TW201428812A - 電漿處理方法、以及電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

在一實施形態之電漿處理裝置中，係從天線透過介電體窗將微波之能量導入處理容器內。該電漿處理裝置係具備中央導入部及周邊導入部。中央導入部之中央導入口，係朝向用以載置基板的載置台之載置區域的中央來加以開口，並噴射氣體至介電體窗的正下方。周邊導入部之複數周邊導入口，係在較中央導入口要下方且在載置台之上方沿周圍方向來加以配置，並噴射氣體至載置區域之周緣部。中央導入部係透過複數第1流量控制單元而連接有包含反應性氣體及稀有氣體源之複數第1氣體源。周邊導入部係透過複數第2流量控制單元而連接有包含反應性氣體及稀有氣體之複數第2氣體源。

Description

電漿處理方法、以及電漿處理裝置
本發明之實施形態係關於一種電漿處理方法及電漿處理裝置。
在半導體單元的製造中，會在處理容器內藉從電漿源所供應之能量來激發處理氣體，以對基板進行電漿處理，例如，將基板蝕刻處理。作為使用此種之電漿處理的電漿處理裝置，近年來，已開發出具有輻線槽孔天線(Radical Line Slot Antenna)之電漿處理裝置(參照專利文獻1)。
在專利文獻1所載之處理裝置中，係在處理容器的介電體窗之上設置有具有多數槽孔之槽孔天線。在介電體窗的中央係為了處理氣體供應而設置有中央導入部的中央導入口。又，在介電體窗與用以載置基板之載置台之間設有處理氣體供應用之周邊導入部。周邊導入部係具有設在較中央導入口要下方，並在載置台的上方之空間中延展於周圍方向之環狀管。環狀管係形成有朝該環狀管之中心軸線來加以開口之複數周邊導入口。該等中央導入部及周邊導入部係透過分流器而連接有處理氣體源。
從槽孔天線之多數槽孔所放射之微波的能量係透過介電體窗而導入處理容器內。藉由中央氣體導入部及周邊氣體導入部來導入至處理容器內之處理氣體係藉由微波之能量來電漿化。如此般，藉由被電漿化之處理氣體，來進行基板之蝕刻。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
專利文獻1：國際公開第2011/125524號
在專利文獻1所載之電漿處理裝置中，基板中央正上方之電漿密度係 會較基板周緣部正上方之電漿密度要高。從而，專利文獻1所載之電漿處理裝置中，即使藉由分流器來將處理氣體相對於中央導入部與周邊導入部之分配比加以調整，在基板徑向中之各區域的處理速度之控制性仍有極限。例如，將基板周緣部中之處理速度接近於基板中央部中之處理速度的控制，係有極限。
由於相關背景，本技術領域中，便追求可降低在基板徑向中之全區域處理速度之差異的電漿處理方法及電漿處理裝置。
一面相中，係提供一種適用電漿處理於基板之方法。該方法包含有工序(a)，係從中央導入部將第1氣體供應至處理容器內，並從周邊導入部將第2氣體供應至該處理容器內，且從設置在介電體窗上面之上的天線透過該介電體窗來讓微波之能量導入處理容器內，而將以面向介電體窗下面之方式而載置於載置台上之基板進行蝕刻。中央導入部係具有中央導入口。中央導入口係朝基板之中央來加以開口，並噴射氣體至介電體窗之正下方。中央導入部係透過複數第1流量控制單元而連接有包含該第1氣體源之複數第1氣體源。周邊導入部係具有複數周邊導入口。複數周邊導入口係較中央導入口要下方，且在該載置台的上方中沿周圍方向來加以配置。複數周邊導入口係朝基板之周緣部噴射氣體。該周邊導入部係透過複數第2流量控制單元而連接有包含該第2氣體源之複數第2氣體源。該方法中，相較於第1氣體中之反應性氣體的流量，第2氣體中之反應性氣體的流量會較多，並使得第2氣體中之反應性氣體相對於稀有氣體之流量比，會大於包含於第1氣體中之反應性氣體相對於稀有氣體之流量比。
在上述一面相相關之方法中，藉著使用中央導入部專用之複數第1氣體源及複數第1流量控制單元，便可將包含稀有氣體為主之第1氣體從中央導入部導入處理容器內。例如，第1氣體係可僅包含稀有氣體，或是亦可除稀有氣體外包含少量的反應性氣體。另一方面，藉著使用周邊導入部專用之複數第2氣體源及複數第2流量控制單元，便可將包含相對較多反應性氣體之第2氣體從周邊導入部導入處理容器內。從而，相較於基板之中央部，對於基板之周緣部便可供給更多的反應性氣體。其結果，根據本方法，便可降低在基板徑向全區域中之處理速度的差異。又，由於可從周邊導入部將更多的反應性氣體供應至電子溫度較介電體窗正下方要低的區 域，故可調整供給至基板之反應性氣體的解離度。
一形態中，基板係可具有矽氧化層及多晶矽層，在工序(a)中，周邊導入部可供應C4F6氣體來作為反應性氣體。C4F6氣體係對於矽氧化層為腐蝕性的氣體，而對於多晶矽層則為沉積性的氣體。從而，依據此形態，係可保護多晶矽層，並進行矽氧化層的蝕刻。又，藉由調整第1氣體中之稀有氣體的流量，便可調整在徑向的多晶矽層之蝕刻速度的分布，及對於多晶矽層之沉積速度的分布。又，藉由調整第2氣體中之C4F6氣體的流量，便可調整在徑向中的矽氧化層之蝕刻速度的分布。
上述一形態之方法，舉一適用例，多晶矽層係可構成鰭型場效電晶體中具有源極、汲極、及通道之鰭，而矽氧化層亦可設在該鰭的周圍。
在另一形態中，基板係可具有由矽所構成之底層部、配置在該底層部上之複數閘極以及沿著該複數閘極之側壁來加以設置之側壁間隔層。側壁間隔層係例如由氮化矽所構成。在該形態中，載置台係連接於用以產生高頻偏壓電力之高頻電源。該形態之方法進一步地包含有工序(b)，係將底層部蝕刻用之反應性氣體導入處理容器內，並從天線透過介電體窗讓微波之能量導入處理容器內，且對載置台施加高頻偏壓電力，來對介設於相鄰二個閘極間之二個間隔層間之下方的底層部進行蝕刻。進一步地，此形態之方法中，係在工序(b)之後進行工序(a)。工序(a)係使用底層部蝕刻用之反應性氣體來作為第2氣體中之反應性氣體，且，不對載置台供應高頻偏壓電力，來將基板，亦即，底層部進一步地蝕刻。
在上述另一形態之方法中，藉著工序(b)便可將基板之底層部進行縱向(亦即，基板之厚度方向)地蝕刻。又，藉著在工序(b)之後實施工序(a)，亦可對底層部進行橫向地蝕刻。進一步地，工序(a)中，由於從周邊導入口朝基板之周緣部噴射反應性氣體，故可使得自由基不失活性而被供應至基板之周緣部。其結果，便可在橫跨包含周緣部之基板徑向的全區域中，將底層部進行橫向地蝕刻。
另一面相中，係提供一種電漿處理裝置。該電漿處理裝置係具備有處理容器、載置台、介電體窗、天線、中央導入部、周邊導入部、複數第1氣體源、複數第1流量控制單元、複數第2氣體源及複數第2流量控制單元。載置台係具有用以載置基板之載置區域，並設置在處理容器內。介電 體窗係具有面向載置區域之下面及該下面相反側之上面。天線係設置於介電體窗上面之上，並透過該介電體窗將微波之能量導入處理容器內。中央導入部係具有中央導入口。中央導入口係朝向載置區域之中央來開口，並噴射氣體至介電體窗之正下方。周邊導入部係具有複數周邊導入口。複數周邊導入口係在較中央導入口要下方且於載置台的上方中沿周圍方向來加以配列，並朝著載置區域的周緣部噴射氣體。複數第1氣體源係包含有反應性氣體源及稀有氣體源，並連接至中央導入部。複數第1流量控制單元係設置在複數第1氣體源與中央導入部之間。複數第2氣體源係包含有反應性氣體源及稀有氣體源，並連接至周邊導入部。複數第2流量控制單元係設置在複數第2氣體源與周邊導入部之間。
該電漿處理裝置中，可藉由第1流量控制單元分別地調整供應至中央導入部之反應性氣體的流量及稀有氣體的流量。又，與第1流量控制單元來調整供應至中央導入部的氣體流量獨立，藉由第2流量控制單元，便可個別地調整供應至周邊導入部之反應性氣體的流量及稀有氣體的流量。從而，依據該電漿處理裝置，便可實施上述之一面相相關之方法。
一形態中，電漿處理裝置可進一步地具備有控制部。控制部係以對中央導入部供應第1氣體，並對周邊導入部供應第2氣體的方式，而可控制第1流量控制單元及第2流量控制單元。具體而言，控制部係以相較於第1氣體中之反應性氣體的流量，包含於第2氣體之反應性氣體的流量會較多，並使得包含於第2氣體之反應性氣體的流量對稀有氣體的流量之流量比，會較包含於第1氣體之反應性氣體的流量對稀有氣體的流量之流量比要大的方式，而可控制第1流量控制單元及第2流量控制單元。
依據上述一形態之電漿處理裝置，便可在控制部之控制下，實施上述一面相相關之方法。又，依據此形態之電漿處理裝置，藉著使用C4F6氣體來作為反應性氣體，便可保護基板之多晶矽層，並蝕刻該基板之矽氧化層。作為此般基板之應用例係可舉例為，鰭型場效電晶體中具有構成具有源極、汲極、及通道的鰭之多晶矽層以及設於該鰭周圍之矽氧化層的基板。
一形態中，電漿處理裝置可進一步地具備有用以產生高頻偏壓電力之高頻電源。控制部係以將包含稀有氣體及反應性氣體之氣體導入處理容器內，並將微波之能量透過介電體窗而導入處理容器內，且對載置台施加高 頻偏壓電力之方式來實施第1控制；接著，可以從中央導入部及周邊導入部分別導入第1氣體及第2氣體，並將微波之能量透過介電體窗而導入處理容器內，且停止對載置台之高頻偏壓電力的供應之方式來實施第2控制。該形態之電漿處理裝置係可適用於具有由矽所構成之底層部、配置在該底層部上之複數閘極及沿著該複數閘極之側壁來設置之間隔層的基板之處理。具體而言，可在第1控制之下實施工序(b)，而縱向地蝕刻底層部，接著，可在第2控制之下實施工序(a)，而亦橫向地蝕刻底層部。
一形態中，周邊導入部係包含延展於該周圍方向並提供複數周邊導入口之環狀管，該環狀管可沿處理容器之內壁面來加以設置。依據此形態之電漿處理裝置，由於環狀管係沿著處理容器之內壁面，故該環狀管不會成為電漿擴散時之障礙，而提昇電漿密度分布之均勻性。又，由於環狀管係被嵌入於處理容器的壁部，故可提昇環狀管的溫度，乃至於從該環狀管導入處理容器內之氣體溫度的穩定性。
一形態中，環狀管的剖面係矩形，電漿處理裝置可進一步地具備有沿環狀管之下面及外周面來延展以支撐該環狀管之支撐構件。又，包含有環狀管及支撐構件之周邊導入組件係被嵌入於處理容器之壁。此形態中，可減少使用支撐環狀管之零件的項數。其結果，便使得維護性提昇，且，降低成本。
在一形態中，載置台可包含靜電夾具及提供高頻偏壓電力之金屬製的板體。此形態中，靜電夾具係包含下側部分及提供載置區域的上側部分，並以上側部分之直徑較下側部分之直徑要小之方式，來區劃階梯狀的外周面。該形態之電漿處理裝置係可進一步地具備有圍繞著載置區域之聚焦環，以及從聚焦環的外緣沿著階梯狀之外周面及該板體之外周面來延展並在與處理容器的內壁面之間區劃空間之絕緣構件。該形態之電漿處理裝置中，係藉由靜電夾具之外周面構成為階梯狀，來使得該靜電夾具之上側部分的徑長縮減。又，絕緣構件係從聚焦環之外緣沿著靜電夾具之外周面及板體之外周面來加以延展，並接於處理容器之內壁面與載置台之間的空間。藉此，可縮小包含有載置台、聚焦環及絕緣構件之載置台組件的直徑。其結果，便可讓電漿擴散至基板之周緣部附近，而可提昇電漿密度分布的均勻性。
