TW201423877A - 黏晶機裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種即使產生黏著劑的拉絲或過量塗布也不使半導體元件的可靠性降低，而且可以使半導體元件的黏片步驟高速化的黏晶機裝置。環座、漿料塗布裝置及基板搬送裝置配置在拾取裝置的周圍。拾取裝置是將可以裝卸半導體元件的保持部配置成輻射狀而構成。該拾取裝置是通過旋轉，在同一時間，使保持部中的一架與環座的貼片環相對，使保持部中的另一架與漿料塗布裝置相對，且使保持部中的又一架與基板搬送裝置相對。漿料塗布裝置對保持在保持部的半導體元件的安裝面塗布黏著劑。

Description

黏晶機裝置
本發明涉及一種從貼附著包含多個半導體元件的晶片的貼片環取出半導體元件並塗布黏著劑，將塗布了黏著劑的半導體元件安裝在基板的黏晶機裝置。
在半導體的製造步驟中，經過貼裝步驟、切割步驟之後，實施黏片步驟。貼裝步驟是將晶片貼附在環的步驟。切割步驟是將晶片分割而單片化為半導體元件的步驟。黏片步驟是將從晶片單片化的半導體元件依次取出而黏片在導線架或基板(以下，將這些總稱為基板)的步驟，使用黏晶機裝置而實施。將半導體元件安裝在基板時，利用漿料塗布裝置，預先將黏著劑塗布在安裝半導體元件的基板上的相應部位。
黏晶機裝置是包含使吸嘴升降以及在二維方向上水平移動的焊頭，且在其下方配置著基板保持部與環座(例如參照專利文獻1)。基板保持部保持基板，環座保持貼片環。基板保持部與環座具有與吸嘴水平移動的平面平行的基板的保持平面與貼片環的保持平面。漿料塗布裝置包含貯存著黏著劑的接盤、及可以朝 向基板上的各處水平移動及升降的衝壓針(例如參照專利文獻2)。
具備漿料塗布裝置的黏晶機裝置一般經過如下步驟將半導體元件安裝在基板上。首先，進行半導體元件的拾取步驟。即，使吸嘴從貼片環的上方下降，利用存在於貼片環的背面側的頂出銷與吸嘴夾入半導體元件。然後，利用吸嘴吸附半導體元件之後，使該吸嘴上升，並且利用頂出銷將半導體元件頂出。
漿料塗布裝置是與拾取步驟同時期地實施點膠步驟。即，漿料塗布裝置是將衝壓針的前端浸漬在接盤內的黏著劑中，使衝壓針移動到拾取步驟中提取的半導體元件的相應的安裝部位，將保持在衝壓針的前端的黏著劑塗布在基板的相應的安裝部位。
當拾取步驟及點膠步驟結束時，進行半導體元件的安裝步驟。即，使吸附著半導體元件的吸嘴上升時，使該吸嘴在水平方向上二維移動，使其位於基板上的塗布著黏著劑的相應的安裝部位。然後，使吸嘴下降，將半導體元件按壓在相應的安裝部位。
背景技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2009-59961公報
專利文獻2：日本專利特開2011-159979公報
像這樣，在黏晶機裝置中，關於拾取步驟、點膠步驟及半導體元件安裝在基板的步驟，按照該時間序列依序連續地重複進行。此時，吸附著半導體元件的吸嘴的移動距離根據基板的安裝部位而發生變化，而且，接盤存在於固定位置上，因此，在接盤與半導體元件的相應的安裝部位之間往返運動的衝壓針的移動距離也發生變化。此外，將黏著劑塗布在基板的情况下，安裝時也必須確認黏著劑的塗布部位與半導體元件的安裝部位的位置對準。
因此，在以往的黏晶機裝置中，拾取一個半導體元件後到安裝為止的周期時間變長。此外，也提出了將接盤與衝壓針安裝在同一殼體而包括殼體在內移動到塗布黏著劑的部位的漿料塗布裝置。但是，如果使接盤與衝壓針一起移動，則接盤內部的黏著劑因慣性力而偏倚化，黏在衝壓針上的黏著劑的量變得不穩定，因此，難以實用化。
因此，為了實現整體的周期時間的縮短，考慮單純地提高衝壓針的升降速度或移動速度的方法。但是，如果硬要提高衝壓針的升降速度或移動速度，則像以下那樣產生黏著劑的拉絲或過量塗布的問題，成為使半導體元件的可靠性降低的一個原因。
圖14表示在基板上塗布了黏著劑的情况下的半導體元件的安裝狀况。如圖14的(a)所示，如果附著在衝壓針的黏著劑適量，則即使將半導體元件按壓在塗布在基板上的黏著劑上，黏著劑也不會黏在半導體的側面。
