TW201408750A - 切割片及裝置晶片之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供，切割片1，其係即使裝置相關構件的表面，特別是裝置相關非平坦面構件之非平坦面為被著面之情形，亦可具有優良的黏著性之黏著劑層，且不容易發生基於黏著劑團聚物之異常之切割片，其包括：基材2；及黏著劑層3，其係層積於上述基材2之至少一方的面之切割片1，黏著劑層3，係由含有丙烯酸系聚合物(A)及能量線聚合性化合物(B)之黏著劑組成物所形成者，上述黏著劑層之厚度為25μm以下，在於上述黏著劑層在於能量線照射之前之23℃之儲存彈性模數為0.12MPa以下，且將上述黏著劑層3之能量線照射前之保持力之測定試驗，遵照JIS Z0237:2009進行時所測定之保持時間為15000秒以上，亦提供使用該切割片1之裝置晶片之製造方法。

Description

切割片及裝置晶片之製造方法
本發明係關於用在切割樹脂封裝複數半導體晶片而成之半導體構裝等的裝置之關聯構件時之切割片及使於該切割片之裝置晶片之製造方法。
半導體晶片被樹脂封裝之半導體零件(在於本說明書稱為「封膠晶片」。)，通常如下製作。首先，將半導體晶片搭載於，TAB帶等之連接複數基台而成之集合體之各基台，將該等半導體晶片一起樹脂封裝得到電子零件集合體(在於本說明書，稱為「半導體構裝」。)。其次，藉由在於半導體構裝之封裝樹脂側之面，黏貼包括基材與黏著劑層之黏著片(於本說明書稱為「切割片」。)將半導體構裝固定於切割片。將固定於該切割片之半導體構裝切斷分離(切割)個片化，製作複數的封膠晶片近接配置於切割片上之構件(切割步驟)。
接著，將在於該構件之切割片擴展(向主面內方向伸長)，擴大配置於切割片上之封膠晶片之間隔(擴展步驟)。將如此地將在於切割片上以互相離間的狀態之封膠晶片，個別拾取由切割片分離(拾取步驟)移送至下一步驟。
於完成切割步驟之後，至實施拾取步驟之前，藉由實施使上述黏著劑層之黏著性下降之步驟，提升拾取步驟之 工作性。降低該黏著性之步驟，通常切割片之黏著劑層係設計成可藉由特定的刺激使黏著性下降，特定的刺激，可採用例如，照射紫外線或電子線等的能量線。
該一連串的步驟之中，於切割步驟的其後之擴展 步驟，半導體構裝及其被切割而成之封膠晶片，要求可維持附著在切割片的狀態。由達成該目的的觀點，切割片的黏著劑層，對該半導體構裝及封膠晶片的能量線照射前之黏著性(於本說明書，若無提及「黏著性」係指切割片之黏著劑層之能量線照射前之黏著性。)高為佳。在此切割片之被著體為半導體構裝時，相較於以半導體晶圓等的半導體基板作為被著體時，被著面的表面粗糙度較大。因此，將以半導體基板等作為被著體之切割片，轉用在以半導體構裝作為被著體之切割片，則對被著體之黏著性變得不充分，於切斷半導體構裝之中，有個片化之封膠晶片由切割片剝離飛散之異常(晶片飛散)之情形。
如此之晶片飛散的問題，不只是半導體構裝，在 於其他的裝置相關構件之切割步驟亦可能發生。在於本說明書，所謂「裝置相關構件」，係指用於製造裝置之過程所製造之中間製造物，而供於切割步驟之構件。容易發生上述晶片飛散的裝置相關構件，可例示，具有由多孔質之陶瓷系材料所構之基板之被著面的粗糙度大的構件，或於半導體基板上具有如間隔片之厚度之構件其如被附設之構件一般，於被著面設有凹凸之構件。
以減少發生該晶片飛散的可能性為目標，例如專 利文獻1所記載，於半導體基板固定用黏著片的黏著劑層含有 黏著賦予樹脂。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-229040號公報
但是，即使是包括如此之特徵之半導體基盤固定用黏著片，在於具有如上所述之粗糙面或凹凸面(在於本說明總稱為「非平坦面」。)之裝置相關構件(在於本說明書稱為「裝置相關非平坦面構件」。)之非平坦面作為被著面進行切割步驟時，為減低晶片飛散的可能性，一般而言，需要使黏著片的黏著劑層的厚度為25μm程度以上，使黏著劑層容易對被著面之沾濕擴散，提高對裝置相關非平坦面構件之被著面之黏著性。
在此，將裝置相關構件切割時，不僅將裝置相關構件，亦將黏貼此之黏著劑層亦以刀片切斷，如上所述地黏著劑很厚時，藉由刀片排除之黏著劑層之量變多，由構成該排除之黏著劑層之黏著劑等的成分所形成之團聚物(在於本說明書稱為「黏著劑團聚物」。)，有容易附著在藉由切割步驟將裝置相關構件個片化而成之構件(在於本說明書亦稱為「裝置晶片」。)之端部之傾向。當如此之黏著劑團聚物殘留於裝置晶片，則在於其後之步驟，容易發生裝置晶片與其他的構件經由黏著劑團聚物附著等之異常。
特別是，將半導體構裝等裝置相關非平坦面構件 切割時，由於使用較切割矽晶圓等的半導體基板時所使用之刀片更厚的刀片，故容易形成上述黏著劑團聚物。因此，發生基於黏著劑團聚物附著在裝置晶片的異常的可能性變高。
本發明係以提供，包括即使裝置相關構件的表 面，特別是裝置相關非平坦面構件之非平坦面為被著面之情形，亦可具有優良的黏著性之黏著劑層，且不容易發生基於黏著劑團聚物之異常之切割片，及使用該切割片之裝置晶片之製造方法為目標。
為達成上述目標，本發明者們研究的結果，得到使切割片的黏著劑層的厚度為25μm以下，在於能量線照射前的狀態，在於23℃之儲存彈性模數為0.12MPa以下，並且遵照JIS Z0237：2000進行之保持力之試驗所測定之保持時間為15000秒，可得黏著劑層具有優良的黏著性的同時不容易團聚破壞，且在於切割步驟可減低黏著劑團聚物之生成量之見識。
基於該見識所完成之本發明，於第1，係一種切割片，其係包括：基材；及黏著劑層，其係層積於上述基材之至少一方的面之切割片，其特徵在於：上述黏著劑層，係由含有丙烯酸系聚合物(A)及能量線聚合性化合物(B)之黏著劑組成物所形成者，上述黏著劑層之厚度為25μm以下，在於上述黏著劑層在於能量線照射之前之23℃之儲存彈性模數為0.12MPa以下，且將上述黏著劑層之能量線照射前之保持力之測定試驗，遵照JIS Z0237：2009進行時所測定之保持時間為15000秒以上(發明1)。
由於黏著劑層之厚度為25μm以下，故在於切割步 驟不容易形成黏著劑團聚物。此外，即使以裝置相關非平坦面構件之非平坦面作為被著面時，黏著劑層之能量線照射前之23℃之儲存彈性模數為0.12MPa以下，故對被著面具有優良的黏著性。而且，上述保持時間為15000秒以上，故黏著劑層不容易團聚破壞。由於具有如此之優良特性之黏著劑層，關於上述發明之切割片，不容易在切割步驟或擴展步驟發生異常。
在於上述發明(發明1)，上述黏著劑組成物，將重 量平均分子量為4,000以下之儲存彈性模數調整劑(C)，對上述丙烯酸系聚合物(A)100質量部，含有50質量部以上為佳(發明2)。如此之黏著劑組成物，可穩定地使黏著劑層之能量線照射前之23℃之儲存彈性模數下降。
在於上述發明(發明1、12)，上述能量線聚合性化 合物(B)之至少一部分，具有作為上述儲存彈性模數調整劑(C)之性質為佳(發明3)。此時，可使黏著劑組成物之成分數變少，在生產管理上較佳。
