CN107564422B - 发光二极管显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种发光二极管显示装置，包括阵列基板、对向基板、多个挡墙结构、至少一发光二极管、上反射层、第一光阻挡层、下反射层以及光扩散材料层。阵列基板、挡墙结构以及对向基板定义出至少一容置区域。发光二极管配置于阵列基板上，而上反射层配置于发光二极管上，其中上反射层在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠于发光二极管在所述阵列基板上的正投影。第一光阻挡层配置于上反射层相对远离阵列基板的一侧上。上反射层在阵列基板上的正投影至少部分重叠于下反射层在阵列基板上的正投影。光扩散材料层填充于容置区域内，本发明的发光二极管显示装置无须预留波长转换材料层的厚度，可使整体结构具有较薄的厚度。

Description

发光二极管显示装置

技术领域

本发明涉及一种显示装置，尤其涉及一种发光二极管显示装置。

背景技术

由于发光二极管显示装置具有主动式发光、高亮度等优势，且相较于有机发光二极管(OLED)显示装置具有较长寿命等优点，因此近年来成为新型显示器大力发展的技术之一。详细来说，发光二极管显示装置主要是由薄膜晶体管阵列基板与阵列排列的发光二极管所组成。目前发光二极管显示装置大都采用直下式设计(Top emitting)，也即在发光二极管的发光面的上方设置波长转换材料层来达成调控发光波长的目的。然而，如果要有较佳的波长转换效率，目前波长转换材料层的厚度至少要大于20微米。此波长转换材料层的厚度不但会增加整体结构的厚度，还会因为整体的结构因堆叠的厚度过高而导致制程难度大幅提高。

发明内容

本发明是针对一种发光二极管显示装置，其具有较薄的整体厚度。

本发明的发光二极管显示装置包括阵列基板、对向基板、多个挡墙结构、至少一发光二极管、上反射层、第一光阻挡层、下反射层以及光扩散材料层。对向基板配置于阵列基板的对向。多个挡墙结构设置于阵列基板与对向基板之间。阵列基板、多个挡墙结构以及对向基板定义出至少一容置区域。发光二极管配置于阵列基板上，且位于容置区域内。上反射层配置于发光二极管与对向基板之间。上反射层在阵列基板上的正投影至少部分重叠于发光二极管在阵列基板上的正投影。第一光阻挡层配置于上反射层与对向基板之间。下反射层配置于阵列基板上，且位于容置区域内。上反射层在阵列基板上的正投影至少部分重叠于下反射层在阵列基板上的正投影。光扩散材料层填充于容置区域内。

基于上述，由于本发明的发光二极管显示装置的光扩散材料层是填充于由挡墙结构、阵列基板与对向基板所定义的容置区域内，且上反射层在阵列基板上的正投影至少部分重叠于发光二极管在阵列基板上的正投影，而使发光二极管可由侧向出光。相较于现有是将波长转换材料层配置于发光二极管的出光面上，以使发光二极管以正向出光的发光二极管显示装置而言，本发明的发光二极管显示装置无须预留波长转换材料层的厚度，可使整体结构具有较薄的厚度。

附图说明

包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1A示出为本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图；

图1B示出为图1A的发光二极管显示装置的局部俯视示意图；

图2A至图2F示出为本发明的多个实施例的发光二极管显示装置的多个发光二极管分别位于多个容置区域中的位置的俯视示意图；

图3示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图；

图4示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图；

图5示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图；

图6示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图；

图7示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图；

图8A至图8E示出为本发明多个实施例的发光二极管显示装置的局部俯视示意图；

图9示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图；

图10示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图；

图11示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图；

图12示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图。

附图标号说明：

100a、100b1、100b2、100b3、100b4、100b5、100b6、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、100l、100m、100n、100p、100q：发光二极管显示装置；

