TW201429310A - 包含無機成分之顯示裝置及其製造與使用方法 - Google Patents

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Abstract

茲揭示顯示裝置和用於製作顯示裝置的複合體。一些具體實施例包括的顯示裝置具有無機電致發光層、主動矩陣層、無機偏光層、液晶層及彩色濾光層。一些具體實施例包括的複合體具有無機偏光層和無機電致發光層。亦揭示製作和使用該顯示裝置和複合體的方法。

Description

包含無機成分之顯示裝置及其製造與使用方法
液晶顯示器可以包括液晶單元、導電電極及偏光層。導電電極可以包括薄膜電晶體層(或TFT層)，以提供主動式矩陣顯示。背光可以為液晶面板提供照明，以選擇性地發送。背光可以是例如有機電致發光元件。
液晶顯示器可以藉由在下玻璃基板上形成有機電致發光元件並在上玻璃基板上形成TFT層來製備。可以使用其它的成分將個別的基板結合，以形成液晶顯示器。另一個實例是，在已經形成TFT層之後將有機電致發光顯示器形成於液晶顯示器的玻璃基板之外側上。
【簡述】
本文中揭示的一些具體實施例包括顯示裝置。
本文中揭示的一些具體實施例包括顯示裝置，該顯示裝置包括：設以發射可見光的無機電致發光層；主動矩陣層；位在該無機電致發光層和該主動矩陣層之間的無機偏光層；液晶層，其中該主動矩陣層位在該液晶層和該無機偏光層之間；以及彩色濾光層。
本文中揭示的一些具體實施例包括複合體，該複合體包括：設以發射可見光的無機電致發光層；以及無機偏光層，該無機偏光層設以接收該無機電致發光層發射的光，其中該無機偏光層包含無機透明基質內的排列金屬線，該排列金屬線具有間距，該間距可有效偏振該無機電致發光層發射的光。
本文中揭示的一些具體實施例包括一種製作顯示裝置的方法。該方法可以包括提供複合體。該複合體可以包括設以發射可見光的無機電致發光層；以及無機偏光層，該無機偏光層設以接收該無機電致發光 層發射的光，其中該無機偏光層包含無機透明基質內的排列金屬線，該排列金屬線具有間距，該間距可有效偏振該無機電致發光層發射的光。該方法可以進一步包括在該複合體上形成主動矩陣層；在該複合體和第二偏光層之間配置液晶層。
一些具體實施例包括製作複合體的方法。該方法可以包括： 在無機基板上形成無機電致發光層；以及在該無機電致發光層上形成無機偏光層，其中該無機偏光層包含在無機透明基質內的排列金屬線，該排列金屬線具有間距，該間距可有效偏振該無機電致發光層發射的光。
本文中揭示的一些具體實施例包括製作複合體的方法。該方 法可以包括：在無機透明基板上形成無機偏光層，其中該無機偏光層包含在無機透明基質內的排列金屬線；以及在該無機偏光層上形成無機電致發光層，其中該排列金屬線具有間距，該間距可有效偏振該無機電致發光層發射的光。
本文中揭示的一些具體實施例包括一種製作複合體的方 法。該方法可以包括：在無機透明基板之第一側上形成無機偏光層，其中該無機偏光層包含在無機透明基質內的排列金屬線；及其中該排列金屬線具有間距，該間距可有效偏振該無機電致發光層發射的光；以及在該無機透明基板之第二側上形成無機電致發光層。
本文中揭示的一些具體實施例包括一種使用顯示裝置的方 法。該方法可以包括提供該顯示裝置。該顯示裝置可以包括設以發射可見光的無機電致發光層；主動矩陣層；位在該無機電致發光層和該主動矩陣層之間的無機偏光層；液晶層，其中該主動矩陣層位在該液晶層和該無機偏光層之間；及彩色濾光層。該方法可以進一步包括施加電壓至該無機電致發光層，以有效提供光至該液晶層。
前述僅是說明性的，而且並無意圖以任何方式為限制性的。 除了說明性的態樣、具體實施例以及上述特徵之外，進一步的態樣、具體實施例以及特徵將藉由參照圖式和下面的實施方式而變得顯而易見。
100‧‧‧顯示裝置
105‧‧‧第一無機基板
110‧‧‧無機電致發光層
115‧‧‧無機偏光層
120‧‧‧主動矩陣層
125‧‧‧液晶層
130‧‧‧透明電極層
135‧‧‧第二偏光層
140‧‧‧彩色濾光層
145‧‧‧第二透明基板
150‧‧‧複合體
200‧‧‧顯示裝置
205‧‧‧第一無機基板
210‧‧‧無機電致發光層
215‧‧‧無機偏光層
220‧‧‧主動矩陣層
225‧‧‧液晶層
230‧‧‧透明電極層
235‧‧‧第二偏光層
240‧‧‧彩色濾光層
245‧‧‧第二透明基板
250‧‧‧複合體
300‧‧‧顯示裝置
305‧‧‧第一無機基板
310‧‧‧無機電致發光層
315‧‧‧無機偏光層
320‧‧‧主動矩陣層
325‧‧‧液晶層
330‧‧‧透明電極層
335‧‧‧第二偏光層
340‧‧‧彩色濾光層
345‧‧‧第二透明基板
350‧‧‧複合體
400‧‧‧無機基板
405‧‧‧無機電致發光層
410‧‧‧無機透明材料
420‧‧‧奈米結構層
430‧‧‧金屬導線
從以下的描述和所附申請專利範圍，並結合附圖，本揭示的 前述和其他特徵將變得更加完全顯而易見。瞭解的是，這些圖式僅依據本揭示描繪幾個具體實施例，並且不被考慮用於限制其範圍，經由附圖的使用將以額外的具體性和細節描述本揭示。
第一圖為圖示在本申請案之範圍內的一個顯示裝置實例之示意圖。
第二圖為圖示在本申請案之範圍內的一個顯示裝置實例之示意圖。
第三圖為圖示在本申請案之範圍內的一個顯示裝置實例之示意圖。
第四A圖圖示在製備無機偏光層的製程實例中形成的無機透明材料之剖視圖。
第四B圖圖示在製備無機偏光層的製程實例中形成的奈米結構層之剖視圖。
第四C圖圖示在製備無機偏光層的製程實例中形成在奈米結構層上的排列金屬線之剖視圖。
第四D圖圖示在製備無機偏光層的製程實例中嵌入無機透明材料的排列金屬線之剖視圖。
在下面的詳細描述中參考了附圖，該等附圖構成本發明的一部分。在圖式中，類似的符號通常識別相似的組件，除非上下文另有指示。詳細描述、圖式以及申請專利範圍中描述的說明性具體實施例並非意在限制。可以使用其他的具體實施例，並且在不偏離本文提出的標的物之精神或範圍下可以作出其他的變化。將可容易理解的是，本揭示的各個態樣(如本文中一般性描述的及圖式中圖示的)可以被安排、取代、結合以及設計於各式各樣不同的架構中，所有這些皆為本揭示所明確構思者並構成本揭示之一部份。
本文中揭示的一些具體實施例包括顯示裝置。第一圖為圖示在本申請之範圍內的一個顯示裝置實例之示意圖。顯示裝置100包括位在第一無機基板105和無機偏光層115之間的無機電致發光層110。主動矩陣 層120位在無機偏光層115和液晶層125之間。透明電極層130位在液晶層125和第二偏光層135之間。彩色濾光層140位在第二基板145和第二偏光層135之間。
