TW201428961A - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

顯示裝置及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201428961A
TW201428961A TW102144340A TW102144340A TW201428961A TW 201428961 A TW201428961 A TW 201428961A TW 102144340 A TW102144340 A TW 102144340A TW 102144340 A TW102144340 A TW 102144340A TW 201428961 A TW201428961 A TW 201428961A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
reflective
substrate
region
display device
thickness
Prior art date
Application number
TW102144340A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI611575B (zh
Inventor
Sang-Hoon Yim
Seong-Min Kim
Kyung-Ho Kim
Kwan-Hyun Cho
Young-Woo Song
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of TW201428961A publication Critical patent/TW201428961A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI611575B publication Critical patent/TWI611575B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G02F1/133555—Transflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10—Beam splitting or combining systems
    • G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
    • G02B27/142—Coating structures, e.g. thin films multilayers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10—Beam splitting or combining systems
    • G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
    • G02B27/144—Beam splitting or combining systems operating by reflection only using partially transparent surfaces without spectral selectivity
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/102—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising tin oxides, e.g. fluorine-doped SnO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本發明提供一種顯示裝置及其製造方法。顯示裝置包含：基板；以及設置於基板表面上，且對應於發光區域之第一反射區域具有第一厚度及對應於非發光區域之第二反射區域具有第二厚度之反射構件。

Description

顯示裝置及其製造方法
相關申請案之交互參照
【0001】
本申請案參照、整合並主張先前於2012年12月6日向韓國智慧財產局提出而因此分配有序號之第10-2012-0141200號申請案之所有權益。
【0002】
本發明大致是關於一種顯示裝置及其製造方法。
 【0003】
傳統之顯示裝置近來已被可攜式薄平板顯示裝置所取代。這些可攜式薄平板顯示裝置與傳統顯示器相比具有尺寸與重量上之優勢。
【0004】
上述於相關技術部分揭露之資訊僅為了加強對本發明背景之了解，因此可能包含不形成已為此技術領域之通常知識者所已知之資訊之先前技術。
 【0005】
本發明提供可以最大反射率及最大反射品質執行鏡射功能而不降低顯示品質之效率之一種顯示裝置。
【0006】
根據本發明之一種樣態，可提供一種顯示裝置包含：基板；以及可設置於基板之表面上，且具有在對應於發光區域之第一反射區域內之第一厚度及在對應於非發光區域之第二反射區域內之第二厚度之反射構件。
【0007】
第一厚度可小於第二厚度，且反射構件在第一反射區域之反射係數可低於反射構件在第二反射區域之反射係數。
【0008】
反射構件可由選自由鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)、鐵(Fe)、鉑(Pt)、汞(Hg)、鎳(Ni)、鎢(W)、釩(V)及鉬(Mo)所組成之群組中之至少之一所形成。
【0009】
反射構件之穿透率之範圍可為約50%至約95%。
【0010】
反射構件在第二反射區域可包含第一反射膜及第二反射膜，且反射構件在第一反射區包含第二反射膜。
【0011】
顯示裝置可進一步包含第二基板，其包含含有發光區域及非發光區域複數個像素在面對反射構件之第二基板之表面上，且在發光區域內包含有機發光元件，有機發光元件包含第一電極、第二電極以及設置於第一電極與第二電極之間之發光層。
【0012】
顯示裝置可進一步包含：於其上像素電極可形成於發光區域中之第一基板；於其上形成面對像素電極之共用電極之第二基板；以及可設置在第一基板與第二基板之間之液晶層。
【0013】
根據本發明之另一種樣態，可提供一種顯示裝置包含：基板；以及反射構件，該反射構件可設置於基板之表面上、具有對應於發光區域之第一反射區域及對應於非發光區域之第二反射區域、且包含在第二反射區域可以第一厚度形成之第一反射膜及在第一反射區域與其中可形成第一反射膜之第二反射區域可以第二厚度形成之第二反射膜。
【0014】
第二厚度可小於第一厚度，且第二反射膜之反射率可低於第一反射膜之反射率。
【0015】
第一反射膜及第二反射膜可由相同材料或不同材料形成。
【0016】
第一反射膜與第二反射膜由鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)、鐵(Fe)、鉑(Pt)、汞(Hg)、鎳(Ni)、鎢(W)、釩(V)及鉬(Mo)所組成之群組中之至少一金屬所形成之單層結構，或者包含任何金屬之多層結構。
【0017】
第二反射膜之穿透率之範圍可為約50%至約95%，且第二反射膜之厚度之範圍可為約60 A至180 A。
【0018】
顯示裝置可進一步包含第二基板，其包含具有發光區域及非發光區域之複數個像素在面對反射構件之第二基板之表面上，且包含有機發光元件，該有機發光元件包含第一電極、第二電極以及設置於第一電極與第二電極之間之發光層。
【0019】
顯示裝置可進一步包含：於其上像素電極可形成於發光區域中之第一基板；於其上可形成面對像素電極之共用電極之第二基板；以及可設置在第一基板與第二基板之間之液晶層。
【0020】
根據本發明之再一種樣態，可提供一種包含發光區域及非發光區域之顯示裝置之製造方法，該方法包含：在對應於發光區域之第一反射區域形成具有第一厚度之第一反射構件於基板之表面上；以及在對應於非發光區域之第二反射區域形成具有第二厚度之第二反射構件於基板之表面上。
【0021】
第一反射構件及第二反射構件可藉由形成第一反射膜於基板之表面上，然後移除第一反射區域內之第一反射膜之部份而同時形成。
【0022】
第一反射構件及第二反射構件可藉由形成第一反射膜於基板之表面上，然後移除第一反射區域內之第一反射膜之部份，及於移除第一反射膜之基板之表面上形成第二反射膜而分別形成。
1~8．．．反射
10、100、110、120、130．．．顯示裝置
20、200、250．．．第一基板
30、300．．．顯示單元
31．．．發光區域
32．．．非發光區域
40、400、270．．．第二基板
