JP2015520507A - レーザアニーリング装置及びレーザアニーリング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記ビームスプリッタユニットは、前記ビームスプリッタユニットは、異なる透過率を有する複数の第一ビームスプリッタと、ピボットと、を含み、前記内部制御モジュールは、前記ピボットを駆動して、使用する前記第一ビームスプリッタを切り替えることにより、前記ビームスプリッタユニットの前記ビーム分割比を制御する。
前記シングルパルスレーザビームは、前記レーザにより供給され、前記レーザビームが前記レーザを出て前記調光器を通過して移動した後、前記第二ビームスプリッタによって、主要部と非主要部とに分割され、
前記レーザビームの前記主要部は前記循環遅延ユニットに入り、
前記レーザビームの前記非主要部は前記エネルギー検出器に入り、
前記エネルギー検出器は、前記レーザビームの前記非主要部のエネルギーを計測し、その計測結果を前記レーザ制御器に送り、
前記環境制御ユニットは、前記レーザの動作環境情報を得て、前記情報を前記レーザ制御器に送り、
前記レーザ制御器は、前記エネルギー検出器からの前記計測結果と、前記環境制御ユニットからの前記情報とに基づいて前記レーザの動作を制御し、
前記レーザ制御器と前記環境制御ユニットの両方は、前記主制御部の制御によって制御される。
前記循環遅延ユニットから出た複数のパルスレーザビームは、それぞれ、前記ビームエクスパンダと前記ビームホモジナイザとを連続的に通過し、前記第三のビームスプリッタにより、二つの部分に分割され、
前記複数のパルスレーザビームのそれぞれの一方の部分は、前記第一のフォーカスレンズ群を通過し、その結果、前記基板の表面に導かれ、
前記複数のパルスレーザビームのそれぞれの他方の部分は、前記第二のフォーカスレンズ群を通過し、その結果、前記焦点面検出器に導かれ、
前記焦点面検出器は、焦点面情報を得て、前記焦点面情報を前記主制御部に出力し、
前記主制御部は、前記基板を光学焦点面位置に移動させるために、前記焦点面情報に基づいて、前記可動ステージの動作を制御する。
所望の遅延時間とエネルギー比とに応じて、前記シングルパルスレーザビームを複数のパルスレーザビームに分割し、
基板の表面温度を所定の範囲に維持するために、前記複数のパルスレーザビームのうち少なくとも1つを前記基板に連続的に照射する
ことを含むレーザアニーリング方法を供給する。
a)あらかじめ設定されたビーム分割比に応じて第一ビームスプリッタを選択し、
b)前記第一ビームスプリッタを用いて前記シングルパルスレーザビームを2つのパルスレーザビームに分割し、
前記2つのパルスレーザビームのうちの一方を前記基板に照射し、
前記2つのパルスレーザビームのうちの他方を、遅延器によって前記所望の遅延時間まで遅延させ、
c)前記遅延器から出た、前記2つのパルスレーザビームのうちの他方を、前記第一ビームスプリッタを用いてさらなる2つのパルスレーザビームに分割し、
前記さらなる2つのパルスレーザビームのうちの一方を前記基板に照射し、
前記さらなる2つのパルスレーザビームのうちの他方を、前記遅延器によって前記所望の遅延時間まで遅延させ、
d)ステップc)を繰り返す、又は、別のあらかじめ設定されたビーム分割比に応じて別の第一ビームスプリッタを選択してステップc)を繰り返す、
ことを含む。
安定したシングルパルスレーザビームを供給するレーザビーム発生器と、
シングルパルスレーザビームを複数のパルスレーザビームに分割する循環遅延ユニット300と、
パルスレーザビームを基板204に集光させる光学モジュールと、
少なくとも1自由度を有するように基板204を動かすことが可能な可動ステージ500と
を含む。基板204は、アニーリングされるための対象物であり、半導体又はその他の材料からなり、この実施の形態では基板はシリコンウェハである。基板204は、可動ステージ500に配置され、可動ステージ500自体は、複数の自由度で可動する。
X=L1+n*L0+mod(H/(L*tg(θ)))*L*sec(θ) (式1)
により与えられる。ここで、modは、もし、整数部分が偶数である場合、結果が、その数の整数部分、又は、1と整数部分との合計、となる関数である。nは、光ファイバー310の材料の屈折率を意味する。循環遅延ユニット300においてそれぞれのサイクルにおけるそれらの伝達によるレーザビームの遅延時間は、
T=X/c (式2)
により与えられる。
この実施の形態では、ビームスプリッタユニット302は、4つの第一ビームスプリッタ3021、3022、3023、3024を有し、内部制御モジュール307は、ビームスプリッタ302の光分割比の制御を用途として、第一ビームスプリッタを切り替るために、ピボット3025を駆動する。
4つの第一ビームスプリッタ3021、3022、3023、3024の透過率は、それぞれ、a1、a2、a3、a4である。主制御部600からのビームスプリッタ比を表す指令を受け取ると、内部制御モジュール307は、上記用途において、第一ビームスプリッタを切り替るために、ビームスプリッタ302のピボット3025を旋回させるように駆動する。この後、使用される第一ビームスプリッタの透過率はaで示される。異なる第一ビームスプリッタを使用することで、異なる透過率を得ることができる。
