TW201441391A

TW201441391A - 阻氣性薄膜

Info

Publication number: TW201441391A
Application number: TW103105396A
Authority: TW
Inventors: Sachi Murakami; Kyoko Inagaki; Kiyoshi Iseki
Original assignee: Toyo Boseki
Priority date: 2013-02-20
Filing date: 2014-02-19
Publication date: 2014-11-01
Also published as: JPWO2014129387A1; KR20150120448A; EP2960052A4; CN105008123B; TWI673378B; EP2960052A1; CN105008123A; US20190169736A1; KR102187542B1; JP6365528B2; WO2014129387A1; US20150376766A1

Abstract

本發明提供一種阻氣性薄膜，其對氧氣及水蒸氣等之阻氣性優異，較佳者係在固定期間加濕下放置後的水蒸氣阻氣性優異。本發明之阻氣性薄膜，係在塑膠薄膜的至少單面上有無機化合物薄膜形成之薄膜，其特徵係：上述無機化合物薄膜係以氧化鋁與氧化鎂為主要成分，相對於上述無機化合物薄膜中所含的氧化鋁及氧化鎂的合計100質量%，氧化鎂之比率為5質量%以上90質量%以下，上述無機化合物薄膜的膜厚為5至80nm。

Description

阻氣性薄膜

本發明係有關於食品、醫藥用品、電子零件等之包裝材料，及太陽能電池、電子紙、薄膜液晶等之要求水蒸氣阻氣性的電子機器等所使用之阻氣性薄膜。

在食品、醫藥用品等所使用之包裝材料中，為了可將內容物長期間保存，而要求具備阻斷促進氧化等之變質的大氣中的氧氣、水蒸氣等氣體的特性，亦即要求具備阻氣性。特別是，太陽能電池、或有機EL等電子裝置及電子零件等所使用之阻氣性材料中，要求要有比食品或醫藥用品等之包裝材料更高的阻氣性。

一直以來，包裝材料係使用聚乙烯醇(PVA)、乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)、聚偏二氯乙烯樹脂(PVDC)、或聚丙烯腈(PAN)等一般所謂阻氣性較高的高分子樹脂組成物所積層之薄膜。

然而，使用上述PVA系或EVOH系之高分子樹脂組成物而成之阻氣性積層薄膜，由於對溫度依賴性及對濕度依賴性大，因此在高溫或高濕下可觀察到阻氣性的下降。並且，PVDC及PAN在廢棄/焚燒時，會有有害物質產生的風險之問題。

以往，作為要求更高阻氣性能之包裝材料，係使用塑膠薄膜沉積著鋁等之金屬者。然而，在使用如此之包裝材料時，由於金屬薄膜不透明，故有無法辨識內容物、及無法通過金屬探測器檢查內容物或無法以微波爐進行加熱處理之問題。

因此，為了解決該問題而提案一種在塑膠薄膜上設有氧化鋁薄膜之薄膜使發揮更高的阻氣性(例如參照專利文獻1)。

並且，亦有報告指出，為進一步提高阻氣性，作為塑膠薄膜上設有之無機氧化物薄膜亦可為使用氧化/氮化鋁及/或氧化/氮化矽之阻氣性薄膜(例如參照專利文獻2)。

更且，亦有報告指出，作為塑膠薄膜上設有之無機氧化物薄膜係將氧化鎂與氧化鋁粒子進行混合、加熱而得之薄膜(例如參照專利文獻3至5)。

然而，上述之以往的阻氣性薄膜，相對於氧氣及水蒸氣發揮高的阻氣性，惟在一定期間加濕下放置後之水蒸氣阻氣性亦不足，無法依內容物而發揮充分的水蒸氣阻氣性。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2004-82400號公報

