TW201430156A - 鍍膜裝置 - Google Patents

Abstract

提供一種鍍膜裝置，可以將基板及鍍膜源的位置關係良好地維持，可由低成本及輕量高精度地鍍膜。藉由使從鍍膜源(1)射出的鍍膜材料堆積而在基板(2)上形成薄膜之具有真空槽(3)的鍍膜裝置，搬運基板(2)的搬運機構的導引部(5)，是作為設在真空槽(3)的外部且被支撐於貫通被設在真空槽(3)的壁面上的貫通孔(6)中的導引支柱(7)的構成，鍍膜源(1)，是作為設在真空槽(3)的外部且被保持於被支撐於貫通被設在真空槽(3)的壁面上的貫通孔(9)中的基座支柱(10)的基座部(11)的構成，搬運機構及鍍膜源(1)不受由真空槽(3)的減壓所產生的壁面的變形的影響使鍍膜源(1)及基板(2)的位置關係被維持的方式構成。

Description

鍍膜裝置

本發明，是有關於鍍膜裝置者。

近年來，使用有機電致發光元件的有機EL顯示裝置，是作為替代CRT和LCD的顯示裝置而受到屬目。

此有機EL顯示裝置，是在基板將電極層及複數有機發光層積層形成，進一步將密封層被覆形成的構成，因為自發光，所以與LCD相比高速反應性優異，可以實現高視野角及高對比者。

這種有機EL裝置(設備)，一般是藉由真空蒸鍍法被製造，由真空槽內將基板及蒸鍍遮罩對準密合的方式進行蒸鍍，藉由此蒸鍍遮罩將所期的鍍膜圖型的蒸鍍膜形成於基板。

且將有機EL裝置(設備)便宜且效率良好地量產用的製造方法，也有：將對於使用薄片狀的塑膠薄膜的可撓性基板的鍍膜，藉由連續滾壓方式，一邊將可撓性基板連續地給進一邊進行的方法。

但是在這種有機EL裝置(設備)的製造中，伴隨基板的大型化，真空槽也有需要大型化。且，在真空槽內部因為配設有蒸發源和搬運機構等，由真空排氣所產生的真空槽壁面的彎曲必需是在最小限度。

因此，伴隨真空槽的大型化，有需要將真空槽的壁厚加厚，有關配設在真空槽外壁的肋，也需增加數量、和將板厚加厚，高度必需加高，使鍍膜裝置的重量化、高成本化成為問題。

例如，在專利文獻1中被提案：一邊將被鍍膜基板搬運，一邊將從配設在下方的蒸鍍源噴出的蒸鍍材料鍍膜的鍍膜裝置。但是，在這種構成中，因為蒸鍍源是被支撐在真空容器底面，基板搬運滾子是被支撐在真空容器側面，所以在基板搬運機構驅動時的負荷及大氣中的組裝時基板及蒸鍍源的位置關係因為會發生由偏離所產生的膜厚分布的惡化，因此必需由如上述的手法抑制真空排氣後的真空容器的彎曲，使真空容器的重量化成為顯著。

且在專利文獻2中被提案：不依存於真空室內部的壓力狀態，可進行蒸發源的穩定的掃描動作的真空蒸鍍裝置，但是基板及遮罩的支撐位置沒有被明記，真空室排氣後的基板及遮罩及蒸發源的位置關係是否保持並不明，包含基板及遮罩的蒸發源的位置精度被嚴格要求之在將基板及遮罩在分離的狀態下進行掃描鍍膜的方式中，在所期的位置形成所期的鍍膜圖型是困難的。

[習知技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2002-348659號公報

[專利文獻2]日本特開2010-248584號公報

本發明，是解決如上述問題點者，其目的為提供一種鍍膜裝置，即使伴隨基板的大型化使真空槽大型化，起因於真空槽內的壓力變動的壁面的變形不會影響基板及鍍膜源的位置關係，可以將兩者的位置關係良好地維持，可由低成本及輕量進行高精度的鍍膜。