一形態中，電漿處理裝置可進一步地具備有載置台周圍之排氣路徑、設在排氣路徑下方之排氣口、連接至排氣口之排氣裝置，以及，設在較載置區域要80mm以上之下方並形成有複數貫孔之擋板。此形態之電漿處理裝置中，由於擋板係被設置在較載置區域要80mm以上之下方，故可增大較擋板要上方的排氣路徑之尺寸，而可讓電漿擴散至擋板上之排氣路徑。其結果，便可讓電漿擴散至基板之周緣部附近，而可提昇電漿密度分布的均勻性。又，本形態中，由於排氣口係相對於載置台之中央而偏移於橫向，故起自排氣口之距離係會依據基板周緣部之周圍方向的位置而有所差異。然而，本形態中，係如上述般藉由將擋板設置在較載置區域有相當距離的下方，可增加較擋板要上方的排氣路徑的長度，而可增加從基板之周緣部至擋板的流線長度。其結果，便可抑制在基板周緣部中之氣流的周圍方向中之差異。
如以上說明，依據本發明之各種面相及形態，係提供一種可降低在基板徑向全區域中之處理速度的差異之電漿處理方法及電漿處理裝置。
10‧‧‧電漿處理裝置
12‧‧‧處理容器
12a‧‧‧側壁
14‧‧‧天線
16‧‧‧同軸導波管
18‧‧‧介電體窗
18b‧‧‧介電體窗的下面
18u‧‧‧介電體窗的上面
181‧‧‧凹部
182‧‧‧第2凹部(微凹部)
20‧‧‧載置台
22‧‧‧板體(RF板體)
24a‧‧‧底板
24b‧‧‧夾具部
24c‧‧‧下側部分
24d‧‧‧上側部分
MR‧‧‧載置區域
26‧‧‧擋板
28‧‧‧排氣管
28h‧‧‧排氣口
30‧‧‧排氣裝置
32‧‧‧微波產生器
40‧‧‧冷卻夾套
42‧‧‧介電體板
44‧‧‧槽孔板
44a、44b‧‧‧槽孔
44p‧‧‧槽孔對
50‧‧‧中央導入部
18i‧‧‧中央導入口
52‧‧‧周邊導入部
52i‧‧‧周邊導入口
52p‧‧‧環狀管
56‧‧‧支撐構件
58、60‧‧‧固定構件
62‧‧‧氣體供應區塊
70、72‧‧‧絕緣構件
Cnt‧‧‧控制部
GS11~GS1N‧‧‧第1氣體源
GS21~GS2M‧‧‧第2氣體源
FC11~FC1N‧‧‧第1流量控制單元
FC21~FC2M‧‧‧第2流量控制單元
FR‧‧‧聚焦環
MU‧‧‧匹配單元
PFR‧‧‧供電棒
RFG‧‧‧高頻電源
S‧‧‧處理空間
W‧‧‧晶圓(基板)
圖1係概略地顯示一實施形態相關之電漿處理裝置的剖面圖。
圖2係顯示槽孔板之一範例的俯視圖。
圖3係顯示介電體窗之一範例的俯視圖。
圖4係顯示沿圖3之IV-IV線所取得的剖面圖。
圖5係顯示在圖3所示之介電體窗上設有圖2所示之槽孔板的狀態之俯視圖。
圖6係顯示包含有第1流量控制單元群、第1氣體源群、第2流量控制單元群及第2氣體源群之氣體供應系統之圖式。
圖7係顯示周邊導入部之環狀管及其支撐構造的立體圖。
圖8係顯示周邊導入部之環狀管及其支撐構造的分解立體圖。
圖9係顯示環狀管與氣體供應區塊之剖面圖。
圖10係顯示周邊導入部之周邊導入口與晶圓之擴大剖面圖。
圖11係顯示載置台之外緣部附近之擴大剖面圖。
圖12係顯示鰭型場效電晶體之一範例的立體圖。
圖13係顯示鰭型場效電晶體之製造中之一工序的圖式。
圖14係顯示一實施形態相關之電漿處理方法的應用例之流程圖。
圖15係顯示可適用圖14所示之電漿處理方法之基板範例的圖式。
圖16係顯示模擬1之結果的圖表。
圖17係顯示模擬2之結果的圖表。
圖18係顯示模擬3及4之結果的圖表。
圖19係顯示模擬5~7之結果的圖表。
圖20係顯示模擬8~16之結果的圖表。
圖21係顯示模擬17~25之結果的圖表。
圖22係顯示實驗例1~4中所求出之SiO2層的蝕刻速度分布之圖表。
圖23係顯示實驗例5~8中所求出之多晶矽層的蝕刻速度分布之圖表。
圖24係顯示實驗例9-12中所求出之氟碳膜的沉積速度分布之圖表。
圖25係顯示實驗例13-16中所求出之SiO2層的蝕刻速度分布之圖表。
圖26係顯示實驗例17-20中所求出之多晶矽層的蝕刻速度分布之圖表。
圖27係顯示實驗例21-24中所求出之氟碳膜的沉積速度分布之圖表。
圖28係顯示實驗例25-27中所求出之多晶矽層的蝕刻速度分布之圖表。
圖29係顯示實驗例28-30中所求出之SiN層的蝕刻速度分布之圖表。
圖30係顯示從實驗例25~30的結果所求出之多晶矽層對SiN層之蝕刻的選擇性分布之圖表。
圖31係概略地顯示另一實施形態相關之電漿處理裝置的剖面圖。
圖32係顯示可採用於另一實施形態之電漿處理裝置的氣體供應系統之一範例之圖式。
圖33係顯示可採用於另一實施形態之電漿處理裝置的氣體供應系統之另一範例之圖式。
圖34係顯示可採用於另一實施形態之電漿處理裝置的氣體供應系統之又一範例之圖式。
圖35係概略地顯示又一實施形態相關之電漿處理裝置的剖面圖。
圖36係概略地顯示又一實施形態相關之電漿處理裝置的剖面圖。
圖37係顯示在模擬26及27中所求出之處理容器內的氣流分布之圖式。
以下，就各種實施形態參照圖式加以詳述。另外，對於各圖式之相同或相當的部分賦予相同符號。
首先，就一實施形態相關之電漿處理裝置來加以說明。圖1係概略地顯示一實施形態相關之電漿處理裝置的剖面圖。圖1所示之電漿處理裝置10係具備處理容器12。處理容器12係區劃用以收置基板(晶圓)W之處理空間S。處理容器12可包含有側壁12a、底部12b及頂部12c。
側壁12a係具有在軸線Z延展之方向(以下，稱「軸線Z方向」)延展之略圓筒形狀。側壁12a的內徑係例如為540mm。底部12b係設置在側壁12a的下端側。側壁12a的上端部係有開口。側壁12a之上端部開口係藉由介電體窗1來緊閉。介電體窗18係被夾置於側壁12a之上端部與頂部12c之間。該介電體窗18與側壁12a之上端部之間可介設有密合構件SL1。密合構件SL1係例如為O型環，並有助於處理容器12的密閉。
電漿處理裝置10係進一步地具備有設置於處理容器12內之載置台20。載置台20係設置在介電體窗18的下方。一實施形態中，載置台20係包含有板體22及靜電夾具24。
板體22係略圓盤狀之金屬製構件，例如由鋁所構成。板體22係藉由筒狀之支撐部SP1來加以支撐。支撐部SP1係從底部12b延展於垂直上方。板體22係兼用為高頻電極。板體22係透過匹配單元MU及供電棒PFR，而電性連接於用以產生高頻偏壓電力之高頻電源RFG。高頻電源RFG係輸出適於控制吸引離子至晶圓W之能量的既定頻率，例如13.65MHz之高頻偏壓電力。匹配單元MU係收置有用以取得高頻電源RFG側之阻抗，與主要為電極、電漿、處理容器12之所謂負荷側的阻抗之間匹配之匹配器。在該匹配器中係包含有自偏壓產生用之阻流電容器。
板體22的上面係設有靜電夾具24。靜電夾具24係包含有底板24a及夾具部24b。底板24a係略圓盤狀之金屬製構件，例如由鋁所構成。底板24a係設置在板體22上。底板24a之上面係設置有夾具部24b。夾具部24b 的上面係成為用以載置晶圓W之載置區域MR。夾具部24b係以靜電吸附力來保持晶圓W。夾具部24b係包含有被夾置於介電體窗之間的電極膜。夾具部24b之電極膜係透過開關SW及被覆線CL而電性連接有直流電源DSC。夾具部24b係藉由從直流電源DCS來施加之直流電壓所產生之庫侖力，便可將晶圓W吸附保持於其上面。該夾具部24b之徑向外側係設有環狀地圍繞晶圓W周圍之聚焦環FR。
底板24a的內部中係設有延展於周圍方向之環狀冷媒室24g。該冷媒室24g係從冷卻單元透過配管PP1、PP3來循環供應既定溫度之冷媒，例如冷卻水。夾具部24b上之晶圓W的處理溫度係可藉由冷媒之溫度來加以控制。進一步地，來自傳熱氣體供應部之傳熱氣體，例如He氣體，係透過供應管PP2而被供應至夾具部24b上面與晶圓W內面之間。
載置台20的周圍係設有環狀之排氣路徑VL。排氣路徑VL之軸線Z方向中的中間係設有形成有複數貫孔之環狀擋板26。排氣路徑VL係連接於提供排氣口28h之排氣管28。排氣管28係被安裝於處理容器12之底部12b。排氣管28係連接有排氣裝置30。排氣裝置30係具有調壓器及渦輪分子泵等真空泵。藉由該排氣裝置30，便可將處理容器12內之處理空間S減壓至所欲之真空度。又，藉著讓排氣裝置30運作，便可從載置台20的外周透過排氣路徑VL來進行氣體排放。
一實施形態中，電漿處理裝置10係可進一步地具備有加熱器HT、HS、HC及HE來作為溫控機構。加熱器HT係設置在頂部12c內，並以圍繞天線14的方式來環狀地延展。又，加熱器HS係設置在側壁12a內，並環狀地延展。加熱器HC係設置在底板24a內。加熱器HC係設置在底板24a內之上述載置區域MR中央部分的下方，亦即交錯於軸線Z之區域。又，加熱器HE係設在底板24a內，並以圍繞加熱器HC之方式來環狀地延展。加熱器HE係設置於上述之載置區域MR外緣部分的下方。
一實施形態中，電漿處理裝置10可進一步地具備有天線14、同軸導波管16、介電體窗18、微波產生器32、諧調器34、導波管36、及模式轉換器38。其等天線14、同軸導波管16、介電體窗18、微波產生器32、諧調器34、導波管36、及模式轉換器38係構成電漿處理裝置之電漿源。
微波產生器32係產生例如2.45GHz頻率的微波。微波產生器32係透 過諧調器34、導波管36、及模式轉換器38，而連接於同軸導波管16的上部。同軸導波管16係沿著為其中心軸線之軸線Z來加以延展。一實施形態中，載置台20之載置區域MR的中心係位在軸線Z上。
同軸導波管16係包含有外側導體16a及內側導體16b。外側導體16a係具有延展於軸線Z中心之圓筒形狀。外側導體16a的下端係可電性連接於具有導電性表面之冷卻夾套40的上部。內側導體16b係在外側導體16a之內側中並與該外側導體16a同軸地設置。內側導體16b係具有延展於軸線Z中心之圓筒形狀。內側導體16b的下端係連接於天線14之槽孔板44。
一實施形態中，天線14係輻線槽孔天線。該天線14係配置在形成於頂部12c之開口內，並設置在介電體窗18上面之上。天線14係包含有介電體板42及槽孔板44。介電體板42係讓微波之波長縮短者，並具有略圓盤形狀。介電體板42係例如由石英或氧化鋁所構成。介電體板42係被夾置於槽孔板44與冷卻夾套40的下面之間。從而，天線14係可藉由介電體板42、槽孔板44、及冷卻夾套40的下面來加以構成。
圖2係顯示槽孔板的一範例之俯視圖。槽孔板44係薄板狀，且圓板狀。槽孔板44之板厚方向的兩面係分別呈平面。圓形之槽孔板44的中心CS係位在軸線Z上。槽孔板44中係設有複數槽孔對44p。個別的複數槽孔對44p係包含有貫穿於板厚方向的二個槽孔44a、44b。槽孔44a、44b各自之平面形狀係長孔形狀。各個槽孔對44p中，槽孔44a之長軸的延展方向與槽孔44b之長軸的延展方向係彼此交錯或是正交。
圖2所示之範例中，複數槽孔對44p係可大致區分為，設置於將軸線Z作為中心之假想圓VC的內側之內側槽孔對群ISP，與設置於假想圓VC的外側之外側槽孔對群OSP。內側槽孔對群ISP係包含有複數槽孔對44p。圖2所示之範例中，內側槽孔對群ISP係包含7個槽孔對44p。內側槽孔對群ISP之複數槽孔對44p係相對於中心CS而以等間隔地配列於周圍方向。包含於內側槽孔對群ISP之複數槽孔44a係以該槽孔44a的重心位在自槽孔板44的中心CS之半徑R1之圓上的方式，來等間隔地配列。又，包含於內側槽孔對群ISP之複數槽孔44b，係以該槽孔44b的重心位在自槽孔板44的中心CS之半徑R2之圓上的方式，來等間隔地排列。此處，半徑R2較半徑R1要大。
