TW201413823A - 雷射退火裝置及雷射退火方法 - Google Patents

雷射退火裝置及雷射退火方法 Download PDF

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Abstract

一種雷射退火裝置，包括：一雷射光束發生模組，用於提供一穩定的單脈衝雷射；一迴圈延時裝置，用於將單脈衝雷射分解成數個子脈衝雷射；一光學模組，用於將子脈衝雷射匯聚至一基板上；一運動台，用於為基板提供至少一個自由度的位移。亦揭露一種雷射退火方法，包括：提供一穩定的單脈衝雷射；使單脈衝雷射按延時需要和能量比例分解成數個子雷射脈衝；利用子雷射脈衝連續輻射照射基板，使基板的表面溫度穩定於一預定範圍內。其能將單脈衝雷射按延時需要和能量比例分解成數個雷射脈衝，在這些雷射脈衝的連續輻射照射下，能使得退火期間矽晶片表面溫度能更長時間保持在熔點附近或所需退火溫度附近，從而提高雷射能量的利用率，進而改善退火效果。

Description

雷射退火裝置及雷射退火方法
本發明有關於一種應用於半導體材料加工之技術領域，特別有關於一種雷射退火裝置及雷射退火方法。
退火處理主要是指將材料曝露於高溫很長一段時間後，然後再慢慢冷卻的熱處理製程。傳統的爐子加熱退火，即使在高達1100度下退火，仍不能徹底消除結晶缺陷。而半導體雷射退火則能比較徹底地消除結晶缺陷。半導體雷射退火所使用的光譜波長範圍很寬，從UV(紫外)到IR(紅外)波段的雷射器都有。工作方式也多種多樣，如美國專利US6336308(2002-01-08公開)和US7365285(2008-04-29公開)中所揭露的單脈衝雷射退火，高頻率Q開關脈衝雷射退火，連接波雷射掃描退火，同波長雙雷射掃描退火，不同波長雙雷射掃描退火等。
如文獻Silicon laser annealing by a two-pulse laser system with variable pulse offsets,V.Gonfa,etc，Laser Annealing of double implanted layers for igbt power devices,Clement Sabatier,etc以及文獻UL Dual beam laser spike annealing technology)都有提到雙雷射退火的啟動效果比單雷射退火好。雙雷射退火有兩種，一種是同一波長的兩個脈衝不同時間輻射到矽平面(如文獻Silicon laser annealing by a two-pulse laser system with variable pulse offsets,V.Gonfa,etc以及文獻 Laser Annealing of double implanted layers for igbt power devices,Clement Sabatier,etc中揭露的內容所示)；另外一種是採用長波的連續雷射或脈衝雷射進行預熱，然後再用短波進一步退火(如文獻UL Dual beam laser spike annealing technology所示)。目前雙雷射方式的雷射退火裝置已經開始應用於IGBT、TFT等領域。
現有技術中Liquid Phase Reflectivtity under Conditions of Laser Induced Silicon Melting中所介紹：雷射退火過程中，當矽表面融熔後，表面液態矽的反射率是原來固態矽的反射率的2倍，此時雷射脈衝的雷射能量將被大量反射出去，而不被矽所吸收，降低了雷射的能量利用率，影響了退火效果。
該影響對單雷射退火或雙雷射退火都存在。如果拉長雙脈衝雷射的延時，則有的時間範圍內溫度過低，達不到退火要求(比如高於1300度的時間大於50ns的退火要求)。在很多應用中，不一定需要達到熔點1414度附近即可達到退火效果(如現有技術中的文獻Sub-Melt Laser Annealing Followed by Low-Temperature RTP for Minimized Diffusion，S.B.Felch,D.E Downey,and E.A.Arevalo Varian Semiconductor Equipment Associates,Inc.81 1 Hansen Way,Palo Alto,CA 94303-0750 USA所示的退火；又如現有技術中的文獻PULSED LASER ANNEALING AND RAPID THERMAL ANNEALING OF COPPER-INDIUM-GALLIUM-DISELENIDE-BASED THIN-FILM SOLAR CELLS所示的太陽能退火)。