110：阵列基板；

120：对向基板；

122：表面；

130：挡墙结构；

134：周围表面；

140、140a1、140a2、140p：发光二极管；

140a：蓝色发光二极管；

140b：绿色发光二极管；

140c：红色发光二极管；

142：上表面；

144、144p：第一电极；

146、146p：第二电极；

148、148p：磊晶结构层；

150：上反射层；

150’：上反射区块；

152：表面；

160a、160f、160g：第一光阻挡层；

162a：第一表面；

170a、170c、170d、170p：下反射层；

175、179：侧反射层；

180a、180c、180d、180e：光扩散材料层；

180h、180i、180m：光扩散材料层；

180j1：散射材料层；

180j2：绿色量子点层；

180j3：红色量子点层；

180k1：红色量子点层；

180k2：散射材料层；

182a：第二表面；

190：第二光阻挡层；

195：第一彩色滤光图案；

195h1：蓝色滤光图案；

195h2：绿色滤光图案；

195h3：红色滤光图案；

197：第二彩色滤光图案；

A：第一出光区域；

B：第二出光区域；

C、C1、C2、C3：容置区域；

H：开口；

K：黑矩阵。

具体实施方式

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件标号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图1A示出为本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图。图1B示出为图1A的发光二极管显示装置的局部俯视示意图。为了方便说明起见，图1A与图1B中省略示出部分构件。请先参考图1A，在本实施例中，发光二极管显示装置100a包括阵列基板110、对向基板120、多个挡墙结构130、至少一发光二极管140、上反射层150、第一光阻挡层160a、下反射层170a以及光扩散材料层180a。对向基板120配置于阵列基板110的对向。阵列基板110可以是主动数组基板(Active array substrate)或是被动数组基板(Passivearray substrate)，或其他适合的设计。挡墙结构130设置于阵列基板110与对向基板120之间，其中阵列基板110、挡墙结构130以及对向基板120定义出至少一容置区域C。发光二极管140配置于阵列基板110上，且位于容置区域C内。上反射层150配置于发光二极管140与对向基板120之间，其中上反射层150在阵列基板110上的正投影至少部分重叠于发光二极管140在阵列基板110上的正投影。在一实施例中，其中上反射层150在阵列基板110上的正投影可完全重叠于发光二极管140在阵列基板110上的正投影。在一实施例中，上反射层150可至少完全覆盖发光二级管140的上表面142。第一光阻挡层160a配置于上反射层150与对向基板120之间。下反射层170a配置于阵列基板110上，且位于容置区域C内。上反射层150在阵列基板110上的正投影至少部分重叠于下反射层170a在阵列基板110上的正投影。光扩散材料层180a填充于容置区域C内，其中至少部分光扩散材料层180a位于上反射层150以及下反射层170a之间，且至少另一部份光扩散材料层180a未被上反射层所覆盖，以暴露出部分对向基板120，而定义出第一出光区域A。

详细来说，阵列基板110例如是薄膜晶体管基板，而发光二极管140是以覆晶的方式与阵列基板110电性连接，或是发光二极管也可以是一垂直式发光二极管，或是发光二极管以垒晶方式设置于阵列基板110上，不以此为限。对向基板120可例如是一透明盖板，其中对向基板120的材质例如是玻璃或塑胶，但并不以此为限。其中挡墙结构130的宽度例如是由阵列基板110往对向基板120的方向逐渐缩小，但并不以此为限。值得一提的是，本实施例的挡墙结构130可直接形成于阵列基板110上，或者是对向基板120上，或者是一部分形成于阵列基板110上，而另一部分形成于对向基板120上，在此并不加以限制。此外，每一容置区域C可视为是一个像素区域，其中像素区域也可由图1B中的黑矩阵K的开口H所定义，而发光二极管140靠近容置区域C的一侧边，但并不以此为限。