外側槽孔對群OSP係包含複數槽孔對44p。圖2所示之範例中，外側槽孔對群OSP係包含有28個槽孔對44p。外側槽孔對群OSP之複數槽孔對44p係相對於中心CS而在周圍方向等間地隔配列。包含於外側槽孔對群OSP之複數槽孔44a係以該槽孔44a的重心位在自槽孔板44的中心CS之半徑R3之圓上的方式，來等間隔地排列。包含於外側槽孔對群OSP之複數槽孔44b係以各該槽孔44b的重心位在自槽孔板44的中心CS之半徑R4之圓上的方式，來等間隔地排列。此處，半徑R3較半徑R2要大，且半徑R4較半徑R3要大。
又，分別的內側槽孔對群ISP及外側槽孔對群OSP之槽孔44a係以相對於中心CS與其重心所連成的線條，而其長軸係具有相同角度之方式來加以形成。又，分別的內側槽孔對群ISP及外側槽孔對群OSP之槽孔44b係以相對於中心CS與其重心所連成的線條，而其長軸係以具有相同角度之方式來加以形成。
圖3係顯示介電體窗之一範例的俯視圖，係顯示從處理空間S側所觀察到該介電體窗的狀態。圖4係沿圖3之IV-IV線所取得的剖面圖。介電體窗18係具有略圓盤形狀，並由所謂石英或氧化鋁之介電體所構成。介電體窗18之上面18u上係設有槽孔板44。
介電體窗18的中央係形成有貫孔18h。貫孔18h的上側部分係成為收置有後述中央導入部50的噴射器50b之空間18s，下側部分係成為後述中央導入部50的中央導入口18i。另外，介電體窗18的中心軸線係與軸線Z一致。
介電體窗上面18u之相反側之面、亦即下面18b係連接至處理空間S，而成為電漿產生側之面。該下面18b係區劃有各種形狀。具體而言，下面18b係在圍繞中央導入口18i之中央區域中具有平坦面180。該平坦面180係正交於軸線Z之平坦面。下面18b係在平坦面180之徑向的外側區域中，區劃環狀地連接並朝著介電體窗18之板厚方向內側來凹陷為錐狀的環狀第1凹部181。
第1凹部181係藉由內側錐面181a、底面181b及外側錐面181c來加以區劃。底面181b係設置於較平坦面180要上面18u之側，並與平坦面180平行地環狀延展。內側錐面181a係在平坦面180與底面181b之間環狀地 延展，並相對於平坦面180來傾斜。外側錐面181c係在底面181b與下面18b的周緣部之間環狀地延展，並相對底面181b來傾斜。另外，下面18b之周緣區域係成為接於側壁12a之面。
又，下面18b係區劃從平坦面180朝板厚方向內向側凹陷之複數第2凹部182。複數第2凹部182之個數，在圖3及圖4所示之範例中，係7個。該等複數第2凹部182係沿著周圍方向等間隔地形成。又，複數第2凹部182係在正交於軸線Z之面中具有圓形之平面形狀。具體而言，區劃第2凹部182之內側面182a係延展於軸線Z方向之圓筒面。又，區劃第2凹部182之底面182b係設置於較平坦面180要上面18u之側，並為與平坦面180平行之圓形面。
圖5係顯示在圖3所示之介電體窗上設置有圖2所示之槽孔板的狀態之俯視圖，係顯示從下側觀察介電體窗18之狀態。如圖5所示，在俯視中，亦即從軸線Z方向觀察時，外側槽孔對群OSP之複數槽孔44a及複數槽孔44b，以及內側槽孔對群ISP之複數槽孔44b，係重疊於第1凹部181。具體而言，在俯視中，外側槽孔對群OSP之複數槽孔44b係一部分重疊於外側錐面181c，而一部分重疊於底面181b。又，在俯視中，外側槽孔對群OSP之複數槽孔44a係重疊於底面181b。又，在俯視中，內側槽孔對群ISP之複數槽孔44b係一部分重疊於內側錐面181a，而一部分重疊於底面181b。
又，在俯視中，亦即從軸線Z方向觀察時，內側槽孔對群ISP之複數槽孔44a係重疊於第2凹部182。具體而言，在俯視中，係以個別複數第2凹部182之底面的重心(中心)位於內側槽孔對群ISP之複數槽孔44a內的方式來加以構成。
再次參照圖1。電漿處理裝置10中，藉由微波產生器32所產生的微波係通過同軸導波管16，而傳導至介電體板42，再從槽孔板44之槽孔44a及44b施加至介電體窗18。
介電體窗18中，如上述般區劃第1凹部181之部分的板厚及區劃第2凹部182之部分的板厚係較其他部分要薄。因此，介電體窗18中，在區劃第1凹部181的部分及區劃第2凹部182的部分中，會提高微波之穿透性。又，在從軸線Z方向觀察的情況，外側槽孔對群OSP之槽孔44a及44b， 以及內側槽孔對群ISP之槽孔44b係重疊於第1凹部181，而內側槽孔對群ISP之槽孔44a係重疊於第2凹部182。因此，微波的電場會集中在第1凹部181及第2凹部182，而使得微波的能量集中在該第1凹部181及第2凹部182。其結果，在第1凹部181及第2凹部182中，便可穩定電漿並使其產生，而可在介電體窗18正下方中穩定分布於徑向及周圍方向之電漿並使其產生。
該電漿處理裝置10中，可在介電體窗18之正下方中生成電漿，而在設於介電體窗18下方之載置台20上處理晶圓W。從介電體窗18的下面18b至載置台20的上面，亦即載置區域MR之軸線Z方向的距離係例如為245mm。此處，電漿之電子溫度係作為自介電體窗18之距離的函數而產生者，且自介電體窗18的距離越大則越低。從而，電漿處理裝置10便可在電子溫度較低的電漿擴散區域中處理晶圓W，其結果，便可降低對晶圓W的傷害。
另外，電漿之擴散係以下述之式(1)所規定。
D×δNe/δx......(1)
其中，D係擴散係數，δNe/δx係表示電子密度分布梯度。依據式(1)，電漿之擴散係依照從電漿產生區域朝處理容器之內壁面的密度分布梯度。由於如此般之電漿擴散，故電漿之密度係自處理容器之內壁面的距離越大則越高。一般而言，載置台係在其徑向之外側中以處理容器的內壁面來圍繞。從而，有以載置台上的中央，亦即晶圓的中央之電漿的密度變高，而載置台上的周緣部，亦即晶圓的周緣部中之電漿的密度變低之方式，來形成電漿分布之傾向。此般電漿之分布會產生晶圓W徑向之處理速度的差異。於是，電漿處理裝置10便具備有用以讓晶圓W徑向中之處理速度的差異降低的各種構成。以下，將詳細地說明電漿處理裝置10的構成。
電漿處理裝置10係具備有中央導入部50及周邊導入部52。中央導入部50係包含有導管50a、噴射器50b及中央導入口18i。導管50a係連通於同軸導波管16之內側導體16b的內孔。又，導管50a的端部係延展至介電體窗18沿軸線Z所區劃之空間18s(參照圖4)內為止。該空間18s內在導管50a端部之下方係收置有噴射器50b。噴射器50b係設有延展於軸線Z方向之複數貫孔。介電體窗18係區劃中央導入口18i。中央導入口18i係接續於 空間18s的下方，且沿著軸線Z來加以延展。相關構成之中央導入部50係透過導管50a將氣體供應至噴射器50b，而從噴射器50b透過中央導入口18i來噴射氣體。如此般，中央導入部50便會沿軸線Z將氣體噴射至介電體窗18的正下方。亦即，中央導入部50會將氣體導入至電子溫度較高之電漿產生區域。
周邊導入部52係包含複數周邊導入口52i。複數周邊導入口52主要係將氣體供應至晶圓W的周緣部。複數周邊導入口52i係朝著晶圓W的周緣部，或是，載置區域MR的周緣部來加以開口。複數周邊導入口52i係在較中央導入口18i要下方，並且，在載置台20的上方沿著周圍方向來加以配列。亦即，複數周邊導入口52i係在電子溫度較介電體窗正下方要低的區域中(電漿擴散區域)將軸線Z作為中心來環狀地配列。此處，氣體之解離度係以滯留時間、電子密度及電子溫度之積所決定。由於周邊導入部52係從電子溫度較低的區域朝晶圓W供應氣體，故從該周邊導入部52導入至處理空間S之氣體的解離度會較從中央導入部50供應至處理空間S之氣體的解離度要被加以抑制。又，藉由調整上述微波之功率而調整電子密度，便可調整氣體的解離度。
中央導入部50係透過第1流量控制單元群FCG1而連接有第1氣體源群GSG1。又，周邊導入部52係透過第2流量控制單元群FCG2而連接有第2氣體源群GSG2。圖6係顯示包含有第1流量控制單元群、第1氣體源群、第2流量控制單元群及第2氣體源群之氣體供應系統的圖式。如圖6所示，第1氣體源群GSG1係包含複數第1氣體源GS11~GS1N。此處，「N」係表示總數之記號。第1氣體源GS11~18係分別為Ar氣體源、He氣體源、C4F6氣體源、O2氣體源、HBr氣體源、CF4氣體源、Cl2氣體源及N2氣體源。第1氣體源群GSG1係可進一步地包含有與該等氣體相異之氣體源。
第1流量控制單元群FCG1係包含有複數第1流量控制單元FC11~FC1N。複數第1流量控制單元FC11~FC1N的每一者係例如包含二個閥件與設置在該二個閥件之間的流量控制器。流量控制器係例如為質流控制器。複數第1氣體源GS11~GS1N係分別透過複數第1流量控制單元FC11~FC1N連接於共通氣體流路GL1。該共通氣體流路GL1係連接於中央導入部50。
第2氣體源群GSG2係包含有複數第2氣體源GS21~GS2M。此處，「M」係表示總數之記號。第2氣體源GS21~28分別為Ar氣體源、He氣體源、C4F6氣體源、O2氣體源、HBr氣體源、CF4氣體源、Cl2氣體源及N2氣體源。第2氣體源群GSG2係可進一步地包含有與該等氣體源相異之氣體源。
第2流量控制群FCG2係包含有複數第2流量控制單元FC21~FC2M。複數第2流量控制單元FC21~FC2M的每一者係例如包含有二個閥件與設在該二個閘件之間的質流控制器。質流控制器係例如為流量控制器。複數第2氣體源GS21~GS2M係分別透過複數第2流量控制單元FC21~FC2M，來連接於共通氣體流路GL2。該共通氣體流路GL2係連接於周邊導入部52。
如此般，電漿處理裝置10中，複數第1氣體源及複數第1流量控制單元係設置為中央導入部50專用，並設置為與該等複數第1氣體源及複數第1流量控制單元獨立之周邊導入部52專用的複數第2氣體源及複數第2流量控制單元。從而，便可獨立控制由中央導入部50導入處理空間S之氣體的種類及從中央導入部50導入處理空間S之一種以上的氣體之流量，又，可獨立控制著從周邊導入部52導入處理空間S之氣體的種類及從周邊導入部52導入處理空間S之一種以上之氣體的流量。
例如，電漿處理裝置10中，係可使得從周邊導入部52導入處理空間S之氣體中之反應性氣體的流量對稀有氣體的流量比，會較從中央導入部50導入處理空間S之氣體中之反應性氣體的流量對稀有氣體的流量比要大。又，亦可使得相較於從中央導入部50導入處理空間S之反應性氣體的流量，從周邊導入部52導入處理空間S之反應性氣體的流量會較多。例如，可從中央導入部50將稀有氣體導入處理空間S，並從周邊導入部52將反應性氣體導入處理空間S。從而，電漿處理裝置10中，便可將較多的反應性氣體之活性基，不使其失活而供應至晶圓W的周緣部。藉此，便可降低晶圓W之徑向全區域中的處理速度之差異。
另外，在矽氧化膜之蝕刻中，係可使用C4F6氣體來作為反應性氣體。C4F6氣體對於多晶矽係沉積性的氣體。又，在多晶矽之蝕刻中，係可使用HBr氣體、CF4氣體及/或Cl2氣體作為反應性氣體。
一實施形態中，電漿處理裝置10，如圖1所示，係進一步地具備有控制部Cnt。控制部Cnt可為所謂可程式化之電腦裝置的控制器。控制部Cnt 係依照基於指令之程式而可控制電漿處理裝置10的各部。例如，控制部Cnt係可對複數第1流量控制單元FC11~FC1N送出控制信號，以調整供應至中央導入部50之氣體種類及氣體流量。又，控制部Cnt係可對複數第2流量控制單元FC21~FC2M送出控制信號，以調整供應至周邊導入部52之氣體種類及氣體流量。又，控制部Cnt係可對微波產生器32、高頻電源RFG、及排氣裝置30供給控制信號，以控制微波之功率、RF偏壓之功率及ON/OFF，以及處理容器12內的壓力。進一步地，控制部Cnt為了調整加熱器HT、HS、HC、及HE的溫度，可送出控制信號於連接於該等加熱器之加熱器電源。
