TW201515208A

TW201515208A - 有機發光顯示裝置及其製造方法

Info

Publication number: TW201515208A
Application number: TW103115617A
Authority: TW
Inventors: Kwan-Hee Lee
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2013-07-04
Filing date: 2014-04-30
Publication date: 2015-04-16
Also published as: KR20150005099A; CN104282723B; US20150008398A1; TWI655762B; US9287531B2; US20150155527A1; US9024307B2; CN110112197A; CN104282723A; KR102131248B1

Abstract

一種有機發光顯示裝置，其包含設置於基板上之複數個陽極及輔助電極。輔助電極與複數個陽極隔開。有機發光顯示裝置進一步包含設置於複數個陽極上之有機層、穿透有機層以露出輔助電極之開口、以及設置在有機層及露出的輔助電極上之陰極。陰極係電性地連接至輔助電極。開口在近端具有第一寬度及在遠端具有第二寬度。遠端比近端更接近輔助電極。第一寬度比第二寬度小。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法

【0001】

本申請案主張於2013年7月4日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2013-0078420號之優先權，其揭露的全部內容併入本文以作為參考。

【0002】

本發明係有關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法。

【0003】

有機發光顯示裝置包含複數個像素。每一像素包含第一電極、第二電極以及設置第一電極及第二電極之間的有機層。有機層可發射出具有對應於在第一電極及第二電極之間流動的電流的亮度水準的光。有機發光顯示裝置藉由控制流動在第一電極及第二電極之間的電流以顯示想要的圖像。

【0004】

根據本發明例示性實施例，有機發光顯示裝置包含設置於基板上之複數個陽極及輔助電極。輔助電極與複數個陽極隔開。有機發光顯示裝置進一步包含設置在複數個陽極上之有機層、穿透有機層以露出輔助電極之開口、以及設置在有機層及露出的輔助電極上之陰極。陰極係電性地連接至輔助電極。開口在近端具有第一寬度且在遠端具有第二寬度。遠端比近端更接近輔助電極。第一寬度比第二寬度小。

【0005】

根據本發明例示性實施例，有機發光顯示裝置包含含有顯示區及非顯示區的基板。有機發光顯示裝置進一步包含於基板的顯示區上的複數個陽極。有機發光顯示裝置進一步包含同時設置在基板的顯示區及非顯示區上的輔助電極。輔助電極與複數個陽極隔開。有機層係設置在複數個陽極上。開口穿透有機層，以露出輔助電極。有機發光顯示器進一步包含設置在有機層及露出的輔助電極上的陰極。輔助電極包含設置在非顯示區中的終端部分。

【0006】

根據本發明例示性實施例，提供一種製造有機發光顯示裝置之方法。複數個陽極及輔助電極形成於基板上。輔助電極與複數個陽極隔開。有機層形成於複數個陽極及輔助電極上。開口藉由施加電壓至輔助電極而形成於有機層中。開口將輔助電極露出。陰極形成於有機層及露出的輔助電極上。陰極係電性地連接至露出的輔助電極。