70、700、750、770、780．．．反射構件
211．．．緩衝膜
212．．．半導體主動層
213．．．閘極絕緣膜
214．．．閘極電極
215．．．層間絕緣膜
216．．．源極電極
217．．．汲極電極
218．．．保護膜
219．．．像素定義膜
221．．．第一電極
222．．．第二電極
223．．．有機層
350．．．液晶層
450．．．第三基板
500．．．密封構件
751、781．．．第一反射膜
753、783．．．第二反射膜
d1~d10．．．厚度
EL．．．有機發光元件
L1、L2．．．光
P1、P2、P3．．．像素
R1．．．第一反射區域
R2．．．第二反射區域
TR．．．薄膜電晶體
【0023】
本發明更完整之鑑賞，及其許多隨附之優點，將與當其結合附圖並藉由參考下述詳細描述變得更易於理解之本發明同樣地顯而易見，其中相似之標號指相同或相似之元件，其中：
【0024】
第1圖係為描繪根據本發明實施例說明顯示裝置之剖面圖；
【0025】
第2圖係為解釋黏合第1圖之顯示裝置之第一基板與第二基板過程之平面圖；
【0026】
第3圖係為描繪第1圖之顯示裝置之部分剖面圖；
【0027】
第4圖係為描繪第1圖之顯示裝置之比較例之剖面圖；
【0028】
第5圖係為解釋第1圖至第3圖之顯示裝置之鏡射功能之剖面圖；
【0029】
第6圖係為描繪根據本發明另一實施例之顯示裝置之剖面圖；
【0030】
第7圖係為解釋黏合第6圖之顯示裝置之第一基板與第二基板過程之平面圖；
【0031】
第8圖係為描繪根據本發明再一實施例之顯示裝置之剖面圖；
【0032】
第9圖係為解釋第6圖至第8圖之顯示裝置之鏡射功能之剖面圖；
【0033】
第10圖係為描繪第二反射膜之穿透率與訊號對雜訊(S/N)比之間關係之圖表；
【0034】
第11圖係為描繪各種金屬組合之厚度與穿透率之間關係之圖表；
【0035】
第12圖與第13圖係為描繪根據本發明其他實施例之顯示裝置之剖面圖；
【0036】
第14A圖係為描繪利用第4圖所示之本發明比較例之鏡射顯示中之成像系統取得之影像；
【0037】
第14B圖係為描繪顯示在與第14A圖所提供之相同環境下，利用第8圖所示之比較例在鏡射顯示之特定方向上觀察光之結果之影像。
 【0038】
在本文中所使用之用詞「及/或(and/or)」包含一或多個相關表列項目之任一及全部組合。表述詞如「…之至少一(at leat one of)」，當前綴於元件列表時，修改整個元件列表而不修改列表當中之個別元件。
【0039】
如同本發明允許各種改變及眾多實施例，特定之實施例將在說明書中描繪於圖式並詳細敘述。然而，這不是旨在限制本發明於特定實施方式，應當理解的是，不背離本發明之精神與技術範疇之所有改變、等同物及替代物均包含於本發明當中。在本發明之說明當中，相關技術之某些詳細之解釋當其被認為可能不必要的混淆實質發明時將被省略。
【0040】
在本文中所使用之用詞「第一(first)」、「第二(second)」及其類似用詞，「主要(primary)」、「次要(secondary)」及其類似用詞，並不代表任何順序、數量及重要性，而是用於區分一元件、區域、元件、層或部分與另一元件、區域、元件、層或部分。
【0041】
在本文中所使用之名詞僅為了描述特定實施例而非旨在限制例示性實施例。在本文中所用之單數形式之「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」也意圖包括複數形式，除非上下文有明確不同之說明。將更進一步理解的是，本文中所用之用詞「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」指存在所述特徵、整體、步驟、操作、構件、元件及/或其群組，但不排除外加或存在一或多個特徵、整體、步驟、操作、構件、元件及/或其群組。
【0042】
在圖式中，層及區域之厚度為清楚起見而被誇大。將被理解的是當元件或層被指形成於另一元件或層上「(formed on)」，其可直接或間接形成於其他元件或層上。亦即，舉例來說，可存在中間元件或層。
【0043】
在可攜式薄平板顯示裝置中，鏡射功能使用外部光線之反射以及顯示功能使用而整合。
【0044】
為了執行鏡射功能，液晶顯示(LCD)裝置可包含半透光鏡。然而，一但使用半透光鏡，因為光穿透之數量減少，透射效率降低且反射效率也同樣降低。
【0045】
此外，因外部光線因為提供於液晶顯示器之複數個電極及其他金屬層而漫反射，當鏡射功能生效時將產生嚴重的模糊。
【0046】
本發明現在將參考其中顯示本發明例示性實施例之附圖做更完整的描述。
【0047】
第1圖係為描繪根據本發明實施例之顯示裝置100之剖面圖。第2圖係為解釋黏合第1圖之顯示裝置100之第一基板200與第二基板400過程之平面圖。第2圖左側顯示第一基板200上之顯示單元300之一部分，及第2圖右側顯示第二基板400上之反射構件700之一部分。
【0048】
參閱第1圖，顯示裝置100包含第一基板200、設置於第一基板200上之顯示單元300、以及第二基板400。
【0049】
第一基板200與第二基板400藉由使用密封構件500彼此黏附。吸溼劑或充填劑可設置在可能藉由密封構件500在第一基板200與第二基板400之間形成之空間。
【0050】
第一基板200及第二基板400之每一個可由具有二氧化矽(SiO2)為主成分之玻璃材料形成。然而，第一基板200及第二基板400不侷限於此，且可由透明塑膠材料形成。
【0051】
設置於第一基板200上之顯示單元300包含複數個像素。在第2圖中，複數個像素，舉例來說，描繪三個像素P1、P2、P3。舉例來說，三個像素P1、P2、P3可為紅色像素、綠色像素及藍色像素。
【0052】
像素P1、P2、P3中之每一個包含發光區域31及非發光區域32。驅動發光區域31之電路可重疊於發光區域31。雖然在第1圖中未顯示，像素P1、P2、P3中之每一個在非發光區域32可包含透射區或者像素P1、P2、P3具有共用透射區。
【0053】
發光區域31是發光元件直接產生可見光且可形成使用者辨認之影像之區域。發光區域31可被形成為具有各種形狀。
【0054】
第二基板400可為密封顯示單元300之封裝構件。反射構件700可形成於第二基板400之表面上。反射構件700可形成於面對第一基板200之第二基板400之表面上。參閱第2圖，反射構件700包含第一反射區域R1及設置環繞於第一反射區域R1之第二反射區域R2。第一反射區域R1對應於發光區域31，及第二反射區域R2對應於非發光區域32。反射構件700當重疊於密封構件500時可延伸至密封構件500或者至密封構件500外側，以儘可能設置遠至第二基板400四邊內之至少一邊之尾端。在此實施例中，第二反射區域R2可設置於第二基板400之尾端。
【0055】
第3圖係為描繪第1圖之顯示裝置100之部分剖面圖。
【0056】
參閱第3圖，有機發光元件EL可設置於形成於第一基板200上之每一個像素之發光區域31中，且薄膜電晶體(TFT)TR可設置於有機發光元件EL下。有機發光元件EL包含第一電極221、第二電極222以及有機層223。有機發光元件EL可電性連接可設置於有機發光元件EL下之薄膜電晶體TR。
【0057】
雖然第3圖中顯示一個薄膜電晶體TR，本實施例不侷限於此，且可設置複數個薄膜電晶體及儲存電容，並且線路如掃描線、資料線及驅動電壓(Vdd)線可進一步連接於複數個薄膜電晶體及儲存電容。
【0058】
緩衝膜211可形成於第一基板200上，半導體主動層212可形成於緩衝膜211上，且閘極絕緣膜213、閘極電極214及層間絕緣膜215形成於半導體主動層212上。緩衝膜211並不是必要元件，因此如果有必要的話可被省略。源極電極216與汲極電極217形成於層間絕緣膜215上。為絕緣膜之保護膜218可形成以覆蓋薄膜電晶體TR。保護膜218可由無機材料及/或有機材料形成。
【0059】
電性連接於薄膜電晶體TR之有機發光元件EL之第一電極221可形成於保護膜218上。第一電極221重疊於薄膜電晶體TR且覆蓋薄膜電晶體TR。
【0060】
由有機及/或無機之絕緣材料形成之像素定義膜219可形成於保護膜218上。透過其暴露一部分之第一電極221之開口形成於像素定義膜219，且有機層223與第二電極222依序層疊於經由開口暴露之第一電極221部分。
【0061】
第一電極221可具有包含透明導體與反射膜之層疊結構。透明導體可由具有高功函數之氧化銦錫 (ITO)、氧化銦鋅 (IZO)、氧化鋅(ZnO)或三氧化二銦(In2O3)所形成。反射膜包含選自於由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)及其合金所組成之群組中之至少一金屬。