第一無機基板105並無特別的限制，而且通常可以是任何適用於形成無機電致發光層110、無機偏光層115及主動矩陣層120在其上的無機基板。在一些具體實施例中，基板可以是陶瓷的，例如玻璃。基板可以是透明的或不透明的。基板可以具有例如至少約50%、至少約70%或至少約90%的可見光透光率。基板可以具有例如不超過90%、不超過70%、不超過50%、不超過30%或不超過20%的可見光透光率。
無機電致發光層110位在第一無機基板105和無機偏光層115之間。無機電致發光層通常可以是任何設以發射可見光的無機電致發光層。無機電致發光層可以是交流或直流驅動的。在一些具體實施例中，無機電致發光層可設以在約0.1V至約20V的電壓下被直流驅動。在一些具體實施例中，無機電致發光層包括具有一或多種無機螢光體的無機螢光體層。無機螢光體的非限制性實例包括硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、硫硒化鋅(ZnSSe)、硫化鍶(SrS)、硫化鈣(CaS)、硒化鍶(SrSe)或硒硫化鍶(SrSeS)。無機螢光體可以是經過摻雜的。日本專利申請案公開號2009-298902建議了可以用在無機螢光體層的無機螢光體材料之非限制性實例。在一些具體實施例中，可以在無機螢光體層中使用兩種或更多種的無機螢光體。無機螢光體層可以例如具有約100nm至約50μm的厚度。
在一些具體實施例中，無機電致發光層可以包括一或多個設以藉由施加電壓來照亮無機螢光體層的電極。在一些具體實施例中，無機電致發光層包括第一電極，其中無機螢光體層位在第一電極和液晶層(例如液晶層125)之間。第一電極可以是透明的、反射性的或不透明的。例如，第一電極可以是透明的電極，例如氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)電極。 另一個實例是，第一電極可以包括反射性導電材料，例如鋁(Al)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉬(Mo)以及上述金屬之合金。在一些具體實施例中，反射性電極可以有利地反射從無機螢光體層射向液晶層的光。在一些具體實施例中，第一電極是金屬的。
在一些具體實施例中，無機電致發光層包括第二電極，其中第二電極位在無機螢光體層和液晶層之間。例如，第二電極可設以傳送從無機螢光體層發射到液晶層的光。基板對可見光可以具有例如至少約50%、至少約70%或至少約90%的透光率。作為實例，第二電極可以包括金屬網，使得至少一部分的光從網中的間隙透過。該網可以視需要地被嵌入無機透明基質(例如氧化矽)中。在一些具體實施例中，第二電極是透明的。例如，第二電極可以包括氧化銦錫(ITO)。在一些具體實施例中，第二電極包括陶瓷。在一些具體實施例中，第二電極包括金屬。
無機電致發光層可以視需要地包括位在第二電極和無機螢光體層之間的p-型半導體層。p-型半導體層可以包括例如Cu2S。在一些具體實施例中，p-型半導體層是透明的。在沒有第二電極的具體實施例中(例如無機偏光層的功能是作為電極來照明無機螢光體)，p-型半導體層可以視需要地位在無機螢光體層和無機偏光層之間。
一個非限制性的實例是，無機電致發光層可以包括反射電極(例如基於鉻的電極)、無機螢光體層(例如硫化鋅)、p-型半導體層(例如Cu2S)以及透明電極(例如ITO電極)，其中(i)無機螢光體層位在反射電極和p-型半導體層之間，以及(ii)p-型半導體層位在無機螢光體層和透明電極之間。
另一個非限制性的實例是，無機電致發光層可以包括反射電極(例如基於鉻的電極)、無機螢光體層(例如硫化鋅)、p-型半導體層(例如Cu2S)以及金屬網電極(例如金、銀或鋁網)，其中(i)無機螢光體層位在反射電極和p-型半導體層之間，以及(ii)p-型半導體層位在無機螢光體層和金屬網電極之間。
返回到第一圖，無機偏光層115位在無機電致發光層110和主動矩陣層120之間。無機偏光層並無特別的限制，並且可設以偏振從無機電致發光層發射的光。在一些具體實施例中，無機偏光層包括無機基質內排列的金屬導線。排列的金屬導線具有間距，以有效偏振從無機電致發光層發射的光。例如，該間距可以小於約400nm或小於約300nm。排列的金屬導線可以包括例如鋁、鉻以及鋁和鉻之合金。在一些具體實施例中， 無機基質是陶瓷，例如氧化矽。
在一些具體實施例中，無機偏光層包括無機基質內排列的導電相。例如，無機偏光層可以是透明陶瓷(例如氧化矽)內排列的奈米碳管。美國專利第7,710,649號建議了在透明基板上排列奈米碳管的方法，以獲得偏光層。可以類似地使用這些方法來獲得無機偏光層。另一個實例是，可以在透明陶瓷內排列金屬球，以獲得無機偏光層。美國專利第4,486,213號建議了在玻璃中包括排列的銀球的無機偏光層，也可以使用該無機偏光層。
在一些具體實施例中，無機偏光層是多層的層壓片。一個非限制性的實例是，美國專利第2,982,178號建議的、設以偏振光的多層層壓片，可以使用該多層層壓片。
主動矩陣層120位在液晶層125和無機偏光層115之間。主動矩陣層可以是任何習知的主動矩陣層。例如，主動矩陣層可以是薄膜電晶體層或薄膜二極體層。薄膜電晶體層可以包括形成為在像素電極相交的閘極線和數據線。主動矩陣層可以包括例如至少約1000或至少約1百萬像素。像素的數量可以適用於標準解析度或高解析度顯示器。
液晶層125可以位在透明電極層130和主動矩陣層120之間。一般情況下，可以使用任何習知的液晶層。在一些具體實施例中，液晶層包括位在第一配向層和第二配向層之間的液晶分子。液晶分子可以是例如扭轉向列型液晶，例如氰基聯苯。液晶層也可以包括間隔元件。
透明電極層130位在液晶層125和第二偏光層135之間。透明電極層並無特別的限制，而且可以是例如ITO電極層。透明電極層和主動矩陣層可以一起設以調整施加到液晶層的電壓。調整後的電壓可以改變透過部分液晶層的光量。
第二偏光層135位在彩色濾光層140和透明電極層130之間。第二偏光層並無特別的限制，而且通常可以使用任何習知的偏光層。在一些具體實施例中，第二偏光層可以與無機偏光層相同(例如第二偏光層135與無機偏光層115相同)。第二偏光層也可以是例如摻雜碘的定向聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)或線柵偏光器。一個實例是，美國專利 公開號第2012/0086887號建議的適用於液晶顯示器的線柵偏光器。
