TW201403636A - 導電性膜 - Google Patents

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Abstract

本發明的導電性膜(10)是具有由金屬細線(16)構成的導電部(14)與開口部(18)的導電性膜，且導電部(14)具有多條金屬細線(16)的交點(22)，在金屬細線(16)上、且交點(22)以外的部分配置有莫爾紋抑制部(26)(突出部)。莫爾紋抑制部(26)較佳為隨機地配置。

Description

導電性膜
本發明是有關於一種可抑制莫爾紋(moire)的產生的導電性膜。
近來，作為設置於顯示裝置上的導電性膜，受到矚目的有用於觸控面板(touch panel)的導電性膜。觸控面板主要應用於個人數位助理(personal digital assistant，PDA)或行動電話等的小尺寸設備中，但考慮推進在電腦用顯示器等中應用的大尺寸化。
在此種未來的動向中，現有的電極由於使用氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)，因此隨著電阻變大、應用尺寸變大，而存在電極間的電流的傳遞速度變慢，響應速度(自接觸指尖後至檢測該位置為止的時間)變慢的問題。
因此認為，藉由將排列多個由金屬製細線(金屬細線)構成的格子而構成電極，而降低表面電阻。作為形成金屬細線的方法，例如可列舉日本專利特開2004-221564號公報。
在將排列多個此種藉由金屬細線所得的格子而成的導電性膜配置於顯示裝置的顯示面板上時，有因與顯示裝置的畫素陣列(array)圖案的干涉而產生莫爾紋的情況。作為降低此種莫 爾紋的方法，先前提出了在格子的交叉部形成莫爾紋抑制部(參照日本專利特開2008-282924號公報)、或在格子的開口部中在連結交叉部的線上形成莫爾紋抑制部的方法(參照日本專利特開2008-306177號公報)。
例如如上所述般，在使用金屬細線作為觸控面板的電極時，由於金屬細線由不透明的材料製作，因此透明性或視認性成為問題。將使用金屬細線作為電極的導電性膜置於顯示裝置的顯示面板上而使用時，在以下的2種模式中亦需要良好的視認性。
第1模式是：在使顯示裝置點亮、顯示時，難以視認金屬細線，可見光透射率高，且難以產生由顯示裝置的畫素週期(例如液晶顯示器的黑色矩陣圖案)與導電圖案的光學干涉所產生的莫爾紋等雜訊。
第2模式是：在將顯示裝置熄滅成為黑畫面，藉由螢光燈、太陽光、發光二極體(light-emitting diode，LED)光等的外界光的狀態觀察時，難以視認金屬細線。
日本專利特開2008-282924號公報中所記載的構成中，由於在交叉部形成金屬層而使交叉部的面積變大，因此格子的交叉部容易變得顯眼，而在視認性方面不利。日本專利特開2008-306177號公報中所記載的構成中，由於在開口部形成金屬層，因此有開口率降低、透明性降低的擔憂。
本發明是考慮此種課題而完成，目的是提供一種導電性 膜，其即便在排列多個由金屬細線構成的格子而構成例如觸控面板等的電極的情況下，亦可降低莫爾紋的產生，並且難以視認金屬細線，且可確保高的透明性。
[1]本發明的導電性膜具有由金屬細線構成的導電部與開口部，其特徵在於：上述導電部具有因多條上述金屬細線所形成的交點，在上述金屬細線上、且上述交點以外的部分配置有突出部。
藉此，成為在金屬細線上配置有以上述交點為中心的交叉部、及以金屬細線與突出部的交點為中心的模擬性交叉部的形態，因此交叉部的排列變得不規則，不會集中於特定的空間頻率。其結果是，即便將導電性膜設置於例如顯示裝置的顯示面板上，亦不會產生與畫素陣列圖案的干涉，並可降低莫爾紋的產生。
即，在將導電性膜設置於顯示面板上，使用由金屬細線構成的導電部作為例如觸控面板等的電極的情況下或用作電磁波屏蔽過濾器的情況下，亦可降低莫爾紋的產生，並且難以視認金屬細線，且可確保高的透明性。
[2]本發明中，上述導電部與上述開口部的組合形狀可為篩孔(mesh)形狀。
[3]此時，上述突出部較佳為在構成上述篩孔形狀的多條邊中，在至少1條邊、且不與上述篩孔形狀的交點重疊的位置，與上述1條邊交叉而配置。
[4]而且，上述突出部與上述1條邊交叉而延伸配置，上 述突出部的形狀可為以上述延伸方向為長軸的線段形狀、橢圓形狀、菱形形狀、平行四邊形形狀或多角形狀。
[5]而且，上述突出部可為以上述延伸方向為長軸的線段形狀。
[6]此時，較佳為與上述1條邊交叉的其他邊、與上述突出部的上述長軸大致平行。
[7]並且，在將上述1條邊的寬度設為Wa、將上述1條邊的長度設為La、將上述突出部的延伸方向的長度設為Lb時，較佳為Wa<Lb≦La。
[8]此時，較佳為Lb≧2×Wa且Lb≦La/2。
[9]並且，在數值規定中，較佳為5μm≦Lb≦100μm。
[10]並且，在將上述1條邊的寬度設為Wa、將上述突出部的線寬設為Wb時，較佳為0.995×Wa≦Wb≦3×Wa。
[11]而且，在將自上述篩孔形狀的交點至上述1條邊上的上述突出部的中心位置為止的距離設為Da、將上述1條邊的長度設為La時，較佳為 0.1×La≦Da≦0.9×La。
[12]上述突出部的線寬較佳為30μm以下。線寬更佳為10μm以下，尤佳為7μm以下。
[13]上述1條邊的長度較佳為50μm以上、900μm以下。長度更佳為50μm以上、600μm以下，尤佳為50μm以上、500μm以下。
[14]另外，較佳為上述導電部具有包含多個上述篩孔形狀的篩孔圖案、多個上述突出部相對於上述篩孔圖案而隨機地配置。
[15]此時，構成上述篩孔圖案的上述多個篩孔形狀中，未配置上述突出部的篩孔形狀可隨機地存在。
[16]構成上述篩孔圖案的上述多個篩孔形狀中，上述突出部相對於配置有上述突出部的1個以上篩孔形狀的配置位置可為隨機。
[17]配置有上述突出部的上述1個以上篩孔形狀中，在多條邊上配置有上述突出部的篩孔形狀中，上述突出部在上述多條邊上的配置位置可為隨機。
[18]在自上述篩孔形狀的1個交點呈放射狀延伸的多條邊上分別配置的上述突出部中，至少1個上述突出部自上述1個交點至中心位置為止的距離可與其他不同。
[19]鄰接的邊的分別配置的上述突出部，距分別對應的交點的距離可不同。
[20]另外，在將上述邊的條數設為Na、將上述突出部的個數設為Nb、將上述突出部的配置率設為(Nb/Na)×100%時，上述配置率較佳為10%以上、100%以下。
[21]上述金屬細線的線寬較佳為30μm以下。線寬更佳為10μm以下，尤佳為7μm以下。下限值為0.1μm以上。
[22]開口率較佳為90%以上。