一實施形態中，周邊導入部52係進一步地包含環狀管52p。該管52p係形成有複數周邊導入口52i。環狀管52p係可例如由石英所構成。如圖1所示，環狀管52p，在一實施形態中，係沿側壁12a的內壁面來加以設置。換言之，環狀管52p係並未被配置於連結介電體窗18之下面與載置區域MR，亦即晶圓W之路徑上。從而，環狀管52p不會妨礙電漿之擴散。又，由於環狀管52p係沿著側壁12a之內壁面來加以設置，故可抑制該環狀管52p因電漿之耗損，而可減少該環狀管52p的交換頻率。進一步地，由於環狀管52p係沿著可由加熱器溫控之側壁12a來加以設置，故可提昇從周邊導入部52導入處理空間S之氣體溫度的穩定性。
圖7係顯示周邊導入部之環狀管及其支撐構造之立體圖。圖8係顯示周邊導入部之環狀管及其支撐構造之分解立體圖。圖9係顯示環狀管與氣體供應區塊之剖面圖。如圖7至圖9所示，電漿處理裝置10係在一實施形態中，可進一步地具備有用以支撐環狀管52p之支撐構件56。
支撐構件56係具有環狀，例如可由在表面施以陽極氧化處理的鋁所構成。支撐構件56係具有上側部分56a與下側部分56b。支撐構件56之上側部分56a的內徑係較下側部分56b的內徑要大。從而，支撐構件56中，在上側部分56a與下側部分56b之間，係提供有朝向上方之環狀的面56s。該環狀的面56s係沿著環狀管52p之下面來加以延展，而藉由上側部分56a之內側面56i係沿著環狀管52p之外周面來加以延展，會使得環狀管52p以支撐構件56來加以支撐。
又，電漿處理裝置10係進一步地可具備有：用以將環狀管52p對於支 撐構件56來加以固定之固定構件58、60，以及用以連接環狀管52p與共通氣體流路GL2之氣體供應區塊62。具體而言，為支撐構件56的一部分之第1部分56c係形成有延展於徑向之貫孔56d。該貫孔56d係插入有固定構件58之柱狀按壓部58b。固定構件58係具有連接於按壓部58b基端之板狀的基部58a。該基部58a係連接於支撐構件56的外周面，並對該支撐構件56鎖螺。基部58a對支撐構件56鎖螺後，按壓部58b的前端會相接於環狀管52p的外周面。藉此，環狀管52p會在支撐構件56的直徑方向被按壓，而相對於與第1部分56c在直徑方向中對峙之支撐構件56的第2部分56e來加以按壓。
環狀管52p係在與固定構件58相接之部分的相反側中形成有二個溝。該等溝係分別插入有二個固定構件60之被卡固部60a。藉此，固定構件60係對環狀管52p所卡固。又，二個固定構件60係具有從環狀管52p的外周面突出於外側之突出部60b。該等固定構件60之突出部60b係形成有螺孔。固定構件60之突出部60b係收置於形成於支撐構件56之第2部分56e之內周面的溝內。支撐構件56的第2部分56e係形成有從該第2部分56e之外周面延展於內側的孔，該孔係在該第2部分56e中連接於用以收置突出部60b之該溝。在支撐構件56的第2部分56e之該孔插入螺絲而螺合於固定構件60之突出部60b的螺孔後，環狀管52p遂透過固定構件60而對支撐構件56來加以固定。
在收置固定構件60之被卡固部60a的二個溝之間，環狀管52p係形成有延展於徑向之氣體流路52f。氣體流路52f的一端係連接至形成於環狀管52p內之環狀的氣體流路52g，而氣體流路52f的另一端係延展至環狀管52p的外周面。又，支撐構件56之第2部分56e係形成有從對向於氣體流路52f之另一端的位置至該支撐構件56的外周面為止而延展於徑向之貫孔56g。該貫孔56g係插入有氣體供應區塊62之第1埠62a。氣體供應區塊62係形成有從第1埠62a的前端至第2埠62b來延展之氣體流路62f。第2埠62b係連接有共通氣體流路GL2。該氣體供應區塊62係藉由對支撐構件56之外周面來加以固定，而使得第1埠62a的前端與環狀管52p的外周面接觸，進而連接有氣體流路52f與氣體流路62f。另外，亦可以圍繞該等氣體流路52f與氣體流路62f之連接部分的方式來設置所謂O型環的止封構件。
包含具有此般的構成之環狀管52p與支撐構件56之周邊導入組件，如圖1所示，係嵌入於形成在側壁12a之內壁面的溝。如上述，環狀管52p係被搭載於單一之支撐構件56上，而藉由固定構件58、60來對該支撐構件56固定。由於如此般以較少的零件數來構成環狀管52p的支撐構造，故電漿處理裝置10會在環狀管52p及其所關聯之支撐構造有良好的維護性。又，以低成本來實現環狀管52p之支撐構造。
圖10係顯示周邊導入部之周邊導入口與晶圓W的擴大剖面圖。一實施形態中，環狀管52p內的氣體流路52g之剖面形狀係以在徑向之寬度及軸線Z方向之寬度的一方面，較其他方面要大之方式來加以構成。圖1及圖10所示之實施形態中，環狀管52p內的氣體流路52g之徑向寬度W1係較該環狀管52p內的氣體流路52g之高度方向寬度W2要大。供應至環狀管52p之氣體的壓力係可在流經環狀管52p內的期間下降。該此實施形態中，係藉由具有相關剖面形狀之環狀管52p，便可降低環狀管52p內之氣體的壓力損失。藉此，便可降低從複數周邊導入口52i所噴射之氣體流量的差異。
又，一實施形態中，複數周邊導入口52i係朝晶圓W之周緣部來加以開口。亦即，複數周邊導入口52i係為了朝著晶圓之周緣部噴射氣體，而相對於正交於軸線Z之平面以角度θ來傾斜。角度θ係依照晶圓W或載置區域MR之周緣部與周邊導入口52i的徑向中之距離，以及，晶圓W或載置區域MR與周邊導入口52i之軸線Z方向的距離來加以決定。例如，角度θ係定於30度~50度的範圍中。一範例中，晶圓W或載置區域MR與周邊導入口52i之軸線Z方向的距離為90mm，角度θ為45度。由於如此般該周邊導入口52i係以朝晶圓W之周緣部來傾斜之方式來開口，故從該周邊導入口52i噴射之反應性氣體的活性基會直接朝向晶圓W的周緣部。藉此，便可將反應性氣體之活性基不失活性地供應至晶圓W的周緣部。其結果，便可降低在晶圓W徑向中的各區域之處理速度的差異。
圖11係顯示載置台20之外緣部附近的擴大剖面圖。一般而言，載置台及所附隨之構件，例如，包含聚焦環FR之載置台組件係相較於晶圓W，而延展至徑向外側。從而，載置台組件會成為電漿對晶圓W之周緣部擴散的妨礙。為了降低在晶圓W的徑向之處理速度的差異，便有需要讓電漿擴 散至晶圓W之周緣部附近。此處，一實施形態中，包含載置台20及聚焦環FR之載置台組件的直徑係設定為晶圓W之直徑的110%以下。如此般之載置台組件的一範例係藉由圖11所示之實施形態來加以實現。
如圖11所示，一實施形態中，靜電夾具24係包含下側部分24c，以及，位在該下側部分24c之上且提供載置區域MR的上側部分24d。上側部分24d係包含底板24a之上側區域及夾具部24b。上側部分24d係以其直徑較下側部分24c之直徑要小的方式來縮減徑長。如此般所構成之靜電夾具24係具有在上側中縮減徑長之階梯狀外周面。板體22係具有略等於靜電夾具24之下側部分24c的直徑，並提供連接於靜電夾具24下側部分24c之外周面的外周面。
靜電夾具24中，係於底板24a之上面的外緣區域設有聚焦環FR。夾具部24b係在圍繞著底板24a外緣區域之區域而被設置在底板24a上面之上。從而，載置區域MR係以聚焦環FR來加以圍繞。聚焦環FR的外緣係較底板24a的上面之外緣在徑向僅微幅地突出於外側。又，靜電夾具24的外周面及板體22的外周面係設有由所謂的石英之材料所構成的絕緣構件。圖11所示之實施形態中，絕緣構件70係從聚焦環FR之外緣的下面，沿著靜電夾具24之上側部分24d的外周面來加以延展。絕緣構件70的外周面係具有仿傚靜電夾具24之上側部分24d的外周面之形狀，並連接於排氣路徑VL。又，絕緣構件72係沿著靜電夾具24之下側部分24c的外周面及板體22的外周面來加以延展。該絕緣構件72的外周面也連接於排氣路徑VL。
如此般，靜電夾具24的上側部分24d係較其下側部分24c之徑長要短，聚焦環FR係為了使得其外緣連接於絕緣構件70，而成為較底板24a上面之外緣僅在徑向僅微幅突出之構成。該構成中，由於聚焦環FR之直徑變小，故可讓電漿擴散至聚焦環FR的周圍。例如，聚焦環FR之外徑(直徑)為330mm。藉此，便可讓電漿擴散至晶圓W之周緣部的附近。又，依據圖11所示之實施形態，自包含聚焦環FR及絕緣構件70、72之載置台組件的外周面至處理容器12之側壁12a的距離會變大。其結果，在側壁12a與該載置台組件的外周面之間，便可確保在徑向有大的空間，亦即可確保排氣路徑VL，而亦可在該排氣路徑VL中促進電漿的擴散。
又，擋板26係在軸線Z方向中以自載置區域MR80mm以上之距離H1 設置於下方。圖11所示的形態中，為了確保有80mm以上的距離H1，擋板26係設置在較靜電夾具24及板體22要下方。如此般，藉由採用將擋板26自載置區域MR以大的距離H1遠離至下方之構成，便可確保在該載置台組件的周圍有大的空間、亦即排氣路徑VL。從而，在排氣路徑VL中可進一步地促進電漿的擴散。
排氣路徑VL係在載置台20的周圍環狀地延展。在排氣路徑的下方，如圖1所示，係透過擋板26而設有排氣口28h。亦即，排氣口28h係並非位在載置台20的中心之下方，而是設在從載置台20的中心偏移於徑向之位置。這是因為在載置台20的中心之下方係在軸線Z方向延展有上述供電棒PFR。從而，從晶圓W之周緣部至排氣口28的距離會隨著晶圓W之周緣部的位置而產生差異。然而，電漿處理裝置10中，由於擋板26具有以從載置區域MR以大的距離H1遠離至下方的構成，故可增加從晶圓W的周緣部至擋板26之流線的長度。其結果，便可縮小在晶圓W周緣部之氣流的周圍方向的差異，而使得朝晶圓W周圍之氣流在周圍方向中均勻化。
以下，就使用上述電漿處理裝置10而可實施之電漿處理方法來加以說明。該方法包含工序Sa。工序Sa中，係從中央導入部50將第1氣體供應至處理容器12內，從周邊導入部52將第2氣體供應至處理容器12內。又，工序Sa中，係從天線14透過介電體窗18將微波之能量導入處理容器12內。藉此，在工序Sa中，對已載置於載置台20上之晶圓W進行蝕刻。
上述工序Sa中，相較於第1氣體中之反應性氣體的流量對稀有氣體的流量比，第2氣體中之反應性氣體的流量對稀有氣體的流量比會較大。又，工序Sa中，第2氣體中之反應性氣體的流量係較第1氣體中之反應性氣體的流量要多。例如，第1氣體可僅包含稀有氣體，第2氣體可僅包含反應性氣體。稀有氣體係例如為Ar氣體、He氣體，反應性氣體對於矽氧化層(SiO2層)可為C4F6氣體。又，反應性氣體對於多晶矽可為HBr氣體，CF4氣體，及/或Cl2氣體。
該工序Sa係可在電漿處理裝置10之控制部Cnt的控制之下實施。亦即，藉著由控制部Cnt來控制複數第1流量控制單元FC11~FC1N及複數第2流量控制單元FC21~FC2M，便可將第1氣體及第2氣體供應至處理容器12內。
接著，就包含工序Sa之電漿處理方法的應用例來加以說明。第1應用例相關之電漿處理方法係可適用於鰭型場效電晶體製造時之SiO2層的蝕刻。圖12係顯示鰭型場效電晶體之一範例的立體圖。如圖12所示，鰭型場效電晶體100係具有基板102。基板102係例如由Si所構成。基板102的一個主面係形成有多晶矽製之鰭104。