[專利文獻2]日本特開2002-361778號公報

[專利文獻3]日本特開昭61-193841號公報

[專利文獻4]日本特開平07-126835號公報

[專利文獻5]日本特開2012-158820號公報

本發明係殷鑑於該以往技術背景而成者。亦即，本發明之目的係提供一種阻氣性薄膜，其對氧氣及水蒸氣等之阻氣性優異，較佳者係在一定期間加濕下放置後之水蒸氣阻氣性優異。

本發明者等經專心致志進行研討之結果，發現依以下所示之方法即可解決上述課題，遂而完成本發明。

亦即，本發明係包含以下之構成。

(1)一種阻氣性薄膜，係在塑膠薄膜的至少單面上有無機化合物薄膜形成之薄膜，其特徵係：上述無機化合物薄膜係包含氧化鋁與氧化鎂作為主要成分，相對於上述無機化合物薄膜中所含的氧化鋁及氧化鎂的合計100質量%，氧化鎂之比率為5質量%以上90質量%以下，上述無機化合物薄膜的膜厚為5至80nm。

(2)如上述(1)之阻氣性薄膜，其中上述阻氣性薄膜以40℃、90%RH處理50小時後之水蒸氣透過變化率(△WVTR)為50%以下。

(3)如上述(1)或(2)之阻氣性薄膜，其中相對於上述無機化合物薄膜中所含之氧化鋁及氧化鎂之合計100質量%，氧化鎂之比率為5質量%以上25質量%以下，且以40℃、90%RH處理50小時後之水蒸氣透過變化率 (△WVTR)為50%以下。

(4)如上述(1)或(2)之阻氣性薄膜，其中相對於上述無機化合物薄膜中所含之氧化鋁及氧化鎂之合計100質量%，氧化鎂之比率為70質量%以上90質量%以下，且以40℃、90%RH處理50小時後之水蒸氣透過變化率(△WVTR)為50%以下。

(5)如上述(1)至(4)中任一項之阻氣性薄膜，其中上述塑膠薄膜之厚度為50μm以下。

(6)如上述(1)至(5)中任一項之阻氣性薄膜，其中上述無機化合物薄膜係氧化鋁與氧化鎂經各別加熱而得者。

如依本發明，可提供一種對氧氣及水蒸氣等之阻氣性優異，特別係具有高的水蒸氣阻氣性之透明的阻氣性薄膜。該阻氣性薄膜可應用在各種食品、醫藥用品及工業製品之包裝用途，或太陽能電池、電子紙、有機EL元件、半導體元件等之工業用途中，而且，生產成本亦較低廉，且實用性高。

[實施發明之形態]

本發明之阻氣性薄膜係在塑膠薄膜的至少單面上有無機化合物薄膜形成之薄膜。以下，詳細說明本發明。

[基材薄膜]

本發明中使用之塑膠薄膜係包含有機高分子樹脂。上述有機高分子樹脂可列舉如：包含尼龍4,6、尼龍6、尼龍6,6、尼龍12等之聚醯胺；包含聚對苯二甲酸乙二酯、對苯二甲酸丁二酯，聚乙烯-2,6-萘二甲酸酯等之聚酯；包含聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯等之聚烯烴，此外，尚有聚氯乙烯，聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇、全芳族聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚碸、聚苯乙烯、聚乳酸、四氟乙烯、三氟氯乙烯等。該等之中，以聚醯胺、聚酯為佳，特別是，在耐熱性、尺寸安定性、透明性之點上，以聚酯為佳。有機高分子樹脂可僅為1種，亦可為2種以上。