如以上所說明般，根據本發明的導電性膜，在排列多個由金屬細線構成的格子而構成例如觸控面板等的電極時，亦可降低莫爾紋的產生，並且難以視認金屬細線，且可確保高的透明性。
上述目的、特徵及優點根據參照隨附的圖式而說明的以下的實施方式的說明，應可容易地理解。
10‧‧‧導電性膜
10a、10b、10c‧‧‧導電膜
12‧‧‧基體
14‧‧‧導電部
16‧‧‧金屬細線
16a‧‧‧第1金屬細線
16b‧‧‧第2金屬細線
18‧‧‧開口部
18a、18b‧‧‧開口部
20‧‧‧篩孔圖案
22、32‧‧‧交點
24‧‧‧格子
26‧‧‧莫爾紋抑制部(突出部)
26a‧‧‧第1突出部
26b‧‧‧第2突出部
28‧‧‧邊
30、34‧‧‧交叉部
36‧‧‧鹵化銀
38‧‧‧明膠
40‧‧‧銀鹽感光層
42‧‧‧顯影銀
44‧‧‧金屬銀部
46‧‧‧透光性部
48‧‧‧導電性金屬
50‧‧‧銅箔
52‧‧‧光阻膜
54‧‧‧抗蝕劑圖案
56‧‧‧膏
58‧‧‧鍍金屬
La、Lb‧‧‧長度
Lb1、Lb2‧‧‧突出長度
Da‧‧‧距離
Wa、Wb‧‧‧線寬
θa、θb、θ1、θ2‧‧‧角
圖1是表示本實施方式的導電性膜的一例的平面圖。
圖2是省略一部分導電性膜而表示的剖面圖。
圖3是將導電性膜的一例進行一部分放大而表示的平面圖。
圖4(圖4A~圖4E)是表示本實施方式的導電性膜的製造方法的一例的流程圖(process chart)。
圖5A及圖5B是表示本實施方式的導電性膜的製造方法的其他例的流程圖。
圖6A及圖6B是表示本實施方式的導電性膜的製造方法的進一步其他例的流程圖。
圖7是表示本實施方式的導電性膜的製造方法的進一步其他例的流程圖。
圖8是表示第1變形例的導電膜的一例的平面圖。
圖9是表示第2變形例的導電膜的一例的平面圖。
圖10是表示第3變形例的導電膜的一例的平面圖。
以下，一邊參照圖1~圖10，一邊對本發明的導電性膜的實施方式例進行說明。另外，本說明書中表示數值範圍的「~」，以包含其前後所記載的數值作為下限值及上限值的含義來使用。
本實施方式的導電性膜10如圖1及圖2所示般，具有透明性基體12(參照圖2)、及形成於基體12的一個主面的導電部14。導電部14具有藉由金屬製細線(以下記為金屬細線16)與開口部18所形成的篩孔圖案20。金屬細線16例如由金(Au)、銀(Ag)或銅(Cu)構成。
具體而言，導電部14如圖1所示般具有篩孔圖案20，該篩孔圖案20是向第1方向(x方向)延伸且朝第2方向(圖1中為y方向)排列的多條第1金屬細線16a、與向第2方向延伸且朝第1方向排列的多條第2金屬細線16b，分別交叉而形成。篩孔圖案20具有藉由多條第1金屬細線16a與多條第2金屬細線16b所形成的多個交點22。
另外，篩孔圖案20的1個篩孔形狀、即1個開口部18、與包圍該1個開口部18的4條金屬細線16的組合形狀(以下記為格子24)，如圖1所示般可為正方形，亦可為菱形。此外，還可為正六角形等多角形狀。另外，除了使格子24的一邊的形狀為直線狀外，亦可為彎曲形狀，還可為圓弧狀。在形成為圓弧狀時，例如關於相對向的2邊，可向外方形成凸的圓弧狀，關於另外相對向的2邊，可向內方形成凸的圓弧狀。另外，亦可使各邊的形狀形成為向外方凸的圓弧與向內方凸的圓弧連續的波狀線形狀。當然還可使各邊的形狀形成為正弦曲線。
並且，本實施方式中，如圖1所示般，在金屬細線16上、且交點22以外的部分配置(形成)有莫爾紋抑制部26(突出部)。具體而言，莫爾紋抑制部26是在構成格子24的多條邊28中在至少1條邊28、且不與格子24的交點22重疊的位置上，與1條邊28交叉而延伸配置。莫爾紋抑制部26的形狀在圖1中呈現以延伸方向為長軸的線段形狀。當然，此外亦可為以延伸方向為長軸的橢圓形狀、菱形形狀、平行四邊形形狀或多角形狀。莫爾紋抑制部26可藉由與金屬細線16相同的金屬材料形成，亦可藉由其他金屬材料形成。
另外，多個莫爾紋抑制部26相對於篩孔圖案20而隨機地配置。「隨機地配置」的含義是指至少下述(a)~(e)中的1個以上。
(a)構成篩孔圖案20的多個格子24中，未配置莫爾紋抑制 部26的格子24隨機地存在。
(b)構成篩孔圖案20的多個格子24中，莫爾紋抑制部26相對於配置有莫爾紋抑制部26的1個以上格子24的配置位置為隨機。
(c)配置有莫爾紋抑制部26的1個以上格子24中，在多條邊28上配置有莫爾紋抑制部26的格子24中，莫爾紋抑制部26在多條邊28上的配置位置為隨機。
(d)在自格子24的1個交點22呈放射狀延伸的多條邊28上分別配置有莫爾紋抑制部26的情況下，至少1個莫爾紋抑制部26中，自1個交點22至中心位置為止的距離與其他不同。
(e)在鄰接的邊28上分別配置有莫爾紋抑制部26的情況下，距分別對應的交點22的距離不同。
如此，藉由在金屬細線16上、且交點22以外的部分配置線段形狀的莫爾紋抑制部26，而成為在篩孔圖案20中配置有以格子24本來的交點22為中心的十字狀交叉部30、及以格子24的邊28與莫爾紋抑制部26的交點32為中心的模擬性十字狀交叉部34的形態，且由於隨機地配置莫爾紋抑制部26，因此交叉部30及交叉部34的排列變得不規則，而不會集中於特定的空間頻率。其結果是，即便將本實施方式的導電性膜10設置於例如顯示裝置的顯示面板上，亦不會產生與畫素陣列圖案的干涉，並且可降低莫爾紋的產生。
即，在將導電性膜10設置於顯示面板上而排列多個藉 由金屬細線16所形成的格子24而用作例如觸控面板等的電極的情況下、或用作電磁波屏蔽過濾器的情況下，亦可降低莫爾紋的產生，並且難以視認金屬細線16，且可確保高的透明性。
並且，如圖3所示般，在將格子24的1條邊28的寬度設為Wa、將1條邊28的長度(2個交點22間的長度)設為La、將莫爾紋抑制部26的延伸方向的長度設為Lb時，較佳為Wa<Lb≦La。
在數值規定中，較佳為5μm≦Lb≦100μm。
長度Lb的下限較佳為2×Wa以上，更佳為3×Wa以上，尤佳為4×Wa以上。長度Lb的上限較佳為La以下，更佳為La/2以下，尤佳為La/3以下，特佳為La/4以下。
另外，在莫爾紋抑制部26的一個開口部18a上的第1突出部26a的長度(突出長度Lb1)、與在另一個開口部18b上的第2突出部26b的長度(突出長度Lb2)，可相同亦可不同。此時，各突出長度Lb1及突出長度Lb2的下限，較佳為Wa以上，更佳為1.5×Wa以上，尤佳為2×Wa以上。各突出長度Lb1及突出長度Lb2的上限，較佳為La/2以下，更佳為La/4以下，尤佳為La/6以下，特佳為La/8以下。