再者，如图1A与图1B所示，本实施例的发光二极管140具体包括第一电极144、第二电极146及磊晶结构层148，其中第一电极144与第二电极146位于磊晶结构层148的同一侧上。也就是说，本实施例的发光二极管140具体化为水平式发光二极管，但并不以此为限。本实施例的上反射层150在阵列基板110上的正投影至少部分重叠于发光二极管140在阵列基板110上的正投影,甚至,上反射层150在阵列基板110上的正投影可能延伸超出发光二极管140在阵列基板110上的正投影之外。在一实施例中，上反射层150的长度L1例如是上表面142的长度L2的1.1倍至5倍之间。在一实施例中，可能直接覆盖发光二极管140的上表面142，或是未直接覆盖发光二极管140的上表面142。须说明的是，发光二极管140在此是以长方形的外型轮廓作为示出说明，但并不限于此；在其他实施例中，发光二极管140在阵列基板110上的正投影的外型轮廓也可为正方形，或其它不规则形状,此仍属于本发明所欲保护的范围。第一电极144与第二电极146的外型轮廓在此也不加以限制，其中第一电极144与第二电极146于阵列基板110上的正投影的外型轮廓可例如是方型,矩形,半圆形,或其它不规则形状,其上述形状可以是实心,环型,或前述的组合。

此处，上反射层150的材质例如是高反射率的材料，其例如是银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)等等，但本发明不限于此。第一光阻挡层160a例如是光吸收层，直接覆盖上反射层150的表面152且位于容置区域C中，可有效吸收由对向基板110上方来的外界光。下反射层170a配置于阵列基板110上，且上反射层150在阵列基板110上的正投影至少部分重叠于下反射层170a在阵列基板110上的正投影。

此外，本实施例的光扩散材料层180a例如是散射材料层，且覆盖下反射层170a，其中光吸收层(即第一光阻挡层160a)的第一表面162a切齐于光扩散材料层180a的第二表面182a。也就是说，本实施例的发光二极管140、上反射层150、光吸收层(即第一光阻挡层160a)以及下反射层170a皆在容置区域C内，而光扩散材料层180a填充于容置区域C中，且较佳地，光扩散材料层180a不覆盖发光二极管140的上表面142。此时，光扩散材料层180a的厚度约略小于或等于挡墙结构130的高度，较佳地，光扩散材料层180a的厚度介于0.5微米到30微米(μm)之间。相较于现有发光二极管显示装置因设置波长转换材料层于发光二极管的出光面的上方而言，本实施例的发光二极管显示装置100a可具有较薄的整体厚度。

再者，本实施例的上反射层150设置在发光二极管140的上表面142的目的除了可具有光遮蔽的效果，以降低发光二极管140所产生的光通过较短的路径穿出发光二极管显示装置100a外，也可使发光二极管140的正向光能被反射而从侧向出光，在经过光扩散材料层180a时可有效增加发光二极管140所产生的光的光路径长度，借此可有效提高混光效果。同理，下反射层170a的设置也可增加发光二极管140所发出的光在光扩散材料层180a内的光路径长度，藉此提高混光效果。

另外，本实施例中，由于部份光扩散材料层180a未被上反射层160a所覆盖，因此光线仅从邻近对向基板120的第一出光区域A出光，因此本实施例中的发光二极管显示装置100a可视为是单面出光的显示装置。

简言之，本实施例的发光二极管显示装置100a的光扩散材料层180a是填充于由挡墙结构130、阵列基板110与对向基板120所定义的容置区域C内，且上反射层150至少完全覆盖发光二极管140的上表面142，而使发光二极管140可由侧向出光。相较于现有是将波长转换材料层配置于发光二极管的出光面上，以使发光二极管以正向出光的发光二极管显示装置而言，本实施例的发光二极管显示装置100a无须在发光二极管上方预留波长转换材料层的厚度，可使整体结构具有较薄的厚度。