在於上述發明(發明1至3)，上述黏著劑組成物， 將可與上述丙烯酸系聚合物(A)架橋反應之架橋劑(D)，對上述丙烯酸系聚合物(A)100質量部，含有0.02質量部以上為佳(發明4)。此時，可比較容易將上述保持時間設定為15000秒以上。
在於上述發明(發明1至4)，上述基材，包括乙烯 系共聚合薄膜及聚烯烴系薄膜之至少一方為佳(發明5)。包括乙烯系共聚合薄模之基材，容易滿足要求本發明之切割片之基材之機械特性。此外，乙烯系共聚合薄膜及聚烯烴系薄膜係相 對不容易緩和應力的材料，但由於藉由與本發明之黏著劑層組合而成為不容易在於擴展步驟發生異常之切割片，故可享受聚烯烴系薄膜所具有之取得穩定性優良，化學穩定性亦優良之特性。
在於上述發明(發明1至5)，上述黏著劑層之與上 述基材之反對側之面，以黏貼於裝置相關構件之面者為佳(發明6)。即使關於上述發明之黏著劑層之被著面係裝置相關構件之面，亦可具有優良的黏著性。
本發明，於第2，提供一種裝置晶片的製造方法， 其係將關於上述發明(發明1至6)之任一之切割片之上述黏著劑層側，黏貼於裝置相關構件之面，將上述切割片上之上述裝置相關構件切斷個片化，得到複數裝置晶片(發明7)。
上述切割片，係即使裝置相關構件之面為被著 面，由於具有優良的黏著性，故藉由使用該切割片，不容易在裝置晶片的製造步驟中，特別是切割步驟或擴展步驟中發生異常。
關於本發明之切割片，由於黏著劑層之厚度為25μm以下，故在於切割步驟不容易形成黏著劑團聚物，不容易發生起因於黏著劑層黏著劑團聚物之異常。此外，即使將裝置相關非平坦面構件之非平坦面作為被著面時，由於黏著劑層對被著面具有優良的黏著性，故雖然黏著劑層之厚度係如上所述之25μm以下，不容易在切割步驟中發生晶片飛散。而且，由於黏著劑層不容易團聚破壞，故在於擴展步驟亦不容易發生 無法對切割片賦予所期望的張力而無法使附著於片之裝置晶片適當地離間之異常。
因此，藉由使用關於本發明之切割片，可生產性高地製造不容易發生基於黏著劑凝聚物之附著之異常之裝置晶片。
1‧‧‧切割片
2‧‧‧基材
3‧‧‧黏著劑層
第1圖係本發明之一實施形態之切割片之示意剖面圖
以下，說明本發明之實施形態。
如第1圖所示，關於本發明之一實施形態之切割片1，包括：基材2；及層積於基材2之至少一方的之黏著劑層3。
1. 基材
關於本實施形態之切割片1之基材2，只要在於切割步驟之後所進行之擴展步驟等不會破斷，其構成材料並無特別限定，通常係以樹脂系的材料作為主材之薄膜所構成。該薄膜之具體例，可舉乙烯-醋酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜等之乙烯系共聚合薄膜；低密度聚乙烯(LDPE)薄膜、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜、高密度聚乙烯(HDPE)薄膜等之聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-降冰片烯共聚物薄膜、降冰片烯樹脂薄膜等的聚烯烴系薄膜；聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜等的聚氯乙烯系薄膜；聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯薄膜等的聚酯系薄膜；聚氨酯薄膜；聚醯亞胺薄膜；聚苯乙烯薄膜；聚碳酸酯 薄膜；氟樹脂薄膜等。此外，亦可使用該等的架橋薄膜、離聚物樹脂等之變性薄膜。上述基材2可由該等的1種所組成之薄膜，亦可為進一步組合2種以上之層積薄膜。再者，於本說明書之「(甲基)丙烯酸」，係指丙烯酸及甲基丙烯酸之雙方之意思。關於其他類似的用語亦相同。
構成基材2之薄膜，包括乙烯系共聚合薄膜及聚烯烴系薄膜之至少一種為佳。
乙烯系共聚合薄膜，可藉由改變共聚合比等可容易地將其機械特性在廣泛的範圍控制。因此，包括乙烯系共聚合薄膜之基材2，容易滿足作為關於本實施形態之切割片1之基材所要求之機械特性。此外，由於乙烯系共聚合薄膜對黏著劑層3之密著性高，故使用於作為切割片時不容易在基材2與黏著劑層3之界面發生剝離。
乙烯系共聚合薄膜及聚烯烴系薄膜，由於會對作 為切割片之特性帶來不良影響的成分(例如，聚氯乙烯系薄膜等，含於該薄膜之可塑劑由基材2轉移到黏著劑層3，進一步分佈於黏著劑層3之相對於基材2之側之相反側之面，而有使黏著劑層3對被著體之黏著性下降之情形。)之含量少，故不容易發生黏著劑層3對被著體之黏著性下降等的問題。即，乙烯系共聚合薄膜及聚烯烴系薄膜之化學穩定性優良。
基材2，亦可於上述樹脂系材料作為主材之薄膜 內，含有顏料、難燃劑、可塑劑、帶電防止劑、潤滑劑、填充劑等的各種添加劑。顏料，可舉例如，二氧化鈦、碳黑等。此外，填充劑，可例示例如三聚氰胺樹脂等之有機系材料，如氣 相法二氧化矽等之無機系材料及鎳粒子等之金屬系材料。如此之添加劑之含量，並無特別限定，應保留在基材2可發揮所期望的功能，不失去平滑性及柔軟性的範圍。
使用紫外線作為使黏著劑層3硬化所照射之能量 線時，基材2對紫外線具有穿透性為佳。再者，使用電子線作為能量線時，基材2具有電子線穿透性為佳。
此外，基材2之黏著劑層3側之面(以下，亦稱為 「基材被著面」。)，存在有選自由羧基、以及其離子及鹽所組成之群之1種或2種以上的成分為佳。在於基材2之上述成分與關於黏著劑層3之成分(可例示構成黏著劑層3之成分及架橋劑(D)等形成黏著劑層3時使用之成分。)，藉由化學性的相互作用，可降低該等之間發生剝離的可能性。為在基材被著面存在如此之成分之具體手法，並無特別限定。例如，將基材2本身，作為例如乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、離聚物樹脂等，使成為構成基材2之材料之樹脂，可為具有選自由羧基、以及其離子及鹽所組成之群之1種或2種以上者。於基材被著面存在上述成分的其他手法，例如基材2為聚烯烴系薄膜，可對基材被著面施以電暈處理，或設置底漆層。此外，於基材2之與基材被著面之相反側的面，可設各種塗膜。
基材2之厚度只要是切割片1可在上述各步驟適 當地作用，並無限定。以20μm以上450μm以下為佳，以25μm以上400μm以下更佳，以50μm以上350μm以下的範圍特別佳。
在於本實施形態之基材2之破斷伸度，於23℃、 相對濕度50%所測定之值，以100%以上為佳，特別是以200% 以上1000%以下為佳。在此，破斷伸度，係遵照JIS K7161：1994(ISO 527-1 1993)之拉伸試驗，試驗片破斷時之試驗片之長度對原來的長度之伸長率。上述破斷伸度為100%以上之基材2，於擴展步驟時不容易破斷，容易將切斷裝置相關構件所形成之裝置晶片離間者。