彩色濾光層140可以位在第二透明基板145和第二偏光層135之間。彩色濾光層可以包括在黑色矩陣內的彩色濾光元件配置，以防止光從彩色濾光元件之間洩漏。通過選擇性地將光引導到不同顏色的濾光元件，可以調整透過顯示裝置的光顏色。雖然將彩色濾光層圖示為在第二透明基板和第二偏光層之間，但熟悉本技術者在本申請案的教示之引導下將可理解的是，彩色濾光層可以位在顯示裝置的不同區域中。在一些具體實施例中，彩色濾光層可設以接收從無機電致發光層發射的光。因此，例如彩色濾光層可以位在第二透明基板和無機電致發光層之間的任何位置。一個特定的、非限制性的實例是，彩色濾光層可以位在液晶層和第二偏光層之間。
第二透明基板145並無特別的限制，而且通常可以是任何傳送可見光的透明基板。例如，第二透明基板可以是玻璃。
無機偏光層115、無機電致發光層110以及無機基板105可以一起形成複合體150。在一些具體實施例中，該複合體可以是在組裝顯示裝置之前預先形成的。因此，該複合體可以是適合在複合體上形成主動矩陣層的。雖然將該複合體圖示為具有三層，但熟悉本技術者在本申請案的教示之引導下將可理解的是，該複合體中也可以包括另外的層。例如，如以下將進一步討論的，該複合體也可以包括散射層及/或反射層。
第二圖為圖示在本申請案之範圍內的一個顯示裝置實例之示意圖。顯示裝置200通常包括與顯示裝置100相同的組件，因此，顯示裝置200中的組件205-245分別對應於顯示裝置100中的組件105-145。例如，無機偏光層215可以具有與上面討論的無機偏光層100相同的特性。顯示裝置200包括位在無機基板205和無機電致發光層210之間的無機偏光層215。無機電致發光層210可設以發射可見光，該可見光被無機偏光層215偏光然後穿透無機基板205。因此，無機基板205可以是透明的，例如適當的玻璃基板。
無機偏光層215、無機電致發光層210、無機基板205可以一起形成複合體250。在一些具體實施例中，該複合體可以是在組裝顯示裝 置之前預先形成的。因此，該複合體可以是適合在複合體上形成主動矩陣層的。雖然將該複合體圖示為具有三層，但熟悉本技術者在本申請案的教示之引導下將可理解的是，該複合體中也可以包括另外的層。例如，如以下將進一步討論的，該複合體也可以包括散射層及/或反射層。
第三圖為圖示在本申請案之範圍內的一個顯示裝置實例之示意圖。顯示裝置300通常包括與顯示裝置300相同的組件，因此，顯示裝置300中的組件305-345分別對應於顯示裝置100中的組件105-145。 例如，無機電致發光層310可以具有與上面討論的無機電致發光層110相同的特性。顯示裝置300包括位在無機偏光層315和無機電致發光層310之間的無機基板305。無機電致發光層310可設以發射可見光，該可見光穿透無機基板305然後被無機偏光層315偏光。因此，無機基板305可以是透明的，例如適當的玻璃基板。
無機偏光層315、無機電致發光層310、無機基板305可以一起形成複合體350。在一些具體實施例中，該複合體可以是在組裝顯示裝置之前預先形成的。因此，該複合體可以是適合在複合體上形成主動矩陣層的。雖然將該複合體圖示為具有三層，但熟悉本技術者在本申請案的教示之引導下將可理解的是，該複合體中也可以包括另外的層。例如，如以下將進一步討論的，該複合體也可以包括散射層及/或反射層。
顯示裝置(例如第一圖至第三圖中分別繪示的顯示裝置100、顯示裝置200或顯示裝置300)可以視需要地包括散射層。散射層可以位在無機電致發光層和無機偏光層之間。例如，散射層可以位在顯示裝置300中的無機電致發光層310和無機基板305之間。另一個實例是，散射層可以位在顯示裝置300中的無機偏光層315和無機基板305之間。仍另一個實例是，散射層可以位在顯示裝置100中的無機電致發光層110和無機偏光層115之間。
在一些具體實施例中，散射層可以包括分散在無機基質內的散射元件。例如，散射元件可以是分散在氧化矽基質中的氣孔。在一些具體實施例中，散射元件是無機顆粒，例如金屬奈米顆粒。在一些具體實施例中，散射元件可以具有變化的尺寸分布，以獲得充足的散射性質(例如 至少約100nm或至少約400nm的變異)。可以使用銀奈米顆粒作為散射元件，例如Chem.Phys.Letts.421：189-192(2006)中所揭示建議者。
在一些具體實施例中，散射層可以包括無機雙折射顆粒。雙折射顆粒的非限制性實例包括碳化矽(SiC)、氧化鈹(BeO)、三氧化二鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、二氧化錫(SnO2)、硫化鋅(ZnS)、硫化鉛(PbS)、三硒化二砷(As2Se3)、鈮酸鋰(LiNbO3)、鈦酸鋇(BaTiO3)、二氟化鎂(MgF2)、以及磷酸二氫鉀(KH2PO4)。雙折射材料的使用在歐洲專利第1945718號中有進一步的建議。
不受任何特定理論的約束，據信部分來自無機電致發光層的光可以被無機偏光層反射，並且散射層可用來使反射的光重新定向而前往無機偏光層。因此，散射層可以增加穿透無機偏光層的光量，這可以使得顯示裝置有更大的亮度。
顯示裝置也可以視需要地包括反射層。反射層可設以反射從無機電致發光層射向液晶層的光。例如，無機電致發光層可以位在反射層和液晶層之間。因此，反射層可以增加傳送到液晶層的光量，因而提高顯示裝置的亮度。反射層可以是金屬的。例如，反射層可以包括鋁(Al)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉬(Mo)或上述金屬之合金。
如上所討論的，無機電致發光層可以包括反射性的第一電極。因此，反射層是選擇性的。在一些具體實施例中，在無機電致發光層中的第一電極是位在無機電致發光層中的無機螢光體層和反射層之間，其中第一電極是透明的。
本文中揭示的一些具體實施例包括使用顯示裝置的方法。該方法可以包括提供一種顯示裝置。在一些具體實施例中，該顯示裝置可以是本申請案中揭示的任何顯示裝置。例如該顯示裝置可以是第一圖中繪示的顯示裝置100。在一些具體實施例中，顯示裝置包括：設以發射可見光的無機電致發光層；主動矩陣層；位在無機電致發光層和主動矩陣層之間的無機偏光層；液晶層，其中主動矩陣層位在液晶層和無機偏光層之間；以及彩色濾光層。
該方法還可以包括將電壓施加於無機電致發光層，以有效提 供光到液晶層。例如，可以在無機電致發光層中的第一電極和第二電極之間施加電壓，以使電極之間的無機螢光體層有效發射可見光。
在一些具體實施例中，該方法可以包括調整施加於主動矩陣層區域的電壓，以調整來自無機電致發光層並透射通過顯示裝置的光量。 熟悉本技術者在本申請案的教示之引導下將可理解的是，改變主動矩陣層區域中的電壓可以局部地使液晶層中的液晶分子重新定向。液晶分子的重新定向可以在光透射通過液晶層時改變光被偏光的方向。這將接著影響透射通過第二偏光層的光量。