图2A至图2F示出为本发明的多个实施例的发光二极管显示装置的多个发光二极管分别位于多个容置区域中的位置的俯视示意图。为了方便说明起见，图2A至图2D中省略示出部分构件。请先参考图2A，在本实施例中，发光二极管显示装置100b1中的发光二极管140分别都位于靠近容置区域C的第一侧S1(如下方)且呈并列排列，其中每一发光二极管140的一侧边(例如是与扫描线实质上垂直的侧边)相邻另一发光二极管140。上反射层150包括多个上反射区块150’，其中上反射区块150’完全覆盖发光二极管140的上表面142并延伸至上表面142之外。当然，在其他实施例中，请参考图2B，发光二极管显示装置100b2的部分发光二极管140位于靠近容置区域C的第一侧S1(如下方)且呈并列排列，而另一部分的发光二极管140位于靠近容置区域C的第二侧S2(如上方)且呈并列排列，其中第二侧S2相对于第一侧S1，且发光二极管140的相互垂直的二侧边皆分别相邻有另一发光二极管140。或者是，请同时参考图2C与图2D，发光二极管显示装置100b3、100b4中，平行排列的容置区域C内，设置于相邻的容置区域C中的发光二极管140分别位于容置区域C的不同侧边以呈交替排列。或者是，请参考图2E，本实施例的发光二极管显示装置100b5中的发光二极管140皆位于容置区域C的中间，也就是发光二极管与容置区域C的短边平行的两边，与短边的距离皆大于0且小于容置区域C的长边边长的一半，也即每一像素区域内的发光二极管140的相对两侧皆可出光。

或者是，请参考图2F，本实施例的发光二极管显示装置100b6中的每一容置区域C中皆设置有至少二个发光二极管140a1、140a2，其中发光二极管140a1、140a2分别靠近容置区域C的相对两侧边(例如第一侧S1及第二侧S1)，而发光二极管140a1、140a2的主要发光波长在特定色光的波长范围内，且发光二极管140a1、140a2的主要发光波长的差值小于等于40纳米。举例来说，若特定色光为红光，即发光二极管140a1、140a2为红光发光二极管，而主要发光波长的范围介于610纳米至650纳米之间，若特定色光为绿光，即发光二极管140a1、140a2为绿光发光二极管，而主要发光波长的范围介于510纳米至550纳米之间。

在图2F中，将至少二主要发光波长在特定色光的波长范围内的发光二极管140a1、140a2置于同一容置区域C内，除了可避免当一个发光二极管140a1(或发光二极管140a2)失效时而导致该像素区域无亮度外，也可通过混光的方式得到平均波长的特定色光。更进一步地说，在图2F的实施例中，每一容置区域C内可选择性地设有发光二极管140a1、140a2，且在一特定色光的范围内，例如主要发光波长的范围介于610纳米至650纳米之间，任意两个容置区域C的色点坐标差异可以小于千分之三十。换言之，若将每一容置区域C视为一个像素区域(sub-pixel region)，则任意两主要发光波长的范围介于610纳米至650纳米之间的像素区域的色点坐标差异可以小于0.03。以发出红光的像素区域举例，当该些像素区域之一所发出的光的色坐标为(x1,y1)，该些像素区域的另一所发出的光的色坐标为(x2,y2)，则x2-x1小于0.03，且y2-y1小于0.03。发出绿光的像素区域或发出蓝光的像素区域可以此类推，在此不再赘述，如此可有效降低库存问题，并且兼顾发光二极管显示装置的显示画面的均匀性。

在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的组件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图3示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图。请参考图3，本实施例的发光二极管显示装置100c与图1A的发光二极管显示装置100a相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的发光二极管显示装置100c还包括第二光阻挡层190，配置于阵列基板110与下反射层170c之间，较佳地，可延伸至发光二极管140与阵列基板110之间，其中第二光阻挡层190例如是光吸收层，用以吸收由阵列基板110下方来的外界光。特别是，下反射层170c在阵列基板110上的正投影完全重叠于上反射层150在阵列基板110上的正投影。如图3所示，光扩散材料层180c暴露出部分阵列基板110，也就是部分光扩散材料层180c未与下反射层170c重叠，而定义出第二出光区域B。发光二极管140所发出的光可通过上反射层150与下反射层170c的反射而由第一出光区域A与第二出光区域B出光。也就是说，本实施例的发光二极管显示装置100c可视为是双面出光的显示装置。