參照添付圖面說明本發明的實質。

一種鍍膜裝置，是具有藉由使從鍍膜源1射出的鍍膜材料堆積而在基板2上形成薄膜之真空槽3的鍍膜裝置，其特徵為：具備將前述基板2或是前述鍍膜源1搬運的搬運機構，此搬運機構，是由：移動部4、及將此移動部4的移動導引的導引部5所構成，此導引部5，是作成設在真空槽3的外部且被支撐於貫通被設在前述真空槽3的壁面上的貫通孔6中的導引支柱7的構成，將此導引支柱7或是導引支柱7的設置部及前述貫通孔6的周圍的壁面透過伸縮構件8在氣密狀態下連結，藉由前述搬運機構將前述基板2搬運的情況時，前述鍍膜源1，是作成 設在真空槽3的外部且被保持於被支撐於貫通被設在前述真空槽3的壁面上的貫通孔9中的基座支柱10的基座部11的構成，將此基座支柱10或是基座支柱10的設置部及前述貫通孔9的周圍的壁面透過伸縮構件12在氣密狀態下連結，藉由前述搬運機構將前述鍍膜源1搬運的情況時，將前述基板2保持的保持部，是作成設在真空槽3的外部且被保持於被支撐於貫通被設在前述真空槽3的壁面上的貫通孔9中的基座支柱10的基座部11的構成，將此基座支柱10或是基座支柱10的設置部及前述貫通孔9的周圍的壁面透過伸縮構件12在氣密狀態下連結，前述搬運機構及前述鍍膜源1或是前述基板2不受由前述真空槽3的減壓所產生的壁面的變形的影響使前述鍍膜源1及前述基板2的位置關係被維持的方式構成。

且一種鍍膜裝置，是具有將從鍍膜源1射出的鍍膜材料透過蒸鍍遮罩20的遮罩開口部堆積在基板2上且在基板2上形成薄膜之真空槽3的鍍膜裝置，其特徵為：具備將前述基板2或是前述鍍膜源1搬運的搬運機構，此搬運機構，是由：移動部4、及將此移動部4的移動導引的導引部5所構成，此導引部5，是作成設在真空槽3的外部且被支撐於貫通被設在前述真空槽3的壁面上的貫通孔6中的導引支柱7的構成，將此導引支柱7或是導引支柱7的設置部及前述貫通孔6的周圍的壁面透過伸縮構件8在氣密狀態下連結，藉由前述搬運機構將前述基板2搬運的情況時，前述鍍膜源1，是作成設在真空槽3 的外部且被保持於被支撐於貫通被設在前述真空槽3的壁面上的貫通孔9中的基座支柱10的基座部11的構成，將此基座支柱10或是基座支柱10的設置部及前述貫通孔9的周圍的壁面透過伸縮構件12在氣密狀態下連結，藉由前述搬運機構將前述鍍膜源1搬運的情況時，將前述基板2保持的保持部，是作成設在真空槽3的外部且被保持於被支撐於貫通被設在前述真空槽3的壁面上的貫通孔9中的基座支柱10的基座部11的構成，將此基座支柱10或是基座支柱10的設置部及前述貫通孔9的周圍的壁面透過伸縮構件12在氣密狀態下連結，前述搬運機構及前述鍍膜源1或是前述基板2不受由前述真空槽3的減壓所產生的壁面的變形的影響使前述鍍膜源1及前述基板2的位置關係被維持的方式構成。

且如申請專利範圍第1項的鍍膜裝置，其中，將導引前述搬運機構的前述基板2被保持的前述移動部4的移動用的前述導引部5，作成由前述導引支柱7支撐的構成，將保持前述鍍膜源1的前述基座部11，作成由前述基座支柱10支撐的構成。

且如申請專利範圍第2項的鍍膜裝置，其中，將導引前述搬運機構的前述基板2被保持的前述移動部4的移動用的前述導引部5，作成由前述導引支柱7支撐的構成，將保持前述鍍膜源1的前述基座部11，作成由前述基座支柱10支撐的構成。

且如申請專利範圍第2或4項的鍍膜裝置， 其中，將前述基板2及前述蒸鍍遮罩20配設成分離狀態，將此基板2對於前述蒸鍍遮罩20可相對移動自如地構成，藉由此相對移動在比前述蒸鍍遮罩20廣大範圍使藉由此蒸鍍遮罩20被決定的鍍膜圖型的薄膜形成於基板2上的方式構成。