若莫爾紋抑制部26的延伸方向的長度Lb過短，則無法形成模擬性十字狀交叉部34，並且無法獲得降低莫爾紋的產生的 效果。若長度Lb過長，則開口率降低，而無法確保高的透明性。這對於各突出長度Lb1及突出長度Lb2而言亦相同。
莫爾紋抑制部26的線寬Wb較佳為30μm以下。線寬更佳為10μm以下，尤佳為7μm以下。此時，格子24的1條邊28的寬度Wa、與莫爾紋抑制部26的線寬Wb的關係較佳為0.995×Wa≦Wb≦3.000×Wa。
格子24的1條邊28的寬度Wa、與莫爾紋抑制部26的線寬Wb的關係更佳為0.995×Wa≦Wb≦2.500×Wa，尤佳為0.995×Wa≦Wb≦1.500×Wa。
格子24的1條邊28的寬度Wa、與莫爾紋抑制部26的線寬Wb的關係特佳為Wb=Wa。
若莫爾紋抑制部26的線寬Wb過小，則實質上不會成為模擬性十字狀交叉部34，而無法獲得降低莫爾紋的產生的效果。若線寬Wb過大，則開口率降低，而無法確保高的透明性。
另外較佳為，與配置有莫爾紋抑制部26的1條邊28交叉的另一邊、與該莫爾紋抑制部26的延伸方向(長軸)大致平行。所謂大致平行，是將上述1條邊28的延伸方向與莫爾紋抑制部26的延伸方向所成的角設為θ1、將上述1條邊28的延伸方向與上述另一條邊所成的角設為θ2時，為0°≦| θ1-θ2 |≦5°。若格子24的形狀為正方形或長方形，則較佳為上述1條邊28與莫爾紋抑制部26的延伸方向大致正交。藉此，可由莫爾紋抑制部26與1條邊28構成模擬性十字狀交叉部34。
當然，上述邊28的延伸方向與第1突出部26a的延伸方向所成的角| θa |、與上述邊28的延伸方向與第2突出部26b的延伸方向所成的角| θb |亦可不同。此時較佳為0°≦| θa-θ2 |≦5°、0°≦| θb-θ2 |≦5°。
另外，在將自格子24的交點22至1條邊28上的莫爾紋抑制部26的中心位置為止的距離設為Da、將1條邊28的長度設為La時，較佳為0.1×La≦Da≦0.9×La。
若距離Da過小、或與1條邊28的長度La大致相同， 則莫爾紋抑制部26靠近格子24的交點22而配置，其結果，以格子24的交點22為中心的十字狀交叉部30的線寬變粗，而容易以所謂的粗線被視認。反之，若使距離Da的範圍比上述範圍窄，則隨機地配置的自由度變小。因此，較佳為使距離Da的範圍為上述範圍。
另外，在將篩孔圖案20的邊28的條數設為Na、將莫爾紋抑制部26的個數設為Nb、將莫爾紋抑制部26的配置率設為(Nb/Na)×100%時，配置率較佳為10%以上、100%以下。配置率100%表示各邊28上分別配置有1個莫爾紋抑制部26。
若配置率過小，則會產生以下問題：篩孔圖案20中，未形成模擬性十字狀交叉部34的區域變寬，在該區域中，莫爾紋變得顯眼。若配置率過大，則開口率降低，而無法確保高的透明度。另外，反之，若使配置率的範圍比上述範圍窄，則隨機地配置的自由度變小。因此，較佳為使配置率的範圍為上述範圍。
此處，格子24的一邊28的長度La可選自50μm以上、900μm以下。長度La較佳為50μm以上、600μm以下，更佳為50μm以上、500μm以下。另外，金屬細線16的線寬Wa可選自30μm以下。線寬Wa較佳為10μm以下，更佳為7μm以下。線寬Wa的下限值為0.1μm以上。另外，導電性膜10的開口率較佳為90%以上。藉此可確保高的透明度。
接著，一邊參照圖4A~圖7，一邊對本實施方式的導電性膜10的製造方法的幾個例子進行說明。
首先可列舉以下方法：將設置於基體12上的銀鹽感光層曝光，並進行顯影、定影(fixing)，藉此由所形成的金屬銀部或金屬銀部及該金屬銀部所承載的導電性金屬形成篩孔圖案20及莫爾紋抑制部26。
具體而言，如圖4A所示般，在基體12上塗佈將鹵化銀36(例如溴化銀粒子、氯溴化銀粒子或碘溴化銀粒子)混合於明膠38中而成的銀鹽感光層40。另外，圖4A~圖4C中，將鹵化銀36表記為「粒子」，但完全是為了幫助理解本發明而誇大表示，並非表示大小或濃度等。
然後，如圖4B所示般，對銀鹽感光層40進行形成篩孔圖案20所需要的曝光。鹵化銀36若接受光能，則會感光而生成被稱為「潛像」的無法用肉眼觀察的微小的銀核。
然後，為了將潛像放大至可用肉眼觀察的可見化的圖像，而如圖4C所示般進行顯影處理。具體而言，將形成有潛像的銀鹽感光層40藉由顯影處理液(鹼性溶液與酸性溶液均有，但通常多數為鹼性溶液)進行顯影處理。該顯影處理是將鹵化銀粒子或自顯影液供給的銀離子藉由顯影液中被稱為顯影主藥(cardinal remedy)的還原劑，將潛像銀核作為觸媒核而還原成金屬銀，其結果將潛像銀核放大而形成可見化的銀圖像(顯影銀42)。
在結束顯影處理後，在銀鹽感光層40中殘留可對光進行感光的鹵化銀36，因此為了將鹵化銀36除去，而如圖4D所示般藉由定影處理液(酸性溶液與鹼性溶液均有，但通常多數為酸 性溶液)進行定影。
藉由進行該定影處理，而在經曝光的部位形成金屬銀部44，在未曝光的部位僅殘留明膠38，而成為透光性部46。即，在基體12上形成金屬銀部44的金屬細線16與透光性部46的開口部18的組合的篩孔圖案20及莫爾紋抑制部26。
使用溴化銀作為鹵化銀36、藉由硫代硫酸鹽進行定影處理時的定影處理的反應式如以下所述。
AgBr(固體)+2個S2O3離子 → Ag(S2O3)2(易水溶性錯合物)
即，2個硫代硫酸根離子S2O3與明膠38中的銀離子(來自AgBr的銀離子)，生成硫代硫酸銀錯合物。硫代硫酸銀錯合物由於水溶性高，因此會自明膠38中溶出。其結果，顯影銀42被定影成為金屬銀部44而殘留。
因此，顯影步驟是使還原劑與潛像反應而析出顯影銀42的步驟，定影步驟是將未成為顯影銀42的鹵化銀36溶出至水中的步驟。詳細內容欲參照T.H.詹姆斯，照相過程理論，第四版，麥克米倫出版公司，紐約，第15章，第438頁-第442頁，1997年(T.H.James,The Theory of the Photographic Process,4th ed.,Macmillan Publishing Co.,Inc,NY,Chapter15,pp.438-442.1977)。
另外，如圖4E所示般，例如進行鍍敷處理(將無電鍍敷或電解鍍敷單獨使用或組合使用)，而可僅於金屬銀部44上承載導電性金屬48而形成藉由金屬銀部44與導電性金屬48而成的 篩孔圖案20及莫爾紋抑制部26。
並且，藉由對銀鹽感光層40的曝光而使用的遮罩，可具有與篩孔圖案20、及在該篩孔圖案20的開口部18形成有莫爾紋抑制部26的圖案相對應的遮罩圖案。