【0062】
第二電極222可由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬或其合金所形成。第二電極222可為具有厚度範圍在約100 A至約300 A之薄膜以增加穿透率。因此，有機發光元件EL可為朝向第二電極222形成影像之頂發光型有機發光元件。
【0063】
有機層223可具有單層結構，或者包含如電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)及電子注入層(EIL) 之至少一功能層及發光層(EML)之多層結構。有機層223可由低分子量之有機材料或高分子量之有機材料形成。當有機層223發射紅色光、綠色光以及藍色光時，發光層可根據紅色子像素、綠色子像素以及藍色子像素分別圖樣化為紅色發光層、綠色發光層以及藍色發光層。當有機層223發射白光時，發光層可為具有其中層疊紅色發光層、綠色發光層以及藍色發光層之多層結構，或者包含紅色發光材料、綠色發光材料及藍色發光材料之單層結構。
【0064】
反射構件700可形成於第二基板400面對第一基板200之表面上。反射構件700可為由可反射外部光線之材料所形成之反射器，且可包含預定金屬。舉例來說，反射構件700可包含鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)、鐵(Fe)、鉑(Pt)、汞(Hg)、鎳(Ni)、鎢(W)、釩(V)或鉬(Mo)。
【0065】
參閱第3圖，反射構件700在對應於發光區域31之第一反射區域R1之厚度d1可小於反射構件700在第二反射區域R2之厚度d2。更佳地，反射構件700在第一反射區域R1之厚度d1可為反射構件700在第二反射區域R2之厚度d2的1/10。舉例來說，反射構件700在第二反射區域R2之厚度d2可為約1000 A。這是因為1000 A之厚度d2可導致0%之穿透率及95%或更多之反射率。反射構件700在第一反射區域R1之厚度d1可為約100 A。這是因為100 A之厚度d1可導致約50%至約95%之穿透率。
【0066】
反射構件700之第一反射區域R1及第二反射區域R2可由相同材料所形成。舉例來說，在第一反射區域R1具有厚度d1之反射構件700可藉由形成反射膜於第二基板400之表面上，然後蝕刻對應發光區域31之反射構件700之部分以移除部分反射構件700而形成。
【0067】
由於反射構件700在第一反射區域R1之厚度d1與反射構件700在第二反射區域R2之厚度d2彼此有所差異，反射構件700之反射率在第一反射區域R1與第二反射區域R2也有所不同。反射構件700在其中反射構件700之厚度d1可為較小之第一反射區域R1之反射率小於反射構件700在其中反射構件700之厚度d2為較大之第二反射區域R2之反射率。
【0068】
在第3圖中，雖然在第一反射區域R1之反射構件700與在第二反射區域R2之反射構件700是由相同材料所形成，但本實施例不以此為限。舉例來說，在第一反射區域R1之反射構件700，可由具穿透率高於第二反射區域R2之反射構件700之材料所形成，且可形成小於第二反射區域R2之反射構件700之厚度。
【0069】
在本實施例中，影像可藉由使用發光區域31內之有機發光元件EL發射之光L1來顯示，且在有機發光元件EL不發射光L1時，可藉由使用外部光線被反射構件700反射時所獲得之光L2來執行鏡射功能。在此實施例中，由於包含對應於發光區域31之反射構件700，漫反射可被最小化且鏡射功能之效率可被改善。
【0070】
第4圖係為描繪第1圖之顯示裝置100之比較例之剖面圖。第5圖係為解釋第1圖至第3圖之顯示裝置100之鏡射功能之剖面圖。
【0071】
第4圖之顯示裝置10包含第一基板20、第二基板40以及可設置於第一基板20與第二基板40之間之顯示單元30。設置於第一基板20上之顯示單元30包含有機發光元件EL可設置於其中之發光區域31及環繞發光區域31設置之非發光區域32。驅動有機發光元件EL之電路可重疊於有機發光元件EL。反射構件70可設置在第二基板40面對第一基板20之表面上。反射構件70對應於顯示單元30之非發光區域32。也就是說，第4圖之顯示裝置10於第二基板40上不包含對應發光區域31之反射構件。
【0072】
當在發光區域31內之有機發光元件EL不發射光，顯示裝置10藉由使用外部光線之反射執行鏡射功能。外部光線之反射包含藉由非發光區域32內之反射構件70之反射1，及藉由構成發光區域31內之有機發光元件EL之電極之反射2。藉由反射構件70之反射1包含鏡面反射，而藉由有機發光元件EL之反射2包含漫反射。
【0073】
鏡面反射對漫反射之比例可表示為(反射區域面積x反射率)。當假定發光區域31之反射全部為漫反射，第4圖之比較例中，鏡面反射對漫反射之比例定義如方程式1所示。
【0074】
鏡面反射：漫反射= c × C : b × B…(1)，其中c為非發光區域32之面積、C為反射構件70之反射率、b為發光區域31之面積及B為有機發光元件EL之反射率。
【0075】
當漫反射增加，影像模糊之程度相應地增加。因此，為了提升鏡射品質，需要最小化漫反射。
【0076】
參閱第5圖，包含對應於發光區域31之第一反射區域R1及對應於非發光區域32之第二反射區域R2之反射構件700可設置於第二基板400之表面上。反射構件700在第一反射區域R1之厚度d1可約為反射構件700在第二反射區域R2之厚度d2之1/10。因此，反射構件700在第一反射區域R1之反射率可低於反射構件700在第二反射區域R2之反射率。
【0077】
當發光區域31內之有機發光元件EL不發射光，顯示裝置100藉由使用外部光線之反射執行鏡射功能。外部光線之反射包含藉由第二反射區域R2內之反射構件700之反射3、藉由第一反射區域R1內之反射構件700之反射4以及藉由構成發光區域31內之有機發光元件EL之電極之反射5。藉由反射構件700之反射3、4包含鏡面反射，而藉由有機發光元件EL之反射5包含漫反射。
【0078】
因此，鏡面反射對漫反射之比例可定義如方程式2所示。
【0079】
鏡面反射：漫反射= c × C + b × A : b × B × A’ × A’…(2)，其中c為非發光區域32之面積、C為反射構件700在第二反射區域R2之反射率、A為反射構件700在第一反射區域R1之反射率、A’為反射構件700在第一反射區域R1之穿透率、b為發光區域31之面積及B為有機發光元件EL之反射率。
【0080】
方程式2中之鏡面反射組成因為(b × A)而高於方程式1中之鏡面反射組成，且方程式2中之漫反射組成因為(b × B × A’ × A’)而低於方程式1中之漫反射組成。因此，由於藉由對應於發光區域31之第一反射區域R1之反射構件700之鏡面反射增加且漫反射被最小化，可有效地防止模糊且顯示裝置100之鏡射與顯示功能可有效地執行。
【0081】
第6圖係為描繪根據本發明另一實施例之顯示裝置110之剖面圖。第7圖係為解釋黏合第6圖之顯示裝置110之第一基板200與第二基板400過程之平面圖。第7圖左側顯示第一基板200上之顯示單元300之一部分，及第7圖右側顯示第二基板400之反射構件750之一部分。
【0082】
參閱第6圖，顯示裝置110包含第一基板200、設置於第一基板200上之顯示單元300以及第二基板400。
【0083】
第一基板200與第二基板400藉由使用密封構件500彼此黏附。吸溼劑或充填劑可設置在可藉由密封構件500在第一基板200與第二基板400之間所形成之空間中。
【0084】
第一基板200及第二基板400之每一個可由具有二氧化矽(SiO2)為主成分之玻璃材料形成。然而，第一基板200及第二基板400不侷限於此，且可由透明塑膠材料形成。
【0085】
設置於第一基板200上之顯示單元300包含複數個像素。在第7圖中，複數個像素，舉例來說，描繪三個像素P1、P2、P3。舉例來說，三個像素P1、P2、P3可為紅色像素、綠色像素及藍色像素。
【0086】
像素P1、P2、P3中之每一個包含發光區域31及非發光區域32。驅動發光區域31之電路可重疊於發光區域31。雖然在第6圖中未顯示，像素P1、P2、P3中之每一個在非發光區域32可包含透射區或者像素P1、P2、P3具有共用透射區。
【0087】
發光區域31可為發光元件直接產生可見光且可形成使用者辨認之影像之區域。發光區域31可被形成為具有各種形狀。
【0088】
