TW201403414A - 觸控面板及位置檢測方法 - Google Patents

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Abstract

一種觸控面板，包含第1導電膜，其具有複數個沿一個方向被形成為較長的長條狀的分離區域；第2導電膜，其具有複數個沿與該一個方向大致直交的另一個方向被形成為較長的長條狀的分離區域；第3導電膜。該第1導電膜的分離區域沿該另一個方向配列，該第2導電膜的分離區域沿該一個方向配列。藉由該第1導電膜和該第2導電膜，實施基於靜電容量結合的座標位置的位置檢測。在該第2導電膜和該第3導電膜的任1個中沿所定方向產生電位梯度，藉由在另一個中檢測該第2導電膜和該第3導電膜的接觸位置的電位，實施該接觸位置的座標位置的位置檢測。

Description

觸控面板及位置檢測方法
本發明涉及一觸控面板及位置檢測方法。
觸控面板係一可直接向顯示器進行輸入的輸入裝置，在多數情況下，其係被設置在顯示器的前面以被使用。因為根據藉由顯示器所獲得的視覺信息可直接進行輸入，所以觸控面板可被應用於各種用途。
作為這樣的觸控面板，廣為周知的有電阻膜方式及靜電容方式。電阻膜方式的觸控面板係，在形成有透明導電膜的上部電極基板及下部電極基板上各透明導電膜彼此相向(面對)地被設置，藉由在上部電極基板的一點進行施力，各透明導電膜彼此接觸，以進行施力位置的位置檢測者。
電阻膜方式觸控面板可大致分為4線式、5線式、及二極體式。4線式係，在上部電極基板或下部電極基板中的任一個上設置有X軸電極，在另一個上設置有Y軸電極者(例如，參照專利文獻1)。又，5線式係，在下部電極基板上設置有X軸電極及Y軸電極，上部電極基板具有用於檢測電壓的探針的功能(例如，參照專利文獻2)者。又，二極體式係，在下部電極基板上設置有二極體結構，並設置有用於施加電壓的2個電極及用於監視電位的4個電極者，因為與在具有用於檢測電壓的探針的功能的上部電極基板上所形成的電極一起，共形成了7 個電極，所以也被稱為7線式(例如，參照專利文獻3)。
又，靜電容方式係，藉由手指等接近觸控面板，對觸控面板的透明電極等中所流動的電流進行檢測，以進行位置檢測者。
又，因為在觸控面板中靜電容方式及電阻膜方式具有不同的特徵，所以還公開了一具有將電阻膜方式觸控面板和靜電容方式觸控面板進行了積層的結構的觸控面板(例如，參照專利文獻4、5)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1](日本)特開2004-272722號公報
[專利文獻2](日本)特開2008-293129號公報
[專利文獻3](日本)特開2005-196280號公報
[專利文獻4](日本)實用新案登錄第3132106號公報
[專利文獻5](日本)實用新案登錄第3139196號公報
[專利文獻6](日本)特開2009-116849號公報
然，因為靜電容方式觸控面板係基於靜電容結合的檢測方式，所以其具有不需要進行壓下、僅進行接觸(touch)就可以實施位置檢測的特徵；然，在進行基於絕緣體的接觸時，則不能實施位置檢測。又，在電阻膜方式觸控面板中，盡管具有不需考慮與觸控面板接觸的物體的材質等的特徵，然，因為位置檢測係藉由作為上部電阻膜的透明導電膜和作為下部電阻膜的透明導電膜相接觸而進行的，所以，需要以所定(predetermined)的力對觸控面板進行壓下。
另一方面，專利文獻4及5中所記載的係，具有將靜電容方式觸控面板和電阻膜方式觸控面板進行了積層的結構者，其具有靜電容方式觸控面板和電阻膜方式觸控面板這兩者的良好特徵。
然，在具有這樣的結構的觸控面板中，因為對2種觸控面板進行了積層，所以存在著厚度變厚的問題，還存在著成本較高的問題。
本發明係鑒於上述問題而提出的，其目的在於，低成本地提供一具有靜電容方式觸控面板的良好特徵和電阻膜方式觸控面板的良好特徵之觸控面板，即，低成本地提供一僅藉由接觸就可進行位置檢測，不需要考慮接觸物體的材質，並具有較薄厚度的觸控面板。又，本發明的另一個目的在於，提供一在這樣的觸控面板中的位置檢測方法。
根據本發明的實施方式，提供一種觸控面板，其包括：第1導電膜，其具有複數個沿一個方向被形成為較長的長條狀的分離區域；第2導電膜，其具有複數個沿另一個方向被形成為較長的長條狀的分離區域，該另一個方向與該一個方向大致直交；第3導電膜。該第1導電膜的分離區域沿該另一個方向配列，該第2導電膜的分離區域沿該一個方向配列。藉由該第1導電膜和該第2導電膜，實施基於靜電容量結合的座標位置的位置檢測。在該第2導電膜和該第3導電膜的任一個中沿所定方向產生電位梯度，藉由在另一個中檢測該第2導電膜和該第3導電膜的接觸位置的電位，實施該接觸位置的座標位置的位置檢測。
又，根據本發明的實施方式，提供一種觸控面板，其包括：第1基板，其上形成有複數個帶狀的第1導電膜，該第1導電膜沿第1方向延伸，並在該第1方向的一個端部具有電極；第2基板，其上形成有複數個帶狀的第2導電膜，該第2導電膜沿與該第1方向直交的第2方向延伸，並在該第2方向的兩個端部具有電極；第3基板，其上形成有面狀的第3導電膜。該第1基板、該第2基板、及該第3基板依次被積層。
又，根據本發明的實施方式，提供一種觸控面板的位置檢測方法。該觸控面板包含第1導電膜，其具有複數個沿一個方向被形成為 較長的長條狀的分離區域；第2導電膜，其具有複數個沿與該一個方向大致直交的另一個方向被形成為較長的長條狀的分離區域；第3導電膜。該第1導電膜的分離區域沿該另一個方向配列，該第2導電膜的分離區域沿該一個方向配列。該位置檢測方法包括：使用該第1導電膜和該第2導電膜，實施基於靜電容量結合的座標位置的位置檢測的步驟；使該第2導電膜和該第3導電膜的任一個沿所定方向產生電位梯度，藉由在另一個中檢測該第2導電膜和該第3導電膜的接觸位置的電位，實施基於電阻膜方式的座標位置的位置檢測的步驟。
根據本發明，可低成本地提供一僅藉由接觸即可進行位置檢測，不需要考慮接觸物體的材質等，並具有較薄厚度之觸控面板；又，還可提供一在這樣的觸控面板中的位置檢測方法。
10‧‧‧第1透明導電膜
10a‧‧‧分離區域
11‧‧‧第1透明基板
12‧‧‧電極
20‧‧‧第2透明導電膜
20a‧‧‧分離區域
20b‧‧‧分離區域
21‧‧‧第2透明基板
22a‧‧‧電極
22b‧‧‧電極
30‧‧‧第3透明導電膜
31‧‧‧第3透明基板
32a‧‧‧電極
32b‧‧‧電極
41‧‧‧粘著層
42‧‧‧接著部件
43‧‧‧空間
50‧‧‧第4透明導電膜
51‧‧‧電極
60‧‧‧顯示裝置
70‧‧‧加飾膜
71‧‧‧加飾膜
72‧‧‧黑色絕緣體區域
73‧‧‧加飾膜
74‧‧‧透明導電膜
81、82、83、84、85、86‧‧‧反射防止膜
90‧‧‧偏光板
110‧‧‧第1透明導電膜
110a‧‧‧分離領域
111‧‧‧第1透明基板
112‧‧‧電極
120‧‧‧第2透明導電膜
120a‧‧‧分離領域
120b‧‧‧分離領域
121‧‧‧第2透明基板
122a‧‧‧電極
122b‧‧‧電極
141‧‧‧粘著層
142‧‧‧接著部件
143‧‧‧空間
150‧‧‧第3透明導電膜
151‧‧‧電極
160‧‧‧顯示裝置
170‧‧‧加飾膜
171‧‧‧加飾膜
172‧‧‧黑色絕緣體區域
173‧‧‧加飾膜
174‧‧‧透明導電膜
181、182、183、184‧‧‧反射防止膜
190‧‧‧偏光板
260‧‧‧MCU部
261‧‧‧靜電容方式控制部
262‧‧‧靜電容方式檢測部
263‧‧‧電阻膜方式控制部
264‧‧‧電阻膜方式選擇部
265‧‧‧電阻膜方式檢測部
第1圖係基於本發明的第1形態的第1實施形態的觸控面板之說明圖。
第2圖係第1實施形態的觸控面板之結構圖。
第3圖係第1實施形態的觸控面板的驅動方法之說明圖(1)。
第4圖係第1實施形態的觸控面板的驅動方法之說明圖(2)。
第5圖係第2實施形態的觸控面板之說明圖。
第6圖係第2實施形態的觸控面板之結構圖。
第7圖係第3實施形態的觸控面板之結構圖。
第8圖係第4實施形態的觸控面板之結構圖。
第9圖係第4實施形態的其它觸控面板之說明圖(1)。
第10圖係第4實施形態的其它觸控面板之說明圖(2)。
第11圖係第5實施形態的觸控面板之結構圖。
第12圖係第6實施形態的觸控面板之結構圖。
第13圖係基於本發明的第2形態的第1實施形態的觸控面板之說明圖。
第14圖係第1實施形態的觸控面板之結構圖。
第15圖係第1實施形態的觸控面板的驅動方法之說明圖(1)。
第16圖係第1實施形態的觸控面板的驅動方法之說明圖(2)。
第17圖係第2實施形態的觸控面板之說明圖。
第18圖係第2實施形態的觸控面板之結構圖。