且如申請專利範圍第1或2項的鍍膜裝置，其中，將前述導引支柱7或是前述基座支柱10立設在被設在前述真空槽3的底部的外部的架台13，將前述導引支柱7貫通的前述貫通孔6或是前述基座支柱10貫通的前述貫通孔9設在前述真空槽3的底面。

且如申請專利範圍第1或2項的鍍膜裝置，其中，在前述搬運機構設有將前述移動部4移動的線性馬達。

且如申請專利範圍第1或2項的鍍膜裝置，其中，前述移動部4，是具備：在前述真空槽3內由大氣被充滿的收容部14、及將此收容部14及真空槽3的外部的大氣壓空間連通且形成有將電力供給用配線及冷卻用配管朝前述收容部14導入的中空導入部之關節部15、及將前述基板2吸附保持的吸附部16。

且如申請專利範圍第8項的鍍膜裝置，其中，具備將前述基板2對於前述導引部5位置對合的基板對準機構，此基板對準機構，是具有：被配設在前述收容部14使前述吸附部16移動的基板移動手段29、及對於前述導引部5平行地被配設且設有基準記號的基準記號顯 示部17、及將設在前述基準記號及前述基板2的基板記號攝像的攝像手段、及依據此攝像結果使基板移動手段29作動的作動手段、及收容前述攝像手段的攝像手段收容部18。

且如申請專利範圍第9項的鍍膜裝置，其中，前述攝像手段及前述基準記號顯示部17，是被配設在前述導引部5或是前述導引支柱7的其中任一方，與前述真空槽3是機械性地獨立被設置。

且如申請專利範圍第1或2項的鍍膜裝置，其中，具備將前述鍍膜源1對於前述基板2位置對合的鍍膜源對準機構19。

且如申請專利範圍第1或2項的鍍膜裝置，其中，前述鍍膜材料為有機材料。

本發明因為是如上述構成，所以即使伴隨基板的大型化使真空槽大型化，起因於真空槽的壓力變動的壁面的變形不會影響基板及鍍膜源的位置關係，可以將兩者的位置關係良好地維持，成為可由低成本及輕量高精度地鍍膜的鍍膜裝置。

特別是在有機EL裝置(設備)的製造，可以對應基板的大型化，即使有機層的蒸鍍也可精度佳地進行，成為可以實現高精度的蒸鍍的有機EL裝置(設備)製造用的鍍膜裝置。

且在如申請專利範圍第2~5項的發明中，有需要將基板及蒸鍍遮罩的位置高精度地維持，成為更可良好地發揮本發明的作用、效果的鍍膜裝置。

且在如申請專利範圍第6項的發明中，成為可以由簡易的構成容易地實現實用性更優異的鍍膜裝置。

且在如申請專利範圍第7項的發明中，在驅動源藉由使用線性馬達，可以使定位精度提高，加長搬運行程。

且在如申請專利範圍第8項的發明中，藉由在移動部具備收容部、關節部及吸附部，將基板一邊吸附一邊搬運時，因為可以將電力供給用配線及冷卻用配管，隨時透過關節部從大氣側朝吸附部供給，所以可以基板的溫度不會上昇地使鍍膜裝置持續運轉。

且在如申請專利範圍第9項的發明中，因為可以將基板對於導引平行地位置對合，所以在基板搬運時可以防止度蒸鍍圖型寬度比所期的鍍膜圖型寬度大。

且在如申請專利範圍第10項的發明中，攝像手段及基準記號顯示部，是藉由與真空槽是機械性地獨立被配設，真空槽即使是藉由真空排氣變形，也不會影響基板的位置對合。

且在如申請專利範圍第11項的發明中，成為將鍍膜源對於逐次高精度地基板可位置對合，可以在橫跨基板全面的所期的位置形成所期的鍍膜圖型。

且在如申請專利範圍第12項的發明中，成為 有機材料的鍍膜裝置，實用性更優異。

1‧‧‧鍍膜源

1a‧‧‧主機材料發生源

1b‧‧‧摻雜物材料發生源

2‧‧‧基板

3‧‧‧真空槽

4‧‧‧移動部

5‧‧‧導引部

6‧‧‧貫通孔

7‧‧‧導引支柱

7a‧‧‧徑大部

8，12，33，35‧‧‧波紋管(伸縮構件)

9‧‧‧貫通孔

10‧‧‧基座支柱

10a‧‧‧徑大部

11‧‧‧基座托板(基座部)