較佳之聚醯胺的具體例可列舉如：聚己內醯胺(尼龍6)、聚-ε-胺基庚酸(尼龍7)、聚-ε-胺基壬酸(尼龍9)、聚十一醯胺(尼龍11)、聚月桂內醯胺(尼龍12)、聚乙二胺己二醯胺(尼龍2,6)、聚四亞甲基己二醯胺(尼龍4,6)、聚六亞甲基己二醯胺(尼龍6,6)、聚六亞甲基癸二醯胺(尼龍6,10)、聚六亞甲基十二醯胺(尼龍6,12)、聚八亞甲基十二醯胺(尼龍8,12)、聚八亞甲基己二醯胺(尼龍8,6)、聚十亞甲基己二醯胺(尼龍10,6)、聚十亞甲基癸二醯胺(尼龍10,10)、聚十二亞甲基十二醯胺(尼龍12,12)、間苯二胺尼龍-6(MXD6)等。並且，上述聚醯胺可為以上述聚醯胺為主成分之共聚物。其例可列舉如：己內醯胺/月桂內醯胺共聚物、己內醯胺/己二酸六亞甲二銨共聚物、月桂內醯胺/己二酸六亞甲二銨共聚物、己二酸六亞甲二銨 /癸二酸六亞甲二銨共聚物、乙烯二銨己二酸/六亞甲二銨己二酸共聚物、己內醯胺/六亞甲二銨己二酸/六亞甲二銨癸二酸共聚物等。聚醯胺中，作為薄膜之柔軟性改質成分，調配芳族碸醯胺類、對羥基苯甲酸、酯類等之塑化劑、或低彈性模量之彈性體成分、內醯胺類等亦為有效。

較佳之聚酯的具體例除了聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯，聚乙烯-2,6-萘二甲酸酯者等之外，可列舉如以該等為主成分之共聚物。構成聚酯共聚物之二羧酸成分係以將對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、2,6-萘二羧酸等之芳香族二羧酸；1,2,4-苯三甲酸、1,2,4,5-苯四甲酸等之多官能羧酸；己二酸、癸二酸等之脂族二羧酸等為主成分者為佳。並且，構成聚酯共聚物之二醇成分除了乙二醇、1,4-丁二醇之外，以二乙二醇、丙二醇、新戊二醇等之脂族二醇；對苯二甲醇等之芳族二醇；1,4-環己烷二甲醇等之脂環族二醇、平均分子量為150至20000之聚乙二醇等為主成分者為佳。聚酯共聚物可為進一步與其它成分共聚者。

更且，構成塑膠薄膜之有機高分子樹脂中，在無損及本發明之效果之範圍內，可添加習知之添加物。添加物係例如二氧化矽等之潤滑劑之外，可列舉如：紫外線吸收劑、抗靜電劑、塑化劑、著色劑等。並且，構成塑膠薄膜之有機高分子樹脂中，亦可將上述有機高分子樹脂以外之其它聚合成分以少量共聚或摻合。

塑膠薄膜之製作方法並無特別限定，例如在以熔融擠出法、澆鑄法等已知方法薄膜化後，可因應必要在長度方向及/或寬度方向延伸並施行冷卻、熱固定而得。

本發明之塑膠薄膜可為將不同種或相同種之有機高分子樹脂積層而成之積層型薄膜。各層之種類、積層數、積層方法等並無特別限定，可因應目的而由習知方法任意選擇。

本發明之塑膠薄膜在無損本發明之目的的範圍下，可在事先進行積層後述之無機化合物薄膜層，然後施行電暈放電處理、輝光放電、火焰處理、表面粗糙化處理等之表面處理，並且，亦可施行習知之錨塗層處理、印刷、裝飾。

本發明之塑膠薄膜，其厚度以1μm以上300μm 以下之範圍為佳，以5μm以上100μm以下之範圍更佳，以9μm以上50μm以下之範圍最佳。

本發明之塑膠薄膜的透明度並無特別限定，惟在要求透明性之包裝材料用途使用所得阻氣性薄膜時，期望塑膠薄膜具有50%以上之透過率。

[無機化合物薄膜]

本發明之無機化合物薄膜係包含氧化鋁與氧化鎂。如此，藉由裝設包含氧化鋁與氧化鎂之無機化合物薄膜，可使所得薄膜進一步提高阻氣性，特別是對水蒸氣之阻氣性。

本發明之阻氣性薄膜中，無機化合物薄膜中所含的氧化鎂之質量比率並無特別限定，惟相對於無機化合物薄膜中所含的氧化鋁及氧化鎂之合計100質量%，氧化鎂之比率以5質量%以上90質量%以下者為佳。氧化鎂之比率未達5質量%時，由於會有缺乏柔軟性之傾向，故容易因操作而裂開，而有難以得到安定之阻氣性之情形。另外，氧化鎂之比率超出90質量%時，阻氣性會降低。