或者，藉由對銀鹽感光層40的數位寫入曝光，而可對銀鹽感光層40曝光篩孔圖案20、及在該篩孔圖案20的開口部18形成有莫爾紋抑制部26的圖案。
作為其他製造方法，如圖5A所示般，例如將形成於基體12上的銅箔50上的光阻(photoresist)膜52進行曝光、顯影處理，而形成抗蝕劑圖案54，如圖5B所示般，藉由將自抗蝕劑圖案54露出的銅箔50蝕刻，而可形成篩孔圖案20及莫爾紋抑制部26。此時，在對光阻膜52進行曝光時所使用的遮罩，可具有與篩孔圖案20及形成有莫爾紋抑制部26的圖案相對應的遮罩圖案。
或者，藉由對光阻膜52的數位寫入曝光，而可對光阻膜52曝光篩孔圖案20與形成有莫爾紋抑制部26的圖案。
另外，如圖6A所示般，在基體12上印刷包含金屬微粒子的膏56，並如圖6B所示般，在膏56上進行鍍金屬58，藉此可形成篩孔圖案20、及在該篩孔圖案20的開口部18形成有莫爾紋抑制部26的圖案。
或者，如圖7所示般，可藉由網版印刷版或凹版印刷版，在基體12上印刷形成篩孔圖案20、及在該篩孔圖案20的開口部18形成有莫爾紋抑制部26的圖案。
或者，雖然未圖示，但亦可在基體12上使用鍍敷預處理材形成感光性被鍍敷層，然後進行曝光、顯影處理後實施鍍敷處理，藉此在曝光部及未曝光部分別形成金屬部及透光性部，而形成篩孔圖案20及莫爾紋抑制部26。另外，藉由進一步對金屬部實施物理顯影及/或鍍敷處理，而可使金屬部承載導電性金屬。
作為使用鍍敷預處理材的方法的更佳的形態，可列舉如下的2個形態。另外，下述的更具體的內容揭示於日本專利特開2003-213437號公報、日本專利特開2006-64923號公報、日本專利特開2006-58797號公報、日本專利特開2006-135271號公報等中。
(a)在基體12上塗佈包含與鍍敷觸媒或其前驅物相互作用的官能基的被鍍敷層，然後進行曝光、顯影後進行鍍敷處理，而在被鍍敷材料上形成金屬部的形態。
(b)在基體12上依序積層包含聚合物及金屬氧化物的基底層、以及包含與鍍敷觸媒或其前驅物相互作用的官能基的被鍍敷層，然後進行曝光、顯影後進行鍍敷處理，而在被鍍敷材料上形成金屬部的形態。
或者，可在基體12上藉由噴墨形成篩孔圖案20與莫爾紋抑制部26。
接著，在本實施方式的導電性膜10中，以作為特佳的形態的使用鹵化銀照相感光材料的方法為中心進行闡述。
本實施方式的導電性膜10的製造方法根據感光材料與 顯影處理的形態，包括如下的3個形態。
(1)將不含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行化學顯影或熱顯影，而在該感光材料上形成金屬銀部的形態。
(2)將鹵化銀乳劑層中含有物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行溶解物理顯影，而在該感光材料上形成金屬銀部的形態。
(3)將不含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料、與含有物理顯影核的具有非感光性層的受像片重疊進行擴散轉印顯影，而在非感光性受像片上形成金屬銀部的形態。
上述(1)的形態是一體型黑白顯影型，在感光材料上形成透光性導電性膜等透光性導電性膜。所得的顯影銀為化學顯影銀或熱顯影銀，是高比表面積的長絲，這在後續的鍍敷或物理顯影過程中活性高。
上述(2)的形態是在曝光部將物理顯影核近緣的鹵化銀粒子溶解而沈積於顯影核上，藉此在感光材料上形成透光性導電性膜等透光性導電性膜，其亦為一體型黑白顯影型。顯影作用由於是在物理顯影核上的析出，因此為高活性，但顯影銀是比表面積小的球形。
上述(3)的形態是在未曝光部將鹵化銀粒子溶解而擴散而沈積於受像片上的顯影核上，藉此在受像片上形成透光性導電性膜等透光性導電性膜，是所謂的分離型，且為將受像片自感光材料剝離而使用的形態。
任一種形態均可選擇負型顯影處理及反轉顯影處理的任一種顯影(為擴散轉印方式時，藉由使用自動正型感光材料作為感光材料而可進行負型顯影處理)。
此處所謂化學顯影、熱顯影、溶解物理顯影、擴散轉印顯影，是指業界通常所使用的用語，並在照相化學的一般教科書、例如菊地真一著「照相化學」(共立出版社、1955年發行)、C.E.K.米斯(C.E.K.Mees)編，《照相過程理論，第四版》(「The Theory of The Photographic Processes,4th ed.」)(麥克米倫公司、1977年發行)中有解說。本案是有關於液處理的發明，但亦可參考應用熱顯影方式作為其他顯影方式的技術。例如，可應用在日本專利特開2004-184693號、日本專利特開2004-334077號、日本專利特開2005-010752號的各公報、日本專利特願2004-244080號、日本專利特願2004-085655號的各說明書中所記載的技術。
上述例中，如圖1所示般表示與配置有莫爾紋抑制部26的1條邊28交叉的其他邊、與該莫爾紋抑制部26的延伸方向(長軸)大致平行的例子，此外可較佳地採用如以下的形態。
即，如圖8所示的第1變形例的導電膜10a般，相對於配置有莫爾紋抑制部26的1條邊28，而莫爾紋抑制部26的延伸方向(長軸)可傾斜(未正交)。另外，如圖9所示的第2變形例的導電膜10b及圖10所示的第3變形例的導電膜10c般，僅具有第1突出部26a的莫爾紋抑制部26、與僅具有第2突出部26b的莫爾紋抑制部26可隨機地配置。圖9表示相對於配置有莫爾紋抑 制部26的1條邊28，而莫爾紋抑制部26的延伸方向為(長軸)正交的例子，圖10表示相對於1條邊28，而莫爾紋抑制部26的延伸方向(長軸)為傾斜(未正交)的例子。
此處，以下對本實施方式的導電性膜10的各層的構成進行詳細地說明。
[基體12]
作為基體12，可列舉塑膠膜、塑膠板、玻璃板等。
作為上述塑膠膜及塑膠板的原料，例如可使用：聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)等聚酯類；聚乙烯(polyethylene，PE)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚苯乙烯、乙烯乙酸乙烯酯/環烯烴聚合物/環烯烴共聚物(ethylene vinyl acetate/cyclo olefin polymer/cyclic olefin copolymer，EVA/COP/COC)等聚烯烴類；乙烯系樹脂；此外可使用：聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醯胺、聚醯亞胺、丙烯酸系樹脂、三乙醯纖維素(triacetyl cellulose，TAC)等。