10‧‧‧基板

20‧‧‧緩衝層

30‧‧‧閘極絕緣層

40‧‧‧介層絕緣膜

50‧‧‧平坦化層

60‧‧‧像素限定層

70‧‧‧有機層

71‧‧‧電洞注入層

72‧‧‧電洞傳輸層

73‧‧‧電子傳輸層

74‧‧‧電子注入層

75a、75b、75c‧‧‧有機發光層

76‧‧‧白色有機發光層

77a‧‧‧第一有機發光層

77b‧‧‧第二有機發光層

77c‧‧‧第三有機發光層

80‧‧‧彩色濾光層

81‧‧‧第一彩色濾光片

82‧‧‧第二彩色濾光片

83‧‧‧第三彩色濾光片

100、101、102‧‧‧有機發光顯示裝置

A1、A2、A3‧‧‧陽極

C‧‧‧陰極

CB‧‧‧輔助電極

CBE‧‧‧終端部分

CBP1、CBP2‧‧‧襯墊部分

D‧‧‧汲極電極

DA‧‧‧顯示區

d1、d2‧‧‧有機層開口的寬度

d2、d3‧‧‧像素限定層開口的寬度

d4、d5‧‧‧白色有機發光層開口的寬度

d6、d7‧‧‧第三有機發光層開口的寬度

G‧‧‧閘極電極

NDA‧‧‧非顯示區

OP‧‧‧開口

P1、P2、P3‧‧‧像素

S‧‧‧源極電極

SM‧‧‧半導體層

T‧‧‧薄膜電晶體

H‧‧‧電洞

S10至S50、S30、S31至S35、S36至S37‧‧‧步驟

【0007】

本發明的這些及其他特徵將藉由參考附圖詳細地描述其例示性實施例而變得更明顯，其中：

【0008】

第1圖係為根據本發明例示性實施例的有機光顯示裝置之平面圖；

【0009】

第2圖係為沿著第1圖的線II-II'截取的有機發光顯示裝置之剖視圖；

【0010】

第3圖係為描述根據本發明例示性實施例之複數個陽極及輔助電極排列之平面圖；

【0011】

第4圖係為第2圖的區域IV之放大圖；

【0012】

第5圖係為描述根據本發明例示性實施例之製造有機發光顯示裝置方法之流程圖；

【0013】

第6圖係為描述根據本發明例示性實施例之形成複數個陽極及輔助電極之操作之有機發光顯示裝置之剖視圖；

【0014】

第7圖係為描述根據本發明例示性實施例之形成像素限定層之操作之有機發光顯示裝置之剖視圖；

【0015】

第8圖係為描述根據本發明例示性實施例之形成有機層之操作之流程圖；

【0016】

第9圖係為描述根據本發明例示性實施例之形成電洞注入層之操作及形成電洞傳輸層之操作之有機發光顯示裝置之剖視圖；

【0017】

第10圖係為描述根據本發明例示性實施例之形成有機發光層之操作之有機發光顯示裝置之剖視圖；

【0018】

第11圖係為描述根據本發明例示性實施例之形成電子傳輸層之操作及形成電子注入層之操作之有機發光顯示裝置之剖視圖；

【0019】

第12圖係為描述根據本發明例示性實施例之在有機層中形成開口之操作之有機發光顯示裝置之剖視圖；

【0020】

第13圖係為描述根據本發明例示性實施例之複數個陽極及輔助電極排列之平面圖；

【0021】

第14圖係為根據本發明例示性實施例之有機發光顯示裝置之剖視圖；

【0022】

第15圖係為第14圖的區域XV之放大圖；

【0023】

第16圖係為根據本發明例示性實施例之有機發光顯示裝置之剖視圖；

【0024】

第17圖係為第16圖的區域XVII之放大圖；以及

【0025】

第18圖係為描述根據本發明例示性實施例之製造有機發光顯示裝置方法之流程圖。

【0026】

本發明概念的例示性實施例將參考附圖而在下文中詳細地描述。然而，本發明概念可以不同形式實施且不應解釋為侷限在本文中所述之實施例。在圖式中，層及區域之厚度為清楚起見可加以誇大。亦將被理解當一元件被指在另一元件或基板「上(on)」時，其可直接在其他元件或基板上，或可存在中間層。亦將理解當一元件被指為「耦合至(coupled to)」或「連接至(connected to)」另一元件，其可直接耦合至或連接至其他元件，或亦可存在中間元件。相同參考標號在說明書及圖式中可指為相同元件。

【0027】

第1圖係為根據本發明例示性實施例之有機發光顯示裝置100之平面圖。

【0028】

參照第1圖，有機發光顯示裝置100包含複數個像素(P1、P2、P3)。各像素(P1、P2、P3)發出光，且有機發光顯示裝置100藉由控制各像素(P1、P2、P3)所發射出的光之亮度以顯示圖像。像素(P1、P2、P3)以矩陣圖型排列，但像素(P1、P2、P3)排列圖型不限於矩陣圖型。

【0029】

像素(P1、P2、P3)包含第一像素P1、第二像素P2及第三像素P3。第一像素P1至第三像素P3可發出不同顏色的光。在一例示中，第一像素P1可發出紅光，第二像素P2可發出綠光及第三像素P3可發出藍光。然而，本發明不限於其中。鄰近於彼此的一第一像素P1、一第二像素P2及一第三像素P3可共同作為用於在有機發光顯示裝置100上顯示圖像的單元。

【0030】

有機發光顯示裝置100現在將參考第2圖做更詳細的描述。第2圖係為沿著第1圖的線II-II'截取的有機發光顯示裝置100之剖視圖。

【0031】

參照第2圖，有機發光顯示裝置100包含基板10、複數個陽極(A1, A2, A3)、輔助電極CB、有機層70及陰極C。

【0032】

基板10係為板狀且支撐其他形成於其上的結構。基板10可由絕緣材料，但不限於此，如玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚碸(PES)、聚醯亞胺(PI)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)形成。基板10可包含撓性材料。

【0033】

複數個陽極(A1, A2, A3)形成於基板10上。複數個陽極(A1, A2, A3)中的每一個連接至將於之後描述的薄膜電晶體T，而流經有機層70的電流係藉由薄膜電晶體T傳輸的訊號而控制。陽極(A1, A2, A3)可為反射的。舉例來說，陽極(A1, A2, A3)可由包含但不限於銀(Ag)/銦錫氧化物(ITO)、ITO/Ag/ITO、鉬(Mo)/ITO、鋁(Al)/ITO或鈦(Ti)/ITO的材料形成。陽極(A1, A2, A3)在向上的方向反射有機層70產生的光。