13‧‧‧架台

14‧‧‧收容部

15‧‧‧關節部

16‧‧‧吸附部

17‧‧‧基準記號顯示部

18‧‧‧攝像手段收容部

19‧‧‧鍍膜源對準機構

20‧‧‧蒸鍍遮罩

21‧‧‧遮罩框架

22‧‧‧導引塊體

23‧‧‧導軌

24‧‧‧導引基座

25‧‧‧球面軸承

26‧‧‧托板

27‧‧‧磁鐵

28‧‧‧線圈單元

29‧‧‧基板移動手段

30‧‧‧載台基座

31‧‧‧靜電挾盤

32‧‧‧支柱

34‧‧‧貫通孔

36‧‧‧貫通孔

38‧‧‧窗

[第1圖]本實施例的概略說明側面圖。

[第2圖]本實施例的主要部分的概略說明側面圖。

[第3圖]本實施例的鍍膜源的概略說明側面圖。

[第4圖]本實施例的主要部分的概略說明前視圖。

[第5圖]本實施例的搬運機構的概略說明俯視圖。

[第6圖]本實施例的移動部的概略說明前視圖。

[第7圖]本實施例的搬運機構的概略說明前視圖。

[第8圖]本實施例的攝像手段的概略說明前視圖。

將最佳考慮的本發明的實施例，依據圖面顯示本發明的作用並簡單地說明。

從鍍膜源1射出的鍍膜材料，是透過例如蒸鍍遮罩20的遮罩開口部堆積在基板2上，使藉由此蒸鍍遮罩20被決定的鍍膜圖型的薄膜形成於基板2上。此時，例如，將基板2及蒸鍍遮罩20配設成分離狀態，將此基板2，保持在與蒸鍍遮罩20的分離狀態下可相對移動自如地構成，藉由將此基板2相對移動，就可以在比蒸鍍遮罩本身廣大範圍使藉由此蒸鍍遮罩20被決定的鍍膜圖型的薄膜形成在基板2上。

且本發明，是藉由將搬運基板2的搬運機構及鍍膜源1(或是搬運鍍膜源1的搬運機構及基板2)的雙方，由設在真空槽3的外部的支柱7、10支撐，不會受到真空槽3內的壓力狀態影響的構成，使基板2及鍍膜源1的位置關係不會變化，可以高精度地搬運鍍膜。

即，在大氣壓空間調整基板2、蒸鍍遮罩20及鍍膜源1的位置關係，即使在真空槽3內藉由伴隨成為鍍膜環境之真空狀態的壓力變動使真空槽3的壁面變形，搬運機構及鍍膜源1因為不是由真空槽3的壁面，而是由設於真空槽3的外部的支柱，例如被立設在高剛性的架台13的支柱7、10被支撐，所以搬運機構及鍍膜源1，不會受到真空槽3的壁面的變形的影響，因此，基板2及鍍膜源1的與基板2的被鍍膜面垂直的方向的間隔不會有上述變形所起因的變化，成為可以將基板2及鍍膜源1的位置關係維持。

因此，依據本發明的話，不需要為了防止真空槽3的壁面的變形，而將壁面加厚或將肋多數設置，即，不會使真空槽3大型化及重量化，成為可防止由減壓所產生的真空槽3的壁面的變形所起因的基板2及鍍膜源1的位置關係的變化。

且將搬運機構的移動部4移動的驅動源，是藉由使用例如線性馬達，就成為可高精度地搬運基板。

且例如，前述移動部4，是藉由具備：在前述真空槽3內由大氣被充滿的收容部14、及將此收容部14 及真空槽3的外部的大氣壓空間連通且形成有將電力供給用配線及冷卻用配管朝前述收容部14導入的中空導入部之關節部15、及將前述基板2作成吸附的吸附部16的構成，就可成為具備基板對準、電力供給機構、冷卻機構及基板裝卸機構的高功能的移動部4。

且吸附在吸附部16的基板2，因為吸附後的基板2必需對於導引部5平行地位置對合，例如，將形成於與導引部5平行地被對位的基準記號顯示部17上的基準記號，配設在基板2的搬運方向，由攝像手段將基準記號及形成於基板2上的基板記號攝影，將位置偏離適宜修正的方式構成較佳。此時，攝像手段，是例如，收容在大氣壓空間的攝像手段收容部18內，越過設在攝像手段收容部18的壁部的窗進行攝影。

