TWI544526B - 導電片以及觸控面板 - Google Patents

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Description

導電片以及觸控面板
本發明是有關於一種導電片以及觸控面板，且特別是有關於一種適用於例如投影型電容方式的觸控面板的導電片以及觸控面板。
關於使用了金屬細線的透明導電膜，例如，如美國專利申請案公開第2004/0229028號說明書、及國際公開第2006/001461號手冊中所揭示般，一直在進行研究。
最近，觸控面板正受到矚目。觸控面板主要適用在個人數位助理(Personal Digital Assistant，PDA)或行動電話等的小尺寸領域中，亦考慮推進大尺寸化以便適用於個人電腦用顯示器等。
在如上述般的將來的動向中，先前的電極中使用氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)，因此存在：隨著電阻增大而適用尺寸增大，電極間的電流的傳達速度變慢，響應速度(自接觸指尖到檢測到該指尖的位置為止的時間)變慢的問題。
對此，考慮將包含金屬製的細線(金屬細線)的格子排列多個而構成電極，藉此使表面電阻降低。作為將金屬細線用於電極的觸控面板，例如眾所周知有日本專利特開平5-224818號公報、美國專利第5113041號說明書、國際公開第1995/27334號手冊、美國專利申請案公開第2004/0239650號說明書、美國專利第7202859號說明書、 國際公開第1997/18508號手冊、日本專利特開2003-099185號公報中記載的觸控面板。
然而，如上述般，在使用金屬細線來作為觸控面板的電極的情況下，因金屬細線由不透明的材料製作，所以透明性或視認性方面存在問題。當將使用金屬細線來作為電極的導電片放置在顯示裝置上而加以使用時，必須在以下的兩個模式下確保良好的視認性。第一，在使顯示裝置點燈、顯示的情況下，金屬細線不易視認，可見光透過率高，而且，因顯示裝置的畫素週期(例如液晶顯示器的黑色矩陣(black matrix)圖案)與導電圖案的光干涉而產生的波紋(moire)等的雜訊不易發生。第二，使顯示器滅燈、黑畫面，在利用螢光燈、太陽光、發光二極體(light-emitting diode，LED)光等的外光的光源來進行觀察時，金屬細線不易視認。
一般來說，藉由將金屬細線的線寬變細而提高視認性，但因細線化而電極電阻上升，會發生觸控位置的檢測感度降低的異常，因而必須將導電圖案、金屬細線圖案的形狀最佳化。
本發明是考慮上述課題而完成的，其目的在於提供一種導電片以及觸控面板，即便在觸控面板中由金屬細線的圖案構成電極的情況下，金屬細線亦不易視認，可確保高透明性，並且可實現檢測感度的提高。
[1]第1本發明的導電片配置在顯示裝置的顯示面板 上，上述導電片包括：配置在輸入操作側的第1導電部；以及配置在上述顯示面板側的第2導電部，上述第1導電部與上述第2導電部相向而配置，上述第1導電部包括：多個第1導電圖案，上述多個第1導電圖案在一方向上排列，分別連接著多個第1電極且由金屬細線形成；上述第2導電部包括：多個第2導電圖案，上述多個第2導電圖案在與上述第1導電圖案的排列方向正交的方向上排列，分別連接著多個第2電極且由金屬細線形成，上述第2導電圖案的佔有面積大於上述第1導電圖案的佔有面積，上述金屬細線的線寬為6μm以下，且線間距為200μm以上、500μm以下，或者上述金屬細線的線寬大於6μm且為7μm以下，且線間距為300μm以上、400μm以下。
通常，顯示裝置側的第2導電圖案可抑制由電磁波引起的雜訊的影響。亦即，藉由在消除電磁波的電場成分的方向上流動表面電流，在消除電磁波的磁場成分的方向流動渦電流(eddy current)，而可抑制由電磁波引起的雜訊的影響。尤其該第1發明中，使顯示裝置側的上述第2導電圖案的佔有面積大於上述第1導電圖案的佔有面積，因此可降低第2導電圖案的表面電阻，從而例如在抑制來自顯示裝置等的電磁波引起的雜訊的影響的方面有利。
而且，因上述金屬細線的線寬為6μm以下，且線間距為200μm以上、500μm以下，或者上述金屬細線的線寬大於6μm且為7μm以下，且線間距為300μm以上、400μm以下，故金屬細線不易視認，而可確保高透明性。
而且，在採用自電容方式來作為手指的觸控位置的檢測方式的情況下，即便為遠離手指的觸控位置的第2電極，亦可儲存與第1電極同等程度的信號電荷，可將第1電極的檢測感度與第2電極的檢測感度設為大致同等，從而可降低信號處理的負擔，並且亦可實現檢測精度的提高。作為手指的觸控位置的檢測方式，例如在採用相互電容方式的情況下，使用佔有面積大的第2電極來作為驅動電極，使用第1電極來作為接收電極，藉此可提高第1電極的接收感度。
如此，第1本發明的導電片中，即便在由金屬細線的圖案構成電極的情況下，金屬細線亦不易視認，可確保高透明性，並且，可實現檢測信號的信號雜訊(signal/noise，S/N)比的提高、檢測感度的提高、檢測精度的提高。
[2]第1本發明中，較佳為上述金屬細線的線寬為5μm以下，且線間距為200μm以上、400μm以下，或者上述金屬細線的線寬大於5μm且為7μm以下，且線間距為300μm以上、400μm以下。
[3]第1導電圖案與第2導電圖案在一部分相向，即便形成會導致檢測感度降低的寄生電容，因將基體的厚度設為75μm以上、350μm以下，故可將上述寄生電容抑制得低，從而可抑制檢測感度的降低。
[4]而且，第1本發明中，於將上述第1導電圖案的佔有面積設為A1、上述第2導電圖案的佔有面積設為A2時，較佳為： 1<A2/A1≦20。
[5]更佳為1<A2/A1≦10。
[6]尤佳為2≦A2/A1≦10。
[7]第1本發明中包括：輔助電極，包含於上述第1導電部及/或上述第2導電部中，上述輔助電極配置在上述第1電極與上述第2電極之間且由金屬細線形成；以及另一輔助電極，包含於上述第2導電部中，上述另一輔助電極配置在與上述第1電極相對應的部分且由金屬細線形成。
該情況下，可使第2導電圖案的金屬細線的佔有面積大幅地大於第1導電圖案，從而對於由電磁波等引起的雜訊的抑制而言更為有利。
[8]若增大構成另一輔助電極的金屬細線的佔有面積，而使第1電極與第2電極的光透過率變得均一，則有第1電極的導電性被破壞之虞。對此，上述另一輔助電極中的金屬細線的佔有面積較佳為：上述第2電極中的金屬細線的佔有面積的1/2以下。
[9]在[7]中，組合上述另一輔助電極與上述第1導電部的上述第1電極而構成格子圖案，該上述另一輔助電極配置在與上述第1電極相對應的部分且由金屬細線形成。藉此，可實現視認性的提高。
[10]在[7]中，上述第1電極包含網眼狀的金屬細線。藉此，可提高第1電極的導電性。
[11]該情況下，較佳為上述第2電極是組合多個第1格子而構成，上述第1電極是組合尺寸比上述第1格子大 的多個第2格子而構成，上述第2格子存在如下的長度成分，該長度成分具有上述第1格子的一邊的長度的實數倍的長度。
[12]在[7]中，配置在與上述第1電極相對應的部分的上述另一輔助電極包含直線狀的金屬細線。
[13]該情況下，就提高導電性方面而言，上述第2電極較佳為組合多個第1格子而構成，構成上述另一輔助電極的上述直線狀的金屬細線具有上述第1格子的一邊的長度的實數倍的長度。
[14]在[7]中，配置在與上述第1電極相對應的部分的上述另一輔助電極亦可包含網眼狀的金屬細線。
[15]該情況下，上述第2電極是組合多個第1格子而構成，上述另一輔助電極是組合尺寸比上述第1格子大的多個第2格子而構成，上述第2格子亦可存在如下長度成分，該長度成分具有上述第1格子的一邊的長度的實數倍的長度。
[16]第1本發明中，亦可更包括基體，上述第1導電部與上述第2導電部將上述基體夾在中間而相向配置。
[17]該情況下，亦可為上述第1導電部形成在上述基體的一主面，上述第2導電部形成在上述基體的另一主面。
[18]在[7]中，亦可更包括基體，上述第1導電部與上述第2導電部將上述基體夾在中間而相向配置，上述第1電極及上述第2電極分別形成為網眼狀的圖案，在上述第2電極間的與上述第1電極相對應的區域，形成由構成上 述另一輔助電極的金屬細線形成的輔助圖案，自上表面觀察時，設為與上述第1電極鄰接而配置著上述第2電極的形態，藉由上述第1電極與上述輔助圖案相向而形成組合圖案，上述組合圖案可具有組合著網眼狀的圖案的形態。藉此，可實現視認性的提高。
[19]該情況下，較佳為上述第1電極包括組合多個第2小格子而構成的第1大格子，上述第2電極包括組合尺寸比上述第2小格子小的多個第1小格子而構成的第2大格子，上述組合圖案設為與上述第1大格子鄰接而配置著上述第2大格子的形態，藉由上述第1大格子與上述輔助圖案相向而形成著組合圖案，上述組合圖案較佳為組合著具有2個以上的上述第1小格子的形態。
[20]第2本發明的觸控面板包括配置在顯示裝置的顯示面板上的導電片，上述導電片包括：配置在輸入操作側的第1導電部；以及配置在上述顯示面板側的第2導電部，上述第1導電部與上述第2導電部相向而配置，上述第1導電部包括多個第1導電圖案，該多個第1導電圖案在一方向上排列，分別連接著多個第1電極且由金屬細線形成，上述第2導電部包括多個第2導電圖案，該多個第2導電圖案在與上述第1導電圖案的排列方向正交的方向上排列，分別連接著多個第2電極且由金屬細線形成，上述第2導電圖案的佔有面積大於上述第1導電圖案的佔有面積，上述金屬細線的線寬為6μm以下，且線間距為200μm以上、500μm以下，或者上述金屬細線的線寬大於6μm 且為7μm以下，且線間距為300μm以上、400μm以下。
如以上說明般，根據本發明的導電片以及觸控面板，在觸控面板中，即便在由金屬細線的圖案構成電極的情況下，金屬細線亦不易視認，可確保高透明性，並且可實現檢測感度的提高。
根據與隨附圖式協同的如下的較佳的實施形態例的說明，而可進一步明白上述目的及其他目的、特徵及優點。
以下，一面參照圖1~圖18，一面對本發明的導電片以及觸控面板的實施形態的例子進行說明。另外，本說明書中，表示數值範圍的「~」是作為：包含其前後所記載的數值作為下限值以及上限值的意思而被使用。
首先，一面參照圖1，一面對使用了本實施形態的導電片的觸控面板進行說明。
觸控面板100包括：感測器本體102與未圖示的控制電路(包含積體電路(Integrated Circuit，IC)電路等)。感測器本體102包括：本實施形態的積層導電片12、以及積層於該積層導電片12上的保護層106。積層導電片12及保護層106配置於：例如液晶顯示器等的顯示裝置108的顯示面板110上。自上表面觀察時，感測器本體102包括：配置在與顯示面板110的顯示畫面110a相對應的區域的觸控位置的感測器部112，以及配置在與顯示面板110的外周部分相對應的區域的端子配線部114(所謂的邊框)。
如圖2所示，積層導電片12是由第1導電片10A與第2導電片10B積層而構成。
第1導電片10A包括：形成在第1透明基體14A(參照圖3A)的一主面上的第1導電部13A。該第1導電部13A亦如圖4所示，形成著由金屬細線15(參照圖3A)形成的2個以上的導電性的第1大格子16A(第1電極)，各第1大格子16A分別組合2個以上的小格子18而構成。在各第1大格子16A的邊的周圍，形成著：與第1大格子16A非連接的由金屬細線15形成的第1輔助圖案20A(輔助電極)。而且，在鄰接的第1大格子16A之間，形成著：將這些第1大格子16A電性連接的由金屬細線15形成的第1連接部22A。第1連接部22A配置著：具有小格子18的n倍(n為大於1的實數)的間距(pitch)的1個以上的中格子24(24a~24d)而構成。小格子18此處設為最小的正方形狀。金屬細線15例如包含：金(Au)、銀(Ag)或銅(Cu)。而且，至少第1透明基體14A的厚度為75μm以上、350μm以下。
第1大格子16A的一邊的長度較佳為3mm~10mm，更佳為4mm~6mm。構成第1大格子16A的小格子18的一邊的長度較佳為50μm~500μm，進而較佳為150μm~300μm。
而且，金屬細線15的線寬是：下限為1μm以上、3μm以上、4μm以上、或者5μm以上為較佳，且上限為15μm以下、10μm以下、9μm以下、8μm以下為較佳。在線寬 小於上述下限值的情況下，在因導電性不充分而被用於觸控面板100的情況，檢測感度會不充分。另一方面，若超過上述上限值則由導電性金屬部引起的波紋會變得顯著，或者在用於觸控面板100時視認性會變差。另外，藉由處於上述範圍內，導電性金屬部的波紋得以改善，視認性變得尤佳。
此外，2個以上的第1大格子16A經由第1連接部22A而在一方向(第1方向：x方向)上排列著，從而構成由金屬細線15形成的一個第1導電圖案26A；2個以上的第1導電圖案26A在與x方向正交的y方向(第2方向)上排列著，鄰接的第1導電圖案26A之間配置著電性絕緣的第1絕緣部28A。
作為第1導電圖案26A，並不限定於使用第1大格子16A的例子。例如，可使用將排列著多個小格子18的網眼狀(mesh)圖案以絕緣部而劃分成帶狀，而平行地配置著多個該經劃分的圖案的導電圖案。例如，亦可包括分別自端子向x方向延伸，且在y方向上排列的2個以上的帶狀的第1導電圖案26A。此外，亦可為：針對各端子而多個帶狀網眼狀圖案延伸的圖案。而且，作為第1輔助圖案20A，亦可使用與第1導電圖案26A平行地配置，且例如各小格子18的一部分斷線而成的網眼狀圖案。該情況下，可與第1導電圖案26A連接，亦可分離。
而且，如圖4所示，第1大格子16A的四條邊32，亦即，與一頂點30a鄰接的第1邊32a及第2邊32b、以及 與另一頂點30b鄰接的第3邊32c及第4邊32d分別具有直線形狀，上述一頂點30a不與鄰接的第1大格子16A連接，上述另一頂點30b不與鄰接的第1大格子16A連接。換言之，第1邊32a的直線形狀與第2邊32b的直線形狀的邊界部分構成第1大格子16A的一頂點30a，第3邊32c的直線部分與第4邊32d的直線部分的邊界部分構成第1大格子16A的另一頂點30b。
第1連接部22A具有如下形狀，即，將具有包含相當於4個小格子18的大小的中格子24以4個(第1中格子24a~第4中格子24d)排列為鋸齒狀(zigzag)。亦即，第1中格子24a存在於第2邊32b與第4邊32d的邊界部分，且具有形成著一個小格子18與L字狀的空間的形狀。第2中格子24b與第1中格子24a的1條邊鄰接，具有形成著正方形狀的空間的形狀，亦即，具有將4個小格子18矩陣狀排列且中央的十字去除的形狀。第3中格子24c與第1中格子24a的一個頂點鄰接而配置，並且與第2中格子24b的一條邊鄰接而配置，且具有與第2中格子24b同樣的形狀。第4中格子24d存在於第3邊32c與第1邊32a的邊界部分，與第2中格子24b的一個頂點鄰接而配置，並且與第3中格子24c的一條邊鄰接而配置，且與第1中格子24a同樣地具有形成著一個小格子18與L字狀的空間的形狀。而且，於將小格子18的排列間距設為P時，中格子24的排列間距具有2P的關係。