而且，由於該阻氣性薄膜會有曝露在高濕度環境下之情形，即使在高濕度下亦期待阻氣性之劣化小。相對於無機化合物薄膜中所含的氧化鋁及氧化鎂之合計100質量%，氧化鎂之比率為5質量%以上25質量%以下時，在40℃、90%RH處理50小時前後之阻氣性的劣化小。氧化鎂之比率以15質量%以上25質量%以下更佳。

氧化鎂之比率為5質量%以上25質量%以下時，由於氧化鋁與氧化鎂的複合氧化物容易形成，因此容易與水反應之氧化鎂不易以單體存在，且因水而變質的情形變小。

另外，相對於無機化合物薄膜中所含的氧化鋁及氧化鎂之合計100質量%，氧化鎂之比率為70質量%以上90質量%以下時，在40℃、90%RH處理50小時前後之阻氣性的劣化小。

氧化鎂之比率為70質量%以上90質量%以下時，使包覆氧化鎂周圍之方式分佈氧化鋁，故使因水而變質的情形變小。

氧化鎂之比率以80質量%以上90質量%以下更佳。

本發明之無機化合物薄膜係包含氧化鋁與氧化鎂之薄膜，惟在無損本發明之目的之範圍內，可包含氧化鋁及氧化鎂以外之其它化合物。其它化合物之例可列舉如：各種氧化物、氮化物或該等之混合物質，具體上可列舉如：氧化矽、氧化鈣、氧化鍶、氧化鈧、氧化釔、氧化鑭、氧化鈰、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鉿、三氧化二釩、氧化鉭等之氧化物；氮化鎂、氮化鈣、氮化鑭、氮化鈦、氮化鉿等之氮化物；以及該等之混合物質。在包含其它化合物時，相對於無機化合物薄膜中之全物質之重量，其含有率期待為5質量%以下。

上述無機化合物薄膜之膜厚並無特別限定，惟以5至80nm為佳，以5nm以上60nm以下更佳，以5nm以上50nm以下為特佳。

無機化合物薄膜之膜厚未達5nm時，會有難以得到可滿足的阻氣性之情形，另外，即使超出80nm而過厚時，無法得到所相當之阻氣性的提高效果，因彎曲而使無機薄膜的開裂大，在剛沉積時之捲繞步驟後，阻氣性會劣化。並且，膜厚加大至超出80nm時，因沉積速度加快，會難以得到高濕度下之水蒸氣阻氣性。

並且，特別在作為包裝材料使用時，作為基材使用之塑膠薄膜的厚度，由容易處理之點，係以9μm以上50μm以下之範圍為合適，在100μm以上時，因操作等使薄膜彎曲而使無機薄膜開裂大，無法得到阻氣性之提高效果。

本案中所謂的無機化合物薄膜之組成、膜厚係指使用螢光X-射線之校準曲線方法而求得之值。

本案之校準曲線係沿以下順序所製成者。製成具有包含氧化鋁與氧化鎂之無機化合物薄膜的薄膜，以感應耦合電漿發射法(ICP法)分別求得氧化鋁與氧化鎂之附著量。由所求得之氧化鋁與氧化鎂之附著量，算出所製成之無機化合物薄膜的組成。

膜厚係無機氧化物薄膜之密度為整體密度之 80%，且即使氧化鋁與氧化鎂為混合之狀態，亦保持各自體積而算出。氧化鋁在膜中之含有率wa(%)、氧化鎂在膜中之含有率wm(%)係，氧化鋁在每單位面積的附著量為Ma(g/cm²)、氧化鎂在每單位面積的附著量為Mm(g/cm²)時，各以下述式(1)、(2)求得。

wa=100×[Ma/(Ma+Mm)]…式(1)

wm=100-wa…式(2)

