
JP6102640B2 (ja) * 2013-08-29 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 フッ化物蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いる発光装置
US20150069299A1 (en) 2013-09-11 2015-03-12 Nitto Denko Corporation Phosphor Ceramics and Methods of Making the Same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI564367B (zh) * 2015-11-16 2017-01-01 隆達電子股份有限公司 氟化物螢光粉、其製備方法及包含其之發光裝置與背光模組

Also Published As

Publication number Publication date
AU2014362239B2 (en) 2018-06-07
CA2932616C (en) 2022-11-01
JP6595998B2 (ja) 2019-10-23
KR20160096709A (ko) 2016-08-16
JP2017501268A (ja) 2017-01-12
EP3080230A1 (en) 2016-10-19
CN105793389A (zh) 2016-07-20
WO2015089345A1 (en) 2015-06-18
CN105793389B (zh) 2018-12-04
AU2014362239A1 (en) 2016-06-16
US20150166887A1 (en) 2015-06-18
US9388336B2 (en) 2016-07-12
CA2932616A1 (en) 2015-06-18
MY183192A (en) 2021-02-18
EP3080230B1 (en) 2018-07-04
MX2016007678A (es) 2016-10-14
TWI633171B (zh) 2018-08-21
KR102434076B1 (ko) 2022-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI633171B (zh) 製備色彩穩定之摻雜錳的錯合氟化物磷光體的方法
JP6928067B2 (ja) 赤色発光蛍光体、関連方法及び装置
KR101915217B1 (ko) 색 안정성 망간-도핑된 형광체
TW201641667A (zh) 色彩穩定之發紅光磷光體
TWI724061B (zh) 用於合成紅色發光磷光體之方法及相關紅色發光磷光體
JP6803845B2 (ja) 赤色発光蛍光体、方法及び装置
TWI709638B (zh) 顏色穩定之發紅光磷光體
KR102520635B1 (ko) 형광체, 발광 장치 및 형광체의 제조 방법