本文中揭示的一些具體實施例包括複合體。在一些具體實施例中，該複合體可以有利地提供預先形成的組件，用以組裝顯示裝置。在一些具體實施例中，在製作顯示裝置的製程期間，可以將主動矩陣層形成於該複合體的一側上。
該複合體可以包括設以發射可見光的無機電致發光層(例如第一圖中繪示的無機電致發光層110)和設以接收無機電致發光層之發射光的無機偏光層(例如第一圖中繪示的無機偏光層115)。複合體之非限制性實例包括分別繪示於第一圖至第三圖的複合體150、複合體250及複合體350。
複合體中的無機電致發光層可以具有與上述顯示裝置中的無機電致發光層相同的特性。例如，無機電致發光層可以包括反射電極、無機螢光體層、p-型半導體層及透明電極。
複合體中的無機偏光層也可以具有與上述顯示裝置中的無機偏光層相同的特性。例如，無機偏光層可以包括無機透明基質內的排列金屬線，其中排列金屬線具有的間距可以有效偏振無機電致發光層發射的光。另一個實例是，無機偏光層可以包括排列在無機透明基質(例如玻璃)中的奈米碳管。
該複合體還可以包括無機基板(例如第一圖中繪示的無機基板105)。無機基板可以具有與上述顯示裝置中的無機基板相同的特性。例如，無機基板可以是透明的，或者在某些架構中，無機基板可以是不透明的。在一些具體實施例中，無機基板為玻璃。無機基板的位置並無特別的 限制。在一些具體實施例中，無機電致發光層係位在無機基板和無機偏光層之間(例如第一圖的複合體150中所圖示)。在一些具體實施例中，無機偏光層係位在無機電致發光層和無機基板之間(例如第二圖的複合體250中所圖示)。在一些具體實施例中，無機基板係位在無機電致發光層和無機偏光層之間(例如第三圖的複合體350中所圖示)。
該複合體也可以視需要地包括如上關於顯示裝置所討論的反射層及/或散射層。例如，該複合體可以包括位在無機電致發光層和無機偏光層之間的散射層。另一個實例是，該複合體具有位在反射層和無機偏光層之間的無機電致發光層。
本文所揭示的一些具體實施例包括製作顯示裝置的方法。該方法可被用於例如製備本申請案中揭示的任何顯示裝置。該方法可以包括提供一種複合體、在該複合體上形成主動矩陣層以及在該複合體和第二偏光層之間配置液晶層。
該複合體可以是本申請案中揭示的任何複合體。例如，該複合體可以包括設以發射可見光的無機電致發光層和設以接收無機電致發光層之發射光的無機偏光層。在一些具體實施例中，該複合體可以是第一圖至第三圖中分別圖示的複合體150、複合體250或複合體350。
主動矩陣層可以被形成在複合體的一側上，使得無機偏光層位在主動矩陣層和無機電致發光層之間(例如第一圖中所繪示的，無機偏光層115位在主動矩陣層120和無機電致發光層110之間)。美國專利第6,927,087號和第7,517,735號建議了用以形成主動矩陣層的適當程序之非限制性實例。在一些具體實施例中，形成主動矩陣層包含化學氣相沉積或雷射退火。這些程序(以及其他的程序)需要高溫，因此，在一些具體實施例中，形成主動矩陣層包含在至少約300℃的溫度下加熱複合體。例如，雷射退火步驟可以將部分的複合體加熱到約350℃或更高的溫度。在一些具體實施例中，本申請案中揭示的複合體可以承受這些通常用於製備主動矩陣層的高處理溫度。因此，該複合體可以有利地允許在液晶層的同一側上形成主動矩陣層作為無機電致發光層。
在複合體上形成主動矩陣層之後，可以將液晶層配置在主動 矩陣層和第二偏光層之間。一個實例是，可以將第一配向層形成在主動矩陣層上，並且可以將第二配向層形成在第二偏光層上。可以將第一配向層和第二配向層密封在一起，並在該等配向層之間加入適當的液晶分子。第二偏光層和液晶層可以具有與上面關於顯示裝置所討論的相同的特性。
本文所揭示的一些具體實施例包括製作複合體的方法。該方法可用於例如製備第一圖所繪示的複合體150。該方法可以包括在無機基板上形成無機電致發光層以及在無機電致發光層上形成無機偏光層。
在一些具體實施例中，無機電致發光層可以藉由濺射、電子束沉積、印刷或雷射沉積來形成。例如，可以在無機基板上接續地形成每個反射性金屬電極、無機螢光體層、p-型半導體層及透明電極。在一些具體實施例中，可以藉由光微影在p-型半導體層或無機螢光體層上形成網狀電極。在一些具體實施例中，無機螢光體層可以使用印刷製程、藉由施加無機螢光體與適當的黏結劑(例如聚矽烷)來形成。日本專利申請案公開號2009-339924建議了可用於形成無機電致發光層的適當印刷製程之非限制性實例。
在一些具體實施例中，形成無機偏光層可以包括：在無機電致發光層上施加無機透明材料或其前驅物；在無機電致發光層上的無機透明材料上形成排列的金屬線；以及在排列的金屬線上施加無機透明材料或其前驅物，以在無機透明基質中嵌入排列的金屬線。
第四A圖至第四D圖圖示形成無機偏光層的方法的一個實例之剖視圖。在第四A圖中，無機透明材料410(例如聚矽烷、矽氮烷、矽氧烷或旋塗玻璃)被施加到無機基板400上的無機電致發光層405。可以將適當的奈米壓印模具應用於無機透明材料410，以形成奈米結構層420，奈米結構層420具有排列的奈米結構，如第四B圖所示。此步驟可以視需要地包括使用例如紫外線輻射或加熱來固化無機透明材料。具體的實例是，可以將聚矽烷施加於電致發光層並應用模具，同時使該層曝露於紫外線輻射。也可以使模製的聚矽烷曝露於氧電漿並加熱，以將聚矽烷轉化成氧化矽。在第四C圖，適當的金屬之斜向氣相沉積可以形成具有間距的金屬導線430，該間距對應於奈米結構層420中的圖案。日本專利申請案公開 號2011-59370建議了形成金屬線的斜向氣相沉積技術之實例。在第四D圖，金屬導線430可以被嵌入無機透明材料中。一個實例是，可以藉由濺射施加聚矽烷、矽氮烷、矽氧烷或旋塗玻璃，並且可以視需要使用紫外線、熱及/或氧電漿來處理聚矽烷、矽氮烷、矽氧烷或旋塗玻璃。
也可以藉由適當的光微影及/或蝕刻技術來形成排列的金屬線。例如，可以施加無機透明材料，然後在無機透明材料上形成犧牲層(例如藉由光微影)。該犧牲層可以具有排列金屬線之負圖案。然後可以將適當的金屬施加到該犧牲層並曝露出無機透明材料區域(例如藉由濺射)，然後可以藉由剝離法形成排列的金屬線。日本專利第4442760號提供了用以形成偏光層的適當剝離程序之非限制性實例。另一個實例是，可以將金屬膜形成在無機透明材料上，然後應用圖案化的遮罩。然後可以依據遮罩圖案蝕刻金屬膜，以形成排列的金屬線。美國專利第7,106,507號建議了形成偏光層的蝕刻程序之非限制性實例。