本願発明の実施の形態2によるレーザアニーリング装置の循環遅延ユニットの模式図を示す図3を参照すると、この実施の形態は、この実施の形態の循環遅延ユニット301が2つの反射器304、305と、出口反射器308と、入口反射器309とを含むところで、実施の形態1と異なる。出口反射器308と、入口反射器309との両方が、位置を調整可能である。図2に記載される実施の形態1の循環遅延ユニットと同様に、この実施の形態も、遅延時間の調整のため、光学経路の長さを調整する能力を有する。特に、この実施の形態では、出口と入口とは、それぞれ出口反射器308と、入口反射器309として設けられており、遅延器301は、光学ファイバー310の代わりに、レーザビームを送る機能を同じく有する少なくとも1つの反射光学部材を含んでもよい。
同様に、この実施の形態は、ビーム分割比aと遅延時間Tとを調整することにより、図8に示されるように、基板の表面温度を基板材料の融点前後に、十分な長時間維持することができるため、エネルギー利用効率とアニーリング効果との両方を改善させる結果となる。
異なる態様によると、本発明は、レーザアニーリング方法も供給する。図1〜8を参照すると、本願発明は、上記した実施の形態1及び2に記載されるアニーリング装置以外のアニーリング装置を採用する方法に限定されない。
本方法は、
安定したシングルパルスレーザビームを供給し、
所望の遅延時間とエネルギー比とに応じて、シングルパルスレーザビームを複数のパルスレーザビームに分割し、
基板204の表面温度を所定範囲内に安定させるために、前記複数のパルスレーザビームを基板204に連続的に照射する。
好ましくは、所望の遅延時間とエネルギー比とに応じて、シングルパルスレーザビームを複数のパルスレーザビームに分割することは、具体的には、
a)あらかじめ設定されたビーム分割比に応じて第一ビームスプリッタを選択し、
b)第一ビームスプリッタを用いてシングルパルスレーザビームを2つの分割ビームに分割し、
2つの分割ビームのうちの一方を基板204に照射し、
2つの分割ビームのうちの他方を、遅延器301によって所望の遅延時間まで遅延させ、
c)遅延器301から出た、2つの分割ビームのうちの他方を、第一ビームスプリッタを用いてさらなる2つの分割ビームに分割し、
さらなる2つの分割ビームのうちの一方を基板204に照射し、
さらなる2つの分割ビームのうちの他方を、遅延器301によって所望の遅延時間まで遅延させ、
d)ステップc)を繰り返す、又は、別のあらかじめ設定されたビーム分割比に応じて別の第一ビームスプリッタを選択してステップc)を繰り返す、を含む。
好ましくは、遅延器301は、平行な反射面を有する2つの反射器304、305と、方向及び位置をそれぞれ調整可能な出口と入口とを含み、出口と入口の方向及び/又は位置をそれぞれ調整することは、遅延器の遅延時間を調整する結果となる。好ましくは、図2に示すように、入口と出口とは、レシーバ303とトランスミッタ306として、それぞれ設けられている、又は、図3に示すように、入口と出口とは、入口反射器309と出口反射器308として、それぞれ設けられている。
Claims (16)
- 安定したシングルパルスレーザビームを供給するレーザビーム発生器と、
前記シングルパルスレーザビームを複数のパルスレーザビームに分割する循環遅延ユニットと、
前記複数のパルスレーザビームのうち少なくとも1つを基板に集光させる光学モジュールと、
少なくとも1自由度を有するように前記基板を動かすことが可能な可動ステージと、
を含むレーザアニーリング装置。 - 前記循環遅延ユニットは、遅延器と、ビームスプリッタユニットと、内部制御モジュールと、を少なくとも含み、
前記内部制御モジュールは、前記遅延器の遅延時間と前記ビームスプリッタユニットのビーム分割比とを制御するように構成されている
ことを特徴とする請求項1に記載のレーザアニーリング装置。 - 前記循環遅延ユニットは、前記ビームスプリッタユニットと前記遅延器との間に複数のレーザビームを送るための複数の光ファイバーをさらに含む
ことを特徴とする請求項2に記載のレーザアニーリング装置。 - 前記遅延器は、平行な反射面を有する2つの反射器と、方向と位置とを調整可能な入口と出口と、を含む
ことを特徴とする請求項2に記載のレーザアニーリング装置。 - 前記入口と前記出口とは、レシーバとトランスミッタとしてそれぞれ設けられている、又は、出口反射器と入口反射器としてそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項4に記載のレーザアニーリング装置。 - 前記内部制御モジュールは、前記入口及び前記出口の少なくとも一方の、前記方向又は位置を調整することで、前記遅延器の遅延時間を制御する
