TW201418339A - 樹脂基板，預浸體，印刷佈線基板及半導體裝置 - Google Patents

樹脂基板，預浸體，印刷佈線基板及半導體裝置 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種無鉛焊錫迴焊性優越、減低了安裝時之翹曲的樹脂基板。本發明之樹脂基板(100)係具備纖維基材(101)與絕緣樹脂層(103)，於纖維基材(101)浸含樹脂材料而獲得。而且，樹脂基板(100)之1%重量減少溫度為350℃以上且500℃以下。

Description

樹脂基板，預浸體，印刷佈線基板及半導體裝置
本發明係關於樹脂基板、預浸體、印刷佈線基板、半導體裝置。
近年來，隨著電子機器之高機能化及輕薄短小的要求，電子零件之高密度集成化、進而高密度安裝化等正進展著，而此等電子機器所使用之半導體裝置的小型化急速進行中。
因此，安裝包括半導體元件在內之電子零件的印刷佈線基板亦有薄型化的傾向，印刷佈線基板中所使用之樹脂基板係以厚度約0.8mm者成為主流。
再者，最近將使用了0.4mm以下之樹脂基板的半導體裝置彼此積層的疊層封裝(package on package，以下稱為POP)搭載於行動機器(例如行動電話、智慧型手機、平板型PC等)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2006-203142號公報
如此，半導體裝置的小型化進展時，習知負責半導體裝 置之大部分剛性的半導體元件、密封材的厚度變得極薄，使半導體裝置的翹曲容易發生。又，由於作為構成構件之樹脂基板的佔有比例變大，故樹脂基板之物性．行為將對半導體裝置之翹曲造成極大影響。
另一方面，由地球環境保護的觀點而言，隨著焊錫的無鉛化，在對印刷佈線基板搭載焊球時、或對安裝至母板時所進行之迴焊步驟中，最高溫度變得非常高。一般常使用之無鉛焊錫的熔點為約210度，故迴焊步驟中之最高溫度為超過260度的程度。
因此，加熱時之POP上下的半導體裝置中，由於半導體元件與搭載半導體元件之印刷佈線基板間的熱膨脹差非常大，故有大幅翹曲的情形。再者，被使用於CPU等、FCBGA等之大型半導體封裝，除了重複經過260度之迴焊步驟之外，為了由不良基板進行修復或重組，而進一步經過迴焊步驟，故需要較高之熱穩定性。又，在由樹脂基板所產生之逸氣(outgas)等之揮發氣體產生時，有導體佈線層或增建絕緣層剝離的情形。
作為解決此種問題的手段，有例如以下文獻記載的手段。
專利文獻1(日本專利特開2006-203142號公報)中記載有藉由使用由熱膨脹率具有負值之有機纖維所形成的織布作為預浸體的基材，則可使半導體封裝用之多層印刷佈線板的熱膨脹率接近矽晶片的熱膨脹率，而可提升安裝了矽晶片時的連接可靠性。
然而，若如專利文獻1般，使用顯示負之熱膨脹的有機纖維基材作為預浸體所使用之纖維基材，則所得之樹脂基板之玻璃轉移溫度將較由使用材料所預想之值更低，其結果，有樹脂基板之彈性係數降低的情形。因此，所得樹脂基板的剛性變得不足，在迴焊等之 加熱後之翹曲抑制效果未能充分滿足。又，若重複迴焊步驟，則來自樹脂基板之逸氣(揮發份)的產生較多，發生因樹脂重量之減量所造成的體積收縮，而有翹曲惡化之情形。
因此，本發明提供一種無鉛焊錫迴焊性優越、減低了安裝時之翹曲的樹脂基板。
本發明者等人針對解決上述課題之設計指南進行潛行研究。結果發現，樹脂基板之1%重量減少溫度之量度可有效作為設計指南，遂達成本發明。
根據本發明，提供一種樹脂基板，係於纖維基材浸含樹脂材料而成者， 上述樹脂基板之1%重量減少溫度為350℃以上且500℃以下。
根據本發明，提供一種預浸體，係於纖維基材浸含樹脂材料而成者， 將該預浸體依200℃硬化1小時所得之硬化體的1%重量減少溫度為350℃以上且500℃以下。
再者，根據本發明，提供一種印刷佈線基板，係將上述樹脂基板進行電路加工而成。
再者，根據本發明，提供一種半導體裝置，係於上述印刷佈線基板搭載半導體元件而成。
根據本發明，可提供無鉛焊錫迴焊性優越、減低了安裝時之翹曲的樹脂基板。
100‧‧‧樹脂基板
101‧‧‧纖維基材
103‧‧‧絕緣樹脂層
200‧‧‧半導體封裝
201‧‧‧抗焊層
203‧‧‧半導體元件
205‧‧‧連接端子
207‧‧‧焊錫凸塊
209‧‧‧開口部
211‧‧‧密封材
213‧‧‧樹脂基板
215‧‧‧通孔
300‧‧‧半導體裝置
301‧‧‧焊錫凸塊
303‧‧‧安裝基板
305‧‧‧連接端子
上述目的及其他目的、特徵及優點，將藉由以下所述之較佳實施形態、及隨附之以下圖式，進一步闡明。
圖1為表示本實施形態之樹脂基板之構成一例的剖面圖。
圖2為表示本實施形態之半導體封裝之構成一例的剖面圖。
圖3為表示本實施形態之半導體裝置之構成一例的剖面圖。
以下，針對本發明之實施形態，使用圖式進行說明。又，所有圖式中，對相同之構成要件加註共通符號，並適當省略其說明。又，圖為概略圖，與實際之尺寸比率未必一致。
(樹脂基板)
首先，針對本實施形態之樹脂基板的構成進行說明。圖1為表示本實施形態之樹脂基板100之構成一例的剖面圖。
樹脂基板100係具備纖維基材101與絕緣樹脂層103，於纖維基材101中浸含樹脂材料而獲得。而且，樹脂基板100之1%重量減少溫度為350℃以上、較佳360℃以上、更佳370℃以上。又，樹脂基板100之1%重量減少溫度為500℃以下、通常400℃以下。於此，1%重量減少溫度可藉由例如熱重量測定裝置進行測定。更具體而言，1%重量減少溫度係使用示差熱熱重量同時測定裝置，於乾燥氮氣流下，藉由升溫速度10℃/分之條件，使樹脂基板100由30℃升溫至650℃時，將樹脂基板100由30℃之重量減少1%重量時的溫度稱為1%重量減少溫度。
1%重量減少溫度為上述範圍內之樹脂基板100，可減低迴焊等之加熱處理時的樹脂基板100的翹曲。且，其結果，可減低含有樹脂基板100之半導體封裝200或半導體裝置300的翹曲。
本實施形態中之樹脂基板100中，於25℃至150℃範圍所算出之基板面內方向的線膨脹係數，較佳為-10ppm/℃以上、更佳-5ppm/℃以上、特佳0ppm/℃以上。又，較佳為10ppm/℃以下、更佳7ppm/℃以下、再更佳4.5ppm/℃以下、特佳4ppm/℃以下。又，較佳為-10ppm/℃以上且10ppm/℃以下，更佳-5ppm/℃以上且7ppm/℃以下，再更佳0ppm/℃以上且4.5ppm/℃以下，特佳0ppm/℃以上且4ppm/℃以下。又，本實施形態之線膨脹係數係上述溫度範圍下的平均值。
若樹脂基板100之線膨脹係數為上述範圍內，則可使形成了佈線圖案之印刷佈線基板、搭載了半導體元件之半導體封裝200的翹曲抑制或溫度循環可靠性更進一步有效提升，進而二次安裝了半導體封裝200的半導體裝置300之母板之溫度循環可靠性可進一步有效提升。
另外，為了更有效獲得樹脂基板100之翹曲的防止效果。雖無特別限定，但樹脂基板100之由動態黏彈性測定所得的玻璃轉移溫度，較佳為250℃以上、更佳260℃以上、再更佳270℃以上。上限較佳為例如350℃以下。
樹脂基板100若由動態黏彈性測定所得的玻璃轉移溫度滿足上述範圍，則可提高樹脂基板100之剛性，進一步減低安裝時樹脂基板100的翹曲。
另外，為了更有效得到樹脂基板100之翹曲防止效果，雖無特別限定，但樹脂基板100於250℃下的貯藏彈性係數E’較佳為15GPa以上、更佳25GPa以上。關於上限值，並無特別限定，可例如設為50GPa以下。
樹脂基板100若250℃下之貯藏彈性係數E’滿足上述範圍，則樹 脂基板100之剛性提高、可進一步減低安裝時之樹脂基板100翹曲。