無論是單脈衝雷射還是雙脈衝雷射，當溫度超過熔點，吸收率將減半，降低了能量利用率。此外，以上兩種方案都有可能引起溫度超過啟動退火所需溫度(比如1100度，啟動效率90%以上)的時 間係較短(比如小於100ns)，從而影響了退火效果。如何提高能量利用率，並改善退火效果，成為雷射退火中需要改進的重要問題。
本發明的目的是提供一種能將單脈衝雷射按延時需要和能量比例分解成數個雷射脈衝並用於退火的雷射退火裝置及雷射退火方法。
為達到上述目的，本發明的第一態樣係提供一種雷射退火裝置，包括：一雷射光束發生模組，用於提供一穩定的單脈衝雷射；一迴圈延時裝置，用於將該單脈衝雷射分解成複數個子脈衝雷射；一光學模組，用於將該等子脈衝雷射匯聚至一基板上；以及一運動台，用於為該基板提供至少一個自由度的位移。
較佳的，該迴圈延時裝置至少包括一延時器、一分光鏡組以及一內部控制模組，該內部控制模組用於控制該延時器的延時以及該分光鏡組的分光比例。
較佳的，該迴圈延時裝置還包括複數個光纖，用於在該分光鏡組與該延時器之間傳遞雷射。
較佳的，該延時器包括鏡面平行的兩面反射鏡、以及角度或位置可調整的射出端和接收端。
較佳的，該射出端和接收端分別為一射出頭和一接收頭，或者一射出反射鏡和一接收反射鏡。
較佳的，該內部控制模組用於調整該射出端和接收端的角度或位置，以控制該延時器的延時。
較佳的，該分光鏡組包括複數個透射率不同的第一分光 鏡以及一轉軸，該內部控制模組驅動該轉軸以改變所選用的第一分光鏡，以控制該分光鏡組的分光比例。
較佳的，該等第一分光鏡到該轉軸的距離係相等。
較佳的，該雷射退火裝置還包括一主控制器，該主控制器與該內部控制模組連接，用於發送延時指令及分光比例指令給該內部控制模組。
較佳的，該雷射光束發生模組包括一雷射器、一光強度調整器、一第二分光鏡、一能量探測器、一雷射控制器以及一環境控制單元，該雷射器發出的雷射經該光強度調整器調整後再經該第二分光鏡分光，其中，大部分的雷射進入該迴圈延時裝置，其餘部分進入該能量探測器，該能量探測器探測雷射能量並將探測結果傳輸至該雷射控制器，該環境控制單元探測該雷射器的工作環境資訊並將探測結果傳輸至該雷射控制器，該雷射控制器根據該環境控制單元和該能量探測器兩者的探測結果來控制該雷射器工作，該雷射控制器和該環境控制單元經由該主控制器來控制。
較佳的，該光學模組包括一擴束器、一勻光器、一第一聚焦鏡組、一第三分光鏡、一第二聚焦鏡組以及一聚焦面探測器，從該迴圈延時裝置射出的該等子脈衝雷射依次經過該擴束器和該勻光器處理後，再經該第三分光鏡分光，其中，一部分子脈衝雷射經該第一聚焦鏡組後射至該基板的表面，另一部分子脈衝雷射經該第二聚焦鏡組射至該聚焦面探測器，該聚焦面探測器將探測到的聚焦面資訊輸出至該主控制器，該主控制器根據該聚焦面資訊來控制該運動台之運動，使得該基板達到最佳聚焦面位置。
本發明的第二態樣係提供一種雷射退火方法，包括： 提供一穩定的單脈衝雷射；使該單脈衝雷射按延時需要和能量比例分解成複數個子雷射脈衝；利用該等子雷射脈衝連續輻射照射一基板，使該基板的表面溫度穩定於一預定範圍內。
較佳的，使該單脈衝雷射按延時需要和能量比例分解成該等子雷射脈衝具體包括：a)根據一設定的分光比例選擇一第一分光鏡；b)該單脈衝雷射經該第一分光鏡後被分為兩束，其中一束直接用於輻射照射該基板，另一束進入一延時器延時後射出；c)該延時器的射出光束再次經過該第一分光鏡後被分為兩束，其中一束用於輻射照射該基板，另一束再次進入該延時器延時後射出；d)重複步驟c)，或根據該設定的分光比例選擇該第一分光後再重複步驟c)。
較佳的，該延時器包括鏡面平行的兩面反射鏡，以及角度或位置可調整的一射出端和一接收端。
較佳的，調整該射出端及該接收端的角度或位置可調整該延時器的延時時間。
較佳的，該射出端和該接收端分別為一射出頭和一接收頭，或者一射出反射鏡和一接收反射鏡。
本發明提供的雷射退火裝置及雷射退火方法，能將單脈衝雷射按延時需要和能量比例分解成數個雷射脈衝，在這些雷射脈衝的連續輻射照射下，能使得退火期間矽晶片表面溫度能更長時間保持在熔點附近或所需退火溫度附近，從而提高了雷射的能量利用率，進而 改善退火效果。
100‧‧‧雷射器
101‧‧‧光強度調整器
102‧‧‧第二分光鏡
103‧‧‧環境控制單元
104‧‧‧雷射控制器
105‧‧‧能量探測器
201‧‧‧聚焦面探測器
202‧‧‧第一聚焦鏡組
203‧‧‧勻光器
204‧‧‧基板
206‧‧‧擴束器
207‧‧‧第三分光鏡
209‧‧‧第二聚焦鏡組
300‧‧‧迴圈延時裝置
301‧‧‧延時器
302‧‧‧分光鏡組
303‧‧‧射出頭
304‧‧‧反射鏡
305‧‧‧反射鏡
306‧‧‧接收頭
307‧‧‧內部控制模組