但是，如圖14的(b)所示，如果使衝壓針的移動加快，則有塗布在基板上的黏著劑產生拉絲的情况。如果在產生拉絲的狀態下將半導體元件安裝在基板上，則有拉絲部分附著在半導體元件的側面上露出的接點而發生短路的擔憂。
此外，如圖14的(c)所示，如果附著在衝壓針的黏著劑過量，則確認到半導體元件浸在黏著劑中的現象。如果半導體元件浸在黏著劑中，則有黏著劑附著在半導體元件的接點而發生短路的擔憂。
因此，如果提高衝壓針的升降速度或移動速度，則存在半導體元件的可靠性降低的問題。
本發明是為了解决如所述般的現有技術的問題而提出，其目的在於提供一種即使產生黏著劑的拉絲或過量塗布也不使半導體元件的可靠性降低，而且可以使半導體元件的黏片步驟高速化的黏晶機裝置。
解决如所述般的問題的黏晶機裝置是從貼附著包含多個半導體元件的晶片的貼片環取出半導體元件並塗布黏著劑，將塗布了黏著劑的半導體元件安裝在基板上，其特徵在於包含：環座，保持所述貼片環；漿料塗布裝置，塗布所述黏著劑；基板搬送部，保持及搬送所述基板；及旋轉方式的拾取器件，將可以裝卸所述半導體元件的保持部配置成輻射狀而構成，且使該保持部繞著輻射中心每次旋轉規定角度；所述環座、所述漿料塗布裝置及所述 基板搬送部配置在所述拾取器件的周圍，所述拾取器件是通過旋轉，在同一時間，使多個所述保持部中的一架與所述環座的所述貼片環相對，使多個所述保持部中的另一架與所述漿料塗布裝置相對，且使多個所述保持部中的又一架與所述基板搬送部相對，所述漿料塗布裝置是對從所述貼片環取出並保持在所述保持部的所述半導體元件的安裝面塗布所述黏著劑。
也可以設置成：所述拾取器件以所述保持部的輻射面垂直的方式設置，所述漿料塗布裝置配置在所述拾取器件的正上方，並且對使安裝面朝上的所述半導體元件從上方塗布所述黏著劑。
所述漿料塗布裝置也可以包含衝壓針，該衝壓針與所述拾取器件的位於頂點的所述保持部共用軸線而相對，並且在下端保持著所述黏著劑。
也可以設置成：所述漿料塗布裝置將多個所述衝壓針配置在對向或圓周均等分配位置上，且還包含貯存著所述黏著劑的接盤，使該衝壓針沿著共用圓周軌跡每次旋轉規定角度，依次使各衝壓針位於所述接盤，依次使各衝壓針與所述拾取器件的位於頂點的所述保持部共用軸線而相對。
也可以設置成：在所述拾取器件的周圍還包含觀察所述半導體元件的安裝面而檢測有無所述黏著劑的檢測器件。
也可以設置成：在所述拾取器件的周圍還包含將沒有塗布所述黏著劑的所述半導體元件排出的排出位置。
也可以設置成：所述環座的貼片環保持面、所述基板搬送部的基板保持面及配置在該拾取器件的所述保持部延伸的面以相互正交的方式配置，所述漿料塗布裝置配置成隔著所述拾取器件與基板搬送部相對。
根據本發明，因在半導體元件側塗布黏著劑之後安裝在基板上，所以，不管是塗布黏著劑時產生拉絲部分，還是塗布過量的黏著劑，基板安裝時黏著劑均不易到達半導體元件的接點。因此，可以進行能够實現整體的高速化並且也不易發生短路而可靠性優异的黏片處理。
1‧‧‧黏晶機裝置
10‧‧‧殼體
2‧‧‧環座
21‧‧‧環插入部
21a、21b‧‧‧環形板
21c‧‧‧間隙部
22‧‧‧環移動機構
22a‧‧‧支持板
22b、22c‧‧‧軌道
23‧‧‧環旋轉部
23a‧‧‧正時帶輪
23b‧‧‧皮帶
23c、42、53‧‧‧馬達
24‧‧‧頂出銷
3‧‧‧基板搬送裝置
31、32‧‧‧匣盒
33‧‧‧輸送機部
34‧‧‧基板保持部
4‧‧‧拾取裝置
41、41A、41B‧‧‧保持部
41a‧‧‧吸嘴
41b、51a‧‧‧致動器
41c、51b‧‧‧凸輪機構
41d、51c‧‧‧杆
5‧‧‧漿料塗布裝置
51、51A、51B‧‧‧衝壓針
52‧‧‧臂
54‧‧‧接盤
6‧‧‧檢測器件
61‧‧‧攝像機
W‧‧‧晶片
R‧‧‧貼片環
D、D1、D2、D3、D4、D5‧‧‧半導體元件
F、F1‧‧‧基板
B‧‧‧黏著劑
J‧‧‧接點
Pa、Pb‧‧‧停止地點
α‧‧‧最側點
β‧‧‧頂點
ε‧‧‧最低點
γ、δ‧‧‧地點
圖1是表示本實施方式的黏晶機裝置的整體構成的立體圖。
圖2是拾取裝置的立體圖。
圖3是拾取裝置的側視圖。