當氧化鋁在每單位面積的附著量為Ma(g/cm²)且其整體密度為ρa(3.97g/cm³)，氧化鎂在每單位面積的附著量為Mm(g/cm²)且其整體密度為ρm(3.65g/cm³)時，膜厚t(nm)係以下述式(3)求得。

t=((Ma/(ρa×0.8)+Mm/(ρm×0.8))×10^-7…式(3)

製作數種規定膜厚、組成的無機氧化物薄膜，藉由以X射線螢光裝置測定，製成校準曲線。

以X射線螢光法所測定之膜厚值係與以TEM實際測量之膜厚相近之值。

以下，對於塑膠薄膜之至少單面形成無機化合物薄膜之方法說明如下。

形成無機化合物薄膜之方法係以在真空槽內，於作為基板之塑膠薄膜上形成無機化合物薄膜之乾式法為佳。具體而言，適宜採用真空沉積法、濺鍍法、離子鍍法等之物理沉積法(PVD法)、或化學沉積法(CVD法)等習知之沉積法。特別是，在製造包裝材料所適用之本發明之阻氣性薄膜時，由生產性之觀點，以真空沉積法為佳。

以真空沉積法形成無機化合物薄膜時，作為沉積材料之加熱方式係有電阻加熱，高頻感應加熱，電子束加熱等之方式。

在製造包裝材料所適用的本發明之阻氣性薄膜等時，在可高速成膜之點，以電子束加熱沉積法為適合。

在使用電子束加熱方式形成包含氧化鋁與氧化鎂之無機化合物薄膜時，係可使用氧化鋁及氧化鎂作為沉積材料。

較佳方法係分別配置純度99.9%以上之氧化鋁的燒成粒子與純度99.9%以上之氧化鎂的燒成粒子，使各個加熱而蒸發，並以氣相混合而形成無機化合物薄膜者。

在使用混合有氧化鋁與氧化鎂之材料時，由於氧化鋁與氧化鎂之蒸氣壓不同而使長時間蒸發時，使蒸氣壓高之氧化鎂選擇性地蒸發而改變混合材料之組成，由此所形成之無機化合物薄膜的組成亦改變。

將氧化鋁與氧化鎂分別加熱之方法，雖有使用2台電子束源之方法，亦有使用1台電子束源將電子束以分時(time division)掃描各個材料並各別加熱之方法。由於材料的各別加熱，可進行符合各個材料之加熱，因此，可藉由將蒸發特性不同之材料混合、加熱所產生之飛濺減少、或高精度之組成比率及膜厚之控制。並且，由於可容易形成緻密的薄膜，故在高濕度下亦容易提升水蒸氣之阻氣性。

氧化鋁與氧化鎂之材料形狀以使用粒狀材料為佳。氧化鋁之粒子及氧化鎂之粒子之粒徑係各自為2至6mm、2至6mm的範圍為較佳，氧化鎂的粒子係3至6mm的範圍為更佳。

粉體在真空抽吸時或加熱開始時會飛散，且在大型塊體中以熱衝擊粉碎將無法有效地沉積。

以真空沉積法成膜時，沉積中之壓力係以 3.0×10^-1Pa以下為佳。壓力大於3.0×10^-1Pa時，沉積粒子之能量減少，而有成為粗膜之傾向，會有阻氣性下降之虞。

並且，以真空沉積法成膜時之塑膠薄膜之溫度並無特別限定，以-20至40℃之範圍為佳。

如上述操作，可得到對氧氣或水蒸氣之阻氣性，特別是水蒸氣阻氣性優異之本發明的阻氣性薄膜。

[實施例]

以下呈示實施例，具體地說明本發明，本發明並不受下述實施例所限定。

而且，在各實施例所得之薄膜特性係依下述方法進行測定、評定。

1)氧氣透過率

依據JIS K7126-2 A法，使用氧氣透過率測定裝置 (MOCON公司製「OX-TRAN 2/21」)，在23℃、65%RH之條件下測定。而且，在測定時，係以無機化合物薄膜面作為氧氣側。