308‧‧‧接收反射鏡
309‧‧‧射出反射鏡
310‧‧‧光纖
400‧‧‧電腦
500‧‧‧運動台
600‧‧‧主控制器
3021‧‧‧第一分光鏡
3022‧‧‧第一分光鏡
3023‧‧‧第一分光鏡
3024‧‧‧第一分光鏡
3025‧‧‧轉軸
θ‧‧‧光射出角度
圖1是本發明關於雷射退火裝置的整體結構示意圖；圖2是本發明關於雷射退火裝置的迴圈延時裝置的第一實施方式的結構示意圖；圖3是本發明關於雷射退火裝置的迴圈延時裝置的第二實施方式的結構示意圖；圖4a是本發明關於迴圈延時裝置的分光鏡組結構示意圖；圖4b是圖4a的側視圖；圖5是本發明關於迴圈延時裝置內脈衝光強度的示意圖；圖6是本發明關於迴圈延時裝置內脈衝光強度的能量分佈的示意圖；圖7是本發明關於基板表面接收的退火雷射脈衝相對光強度的示意圖；以及圖8是本發明關於基板表面溫度的示意圖。
在習知技術中已經提及現有的調整脈衝時間寬度的方法，在一定的時間後，基板溫度超過熔點，雷射能量被強烈的大量反射，並且伴有因不斷升溫引發的熱輻射使得基板離子揮發等問題。現有的雙脈衝雷射取代單脈衝雷射，能量被離散化後，退火效果更好。而本發明提供的雷射退火裝置及雷射退火方法，能將單脈衝雷射按延時需要和能量比例分解成數個雷射脈衝而無需增加雷射器，所得到的退火效果比雙脈衝雷射的效果更佳，而且成本較低，在這些雷射脈衝的 連續輻射照射下，能使得退火期間矽晶片表面溫度能更長時間保持在熔點附近或所需退火溫度附近，從而提高了雷射的能量利用率，進而改善退火效果。
下面將結合附圖對本發明進行更詳細的描述，其中表示了本發明的較佳實施例，應所述理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明，而仍然實現本發明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對於本領域技術人員的廣泛知道，而並不作為對本發明的限制。
為了清楚，不描述實際實施例的全部特徵。在下列描述中，不詳細描述習知的功能和結構，因為它們會使本發明由於不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是複雜和耗費時間的，但是對於本領域技術人員來說僅僅是常規工作。
在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發明。根據下面說明和申請專利範圍，本發明的優點和特徵將更清楚。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、清晰地輔助說明本發明之實施例的目的。
本發明的核心思想在於，利用一迴圈延時裝置將一單脈衝雷射分解成數個子脈衝雷射，並利用一光學模組將該等子脈衝雷射匯聚至一基板上，基板在這些雷射脈衝的連續輻射照射下，能使得退火期間基板表面溫度能更長時間保持在熔點附近或所需退火溫度附近，從而可以防止基板達到熔點後因融溶後的基板表面的反射率提高而使得雷射被大量反射出去，故而可以提高雷射的能量利用率，進而改善 退火效果。
請參考圖1，其為本發明關於雷射退火裝置的整體結構的示意圖，該雷射退火裝置包括：一雷射光束發生模組，用於提供一穩定的單脈衝雷射；一迴圈延時裝置300，用於將該單脈衝雷射分解成數個子脈衝雷射；一光學模組，用於將該等子脈衝雷射匯聚至一基板204，基板204即為待退火的半導體或其他材料，本實施例中，基板是矽晶片；一運動台500，用於為基板204提供至少一個自由度的位移，基板204被放置於運動台500上，運動台500可以沿數個自由度運動。
較佳的，雷射退火裝置還包括一主控制器600，主控制器600與內部控制模組307連接，用於發送延時指令及分光比例指令給迴圈延時裝置300內部的內部控制模組307。迴圈延時裝置300內部的內部控制模組307根據主控制器600發出的指令來控制迴圈延時裝置300發出的數個子脈衝之間的延時以及迴圈延時裝置300的分光比例(即能量比例)。當然，主控制器600也可以直接控制迴圈延時裝置300發出的數個子脈衝之間的延時以及迴圈延時裝置300的分光比例(即能量比例)。
對於複雜設備，電腦400和主控制器600是分離的。電腦400發出指令後，主控制器600轉化為可執行的信號藉由匯流排發出分給控制器再予以執行。
請參考圖2，其為本發明關於雷射退火裝置的迴圈延時裝置的第一實施方式的結構示意圖，迴圈延時裝置300至少包括一延時器301、一分光鏡組302以及一內部控制模組307，其中，延時器301可根據需要調 整脈衝的延時時間，分光鏡組302用於調整分光比例。內部控制模組307分別和延時器301和分光鏡組302連接，內部控制模組307用於控制延時器301的延時以及分光鏡組302的分光比例。