該方法也可以視需要地包括形成反射層。例如，可以在形成無機電致發光層之前藉由濺射將金屬反射層施加於無機基板。該方法還可以視需要地包括形成散射層。例如，在形成無機偏光層之前，可以藉由濺射將包括銀奈米顆粒的無機透明材料施加於無機電致發光層。
本文所揭示的一些具體實施例包括製作複合體的方法。例如，該方法可用於製備第二圖中繪示的複合體250。該方法可以包括在無機基板上形成無機偏光層及在無機偏光層上形成無機電致發光層。一般情況下，可以使用上述的相同方法來製備複合體，不同之處在於無機偏光層係位在無機基板和無機偏光層之間。
可以例如使用與第四A圖至第四D圖所圖示的方法類似的奈米壓印技術來形成無機偏光層。不是將無機透明材料施加於無機電致發光層405，而是可以將無機偏光層直接施加於無機基板400。其餘程序可以保持不變。或者，可以使用適當的蝕刻或剝離方法來在無機基板上的無機透明基質中形成排列的金屬線。
可以使用與上述相同的方式形成無機電致發光層，不同之處在於可以將無機電致發光層形成在無機偏光層上。該方法還可以視需要地 包括在複合體中形成散射層及/或反射層。
本文所揭示的一些具體實施例包括製作複合體的方法。例如，該方法可用於製備第三圖中繪示的複合體350。該方法可以包括在無機基板的第一側上形成無機偏光層及在無機偏光層的第二側上形成無機電致發光層。一般情況下，可以使用上述的相同程序來製備複合體，不同之處在於無機偏光層和無機基板係位在無機基板的相反側上。
可以例如使用與第四A圖至第四D圖所圖示的方法類似的奈米壓印技術來形成無機偏光層。不是將無機透明材料施加於無機電致發光層405，而是可以將無機偏光層直接施加於無機基板400。其餘程序可以保持不變。或者，可以使用適當的蝕刻或剝離方法來在無機基板上的無機透明基質中形成排列的金屬線。
可以使用與上述相同的方式(例如藉由濺射)形成無機電致發光層，不同之處在於可以將無機電致發光層形成在無機基板上與無機偏光層相對的一側上。可以在形成無機偏光層之前或之後形成無機電致發光層。
該方法還可以視需要地包括在複合體中形成散射層及/或反射層。可以將散射層形成在無機玻璃基板的任一側上。也就是說，散射層可以位在無機偏光層和無機基板之間，或是散射層可以位在無機電致發光層和無機基板之間。在一些具體實施例中，可以在形成無機電致發光層之前將散射層形成在無機基板上。在一些具體實施例中，可以在形成無機偏光層之前將散射層形成在無機基板上。
關於本文中所使用大致上任何複數及/或單數的術語，在本技術領域中具有通常知識者可以從複數轉變為單數及/或從單數轉變為複數，只要對上下文及/或申請書適當即可。為了清楚起見，本文中可以明確提出各種單數/複數的變換。
本技術領域中具有通常知識者將理解的是，在一般情況下，本文中所使用的術語，特別是在所附申請專利範圍(例如所附申請專利範圍的主體)中的術語通常意圖為「開放性」術語(例如術語「包括」(including)應被解釋為「包括但不限於」，術語「具有」應被解釋為「至少具有」，術 語「包括」(includes)應被解釋為「包括但不限於」等)。本技術領域中具有通常知識者將進一步瞭解的是，假使意圖引用特定項次的申請專利範圍詳述，則這樣的意圖將被明確地記載在申請專利範圍中，並且在沒有這種記載時則無這樣的意圖存在。舉例來說，為了幫助瞭解，以下所附的申請專利範圍可以包含使用引入性片語「至少一」及「一或多個」來介紹申請專利範圍詳述。然而，這種片語的使用不應被解讀為暗示藉由不定冠詞「一」(a、an)引入的申請專利範圍詳述可以將任何含有這種引入的申請專利範圍詳述的特定申請專利範圍限制於只含有一個這種詳述的具體實施例，即使是在相同的申請專利範圍包括引入性片語「一或多個」或「至少一」和不定冠詞例如「一」(例如「一」應被解釋為意指「至少一」或「一或多個」)之時；對於使用用以引入申請專利範圍詳述的定冠詞亦同樣適用。此外，即使明確敘述了引入的申請專利範圍詳述之特定項次，但本技術領域中具有通常知識者將理解到，這樣的詳述應被解釋為意指至少該記載的項次(例如，沒有其他修飾僅僅詳述「兩個詳述」，意指至少兩個詳述，或兩個或更多的詳述)。此外，在這些使用類似於「A、B及C中之至少一者」的慣例用語之情況下，一般來說在意識到本技術領域中具有通常知識之人士會瞭解該慣例用語之下才會意圖使用這樣的結構(例如「具有A、B及C中之至少一者的系統」將包括但不限於具有單獨A的系統、具有單獨B的系統、具有單獨C的系統、具有A和B一起的系統、具有A和C一起的系統、具有B和C一起的系統及/或具有A、B及C一起的系統等)。在這些使用類似於「A、B或C等中之至少一者」的慣例用語之情況下，一般來說在意識到本技術領域中具有通常知識之人士會瞭解該慣例用語之下才會意圖使用這樣的結構(例如「具有A、B或C中之至少一者的系統」將包括但不限於具有單獨A的系統、具有單獨B的系統、具有單獨C的系統、具有A和B一起的系統、具有A和C一起的系統、具有B和C一起的系統及/或具有A、B及C一起的系統等)。本技術領域中具有通常知識者將進一步瞭解到，應將幾乎所有呈現兩個或更多的替代性術語的轉折字及/或片語(無論是在實施方式、申請專利範圍或圖式中)理解為構思包括其中一個術語、包括任一術語或兩個術語皆有的可能性。舉例來說，片語「A或B」將被理 解為包括「A」或「B」或「A和B」的可能性。
此外，在以馬庫西群組的方式描述本揭示之特徵或態樣之處，本技術領域中具有通常知識者將理解到，藉此也以馬庫西群組之任何個別成員或成員之次群組的方式描述了本揭示。
如本技術領域中具有通常知識之人士將瞭解的，為了任何和所有的目的，例如以提供書面描述的方式，本文所揭示的所有範圍也包括任何和所有可能的子範圍及其子範圍之組合。可以很容易地將任何列示的範圍理解為充分地描述並使相同的範圍能夠被細分為至少相等的二分之一、三分之一、四分之一、五分之一、十分之一等。作為非限制性的實例，可以很容易地將本文所討論的每個範圍細分成下三分之一、中三分之一及上三分之一等。如本技術領域中具有通常知識之人士亦將瞭解的，所有的語言文字，例如「高達」、「至少」、「大於」、「小於」以及類似者皆包括記載的項次，並且如上面所討論的指稱隨後可被分解成子範圍的範圍。最後，如本技術領域中具有通常知識之人士將瞭解到的，一個範圍包括每個個別的成員。因此，舉例來說，具有1-3個物件的群組係指具有1、2或3個物件的群組。同樣地，具有1-5個物件的群組係指具有1、2、3、4或5個物件的群組，以此類推。
雖然已經在本文中揭示了各種態樣和具體實施例，但是對於本技術領域中具有通常知識者而言，其它的態樣和具體實施例也將是顯而易見的。本文所揭示的各種態樣和具體實施例是為了說明的目的，並非意圖為限制性的，並且真正的範圍和精神係由以下的申請專利範圍來表明。
