TW201431949A - 電子元件用複合樹脂組合物以及由該複合樹脂組合物形成之電子元件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供流動性良好的電子元件用複合樹脂組合物以及由該複合樹脂組合物形成之電子元件。本發明係一種電子元件用複合樹脂組合物，其係包含(A)液晶性聚合物、(B)研磨纖維及(C)板狀無機填充材之電子元件用複合樹脂組合物，上述(A)液晶性聚合物，係包含下述構成單位：(I)來自4-羥基安息香酸之構成單位、(II)來自2-羥基-6-萘酸之構成單位、(III)來自對苯二甲酸之構成單位、(IV)來自間苯二甲酸之構成單位、及(V)來自4,4'-二羥基聯苯之構成單位，作為必須的構成成分。

Description

電子元件用複合樹脂組合物以及由該複合樹脂組合物形成之電子元件
本發明係關於電子元件用複合樹脂組合物以及由該複合樹脂組合物形成之電子元件。特別是本發明係關於，非對稱電子元件用複合樹脂組合物、由該複合樹脂組合物形成之非對稱電子元件、低背窄間距連接器用複合樹脂組合物、以及由該複合樹脂組合物形成之低背窄間距連接器。
液晶性聚合物，係尺寸精度、流動性等優良的熱塑性樹脂。由於具有如此之特徵，液晶性聚合物，先前被採用作為各種電子元件的材料。在於製造如此之電子元件上，於液晶聚合物組合物，要求具有良好的流動性。電子元件，可舉例如，非對稱電子元件、低背窄間距連接器、同軸連接器等。
特別是關於非對稱電子元件，存在著如下背景。隨著近幾年的電子學機器的高性能化、連接器的高耐熱化(藉由構裝技術提升生產性)、高密度化(多芯化)、及小型化的時代要求，有效利用上述液晶性聚合物的特徵、採用以玻璃纖維強化之液晶性聚合物組合物作為連接材料。
但是，近幾年，在於連接器進一步輕薄短小化，而因成形品之壁厚不足而剛性不足或因插入金屬端子的接頭 之內部應力，於成形後以及回焊加熱中發生變形，而發生與基板的焊接不良的問題了。即，僅以先前的玻璃纖維強化，為提高剛性而增加玻璃纖維的添加量，則有樹脂無法填充於淺壁部分，或因成形時的壓力使插入端子變形的問題。
為解決該變形的問題，在成形手法上下工夫，或由材料面提案有調合特定的板狀填充劑。即，存在於市場的多數通常的連接器(電子元件)之情形，於成形時，藉由設計保持對稱性之澆口位置，可控制產品的尺寸精度、彎曲，藉由進一步使用先前建案的低彎曲材料，可得彎曲變形更少的產品。
但是，隨著近幾年的電子元件的形狀的複雜化，要求提供成形品的XY軸面、YZ軸面以及XZ軸面之任一軸面均不具有對稱性之非對稱電子元件。該非對稱電子元件，可舉以具有DDR-DIMM連接器等的插銷構造(兩端有固定用的抓扣)之記憶體模組用連接器作為代表例。特別是在筆記型電腦用記憶體模組用連接器，由於具有用於安裝的插銷構造，且具有用於定位的切口，而成為非常複雜的形狀。
如此之非對稱電子元件之情形，與成形品的XY軸面、YZ軸面以及XZ軸面之任一軸面具有對稱性的通常的連接器(對稱電子元件)不同，由於不具有對稱性，由成形手法面的彎曲變形改善有所極限。此外，具有複雜的形狀的非對稱電子元件之情形，成形品內的樹脂及填料的配向變得複雜，因此亦需要流動性，而更難以抑制彎曲變形。
作為解決如此之問題點的技術，例如於專利文獻1，揭示有一種非對稱電子元件，其係由調合特定量特定的纖 維狀填充劑與特定的板狀填充劑之液晶性聚合物組合物所成形，成形品的XY軸面、YZ軸面以及XZ軸面之任一軸面均沒有對稱性。
此外，特別是關於低背窄間距連接器，存在有如下背景。隨著近幾年的電子機器的小型化以及薄型化，構成電子機器的電子元件(連接器等)有對低背化以及窄間距化的需求。例如，於專利文獻2，揭示有一種連接器，其係以雲母以及玻璃纖維強化的液晶性聚合物組合物所成形。如此之連接器，採用在使用於連接要求流動性、尺寸穩定性等的基板對基板連接器、軟性印刷電路板(FPC)、及軟性扁平連接線(FFC)之軟性印刷電路板用連接器。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2008/023839號
[專利文獻2]日本特開2006-37061號公報
但是，先前的液晶性聚合物組合物流動性並不充分。特別是關於非對稱電子元件，隨著在最近的非對稱電子元件之積體率的增加的形狀變化，特別是間距間距離或產品高度的減少、極數的增加等的主要因素，以專利文獻1所揭示的液晶性聚合物組合物等的先前的液晶性聚合物組合物，有無法完全因應之情形。即，先前的液晶性聚合物組合物，流動性並不 充分，難以由如此之液晶性聚合物組合物，得到抑制彎曲變形之非對稱電子元件。此外，特別是關於低背窄間距連接器，由先前的液晶性聚合物組合物成形連接器，則由於組合物的流動性並不充分而加工性差，難以製造對應低背化以及窄間距化的需要的低背窄間距連接器。
本發明係有鑑於該情形而完成者，以提供流動性良好的電子元件用複合樹脂組合物以及由該複合樹脂組合物形成之電子元件為目標。本發明之較佳的一樣態，係提供流動性良好，而可得抑制彎曲變形之非對稱電子元件之非對稱電子元件用複合樹脂組合物、以及由該複合樹脂組合物形成之非對稱電子元件為目標。本發明之較佳的別的態樣，係提供流動性良好，而可實現低背窄間距連接器之製造之複合樹脂組合物、以及由該複合樹脂組合物形成之低背窄間距連接器為目標。
本發明者們，發現藉由組合包含既定量特定構成單位的液晶性聚合物、玻璃纖維及/或研磨纖維、及板狀無機填充材，可解決上述課題。具體而言，本發明提供如下者。