第19圖係第3實施形態的觸控面板之結構圖。
第20圖係第3實施形態的其它觸控面板之說明圖(1)。
第21圖係第3實施形態的其它觸控面板之說明圖(2)。
第22圖係第4實施形態的觸控面板之結構圖。
第23圖係第5實施形態的觸控面板之結構圖。
第24圖係基於本發明的第3形態的第1實施形態的觸控面板之說明圖。
第25圖係第1實施形態的觸控面板的控制方法之說明圖(1)。
第26圖係第1實施形態的觸控面板的控制方法之說明圖(2)。
第27圖係第1實施形態的觸控面板的控制方法之說明圖(3)。
第28圖係觸控面板的控制電路之框圖。
第29圖係電阻膜方式選擇部之說明圖。
第30圖係電阻膜方式選擇部的控制之說明圖。
第31圖係其它電阻膜方式選擇部之說明圖。
第32圖係觸控面板的位置檢測方法之流程圖。
第33圖係第2實施形態的觸控面板之說明圖。
第34圖係第2實施形態的觸控面板的控制方法之說明圖(1)。
第35圖係第2實施形態的觸控面板的控制方法之說明圖(2)。
第36圖係第2實施形態的觸控面板的控制方法之說明圖(3)。
關於用於實施本發明的形態，在以下進行說明。這裡需要說明的係，對于相同的部件等賦予了相同的符號，並省略其說明。
[本發明的第1形態] [第1實施形態]
下面對第1實施形態的觸控面板進行說明。如圖1及圖2所示，本實施形態的觸控面板具有第1透明導電膜10、第2透明導電膜20及第3透明導電膜30。在本實施形態中，可使用第1透明導電膜10和第2透明導電膜20藉由靜電容方式進行接觸點(接觸位置)的位置檢測，並可使用第2透明導電膜20和第3透明導電膜30藉由電阻膜方式進行接觸點(接觸位置)的位置檢測。這裡需要說明的係，在本實施形態中，第1導電膜係第1透明導電膜10，第2導電膜係第2透明導電膜20，第3導電膜係第3透明導電膜30。
第1透明導電膜10形成在第1透明基板11的一個面上，並具有多個(複數個)沿X軸方向被形成為較長的長條狀的分離區域10a。複數個分離區域10a沿Y軸方向並排配列，各分離區域10a的端部與電極12連接。這裡需要說明的係，在圖示中，盡管符號被省略了，然，電極12係形成在所有分離區域10a上。
第2透明導電膜20形成在第2透明基板21的一個面上，並具有多個(複數個)沿Y軸方向被形成為較長的長條狀的分離區域20a及20b。分離區域20a及20b沿X軸方向交互並排配列，各分離區域20a及20b的兩端、即、Y軸方向的兩端與電極22a及22b連接。這裡需要說明的係，在圖示中，盡管符號被省略了，然，電極22a及22b係形成在所有分離區域20a及20b上。
第3透明導電膜30形成在第3透明基板31的一個面的大致整面上，其X軸方向的兩端與電極32a及32b連接。
第1透明導電膜10、第2透明導電膜20及第3透明導電膜30係ITO(indium-tin oxide)、AZO(Al-doped zinc oxide)等金屬氧化物，由具有導電性的透明材料所形成。這裡需要說明的係，第1透明導電膜10、第2透明導電膜20及第3透明導電膜30如果係具有導電性的透明材料，則亦可由金屬氧化物以外的材料所形成。即，只要係具有導電性並可使光透過的材料即可；具體而言，可由導電聚合物、金屬納米線、納米碳管等被稱為係ITO等的代替材料之材料所形成。
第1透明基板11及第2透明基板21係PET(polyethylene terephthalate)等透明樹脂材料，由易撓性材料所形成。又，第3透明基板31由玻璃等透明無機材料、塑料等透明樹脂材料所形成。
在本實施形態的觸控面板中，就第1透明基板11和第2透明基板21而言，第1透明基板11的一個面(即、形成有第1透明導電膜10的面)和第2透明基板21的另一個面藉由透明粘著層41接合(黏接)。作為透明粘著層41，可列舉出：環氧樹脂等透明接著劑。又，就第2透明基板21和第3透明基板31而言，在使第2透明基板21的一個面與第3透明基板31的一個面相互面對的狀態下，藉由框狀的兩面膠帶等接著部件42使兩著接合。所以，藉由第2透明基板21和第3透明基板31形成空間43，第2透明導電膜20和第3透明導電膜30被配置為介由該空間43相互面對。
(驅動方法)
下面，對本實施形態的觸控面板之驅動方法進行說明。本實施形態的觸控面板係，基於靜電容方式的位置檢測和基於電阻膜方式的位置檢測在時間上被分割並被交互地實施者。即，在進行基於靜電容方式的位置檢測時，不進行基於電阻膜方式的位置檢測，而在進行基於電阻膜方式的位置檢測時，不進行基於靜電容方式的位置檢測。
根據圖3，對在本實施形態的觸控面板中實施基於靜電容方式的 位置檢測的情況進行說明。在基於靜電容方式的位置檢測中，使用第1透明導電膜10和第2透明導電膜20進行接觸點的位置檢測。然，在基於靜電容方式的位置檢測中，第1透明導電膜10及第2透明導電膜20的各分離區域之間最好被形成為相互分離(離開)。在本實施形態中，因為第1透明導電膜10僅用於靜電容方式，所以第1透明導電膜10的分離區域10a之間的間隔被形成為較寬。
又，因為第2透明導電膜20不僅用於靜電容方式，還用於電阻膜方式，所以在第2透明導電膜20中盡管形成了各分離區域20a及20b，然，在進行靜電容方式的位置檢測的情況下，僅使用分離區域20a及20b中的分離區域20a。所以，在第2透明導電膜20中，分離區域20a及20b之間的間隔被形成為較窄，具體而言，第2透明導電膜20的分離區域20a及20b之間的間隔被形成為比第1透明導電膜10的分離區域10a間的間隔還窄。在本實施形態的觸控面板中，在進行靜電容方式的位置檢測的情況下，盡管分離區域20a經由電極22a被驅動，然，分離區域20b並不經由電極22a被驅動，並且也不被接地，而係處於開放狀態、即、浮接(floating)狀態。
這樣，在本實施形態的觸控面板中，在進行基於靜電容方式的位置檢測的情況下，使用第1透明導電膜10和第2透明導電膜20的分離區域20a。
下面，根據圖4，對在本實施形態的觸控面板中實施基於電阻膜方式的位置檢測的情況進行說明。在基於電阻膜方式的位置檢測中，使用第2透明導電膜20和第3透明導電膜30進行位置檢測。具體而言，藉由與電阻膜方式的4線式相同的方法實施位置檢測。然，在基於電阻膜方式的位置檢測中，第2透明導電膜20上所形成的各分離區域間最好被形成為較窄；如果有可能，最好如第3透明導電膜30那樣，不分割為各分離區域，而係形成在一整面上。然，因為第2透明導電膜 20在靜電容方式中也被使用，所以需要分離為各分離區域。為此，如上所述，分離區域20a及20b之間的間隔被形成為儘可能的窄。
在本實施形態的觸控面板中，在進行基於電阻膜方式的位置檢測的情況下，藉由向電極22a和電極22b施加所定的電壓，使第2透明導電膜20發生電位梯度，並藉由第3透明導電膜30對與第2透明導電膜20接觸的位置的電位進行檢測，據此實施接觸點的Y方向的座標檢測。又，藉由向電極32a和電極32b施加所定的電壓，使第3透明導電膜30發生電位梯度，並藉由第2透明導電膜20對與第3透明導電膜30接觸的位置的電位進行檢測，據此實施接觸點的X方向的座標檢測。所以，藉由電阻膜方式可對接觸點的位置進行檢測。
這樣，在本實施形態的觸控面板中，在實施基於電阻膜方式的位置檢測的情況下，使用第2透明導電膜20的分離區域20a、20b及第3透明導電膜30。
[第2實施形態]
以下，對第2實施形態進行說明。本實施形態係，形成有用於防止液晶顯示裝置等顯示裝置的干擾(noise)的透明導電膜的結構之觸控面板；下面，根據圖5及圖6對其進行說明。本實施形態的觸控面板係，被設置在液晶顯示裝置等顯示裝置60之上，並具有第1透明導電膜10、第2透明導電膜20、第3透明導電膜30及第4透明導電膜50者。在本實施形態的觸控面板中，第4透明導電膜50形成在與顯示裝置60相對的一側，例如，形成在第3透明基板31的另一個面上，並介由在第4透明導電膜50的周圍所設置的電極51與接地電位(GND)連接。所以，顯示裝置60所產生的干擾(noise)可被第4透明導電膜50所遮斷，在觸控面板上進行接觸位置的位置檢測時所發生的誤動作等可被防止。這裡需要說明的係，第4透明導電膜50可由與第1透明導電膜10等相同的材料所形成。本實施形態的這樣的第4透明導電膜50為第4導電 膜。
[第3實施形態]
下面，對第3實施形態進行說明。如圖7所示，本實施形態的觸控面板係，在第2透明基板21的一個面上形成有第2透明導電膜20，在另一個面上形成有第1透明導電膜10的結構。藉由設計成這樣的結構，不需要形成第1透明基板11就可以形成與第1實施形態相同的觸控面板，並可使觸控面板的整體厚度變薄。這裡需要說明的係，在本實施形態中，如圖7所示，還可係，藉由粘著層41等對沒有形成透明導電膜的較薄的第1透明基板11A進行接合的結構。