图4示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图。请参考图4，本实施例的发光二极管显示装置100d与图1A的发光二极管显示装置100a相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的发光二极管显示装置100d的光扩散材料层180d具体化为量子点材料层,磷光粉材料层,或其组合。再者，发光二极管显示装置100d还包括至少一第一彩色滤光图案195，配置于对向基板110上，且位于对向基板110与光扩散材料层180d之间，第一彩色滤光图案195还可延伸至对向基板110与光吸收层160a之间。发光二极管140所发出的光通过上反射层150与下反射层170d的反射以侧向出光的方式入射至光扩散材料层180d，经由光扩散材料层180d来增加发光二极管140所发出的光的光路径长度，可有效提高光转换的效果。之后，混光后的光可再经由第一彩色滤光图案195进行过滤，而使由第一出光区域A出去的光具有较佳的光均匀度。

图5示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图。请参考图5，本实施例的发光二极管显示装置100e与图3的发光二极管显示装置100c相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的发光二极管显示装置100e的光扩散材料层180e具体化为量子点材料层或磷光粉材料层,或其组合。再者，本实施例的发光二极管显示装置100e还包括至少一第二彩色滤光图案197，配置于阵列基板110上，且位于光扩散材料层180e与阵列基板110之间。发光二极管140所发出的光通过上反射层150与下反射层170c的反射以侧向出光的方式入射至光扩散材料层180e，经由光扩散材料层180e来增加发光二极管140所发出的光的光路径长度，可有效提高光转换的效果。之后，混光后的光可再经由第一彩色滤光图案195与第二彩色滤光图案197进行过滤，而使由第一出光区域A与第二出光区域B出去的光具有较佳的光均匀度。

图6示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图。请参考图6，本实施例的发光二极管显示装置100f与图1A的发光二极管显示装置100a相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的发光二极管显示装置100f的第一光阻挡层160f为偏光片，位于对向基板120相对远离阵列基板110的表面122上，其中偏光片可为反射式偏光片或吸光式偏光片，用以阻挡由对向基板120上方来的外界光。在所述实施例中，第一光阻挡层160f也可为长通滤波器(long pass filter)，以过滤掉短波长的光而让长波长的光通过。此时，上反射层150的表面152与光扩散材料层180a的第二表面182a切齐。

图7示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图。请参考图7，本实施例的发光二极管显示装置100g与图1A的发光二极管显示装置100a相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的发光二极管显示装置100g的第一光阻挡层160g为紫外光吸收层，位于光扩散材料层180a与对向基板120之间，以及上反射层150与对向基板120之间，紫外光吸收层至少完全覆盖第一出光区域A，可吸收由对向基板110上方来的紫外光，避免紫外光激发光扩散材料层180a。

图8A至图8E示出为本发明多个实施例的发光二极管显示装置的局部俯视示意图。请先参考图8A，本实施例的发光二极管显示装置100h包括多个发光二极管，而发光二极管可发出相同的色光或至少两种不同的色光。举例来说，本实施例的发光二极管可发出不同颜色的色光，其例如是蓝色发光二极管140a、绿色发光二极管140b以及红色发光二极管140c，而蓝色发光二极管140a、绿色发光二极管140b以及红色发光二极管140c分别位于不同的容置区域C内。光扩散材料层180h具体化为散射材料层，其中光扩散材料层180h填充于容置区域C内。此外，本实施例的发光二极管显示装置100h也可选择性地还包括多个彩色滤光图案，具有至少两种不同颜色，如蓝色滤光图案195h1、绿色滤光图案195h2、红色滤光图案195h3，分别位于容置区域C内。

请参考图8B，本实施例的发光二极管显示装置100i与图8A的发光二极管显示装置100h相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的发光二极管皆为蓝色发光二极管140a，而光扩散材料层180i具体化为掺杂有红色量子点与绿色量子点的量子点层，或是掺杂有黄色量子点的量子点层。