第二基板400可為密封顯示單元300之封裝構件。反射構件750可形成於第二基板400之表面上。反射構件750可形成於面對第一基板200之第二基板400之表面上。參閱第7圖，反射構件750可包含第一反射區域R1及設置環繞於第一反射區域R1之第二反射區域R2。第一反射區域R1對應於發光區域31，及第二反射區域R2對應於非發光區域32。反射構件750當重疊於密封構件500時可延伸至密封構件500或者至密封構件500外側，以設置於第二基板400四邊內之至少一邊之尾端。在此實施例中，第二反射區域R2可設置於第二基板400之尾端。
【0089】
第8圖係為描繪第6圖之顯示裝置110之部分剖面圖。
【0090】
參閱第8圖，有機發光元件EL可設置於每一個像素之發光區域31中，且薄膜電晶體TR可設置於有機發光元件EL下。
【0091】
雖然第8圖中顯示一個薄膜電晶體TR，本實施例不侷限於此，且可設置複數個薄膜電晶體及儲存電容，並且線路如掃描線、資料線及驅動電壓(Vdd)線可進一步連接於複數個薄膜電晶體及儲存電容。有機發光元件EL可包含第一電極221、第二電極222以及有機層223。有機發光元件EL可電性連接於設置於有機發光元件EL下之薄膜電晶體TR。第8圖中之有機發光元件EL與薄膜電晶體TR與第3圖中之有機發光元件EL與薄膜電晶體TR相同，因此將不在此處給予其詳細之說明。
【0092】
反射構件750可形成於第二基板400面對第一基板200之表面上。反射構件750可為由可反射外部光線之材料形成之反射器且可包含預定金屬。
【0093】
參閱第8圖，反射構件750可包含第一反射膜751及第二反射膜753。在對應於發光區域31之第一反射區域R1之反射構件750可包含第二反射膜753。在對應於非發光區域32之第二反射區域R2之反射構件750可包含自第二基板400依序層疊之第一反射膜751與第二反射膜753。第一反射膜751與第二反射膜753中之每一個可具有由包含鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)、鐵(Fe)、鉑(Pt)、汞(Hg)、鎳(Ni)、鎢(W)、釩(V)或鉬(Mo)之材料所形成之單層結構。另外，第一反射膜751與第二反射膜753中之每一個可具有其中任何金屬可設置於透明導電之氧化金屬之間之多層結構。舉例來說，第一反射膜751與第二反射膜753中之每一個可具有如氧化銦錫/銀/氧化銦錫 (ITO/Ag/ITO)之三層結構。第二反射膜753之厚度d4可小於第一反射膜751之厚度d3。
【0094】
反射構件750在第一反射區域R1之厚度與第二反射膜753之厚度d4相同。反射構件750在第二反射區域R2之厚度等同於第一反射膜751之厚度d3與第二反射膜753之厚度d4之加總厚度d5。更佳地，反射構件750在第一反射區域R1之厚度d4可大約為反射構件750在第二反射區域R2之厚度d5之1/10。舉例來說，反射構件750在第二反射區域R2之厚度d5可為約1000 A。這是因為1000 A之厚度d5可導致0%之穿透率及95%或更多之反射率。反射構件750在第一反射區域R1之厚度d4可為約100 A。這是因為100 A之厚度d4可導致約50%至約95%之穿透率。
【0095】
反射構件750之第一反射膜751與第二反射膜753可由相同材料形成。然而，本實施例不侷限於此，且只要反射構件750在第一反射區域R1之穿透率可高於反射構件750在第二反射區域R2之穿透率，第一反射膜751與第二反射膜753可由不同材料形成。舉例來說，反射構件750可藉由在第二基板400之表面上形成第一反射膜751，充分地蝕刻第一反射膜751對應於發光區域31之部分以移除對應於發光區域31之第一反射膜751，以及形成以與第一反射膜751相同或不同之材料形成之第二反射膜753於第二基板400之整體表面上而形成。
【0096】
由於反射構件750在第一反射區域R1之厚度d4可與反射構件750在第二反射區域R2之厚度d5不同，反射構件750在第一反射區域R1之反射率與反射構件750在第二反射區域R2之反射率彼此不同。反射構件750在其中反射構件750之厚度d4較小之第一反射區域R1之反射率，小於反射構件750在其中反射構件750之厚度d5較大之第二反射區域R2之反射率。
【0097】
第6圖之顯示裝置110可藉由使用有機發光元件EL發射之光L1來顯示影像，且在有機發光元件EL不發射光L1時，可藉由使用反射構件750反射外部光線時所獲得之光L2來執行鏡射功能。
【0098】
第9圖係為解釋第6圖至第8圖之顯示裝置110鏡射功能之剖面圖。
【0099】
參閱第9圖，包含對應於發光區域31之第一反射區域R1及對應於非發光區域32之第二反射區域R2之反射構件750可設置於第二基板400之表面上。反射構件750在第一反射區域R1之厚度d4可大約為反射構件750在第二反射區域R2之厚度d5之1/10。因此，反射構件750在第一反射區域R1之反射率可低於反射構件750在第二反射區域R2之反射率。
【0100】
當發光區域31內之有機發光元件EL不發射光，顯示裝置110藉由使用外部光線之反射執行鏡射功能。外部光線之反射可包含藉由第二反射區域R2內之反射構件750之反射6、藉由第一反射區域R1內之反射構件750之反射7以及藉由構成發光區域31內之有機發光元件EL之電極之反射8。藉由反射構件750之反射6、7包含鏡面反射，及藉由有機發光元件EL之反射8可包含漫反射。當第一反射膜751與第二反射膜753由相同材料形成，鏡面反射對漫反射之比例定義如方程式3所示。
【0101】
鏡面反射：漫反射= c × C + b × D : b × B × D’ × D’…(3)，其中c為非發光區域32之面積、C為反射構件750在第二反射區域R2之反射率、D為反射構件750在第一反射區域R1之反射率、D’為反射構件750在第一反射區域R1之穿透率、b為發光區域31之面積及B為有機發光元件EL之反射率。
【0102】
方程式3中之鏡面反射組成可因為(b × D)而高於方程式1中之鏡面反射組成，且漫反射組成可因為(b × B × D’ × D’)而低於方程式1中之漫反射組成。因此，由於藉由對應於發光區域31之第一反射區域R1中之反射構件750之鏡面反射增加且漫反射被最小化，可有效地防止模糊且顯示裝置110之鏡射與顯示功能可有效地執行。
【0103】
即使第一反射膜751與第二反射膜753以不同材料形成，由於可增加藉由對應於發光區域31之第一反射區域R1之反射構件750之鏡面反射且漫反射可被最小化，可有效地防止模糊且顯示裝置110之鏡射與顯示功能可有效地執行。
【0104】
設置於發光區域31之第二反射膜753之材料可藉由考慮穿透率來決定。80%之穿透率指效率降低20%，第二反射膜753之穿透率直接影響顯示裝置110之效率。因此，決定第二反射膜753適當之穿透率是重要的。
【0105】
第10圖係為描繪第二反射膜753之穿透率與訊號對雜訊(S/N)比，也就是鏡面反射對漫反射之比例，之間關係之圖表。舉例來說，當發光區域31可包含由具有穿透率為80%之材料形成之第二反射膜753時，比起發光區域31未包含第二反射膜753(也就是100%之穿透率)時，鏡面反射對漫反射之比例高出約64%。第二反射膜753之穿透率可適當地於約50%至約95%的範圍中決定。
【0106】
當第二反射膜753可由金屬形成時，形成均勻之薄膜是重要的。由於過薄之膜係以島狀形成於第一反射區域R1，穿透率根據厚度而有很大之差異。同樣，當第二反射膜753可以島狀形成，藉由第二反射膜753在第一反射區域R1之反射非鏡面反射。因此，具有適當厚度之薄膜可藉由連接第一反射區域R1及第二反射區域R2之第二反射膜753形成時，穿透率根據厚度稍有差異。
【0107】
第11圖係為描繪各種金屬組合之厚度與穿透率之間關係之圖表。參閱第11圖，當厚度等於或小於20 A時，穿透率大幅變化且可能不穩定。當厚度可等於或大於60 A時，穿透率稍微變動，可為相對的穩定及一致。因此，由一或多種金屬組合形成之第二反射膜753可決定具有等於或大於60 A之厚度，且更佳地，60 A至180 A，及約50%至約95%之適當之穿透率範圍。
【0108】
第12圖係為描繪本發明另一實施例之顯示裝置120之剖面圖。
【0109】
參閱第12圖，顯示裝置120可包含第一基板250、第二基板270、設置於第一基板250與第二基板270之間之液晶層350以及第三基板450。
【0110】
第一基板250與第二基板270利用密封構件(圖未示)互相黏合，且液晶層350可設置於第一基板250與第二基板270之間。
【0111】
第一基板250及第二基板270中之每一個可由具有二氧化矽(SiO2)為主成分之透明玻璃材料或透明塑膠材料形成。
【0112】
第一基板250可包含複數個像素，且複數個像素中之每一個可包含發光區域31及非發光區域32。雖然未顯示於第12圖中，包含至少一個薄膜電晶體TR之像素電路及連接至薄膜電晶體TR之像素電極是設置於發光區域31內。