且攝像手段收容部18及基準記號顯示部17，是例如，藉由配設在導引部5或是導引支柱7的其中任一方，不會受到真空槽3的變形的影響，使在大氣中被調整的攝像手段及基準記號顯示部17的位置，在真空中也不會變化的構成。

[實施例]

依據圖面說明本發明的具體的實施例。

本實施例，是解決：將從鍍膜源1氣化的鍍膜材料(例如有機EL裝置(設備)製造用的有機材料)透過蒸鍍遮罩20的遮罩開口部堆積在基板2上，使藉由 此蒸鍍遮罩20被決定的鍍膜圖型的薄膜形成於基板2上的方式構成，將基板2及蒸鍍遮罩20配設成分離狀態，將此基板2在保持與蒸鍍遮罩20的分離狀態下可相對移動自如地構成，藉由此相對移動在比蒸鍍遮罩20廣大範圍使藉由此蒸鍍遮罩20被決定的鍍膜圖型的薄膜形成於基板2上的方式構成的鍍膜裝置中的問題點者。

即，在上述構成的鍍膜裝置中，基板2、蒸鍍遮罩20及鍍膜源1的位置關係因為是非常高精度地被要求，所以如第1圖所示，導引搬運機構的基板2被保持的移動部4的移動用的導引部5、及保持鍍膜源1的基座部11，是作成分別藉由設在真空槽3的外部的導引支柱7及基座支柱10被支撐的構成，由大氣壓空間調整基板2、蒸鍍遮罩20及鍍膜源1的位置關係，即使在真空槽3內藉由伴隨成為鍍膜環境之真空狀態的壓力變動使真空槽3的壁面變形，基板2及鍍膜源1的位置關係也不會變化，可以高精度地搬運基板者。

將各部具體說明。

導引部5，是如第5、6圖所示，由：由設於移動部4的下面側的導引塊體22及此導引塊體22被嵌的導軌23所構成的直線導引件、及配設有前述導軌23的一對的導引基座24所構成。

在本實施例中，如第2圖所示，將前述導引基座24支撐的導引支柱7，是設成：立設在由設在真空槽3的底部的外部的地面的鋼材等的高剛性構件所構成的 架台13，並貫通真空槽3的底面上的貫通孔6。

且將此導引支柱7及前述貫通孔6的周圍的壁面，藉由將導引支柱7覆蓋地設置的伸縮構件8(波紋管8)在氣密狀態下連結。具體而言，將導引支柱7的徑大部7a的下面及與其相面對的貫通孔6的周圍的壁面藉由波紋管8在氣密狀態下連結。又，不是導引支柱7，而是將導引支柱7的設置部也就是架台13及貫通孔6的周圍的壁面藉由波紋管8連結的構成也可以。

因此，即使藉由將真空槽3內真空排氣使真空槽3的外壁變形，藉由由波紋管8的伸縮吸收該變形，使導引支柱7以及導引基座24的位置不變，就成為可高精度地搬運基板2。

鍍膜源1，是如第3圖所示，包含主機材料發生源1a及摻雜物材料發生源1b，被支撐在配設有附設了蒸鍍遮罩20的遮罩框架21的基座部11(基座托板11)。將此基座托板11支撐的基座支柱10，是設成：立設在被設在真空槽3的底部的外部的地面的前述架台13上的鍍膜源對準機構19，並貫通真空槽3的底面上的貫通孔9。

且將基座支柱10及前述貫通孔9的周圍的壁面，使用將基座支柱10覆蓋地設置的伸縮構件12(波紋管12)在氣密狀態下連結。具體而言，將基座支柱10的徑大部10a的上面及與其相面對的貫通孔9的周圍的壁面藉由波紋管12在氣密狀態下連結。又，不是基座支柱 10，而是將基座支柱10的設置部也就是鍍膜源對準機構19及貫通孔9的周圍的壁面藉由波紋管12連結的構成也可以。

因此，即使藉由將真空槽3內真空排氣使真空槽3的外壁變形，藉由由波紋管12的伸縮吸收該變形，使基座支柱10以及基座托板11的位置不變，成為可對於搬運時的基板2將鍍膜源1、及附設於蒸鍍遮罩20的遮罩框架21逐次高精度地位置對合。