请参考图8C，本实施例的发光二极管显示装置100j与图8B的发光二极管显示装置100i相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的光扩散材料层包括散射材料层180j1、绿色量子点层180j2以及红色量子点层180j3，分别配置于容置区域C1、C2、C3中。

请参考图8D，本实施例的发光二极管显示装置100k与图8A的发光二极管显示装置100h相似，惟二者主要差异之处在于：多个发光二极管为二蓝光发光二极管140a与绿光发光二极管140b，而光扩散材料层包括红色量子点层180k1以及散射材料层180k2。蓝光发光二极管140a位于容置区域C1与容置区域C3中，而绿光发光二极管140b位于容置区域C2中。红色量子点层180k1填充于容置区域C1内，而散射材料层180k2填充于容置区域C2与容置区域C3内。

请参考图8E，本实施例的发光二极管显示装置100l与图8A的发光二极管显示装置100h相似，惟二者主要差异之处在于：多个发光二极管包括二蓝光发光二极管140a与红光发光二极管140c，而光扩散材料层包括绿色量子点层180j2以及散射材料层180k2。红光发光二极管140c位于容置区域C1中且对应散射材料层180k2。二个蓝光发光二极管140a分别位于容置区域C2、C3中。位于容置区域C2、C3其中之一的一个蓝光发光二极管140a(例如位于容置区域C2的蓝光发光二极管140a)对应散射材料层180k2。位于容置区域C2、C3之另一的一个蓝光发光二极管140a(例如位于容置区域C3的蓝光发光二极管140a)对应绿色量子点层180j2。

图9示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图。请参考图9，本实施例的发光二极管显示装置100m与图1A的发光二极管显示装置100a相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的部分光扩散材料层180m位于发光二极管140的上表面142与上反射层150之间。换言之，光扩散材料层180m直接覆盖发光二极管140的上表面142。

图10示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图。请参考图10，本实施例的发光二极管显示装置100n与图1A的发光二极管显示装置100a相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的发光二极管显示装置100n包括多个侧反射层175，分别配置于挡墙结构130上。在一实施例中，多个侧反射层175可适当选择性置于至少一文件墙结构130的一侧边，或是包覆于每一挡墙结构130的周围表面134上，或是侧反射层175甚至可以延伸到阵列基板100上，在此不做限制。侧反射层175可选择性接触上反射层150或下反射层170a至少其一，或是侧反射层175可直接接触光扩散材料层180a，藉此可将更多的发光二极管140所发出的光进行反射。

此外，在其他未示出的实施例中，也可选用于如上述所提及的侧反射层，本领域的技术人员当可参照上述实施例的说明，依据实际需求，而选用上述构件，以达到所需的技术效果。

图11示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图。请参考图11，本实施例的发光二极管显示装置100p与图3的发光二极管显示装置100c相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的发光二极管140p包括第一电极144p、第二电极146p及磊晶结构层148p，其中第一电极144p与第二电极146p分别位于磊晶结构层148p的不同侧上且分别直接接触上反射层150与下反射层170p。换言之，本实施例的第一电极144p位于下反射层170p上且直接接触下反射层170p，而第二电极146p直接接触上反射层150。简言之，本实施例的发光二极管140p具体化为垂直式发光二极管。再者，本实施例的发光二极管显示装置100p包括多个侧反射层179，其侧反射层179也可为具导电功能之材料,比如ITO、金属、或其组合，在此不做限制，而多个侧反射层179可选择性设置在适当至少一挡墙结构130之侧壁上,或包覆于每一挡墙结构130的周围表面134上，或是甚至可以延伸到阵列基板100上,在此不做限制。至少一侧反射层可选择性连接于上反射层150与阵列基板110之间。侧反射层电性连接上反射层150与阵列基板110，其中电压可由阵列基板110供给。