較佳的，迴圈延時裝置300還包括數個光纖310，用於在分光鏡組302與延時器301之間傳遞雷射。
請繼續參考圖2，延時器301包括鏡面平行的兩面反射鏡304、305、以及角度或位置可調整的射出端和接收端。內部控制模組307能夠藉由調整射出端和接收端的角度或位置，來控制延時器301的延時。較佳的，射出端和接收端可以為一射出頭303和一接收頭306。反射鏡304和反射鏡305係鏡面平行放置。射出頭303的角度可調整，接收頭306的位置可調整，且調整的角度由內部控制模組307所控制。若射出頭303的光射出角度為θ，兩面反射鏡304、305之間的距離為L，高度為H，迴圈延時裝置300中的光纖310的長度為L0，而光纖310出口到射出頭306的光程為L1，則光束每在迴圈延時裝置300中迴圈一周的光程約為X=L1+n*L0+mod(H/(L*tg(θ)))*L*sec(θ)......公式一
其中mod函數在此表示取整數函數，若為偶數則再加1，n表示光纖301之介質的折射率，則光束在迴圈延時裝置300中每迴圈一周的延時為：T=X/c......公式二
藉由這樣的關係，當內部控制模組307接收到主控制器600發出的需要延時T的指令時，可藉由公式一與公式二計算出射出角度θ，在內部控制模組307的控制下調整射出頭303的角度以射出光線，並調整接收頭306到容易接收雷射的位置。
請參考圖4a和圖4b，其中，圖4a所示為本發明關於迴圈延時裝置的分光鏡組結構示意圖，圖4b所示為是圖4a的側視圖，分光鏡組302包括數個透射率不同的第一分光鏡以及一轉軸3025，本實施例中，分光鏡組302有四個第一分光鏡3021、3022、3023、3024，內部控制模組307驅動轉軸3025改變所選用的第一分光鏡，以控制分光鏡組302的分光比例。四個第一分光鏡3021、3022、3023、3024的透過率依次為a1、a2、a3、a4。內部控制模組307接收到控制器600發出的分光比例指令後，控制分光鏡組302的轉軸3025的轉動來改變所選用的第一分光鏡，設定所選用的第一分光鏡的透光率為a。選擇不同的第一分光鏡可以獲得不同的透光率。
較佳的，該等第一分光鏡3021、3022、3023以及3024到轉軸3025的距離係相等，如此可以方便選用所需透射率的第一分光鏡。
較佳的，雷射光束發生模組包括：一雷射器100、一光強度調整器101、一第二分光鏡102、一能量探測器105、一雷射控制器104以及一環境控制單元103，雷射器100所發出的單脈衝雷射先經光強度調整器101調節後，再經第二分光鏡102分光，其中，大部分的雷射進入迴圈延時裝置300，其餘部分進入能量探測器105，能量探測器105探測雷射能量並將探測結果傳輸至雷射控制器104；環境控制單元103探測雷射器100的工作環境資訊(例如溫度資訊)並將探測結果傳輸至雷射控制器104，雷射控制器104根據環境控制單元103和能量探測器105兩者的探測結果來控制雷射器100工作，雷射控制器104和主控制器600連接並受主控制器600控制。
較佳的，光學模組包括一擴束器206、一勻光器203、一第 一聚焦鏡組202、一第三分光鏡207、一第二聚焦鏡組209以及一聚焦面探測器201，從迴圈延時裝置300射出的子脈衝雷射，依次經過擴束器206和勻光器203處理後，再經第三分光鏡207分光，其中，一部分子脈衝雷射經第一聚焦鏡組202後射至基板204的表面，另一部分子脈衝雷射經第二聚焦鏡組209後射至聚焦面探測器201，聚焦面探測器201將探測到的聚焦面資訊輸出至主控制器600，主控制器600根據聚焦面資訊來控制運動台500的運動，使得基板204達到最佳聚焦面位置。
請參考圖5，其是本發明關於迴圈延時裝置內脈衝光強度的示意圖。如圖5中所示，並請結合圖1和圖2，分光鏡組302按設定的分光比例a(即所選的第一分光鏡具有該分光比例a)將雷射射出光束(光束0即Beam 0)分為兩束，其中一束(光束1即Beam 1)直接通往迴圈延時裝置300外部，如經擴束器206通往勻光器203，而另外一束(光束2即Beam 2)導入到延時器301中按給定設置(T)延時後，藉由光纖310重新將光束2導到所選的第一分光鏡上。
光束2被所選的第一分光鏡按設定的分光比例a分為兩束，其中一束(光束3即Beam 3)直接通往迴圈延時裝置300外部，而另外一束(光束4即Beam 4)導入到延時器301中按給定設置(T)延時後，藉由光纖310重新將光束4導到所選的第一分光鏡上。
光束4被所選的第一分光鏡分為兩束，其中一束(光束5即Beam 5)直接通往迴圈延時裝置300外部，而另外一束(光束6即Beam 6)導入到延時器301中按給定設置(T)延時後，藉由光纖310重新將光束6導到所選的第一分光鏡上。