[第4實施形態]
下面，對第4實施形態進行說明。本實施形態係，在觸控面板上形成有作為加飾部的加飾膜者。具體而言，如圖8所示，係在第1透明基板11的一個面的緣部上形成一作為由黑色絕緣體材料所形成的加飾部的加飾膜70，並在其上再形成一第1透明導電膜10之結構。這樣，藉由在觸控面板的緣部上形成加飾膜70以實施裝飾，可以提高觸控面板的外觀品位。加飾膜70可藉由在第1透明基板11的一個面上採用絲網印刷等印刷法、或、貼付一作為加飾膜70的膜而形成。這裡需要說明的係，第1透明導電膜10可藉由在形成了加飾膜70者之上貼付一透明導電膜片(sheet)、或、採用基於濺射(Sputtering)等成膜方法而形成。
又，如圖9所示，本實施形態的觸控面板也可係，在形成於第1透明基板11的一個面的第1透明導電膜10之上，形成一作為加飾部的導電性加飾膜71者。在此情況下，加飾膜71由黑色導電性材料形成，例如，可採用黑色導電性漿糊(paste)，藉由絲網印刷等印刷法而形成。這裡需要說明的係，第1透明導電膜10的各區域之間需要實施電氣分離。為此，如圖9(b)所示，在第1透明導電膜10的各分離區域10a 之間，去除一部分由黑色導電性材料形成的加飾膜71，並在去除了加飾膜71後的區域上，由黑色絕緣性材料形成黑色絕緣體區域72。作為形成黑色導電性漿糊的材料，可列舉出：包含銀碳素(carbon)等的材料。又，作為黑色絕緣性性材料，可列舉出：包含由具有絕緣性的黑色氧化物所組成的顏料者、或、黑色樹脂材料等。這裡需要說明的係，圖9(a)係該觸控面板的斷面圖，圖9(b)係從一個面對第1透明基板10進行觀察時的平面圖。
又，如圖10所示，本實施形態的觸控面板也可係，在形成於第1透明基板11的一個面的第1透明導電膜10之上，形成一作為加飾部的絕緣性加飾膜73者。在此情況下，加飾膜73可採用黑色絕緣性漿糊，藉由絲網印刷等印刷法而形成。作為形成黑色絕緣性漿糊的材料，可列舉出：包含由具有絕緣性的黑色氧化物所組成的顏料者、或、黑色樹脂材料等。又，為了對第1透明導電膜10的各區域和與各區域相對應的電極12進行連接，還形成有透明導電膜74。據此，可藉由透明導電膜74，對第1透明導電膜10的各區域和與各區域相對應的電極12進行電氣連接。透明導電膜74可採用由具有導電性的透明導電材料所形成的透明導電漿糊，藉由絲網印刷等印刷法而形成。作為形成透明導電漿糊的材料，可列舉出：包含ITO等透明導電材料的微粒子等者等。這裡需要說明的係，圖10(a)係該觸控面板的斷面圖，圖10(b)係從一個面對第1透明基板10進行觀察時的平面圖。
[第5實施形態]
下面，對第5實施形態進行說明。本實施形態係，為了防止基板或透明導電膜等的反射，形成有反射防止膜的結構之觸控面板。藉由形成了反射防止膜，可減輕觸控面板的反射；又，還可使第1透明導電膜10或第2透明導電膜20的各分離區域不引人注意。
例如，在圖11所示的本實施形態的觸控面板中，在第1透明基板 11的另一個面上形成有反射防止膜81，在第1透明基板11的一個面上形成有反射防止膜82。又，在第2透明基板21的另一個面上形成有反射防止膜83，在第2透明基板21的一個面上形成有反射防止膜84。又，在第3透明基板31的一個面上形成有反射防止膜85，在第3透明基板31的另一個面上形成有反射防止膜86。
這裡需要說明的係，在本實施形態的觸控面板中，可形成反射防止膜81~86中的一部分，又，也可形成其全部。又，在圖11所示的情況下，圖中所示的係，反射防止膜82形成在第1透明基板11和第1透明導電膜10之間，反射防止膜84形成在第2透明基板21和第2透明導電膜20之間，反射防止膜85形成在第3透明基板31和第3透明導電膜30之間。然，反射防止膜82也可形成在第1透明導電膜10的表面上，反射防止膜84也可形成在第2透明導電膜20的表面上，反射防止膜85也可形成在第3透明導電膜30的表面上。這樣的反射防止膜81~86可由誘電體多層膜形成(該誘電體多層膜藉由真空蒸著、濺射等成膜方法將屈折率(折射率)不同的誘電體交互積層而形成)；又，也可藉由貼付AR膜等反射防止膜而形成。據此，可降低觸控面板的反射。
[第6實施形態]
下面，對第6實施形態進行說明。本實施形態係，為了防止觸控面板的反射，設置有偏光板的結構之觸控面板。本實施形態的觸控面板在將液晶顯示裝置使用為顯示裝置60的情況下被使用；具體而言，如圖12所示，係在第1透明基板11的另一個面上設置有偏光板90的結構。具有圖12所示結構的觸控面板被設置在顯示裝置60的顯示畫面上，顯示裝置60被設置為位於第3透明基板31的另一個面側，在第1透明基板11的另一個面上藉由粘著層44貼付有偏光板90。這裡需要說明的係，該偏光板90係在與顯示裝置60中所使用的偏光板的偏光方向的位置被調整後而設置的。據此，可降低觸控面板的反射。
本實施形態的觸控面板為，在顯示裝置60係液晶顯示裝置的情況下使用；又，為了使用偏光板90，第1透明基板11、第2透明基板21及第3透明基板31最好係由具有光學等方性(不具有複屈折(折射)等)的材料所形成。具體而言，第1透明基板11、第2透明基板21及第3透明基板31最好係由聚碳酸酯(polycarbonate)等的具有光學等方性的樹脂材料、或、玻璃等的具有光學等方性的無機材料所形成。
[本發明的第2形態]
以下，對本發明的第2形態進行說明。關於本發明的第2形態的各實施形態，並不明言其為本發明的第2形態者。然，在言及第2形態以外的其它形態的實施形態的情況下，則對其進行適當的明言。
[第1實施形態]
對第1實施形態的觸控面板進行說明。如圖13及圖14所示，本實施形態的觸控面板具有第1透明導電膜110及第2透明導電膜120。在本實施形態中，採用第1透明導電膜110和第2透明導電膜120，可藉由靜電容方式實施接觸點(接觸位置)的位置檢測，又，還可藉由電阻膜方式實施接觸點(接觸位置)的位置檢測。這裡需要說明的係，在本實施形態中，第1導電膜為第1透明導電膜110，第2導電膜為第2透明導電膜120。
第1透明導電膜110形成在第1透明基板111的一個面上，具有複數個(多個)沿X軸方向被形成為較長的長條狀的分離區域110a及110b。分離區域110a及110b沿Y軸方向交互並排配列，各分離區域110a及110b的兩端、即、X軸方向的兩端與電極112a及112b連接。這裡需要說明的係，在圖示中，盡管符號被省略了，然，電極112a及112b係形成在所有分離區域110a及110b上。
第2透明導電膜120形成在第2透明基板121的一個面上，具有複數個(多個)沿Y軸方向被形成為較長的長條狀的分離區域120a及 120b。分離區域120a及120b沿X軸方向交互並排配列，各分離區域120a及120b的兩端、即、Y軸方向的兩端與電極122a及122b連接。這裡需要說明的係，在圖示中，盡管符號被省略了，然，電極122a及122b係形成在所有分離區域120a及120b上。
第1透明導電膜110及第2透明導電膜120係ITO(indium-tin oxide)、AZO(Al-doped zinc oxide)等金屬氧化物，由具有導電性的透明材料所形成。這裡需要說明的係，第1透明導電膜110及第2透明導電膜120如果係具有導電性的透明材料，則也可由金屬氧化物以外的材料所形成。即，只要係具有導電性並可使光透過的材料即可；具體而言，可由導電聚合物、金屬納米線、納米碳管等被稱為係ITO等的代替材料之材料所形成。
第1透明基板111係PET(polyethylene terephthalate)等透明樹脂材料，由易撓性材料所形成。又，第2透明基板121由玻璃等透明無機材料或塑料等透明樹脂材料所形成。
在本實施形態的觸控面板中，就第1透明基板111和第2透明基板121而言，在使第1透明基板111的一個面和第2透明基板121的一個面相互面對的狀態下，藉由框狀的兩面膠帶等接著部件142使兩者接合。所以，藉由第1透明基板111和第2透明基板121形成空間143，第1透明導電膜110和第2透明導電膜120被配置為介由該空間143相互面對。
(驅動方法)
下面，對本實施形態的觸控面板的驅動方法進行說明。本實施形態的觸控面板係，基於靜電容方式的位置檢測和基於電阻膜方式的位置檢測在時間上被分割並被交互實施者。即，在實施基於靜電容方式的位置檢測時，不實施基於電阻膜方式的位置檢測，在實施基於電阻膜方式的位置檢測時，不實施基於靜電容方式的位置檢測。