此外，在於本實施形態之基材2之25%變形時拉 伸應力以5N/10mm以上15N/10mm以下為佳，最大拉伸應力以15MPa以上50MPa以下為佳。在此，25%變形時之拉伸應力及最大拉伸應力，係以遵照JIS K7161：1994之試驗所測定。 25%變形時之拉伸應力未滿5N/10mm，或最大拉伸應力未滿15MPa，則將裝置相關構件黏貼於切割片1之後，固定於環形框等的框體時，有因基材2柔軟而發生鬆弛之虞，該鬆弛有成為輸送錯誤之原因。另一方面，25%變形時之拉伸應力超過15N/10mm，或最大拉伸應力未滿50MPa，則有於擴展步驟時容易發生切割片1本身由環形框剝落等的問題之虞。再者，上述破斷伸度、25%變形時之拉伸應力、最大拉伸應力係對基材2之原卷之長條方向測定之值。
2. 黏著劑層
關於本實施形態之切割片1所包括之黏著劑層3，係由含有如下所說明之丙烯酸系聚合物(A)及能量線聚合性化合物(B)、進一步按照必要之儲存彈性模數調整劑(C)或架橋劑(D)等的黏著劑組成物所形成者。
(1)丙烯酸系聚合物(A)
形成關於本實施形態之黏著劑層3之黏著劑組成物，含有丙 烯酸系聚合物(A)。在由該黏著劑組成物形成之黏著劑層3，丙烯酸系聚合物(A)有含有至少其一部分與後述之架橋劑(D)進行架橋反應之架橋物。
丙烯酸系聚合物(A)，可使用先前習知之丙烯酸系 聚合物。丙烯酸系聚合物(A)之重量平均分子量(Mw)，由塗層時之造膜性的觀點，以1萬以上200萬以下為佳，以10萬以上150萬以下更佳。此外，丙烯酸系聚合物(A)之玻璃轉移溫度Tg，以-70℃以上30℃以下為佳，以-60℃以上20℃以下的範圍更佳。玻璃轉移溫度，可藉由Fox式計算。
上述丙烯酸系聚合物(A)，可為1種丙烯酸系單體 所形成之單獨聚合物，亦可為複數種丙烯酸系單體所形成之共聚物，亦可為1種或複數種丙烯酸系單體與丙烯酸系單體以外的單體所形成之共聚物。成為丙烯酸系單體之化合物之具體種類並無特別限定，具體例可舉，(甲基)丙烯酸、依康酸、(甲基)丙烯酸酯、其衍生物(丙烯腈等)。關於(甲基)丙烯酸酯，進一步表示具體例，則可舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等的具有鏈狀骨架之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、醯亞胺丙烯酸酯等的環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯等的具有羥基之丙烯酸酯等的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等的具有羥基以外的反應性官能基之(甲基)丙烯酸酯。此外， 丙烯酸系單體以外的單體，可例示乙烯、降冰片烯等的烯烴、醋酸乙烯酯、苯乙烯等。再者，丙烯酸系單體為(甲基)丙烯酸烷基酯時，該烷基之碳數以1~18的範圍為佳。
形成關於本實施形態之黏著劑層3之黏著劑組成 物，如後所述地含有可將丙烯酸系聚合物(A)架橋之架橋劑(D)時，丙烯酸系聚合物(A)所具有的反應性官能基之種類並無特別限定，基於架橋劑(D)的種類等適宜決定即可。例如，架橋劑(D)為聚異氰酸酯化合物時，丙烯酸系聚合物(A)所具有的反應性官能基，可例示羥基、羧基、胺基等。該等極性的官能基，與架橋劑(D)反應之功能之外，亦具有提升丙烯酸系聚合物(A)與後述之儲存彈性模數調整劑(C)之相溶性的效果。該等之中，架橋劑(D)係聚異氰酸酯化合物時，採用與異氰酸酯基的反應性高的羥基作為反應性官能基為佳。於丙烯酸系聚合物(A)導入羥基作為反應性官能基之方法並無特別限定。作為一例，可舉丙烯酸系聚合物(A)於骨架含有基於(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯等的具有羥基之丙烯酸酯之構成單位之情形。
丙烯酸系聚合物(A)具有反應性官能基時，由容易 使黏著劑層3之能量線照射前之保持力(於本說明書，亦稱為「照射前保持力」，其細節相於後述。)在適當的範圍的觀點，以形成丙烯酸系聚合物(A)之單體換算，反應性官能基對全單體之質量比例，以1質量%以上20質量%以下之程度為佳，以2質量%以上10質量%以下更佳。
(2)能量線聚合性化合物(B)
形成關於本實施形態之黏著劑層3之黏著劑組成物所含有之 能量線聚合性化合物(B)，只要是具有能量線聚合性基，可受紫外線、電子線等的能量線的照射而聚合反應，具體的構成並無特別限定。藉由聚合能量線聚合性化合物(B)，使黏著劑層3之黏著性降低，可提升拾取步驟之工作性。
能量線聚合性基的種類並無特別限定。其具體 例，可舉乙烯基、(甲基)丙烯醯基等的乙烯性不飽和鍵結之官能基等。黏著劑組成物含有架橋劑(D)時，減少架橋劑(D)之進行架橋反應之部位與功能性重複的可能性的觀點，能量線聚合性基以具有乙烯性不飽和鍵結之官能基為佳，其中，由照射能量線時之反應性高的觀點，以(甲基)丙烯醯基更佳。
能量線聚合性化合物(B)之分子量並無特別限定。 其分子量過小時，在於製造過程有該化合物揮發之虞，此時會降低黏著劑層3之組成穩定性。因此能量線聚合性化合物(B)之分子量，以重量平均分子量(Mw)以100以上為佳，以200以上更佳，以300以上特別佳。
能量線聚合性化合物(B)之至少一部分，係分子量 以重量平均分子量(Mw)為4,000以下，具有後述之儲存彈性模數調整劑(C)之性質為佳。具有如此之儲存彈性模數調整劑(C)之性質之能量線聚合性化合物(B)，可例示選自由具有與能量線聚合性基之單官能單體及多官能單體，以及該等單體之寡聚物所組成之群之1種或2種以上所組成之化合物。
上述化合物之具體的組成並無特別限定。上述化 合物之具體例，可舉三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯酸異戊四醇酯、五(甲 基)丙烯酸二異戊四醇基單羥基酯、六(甲基)丙烯酸二異戊四醇酯、二(甲基)丙烯酸1,4-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,6-己二醇酯等的具有鏈狀骨架之(甲基)丙烯酸烷基酯；二環戊二烯基二甲氧基二(甲基)丙烯酸酯、異冰片基(甲基)丙烯酸酯等的具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸烷基酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、寡聚酯(甲基)丙烯酸酯、尿烷(甲基)丙烯酸酯寡聚物、環氧基變性(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、依康酸寡聚物等的丙烯酸酯系化合物等。該等之中，丙烯酸酯系化合物由於對丙烯酸系聚合物(A)之相溶性高而佳。
能量線聚合性化合物(B)於一分子中所具有的能量 線聚合性基之數量並無限定，以複數為佳，以3以上更佳，以5以上特別佳。
形成關於本實施形態之黏著劑層3之黏著劑組成 物所含有之能量線聚合性化合物(B)，具有作為儲存彈性模數調整劑(C)之性質時，能量線聚合性化合物(B)之含量，對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以50質量部分以上300質量部以下為佳，以75質量部分以上150質量部以下更佳。再者，在於本說明書，表示各成分之含量之「質量部」係指固形分之量之意思。藉由使能量線聚合性化合物(B)之含量在於如此之範圍，可使黏著劑層3在於能量線照射前之狀態，於23℃之儲存彈性模數為後述之範圍，且容易藉由能量線照射使黏著劑層3之黏著性適當地降低。