图12示出为本发明的另一实施例的一种发光二极管显示装置的局部剖面示意图。请参考图12，本实施例的发光二极管显示装置100q与图11的发光二极管显示装置100p相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的发光二极管显示装置100q的光扩散材料层180e具体化为量子点材料层,磷光粉材料层,或其组合,在此不做限制。再者，本实施例的发光二极管显示装置100q还包括至少一第二彩色滤光图案197，配置于阵列基板110上，且位于光扩散材料层180e与阵列基板110之间。发光二极管140p所发出的光通过上反射层150与下反射层170p的反射以侧向出光的方式入射至光扩散材料层180e，经由光扩散材料层180e来增加发光二极管140p所发出的光的光路径长度，可有效提高光转换的效果。之后，混光后的光可再经由第一彩色滤光图案195与第二彩色滤光图案197进行过滤，而使由第一出光区域A与第二出光区域B出去的光具有较佳的光均匀度。

综上所述，由于本发明的发光二极管显示装置的光扩散材料层是填充于由挡墙结构、阵列基板与对向基板所定义的容置区域内，且上反射层在阵列基板上的正投影至少部分重叠于发光二极管在阵列基板上的正投影，而使发光二极管仅可由侧向出光。相较于现有是将波长转换材料层配置于发光二极管的出光面上，以使发光二极管以正向出光的发光二极管显示装置而言，本发明的发光二极管显示装置无须预留波长转换材料层的厚度，可使整体结构具有较薄的厚度。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种发光二极管显示装置，其特征在于，包括：

阵列基板；

对向基板，配置于所述阵列基板的对向；

多个挡墙结构，设置于所述阵列基板与所述对向基板之间，其中所述阵列基板、所述多个挡墙结构以及所述对向基板定义出至少一容置区域；

至少一发光二极管，配置于所述阵列基板上，且位于所述至少一容置区域内；

上反射层，配置于所述至少一发光二极管与所述对向基板之间，其中所述上反射层在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠于所述至少一发光二极管在所述阵列基板上的正投影；

第一光阻挡层，配置于所述上反射层与所述对向基板之间；

下反射层，配置于所述阵列基板上，且位于所述至少一容置区域内，其中所述上反射层在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠于所述下反射层在所述阵列基板上的正投影；以及

光扩散材料层，填充于所述至少一容置区域内，且至少部分所述光扩散材料层与所述上反射层不重叠，以形成第一出光区域。

2.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，所述光扩散材料层包括量子点材料层或磷光粉材料层。

3.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，所述第一光阻挡层为光吸收层，其中至少部分所述光扩散材料层与所述光吸收层重叠。

4.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，还包括：

第二光阻挡层，至少部分配置于所述阵列基板与所述下反射层之间，其中所述下反射层在所述阵列基板上的正投影完全重叠于所述上反射层在所述阵列基板上的正投影，且部分所述光扩散材料层未被所述下反射层及所述第二光阻挡层所覆盖，而定义出第二出光区域。

5.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，所述至少一发光二极管包括第一电极、第二电极及磊晶结构层，所述第一电极与所述第二电极位于所述磊晶结构层的同一侧上。

6.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，还包括：

多个侧反射层，分别配置于所述多个挡墙结构上，所述多个侧反射层至少直接接触所述上反射层与所述下反射层其中之一。

7.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，部分所述光扩散材料层位于所述至少一发光二极管的上表面与所述上反射层之间。

8.根据权利要求1所述的发光二极管显示装置，其特征在于，还包括：

多个侧反射层，包覆于每一所述多个挡墙结构的周围表面上，且至少一所述多个侧反射层电性连接所述上反射层与所述阵列基板。

9.根据权利要求8所述的发光二极管显示装置，其特征在于，所述至少一发光二极管包括第一电极、第二电极及磊晶结构层，所述第一电极与所述第二电极分别位于所述磊晶结构层的不同侧上且分别接触所述上反射层与所述下反射层。

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