鰭104係具有在一方向較長之長方體形狀。鰭104係具有添加了雜質之源極及汲極，並在該一方向中源極及汲極之間具有通道。正交於該一方向之另一方向中鰭104的兩側係設有SiO2層106。又，以覆蓋鰭104之通道的方式來設置閘極氧化膜108，並以覆蓋該閘極氧化膜108之方式來使閘極110延展至上述另一方向。
圖13係顯示鰭型場效電晶體的製造中之一工序的圖式。如圖13所示，鰭型場效電晶體100之製造中，係以覆蓋鰭104之方式來讓SiO2層106沉積後，以鰭104的上側部分露出之方式來進行蝕刻該SiO2層的工序。上述之工序Sa係可適用於圖13所示之工序。具體而言，工序Sa中，係以使用C4F6氣體來作為反應性氣體，來藉由從C4F6氣體解離之氟的活性基以蝕刻SiO2層106，且與其同時，藉由C4F6氣體所解離的氟碳亦可保護多晶矽製的鰭104。亦即，對於SiO2層106係可使用C4F6氣體來作為腐蝕性氣體，對於多晶矽製的鰭104係可使用C4F6氣體來作為沉積性氣體。
如上述般，工序Sa中，相較於從中央導入部50供應之第1氣體中之反應性氣體(C4F6氣體)的流量對稀有氣體的流量比，從周邊導入部52供應之第2氣體中之反應性氣體的流量對稀有氣體之流量比會較大。又，工序Sa中，第2氣體中之反應性氣體的流量係較第1氣體中之反應性氣體的流量要多。從而，根據工序Sa，亦可將氟的活性基及氟碳供應至晶圓W的周緣部。又，根據工序Sa，藉由調整第1氣體中之稀有氣體的流量，便可調整徑向中的多晶矽層之蝕刻速度的分布以及對多晶矽層之沉積速度的分布。又，藉由調整第2氣體中之C4F6氣體的流量，便可調整徑向中之矽氧化層之蝕刻速度的分布。因此，根據工序Sa，便可降低包含晶圓W之中央及周緣部之徑向的全區域中，鰭104本身的高度，以及，從SiO2層106露出之鰭104的高度之差異。
接著，就第2應用例來加以說明。圖14係顯示一實施形態相關之電漿 處理方法的應用例之流程圖。圖14所示之電漿處理方法，係可適用於用以製作圖15所示狀態之基板。圖15係顯示在製造鰭型場效電晶體中之中間過程的晶圓W之狀態。圖15所示之晶圓W係具有配列於Si基板(底層部)200之一主面上的複數閘極202。又，沿著複數閘極202的每一者的兩側壁來設有側壁間隔層204。側壁間隔層204係例如由SiN所構成。場效電晶體的製造中，係在設置於相鄰的閘極202間之二個側壁間隔層204間的下方中，將孔部206形成於Si基板200，而讓該孔部擴張至側壁間隔層204的下方。為此，便必須將Si基板200縱向，亦即厚度方向地蝕刻，並且，橫向也需要蝕刻。該相關蝕刻係使用電漿處理裝置10而適合於可實施之圖14的電漿處理方法。另外，孔部206係可用於為了在該孔部206形成後埋入矽鍺以讓應力產生。
圖14所示之電漿處理方法係包含工序Sa與先行於工序Sa之工序Sb。工序Sb中，係將Si基板200，亦即底層部的蝕刻用之反應性氣體導入處理容器12內，並從天線14透過介電體窗18將微波之能量導入處理容器12內，且對載置台20之板體22施加高頻偏壓電力。藉此，處理容器12內，便會生成包含於反應性氣體之原子或分子的活性基。然後，藉由高頻偏壓電力之離子的吸引效果，便會在介設於相鄰的閘極202間的二個間隔層204間的下方，讓Si基板200進行主要為縱向，亦即厚度方向地蝕刻。另外，工序Sb中所使用的反應性氣體可為CF4氣體或HBr氣體。
圖14所示之電漿處理方法中，係接續工序Sb而實施工序Sa。工序Sa中，係從中央導入部50將第1氣體導入至處理容器12內，並從周邊導入部52將第2氣體導入處理容器12內，且從天線14透過介電體窗18將微波之能量導入處理容器12內。又，工序Sa中，並未對載置台20之板體22供應高頻偏壓電力。由於工序Sa並未實施偏壓，故藉由包含於反應性氣體之原子或分子的活性基，特別是自由基，在介設於相鄰閘極202間的二個間隔層204間的下方，讓Si基板200等向地，亦即橫向也被蝕刻。另外，工序Sa中之反應性氣體可為HBr氣體，或是，亦可為CF4氣體或Cl2氣體。
如上述般，工序Sa中，相較於從中央導入部50供應之第1氣體中之反應性氣體的流量對稀有氣體的流量比，從周邊導入部52供應之第2氣體中之反應性氣體的流量對稀有氣體的流量比會較大。又，工序Sa中，第2 氣體中之反應性氣體的流量係較第1氣體中之反應性氣體的流量要多。從而，根據工序Sa，亦可對晶圓W之周緣部，不失活性地供應大量的自由基。其結果，在包含晶圓W之中央及周緣部的徑向全區域中，便可形成橫向地擴張之孔部206。
圖14所示之電漿處理方法，係可在電漿處理裝置10中，於控制部Cnt的控制之下加以實施。在此情況，控制部Cnt係實行第1控制及第2控制。第1控制係用以實施工序Sb之控制。該第1控制中，控制部Cnt係為了將含稀有氣體及基板200之蝕刻用反應性氣體的氣體供應至處理容器12內，而控制複數第1流量控制單元FC11~FC1N及複數第2流量控制單元FC21~FC2M。又，控制部Cnt係為了讓微波之能量透過介電體窗18而導入處理容器12內，而控制微波產生器32。進一步地，控制部Cnt係為了讓載置台20之板體22供應高頻偏壓電力，而控制高頻電源RFG。
第2控制係用以實施工序Sa之控制。該第2控制中，控制部Cnt係為了分別從中央導入部50及周邊導入部52供應第1氣體及第2氣體，而控制複數第1流量控制單元FC11~FC1N及複數第2流量控制單元FC21~FC2M。又，控制部Cnt係為了將微波之能量透過介電體窗18導入處理容器12，而控制微波產生器32。進一步地，控制部Cnt係為了停止對於載置台20的板體22之高頻偏壓電力的供應，而控制高頻電源RFG。
以下，就為了對電漿處理裝置10評量所進行之各種模擬來加以說明。
(模擬1)
模擬1中，係將周邊導入部52之環狀管52p的直徑作為參數來加以變更，並求取在載置區域MR5mm上之Ar電漿的電子密度分布，以求出在該電子密度分布中之電子密度的差異。該模擬1中，係將處理容器12之內徑設成540mm，將環狀管52p與載置區域MR間於軸線Z方向之距離設成90mm。又，模擬1中，係將處理容器12內的壓力設成20mTorr(2.666Pa)及100mTorr(13.33Pa)。電子密度之差異的計算係使用下述之式(2)。
NeU=(NeMax-NeMin)/(2×NeAve)......(2)
其中，NeU係電子密度之差異，NeMax係電子密度之最大值，NeMin係電子密度之最小值，NeAve係電子密度之平均值。
圖16係顯示模擬1之結果的圖表。圖16中，橫軸係環狀管52p的直 徑，縱軸係電子密度之差異NeU(%)。如圖16所示，確認到電子密度之差異NeU不依存於處理容器12內的壓力，而環狀管52p之直徑越大則越小。從該結果，確認到藉著將環狀管52p沿著處理容器12之側壁12a的內壁面來加以設置，便可降低在載置區域MR正上方之電漿密度分布的差異。
(模擬2)
模擬2中，係將載置台之直徑作為參數來加以變更，並求取在載置區域MR之5mm上的Ar電漿之電子密度的分布，以求出在該電子密度分布中之電子密度的差異。模擬2中的「載置台的直徑」係包含有載置台20、聚焦環FR及絕緣構件70、72之載置台組件外緣的直徑。另外，該模擬2中，係將處理容器12之內徑設成540mm，將環狀管52p之直徑設定成540mm，將環狀管52p與載置區域MR間在軸線Z方向之距離設成90mm。又，模擬2中，係將處理容器12內的壓力設成20mTorr(2.666Pa)及100mTorr(13.33Pa)。又，電子密度之差異的計算係使用式(2)。
圖17係顯示模擬2之結果的圖表。圖17中，橫軸係載置台的直徑，縱軸係電子密度之差異NeU(%)。如圖17所示，確認到電子密度之差異NeU並不依存於處理容器12內的壓力，而載置台組件之外緣的直徑越小則變小。又，確認到假設為具有300mmφ之直徑的晶圓W時，藉著將載置台組件之外緣直徑設定在該晶圓W直徑的110%以下，亦即設定在330mm以下，便可降低在載置區域MR正上方之電漿密度分布的差異。
(模擬3~4，及模擬5~7)
模擬3及4中，係將從中央導入部50及周邊導入部52導入處理容器12內之氣體的種類及流量作為參數來加以變更，並算出在載置區域MR5mm上之HBr的莫耳濃度。模擬3及4的其他條件如下。
〈模擬3及4的條件〉
模擬3及4之處理容器12的內徑：540mm
模擬3及4之介電體窗18的下面與載置區域MR間的距離：245mm
模擬3及4之環狀管52p的直徑：540mm
模擬3及4之環狀管52p與載置區域MR間的距離：90mm
模擬3及4之周邊導入口52i的角度θ：45度
模擬3之中央導入部50之HBr氣體流量：800sccm
模擬3之周邊導入部52之Ar氣體流量：1000sccm
模擬4之中央導入部50之Ar氣體流量：1000sccm
模擬4之周邊導入部52之HBr氣體流量：800sccm
在模擬5~7中，係將環狀管52p之直徑為528mm，並將周邊導入口52i朝著軸線Z來水平地開口，而對中央導入部50及周邊導入部52將同一氣體改變分配比而導入處理容器12內，並算出載置區域MR的5mm上之HBr的莫耳濃度分布。模擬5~7之其他條件如下。
〈模擬5~7的條件〉
模擬5~7之處理容器12的內徑：540mm
模擬5~7之介電體窗18之下面與載置區域MR間的距離：245mm
模擬5~7之環狀管52p與載置區域MR間的距離：90mm
模擬5~7之Ar氣體流量/HBr氣體流量：1000sccm/800sccm
模擬5之氣體分配比(中央導入部：周邊導入部)：5：95
模擬6之氣體分配比(中央導入部：周邊導入部)：30：70
模擬7之氣體分配比(中央導入部：周邊導入部)：90：10
將模擬3及4的結果示於圖18，將模擬5~7的結果示於圖19。在圖18及圖19中的橫軸，係在以直徑300mm的晶圓W之中心位置的正上方位置作為「0」的情況之徑向的距離，縱軸係HBr之莫耳濃度。如圖19所示，在改變同一氣體之分配比而從中央導入部50及周邊導入部52導入的情況，亦即在模擬5~7中，確認到相較於晶圓W之周緣部，晶圓W之中心有較多的HBr供應。又，如圖18所示，在從中央導入部50供應HBr氣體，並從周邊導入部52供應Ar氣體之情況，亦即，在模擬3中，亦確認到相較於晶圓W之周緣部會在晶圓W之中心有較多的HBr供應。另一方面，如圖18所示，從中央導入部50供應Ar氣體，並從周邊導入部52供應HBr氣體的情況，亦即，在模擬4中，確認到相較於晶圓W之中央會對於晶圓W之周緣部供應較多的HBr。
(模擬8~25)
模擬8~25中，電漿處理裝置10中，係將載置區域MR至環狀管52p之距離(高度)及周邊導入口52i之角度θ作為參數來加以變更，以算出載置區域MR5mm上之HBr的莫耳濃度分布。又，在模擬8~25中，係從中央導 入部50將Ar氣體導入處理容器12內，並從周邊導入部52將HBr氣體導入處理容器12內。模擬8~25之其他條件如下。
〈模擬8~25的條件〉
模擬8~25之處理容器12的內徑：540mm
模擬8~25之介電體窗18之下面與載置區域MR間的距離：245mm
模擬8~25之環狀管52p的直徑：540mm
模擬8~16之處理容器內的壓力：100mTorr(13.33Pa)