根據圖15，對在本實施形態的觸控面板中實施基於靜電容方式的位置檢測的情況進行說明。在基於靜電容方式的位置檢測中，使用第1透明導電膜110和第2透明導電膜120實施接觸點的位置檢測。然，在基於靜電容方式的位置檢測中，第1透明導電膜110及第2透明導電膜120的各分離區域之間最好被形成為相互分離。又，在本實施形態中，第1透明導電膜110及第2透明導電膜120不僅用於靜電容方式，還用於電阻膜方式。所以，在第1透明導電膜110中形成分離區域110a及110b，在第2透明導電膜120中形成分離區域120a及120b；然，在實施靜電容方式的位置檢測的情況下，僅使用分離區域110a及110b中的分離區域110a，並僅使用分離區域120a及120b中的分離區域120a。即，在本實施形態的觸控面板中，在實施靜電容方式的位置檢測的情況下，分離區域110a介由電極112a被驅動，然，分離區域110b並非介由電極112b被驅動，又，也非被接地，而係處於開放狀態、即、浮接狀態。同樣，分離區域120a介由電極122b被驅動，然，分離區域120b並非介由電極122b被驅動，又，也非被接地，而係處於開放狀態、即、浮接狀態。
這樣，在本實施形態的觸控面板中，在進行基於靜電容方式的位置檢測的情況下，使用第1透明導電膜110的分離區域110a和第2透明導電膜120的分離區域120a。
下面，根據圖16，對在本實施形態的觸控面板中實施基於電阻膜方式的位置檢測的情況進行說明。在基於電阻膜方式的位置檢測中，使用第1透明導電膜110和第2透明導電膜120實施位置檢測。具體而言，藉由與電阻膜方式的4線式同樣的方法實行位置檢測。然，在基於電阻膜方式的位置檢測中，第1透明導電膜110及第2透明導電膜120中所形成的各分離區域之間最好被形成為較窄；如果有可能，最好不分割成各分離區域，而係形成為整面。然，因為第1透明導電膜 110及第2透明導電膜120也在靜電容方式中使用，所以需要將其分離成各分離區域。為此，如上所述，分離區域110a和110b之間的間隔、及、分離區域120a和120b之間的間隔被形成為儘可能的窄。
在本實施形態的觸控面板中，在實行基於電阻膜方式的位置檢測的情況下，藉由向電極112a和電極112b施加所定的電壓，使第1透明導電膜110產生電位梯度，並藉由第2透明導電膜120，對與第1透明導電膜110接觸的位置的電位進行檢測，據此，實行接觸點的X方向的座標檢測。又，藉由向電極122a和電極122b施加所定的電壓，使第2透明導電膜120產生電位梯度，並藉由第1透明導電膜110，對與第2透明導電膜接觸的位置的電位進行檢測，據此，實施接觸點的Y方向的座標檢測。所以，藉由電阻膜方式，可進行接觸點的位置檢測。
這樣，在本實施形態的觸控面板中，在進行基於電阻膜方式的位置檢測的情況下，使用第1透明導電膜110的分離區域110a及110b、以及、第2透明導電膜120的分離區域120a及120b。
[第2實施形態]
以下，對第2實施形態進行說明。本實施形態係，形成有用於防止液晶顯示裝置等顯示裝置的干擾(noise)的透明導電膜之結構的觸控面板；下面，根據圖17及圖18對其進行說明。本實施形態的觸控面板係，設置在液晶顯示裝置等顯示裝置160之上，並具有第1透明導電膜110、2透明導電膜120及第3透明導電膜150者。第3透明導電膜150在本實施形態的觸控面板中形成在與顯示裝置160相對的一側，例如，形成在第2透明基板121的另一個面上，並介由設置在第3透明導電膜150周圍的電極151與接地電位(GND)連接。據此，在顯示裝置160中所發生的干擾(noise)可被第3透明導電膜150所遮斷，在觸控面板中進行接觸位置的位置檢測時發生的誤動作等可被防止。這裡需要說明的係，第3透明導電膜150由與第1透明導電膜110等相同的材料所形成。 本實施形態的這樣的第3透明導電膜150為第3導電膜。
[第3實施形態]
下面，對第3實施形態進行說明。本實施形態係，在觸控面板上形成有一作為加飾部的加飾膜者。具體而言，如圖19所示，係在第1透明基板111的一個面的緣部上，形成由黑色絕緣體材料所形成的作為加飾部的加飾膜170，並在其上再形成第1透明導電膜110的結構。這樣，藉由在觸控面板的緣部上形成加飾膜170以進行裝飾，可提高觸控面板的外觀品位。加飾膜170可藉由在第1透明基板111的一個面上採用絲網印刷等印刷法、或、貼付一作為加飾膜170的膜而形成。這裡需要說明的係，第1透明導電膜110可藉由在形成有加飾膜170者之上貼付一透明導電膜片、或、採用基於濺射等成膜方法而形成。
又，如圖20所示，本實施形態的觸控面板也可係，在形成於第1透明基板111的一個面的第1透明導電膜110之上，形成一作為加飾部的導電性加飾膜171者。在此情況下，加飾膜171由黑色導電性材料形成，例如，使用黑色導電性漿糊，藉由絲網印刷等印刷法形成。這裡需要說明的係，第1透明導電膜110的各區域之間需要進行電氣分離。為此，如圖20(b)所示，在第1透明導電膜110的各分離區域110a和分離區域110b之間，去除由黑色導電性材料所形成的加飾膜171的一部分，並在去除了加飾膜171的區域內，由黑色絕緣性材料形成黑色絕緣體區域172。作為形成黑色導電性漿糊的材料，可列舉出：包含銀碳素等的材料。又，作為黑色絕緣性材料，可列舉出：包含由具有絕緣性的黑色氧化物所組成的顏料者、或、黑色樹脂材料等。這裡需要說明的係，圖20(a)係該觸控面板的斷面圖，圖20(b)係從一個面對第1透明基板110進行觀察時的平面圖。
又，如圖21所示，本實施形態的觸控面板也可係，在形成於第1透明基板111的一個面的第1透明導電膜110之上，形成一作為加飾部 的絕緣性加飾膜173者。在此情況下，加飾膜173可使用黑色絕緣性漿糊，藉由絲網印刷等印刷法所形成。作為形成黑色絕緣性漿糊的材料，可列舉出：包含具有絕緣性的黑色氧化物所組成的顏料者、或、黑色樹脂材料等。又，為了對第1透明導電膜110的各分離區域110a及110b和與各分離區域110a及110b相對應的電極112a及112b進行連接，還形成有透明導電膜174。據此，第1透明導電膜110的各分離區域110a及110b和與各分離區域110a及110b相對應的電極112a及112b之間可藉由透明導電膜174進行電氣連接。透明導電膜174可使用由具有導電性的透明導電材料所形成的透明導電漿糊，藉由絲網印刷等印刷法所形成。作為形成透明導電漿糊的材料，可列舉出：包含ITO等透明導電材料的微粒子等者等。這裡需要說明的係，圖21(a)係該觸控面板的斷面圖，圖21(b)係從一個面對第1透明基板110進行觀察時的平面圖。
[第4實施形態]
下面，對第4實施形態進行說明。本實施形態係，為了防止基板或透明導電膜等的反射，形成有反射防止膜的結構之觸控面板。藉由形成反射防止膜，可減輕觸控面板的反射；又，還可使第1透明導電膜110或第2透明導電膜120的各分離區域不引人注意。
例如，在圖22所示的本實施形態的觸控面板中，在第1透明基板111的另一個面上形成有反射防止膜181，在第1透明基板111的一個面上形成有反射防止膜182。又，在第2透明基板121的另一個面上形成有反射防止膜183，在第2透明基板121的一個面上形成有反射防止膜184。這裡需要說明的係，本實施形態的觸控面板可為，形成有反射防止膜181~184中的一部分者，又，也可為，形成有其全部者。又，在圖22中，示出了，反射防止膜182形成在第1透明基板111和第1透明導電膜110之間，反射防止膜183形成在第2透明基板121和第2透明導 電膜120之間。然，反射防止膜182也可形成在第1透明導電膜110的表面上，反射防止膜183也可形成在第2透明導電膜120的表面上。這樣的反射防止膜181~184可由誘電體多層膜(該誘電體多層膜藉由真空蒸著、濺射等成膜方法將屈折率不同的誘電體交互積層而形成)形成，或者，可藉由貼付AR膜等反射防止膜而形成。據此，可降低觸控面板的反射。
[第5實施形態]
下面，對第5實施形態進行說明。本實施形態係，為了防止觸控面板的反射，設置有偏光板的結構之觸控面板。本實施形態的觸控面板應用在將液晶顯示裝置使用為顯示裝置160的情況下；具體而言，如圖23所示，係在第1透明基板111的另一個面上設置有偏光板190的結構。圖23所示結構的觸控面板被設置在顯示裝置160的顯示畫面上，顯示裝置160被設置為位於第2透明基板121的另一個面側，偏光板190藉由粘著層144被貼付在第1透明基板111的另一個面上。這裡需要說明的係，該偏光板190係在與顯示裝置160中所使用的偏光板的偏光方向的位置被調整後而設置的。據此，可降低觸控面板的反射。
本實施形態的觸控面板被應用在顯示裝置160為液晶顯示裝置的情況下，又，為了使用偏光板190，第1透明基板111及第2透明基板121最好由具有光學等方性(不具有複屈折等)的材料所形成。具體而言，第1透明基板111及第2透明基板121最好由聚碳酸酯等的具有光學等方性的樹脂材料、或、玻璃等的具有光學等方性的無機材料所形成。