能量線聚合性化合物(B)係不具有作為儲存彈性模 數調整劑(C)之性質之材料時之例，可舉能量線聚合性化合物 (B)係丙烯酸系聚合物，於主鏈或側鏈具有能量線聚合性基之構成單位者。此時，由於能量線聚合性化合物(B)具有作為丙烯酸系聚合物(A)之性質，故可簡化形成黏著劑層3之組成物的組成，具有容易控制在於黏著劑層3之能量線聚合性基之存在密度等的優點。
具有如上所述之丙烯酸系聚合物(A)之性質之能量 線聚合性化合物(B)，例如，可以如下方法調製。藉由使包含基於含有羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等的官能基之(甲基)丙烯酸酯之構成單位及基於(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單位而成之共聚物之丙烯酸系聚合物，與於1分子內具有可與上述官能基反應之官能基及能量線聚合性基(例如，具有乙烯性雙鍵鍵結之基)之化合物反應，可對上述丙烯酸系聚合物上加成能量線聚合性基。
使能量線聚合性化合物(B)硬化之能量線，可舉電 離輻射線，即X射線、紫外線、電子線等。該等之中，以相對較容易導入之照射設備之紫外線為佳。
使用紫外線作為電離輻射線時，由容易操作使用 包含波長200~380nm程度之紫外線之近紫外線即可。紫外線量，可按照能量線聚合性化合物(B)之種類或黏著劑層3之厚度適宜選擇即可，通常為50~500mJ/cm2左右，以100~450mJ/cm2為佳，以200~400mJ/cm2更佳。此外，紫外線照度，通常為50~500mW/cm2左右，以100~450mW/cm2為佳，以200~400mW/cm2更佳。紫外線源，並無特別限制，可使用例如高壓水銀燈、金屬鹵化物燈、UV-LED等。
使用電子線作為電離輻射線時，關於其加速電 壓，只要按照能量線聚合性化合物(B)之種類或黏著劑層3之厚度適宜選定即可，通常加速電壓以10~1000kV程度為佳。此外，照射劑量，只要設定於能量線聚合性化合物(B)適當地硬化之範圍即可，通常於10~1000krad的範圍選定。電子線源並無特別限制，例如柯克考羅夫特-華登(Cockcroft-Walton)型、范德格拉夫(Van-de-Graaff)型、共振變壓器型、絕緣芯變壓器型或直線型、Dynamitron型、高頻波型等的各種電子線加速器。
(3)儲存彈性模數調整劑(C)
形成關於本實施形態之黏著劑層3之黏著劑組成物，亦可含有儲存彈性模數調整劑(C)。儲存彈性模數調整劑(C)，只要是重量平均分子量為4,000以下，可使黏著劑層3之能量線照射前之23℃之儲存彈性模數(於本說明書，亦稱為「照射前儲存彈性模數」。)降低，其組成並無特別限定。可由1種化合物構成，亦可由複數種化合物構成。由可更穩定地降低黏著劑層3之照射前儲存彈性模數的觀點，儲存彈性模數調整劑(C)之重量平均分子量以2500以下為佳，以2000以下特別佳。儲存彈性模數調整劑(C)之重量平均分子量之下限，並無特別限定，惟過低時容易揮發，有使上述黏著性組成物之組成穩定性下降之虞。因此，儲存彈性模數調整劑(C)之重量平均分子量以300以上為佳，以500以上更佳，以700以上特別佳。重量平均分子量係使用GPC裝置(HLC-8220，TOSO製)，管柱(TSK-GEL GMHXL，TOSO製)測定。
如上所述，含於形成黏著劑層3之組成物之能量 線聚合性化合物(B)可具有作為儲存彈性模數調整劑(C)之性質，形成黏著劑層3之組成物，亦可另外含有儲存彈性模數調整劑(C)。如此之另外含有的儲存彈性模數調整劑(C)，可例示黏著賦予樹脂或長鏈烷基丙烯酸寡聚物等。
儲存彈性模數調整劑(C)之含量，由可穩定地發揮 其功能的觀點，對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以50質量部以上為佳，以75質量部以上更佳，以100質量部以上特別佳。此外，為適度地維持含於黏著劑層3之黏著劑之團聚性，儲存彈性模數調整劑(C)之含量對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以500質量部以下為佳，以400質量部以下更佳，以350質量部以下特別佳。
儲存彈性模數調整劑(C)含有黏著賦予樹脂時，該 黏著賦予樹脂之種類並無特別限定。可為聚合化松香、酯化松香及不均化松香以及該等的加氫樹脂等的松香系黏著賦予樹脂，亦可為α-蒎烯樹脂等的帖烯系的黏著賦予樹脂，亦可為碳化氫樹脂等的石油系樹脂。或者，亦可為香豆酮樹脂、烷基．酚樹脂、二甲苯樹脂等的芳香族系黏著賦予樹脂。
藉由將該等不同種類的黏著賦予樹脂組合使用， 可提高儲存彈性模數調整劑(C)對丙烯酸系聚合物(A)之相溶性，有得到較佳的特性之情形。其一例，可舉形成黏著劑層3之組成物，含有聚合松香酯(C1)作為儲存彈性模數調整劑(C)的同時，含有加氫松香酯(C2)及碳化氫樹脂(C3)之至少一方之情形。含有上述黏著賦予樹脂時，在於形成黏著劑層3之組成物之聚合松香酯(C1)之含量，對丙烯酸系聚合物(A)100質量 部，以20質量部以下為佳，以5質量部分以上18質量部分以下更佳，以7質量部以上15質量部以下特別佳。形成黏著劑層3之組成物之加氫松香酯(C2)之含量及碳化氫樹脂(C3)之含量之總和，由提高含於黏著劑層3之黏著劑之團聚性的觀點，對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以50質量部以上為佳，以70質量部分以上200質量部以下更佳，以90質量部分以上170質量部以下特別佳。
長鏈烷基丙烯寡聚物，係碳數4以上18以下左右 的(甲基)丙烯酸烷基酯聚合而成之寡聚物，烷基部分的具體構成，並無特別限定。用於形成該寡聚物之單體之具體例，可舉丙烯酸丁酯。
(4)架橋劑(D)
形成關於本實施形態之黏著劑層3之黏著劑組成物，亦可如上所述地含有可與丙烯酸系聚合物(A)反應之架橋劑(D)。此時，關於本實施形態之黏著劑層3，含有丙烯酸系聚合物(A)與架橋劑(D)之架橋反應所得之架橋物。
架橋劑(D)之含量並無特別限定。由上述架橋物之 形成容易性的觀點，架橋劑(D)的含量，對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以0.02質量部以上為佳。架橋劑(D)之種類，可舉例如，環氧系化合物、異氰酸酯系化合物、金屬螯合物系化合物、氮丙啶系化合物等的聚醯亞胺化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、二醛類、羥甲基聚合物、金屬烷氧化合物、金屬鹽等。該等之中，由容易控制架橋反應等的理由，架橋劑(D)以聚異氰酸酯化合物及/或聚環氧化合物為佳。