圖4是環座的立體圖。
圖5是漿料塗布裝置的立體圖。
圖6是基板搬送裝置的立體圖。
圖7是說明半導體元件的提取處理的圖。
圖8是說明對於半導體元件的黏著劑塗布處理的圖。
圖9是說明利用漿料塗布裝置的黏著劑塗布處理的詳細情况 的局部放大圖。
圖10是說明檢測有沒有對半導體元件塗布黏著劑的處理的圖。
圖11是說明將沒有塗布黏著劑的半導體元件排出的處理的圖。
圖12是說明半導體元件的安裝處理的圖。
圖13是表示利用本實施方式的黏晶機裝置塗布的黏著劑的狀態的圖。
圖14是表示利用以往的黏晶機裝置塗布的黏著劑的狀態的圖。
(整體構成)
以下，一面參照附圖一面對本發明的黏晶機裝置的實施方式詳細地進行說明。
圖1是表示本實施方式的黏晶機裝置1的整體構成的立體圖。黏晶機裝置1是從貼附著晶片的貼片環取出半導體元件，在所述半導體元件的安裝面塗布黏著劑，將塗布了黏著劑的半導體元件貼附在基板上。半導體元件是例如LED元件等。晶片是通過被切割而單片排列成陣列狀的圓板，各個單片是半導體元件。基板是例如導線架。黏著劑是焊錫或樹脂漿料等。
該黏晶機裝置1包含環座2、漿料塗布裝置5、基板搬送 裝置3及拾取裝置4。環座2固定在殼體10，且以將貼片環竪起來的方式保持垂直。漿料塗布裝置5對半導體元件的安裝面塗布黏著劑。基板搬送裝置3保持及搬送基板。拾取裝置4是從貼片環取出半導體元件，並依次向漿料塗布裝置5及基板搬送裝置3搬送。
環座2、漿料塗布裝置5及基板搬送裝置3配置在旋轉方式的拾取裝置4的周圍。環座2、漿料塗布裝置5及基板搬送裝置3是從上下及一側三個方向包圍拾取裝置4，環座2位於拾取裝置4的側方，基板搬送裝置3位於拾取裝置4的下方，漿料塗布裝置5位於拾取裝置4的正上方。即，環座2、基板搬送裝置3及拾取裝置4是以相互正交的方式配置。
拾取裝置4是呈輻射狀包含多個保持半導體元件的保持部41，且使這些保持部41繞著輻射中心間歇性地每次旋轉規定角度。該黏晶機裝置1可以同時進行從貼片環提取半導體元件的拾取步驟、將黏著劑塗布在半導體元件的點膠步驟、及將半導體元件安裝在基板上的安裝步驟。
(拾取裝置)
圖2是拾取裝置4的立體圖，圖3是拾取裝置4的側視圖。如圖2及3所示，保持部41是從圓形架的周緣朝向外側在半徑方向上呈輻射狀延伸，各保持部41在圓周均等分配位置上。保持部41的輻射面相對於設置面垂直。
保持部41的輻射中心嵌入在馬達42的旋轉軸。保持部 41是通過馬達42的驅動而在圓周方向上間歇性地每次轉動固定角度。保持部41的1節距的旋轉角度和與相鄰的保持部41的設置角度相等，將保持部41的圓軌跡上的頂點β、最低點ε、環座2側的最側點α、及其他任意一點γ及δ包含在停止位置內。
最側點α是與環座2對向且從貼片環提取半導體元件的地點。頂點β是與漿料塗布裝置5對向且對半導體元件的安裝面塗布黏著劑的地點。最低點ε是與基板搬送裝置3對向且將塗布著黏著劑的半導體元件安裝在基板的地點。
地點γ是在保持部41的旋轉方向上位於較頂點β更靠下游側且較最低點ε更靠上游側，檢測對於半導體元件的黏著劑的塗布的地點，且配置有包含攝像機61與圖像處理裝置的檢測器件6。地點δ是位於較地點γ更靠下游側且較最低點ε更靠上游側，將沒有塗布黏著劑的半導體元件排出的地點，且配置有接收從保持部41脫落的半導體元件的容器。
保持部41是例如吸嘴。如圖3所示，吸嘴41被包含致動器41b、凸輪機構41c及杆41d的噴嘴驅動部推拉。噴嘴驅動部設置在保持部41的背面側且與保持部41的圓軌跡上的頂點β、最低點ε及最側點α相對應的位置上。
吸嘴41a是內部中空的管。管內部是經由軟管而與真空發生裝置的氣壓回路連通。該吸嘴41a是通過利用真空發生裝置產生負壓而吸附半導體元件，通過真空破壞而使半導體元件脫離。而且，如果使致動器41b作動而經由凸輪機構41c使杆41d 朝向吸嘴41a推出，則吸嘴41a在後端與杆41d的前端抵接而被擠壓，噴嘴前端朝著飛出的方向移動。如果利用致動器41b拉回杆41d，則吸嘴41a與杆41d的抵接被解除，噴嘴前端朝著返回到基端中心側的方向移動。
(環座)