本技術領域中具有通常知識之人士將可理解到，對於本製程與其他的製程以及本文所揭示的方法，可以以不同的順序實施該等製程和方法中執行的功能。此外，所概述的步驟和操作係僅作為實例而提供，而且在不損害所揭示具體實施例之本質的情況下，某些步驟和操作可以為選擇性的、被組合成更少的步驟和操作，或被擴展到額外的步驟和操作中。
本技術領域中具有通常知識之人士將可理解到，對於本製程與其他的製程以及本文所揭示的方法，可以以不同的順序實施該等製程和方法中執行的功能。此外，所概述的步驟和操作係僅作為實例而提供，而 且在不損害所揭示具體實施例之本質的情況下，某些步驟和操作可以為選擇性的、被組合成更少的步驟和操作，或被擴展到額外的步驟和操作中。
實施例
在以下的實施例中進一步詳細地揭示其它的具體實施例，該等實施例絕無限制申請專利範圍之意圖。
實施例1：形成複合體
清洗厚度約0.5mm的玻璃基板。然後藉由濺射在玻璃基板的一側上形成厚度約200nm的鋁膜。玻璃基板上的鋁膜可以發揮同時作為下電極和反射膜的功能。
將具有莫耳比為4×10-4莫耳比1莫耳的二氧化銥(IrO2)和硫化鋅(ZnS)的粉末混合物濺射在鋁膜上，以形成厚度約5μm的電致發光層。然後藉由濺射將約200nm厚的氧化銦錫(ITO)膜沉積在電致發光層上。
將聚矽烷層以約2μm的厚度旋塗在ITO層上。將模具以約2MPa的壓力壓在聚矽烷層上，以形成寬度約60nm、深度約100nm、以及週期性約120nm的週期線。然後將成型的聚矽烷層用UV輻射照射、氧電漿處理、然後加熱以使聚矽烷層玻璃化。
藉由斜向氣相沉積將鋁施加於週期線，以形成鋁線。然後藉由旋塗將聚矽烷層施加於鋁線，以形成約5μm厚的薄膜。然後將聚矽烷層用UV輻射照射、氧電漿處理、然後加熱以使聚矽烷層玻璃化。然後將此層平坦化，以獲得偏光層。
實施例2：形成複合體
清洗厚度約0.5mm的玻璃基板。然後藉由濺射在玻璃基板的一側上形成厚度約500nm的鉻-鉬合金膜。玻璃基板上的鉻-鉬合金膜可以發揮作為反射膜的功能。
然後將銀膜施加於鉻-鉬合金膜，以形成厚度約50nm的下電極。將具有莫耳比分別為約4×10-4莫耳比約2×10-4比約1莫耳的三氯化銥(IrCl3)、氧化鋅(ZnO)及硫化鋅(ZnS)的粉末混合物濺射在銀膜上，以形成厚度約2μm的電致發光層。然後在電致發光層上濺射厚度約100nm 的Cu2S膜，以形成p-型半導體層。然後藉由濺射將約200nm厚的氧化銦錫(ITO)膜沉積在p-型半導體層上。
將可固化的聚矽烷與直徑從約40nm至約100nm的銀奈米顆粒和直徑約300nm的二氧化鈦(TiO2)奈米顆粒混合。藉由旋塗將該混合物施加於ITO層、用UV輻射照射、氧電漿處理、然後加熱以使聚矽烷玻璃化。該等奈米顆粒可以被均勻地分散在所獲得的散射層中。
將聚矽烷層以約2μm的厚度旋塗在散射層上。然後將聚矽烷層用UV輻射照射、氧電漿處理、然後加熱以使聚矽烷層玻璃化。然後將50nm厚的鋁膜濺射在玻璃化的聚矽烷上。藉由光微影在鋁膜上形成樹脂遮罩，以形成寬度約75nm及週期性約150nm的線圖案。進行乾式電漿蝕刻以獲得鋁線，然後去除光阻。
然後藉由旋塗將聚矽烷層施加於鋁線，以形成約5μm厚的膜。然後將聚矽烷層用UV輻射照射、氧電漿處理、然後加熱以使聚矽烷層玻璃化。然後將此層平坦化以獲得偏光層。
實施例3：形成顯示裝置
藉由化學氣相沉積在實施例1中獲得的複合體之偏光層上形成非晶矽膜。蝕刻該層以獲得薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)層。然後將聚醯亞胺層旋塗在TFT層上，並藉由摩擦在該膜中形成複數個溝槽，以獲得配向層。可以將間隔材料噴灑在配向層上，以保持單元間隙距離。這些步驟產生了顯示裝置的下基板。
藉由使用光微影在玻璃基板的一側上形成彩色濾光層而獲得顯示裝置之上基板。然後，施加環氧層作為外塗層。
將聚矽烷層以約2μm的厚度旋塗在外塗層上。將模具以約2MPa的壓力壓在聚矽烷層上，以形成寬度約60nm、深度約100nm、以及週期性約120nm的週期線。然後將成型的聚矽烷層用UV輻射照射、氧電漿處理、然後加熱以使聚矽烷層玻璃化。
藉由斜向氣相沉積將鋁施加於週期線，以形成鋁線。然後藉由旋塗將聚矽烷層施加於鋁線，以形成約5μm厚的薄膜。然後將聚矽烷層用UV輻射照射、氧電漿處理、然後加熱以使聚矽烷層玻璃化。然後將此 層平坦化，以獲得偏光層。
藉由濺射形成ITO層，以獲得共用電極，然後藉由旋塗施加聚醯亞胺膜並摩擦，以獲得配向層。
將液晶材料逐滴加入下基板上的配向層，然後使上基板與下基板接觸。使用市售的真空層壓設備並使用適當的密封劑將兩個基板加壓黏結。
實施例4：形成顯示裝置
藉由化學氣相沉積在實施例1中獲得的複合體之偏光層上形成非晶矽膜。蝕刻該層以獲得薄膜電晶體(TFT)層。然後將聚醯亞胺層旋塗在TFT層上，並藉由摩擦在該膜中形成複數個溝槽，以獲得配向層。這些步驟產生了顯示裝置的下基板。
藉由使用光微影在玻璃基板的一側上形成彩色濾光層而獲得顯示裝置之上基板。然後，施加環氧層作為外塗層。將聚矽烷層以約2μm的厚度旋塗在外塗層上。將模具以約2MPa的壓力壓在聚矽烷層上，以形成寬度約60nm、深度約100nm、以及週期性約120nm的週期線。然後將成型的聚矽烷層用UV輻射照射、氧電漿處理、然後加熱以使聚矽烷層玻璃化。
藉由斜向氣相沉積將鋁施加於週期線，以形成鋁線。然後藉由旋塗將聚矽烷層施加於鋁線，以形成約5μm厚的薄膜。然後將聚矽烷層用UV輻射照射、氧電漿處理、然後加熱以使聚矽烷層玻璃化。然後將此層平坦化，以獲得偏光層。
藉由濺射形成ITO層，以在偏光層上獲得共用電極。藉由旋塗施加聚醯亞胺膜並摩擦，以獲得用於上基板的配向層。
將液晶材料逐滴加入下基板上的配向層，然後使上基板與下基板接觸。使用市售的真空層壓設備並使用適當的密封劑將兩個基板加壓黏結。
100‧‧‧顯示裝置
105‧‧‧第一無機基板
110‧‧‧無機電致發光層
115‧‧‧無機偏光層
120‧‧‧主動矩陣層
125‧‧‧液晶層
130‧‧‧透明電極層
135‧‧‧第二偏光層
140‧‧‧彩色濾光層
145‧‧‧第二透明基板
150‧‧‧複合體

Claims (69)

  1. 一種顯示裝置，包含：一設以發射可見光的無機電致發光層；一主動矩陣層；一無機偏光層，位在該無機電致發光層和該主動矩陣層之間；一液晶層，其中該主動矩陣層位在該液晶層和該無機偏光層之間；以及一彩色濾光層。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，進一步包含一無機基板，其中該主動矩陣層位在該無機基板和該液晶層之間。