本實施形態之樹脂基板100的厚度較佳為0.025mm以上且0.6mm以下。更佳0.04mm以上且0.4mm以下，再更佳0.04mm以上且0.3mm以下、特佳0.05mm以上且0.2mm以下。若樹脂基板100之厚度為上述範圍內，則機械強度及生產性之平衡特別優良，可得到適合薄型印刷佈線基板的樹脂基板100。
(樹脂基板100之製造方法)
接著，說明本實施形態之樹脂基板100的製造方法。樹脂基板100係例如藉由將預浸體進行加熱硬化而獲得。於此所使用之預浸體為片狀材料，介電特性、高溫高濕下之機械、電氣連接可靠性等之各種特性優越，適合於製造印刷佈線基板用的樹脂基板100。
本實施形態之預浸體並無特別限定，例如於纖維基材中使含有1種或2種以上之熱硬化性樹脂及填充材的樹脂材料浸含，其後，使其半硬化而獲得。
本實施形態中，作為使樹脂材料浸含於纖維基材的方法，並無特別限定，可舉例如：將樹脂組成物溶解於溶劑中以調製樹脂清漆，將纖維基材浸漬於樹脂清漆中的方法；藉各種塗佈器將樹脂清漆塗佈於纖維基材的方法；藉噴霧將樹脂清漆吹附於纖維基材的方法；將附有支撐基材之樹脂層積層於纖維基材的方法等。
本實施形態之預浸體中，將該預浸體依200℃硬化1小時而得之硬化體的1%重量減少溫度為350℃以上、較佳360℃以上、更佳370℃以上。又，本實施形態之預浸體中，將該預浸體依200℃硬化1小時而得之硬化體的1%重量減少溫度為500℃以下、通常為400℃ 以下。於此，1%重量減少溫度可例如藉熱重量測定裝置進行測定。
使用了1%重量減少溫度為上述範圍內之預浸體的樹脂基板100，可減低迴焊等之加熱處理時之樹脂基板100的翹曲。
再者，其結果亦可減低含有樹脂基板100之半導體封裝200或半導體裝置300的翹曲。
接著說明使用了上述所得預浸體之樹脂基板100的製造方法。使用了預浸體之樹脂基板100的製造方法並無特別限定，例如如下述。
由所得之預浸體剝離支撐基材後，於預浸體之外側的上下兩面或單面上重疊金屬箔，使用積層裝置或貝克裝置於高真空條件下將其等接合。或直接於預浸體外側之上下兩面或單面上重疊金屬箔。
接著，將於預浸體重疊了金屬箔者藉真空壓製機進行加熱、加壓，或藉乾燥機進行加熱，可得到樹脂基板100。
金屬箔之厚度為例如1μm以上且35μm以下。若此金屬箔之厚度為上述下限值以上，則在製造載體材料5a、5b時可充分確保機械強度。又，若厚度為上述上限值以下，則容易加工形成細微電路。
尚且，在使用金屬箔作為支撐基材時，可不剝離支撐基材而直接使用。
作為構成金屬箔之金屬，可使用例如銅及銅系合金、鋁及鋁系合金、銀及銀系合金、金及金系合金、鋅及鋅系合金、鎳及鎳系合金、錫及錫系合金、鐵及鐵系合金、鐵鎳鈷合金(Kovar，商標名)、42合金、殷鋼或超級殷鋼等之Fe-Ni系合金、W或Mo等。又，亦可使用具載體之電解銅箔等。
(樹脂基板之構成材料)
以下詳細說明製造樹脂基板100時所使用之各材料。
(熱硬化性樹脂)
作為熱硬化性樹脂並無特別限定，較佳係具有低線膨脹率及高彈性係數，熱衝擊性之可靠性優越者。
另外，熱硬化性樹脂之玻璃轉移溫度，較佳為160℃以上且350℃以下、更佳180℃以上且300℃以下。藉由使用具有此種玻璃轉移溫度的熱硬化性樹脂，則可得到更加提升無鉛焊錫之迴焊耐熱性的效果。
作為具體之熱硬化性樹脂，可舉例如苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂等之酚醛清漆型酚樹脂，未改質之可溶酚醛酚樹脂、桐油、亞麻仁油、胡桃油等經改質之油改質可溶酚醛酚樹脂等之可溶酚醛型酚樹脂等之酚樹脂，雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂等之雙酚型環氧樹脂，苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等之酚醛清漆型環氧樹脂，聯苯基環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、芳基伸烷基型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等之環氧樹脂，脲(尿素)樹脂、三聚氰胺樹脂等之具有三環的樹脂，不飽和聚酯樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、二烯丙基酞酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、具有苯并環之樹脂、氰酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、苯并環丁烯樹脂等。
可單獨使用此等中之1種，亦可併用具有不同重量平均分子量的2 種以上，或可併用1種或2種以上與此等的預聚物。
此等之中，特佳為氰酸酯樹脂(包括氰酸酯樹脂之預聚物)。藉由使用氰酸酯樹脂，可減小樹脂基板100的線膨脹係數。再者，氰酸酯樹脂係電氣特性(低介電係數、低耗損因子)、機械強度等亦優越。
氰酸酯樹脂可使用例如使鹵化氰化合物與酚類反應者，或視需要藉加熱等方法經預聚合物化者。具體可舉例如酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型異氰酸樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等之雙酚型氰酸酯樹脂、萘酚芳烷基型之多價萘酚類與鹵化氰間之反應所得的氰酸酯樹脂、二環戊二烯型氰酸酯樹脂、聯苯烷基型氰酸酯樹脂等。此等之中，較佳為酚醛清漆型氰酸酯樹脂。藉由使用酚醛清漆型氰酸酯樹脂，則使交聯密度增加，提升耐熱性。因此，可提升樹脂基板100等之難燃性。
作為其理由，可舉例如酚醛清漆型氰酸酯樹脂係於硬化反應後形成三環。再者，認為酚醛清漆型氰酸酯樹脂於其構造上，苯環的比例較高，容易碳化所致。再者，即使在將絕緣樹脂層之厚度設為0.6mm以下的情況，含有使酚醛清漆型氰酸酯樹脂硬化而製作的樹脂基板100仍具有優越的剛性。尤其是由於此種樹脂基板100在加熱時的剛性優越，故半導體元件安裝時的可靠性亦優越。
作為酚醛清漆型氰酸酯樹脂，可使用例如下述一般式(I)所示者。
[化1]
一般式(I)所示之酚醛清漆型氰酸酯樹脂的平均重複單位n為任意整數。n之下限並無特別限定，較佳為1以上、特佳2以上。若n為上述下限值以上，則酚醛清漆型氰酸酯樹脂的耐熱性提升，加熱時可抑制低量體的脫離、揮發。又，n之上限並無特別限定，較佳為10以下、更佳7以下。若n為上述上限值以下，則可抑制熔融黏度變高的情形，並可抑制絕緣樹脂層的成形性降低。
另外，作為氰酸酯樹脂，亦適合使用下述一般式(II)所示之萘酚型氰酸酯樹脂。下述一般式(II)所示之萘酚型氰酸酯樹脂，係使藉由α-萘酚或β-萘酚等之萘酚類與對茬二醇、α,α’-二甲氧基對茬、1,4-二(2-羥基-2-丙基)苯等的反應而得之萘酚芳烷基樹脂與氰酸進行縮合而得者。一般式(II)之n較佳為10以下。在n為10以下時，樹脂黏度不變高，對纖維基材之浸含性良好，而有使作為樹脂基板100之性能不降低的傾向。又，有於合成時不易發生分子內聚合，水洗時之分液性提升，可防止產量降低的傾向。
(式中，R表示氫原子或甲基，n表示1以上的整數。)
另外，作為氰酸酯樹脂，亦適合使用下述一般式(III)所示之二環戊二烯型氰酸酯樹脂。下述一般式(III)所示之二環戊二烯型氰酸酯樹脂，較佳係下述一般式(III)之n為0以上且8以下。在n為8以下時，樹脂黏度不變高，對纖維基材之浸含性良好，可防止作為樹脂基板100的性能降低。又，藉由使用二環戊二烯型氰酸酯樹脂，則吸濕性低及耐藥性優越。