[本發明的第3形態]
以下，對本發明的第3形態進行說明。關於本發明的第3形態的各實施形態，如果無必要，則並不特別明言其為本發明的第3形態者。然，在言及第3形態以外的其它形態的實施形態的情況下，則對 其進行適當的明言。
[第1實施形態]
以下，使用用於顯示本發明的第1形態的第1實施形態之圖1至圖4，對本發明的第3形態的第1實施形態進行說明。
對第1實施形態的觸控面板進行說明。如圖1及圖2所示，本實施形態的觸控面板具有第1透明導電膜10、第2透明導電膜20及第3透明導電膜30。在本實施形態中，可使用第1透明導電膜10和第2透明導電膜20，藉由靜電容方式實施接觸點(接觸位置)的位置檢測，並可使用第2透明導電膜20和第3透明導電膜30，藉由電阻膜方式實行接觸點(接觸位置)的位置檢測。這裡需要說明的係，在本實施形態中，第1導電膜係第1透明導電膜10，第2導電膜係第2透明導電膜20，第3導電膜係第3透明導電膜30。
第1透明導電膜10形成在第1透明基板11的一個面上，並具有複數個(多個)沿X軸方向被形成為較長的長條狀的分離區域10a。複數個分離區域10a沿Y軸方向並排配列，各分離區域10a的端部與電極12連接。這裡需要說明的係，在圖示中，盡管符號被省略了，然，電極12係形成在所有分離區域10a上。
第2透明導電膜20形成在第2透明基板21的一個面上，並具有多個(複數個)沿Y軸方向被形成為較長的長條狀的分離區域20a及20b。分離區域20a及20b沿X軸方向交互並排配列，各分離區域20a及20b的兩端、即、Y軸方向的兩端與電極22a及22b連接。這裡需要說明的係，在圖示中，盡管符號被省略了，然，電極22a及22b係形成在所有分離區域20a及20b上。
第3透明導電膜30在第3透明基板31的一個面上被形成為大致一整面，其X軸方向的兩端與電極32a及32b連接。
第1透明導電膜10、第2透明導電膜20及第3透明導電膜30係 ITO(indium-tin oxide)、AZO(Al-doped zinc oxide)等金屬氧化物，由具有導電性的透明材料所形成。這裡需要說明的係，第1透明導電膜10、第2透明導電膜20及第3透明導電膜30如果係具有導電性的透明材料，則也可由金屬氧化物以外的材料所形成。即，只要係具有導電性並可使光透過的材料即可；具體而言，可由導電聚合物、金屬納米線、納米碳管等被稱為係ITO等的代替材料之材料所形成。
第1透明基板11及第2透明基板21係PET(polyethylene terephthalate)等透明樹脂材料，由易撓性材料所形成。第3透明基板31由玻璃等透明無機材料或塑料等透明樹脂材料所形成。
在本實施形態的觸控面板中，就第1透明基板11和第2透明基板21而言，第1透明基板11的一個面(即、形成有第1透明導電膜10的面)和第2透明基板21的另一個面藉由透明粘著層41所接合。作為透明粘著層41，可列舉出：環氧樹脂等透明接著劑。又，第2透明基板21和第3透明基板31在使第2透明基板21的一個面與第3透明基板31的一個面相互面對的狀態下，藉由框狀的兩面膠帶等接著部件42所接合。所以，藉由第2透明基板21和第3透明基板31形成空間43，介由該空間43，第2透明導電膜20和第3透明導電膜30被配置為相互面對。
(驅動方法)
下面，對本實施形態的觸控面板之驅動方法進行說明。本實施形態的觸控面板係，基於靜電容方式的位置檢測和基於電阻膜方式的位置檢測在時間上被分割並被交互實施者。即，係在進行基於靜電容方式的位置檢測時，不進行基於電阻膜方式的位置檢測，在進行基於電阻膜方式的位置檢測時，不進行基於靜電容方式的位置檢測，換言之，基於靜電容方式的位置檢測和基於電阻膜方式的位置檢測被交互實施者。
根據圖3，對在本實施形態的觸控面板中實施基於靜電容方式的 置檢測的情況進行說明。在基於靜電容方式的位置檢測中，使用第1透明導電膜10和第2透明導電膜20實施接觸點的位置檢測。然，在基於靜電容方式的位置檢測中，第1透明導電膜10及第2透明導電膜20中所形成的各分離區域之間最好為相互分離。在本實施形態中，因為第1透明導電膜10僅在靜電容方式中使用，所以第1透明導電膜10的分離區域10a之間的間隔被形成為較寬。
又，因為第2透明導電膜20不僅在靜電容方式中使用，而且還在電阻膜方式中使用，所以在第2透明導電膜20中盡管形成了各分離區域20a及20b，然，在實施靜電容方式的位置檢測的情況下，僅使用分離區域20a及20b中的分離區域20a。所以，在第2透明導電膜20中，分離區域20a及20b之間的間隔被形成為較窄，具體而言，第2透明導電膜20的分離區域20a及20b之間的間隔被形成為比第1透明導電膜10的分離區域10a之間的間隔還窄。在本實施形態的觸控面板中，在實施靜電容方式的位置檢測的情況下，分離區域20a介由電極22a被驅動，然，分離區域20b並非介由電極22a被驅動，又，也非被接地，而係處於開放狀態、即、浮接狀態。
這樣，在本實施形態的觸控面板中，在實施基於靜電容方式的位置檢測的情況下，使用第1透明導電膜10和第2透明導電膜20的分離區域20a。
下面，根據圖4，對在本實施形態的觸控面板中實施基於電阻膜方式的位置檢測的情況進行說明。在基於電阻膜方式的位置檢測中，使用第2透明導電膜20和第3透明導電膜30實行位置檢測。具體而言，藉由與電阻膜方式的4線式同樣的方法實施位置檢測。然，在基於電阻膜方式的位置檢測中，在第2透明導電膜20上所形成的各分離區域之間最好形成為較窄；如果有可能，最好如第3透明導電膜30那樣，不分割成各分離區域，而係形成為一整面。然，因為第2透明導電膜 20也在靜電容方式中使用，所以需要將其分離成各分離區域。為此，如上所述，分離區域20a及20b之間的間隔被形成為儘可能的窄。
在本實施形態的觸控面板中，在實施基於電阻膜方式的位置檢測的情況下，藉由向電極22a和電極22b施加所定的電壓，使第2透明導電膜20產生電位梯度，並藉由第3透明導電膜30，對與第2透明導電膜20接觸的位置的電位進行檢測，據此，實行接觸點的Y方向的座標檢測。又，藉由向電極32a和電極32b施加所定的電壓，使第3透明導電膜30產生電位梯度，並藉由第2透明導電膜20，對與第3透明導電膜30接觸的位置的電位進行檢測，據此，實行接觸點的X方向的座標檢測。所以，藉由電阻膜方式，可實施接觸點的位置檢測。
這樣，在本實施形態的觸控面板中，在實施基於電阻膜方式的位置檢測的情況下，係使用第2透明導電膜20的分離區域20a及20b、以及第3透明導電膜30來實施的。
(位置檢測)
對本實施形態的觸控面板中的接觸點的位置檢測進行說明。在本實施形態的觸控面板中，如圖24(a)所示，第1透明導電膜10的各分割區域10a介由電極12與用於實施靜電容方式的位置檢測的電流檢測部13連接。又，如圖24(b)所示，第2透明導電膜20的各分割區域20a介由電極22a與用於實施靜電容方式的位置檢測的電流檢測部23、用於實施基於電阻膜方式的位置檢測的電位檢測部24、及用於與接地電位連接的開關25連接，並介由電極22b與用於施加電源電壓Vcc的開關26連接。又，如圖24(c)所示，第2透明導電膜20的各分割區域20b介由電極22a與用於實施基於電阻膜方式的位置檢測的電位檢測部24、及用於與接地電位連接的開關25連接，並介由電極22b與用於施加電源電壓Vcc的開關26連接。又，如圖24(d)所示，第3透明導電膜30介由電極32a與用於實施基於電阻膜方式的位置檢測的電位檢測部34、 及用於與接地電位連接的開關35連接，並介由電極32b與用於施加電源電壓Vcc的開關36連接。
在本實施形態的觸控面板中，如圖3所示，在實行基於靜電容方式的位置檢測的情況下，如圖25所示，開關25、26、35、36皆為打開了的狀態(開放狀態)。在此狀態下，藉由第1透明導電膜10的各分割區域10a上所連接的電流檢測部13、及第2透明導電膜20的各分割區域20a上所連接的電流檢測部23，實施基於靜電容方式的位置檢測。
又，在本實施形態的觸控面板中，如圖4所示，在實施基於電阻膜方式的位置檢測的情況下，首先，如圖26所示，將開關25、26設為開放狀態，將開關35、36設為關閉狀態。在此狀態下，在第3透明導電膜30中，沿X軸方向發生電位分布，藉由第2透明導電膜20的各分割區域20a、20b上所連接的電位檢測部24，實施基於電阻膜方式的X方向的位置檢測。然後，如圖27所示，將開關25、26設為關閉狀態，將開關35、36設為開放狀態。在此狀態下，在第2透明導電膜20的各分割區域20a、20b中，沿Y軸方向發生電位分布，藉由第3透明導電膜30上所連接的電位檢測部34，實施基於電阻膜方式的Y方向的位置檢測。
(控制方法)