ことを特徴とする請求項4に記載のレーザアニーリング装置。 - 前記ビームスプリッタユニットは、異なる透過率を有する複数の第一ビームスプリッタと、ピボットと、を含み、
前記内部制御モジュールは、前記ピボットを駆動して、使用する前記第一ビームスプリッタを切り替えることにより、前記ビームスプリッタユニットの前記ビーム分割比を制御する
ことを特徴とする請求項2に記載のレーザアニーリング装置。 - 前記複数の第一ビームスプリッタは、前記ピボットから同じ距離を空けて配置される
ことを特徴とする請求項7に記載のレーザアニーリング装置。 - 前記内部制御モジュールに接続されている主制御部をさらに含み、
前記主制御部は、遅延時間とビーム分割比とを表す指令を、前記内部制御モジュールに送るように構成されている
ことを特徴とする請求項2に記載のレーザアニーリング装置。 - 前記レーザビーム発生器は、レーザと、調光器と、第二ビームスプリッタと、エネルギー検出器と、レーザ制御器と、環境制御ユニットとをさらに含み、
レーザビームは、前記レーザにより供給され、前記レーザビームが前記調光器を通過した後、前記第二ビームスプリッタによって、主要部と非主要部とに分割され、
前記レーザビームの前記主要部は前記循環遅延ユニットに入り、
前記レーザビームの前記非主要部は前記エネルギー検出器に入り、
前記エネルギー検出器は、前記レーザビームの前記非主要部のエネルギーを計測し、その計測結果を前記レーザ制御器に送り、
前記環境制御ユニットは、前記レーザの動作環境情報を得て、前記動作環境情報を前記レーザ制御器に送り、
前記レーザ制御器は、前記エネルギー検出器からの前記計測結果と、前記環境制御ユニットからの前記動作環境情報とに基づいて前記レーザを制御し、
前記レーザ制御器と前記環境制御ユニットの両方は、前記主制御部によって制御される
ことを特徴とする請求項9に記載のレーザアニーリング装置。 - 前記光学モジュールは、ビームエクスパンダと、ビームホモジナイザと、第一のフォーカスレンズ群と、第三のビームスプリッタと、第二のフォーカスレンズ群と、焦点面検出器と、を含み、
前記循環遅延ユニットから出た複数のパルスレーザビームは、それぞれ、前記ビームエクスパンダと前記ビームホモジナイザとを連続的に通過し、前記第三のビームスプリッタにより、第一の部分と第二の部分とに分割され、
前記複数のパルスレーザビームのそれぞれの第一の部分は、前記第一のフォーカスレンズ群を通過し、その結果、前記基板の表面に導かれ、
前記複数のパルスレーザビームのそれぞれの第二の部分は、前記第二のフォーカスレンズ群を通過し、その結果、前記焦点面検出器に導かれ、
前記焦点面検出器は、焦点面情報を得て、前記焦点面情報を前記主制御部に出力し、
前記主制御部は、前記基板を光学焦点面位置に移動させるために、前記焦点面情報に基づいて、前記可動ステージの動作を制御する
ことを特徴とする請求項9に記載のレーザアニーリング装置。 - 安定したシングルパルスレーザビームを供給し、
所望の遅延時間とエネルギー比とに応じて、前記シングルパルスレーザビームを複数のパルスレーザビームに分割し、
基板の表面温度を所定の範囲に維持するために、前記複数のパルスレーザビームのうち少なくとも1つを前記基板に連続的に照射する
ことを含むレーザアニーリング方法。 - 前記所望の遅延時間と前記エネルギー比とに応じて、前記シングルパルスレーザビームを前記複数のパルスレーザビームに分割することは、
a)あらかじめ設定されたビーム分割比に応じて第一ビームスプリッタを選択し、
b)前記第一ビームスプリッタを用いて前記シングルパルスレーザビームを2つのパルスレーザビームに分割し、
前記2つのパルスレーザビームのうちの一方を前記基板に照射し、
前記2つのパルスレーザビームのうちの他方を、遅延器によって前記所望の遅延時間まで遅延させ、
c)前記遅延器から出た、前記2つのパルスレーザビームのうちの他方を、前記第一ビームスプリッタを用いてさらなる2つのパルスレーザビームに分割し、
前記さらなる2つのパルスレーザビームのうちの一方を前記基板に照射し、
前記さらなる2つのパルスレーザビームのうちの他方を、前記遅延器によって前記所望の遅延時間まで遅延させ、
d)ステップc)を繰り返す、又は、別のあらかじめ設定されたビーム分割比に応じて別の第一ビームスプリッタを選択してステップc)を繰り返す、
ことを含む
ことを特徴とする請求項12に記載のレーザアニーリング方法。 - 前記遅延器は、平行な反射面を有する2つの反射器と、方向又は位置を調整可能な入口と出口とをさらに含む
ことを特徴とする請求項13に記載のレーザアニーリング方法。 - 前記入口及び前記出口の少なくとも一方の前記方向又は前記位置を調整することで、前記遅延器の遅延時間を調整する
ことを特徴とする請求項14に記載のレーザアニーリング方法。 - 前記入口と前記出口とは、トランスミッタとレシーバとしてそれぞれ設けられている、又は、出口反射器と入口反射器としてそれぞれ設けられている
ことを特徴とする請求項14に記載のレーザアニーリング方法。
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