(n表示0以上且8以下之整數。)
氰酸酯樹脂的重量平均分子量(Mw)下限並無特別限定，較佳為Mw 500以上、更佳Mw 600以上。若Mw為上述下限值以上，則在製作絕緣樹脂層時可抑制黏性產生，可抑制絕緣樹脂層彼此接觸時互相附著、或產生樹脂轉印的情形。又，Mw上限並無特別限定，較佳係Mw 4,500以下、更佳係Mw 3,000以下。又，若Mw為上述上限值以下，則可抑制反應變快，在作成印刷佈線基板時，可抑制成形不良發生、或層間剝離強度降低的情形。
氰酸酯樹脂等之Mw可例如藉由GPC(凝膠滲透層析法，標準物質：聚苯乙烯換算)進行測定。
另外，雖無特別限定，氰酸酯樹脂可單獨使用1種，亦可併用具有相異Mw之2種以上，或可將1種或2種以上與其等之預 聚物併用。
樹脂材料中所含之熱硬化性樹脂的含量，可配合其目的而適當調整，並無特別限定，以樹脂材料整體(以下表示樹脂材料之總固形份(亦即溶媒除外的成分))為基礎，較佳為5質量%以上且90質量%以下，更佳10質量%以上且80質量%以下，再更佳20質量%以上且50質量%以下，特佳20質量%以上且35質量%以下。若熱硬化性樹脂之含量為上述下限值以上，則操作性提升、容易形成絕緣樹脂層。若熱硬化性樹脂之含量為上述上限值以下，則有絕緣樹脂層之強度或難燃性提升，或絕緣樹脂層之線膨脹係數降低而半導體裝置之翹曲減低效果提升的情形。
作為熱硬化性樹脂，除了使用氰酸酯樹脂(尤其是酚醛清漆型氰酸酯樹脂、萘酚型氰酸酯樹脂、二環戊二烯型氰酸酯樹脂)以外，亦可使用環氧樹脂(實質上不含鹵原子)，或併用環氧樹脂與氰酸酯樹脂。作為環氧樹脂，可舉例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂等之雙酚型環氧樹脂，苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等之酚醛清漆型環氧樹脂，聯苯基型環氧樹脂、茬型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂等之芳基伸烷氧基環氧樹脂，萘酚型環氧樹脂、萘二醇型環氧樹脂、2官能至4官能環氧基型萘樹脂、萘醚型環氧樹脂、雙萘基型環氧樹脂、萘芳烷基型環氧樹脂等之萘型環氧樹脂，蒽型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷基環氧樹脂、茀型環氧樹脂等。
作為環氧樹脂，可單獨使用此等中之1種，亦可併用具有不同重量平均分子量的2種以上。又，亦可將此等中之1種或2種 以上、與其等之預聚物併用。
此等環氧樹脂中，較佳係芳基伸烷基型環氧樹脂。藉此，可進一步提升吸濕焊錫耐熱性及難燃性。
作為萘型環氧樹脂，可舉例如萘酚型環氧樹脂、萘二醇型環氧樹脂、2官能至4官能環氧基型萘樹脂、萘醚型環氧樹脂等。藉此，可進一步提升耐熱性、低熱膨脹性。又，由於萘環之π-π重疊效果較苯環高，故尤其是低熱膨脹性、低熱收縮性優越。再者，由於多環構造，故剛直效果高，由於玻璃轉移溫度特別高，故迴焊前後之熱收縮變化較小。作為萘酚型環氧樹脂，可由例如下述一般式(VII-1)所示；萘二醇型環氧樹脂可由例如下述式(VII-2)所表示；2官能至4官能環氧基型萘樹脂，可由例如下述式(VII-3)(VII-4)(VII-5)所示；萘醚型環氧樹脂可由例如下述一般式(VII-6)所示。此等之中，由難燃性、耐熱性、玻璃轉移溫度高、及低熱膨脹性的觀點而言，較佳為萘醚型環氧樹脂。
(n表示平均1以上且6以下的數，R表示環氧丙基或碳數1以上且10以下的烴基。)
[化5]
(式中，R1表示氫原子或甲基，R2分別獨立表示氫原子、碳原子數1~4之烷基、芳烷基、萘基或含有環氧丙基醚基的萘基。o及m分別為0~2之整數，且o或m之至少任一者為1以上。)
再者，作為上述以外之環氧樹脂，較佳係芳基伸烷基型 環氧樹脂。所謂芳基伸烷基型環氧樹脂，係指於重複單位中具有一個以上芳基伸烷基的環氧樹脂。可舉例如茬型環氧樹脂、聯苯基二亞甲基型環氧樹脂等。此等之中，較佳為聯苯基二亞甲基型環氧樹脂。聯苯基二亞甲基型環氧樹脂可由例如下述一般式(IV)所示。
由上述一般式(IV)所示之聯苯基二亞甲基型環氧樹脂的平均重複單位n為任意整數。n之下限並無特別限定，較佳為1以上、特佳2以上。若n為上述下限值以上，則可抑制聯苯基二亞甲基型環氧樹脂的結晶化，提升對通用溶媒之溶解性，故操作容易。n之上限並無特別限定，較佳為10以下、特佳5以下。若n為上述上限值以下，則可提升樹脂之流動性，抑制成形不良等之發生。
作為上述以外之環氧樹脂，較佳係具有縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂。藉此，可進一步提升耐熱性、低熱膨脹性。
具有縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂，有如萘、蒽、菲、稠四苯、、芘、聯三伸苯及苯并蒽(tetraphene)、其他具有縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂。具有縮合環芳香族烴構造之酚醛清漆型環氧樹脂，由於使複數芳香環規則性地排列，故低熱膨脹性優越。又，由於玻璃轉移溫度亦較高，故耐熱性優越。再者，由於重複構造之分子量較大，故難燃性較習知之酚醛清漆型環氧樹脂優越，藉由與氰酸酯樹脂組合，則可改善氰酸酯樹脂之脆弱性的 弱點。因此，藉由併用氰酸酯樹脂使用，則因玻璃轉移溫度進一步變高，故無鉛對應的安裝可靠性優越。
具有縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂，係由 苯酚類化合物與甲醛類化合物及縮合環芳香族烴化合物所合成之、將酚醛清漆型苯酚樹脂經環氧基化者。
苯酚類化合物並無特別限定，可舉例如苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚等之甲酚類，2,3-二甲酚、2,4-二甲酚、2,5-二甲酚、2,6-二甲酚、3,4-二甲酚、3,5-二甲酚等之二甲酚類，2,3,5-三甲基酚等之三甲基酚類，鄰乙基酚、間乙基酚、對乙基酚等之乙基酚類，異丙基酚、丁基酚、第三丁基酚等之烷基酚類，鄰苯基酚、間苯基酚、對苯基酚、鄰苯二酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,7-二羥基萘等之萘二醇類，間苯二酚、鄰苯二酚、氫醌、五倍子酚、根皮三酚等之多價酚類，烷基間苯二酚、烷基鄰苯二酚、烷基氫醌等之烷基多價酚類。此等之中，由成本面及對分解反應造成之效果而言，較佳為苯酚。
醛類化合物並無特別限定，可舉例如甲醛、聚甲醛、三、乙醛、丙醛、聚氧亞甲基、三氯乙醛、六亞甲基四胺、糠醛、乙二醛、正丁基醛、己醛、烯丙基醛、苯醛、丁烯醛、丙烯醛、四氧基亞甲基、苯基乙醛、鄰甲苯甲醛、水楊醛、二羥基苯醛、三羥基苯醛、4-羥基-3-甲氧基醛聚甲醛等。
縮合環芳香族烴化合物並無特別限定，可舉例如甲氧基萘、丁氧基萘等之萘衍生物，甲氧基蒽等之蒽衍生物，甲氧基菲等之菲衍生物，其他稠四苯衍生物、衍生物、芘衍生物、聯三伸苯衍生物及苯并蒽衍生物等。
具有縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂，並無 特別限定，可舉例如甲氧基萘改質鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、丁氧基萘改質甲基(對)甲酚酚醛清漆環氧樹脂及甲氧基萘改質酚醛清漆環氧樹脂等。此等之中，較佳係具有下述式(V)所示之縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂。