而且，在第1大格子16A的四條邊32(第1邊32a~ 第4邊32d)的周邊，分別形成著上述第1輔助圖案20A，各第1輔助圖案20A具有如下形狀，即，分別除去小格子18的一部分的形狀，以2個以上沿相對應的邊(直線形狀)而排列。圖4的例子中，表示如下的例子：小格子18的除去一條邊的形狀(為大致U字狀，且具有2個彎曲部且具有一個開口的形狀，為了方便起見而記為大致U字形狀)，將開口的部分朝向相對於第1大格子16A的相對應的邊為相反的方向、而排列為10個，且其排列間距為第1大格子16A的小格子18的排列間距P的2倍。而且，例如自第1邊32a的直線形狀至第1輔助圖案20A的大致U字形狀為止的最短距離設為：大致等同於小格子18的內周側的一條邊的長度。就該點而言，在第2邊32b~第4邊32d中亦相同。
而且，第1絕緣部28A中形成著與第1大格子16A非連接的第1絕緣圖案34A。該第1絕緣圖案34A包括：排列著2個以上的小格子18的第1集合圖案部36a、及不存在小格子18的3個空白部38(38a~38c)。
具體來說，第1集合圖案部36a組合由多個小格子18形成的四個直線部分(2個長直線部分與2個短直線部分)而構成。各直線部分以多個小格子18分別連結頂點的方式排列而構成。就3個空白部38而言，在觀察中間隔著第1絕緣部28A而鄰接的兩個第1大格子16A及第2大格子16B時，包括：由第1集合圖案部36a包圍的不存在小格子18的第1空白部38a；在一方的第1大格子16A中，另 一頂點30b附近的不存在小格子18的第2空白部38b；以及在另一方第1大格子16A中，一方的頂點30a附近的不存在小格子18的第3空白部38c。
四個直線部分中的2個長直線部分，分別以例如7個小格子18連結各自頂點的方式排列而構成，位於一方的長直線部分的一端的小格子18，相對於沿著一方的第1大格子16A的第3邊32c排列的第1輔助圖案20A，而配置在一方的第1大格子16A的另一方的頂點30b側、且以同一間距鄰接的位置處；位於另一端的小格子18相對於沿著另一方的第1大格子16A的第1邊32a而排列的第1輔助圖案20A，而配置在另一方的第1大格子16A的一方的頂點30a側、且以同一間距鄰接的位置處。同樣地，位於另一方的長直線部分的一端的小格子18，相對於沿著一方的第1大格子16A的第4邊32d而排列的第1輔助圖案20A，而配置於一方的第1大格子16A的另一方的頂點30b側、且以同一間距鄰接的位置處；位於另一端的小格子18相對於沿著另一方的第1大格子16A的第2邊32b而排列的第1輔助圖案20A，而配置在另一方的第1大格子16A的一方的頂點30a側、且以同一間距而鄰接的位置處。
2個短直線部分中，一方的短直線部分包括：2個小格子18，該2個小格子18將自一方的長直線部分的一端算起的第2個小格子18、與自另一方的長直線部分的一端算起的第2個小格子18加以連結。同樣地，另一方的短直線部分包括：2個小格子18，該2個小格子18將自一方的長 直線部分的另一端算起的第2個小格子18、與自另一方的長直線部分的另一端算起的第2個小格子18加以連結。
而且，於將小格子18的排列間距設為P，鄰接的第1導電圖案26A之間的最短距離，亦即一方的第1大格子16A的另一方頂點30b、與另一方的第1大格子16A的一方的頂點30a之間的距離定義為第1絕緣部28A的寬度時，第1絕緣部28A的寬度為m×P(m為1以上的整數)，並且，第1絕緣圖案34A中、第1絕緣部28A的寬度的方向的部分的最大長度，亦即，一方的短直線部分中與一方的第1大格子16A的另一方的頂點30b相向的部分，及另一方的短直線部分中與另一方的第1大格子16A的一方的頂點30a相向的部分之間的距離為：m×P以下。
如此，第1導電片10A中，由金屬細線15形成的一個第1導電圖案26A是：將2個以上的第1大格子16A在第1方向上串聯連接而構成，各第1大格子16A是分別組合2個以上的小格子18而構成，在第1大格子16A的邊的周圍，形成與第1大格子16A非連接的由金屬細線15形成的第1輔助圖案20A，金屬細線15的線寬設為1μm~15μm，小格子18的一邊的長度設為50μm~500μm，因此與由一個ITO膜形成一個電極的構成相比，可大幅降低電阻。因此，在使用該第1導電片10A並應用於例如投影型電容方式的觸控面板100的情況下，可提高響應速度，且可促進觸控面板100的大尺寸化。
存在於各第1導電圖案26A的一方的端部側的第1電 極16A的開放端成為：不存在第1連接部22A的形狀。存在於各第1導電圖案26A的另一方的端部側的第1電極16A的端部，經由第1接線部40a而與由金屬細線形成的第1端子配線圖案42a電性連接。
適用於觸控面板100的第1導電片10A如圖2所示，在與感測器部112相對應的部分，排列著上述多個第1導電圖案26A，且在端子配線部114處，排列著從各第1接線部40a導出的由金屬細線15形成的多個第1端子配線圖案42a。
圖1的例子中，第1導電片10A的外形自上表面觀察具有長方形狀，感測器部112的外形亦具有長方形狀。在端子配線部114中，第1導電片10A的一方的長邊側的周緣部，在其長度方向中央部分將多個第1端子116a沿著上述一方的長邊的長度方向排列形成。而且，沿著感測器部112的一方的長邊(離第1導電片10A的一方的長邊最近的長邊：y方向)將多個第1接線部40a呈直線狀排列。自各第1接線部40a導出的第1端子配線圖案42a朝向第1導電片10A的一方的長邊的大致中央部而引導，且分別與相對應的第1端子116a電性連接。因此，連接於與感測器部112的一方的長邊的兩側相對應的各第1接線部40a的第1端子配線圖案42a，是以大致相同長度引導。當然，亦可將第1端子116a形成於第1導電片10A的角部或其附近，但多個第1端子配線圖案42a中，最長的第1端子配線圖案42a與最短的第1端子配線圖案42a之間會產生 大的長度上的差異，從而存在如下問題：對與最長的第1端子配線圖案42a及其附近的多個第1端子配線圖案42a相對應的第1導電圖案26A的信號傳遞會延遲。因此，如本實施形態般，藉由在第1導電片10A的一方的長邊的長度方向中央部分形成第1端子116a，而可抑制局部的信號傳遞的延遲。這有助於響應速度的高速化。
另一方面，第2導電片10B如圖2、圖3A及圖5所示，包括：形成在第2透明基體14B(參照圖3A)的一主面上的第2導電部13B。該第2導電部13B形成著：由金屬細線15形成的2個以上的導電性的第2大格子16B(第2電極)，各第2大格子16B是分別組合2個以上的小格子18而構成。在各第2大格子16B的邊的周圍，形成著：與第2大格子16B非連接的第2輔助圖案20B(輔助電極)。而且，在鄰接的第2大格子16B之間，形成著：將這些第2大格子16B電性連接的由金屬細線15形成的第2連接部22B。第2連接部22B配置著：具有小格子18的n倍(n為大於1的實數)的間距的1個以上的中格子24(24e~24h)而構成。關於第2大格子16B的一邊的長度，亦與上述第1大格子16A同樣地，較佳為3mm~10mm，更佳為4mm~6mm。
進而，2個以上的第2大格子16B經由第2連接部22B而在y方向(第2方向)上排列，從而構成一個第2導電圖案26B，2個以上的第2導電圖案26B在x方向(第1方向)上排列，鄰接的第2導電圖案26B之間配置著電性 絕緣的第2絕緣部28B。
關於該第2導電圖案26B，不限於使用了第2大格子16B的例子。例如，可使用將排列著多個小格子18的網眼狀圖案以絕緣部而劃分成帶狀，而平行地配置著多個該經劃分的圖案的導電圖案。例如，亦可具有分別自端子向y方向延伸，且在x方向上排列的2個以上的帶狀的第2導電圖案26B。此外，亦可為針對各端子而多個帶狀網眼狀圖案延伸的圖案。而且，關於第2輔助圖案20B，亦可使用與第2導電圖案26B平行地配置，且例如各小格子18的一部分斷線而成的網眼狀圖案。該情況下，可與第2導電圖案26B連接，亦可分離。
而且，如圖5所示，第2大格子16B與上述第1大格子16A不同，具有大致八邊形的形狀，且具有：四條短邊44(第1短邊44a~第4短邊44d)與四條長邊46(第1長邊46a~第4長邊46d)。第2連接部22B形成於：在y方向上鄰接的一方的第2大格子16B的第1短邊44a、與另一方的第2大格子16B的第2短邊44b之間。第2絕緣部28B配置於：在x方向上鄰接的一方的第2大格子16B的第3短邊44c、與另一方的第2大格子16B的第4短邊44d之間。
第2大格子16B的四條長邊，亦即，與第3短邊44c鄰接的第1長邊46a及第2長邊46b，以及與第4短邊44d鄰接的第3長邊46c及第4長邊46d分別具有直線形狀，該第3短邊44c與一方的第2絕緣部28B相向，該第4短 邊44d與另一方的第2絕緣部28B相向。
第2連接部22B具有如下形狀，即，將具有包含相當於4個小格子18的大小的中格子24，以4個(第5中格子24e~第8中格子24h)排列為鋸齒狀。亦即，第5中格子24e存在於第1短邊44a，具有形成著一個小格子18與L字狀的空間的形狀。第6中格子24f與第5中格子24e的1條邊鄰接，且具有形成著正方形狀的空間的形狀，亦即，具有將4個小格子18排列為矩陣狀且中央的十字去除的形狀。第7中格子24g與第5中格子24e的一個頂點鄰接而配置，並且與第6中格子24f的一條邊鄰接而配置，且具有與第6中格子24f同樣的形狀。第8中格子24h存在於第2短邊44b，與第6中格子24f的一個頂點鄰接而配置，並且與第7中格子24g的一條邊鄰接而配置，且與第5中格子24e同樣地具有形成著一個小格子18與L字狀的空間的形狀。而且，於將小格子18的排列間距設為P時，中格子24的排列間距具有2P的關係。
而且，於第2大格子16B的四條長邊46(第1長邊46a~第4長邊46d)的周邊，分別形成著上述第2輔助圖案20B，各第2輔助圖案20B具有如下形狀，即，分別除去小格子18的一部分的形狀，以2個以上沿著相對應的邊(直線形狀)而排列。圖5的例子中，表示如下的例子：小格子18的一條邊除去的形狀(大致U字形狀)，將開口的部分朝向相對於第2大格子16B的相對應的長邊為相反的方向排列10個，且其排列間距設為第2大格子16B的 小格子18的排列間距P的2倍。而且，例如，自第1長邊46a的直線形狀至第2輔助圖案20B的大致U字形狀為止的最短距離設為：大致等同於小格子18的內周側的一條邊的長度。該情況在第2長邊46b~第4長邊46d中亦相同。
而且，第2絕緣部28B中形成著與第2大格子16B非連接的第2絕緣圖案34B。該第2絕緣圖案34B包括：排列著2個以上的小格子的第2集合圖案部36b；分別包含2個大致U字形狀的第1彎曲圖案部48a及第2彎曲圖案部48b；以及不存在小格子18的一個空白部(第4空白部38d)。
具體來說，第2集合圖案部36b構成為如下：將圖4所示的第1導電圖案26A的第1絕緣圖案34A的第1空白部38a中所收納的數量(例如6個)的小格子18，以分別連結頂點的方式排列為矩陣狀。
第1彎曲圖案部48a包含：形成在第2絕緣圖案34B的一方的端部(一方的第2大格子16B中的第4短邊44d與第3長邊46c的邊界，與另一方的第2大格子16B中的第3短邊44c與第1長邊46a的邊界之間)的2個大致U字形狀，這些2個大致U字形狀在一端連結，且該一端的各邊所成的角大致設為90°。
同樣地，第2彎曲圖案部48b包含：形成在第2絕緣圖案34B的另一方的端部(一方的第2大格子16B中的第4短邊44d與第4長邊46d的邊界，與另一方的第2大格 子16B中的第3短邊44c與第2長邊46b的邊界之間)的2個大致U字形狀，這些2個大致U字形狀在一端連結，且該一端的各邊所成的角大致設為90°。
第4空白部38d包含如下形狀的空白區域(不存在小格子18的區域)，即，收納著構成圖4所示的第1絕緣圖案34A的第1集合圖案部36a的四個直線部分。
而且，於將小格子18的排列間距定義為P，鄰接的第2導電圖案26B之間的最短距離，亦即，一方的第2大格子16B的第4短邊44d、與另一方的第2大格子16B的第3短邊44c之間的距離定義為第2絕緣部28B的寬度時，第2絕緣部28B的寬度為n×P(n為1以上的整數)，且，第2絕緣圖案34B中，第2絕緣部28B的寬度的方向的部分的最大長度，亦即，第2集合圖案部36b中與一方的第2大格子16B的第4短邊44d的相向的部分，和與另一方的第2大格子16B的第3短邊44c相向的部分之間的距離為n×P以下，較佳為小於n×P。
而且，成為如下的形狀：在存在於相隔1個的(例如第奇數個)第2導電圖案26B的一方的端部側的第2電極16B的開放端，以及存在於第偶數個第2導電圖案26B的另一方的端部側的第2電極16B的開放端，分別不存在第2連接部22B。另一方面，存在於第奇數個各第2導電圖案26B的另一方的端部側的第2電極16B的端部，以及存在於第偶數個各第2導電圖案26B的一方的端部側的第2電極16B的端部，分別經由第2接線部40b而與由金屬細 線形成的第2端子配線圖案42b電性連接。
適用於觸控面板100的第2導電片10B如圖2所示，在與感測器部112相對應的部分排列著多個第2導電圖案26B，在端子配線部114排列著自各第2接線部40b導出的多個第2端子配線圖案42b。
如圖1所示，端子配線部114中，在第2導電片10B的一方的長邊側的周緣部的長度方向中央部分，使多個第2端子116b在上述一方的長邊的長度方向上排列形成。而且，沿著感測器部112的一方的短邊(離第2導電片10B的一方的短邊最近的短邊：x方向)而將多個第2接線部40b(例如第奇數個第2接線部40b)呈直線狀排列，沿著感測器部112的另一方的短邊(離第2導電片10B的另一方的短邊最近的短邊：x方向)而將多個第2接線部40b(例如第偶數個第2接線部40b)呈直線狀排列。
多個第2導電圖案26B中，例如第奇數個的第2導電圖案26B，分別與相對應的第奇數個的第2接線部40b連接，第偶數個的第2導電圖案26B分別與相對應的第偶數個的第2接線部40b連接。自第奇數個的第2接線部40b導出的第2端子配線圖案42b、以及自第偶數個的第2接線部40b導出的第2端子配線圖案42b，朝向第2導電片10B的一方的長邊的大致中央部引導，且分別與相對應的第2端子116b電性連接。因此，例如第1個與第2個的第2端子配線圖案42b以大致相同長度引導，以下同樣地，第2n-1個與第2n個的第2端子配線圖案42b分別以大致 相同長度引導(n=1、2、3...)。
當然，也可將第2端子116b形成於第2導電片10B的角部或其附近，而如上所述，會存在如下的問題，即，對與最長的第2端子配線圖案42b及其附近的多個第2端子配線圖案42b相對應的第2導電圖案26B的信號傳遞會延遲。因此，如本實施形態般，藉由在第2導電片10B的一方的長邊的長度方向中央部分形成第2端子116b，能夠抑制局部的信號傳遞的延遲。這有助於響應速度的高速化。
另外，亦可使第1端子配線圖案42a的導出形態與上述第2端子配線圖案42b相同，且使第2端子配線圖案42b的導出形態與上述第1端子配線圖案42a相同。
而且，於將該積層導電片12用作觸控面板的情況下，於第1導電片10A上形成保護層106，將自第1導電片10A的多個第1導電圖案26A導出的第1端子配線圖案42a、與自第2導電片10B的多個第2導電圖案26B導出的第2端子配線圖案42b，連接於例如控制掃描的控制電路。