圖4是環座2的立體圖。如圖4所示，環座2的環保持面相對於設置面垂直且與保持部41的輻射面正交。即，環座2是在對於殼體10的設置面的垂直面包含供貼片環插入的環插入部21。將設置著該環插入部21的面稱為正面。
而且，環座2包含使環插入部21沿著殼體10的正面活動的環移動機構22、使環插入部21旋轉的環旋轉機構23、及設置在最側點α且從貼片環的背面側將半導體元件頂出的頂出銷24。
環插入部21包含2塊環形板21a、21b。一個環形板21a與環形板21b是設置間隙部21c而重叠。間隙部21c是為了插入貼片環而設置。從正面觀察時設在環形板21a、21b的中心的孔包含插入在間隙部21c的貼片環的晶片整體。
環移動機構22包含固定殼體10側的環形板21a的支持板22a及軌道22b、22c。在支持板22a的中心設置著從正面觀察時包含插入在間隙部21c的貼片環的晶片整體的孔。軌道22b、22c設置在支持板22a的背面。2種軌道22b、22c是以橫穿且縱貫殼體10的正面的方式延伸。如果支持板22a沿著軌道22b、22c滑 動，則固定在支持板22a的環插入部21在與殼體10的正面平行的面上二維移動。
環旋轉部23包含固定在環插入部21的正時帶輪23a、捲繞在正時帶輪23a的皮帶23b、及使皮帶23b移行的馬達23c。正時帶輪23a具有與環插入部21為同心圓的環形狀，且在外周捲繞著皮帶23b。該環旋轉部23是通過使馬達23c旋轉，而使皮帶23b移行，伴隨著皮帶23b的移行使正時帶輪23a旋轉。環插入部21是與正時帶輪23a的旋轉連動地進行旋轉。
頂出銷24是隨著朝向前端而越來越細的棒狀構件。該頂出銷24是以與位於最側點α的保持部41共用軸線的方式，設置在殼體10並朝向環插入部21的孔突出。頂出銷24的前端可以通過驅動機構而沿著延伸方向前進及後退，前進時，前進到將由擴展機構展開的貼片環的薄片推上去為止。
(漿料塗布裝置)
圖5是漿料塗布裝置的立體圖。如圖5所示，漿料塗布裝置5在下部包含多個衝壓針51。衝壓針51是將黏著劑塗布在半導體元件的前端越來越細的棒狀構件。衝壓針51是配置在對向或圓周均等分配位置上，分別相對於設置面垂直地竪立，且越來越細的前端朝向拾取裝置4。在包含1對衝壓針51的情况下，兩衝壓針51是隔開180度間隔地配置。在包含4根衝壓針51的情况下，衝壓針51是隔開90度間隔地配置。
各衝壓針51可以升降地支持在各臂52的前端。各臂52 是長度相同，具有共用的基端，從該基端呈輻射狀延伸且相對於設置面平行。臂52的基端樞轉支承在馬達53的旋轉軸。馬達53是以與衝壓針51的配置間隔相同的旋轉角度，與拾取裝置4的旋轉同步地間歇性地進行旋轉。
該衝壓針51是以描繪共用的圓軌跡的方式間歇性地每次旋轉規定旋轉角度，且至少在兩地點Pa、Pb停止。停止地點Pa設定為與拾取裝置4的頂點β重合，在停止地點Pa停止的衝壓針51的越來越細的前端與在頂點β停止的保持部41的前端共用軸線而相對。在停止地點Pb設置著接盤54。在接盤54中貯存著黏著劑。停止在停止地點Pb的衝壓針51位於該接盤54的正上方。
在停止地點Pa及Pb分別配置著銷驅動部。銷驅動部是在衝壓針51的上方包含致動器51a、凸輪機構51b及杆51c，在臂52內包含朝向上方對衝壓針51施力的彈簧構件。杆的下端是與停止在停止位置Pa及Pb的衝壓針51的上端共用軸線而相對。
該銷驅動部是使致動器51a驅動，使凸輪機構51b將該驅動力向杆51c傳遞，將杆51c往下壓，由此將衝壓針51往下壓。而且，銷驅動部是通過使杆51c上升，而將衝壓針51從經由杆51c的負荷解放出來，並且利用彈簧構件的作用力使衝壓針51上升。
通過利用該銷驅動部的升降，衝壓針51是在停止地點Pb將越來越細的前端浸在接盤54內的黏著劑中，且在停止地點Pa對拾取裝置4的位於頂點的保持部41保持的半導體元件的安裝面塗布黏著劑。
(基板搬送裝置)
圖6是基板搬送裝置3的立體圖。如圖6所示，基板搬送裝置3包含配置在環座2的兩旁的一對匣盒31、32、及將匣盒31、32間橋接且通過拾取裝置4的正下方的搬送線。在其中一個匣盒31中重叠地收納多個未安裝半導體元件的基板。在另一個匣盒32中收納已安裝半導體元件的基板。