作為基體12，較佳為PET(熔點：258℃)、PEN(熔點：269℃)、PE(熔點：135℃)、PP(熔點：163℃)、聚苯乙烯(熔點：230℃)、聚氯乙烯(熔點：180℃)、聚偏二氯乙烯(熔點：212℃)或TAC(熔點：290℃)等熔點為約290℃以下的塑膠膜、或塑膠板，特別是就透光性或加工性等的觀點而言，較佳為PET。由於用於觸控面板或電磁波屏蔽膜等的導電性膜10要求透明性， 因此較佳為基體12的透明度高。
[銀鹽感光層40]
成為導電性膜10的導電層(篩孔圖案20及莫爾紋抑制部26)的銀鹽感光層40(參照圖4A)，除了銀鹽與黏合劑外，含有溶劑或染料等添加劑。
作為本實施方式中所用的銀鹽，可列舉：鹵化銀等無機銀鹽及乙酸銀等有機銀鹽。本實施方式中，較佳為使用作為光感測器(light sensor)的特性優異的鹵化銀。
銀鹽感光層40的塗佈銀量(銀鹽的塗佈量)換算為銀較佳為1g/m2~30g/m2，更佳為1g/m2~25g/m2，尤佳為5g/m2~20g/m2。藉由將該塗佈銀量設為上述範圍，而可在製成導電性膜10時獲得所期望的表面電阻。
作為本實施方式中所用的黏合劑，例如可列舉：明膠、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone，PVP)、澱粉等多糖類、纖維素及其衍生物、聚環氧乙烷、聚乙烯胺、殼聚糖、聚離胺酸(polylysine)、聚丙烯酸、聚海藻酸、聚透明質酸、羧基纖維素等。這些根據官能基的離子性而具有中性、陰離子性、陽離子性的性質。
本實施方式的銀鹽感光層40中所含有的黏合劑的含量並無特別限定，可在能發揮分散性與密接性的範圍內適當確定。銀鹽感光層40中的黏合劑的含量以銀/黏合劑體積比計較佳為1/4以上，更佳為1/2以上。銀/黏合劑體積比較佳為100/1以下，更 佳為50/1以下。另外，銀/黏合劑體積比尤佳為1/1~4/1。銀/黏合劑體積比最佳為1/1~3/1。藉由將銀鹽感光層40中的銀/黏合劑體積比設為該範圍，而即便在調整了塗佈銀量的情況下，亦可獲得抑制電阻值的不均，而具有均勻的表面電阻的導電性膜10。另外，銀/黏合劑體積比可藉由以下方式求出：將原料的鹵化銀量/黏合劑量(重量比)變換為銀量/黏合劑量(重量比)，接著將銀量/黏合劑量(重量比)變換為銀量/黏合劑量(體積比)。
<溶劑>
銀鹽感光層40的形成中所用的溶劑並無特別限定，例如可列舉：水、有機溶劑(例如甲醇等醇類、丙酮等酮類、甲醯胺等醯胺類、二甲基亞碸等亞碸類、乙酸乙酯等酯類、醚類等)、離子性液體、及這些的混合溶劑。
相對於銀鹽感光層40所含的銀鹽、黏合劑等的合計質量，本實施方式的銀鹽感光層40中所用的溶劑的含量為30質量%~90質量%的範圍，較佳為50質量%~80質量%的範圍。
<其他添加劑>
關於本實施方式中所用的各種添加劑，並無特別限制，可較佳地使用公知者。
[其他的層構成]
在銀鹽感光層40上可設置未圖示的保護層。本實施方式中所謂「保護層」，是指包含明膠或高分子聚合物等黏合劑的層，為了表現防止擦傷或改良力學特性的效果，而形成於具有感 光性的銀鹽感光層40上。其厚度較佳為0.5μm以下。保護層的塗佈方法及形成方法並無特別限定，可適當選擇公知的塗佈方法及形成方法。另外，在較銀鹽感光層40更下處亦可設置例如底塗層。
接著，對導電性膜10的製作方法的各步驟進行說明。
[曝光]
本實施方式中，包括藉由印刷方式實施導電部14的情形，但除了印刷方式以外，亦可藉由曝光與顯影等形成導電部14。即，對具有設置於基體12上的銀鹽感光層40的感光材料、或塗敷了光刻法(photolithography)用光聚合物的感光材料進行曝光。曝光可使用電磁波進行。作為電磁波，例如可列舉：可見光線、紫外線等光，X射線等放射線等。而且，曝光可利用具有波長分布的光源，亦可使用特定波長的光源。
[顯影處理]
本實施方式中，將銀鹽感光層40曝光後，接著進行顯影處理。顯影處理可使用：在銀鹽照相膜(photofilm)或印相紙(photographic paper)、印刷製版用膜、光罩用乳液遮罩(emulsion mask)等中所用的通常的顯影處理的技術。顯影液並無特別限定，亦可使用菲尼酮-對苯二酚(phenidone quinol，PQ)顯影液、米吐爾-對苯二酚(metol quinol，MQ)顯影液、米吐爾-抗壞血酸(metol ascorbic acid，MAA)顯影液等，市售品中例如可使用：富士軟片(Fuji Film)公司配方的CN-16、CR-56、CP45X、FD-3、PAPITOL，柯達(KODAK)公司配方的C-41、E-6、RA-4、D-19、D-72等的 顯影液，或其套組(kit)所含的顯影液。另外，亦可使用里斯(Lith)顯影液。
本發明中的顯影處理可包括：為了將未曝光部分的銀鹽除去使其穩定化而進行的定影處理。本發明中的定影處理可使用：在銀鹽照相膜或印相紙、印刷製版用膜、光罩用乳液遮罩等中所用的定影處理的技術。
上述定影步驟中的定影溫度較佳為約20℃~約50℃，更佳為25℃~45℃。另外，定影時間較佳為5秒鐘~1分鐘，更佳為7秒鐘~50秒鐘。相對於感光材料的處理量，定影液的補充量較佳為600ml/m2以下，更佳為500ml/m2以下，特佳為300ml/m2以下。
實施了顯影、定影處理的感光材料較佳為實施水洗處理或穩定化處理。在上述水洗處理或穩定化處理中，通常每1m2的感光材料，使用20升以下的水洗水量而進行，亦可使用3升以下的補充量(亦包括0、即積存水水洗)進行。
相對於曝光前的曝光部所含的銀的質量，顯影處理後的曝光部所含的金屬銀的質量較佳為50質量%以上的含有率，更佳為80質量%以上。若曝光部所含的銀的質量相對於曝光前的曝光部所含的銀的質量為50質量%以上，則可獲得高的導電性，因此較佳。
本實施方式中的顯影處理後的灰階並無特別限定，但較佳為超過4.0。若顯影處理後的灰階超過4.0，則可在保持高的透 光性部的透光性的狀態下，提高導電性金屬部(金屬細線16)的導電性。作為使灰階為4.0以上的手段，例如可列舉：上述銠離子、銥離子的摻雜劑。
經過以上步驟可獲得導電性膜10，但所得的導電性膜10的表面電阻較佳為0.1Ω/sq.~100Ω/sq.的範圍。下限值較佳為1Ω/sq.以上、3Ω/sq.以上、5Ω/sq.以上、10Ω/sq.以上。上限值較佳為70Ω/sq.以下、50Ω/sq.以下。藉由在此種範圍內調整表面電阻，而即便是面積為10cm×10cm以上的大型觸控面板，亦可進行位置檢測。另外，對顯影處理後的導電片，可進一步進行壓光處理，並且可藉由壓光處理調整為所期望的表面電阻。