模擬17~25之處理容器內的壓力：20mTorr(2.666Pa)
模擬8~25之中央導入部50之Ar氣體流量：1000sccm
模擬8、10、13、15、17、19、22、24之周邊導入部52之HBr氣體流量：1000sccm
模擬11、20之周邊導入部52之HBr氣體流量：600sccm
模擬9、12、14、16、18、21、23、25之周邊導入部52之HBr氣體流量：400sccm
模擬8~9，17~18中之載置區域MR至環狀管52p的距離(高度)：120mm
模擬8~9，17~18中之周邊導入口52i的角度θ：50度
模擬10~12，19~21中之載置區域MR至環狀管52p之距離(高度)：90mm
模擬10~12，19~21中之周邊導入口52i的角度θ：45度
模擬13~14，22~23中之載置區域MR至環狀管52p之距離(高度)：60mm
模擬13~14，22~23中之周邊導入口52i的角度θ：35度
模擬15~16，24~25中之載置區域MR至環狀管52p之距離(高度)：30mm
模擬15~16，24~25中之周邊導入口52i的角度θ：0度
將模擬8~16的結果示於圖20，將模擬17~25的結果示於圖21。在圖20及圖21之圖表中的橫軸，係直徑300mm之晶圓W的中心位置之正上方位置為「0」時之徑向的距離，縱軸係位置「0」的HBr莫耳濃度規格化後之HBr的莫耳濃度。如圖20及圖21所示，藉著從中央導入部50將Ar氣體導入處理容器12內，並從周邊導入部52將HBr氣體導入處理容器12內，確認到相較於晶圓W的中央會對於晶圓W的周緣部供應較多的HBr。又，確認到對於晶圓W之周緣部的HBr之供應量，係可藉由從周邊導入部52所導入之HBr氣體的供應量來加以調整。又，如圖20及圖21所示，確認 到藉由將周邊導入口52i的角度設定在35度~45度之範圍內，便可得到HBr對於晶圓W周緣部的供應量之大調整幅度。
以下，就用以電漿處理裝置10之評量所進行之各種實驗例來加以說明。
(實驗例1~4)
在實驗例1~4中，係從電漿處理裝置10之周邊導入部52將C4F6氣體導入處理容器12內，並將從中央導入部50導入處理容器12內之He氣體的流量作為參數來加以變更，而讓電漿產生，並將具有同樣地設於底板上之SiO2層的直徑300mm之晶圓W暴露於該電漿。實驗例1~4的其他條件如下。
〈實驗例1~4的條件〉
實驗例1~4之處理容器12的內徑：540mm
實驗例1~4之介電體窗18之下面與載置區域MR間的距離：245mm
實驗例1~4之環狀管52p的直徑：540mm
實驗例1~4之周邊導入口52i的角度θ：45度
由實驗例1~4之載置區域MR至環狀管52p的距離(高度)：90mm
實驗例1~4之處理容器內的壓力：40mTorr(5.333Pa)
實驗例1~4之微波功率：1500W
實驗例1~4之高頻偏壓電力：350W
實驗例1~4之周邊導入部52之氣體流量(C4F6/O2)：20sccm/3sccm
實驗例1之中央導入部之He氣體流量：1200scmm
實驗例2之中央導入部之He氣體流量：900scmm
實驗例3之中央導入部之He氣體流量：600scmm
實驗例4之中央導入部之He氣體流量：300scmm
實驗例1~4的處理時間：60秒
(實驗例5~12)
實驗例5~12中，係從電漿處理裝置10之周邊導入部52將C4F6氣體導入處理容器12內，並將從中央導入部50導入處理容器12內之He氣體的流量作為參數來加以變更，而讓電漿產生，並將具有同樣地設於底板上之多晶矽層的直徑300mm之晶圓W暴露於該電漿。實驗例5~8的其他條件， 係與實驗例1~4之各條件相同。又，在實驗例9~12之其他條件，除了將高頻偏壓電力設定成0W的點以外，其他都與實驗例1~4之各條件相同。
(實驗例1~12的評量)
從實驗例1~4之處理前後的SiO2層之膜厚變化與處理時間來求取SiO2層的蝕刻速度。詳細而言，係在以45度之間隔來設定之晶圓W的四個直徑上設定間隔50mm之取樣點，而在該等取樣點中求取SiO2層的蝕刻速度。以下，將上述四個直徑稱為X軸線、Y軸線、V軸線及W軸線。
從實驗例5~8之處理前後的多晶矽層之膜厚變化與處理時間來求取多晶矽層的蝕刻速度。詳細而言，係在X軸線、Y軸線、V軸線及W軸線上設定間隔50mm之取樣點，而求出該等取樣點中多晶矽層的蝕刻速度。
又，從實驗例9~12之處理後的氟碳膜的膜厚與處理時間來求出氟碳膜的沉積速度。詳細而言，係在X軸線、Y軸線、V軸線及W軸線上設定間隔50mm之取樣點，而求出在該等取樣點中之氟碳膜的沉積速度。
將實驗例1~4中所求出之SiO2層的蝕刻速度之分布，示於圖22之(a)~(d)。將實驗例5~8所求出之多晶矽層的蝕刻速度之分布，示於圖23之(a)~(d)。將實驗例9~12所求出之氟碳膜的沉積速度之分布，示於圖24之(a)~(d)。另外，在圖22~圖23的圖表中，橫軸係當晶圓W之中心位置為「0」時的X軸線、Y軸線、V軸線及W軸線上的位置。又，在圖22及圖23所示的圖表中，縱軸係蝕刻速度。在圖24所示的圖表中，縱軸係沉積速度。
如圖22所示，即使改變從中央導入部50導入處理容器12內的He氣體，亦即稀有氣體的流量，仍未見到對SiO2層之蝕刻速度的分布有大的變化。另一方面，如圖23所示，確認到讓從中央導入部50導入處理容器12內之He氣體，亦即稀有氣體的流量減少時，相對於晶圓中央部之多晶矽層的蝕刻速度，晶圓周緣部之多晶矽層的蝕刻速度會相對地增加。又，如圖24所示，確認到讓從中央導入部50導入的He氣體，亦即稀有氣體之流量減少時，相對於晶圓中央部之氟碳膜的沉積速度，晶圓周緣部之氟碳膜的沉積速度會相對地減少。
總結以上的實驗例1~12的結果，確認到藉著從中央導入部50將以稀有氣體為主的氣體導入處理容器12內，並從周邊導入部52將C4F6氣體導入處理容器12內，且，調整從中央導入部50導入處理容器12內之稀有氣 體的流量，對SiO2層之蝕刻速度分布不會帶來影響，而可調整多晶矽層之蝕刻速度的分布，以及可保護多晶矽層之氟碳膜之沉積速度的分布。
(實驗例13~16)
在實驗例13~16中，係從電漿處理裝置10之中央導入部50將包含He氣體為主之氣體導入至處理容器12內，並將從周邊導入部52導入處理容器12內的C4F6氣體之流量作為參數來加以變更，而讓電漿產生，並將具有一樣地設於底板上之SiO2層的直徑300mm之晶圓W暴露於該電漿。實驗例13~16之其他條件如下。
〈實驗例13~16之條件〉
實驗例13~16之處理容器12之內徑：540mm
實驗例13~16之介電體窗18之下面與載置區域MR間的距離：245mm
實驗例13~16之環狀管52p的直徑：540mm
實驗例13~16之周邊導入口52i的角度θ：45度
實驗例13~16之載置區域MR至環狀管52p的距離(高度)：90mm
實驗例13~16之處理容器內的壓力：40mTorr(5.333Pa)
實驗例13~16之微波功率：1500W
實驗例13~16之高頻偏壓電力：350W
實驗例13之中央導入部之氣體流量(He/C4F6/O2)：360sccm/6sccm/9sccm
實驗例14~16之中央導入部之氣體流量(He/C4F6/O2)：360sccm/0sccm/9sccm
實驗例13之周邊導入部之氣體流量(He/C4F6/O2)：840sccm/14sccm/2.1sccm
實驗例14之周邊導入部之氣體流量(He/C4F6/O2)：840sccm/14sccm/2.1sccm
實驗例15之周邊導入部之氣體流量(He/C4F6/O2)：840sccm/17sccm/2.1sccm
實驗例16之周邊導入部之氣體流量(He/C4F6/O2)：840sccm/20sccm/2.1sccm
實驗例13~16的處理時間：60秒
(實驗例17~24)
在實驗例17~24中，係從電漿處理裝置10之中央導入部50將包含He氣體為主之氣體導入至處理容器12內，並將從周邊導入部52導入處理容器12內的C4F6氣體之流量作為參數來加以變更，而讓電漿產生，並將具有一樣地設於底板上之多晶矽層的直徑300mm之晶圓W暴露於該電漿。實驗例17~20的其他條件，係與實驗例13~16之各條件相同。又，實驗例21~24的其他條件，除了將高頻偏壓電力設定於0W之點之外，其他都與實驗例13~16之各條件相同。
(實驗例13~24之評量)
從實驗例13~16之處理前後的SiO2層之膜厚變化與處理時間來求取SiO2的蝕刻速度。詳細而言，係在X軸線、Y軸線、V軸線及W軸線上設定間隔50mm之取樣點，而求出該等取樣點中SiO2層的蝕刻速度。
從實驗例17~20之處理前後的多晶矽層之膜厚變化與處理時間來求取多晶矽層的蝕刻速度。詳細而言，係在X軸線、Y軸線、V軸線及W軸線上設定間隔50mm之取樣點，而求出該等取樣點中多晶矽層的蝕刻速度。
又，從實驗例21~24之處理後的氟碳膜的膜厚與處理時間來求出氟碳膜的沉積速度。詳細而言，係在X軸線、Y軸線、V軸線及W軸線上設定間隔50mm之取樣點，而求出在該等取樣點中之氟碳膜的沉積速度。
將實驗例13~16中所求出之SiO2層的蝕刻速度之分布，示於圖25之(a)~(d)。將實驗例17~20所求出之多晶矽層的蝕刻速度之分布，示於圖26之(a)~(d)。將實驗例21~24所求出之氟碳膜的沉積速度之分布，示於圖27之(a)~(d)。另外，在圖25~圖27所示的圖表中，橫軸係當晶圓W之中心位置為「0」時，在X軸線、Y軸線、V軸線及W軸線上的位置。又，在圖25及圖26所示的圖表中，縱軸係蝕刻速度。在圖27所示的圖表中，縱軸係沉積速度。
實驗例13中，係亦從中央導入部50導入C4F6氣體。因此，如圖25(a)所示，晶圓的中央可觀察到SiO2層之蝕刻速度有變快的傾向。另一方面，實驗例14~16中，係並未從中央導入部50導入C4F6氣體。在實驗例14中，如圖25(b)所示，相對於晶圓中央部的SiO2層之蝕刻速度，晶圓周緣部之SiO2層的蝕刻速度會變得稍快。又，在實驗例14~16中，如圖25之(b)~(d)所示，確認到讓從周邊導入部52導入處理容器12內之C4F6氣體的流量增 加時，相對於晶圓周緣部之SiO2層的蝕刻速度，晶圓中央部之SiO2層的蝕刻速度會有相對地變快的傾向。
又，實驗例21中，如圖27(a)所示，確認到相對於晶圓周緣部之氟碳膜的沉積速度，晶圓中央部之氟碳膜的沉積速度有相對地變快的傾向。又，實驗例17中，如圖26(a)所示，相對於晶圓周緣部的多晶矽層之蝕刻速度，晶圓中央部的多晶矽層之蝕刻速度有相對地變快的傾向。實驗例17及21之結果的傾向，應為該等實驗例中亦預先從中央導入部50導入C4F6氣體，而對晶圓中央部供應較多之氟碳所致。
另一方面，從中央導入部50將包含有主要為稀有氣體之氣體導入至處理容器12內，並從周邊導入部52將C4F6氣體導入處理容器12內之實驗例18~20中，如圖26之(b)~(d)所示，確認到即使變更周邊導入部52之C4F6氣體的流量，對多晶矽層之蝕刻速度的分布傾向並無大的變化，而會減少多晶矽層之蝕刻速度的差異。又，從中央導入部50將包含有主要為稀有氣體之氣體導入至處理容器12內，並從周邊導入部52將C4F6氣體導入處理容器12內之實驗例22~24中，確認到即使變更周邊導入部52之C4F6氣體的流量，對氟碳膜之沉積速度的分布傾向並無大的變化，而會減少氟碳膜之沉積速度的差異。