搬送線是由輸送機部33與基板保持部34構成。輸送機部33與基板保持部34是以埋入匣盒31、32間的方式連續地配置。收納未安裝半導體元件的基板的匣盒31、輸送機部33、基板保持部34、及收納已安裝半導體元件的基板的匣盒32按照該順序連接地配置。
輸送機部33是平行地配置著2根導軌，且在兩導軌的內側包含環形皮帶。該輸送機部33使皮帶從其中一個匣盒31朝向基板保持部34移行。該輸送機部33可以利用驅動機構而上下移動，在規定的高度與基板保持部34的高度一致。以輸送機部33的皮帶上表面的高度與基板保持部34的載置台的高度一致時輸送機部33與基板保持部34大體上連接的方式設定輸送機部33的長度。此外，輸送機部33並不限定於帶式輸送機方式，也可以利用搬送爪同時搬送2塊。
基板保持部34是載置一塊基板的寬度的XY平臺，可以利用未圖示的驅動機構而在高度固定的二維方向上移動。基板保持部34能够移動的範圍是以保持在基板保持部34的基板的各安 裝部位可以通過朝向正下方的保持部41的正下面的方式設定。基板保持部34二維移動時，輸送機部33預先上升，成為不存在基板保持部34與輸送機部33的物理接觸的狀態。
在該基板保持部34設置著基板的位置傳感器與基板的定位機構。位置傳感器是在由輸送機部33搬送的一塊基板位於規定部位的情况下輸出偵測信號。定位機構是例如在載置面開口且與真空發生裝置連接的孔，以所保持的基板不發生位置偏移的方式吸附。
(動作)
(安裝動作)
關於該黏晶機裝置1的動作，尤其是關於從半導體元件的取出到安裝為止的動作，根據圖7至11詳細地進行說明。首先，預先在環插入部21中插入貼片環R，在基板保持部34載置安裝半導體元件D的基板F1。
如果設置了貼片環R及基板F1，則如圖7所示，與頂出銷24相對的位於最側點α的保持部41A提取位於正面的半導體元件D1。
即，保持部41A的吸嘴41a是利用噴嘴驅動部朝向半導體元件D1進入而與半導體元件D1抵接。此外，也可以使吸嘴41a進入到將半導體元件D1略微壓入的程度為止。使吸嘴41a抵接於半導體元件D1時，使頂出銷24朝向貼片環R前進，利用吸嘴41a與頂出銷24夾入半導體元件D1。此時，吸嘴41a是通過利用真 空發生裝置產生負壓而吸附所夾入的半導體元件D1。然後，利用頂出銷24將半導體元件D1頂出，並且使吸嘴41a在吸附著半導體元件D1的狀態下後退。
其次，如圖8所示，保持部41每次旋轉1節距，保持著半導體元件D1的保持部41A在頂點β停止時，漿料塗布裝置5對使安裝面朝上而停止的該半導體元件D1塗布黏著劑。
圖9是表示漿料塗布裝置5的詳細動作的局部放大圖。此處，如圖9所示，在漿料塗布裝置5中，與利用拾取裝置4的保持部41的間歇旋轉同步地使衝壓針51間歇旋轉。然後，依次使各衝壓針51停止在停止位置Pb，由此使接盤54內的黏著劑附著在前端，在規定節距後使各衝壓針51停止在停止位置Pa，由此對拾取裝置4的位於頂點β的保持部41保持的半導體元件D1塗布黏著劑。
即，與保持部41A停止在頂點β同步地位於停止位置Pa的衝壓針51A是在2節距前在停止位置Pb浸在接盤54內的黏著劑中，而黏著劑附著在其前端。該衝壓針51A是利用銷驅動部朝向半導體元件D1壓入，使附著在衝壓針51A的前端的黏著劑附著在半導體元件D1的安裝面。
如果利用銷驅動部使衝壓針51A再次上升，則因由於衝壓針51A的前端面積與半導體元件D1的安裝面的面積不同而產生的黏著劑的附著力的差异，附著在衝壓針51A的前端的黏著劑向半導體元件D1的安裝面側轉移。
在該衝壓針51A的一連串黏著劑塗布處理的期間，停止在停止位置Pb上的其他衝壓針51B是通過配置在停止位置Pb上的銷驅動部升降而在前端保持黏著劑。該衝壓針51B是在2節距後進行與衝壓針51A相同的黏著劑塗布處理，對在2節距後停止在頂點β的其他半導體元件D的安裝面塗布黏著劑。