[物理顯影及鍍敷處理]
本實施方式中，為了提高藉由上述曝光及顯影處理而形成的金屬銀部44的導電性，可對金屬銀部44進行用以承載導電性金屬粒子的物理顯影及/或鍍敷處理。本發明中，可僅藉由物理顯影或鍍敷處理的任一種使導電性金屬粒子承載於金屬銀部44，亦可將物理顯影與鍍敷處理加以組合而使導電性金屬粒子承載於金屬銀部44。另外，包括對金屬銀部44實施物理顯影及/或鍍敷處理者而稱為「導電性金屬部」。
本實施方式中所謂「物理顯影」，是指在金屬或金屬化合物的核上，藉由還原劑將銀離子等金屬離子還原而使金屬粒子析出。該物理顯影可用於一次成像(instant)B膜及一次成像W膜、一次成像幻燈片膜(slide film)、或印刷版製造等，在本發明 中可使用該技術。
另外，物理顯影可與曝光後的顯影處理同時進行，亦可在顯影處理後另外進行。
本實施方式中，鍍敷處理可使用無電鍍敷(化學還原鍍敷或置換鍍敷)、電解鍍敷、或無電鍍敷與電解鍍敷這兩者。本實施方式中的無電鍍敷可使用公知的無電鍍敷技術，例如可使用在印刷配線板等中所用的無電鍍敷技術，無電鍍敷較佳為無電鍍銅。
[氧化處理]
本實施方式中，較佳為對顯影處理後的金屬銀部44、以及藉由物理顯影及/或鍍敷處理而形成的導電性金屬部實施氧化處理。藉由進行氧化處理，而例如金屬少量沈積(deposition)於透光性部46時，可將該金屬除去，使透光性部46的透過性大致為100%。
[導電性金屬部]
本實施方式的導電性金屬部(金屬細線16)的線寬如上所述般，可選自30μm以下。在使用導電性膜10作為電磁波屏蔽膜時，金屬細線16的線寬較佳為1μm以上、20μm以下，更佳為1μm以上、9μm以下，尤佳為2μm以上、7μm以下，特佳為2μm以上、5μm以下。在使用導電性膜10作為觸控面板的導電片時，線寬的下限較佳為0.1μm以上、1μm以上、3μm以上、4μm以上、5μm以上，線寬的上限較佳為15μm以下、10μm以下、9μm以下、8μm以下、7μm以下。在線寬小於上述下限值時， 導電性會變得不充分，因此在用於觸控面板時，檢測感光度會變得不充分。另一方面，若線寬超過上述上限值，則因導電性金屬部引起的莫爾紋變得顯著，或用於觸控面板時視認性變差。另外，藉由為上述範圍，而可改善導電性金屬部的莫爾紋，並且視認性變得特佳。
格子的一邊的長度較佳為50μm以上、900μm以下，更佳為50μm以上、600μm以下，尤佳為50μm以上、500μm以下。另外，為了接地連接等，導電性金屬部的線寬可具有比200μm寬的部分。
就可見光透射率的方面而言，本實施方式中的導電性金屬部的開口率較佳為90%以上。所謂開口率，是除去金屬細線16及莫爾紋抑制部26的透光性部46在整體中所佔的比例。
[透光性部]
本實施方式中所謂的「透光性部」，是指導電性膜10中導電性金屬部以外的具有透光性的部分。透光性部46的透射率如上所述般，除了有助於基體12的光吸收及反射外的380nm~780nm波長區域中的透射率在以最小值表示時，為90%以上、較佳為95%以上、更佳為97%以上、尤佳為98%以上、最佳為99%以上。
關於曝光方法，較佳為介隔玻璃遮罩的方法或藉由雷射描畫的圖案曝光方式。
[導電性膜10]
本實施方式的導電性膜10中的基體12的厚度，較佳為 75μm~350μm。若厚度為75μm~350μm的範圍，則可獲得所期望的可見光的透射率，且操作亦容易。另外，在將2片導電性膜積層而製成觸控面板用導電片時，亦可降低導電性膜10間的寄生電容。
設置於基體12上的金屬銀部44的厚度，可根據塗佈於基體12上的銀鹽感光層用塗料的塗佈厚度進行適當決定。金屬銀部44的厚度可選自0.001mm~0.2mm，但較佳為30μm以下，更佳為20μm以下，尤佳為0.01μm~9μm，最佳為0.05μm~5μm。另外，金屬銀部44較佳為圖案狀。金屬銀部44可為1層，亦可為2層以上的多層構成。在金屬銀部44為圖案狀、且為2層以上的多層構成時，為了可對不同的波長感光，而可賦予不同的感色性(color sensitivity)。藉此，若改變曝光波長進行曝光，則可在各層中形成不同的圖案。
作為觸控面板的用途，導電性金屬部的厚度越薄，則顯示面板的視角越寬，因此較佳，就視認性的提高的方面而言，亦要求薄膜化。就此種觀點而言，包含導電性金屬部所承載的導電性金屬的層的厚度，較佳為小於9μm，更佳為0.1μm以上且小於5μm，尤佳為0.1μm以上且小於3μm。
本實施方式中，藉由控制上述銀鹽感光層40的塗佈厚度，而形成所期望的厚度的金屬銀部44，而且可藉由物理顯影及/或鍍敷處理而自由地控制包含導電性金屬粒子的層的厚度，因此即便是具有小於5μm、較佳為小於3μm的厚度的導電性膜10， 亦可容易地形成。
另外，本實施方式的導電性膜10的製造方法中，鍍敷等的步驟未必必須進行。原因是：本實施方式的導電性膜10的製造方法中，藉由調整銀鹽感光層40的塗佈銀量、銀/黏合劑體積比，而可獲得所期望的表面電阻。另外，根據需要可進行壓光處理等。
較佳為在對銀鹽感光層40進行顯影處理後，浸漬於硬膜劑中而進行硬膜處理。作為硬膜劑，例如可列舉：戊二醛、己二醛、2,3-二羥基-1,4-二噁烷等二醛類及硼酸等日本專利特開平2-141279號公報中所記載者。
對導電性膜10可附加抗反射層或硬塗層等功能層。
另外，本發明可與下述表1及表2所記載的公開公報及國際公開說明書的技術適當組合而使用。並且省略「日本專利特開」、「號公報」、「號說明書」等的表記。
[表1]
<實施例>
以下，列舉本發明的實施例對本發明進行更具體地說明。另外，以下的實施例所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等，只要不脫離本發明的主旨，則可適當變更。因此，本發明的範圍不應由以下所示的具體例來限定性解釋。
[第1實施例]
第1實施例中，對於實施例1~實施例11，使金屬細線的線寬及格子的一邊的長度不同，並評價導電性膜的視認性、開口率及莫爾紋。將實施例1~實施例11的詳細內容及評價結果表 述於後述的表3。
(實施例1)
(鹵化銀感光材料)
製備相對於水介質中的150g的Ag而包含10.0g明膠、且含有等效球直徑(sphere-equivalent diameter)平均為0.1μm的碘溴氯化銀粒子(I=0.2莫耳%、Br=40莫耳%)的乳劑。