2)水蒸氣透過率

依據JIS K7129 B法，使用水蒸氣透過率測定裝置(MOCON公司製「PERMATRAN-W 3/31」)，在40℃、90%RH之條件下測定(測定[1])。然後，將試樣在40℃、90%RH加濕處理50小時後，再測定水蒸氣透過率(測定[2])。此時，亦確認水蒸氣透過變化率(△WVTR)。求算方法係如下所述。

△WVTR=(測定[2]-測定[1])/測定[1]×100…式(4)

另外，在測定時，係以無機化合物薄膜面作為高濕度側。

3)無機化合物薄膜之組成、膜厚

使用螢光X射線分析裝置(Rigaku(股)製「ZSX100e」)，由預先製成之校準曲線測定膜厚組成。而且，激發X射線管之條件為係50kV、70mA。

[實施例1]

塑膠薄膜係使用12μm厚度之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(東洋紡績(股)製「E5100」)，在該薄膜上經由沉積形成包含氧化鋁(沉積材料1)與氧化鎂(沉積材料2)之無機化合物薄膜，得到積層薄膜。

詳而言之，沉積材料1係使用3至6mm左右之粒狀氧化鋁(純度99%)、沉積材料2係使用2至6mm左右之粒狀氧化鎂(純度99.9%)，各沉積材料1、2並未混合，而是各自裝入沉積源。加熱係使用電子槍(日本電子公司製「JOBG-1000UB」；最大輸出100kw)。

使用1台電子槍，藉由在氧化鋁與氧化鎂將電子束以分時照射並加熱，使氧化鋁與氧化鎂蒸發，進行無機化合物薄膜之沉積。調整電子束之輸出與掃描之分時對各個材料的照射時間，調整包含氧化鋁與氧化鎂之無機化合物薄膜的膜厚及組成。具體而言，電子束之輸出係將電子槍之發射電流設為0.8A、電子束之照射時間，相對於氧化鋁67，以氧化鎂53之比率分時。並且，沉積時之壓力為2.5×10^-1Pa以下。

而且，沉積係在具備捲出輥部、塗布輥部、捲繞輥部之真空槽進行，將薄膜寬度550mm之塑膠薄膜捲出並固定在輥上，以薄膜之輸送速度50m/分鐘連續進行沉積。為了冷卻沉積時之薄膜，將塗布輥溫度調整為-10℃。

[實施例2]

實施例1中，除了將薄膜之輸送速度變更為95m/分鐘、電子槍之發射電流變更為1.2A、電子束之照射時間變更為相對於氧化鋁19，以氧化鎂5之比率分時之外，進行與實施例1之相同操作，得到積層薄膜。

[實施例3]

實施例1中，除了將薄膜之輸送速度變更為30m/分鐘、電子槍之發射電流變更為1.2A、電子束之照射時間變更為相對於氧化鋁13，以氧化鎂2之比率分時之外，進行與實施例1之相同操作，得到積層薄膜。

[實施例4]

實施例1中，除了將薄膜之輸送速度變更為60m/分鐘、電子槍之發射電流變更為1.2A、電子束之照射時間變更為相對於氧化鋁107，以氧化鎂13之比率分時之外，進行與實施例1之相同操作，得到積層薄膜。

[實施例5]

實施例1中，除了將薄膜之輸送速度變更為60m/分鐘、電子槍之發射電流變更為1.3A、電子束之照射時間變更為相對於氧化鋁98，以氧化鎂22之比率分時之外，進行與實施例1之相同操作，得到積層薄膜。

[實施例6]

實施例1中，除了將薄膜之輸送速度變更為45m/分鐘、電子槍之發射電流變更為1.4A、電子束之照射時間變更為相對於氧化鋁5，以氧化鎂1之比率分時之外，進行與實施例1之相同操作，得到積層薄膜。

[實施例7]