下面，對本實施形態的觸控面板的控制方法進行說明。圖28係用於對本實施形態的觸控面板進行控制的控制電路的框圖。該控制電路具有MCU(Micro Control Unit)部260、靜電容方式控制部261、靜電容方式檢測部262、電阻膜方式控制部263、電阻膜方式選擇部264、電阻膜方式檢測部265等。MCU部260介由主(host)I/F與圖中未示的主機(host computer)等連接，實行靜電容方式控制部261、電阻膜方式控制部263、電阻膜方式選擇部264等的控制。
靜電容方式檢測部262係用於實行靜電容方式的位置檢測者，具 體而言，相當于第1透明導電膜10的各分割區域10a上所連接的電流檢測部13、第2透明導電膜20的各分割區域20a上所連接的電流檢測部23。又，靜電容方式控制部261用於將靜電容方式檢測部262所檢測到的測定值變換為用於傳送至MCU部260的信息等。
電阻膜方式檢測部265係用於實行電阻膜方式的位置檢測者，具體而言，相當于第2透明導電膜20的各分割區域20a、20b上所連接的電位檢測部24、第3透明導電膜30上所連接的電位檢測部34。又，電阻膜方式控制部263用於將電阻膜方式檢測部265所檢測到的測定值變換為用於傳送至MCU部260的信息等。電阻膜方式選擇部264用於根據來自MCU部260的選擇信號，對電阻膜方式檢測部265和電阻膜方式控制部263之間進行連接或切斷，例如，係一開關等。
在本實施形態中，電阻膜方式選擇部264如圖29所示，由繼電器(relay)所形成。具體而言，作為電阻膜方式選擇部264的繼電器具有開關264a和線圈(coil)264b，線圈264b的一個端部輸入來自MCU部260的選擇信號。這裡需要說明的係，線圈264b的另一個端部與電源連接，為Vcc的電位(H(high)level的電位)。
在本實施形態的觸控面板中進行接觸位置的檢測時，在MCU部260中生成如圖30所示的選擇信號，並使其輸入線圈264b的一個端部。在來自MCU部260的選擇信號為L(low)level的情況下，藉由電流在線圈264b內流動以產生磁界(磁場)，開關264a被連接，變為On狀態。在此狀態下，介由電阻膜方式選擇部264，電阻膜方式控制部263和電阻膜方式檢測部265被連接，以實行基於電阻膜方式的位置檢測。
又，在來自MCU部260的選擇信號為H level的情況下，因為線圈264b中無電流流動，所產生的磁場消失，開關264b被打開(連接被斷開)，變為off狀態。在此狀態下，電阻膜方式控制部263和電阻膜方式 檢測部265在電阻膜方式選擇部264中被切斷，電阻膜方式檢測部265上所連接的透明導電膜、及透明導電膜的分離區域變為開放狀態。在此狀態下，實行基於靜電容方式的位置檢測。
這裡需要說明的係，在上述中，對電阻膜方式選擇部264使用了繼電器的情況進行了說明，然，如圖31所示，電阻膜方式選擇部264還可以使用電晶體(transistor)等半導體元件。在此情況下，使選擇信號輸入作為電阻膜方式選擇部264的電晶體的基極(base)(B)，而作為電阻膜方式選擇部264的電晶體的射極(emitter)(E)及集極(collector)(C)則與各電阻膜方式檢測部265及電阻膜方式檢測部265連接。作為這樣的半導體元件，除了電晶體，還可列舉出：FET(Field effect transistor)等。
(觸控面板的接觸位置的檢測方法)
下面，根據圖32對本實施形態的觸控面板的接觸位置的檢測方法進行說明。
首先，在步驟102(S102)中，為了實行基於靜電容方式的位置檢測，將從MCU部260所發送的H level的選擇信號輸入至電阻膜方式選擇部264。
之後，在步驟104(S104)中，藉由使H level的選擇信號輸入至電阻膜方式選擇部264，電阻膜方式選擇部264變為off狀態。此時，藉由MCU部260等的控制，如圖25所示，開關25、26、35、36變為開放狀態。
之後，在步驟106(S106)中，開始實行基於靜電容方式的接觸位置的位置檢測。此時，使用第1透明導電膜10的各分割區域10a上所連接的電流檢測部13、及第2透明導電膜20的各分割區域20a上所連接的電流檢測部23。
之後，在步驟108(S108)中，對在靜電容方式中是否檢測到了接 觸進行判斷。具體而言，根據電流檢測部13及23中所檢測到的電流量，對在靜電容方式中是否檢測到了接觸進行判斷。在判斷為在靜電容方式中檢測到了接觸的情況下，移行至步驟110。另一方面，在判斷為在靜電容方式中沒有檢測到接觸的情況下，移行至步驟112。
之後，在步驟110(S110)中，根據電流檢測部13及23中所檢測到的電流量，算出基於靜電容方式的接觸位置的座標位置，並將所算出的接觸位置的座標位置發送至主機等。
之後，在步驟112(S112)中，為了實行基於電阻膜方式的位置檢測，將從MCU部260所發送的L level的選擇信號輸入電阻膜方式選擇部264。
之後，在步驟114(S114)中，藉由使L level的選擇信號輸入至電阻膜方式選擇部264，電阻膜方式選擇部264變為on狀態。此時，藉由MCU部260等的控制，例如，如圖26所示，開關25、26變為開放狀態，開關35、36變為關閉狀態，據此，在X軸方向上產生電位梯度。
之後，在步驟116(S116)中，開始實行基於電阻膜方式的接觸位置的位置檢測。此時，使用第2透明導電膜20的各分割區域20a及20b上所連接的電位檢測部24。
之後，在步驟118(S118)中，對在電阻膜方式中是否檢測到了接觸進行判斷。具體而言，根據電位檢測部24中所檢測的電位，對在電阻膜方式中是否檢測到了接觸進行判斷。在判斷為在電阻膜方式中檢測到了接觸的情況下，移行至步驟120。另一方面，在判斷為在電阻膜方式中沒有檢測到接觸的情況下，移行至步驟102。
之後，在步驟120(S120)中，根據電位檢測部24所檢測到的電位，算出電阻膜方式下的接觸位置的X座標的座標位置。之後，藉由MCU部260等的控制，例如，如圖27所示，開關25、26變為關閉狀態，開關35、36變為開放狀態，據此，在Y軸方向上產生電位梯度， 藉由第3透明導電膜30上所連接的電位檢測部34檢測電位，並根據所檢測到的電位，算出電阻膜方式下的接觸位置的Y座標的座標位置。這樣，即可算出基於電阻膜方式的接觸位置的座標位置，並可將所算出的接觸位置的座標位置發送至主機等。
這裡需要說明的係，在本實施形態中，有時將實施基於靜電容方式的接觸點的位置檢測的步驟記載為第1檢測步驟，並將實施基於電阻膜方式的接觸點的位置檢測的步驟記載為第2檢測步驟。
由以上可知，在本實施形態的觸控面板中，可實施位置檢測。根據該觸控面板的位置檢測方法可知，不管係何種接觸物體，都可實行位置檢測，又，在僅藉由觸摸即可實施位置檢測的觸控面板中，藉由簡單的步驟可實行位置檢測。
[第2實施形態]
以下，參照用於說明本發明的第2形態的第1實施形態的圖13至圖16，對本發明的第3形態的第2實施形態進行說明。
首先，對第2實施形態的觸控面板進行說明。如圖13及圖14所示，本實施形態的觸控面板具有第1透明導電膜110及第2透明導電膜120。在本實施形態中，使用第1透明導電膜110和第2透明導電膜120，可藉由靜電容方式實施接觸點(接觸位置)的位置檢測，又，還可藉由電阻膜方式實行接觸點(接觸位置)的位置檢測。這裡需要說明的係，在本實施形態中，第1導電膜為第1透明導電膜110，第2導電膜為第2透明導電膜120。
第1透明導電膜110形成在第1透明基板111的一個面上，並具有複數個(多個)沿X軸方向被形成為較長的長條狀的分離區域110a及110b。分離區域110a及110b沿Y軸方向交互並排配列，各分離區域110a及110b的兩端、即、X軸方向的兩端與電極112a及112b連接。這裡需要說明的係，在圖示中，盡管符號被省略了，然，電極112a及 112b係形成在所有分離區域110a及110b上。
第2透明導電膜120形成在第2透明基板121的一個面上，並具有複數個(多個)沿Y軸方向被形成為較長的長條狀的分離區域120a及120b。分離區域120a及120b沿X軸方向交互並排配列，各分離區域120a及120b的兩端、即、Y軸方向的兩端與電極122a及122b連接。這裡需要說明的係，在圖示中，盡管符號被省略了，然，電極22a及22b係形成在所有分離區域20a及20b上。
第1透明導電膜110及第2透明導電膜120係ITO、AZO等金屬氧化物，由具有導電性的透明材料所形成。這裡需要說明的係，第1透明導電膜110及第2透明導電膜120如果係具有導電性的透明材料，則也可由金屬氧化物以外的材料所形成。即，只要係具有導電性並可使光透過的材料即可；具體而言，也可由導電聚合物、金屬納米線、納米碳管等被稱為係ITO等的代替材料之材料所形成。