(1)一種電子元件用複合樹脂組合物，包含：(A)液晶性聚合物、(B)研磨纖維及(C)板狀無機填充材，其中上述(A)液晶性聚合物，係包含下述構成單位：(I)來自4-羥基安息香酸之構成單位、(II)來自2-羥基-6-萘酸之構成單位、(III)來自對苯二甲酸之構成單位、(IV)來自間苯二甲酸之構成單位、及(V)來自4,4'-二羥基聯苯之構成單位，作為必須的構成成分， (I)的構成單位對全構成單位的含量為35~75莫耳%，(II)的構成單位對全構成單位之含量為2~8莫耳%，(III)的構成單位對全構成單位之含量為4.5~30.5莫耳%，(IV)的構成單位對全構成單位之含量為2~8莫耳%，(V)的構成單位對全構成單位之含量為12.5~32.5莫耳%，(II)與(IV)的構成單位對全構成單位之總量為4~10莫耳%，上述(A)液晶性聚合物的含量對複合樹脂組合物全體為40~80質量%，上述(B)研磨纖維的含量對複合樹脂組合物全體為10~30質量%，上述(C)板狀無機填充材的含量對複合樹脂組合物全體為10~35質量%。
(2)根據(1)之電子元件用複合樹脂組合物，其中上述電子元件係非對稱電子元件，上述(A)液晶性聚合物的含量對複合樹脂組合物全體為47.5~65質量%，上述(B)研磨纖維的含量對複合樹脂組合物全體為15~30質量%，上述(C)板狀無機填充材的含量對複合樹脂組合物全體為20~35質量%。
(3)根據(2)之電子元件用複合樹脂組合物，其中上述(C)板狀無機填充材，係選自由滑石及雲母所組成之群之1種以上。
(4)根據(1)之電子元件用複合樹脂組合物，其中上述電子元件係低背窄間距連接器，上述(C)板狀無機填充材之含量，對複合樹脂組合物全體為10~30質量%。
(5)根據(4)之電子元件用複合樹脂組合物，其中上述(A)液晶性聚合物，係[熔點-結晶化溫度]值為50~60℃，在較熔點高10~20℃的溫度，以剪速度1000/秒，遵照ISO11443測定之熔融黏度為5~15Pa．s。
(6)根據(4)或(5)之電子元件用複合樹脂組合物，其中上述(B)研磨纖維之平均纖維長為50~100μm，且，上述(C)板狀無機填充材，係選自由滑石及雲母所組成之群之1種以上。
(7)一種電子元件，由(1)之電子元件用複合樹脂組合物所成形。
(8)根據(7)之電子元件，其中上述(A)液晶性聚合物對複合樹脂組合物全體之含量為47.5~65質量%，上述(B)研磨纖維對複合樹脂組合物全體之含量為15~30質量%，上述(C)板狀無機填充材對複合樹脂組合物全體之含量為20~35是質量%、成形品的XY軸面、YZ軸面以及XZ軸面之任一軸面均沒有對稱性之非對稱電子元件。
(9)根據(8)之電子元件，其中上述(C)板狀無機填充材，係選自由滑石及雲母所組成之群之1種以上。
(10)根據(8)或(9)之電子元件，其中間距間距離為0.8mm以下，產品全長為60.0mm以上，產品高度為6.0mm以下，極數為150極以上的記憶體模組用連接器。
(11)根據(8)或(9)之電子元件，其中具有軌道構造，產品高度為3.0mm以下之記憶卡插槽。
(12)根據(7)之電子元件，其中上述(C)板狀無機填充材對複合樹脂組合物全體之含量為10~30質量%，間距間距離為0.5mm以下，產品全長為4.0mm以上，產品高度為4.0mm以下，基板對基板連接器或軟性印刷電路板用連接器之低背窄間距連接器。
(13)根據(12)之電子元件，其中上述(A)液晶性聚合物，係[熔點-結晶化溫度]值為50~60℃，在較熔點高10~20℃的溫度，以剪斷速度1000/秒，遵照ISO11443測定之熔融黏度為5~15Pa．s。
(14)根據(12)或(13)之電子元件，其中上述(B)玻璃纖維以及研磨纖維之平均纖維長為50~100μm，且，上述(C)板狀無機填充材，係選自由滑石及雲母所組成之群之1種以上。
根據本發明，可提供流動性良好的電子元件用複合樹脂組合物以及由該複合樹脂組合物形成之電子元件。在於本發明之較佳的一態樣，可提供流動性良好，可得抑制彎曲變 形之非對稱電子元件之非對稱電子元件用複合樹脂組合物，以及由該複合樹脂組合物形成之非對稱電子元件。在於本發明較佳的一態樣，可提供流動性良好，可實現低背窄間距連接器之製造之複合樹脂組合物，以及由該複合樹脂組合物形成之低背窄間距連接器。
第1圖係表示以實施例成形之DDR-DIMM連接器之圖。 再者，A係表示澆口位置。
第2圖係表示於實施例進行之DDR-DIMM連接器之彎曲的測定之測定點之圖。
第3圖係表示以實施例成形之低背窄間距連接器(軟性印刷電路板用連接器)之圖。再者，圖中之數值之單位係mm。
以下具體說明本發明之實施形態。
[複合樹脂組合物]
在於本發明之複合樹脂組合物，各包含，特定的液晶性聚合物、玻璃纖維及/或研磨纖維、及板狀無機填充材。以下，說明在於本發明之複合樹脂組合物之成分。
(液晶性聚合物)
在於本發明之液晶性聚合物，包含下述構成單位：(I)來自4-羥基安息香酸(亦稱為「HBA」)之構成單位、(II)來自6-羥基-2-萘酸(亦稱為「HNA」)之構成單位、(III)來自對苯二甲酸(亦稱為「TA」)之構成單位、(IV)來自間苯二甲酸(亦稱為「IA」) 之構成單位、及(V)來自4,4'-二羥基聯苯(亦稱為「BP」)之構成單位，作為必須的構成成分。
在於本發明之液晶性聚合物，以特定的比例包含上述構成單位。即，(I)的構成單位對全構成單位的含量為35~75莫耳%(以40~65莫耳%為佳)，(II)的構成單位對全構成單位之含量為2~8莫耳%(以3~7莫耳%為佳)，(III)的構成單位對全構成單位之含量為4.5~30.5莫耳%(以13~26莫耳%為佳)，(IV)的構成單位對全構成單位之含量為2~8莫耳%(以3~7莫耳%為佳)，(V)的構成單位對全構成單位之含量為12.5~32.5莫耳%(以15.5~29莫耳%為佳)，(II)與(IV)的構成單位對全構成單位之總量為4~10莫耳%(以5~10莫耳%為佳)。