總結上述實驗例13~24之結果，確認到藉著從中央導入部50將包含有主要為稀有氣體之氣體導入至處理容器12內，並從周邊導入部52將C4F6氣體導入處理容器12內，並且，調整從周邊導入部52導入處理容器12內之C4F6氣體的流量，不會對多晶矽層之蝕刻速度的分布及可用以保護多晶矽層的氟碳膜之沉積速度的分布給予大的影響，而可調整SiO2層之蝕刻速度的分布。
(實驗例25~27)
實驗例25~27中，係從電漿處理裝置10之中央導入部50將Ar氣體導入處理容器12內，並將從周邊導入部52導入處理容器12內之HBr氣體的流量作為參數來加以變更，而讓電漿產生，並將具有一樣地設於底板上之多晶矽層的直徑300mm之晶圓W暴露於該電漿。實驗例25~27之其他條件如下。
〈實驗例25~27的條件〉
實驗例25~27的處理容器12之內徑：540mm
實驗例25~27的介電體窗18之下面與載置區域MR間的距離：245mm
實驗例25~27的的環狀管52p的直徑：540mm
實驗例25~27的周邊導入口52i的角度θ：45度
實驗例25~27從載置區域MR至環狀管52p的距離(高度)：90mm
實驗例25~27的處理容器內的壓力：40mTorr(5.333Pa)
實驗例25~27的微波功率：2000W
實驗例25~27的高頻偏壓電力：150W
實驗例25~27的中央導入部之Ar氣體流量：440sccm
實驗例25的周邊導入部之HBr流量：200sccm
實驗例26的周邊導入部之HBr流量：400sccm
實驗例27的周邊導入部之HBr流量：600sccm
實驗例25~27的處理時間：60秒
(實驗例28~30)
在實驗例28~30，係從電漿處理裝置10之中央導入部50將Ar氣體導入處理容器12內，並將從周邊導入部52導入處理容器12內之HBr氣體的流量作為參數來加以變更，而讓電漿產生，並將具有一樣地設於底板上之SiN層的直徑300mm之晶圓W暴露於該電漿。實驗例28~30之其他條件係與實驗例25~27之各條件相同。
(實驗例25~30的評量)
從實驗例25~27之處理前後的多晶矽層之膜厚變化與處理時間來求取多晶矽層的蝕刻速度。詳細而言，係在X軸線、Y軸線、V軸線及W軸線上設定間隔50mm之取樣點，以求出該等取樣點中多晶矽層的蝕刻速度。
從實驗例28~30之處理前後的SiN層之膜厚變化與處理時間來求取SiN層的蝕刻速度。詳細而言，係在X軸線、Y軸線、V軸線及W軸線上設定間隔50mm之取樣點，以求出該等取樣點中SiN層的蝕刻速度。
將實驗例25~27中所求出之多晶矽層之蝕刻速度的分布，示於圖28之(a)~(c)。又，將實驗例28~30中所求出之SiN層之蝕刻速度的分布，示於圖29之(a)~(c)。又，將根據實驗例25~30的結果所求出之多晶矽層對SiN層之蝕刻的選擇性分布，示於圖30之(a)~(c)。圖28~圖30所示的圖表中，橫 軸係以晶圓W之中心位置為「0」時之X軸線、Y軸線、V軸線及W軸線上的位置。又，在圖28及圖29所示的圖表中，縱軸係蝕刻速度。圖30所示的圖表中，縱軸係選擇性。另外，圖30(a)所示的選擇性之分布，係藉由將實驗例25所求出之各位置的多晶矽之結晶速度，除以實驗例28所求出之對應位置的SiN層之蝕刻速度來求得。同樣地，圖30(b)所示之選擇性分布，係藉由將實驗例28所求出之各位置的多晶矽之蝕刻速度，除以實驗例29所求出之對應位置之SiN層的蝕刻速度來求得。同樣地，圖30(c)所示之選擇性的分布，係藉由將實驗例27所求出之各位置之多晶矽的蝕刻速度，除以實驗例30所求出之對應位置之SiN層之蝕刻速度來求得。
根據實驗例25~27的結果，確認到從電漿處理裝置10之中央導入部50將Ar氣體導入處理容器12內，並讓從周邊導入部52導入處理容器12內之HBr氣體的流量增加時，如圖28之(a)~(c)所示，可調整在多晶矽層的徑向中之蝕刻速度的分布。又，根據實驗例28~30的結果，確認到從電漿處理裝置10之中央導入部50將Ar氣體導入處理容器12內，並讓從周邊導入部52導入處理容器12內之HBr氣體的流量增加時，如圖29之(a)~(c)所示，可調整在SiN層的徑向中之蝕刻速度的分布。又，根據實驗例25~30的結果，確認到從電漿處理裝置10之中央導入部50將Ar氣體導入處理容器12內，並讓從周邊導入部52導入處理容器12內之HBr氣體的流量增加時，如圖30之(a)~(c)所示，可調整多晶矽層對SiN層之蝕刻選擇性之徑向中的分布。又，藉著調整從周邊導入部52導入處理容器12內之HBr氣體的流量，如圖30(b)所示，可降低多晶矽層對SiN層之蝕刻選擇性的徑向中之差異。
(實驗例31及32)
實驗例31中，係使用電漿處理裝置10來實施圖14所示之電漿處理方法，以進行圖15所示晶圓W之製作。亦即，係對於相鄰的二個側壁間隔層間下方之Si製的底層部進行蝕刻。二個側壁間隔層間之距離的設計值係30nm，閘極高度之設計值係140nm。實驗例31的條件如下。
〈實驗例31的條件〉
處理容器12的內徑：540mm
介電體窗18之下面與載置區域MR間的距離：245mm
環狀管52p的直徑：540mm
周邊導入口52i的角度θ：45度
從載置區域MR至環狀管52p的距離(高度)：90mm
在工序Sb中之中央導入部的氣體流量(Ar/CF4/O2)：90sccm/7sccm/1.5sccm
在工序Sb中之周邊導入部的氣體流量(Ar/CF4/O2)：210sccm/18sccm/3.5sccm
工序Sb之微波功率：1500W
工序Sb之高頻偏壓電力：50W
工序Sb之處理容器內的壓力：150mTorr(20Pa)
工序Sb之處理時間：15秒
工序Sa之中央導入部的氣體流量(Ar/N2)：300sccm/500sccm
工序Sa之周邊導入部的氣體流量(Cl2/O2)：120sccm/12sccm
工序Sa之微波功率：3000W
工序Sa之高頻偏壓電力：0W
工序Sa之處理容器內的壓力：200mTorr(26.66Pa)
工序Sa之處理時間：20秒
又，為了參考之用而進行實驗例32。實驗例32的條件，係除了僅進行7秒的工序Sb，而未進行工序Sa的點之外，其他皆與實驗例31的條件相同。
(實驗例31及32的評量)
拍攝以實驗例31及32所製作之晶圓W的中央部及周緣部SEM照片，從該SEM照片求取孔部206之縱向的深度及橫寬。將其結果示於表1。
如表1所示，在將高頻偏壓電力持續供應至載置台以製作孔部206之實驗例32中，雖然可在晶圓中央部中讓孔部206橫向地擴張，但無法在晶圓周緣部中讓孔部206橫向地擴張。另一方面，依照圖14之電漿處理方法來製作孔部206之實驗例31中，亦可在晶圓周緣部中橫向地擴張孔部206。又，實驗例31中，晶圓之中央部與周緣部之孔部206的橫寬差及深度差係皆是0.3nm之極小的數值。
以下，就幾個其他實施形態相關之電漿處理裝置來加以說明。圖31係顯示其他實施形態相關之電漿處理裝置的圖式。圖31所示之電漿處理裝置10A係以進一步地具備有其他周邊導入部52A的這一點，來與電漿處理裝置10有所差異。周邊導入部52A係由與周邊導入部52相同之構成構件所構成，其設置位置係與周邊導入部52有所差異。
周邊導入部52之環狀管52p係被配置於上述般之電漿擴散區域，例如較載置區域MR要上方且從介電體窗18的下面18b在Z方向遠離100mm以上之區域。另一方面，周邊導入部52A之環狀管52p係設置在較周邊導入部52之環狀管52p在軸線Z方向要上方，且較電漿產生區域要下方。電漿產生區域係例如從介電體窗18之下面18b在Z方向50mm以內的區域。
電漿處理裝置10A中，由於周邊導入部52A係設在較周邊導入部52要上方，故相對於周邊導入部52將氣體供應至晶圓的周緣部，周邊導入部52A係可朝晶圓W的周緣部與中央部之間的區域供應氣體。又，從周邊導入部52A供應之氣體係包含反應性氣體之情況，該反應性氣體係藉由較周邊導入部52所供應之反應性氣體的解離度要高之解離度來解離。
圖32係顯示可採用其他實施形態的電漿處理裝置之氣體供應系統的一範例之圖式。一實施形態中，電漿處理裝置10A可具備圖32所示之氣體供應系統。圖32所示之氣體供應系統係除了第1氣體源群GSG1、第1流量控制單元群FCG1、第2氣體源群GSG2及第2流量控制單元群FCG2外，尚有第3氣體源群GSG3、第3流量控制單元群FCG3。
如圖32所示，第3氣體源群GSG3係包含有複數第3氣體源GS31~GS3Q。在此，「Q」係表示總數之記號。第3氣體源GS31~38係分別為Ar氣體源、He氣體源、C4F6氣體源、O2氣體源、HBr氣體源、CF4氣體源、Cl2氣體源及N2氣體源。第3氣體源群GSG3係可進一步地包含有與該等氣體相異之氣體源。第3流量控制單元群FCG3係包含複數第3流量控制單元FC31~FC3Q。複數第3流量控制單元FC31~FC3Q的每一者係例如包含二個閥件與設置在該二個閥件之間的流量控制器。流量控制器係例如為質流控制器。
複數第3氣體源GS31~GS3Q係分別透過複數第3流量控制單元FC31~FC3Q，來連接於共通氣體流路GL3。該共通氣體流路GL3係連接於周邊導入部52A。亦即，周邊導入部52A係透過與第1流量控制單元群FCG1及第2流量控制單元群FCG2獨立之第3流量控制單元群FCG3而連接有與第1氣體源群GSG1及第2氣體源群GSG2獨立之第3氣體源群GSG3。從而，可獨立控制從周邊導入部52A導入處理空間S之一種以上的氣體種類，以及從周邊導入部52A導入處理空間S之一種以上氣體的流量。例如，可讓從周邊導入部52A導入處理空間S之氣體的組成比，與從周邊導入部52導入處理空間S之氣體的組成比相異。除此之外，或是，在從周邊導入部52及周邊導入部52A導入相同組成比之氣體至處理空間S的情況，亦可調整從周邊導入部52導入處理空間S之氣體的流量與從周邊導入部52A導入處理空間S之氣體的流量之比。
從而，根據電漿處理裝置10A，便能以將晶圓W在徑向中之複數區域的處理速度均勻化之方式，將已相對地調整從周邊導入部52及周邊導入部52A組成及流量的氣體，分別地供應至的晶圓W之複數區域。又，根據電漿處理裝置10A，便能以將晶圓W在徑向之複數區域之處理速度均勻化之方式，將解離度相異之反應性氣體，分別供應至晶圓W之複數區域。
又，亦可將與從中央導入部50導入至處理空間S之氣體為相同組成的氣體，從周邊導入部52A導入至處理空間S。從中央導入部50所導入之氣體被照射於晶圓W的中央區域時，該氣體會藉由晶圓W而反射。其結果，便可產生從晶圓W之中央部朝向外側及上方之氣流。將具有與從中央導入部50導入處理空間S之氣體為相同組成之氣體從周邊導入部52A朝晶圓W 中央部而導入至處理空間S時，從周邊導入部52A所導入至處理空間S之該氣體會與朝向外側及上方之上述氣流之對向方向來流動。從而，便可抑制從中央導入部50導入並藉由晶圓W的中央部來反射而朝向外側及上方之氣流。