聚異氰酸酯化合物係於1分子具有2個異氰酸酯 基之化合物，可舉例如甲苯基二異氰酸酯、二苯基二異氰酸酯、二甲苯基二異氰酸酯等的芳香族聚異氰酸酯；二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、二環庚烷三異氰酸酯、亞環戊基二異氰酸酯、亞環己烯二異氰酸酯、甲基亞環己基二異氰酸酯、加氫亞二甲苯基二異氰酸酯等的脂環式異氰酸酯化合物；六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、賴氨酸二異氰酸酯等的具有鏈狀骨架之異氰酸酯。
此外，亦可使用該等化合物之雙縮脲體、異氰脲 酸酯體，或該等的化合物，與乙二醇、三甲醇基丙烷、蓖麻油等的非芳香族性低分子活性氫含有化合物之反應物之加成物等的變性體。上述聚異氰酸酯化合物，可以1種，亦可以複數種。
聚環氧化合物，係於1分子中具有2個以上的環 氧基之化合物，可舉例如，1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)甲苯、N,N,N',N'-四縮水甘油基-4,4-二胺基二苯基甲烷、N,N,N',N'-四縮水甘油基鄰二甲苯二胺、1,6-二縮水甘油基正己烷、雙酚A型環氧化合物、雙酚F型環氧化合物等。
關於本實施形態之黏著劑層3，具有基於丙烯酸系 聚合物(A)與架橋劑(D)的架橋物時，可藉由調整關於含於黏著劑層3之架橋物之架橋密度，控制黏著劑層3之照射前保持力等的特性。該架橋密度，可藉由改變用於形成黏著劑層3而含於組成物之架橋劑(D)之含量等而調整。具體而言，用於形成 黏著劑層3之黏著劑組成物所含有之架橋劑(D)係異氰酸酯系化合物時，使其含量，對丙烯酸系聚合物(A)100質量部為5質量部以上，可容易地將黏著劑層3之照射前保持力等控制於適當的範圍。由提高該控制性的觀點，由異氰酸酯系化合物所組成之架橋劑(D)之含量，對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以10質量部以上更佳，以20質量部以上特別佳。由異氰酸酯系化合物組成之架橋劑(D)之含量之上限並無特別限定，惟含量過高時，依照儲存彈性模數調整劑(C)的含量，有難以控制照射前儲存彈性模數在後述之範圍之情形，故對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以50質量部以下為佳，以40質量部以下更佳。
含於形成黏著劑層3之黏著劑組成物之架橋劑(D) 為環氧系化合物時，藉由使其含量對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以0.02質量部以上，可容易地將黏著劑層3之照射前保持力等控制於適當的範圍。由提高該控制性的觀點，由環氧系化合物組成之架橋劑(D)之含量，對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以0.05質量部以上更佳，以0.1質量部以上特別佳。由環氧系化合物組成之架橋劑(D)之含量的上限，並無特別限定，惟含量過高時，依照儲存彈性模數調整劑(C)的含量，有難以控制照射前儲存彈性模數在後述之範圍之情形，故對丙烯酸系聚合物(A)100質量部，以0.4質量部以下為佳，以0.3質量部以下更佳。
形成關於本實施形態之黏著劑層3之黏著劑組成物含有架橋劑(D)時，按照該架橋劑(D)的種類等，含有適當的 架橋促進劑為佳。例如，架橋劑(D)為聚異氰酸酯化合物時，用於形成黏著劑層3之黏著劑組成物含有有機錫化合物等的有機金屬化合物系之架橋促進劑為佳。
(5)其他的成分
用於形成包括關於本實施形態之切割片1所包括之黏著劑層3之黏著劑組成物，加上上述成分，亦可含有光聚合起始劑、染料或顏料等的著色材料、難燃劑、填充劑等的各種添加劑。
在此，關於光聚合起始劑稍微詳細地說明。光聚 合起始劑，可舉安息香化合物、苯乙酮化合物、醯基膦氧化物化合物、二茂鈦化合物、噻吨酮化合物、過氧化物化合物等的光起始劑、胺或醌等的光增感劑等，具體而言，可例示1-羥基環己基苯酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、苄基二苯基硫醚、四甲基秋蘭姆單硫化物、苯偶醯異丁腈、二苄基、聯乙醯、β-氯蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等。使用紫外線作為能量線時，藉由調合光聚合起始劑，可減少照射時間，照射量。
(6)物性、形狀等
i)照射前儲存彈性模數
關於本實施形態之切割片1所包括之黏著劑層3，照射能量線之前之23℃儲存彈性模數(照射前儲存彈性模數)為0.12MPa以下。藉由照射前儲存彈性模數滿足該範圍，即使被著面為裝置關聯非平坦面構件之非平坦面，黏著劑層3亦可容易地沾濕擴散，可得具有優良的黏著性之黏著劑層3。由穩定地提高黏著劑層3之黏著性的觀點，照射前儲存彈性模數以0.09MPa以 下為佳，以0.06MPa以下更佳。
照射前儲存彈性模數之下限，並無特別限定，惟 照射前儲存彈性模數過低時，有難以將照射前保持力控制於後述之範圍之情形。由穩定地實現將照射前保持例控制於適當的範圍的觀點，照射前儲存彈性模數以0.01MPa以上為佳，以0.02MPa以上更佳。
照射前儲存彈性模數，可藉由改變丙烯酸系聚合 物(A)之分子量及含量、其架橋程度、儲存彈性模數調整劑的種類及含量等而控制。
再者，上述照射前儲存彈性模述，可使用習知之 黏彈性測定裝置(例如，TA Instrument公司製，ARES)測定。 此外，關於其測定，如於實施例後述，以構成黏著劑層3之材料所組成之厚度1mm程度之層狀體作為被測定物，由減少測定結果之離散的觀點為佳。
ii)照射前保持力
在於本說明書，照射前保持力，係指遵照JIS Z0237：2009(ISO 29862-29864 2007)測定之能量線照射前黏著劑層3之保持力之意思。保持力的程度，係試驗片由試驗板剝落之時間，即以保持時間評估，其測定方法及算出方法，如上述規格所規定。
關於本實施形態之切割片1所包括之黏著劑層3， 進行照射前保持力之測定試驗時所測定之保持時間為15000秒以上。藉由保持時間在於15000秒以上，即使在於擴展步驟，切割片1被伸長，切割片1的黏著劑層3不容易發生團聚破壞等。因此，不容易發生在於擴展步驟無法賦予切割片1所期望 的張力，而無法將近接配置之複數封膠晶片適當地離間之異常。
保持時間越長發生上述異常的可能性越低，故保 持時間以20000秒以上更佳。保持時間的上限，於上述規格上為70000秒，關於本實施形態之切割片1所包括之黏著劑層3之保持時間，亦以70000秒特別佳。
iii)厚度
關於本實施形態之切割片1所包括之黏著劑層3之厚度為25μm以下。隨著黏著劑層3變薄，切割裝置相關構件時所形成之黏著劑團聚物之量有變少的傾向。因此，不容易發生起因於黏著劑團聚物附著於裝置晶片等的異常。切割片的厚度的下限，並無特別限定，惟過薄時，有發生黏著劑層3之黏著性的誤差變大等問題之虞，著劑層3之厚度以2μm以上為佳，以5μm以上更佳。