(I)的構成單位對全構成單位之含量未滿35莫耳%或超過75莫耳%，則液晶性聚合物的熔點顯著地變高，於製造包含非對稱電子元件、低背窄間距連接器以及同軸連接器的電子元件等的成形品時，液晶性聚合物在反應器內固化，而有無法製造所期望的分子量的液晶性聚合物的可能性而不佳。
(II)的構成單位對全構成單位之含量，未滿2莫耳%，則在於製造包含非對稱電子元件、低背窄間距連接器以及同軸連接器的電子元件等的成形品時，有成形品發生破裂的可能性而不佳。此外(II)的構成單位對全構成單位之含量超過8莫耳%，則液晶性聚合物的耐熱性變低而不佳。
(III)的構成單位對全構成單位之含量未滿4.5莫耳%或超過30.5莫耳%，則液晶性聚合物的熔點顯著地變高，於製造包含非對稱電子元件、低背窄間距連接器以及同軸連接器 的電子元件等的成形品時，液晶性聚合物在反應器內固化，而有無法製造所期望的分子量的液晶性聚合物的可能性而不佳。
(IV)的構成單位對全構成單位之含量未滿2莫耳%，則在於製造包含非對稱電子元件、低背窄間距連接器以及同軸連接器的電子元件等的成形品時，有成形品發生破裂的可能性而不佳。此外，液晶性聚合物的熔點顯著地變高，於製造包含非對稱電子元件、低背窄間距連接器以及同軸連接器的電子元件等的成形品時，液晶性聚合物在反應器內固化，而有無法製造所期望的分子量的液晶性聚合物的可能性而不佳。
此外，(IV)的構成單位對全構成單位之含量超過8莫耳%，則液晶性聚合物的耐熱性變低而不佳。
(V)的構成單位對全構成單位之含量未滿12.5莫耳%或超過32.5莫耳%，則液晶性聚合物的熔點顯著地變高，液晶性聚合物在反應器內固化，於製造包含非對稱電子元件、低背窄間距連接器以及同軸連接器的電子元件等的成形品時，而有無法製造所期望的分子量的液晶性聚合物的可能性而不佳。
(II)與(IV)的構成單位對全構成單位之總量未滿4莫耳%，則液晶性聚合物之結晶化熱可成2.5J/g以上。此種情形在於製造包含非對稱電子元件、低背窄間距連接器以及同軸連接器的電子元件等的成形品時，有成形品發生破裂的可能性而不佳。液晶性聚合物的結晶化熱之較佳之值為2.3J/g以下，以2.0J/g以下更佳。再者，結晶化熱係表示液晶性聚合物之結晶化狀態，藉由示差熱量測定所求得之值。具體而言，係將液 晶性聚合物由室溫以20℃/分的升溫條件測定時所觀測之吸熱波峰溫度(Tm1)之觀測後，以Tm1+40℃的溫度保持2分鐘之後，以20℃/分的降溫條件測定時所觀測之發熱波峰溫度之波峰所求得之發熱波峰的熱量。
此外，(II)與(IV)的構成單位對全構成單位之總量超過10莫耳%，則液晶性聚合物的耐熱性變低而不佳。
再者，在於本發明之液晶性聚合物，在不阻礙本發明之目的的範圍，可導入習知之其他構成單位。
在於本發明之液晶性聚合物，可將上述構成單位，以直接聚合法、酯交換法、熔融聚合法、溶液聚合法、淤漿聚合法、固相聚合法等聚合而得。
在於上述構成單位的聚合，加上上述構成單位，可並用活性化的單體，作為對上述構成單位之醯化劑、或酸氯化物衍生物。醯化劑，可舉無水醋酸等的酸酐等。
在於上述構成單位的聚合，可使用各種觸媒，可舉例如二烷基錫氧化物、二芳基錫氧化物、二氧化鈦、烷氧基鈦矽酸鹽類、鈦醇鹽、羧酸的鹼金屬鹽類、鹼土金屬鹽類、路易斯酸鹽(BF3等)等。觸媒的使用量，對上述構成單位的總量，可為0.001~1質量%，以0.003~0.2質量%為佳。
聚合反應的條件，只要是可進行上述構成單位之聚合之條件，並無特別限定，可為例如，反應溫度200~380℃、最終到達壓力0.1~760Torr(即，13~101,080Pa)。
聚合反應，可為將全原料單體、醯化劑以及觸媒放入同一反應容器開始反應之方法(一段模式)，亦可將對應 (I)、(II)及(V)之各構成單位之原料單體，即，來自4-羥基安息香酸之構成單位、來自2-羥基-6-萘酸之構成單位、以及來自4,4'-二羥激聯苯之羥基，以醯化劑使之醯化之後，使對應於(III)及(IV)之各構成單位之原料單體，即，對苯二酸及間苯二甲酸之羧基反應之方法(二段模式)。
包含上述構成單位(I)或(V)之液晶性聚合物，根據構成成分及液晶性聚合物中序列分佈，亦存在有不形成異向性熔融相者，但在兼具熱穩定性與易加工性之點，在於本發明之液晶性聚合物，以形成異向性熔融相，即，於熔融時顯示光學異向性之液晶性聚合物為佳。
熔融異向性之性質，可藉由利用正交偏光片之慣用的偏光檢查方法確認。具體而言，熔融異向性，係使用偏光顯微鏡(奧林巴斯(股)製等)，將載置於加熱台(Linkam公司製等)的試料熔融，於氮氣氛下，以150倍的倍率觀察而確認。於熔融時顯示光學異向性的液晶性聚合物，係光學異向性，而插入正交的偏光片之間時，可使光穿透。試料係光學異向性，則例如即使是熔融靜止液態，亦會使偏光穿透。
再者，以較熔點高10~20℃的溫度，以剪斷速度1000/秒，遵照ISO11443測定之液晶性聚合物之熔融黏度，在1×105Pa．s以下，(以5Pa．s以上且1×102Pa．s以下更佳)，在於電子元件之成形時，特別是在具有在於非對稱電子元件之插銷構造或切口等的複雜形狀的部分之成形時，可確保複合樹脂組合物之流動性，不會使填充壓力過度之點而佳。
此外，在於本發明之液晶性聚合物，由熔點減去 結晶化溫度之值，[熔點-結晶化溫度]之值係50~60℃，且，在較熔點高10~20℃的溫度，以剪斷速度1000/秒，遵照ISO11443測定之熔融黏度，以5~15Pa．s為佳。根據如此之液晶性聚合物，在於電子元件的成形時，特別是在於，低背窄間距連接器等之成形時，由於可確保複合樹脂組合物之流動性，可抑制填充壓力變成過度之值。