另外，在該乳劑中，以濃度為10-7(莫耳/莫耳銀)的方式添加K3Rh2Br9及K2IrCl6，並在溴化銀粒子中摻雜Rh離子與Ir離子。在該乳劑中添加Na2PdCl4，接著使用氯金酸(chlorauric acid)與硫代硫酸鈉進行金硫增感後，與明膠硬膜劑一起以銀的塗佈量為10g/m2的方式塗佈於透明基體(此處，均為聚對苯二甲酸乙二酯(PET))上。此時，Ag/明膠體積比設為2/1。
在寬度為30cm的PET支撐體上以25cm的寬度塗佈20m分，以塗佈的中央部殘留24cm的方式將兩端各切落3cm，而獲得卷狀鹵化銀感光材料。
(曝光)
曝光的圖案如圖1所示般，藉由在構成篩孔圖案20的格子24的各邊28分別隨機地配置莫爾紋抑制部26的圖案，對A4尺寸(210mm×297mm)的基體12進行曝光。曝光是介隔上述圖案的光罩使用以高壓水銀燈為光源的平行光進行曝光。
(顯影處理)
．顯影液1L配方
．定影液1L配方
使用上述處理劑，將經曝光的感材使用富士軟片公司製造的自動顯影機FG-710PTS，在處理條件：顯影35℃ 30秒、定影34℃ 23秒、水洗流水(5L/分鐘)20秒下進行處理。
以如上所述方式進行曝光、顯影處理，而製作金屬細線16的線寬Wa為10μm、格子24(該例中為正方形狀)的一邊的長度La為500μm、莫爾紋抑制部26的線寬Wb為10μm、莫爾紋抑制部26的長度Lb為125.0μm的實施例1的導電性膜。
(實施例2)
實施例2中，將格子24的一邊的長度La設為400μm、將莫爾紋抑制部26的長度Lb設為100.0μm，除此以外，以與上述實施例1相同的方式，製作實施例2的導電性膜。
(實施例3)
實施例3中，將金屬細線16的線寬Wa設為9μm、將格子24的一邊的長度La設為400μm、將莫爾紋抑制部26的線寬Wb設為9μm、將莫爾紋抑制部26的長度Lb設為100.0μm，除此以外，以與上述實施例1相同的方式，製作實施例3的導電性膜。
(實施例4~實施例6)
實施例4、實施例5及實施例6中，將金屬細線16的線寬Wa分別設為8μm、7μm及6μm、將格子24的一邊的長度La分別設為300μm、將莫爾紋抑制部26的線寬Wb分別設為8μm、7μm及6μm、將莫爾紋抑制部26的長度Lb分別設為75.0μm，除此以外，以與上述實施例1相同的方式，製作實施例4、實施例5及實施例6的導電性膜。
(實施例7~實施例9)
實施例7、實施例8及實施例9中，將金屬細線16的線寬Wa分別設為5μm、4μm及3μm、將格子24的一邊的長度La分別設為200μm、將莫爾紋抑制部26的線寬Wb分別設為5μm、4μm及3μm、將莫爾紋抑制部26的長度Lb分別設為50.0μm， 除此以外，以與上述實施例1相同的方式，製作實施例7、實施例8及實施例9的導電性膜。
(實施例10)
實施例10中，將金屬細線16的線寬Wa設為2μm、將格子24的一邊的長度La設為100μm、將莫爾紋抑制部26的線寬Wb設為2μm、將莫爾紋抑制部26的長度Lb設為25.0μm，除此以外，以與上述實施例1相同的方式，製作實施例10的導電性膜。
(實施例11)
實施例11中，將金屬細線16的線寬Wa設為1μm、將格子24的一邊的長度La設為50μm、將莫爾紋抑制部26的線寬Wb設為1μm、將莫爾紋抑制部26的長度Lb設為12.5μm，除此以外，以與上述實施例1相同的方式，製作實施例11的導電性膜。
(視認性的評價)
<金屬細線的視認難易性>
對於實施例1~實施例11，分別將導電性膜貼附於顯示裝置的顯示面板而構成觸控面板。將觸控面板設置於旋轉盤上，驅動顯示裝置而顯示白色時，用肉眼確認是否有粗線或黑斑點、且觸控面板的導電圖案(篩孔圖案或莫爾紋抑制部)是否顯眼。
並且，將粗線或黑斑點、以及導電圖案的邊界不顯眼的情形設為「◎」，將粗線、黑斑點及導電圖案的邊界中任一種顯眼的情形設為「○」，將粗線、黑斑點及導電圖案的邊界中任意2種 顯眼的情形設為「△」，將粗線、黑斑點及導電圖案的邊界全部顯眼的情形設為「×」。
(莫爾紋的評價)
對於實施例1~實施例11，分別將導電性膜貼附於顯示裝置的顯示面板上後，將顯示裝置設置於旋轉盤上，驅動顯示裝置而使其顯示白色。在該狀態下，將旋轉盤在偏置角(bias angle)-20°~+20°之間旋轉，目視觀察並評價莫爾紋。
莫爾紋的評價是自顯示裝置的顯示畫面以觀察距離為0.5m進行，將莫爾紋不明顯的情形設為○，將在無問題的水準下見到少許莫爾紋的情形設為△，將莫爾紋明顯存在的情形設為×。並且，作為綜合評分，是將成為○的角度範圍為10°以上的情形設為A，將成為○的角度範圍小於10°的情形設為B，將無成為○的角度範圍且成為×的角度範圍小於30°的情形設為C，將無成為○的角度範圍且成為×的角度範圍為30°以上的情形設為D。
[表3]
根據表3，實施例1~實施例11中，視認性均良好，且開口率亦均為90%以上，關於莫爾紋，亦均為B以上的評價。特別是實施例2~實施例11中，視認性均為◎，開口率均為90%以上，莫爾紋均為A評價。
因此可知，金屬細線16的線寬Wa可選自30μm以下，但較佳為10μm以下，格子24的一邊的長度La可選自50μm以上、900μm以下，但較佳為50μm以上、500μm以下。
[第2實施例]
第2實施例中，在代表性的上述實施例9中，對改變莫爾紋抑制部的長度Lb時的視認性、開口率及莫爾紋進行評價。
(樣品1~樣品3)
樣品1、樣品2及樣品3中，將莫爾紋抑制部26的長度 Lb設為6μm、9μm及12μm，除此以外，以與上述實施例9相同的方式，製作樣品1、樣品2及樣品3的導電性膜。
(樣品4)
樣品4中，以與上述實施例9相同的方式，製作導電性膜。
(樣品5~樣品7)
樣品5、樣品6及樣品7中，將莫爾紋抑制部26的長度Lb設為67μm、100μm及200μm，除此以外，以與上述實施例9相同的方式，製作樣品5、樣品6及樣品7的導電性膜。
將樣品1~樣品7的評價結果表示於表4。
根據表4，樣品1~樣品7中，視認性均良好，開口率亦均為94%以上，莫爾紋亦均為B以上的評價。其中，樣品2中，莫爾紋為B評價，但視認性為◎評價。樣品6中，視認性為○評價，但莫爾紋為A評價。特別是樣品3~樣品5中，視認性均為 ◎，開口率均為97%以上，莫爾紋均為A評價。
因此可知，長度Lb的下限較佳為2×Wa以上，更佳為3×Wa以上，尤佳為4×Wa以上；以及長度Lb的上限較佳為La以下，更佳為La/2以下，尤佳為La/3以下，特佳為La/4以下。
[第3實施例]
第3實施例中，在代表性的上述實施例9中，對改變莫爾紋抑制部26的線寬Wb時的視認性、開口率及莫爾紋進行評價。
(樣品8、樣品9)
樣品8及樣品9中，將莫爾紋抑制部26的線寬Wb設為1.5μm及2.7μm，除此以外，以與上述實施例9相同的方式，製作樣品8及樣品9的導電性膜。