圖33係顯示可採用其他實施形態之電漿處理裝置的氣體供應系統之另一範例的圖式。電漿處理裝置10A在其他實施形態中係可具備有圖33所示之氣體供應系統。亦即，如圖33所示，電漿處理裝置10A的周邊導入部52A係可透過第2流量控制單元群FCG2及分流器FS來連接有第2氣體源群GSG2。該實施形態中，雖然周邊導入部52及周邊導入部52A係供應有相同組成的氣體，但仍可調整從周邊導入部52導入至處理空間S之氣體的流量與從周邊導入部52A導入至處理空間S之氣體的流量之比。從而，該情況中，亦可以將晶圓W的徑向中之複數區域的處理速度均勻化之方式，將已相對地調整從周邊導入部52及周邊導入部52A流量的氣體，分別地供應至晶圓W之複數區域。又，可以將晶圓W的徑向中之複數區域的處理速度均勻化之方式，將解離度相異之反應性氣體分別地供應至晶圓W之複數區域。
圖34係顯示可採用其他實施形態之電漿處理裝置的氣體供應系統之又一範例。電漿處理裝置10A在又一實施形態中，係可具備有圖34所示之氣體供應系統。亦即，如圖34所示，電漿處理裝置10A之周邊導入部52A可透過第1流量控制單元群FCG1及分流器FS而連接有第1氣體源群GSG1。該情況，可抑制從中央導入部50所導入並藉由晶圓W之中央部來反射而朝向外側及上方之氣流。
圖35係概略地顯示又一實施形態之電漿處理裝置的剖面圖。圖35所示的電漿處理裝置10B係以進一步地具備有其他周邊導入部52B的點，而與電漿處理裝置10有所差異。周邊導入部52B係由與周邊導入部52相同之構成構件所構成。雖然電漿處理裝置10A之周邊導入部52A的環狀管52p係設置於較周邊導入部52之環狀管52p在軸線Z方向中要上方，但電漿處理裝置10B之周邊導入部52B的環狀管52p係設置於較載置區域MR要上方且較周邊導入部52之環狀管52p在軸線Z方向中要下方。
該電漿處理裝置10B可具備有圖32所示之氣體供應系統，或是，圖 33所示之氣體供應系統。亦即，周邊導入部52B可透過專用的流量控制單元群FCG3來連接有專用之氣體源群GSG3。或者，周邊導入部52B可透過第2流量控制單元群FCG2及分流器FS來連接有第2氣體源群GSG2。
圖36係概略地顯示又一實施形態之電漿處理裝置的剖面圖。圖36所示之電漿處理裝置10C，係以進一步地具備其他周邊導入部52C的點，而與電漿處理裝置10有所差異。周邊導入部52C係由與周邊導入部52相同之構成構件所構成。電漿處理裝置10C之周邊導入部52C的環狀管52p係設置在電漿產生區域，亦即介電體窗18的下面附近。該電漿處理裝置10C可具備有圖32所示之氣體供應系統，或圖34所示之氣體供應系統。電漿處理裝置10C中，在從周邊導入部52A朝晶圓W之中央部而導入至處理空間S時，從周邊導入部52A而導入處理空間S之該氣體係從中央導入部50導入並藉由晶圓W之中央部來反射而朝向外側及上方之氣流的方向之對向方向來流動。從而，便可抑制從中央導入部50導入並藉由晶圓W中央部來反射而朝向外側及上方之氣流。
此處，就為了確認電漿處理裝置10A之周邊導入部52A的效果所進行之模擬26及27來加以說明。模擬26中，係進行從中央導入部50將200sccm之HBr氣體導入至處理空間S的設定。又，模擬27中，係進行從中央導入部50將200sccm之HBr氣體導入至處理空間S，並從周邊導入部52A將100sccm之He氣體導入至處理空間S的設定。模擬26及27中，係將處理容器12的內徑設為540mm，將介電體窗18之下面18b與載置區域MR之間於軸線Z方向的距離設定成245mm，將周邊導入部52A之環狀管52p之直徑設定成540mm，將周邊導入部52A之環狀管52p與載置區域MR之間於軸線Z方向的距離設定成120mm。又，處理容器12內的壓力係設定成10mTorr(1.333Pa)。
圖37係顯示在模擬26及27所求出的處理容器內之氣流分布圖。圖37(a)係以箭頭表示模擬26中所求出之處理容器內之氣體的流向；圖37(b)係以箭頭表示將模擬27所求出之處理容器內之氣體的流向。如圖37(a)所示，僅從中央導入部50將氣體導入處理空間S時，該氣體係在晶圓之中央部被反射而朝向外側及上方。藉此，晶圓W之中央部與周緣部間的中間區域之上方會產生氣體之渦流。另一方面，如圖37(b)所示，從模擬27的結果，確 認到藉由從周邊導入部52A將氣體導入處理空間S，便會抑制在晶圓W之中央部被反射而朝向外側及上方之氣流。又，從模擬27的結果，確認到在晶圓W的表面上會產生從晶圓W之中央部朝向周緣部，接著朝向排氣路徑VL之均勻的氣流。
以上，雖已說明就各種實施形態，但並不侷限於上述實施形態而可構成各種變形樣態。例如，電漿處理裝置10A中，亦可讓周邊導入部52之環狀管52p與周邊導入部52A之環狀管52p一體化。例如，亦可讓周邊導入部52之環狀管52p與周邊導入部52A之環狀管52p一體化而作為陶瓷製的單一構件。同樣地，亦可讓周邊導入部52之環狀管52p與周邊導入部52B之環狀管52p一體化。
10‧‧‧電漿處理裝置
12‧‧‧處理容器
14‧‧‧天線
16‧‧‧同軸導波管
18‧‧‧介電體窗
18i‧‧‧中央導入口
20‧‧‧載置台
22‧‧‧板體(RF板體)
24a‧‧‧底板
24b‧‧‧夾具部
26‧‧‧擋板
28‧‧‧排氣管
28h‧‧‧排氣口
30‧‧‧排氣裝置
32‧‧‧微波產生器
34‧‧‧諧調器
36‧‧‧導波管
38‧‧‧模式轉換器
40‧‧‧冷卻夾套
42‧‧‧介電體板
44‧‧‧槽孔板
50‧‧‧中央導入部
52‧‧‧周邊導入部
52i‧‧‧周邊導入口
52p‧‧‧環狀管
56‧‧‧支撐構件
62‧‧‧氣體供應區塊
181‧‧‧凹部
182‧‧‧第2凹部(微凹部)
Cnt‧‧‧控制部
GSG1‧‧‧第1氣體源
GSG2‧‧‧第2氣體源
FCG1‧‧‧第1流量控制單元
FCG2‧‧‧第2流量控制單元
FR‧‧‧聚焦環
MU‧‧‧匹配單元
MR‧‧‧載置區域
PFR‧‧‧供電棒
RFG‧‧‧高頻電源
S‧‧‧處理空間
W‧‧‧晶圓(基板)
HT、HS、HC、HE‧‧‧加熱器
GL1、GL2‧‧‧共通氣體流路

Claims (11)

  1. 一種方法，係對基板使用電漿處理之方法，其中包含下述工序：從中央導入部將第1氣體供應至處理容器內，並從周邊導入部將第2氣體供應至該處理容器內，且從設置在介電體窗上面之上的天線，透過該介電體窗來讓微波之能量導入處理容器內，而將以面向介電體窗下面之方式而載置於載置台上之基板進行蝕刻；該中央導入部係朝該基板之中央來開口，並具有噴射氣體至該介電體窗正下方之中央導入口，在該中央導入部中係透過複數第1流量控制單元而連接有包含該第1氣體源之複數第1氣體源；該周邊導入部係較中央導入口要下方，且於該載置台的上方沿周圍方向來加以配置之複數周邊導入口，並具有朝著該基板之周緣部噴射氣體的複數周邊導入口；在該周邊導入部中係透過複數第2流量控制單元而連接有包含該第2氣體源之複數第2氣體源；相較於該第1氣體中之反應性氣體的流量，該第2氣體中之反應性氣體的流量會較多，並使得該第2氣體中之反應性氣體相對於稀有氣體之流量比，會大於該第1氣體中之反應性氣體相對於稀有氣體之流量比。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該基板係具有矽氧化層及多晶矽層；在對該基板蝕刻之工序中，係對該複數周邊導入部供應作為該反應性氣體的C4F6氣體。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該多晶矽層係在鰭型場效電晶體中構成具有源極、汲極及通道之鰭；該矽氧化層係設在該鰭的周圍。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該基板係具有由矽所構成之底層部、配置在該底層部上之複數閘極及沿著該複數閘極之側壁所設置之側壁間隔層；該載置台係連接於用以產生高頻偏壓電力之高頻電源；其更包含下述工序：將該底層部蝕刻用的反應性氣體導入該處理容器 內，並從該天線透過該介電體窗來將微波之能量導入該處理容器內，且對該載置台施加該高頻偏壓電力，來對介設於相鄰二個閘極間之二個間隔層間之下方的該底層部進行蝕刻；在對該底層部進行蝕刻之該工序之後，使用該底層部蝕刻用的反應性氣體作為該第2氣體中之該反應性氣體，且，不對該載置台供應該高頻偏壓電力來蝕刻該基板而進行該工序。
  5. 一種電漿處理裝置，係具備有：處理容器；載置台，係具有用以載置基板之載置區域，並設置在該處理容器內；介電體窗，係具有面朝該載置區域之下面、以及與該下面為相反側之上面；天線，係設在該介電體窗之該上面之上，並透過該介電體窗將微波之能量導入該處理容器內；中央導入部，係朝該載置區域的中央來開口，並具有用以噴射氣體至該介電體窗的正下方之中央導入口；周邊導入部，係於較該中央導入口要下方，且於該載置台之上方沿周圍方向配置，並具有用以對該載置區域之周緣部噴射氣體之複數周邊導入口；複數第1氣體源，係包含反應性氣體源及稀有氣體源，並連接於該中央導入部；複數第1流量控制單元，係設在該複數第1氣體源與該中央導入部之間；複數第2氣體源，係包含反應性氣體源及稀有氣體源，係連接於該周邊導入部；及複數第2流量控制單元，係設在該複數第2氣體源與該周邊導入部之間。
  6. 如申請專利範圍第5項之電漿處理裝置，其進一步地具備有控制部，係以對該中央導入部供應第1氣體，並對該周邊導入部供應第2氣體之方 式，來控制該複數第1流量控制單元及該複數第2流量控制單元；該控制部係將該複數第1流量控制單元及該複數第2流量控制單元控制成為，相較於該第1氣體中之反應性氣體的流量，該第2氣體中所含之反應性氣體的流量會較多，並使得該第2氣體中所含之反應性氣體相對於稀有氣體的流量比，會大於該第1氣體中所含之反應性氣體相對於稀有氣體的流量比。
  7. 如申請專利範圍第6項之電漿處理裝置，其進一步地具備有用以產生高頻偏壓電力之高頻電源；該控制部，係以如下方式實施第1控制：將包含稀有氣體及反應性氣體之氣體導入該處理容器內，並讓該微波之能量透過該介電體窗而導入該處理容器內，且對該載置台供應該高頻偏壓電力；接著實施如下方式之第2控制：從該中央導入部及該周邊導入部分別導入該第1氣體及該第2氣體，並讓該微波之能量透過該介電體窗而導入該處理容器內，且停止該高頻偏壓電力對該載置台之供應。
  8. 如申請專利範圍第5至7項中任一項之電漿處理裝置，其中該周邊導入部係包含有沿該周圍方向延展且提供該複數周邊導入口之環狀管；該環狀管係沿該處理容器的內壁面來加以設置。
  9. 如申請專利範圍第8項之電漿處理裝置，其中該環狀管係具有下面及外周面；並進一步地具備有沿著該環狀管之該下面及該外周面延展以支撐該環狀管之支撐構件；包含有該環狀管與該支撐構件之周邊導入組件係被嵌入該處理容器的壁部。
  10. 如申請專利範圍第5、6、7、9項中任一項之電漿處理裝置，其中該載置台係包含靜電夾具及供應高頻偏壓電力之金屬製板體；該靜電夾具係包含下側部分及提供該載置區域之上側部分，並以使該 上側部分之直徑小於該下側部分之直徑之方式，來區劃階梯狀的外周面；其進一步地具備有聚焦環，係圍繞該載置區域；以及絕緣構件，係從該聚焦環的外緣沿著該階梯狀之外周面及該板體之外周面來延展，而與該處理容器內壁面之間區劃空間。
  11. 如申請專利範圍第5、6、7、9項中任一項之電漿處理裝置，其進一步具備：在該載置台之周圍之排氣路徑；設在該排氣路徑下方之排氣口；連接於該排氣口之排氣裝置；及設置在較該載置區域要80mm以上之下方且形成有複數貫孔之擋板。
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