在於本發明之複合樹脂組合物，將上述的液晶性聚合物，於複合樹脂組合物中，對複合樹脂組合物全體包含40~80質量%。液晶性聚合物，對複合樹脂組合物全體之含量，未滿40質量%，則流動性會惡化而不佳。液晶性聚合物，對複合樹脂組合物全體的含量，超過80質量%，則包含由複合樹脂組合物所得之非對稱電子元件、低背窄間距連接器、以及同軸連接器之電子元件等之成形品之彎曲彈性模數及耐龜裂性降低而不佳。在於本發明之複合樹脂組合物，將上述液晶性聚合物，於複合樹脂組合物中，對複合樹脂組合物全體包含50~70質量%為佳。
在於本發明之複合樹脂組合物，特別是，非對稱電子元件用時，將上述液晶性聚合物，於複合樹脂組合物中，對複合樹脂組合物全體包含47.5~65質量%為佳。液晶性聚合物的含量，對複合樹脂組合物全體為47.5質量%以上，則複合樹脂組合物之流動性容易變良好，此外，由複合樹脂組合物所得之非對稱電子元件等的成形品之彎曲變形不容易變大而佳。液晶性聚合物之含量，對複合樹脂組合物全體在65質量%以下，則由複合樹脂組合物所得之非對稱電子元件等的成形品 之彎曲彈性模數及耐龜裂性不容易降低而佳。在於本發明之複合樹脂組合物，特別是，非對稱電子元件用之情形，上述液晶性聚合物，於複合樹脂組合物中，對複合樹脂組合物全體包含50~55質量%更佳。
(研磨纖維)
在於本發明之複合樹脂組合物，由於包含上述液晶性聚合物、及研磨纖維，故將該複合樹脂組合物成形而得之成形品，高溫剛性優良。
在於本發明之複合樹脂組合物，由研磨纖維之纖維長算出之研磨纖維之平均纖維長，以50~150μm為佳。平均纖維長在50μm以上，則由複合樹脂組合物所得之成形品之高溫剛性充分而佳。平均纖維長在150μm以下，則由於複合樹脂組合之流動性變得良好，而成形品的彎曲變形不容易變大而佳。
特別是，本發明之複合樹脂組合物為低背窄間距連接用時，在於本發明之複合樹脂組合物，由研磨纖維的纖維長算出之研磨纖維之平均纖維長，以50~100μm為佳。藉由平均纖維長在50μm以上，由複合樹脂組合物所得之成形品之高溫剛性充分而佳。平均纖維長在100μm以下，則因複合樹脂組合物之流動性變得良好，而複合樹脂組合物的成形不容易變難而佳。
此外，在於本發明之研磨纖維之纖維徑，並無特別限制，一般使用5~15μm程度者。
在於本發明之複合樹脂組合物，對複合樹脂組合 物全體包含10~30質量%研磨纖維。研磨纖維，對複合樹脂組合物全體的含量，未滿10質量%，則由複合樹脂組合物所得之非對稱電子元件、低背窄間距連接器、以及同軸連接器之電子元件等的成形品的加重翹曲溫度低，而高溫剛性並不充分而不佳。研磨纖維，對複合樹脂組合物全體的含量超過30質量%，則組合物之流動性會惡化而不佳。
在於本發明之複合樹脂組合物，特別是非對稱電子元件用之情形，對複合樹脂組合物全體包含15~30質量%研磨纖維為佳。研磨纖維，對複合樹脂組合物全體的含量在15質量%以上，則由複合樹脂組合物所得之非對稱電子元件等的成形品，加重翹曲溫度不容易變低，而高溫剛性充分而佳。研磨纖維，對複合樹脂組合物全體的含量在30質量%以下，則因複合樹脂組合物之流動性變得良好，而成形品的彎曲變形不容易變大而佳。
(板狀無機填充材)
在於本發明之複合樹脂組合物，進一步包含板狀無機填充材。藉由在於本發明之複合樹脂組合物包含板狀無機填充材，可得抑制彎曲變形之成形品。
板狀無機填充材，對複合樹脂組合物全體包含10~35質量%。板狀無機填充材，對複合樹脂組合物全體的含量未滿10質量%，則由於由複合樹脂組合物所得之成形品之彎曲變形之抑制並不充分而不佳。板狀無機填充材，對複合樹脂組合物全體的含量超過35質量%，則複合樹脂組合物之流動性會惡化，而有複合樹脂組合物變得難以成形的可能性而不佳。
板狀無機填充材，特別是，複合樹脂組合物為非對稱電子元件用之情形，對複合樹脂組合物全體包含20~35質量%為佳。板狀無機填充材，對複合樹脂組合物全體的含量在20質量%以上，則由複合樹脂組合物所得之非對稱電子元件等之成形品之彎曲變形不容易變大而佳。板狀無機填充材，對複合樹脂組合物全體的含量在35質量%以下，則複合樹脂組合物的流動性變得良好而佳。
板狀無機填充材，特別是，複合樹脂組合物為低背窄間距連接器用之情形，對複合樹脂組合物全體包含10~30質量%為佳。板狀無機填充材，對複合樹脂組合物全體的含量在10質量%以上，則容易充分抑制由複合樹脂組合物所得之低背窄間距連接器等之成形品之彎曲變形而佳。板狀無機填充材的，對複合樹脂組合物全體的含量在30質量%以下，則複合樹脂組合物之流動性容易變得良好，複合樹脂組合物的成形不容易變難而佳。
在於本發明之板狀無機填充材，可舉滑石、雲母、玻璃片、各種金屬箔等，由不會使複合樹脂組合物之流動性惡化，可抑制由複合樹脂組合物所得之成形品之彎曲變形之點，以選自由滑石及雲母所組成之群之1種以上為佳。此外，關於板狀無機填充材之平均粒徑，並無特別限定，考慮在於淺壁部之流動性，則較小為佳。另一方面，為使由複合樹脂組合物所得之包含非對稱電子元件、低背窄間距連接器、以及同軸連接器的電子元件等的成形品之彎曲變形變小，則維持一定的大小為佳。具體而言，以1~100μm為佳，以5~50μm更佳。
〔滑石〕
可使用於本發明之滑石，以對該滑石之全固形分量，Fe2O3、Al2O3、及CaO之共計含量在2.5質量%以下，Fe2O3及Al2O3之共計含量在1.0質量%以上2.0質量%以下，且CaO的含量未滿0.5質量%者為佳。即，可使用於本發明之滑石，其主成分之SiO2及MgO之外，包含Fe2O3、Al2O3、及CaO中之至少1種，將各成分以上述含量範圍含有者。