第1透明基板111係PET等透明樹脂材料，由易撓性材料所形成。又，第2透明基板121由玻璃等的透明無機材料、或、塑料等的透明樹脂材料所形成。
在本實施形態的觸控面板中，第1透明基板111和第2透明基板121在使第1透明基板111的一個面與第2透明基板121的一個面相互面對的狀態下，藉由框狀的兩面膠帶等接著部件142所接合。所以，藉由第1透明基板111和第2透明基板121形成空間143，介由該空間143，第1透明導電膜110和第2透明導電膜120被配置為相互面對。
(驅動方法)
下面，對本實施形態的觸控面板的驅動方法進行說明。本實施形態的觸控面板係，基於靜電容方式的位置檢測和基於電阻膜方式的位置檢測在時間上被分割並被交互實行者。即，在實施基於靜電容方式的位置檢測時，不實施基於電阻膜方式的位置檢測，在實施基於電 阻膜方式的位置檢測時，不實施基於靜電容方式的位置檢測。
根據圖15，對在本實施形態的觸控面板中實行基於靜電容方式的位置檢測的情況進行說明。在基於靜電容方式的位置檢測中，使用第1透明導電膜110和第2透明導電膜120實行接觸點的位置檢測。然，在基於靜電容方式的位置檢測中，第1透明導電膜110及第2透明導電膜120的各分離區域之間最好被形成為相互分離(離開)。在本實施形態中，第1透明導電膜110及第2透明導電膜120不僅用於靜電容方式，而且還用於電阻膜方式。所以，在第1透明導電膜110中形成有分離區域110a及110b，在第2透明導電膜120中形成有分離區域120a及120b；然，在進行靜電容方式的位置檢測的情況下，僅使用分離區域110a及110b中的分離區域110a，並僅使用分離區域120a及120b中的分離區域120a。即，在本實施形態的觸控面板中，在靜電容方式的位置檢測的情況下，分離區域110a介由電極112a被驅動，然，分離區域110b並非介由電極112b被驅動，又，也並非被接地，而係變為開放狀態、即、浮接狀態。同樣，分離區域120a介由電極122b被驅動，然，分離區域120b並非介由電極122b被驅動，又，也並非被接地，而係變為開放狀態、即、浮接狀態。
這樣，在本實施形態的觸控面板中，在實行基於靜電容方式的位置檢測的情況下，使用第1透明導電膜110的分離區域110a和第2透明導電膜120的分離區域120a。
下面，根據圖16，對在本實施形態的觸控面板中進行基於電阻膜方式的位置檢測的情況進行說明。在基於電阻膜方式的位置檢測中，使用第1透明導電膜110和第2透明導電膜120實行位置檢測。具體而言，藉由與電阻膜方式的4線式同樣的方法實行位置檢測。然，在基於電阻膜方式的位置檢測中，第1透明導電膜110及第2透明導電膜120中所形成的各分離區域之間最好被形成為較窄；如果有可能，最 好不分割成各分離區域，而係形成為一整面。然，因為第1透明導電膜110及第2透明導電膜120亦用於靜電容方式，所以需要將其分離成各分離區域。為此，如上所述，分離區域110a及110b之間的間隔、分離區域120a及120b之間的間隔被形成為儘可能的窄。
在本實施形態的觸控面板中，在實施基於電阻膜方式的位置檢測的情況下，藉由向電極112a和電極112b施加所定的電壓，使第1透明導電膜110發生電位梯度，並藉由第2透明導電膜120對與第1透明導電膜110接觸的位置的電位進行檢測，以實施接觸點的X方向的座標檢測。又，藉由向電極122a和電極122b施加所定的電壓，使第2透明導電膜120產生電位梯度，並藉由第1透明導電膜110對與第2透明導電膜接觸的位置的電位進行檢測，以實施接觸點的Y方向的座標檢測。所以，可以實施基於電阻膜方式的接觸點的位置檢測。
這樣，在本實施形態的觸控面板中，在實行基於電阻膜方式的位置檢測的情況下，使用第1透明導電膜110的分離區域110a和110b、以及、第2透明導電膜120的分離區域120a和120b。
(位置檢測)
對本實施形態的觸控面板中的接觸點的位置檢測進行說明。在本實施形態的觸控面板中，如圖33(a)所示，第1透明導電膜110的各分割區域110a介由電極112a與用於實施靜電容方式的位置檢測的電流檢測部113、用於實施基於電阻膜方式的位置檢測的電位檢測部114、及用於與接地電位連接的開關115連接，並介由電極112b與用於施加電源電壓Vcc的開關116連接。又，如圖33(b)所示，第1透明導電膜110的各分割區域110b介由電極112a與用於實行基於電阻膜方式的位置檢測的電位檢測部114、及用於與接地電位連接的開關115連接，並介由電極112b與用於施加電源電壓Vcc的開關116連接。又，如圖33(c)所示，第2透明導電膜120的各分割區域120a介由電極122a與用於 實施靜電容方式的位置檢測的電流檢測部123、用於實施基於電阻膜方式的位置檢測的電位檢測部124、及用於與接地電位連接的開關125連接，並介由電極122b與用於施加電源電壓Vcc的開關126連接。又，如圖33(d)所示，第2透明導電膜120的各分割區域120b介由電極122a與用於實行基於電阻膜方式的位置檢測的電位檢測部124、及用於與接地電位連接的開關125連接，並介由電極122b與用於施加電源電壓Vcc的開關126連接。
在本實施形態的觸控面板中，如圖15所示，在實行基於靜電容方式的位置檢測的情況下，如圖34所示，開關115、116、125、126皆為打開了的狀態(開放狀態)。在此狀態下，藉由第1透明導電膜110的各分割區域110a上所連接的電流檢測部113、及第2透明導電膜120的各分割區域120a上所連接的電流檢測部123，實施基於靜電容方式的位置檢測。
又，在本實施形態的觸控面板中，如圖16所示，在進行基於電阻膜方式的位置檢測的情況下，首先，如圖35所示，開關115、116變為開放狀態，開關125、126變為關閉狀態。在此狀態下，在第2透明導電膜30中，沿Y軸方向發生電位分布，藉由第1透明導電膜110的各分割區域110a、110b上所連接的電位檢測部114，實施基於電阻膜方式的Y方向的位置檢測。之後，如圖36所示，開關115、116變為關閉狀態，開關125、126變為開放狀態。在此狀態下，在第1透明導電膜110的各分割區域110a、110b中，沿X軸方向發生電位分布，藉由第2透明導電膜120的各分割區域120a、120b上連接的電位檢測部124，進行基於電阻膜方式的X方向的位置檢測。
這裡需要說明的係，本實施形態的觸控面板的控制方法與第1實施形態的觸控面板的控制方法相同，也使用與圖28所示的控制電路相同的控制電路。在本實施形態中，靜電容方式檢測部262相當于第1透 明導電膜110的各分割區域110a上連接的電流檢測部113、第2透明導電膜120的各分割區域120a上連接的電流檢測部123。又，電阻膜方式檢測部265具體而言相當于第1透明導電膜110的各分割區域110a、110b上連接的電位檢測部114、第2透明導電膜120的各分割區域120a、120b上連接的電位檢測部124。
(觸控面板的接觸位置的檢測方法)
下面，根據圖32對本實施形態的觸控面板的接觸位置的檢測方法進行說明。
首先，在步驟102(S102)中，為了實施基於靜電容方式的位置檢測，從MCU部260所發送的H level的選擇信號被輸入電阻膜方式選擇部264。
之後，在步驟104(S104)中，藉由使H level的選擇信號輸入電阻膜方式選擇部264，電阻膜方式選擇部264變為off狀態。此時，藉由MCU部260等的控制，如圖34所示，開關115、116、125、126變為開放狀態。
之後，在步驟106(S106)中，開始進行基於靜電容方式的接觸位置的位置檢測。此時，使用第1透明導電膜110的各分割區域110a上連接的電流檢測部113、及第2透明導電膜120的各分割區域120a上連接的電流檢測部123。
之後，在步驟108(S108)中，對在靜電容方式中是否檢測到了接觸進行判斷。具體而言，根據在電流檢測部113及123中所檢測到的電流量，對在靜電容方式中是否檢測到了接觸進行判斷。在判斷為在靜電容方式中檢測到了接觸的情況下，移行至步驟110。另一方面，在判斷為在靜電容方式中沒有檢測到接觸的情況下，移行至步驟112。
之後，在步驟110(S110)中，根據電流檢測部113及123中檢測到的電流量，算出基於靜電容方式的接觸位置的座標位置，並將所算出 的接觸位置的位置座標發送至主機等。
之後，在步驟112(S112)中，為了實行基於電阻膜方式的位置檢測，將從MCU部260所發送的L level的選擇信號輸入至電阻膜方式選擇部264。