接下來，如圖10所示，保持部41每次旋轉1節距，保持著半導體元件D1的保持部41A在地點γ停止時，利用檢測器件6的攝像機61觀察半導體元件D1的安裝面，通過圖像處理檢測有無黏著劑。此外，如圖11所示，保持部41A從地點γ旋轉1節距而該保持部41A在地點δ停止時，將利用檢測器件6檢測出沒有黏著劑的半導體元件從黏晶機裝置1排出。具體來說，在保持部41包含吸嘴41a的情况下，通過真空破壞使半導體元件從吸嘴41a脫落。
此外，如圖12所示，保持部41每次旋轉1節距，保持著半導體元件D1的保持部41A在最低點ε停止時，保持部41A將半導體元件D1貼附在載置在基板保持部34的基板F1的相應的安裝部位。
即，保持部41A的吸嘴41a是在將半導體元件D1保持在前端的狀態下利用噴嘴驅動部向基板進入。此時，因在半導體元件D1塗布著黏著劑，所以，不用確認半導體元件D1與黏著劑的位置關係而進行位置修正。
半導體元件D1接觸於基板F1時，利用噴嘴驅動部施加 一定程度的負荷，以提高密接性。然後，通過真空破壞使半導體元件D1從吸嘴41a脫離，使保持部41A上升。
此外，如圖12所示，保持部41A將半導體元件D1安裝在基板F1時，在最側點α，另一保持部41B將另一半導體元件D2取出，在頂點β，漿料塗布裝置5對另一半導體元件D3的安裝面塗布黏著劑，在地點γ，檢測器件6對另一半導體元件D4檢測有無黏著劑，在地點δ，如果另一半導體元件D5上沒有塗布黏著劑則將該半導體元件D5排出。
(作用效果)
如以上說明所述，本實施方式的黏晶機裝置1包含環座2、漿料塗布裝置5、基板搬送裝置3及旋轉式的拾取裝置4。環座2保持貼片環R。漿料塗布裝置5塗布黏著劑。基板搬送裝置3保持及搬送基板。拾取裝置4是將可以裝卸半導體元件D的保持部41配置成輻射狀而構成，且使該保持部41繞著輻射中心每次旋轉規定角度。
而且，環座2、漿料塗布裝置5及基板搬送裝置3配置在拾取裝置4的周圍。拾取裝置4是通過旋轉，在同一時間，使多個保持部41中的一架與環座2的貼片環R相對，使多個保持部41中的另一架與漿料塗布裝置5相對，且使多個保持部41中的又一架與基板搬送裝置3相對。漿料塗布裝置5是對從貼片環R取出並保持在保持部41的半導體元件的安裝面塗布黏著劑。
圖13是表示利用如所述般的黏晶機裝置1塗布的黏著劑 的狀態的圖。圖13的(a)表示適量的黏著劑B塗布在半導體元件D的安裝面的情况。如圖13的(a)所示，適量的黏著劑B塗布在半導體元件D的安裝面的情况下，在半導體元件D與基板F之間黏著劑B不易到達半導體元件D的側面上露出的接點J。
圖13的(b)表示塗布黏著劑時產生拉絲的情况。如圖13的(b)所示，因黏著劑B塗布在半導體元件D的安裝面，所以，拉絲部分朝向半導體元件D的下方延伸。因此，將半導體元件D安裝在基板F時，拉絲部分在半導體元件D與基板F之間被壓扁，而拉絲部分不易到達半導體元件D的側面上露出的接點J。
而且，圖13的(c)表示過量的黏著劑塗布在半導體元件D的安裝面的情况。如圖13的(c)所示，明確如下情况：在半導體元件側塗布著黏著劑B的情况下，過量的黏著劑在半導體元件D與基板F之間被壓扁而橫向擴散，其厚度變薄。因此，黏著劑B不易到達半導體元件D的側面上露出的接點J。
如果像這樣在半導體元件側塗布黏著劑之後安裝在基板上，則不管是塗布黏著劑時產生拉絲部分，還是塗布過量的黏著劑，安裝基板時黏著劑均不易到達半導體元件的側面上露出的接點。因此，即使不進行高精度的黏著劑塗布控制，也可以實施可靠性優异的黏片處理，可以實現黏片處理的整體的高速化，而提高生產效率。
而且，因可以同時進行半導體元件D的拾取、黏著劑的塗布及安裝，所以，可以提高生產率。此外，因黏著劑B已經塗 布在半導體元件D側，所以，不用像在基板側塗布著黏著劑B的情况那樣，確認黏著劑B的塗布位置與半導體元件D的安裝位置的位置關係，進行所需的修正，因此，可進一步提高生產效率。
而且，在該黏晶機裝置1中，拾取裝置4是以保持部41的輻射面垂直的方式設置，漿料塗布裝置5配置在拾取裝置4的正上方，並且對使安裝面朝上的半導體元件D從上方塗布黏著劑B。
以使保持部41的輻射面垂直的方式設置的拾取裝置4與對半導體元件的安裝面塗布黏著劑B的漿料塗布裝置5的親和性非常高，可以在從晶片取出半導體元件D之後不進行翻轉處理的情况下對半導體元件D的安裝面塗布黏著劑B。