如此反複，光束0、1、2、3、4、5、6、...、2n-1、2n的能量相對值依次為： 1、a、1-a、a(1-a)、(1-a)^2、a(1-a)^2、(1-a)^3、...、a(1-a)^(n-1)、(1-a)^n。
實際達到勻光器302的光束為1、3、5、...、2n-1等奇數次編號的雷射，其能量相對值依次為：a、a(1-a)、a(1-a)^2、...、a(1-a)^(n-1)，1、3、5、...、2n-1等奇數次編號脈衝的各自延時為T，本實施例中T=200ns。而，雷射退火設備中常用的雷射器的射出脈衝的頻率f為0.1-10kHz範圍，則1/f>>T，本實施例中f=1kHz。
勻光器302依次將這1、3、5、...、2n-1等奇數次編號的n個雷射脈衝沿著非掃描方向勻光後依次輻射照射在運動台500的基板204上。
在本實施例中設定的分光比例a=30%，則到達勻光器302的n束光的能量依次為：0.3、0.21、0.147、0.1029、0.07203、0.050421、...、0.3*0.7^(2*n-1)、...。
所得的脈衝能量示意如表1和圖6中所示。其中表1是迴圈延時裝置300中光束相對光強度示意圖，圖6是本發明關於迴圈延時裝置300內脈衝光強度的能量分佈示意圖。雷射器100所發出的雷射脈衝經過了迴圈延時裝置300，被分解成數個能量指數型降低的脈衝，如圖7中所示，圖7是本發明關於基板204表面所接收的退火雷射脈衝相對光強度的示意圖。本實施例中，迴圈延時裝置300之兩個主反射鏡的高度1m、距離1m、調整角度(即射出頭303的光射出角度為θ)為0.95度、光程則調整為60m，則被分解的脈衝延時為200ns。本實施例中f=1kHz，則雷射器射出脈衝的時間間隔為1ms。
[表1]
如習知技術中的Laser Annealing of double implanted layers for igbt power devices,Clement Sabatier,etc.所揭露內容可知，雙脈衝雷射取代單脈衝雷射，能量被離散化後，退火效果更好，而本發明能夠將單脈衝離散化為多個脈衝而不增加雷射器，得到的退火效果比雙脈衝的效果更佳，且成本較低。此外本方法也和調整脈衝時間寬度的方法不一樣。因為調整脈衝時間寬度的方法，在一定的時間後，基板溫度超過熔點後，雷射能量被強烈地大量反射，並且會由於不斷升溫引發熱輻射和基板離子揮發等問題。而採用本發明藉由調整分光比例a和延時時間T，可以使得基板表面溫度在熔點附近達到比較久的時間，如圖8所示，從而提高能量利用率，並有效改善了退火效果。
[實施例二]
請參閱圖3，圖3是本發明關於雷射退火裝置的迴圈延時裝置的第二實施方式的結構示意圖，本實施例與實施例一的區別在於：延時器301包括兩面主反射鏡304與305、射出反射鏡309、接收反射鏡308。射出反射鏡308、接收反射鏡309的位置可調整，和圖2所示的例子類似，本實施例同樣實現光程可調整，從而可以調整延時時間。本實施例中，由於射出端和接收端分別為一射出反射鏡309和一接收反射鏡308。因此，可以不設置光纖310，而是採用具有反射功能的光學元件來傳遞雷射。同樣，本實施例藉由調整分光比例a和延時時間T，可以使得基板表面溫度在熔點附近達到比較久的時間，如圖8所示，從而提高能量利用率，並有效改善了退火效果。
[實施例三]
根據本發明的另一態樣亦提供一種雷射退火方法，可以參考圖1至圖8，但雷射退火方法採用的退火裝置不限於是實施例一和實施例二的結構，雷射退火方法包括：提供一穩定的單脈衝雷射；使單脈衝雷射按延時需要和能量比例分解成數個子雷射脈衝；利用子雷射脈衝連續輻射照射基板204，使基板204的表面溫度穩定於一預定範圍內。
較佳的，使單脈衝雷射按延時需要和能量比例分解成數個子雷射脈衝具體包括：a)根據一設定的分光比例選擇一第一分光鏡；b)單脈衝雷射經第一分光鏡後被分為兩束，其中一束直接用於輻 射照射基板204，另一束進入一延時器301延時後射出；c)延時器301所射出光束再次經過第一分光鏡後被分為兩束，其中一束用於輻射照射基板204，另一束再次進入延時器301延時後射出；d)重複步驟c)，或根據設定的分光比例選擇第一分光後再重複步驟c)。
較佳的，延時器301包括鏡面平行的兩面反射鏡304、305，以及角度或位置可調整的射出端和接收端。藉由調整射出端及接收端的角度或位置可調整延時器的延時時間。較佳的，射出端和接收端分別為一射出頭303和一接收頭306，如圖2所示；或者射出端和接收端為一射出反射鏡309和一接收反射鏡308，如圖3所示。