(式中，Ar為縮合環芳香族烴基，R彼此可為相同或相異，為選自氫原子、碳數1以上且10以下之烴基或鹵元素、苯基、苄基等之芳香基及含有環氧丙基醚之有機基的基，n、P及q為1以上之整數，又，p、q之值可於每重複單位中為相同或相異。)
(式(v)中之Ar係式(VI)中之(Ar1)~(Ar4)所示的構造，式(VI)中之R彼此可為相同或相異，為選自氫原子、碳數1以上且10以下之烴基或鹵元素、苯基、苄基等之芳香基及含有環氧丙基醚之有機基的基。)
環氧樹脂之含量下限並無特別限定，於樹脂材料整體中，較佳為1質量%以上、更佳2質量%以上、特佳10質量%以上。若含量為上述下限值以上，則提升氰酸酯樹脂的反應性，可提升所得製品的耐濕性。環氧樹脂之含量上限並無特別限定，較佳為55質量%以下、更佳40質量%以下、特佳20質量%以下。若含量為上述上限值以下，則可更加提升耐熱性。
環氧樹脂的重量平均分子量(Mw)下限並無特別限定，較佳為Mw 500以上、更佳Mw 800以上。若Mw為上述下限值以上，則在樹脂層可抑制黏性產生。Mw上限並無特別限定，較佳係Mw 20,000以下、特佳Mw 15,000以下。若Mw為上述上限值以下，則可於絕緣樹脂層製作時提升對纖維基材的浸含性，得到更均勻的製品。環氧樹脂之Mw可藉由例如GPC進行測定。
在使用氰酸酯樹脂(尤其是酚醛清漆型氰酸酯樹脂、萘酚型氰酸酯樹脂、二環戊二烯型氰酸酯樹脂)或環氧樹脂(萘型環氧樹脂、芳基伸烷基型環氧樹脂、聯苯二亞甲基型環氧樹脂、具有縮合環芳香族烴構造之酚醛清漆型環氧樹脂，尤其是萘醚型環氧樹脂)作為熱硬化性樹脂時，較佳係進一步使用酚樹脂。作為酚樹脂，可舉例如酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、芳基伸烷基型酚樹脂等。作為酚樹脂，可單獨使用此等中之1種，亦可併用具有不同重量平均分子量的2種以上，或可將1種或2種以上與其等之預聚物併用。此等之中，特佳為芳基伸烷基型酚樹脂。藉此，可進一步提升吸濕焊錫耐熱性。
作為芳基伸烷基型酚樹脂，可舉例如茬型酚樹脂、聯苯基二亞甲基型酚樹脂等。聯苯基二亞甲基型酚樹脂可由例如下述一般式(VIII)所示。
由上述一般式(VIII)所示之聯苯基二亞甲基型酚樹脂的重複單位n為任意整數。n之下限並無特別限定，較佳為1以上、特佳2以上。若n為上述下限值以上，則可更加提升耐熱性。又，重複單位n之上限並無特別限定，較佳為12以下、特佳8以下。又，若n為上述上限值以下，則提升與其他樹脂間的相溶性，可提升作業性。
藉由上述氰酸酯樹脂(尤其是酚醛清漆型氰酸酯樹脂、萘酚型氰酸酯樹脂、二環戊二烯型氰酸酯樹脂)或環氧樹脂(萘型環氧樹脂、芳基伸烷基型環氧樹脂、聯苯二亞甲基型環氧樹脂、具有縮合環芳香族烴構造之酚醛清漆型環氧樹脂，尤其是萘醚型環氧樹脂)與芳基伸烷基型酚樹脂的組合，可控制交聯密度，而容易控制反應性。
酚樹脂之含量下限並無特別限定，於樹脂材料整體中，較佳為1質量%以上、更佳5質量%以上。若酚樹脂含量為上述下限值以上，則提升耐熱性。又，酚樹脂之含量上限並無特別限定，於樹脂材料整體中較佳為55質量%以下、更佳40質量%以下、特佳20質量%以下。若酚樹脂含量為上述上限值以下，則可更加提升低熱膨脹特性。
酚樹脂的重量平均分子量(Mw)下限並無特別限定，較佳為Mw 400以上、更佳Mw 500以上。若Mw為上述下限值以上，則在樹脂層可抑制黏性產生。又，酚樹脂之Mw上限並無特別限定，較佳係Mw 18,000以下、更佳Mw 15,000以下。又，若Mw為上述上限值 以下，則可於樹脂層製作時提升對纖維基材的浸含性，得到更均勻的製品。酚樹脂之Mw可藉由例如GPC進行測定。
再者，在使用氰酸酯樹脂(尤其是酚醛清漆型氰酸酯樹脂、萘酚型氰酸酯樹脂、二環戊二烯型氰酸酯樹脂)與酚樹脂(芳基伸烷基型酚樹脂、尤其是聯苯二亞甲基型酚樹脂)與環氧樹脂(萘型環氧樹脂、芳基伸烷基型環氧樹脂、聯苯二亞甲基型環氧樹脂、具有縮合環芳香族烴構造之酚醛清漆型環氧樹脂，尤其是萘醚型環氧樹脂)之組合而製作基板(尤其是印刷佈線基板)的情況，可得到特別優越的尺寸穩定性。
另外，樹脂材料較佳係含有填充材。藉此，即使樹脂基板100經薄型化，仍可賦予更優越的機械強度。再者，可進一步提升樹脂基板100的低熱膨脹化。
(填充材)
作為填充材可舉例如滑石、燒成黏土、未燒成黏土、雲母、玻璃等之矽酸鹽，氧化鈦、氧化鋁、二氧化矽、熔融二氧化矽等之氧化物，碳酸鈣、碳酸鎂、水滑石等之碳酸鹽，氫氧化鋁、氫氧化鎂、水鋁石、氫氧化鈣等之氫氧化物，硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣等之硫酸鹽或亞硫酸鹽，硼酸鋅、甲基硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣、硼酸鈉等之硼酸鹽，氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氮化碳等之氮化物，鈦酸鍶、鈦酸鋇等之鈦酸鹽等。
作為填充材，可單獨使用此等中之1種，亦可併用2種以上。此等之中，較佳為產生氣體量較少者。由低熱膨脹性優越的觀點而言，較佳為例如滑石、水鋁石、二氧化矽，特佳為熔融二氧化矽(尤 其是球狀熔融二氧化矽)。熔融二氧化矽之形狀有破碎狀及球狀。為了確保對纖維基材的浸含性，可使用用於降低樹脂材料之熔融黏度的球狀二氧化矽等，可採用配合其目的之使用方法。
填充材之平均粒徑之下限並無特別限定，較佳為0.01μm以上、更佳0.1μm以上。若填充材之粒徑為上述下限值以上，則可抑制清漆黏度的變高，提升預浸體製作時之作業性。又，平均粒徑之上限並無特別限定，較佳為5.0μm以下、更佳2.0μm以下。若填充材之粒徑為上述上限值以下，則可抑制清漆中填充材的沉降等現象，可得到更均勻的樹脂層。又，在內層基板之導體電路之L/S小於20/20μm時，可抑制對佈線間之絕緣性造成影響的情形。
填充材之平均粒徑例如可使用雷射繞射式粒度分佈測定裝置(HORIBA製，LA-500)，依體積基準測定顆粒之粒度分佈，以其中徑(D50)作為平均粒徑。
另外，填充材並無特別限定，可使用平均粒徑為單分散的填充材，亦可使用平均粒徑為多分散的填充材。進而亦可併用平均粒徑為單分散及/或多分散之填充材的1種或2種以上。
另外，本實施形態之樹脂材料中，較佳係含有藉雷射繞射散射式粒度分佈測定法所得之體積基準粒度分佈下的中徑d50為未滿100nm的奈米二氧化矽(尤其是球狀奈米二氧化矽)。上述奈米二氧化矽由於可存在於粒徑較大之填充材之間隙或纖維基材之股線中，故藉由含有奈米二氧化矽，則可更加提升填充材的填充性。
填充材之含量並無特別限定，較佳係於樹脂材料整體中為20質量%以上、更佳30質量%以上、再更佳50質量%以上、特佳60質量%以上。而且，較佳為80質量%以下、更佳75質量%以下。又， 較佳為20質量%以上且80質量%以下，更佳30質量%以上且75質量%以下，特佳60質量%以上且75質量%以下。若含量為上述範圍內，則可更加地低熱膨脹、低吸水。
另外，本實施形態中所使用之樹脂材料，亦可調配橡膠成分，例如，可使用橡膠顆粒。作為橡膠顆粒之較佳例，可舉例如核殼型橡膠顆粒、交聯丙烯腈丁二烯橡膠顆粒、交聯苯乙烯丁二烯橡膠顆粒、丙烯酸橡膠顆粒、聚矽氧顆粒等。