在於上述滑石，Fe2O3、Al2O3、及CaO的共計含量在2.5質量%以下，則複合樹脂組合物之成形加工性及由複合樹脂組合物成形之包含非對稱電子元件、低背窄間距連接器以及同軸連接器之電子元件等的成形品的耐熱性不容易惡化。Fe2O3、Al2O3及CaO的共計含量以1.0質量%以上2.0質量%以下為佳。
此外，上述滑石之中，Fe2O3及Al2O3的共計含量超過1.0質量%的滑石較容易取得。此外，在於上述滑石，Fe2O3及Al2O3的合計含量超過2.0質量%，則複合樹脂組合物之成形加工性及由複合樹脂組合物成形之包含非對稱電子元件、低背窄間距連接器以及同軸連接器之電子元件等的成形品的耐熱性不容易惡化。Fe2O3及Al2O3之共計含量以1.0質量%以上1.7質量%以下為佳。
再者，在於上述滑石，CaO的含量未滿0.5質量%，則複合樹脂組合物之成形加工性及由複合樹脂組合物成形之包含非對稱電子元件、低背窄間距連接器以及同軸連接器之電子元件等的成形品的耐熱性不容易惡化。CaO的含量以0.01 質量%以上0.4質量%以下為佳。
在於本發明之滑石，以雷射繞射法測定之質量基準或體積基準之累積平均粒子徑(D50)，由防止成形品的彎曲變形及維持複合樹脂組合物之流動性的觀點，以4.0~20.0μm為佳，以10~18μm更佳。
〔雲母〕
雲母，係包括鋁、鉀、鎂、鈉、鐵等之矽酸鹽礦物之粉碎物。可使用於本發明之雲母，可舉白雲母、金雲母、黑雲母、人造雲母等，該等之中，以色相良好，且低價之點以白雲母為佳。
此外，在於雲母之製造，將礦物粉碎的方法，已知濕式粉碎法及乾式粉碎法。濕式粉碎法，係將雲母原石以乾式粉碎機粗粉碎之後，加水作成淤漿狀態以濕式粉碎做本粉碎，之後進行脫水，乾燥的方法。與濕式粉碎法相比，乾式粉碎法係較低成本的一般方法，採用濕式粉碎法，可更容易將礦物粉碎成較薄且細小。以可得後述之較佳的平均粒徑及厚度的雲母的理由，在於本發明，使用薄且細小的粉碎物為佳。因此，在於本發明，使用藉由濕式粉碎法製造之雲母為佳。
此外，在於濕式粉碎法，由於需要將粉碎物分散在水裡，故為提升粉碎物的分散效率，一般對粉碎物加入團聚沉澱劑及/或加入沉澱助劑。在於本發明，可使用於作為團聚沉澱劑及沉澱助劑，可舉聚氯化鋁、硫酸鋁、硫酸亞鐵、硫酸鐵、氯化銅、聚硫酸鐵、聚氯化鐵、鐵-二氧化矽無機高分子團聚劑、氯化鐵-二氧化矽無機高分子團聚劑、消石灰 (Ca(OH)2)、苛性鈉(NaOH)、蘇打灰(Na2CO3)等。該等團聚沉澱劑及沉澱助劑，係pH為鹼性或酸性。使用於本發明之雲母，係於濕式粉碎時，不使用團聚沉澱劑及/或沉澱助劑者為佳。使用沒有以團聚沉澱劑及/或沉澱助劑處理的雲母，則複合樹脂組合物中的聚合物不容易發生分解，故不容易發生大量的氣體或降低聚合物的分子量，而可更容易維持所得之包含非對稱電子元件、低背窄間距連接器、以及同軸連接器之電子元件等之成形品之性能。
可使用於本發明之雲母，以微軌跡雷射繞射法所測定之平均粒徑，以10~100μm者為佳，以平均粒徑為20~80μm者特別佳。雲母之平均粒徑在10μm以上，對成形品的剛性改良效果容易變得充分而佳。雲母的平均粒徑在100μm以下，則成形品的剛性的提升容易變得充分，焊接強度亦容易變得充分而佳。再者，雲母的平均粒徑在100μm以下，則容易確保用於成形本發明之包含非對稱電子元件、低背窄間距連接器以及同軸連接器之電子元件等的充分的流動性。
可使用於本發明之雲母的厚度，以電子顯微鏡的觀察所實測之厚度，以0.01~1μm為佳，以0.03~0.3μm特別佳。雲母的厚度在0.01μm以上，則雲母在複合樹脂組合物之熔融加工時候變得不容易破裂，故有容易提升成形品之剛性的可能性而佳。雲母的厚度在1μm以下，則對成形品的剛性的改良效果容易變得充分而佳。
可使用於本發明之雲母，亦可以矽烷偶合劑等表面處理，且/或，亦可以結合劑造粒成顆粒狀。
(其他的成分)
在於本發明之複合樹脂組合物，於上述成分之外，亦可調合核劑、碳黑、無機鍛燒顏料等的顏料、氧化防止劑、穩定劑、可塑劑、滑劑、脫模劑、難燃劑及習知之無機填充劑中之1種以上。
在於本發明之複合樹脂組合物之製造方法，只要可將複合樹脂組合物中的成分均勻混合，並無特別限定，可由先前已知的樹脂組合物之製造方法適宜選擇。可舉例如，使用單軸或雙軸擠出機等的熔融混練裝置，將各成分熔融混練擠出之後，將所得複合樹脂組合物加工成粉末、碎片、膠粒等所期望的形態之方法。
在於本發明之複合樹脂組合物，由於流動性優良，成形時的最小填充壓力不容易變得過度，可良好地成形，如具有插銷構造或切口等的非對稱電子元件之具有複雜形狀的元件、如低背窄間距連接器等的具有小型而複雜的形狀的元件、同軸連接器等。最小填充壓力，係於成形複合樹脂組合物時，特定在365℃可得良好的成形品之最小射出填充壓。
[電子元件]
藉由將在於本發明之複合樹脂組合物成形，可得本發明之電子元件。電子元件，並無特別限定，可舉非對稱電子元件、低背窄間距連接器、同軸連接器等。
(非對稱電子元件)
藉由將在於本發明之複合樹脂組合物成形，可得本發明之非對稱電子元件。本發明之非對稱電子元件，係指對成形品之 XY軸面、YZ軸面以及XZ軸面之任一軸面，均不具有對稱性者。
多數存在於市場的通常的連接器(電子元件)，係於XY軸面、YZ軸面以及XZ軸面之任一軸面具有對稱性者，於成形時，藉由設計可保持對稱性之澆口位置，可控制產品的尺寸精度及翹曲。對此，本發明之非對稱電子元件，形狀複雜，於成形手法有難以抑制彎曲變形者。於本發明之非對稱電子元件，藉由使用特定的複合樹脂組合物，可抑制彎曲變形。
如此之非對稱電子元件之代表例，可舉某種連接器、插槽。
