TW201402341A - 多層結構體及使用其之裝置、以及該等之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可用於保護裝置之新穎多層結構體及使用其之裝置。所揭示之多層結構體含有基材及積層於該基材之阻隔層。該基材之至少一方向的3%應變時張力為2000 N/m以上。阻隔層含有反應生成物(R)。該反應生成物(R)係至少金屬氧化物(A)與磷化合物(B)反應而成之反應生成物。800~1400 cm-1之範圍中之阻隔層的紅外線吸收光譜中，紅外線吸收成為最大之波數(n1)於1080~1130 cm-1之範圍內。構成金屬氧化物(A)之金屬原子實質上為鋁原子。

Description

多層結構體及使用其之裝置、以及該等之製造方法
本發明係關於一種多層結構體及使用其之裝置、以及該等之製造方法。
具備顯示裝置之電子機器或太陽電池等裝置需要保護表面之透光性保護構件。於該等裝置之中，近年來使用有可撓性顯示器、或可撓性太陽電池。於可撓性之裝置中，無法使用厚玻璃板，故而需要代替厚玻璃板之保護構件。
作為此種保護構件，先前提出有太陽電池用保護構件(專利文獻1及2)。於專利文獻1中揭示有一種保護膜，其係於氟系樹脂膜上積層藉由CVD法而形成之矽氧化物之蒸鍍膜、及藉由反應性離子團束法而形成之矽氧化物之蒸鍍膜而成。又，於專利文獻2中揭示有一種保護片材，其含有塑膠膜、積層於其上之第1無機層、有機層、及第2無機層。
於保護裝置時重要的是阻隔性。尤其是於可撓性之裝置中，需要阻隔性高且可撓性之保護構件。於專利文獻3中揭示有具有阻隔性之阻隔層之一例。
[專利文獻1]日本特開2011-014559號公報
[專利文獻2]日本特開2012-015294號公報
[專利文獻3]國際公開WO2011/122036號
通常，與食品等之包裝材料相比，對保護裝置之保護片材要求更高之阻隔性。因此，目前業界尋求阻隔性之可靠性更高之保護片材作為保護裝置之保護片材。於此種狀況下，本發明之目的之一在於提供一種可用於保護裝置之新穎多層結構體及使用其之裝置。
本案發明人等對阻隔層之阻隔性進行了研究，結果新發現，阻隔性受到形成有阻隔層之基材影響。本案發明係基於該新見解之發明。
即，本案發明之多層結構體含有基材及積層於上述基材之阻隔層，上述基材之至少一方向之3%應變時的張力為2000N/m以上，上述阻隔層含有反應生成物(R)，上述反應生成物(R)係至少金屬氧化物(A)與磷化合物(B)反應而成之反應生成物，在800~1400cm-1範圍中之上述阻隔層的紅外線吸收光譜中，紅外線吸收成為最大之波數(n1)於1080~1130cm-1之範圍內，構成上述金屬氧化物(A)之金屬原子實質上為鋁原子。
又，本發明之裝置係具備保護表面之保護片材者，且上述保護片材為本發明之多層結構體。
又，用以製造多層結構體之本發明之方法係製造含有至少一方向之3%應變時張力為2000N/m以上之基材及形成於上述基材之阻隔層之多層結構體的方法，包含如下步驟：(i)以上述一方向成為搬送方向之方 式，自捲繞有上述基材之第1輥送出上述基材；(ii)於上述基材上形成上述阻隔層之前驅物層；及(iii)以第2輥捲取經過上述(ii)之步驟之上述基材。上述(ii)之步驟包含如下步驟：(I)藉由混合金屬氧化物(A)、含有可與上述金屬氧化物(A)反應之部位的至少1種化合物、及溶劑，而製備含有上述金屬氧化物(A)、上述至少1種化合物及上述溶劑之塗佈液(U)；(II)藉由將上述塗佈液(U)塗佈於上述基材上，而於上述基材上形成上述前驅物層。而且，上述至少1種化合物包含磷化合物(B)，上述至少1種化合物中所含之金屬原子的莫耳數在上述磷化合物(B)中所含之磷原子之莫耳數的0~1倍之範圍內，構成上述金屬氧化物(A)之金屬原子實質上為鋁原子。