iv)剝離片
關於本實施形態之切割片1，在直到將黏著劑層3黏貼於被著體之裝置相關構件之前之間，以保護黏著劑層3為目的，亦可於黏著劑層3與基板相對之側之相反側的面，黏貼剝離片之剝離面。剝離片之構成為任意，可例示將塑膠薄膜以剝離劑等剝離處理者。塑膠薄膜之具體例，可舉聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯薄膜，或聚乙烯或聚丙烯等的聚烯烴薄膜。剝離劑，使用矽酮系、氟系、長鏈烷基系等，該等之中，以可得廉價而穩定的性能之矽酮系為佳。剝離片的厚度，並無特別限制，通常為20μm以 上250μm以下的程度。
3.切割片的製造方法
切割片1的製造方法，只要是可將由上述黏著劑組成物形成之黏著劑層3層積於基材2一面，詳細的方法並無特別限定。舉一例，則調製含有上述黏著劑組成物、及根據所期望進一步含有溶劑之塗層用組成物，於基材2的一面上，藉由模具塗佈機、淋幕塗佈機、噴霧塗佈機、狹縫塗佈機、刮刀塗佈機等將該塗層用組成物塗佈形成塗膜，藉由使該一面上的塗膜乾燥，形成黏著劑層3。塗層用組成物，只要可進行塗佈，其性狀並無特別限定，有將用於形成黏著劑層3之成分作為溶質含有之情形，亦有作為分散質含有之情形。
塗層用組成物含有架橋劑(D)時，藉由改變上述乾燥條件(溫度、時間等)，或者另外設置加熱處理，使塗膜內的丙烯酸系聚合物(A)與架橋劑(D)進行架橋反應，於黏著劑層3內以所期望的存在密度形成架橋構造即可。為使該架橋反應充分進行，亦可藉由上述方法等將黏著劑層3層積於基材2之後，將所得切割片1，進行例如於23℃、相對濕度50%之環境靜置數日之熟成。
切割片1的製造方法之別的一例，可將塗佈用組成物塗佈於上述剝離片之剝離面上形成塗膜，將此乾燥形成黏著劑層3與剝離片所組成之層積體，將在於該層積體之黏著劑層3與剝離片相對之側之相反側之面黏貼於基材2之基材被著面，得到切割片1與剝離片之層積體。在於該層積體之剝離片可作為步驟材剝離，亦可直到黏貼於半導體構裝之間保護黏著 劑層3。
4.裝置晶片之製造方法
使用關於本實施形態之切割片1由半導體構裝製造封膠晶片時之具體例，以下說明由裝置相關構件製造裝置晶片之方法。
半導體構裝，係如上所述於基台的集合體之各基 台上搭載半導體晶片，將該等半導體晶片一起以樹脂封裝的電子零件的集合體，而通常具有基板面與樹指封裝面，其厚度為200~2000μm程度。於樹脂封裝面之表面之算術平均粗糙度Ra為0.5~10μm程度而較矽鏡面基板(Ra：0.005μm)粗糙，此外，為容易地由封裝裝置之模具取出，封裝材料有含有脫模成分之情形。因此，將切割片黏貼於半導體構裝之樹指封裝面時，有無法充分發揮固定性能之傾向。
關於本實施形態之切割片1，在於使用時，將黏著 劑層3側之面(即，黏著劑層3之與基材2相反側之面)黏貼於半導體構裝樹脂封裝面。再者，於切割片1之黏著劑層3側之面黏貼有剝離片時，將該剝離片剝離使黏著劑層3側之面露出，將該面黏貼於半導體構裝之樹脂封裝面即可。切割片1之周緣部，通常係藉由設於該部分之黏著劑層3，黏貼於稱為環形框之輸送或用於固定在裝置之環狀夾具。由於黏著劑層3，係將照射前儲存彈性模數控制在適當的範圍，故對半導體構裝之樹脂封裝面所組成之被著面容易沾濕擴散，具有優良的密著性。因此，使用關於本實施形態之切割片1時，於切割步驟不容易發生晶片的飛散。再者，藉由切割步驟所形成之封膠晶片的尺寸，通常為5mm×5mm以下，近年亦有作成1mm×1mm程 度之情形，惟關於本實施形態之切割片1之黏著劑層3由於具有優良的黏著性，對如此之細微間距之切割亦可充分對應。
藉由實施以上的切割步驟，可由半導體構裝得到 複散的封膠晶片。切割步驟結束後，為容易拾取近接配置於切割片1上之複數封膠晶片，進行將切割片1向主面內方向伸長之擴展步驟。該伸長的程度，考慮近接配置之封膠晶片應具有的間隔、基材2之拉伸強度等適宜設定即可。關於本實施形態之黏著劑層3，照射前保持力高。因此，在於擴展步驟於伸長中不容易發生黏著劑層3之團聚破壞等而無法對切割片1賦予所期望的張力，近接配置之複數封膠晶片無法適當地離間之異常。
藉由實施擴展步驟，使近接配置之封膠晶片互相 適當地離間，則藉由真空夾頭等的泛用手段，進行黏著劑層3上的封膠晶片之拾取。拾取之封膠晶片，將供於輸送步驟等下一步驟。
再者，切割步驟結束後，到開始拾取步驟，藉由 對關於本實施形態之切割片1，由基材2側進行能量線照射，使切割片1所包括之黏著劑層3內部，含於此之能量線聚合性化合物(B)進行聚合反應，可提高拾取步驟之工作性。該能量線照射之實施時期，只要在結束切割步驟之後，開始拾取步驟之前，並無特別限定。
如以上所說明，關於本實施形態之裝置晶片之製 造方法，不容易發生晶片的飛散。因此，將裝置相關構件分割成複數裝置晶片之切割步驟之良率不容易降低。因此，使用關 於本實施形態之切割片1之本實施形態之製造方法所得之裝置晶片，容易成為成本性有利者。此外，晶片飛散，不僅是飛散的裝置晶片，因該飛散的裝置晶片撞擊沒有飛散的裝置晶片等，而有引起同批次所製造的其他的裝置晶片的缺陷等的問題之情形。因此，關於本實施形態之裝置晶片之製造方法所製造之裝置晶片，減低具有如此之問題的可能性，而品質優良。
以上所說明之實施形態，係為容易理解本發明而 記載者，並非限定本發明而記載者。因此揭示於上述實施形態之各要素，係包含屬於本發明之技術性範圍之所有設計變更或均等物者之主旨。
[實施例]
以下，藉由實施例等進一步具體說明本發明，惟本發明之範圍並非限定於該等實施例等。
〔實施例1〕
(1)塗層用組成物之調製
調製具有如下組成之溶液狀態之塗層用組成物(溶劑：甲苯)。
i)作為丙烯酸系聚合物(A)，將90質量部丙烯酸丁酯與10質量部丙烯酸共聚合而得之共聚物(重量平均分子量：80萬，玻璃轉移溫度Tg：-45℃)，以固形分100質量部；ii)作為能量線聚合性化合物(B)，包含10官能尿烷丙烯酸酯(重量平均分子量1740)之UV硬化性成分(日本合成化學公司製：UV-5806，含有光聚合開始劑。)，以固形分100重量部；及 iii)作為架橋劑(D)，含有三羥甲基丙烷甲苯二異氰酸酯(TDI-TMP)之架橋劑成分(日本聚氨酯公司製：CORONATE L)，以固形分5質量部。
所得塗層用組成物所含有之成分之中，具有作為儲存彈性模數調整劑(C)之性質之成分係UV硬化性成分，其含量對丙烯酸系聚合物(A)100質量部為100質量部。
(2)切割片的製作
準備於厚度38μm之聚對苯二甲酸乙二醇酯製基材薄膜之一方的主面上形成矽酮系剝離劑層而成之剝離片(LINTEC公司製：SP-PET381031)。於該剝離片之剝離面上，以刮刀塗佈機，使最終所得之黏著劑層之厚度為10μm地塗佈上述塗層用組成物。將所得塗膜，每剝離片在100℃的環境下經過1分鐘使塗膜乾燥，得到由剝離片與黏著劑層(厚度：10μm)之層積體。黏著劑層之厚度係使用定壓厚度測定器(TECLOCK公司製：PG-02)測定。