作為觸控位置的檢測方式，可較佳採用自電容方式或相互電容方式。亦即，如果為自電容方式，則對第1導電圖案26A依順序供給用於進行觸控位置檢測的電壓信號，且對第2導電圖案26B依順序供給用於進行觸控位置檢測的電壓信號。藉由使指尖與保護層106的上表面接觸或接近，而與觸控位置相向的第1導電圖案26A及第2導電圖案26B與GND(接地)之間的電容增加，因此來自該第1導電圖案26A及第2導電圖案26B的傳遞信號的波形成 為：與來自其他導電圖案的傳遞信號的波形不同的波形。因此，控制電路中，根據自第1導電圖案26A及第2導電圖案26B供給的傳遞信號來對觸控位置進行運算。另一方面，在為相互電容方式的情況下，例如對第1導電圖案26A依順序供給用於進行觸控位置檢測的電壓信號，且對第2導電圖案26B依順序進行感測(傳遞信號的檢測)。藉由使指尖與保護層106的上表面接觸或接近，而對與觸控位置相向的第1導電圖案26A與第2導電圖案26B之間的寄生電容並列地施加手指的浮動電容，從而來自該第2導電圖案26B的傳遞信號的波形成為：與來自其他第2導電圖案26B的傳遞信號的波形不同的波形。因此，控制電路中，根據供給電壓信號的第1導電圖案26A的順序、及所供給的來自第2導電圖案26B的傳遞信號，而對觸控位置進行運算。藉由採用此種自電容方式或相互電容方式的觸控位置的檢測方法，即便使2個指尖同時與保護層106的上表面接觸或接近，亦可對各觸控位置進行檢測。另外，作為與投影型電容方式的檢測電路相關的先前技術文獻，有美國專利第4,582,955號說明書，美國專利第4,686,332號說明書，美國專利第4,733,222號說明書，美國專利第5,374,787號說明書，美國專利第5,543,588號說明書，美國專利第7,030,860號說明書，以及美國公開專利2004/0155871號說明書等。
本實施形態中，端子配線部114中，在第1導電片10A的一方的長邊側的周緣部的長度方向中央部分形成多個第 1端子116a，且在第2導電片10B的一方的長邊側的周緣部的長度方向中央部分形成多個第2端子116b。尤其是，在圖1的例子中，以第1端子116a與第2端子116b不重合的方式，且在相互接近的狀態下排列，進而，第1端子配線圖案42a與第2端子配線圖案42b上下不重合。另外，亦可設為第1端子116a與例如第奇數個第2端子配線圖案42b在一部分上下重合的形態。
藉此，可將多個第1端子116a及多個第2端子116b，經由兩個連接器(第1端子用連接器及第2端子用連接器)或者一個連接器(連接於第1端子116a及第2端子116b的複合連接器)及纜線，而與控制電路電性連接。
而且，由於第1端子配線圖案42a與第2端子配線圖案42b上下不重合，故可抑制第1端子配線圖案42a與第2端子配線圖案42b之間的寄生電容的發生，從而可抑制響應速度的降低。
由於將第1接線部40a沿著感測器部112的一方的長邊排列，且將第2接線部40b沿著感測器部112的兩側的短邊排列，所以可減小端子配線部114的面積。這可促進包含觸控面板100的顯示面板110的小型化，並且可使顯示畫面110a看上去明顯變大。而且，亦可提高作為觸控面板100的操作性。
為了進一步減小端子配線部114的面積，可考慮縮小鄰接的第1端子配線圖案42a之間的距離、與鄰接的第2端子配線圖案42b之間的距離，但在該情況下，若考慮防 止發生遷移(migration)，則上述距離較佳為10μm以上、50μm以下。
此外，自上表面觀察時，考慮藉由在鄰接的第1端子配線圖案42a之間配置第2端子配線圖案42b，而縮小端子配線部114的面積，但存在如下擔心：發生圖案的形成偏移，第1端子配線圖案42a與第2端子配線圖案42b上下重合，配線間的寄生電容增大。這會導致響應速度的降低。因此，在採用上述配置構成的情況下，較佳為將鄰接的第1端子配線圖案42a之間的距離設為50μm以上、100μm以下。
而且，如圖1所示，較佳為在第1導電片10A與第2導電片10B的例如各角部，形成第1導電片10A與第2導電片10B的貼合時所使用的定位用的第1對準標記(alignment mark)118a及第2對準標記118b。該第1對準標記118a及第2對準標記118b在貼合第1導電片10A與第2導電片10B而形成積層導電片12的情況下，成為新的複合對準標記，該複合對準標記亦發揮著：將該積層導電片12設置於顯示面板110時所使用的定位用的對準標記的功能。
而且，當在第2導電片10B上積層第1導電片10A而形成積層導電片12時，如圖6所示，成為如下的形態：第1導電圖案26A的第1連接部22A與第2導電圖案26B的第2連接部22B將第1透明基體14A(參照圖3A)夾在中間而相向，且第1導電圖案26A的第1絕緣部28A與第 2導電圖案26B的第2絕緣部28B將第1透明基體14A夾在中間而相向。另外，第1導電圖案26A與第2導電圖案26B的各線寬相同，但圖6中，為了使第1導電圖案26A與第2導電圖案26B的位置易懂，而將第1導電圖案26A的線寬變粗而誇張地圖示，將第2導電圖案26B的線寬變細而誇張地圖示。
當自上表面觀察積層的第1導電片10A及第2導電片10B時，成為如下形態：以填埋形成於第1導電片10A的第1大格子16A的間隙的方式，而排列著第2導電片10B的第2大格子16B。亦即，成為鋪滿大格子的形態。此時，於第1大格子16A與第2大格子16B之間，藉由第1輔助圖案20A與第2輔助圖案20B相向而形成著組合圖案(輔助電極)。當將如下的距離定義為組合圖案的寬度時，該組合圖案的寬度具有：小格子18的邊的長度的1倍以上的長度，上述距離是將第1大格子16A的例如第1邊32a及與該第1邊32a相向的第2大格子16B的第2長邊46b的最短距離投影至第1透明基體14A的一方的主面上所得的距離。圖6的例子中，組合圖案的寬度具有：小格子18的邊的長度的2倍的長度。該情況在第1大格子16A的第2邊32b~第4邊32d、與第2大格子16B的第2長邊46b~第4長邊46d的關係中亦相同。
因此，成為如下的形狀，即：第1大格子16A的第1輔助圖案20A的多個大致U字形狀的各開口、由第2大格子16B的長邊的各直線形狀連接，並且成為如下的形狀： 即，多個大致U字形狀的各底部之間、由第2大格子16B的第2輔助圖案20B的多個大致U字形狀的各底部連接；同樣地，成為如下的形狀，即：第2大格子16B的第2輔助圖案20B的多個大致U字形狀的各開口、由第1大格子16A的長邊的各直線形狀連接，並且成為如下的形狀，即：多個大致U字形狀的各底部之間、由第1大格子16A的第1輔助圖案20A的多個大致U字形狀的各底部連接，結果是，成為排列著多個小格子18的形態，且成為幾乎無法分清第1大格子16A與第2大格子16B的邊界的狀態。
此處，例如在未形成第1輔助圖案20A及第2輔助圖案20B的情況下，形成著與組合圖案的寬度相當的空白區域，藉此，第1大格子16A的邊界、第2大格子16B的邊界明顯，會發生視認性劣化的問題。為了避免此問題的發生，考慮將第2大格子16B的長邊重合於第1大格子16A的各邊，以消除空白區域的方法，但因重合的位置精度的微小偏差，而直線形狀彼此之間的重合部分的寬度變大(粗線條)，藉此，第1大格子16A與第2大格子16B的邊界明顯，從而產生視認性劣化的問題。
與此相對，本實施形態中，如上所述，藉由第1輔助圖案20A與第2輔助圖案20B的重合，而第1大格子16A與第2大格子16B的邊界變得不明顯，從而視認性提高。
而且，如上所述，例如於將第2大格子16B的長邊重合於第1大格子16A的各邊，以消除空白區域的情況下，第2大格子16B的第1長邊46a~第4長邊46d位於第1 大格子16A的第1邊32a~第4邊32d的正下方。此時，第1邊32a~第4邊32d以及第1長邊46a~第4長邊46d亦分別作為導電部分而發揮功能，因此在第1大格子16A的邊與第2大格子16B的長邊之間形成著寄生電容，該寄生電容的存在對電荷資訊而言作為雜訊(noise)成分而發揮作用，會引起S/N比的顯著降低。並且，因各第1大格子16A與各第2大格子16B之間形成著寄生電容，故成為在第1導電圖案26A與第2導電圖案26B上並聯連接著多個寄生電容的形態，結果是，存在電容電阻(capacitance-resistance，CR)時間常數增大的問題。且有如下擔心：CR時間常數增大，供給至第1導電圖案26A(及第2導電圖案26B)的電壓信號的波形的上升時間延遲，在規定的掃描時間內幾乎不產生用於進行位置檢測的電場。而且，有如下擔心：來自第1導電圖案26A及第2導電圖案26B的傳遞信號的波形的上升時間或下降時間亦延遲，在規定的掃描時間內無法捕捉傳遞信號的波形的變化。這會導致檢測精度的降低、響應速度的降低。亦即，會產生如下問題：為了實現檢測精度的提高、響應速度的提高，而減少第1大格子16A及第2大格子16B的數量(解析度的降低)，或只能減小適應的顯示畫面的尺寸，從而無法應用於例如B5版、A4版、及其以上的大畫面。
與此相對，本實施形態中，如圖3A所示，將第1大格子16A的邊32、與第2大格子16B的長邊46的投影距離Lf設為：大致等同於小格子18的一邊的長度的2倍的 長度。因此，形成於第1大格子16A與第2大格子16B之間的寄生電容減小。結果是，CR時間常數亦減小，可實現檢測精度的提高、響應速度的提高。另外，第1輔助圖案20A與第2輔助圖案20B的組合圖案中，第1輔助圖案20A的各彎曲部與第2輔助圖案20B的各彎曲部分別相向，但第1輔助圖案20A與第1大格子16A非連接而成為電性絕緣，第2輔助圖案20B亦與第2大格子16B非連接而成為電性絕緣，從而不會導致形成於第1大格子16A與第2大格子16B之間的寄生電容的增加。
就上述投影距離Lf的最適當距離而言，相比於根據第1大格子16A及第2大格子16B的尺寸來設定，較佳為：根據構成第1大格子16A及第2大格子16B的小格子18的尺寸(線寬及一邊的長度)來適當設定。該情況下，若相對於具有一定的尺寸的第1大格子16A及第2大格子16B，小格子18的尺寸過大，則透光性提高，但傳遞信號的動態範圍(dynamic range)減小，因此有可能會引起檢測感度的降低。相反地，若小格子18的尺寸過小，則雖然檢測感度提高，但線寬的減小有限，因此有可能透光性會劣化。
因此，於將小格子18的線寬設為1μm~9μm時，上述投影距離Lf的最適當值(最適距離)較佳為100μm~400μm，更佳為200μm~300μm。若使小格子18的線寬縮小，則上述最佳距離亦可縮短，但因電阻增高，即便寄生電容減小，CR時間常數亦會增高，結果有可能引起檢 測感度的降低、響應速度的降低。因此，小格子18的線寬較佳為處於上述範圍。
而且，例如根據顯示面板110的尺寸或者感測器部112的尺寸與觸控位置檢測的解析度(驅動脈衝的脈衝週期等)，來決定第1大格子16A及第2大格子16B的尺寸以及小格子18的尺寸，以小格子18的線寬為基準而推斷出第1大格子16A與第2大格子16B之間的最適距離。
而且，在自上表面觀察第1連接部22A與第2連接部22B相向的部分時，成為如下的形態：第2連接部22B的第5中格子24e與第7中格子24g的交點、位於第1大格子16A的第2中格子24b的大致中心處，且第2連接部22B的第6中格子24f與第8中格子24h的交點、位於第1大格子16A的第3中格子24c的大致中心處，藉由這些第1中格子24a~第8中格子24h的組合而形成著多個小格子18。亦即，成為如下形態：在第1連接部22A與第2連接部22B相向的部分，藉由第1連接部22A與第2連接部22B的組合而排列著多個小格子18，與構成周圍的第1大格子16A的小格子18、或構成第2大格子16B的小格子18無法區分，從而視認性提高。
作為第1導電圖案26A與第2導電圖案26B相向的部分，列舉第1連接部22A與第2連接部22B相向的部分。該情況下，構成第1連接部22A的金屬細線15的一部分、與構成第2連接部22B的金屬細線15的一部分相向，而形成著寄生電容，但因尺寸比小格子18大的中格子24彼 此之間的各一部分相向，故金屬細線15相向的點(point)少，並且，第1透明基體14A的厚度設為75μm以上、350μm以下，因此形成於第1連接部22A與第2連接部22B之間的寄生電容非常小。
而且，當自上表面觀察第1絕緣部28A的第1絕緣圖案34A與第2絕緣部28B的第2絕緣圖案34B相向的部分時，第1絕緣圖案34A的第1集合圖案部36a與第2絕緣圖案34B的第4空白部38d相向，並且第1絕緣圖案34A的第1空白部38a與第2絕緣圖案34B的第2集合圖案部36b相向。而且，第1絕緣圖案34A的第2空白部38b與第2絕緣圖案34B的第1彎曲圖案部48a相向，並且第1絕緣圖案34A的第3空白部38c與第2絕緣圖案34B的第2彎曲圖案部48b相向，此時，成為第1彎曲圖案部48a的各開口由第1大格子16A的第3邊32c與第4邊32d的各直線形狀(另一方的頂點30b附近的各直線形狀)連接的形狀，且成為第2彎曲圖案部48b的各開口由第1大格子16A的第1邊32a與第2邊32b的各直線形狀(一方的頂點30a附近的各直線形狀)連接的形狀。藉此，成為如下形態：藉由第1絕緣圖案34A與第2絕緣圖案34B的組合，而形成著多個小格子18。結果是，與構成周圍的第1大格子16A的小格子18或構成第2大格子16B的小格子18無法區分，從而視認性提高。
如此，積層導電片12中，在例如適用於投影型電容方式的觸控面板100的情況下，可提高響應速度，且可促進 觸控面板100的大尺寸化。
並且，藉由形成於第1導電片10A的第1大格子16A的周邊的第1輔助圖案20A與形成於第2導電片10B的第2大格子16B的周邊的第2輔助圖案20B的組合而形成著多個小格子18，而且，藉由第1連接部22A與第2連接部22B的組合而形成著多個小格子18，進而，藉由第1絕緣圖案34A與第2絕緣圖案34B的組合而形成著多個小格子18，因此第1導電片10A的第1大格子16A與第2導電片10B的第2大格子16B的邊界變得不明顯，亦不會有局部產生粗線條等的不良，整體上視認性變得良好。
而且，可大幅降低多個第1導電圖案26A及第2導電圖案26B的CR時間常數，藉此，可提高響應速度，從而驅動時間(掃描時間)內的位置檢測亦變得容易。這可促進觸控面板100的畫面尺寸(為縱×橫的尺寸，不包含厚度)的大型化。
而且，該積層導電片12中，第2導電圖案26B中的金屬細線15的佔有面積大於第1導電圖案26A中的金屬細線15的佔有面積，第2大格子16B(第2電極)中的金屬細線15的佔有面積大於第1大格子16A(第1電極)中的金屬細線15的佔有面積大。
通常，顯示裝置108側的第2導電圖案26B可抑制由電磁波引起的雜訊的影響。亦即，在消除電磁波的電場成分的方向上流動表面電流，在消除電磁波的磁場成分的方向上流動渦電流，藉此可抑制由電磁波引起的雜訊的影 響。該積層導電片12中，將顯示裝置108側的第2導電圖案26B中的金屬細線15的佔有面積設得比第1導電圖案26A中的金屬細線15的佔有面積大，因此可將第2導電圖案26B的表面電阻降低至70Ω(歐姆)/sq.以下，例如對於抑制來自顯示裝置108等的電磁波引起的雜訊的影響方面較為有利。
而且，因將第2大格子16B中的金屬細線15的佔有面積設得比第1大格子16A中的金屬細線15的佔有面積大，故在採用自電容方式來作為手指的觸控位置的檢測方式的情況下，即便為距離手指的觸控位置遠的第2大格子16B，亦可儲存與第1大格子16A同等程度的信號電荷，從而可將第1大格子16A中的檢測感度與第2大格子16B中的檢測感度設為大致同等，可減輕信號處理的負擔，並且亦可實現檢測精度的提高。在例如採用相互電容方式來作為手指的觸控位置的檢測方式的情況下，藉由將金屬細線15的佔有面積廣的第2大格子16B用作驅動電極、且將第1大格子16A用作接收電極，亦可提高第1大格子16A中的接收感度。