核殼型橡膠顆粒係具有核層與殼層的橡膠顆粒，可舉例如：外層之殼層為由玻璃狀聚合物所構成，內層之核層為由橡膠狀聚合物所構成的2層構造；或外層之殼層為由玻璃狀聚合物所構成，中間層為由橡膠狀聚合物所構成，核層為由玻璃狀聚合物所構成的3層構造者等。玻璃狀聚合物層係例如由甲基丙烯酸甲酯之聚合物等所構成，橡膠狀聚合物層係例如由丙烯酸丁酯聚合物(丁基橡膠)等所構成。作為核殼型橡膠顆粒之具體例，可舉例如Stafiloid AC3832、AC3816N(商品名，Ganz化成公司製)，METABLEN KW-4426(商品名，三菱螺縈公司製)。作為交聯丙烯腈丁二烯橡膠(NBR)顆粒的具體例，可舉例如XER-91(平均粒徑0.5μm，JSR公司製)等。
作為交聯苯乙烯丁二烯橡膠(SBR)顆粒的具體例，可舉例如XSK-500(平均粒徑0.5μm，JSR公司製)等。作為丙烯酸橡膠顆粒之具體例，可舉例如METABLEN W300A(平均粒徑0.1μm)、W450A(平均粒徑0.2μm)(三菱嫘縈公司製)等。
聚矽氧顆粒若為由有機聚矽氧烷所形成之橡膠彈性微顆粒，則無特別限定，可舉例如由聚矽氧橡膠(有機聚矽氧烷交聯彈性體)本身所形成的微顆粒，以及將由二維交聯主體之聚矽氧所形成之核 部藉三維交聯型主體之聚矽氧所被覆的核殼構造顆粒等。作為聚矽氧橡膠微顆粒，可使用KMP-605、KMP-600、KMP-597、KMP-594(信越化學公司製)、TORAYFIL E-500、TORAYFIL E-600(東麗．道康寧公司製)等之市售物。
橡膠顆粒之含量並無特別限定，與上述填充材合計，以樹脂材料整體為基準，較佳為20質量%以上且80質量%以下，更佳30質量%以上且75質量%以下。又，橡膠顆粒之含量並無特別限定，於樹脂材料整體中較佳為1質量%以上且20質量%以下，特佳為2質量%以上且10質量%以下。
若含量為上述範圍內，則可使其更加低吸水。
(其他之添加劑)
此外，視需要亦可於樹脂材料中適當調配偶合劑、硬化促進劑、硬化劑、熱可塑性樹脂、有機填充材等之添加劑。本實施形態所使用之樹脂材料，可適當依將上述成分藉有機溶劑等予以溶解及/或分散的液狀形態進行使用。
藉由偶合劑之使用，可使熱硬化性樹脂與填充材間之界面的濕潤性提升，而使樹脂材料對纖維基材均勻地固定。因此，藉由使用偶合劑，可改良耐熱性、尤其是吸濕後之焊錫耐熱性。
作為偶合劑，可使用一般使用作為偶合劑者，具體而言，較佳係使用環氧基矽烷偶合劑、陽離子性矽烷偶合劑、胺基矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑及聚矽氧油型偶合劑中選擇之1種以上偶合劑。藉此，可提高與填充材之界面間的濕潤性，藉此可更加提升耐熱性。
偶合劑之含量下限，由於依存於填充材之比表面積，故並無特別限定，相對於填充材100質量份，較佳為0.05質量份以上、更佳0.1質量份以上。若偶合劑之含量為上述下限值以上，則由於可充分被覆填充材，可提升耐熱性。又，含量上限並無特別限定，較佳為3質量份以下、更佳2質量份以下。含量若為上述上限值以下，則可抑制對反應造成的影響，可抑制彎曲強度等的降低。又，偶合劑之含量並無特別限定，於樹脂材料整體中較佳為0.1質量%以上且2質量%以下，特佳0.2質量%以上且1質量%以下。
作為硬化促進劑可使用公知物。可舉例如萘酸鋅、萘酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、辛酸鋅、雙乙醯基丙酮鈷(II)、三乙醯基丙酮鈷(III)等之有機金屬鹽，三乙基胺、三丁基胺、二吖雙環[2,2,2]辛烷等之3級胺類，2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基咪唑等之咪唑類，苯酚、雙酚A、壬基酚等之酚化合物，醋酸、苯甲酸、水楊酸、對甲苯磺酸等之有機酸，鎓鹽化合物等或其等之混合物。作為硬化促進劑，包括此等之中的衍生物，可單獨使用1種，亦可包括其等之衍生物而併用2種以上。
作為鎓鹽化合物並無特別限定，例如可使用下述一般式(IX)所示之鎓鹽化合物。
(式中，P為磷原子。R1、R2、R3及R4分別為具有取代 或無取代之芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代的脂肪族基，彼此可為相同或相異。A-為於分子內具有至少1個以上之可釋出至分子外之質子的n(n≧1)價質子供應體的陰離子或其錯陰離子。)
硬化促進劑之含量下限並無特別限定，較佳為樹脂材料整體之0.005質量%以上、特佳0.008質量%以上。若含量為上述下限值以上，則可充分發揮促進硬化的效果。含量上限並無特別限定，較佳為樹脂材料整體之5質量%以下、更佳2質量%以下。若含量為上述上限值以下，則可更加提升預浸體之保存性。
樹脂材料中，亦可併用苯氧基樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚伸苯醚樹脂、聚醚碸樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂等之熱可塑性樹脂，苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯共聚物等之聚苯乙烯系熱可塑性彈性體，聚烯烴系熱可塑性彈性體、聚醯胺系彈性體、聚酯系彈性體等之熱可塑性彈性體、聚丁二烯、環氧基改質聚丁二烯、丙烯酸改質聚丁二烯、甲基丙烯酸改質聚丁二烯等之二烯系彈性體。
作為苯氧基樹脂，可舉例如具有雙酚骨架的苯氧基樹脂、具有萘骨架的苯氧基樹脂、具有蒽骨架之苯氧基樹脂、具有聯苯骨架的苯氧基樹脂等。又，亦可使用具有複數種之此等骨架之構造的苯氧基樹脂。
此等之中，於苯氧基樹脂，較佳係使用具有聯苯骨架及雙酚S骨架的苯氧基樹脂。藉此，由於聯苯骨架所具有之剛直性，而可提高苯氧基樹脂之玻璃轉移溫度，同時因雙酚S骨架之存在，而可提升苯氧基樹脂與金屬間的密黏性。其結果，可達到樹脂基板之耐熱性的提升，並在製造印刷佈線基板時，可提升佈線層對樹脂基板的密 黏性。又，於苯氧基樹脂中，較佳亦使用具有雙酚A骨架及雙酚F骨架的苯氧基樹脂。藉此，在製造印刷佈線基板時，可更加提升佈線層對樹脂基板的密黏性。
另外，較佳係使用具有下述一般式(X)所示雙酚苯乙酮構造的苯氧基樹脂。
(式中，R1可互為相同或相異，為選自氫原子、碳數1以上且10以下之烴基或鹵元素的基。R2為選自氫原子、碳數1以上且10以下之烴基或鹵元素的基。R3為氫原子或碳數1以上且10以下的烴基，m為0以上且5以下的整數。)
含有雙酚苯乙酮構造之苯氧基樹脂由於具有高體積構造，故溶劑溶解性或與所調配之熱硬化性樹脂成分間之相溶性優越。又，由於可形成低粗度且均勻之粗面，故細微佈線形成性優越。
具有雙酚苯乙酮構造之苯氧基樹脂，可依使環氧樹脂與酚樹脂藉觸媒進行高分子量化的方法等公知方法進行合成。
具有雙酚苯乙酮構造之苯氧基樹脂，亦可含有一般式(X)之雙酚苯乙酮構造以外的構造，其構造並無特別限定，可舉例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、聯苯基型、苯酚酚醛清漆型、甲酚酚醛清漆型之構造等。此等之中，含有聯苯基型構造者由於玻璃轉移溫度 較高，故較佳。
含有雙酚苯乙酮構造之苯氧基樹脂中之一般式(X)之雙酚苯乙酮構造的含量並無特別限定，較佳為5莫耳%以上且95莫耳%以下，更佳為10莫耳%以上且85莫耳%以下，再更佳為15莫耳%以上且75莫耳%以下。若含量為上述下限值以上，則可充分發揮使耐熱性、耐濕可靠性提升的效果。又，若含量為上述上限值以下，則可提升溶劑溶解性。