【0113】
面向像素電極之共用電極，且藉由使用光線實現預定色彩顯示之彩色濾光片形成於第二基板270面向第一基板250之表面上。
【0114】
第三基板450可由具有二氧化矽(SiO2)為主成分之透明玻璃材料或透明塑膠材料形成，如同第一基板250及第二基板270中之每一個。反射構件770可形成於第三基板450之表面上。反射構件770可形成於第三基板450面向第二基板270之表面上。反射構件770可包含第一反射區域R1及設置環繞第一反射區域R1之第二反射區域R2。第一反射區域R1對應於發光區域31，且第二反射區域R2對應於非發光區域32。反射構件770可延伸至第三基板450四邊內至少一邊之尾端。在此實施例中，第二反射區域R2可設置於第三基板450之尾端。
【0115】
反射構件770在對應於發光區域31之第一反射區域R1之厚度d6可小於反射構件770在第二反射區域R2之厚度d7。更佳地，反射構件770在第一反射區域R1之厚度d6可為反射構件770在第二反射區域R2之厚度d7的1/10。舉例來說，反射構件770在第二反射區域R2之厚度d7可為約1000 A。這是因為約1000 A之厚度d7可導致0%之穿透率及95%或更多之反射率。反射構件770在第一反射區域R1之厚度d6可為約100 A。這是因為約100 A之厚度d6可導致約50%至約95%之穿透率。
【0116】
反射構件770可為由可反射外部光線之材料所形成之反射器，且可包含預定金屬。舉例來說，反射構件770可包含鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)、鐵(Fe)、鉑(Pt)、汞(Hg)、鎳(Ni)、鎢(W)、釩(V)或鉬(Mo)。
【0117】
反射構件770之第一反射區域R1及第二反射區域R2可由相同材料所形成。舉例來說，在第一反射區域R1具有厚度d6之反射構件770可藉由塗佈反射膜於第三基板450之表面上，然後蝕刻對應於發光區域31之反射構件770之部分而形成。由於反射構件770在第一反射區域R1之厚度d6與反射構件770在第二反射區域R2之厚度d7彼此有所差異，反射構件770之反射率在第一反射區域R1與第二反射區域R2也有所不同。反射構件770在其中反射構件770之厚度d6可為較小之第一反射區域R1之反射率小於反射構件770在其中反射構件770之厚度d7較大之第二反射區域R2之反射率。
【0118】
雖然在第一反射區域R1之反射構件770與在第二反射區域R2之反射構件770是由相同材料所形成，但本實施例不以此為限。舉例來說，在第一反射區域R1之反射構件770，可由具穿透率高於第二反射區域R2之反射構件770之材料所形成，且可形成小於第二反射區域R2之反射構件770之厚度。
【0119】
第12圖之顯示裝置120可藉由調整施加於發光區域31之液晶層350之電場強度，調整由光源發射以被傳送之光L1之數量於螢幕顯示想要之影像，且在影像未顯示時，可藉由使用反射構件770反射外部光線時所獲得之光L2來執行鏡射功能。在此實施例中，由於包含對應於發光區域31之反射構件770，漫反射可被最小化且鏡射功能之效率可被改善。
【0120】
第13圖係為描繪根據本發明另一實施例之顯示裝置130之剖面圖。
【0121】
參閱第13圖，顯示裝置130可包含第一基板250、第二基板270、設置於第一基板250與第二基板270之間，包含液晶層350之液晶顯示(LCD)面板以及第三基板450。第一基板250與第二基板270利用密封構件(圖未示)互相黏合，且液晶層350可設置於第一基板250與第二基板270之間。
【0122】
第一基板250及第二基板270中之每一個可由具有二氧化矽(SiO2)為主成分之透明玻璃材料或透明塑膠材料形成。
【0123】
第一基板250可包含複數個像素，且複數個像素中之每一個可包含發光區域31及非發光區域32。雖然未顯示於第13圖中，包含至少一個薄膜電晶體TR之像素電路以及連接至薄膜電晶體TR之像素電極是設置於發光區域31內。
【0124】
共用電極面向像素電極，且藉由使用光線實現預定色彩顯示之彩色濾光片形成於第二基板270面向第一基板250之表面上。
【0125】
第三基板450可由具有二氧化矽(SiO2)為主成分之透明玻璃材料或透明塑膠材料所形成，如同第一基板250及第二基板270中之每一個。反射構件780可形成於第三基板450之表面上。反射構件780可形成於第三基板450面向第二基板270之表面上。反射構件780可包含第一反射區域R1及設置環繞第一反射區域R1之第二反射區域R2。第一反射區域R1對應於發光區域31，且第二反射區域R2對應於非發光區域32。反射構件780可設置延伸至第三基板450四邊內至少一邊之尾端。在此實施例中，第二反射區域R2可設置於第三基板450之尾端。
【0126】
反射構件780可包含第一反射膜781及第二反射膜783。反射構件780在對應於發光區域31之第一反射區域R1可包含第二反射膜783。反射構件780在對應於非發光區域32之第二反射區域R2可包含自第三基板450依序層疊之第一反射膜781與第二反射膜783。第一反射膜781與第二反射膜783中之每一個可具有由包含鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)、鐵(Fe)、鉑(Pt)、汞(Hg)、鎳(Ni)、鎢(W)、釩(V)或鉬(Mo)之材料所形成之單層結構。另外，第一反射膜781與第二反射膜783中之每一個可具有其中任何金屬可設置於透明導電之金屬氧化物之間之多層結構。舉例來說，第一反射膜781與第二反射膜783中之每一個可具有如氧化銦錫銀/氧化銦錫(ITO/Ag/ITO)之三層結構。第二反射膜783之厚度d9可小於第一反射膜781之厚度d8。
【0127】
反射構件780在第一反射區域R1之厚度與第二反射膜783之厚度d9相同。反射構件780在第二反射區域R2之厚度等同於第一反射膜781之厚度d8與第二反射膜783之厚度d9之加總厚度d10。更佳地，反射構件780在第一反射區域R1之厚度d9可大約為反射構件780在第二反射區域R2之厚度d10之1/10。舉例來說，反射構件780在第二反射區域R2之厚度d10可為約1000 A。這是因為約1000 A之厚度d10可導致0%之穿透率及95%或更多之反射率。反射構件780在第一反射區域R1之厚度d9可為約100 A。這是因為約100 A之厚度d9可導致約50%至約95%之穿透率。
【0128】
反射構件780之第一反射膜781與第二反射膜783可由相同材料形成。然而，本實施例不侷限於此，且只要反射構件780在第一反射區域R1之穿透率可高於反射構件780在第二反射區域R2之穿透率，第一反射膜781與第二反射膜783可由不同材料形成。舉例來說，反射構件780可藉由在第三基板450之表面上塗佈第一反射膜781，充分地蝕刻對應於發光區域31之第一反射膜781之部分，並塗佈以與第一反射膜781相同或不同之材料形成之第二反射膜783於第三基板450之整體表面上而形成。
【0129】
由於反射構件780在第一反射區域R1之厚度d9可與反射構件780在第二反射區域R2之厚度d10彼此不同，反射構件780在第一反射區域R1之反射率與反射構件780在第二反射區域R2之反射率彼此不同。反射構件780在其中反射構件780之厚度d9較小之第一反射區域R1之反射率小於反射構件780在其中反射構件780之厚度d10較大之第二反射區域R2之反射率。
【0130】
顯示裝置130可藉由調整施加於發光區域31之液晶層350之電場強度，調整由光源發射以被傳送之光L1之數量於螢幕顯示想要之影像，且在影像未顯示時，可藉由使用反射構件780反射外部光線時所獲得之光L2來執行鏡射功能。在此實施例中，由於包含對應於發光區域31之反射構件780，漫反射可被最小化且鏡射功能之效率可被改善。
【0131】
雖然頂發射型之顯示裝置已於上述實施例中解釋，但本發明不侷限於此，且可使用其中影像朝向第一基板200或250顯示之底發射型顯示裝置。在此實施例中，入射至第一基板200或250之外部光線可藉由形成於第二基板400或第三基板450上之反射膜700、750、770或780反射，從而執行鏡射功能。同樣的，雖然上述實施例中驅動發光區域之電路重疊於發光區域，本發明不侷限於此，且驅動電路可設置於非發光區域且可不重疊於發光區域。
【0132】