實施例1中，除了將薄膜之輸送速度變更為60m/分鐘、電子槍之發射電流變更為1.4A、電子束之照射時間變更為相對於氧化鋁5，以氧化鎂1之比率分時之外，進行與實施例1之相同操作，得到積層薄膜。

[實施例8]

實施例1中，除了塑膠薄膜係使用25μm厚度之PET薄膜(東洋紡績(股)製「E5100」)，薄膜之輸送速度變更為65m/分鐘、電子槍之發射電流變更為1.4A、電子束之照射時間變更為相對於氧化鋁5，以氧化鎂1之比率分時之外，進行與實施例1之相同操作，得到積層薄膜。

[實施例9]

實施例1中，除了塑膠薄膜係使用50μm厚度之PET薄膜(東洋紡績(股)製「A4100」)，薄膜之輸送速度變更為50m/分鐘、電子槍之發射電流變更為1.2A、電子束之照射時間變更為相對於氧化鋁19，以氧化鎂5之比率分時之外，進行與實施例1之相同操作，得到積層薄膜。

[比較例1]

實施例1中，除了3至6mm左右之粒狀氧化鋁(純度99%)與2至6mm左右之粒狀氧化鎂(純度99.9%以上)以物質量比成為2.5：1.0之方式混合，且薄膜之輸送速度變更為110m/分鐘、電子槍之發射電流變更為0.7A之外，進行與實施例1之相同操作，得到積層薄膜。

[比較例2]

實施例1中，除了薄膜之輸送速度變更為20m/分鐘、電子槍之發射電流變更為1.4A、電子束之照射時間變更為相對於氧化鋁5，以氧化矽1之比率分時之外，進行與實施例1之相同操作，得到積層薄膜。

[比較例3]

對於以上之實施例及比較例所得之積層薄膜，無機化合物薄膜之膜厚、無機化合物薄膜中之沉積材料2之含有率、氧氣透過率、水蒸氣透過率及在40℃、90%RH處理50小時後之水蒸氣透過變化率(△WVTR)係如表1所示。

[產業上之可利用性]

如依本發明即可提供對氧氣及水蒸氣等具有高阻氣性之阻氣性積層薄膜。本發明之阻氣性薄膜除了各種食品、醫藥用品、工業製品之包裝用途以外，亦可廣泛地使用在需求高阻氣性及耐久性之太陽能電池、電子紙、有機EL元件、半導體元件等之工業用途中，故可預期對產業界大有貢獻。

Claims

一種阻氣性薄膜，係在塑膠薄膜的至少單面上有無機化合物薄膜形成之薄膜，其特徵係：上述無機化合物薄膜係包含氧化鋁與氧化鎂作為主要成分，相對於無機化合物薄膜中所含的氧化鋁及氧化鎂的合計100質量%，氧化鎂之比率為5質量%以上90質量%以下，上述無機化合物薄膜的膜厚為5至80nm。
如請求項1之阻氣性薄膜，係在塑膠薄膜的至少單面上有無機化合物薄膜形成之薄膜，其中上述阻氣性薄膜以40℃、90%RH處理50小時後之水蒸氣透過變化率(△WVTR)為50%以下。
如請求項1或2之阻氣性薄膜，其中相對於上述無機化合物薄膜中所含之氧化鋁及氧化鎂之合計100質量%，氧化鎂之比率為5質量%以上25質量%以下，且以40℃、90%RH處理50小時後之水蒸氣透過變化率(△WVTR)為50%以下。
如請求項1或2之阻氣性薄膜，其中相對於上述無機化合物薄膜中所含之氧化鋁及氧化鎂之合計100質量%，氧化鎂之比率為70質量%以上90質量%以下，且以40℃、90%RH處理50小時後之水蒸氣透過變化率(△WVTR)為50%以下。
如請求項1至4中任一項之阻氣性薄膜，其中上述塑膠薄膜之厚度為50μm以下。
如請求項1至5中任一項之阻氣性薄膜，其中上述無機化合物薄膜係氧化鋁與氧化鎂經各別加熱而得者。