【0034】

陽極(A1, A2, A3)包含第一陽極A1、第二陽極A2及第三陽極A3。第一陽極A1設置在複數個第一像素的每一個中、第二陽極A2設置在複數個第二像素的每一個中，以及第三陽極A3設置在複數個第三像素的每一個中。

【0035】

輔助電極CB設置在基板10上且與陽極(A1, A2, A3)分離。輔助電極CB基本上由如陽極(A1, A2, A3)相同的材料形成。例如，輔助電極CB及陽極(A1, A2, A3) 基本上可由在相同過程的相同材料而同時地形成。然而，本發明不限於此。輔助電極CB可電性地連接至陰極C。

【0036】

輔助電極CB可由電阻比陰極C低的材料形成。輔助電極CB係電性地連接至陰極C，從而減少由於陰極C的內部電阻之施加於陰極C的電壓的壓降。

【0037】

陽極(A1, A2, A3)及輔助電極CB現在將參照第3圖更詳細描述。第3圖係為有機發光顯示裝置100之平面圖，係描述根據本發明例示性實施例之陽極(A1, A2, A3)及輔助電極CB的排列。

【0038】

參照第3圖，陽極(A1, A2, A3)的排列基本上與像素(P1, P2, P3)的排列相同。第一陽極A1設置在第一像素P1中。第二陽極A2設置在第二像素P2中。第三陽極A3設置在第三像素P3中。

【0039】

輔助電極CB以網狀結構排列。第一陽極A1、第二陽極A2及第三陽極A3設置在被輔助電極CB圍繞的空間內。輔助電極CB設置在兩個相鄰陽極(A1, A2, A3)之間。然而，本發明不限於此，且輔助電極CB的形狀可變化。

【0040】

輔助電極CB包含複數個終端部分CBE。終端部分CBE係設置在非顯示區NDA內。終端部分CBE係為延伸至非顯示區NDA的輔助電極CB的區域。有機發光顯示裝置100包含顯示圖像的顯示區DA及圍繞顯示區DA的非顯示區NDA。像素(P1, P2, P3)及複數個像素電極(即陽極(A1, A2, A3))係排列在顯示區DA內，且非顯示區NDA可圍繞顯示區DA的外面。

【0041】

為了在有機層70中形成開口OP，電壓可施加在設置於相鄰顯示區DA之兩側的兩終端部分CBE之間。為了施加電壓至終端部分CBE，將在之後描述的像素限定層60不須形成在終端部分CBE上。

【0042】

終端部分CBE可為藉由增加輔助電極CB的寬度而形成的襯墊部分(CBP1, CBP2)。所有終端部分CBE可係為襯墊部分(CBP1, CBP2)。然而，本發明不限於此，且僅一些終端部分CBE可為襯墊部分(CBP1, CBP2)。因為襯墊部分(CBP1, CBP2)係藉由增加輔助電極CB的寬度而形成，電壓可藉由施加電壓至襯墊部分(CBP1, CBP2)而施加至輔助電極CB。襯墊部分(CBP1, CBP2)包含形成在不同終端部分CBE的第一襯墊部分CBP1及第二襯墊部分CBP2。顯示區DA設置在第一襯墊部分CBP1及第二襯墊部分CBP2之間。電壓係施加在第一襯墊部分CBP1及第二襯墊部分CBP2之間，因此電流均勻地流遍輔助電極CB之所有區域。據此，熱可從輔助電極CB均勻地產生，從而形成複數個開口OP。每一開口OP可具有基本上與其他開口相同的大小。

【0043】

參照第2圖，有機層70係插入陽極(A1, A2, A3)及陰極C之間。有機層70發出具有對應於在陽極(A1, A2, A3)及陰極C之間流動的電流的亮度水準的光。

【0044】

輔助電極CB設置在有機層70不存在於基板10上的開口OP中。輔助電極CB及陰極C係電性地連接至彼此。開口OP將參照第4圖而於其後更詳細描述。

【0045】

有機層70包含電洞注入層71、電洞傳輸層72、電子傳輸層73、電子注入層74及有機發光層75a、75b、75c。

【0046】

當電場施加在陽極(A1, A2, A3)及陰極C之間時，電子係由陰極C提供至有機發光層75a、75b、75c，且電洞係由陽極(A1, A2, A3)提供至有機發光層75a、75b、75c。