第14A圖及第14B圖提供藉由本發明產生之影像之比較範例。第14A圖顯示使光線在大約40度之入射角度α入射，並藉由使用具有第4圖之結構之鏡射顯示器中之成像系統，在2秒之曝光時間下於垂直方向觀察光線之結果。第14B圖顯示在與第14A圖所提供之相同情況下，具有第8圖之結構之鏡射顯示器在垂直方向上觀察光線之結果。在第14A圖中，邊界漫反射發生於RGB像素邊界表面上之兩(2)列中，而在第14B圖中，RGB像素邊界表面變得平整且因此減少邊界漫反射。
【0133】
雖然有機發光顯示裝置與液晶顯示裝置已於上述實施例中描述，本發明不侷限於此，且顯示功能與鏡射功能可藉由加上具有不同厚度或反射率(穿透率)之反射構件於具有發光區域及非發光區域之顯示裝置上來執行。
【0134】
根據本發明之顯示裝置可包含具有1000 A或更多之厚度之相對較厚之金屬薄膜，以形成具有約100%之高反射率之鏡，且顯示裝置之開口可包含具有適當之穿透率之相對較薄之金屬薄膜，以防止效率下降。因此，顯示裝置可提升反射效率且執行鏡射功能而不降低顯示效率。
【0135】
如上所述，由於具有不同厚度或不同反射率之反射構件可加於發光區域及非發光區域，根據本發明之顯示裝置可藉由最大化反射率及反射品質而不降低顯示品質之效率地執行鏡射與顯示功能。
【0136】
雖然本發明已藉由參照其例示性實施例而具體顯示及描述，將被所屬技術領域之通常知識者理解的是，在不背離本發明下述申請專利範圍所定義之精神與範疇下，可對其做各種形式及內容之改變。
100．．．顯示裝置
200．．．第一基板
300．．．顯示單元
400．．．第二基板
500．．．密封構件
700．．．反射構件

Claims (20)

  1. 【第1項】
    一種顯示裝置，其包含：
    一基板；以及
    一反射構件，設置於該基板之一表面上，且具有在對應於一發光區域之一第一反射區域內之一第一厚度及在對應於一非發光區域之一第二反射區域內之一第二厚度，該第一厚度不同於該第二厚度。
  2. 【第2項】
    如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一厚度係小於該第二厚度。
  3. 【第3項】
    如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該反射構件在該第一反射區域之反射率低於該反射構件在該第二反射區域之反射率。
  4. 【第4項】
    如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該反射構件係由選自於由鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)、鐵(Fe)、鉑(Pt)、汞(Hg)、鎳(Ni)、鎢(W)、釩(V)及鉬(Mo)所組成之群組中之至之少一所形成。
  5. 【第5項】
    如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該反射構件之穿透率之範圍為約50%至約95%。
  6. 【第6項】
    如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該反射構件在該第二反射區域包含一第一反射膜及一第二反射膜，且該反射構件在該第一反射區包含該第二反射膜。
  7. 【第7項】
    如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，進一步包含一第二基板，其包含含有該發光區域及該非發光區域之複數個像素於面對該反射構件之該第二基板之一表面上，且在該發光區域內包含一有機發光元件，該有機發光元件包含一第一電極、一第二電極以及設置於該第一電極與該第二電極之間之一發光層。
  8. 【第8項】
    如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，進一步包含：
    一第一基板，於其上一像素電極形成於該發光區域中；
    一第二基板，於其上形成面對該像素電極之一共用電極；以及
    一液晶層，設置在該第一基板與該第二基板之間。
  9. 【第9項】
    一種顯示裝置，其包含：
    一基板；以及
    一反射構件，設置於該基板之一表面上，具有對應於一發光區域之一第一反射區域及對應於一非發光區域之一第二反射區域，且包含在該第二反射區域以一第一厚度形成之一第一反射膜，及在該第一反射區域與其中形成該第一反射膜之該第二反射區域以一第二厚度形成之一第二反射膜。
  10. 【第10項】
    如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該第二厚度係小於該第一厚度。
  11. 【第11項】
    如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該第二反射膜之反射率係低於該第一反射膜之反射率。
  12. 【第12項】
    如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該第一反射膜及該第二反射膜係由相同材料或不同材料形成。
  13. 【第13項】
    如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該第一反射膜與該第二反射膜中之每一個具有由選自於由鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)、鐵(Fe)、鉑(Pt)、汞(Hg)、鎳(Ni)、鎢(W)、釩(V)及鉬(Mo)所組成之群組中之至少一金屬所形成之一單層結構，或者包含任何金屬之一多層結構。
  14. 【第14項】
    如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該第二反射膜之穿透率之範圍為約50%至約95%。
  15. 【第15項】
    如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該第二反射膜之厚度之範圍為約60 A至180 A。
  16. 【第16項】
    如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，進一步包含一第二基板，其包含具有該發光區域及該非發光區域之複數個像素在面對該反射構件之該第二基板之一表面上，且包含一有機發光元件，該有機發光元件包含一第一電極、一第二電極以及設置於該第一電極與該第二電極之間之一發光層。
  17. 【第17項】
    如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，進一步包含：
    一第一基板，於其上一像素電極形成於該發光區域中；
    一第二基板，於其上形成面對該像素電極之一共用電極；以及
    一液晶層，設置在該第一基板與該第二基板之間。
  18. 【第18項】
    一種包含發光區域及非發光區域之顯示裝置之製造方法，該方法包含：
    在對應於一發光區域之一第一反射區域形成具有一第一厚度之一第一反射構件於一基板之一表面上；以及
    在對應於一非發光區域之一第二反射區域形成具有一第二厚度之一第二反射構件於該基板之該表面上。
  19. 【第19項】
    如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該第一反射構件及該第二反射構件藉由形成一第一反射膜於該基板之該表面上，然後移除該第一反射區域內之該第一反射膜之部份而同時形成。
  20. 【第20項】
    如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該第一反射構件及該第二反射構件藉由形成一第一反射膜於該基板之該表面上，然後移除該第一反射區域內之該第一反射膜之部份，及於移除該第一反射膜之該基板之該表面上形成一第二反射膜而分別形成。
TW102144340A 2012-12-06 2013-12-04 顯示裝置及其製造方法 TWI611575B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120141200A KR101976068B1 (ko) 2012-12-06 2012-12-06 표시 장치 및 이의 제조 방법
??10-2012-0141200 2012-12-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201428961A true TW201428961A (zh) 2014-07-16
TWI611575B TWI611575B (zh) 2018-01-11