又，用以製造裝置之本發明之方法係具備保護表面之保護片材的可撓性裝置之製造方法，包含如下步驟：(a)準備含有至少一方向之3%應變時的張力為2000N/m以上之基材及形成於上述基材上之阻隔層的保護片材，且該保護片材捲繞於輥上；及(b)搬送形成有元件之可撓性基板，並且以上述一方向成為搬送方向之方式自上述輥送出上述保護片材，並以覆蓋上述元件之方式於上述基板上積層上述保護片材，其中上述保護片材為本發明之多層結構體。
根據本發明，可獲得阻隔性之可靠性優異之新穎多層結構體。藉由將該多層結構體用於裝置之保護，可提高裝置之耐久性。
以下，對本發明之實施形態進行說明。再者，於以下之說明中有時例示具體之材料或數值，但本發明並不限定於此種材料或數值。又，所例示之材料只要無特別記載，則可單獨使用1種，亦可併用2種以上。再者，於該說明書中所謂「氣體阻隔性」，只要未特別說明，則意指阻隔除水蒸氣以外之氣體(例如氧氣)之性能。又，於該說明書中，有時會將水蒸氣阻隔性與氣體阻隔性一併稱為「阻隔性」。
[多層結構體]
本發明之多層結構體含有基材及積層於基材上之阻隔層。於該說明書中，有時將該基材稱為「基材(X)」。又，有時將該阻隔層稱為「層(Y)」。層(Y)可僅積層於基材(X)之單面，亦可積層於基材(X)之兩面。
藉由採用具有透光性者作為構成多層結構體之基材(X)及各層，可獲得具有透光性之保護片材。具有透光性之保護片材尤其適用於裝置表面中之必須使光透過之面之保護片材。再者，即便為由光吸收大之材料所構成之層，亦存在可藉由使層之厚度變薄而達成充分透光性的情形。
本發明之多層結構體具有基材(X)及積層於該基材(X)之層(Y)。層(Y)含有反應生成物(R)，上述反應生成物(R)係至少金屬氧化物(A)與磷化合物(B)反應而成之反應生成物，在800~1400cm-1範圍中之該層(Y)的紅外線吸收光譜中，紅外線吸收成為最大之波數(n1)於1080~1130cm-1之範圍內。以下，有時將該波數(n1)稱為「最大吸收波數(n1)」。金屬氧化物(A)通常以金屬氧化物(A)之粒子之形態與磷 化合物(B)反應。
於本發明中，構成金屬氧化物(A)之金屬原子(M)實質 上為鋁原子。此處，所謂「實質上為鋁原子」，意指除鋁以外之其他金屬原子的含有率為可忽略該其他金屬原子對層(Y)之特性造成之影響之程度的量。構成金屬氧化物(A)之金屬原子(M)中鋁金屬原子所占之比例通常為90莫耳%以上，例如為95莫耳%以上、98莫耳%以上、99莫耳%以上、或100莫耳%。
又，層(Y)具有金屬氧化物(A)之粒子彼此經由源自磷化合物(B)之磷原子而鍵結之結構。於經由磷原子而鍵結之形態中，包括經由包含磷原子之原子團而鍵結之形態，例如，包括經由包含磷原子且不含金屬原子之原子團而鍵結之形態。
於層(Y)中，使金屬氧化物(A)之粒子彼此鍵結且並非源自金屬氧化物(A)之金屬原子的莫耳數較佳為於使金屬氧化物(A)之粒子彼此鍵結之磷原子之莫耳數的0~1倍之範圍內(例如0~0.9倍之範圍內)，例如亦可為0.3倍以下、0.05倍以下、0.01倍以下、或0倍。
本發明之多層結構體所具有之層(Y)亦可部分地含有未參與反應之金屬氧化物(A)及/或磷化合物(B)。