苯氧基樹脂之重量平均分子量(Mw)並無特別限定，較佳為Mw 5,000以上且100,000以下，更佳10,000以上且70,000以下，特佳為20,000以上且50,000以下。若Mw為上述上限值以下，則可提升與其他樹脂間之相溶性或對溶劑的溶解性。若為上述下限值以上，則可提升製膜性，抑制在用於製造印刷佈線基板時發生不良情況的情形。
苯氧基樹脂之含量並無特別限定，除了填充材以外之樹脂材料的0.5質量%以上且40質量%以下，特佳1質量%以上且20質量%以下。又，苯氧基樹脂之含量並無特別限定，於樹脂材料整體中較佳為0.1質量%以上且5質量%以下，更佳0.2質量%以上且2質量%以下。
若含量為上述下限值以上，則可抑制絕緣樹脂層之機械強度降低、或與導體電路間之鍍覆密黏性之降低。若為上述上限值以下，則可抑制樹脂基板100之熱膨脹率增加，並可使耐熱性降低。
再者，樹脂材料中，視需要亦可添加顏料、染料、消泡劑、均平劑、紫外線吸收劑、發泡劑、抗氧化劑、難燃劑、離子捕捉劑等之上述成分以外的添加物。
作為顏料，可舉例如高嶺土、合成氧化鐵紅、鎘黃、鎳鈦黃、鍶黃、含水氧化鉻、氧化鉻、鋁酸鈷、合成群青藍等之無機顏料，酞菁等之多環顏料、偶氮顏料等。
作為染料，可舉例如異吲哚啉酮、異吲哚啉、喹啉黃、二苯并吡喃、二酮吡咯并吡咯、芘、芘酮(perinone)、蒽醌、靛藍、、喹吖酮、苯并咪唑酮、紫蒽酮、酞菁、偶氮甲鹼(azomethine)等。
以上之樹脂材料中，各成分之比例有如下述。
在將樹脂材料之總固形份(亦即，溶媒除外之成分)設為100質量%時，較佳係上述環氧樹脂之比例為2質量%以上且40質量%以下，由上述氰酸酯樹脂、上述酚樹脂、及上述雙馬來醯亞胺樹脂所選擇之1種或2種以上的比例為5質量%以上且30質量%以下，上述填充材之比例為60質量%以上且80質量%以下。
更佳係上述環氧樹脂的比例為10質量%以上且20質量%以下，上述氰酸酯樹脂的比例為10質量%以上且20質量%以下，上述填充材的比例為60質量%以上且75質量%以下。
(纖維基材)
作為纖維基材並無特別限定，可舉例如以玻璃布等之玻璃纖維基材；聚苯并唑樹脂纖維、聚醯胺樹脂纖維、芳香族聚醯胺樹脂纖維、全芳香族聚醯胺樹脂纖維等之聚醯胺系樹脂纖維基材；聚酯樹脂纖維、芳香族聚酯樹脂纖維、全芳香族聚酯樹脂纖維等之聚酯系樹脂纖維基材；聚醯亞胺樹脂纖維、氟樹脂纖維等作為主成分所構成的合成纖維基材；以牛皮紙、棉絨紙、棉絨與牛皮紙漿之混抄紙等作為主成分的紙基材等的有機纖維基材等。此等之中，由強度、吸水率之觀點 而言，特佳為玻璃纖維基材。又，藉由使用玻璃纖維基材，可進一步減小樹脂基板100之線膨脹係數。
作為本實施形態所使用之玻璃纖維基材，較佳係基重(每1m2之纖維基材的重量)為4g/m2以上且150g/m2以下，更佳8g/m2以上且110g/m2以下，再更佳10g/m2以上且60g/m2以下，又更佳10g/m2以上且30g/m2以下，特佳10g/m2以上且24g/m2以下。
若基重為上述上限值以下，則提升玻璃纖維基材中之樹脂材料的浸含性，可抑制股線空隙或絕緣可靠性的降低發生。又，可使由碳酸氣體、UV、準分子等之雷射所進行的通孔形成變得容易。又，若基重為上述下限值以上，則可提升玻璃纖維基材或預浸體之強度。其結果，可提升操作性、預浸體之製作變得容易、抑制基板翹曲減低效果的降低。
上述纖維基材中，尤其於25℃至150℃範圍所算出之基板面內方向的線膨脹係數，較佳為-7ppm/℃以上的纖維基材、更佳-5ppm/℃以上的纖維基材、再更佳-4ppm/℃以上的纖維基材、特佳-3ppm/℃以上的纖維基材。又，較佳為10ppm/℃以下的纖維基材、更佳7ppm/℃以下的纖維基材、再更佳3.5ppm/℃以下的纖維基材、特佳3ppm/℃以下的纖維基材。又，較佳為-7ppm/℃以上且10ppm/℃以下的纖維基材，更佳-5ppm/℃以上且7ppm/℃以下的纖維基材，再更佳-4ppm/℃以上且3.5ppm/℃以下的纖維基材，特佳-3ppm/℃以上且3ppm/℃以下的纖維基材。藉由使用具有此種線膨脹係數的纖維基材，可更加抑制本實施形態之樹脂基板100的翹曲。
再者，構成本實施形態所使用之玻璃纖維基材之材料的拉伸彈性係數較佳為60GPa以上且100GPa以下，更佳65GPa以上且 95GPa以下，特佳85GPa以上且95GPa以下。藉由使用具有此種拉伸彈性係數的玻璃纖維基材，則可有效抑制例如半導體安裝時因迴焊熱所造成的佈線板變形，更加提升電子零件之連接可靠性。
另外，本實施形態所使用之玻璃纖維基材，較佳係1GHz下的介電係數為3.8以上且7.0以下，更佳為3.8以上且6.8以下，特佳為3.8以上且5.5以下。藉由使用具有此種介電係數之玻璃纖維基材，則可更加減低樹脂基板100的介電係數，故適合於利用了高速信號的半導體裝置。
作為具有此種線膨脹係數、拉伸彈性係數及介電係數的玻璃纖維基材，可適合使用含有例如選自由T玻璃、S玻璃、E玻璃、NE玻璃、UT玻璃、L玻璃、H玻璃、及石英玻璃所組成群之至少一種的玻璃纖維基材，特佳為含有選自由T玻璃、S玻璃、NE玻璃、UT玻璃、L玻璃、及石英玻璃所組成群之至少一種的玻璃纖維基材。
纖維基材之厚度並無特別限定，較佳為5μm以上且150μm以下，更佳10μm以上且100μm以下，再更佳12μm以上且60μm以下。藉由使用具有此種厚度的纖維基材，則可進一步提升預浸體製造時之操作性，尤其翹曲減低效果顯著。
若纖維基材之厚度為上述上限值以下，則可提升纖維基材中之樹脂材料的浸含性，並可抑制股線空洞或絕緣可靠性之降低的發生。又，可使由碳酸氣體、UV、準分子等之雷射所進行的通孔形成變得容易。又，若纖維基材之厚度為上述下限值以上，則可提升纖維基材或預浸體之強度。其結果，可提升操作性、預浸體之製作變得容易，可抑制基板之翹曲減低效果的降低。
另外，纖維基材之使用片數並不限於一片，亦可將較薄 之纖維基材複數片重疊而使用。又，在將纖維基材複數片重疊而使用的情況，其合計厚度若滿足上述範圍即可。
另外，本實施形態之樹脂基板100中所含之纖維基材與填充材的合計，較佳為55質量%以上且90質量%以下，更佳70質量%以上且85質量%以下。若纖維基材與填充材之合計滿足上述範圍，則可獲得樹脂材料對纖維基材的浸含性、成形性之平衡，提高樹脂基板100之剛性，更加減低安裝時之半導體裝置的翹曲。
為了得到本實施形態之樹脂基板，重要的是適當選擇上述各材料，適當調整各材料之調配量。其中，本實施形態之樹脂基板並不限定於上述各材料，藉由適當調整各種條件，則可得到本實施形態之樹脂基板。
(半導體封裝)
接著，說明本實施形態之半導體封裝200。
樹脂基板100(213)可用於圖2所示之半導體封裝200。作為半導體封裝200之製造方法，並無特別限定，有如以下方法。
於具金屬箔之樹脂基板100(213)形成層間連接用之通孔215，藉消去處理(subtractive)工法、半加成工法等製作佈線層。其後，視需要積層增建層(圖2中未圖示)，藉加成工法重複層間連接及電路形成之步驟。然後，視需要積層抗焊層201，依上述方法形成電路，藉此可得到印刷佈線基板。於此，一部分或全部之增建層及抗焊層可含有纖維基材，亦可不含有。
接著，於抗焊層201整面上塗佈光阻劑後，去除光阻劑之一部分使抗焊層201之一部分露出。又，抗焊層201亦可使用具有 光阻劑機能的阻劑。此時，可省略光阻劑的塗佈步驟。接著，去除所露出之抗焊層，形成開口部209。
接著，藉由進行迴焊處理，將半導體元件203經由焊錫凸塊207固黏於屬於佈線圖案一部分之連接端子205上。其後，將半導體元件203、焊錫凸塊207等藉密封材211予以密封，可得到圖2所示之半導體封裝200。