【0047】

例如，從陽極(A1, A2, A3)提供的電洞係注入至設置在陽極(A1, A2, A3)上的電洞注入層71。注入的電洞係通過電洞傳輸層72而傳輸至有機發光層75a、75b、75c。電洞傳輸層72係設置在電洞注入層71上。

【0048】

從陰極C提供的電子係注入至電子注入層74。注入的電子係通過電子傳輸層73而傳輸至有機發光層75a、75b、75c。電子注入層74係設置在電子傳輸層73上。有機發光層75a、75b、75c係插入電子傳輸層73及電洞傳輸層72之間。電洞注入層71、電洞傳輸層72、電子傳輸層73及電子注入層74可形成於有機發光顯示裝置100之顯示區DA上。像這樣的電洞注入層71至電子注入層74的層不需受制於使用遮罩之圖案成形程序。另外，像這樣的電洞注入層71至電子注入層74的層可使用遮罩以圖案成形。

【0049】

有機層70不限於具有像這樣的四個電洞注入層71至電子注入層74的層。例如，電洞注入層71、電洞傳輸層72、電子傳輸層73及電子注入層74中的至少一層可從有機層70省去。有機層70可僅包含在電洞注入層71、電洞傳輸層72、電子傳輸層73及電子注入層74之間的一層。

【0050】

有機發光層75a、75b、75c係設置在電洞傳輸層72及電子傳輸層73之間。有機發光層75a、75b、75c中的每一個發射出具有對應於施加在陽極(A1, A2, A3)及陰極C之間的電場而產生反應的流動於其間的電流的大小的亮度水準的光。有機發光層75a、75b、75c可發射出對應於藉由電洞及電子的結合而形成的激子的能量水準變化而產生的能量的光。有機發光層75a、75b、75c藉由使用遮罩之沉積或印刷法而形成在陽極(A1, A2, A3)上。有機發光層75a、75b、75c不會透過開口OP露出。因此，有機發光層75a、75b、75c不須透過開口OP接觸陰極C。有機發光層75a、75b、75c包含第一有機發光層75a、第二有機發光層75b以及第三有機發光層75c。第一有機發光層75a係設置在第一陽極A1上且可發出紅光。第二有機發光層75b係設置在第二陽極A2上且可發出綠光。第三有機發光層75c係設置在第三陽極A3上且可發出藍光。

【0051】

開口OP將參照第4圖做更詳細的描述。第4圖係為第2圖的區域IV之放大圖。參照第4圖，在有機層70的頂表面上的開口OP的寬度d1比在有機層70的底表面上的開口OP的寬度d2小。為了形成開口OP，電壓施加至輔助電極CB。輔助電極CB產生對應於施加電壓之熱能，而熱能蒸發了有機層70，從而在輔助電極CB上形成開口OP。熱能係透過有機層70而傳送。有機層70具有溫度從輔助電極CB減少至有機層70的頂表面的溫度分佈。據此，在有機層70的頂表面上的開口OP的寬度d1比在有機層70的底表面上的開口OP的寬度d2小，有機層70的底表面比起有機層70的頂表面更接近輔助電極CB。

【0052】

參照第2圖，陰極C係設置在有機層70上。陰極C係連接至開口OP中的輔助電極CB。陰極C未使用遮罩形成在有機發光顯示裝置100的顯示區DA上。陰極C可由光學上透明或半透明的導電材料包含銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鎂(Mg)及銀(Ag)之化合物、鈣(Ca)及銀(Ag)之化合物或鋰(Al)及鋁(Al)之化合物而形成，但不限於此。從有機層70產生的光係透過陰極C而發射至有機發光顯示裝置100的外面。為了增加陰極C的透光率，陰極C可薄地形成。例如，陰極C可具有200埃(Å)或更少之厚度。

【0053】

陰極C可具有一定程度的相對高電阻，對應至各像素(P1, P2, P3)的陰極C可具有不同電壓。例如，當電壓施加至陰極時，電壓會由於陰極C的電阻而受到壓降。據此，各像素可具有不同的陰極電壓。這樣的電壓差異可導致有機發光顯示裝置100上的亮度汙點。輔助電極CB具有相較於陰極C更低的電阻，且因此陰極C及輔助電極CB之組合電阻可減少陰極C之壓降。

【0054】

有機發光顯示裝置100進一步包含緩衝層20、半導體層SM、閘極絕緣層30、閘極電極G、介層絕緣膜40、源極電極S、汲極電極D、平坦化層50及像素限定層60。

【0055】

緩衝層20形成於基板10的頂表面。緩衝層20可防止雜質元素穿透並平坦化基板10的頂表面。緩衝層20可由不同的可表現上述功能的材料而形成。例如，緩衝層20可包含氮化矽(SiNx)層、氧化矽(SiO2)層或氧氮化矽(SiOxNy)層，但不限於此。另外，緩衝層20可被省略。