(樣品10)
樣品10中，以與上述實施例9相同的方式，製作導電性膜。
(樣品11~樣品15)
樣品11、樣品12、樣品13、樣品14及樣品15中，將莫爾紋抑制部26的線寬Wb分別設為4.5μm、6.0μm、7.5μm、9.0μm及12.0μm，除此以外，以與上述實施例9相同的方式，製作樣品11、樣品12、樣品13、樣品14及樣品15的導電性膜。
將樣品8~樣品15的評價結果表示於表5。
[表5]
根據表5，樣品8~樣品15中，樣品8的莫爾紋為C評價，樣品15的視認性為△評價。除此以外的樣品9~樣品14中，視認性均良好，開口率亦均為95%以上，莫爾紋亦均為B以上的評價。特別是樣品9~樣品12中，視認性均為◎，開口率均為96%以上，莫爾紋均為A評價。
因此可知，金屬細線的線寬Wa與莫爾紋抑制部26的線寬Wb之比(Wb/Wa)較佳為0.9以上、3.0以下，更佳為0.9以上、2.5以下，尤佳為0.9以上、2.0以下，特佳為0.9以上、1.5以下。
另外，本發明的導電性膜並不限定於上述實施方式，在不脫離本發明的主旨的情況下，當然亦可採用各種構成。
10‧‧‧導電性膜
14‧‧‧導電部
16‧‧‧金屬細線
16a‧‧‧第1金屬細線
16b‧‧‧第2金屬細線
18‧‧‧開口部
20‧‧‧篩孔圖案
22、32‧‧‧交點
24‧‧‧格子
26‧‧‧莫爾紋抑制部(突出部)
28‧‧‧邊
30、34‧‧‧交叉部

Claims (22)

  1. 一種導電性膜，其是具有由金屬細線(16)構成的導電部(14)與開口部(18)的導電性膜(10)，該導電性膜的特徵在於：上述導電部(14)具有多條上述金屬細線(16)的交點(22)，在上述金屬細線(16)上、且上述交點(22)以外的部分配置有突出部(26)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的導電性膜，其中上述導電部(14)與上述開口部(18)的組合形狀為篩孔形狀。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的導電性膜，其中上述突出部(26)在構成上述篩孔形狀的多條邊(28)中在至少1條邊(28)、且不與上述篩孔形狀的交點(22)重疊的位置，與上述1條邊(28)交叉而配置。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的導電性膜，其中上述突出部(26)與上述1條邊(28)交叉而延伸配置，上述突出部(26)的形狀為以上述延伸方向為長軸的線段形狀、橢圓形狀、菱形形狀、平行四邊形形狀或多角形狀。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的導電性膜，其中上述突出部(26)為以上述延伸方向為長軸的線段形狀。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的導電性膜，其中與上述1條邊(28)交叉的其他邊、與上述突出部(26)的上述長軸大致平行。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的導電性膜，其中在將上述1 條邊(28)的寬度設為Wa、將上述1條邊(28)的長度設為La、將上述突出部(26)的延伸方向的長度設為Lb時，為Wa<Lb≦La。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的導電性膜，其中為Lb≧2×Wa且Lb≦La/2。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的導電性膜，其中為5μm≦Lb≦100μm。
  10. 如申請專利範圍第5項所述的導電性膜，其中在將上述1條邊(28)的寬度設為Wa、將上述突出部(26)的線寬設為Wb時，為0.995×Wa≦Wb≦3×Wa。
  11. 如申請專利範圍第3項所述的導電性膜，其中在將自上述篩孔形狀的交點(22)至上述1條邊(28)上的上述突出部(26)的中心位置為止的距離設為Da、將上述1條邊(28)的長度設為La時，為0.1×La≦Da≦0.9×La。
  12. 如申請專利範圍第5項所述的導電性膜，其中上述突出部(26)的線寬(Wb)為30μm以下。
  13. 如申請專利範圍第5項所述的導電性膜，其中上述1條邊(28)的長度(La)為50μm以上、900μm以下。
  14. 如申請專利範圍第3項所述的導電性膜，其中上述導電部(14)具有包含多個上述篩孔形狀的篩孔圖案(20)，多個上述突出部(26)相對於上述篩孔圖案(20)而隨機地配置。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的導電性膜，其中在構成上述篩孔圖案(20)的上述多個篩孔形狀中，隨機地存在未配置上述突出部(26)的篩孔形狀。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的導電性膜，其中在構成上述篩孔圖案(20)的上述多個篩孔形狀中，上述突出部(26)相對於配置有上述突出部(26)的1種以上的篩孔形狀的配置位置為隨機。
  17. 如申請專利範圍第14項所述的導電性膜，其中在配置有上述突出部(26)的上述1個以上篩孔形狀中，在多條邊(28)上配置有上述突出部(26)的篩孔形狀中，上述突出部(26)在上述多條邊(28)上的配置位置為隨機。
  18. 如申請專利範圍第3項所述的導電性膜，其中在自上述篩孔形狀的1個交點(22)呈放射狀延伸的多條邊(28)上分別配置的上述突出部(26)中，至少1個上述突出部(26)自上述1 個交點(22)至中心位置為止的距離與其他不同。
  19. 如申請專利範圍第3項所述的導電性膜，其中鄰接的邊(28)的分別配置的上述突出部(26)，距分別對應的交點(22)的距離不同。
  20. 如申請專利範圍第3項所述的導電性膜，其中在將上述邊(28)的條數設為Na、將上述突出部(26)的個數設為Nb、將上述突出部(26)的配置率設為(Nb/Na)×100%時，上述配置率為10%以上、100%以下。
  21. 如申請專利範圍第1項所述的導電性膜，其中上述金屬細線(16)的線寬為30μm以下。
  22. 如申請專利範圍第1項所述的導電性膜，其中開口率為90%以上。
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