(半導體裝置)
接著說明本實施形態之半導體裝置300。
半導體封裝200可用於圖3所示之半導體裝置300中。作為半導體裝置300之製造方法並無特別限定，有如以下方法。
首先，對所得之半導體封裝200的抗焊層201的開口部209供給焊錫膏，藉由進行迴焊處理而形成焊錫凸塊301。又，焊錫凸塊301亦可藉由將預先製作之焊錫球安裝至開口部209而形成。
接著，藉由將安裝基板303之連接端子305與焊錫凸塊301接合，而將半導體封裝200安裝至安裝基板303上，則可得到圖3所示之半導體裝置300。
如上述說明般，藉由本實施形態，提供一種能獲得減低了安裝時之翹曲之半導體裝置的樹脂基板100(213)。尤其是在作成厚度較薄之樹脂基板100(213)的情況，可有效抑制翹曲發生。而且，使用了本實施形態之樹脂基板100(213)之印刷佈線基板，係翹曲、尺寸穩定性等之機械特性、成形性優越。因此，本實施形態之樹脂基板100(213)可適合使用於要求高密度化、高多層化之印刷佈線基板等要求可靠性的用途。
另外，本實施形態之樹脂基板100(213)，係於上述電路加工及其後之各製程中減低翹曲發生。又，本實施形態之半導體封裝200不易發生翹曲及裂痕，可予以薄型化。因此，含有半導體封裝200之半導體裝置300可提升連接可靠性。
以上雖敘述了本發明實施形態，但此等僅為本發明例示，亦可採用上述以外之各種構成。例如，本實施形態中，雖例示了預浸體為1層的情況，但亦可使用將預浸體積層2層以上者而製作樹脂基板100。
另外，亦可採用於本實施形態之樹脂基板100(213)進一步積層了增建層的構成。
(實施例)
以下藉由實施例及比較例說明本發明，但本發明並不限定於此。又，實施例中，在未特別限定之下，份係表示質量份。又，分別的厚度係以平均膜厚所表示。
實施例及比較例中，係使用以下原料。
環氧樹脂A：聯苯芳烷基型酚醛清漆樹脂(日本化藥公司製，NC-3000)
環氧樹脂B：萘二醇二環氧丙基醚(DIC公司製，EPICLON HP-4032D)
環氧樹脂C：萘醚型環氧樹脂(DIC公司製，EPICLON HP-6000)
環氧樹脂D：磷改質環氧樹脂(東都化成公司製，FX-305EK70，固形份70質量%)
氰酸酯樹脂A：酚醛清漆型氰酸酯樹脂(Lonza Japan公司製， Primaset PT-30)
氰酸酯樹脂B：一般式(II)所示之對茬改質萘酚芳烷基型氰酸酯樹脂(萘酚芳烷基型酚樹脂(東都化成公司製，「SN-485衍生物」)與氯化氰的反應物)
酚樹脂：聯苯二亞甲基型酚樹脂(日本化藥公司製，GPH-103)
胺化合物：4,4'-二胺基二苯基甲烷
雙馬來醯亞胺化合物(KI化成工業公司製，BMI-70)
苯氧基樹脂：含有雙酚苯乙酮構造的苯氧基樹脂(三菱化學公司製，YX-6954BH30，固形份30質量%)
填充材A：球狀二氧化矽(Admatechs公司製，SO-25R，平均粒徑0.5μm)
填充材B：球狀二氧化矽(Admatechs公司製，SO-31R，平均粒徑1.0μm)
填充材C：奈米二氧化矽(Admatechs公司製，Admanano，KBM403E表面處理品，平均粒徑65nm)
填充材D：水鋁石(Nabaltec公司製，AOH-30)
填充材E：氫氧化鋁(日本輕金屬公司製，BE033)
填充材F：聚矽氧顆粒(Momentive Performance Materials Japan公司製，Tospearl120，平均粒徑2μm)
難燃劑A：二烷基膦酸鋁鹽(Clariant公司製，OP-930)
難燃劑B：芳香族磷酸酯系難燃劑(大八化學公司製，PX-200)
偶合劑A：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Momentive Performance Materials公司製，A-187)
偶合劑B：N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業公司製，KBM-573)
硬化促進劑A：相當於上述一般式(IX)之鎓鹽化合物的磷系觸媒(住友電木公司製，C05-MB)
硬化促進劑B：辛酸鋅
(實施例)
使用以下步驟，製作本實施形態之樹脂基板。
首先，說明預浸體之製造。將所使用之樹脂清漆組成示於表1(固形物質量%)，將所得預浸體1~12之厚度等示於表2。又，表2、3記載之P1~P12係指預浸體1~預浸體12，表2記載之Unichika係指Unichika Glass Fiber公司製，日東紡係指日東紡公司製，旭化成係指旭化成E-materials公司製，信越石英係指信越石英公司製。
(預浸體1)
1.樹脂材料之清漆1的調製
將作為環氧樹脂C之萘醚型環氧樹脂(DIC公司製，EPICLON HP-6000)9.0質量份、作為胺化合物的4,4'-二胺基二苯基甲烷3.0質量份、作為雙馬來醯亞胺化合物之雙(3-乙基-5-甲基-4-馬來醯亞胺苯基)甲烷(KI化成工業公司製，BMI-70)17.5質量份溶解、分散於甲基乙基 酮。進而，添加作為填充材B之球狀二氧化矽(Admatechs公司製，SO-31R，平均粒徑1.0μm)63.0質量份、作為填充材C之奈米二氧化矽(Admatechs公司製，Admanano，KBM403E表面處理品，平均粒徑65nm)2.0質量份、作為填充材D之水鋁石(Nabaltec公司製，AOH-30)5.0質量份、與作為偶合劑A之γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Momentive Performance Materials公司製，A-187)0.5質量份，使用高速攪拌裝置攪拌30分鐘，調整成不揮發份70質量%，調製成樹脂材料之清漆1(樹脂清漆1)。
2.預浸體之製造
(預浸體1)
於玻璃纖維基材(厚度91μm，Unichika公司製E玻璃織布，E10C，IPC規格2118，線膨脹係數：5.8ppm/℃)，藉塗佈裝置使樹脂清漆1浸含，以180℃之加熱爐乾燥2分鐘，得到100μm之預浸體1(P1)。
(預浸體2~12)
預浸體2~12係除了將樹脂清漆之種類、纖維基材之種類變更如表1及2以外，其餘與預浸體1同樣地製造。
(實施例1)
1.樹脂基板之製造
於4片預浸體1之兩面，重疊極薄銅箔(三井金屬礦業公司製，MicroThin Ex，1.5μm)，依220℃、3.0MPa進行加熱加壓成形2小時，藉此得到樹脂基板。所得之附金屬箔之樹脂基板的核層(由樹脂基板所 形成的部分)厚度為0.40mm。
2.印刷佈線基板之製造
使用上述所得之附金屬箔之樹脂基板作為核基板，於其兩面藉半加成法製作經細微電路圖案形成(殘銅率70%，L/S=25/25μm)的內層電路基板。於其兩面，藉真空層合積層增建材料(住友電木公司製，BLA-3700GS)後，以熱風乾燥裝置依175℃進行加熱硬化60分鐘。接著，剝離支撐基材後，藉碳酸雷射形成盲通孔(非貫通孔)。接著於通孔內，浸漬60℃之膨潤液(ATOTECH JAPAN公司製，Swelling Dip Securiganth P)中5分鐘，再浸漬於80℃之過錳酸鉀水溶液(ATOTECH JAPAN公司製Concentrate Compact CP)中20分鐘後，予以中和並進行粗化處理。
使其經過脫脂、觸媒賦予、活性化之步驟後，形成約0.5μm之無電解鍍銅皮膜，形成抗鍍層，以無電解鍍銅皮膜作為給電層而形成電鍍銅20μm，施行L/S=15/15μm的細微電路加工。接著，藉熱風乾燥裝置依200℃進行退火處理60分鐘後，藉快速蝕刻去除給電層。