【0056】

半導體層SM形成於緩衝層20上。半導體層SM可包含非晶形矽層或多晶矽層。半導體層SM可包含通道區、源極區及汲極區。源極區設置在通道區之一側上，且汲極區設置在通道區另一側上。源極區可電性地連接至源極電極S，且汲極區可電性地連接至汲極電極D。源極區及汲極區可與P型雜質如B2H6高度地摻雜。用於摻雜半導體層SM的雜質類型可根據例示性實施例而不同。

【0057】

另外，有機發光顯示裝置100可包含代替半導體層SM的氧化物半導體層。閘極絕緣層30形成於半導體層SM上。閘極絕緣層30可將閘極電極G與半導體層SM隔離。閘極絕緣層30可由SiNx或SiO2形成。

【0058】

閘極電極G係設置在閘極絕緣層30上。閘極電極G重疊於半導體層SM的至少一個區域。施加至閘極電極G的電壓可控制半導體層SM變成導電或不導電。例如，施加至閘極電極G的相對高電壓可控制半導體層SM變成導電的，從而電性地將汲極電極D及源極電極S彼此連接。施加至閘極電極G的相對低電壓可控制半導體層SM變成不導電的，從而將汲極電極D及源極電極S彼此隔絕。

【0059】

介層絕緣膜40形成於閘極電極G上。介層絕緣膜40覆蓋閘極電極G以將閘極電極G與源極電極S及汲極電極D隔絕。介層絕緣膜40可由SiNx或SiO2形成。

【0060】

源極電極S及汲極電極D係設置在介層絕緣膜40上。源極電極S及汲極電極D穿透介層絕緣膜40及閘極絕緣層30，以分別接觸源極區及汲極區。源極電極S、汲極電極D、閘極電極G及半導體層SM可形成薄膜電晶體T。薄膜電晶體T可根據施加到閘極電極G的電壓判斷是否要傳遞被傳送至源極電極S的訊號到汲極電極D。

【0061】

平坦化層50係設置在薄膜電晶體T及介層絕緣膜40上。為了增加設置在平坦化層50上的有機層70之發光效率，平坦化層50的頂表面係為平坦而無階梯。平坦化層50可由絕緣材料包含聚丙烯酸酯樹脂(polyacrylates resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚樹脂(phenolic resin)、聚醯胺樹脂(polyamides resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimides resin)、不飽和聚酯樹脂(unsaturated polyesters resin)、聚亞苯基醚樹脂(poly phenylenethers resin)、聚亞苯基硫化物樹脂(poly phenylenesulfides resin)或苯並環丁烯(benzocyclobutene, BCB)形成，但不限於此。接觸孔H形成在平坦化層50中，以暴露將在其後敘述的薄膜晶體管T的汲極電極D的頂表面。陽極(A1, A2, A3)及汲極電極D係透過接觸電洞H而電性地彼此連接。

【0062】

像素限定層60係設置在平坦化層50上。像素限定層60部分地覆蓋陽極(A1, A2, A3)以露出陽極(A1, A2, A3)的頂表面。分別包含未被像素限定層60及有機層70覆蓋的像素電極(即陽極(A1, A2, A3))及設置在像素電極(即陽極(A1, A2, A3))上的陰極C的區域可定義為像素(P1, P2, P3)。像素限定層60覆蓋輔助電極CB。開口OP穿透像素限定層60以露出輔助電極CB。

【0063】

參照第4圖，在像素限定層60的頂表面上的開口OP的寬度d2比在像素限定層60的底表面上的開口OP的寬度d3小。當電壓施加至輔助電極CB時，像素限定層60亦會因輔助電極CB產生的熱能而蒸發。有機層70及像素限定層60具有溫度從輔助電極CB減少至有機層70的頂表面的溫度分佈。據此，在像素限定層60的頂表面上的開口OP的寬度d2比在像素限定層60的底表面上的開口OP的寬度d3小，像素限定層60的底表面比起像素限定層60的頂表面更接近輔助電極CB。

【0064】

在有機層70的頂表面的開口OP的寬度d1比在有機層70的底表面的開口OP的寬度d2小。當電壓施加至輔助電極CB時，有機層70可因輔助電極CB產生的熱能而蒸發。有機層70及像素限定層60具有溫度從輔助電極CB減少至有機層70的頂表面的溫度分佈。據此，在有機層70的頂表面上的開口OP的寬度d1比在有機層70的底表面上的開口OP的開口OP的寬度d2小，有機層70的底表面比起有機層70的頂表面更接近輔助電極CB。