且將搬運機構及鍍膜源1支撐的前述架台13，也同時支撐真空槽3。具體而言，如第4圖所示將真空槽3及架台13，由可以將徑向荷重及雙方向的軸向荷重承受的球面軸承25連結，使由真空排氣所產生的真空槽3的變形的影響不會至前述架台13。

且搬運機構的驅動源是使用線性馬達。因此，成為定位精度、等速度穩定性、清淨性及維修性較高的搬運機構，將大型基板2搬運時所需要的行程也無限制可以較長。進一步，將設在真空槽3外部的驅動馬達的旋轉動力，透過磁性流體密封件朝真空槽3內的滾珠螺桿傳達使旋轉的情況時，因為由真空槽3的內部及外部被連結，所以真空槽3的外壁雖受到變形的影響，但是線性馬達是驅動源被配設在真空槽3內部，可以不受到真空槽3的外壁變形的影響的構造。

具體而言，將基板2保持與基板2一起移動的移動部4，是如第5、6圖所示沿著被配設在導引基座 24上的前述直線導引移動，在：被配設在被安裝於導引基座24的內側面側的托板26上的複數磁鐵27、及被安裝於移動部4側的線圈單元28之間，使推力發生。

進一步，如第6、7圖所示，移動部4是在真空槽3內具備：大氣壓空間的收容部14、及將此收容部14及真空槽3的外部的大氣壓空間連通且形成有將電力供給用配線及冷卻用配管朝前述收容部14導入的中空導入部之關節部15、及將前述基板2吸附保持的吸附部16。

吸附部16，是在平坦形成的載台基座30將靜電挾盤31複數分割配設，在靜電挾盤31表面將基板2吸附的方式構成。且，設置貫通收容部14的底面的貫通孔34將載台基座30支撐的支柱32。且，將載台基座30及收容部14的貫通孔34的周圍的壁面，藉由將此支柱32覆蓋地設置的伸縮構件33(波紋管33)在氣密狀態下連結，將大氣及真空在氣密狀態下維持。又，將支柱32及貫通孔34的周圍的壁面由波紋管33連結的構成也可以。

且基板對準機構是具有伺服馬達，在真空環境下因為無法配設，所以通常是配設在真空槽3的外側(附著物下降的情況時真空槽3上面)的大氣壓下，使真空槽3的變形不影響對準精度的方式將剛性提高。但是，在本實施例中，因為在收容部14內，藉由具備將基板對準機構的前述支柱32動作將載台基座30移動的基板移動手段29，使真空槽3的變形影響不會影響基板對準精 度，所以真空槽3不需要高剛性，可以輕量化。

且收容部14有需要成為高剛性的構造，使由大氣及真空的壓力差所產生的變形不影響基板對準機構，但是因為與真空槽3相比較體積較小，可以由例如鋁等的輕量構件製作，所以裝置整體可輕量且低成本，不會導致大型化、重量化且可以成為高剛性的構造。

且朝收容部14內的基板對準機構用的馬達、線性馬達的線圈單元及靜電挾盤31的電力供給，是從真空槽3外的大氣空間中的電源將配線通過關節部15的中空導入部地進行。具體而言，關節部15，是使用作為供追從收容部14的移動用之中空構造的連桿機構，將此中空部分作為中空導入部。同樣地，在需要冷卻的馬達、線圈單元及載台基座30中，從真空槽3外的大氣空間將空氣或是水冷配管通過關節部15的中空導入部地配設。

且關節部15，是將真空槽3的外壁及收容部14連結，真空槽3是藉由真空排氣彎曲的話，會影響關節部15的驅動動作及氣密性，進一步，在收容部14也有荷重，因為也會影響基板2的高精度搬運，所以在真空槽3及關節部15之間配設伸縮構件35(波紋管35)，緩和真空槽3的變形的影響。具體而言，將真空槽3的貫通孔36的周圍的壁面及關節部15的一端部藉由波紋管35在氣密狀態下連結。又，在關節部15的另一端部及收容部14之間配設波紋管35也可以。

吸附在吸附部16的基板2，是未對於直線導 引平行地配設的話，因為基板2及蒸鍍遮罩20無法一邊相對移動一邊使應被鍍膜的直線圖型被鍍膜在基板2上的所期的位置，所以吸附後的基板2必需對於直線導引位置對合。