連接器，可舉DIMM連接器、DDR-DIMM連接器、DDR2-DIMM連接器、DDR-SO-DIMM連接器、DDR2-SO-DIMM連接器、DDR-Micro-DIMM連接器、DDR2-Micro-DIMM連接器等的記憶體模組用連接器。其中，適於DDR-DIMM連接器及DDR2-DIMM連接器，特別適合筆記型電腦用途之厚度薄而形狀複雜的記憶體模組用連接器，間距間距離在0.8mm以下，產品全長在60.0mm以上，產品高度在6.0mm以下，極數為150極以上者。如此之記憶體模組用連接器，要求供於波峰溫度為230~280℃之表面構際用的IR回焊步驟，經過IR回焊步驟前之彎曲為0.1mm以下，並且回焊前後的彎曲的差距在0.05mm以下，而跟據本發明可滿足如此之要求。
此外，作為插槽，可舉介面卡匯流排、CF卡、記憶棒、PC卡、SD卡、SDMo、智慧卡、智慧媒體卡、microSD卡、miniSD卡、xD圖片卡、TransFlash等的記憶體卡插槽， 特別是適於具有軌道構造，產品高度為3.0mm以下的記憶體卡插槽。
(低背窄間距連接器)
藉由將本發明之複合樹脂組合物成形，可得本發明之低背窄間距連接器。本發明之低背窄間距連接器之形狀，並無特別限定，可為間距間距離0.5mm以下，產品全長4.0mm以上，產品高度為4.0mm以下的低背窄間距連接器。此外，本發明之低背窄間距連接器的種類，並無特別限定，基板對基板連接器(亦已知為「BtoB連接器」)、使用於連接軟性印刷電路板(FPC)與軟性扁平連接線(FFC)之軟性印刷電路板用連接器(亦已知為「FPC用連接器」)等。
(同軸連接器)
藉由將在於本發明之複合樹脂組合物成形，可得本發明之同軸連接器。將樹脂組合物成形製造同軸連接器，需要該樹脂組合物之流動性優良，惟在於本發明之複合樹脂組合物，由於流動性優良，使用該複合樹脂組合物可圓滑地製造同軸連接器。同軸連接器，並無特別限定，可舉例如，厚度為100μm以下的同軸連接器。
得到本發明之非對稱電子元件、低背窄間距連接器、同軸連接器等的本發明之電子元件之成形方法，並無特別限定，為防止所得電子元件之變形，特別是為得抑制彎曲變形之非對稱電子元件，或防止所得低背窄間距連接器或同軸連接器之變形，選擇不會有殘留內部應力之成形條件為佳。使填充壓力低，為降低所得非對稱電子元件、低背窄間距連接器、同 軸連接器等的電子元件之殘留內部應力，成形機的料管溫度，以液晶性聚合物之熔點以上的溫度為佳。
此外，金屬模具溫度，以70~100℃為佳。只要金屬模具溫度不過低，則特別是，金屬模具的溫度在70℃以上，則填充於金屬模具之複合樹脂組合物不容易發生流動不良而佳。只要金屬模具的溫度不要過高，特別是，金屬模具溫度在100℃以下，則不容易發生毛邊等的問題而佳。關於射出速度，以150mm/秒成形為佳。只要射出速度不要過低，特別是射出速度在150mm/秒以上，則只能得到未填充成形品的可能性低，完全填充之成形品，不容易成為填充壓力高而殘留內部應力大的成形品，只能得到彎曲變形大的非對稱電子元件、平面度差的連接器等的形狀方面有問題的電子元件的可能性低。
特別是，本發明之非對稱電子元件，抑制彎曲變形。非對稱電子元件的彎曲程度，可如下判斷。即，將非對稱電子元件靜置在水平的桌子上，將非對稱電子元件的高度以影像測定機測定，由最小平方平面的最大高度與最小高度之差作為非對稱電子元件的彎曲。本發明之非對稱電子元件，在於進行IR回焊前後，抑制彎曲變化。
此外，本發明之非對稱電子元件、低背窄間距連接器、同軸連接器等的本發明之電子元件，高溫剛性優良。高溫剛性係遵照ISO75-1,2，藉由測定荷重翹曲溫度而評估。
[實施例]
以下，以實施例具體說明本發明，惟本發明不應限定於該等。
(液晶性聚合物1之製造方法)
於具有攪拌機、回焊管、單體投入口、氮導入口、減壓/流出線的聚合容器，放入以下原料單體、金屬觸媒，醯化劑，開始氮置換。
(I)4-羥基安息香酸：1041g(48莫耳%)(HBA)
(II)6-羥基-2-萘酸：89g(3莫耳%)(HNA)
(III)對苯二酸：565g(21.7莫耳%)(TA)
(IV)間苯二甲酸：78g(3莫耳%)(IA)
(V)4,4'-二羥基聯苯：711g(24.3莫耳%)(BP)
醋酸鉀觸媒：110mg
無水醋酸：1645g
對聚合容器放入原料之後，將反應系的溫度提升到140℃，以140℃反應1小時。之後，進一步花5.5小時升溫升溫到360℃，由此，花20分鐘減壓至10Torr(即，1330Pa)，邊將醋酸、過剩的無水醋酸、其他的低沸份餾除邊進行熔融聚合。攪拌轉矩達到既定之值之後，導入氮由減壓狀態經由常壓成加壓狀態，由聚合容器下部排出聚合物，將膠條膠粒化成膠粒。所得的膠粒的熔點為358℃，結晶化溫度為303℃，結晶化熱為1.6J/g，熔融黏度為9Pa．s。
再者，在於本實施例，膠粒的熔點、結晶化溫度、結晶化熱、及熔融黏度之測定，係分別以如下條件進行。
[熔點的測定]
以TA儀器公司製DSC，觀測液晶性聚合物由室溫以20℃/分的升溫條件測定時所觀測的吸熱波峰溫度(Tm1)之後，以 (Tm1+40)℃的溫度保持2分鐘之後，以20℃/分的降溫條件一旦冷卻至室溫之後，再次，觀測以20℃/分的升溫條件測定時所觀測之吸熱波峰的溫度。
[結晶化溫度的測定]
以TA儀器公司製DSC，觀測液晶性聚合物由室溫以20℃/分的升溫條件測定時所觀測的吸熱波峰溫度(Tm1)之後，以(Tm1+40)℃的溫度保持2分鐘之後，測定以20℃/分的降溫條件測定時所觀測之發熱波峰溫度。
[結晶化熱的測定]
以TA儀器公司製DSC，觀測全芳香族聚脂及聚酯樹脂組合物由室溫以20℃/分的升溫條件測定時所觀測的吸熱波峰溫度(Tm1)之後，以(Tm1+40)℃的溫度保持2分鐘之後，測定以20℃/分的降溫條件測定時所觀測之發熱波峰溫度之波峰求得發熱波峰的熱量。
[熔融黏度的測定]