【0065】

一種製造有機發光顯示裝置100之方法現在將參照第5圖而描述。第5圖係為根據本發明例示性實施例製造有機發光顯示裝置之方法之流程圖。

【0066】

參照第5圖，製造有機發光顯示裝置100之方法包含形成複數個陽極(A1, A2, A3)及輔助電極CB(操作S10)、形成像素限定層60(操作S20)、形成有機層70(操作S30)、形成開口OP(操作S40)及形成陰極C(操作S50)。

【0067】

形成陽極(A1, A2, A3)及輔助電極CB(操作S10)現在將參照第6圖描述。第6圖係為有機發光顯示裝置100之剖視圖，係描述根據本發明例示性實施例之形成陽極(A1, A2, A3)及輔助電極CB(操作S10)。參照第6圖，在操作S10中陽極(A1, A2, A3)及輔助電極CB係形成於基板10上。緩衝層20、閘極絕緣層30、介層絕緣膜40、平坦化層50、半導體層SM、閘極電極G、源極電極S及汲極電極D係形成於基板10上，且陽極(A1, A2, A3)及輔助電極CB係形成於平坦化層50上。陽極(A1, A2, A3)係彼此分離。汲極電極D透過形成於平坦化層50中之接觸孔H而連接至其對應的陽極(A1, A2, A3)。輔助電極CB與陽極(A1, A2, A3)分離。輔助電極CB及陽極(A1, A2, A3)基本上可由相同的材料形成。輔助電極CB及陽極(A1, A2, A3)可使用相同的遮罩之沉積程序而同時地形成。

【0068】

形成像素限定層60(操作S20)現在將參照第7圖描述。第7圖係為有機發光顯示裝置100之剖視圖，係描述根據本發明例示性實施例之形成像素限定層60(操作S20)。像素限定層60形成於基板10及平坦化層50上。像素限定層60部分地覆蓋陽極(A1, A2, A3)，但本發明不限於此。像素限定層60部分地露出陽極(A1, A2, A3)的頂表面。像素限定層60覆蓋輔助電極CB。像素限定層60不須形成於非顯示區NDA中。像素限定層60不須形成於設置在非顯示區NDA中的輔助電極CB的終端部分CBE上。

【0069】

形成有機層70(操作S30)現在將參照第8圖至第11圖描述。

【0070】

第8圖係為描述根據本發明例示性實施例之形成有機層70(操作S30)之流程圖。參照第8圖，形成有機層70(操作S30)包含形成電洞注入層71(操作S31)、形成電洞傳輸層72(操作S32)、形成有機發光層75a、75b、75c (操作S33)、形成電子傳輸層73(操作34)及形成電子注入層74(操作S35)。

【0071】

形成電洞注入層71(操作S31)及形成電洞傳輸層72(操作S32)現在將參照第9圖描述。第9圖係為有機發光顯示裝置100之剖視圖，係描述根據本發明例示性實施例之形成電洞注入層71(操作S31)及形成電洞傳輸層72(操作S32)。參照第9圖，在形成電洞注入層71(操作S31)，電洞注入層71形成於陽極(A1, A2, A3)、像素限定層60及輔助電極CB上。電洞注入層71可不使用遮罩而形成於顯示區DA上。電洞注入層71不須形成於非顯示區NDA中。電洞注入層71不須形成在設置於非顯示區NDA中的輔助電極CB的終端部分CBE上。

【0072】

在形成電洞傳輸層72(操作S32)，電洞傳輸層72係形成在電洞注入層71上。電洞傳輸層72不使用遮罩而形成於顯示區DA。電洞傳輸層72不須形成於非顯示區NDA中。電洞傳輸層72不須形成於設置在非顯示區NDA中的輔助電極CB的終端部分CBE。

【0073】

形成有機發光層75a、75b、75c (操作S33)現在將參照第10圖描述。第10圖係為有機發光顯示裝置100之剖視圖，係描述根據本發明例示性實施例之形成有機發光層75a、75b、75c。參照第10圖，在形成有機發光層75a、75b、75c(操作S33)，第一至第三有機發光層75a至75c可分別形成於第一至第三陽極A1至A3及電洞傳輸層72。第一至第三有機發光層75a至75c中的每一個可使用遮罩之噴墨印刷法或沉積法而形成。

【0074】

形成電子傳輸層73(操作S34)及形成電子注入層74(操作S35)現在將參照第11圖描述。第11圖係為有機發光顯示裝置100之剖視圖，係描述根據本發明例示性實施例之形成電子傳輸層73(操作S34)及形成電子注入層74(操作S35)。參照第11圖，在形成電子傳輸層73(操作S34)，電子傳輸層73形成於電洞傳輸層72及有機發光層75a、75b、75c。電子傳輸層73不使用遮罩而形成於顯示區DA。電子傳輸層73不需形成於非顯示區NDA中。電子傳輸層73不須形成於設置在非顯示區NDA中的輔助電極CB的終端部分CBE上。