以厚度140μm之乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)薄膜(25%變形時拉伸應力：10.8N/10mm、最大拉伸應力：25.5MPa、破斷伸度：525%)所組成之基材之一方的面作為基材被著面，於該面，黏貼上述層積體之黏著劑層側之面，得到將由第1圖所示之基材與黏著劑層所組成之切割片，進一步於黏著劑層之表層積剝離片的狀態。
〔實施例2〕
調製具有如下組成之溶液狀態之塗層用組成物(溶劑：甲苯)。
i)作為丙烯酸系聚合物(A)，97.5質量部之丁基丙烯酸酯與2質量部之丙烯酸及0.5質量部之丙烯酸2-羥基乙酯共聚合而得之共聚物((重量平均分子量：80萬，玻璃轉移溫度Tg：-53℃)，以固形分100質量部；ii)作為能量線聚合性化合物(B)，包含3~4官能尿烷丙烯酸酯(重量平均分子量：5000)之UV硬化性成分(大日本精化工業公司製：EXL810TL，含有光聚合開始劑。)，以固形分200重量部；及iii)作為黏著賦予樹脂，聚合松香酯(C1)(重量平均分子量：900)4質量部、加氫松香酯(C2)(重量平均分子量：900)25質量部及碳化氫樹脂(C3)(重量平均分子量：1200)24質量部之混合物所組成之黏著賦予樹脂成分，以固形分100重量部；及iv)架橋劑(D)，含有TDI-TMP之架橋劑成分(日本聚氨酯公司製：CORONATE L)，以固體分5質量部。
所得塗層用組成物所含有之成分之中，具有作為儲存彈性模數調整劑(C)之性質之成分係UV硬化性成分，其含量對丙烯酸系聚合物(A)100質量部為100質量部。
以下，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔實施例3〕
在於實施例2，使塗層用組成物所含有之UV硬化性成分之含量為300質量部，架橋劑成分之含量為7.5質量部以外，以與實施例2進行同樣的操作，得到切割片。再者，關於實施例3之塗層用組成物所含有之成分之中，使具有作為儲存彈性模數調整劑(C)之性質之成分的含量對丙烯酸系聚合物(A)100質 量為100質量部。
〔實施例4〕
在於實施例1，藉由將塗層用組成物所含有之UV硬化性成分之含量變更為120質量部，使塗層用組成物所含有之成分之中，具有作為儲存彈性模數調整劑(C)之性質之成分之含量對丙烯酸系聚合物(A)100質量部為120質量部以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔實施例5〕
在於實施例1，藉由將塗層用組成物所含有之UV硬化性成分之含量變更為75質量部，使塗層用組成物所含有之成分之中，具有作為儲存彈性模數調整劑(C)之性質之成分之含量對丙烯酸系聚合物(A)100質量部為75質量部以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔實施例6〕
在於實施例1，將黏著劑層之厚度由10μm變更為20μm以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔實施例7〕
在於實施例1，將黏著劑層之厚度由10μm變更為25μm以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔實施例8〕
在於實施例1，藉由將塗層用組成物所含有之UV硬化性成分之含量變更為110質量部，使塗層用組成物所含有之成分之中，具有作為儲存彈性模數調整劑(C)之性質之成分之含量對丙烯酸系聚合物(A)100質量部為110質量部以外，進行與實施 例1同樣的操作，得到切割片。
〔實施例9〕
在於實施例1，將構成基材之薄膜之種類，由乙烯系共聚合薄模之一種之EMAA薄膜，變更為聚烯烴系薄膜之一種之聚丙烯薄膜(厚度：140μm、25%變形時拉伸應力：17N/10mm，最大拉伸應力：30MPa，破斷伸度：600%)以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔實施例10〕
在於實施例1，將塗佈用組成物所含有之架橋劑成分，將架橋劑成分(D)變更為1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷之架橋劑成分(三菱氣體化學製：TETRAD-C，固體分濃度：100質量%)，使其含量以固形分對丙烯酸系聚合物(A)100質量部為0.07質量部以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔比較例1〕
在於實施例1，將塗層用組成物所含有之U V硬化性成分之種類，變更為關於實施例2之塗層用組成所含有之UV硬化性成分(含量：對丙烯酸系聚合物(A)100質量部為100質量部)，塗層用組成物不含有作為儲存彈性模數調整劑(C)之性質之成分的同時，將黏著劑層之厚度由10μm變更為30μm以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔比較例2〕
在於比較例1，將黏著劑層之厚度，由30μm變更為10μm以外，以與比較例1進行同樣的操作，得到切割片。
〔比較例3〕
在於實施例1，藉由將塗層用組成物所含有之UV硬化性成分之含量變更為150量部，使塗層用組成物所含有之成分之中具有作為儲存彈性模數調整劑(C)之性質之成分之含量對丙烯酸系聚合物(A)100質量部為150質量部以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔比較例4〕
在於實施例1，將塗層用組成物所含有之UV硬化性成分變更為包含異戊四醇四丙烯酸酯(重量平均分子量：704)之成分(DAICE．CYTEC公司製：EBECRYL40)以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔比較例5〕
在於實施例2，將架橋劑成分之含量變更為2.5質量部以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔比較例6〕
在於實施例1，將黏著劑層之厚度由10μm變更為30μm以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
〔比較例7〕
在於比較例2，使塗層用組成物所含有之UV硬化性成分之含量對丙烯酸系聚合物(A)100質量部為200質量部以外，進行與比較例2同樣的操作，得到切割片。
〔比較例8〕
在於實施例1，藉由將塗層用組成物所含有之UV硬化性成分之含量變更為140質量部，使塗層用組成物所含有之成分之 中具有作為儲存彈性模數調整劑(C)之性質之成分之含量對丙烯酸系聚合物(A)100質量部為140質量部以外，進行與實施例1同樣的操作，得到切割片。
將用於製造關於以上之實施例及比較例之切割片 所調製之塗層用組成物之組成等整理表示於第1表。在於第1表之成分之種類之簡稱之意思如下所示。
．丙烯酸系聚合物(A)
「聚合物1」：在於實施例1等所使用之成分
「聚合物2」：在於實施例2等使用之成分
．UV硬化性成分
「UV1」：在於實施例1等所使用之成分