如此，積層導電片12中，即便在由金屬細線15的圖案構成電極的情況下，亦可確保高透明性，並且，可實現檢測信號的S/N比的提高、檢測感度的提高、檢測精度的提高。而且，第1導電圖案26A與第2導電圖案26B在一部分相向，即便形成寄生電容，因將第1透明基體14A的厚度設為75μm以上、350μm以下，故亦可將寄生電容抑 制得低，且可抑制檢測感度的降低。
此處，於將第1導電圖案26A中的金屬細線15的佔有面積設為A1、第2導電圖案26B中的金屬細線15的佔有面積設為A2時，較佳為：1<A2/A1≦20。更佳為1<A2/A1≦10，尤佳為2≦A2/A1≦10。
而且，於將第1大格子16A中的金屬細線15的佔有面積設為a1、第2大格子16B中的金屬細線15的佔有面積設為a2時，較佳為1<a2/a1≦20。更佳為1<a2/a1≦10，尤佳為2≦a2/a1≦10。
上述例子中，將第1大格子16A的外形形狀設為圖4所示的四邊形狀，將第2大格子16B的外形形狀設為如圖5所示的八邊形狀，但第1大格子16A及第2大格子16B的外形形狀並不限定於這些形狀，而且，第1大格子16A及第2大格子16B的大小為可感知觸控位置的足夠的大小即可。
而且，將小格子18的形狀設為正方形狀，此外，亦可為多邊形狀。而且，除了將一邊的形狀設為直線狀以外，還可為彎曲形狀，亦可為圓弧狀。在設為圓弧狀的情況下，例如對於相向的2邊，設為向外方凸出的圓弧狀，對於其他相向的2邊，亦可設為向內方凸出的圓弧狀。而且，亦可將各邊的形狀設為：向外方凸出的圓弧與向內方凸出的圓弧連續的波線形狀。當然，亦可將各邊的形狀設為正弦曲線(sine curve)。
上述第1導電片10A及第2導電片10B中，將構成第 1連接部22A及第2連接部22B的中格子24的排列間距設定為：小格子18的排列間距P的2倍，此外，亦可根據中格子的數量而任意地設定為1.5倍、3倍等。就中格子24的排列間距而言，若該間隔過窄、或過大，第1大格子16A或第2大格子16B的配置變得困難，外觀變差，因此，較佳為：小格子18的排列間距P的1倍~10倍，更佳為1倍~5倍。
而且，小格子18的尺寸(1條邊的長度或對角線的長度等)或構成第1大格子16A的小格子18的個數、構成第2大格子16B的小格子18的個數，亦可根據適用的觸控面板100的尺寸或解析度(配線數)來適當設定。
接著，一面參照圖7~圖15，一面對第1導電部13A及第2導電部13B的變形例進行說明。
第1變形例的第1導電部13A如圖7所示，包括：2個以上的第1導電圖案26A，分別在第1方向(x方向)上延伸，且在第2方向(y方向)上排列，第1導電圖案26A包含多個小格子18且由金屬細線15形成；以及第1輔助圖案20A，排列在各第1導電圖案26A的周邊且由金屬細線15形成。
第1導電圖案26A將2個以上的第1大格子16A在第1方向(x方向)上串聯連接而構成，各第1大格子16A分別組合2個以上的小格子18而構成。而且，在第1大格子16A的邊的周圍，形成著與第1大格子16A非連接的上述第1輔助圖案20A。
在鄰接的第1大格子16A之間，形成著將這些第1大格子16A電性連接的由金屬細線15形成的第1連接部22A。第1連接部22A是配置著中格子24而構成，該中格子24是p個(p為大於1的實數)的小格子18在第3方向(m方向)上排列而成的大小。在第1大格子16A的沿著第4方向(n方向)的邊中的與中格子24鄰接的部分，形成著去除小格子18的一條邊而成的第1去除部50A。第3方向與第4方向所成的角θ可適當選自60°~120°。
而且，鄰接的第1導電圖案26A之間配置著電性絕緣的第1絕緣部28A。
第1輔助圖案20A包括：沿著第1大格子16A的邊中的第3方向(m方向)的邊而排列的多個第1輔助線52A(以第4方向為軸線方向)；沿著第1大格子16A的邊中的第4方向的邊而排列的多個第1輔助線52A(以第3方向為軸線方向)；以及如下圖案，該圖案是在第1絕緣部28A中，使分別將兩個第1輔助線52A以L字狀組合而成的2個L字狀圖案54A相互相向配置而成。這些第1輔助線52A及L字狀圖案54A分別將長度方向的長度設得短，亦可成為點形狀。
另一方面，第2導電部13B如圖8所示，包括：2個以上的第2導電圖案26B，分別在第2方向(y方向)上延伸，且在與第2方向正交的第1方向(x方向)上排列，第2導電圖案26B包括多個小格子18且由金屬細線15形成；以及第2輔助圖案20B，在各第2導電圖案26B的周 邊排列且由金屬細線15形成。
各第2導電圖案26B將2個以上的第2大格子16B在第2方向上串聯連接而構成，各第2大格子16B分別組合2個以上的小格子18而構成。而且，在第2大格子16B的邊的周圍，形成著與第2大格子16B非連接的上述第2輔助圖案20B。
如圖8所示，在鄰接的第2大格子16B之間，形成著將這些第2大格子16B電性連接的由金屬細線15形成的第2連接部22B。第2連接部22B配置著中格子24而構成，該中格子24是p個(p為大於1的實數)小格子18在第4方向(n方向)上排列而成的大小。在第2大格子16B的沿著第3方向(m方向)的邊中的與中格子24鄰接的部分，形成著去除小格子18的一條邊而成的第2去除部50B。中格子24在圖8的例子中，具有3個小格子18在第4方向上排列而成的大小。進而，第2導電部13B包括第3輔助圖案20C(另一輔助電極)，該第3輔助圖案20C在第2大格子16B之間、形成於與第1大格子16A大致相同大小的空白區域56(光透過區域)內且由金屬細線15形成。
而且，鄰接的第2導電圖案26B之間配置著電性絕緣的第2絕緣部28B。
此處，第2輔助圖案20B包括：沿著第2大格子16B的邊中的第3方向的邊排列的多個第2輔助線52B(以第4方向為軸線方向)；沿著第2大格子16B的邊中的第4 方向的邊而排列的多個第2輔助線52B(以第3方向為軸線方向)；以及如下圖案，該圖案是在第2絕緣部28B中，使分別將兩個第2輔助線52B以L字狀組合而成的2個L字狀圖案54B相互相向配置而成。這些第2輔助線52B及L字狀圖案54B分別將長度方向的長度設得短，亦可成為點形狀。
第3輔助圖案20C包括：以第3方向為軸線方向的第3輔助線52C及/或以第4方向為軸線方向的第3輔助線52C。當然，亦可具有兩個第3輔助線52C以L字狀組合的L字狀圖案。這些第3輔助線52C及L字狀圖案分別將長度方向的長度設得短，亦可成為點形狀。
如圖7所示，在上述第1導電部13A的第1大格子16A內，形成著與上述第2導電部13B的第3輔助圖案20C(參照圖8)相對應的去除圖案58(不存在金屬細線15的空白圖案)。亦即，如後述般，將第1導電片10A與第2導電片10B重合時，第2大格子16B之間的空白區域56與第1大格子16A相向。由於在空白區域56形成著第3輔助圖案20C，所以在第1大格子16A中，在與第3輔助圖案20C相向的位置形成著與該第3輔助圖案20C相對應的去除圖案58。去除圖案58具有：與第3輔助圖案20C的第3輔助線52C相對應的大小的去除部60(金屬細線15去除的部分)。亦即，在與第3輔助線52C相向的位置處、形成著與該第3輔助線52C大致相同大小的去除部60。當然，若在第3輔助圖案20C中存在L字狀圖案，則在與該L字 狀圖案相向的位置處、形成著與該L字狀圖案大致相同大小的去除部60。
亦即，第1大格子16A是組合著：與構成第2大格子16B的小格子18相同大小的小格子(第1小格子18a)、和尺寸比該第1小格子18a大的小格子(第2小格子18b)而構成。圖7中，作為第2小格子18b，表示了：將兩個第1小格子18a在第3方向上排列的形態(第1形態)，及將兩個第1小格子18a在第4方向上排列的形態(第2形態)。第2小格子18b並不限定於此，只要存在具有第1小格子18a的一邊的長度的s倍(s為大於1的實數)的長度的長度成分(邊等)即可，該長度成分可設定為例如第1小格子18a的一邊的長度的1.5倍、2.5倍、3倍等各種組合。而且，關於第3輔助圖案20C的第3輔助線52C的長度，亦可與第2小格子18b的大小相對應，而具有第1小格子18a的一邊的長度的s倍(s為大於1的實數)的長度。
第1輔助圖案20A(第1輔助線52A)、第2輔助圖案20B(第2輔助線52B)及第3輔助圖案20C(第3輔助線52C)的線寬分別可選自30μm以下。該情況下，可與第1導電圖案26A的線寬或第2導電圖案26B的線寬相同，亦可不同。然而，較佳為將第1導電圖案26A、第2導電圖案26B、第1輔助圖案20A、第2輔助圖案20B及第3輔助圖案20C的各線寬設為相同。
而且，例如於第2導電片10B上積層第1導電片10A 而形成積層導電片12時，如圖9所示，成為將第1導電圖案26A與第2導電圖案26B交叉而配置的形態，具體來說，成為如下形態：第1導電圖案26A的第1連接部22A與第2導電圖案26B的第2連接部22B將第1透明基體14A(參照圖3A)夾在中間而相向，第1導電部13A的第1絕緣部28A與第2導電部13B的第2絕緣部28B將第1透明基體14A夾在中間而相向。
當自上表面觀察積層導電片12時，如圖9所示，成為如下形態：以填埋形成於第1導電片10A的第1大格子16A的間隙的方式，而排列著第2導電片10B的第2大格子16B。此時，第1大格子16A與第2大格子16B之間，藉由第1輔助圖案20A與第2輔助圖案20B相向而形成著第1組合圖案62A(輔助電極)，藉由形成於第2大格子16B之間的空白區域56的第3輔助圖案20C(另一輔助電極)、與形成於第1大格子16A內的去除圖案58相向，而形成著第2組合圖案62B。
第1組合圖案62A如圖10所示，第1輔助線52A的軸線64A與第2輔助線52B的軸線64B一致，且第1輔助線52A與第2輔助線52B不重合，且第1輔助線52A的一端與第2輔助線52B的一端一致，藉此，構成小格子18的一條邊。亦即，第1組合圖案62A成為組合著2個以上的小格子18的形態。第2組合圖案62B成為如下形態：利用第3輔助圖案20C的第3輔助線52C來補充形成於第1大格子16A的去除圖案58的去除部60，且成為組合著2 個以上的小格子18的形態。結果是，當自上表面觀察積層導電片12時，如圖9所示，成為整體鋪滿了多個小格子18的形態，且成為幾乎無法區分第1大格子16A與第2大格子16B的邊界的狀態。
然而，在第1大格子16A內未形成去除圖案58的情況下，當形成積層導電片12時，與第1大格子16A相對應的部分的光透過率及與第2大格子16B相對應的部分的光透過率會產生差異，從而視認性劣化(第1大格子16A或第2大格子16B容易視認)。因此，本實施形態中，藉由於第1大格子16A內形成去除圖案58，可使與第1大格子16A相對應的部分的光透過率及與第2大格子16B相對應的部分的光透過率均一，從而視認性提高。
上述例子中，在與第3輔助線52C相向的位置處形成著與該第3輔助線52C大致相同大小的去除部60，來作為形成於第1大格子16A內的去除圖案58，但無須限定於此，只要與第1大格子16A相對應的部分的光透過率、和與第2大格子16B相對應的部分的光透過率均一，則亦可在不同於與第3輔助線52C相向的位置的位置處形成去除部60。
然而，若使構成第3輔助圖案20C的第3輔助線52C的根數增多，則為了使上述光透過率均一，而必須將形成於第1大格子16A的去除部60相應地增多而形成。該情況下，有可能第1大格子16A的導電性受損。因此，第3輔助圖案20C中的金屬細線的佔有面積較佳為第2大格子 16B中的金屬細線的佔有面積的1/2以下，更佳為1/4以下。
而且，該第1變形例的積層導電片12中，於將第1導電圖案26A中的金屬細線15的佔有面積設為A1、第2導電圖案26B中的金屬細線15的佔有面積設為A2時，較佳為1<A2/A1≦20。更佳為1<A2/A1≦10，尤佳為2≦A2/A1≦10。
而且，於將第1大格子16A中的金屬細線15的佔有面積設為a1、第2大格子16B中的金屬細線15的佔有面積設為a2時，較佳為1<a2/a1≦20。更佳為1<a2/a1≦10，尤佳為2≦a2/a1≦10。
該第1變形例中，由於在第2導電圖案26B中的第2大格子16B之間的空白區域56形成了第3輔助圖案20C，故相比於第1導電圖案26A，可大幅地增大第2導電圖案26B中的金屬細線15的佔有面積，例如對於抑制來自顯示裝置108等的電磁波引起的雜訊的影響方面更為有利。
因此，即便在由金屬細線15的圖案構成電極的情況下，亦可確保高透明性，並且可實現檢測信號的S/N比的提高、檢測感度的提高、檢測精度的提高。
接著，第2變形例的第1導電部13A如圖11所示，是將2個以上的第1大格子16A在第1方向(x方向)串聯連接而構成。在第1大格子16A的邊的周圍形成著與第1大格子16A非連接的上述第1輔助圖案20A，在鄰接的第1大格子16A之間形成著將這些第1大格子16A電性連接的由金屬細線15形成的第1連接部22A。
第1連接部22A配置著第1中格子24a以及第2中格子24b而構成，該第1中格子24a具有p個(p為大於1的實數)的第1小格子18a在第3方向(m方向)上排列的大小，該第2中格子24b與第1中格子24a交叉，且具有在第3方向(m方向)上排列q個(q為大於1的實數)第1小格子18a且在第4方向(n方向)上排列r個(r為大於1的實數)第1小格子18a的大小。第1中格子24a在圖11的例子中，具有7個第1小格子18a在第3方向上排列的大小，第2中格子24b具有在第3方向上排列3個第1小格子18a、且在第4方向上排列5個第1小格子18a的大小。第3方向與第4方向所成的角θ可適當選自60°~120°。
第1輔助圖案20A具有多個第1輔助線52A、L字狀圖案等。
另一方面，第2變形例的第2導電部13B如圖12所示，是將2個以上的第2大格子16B在第2方向(y方向)上串聯連接而構成，各第2大格子16B分別組合2個以上的小格子18而構成。而且，在第2大格子16B的邊的周圍，形成著與第2大格子16B非連接的第2輔助圖案20B。第2輔助圖案20B具有：多個第2輔助線52B、L字狀圖案、以及，第2輔助線52B與相當於小格子18的一邊的長度的金屬細線組合而成的U字狀圖案及E字狀圖案。
在鄰接的第2大格子16B之間，形成著將這些第2大格子16B電性連接的由金屬細線15形成的第2連接部 22B。第2連接部22B配置著第1中格子24a以及第2中格子24b而構成，該第1中格子24a具有p個(p為大於1的實數)小格子18在第4方向(n方向)上排列的大小，該第2中格子24b與第1中格子24a交叉，第2中格子24b具有在第4方向(n方向)上排列著q個(q為大於1的實數)小格子18、且在第3方向(m方向)上排列著r個(r為大於1的實數)小格子18的大小。第1中格子24a在圖12的例子中，具有7個第1小格子18a在第4方向上排列的大小，第2中格子24b具有在第4方向上排列3個第1小格子18a、且在第3方向上排列5個第1小格子18a的大小。進而，第2導電圖案26B在第2大格子16B之間的空白區域56(光透過區域)內，形成著由金屬細線15形成的第3輔助圖案20C。