在此，在本實施例中，具備將基板2對於導引部5位置對合的基板對準機構。此基板對準機構，是具有：被配設在前述收容部14使前述吸附部16移動的基板移動手段29、及對於前述導引部5平行地被配設且在透明部39設有基準記號的基準記號顯示部17、及將前述基準記號及設在前述基板2的基板記號攝像的攝像手段、及依據此攝像結果使基板移動手段29作動的作動手段、及收容前述攝像手段的攝像手段收容部18。

具體而言，將形成於與直線導引平行地被對位的基準記號顯示部17上的基準記號，對於基板2的搬運方向至少二個以上配設，由例如CCD照相機37等的攝像手段將基準記號及形成於基板2上的基板記號攝影。此時，攝像手段因為無法直接配設在真空中，所以收容在大氣壓空間的攝像手段收容部18內，越過攝像手段收容部18的窗38地進行攝影。

吸附了基板2的基板記號，是使對於基準記號成為預定的位置關係的方式，藉由基板移動手段29將吸附部16移動使進行位置對合，基板2就可不會傾斜地對於直線導引平行地被搬運。

且攝像手段收容部18及基準記號顯示部17， 是藉由被配設於導引基座24或是導引支柱7的至少一方，從真空槽3機械性地獨立，不會受到真空槽3的變形的影響，在大氣中被調整的攝像手段及基準記號顯示部17的位置，是藉由在真空中也不變化的方式構成，來防止對準精度惡化。在本實施例中，是配設在導引基座24的構成。

且在本實施例中，皆說明了藉由搬運機構將基板2搬運的情況，但是藉由搬運機構將鍍膜源1搬運的情況也同樣。且，在本實施例中，雖說明了使用蒸鍍遮罩20的情況，但是不使用蒸鍍遮罩情況也同樣。

且在本實施例中，形成將支柱7、10立設在架台13的構成，但是可以確保剛性的話，不設置架台13，而在設置鍍膜裝置的地面等直接設置支柱7、10的構成也可以。

且在本實施例中，基板2不限定於玻璃基板2，一邊將可撓性基板2(例如薄片狀的塑膠薄膜)給進一邊鍍膜的情況也可同樣地高精度地鍍膜。

且本實施例，不限定於真空蒸鍍，對於具有真空槽3的CVD和飛濺裝置等也可廣泛地適用。

1‧‧‧鍍膜源

3‧‧‧真空槽

5‧‧‧導引部

7‧‧‧導引支柱

10‧‧‧基座支柱

13‧‧‧架台

Claims (12)