使用L=20mm、d=1mm的(股)東洋精機毛細管流變儀1B型，以較液晶性聚合物的熔點高10~20℃的溫度，以剪斷速度1000/秒，遵照ISO11443，測定液晶性聚合物之熔融黏度。
(液晶性聚合物2之製造方法)
於具備攪拌機、回焊管、單體投入口、氮導入口、減壓/流出線的聚合容器放入以下的原料單體、金屬觸媒，醯化劑，開始氮置換。
(I)4-羥基安息香酸：188.4g(60莫耳%)(HBA)
(II)6-羥基-2-萘酸：21.4g(5莫耳%)(HNA)
(III)對苯二酸：66.8g(17.7莫耳%)(TA)
(IV)4,4'-二羥基聯苯：52.2g(12.3莫耳%)(BP)
(V)4-乙酸基胺基酚：17.2g(5莫耳%)(APAP)
醋酸鉀觸媒：15mg
無水醋酸：226.2g
對聚合容器放入原料之後，將反應系的溫度提升到140℃上，以140℃反應1小時。之後，進一步花4.5小時升溫到340℃，由此花15分鐘減壓至10Torr(即，667Pa)，邊將醋酸、過剩的無水醋酸、其他的低沸份餾除邊進行熔融聚合。攪拌轉矩達到既定之值之後，導入氮，由減壓狀態經由常壓成為加壓狀態，由聚合容器下部排出聚合物，將膠條膠粒化成膠粒。所得的膠粒的熔點為334℃，結晶化溫度為290℃，結晶化熱為2.7J/g，熔融黏度為18Pa．s。
(液晶性聚合物以外的成分)
將上述所得各液晶性聚合物，使用雙軸擠出機與下述成分混合，得到複合樹脂組合物。各成分之調合量如第1表~第3表所示。
(B)玻璃纖維及/或研磨纖維
玻璃纖維：日本電氣硝子(股)ECS03T-786H，纖維徑10μm，長度3mm切條
研磨纖維：日東紡(股)PF70E001，纖維徑10μm，平均纖維長70μm
(C)板狀無機填充材
滑石：松村產業(股)製CROWNTALC PP，平均粒徑10μm 雲母：(股)山口雲母工業製AB-25S，平均粒徑25μm
此外，得到複合樹脂組合物時之擠出條件如下。
[擠出條件]
〔實施例1~11、比較例4、5、10、11、參考例1~4〕
使設於主供給口之料管溫度為250℃，使其他的料管的溫度均為370℃。液晶性聚合物，全由主供給口供給。此外，填充材，係由側供給口供給。
〔比較例1~3、6~9〕
使設於主供給口之料管溫度為250℃，使其他的料管的溫度均為350℃。液晶性聚合物，全由主供給口供給。此外，填充材，係由側供給口供給。
再者，複合樹脂組合物中的玻璃纖維及研磨纖維的平均玻璃纖維長，係以下述方法測定。
[平均玻璃纖維長之測定]
將5g複合樹脂組合物膠粒以600℃加熱，灰化2小時。將灰化殘渣充分分散於5質量%聚乙二醇水溶液之後，以滴管移置培養皿，以顯微鏡觀察玻璃纖維或研磨纖維。同時，使用影像測定器((股)Nicole製LUZEXFS)測定玻璃纖維或研磨纖維的重量平均纖維長。
<非對稱電子元件之製作及評估>
根據下述方法，測定由複合樹脂組合物成形之DDR-DIMM連接器之物性。將評估結果示於第1表。
(DDR連接器之彎曲)
以下述成形條件，射出成形複合樹脂組合物(澆口：隧道 型澆口、澆口尺寸：ψ0.75mm)，如第1圖所示，得到全體的大小為70.0mm×26.0mm×4.0mmt、間距間距離為0.6mm、針孔數為100×2之DDR-DIMM連接器。
[成形條件]
成形機：住友重機械工業SE30DUZ
料管溫度(表示由噴嘴側之溫度)： 360℃-365℃-340℃-330℃(實施例1~3、比較例4、5、參考例1、2)
350℃-350℃-340℃-330℃(比較例1~3)
金屬模具溫度：80℃
射出速度：300mm/秒
保壓力：50MPa
保壓時間：2秒
冷卻時間：10秒
螺桿旋轉數：120rpm
螺桿背壓：1.2MPa
將所得連接器靜置在水平的桌子上，將連接器的高度以MITSUTOYO製Quick Vision 404PROCNC影像測定機測定。此時，測定在於第2圖以黑圓表示之複數位置之高度，將由最小平方平面之最大高度與最小高度差，作為DDR連接器之彎曲。再者，彎曲係在以如下條件進行之IR回焊前後進行測定。
[IR回焊條件]
測定機：日本脈衝技術研究所製之大型桌上回焊焊接裝 置RF-300(使用遠紅外線加熱器)
試料輸送速度：140mm/秒
反射爐通過時間：5分鐘
預熱區的溫度條件：150℃
回焊區的溫度條件：190℃
波峰溫度：251℃
(DDR連接器之變形量)
以上述方法測定之回焊前後之彎曲之差，求得DDR連接器之變形量。
(DDR連接器之最小填充壓力)
將第1圖之DDR-DIMM連接器射出成形時，可得良好的成形品之最小射出填充壓力作為最小填充壓力測定。
(荷重翹曲溫度)
以下述成形條件，射出成形複合樹脂組合物得到成形品，遵照ISO75-1,2，測定荷重翹曲溫度。
[成形條件]
成形機：住友重機械工業，SE100DU
料管溫度(表示由噴嘴側之溫度)： 360℃-370℃-370℃-360℃-340℃-330℃(實施例1~3、比較例4、5、參考例1、2)
350℃-350℃-350℃-350℃-340℃-330℃(比較例1~3)
金屬模具溫度：80℃
射出速度：2m/分
保壓力：50MPa
保壓時間：2秒
冷卻時間：10秒
螺桿旋轉數：120rpm
螺桿背壓：1.2MPa
如第1表所示，本發明之複合樹脂組合物，流動性良好，抑制由該複合樹脂組合物形成之非對稱電子元件彎曲變形，且高溫剛性優良。
<低背窄間距連接器之製作及評估>
根據下述方法，測定低背窄間距連接器之成形時之連接器最小填充壓力及荷重彎曲溫度。將結果示於第2表及第3表。 再者，表中，「無法填充」係指無法對成形機填充複合樹脂組合物。
(連接器最小填充壓力)