接著，積層抗焊層，再依使半導體元件搭載墊等露出之方式進行曝光。接著進行顯影使其開口。
最後，對由抗焊層露出之電路層上，形成無電解鍍鎳層3μm，進而於其上形成無電解鍍金層0.1μm，接著形成由鍍焊錫層5μm所構成的鍍覆層，將所得基板切斷為50mm×50mm尺寸，得到半導體封裝用之印刷佈線基板。
3.半導體封裝之製造
於所得之印刷佈線基板上，藉由倒裝晶片接合裝置，依加熱壓黏搭載具有焊錫凸塊之半導體元件(TEG晶片，尺寸15mm×15mm，厚度300μm)。接著，以IR迴焊爐將焊錫凸塊熔融接合後，填充液狀密封樹脂(住友電木公司製，CRP-X4800B)，藉由使該液狀密封樹脂硬化而得到半導體封裝。又，液狀密封樹脂係依溫度150℃、120分鐘之條件硬化。又，半導體元件之焊錫凸塊係使用由Sn/Ag/Cu之組成的無鉛焊錫所形成者。
(實施例2~8、比較例1~4)
除了改變預浸體之種類以外，與實施例1同樣地製造樹脂基板及半導體封裝。
針對各實施例及比較例所得之樹脂基板及半導體封裝，進行下述各評價。各評價與評價方法一起示於以下。將所得結果示於表3。
(1)玻璃轉移溫度
玻璃轉移溫度之測定係依動態黏彈性測定(DMA)所進行。
由所得之樹脂基板切出8mm×40mm之試驗片，使用TA Instruments製DMA2980依升溫速度5℃/min、頻率1Hz進行測定。又，玻璃轉移溫度係設為於頻率1Hz下tanδ顯示最大值的溫度。
(2)線膨脹係數
將實施例所製作之樹脂基板切出4mm×15mm之試驗片，以蝕刻液(氯化鐵溶液，35℃)去除銅箔。接著，使用熱機械分析裝置TMA(TA Instruments公司製，Q400)依10℃/分鐘之拉伸條件，算出25℃至150℃範圍內之基板面內方向的線膨脹係數。
(3)樹脂基板之1%重量減少溫度
使用示差熱熱重量同時測定裝置(Seiko Instruments公司製，TG/DTA6200型)，於乾燥氮氣流下，藉升溫速度10℃/分鐘之條件，將實施例及比較例所製作之樹脂基板由30℃升溫至650℃，藉此分別算出樹脂基板減少1%重量的溫度。又，樣本係使用於測定前依110℃施行了1小時乾燥處理者。
(4)印刷佈線板之多重迴焊
將上述所得之印刷佈線板，重覆通過根據IPC/JEDEC之J-STD-20的260℃迴焊爐，每5次，藉目視或超音波探傷檢查裝置，評價印刷佈線板之絕緣層的剝離、裂痕。
各符號係如以下。
◎：15次以上並無絕緣層之剝離等、或銅導通不良。
○：於5次以上、未滿15次時，發生絕緣層之剝離等、或銅導通不良。
×：於未滿5次時，發生絕緣層之剝離等、或銅導通不良。
(5)半導體封裝之翹曲量
半導體封裝之翹曲量係將晶片面置於可進行加熱冷卻的腔室上，於25℃與260℃之環境下，測定由BGA面起基板(尺寸：50mm×50mm)上之48mm×48mm部分的翹曲量變化。又，樣本係使用由上述實施例 及比較例所製作的半導體封裝。各符號係如以下。
◎：翹曲量之變化為未滿250μm(良好)。
○：翹曲量之變化為250μm以上且未滿300μm(實質上無問題)。
×：翹曲量之變化為300μm以上(有問題)。
(6)導通試驗
將實施例及比較例所製作之半導體封裝3個，使用飛行檢測器(flying checker，1116X-YC HITESTER：日置電機公司製)進行評價。首先，進行經由焊錫凸塊連通半導體元件與印刷佈線基板間之電路端子之導通的測定，作為初期值。接著，於60℃、60%之吸濕條件下處理40小時後，以IR迴焊爐(波峰溫度：260℃)處理3次，同樣地測定導通，將電阻值較初期值上升了5%以上者判定為安裝時之斷線。於此，在初期值即發生了斷線的情況，則判斷為電路製作上之不良情形而未計算。又，每1個半導體封裝之測定處為61處，測定共計183處。
各符號係如下述。
◎：無斷線處。
○：斷線處為1%以上且未滿11%。
△：斷線處為11%以上且未滿51%。
×：斷線處為51%以上。
(7)溫度循環(TC)試驗
將實施例及比較例所製作之半導體封裝4個，於60℃、60%之條件下處理40小時後，以IR迴焊爐(波峰溫度：260℃)處理3次，於大氣中，依-55℃(15分鐘)、125℃(15分鐘)處理500循環。接著，使用超 音波映像裝置(日立建機FineTech公司製，FS300)，觀察半導體元件、焊錫凸塊有無異常。
◎：半導體元件、焊錫凸塊無異常。
○：於半導體元件及/或焊錫凸塊之一部分發現裂痕，但實用上無問題。
△：於半導體元件及/或焊錫凸塊之一部分發現裂痕，實用上有問題。
×：於半導體元件、焊錫凸塊均發現裂痕，無法使用。
本申請案係主張以2012年8月1日申請之日本申請案特願2012-170735號為基礎的優先權，將其所有揭示內容引用於此。
100‧‧‧樹脂基板
101‧‧‧纖維基材
103‧‧‧絕緣樹脂層

Claims (18)

  1. 一種樹脂基板，係於纖維基材浸含樹脂材料而成者，上述樹脂基板之1%重量減少溫度為350℃以上且500℃以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之樹脂基板，其中，上述纖維基材為玻璃纖維基材。
  3. 如申請專利範圍第2項之樹脂基板，其中，上述玻璃纖維基材係含有選自由T玻璃、S玻璃、E玻璃、NE玻璃、UT玻璃、L玻璃及石英玻璃所組成群之至少一種。
  4. 如申請專利範圍第1項之樹脂基板，其中，於25℃至150℃之範圍所算出的上述纖維基材之基板面內方向的線膨脹係數為10ppm/℃以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之樹脂基板，其中，上述纖維基材之股線中存在奈米二氧化矽。
  6. 如申請專利範圍第1項之樹脂基板，其中，上述樹脂材料係含有萘醚型環氧樹脂。
  7. 如申請專利範圍第6項之樹脂基板，其中，上述樹脂材料進一步含有氰酸酯樹脂。
  8. 如申請專利範圍第6項之樹脂基板，其中，上述樹脂材料進一步含有奈米二氧化矽；上述奈米二氧化矽之藉雷射繞射散射式粒度分佈測定法所得之體積基準粒度分佈下的中徑d50為未滿100nm。
  9. 如申請專利範圍第1項之樹脂基板，其中，於25℃至150℃範圍所算出之該樹脂基板之基板面內方向的線膨脹係數為10ppm/℃以下。
  10. 如申請專利範圍第1項之樹脂基板，其中，該樹脂基板由動態黏彈 性測定所得的玻璃轉移溫度為250℃以上。
  11. 如申請專利範圍第1項之樹脂基板，其中，該樹脂基板之厚度為0.6mm以下。
  12. 一種預浸體，係於纖維基材浸含樹脂材料而成者，將該預浸體依200℃硬化1小時所得之硬化體的1%重量減少溫度為350℃以上且500℃以下。
  13. 如申請專利範圍第12項之預浸體，其中，上述纖維基材為玻璃纖維基材。
  14. 如申請專利範圍第12項之預浸體，其中，上述樹脂材料係含有萘醚型環氧樹脂。
  15. 如申請專利範圍第14項之預浸體，其中，上述樹脂材料進一步含有氰酸酯樹脂。
  16. 如申請專利範圍第12項之預浸體，其中，上述樹脂材料進一步含有奈米二氧化矽；上述奈米二氧化矽之藉雷射繞射散射式粒度分佈測定法所得之體積基準粒度分佈下的中徑d50為未滿100nm。
  17. 一種印刷佈線基板，係將申請專利範圍第1至11項中任一項之樹脂基板進行電路加工而成。
  18. 一種半導體裝置，係於申請專利範圍第17項之印刷佈線基板搭載半導體元件而成。
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