綜上所述，本發明提供的雷射退火裝置及雷射退火方法能將單脈衝雷射按延時需要和能量比例分解成數個雷射脈衝，在這些雷射脈衝的連續輻射照射下，能使得退火期間矽晶片表面溫度能更長時間保持在熔點附近或所需退火溫度附近，從而提高了雷射的能量利用率，進而改善退火效果。
顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和範圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬於本發明申請專利範圍及其等同技術的範圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
100‧‧‧雷射器
101‧‧‧光強度調整器
102‧‧‧第二分光鏡
103‧‧‧環境控制單元
104‧‧‧雷射控制器
105‧‧‧能量探測器
201‧‧‧聚焦面探測器
202‧‧‧第一聚焦鏡組
203‧‧‧勻光器
204‧‧‧基板
206‧‧‧擴束器
207‧‧‧第三分光鏡
209‧‧‧第二聚焦鏡組
300‧‧‧迴圈延時裝置
301‧‧‧延時器
302‧‧‧分光鏡組
307‧‧‧內部控制模組
400‧‧‧電腦
500‧‧‧運動台
600‧‧‧主控制器

Claims (16)

  1. 一種雷射退火裝置，包括：一雷射光束發生模組，用於提供一穩定的單脈衝雷射；一迴圈延時裝置，用於將該單脈衝雷射分解成複數個子脈衝雷射；一光學模組，用於將該等子脈衝雷射匯聚至一基板上；以及一運動台，用於為該基板提供至少一個自由度的位移。
  2. 如申請專利範圍第1項之雷射退火裝置，其中，該迴圈延時裝置至少包括一延時器、一分光鏡組以及一內部控制模組，該內部控制模組用於控制該延時器的延時以及該分光鏡組的分光比例。
  3. 如申請專利範圍第2項之雷射退火裝置，其中，該迴圈延時裝置還包括複數個光纖，用於在該分光鏡組與該延時器之間傳遞雷射。
  4. 如申請專利範圍第2項之雷射退火裝置，其中，該延時器包括鏡面平行的兩面反射鏡、以及角度或位置可調整的一射出端和一接收端。
  5. 如申請專利範圍第4項之雷射退火裝置，其中，該射出端和該接收端分別為一射出頭和一接收頭，或者一射出反射鏡和一接收反射鏡。
  6. 如申請專利範圍第4項之雷射退火裝置，其中，該內部控制模組藉由調整該射出端和接收端的角度或位置，以控制該延時器的延時。
  7. 如申請專利範圍第2項之雷射退火裝置，其中，該分光鏡組包括複數個透射率不同的第一分光鏡以及一轉軸，該內部控制模組藉由驅動該轉軸來改變所選用的第一分光鏡，以控制該分光鏡組的分光比例。
  8. 如申請專利範圍第7項之雷射退火裝置，其中，該等第一分光鏡到 該轉軸的距離係相等。
  9. 如申請專利範圍第2項之雷射退火裝置，其中，還包括一主控制器，該主控制器與該內部控制模組連接，該主控制器能夠發送延時指令及分光比例指令給該內部控制模組。
  10. 如申請專利範圍第9項之雷射退火裝置，其中，該雷射光束發生模組包括一雷射器、一光強度調整器、一第二分光鏡、一能量探測器、一雷射控制器以及一環境控制單元，該雷射器所發出的雷射經該光強度調整器調整後再經該第二分光鏡分光，其中，大部分的雷射進入該迴圈延時裝置，其餘部分進入該能量探測器，該能量探測器探測雷射能量並將探測結果傳輸至該雷射控制器，該環境控制單元探測該雷射器的工作環境資訊並將探測結果傳輸至該雷射控制器，該雷射控制器根據該環境控制單元和該能量探測器兩者的探測結果來控制該雷射器工作，該雷射控制器和所該環境控制單元經由該主控制器來控制。
  11. 如申請專利範圍第9項之雷射退火裝置，其中，該光學模組包括一擴束器、一勻光器、一第一聚焦鏡組、一第三分光鏡、一第二聚焦鏡組以及一聚焦面探測器，從該迴圈延時裝置射出的子脈衝雷射，依次經過該擴束器和該勻光器處理後，再經該第三分光鏡分光，其中，一部分子脈衝雷射經該第一聚焦鏡組後射至該基板的表面，另一部分子脈衝雷射經該第二聚焦鏡組射至該聚焦面探測器，該聚焦面探測器將探測到的聚焦面資訊輸出至該主控制器，該主控制器根據該聚焦面資訊來控制該運動台的運動，使得該基板達到最佳聚焦面位置。
  12. 一種雷射退火方法，包括下列步驟： 提供一穩定的單脈衝雷射；使該單脈衝雷射按延時需要和能量比例分解成複數個子雷射脈衝；以及利用該等子雷射脈衝連續輻射照射該基板，使該基板的表面溫度穩定於一預定範圍內。
  13. 如申請專利範圍第12項之雷射退火方法，其中，使該單脈衝雷射按延時需要和能量比例分解成該等子雷射脈衝具體包括下列步驟：a)根據一設定的分光比例選擇一第一分光鏡；b)將該單脈衝雷射經該第一分光鏡後被分為兩束，其中一束直接用於輻射照射該基板，另一束進入一延時器延時後射出；c)由該延時器所射出光束再次經過該第一分光鏡後被分為兩束，其中一束用於輻射照射該基板，另一束再次進入該延時器延時後射出；以及d)重複步驟c)，或根據該設定的分光比例選擇該第一分光後再重複步驟c)。