以下述成形條件，將複合樹脂組合物射出成形如第3圖所示，全體大小為17.6mm×4.00mm×1.16mm，間距間距離0.5mm，針孔數30×2針，最小厚度：0.12mm之FPC連接器(澆口：隧道型澆口(φ0.4mm))，測定可得良好的成形品之最小射出填充壓力作為最小填充壓力。
[成形條件]
成形機：住友重機械工業、SE30DUZ
料管溫度(表示由噴嘴側之溫度)： 365℃-365℃-355℃-345℃(實施例4~11、比較例10、11、參考例3、4)
350℃-350℃-340℃-330℃(比較例6~9)
金屬模具溫度：80℃
射出速度：12m/分
保壓力：50MPa
保壓時間：2秒
冷卻時間：5秒
螺桿旋轉數：120-100rpm
螺桿背壓：1.5-1.0MPa
(荷重過重彎曲的溫度)
以下述成形條件，將複合樹脂組合物分別射出成形得到成形品，遵照ISO75-1,2，測定荷重彎曲溫度。
[成形條件]
成形機：住友重機械工業、SE100DU
料管溫度(表示由噴嘴側之溫度)： 360℃-370℃-370℃-360℃-340℃-330℃(實施例4~11、比較例10、11、參考例3、4)
350℃-350℃-350℃-350℃-340℃-330℃(比較例6~9)
金屬模具溫度：80℃
射出速度：2m/分
保壓力：50MPa
保壓時間：2秒
冷卻時間：10秒
螺桿旋轉數：120rpm
螺桿背壓：1.2MPa
如第2表及第3表所示，本發明之複合樹脂組合物，流動性優良，降低由該複合樹脂組合物所形成之低背窄間距連接器之最小填充壓力之值。

Claims (14)

  1. 一種電子元件用複合樹脂組合物，包含：(A)液晶性聚合物、(B)研磨纖維及(C)板狀無機填充材，其中上述(A)液晶性聚合物，係包含下述構成單位：(I)來自4-羥基安息香酸之構成單位、(II)來自2-羥基-6-萘酸之構成單位、(III)來自對苯二甲酸之構成單位、(IV)來自間苯二甲酸之構成單位、及(V)來自4,4'-二羥基聯苯之構成單位，作為必須的構成成分，(I)的構成單位對全構成單位的含量為35~75莫耳%，(II)的構成單位對全構成單位之含量為2~8莫耳%，(III)的構成單位對全構成單位之含量為4.5~30.5莫耳%，(IV)的構成單位對全構成單位之含量為2~8莫耳%，(V)的構成單位對全構成單位之含量為12.5~32.5莫耳%，(II)與(IV)的構成單位對全構成單位之總量為4~10莫耳%，上述(A)液晶性聚合物的含量對複合樹脂組合物全體為40~80質量%，上述(B)研磨纖維的含量對複合樹脂組合物全體為10~30質量%，上述(C)板狀無機填充材的含量對複合樹脂組合物全體為10~35質量%。
  2. 根據申請專利範圍第1項之電子元件用複合樹脂組合物，其中上述電子元件係非對稱電子元件，上述(A)液晶性聚合物的含量對複合樹脂組合物全體為47.5~65質量%， 上述(B)研磨纖維的含量對複合樹脂組合物全體為15~30質量%，上述(C)板狀無機填充材的含量對複合樹脂組合物全體為20~35質量%。
  3. 根據申請專利範圍第2項之電子元件用複合樹脂組合物，其中上述(C)板狀無機填充材，係選自由滑石及雲母所組成之群之1種以上。
  4. 根據申請專利範圍第1項之電子元件用複合樹脂組合物，其中上述電子元件係低背窄間距連接器，上述(C)板狀無機填充材之含量，對複合樹脂組合物全體為10~30質量%。
  5. 根據申請專利範圍第4項之電子元件用複合樹脂組合物，其中上述(A)液晶性聚合物，係[熔點-結晶化溫度]值為50~60℃，在較熔點高10~20℃的溫度，以剪斷速度1000/秒，遵照ISO11443測定之熔融黏度為5~15Pa．s。
  6. 根據申請專利範圍第4或5項之電子元件用複合樹脂組合物，其中上述(B)研磨纖維之平均纖維長為50~100μm，且，上述(C)板狀無機填充材，係選自由滑石及雲母所組成之群之1種以上。
  7. 一種電子元件，由申請專利範圍第1項之電子元件用複合樹脂組合物所成形。
  8. 根據申請專利範圍第7項之電子元件，其中上述(A)液晶性聚合物對複合樹脂組合物全體之含量為47.5~65質量%，上述(B)研磨纖維對複合樹脂組合物全體之含量為15~30質 量%，上述(C)板狀無機填充材對複合樹脂組合物全體之含量為20~35質量%、成形品的XY軸面、YZ軸面以及XZ軸面之任一軸面均沒有對稱性之非對稱電子元件。
  9. 根據申請專利範圍第8項之電子元件，其中上述(C)板狀無機填充材，係選自由滑石及雲母所組成之群之1種以上。
  10. 根據申請專利範圍第8或9項之電子元件，其中間距間距離為0.8mm以下，產品全長為60.0mm以上，產品高度為6.0mm以下，極數為150極以上的記憶體模組用連接器。
  11. 根據申請專利範圍第8或9項之電子元件，其中具有軌道構造，產品高度為3.0mm以下之記憶卡插槽。
  12. 根據申請專利範圍第7項之電子元件，其中上述(C)板狀無機填充材對複合樹脂組合物全體之含量為10~30質量%，間距間距離為0.5mm以下，產品全長為4.0mm以上，產品高度為4.0mm以下，基板對基板連接器或軟性印刷電路板用連接器之低背窄間距連接器。
  13. 根據申請專利範圍第12項之電子元件，其中上述(A)液晶性聚合物，係[熔點-結晶化溫度]值為50~60℃，在較熔點高10~20℃的溫度，以剪斷速度1000/秒，遵照ISO11443測定之熔融黏度為5~15Pa．s。
  14. 根據申請專利範圍第12或13項之電子元件，其中上述(B) 研磨纖維之平均纖維長為50~100μm，且，上述(C)板狀無機填充材，係選自由滑石及雲母所組成之群之1種以上。
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