  3. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，進一步包含一反射層，該反射層設以反射該電致發光層發射的光，其中該無機電致發光層位在該反射層和該無機偏光層之間。
  4. 如申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中該反射層為金屬的。
  5. 如申請專利範圍第4項之顯示裝置，其中該反射層包含鋁(Al)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉬(Mo)以及上述金屬之合金中之一或多者。
  6. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該無機電致發光層包含：一第一電極；一p-型半導體層；一無機螢光體層，位在該p-型半導體層和該第一電極之間；以及一第二電極，其中該p-型半導體層位在該無機螢光體層和該第二電極之間。
  7. 如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中該無機螢光體層包含硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、硫硒化鋅(ZnSSe)、硫化鍶(SrS)、硫化鈣(CaS)、硒化鍶(SrSe)或硒硫化鍶(SrSeS)中之一或多者。
  8. 如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中該無機螢光體層具有一約100nm至約50μm的厚度。
  9. 如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中該第一電極層設以反射該無機螢光體層發射的光。
  10. 如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中該第一電極層包含鋁(Al)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉬(Mo)以及上述金屬之合金中之一或多者。
  11. 如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中該第二電極為透明的。
  12. 如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中該第一電極包含一金屬網。
  13. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，進一步包含一散射層，該散射層位在該無機偏光層和該無機電致發光層之間。
  14. 如申請專利範圍第13項之顯示裝置，其中該散射層包含分散在一無機透明基質中的散射元件。
  15. 如申請專利範圍第14項之顯示裝置，其中該散射元件包含無機顆粒。
  16. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該無機偏光層包含一無機透明基質內的排列金屬線，該排列金屬線具有一間距，該間距可有效偏振該無機電致發光層發射的光。
  17. 如申請專利範圍第16項之顯示裝置，其中該排列金屬線包含鋁(Al)、鉻(Cr)以及上述金屬之合金中之一或多者。
  18. 如申請專利範圍第16項之顯示裝置，其中該無機透明基質包含二氧化矽(SiO2)。
  19. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該無機偏光層包含排列的導電相。
  20. 如申請專利範圍第19項之顯示裝置，其中該排列的導電相包含奈米碳管和金屬球中之一或多者。
  21. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該無機偏光層為一多層的層壓片。
  22. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，進一步包含一第二偏光層，其中該液晶層位在該第二偏光層和該無機偏光層之間。
  23. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該液晶層包含位在一第一配向層和一第二配向層之間的扭轉向列型液晶。
  24. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該液晶層位在該彩色濾光層和該無機電致發光層之間。
  25. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中設置該顯示裝置使得一剖面 線與該無機電致發光層、該主動矩陣層、該無機偏光層、該液晶層以及該彩色濾光層相交。
  26. 一種複合體，包含：一設以發射可見光的無機電致發光層；以及一無機偏光層，設以接收該無機電致發光層發射的光，其中該無機偏光層包含一無機透明基質內的排列金屬線，該排列金屬線具有一間距，該間距可有效偏振該無機電致發光層發射的光。
  27. 如申請專利範圍第26項之複合體，進一步包含一無機透明基板。
  28. 如申請專利範圍第27項之複合體，其中該無機電致發光層位在該無機透明基板和該無機偏光層之間。
  29. 如申請專利範圍第27項之複合體，其中該無機偏光層位在該無機透明基板和該無機電致發光層之間。
  30. 如申請專利範圍第27項之複合體，其中該無機透明基板位在該無機電致發光層和該無機偏光層之間。
  31. 如申請專利範圍第26項之複合體，進一步包含一反射層，該反射層設以反射該電致發光層發射的光，其中該無機電致發光層位在該反射層和該無機偏光層之間。
  32. 如申請專利範圍第26項之複合體，其中該無機電致發光層包含：一第一電極；一p-型半導體層；一無機螢光體層，位在該p-型半導體層和該第一電極之間；以及一第二電極，其中該p-型半導體層位在該無機螢光體層和該第二電極之間。
  33. 如申請專利範圍第26項之複合體，進一步包含一散射層，該散射層位在該無機偏光層和該無機電致發光層之間。
  34. 一種製作一顯示裝置的方法，該方法包含：提供一複合體，該複合體包含：一設以發射可見光的無機電致發光層；以及一無機偏光層，設以接收該無機電致發光層發射的光，其中該無機 偏光層包含一無機透明基質內的排列金屬線，該排列金屬線具有一間距，該間距可有效偏振該無機電致發光層發射的光；在該複合體上形成一主動矩陣層；在該複合體和一第二偏光層之間配置一液晶層。