形成於第2大格子16B之間的空白區域56的第3輔助圖案20C具有如下圖案：以第3方向(m方向)為軸線方向的第3輔助線52C、與以第4方向(n方向)為軸線方向的第3輔助線52C，在交替且電性絕緣的形態下(例如僅以小格子18的一邊的長度隔開的形態)而排列。
如圖11所示，在上述第1大格子16A內，形成著與上述第2導電圖案26B的第3輔助圖案20C(參照圖12)相對應的去除圖案58(不存在金屬細線15的空白圖案)。去除圖案58具有：與第3輔助圖案20C的第3輔助線52C相對應的去除部60(金屬細線15去除的部分)。亦即，在與第3輔助線52C相向的位置處、形成著與該第3輔助線 52C大致相同大小的去除部60。
亦即，第1大格子16A主要組合著多個第2小格子18b而構成，該第2小格子18b具有比第1小格子18a大的尺寸。圖11中，作為第2小格子18b，表示了：將兩個第1小格子18a在第4方向上排列的第1形態、及將兩個第1小格子18a在第3方向上排列的第2形態。第2小格子18b並不限定於此，只要存在具有第1小格子18a的一邊的長度的s倍(s為大於1的實數)的長度的長度成分(邊等)，則例如可設定為第1小格子18a的一邊的長度的1.5倍、2.5倍、3倍等各種組合。而且，關於第3輔助圖案20C的第3輔助線52C的長度，亦可與第2小格子18b的大小相對應，而具有第1小格子18a的一邊的長度的s倍(s為大於1的實數)的長度成分。
而且，第1大格子16A具有如下圖案：兩個第1形態在第3方向上排列的組合(第1組合19a)，與兩個第2形態在第4方向上排列的組合(第2組合19b)交替而排列。亦即，當將第1導電片10A與第2導電片10B重合時，鄰接的第1形態之間的金屬細線(在第4方向上延伸)與在第3方向上延伸的第3輔助線52C交叉，且鄰接的第2形態之間的金屬細線(在第3方向上延伸)與在第4方向上延伸的第3輔助線52C交叉。
因此，如圖13所示，藉由第1輔助圖案20A與第2輔助圖案20B相向而成的第1組合圖案62A成為：組合著2個以上的小格子18的形態。
而且，藉由形成於第2大格子16B之間的空白區域56的第3輔助圖案20C、與形成於第1大格子16A內的去除圖案58相向而成的第2組合圖案62B，成為：利用第3輔助圖案20C的第3輔助線52C來補充形成於第1大格子16A的去除圖案58的去除部60的形態，且成為：組合著2個以上的小格子18的形態。結果是，當自上表面觀察積層導電片12時，如圖13所示，成為整體鋪滿了多個小格子18的形態，且成為幾乎無法區分第1大格子16A與第2大格子16B的邊界的狀態。
接著，第3變形例的第1導電部13A及第2導電部13B具有：與上述第2變形例大致同樣的構成，但第1大格子16A的圖案與形成在第2大格子16B之間的空白區域56的第3輔助圖案20C如下述般不同。
首先，對第3輔助圖案20C進行說明，第3輔助圖案20C如圖15所示，具有如下圖案：以第3方向(m方向)為軸線方向且在第4方向上排列的多個第3輔助線52C、與以第4方向(n方向)為軸線方向且在第3方向上排列的多個第3輔助線52C分別交叉。亦即，第3輔助圖案20C組合多個第2小格子18b而構成，該多個第2小格子18b具有：在第3方向上排列兩個第1小格子18a、且在第4方向上排列兩個第1小格子18a的大小。
另一方面，第1大格子16A如圖14所示，形成著與上述第3輔助圖案20C(參照圖15)相對應的去除圖案58。去除圖案58在與第3輔助圖案20C的第3輔助線52C的 交叉部分相向的位置處、形成著與上述第2小格子18b大致相同大小的去除部60。亦即，第1大格子16A組合具有與構成第3輔助圖案20C的第2小格子18b相同大小的第2小格子18b而構成，可設為如下圖案，即，具有：相對於第3輔助圖案20C而朝第3方向及第4方向分別僅偏移相當於第1小格子18a的一邊的長度的位置關係。
因此，該第3變形例中，如圖13所示，藉由第1輔助圖案20A與第2輔助圖案20B相向而成的第1組合圖案62A成為：組合著2個以上的小格子18的形態。
而且，藉由形成於第2大格子16B之間的空白區域56的第3輔助圖案20C、與形成於第1大格子16A內的去除圖案58相向而成的第2組合圖案62B，成為：利用第3輔助圖案20C的第3輔助線52C來補充形成於第1大格子16A的去除圖案58的去除部60的形態，且成為：組合著2個以上的小格子18的形態。結果是，當自上表面觀察積層導電片12時，如圖13所示，成為整體鋪滿了多個小格子18的形態，且成為幾乎無法區分第1大格子16A與第2大格子16B的邊界的狀態。
上述例子中，表示了將第1導電片10A及第2導電片10B適用於投影型電容方式的觸控面板100的例子，此外，亦可適用於表面型電容方式的觸控面板、或電阻膜式的觸控面板中。
上述積層導電片12中，如圖2及圖3A所示，在第1透明基體14A的一主面形成第1導電部13A，在第2透明 基體14B的一主面形成第2導電部13B，並進行積層，此外，亦可如圖3B所示，在第1透明基體14A的一主面形成第1導電部13A，在第1透明基體14A的另一主面形成第2導電部13B。該情況下，第2透明基體14B並不存在，而成為在第2導電部13B上積層著第1透明基體14A，在第1透明基體14A上積層著第1導電部13A的形態。而且，第1導電片10A與第2導電片10B亦可在它們之間存在其他層，只要第1導電部13A與第2導電部13B為絕緣狀態，則它們亦可相向而配置。
接著，作為形成第1導電部13A或第2導電部13B的方法，例如，可對於第1透明基體14A上及第2透明基體14B上的具有乳劑層的感光材料進行曝光，該乳劑層含有感光性鹵化銀鹽，並且實施顯影處理，藉此，於曝光部及未曝光部分別形成金屬銀部及光透過性部，從而形成第1導電部13A及第2導電部13B。另外，亦可進而對金屬銀部實施物理顯影及/或鍍敷處理，而使導電性金屬承載於金屬銀部。
另一方面，如圖3B所示，當在第1透明基體14A的一主面形成第1導電部13A，在第1透明基體14A的另一主面形成第2導電部13B時，若依據通常的製法，而採用最初對一主面曝光，然後對另一主面曝光的方法，則有時無法獲得具有所期望的圖案的第1導電部13A及第2導電部13B。尤其是，難以使如下圖案均一地形成：如圖4等所示，形成於第1大格子16A的邊32的周圍的第1輔助 圖案20A、配置於第1絕緣部28A的第1絕緣圖案34A，以及如圖5等所示，形成於第2大格子16B的長邊46的周圍的第2輔助圖案20B，配置於第2絕緣部28B的第2絕緣圖案34B等。
因此，較佳為可採用以下所示的製造方法。
亦即，對形成於第1透明基體14A的兩面的感光性鹵化銀乳劑層進行統一曝光，於第1透明基體14A的一主面形成第1導電部13A，於第1透明基體14A的另一主面形成第2導電部13B。
一面參照圖16~圖18，一面對該製造方法的具體例進行說明。
首先，圖16的步驟S1中，製造長條的感光材料140。感光材料140如圖17A所示，包括：第1透明基體14A；形成於該第1透明基體14A的一方的主面的感光性鹵化銀乳劑層(以下稱作第1感光層142a)；以及形成於第1透明基體14A的另一方的主面的感光性鹵化銀乳劑層(以下稱作第2感光層142b)。
圖16的步驟S2中，對感光材料140進行曝光。該曝光處理中進行第1曝光處理及第2曝光處理(兩面同時曝光)，該第1曝光處理對第1感光層142a，朝向第1透明基體14A照射光，而將第1感光層142a沿著第1曝光圖案進行曝光；該第2曝光處理對第2感光層142b朝向第1透明基體14A照射光，而將第2感光層142b沿著第2曝光圖案進行曝光。圖17B的例子中，一面將長條的感光材 料140沿一方向搬送，一面經由第1光罩146a對第1感光層142a照射第1光144a(平行光)，並且經由第2光罩146b對第2感光層142b照射第2光144b(平行光)。藉由將自第1光源148a出射的光，利用中途的第1準直透鏡150a轉換為平行光而獲得第1光144a；藉由將自第2光源148b出射的光，利用中途的第2準直透鏡150b轉換為平行光而獲得第2光144b。圖17B的例子中，表示了：使用2個光源(第1光源148a及第2光源148b)的情況，但亦可將自一個光源出射的光經由光學系統分割，而作為第1光144a及第2光144b而照射至第1感光層142a及第2感光層142b。
而且，圖16的步驟S3中，藉由對曝光後的感光材料140進行顯影處理，例如圖3B所示，而製作積層導電片12。積層導電片12包括：第1透明基體14A；形成於該第1透明基體14A的一方的主面的沿著第1曝光圖案的第1導電部13A(第1導電圖案26A等)；以及形成於第1透明基體14A的另一方的主面的沿著第2曝光圖案的第2導電部13B(第2導電圖案26B等)。另外，第1感光層142a及第2感光層142b的曝光時間及顯影時間，根據第1光源148a及第2光源148b的種類或顯影液的種類等而進行各種變化，較佳的數值範圍無法一概決定，可調整成顯影率為100%的曝光時間及顯影時間。
而且，本實施形態的製造方法中，第1曝光處理如圖18所示，在第1感光層142a上例如密接地配置第1光罩 146a，自與該第1光罩146a相向而配置的第1光源148a朝向第1光罩146a照射第1光144a，藉此對第1感光層142a進行曝光。第1光罩146a包括：由透明的鈉玻璃形成的玻璃基板；以及形成於該玻璃基板上的遮罩圖案(第1曝光圖案152a)。因此，藉由該第1曝光處理，將第1感光層142a中的沿著形成於第1光罩146a的第1曝光圖案152a的部分進行曝光。第1感光層142a與第1光罩146a之間亦可設置2μm~10μm左右的間隙。
同樣地，第2曝光處理在第2感光層142b上例如密接地配置第2光罩146b，自與該第2光罩146b相向而配置的第2光源148b朝向第2光罩146b照射第2光144b，藉此對第2感光層142b進行曝光。第2光罩146b與第1光罩146a同樣地包括：由透明的鈉玻璃形成的玻璃基板；以及形成於該玻璃基板上的遮罩圖案(第2曝光圖案152b)。因此，藉由該第2曝光處理，將第2感光層142b中的沿著形成於第2光罩146b的第2曝光圖案152b的部分進行曝光。該情況下，第2感光層142b與第2光罩146b之間亦可設置2μm~10μm左右的間隙。
第1曝光處理及第2曝光處理中，可將自第1光源148a的第1光144a的出射時序(timing)、與自第2光源148b的第2光144b的出射時序設為同時，亦可不同。如果為同時，則1次的曝光處理中，可將第1感光層142a及第2感光層142b同時曝光，從而可實現處理時間的短縮化。
然而，在第1感光層142a及第2感光層142b均不是 分光敏度(spectral sensitization)的情況下，若對感光材料140自兩側曝光，則來自單側的曝光會對另一單側(背側)的圖像形成造成影響。
亦即，到達第1感光層142a的來自第1光源148a的第1光144a藉由第1感光層142a中的鹵化銀粒子而散射，且作為散射光透過第1透明基體14A，其一部分到達第2感光層142b為止。於是，第2感光層142b與第1透明基體14A的邊界部分在大範圍內被曝光，從而形成潛像(latent image)。因此，第2感光層142b中，進行來自第2光源148b的第2光144b的曝光、與來自第1光源148a的第1光144a的曝光，在藉由之後的顯影處理而形成第1積層導電片12A的情況下，除了藉由第2曝光圖案152b形成導電圖案(第2導電部13B)之外，在該導電圖案之間、藉由來自第1光源148a的第1光144a而形成薄的導電層，而無法獲得所期望的圖案(沿著第2曝光圖案152b的圖案)。該情況在第1感光層142a中亦相同。
為了避免上述問題的發生，而進行了積極研究，結果判明：將第1感光層142a及第2感光層142b的厚度設定在特定的範圍內，並規定第1感光層142a及第2感光層142b的塗佈銀量，鹵化銀自身吸收光，從而可限制光朝向背面透過。本實施形態中，第1感光層142a及第2感光層142b的厚度可設定為1μm以上、4μm以下。上限值較佳為2.5μm。而且，將第1感光層142a及第2感光層142b的塗佈銀量規定為5g/m2~20g/m2。
上述兩面密接的曝光方式中，會因附著在膜表面的塵埃等，而出現由曝光阻礙所引起的圖像缺陷的問題。作為防止塵埃附著的方法，眾所周知在膜上塗佈導電性物質，但金屬氧化物等在處理後亦殘存，從而破壞最終製品的透明性，而且，導電性高分子就保存性等而言存在問題。因此，積極研究後可知，藉由減輕黏合劑(binder)的量的鹵化銀可獲得防止帶電所需的導電性，並對第1感光層142a及第2感光層142b的銀/黏合劑的體積比進行了規定。亦即，第1感光層142a及第2感光層142b的銀/黏合劑體積比為1/1以上，較佳為2/1以上。
如上所述，藉由對第1感光層142a及第2感光層142b的厚度、塗佈銀量、銀/黏合劑的體積比進行設定、規定，而如圖18所示，到達第1感光層142a的來自第1光源148a的第1光144a無法到達第2感光層142b，同樣地，到達第2感光層142b的來自第2光源148b的第2光144b無法到達第1感光層142a，結果是，在藉由之後的顯影處理而形成第1積層導電片12A的情況下，如圖3B所示，在第1透明基體14A的一方的主面僅形成由第1曝光圖案152a形成的導電圖案(構成第1導電部13A的圖案)，在第1透明基體14A的另一方的主面僅形成由第2曝光圖案152b形成的導電圖案(構成第2導電部13B的圖案)，從而可獲得所期望的圖案。
如此，於使用上述兩面統一曝光的製造方法中，可獲得使導電性與兩面曝光的適應性同時成立的第1感光層 142a及第2感光層142b，而且，藉由對一個第1透明基體14A的曝光處理，可於第1透明基體14A的兩面任意地形成同一圖案或不同的圖案，藉此，可容易地形成觸控面板100的電極，並且可實現觸控面板100的薄型化(低背化)。
上述的例子為，使用感光性鹵化銀乳劑層形成第1導電部13A及第2導電部13B的製造方法，但作為其他的製造方法，還有以下的製造方法。
亦即，亦可於第1透明基體14A上及第2透明基體14B上使用鍍敷前處理材料，而形成感光性被鍍敷層，然後，於曝光、顯影處理後實施鍍敷處理，藉此於曝光部及未曝光部分別形成金屬部及光透過性部，而形成第1導電圖案26A及第2導電圖案26B。另外，亦可進而對金屬部實施物理顯影及/或鍍敷處理而使導電性金屬承載於金屬部。
作為使用鍍敷前處理材料的方法的又一較佳的形態，可列舉如下的2種形態。另外，下述的更具體內容揭示於日本專利特開2003-213437號公報、日本專利特開2006-64923號公報、日本專利特開2006-58797號公報、日本專利特開2006-135271號公報等中。
(a)形態為：在透明基體上塗佈被鍍敷層，該被鍍敷層包含：與鍍敷觸媒或其前驅物相互作用的官能基，然後，於曝光、顯影後進行鍍敷處理，而使金屬部形成於被鍍敷材料上。
(b)形態為：在透明基體上，將包含聚合物及金屬氧化物的基底層、及包含與鍍敷觸媒或其前驅物相互作用的 官能基的被鍍敷層依序積層，然後，於曝光、顯影後進行鍍敷處理，而使金屬部形成於被鍍敷材料上。
作為其他的方法，亦可對形成在第1透明基體14A及第2透明基體14B上的銅箔上的光阻劑膜進行曝光、顯影處理而形成抗蝕圖案(resist pattern)，對自抗蝕圖案露出的銅箔進行蝕刻，藉此形成第1導電部13A及第2導電部13B。