而且，在漿料塗布裝置5為利用衝壓針51塗布黏著劑B的方式的情况下，衝壓針51從接盤54接受黏著劑B之後，移動固定距離到達與拾取裝置4的位於頂點的保持部41共用軸線的固定位置即可。因此，從接盤54接受黏著劑B到塗布黏著劑B的平均時間大幅度縮短，而可以提高生產率。而且，因始終是移動固定距離到達固定位置即可，所以，衝壓針51的移動精度變高，可以使良率提升。
而且，在本實施方式中，漿料塗布裝置5是將多個衝壓針51配置在對向或圓周均等分配位置上，且包含貯存著黏著劑B的接盤54，通過使衝壓針51沿著共用圓周軌跡每次旋轉規定角度，依次使各衝壓針51位於接盤54，依次使各衝壓針51與拾取 裝置4的位於頂點的保持部41共用軸線而相對。由此，為了將黏著劑塗布1次，不在黏著劑B的接受位置與塗布位置之間往返而單程移動即可，因此，黏著劑B的接受到塗布的時間進一步縮短，可以進一步提高生產率。
此外，即使為從噴嘴噴出黏著劑B的噴射器方式的漿料塗布裝置5，也可以將該漿料塗布裝置5配置在拾取裝置4的正上方，對使安裝面朝上的半導體元件D從上方塗布黏著劑。由此，環座2、漿料塗布裝置5、基板搬送裝置3及拾取裝置4的配置關係控制得緊凑，有助於裝置的小型化，並且半導體元件D在各步驟中的移動距離也縮短，可以進一步提高生產率。
此外，也可以設置成：環座2的貼片環保持面、基板搬送裝置3的基板保持面及配置在拾取裝置4的保持部41延伸的面以相互正交的方式配置，漿料塗布裝置5配置成隔著拾取裝置4與基板搬送裝置3相對。由此，有助於裝置的進一步小型化，並且半導體元件D在各步驟中的移動距離也進一步縮短，可以進一步提高生產率。
而且，在本實施方式中，在拾取裝置4的周圍包含觀察半導體元件D的安裝面而檢測有無黏著劑的檢測器件6。由此，不會將沒有塗布黏著劑B的半導體元件D安裝在基板上，而良率提升。在此情况下，在拾取裝置4的周圍更包含將沒有塗布黏著劑B的半導體元件D排出的排出位置即可。
(其他實施方式)
像以上說明那樣對本發明的實施方式進行了說明，可在不脫離發明的主旨的範圍內進行多種省略、替換、變更。而且，該實施方式或其變形包含在發明的範圍或主旨內，並且包含在申請專利範圍記載的發明及其均等的範圍內。
例如，作為漿料塗布裝置5，采用了使用衝壓針51的銷轉印方式，但也可以應用利用氣壓或機械壓力使裝在注射器中的液體從噴嘴的前端噴出的分配器方式。
1‧‧‧黏晶機裝置
2‧‧‧環座
3‧‧‧基板搬送裝置
4‧‧‧拾取裝置
5‧‧‧漿料塗布裝置
10‧‧‧殼體
41‧‧‧保持部

Claims (7)

  1. 一種黏晶機裝置，從貼附著包括多個半導體元件的晶片的貼片環取出半導體元件並塗布黏著劑，將塗布了黏著劑的半導體元件安裝在基板上，所述黏晶機裝置的特徵在於包括：環座，保持所述貼片環；漿料塗布裝置，塗布所述黏著劑；基板搬送部，保持及搬送所述基板；及旋轉方式的拾取器件，將可以裝卸所述半導體元件的保持部配置成輻射狀而構成，且使該保持部繞著輻射中心每次旋轉規定角度；且所述環座、所述漿料塗布裝置及所述基板搬送部配置在所述拾取器件的周圍，所述拾取器件是通過旋轉，在同一時間，使多個所述保持部中的一架與所述環座的所述貼片環相對，使多個所述保持部中的另一架與所述漿料塗布裝置相對，且使多個所述保持部中的又一架與所述基板搬送部相對，所述漿料塗布裝置是對從所述貼片環取出並保持在所述保持部的所述半導體元件的安裝面塗布所述黏著劑。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的黏晶機裝置，其特徵在於：所述拾取器件是以所述保持部的輻射面垂直的方式設置，所述漿料塗布裝置是配置在所述拾取器件的正上方，並且對使安裝面朝上的所述半導體元件從上方塗布所述黏著劑。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述的黏晶機裝置，其特徵在於：所述漿料塗布裝置包括衝壓針，所述衝壓針與所述拾取器件的位於頂點的所述保持部共用軸線而相對，並且在下端保持著所述黏著劑。