Family

ID=50862624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102144340A TWI611575B (zh) 2012-12-06 2013-12-04 顯示裝置及其製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (3) US9059433B2 (zh)
KR (1) KR101976068B1 (zh)
CN (1) CN103855191B (zh)
TW (1) TWI611575B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI703720B (zh) * 2015-03-26 2020-09-01 南韓商三星顯示器有限公司 包含反射層之顯示裝置

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101976068B1 (ko) * 2012-12-06 2019-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6198120B2 (ja) * 2013-07-19 2017-09-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光モジュール及びそれを用いた照明装置
KR102047007B1 (ko) 2013-08-02 2019-11-21 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이의 제조 방법
WO2015045590A1 (ja) * 2013-09-30 2015-04-02 シャープ株式会社 表示装置
KR102303241B1 (ko) * 2014-07-24 2021-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102365036B1 (ko) 2015-02-16 2022-02-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102404720B1 (ko) 2015-03-03 2022-06-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102280883B1 (ko) 2015-03-04 2021-07-27 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102435443B1 (ko) 2015-04-17 2022-08-25 삼성디스플레이 주식회사 거울형 표시 장치
KR102332567B1 (ko) * 2015-04-24 2021-11-30 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US11249229B2 (en) 2015-08-17 2022-02-15 Samsung Display Co., Ltd. Display devices including mirror substrates and methods of manufacturing mirror substrates
KR102464855B1 (ko) 2015-08-17 2022-11-09 삼성디스플레이 주식회사 미러 기판의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치
KR102389668B1 (ko) * 2015-08-19 2022-04-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102409955B1 (ko) * 2015-08-25 2022-06-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR102418520B1 (ko) * 2015-09-04 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102396748B1 (ko) * 2015-09-15 2022-05-13 삼성디스플레이 주식회사 미러 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102460509B1 (ko) 2015-10-06 2022-10-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102426425B1 (ko) 2015-10-07 2022-07-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102467806B1 (ko) 2015-10-23 2022-11-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102449468B1 (ko) * 2015-12-15 2022-09-29 엘지디스플레이 주식회사 반사형 표시장치
KR102447049B1 (ko) * 2016-01-05 2022-09-27 삼성디스플레이 주식회사 대면적 미러 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102454991B1 (ko) * 2016-01-19 2022-10-17 삼성디스플레이 주식회사 미러 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102446875B1 (ko) 2016-01-22 2022-09-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102480850B1 (ko) * 2016-01-25 2022-12-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102478223B1 (ko) * 2016-02-02 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102605957B1 (ko) 2016-02-23 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102515963B1 (ko) * 2016-03-04 2023-03-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102604993B1 (ko) * 2016-05-17 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN107564422B (zh) * 2016-06-30 2020-02-07 群创光电股份有限公司 发光二极管显示装置
KR102531168B1 (ko) 2016-07-26 2023-05-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102631461B1 (ko) * 2016-10-26 2024-01-30 엘지디스플레이 주식회사 발광 영역 및 반사 영역을 포함하는 디스플레이 장치
KR102645631B1 (ko) 2016-11-22 2024-03-08 삼성디스플레이 주식회사 벤디드 표시 장치
US10836200B2 (en) * 2017-11-13 2020-11-17 X Display Company Technology Limited Rigid micro-modules with ILED and light conductor
EP3776659B1 (en) * 2018-03-29 2024-02-14 BOE Technology Group Co., Ltd. Display panel and apparatus, and fabricating method thereof
US10739646B1 (en) * 2019-04-30 2020-08-11 Omnivision Technologies, Inc. Liquid crystal on silicon device mirror metal process