【0075】

在形成電子注入層74(操作S35)，電子注入層74係形成於電子傳輸層73上。電子注入層74不使用遮罩而形成於顯示區DA上。電子注入層74不須形成於非顯示區NDA中。電子注入層74不須形成於設置在非顯示區NDA中的輔助電極CB的終端部分CBE上。

【0076】

若電洞注入層71、電洞傳輸層72、電子傳輸層73或電子傳輸層74從有機發光顯示裝置100省去，則形成省略層之操作不須執行。

【0077】

形成開口OP(操作S40)現在將參照第12圖描述。第12圖係為有機發光顯示裝置100之剖視圖，係描述根據本發明例示性實施例之在有機層70形成開口OP(操作S40)。參照第12圖，在形成開口OP(操作S40)，電壓可施加至輔助電極CB，藉由施加至輔助電極CB的電壓使輔助電極CB所產生的熱，可能會導致相鄰於輔助電極CB的像素限定層60的一部分及有機層70的一部分蒸發，從而形成開口OP。施加至輔助電極CB的電壓可足夠的高以產生熱能來蒸發像素限定層60及有機層70。舉例來說，施加至輔助電極CB之電壓可為15,000 V或更高。電壓可藉由施加不同電位至輔助電極CB之兩終端部分CBE而施加至輔助電極CB。兩終端部分CBE可在面對彼此的非顯示區NDA中。若電位施加在設置於面對彼此的非顯示區NDA中的兩終端部分CBE之間，電流可均勻地流至輔助電極CB的所有區域。據此，熱能可從輔助電極CB均勻地產生，從而形成複數個開口OP。各開口OP實質上具有與其他開口相同的尺寸。電位亦可施加在寬的兩襯墊部分(CBP1, CBP2)之間(亦即，另一型之兩終端部分CBE)，且因此可使用用於施加電位之工具而相接觸。

【0078】

在根據本例示性實施例之製造有機發光顯示裝置100之方法中，陰極C連接至輔助電極CB的開口OP可藉由施加電壓於輔助電極CB而形成。因此，開口OP可不使用蝕刻程序，經由電洞注入層71、電洞傳輸層72、電子傳輸層73及電子注入層74而形成。據此，根據本例示性實施例之製造有機發光顯示裝置100之方法不須使用遮罩形成電洞注入層71、電洞傳輸層72、電子傳輸層73或電子注入層74，亦不須使用蝕刻程序形成開口OP。根據本例示性實施例，此可簡化製造有機發光顯示裝置之程序。

【0079】

在形成陰極C(操作S50)，陰極C形成於有機層70上。陰極C係電性地連接至開口OP中的輔助電極CB。陰極C可不使用遮罩形成於顯示區DA。形成陰極C(操作S50)可產生第2圖之有機發光顯示裝置100。

【0080】

本發明例示性實施例現在將參照第13圖描述。第13圖係為描述根據本發明例示性實施例之複數個陽極(A1, A2, A3)及輔助電極CB排列之平面圖。輔助電極CB可以條紋圖案形成。輔助電極CB可包含彼此分離的複數個直線。輔助電極CB的終端部分CBE可為襯墊部分CBP1, CBP2，但不限於此。在形成開口OP(操作S40)中，若輔助電極CB形成為如複數個條紋圖案，電壓可施加至各條紋圖案以形成開口OP。

【0081】

本發明例示性實施例現在將參照第14圖及第15圖描述。第14圖係為根據本發明例示性實施例之有機發光顯示裝置101之剖視圖。第15圖係為第14圖的區域XV之放大圖。根據本例示性實施例之有機發光顯示裝置101之平面圖基本上與第1圖相同，且第14圖係為基本上沿著與第1圖的線II-II'相同的線截取之剖視圖。

【0082】

參照第14圖，有機發光顯示裝置101包含作為有機層之白色有機發光層76。白色有機發光層76在對應於流動其間的電流的亮度水準而發出白光。白色有機發光層76可含有分別發出紅光、藍光及綠光的材料。開口OP形成在白色有機發光層76及像素限定層60中，且輔助電極CB穿透開口OP而露出。開口OP現在將參照第15圖更詳細描述。

【0083】

參照第15圖，在白色有機發光層76的頂表面的開口OP的寬度d4比在白色有機發光層76的底表面的開口OP的寬度d5小。當開口OP藉由施加電壓至輔助電極CB而形成於白色有機發光層76時，白色有機發光層76被輔助電極CB所產生的熱能蒸發。白色有機發光層76具有溫度從輔助電極CB減少至白色有機發光層76頂面的溫度分佈。據此，在白色有機發光層76的頂表面的開口OP的寬度d4比在白色有機發光層76的底表面的開口OP的寬度d5小，白色有機發光層76的底表面比起白色有機發光層76的頂表面更接近輔助電極CB。