  4. 根據申請專利範圍第3項所述的黏晶機裝置，其特徵在於：所述漿料塗布裝置是將多個所述衝壓針配置在對向或圓周均等分配位置上，更包括貯存著所述黏著劑的接盤，使該衝壓針沿著共用圓周軌跡每次旋轉規定角度，依次使各衝壓針位於所述接盤，依次使各衝壓針與所述拾取器件的位於頂點的所述保持部共用軸線而相對。
  5. 根據申請專利範圍第1至4項中任一項所述的黏晶機裝置，其特徵在於：在所述拾取器件的周圍更包括觀察所述半導體元件的安裝面而檢測有無所述黏著劑的檢測器件。
  6. 根據申請專利範圍第5項所述的黏晶機裝置，其特徵在於：在所述拾取器件的周圍更包括將沒有塗布所述黏著劑的所述半導體元件排出的排出位置。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述的黏晶機裝置，其特徵在於：所述環座的貼片環保持面、所述基板搬送部的基板保持面及配置在該拾取器件的所述保持部延伸的面是以相互正交的方式配 置，所述漿料塗布裝置配置成隔著所述拾取器件與所述基板搬送部相對。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6181108B2 (ja) * 2014-06-19 2017-08-16 アキム株式会社 組立装置および組立方法
KR102449536B1 (ko) * 2015-08-10 2022-09-30 ㈜큐엠씨 전자소자 분류장치
JP5975556B1 (ja) * 2015-12-11 2016-08-23 上野精機株式会社 移載装置
MY191024A (en) * 2016-04-27 2022-05-29 Mit Semiconductor Pte Ltd Transfer system for flipping and multiple checking of electronic devices
JP6164624B1 (ja) * 2016-10-18 2017-07-19 上野精機株式会社 電子部品移動装置及び電子部品搬送装置
KR101826522B1 (ko) 2016-11-30 2018-03-22 원호 웨이퍼 분류 장치
CN109638150B (zh) * 2018-10-22 2023-05-02 武汉纺织大学 一种超声探头压电晶片自动点胶贴装机
CN111916375B (zh) * 2020-08-12 2024-03-26 深圳市诺泰芯装备有限公司 转塔式芯片无胶固晶机
CN115318552B (zh) * 2022-07-15 2024-01-30 济南金威刻激光科技股份有限公司 半导体隐形切割用粘黏剂涂抹装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02239636A (ja) * 1989-03-13 1990-09-21 Fujitsu Ltd ダイボンディング装置
JPH10308403A (ja) * 1997-05-06 1998-11-17 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び製造装置
JP2006513565A (ja) * 2003-01-16 2006-04-20 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ チップ移送方法及び装置
DE102010031939B4 (de) * 2010-07-22 2012-05-24 Asm Assembly Systems Gmbh & Co. Kg Dispensersystem für einen Bestückautomaten, Bestückautomat sowie Verfahren zum Aufbringen eines Dispensermediums auf Bauelemente

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