「UV2」：在於實施例2等所使用之成分
「UV3」：在於比較例4等所使用之成分
．架橋劑成分
「L1」：在於實施例1等所使用之成分
「L2」：：在於實施例10等所使用之成分
此外，在於第1表之各成分之含量之欄之數值係對丙烯酸系聚合物(A)100質量部之質量部數之意思。再者，將關於實施例及比較例之切割片之黏著劑層之厚度表示於第2表。
〔試驗例1〕<儲存彈性模數之測定>
準備於厚度38μm之聚對苯二甲酸乙二醇酯製基材薄膜之一方的主面上形成厚度0.1μm之矽酮系剝離劑層而成之剝離片(LINTEC公司製：SP-PET382120)。將各個在於實施例及比較例調製之塗層用組成物，以刮刀塗佈機，使最終所得之黏著劑層之厚度40μm地塗佈於上述剝離片之剝離面上。將所得塗膜，每剝離片在100℃的環境下經過1分鐘使塗膜乾燥，準備複數由各塗層用組成物所形成之黏著劑層(厚度：40μm)與剝離片所構成之層積體。使用該等層積體，將由各塗層用組合物 所形成之黏著劑層黏合到成為厚度800μm，將所得黏著劑層之層積體沖出直徑10mm之圓形，得到測定由各塗層用組成物所形成之黏著劑層之黏彈性之試料。以黏彈性測定裝置(TA Instrument公司製：ARES)，對上述試料施加頻率1Hz之變形，測定-50~150℃之儲存彈性模數，將在於23℃之儲存彈性模數之值作為照射前儲存彈性模數。將測定結果示於第2表。
〔試驗例2〕<保持力之測定>
將在於實施例及比較例所製作之切割片之各個照射前保持力之測定試驗，遵照JIS Z0237：2009進行。保持時間之測定結果及測定試驗後是否發生位移(於試驗時間中掉落時表示為掉落。)示於第2表。
〔試驗例3〕<黏著劑團聚物之發生狀況的評估>
代替半導體基板於玻璃環氧板(於玻璃纖維含浸環氧樹脂，使之硬化者)上，將半導體構裝用樹脂(KYOCERA CHEMICALS製：KE-G1250)以下述條件轉移成型，形成尺寸：50mm×50mm，厚度：600μm之封裝樹脂，得到模擬作為裝置相關構件之半導體構裝之構件(以下，稱為「試驗構件」。)。
<轉移成型條件>
封裝裝置：APICYAMAD公司製，MPC-06M Trial Pres s
注入樹脂溫度：180℃
樹脂注入壓：6.9MPa
樹脂注入時間：120秒
所得試驗構件之封裝樹脂側之面之算術平均粗糙度Ra為2μm。
於試驗構件之封裝樹脂側之面，分別將實施例及比較例所製作之切割片以貼膜機(Lintec公司製：Adwill RAD-2500m/12)黏貼，使切割用環形框(DISCO公司製：2-6-1)，附著於所得試驗構件與切割片之層積體之試驗構件側之面之周緣部(切割片之黏著劑層側之面露出的部分)。接著，以如下條件，將試驗構件切割，得到模擬5mm四方之裝置晶片之晶片狀構件(個數：100)
<切割條件>
．切割裝置：DISCO公司製DFD-651
．刀片：DISCO公司製ZBT-5074(Z111OLS3)
．刀刃厚度：0.17mm
．刀尖露出量：3.3mm
．刀片旋轉數：30000rpm
．切削速度：50mm/分
．基材切入深度：50μm
．切削水量：1.0L/分
．切削水溫度：20℃
由所得晶片狀構件任意選擇4個構件的側面以光學顯微鏡觀察，數附著於該等的側面之30μm以上之大小的黏著劑團聚物之個數。基於所得個數，將黏著劑團聚物的發生狀況以如下5階段評估。
5：20個以下
4：21-40個
3：41-60個
2：61-80個
1：81個以上
將評估結果示於第2表。
〔試驗例4〕<在切割程的片屑飛散數的測定>
進行與試驗例3同樣的操作，得到尺寸：50mm×50mm，厚度：600μm之包括封裝樹脂之試驗構件。所得試驗構件之封裝樹脂側之面之算術平均粗糙度為Ra：2μm。
於試驗構件之封裝樹脂側之面，分別將實施例及比較例所製作之切割片以貼膜機(Lintec公司製：Adwill RAD-2500m/12)黏貼，使切割用環形框(DISCO公司製：2-6-1)，附著於所得試驗構件與切割片之層積體之試驗構件側之面之周緣部(切割片之黏著劑層側之面露出的部分)。接著，將切割間距由5mm變更為1mm的同時，將切削速度變更為100mm/分、刀片旋轉數變更為50000rpm以外，以與試驗例3同樣的條件將試驗構件切割，得到1mm四方之模擬裝置晶片之晶片狀構件(個數：2500)。
切割後，以目視數由切割片飛散的半導體零件的個數。將測定結果示於第2表。
〔試驗例5〕<擴展適性試驗>
對以試驗例4之條件進行切割而得，附著複數裝置晶片之切割片，由基材側進行紫外線照射(照度：230mW/cm2、光量：190mJ/cm2)之後，使用擴展裝置(JCM公司製：SE-100)，將切割片周緣部的環形框以5mm/s的速度拉下10mm，進行切割片的擴展。
以被擴展的狀態放置1時間後，以目視確認在於切割片之黏貼於環形框之部分(周緣部)是否有發生偏移，以如下基準評估。
良：沒有確認到偏移
否：確認到偏移
將評估結果示於第2表。
由第2表可知，滿足本發明之條件之實施例之切 割片，可說在於切割步驟及擴展步驟均不容易發生異常。此外，亦可說於裝置晶片不容易發生起因於黏著劑團聚物之異常。
【產業上的可利性】
關於本發明之切割片，可良好第使用於作為，特別是被著面為非平坦面之裝置相關非平坦面構件之切割片。
1‧‧‧切割片
2‧‧‧基材
3‧‧‧黏著劑層

Claims (7)

  1. 一種切割片，包括：基材；及黏著劑層，其係層積於上述基材之至少一方的面之切割片，其特徵在於：上述黏著劑層，係由含有丙烯酸系聚合物(A)及能量線聚合性化合物(B)之黏著劑組成物所形成者，上述黏著劑層之厚度為25μm以下，在於上述黏著劑層在於能量線照射之前之23℃之儲存彈性模數為0.12MPa以下，且將上述黏著劑層之能量線照射前之保持力之測定試驗，遵照JIS Z0237：2009進行時所測定之保持時間為15000秒以上。
  2. 根據申請專利範圍第1項之切割片，其中上述黏著劑組成物，將重量平均分子量為4,000以下之儲存彈性模數調整劑(C)，對上述丙烯酸系聚合物(A)100質量部，含有50質量部以上。
  3. 根據申請專利範圍第1項之切割片，其中上述能量線聚合性化合物(B)之至少一部分，具有作為上述儲存彈性模數調整劑(C)之性質。
  4. 根據申請專利範圍第1項之切割片，其中上述黏著劑組成物，將可與上述丙烯酸系聚合物(A)架橋反應之架橋劑(D)，對上述丙烯酸系聚合物(A)100質量部，含有0.02質量部以上。
  5. 根據申請專利範圍第1項之切割片，其中上述基材，包括乙烯系共聚合薄膜及聚烯烴系薄膜之至少一方。
  6. 根據申請專利範圍第1項之切割片，其中上述黏著劑層之與上述基材之反對側之面，係黏貼於裝置相關構件之面。
  7. 一種裝置晶片的製造方法，將關於申請專利範圍第1至6項中任一項之切割片之上述黏著劑層側之面，黏貼於裝置相關構件之面，將上述切割片上之上述裝置相關構件切斷個片化，得到複數裝置晶片。
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