  14. 如申請專利範圍第13項之雷射退火方法，其中，該延時器包括鏡面平行的兩面反射鏡，以及角度或位置可調整的一射出端和一接收端。
  15. 如申請專利範圍第14項之雷射退火方法，其中，調節該射出端及該接收端的角度或位置可調整該延時器的延時時間。
  16. 如申請專利範圍第14項之雷射退火方法，其中，該射出端和該接收端分別為一射出頭和一接收頭，或者一射出反射鏡和一接收反射鏡。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI555063B (zh) * 2014-07-04 2016-10-21 Laser annealing device

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9498845B2 (en) 2007-11-08 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Pulse train annealing method and apparatus
KR102163606B1 (ko) * 2013-03-27 2020-10-08 고쿠리쓰다이가쿠호진 규슈다이가쿠 레이저 어닐링 장치
JP6320799B2 (ja) * 2014-03-07 2018-05-09 住友重機械工業株式会社 半導体装置の製造方法
CN106663629B (zh) * 2014-07-21 2020-01-10 应用材料公司 扫描脉冲退火装置及方法
CN106935491B (zh) * 2015-12-30 2021-10-12 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种激光退火装置及其退火方法
US20200105572A1 (en) * 2016-03-09 2020-04-02 Mitsubishi Electric Corporation Heat treatment device, heat treatment method, laser annealing device, and laser annealing method
JP6484272B2 (ja) * 2017-03-17 2019-03-13 株式会社フジクラ レーザ加工装置およびレーザ加工方法
CN107275185A (zh) * 2017-04-24 2017-10-20 昆山国显光电有限公司 激光退火装置及其退火工艺
JP6957099B2 (ja) * 2017-09-05 2021-11-02 住友重機械工業株式会社 レーザアニール装置及びシート抵抗算出装置
US11929334B2 (en) * 2020-03-17 2024-03-12 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Die-beam alignment for laser-assisted bonding
US11909091B2 (en) 2020-05-19 2024-02-20 Kymeta Corporation Expansion compensation structure for an antenna
CN111952160A (zh) * 2020-08-17 2020-11-17 北京中科镭特电子有限公司 一种激光退火装置
CN111952158B (zh) * 2020-08-17 2022-08-30 北京中科镭特电子有限公司 一种激光退火装置及退火方法
US11766874B2 (en) * 2021-11-19 2023-09-26 Xerox Corporation Matrix addressable, line laser, marking system using laser additives
CN115890021B (zh) * 2023-01-05 2023-05-16 成都功成半导体有限公司 一种晶圆激光切割方法及晶圆

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529693A (ja) * 1990-09-19 1993-02-05 Hitachi Ltd マルチパルスレーザ発生装置、及びその方法、並びにそのマルチパルスレーザを用いた加工方法
TW207588B (zh) * 1990-09-19 1993-06-11 Hitachi Seisakusyo Kk