【0084】

參照第14圖，有機發光顯示裝置101進一步包含彩色濾光層80。彩色濾光層80係設置在陰極C上。彩色濾光層80包含不同顏色之第一彩色濾光片81、第二彩色濾光片82及第三彩色濾光片83。第一彩色濾光片81係設置在第一像素電極(即第一陽極A1)、第二彩色濾光片82係設置在第二像素電極(即第二陽極A2)及第三彩色濾光片83係設置在第三像素電極(即第三陽極A3)。第一彩色濾光片81可為紅色濾光片，但不限於此。第二彩色濾光片82可為綠色濾光片，但不限於此。第三彩色濾光片83可為藍色濾光片，但不限於此。

【0085】

本發明例示性實施例現在將參照第16圖至第18圖描述。第16圖係為根據本發明例示性實施例之有機發光顯示裝置102之剖視圖。第17圖係為第16圖的區域XVII之放大圖。第18圖係為描述根據本發明例示性實施例之形成有機層之流程圖。根據例示性實施例之有機發光顯示裝置102之平面圖基本上與第1圖相同，且第16圖係為基本上沿著與第1圖的線II-II'相同的線截取之剖視圖。

【0086】

參照第16圖，有機發光顯示裝置102如有機層包含第一有機發光層77a、第二有機發光層77b及第三有機發光層77c。第一有機發光層77a至第三有機發光層77c可發出不同顏色的光。例如，第一有機發光層77a可發出紅光、第二有機發光層77b可發出綠光及第三有機發光層77c可發出藍光。然而，本發明不限於此。第一有機發光層77a係設置在第一陽極A1且第二有機發光層77b係設置在第二陽極A2。第三有機發光層77c係設置在第一陽極A1至第三陽極A3。例如，第一有機發光層77a及第三有機發光層77c係設置在第一陽極A1，且第二有機發光層77b及第三有機發光層77c係設置在第二陽極A2。因為設置在第一陽極A1及第二陽極A2上的第三有機發光層77c的區域不會發光，所以從第一像素P1及第二像素P2發光之顏色不會被第三有機發光層77c影響。

【0087】

開口OP形成於第三有機發光層77c及像素限定層60中。輔助電極CB透過開口OP而露出，且輔助電極CB係電性地連接至陰極C。開口OP現在將參照第17圖更詳細描述。參照第17圖，在第三有機發光層77c的頂表面的開口OP的寬度d6比起在第三有機發光層77c的底表面的開口OP的寬度d7小。當開口OP藉由施加電壓至輔助電極CB而形成於第三有機發光層77c中時，第三有機發光層77c被輔助電極CB所產生的熱能蒸發。第三有機發光層77c具有溫度從輔助電極CB減少至第三有機發光層77c的頂表面的溫度分佈。據此，在第三有機發光層77c的頂表面的開口OP的寬度d6比起在第三有機發光層77c的底表面的開口OP的寬度d7小，第三有機發光層77c的底表面比起第三有機發光層77c的頂表面更接近輔助電極CB。

【0088】

形成有機發光顯示裝置102之有機層之方法現在將參照第18圖描述。參照第18圖，形成有機層(操作S30)包含形成第一有機發光層77a、形成第二發光有機層77b(操作S36)及形成第三有機發光層77c(操作S37)。

【0089】

在形成第一有機發光層77a及第二發光有機層77b(操作S36)，第一有機發光層77a形成於第一陽極A1，且第二發光有機層77b形成於第二陽極A2，其使用遮罩之噴墨印刷法或沉積法。

【0090】

在形成第三有機發光層77c(操作S37)，第三有機發光層77c不使用遮罩形成於顯示區DA上。

【0091】

或者，第一有機發光層77a及第二發光有機層77b可形成於第三有機發光層77c上。在這樣的情況下，形成第三有機發光層77c(操作S37)可在形成第一有機發光層77a及第二發光有機層77b(操作S36)之前實行。

【0092】

根據例示性實施例，製造有機發光顯示裝置之程序可不使用用於形成有機層的遮罩及/或無開口在有機層中以簡化。此外，輔助電極可減少由於陰極的內部電阻的壓降。

【0093】

當本發明的概念已參照其例示性實施例而顯示及描述時，其將為所屬技術領域中具有通常知識者顯而易見的是，可在其中作出形式及細節的各種變化，而不背離如下列申請專利範圍所定義之發明概念之精神及範疇。

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