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW556025B (en) * 2001-11-09 2003-10-01 Chi Mei Optoelectronics Corp Transflective liquid crystal display
JP3719433B2 (ja) * 2002-10-30 2005-11-24 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
TWI358053B (en) * 2002-12-06 2012-02-11 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display device having a thin film t
JP2004258128A (ja) 2003-02-24 2004-09-16 Kyocera Corp 半透過型液晶表示装置
JP4062171B2 (ja) * 2003-05-28 2008-03-19 ソニー株式会社 積層構造の製造方法
KR100496425B1 (ko) * 2003-05-30 2005-06-17 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2005332616A (ja) 2004-05-18 2005-12-02 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置および電子機器
JP4637513B2 (ja) 2004-06-25 2011-02-23 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置およびその駆動方法
KR100700006B1 (ko) * 2004-11-23 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR101139522B1 (ko) * 2004-12-04 2012-05-07 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100852115B1 (ko) * 2007-03-07 2008-08-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR100937865B1 (ko) * 2008-03-18 2010-01-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR20100065658A (ko) 2008-12-08 2010-06-17 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치 및 이 발광 장치를 광원으로 사용하는 표시 장치
KR100971752B1 (ko) * 2008-12-11 2010-07-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101649224B1 (ko) * 2008-12-16 2016-08-18 엘지디스플레이 주식회사 백색 전면발광 유기전계발광 표시장치
KR101015845B1 (ko) 2009-02-06 2011-02-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치
KR101065318B1 (ko) * 2009-12-03 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101814769B1 (ko) * 2010-07-07 2018-01-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101788285B1 (ko) * 2010-10-22 2017-10-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20120127085A (ko) * 2011-05-13 2012-11-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101773087B1 (ko) * 2011-06-17 2017-08-31 삼성디스플레이 주식회사 블랙 매트릭스 함유 ｎｄ 필름을 구비한 유기 발광 표시 장치
KR101976068B1 (ko) * 2012-12-06 2019-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI703720B (zh) * 2015-03-26 2020-09-01 南韓商三星顯示器有限公司 包含反射層之顯示裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20170097545A1 (en) 2017-04-06
CN103855191B (zh) 2018-04-24
KR101976068B1 (ko) 2019-05-09
US20150241736A1 (en) 2015-08-27
US10831060B2 (en) 2020-11-10
CN103855191A (zh) 2014-06-11
US9557599B2 (en) 2017-01-31
TWI611575B (zh) 2018-01-11
KR20140073216A (ko) 2014-06-16
US20140160411A1 (en) 2014-06-12
US9059433B2 (en) 2015-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI611575B (zh) 顯示裝置及其製造方法
US9634075B2 (en) Organic light emitting display device
US8692817B2 (en) Organic light-emitting display device
TWI539225B (zh) 顯示設備及其操作方法
KR101730609B1 (ko) 유기전계 발광소자
KR101241131B1 (ko) 유기전계 발광소자
TWI613808B (zh) 光遮斷構件和包括其之顯示裝置
US11575111B2 (en) Optical film group, display assembly and display device
KR102141082B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
US11956997B2 (en) Display device
KR20170047542A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP2017182892A (ja) 発光素子、発光装置、及び電子機器
KR102411565B1 (ko) 투명 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101993430B1 (ko) 마이크로 캐비티 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시 패널 및 그 제조 방법
CN112349751B (zh) 发光显示设备
JP2010092772A (ja) 有機ｅｌ表示装置
KR102365036B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
JP2008112844A (ja) 表示装置
KR102108363B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102462238B1 (ko) 유기발광표시장치
KR101770592B1 (ko) 유기전계 발광소자
KR102094805B1 (ko) 유기발광 디스플레이장치 및 그 제조방법
KR101889020B1 (ko) 유기전계 발광소자
CN220545415U (zh) 显示设备
KR20230060634A (ko) 표시 장치