JPH07159706A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Hitachi Cable Ltd 可変光分岐器
JP2000244036A (ja) * 1999-02-17 2000-09-08 Toyota Central Res & Dev Lab Inc レーザパルス発生装置
US6955956B2 (en) * 2000-12-26 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
TWI239936B (en) * 2004-02-27 2005-09-21 Au Optronics Corp Laser annealing apparatus and laser annealing method
JP2005294801A (ja) * 2004-03-11 2005-10-20 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd レーザー結晶化装置及びレーザー結晶化方法
US8383982B2 (en) * 2004-06-18 2013-02-26 Electro Scientific Industries, Inc. Methods and systems for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots
JP2006134986A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Sony Corp レーザ処理装置
JP2006135251A (ja) * 2004-11-09 2006-05-25 Hitachi Ltd レーザ結晶化装置
JP5060733B2 (ja) * 2005-03-28 2012-10-31 オリンパス株式会社 光パルス多重化ユニット、それを用いた光パルス発生器、及び光パルス多重化方法
CN100470248C (zh) * 2006-07-04 2009-03-18 中国工程物理研究院流体物理研究所 光学延时标准具及测试光路
CN100585967C (zh) 2008-09-10 2010-01-27 哈尔滨工业大学 基于光功率精确分离的纵向塞曼激光器稳频方法与装置
JP4863407B2 (ja) * 2009-02-02 2012-01-25 株式会社日本製鋼所 半導体膜のレーザアニール方法
JP2011171551A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Toyota Motor Corp 半導体装置の製造方法
US8538218B2 (en) * 2010-03-10 2013-09-17 Corning Incorporated Unrepeatered long haul optical fiber transmission systems
JP5590925B2 (ja) * 2010-03-10 2014-09-17 住友重機械工業株式会社 半導体装置の製造方法及びレーザアニール装置
JP2012015463A (ja) * 2010-07-05 2012-01-19 V Technology Co Ltd Ｙａｇレーザアニーリング装置及びｙａｇレーザ光によるアニーリング方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI555063B (zh) * 2014-07-04 2016-10-21 Laser annealing device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150014515A (ko) 2015-02-06
US9455164B2 (en) 2016-09-27
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CN103578943B (zh) 2017-05-31
JP2015520507A (ja) 2015-07-16
KR101660440B1 (ko) 2016-09-27
US20150037984A1 (en) 2015-02-05
SG11201405564XA (en) 2014-10-30
JP6006864B2 (ja) 2016-10-12
CN103578943A (zh) 2014-02-12
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