  35. 如申請專利範圍第34項之方法，其中形成該主動矩陣層包含化學氣相沉積或雷射退火。
  36. 如申請專利範圍第34項之方法，其中形成該主動矩陣層包含在一至少約300℃的溫度下加熱該複合體。
  37. 一種製作一複合體的方法，該方法包含：在一無機基板上形成一無機電致發光層；以及在該無機電致發光層上形成一無機偏光層，其中該無機偏光層包含在一無機透明基質內的排列金屬線，該排列金屬線具有一間距，該間距可有效偏振該無機電致發光層發射的光。
  38. 如申請專利範圍第37項之方法，其中形成該無機偏光層包含：將一無機透明材料或該無機透明材料之一前驅物施加於該無機電致發光層；在被施加於該無機電致發光層的該無機透明材料上形成該排列金屬線；以及將該無機透明材料或該無機透明材料之一前驅物施加於該排列金屬線上，以將該排列金屬線嵌入該無機透明基質中。
  39. 如申請專利範圍第38項之方法，進一步包含在被施加於該無機電致發光層的該無機透明材料中形成排列奈米結構。
  40. 如申請專利範圍第39項之方法，其中形成該排列奈米結構包含奈米壓印。
  41. 如申請專利範圍第39項之方法，其中形成該排列金屬線包含在該排列奈米結構上斜向沉積一金屬組合物。
  42. 如申請專利範圍第38項之方法，其中形成該排列金屬線包含：在被施加於該無機電致發光層的該無機透明材料上形成一金屬層；以及 蝕刻該金屬層以形成該排列金屬線。
  43. 如申請專利範圍第38項之方法，其中形成該排列金屬線包含：在被施加於該無機電致發光層的該無機透明材料上施加一圖案化犧牲層；將一金屬組合物施加於該圖案化犧牲層並曝露出被施加於該無機電致發光層的該無機透明材料區域；以及去除該犧牲層以形成該排列金屬線。
  44. 如申請專利範圍第37項之方法，其中形成該無機電致發光層包含在該無機基板上濺射一無機螢光體。
  45. 如申請專利範圍第37項之方法，進一步包含在該無機基板上形成一反射層。
  46. 如申請專利範圍第37項之方法，進一步包含在該電致發光層上形成一散射層。
  47. 一種製作一複合體的方法，該方法包含：在一無機透明基板上形成一無機偏光層，其中該無機偏光層包含在一無機透明基質內的排列金屬線；以及在該無機偏光層上形成一無機電致發光層，其中該排列金屬線具有一間距，該間距可有效偏振該無機電致發光層發射的光。
  48. 如申請專利範圍第47項之方法，其中形成該無機偏光層包含：將一無機透明材料或該無機透明材料之一前驅物施加於該無機透明基板；在被施加於該無機透明基板的該無機透明材料上形成該排列金屬線；以及將該無機透明材料或該無機透明材料之一前驅物施加於該排列金屬線上，以將該排列金屬線嵌入該無機透明基質中。
  49. 如申請專利範圍第48項之方法，進一步包含在被施加於該無機透明基板的該無機透明材料中形成排列奈米結構。
  50. 如申請專利範圍第49項之方法，其中形成該排列奈米結構包含奈米壓印。
  51. 如申請專利範圍第49項之方法，其中形成該排列金屬線包含在該排列奈米結構上斜向沉積一金屬組合物。
  52. 如申請專利範圍第48項之方法，其中形成該排列金屬線包含：在被施加於該無機透明基板的該無機透明材料上形成一金屬層；以及蝕刻該金屬層以形成該排列金屬線。
  53. 如申請專利範圍第48項之方法，其中形成該排列金屬線包含：在被施加於該無機透明基板的該無機透明材料上施加一圖案化犧牲層；將一金屬組合物施加於該圖案化犧牲層並曝露出被施加於該無機透明基板的該無機透明材料區域；以及去除該犧牲層以形成該排列金屬線。
  54. 如申請專利範圍第47項之方法，其中形成該無機電致發光層包含在該無機偏光層上濺射一無機螢光體。
  55. 如申請專利範圍第47項之方法，進一步包含在該電致發光層上形成一反射層。
  56. 如申請專利範圍第47項之方法，進一步包含在該無機偏光層上形成一散射層。
  57. 一種製作一複合體的方法，該方法包含：在一無機透明基板之一第一側上形成一無機偏光層，其中該無機偏光層包含在一無機透明基質內的排列金屬線；及其中該排列金屬線具有一間距，該間距可有效偏振該無機電致發光層發射的光；以及在該無機透明基板之一第二側上形成一無機電致發光層。
  58. 如申請專利範圍第57項之方法，其中形成該無機偏光層包含：將一無機透明材料或該無機透明材料之一前驅物施加於該無機透明基板之該第一側；在被施加於該無機透明基板之該第一側的該無機透明材料上形成該排列金屬線；以及 將該無機透明材料或該無機透明材料之一前驅物施加於該排列金屬線上，以將該排列金屬線嵌入該無機透明基質中。
  59. 如申請專利範圍第58項之方法，進一步包含在被施加於該無機透明基板的該無機透明材料中形成排列奈米結構。
  60. 如申請專利範圍第59項之方法，其中形成該排列奈米結構包含奈米壓印。
  61. 如申請專利範圍第59項之方法，其中形成該排列金屬線包含在該排列奈米結構上斜向沉積一金屬組合物。
  62. 如申請專利範圍第57項之方法，其中形成該排列金屬線包含：在被施加於該無機透明基板之該第一側的該無機透明材料上形成一金屬層；以及蝕刻該金屬層以形成該排列金屬線。
  63. 如申請專利範圍第57項之方法，其中形成該排列金屬線包含：在被施加於該無機透明基板之該第一側的該無機透明材料上施加一圖案化犧牲層；將一金屬組合物施加於該圖案化犧牲層並曝露出被施加於該無機透明基板之該第一側的該無機透明材料區域；以及去除該犧牲層以形成該排列金屬線。
  64. 如申請專利範圍第57項之方法，其中形成該無機電致發光層包含在該無機透明基板之該第二側上濺射一無機螢光體。
  65. 如申請專利範圍第57項之方法，進一步包含在該電致發光層上形成一反射層。
  66. 如申請專利範圍第57項之方法，進一步包含在形成該無機偏光層之前在該無機透明層該第一側上形成一散射層。
  67. 如申請專利範圍第57項之方法，進一步包含在形成該無機電致發光層之前在該無機透明層該第二側上形成一散射層。
  68. 一種使用一顯示裝置的方法，該方法包含：提供該顯示裝置，該顯示裝置包含：一設以發射可見光的無機電致發光層； 一主動矩陣層；一無機偏光層，位在該無機電致發光層和該主動矩陣層之間；一液晶層，其中該主動矩陣層位在該液晶層和該無機偏光層之間；及一彩色濾光層；以及施加一電壓至該無機電致發光層，以有效提供光至該液晶層。
  69. 如申請專利範圍第68項之方法，進一步包含調整一施加於該主動矩陣層區域的電壓，以調整一來自該無機電致發光層並透射通過該顯示裝置的光量。
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