之後，在步驟114(S114)中，藉由使L level的選擇信號輸入電阻膜方式選擇部264，電阻膜方式選擇部264變為on狀態。此時，藉由MCU部260等的控制，例如，如圖35所示，開關115、116變為開放狀態，開關125、126變為關閉狀態，據此，沿Y軸方向產生電位梯度。
之後，在步驟116(S116)中，開始進行基於電阻膜方式的接觸位置的位置檢測。此時，使用第1透明導電膜110的各分割區域110a及110b上連接的電位檢測部114。
之後，在步驟118(S118)中，對在電阻膜方式中是否檢測到了接觸進行判斷。具體而言，根據電位檢測部114中檢測到的電位，對在電阻膜方式中是否檢測到了接觸進行判斷。在判斷為在電阻膜方式中檢測到了接觸的情況下，移行至步驟120。另一方面，在判斷為在電阻膜方式中沒有檢測到接觸的情況下，移行至步驟102。
之後，在步驟120(S120)中，根據電位檢測部114所檢測到的電位，算出電阻膜方式下的接觸位置的Y座標的座標位置。之後，藉由MCU部260等的控制，例如，如圖36所示，開關115、116變為關閉狀態，開關125、126變為開放狀態，據此，沿X軸方向產生電位梯度，藉由第2透明導電膜120的各分割區域120a及120b上連接的電位檢測部124檢測電位，再根據所檢測到的電位，算出電阻膜方式下的接觸位置的X座標的座標位置。這樣，即可算出基於電阻膜方式的接觸位置的座標位置，並可將所算出的接觸位置的座標位置發送至主機等。
這裡需要說明的係，在本實施形態中，有時將實施基於靜電容方式的接觸點的位置檢測的步驟記載為第1檢測步驟，並將實施基於 電阻膜方式的接觸點的位置檢測的步驟記載為第2檢測步驟。
由以上可知，在本實施形態的觸控面板中，可實施位置檢測。根據該觸控面板的位置檢測方法可知，不管係何接觸物體，皆可進行位置檢測，又，在僅藉由觸膜即可進行位置檢測的觸控面板中，藉由簡單的步驟可實行位置檢測。
這裡需要說明的係，關於上述以外的內容，與第1實施形態相同。
以上對本發明的實施形態進行了說明，然，上述內容並非用於對本發明的內容進行限定。
本申請主張向日本專利廳於2012年2月15日申請的基礎申請第2012-031101號、於2012年2月15日申請的基礎申請第2012-031102號、及於2012年2月24日申請的基礎申請第2012-039313號的優先權，並藉由引用的方式援用了該些申請的全部內容。
10‧‧‧第1透明導電膜
10a‧‧‧分離區域
12‧‧‧電極
20‧‧‧第2透明導電膜
20a‧‧‧分離區域
22a‧‧‧電極
22b‧‧‧電極
30‧‧‧第3透明導電膜
32a‧‧‧電極
33b‧‧‧電極

Claims (18)

  1. 一種觸控面板，其包括：第1導電膜，其具有複數個沿一個方向被形成為較長的長條狀的分離區域；第2導電膜，其具有複數個沿另一個方向被形成為較長的長條狀的分離區域，該另一個方向與該一個方向大致直交；第3導電膜，其中，該第1導電膜的分離區域沿該另一個方向配列，該第2導電膜的分離區域沿該一個方向配列，藉由該第1導電膜和該第2導電膜，實施基於靜電容量結合的座標位置的位置檢測，藉由檢測出該第2導電膜和該第3導電膜的接觸位置的電位，實施該接觸位置的座標位置的位置檢測。
  2. 根據申請專利範圍第1項之觸控面板，其中：該第2導電膜形成在第2透明基板的一個面上，該第3導電膜形成在第3透明基板的一個面上，該第2透明基板的一個面和該第3基板的一個面被配置為互相面對。
  3. 根據申請專利範圍第2項之觸控面板，其中：在該第3透明基板的另一個面上形成有第4導電膜。
  4. 根據申請專利範圍第1項至第3項之任1項之觸控面板，其中：該第2導電膜的分離區域之間的間隔被形成為，比該第1導電膜的分離區域之間的間隔還窄。
  5. 一種觸控面板，其包括： 第1基板，其上形成有複數個帶狀的第1導電膜，該第1導電膜沿第1方向延伸，並在該第1方向的一個端部具有電極；第2基板，其上形成有複數個帶狀的第2導電膜，該第2導電膜沿與該第1方向直交的第2方向延伸，並在該第2方向的兩個端部具有電極；第3基板，其上形成有面狀的第3導電膜，其中，該第1基板、該第2基板、及該第3基板依次被積層。
  6. 根據申請專利範圍第5項之觸控面板，其中：在使用該第1導電膜和該第2導電膜實施位置檢測的情況下，對該複數個第2導電膜每隔一個地進行驅動，在使用該該第2導電膜和該第3導電膜實施位置檢測的情況下，對該複數個第2導電膜的全部進行驅動。
  7. 一種觸控面板的位置檢測方法，其中，該觸控面板包含第1導電膜，其具有複數個沿一個方向被形成為較長的長條狀的分離區域；第2導電膜，其具有複數個沿與該一個方向大致直交的另一個方向被形成為較長的長條狀的分離區域；第3導電膜，其中，該第1導電膜的分離區域沿該另一個方向配列，該第2導電膜的分離區域沿該一個方向配列，該位置檢測方法包括：使用該第1導電膜和該第2導電膜，實施基於靜電容量結合的座標位置的位置檢測的步驟；使該第2導電膜和該第3導電膜的任一個沿所定方向產生電位梯度，藉由在另一個中檢測該第2導電膜和該第3導電膜的接觸位置的電位，實施基於電阻膜方式的座標位置的位置檢測的步驟。
  8. 根據申請專利範圍第7項之觸控面板的位置檢測方法，其中：實施基於該靜電容量結合的座標位置的位置檢測之步驟和實施基於該電阻膜方式的座標位置的位置檢測之步驟交互實施。
  9. 根據申請專利範圍第7項或第8項之觸控面板的位置檢測方法，其中：在實施基於該靜電容量結合的座標位置的位置檢測的情況下，使用該第2導電膜的分離區域的一部分，在實施基於該電阻膜方式的座標位置的位置檢測的情況下，使用該第2導電膜的分離區域的全部。
  10. 一種觸控面板，其包含：第1導電膜，其具有複數個沿一個方向被形成為較長的長條狀的分離區域；第2導電膜，其具有複數個沿與該一個方向大致直交的另一個方向被形成為較長的長條狀的分離區域，其中，該第1導電膜的分離區域沿該另一個方向配列，該第2導電膜的分離區域沿該一個方向配列，藉由該第1導電膜和該第2導電膜，實施基於靜電容量結合的座標位置的位置檢測，藉由檢測出該第1導電膜和該第2導電膜的接觸位置的電位，實施該接觸位置的座標位置的位置檢測。
  11. 根據申請專利範圍第10項之觸控面板，其中：該第1導電膜形成在第1透明基板的一個面上，該第2導電膜形成在第2透明基板的一個面上，該第1透明基板的一個面和該第2基板的一個面被配置為互相面對。
  12. 一種觸控面板的位置檢測方法，其中，該觸控面板包含第1導電膜，其具有複數個沿一個方向被形成為較長的長條狀的分離區域；第2導電膜，其具有複數個沿與該一個方向大致直交的另一方向被形成為較長的長條狀的分離區域，其中，該第1導電膜的分離區域沿該另一個方向配列，該第2導電膜的分離區域沿該一個方向配列，該位置檢測方法包含：使用該第1導電膜和該第2導電膜，實施基於靜電容量結合的座標位置的位置檢測之步驟；使該第1導電膜和該第2導電膜中的任一個沿所定方向產生電位梯度，藉由在另一個中檢測該第1導電膜和該第2導電膜的接觸位置的電位，實施基於電阻膜方式的座標位置的位置檢測之步驟。
  13. 根據申請專利範圍第12項之觸控面板的位置檢測方法，其中：實施基於該靜電容量結合的座標位置的位置檢測之步驟和實施基於該電阻膜方式的座標位置的位置檢測之步驟交互實施。
  14. 根據申請專利範圍第12項或第13項之觸控面板的位置檢測方法，其中：在實施基於該靜電容量結合的座標位置的位置檢測的情況下，使用該第1導電膜或該第2導電膜的至少一個的分離區域的一部分，在實施基於該電阻膜方式的座標位置的位置檢測的情況下，使用該分離區域的全部。
  15. 根據申請專利範圍第1項之觸控面板，其中：該第1導電膜的各分割區域與電流檢測部連接，該第2導電膜的分割區域的一部分與電流檢測部連接， 該第2導電膜的各分割區域與電位檢測部連接，該第3導電膜與電位檢測部連接。
  16. 根據申請專利範圍第15項之觸控面板，其中：該第2導電膜的各分割區域上連接有，用於使該第2導電膜的各分割區域沿該另一個方向產生電位梯度的開關，該第3導電膜上連接有，用於使該第3導電膜沿該一個方向產生電位梯度的開關。
  17. 根據申請專利範圍第10項之觸控面板，其中：該第1導電膜的分割區域的一部分與電流檢測部連接，該第1導電膜的各分割區域與電位檢測部連接，該第2導電膜的分割區域的一部分與電流檢測部連接，該第2導電膜的各分割區域與電位檢測部連接。
  18. 根據申請專利範圍第17項之觸控面板，其中：該第1導電膜的各分割區域上連接有，用於使該第1導電膜的各分割區域沿該一個方向產生電位梯度的開關，該第2導電膜的各分割區域上連接有，用於使該第2導電膜的各分割區域沿該另一個方向產生電位梯度的開關。
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