或者，亦可在第1透明基體14A及第2透明基體14B上印刷包含金屬微粒子的導電膏(paste)，對導電膏進行金屬鍍敷，藉此形成第1導電部13A及第2導電部13B。
或者，亦可在第1透明基體14A及第2透明基體14B上，藉由網版印刷版或凹版印刷版，來印刷形成第1導電部13A及第2導電部13B。
或者，亦可在第1透明基體14A及第2透明基體14B上，藉由噴墨形成第1導電部13A及第2導電部13B。
接著，以如下的方法為中心來進行敍述，該方法將作為尤佳的形態的鹵化銀照片感光材料，用於本實施形態的第1導電片10A及第2導電片10B。
根據感光材料與顯影處理的形態，本實施形態的第1導電片10A及第2導電片10B的製造方法包含如下所述的3個形態。
(1)形態是：對不包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行化學顯影或熱顯影，而使金屬銀部形成於該感光材料上。
(2)形態是：對鹵化銀乳劑層中包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行溶解物理顯影，而使金屬銀部形成於該感光材料上。
(3)形態是：將不包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料、與具有包含物理顯影核的非感光性層的顯像片予以疊合來進行擴散轉印顯影，使金屬銀部形成於非感光性顯像片上。
上述(1)的形態為一體型黑白顯影類型，於感光材料上形成光透過性導電膜等的透光性導電性膜。所獲得的顯影銀為化學顯影銀或熱顯影銀，高比表面的長絲(filament)，因此，於後續的鍍敷或物理顯影過程中，該銀的活性高。
上述(2)的形態中，於曝光部中，物理顯影核近緣的鹵化銀粒子溶解而沈積於顯影核上，藉此，於感光材料上形成光透過性導電性膜等的透光性導電性膜。此亦為一體型黑白顯影類型。顯影作用為向物理顯影核上的析出，因此，活性高，但顯影銀為比表面小的球形。
上述(3)的形態中，於未曝光部中，鹵化銀粒子溶解且擴散，並沈積於顯像片上的顯影核上，藉此，於顯像片上形成光透過性導電性膜等的透光性導電性膜。上述(3)的形態為所謂的分離類型，且為自感光材料將顯像片予以剝離來使用的形態。
對於任一個形態而言，均可選擇負型顯影處理及反轉顯影處理中的任一顯影(於擴散轉印方式的情況下，將直 接正型(autopositive)感光材料用作感光材料，藉此，可進行負型顯影處理)。
此處所謂的化學顯影、熱顯影、溶解物理顯影、以及擴散轉印顯影是指：如本領域中所通常使用的用語所述的意思，且已於照片化學的一般教科書中有解說，例如已於菊地真一編著的「照片化學」(共立出版社，1955年發行)、C.E.K.Mees編寫的「攝影過程理論第四版(The Theory of Photographic Processes,4th ed.)」(Mcmillan公司，1977年發行)中有解說。本案是與液體處理相關的發明，但其他的適用熱顯影方式來作為顯影方式的技術亦可作為參考。例如，可適用日本專利特開2004-184693號、日本專利特開2004-334077號、日本專利特開2005-010752號的各公報、以及日本專利特願2004-244080號、日本專利特願2004-085655號的各說明書所揭示的技術。
此處，以下詳細地對本實施形態的第1導電片10A及第2導電片10B的各層的構成進行說明。
[第1透明基體14A、第2透明基體14B]
作為第1透明基體14A及第2透明基體14B，可列舉塑膠薄膜(plastic film)、塑膠板(plastic plate)、以及玻璃板(glass plate)等。
作為上述塑膠薄膜及塑膠板的原料，例如，可使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)，聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)等的聚酯(polyester)類；聚乙烯(Polyethylene，PE)，聚 丙烯(Polypropylene，PP)，聚苯乙烯(Polystyrene)，乙烯乙酸乙烯酯(Ethylene Vinyl Acetate，EVA)等的聚烯烴(Polyolefin)類；乙烯(vinyl)系樹脂；此外，聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)，聚醯胺(Polyamide)，聚醯亞胺(Polyimide)，丙烯酸(acrylic)樹脂，三乙酸纖維素(Triacetyl Cellulose，TAC)等。
作為第1透明基體14A及第2透明基體14B，採用PET(熔點：258℃)，PEN(熔點：269℃)、PE(熔點：135℃)、PP(熔點：163℃)、聚苯乙烯(熔點：230℃)、聚氯乙烯(Polyvinyl chloride，PVC)(熔點：180℃)、聚偏二氯乙烯(Polyvinylidene chloride，PVDC)(熔點：212℃)或TAC(熔點：290℃)等的熔點約為290℃以下的塑膠薄膜或塑膠板為較佳，自光透過性或加工性等的觀點考慮，採用PET尤佳。如用於積層導電片12的第1導電片10A及第2導電片10B般的導電性膜需要具有透明性，因此，較佳為第1透明基體14A及第2透明基體14B的透明度高。
[銀鹽乳劑層]
成為第1導電片10A及第2導電片10B的導電層(第1大格子16A、第1連接部22A、第1絕緣部28A的第1絕緣圖案34A、第2大格子16B、第2連接部22B、第2絕緣部28B的第2絕緣圖案34B、小格子18等的導電部)的銀鹽乳劑層，除了含有銀鹽與黏合劑之外，亦含有溶劑或染料等的添加劑。
作為本實施形態中所使用的銀鹽，可列舉鹵化銀等的 無機銀鹽及醋酸銀(silver acetate)等的有機銀鹽。於本實施形態中，較佳為使用作為光感測物(optical sensor)的特性優異的鹵化銀。
銀鹽乳劑層的塗佈銀量(銀鹽的塗佈量)換算為銀，較佳為1g/m2~30g/m2，更佳為1g/m2~25g/m2，進而更佳為5g/m2~20g/m2。藉由將該塗佈銀量設為上述範圍，在形成積層導電片12的情況下，可獲得所期望的表面電阻。
作為本實施形態中所使用的黏合劑，例如可列舉：明膠(gelatin)、聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol，PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinyl Pyrrolidone，PVP)、澱粉等的多醣類、纖維素及其衍生物、聚氧化乙烯(Polyethylene oxide)、聚乙烯胺(Polyvinylamine)、聚葡萄胺糖(chitosan)、聚離胺酸(Polylysine)、聚丙烯酸(Polyacrylic acid)、聚海藻酸、聚透明質酸(Polyhyaluronic acid)、羧基纖維素(Carboxycellulose)等。根據官能基的離子性，上述黏合劑具有中性、陰離子性、以及陽離子性的性質。
本實施形態的銀鹽乳劑層中所含的黏合劑的含有量並無特別的限定，可於能夠發揮分散性與密接性的範圍內，適當決定上述黏合劑的含有量。以銀/黏合劑體積比來計算，銀鹽乳劑層中的黏合劑的含有量較佳為1/4以上，更佳為1/2以上。銀/黏合劑體積比較佳為100/1以下，進而較佳為50/1以下。而且，銀/黏合劑體積比進而更佳為1/1~4/1。最佳為1/1~3/1。藉由將銀鹽乳劑層中的銀/黏合劑 體積比設為該範圍，即便於對塗佈銀量進行調整的情況下，亦可抑制電阻值的不均，從而可獲得具有均一的表面電阻的積層導電片。另外，將原料的鹵化銀量/黏合劑量(重量比)轉換為銀量/黏合劑量(重量比)，然後將銀量/黏合劑量(重量比)轉換為銀量/黏合劑量(體積比)，藉此可求出銀/黏合劑體積比。
<溶劑>
用於形成銀鹽乳劑層的溶劑並無特別的限定，例如可列舉：水、有機溶劑(例如，甲醇(methanol)等的醇類、丙酮(acetone)等的酮類、甲醯胺(formamide)等的醯胺類、二甲基亞碸(dimethyl sulfoxide)等的亞碸類、乙酸乙酯等的酯類、醚類等)、離子性液體、及這些的混合溶劑。
用於本實施形態的銀鹽乳劑層的溶劑的含有量相對於銀鹽乳劑層中所含的銀鹽、黏合劑等的合計的重量，處於30wt%(重量百分比)~90wt%的範圍，較佳為處於50wt%~80wt%的範圍。
<其他添加劑>
本實施形態中所使用的各種添加劑並無特別的限制，可較佳地使用眾所周知的添加劑。
[其他的層構成]
亦可於銀鹽乳劑層上設置未圖示的保護層。於本實施形態中，所謂「保護層」是指：包含如明膠或高分子聚合物之類的黏合劑的層，為了表現出防止擦傷或對力學特性進行改良的效果，該保護層形成於具有感光性的銀鹽乳劑 層上。上述保護層的厚度較佳為0.5μm以下。保護層的塗佈方法以及形成方法並無特別的限定，可適當地選擇眾所周知的塗佈方法以及形成方法。又，亦可於比銀鹽乳劑層更靠下方處設置例如底塗層。
接著，對第1導電片10A及第2導電片10B的製作方法的各步驟進行說明。
[曝光]
本實施形態中，包括：藉由印刷方式來形成第1導電部13A及第2導電部13B的情況，但除了印刷方式以外，亦藉由曝光與顯影等來形成第1導電部13A及第2導電部13B。亦即，對包括設置於第1透明基體14A及第2透明基體14B上的含銀鹽層的感光材料、或塗佈有光微影法用光聚合物的感光材料進行曝光。可使用電磁波來進行曝光。作為電磁波，例如可列舉可見光線、紫外線等的光、X射線等的放射線等。此外，曝光中可利用具有波長分布的光源，亦可利用特定的波長的光源。
[顯影處理]
本實施形態中，對乳劑層進行曝光後，進而進行顯影處理。顯影處理可使用對於銀鹽照片膠片或感光紙(photographic paper)、印刷製版用膠片、光罩(photomask)用乳膠遮罩(emulsion mask)等中所使用的通常的顯影處理的技術。顯影液並無特別的限定，亦可使用菲尼酮對苯二酚(Phenidone Quinol，PQ)顯影液、米吐爾對苯二酚(Metol Quinol，MQ)顯影液、以及甲基丙烯酸(Methacrylic Acid，MAA)顯影液等，對於市售品而言，例如可使用作為富士膠片公司處方的CN-16、CR-56、CP45X、FD-3、及PAPITOL；作為柯達(KODAK)公司處方的C-41、E-6、RA-4、D-19、及D-72等的顯影液；或上述顯影液的套組(kit)中所含的顯影液。又，亦可使用微影顯影液。
本發明中的顯影處理可包括：為了將未曝光部分的銀鹽除去，而實現穩定化所進行的定影處理。本發明中的定影處理可使用對於銀鹽照片膠片或感光紙、印刷製版用膠片、光罩用乳膠遮罩等中所使用的定影處理的技術。
上述定影步驟中的定影溫度較佳為約20℃~約50℃，更佳為25℃~45℃。而且，定影時間較佳為5秒~1分鐘，更佳為7秒~50秒。定影液的補充量相對於感光材料的處理量，較佳為600ml/m2以下，進而較佳為500ml/m2以下，尤佳為300ml/m2以下。
較佳為對經顯影、定影處理的感光材料實施水洗處理或穩定化處理。上述水洗處理或穩定化處理中，通常對於每1m2的感光材料，以20公升(liter)以下的水洗水量來進行水洗，亦可以3公升以下的補充量(亦包含0，亦即蓄積水水洗)來進行水洗。
顯影處理後的曝光部中所含的金屬銀的重量、相對於曝光前的曝光部中所含的銀的重量的含有率較佳為50wt%以上，進而較佳為80wt%以上。若曝光部中所含的銀的重量相對於曝光前的曝光部中所含的銀的重量而言為50wt%以上，則可獲得高導電性，因此較佳。
本實施形態中的顯影處理後的灰階並無特別的限定，但較佳為超過4.0。若顯影處理後的灰階超過4.0，則可在保持光透過性部的高透光性的狀態下，提高導電性金屬部的導電性。作為使灰階為4.0以上的方法，例如可列舉上述銠離子(rhodium ion)、銥離子(iridium ion)的摻雜。
經由以上的步驟而獲得導電片，但所獲得的導電片的表面電阻較佳為處於0.1Ω/sq.~100Ω/sq.的範圍。下限值較佳為1Ω/sq.以上，3Ω/sq.以上，5Ω/sq.以上，10Ω/sq.以上。上限值較佳為70Ω/sq.以下，50Ω/sq.以下。藉由在此種範圍內調整表面電阻，即便為面積為10cm×10cm以上的大型的觸控面板中亦可進行位置檢測。而且，亦可進一步對顯影處理後的導電片進行壓光(calender)處理，且可藉由該壓光處理來調整為所期望的表面電阻。
[物理顯影及鍍敷處理]
本實施形態中，為了使由上述曝光及顯影處理所形成的金屬銀部的導電性提高，亦可進行用以使導電性金屬粒子承載於上述金屬銀部的物理顯影及/或鍍敷處理。於本發明中，可僅利用物理顯影或鍍敷處理中的任一個處理來使導電性金屬粒子承載於金屬銀部，亦可將物理顯影與鍍敷處理加以組合來使導電性金屬粒子承載於金屬銀部。另外，將對金屬銀部實施物理顯影及/或鍍敷處理而成的部分一併稱作「導電性金屬部」。
本實施形態中的所謂的「物理顯影」，是指：藉由還原劑來對銀離子等的金屬離子進行還原，使金屬粒子析出至 金屬或金屬化合物的核上。該物理現象被用於即時B & W膠片、即時幻燈膠片(instant slide film)或印刷版製造等中，於本發明中，可使用該技術。
而且，物理顯影可與曝光之後的顯影處理同時進行，亦可於顯影處理之後另外地進行。
於本實施形態中，鍍敷處理可使用無電解鍍敷(化學還原鍍敷或取代鍍敷)、電解鍍敷、或無電解鍍敷與電解鍍敷該兩種鍍敷。本實施形態中的無電解鍍敷可使用公知的無電解鍍敷技術，例如，可使用印刷配線板等中所使用的無電解鍍敷技術，無電解鍍敷較佳為無電解銅鍍敷。
[氧化處理]
於本實施形態中，較佳為對顯影處理後的金屬銀部、以及物理顯影及/或鍍敷處理所形成的導電性金屬部，實施氧化處理。藉由進行氧化處理，例如，於金屬稍微沈積光透過性部的情況下，可將該金屬予以除去而使光透過性部的透過性大致為100%。
[導電性金屬部]
本實施形態的導電性金屬部的線寬如上述般，較佳為：下限為1μm以上，3μm以上，4μm以上，或者5μm以上，上限較佳為15μm以下，10μm以下，9μm以下，8μm以下。於線寬小於上述下限值的情況下，於因導電性不充分而被用於觸控面板的情況下，檢測感度不充分。另一方面，若超過上述上限值，則由導電性金屬部引起的波紋會變得顯著，或用於觸控面板中時視認性變差。另外， 藉由處於上述範圍，而導電性金屬部的波紋得以改善，視認性變得尤佳。小格子的一邊的長度較佳為30μm以上、500μm以下，更佳為50μm以上、400μm以下，最佳為100μm以上、350μm以下。而且，導電性金屬部為了接地連接等的目的，亦可具有線寬大於200μm的部分。
根據可見光透過率的觀點考慮，本實施形態中的導電性金屬部的開口率較佳為85%以上，進而較佳為90%以上，最佳為95%以上。所謂開口率，是指：第1大格子16A、第1連接部22A、第1絕緣部28A的第1絕緣圖案34A、第2大格子16B、第2連接部22B、第2絕緣部28B的第2絕緣圖案34B、小格子18等的除導電部外的透光性部分佔整體的比例，例如線寬15μm、間距300μm的正方形的格子狀的開口率為90%。
[光透過性部]