1. 一種鍍膜裝置，是具有藉由使從鍍膜源射出的鍍膜材料堆積而在基板上形成薄膜之真空槽的鍍膜裝置，其特徵為：具備將前述基板或是前述鍍膜源搬運的搬運機構，此搬運機構，是由：移動部、及將此移動部的移動導引的導引部所構成，此導引部，是作成設在真空槽的外部且被支撐於貫通被設在前述真空槽的壁面上的貫通孔中的導引支柱的構成，將此導引支柱或是導引支柱的設置部及前述貫通孔的周圍的壁面透過伸縮構件在氣密狀態下連結，藉由前述搬運機構將前述基板搬運的情況時，前述鍍膜源，是作成設在真空槽的外部且被保持於被支撐於貫通被設在前述真空槽的壁面上的貫通孔中的基座支柱的基座部的構成，將此基座支柱或是基座支柱的設置部及前述貫通孔的周圍的壁面透過伸縮構件在氣密狀態下連結，藉由前述搬運機構將前述鍍膜源搬運的情況時，將前述基板保持的保持部，是作成設在真空槽的外部且被保持於被支撐於貫通被設在前述真空槽的壁面上的貫通孔中的基座支柱的基座部的構成，將此基座支柱或是基座支柱的設置部及前述貫通孔的周圍的壁面透過伸縮構件在氣密狀態下連結，前述搬運機構及前述鍍膜源或是前述基板不受由前述真空槽的減壓所產生的壁面的變形的影響使前述鍍膜源及前述基板的位置關係被維持的方式構成。
2. 一種鍍膜裝置， 是具有將從鍍膜源射出的鍍膜材料透過蒸鍍遮罩的遮罩開口部堆積在基板上並在基板上形成薄膜之真空槽的鍍膜裝置，其特徵為：具備將前述基板或是前述鍍膜源搬運的搬運機構，此搬運機構，是由：移動部、及將此移動部的移動導引的導引部所構成，此導引部，是作成設在真空槽的外部且被支撐於貫通被設在前述真空槽的壁面上的貫通孔中的導引支柱的構成，將此導引支柱或是導引支柱的設置部及前述貫通孔的周圍的壁面透過伸縮構件在氣密狀態下連結，藉由前述搬運機構將前述基板搬運的情況時，前述鍍膜源，是作成設在真空槽的外部且被保持於被支撐於貫通被設在前述真空槽的壁面上的貫通孔中的基座支柱的基座部的構成，將此基座支柱或是基座支柱的設置部及前述貫通孔的周圍的壁面透過伸縮構件在氣密狀態下連結，藉由前述搬運機構將前述鍍膜源搬運的情況時，將前述基板保持的保持部，是作成設在真空槽的外部且被保持於被支撐於貫通被設在前述真空槽的壁面上的貫通孔中的基座支柱的基座部的構成，將此基座支柱或是基座支柱的設置部及前述貫通孔的周圍的壁面透過伸縮構件在氣密狀態下連結，前述搬運機構及前述鍍膜源或是前述基板不受由前述真空槽的減壓所產生的壁面的變形的影響使前述鍍膜源及前述基板的位置關係被維持的方式構成。
3. 如申請專利範圍第1項的鍍膜裝置，其中，將導引前述搬運機構的前述基板被保持的前述移動部的移動用的前述導引部，作成由前述導引支柱支撐的構 成，將保持前述鍍膜源的前述基座部，作成由前述基座支柱支撐的構成。
4. 如申請專利範圍第2項的鍍膜裝置，其中，將導引前述搬運機構的前述基板被保持的前述移動部的移動用的前述導引部，作成由前述導引支柱支撐的構成，將保持前述鍍膜源的前述基座部，作成由前述基座支柱支撐的構成。
5. 如申請專利範圍第2或4項的鍍膜裝置，其中，將前述基板及前述蒸鍍遮罩配設成分離狀態，將此基板對於前述蒸鍍遮罩可相對移動自如地構成，藉由此相對移動在比前述蒸鍍遮罩廣大範圍使藉由此蒸鍍遮罩被決定的鍍膜圖型的薄膜形成於基板上的方式構成。
6. 如申請專利範圍第1或2項的鍍膜裝置，其中，將前述導引支柱或是前述基座支柱立設在被設在前述真空槽的底部的外部的架台，將前述導引支柱貫通的前述貫通孔或是前述基座支柱貫通的前述貫通孔設在前述真空槽的底面。
7. 如申請專利範圍第1或2項的鍍膜裝置，其中，在前述搬運機構設有使前述移動部移動的線性馬達。
8. 如申請專利範圍第1或2項的鍍膜裝置，其中，前述移動部，是具備：在前述真空槽內由大氣被充滿的收容部、及將此收容部及真空槽的外部的大氣壓空間連通且形成有將電力供給用配線及冷卻用配管朝前述收容部導入的中空導入部的關節部、及將前述基板吸附保持的吸 附部。
9. 如申請專利範圍第8項的鍍膜裝置，其中，具備將前述基板對於前述導引部位置對合的基板對準機構，此基板對準機構，是具有：被配設在前述收容部將前述吸附部移動的基板移動手段、及對於前述導引部平行地被配設且設有基準記號的基準記號顯示部、及將設在前述基準記號及前述基板的基板記號攝像的攝像手段、及依據此攝像結果使基板移動手段作動的作動手段、及收容前述攝像手段的攝像手段收容部。
10. 如申請專利範圍第9項的鍍膜裝置，其中，前述攝像手段及前述基準記號顯示部，是被配設在前述導引部或是前述導引支柱的其中任一方，與前述真空槽是機械性地獨立被設置。
11. 如申請專利範圍第1或2項的鍍膜裝置，其中，具備將前述鍍膜源對於前述基板位置對合的鍍膜源對準機構。
12. 如申請專利範圍第1或2項的鍍膜裝置，其中，前述鍍膜材料為有機材料。