本實施形態中的所謂的「光透過性部」，是指：第1導電片10A及第2導電片10B中的除了導電性金屬部以外的具有透光性的部分。對於光透過性部的透過率而言，如上所述，第1透明基體14A及第2透明基體14B的除了光吸收及反射的作用之外的380nm~780nm的波長區域中、透過率的最小值所示的透過率為90%以上，較佳為95%以上，更佳為97%以上，進而更佳為98%以上，最佳為99%以上。
關於曝光方法，較佳為利用玻璃遮罩的方法、或利用雷射描畫的圖案曝光方式。
[第1導電片10A及第2導電片10B]
本實施形態的第1導電片10A及第2導電片10B中的第1透明基體14A及第2透明基體14B的厚度，較佳為75μm~350μm。只要為75μm~350μm的範圍則可獲得所期望的可見光的透過率，且亦易於處理。而且，亦可使第1導電圖案26A及第2導電圖案26B之間的寄生電容降低。
可根據塗佈於第1透明基體14A及第2透明基體14B上的含銀鹽層用塗料的塗佈厚度，來適當決定設置於第1透明基體14A及第2透明基體14B上的金屬銀部的厚度。金屬銀部的厚度可選自0.001mm~0.2mm，但較佳為30μm以下，更佳為20μm以下，進而較佳為0.01μm~9μm，最佳為0.05μm~5μm。而且，金屬銀部較佳為圖案狀。金屬銀部可為1層的構成，亦可為2層以上的疊層構成。當金屬銀部為圖案狀且為2層以上的疊層構成時，可產生不同的感色性，使得能夠對於不同的波長感光。藉此，若改變曝光波長來曝光，則可於各層中形成不同的圖案。
對於觸控面板的用途而言，導電性金屬部的厚度越薄，則顯示面板的視角越廣，故而越佳，於視認性的提高的方面，亦要求實現薄膜化。自此種觀點考慮，包含承載於導電性金屬部的導電性金屬的層的厚度較佳為小於9μm，更佳為0.1μm以上且小於5μm，進而較佳為0.1μm以上且小於3μm。
於本實施形態中，藉由對上述含銀鹽層的塗佈厚度進 行控制來形成所期望的厚度的金屬銀部，而且可藉由物理顯影及/或鍍敷處理來自如地對包含導電性金屬粒子的層的厚度進行控制，因此，亦可容易地形成具有小於5μm，較佳為具有小於3μm的厚度的第1導電片10A及第2導電片10B。
另外，於本實施形態的第1導電片10A或第2導電片10B的製造方法中，不一定必須進行鍍敷等的步驟。原因在於：於本實施形態的第1導電片10A或第2導電片10B的製造方法中，可藉由對銀鹽乳劑層的塗佈銀量、銀/黏合劑體積比進行調整來獲得所期望的表面電阻。另外，亦可根據需要而進行壓光處理等。
(顯影處理後的硬膜處理)
較佳為對銀鹽乳劑層進行顯影處理之後，將該銀鹽乳劑層浸漬於硬膜劑來進行硬膜處理。作為硬膜劑，例如可列舉：戊二醛(glutaraldehyde)、己二醛(adipaldehyde)，2,3-二羥基-1,4-二噁烷等的二醛(dialdehyde)類及硼酸等的日本專利特開平2-141279號所揭示的硬膜劑。
[積層導電片]
積層導電片中，亦可賦予抗反射層或硬塗層等的功能層。
另外，本發明可適當地與下述表1及表2所揭示的公開公報及國際公開手冊的技術組合地使用。省略「日本專利特開」、「號公報」、「號手冊」等的表述。
以下，列舉本發明的實例來更具體地對本發明進行說明。另外，只要不脫離本發明的宗旨，可適當地對以下的實例中所示的材料、使用量、比例、處理內容、以及處理順序等進行變更。因此，本發明的範圍不應由以下所示的具體例來限定性地解釋。
[第1實例]
第1實例中，對實例1~實例9以及比較例1及比較例2的積層導電片12，改變第1導電圖案26A中的金屬細線15的佔有面積A1與第2導電圖案26B中的金屬細線15的佔有面積A2的比(A2/A1)，以及改變第1大格子16A 中的金屬細線15的佔有面積a1與第2大格子16B中的金屬細線15的佔有面積a2的比(a2/a1)的情況下，對第1導電圖案26A及第2導電圖案26B的表面電阻的變化進行確認，並對檢測感度進行評估。將實例1~實例9、比較例1及比較例2的詳細內容以及評估結果表示於表3中。
<實例1~實例9、比較例1及比較例2>
(鹵化銀感光材料)
調製出相對於水媒體中的150g的Ag，而含有10.0g的明膠、且含有球相當徑平均為0.1μm的碘氯溴化銀粒子(silver iodochlorobromide)(I=0.2莫耳%，Br=40莫耳%)的乳劑。
而且，以濃度為10-7(莫耳/莫耳銀)的方式在該乳劑中添加K3Rh2Br9及K2IrCl6，在溴化銀粒子中摻雜了Rh離子與Ir離子。在該乳劑中添加Na2PdCl4，進而使用氯金酸(chloroauric acid)與硫代硫酸鈉(sodium thiosulfate)進行金硫增感後，與明膠硬膜劑一起，以銀的塗佈量為10g/m2的方式而塗佈在厚度為150μm的第1透明基體14A及第2透明基體14B(此處均為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET))上。此時，Ag/明膠體積比設為2/1。
在寬度為30cm的PET支持體上，以25cm的寬度進行20m的塗佈，以保留塗佈的中央部24cm的方式將兩端分別切下3cm，而獲得捲狀的鹵化銀感光材料。
(曝光)
關於曝光的圖案，對第1導電片10A而言為圖11所 示的圖案，對第2導電片10B而言為圖12所示的圖案，於A4尺寸(210mm×297mm)的第1透明基體14A及第2透明基體14B上進行。關於曝光，經由上述圖案的光罩，使用將高壓水銀燈作為光源的平行光來進行曝光。以第1小格子18a的一邊的長度為80μm(第2小格子18b的一邊的長度為160μm)，金屬細線15的寬度為5μm的方式來調整圖案寬度。
(顯影處理)
‧1L顯影液的配方
‧1L定影液的配方
使用富士膠片公司製造的自動顯影機FG-710 PTS，於如下的處理條件下，對已使用上述處理劑完成曝光的感光材料進行處理，即，於35℃進行30秒的顯影，於34℃進行23秒的定影，進行20秒的水洗流水(5L/分鐘)處理。
(實例1)
將佔有面積比A2/A1及a2/a1均設為2。
(實例2)
除將佔有面積比A2/A1及a2/a1均設為3這一點以外，與上述實例1同樣地製作實例2的第1導電片10A及第2導電片10B。
(實例3)
除將佔有面積比A2/A1及a2/a1均設為3.3這一點以外，與上述實例1同樣地製作實例3的第1導電片10A及第2導電片10B。
(實例4)
除將佔有面積比A2/A1及a2/a1均設為5這一點以外，與上述實例1同樣地製作實例4的第1導電片10A及第2導電片10B。
(實例5)
除將佔有面積比A2/A1及a2/a1均設為7這一點以外，與上述實例1同樣地製作實例5的第1導電片10A及第2導電片10B。
(實例6)
除將佔有面積比A2/A1及a2/a1均設為8這一點以 外，與上述實例1同樣地製作實例6的第1導電片10A及第2導電片10B。
(實例7)
除將佔有面積比A2/A1及a2/a1均設為10這一點以外，與上述實例1同樣地製作實例7的第1導電片10A及第2導電片10B。
(實例8)
除將佔有面積比A2/A1及a2/a1均設為15這一點以外，與上述實例1同樣地製作實例8的第1導電片10A及第2導電片10B。
(實例9)
除將佔有面積比A2/A1及a2/a1均設為20這一點以外，與上述實例1同樣地製作實例9的第1導電片10A及第2導電片10B。
(比較例1)
除將佔有面積比A2/A1及a2/a1均設為1這一點以外，與上述實例1同樣地製作比較例1的第1導電片10A及第2導電片10B。
(比較例2)
除將佔有面積比A2/A1及a2/a1均設為25這一點以外，與上述實例1同樣地製作比較例2的第1導電片10A及第2導電片10B。
(表面電阻測定)
為了確認檢測精度的良否，而將第1導電片10A及第 2導電片10B的表面電阻率設為藉由DIA INSTRUMENTS公司製造的Loresta GP(型號MCP-T610)串聯4探針probe(ASP)測定任意10個部位所得的值的平均值。
(檢測感度的評估)
藉由使手指對觸控面板而向一定方向移動，取得檢測波形，並根據取得的檢測波形而求出檢測感度。如果檢測感度超過預先設定的閾值的110%則設為「◎」，若為閾值的90%以上、110%以下則設為「○」，若小於閾值的90%則設為「△」。
將實例1~實例9、比較例1、比較例2的結果表示於表3中。
根據表3可知，比較例1及比較例2的檢測感度均較差。關於比較例1，認為原因在於：第2導電圖案26B的表面電阻高達75Ω/sq.，無法抑制由電磁波引起的雜訊的影響。關於比較例2，認為原因在於：第2導電圖案26B的表面電阻大幅降低，但第1導電圖案26A的表面電阻反而高達150Ω/sq.，第1大格子16A中的檢測感度降低。
與此相對，實例1~實例9的檢測感度均良好。尤其實例3~實例6的檢測感度非常良好。
因此可知，第1導電圖案26A中的金屬細線15的佔有面積A1與第2導電圖案26B中的金屬細線15的佔有面積A2的比，較佳為1<A2/A1≦20，更佳為1<A2/A1≦10，尤佳為2≦A2/A1≦10。而且可知，第1大格子16A中的金屬細線15的佔有面積a1與第2大格子16B中的金屬細線15的佔有面積a2的比，較佳為1< a2/a1≦20，更佳為1<a2/a1≦10，尤佳為2≦a2/a1≦10。
[第2實例]
第2實例中，對與上述實例1同樣地製作的實例11~實例17以及參考例1及參考例2的積層導電片12，評估改變第1透明基體14A的厚度的情況下的檢測感度及視認性。將實例11~實例17、參考例1及參考例2的詳細內容以及評估結果表示於表4中。
(透過率的測定)
為了確認第1透明基體14A的透明性的良否，使用分光光度計對第1導電片10A及第2導電片10B的透光部的透過率進行測定。
(視認性的評估)
於第2導電片10B上積層第1導電片10A而製作積層導電片12，然後，在顯示裝置108(液晶顯示器)的顯示畫面貼附積層導電片12而構成觸控面板100。然後，將觸控面板100設置於轉盤，對顯示裝置108進行驅動而使其顯示白色時，以肉眼來確認是否有粗線條或黑斑點，而且，確認觸控面板的第1導電圖案26A及第2導電圖案26B、第1大格子16A及第2大格子16B的邊界是否明顯。
根據表4可知，參考例1的視認性良好，但檢測感度差。認為這是因為第1透明基體14A的厚度薄至70μm，故第1導電圖案26A與第2導電圖案26B之間的寄生電容大，因該寄生電容的存在，而檢測感度劣化。參考例2的檢測感度及視認性的評估均差。認為這是因為第1透明基體14A的厚度非常厚，為400μm，從而在自電容方式的情況下，第2導電圖案26B中難以識別出手指的觸控位置，在相互電容方式的情況下，來自第2大格子16B(驅動電極)的發送信號難以由第1大格子16A(接收電極)接收。而且，視認性的評估變差是由第1透明基體14A的厚度非常厚，為400μm，因此透光部的透過率低至80%，而透明性降低所致。
與此相對，實例11~實例17的檢測感度及視認性均良好。尤其在實例13~實例15中，檢測感度非常良好。
因此可知，介於第1導電部13A與第2導電部13B之 間的透明基體(此處為第1透明基體14A)的厚度，較佳為75μm以上、350μm以下，更佳為80μm以上、250μm以下，尤佳為100μm以上、200μm以下。
[第3實例]
第3實例中，對與上述實例1同樣地製作的實例21~實例23以及參考例11的積層導電片12，確認改變第2大格子16B中的金屬細線的佔有面積a2、與第3輔助圖案20C中的金屬細線的佔有面積a3的比(a3/a2)的情況下的第1導電圖案26A的表面電阻的變化，並且評估檢測感度。將實例21~實例23、參考例11的詳細內容以及評估結果表示於表5中。
根據表5可知，參考例11的檢測感度差。認為這是因為，第1導電圖案26A的表面電阻高達150Ω/sq.，第1大格子16A中的檢測感度降低。
與此相對，實例21~實例23的檢測感度均良好。尤其實例23的檢測感度非常良好。
因此可知，第3輔助圖案20C中的金屬細線的佔有面積較佳為第2大格子16B中的金屬細線的佔有面積的1/2 以下，更佳為1/4以下。
[第4實例]
第4實例對樣本1~樣本49評估視認性。視認性是對金屬細線的視認難度與透過率進行評估。將樣本1~樣本49的詳細內容及評估結果表示於表6及表7中。
<樣本1>
就樣本1而言，與上述第1實例的實例1同樣地製作鹵化銀感光材料，對該鹵化銀感光材料進行曝光、顯影處理，從而製作金屬細線的線寬為7μm、金屬細線的線間距為70μm的第1導電片10A及第2導電片10B。
<樣本2~樣本7>
就樣本2、3、4、5、6及7而言，金屬細線的線間距為100μm、200μm、300μm、400μm、500μm、600μm，除此以外，與樣本1同樣地製作第1導電片10A及第2導電片10B。
<樣本8>
就樣本8而言，除金屬細線的線寬為6μm以外，與樣本1同樣地製作第1導電片10A及第2導電片10B。
<樣本9~樣本14>
就樣本9、10、11、12、13及14而言，金屬細線的線間距為100μm、200μm、300μm、400μm、500μm、600μm，除此以外，與樣本8同樣地製作第1導電片10A及第2導電片10B。
<樣本15>
就樣本15而言，除金屬細線的線寬為5μm以外，與樣本1同樣地製作第1導電片10A及第2導電片10B。
<樣本16~樣本21>
就樣本16、17、18、19、20及21而言，金屬細線的線間距為100μm、200μm、300μm、400μm、500μm、600μm，除此以外，與樣本15同樣地製作第1導電片10A及第2導電片10B。
<樣本22>
就樣本22而言，除金屬細線的線寬為4μm以外，與樣本1同樣地製作第1導電片10A及第2導電片10B。
<樣本23~樣本28>
就樣本23、24、25、26、27及28而言，金屬細線的線間距為100μm、200μm、300μm、400μm、500μm、600μm，除此以外，與樣本22同樣地製作第1導電片10A及第2導電片10B。
<樣本29>
就樣本29而言，除金屬細線的線寬為3μm以外，與樣本1同樣地製作第1導電片10A及第2導電片10B。
<樣本30~樣本35>
就樣本30、31、32、33、34及35而言，金屬細線的線間距為100μm、200μm、300μm、400μm、500μm、600μm，除此以外，與樣本29同樣地製作第1導電片10A及第2導電片10B。
<樣本36>
就樣本36而言，除金屬細線的線寬為2μm以外，與樣本1同樣地製作第1導電片10A及第2導電片10B。
<樣本37~樣本42>
就樣本37、38、39、40、41及42而言，金屬細線的線間距為100μm、200μm、300μm、400μm、500μm、600μm，除此以外，與樣本36同樣地製作第1導電片10A及第2導電片10B。
<樣本43>
就樣本43而言，除金屬細線的線寬為1μm以外，與樣本1同樣地製作第1導電片10A及第2導電片10B。
<樣本44~樣本49>
就樣本44、45、46、47、48及49而言，金屬細線的線間距為100μm、200μm、300μm、400μm、500μm、600μm，除此以外，與樣本43同樣地製作第1導電片10A及第2導電片10B。
(視認性的評估)
<金屬細線的視認難度>
對樣本1~樣本49，於第2導電片10B上積層第1導電片10A而製作積層導電片12，然後，於顯示裝置108的顯示畫面110a貼附積層導電片12而構成觸控面板100。將觸控面板100設置於轉盤上，當驅動顯示裝置108而顯示白色時，利用肉眼來確認是否有粗線條或黑斑點，而且，確認觸控面板100的導電圖案的邊界是否明顯。
而且，將粗線條或黑斑點、以及導電圖案的邊界不明 顯的情況設為「◎」，將粗線條、黑斑點及導電圖案的邊界中任一個明顯的情況設為「○」，將粗線條、黑斑點及導電圖案的邊界的任兩個明顯的情況設為「△」，將粗線條、黑斑點及導電圖案的邊界的全部明顯的情況設為「×」。
<透過率>
使用分光光度計對積層導電片12的透過率進行測定。將透過率為90%以上設為「◎」，85%以上且小於90%設為「○」，80%以上且小於85%設為「△」，小於80%設為「×」。
根據表6及表7可知，金屬細線的視認難度與透過率均良好的為如下的樣本，即，金屬細線的線寬為6μm以上、7μm以下且線間距為300μm以上、400μm以下的樣本4、5、11及12，金屬細線的線寬為3μm以上、5μm以下且線間距為200μm以上、400μm以下的樣本17~樣本19、樣本24~樣本26、樣本31~樣本33，金屬細線的線寬為2μm且線間距為100μm以上、400μm以下的樣本37~樣本40，金屬細線的線寬為1μm且線間距為70μm以上、400μm以下的樣本43~樣本47。
此處，較佳為如下的樣本，即，金屬細線的線寬大於6μm且7μm以下且線間距為300μm以上、400μm以下的樣本4及5，以及金屬細線的線寬為6μm以下且線間距為200μm以上、500μm以下的樣本10~樣本13、樣本17~樣本20、樣本24~樣本27、樣本31~樣本34、樣本38~樣本41、樣本45~樣本48。
尤佳為如下的樣本，即，金屬細線的線寬大於5μm且7μm以下且線間距為300μm以上、400μm以下的樣本4、5、11及12，以及金屬細線的線寬為5μm以下且線間距為200μm~400μm以下的樣本17~樣本19、樣本24~樣本26、樣本31~樣本33、樣本38~樣本40、樣本45~樣本47。
另外，本發明的導電片以及觸控面板並不限於上述實施形態，不脫離本發明的主旨當然可採用各種構成。
10A‧‧‧第1導電片
10B‧‧‧第2導電片
12‧‧‧積層導電片
12A‧‧‧第1積層導電片
13A‧‧‧第1導電部
13B‧‧‧第2導電部
14A‧‧‧第1透明基體
14B‧‧‧第2透明基體
15‧‧‧金屬細線
16A‧‧‧第1大格子(第1電極)
16B‧‧‧第2大格子(第2電極)
18‧‧‧小格子
18a‧‧‧第1格子
18b‧‧‧第2格子
19a‧‧‧第1組合
19b‧‧‧第2組合
20A‧‧‧第1輔助圖案(輔助電極)
20B‧‧‧第2輔助圖案(輔助電極)
20C‧‧‧第3輔助圖案(另一輔助電極)
22A‧‧‧第1連接部
22B‧‧‧第2連接部
24‧‧‧中格子
24a~24d‧‧‧第1中格子~第4中格子
24e~24h‧‧‧第5中格子~第8中格子
26A‧‧‧第1導電圖案
26B‧‧‧第2導電圖案
28A‧‧‧第1絕緣部
28B‧‧‧第2絕緣部
30a、30b‧‧‧頂點
32‧‧‧邊
32a‧‧‧第1邊
32b‧‧‧第2邊
32c‧‧‧第3邊
32d‧‧‧第4邊
34A‧‧‧第1絕緣圖案
34B‧‧‧第2絕緣圖案
36a‧‧‧第1集合圖案部
36b‧‧‧第2集合圖案部
38‧‧‧空白部
38a~38d‧‧‧第1空白部~第4空白部
40a‧‧‧第1接線部
40b‧‧‧第2接線部
41a、42a‧‧‧第1端子配線圖案
41b、42b‧‧‧第2端子配線圖案
44‧‧‧短邊
44a~44d‧‧‧第1短邊44a~第4短邊44d
46‧‧‧長邊
46a~46d‧‧‧第1長邊46a~第4長邊46d
48a‧‧‧第1彎曲圖案部
48b‧‧‧第2彎曲圖案部
50A‧‧‧第1去除部50A
50B‧‧‧第2去除部
52A‧‧‧第1輔助線
52B‧‧‧第2輔助線
52C‧‧‧第3輔助線
54A、54B‧‧‧L字狀圖案
56‧‧‧空白區域
58‧‧‧去除圖案
60‧‧‧去除部
62A‧‧‧第1組合圖案
62B‧‧‧第2組合圖案
64A‧‧‧第1輔助線52A的軸線
64B‧‧‧第2輔助線52B的軸線
100‧‧‧觸控面板
102‧‧‧感測器本體
106‧‧‧保護層
108‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧顯示面板
110a‧‧‧顯示畫面
112‧‧‧感測器部
114‧‧‧端子配線部
116a‧‧‧第1端子
116b‧‧‧第2端子
118a‧‧‧第1對準標記
118b‧‧‧第2對準標記
140‧‧‧感光材料
142a‧‧‧第1感光層
142b‧‧‧第2感光層
144a‧‧‧第1光
144b‧‧‧第2光
146a‧‧‧第1光罩
146b‧‧‧第2光罩
148a‧‧‧第1光源
148b‧‧‧第2光源
150a‧‧‧第1準直透鏡
150b‧‧‧第2準直透鏡
152a‧‧‧第1曝光圖案
152b‧‧‧第2曝光圖案
P‧‧‧小格子18的排列間距
m‧‧‧1以上的整數
n‧‧‧大於1的實數
S1、S2、S3‧‧‧步驟
X、y‧‧‧方向
θ‧‧‧第3方向與第4方向所成的角
圖1是表示本實施形態的觸控面板的構成的分解立體圖。
圖2是將積層導電片省略一部分而表示的分解立體圖。
圖3A是將積層導電片的一例省略一部分而表示的剖面圖。
圖3B是將導電片的其他例省略一部分而表示的剖面圖。
圖4是表示形成於第1導電片的第1導電部的圖案例 的平面圖。
圖5是表示形成於第2導電片的第2導電部的圖案例的平面圖。
圖6是將組合第1導電片與第2導電片而形成積層導電片的例子省略一部分而表示的平面圖。
圖7是表示第1變形例的第1導電部的圖案例的平面圖。
圖8是表示第1變形例的第2導電部的圖案例的平面圖。
圖9是將組合形成著第1變形例的第1導電部的第1導電片與形成著第1變形例的第2導電部的第2導電片而形成積層導電片的例子省略一部分而表示的平面圖。
圖10是表示由第1輔助線與第2輔助線形成一條線的狀態的說明圖。
圖11是表示第2變形例的第1導電部的圖案例的平面圖。
圖12是表示第2變形例的第2導電部的圖案例的平面圖。
圖13是將組合形成著第2變形例的第1導電部的第1導電片與形成著第2變形例的第2導電部的第2導電片而形成積層導電片的例子省略一部分而表示的平面圖。
圖14是表示第3變形例的第1導電部的圖案例的平面圖。
圖15是表示第3變形例的第2導電部的圖案例的平面 圖。
圖16是表示本實施形態的積層導電片的製造方法的流程圖。
圖17A是將製作的感光材料省略一部分而表示的剖面圖。
圖17B是表示對感光材料兩面同時曝光的說明圖。
圖18是表示如下狀態的說明圖，即，以照射至第1感光層的光未到達第2感光層，照射至第2感光層的光未到達第1感光層的方式進行第1曝光處理及第2曝光處理的狀態。
10A‧‧‧第1導電片
10B‧‧‧第2導電片
12‧‧‧積層導電片
14A‧‧‧第1透明基體
14B‧‧‧第2透明基體
16A‧‧‧第1大格子(第1電極)
16B‧‧‧第2大格子(第2電極)
20A‧‧‧第1輔助圖案(輔助電極)
20B‧‧‧第2輔助圖案
22A‧‧‧第1連接部
22B‧‧‧第2連接部
26A‧‧‧第1導電圖案
26B‧‧‧第2導電圖案
28A‧‧‧第1絕緣部
28B‧‧‧第2絕緣部
34A‧‧‧第1絕緣圖案
34B‧‧‧第2絕緣圖案
40a‧‧‧第1接線部
40b‧‧‧第2接線部
42a‧‧‧第1端子配線圖案
42b‧‧‧第2端子配線圖案
112‧‧‧感測器部
114‧‧‧端子配線部

Claims (17)

  1. 一種導電片，配置在顯示裝置(108)的顯示面板(110)上，上述導電片包括：配置在輸入操作側的第1導電部(13A)；以及配置在上述顯示面板(110)側的第2導電部(13B)，上述第1導電部(13A)與上述第2導電部(13B)相向而配置，上述第1導電部(13A)包括：多個第1導電圖案(26A)，上述多個第1導電圖案(26A)在一方向上排列，分別連接著多個第1電極(16A)且由金屬細線(15)形成，上述第2導電部(13B)包括：多個第2導電圖案(26B)，上述多個第2導電圖案(26B)在與上述第1導電圖案(26A)的排列方向正交的方向上排列，分別連接著多個第2電極(16B)且由金屬細線(15)形成，於將上述第1導電圖案(26A)的佔有面積設為A1、上述第2導電圖案(26B)的佔有面積設為A2時，滿足：3.3≦A2/A1≦8上述金屬細線(15)的線寬為6μm以下，且線間距為200μm以上、500μm以下，或者上述金屬細線(15)的線寬大於6μm且為7μm以下，且線間距為300μm以上、400μm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的導電片，其中，上述金屬細線(15)的線寬為5μm以下，且線間距 為200μm以上、400μm以下，或者上述金屬細線(15)的線寬大於5μm且為7μm以下，且線間距為300μm以上、400μm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的導電片，更包括：基體(14A)，上述第1導電部(13A)與上述第2導電部(13B)將上述基體(14A)夾在中間而相向配置，上述基體(14A)的厚度為75μm以上、350μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的導電片，包括：輔助電極(20A，20B)，包含於上述第1導電部(13A)及/或上述第2導電部(13B)中，上述輔助電極(20A，20B)配置在上述第1電極(16A)與上述第2電極(16B)之間且由金屬細線(15)形成；以及另一輔助電極(20C)，包含於上述第2導電部(13B)中，上述另一輔助電極(20C)配置在與上述第1電極(16A)相對應的部分且由金屬細線(15)形成。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的導電片，其中，上述另一輔助電極(20C)的佔有面積為上述第2電極(16B)的佔有面積的1/2以下。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的導電片，其中，組合上述另一輔助電極(20C)與上述第1導電部(13A)的上述第1電極(16A)而構成格子圖案(62B)，上述另一輔助電極(20C)配置在與上述第1電極(16A)相對應的部分且由金屬細線(15)形成。
  7. 如申請專利範圍第4項所述的導電片，其中，上述第1電極(16A)包含網眼狀的金屬細線(15)。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的導電片，其中，上述第2電極(16B)是組合多個第1格子(18a)而構成，上述第1電極(16A)是組合尺寸比上述第1格子(18a)大的多個第2格子(18b)而構成，上述第2格子(18b)存在長度成分，該長度成分具有上述第1格子(18a)的一邊的長度的實數倍的長度。
  9. 如申請專利範圍第4項所述的導電片，其中，配置在與上述第1電極(16A)相對應的部分的上述另一輔助電極(20C)包含直線狀的金屬細線(15)。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的導電片，其中，上述第2電極(16B)是組合多個第1格子(18a)而構成，構成上述另一輔助電極(20C)的上述直線狀的金屬細線(15)具有：上述第1格子(18a)的一邊的長度的實數倍的長度。
  11. 如申請專利範圍第4項所述的導電片，其中，配置在與上述第1電極(16A)相對應的部分的上述另一輔助電極(20C)包含網眼狀的金屬細線(15)。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的導電片，其中，上述第2電極(16B)是組合多個第1格子(18a)而構成， 上述另一輔助電極(20C)是組合尺寸比上述第1格子(18a)大的多個第2格子(18b)而構成，上述第2格子(18b)存在長度成分，該長度成分具有上述第1格子(18a)的一邊的長度的實數倍的長度。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的導電片，更包括：基體(14A)，上述第1導電部(13A)與上述第2導電部(13B)將上述基體(14A)夾在中間而相向配置。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的導電片，其中，上述第1導電部(13A)形成於上述基體(14A)的一主面，上述第2導電部(13B)形成於上述基體(14A)的另一主面。
  15. 如申請專利範圍第4項所述的導電片，更包括：基體(14A)，上述第1導電部(13A)與上述第2導電部(13B)將上述基體(14A)夾在中間而相向配置，上述第1電極(16A)及上述第2電極(16B)分別形成為網眼狀的圖案，在上述第2電極(16B)之間的、與上述第1電極(16A)相對應的區域，形成著由構成上述另一輔助電極(20C)的金屬細線(15)所形成的輔助圖案(20C)，自上表面觀察時，設為：與上述第1電極(16A)鄰接而配置著上述第2電極(16B)的形態，藉由上述第1 電極(16A)與上述輔助圖案(20C)相向而形成組合圖案(62B)，上述組合圖案(62B)具有組合著網眼狀的圖案的形態。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的導電片，其中，上述第1電極(16A)包括：第1大格子(16A)，上述第1大格子(16A)是組合多個第2小格子(18b)而構成，上述第2電極(16B)包括：第2大格子(16B)，上述第2大格子(16B)是組合尺寸比上述第2小格子(18b)小的多個第1小格子(18a)而構成，上述組合圖案(62B)設為：與上述第1大格子(16A)鄰接而配置著上述第2大格子(16B)的形態，藉由上述第1大格子(16A)與上述輔助圖案(20C)相向而形成組合圖案(62B)，上述組合圖案(62B)具有組合著2個以上的上述第1小格子(18a)的形態。
  17. 一種觸控面板，包括：配置在顯示裝置(108)的顯示面板(110)上的導電片，上述導電片包括：配置在輸入操作側的第1導電部(13A)；以及配置在上述顯示面板(110)側的第2導電部(13B)，上述第1導電部(13A)與上述第2導電部(13B)相向而配置，上述第1導電部(13A)包括：多個第1導電圖案(26A)，上述多個第1導電圖案(26A)在一方向上排列， 分別連接著多個第1電極(16A)且由金屬細線(15)形成，上述第2導電部(13B)包括：多個第2導電圖案(26B)，上述多個第2導電圖案(26B)在與上述第1導電圖案(26A)的排列方向正交的方向上排列，分別連接著多個第2電極(16B)且由金屬細線(15)形成，上述第1導電圖案(26A)的佔有面積設為A1、上述第2導電圖案(26B)的佔有面積設為A2時，滿足：3.3≦A2/A1≦8上述金屬細線(15)的線寬為6μm以下，且線間距為200μm以上、500μm以下，或者上述金屬細線(15)的線寬大於6μm且為7μm以下，且線間距為300μm以上、400μm以下。
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