通常，若金屬化合物與磷化合物反應而生成構成金屬化合物之金屬原子(M)與源自磷化合物之磷原子(P)經由氧原子(O)而鍵結的由M-O-P所表示之鍵，則於紅外線吸收光譜中產生特性波峰。此處，該特性波峰根據該鍵之周圍之環境或結構等而於特定之波數顯示吸收波峰。如國際公開WO2011/122036號所揭示，可知在基於M-O-P鍵之吸 收波峰位於1080~1130cm-1之範圍內之情形時，所獲得之多層結構體表現出優異之阻隔性。尤其是可知於該吸收波峰在通常可觀察到源自各種原子與氧原子之鍵之吸收的800~1400cm-1之區域內作為最大吸收波數之吸收波峰出現之情形時，於所獲得之多層結構體中表現出更優異之阻隔性。
再者，並非對本發明進行任何限定，但認為若金屬氧化物(A)之粒子彼此經由源自磷化合物(B)之磷原子、且未經由並非源自金屬氧化物(A)之金屬原子而鍵結，而且生成構成金屬氧化物(A)之金屬原子(M)與磷原子(P)經由氧原子(O)而鍵結之由M-O-P所表示之鍵，則起因於金屬氧化物(A)之粒子之表面這一相對特定之環境，於該層(Y)之紅外線吸收光譜中，基於M-O-P鍵之吸收波峰於1080~1130cm-1之範圍成為800~1400cm-1之區域中之最大吸收波數之吸收波峰而表現。
相對於此，於在預先混合金屬烷氧化物或金屬鹽等未形成金屬氧化物之金屬化合物與磷化合物(B)後進行水解縮合之情形時，可獲得源自金屬化合物之金屬原子與源自磷化合物(B)之磷原子大致均勻地相互混合並反應而成之複合體，且於紅外線吸收光譜中，800~1400cm-1之範圍中之最大吸收波數(n1)偏離1080~1130cm-1之範圍。
就成為阻隔性更優異之多層結構體之方面而言，上述最大吸收波數(n1)較佳為於1085~1120cm-1之範圍，更佳為於1090~1110cm-1之範圍。
於層(Y)之紅外線吸收光譜中，有時可於2500~4000cm-1之範圍內觀察到與各種原子鍵結之羥基之伸縮振動之吸收。作為可於該範圍內觀察到吸收之羥基之例，可列舉：存在於金屬氧化物(A)部分之表面 且具有M-OH之形態之羥基、與源自磷化合物(B)之磷原子(P)鍵結而具有P-OH之形態之羥基、源自下述聚合物(C)之具有C-OH之形態之羥基等。存在於層(Y)中之羥基之量可與2500~4000cm-1之範圍中之基於羥基之伸縮振動的最大吸收之波數(n2)之吸光度(A2)建立關聯。此處，波數(n2)係2500~4000cm-1之範圍中之層(Y)的紅外線吸收光譜中基於羥基之伸縮振動之紅外線吸收成為最大之波數。以下，有時將波數(n2)稱為「最大吸收波數(n2)」。
有存在於層(Y)中之羥基之量越多，則羥基成為水分子之透過路徑而使水蒸氣阻隔性越降低之傾向。又，認為於層(Y)之紅外線吸收光譜中，上述最大吸收波數(n1)之吸光度(A1)與上述吸光度(A2)之比率[吸光度(A2)/吸光度(A1)]越小，則金屬氧化物(A)之粒子彼此越可經由源自磷化合物(B)之磷原子而有效地鍵結。因此，就高度表現所獲得之多層結構體之氣體阻隔性及水蒸氣阻隔性之觀點而言，該比率[吸光度(A2)/吸光度(A1)]較佳為0.2以下，更佳為0.1以下。層(Y)具有如上所述之比率[吸光度(A2)/吸光度(A1)]之多層結構體可藉由調整下述構成金屬氧化物(A)之金屬原子之莫耳數(NM)與源自磷化合物(B)之磷原子之莫耳數(NP)之比率或熱處理條件等而獲得。再者，雖並無特別限定，但於下述層(Y)之前驅物層之紅外線吸收光譜中，有800~1400cm-1之範圍中之最大吸光度(A1')與2500~4000cm-1之範圍中之基於羥基之伸縮振動之最大吸光度(A2')滿足吸光度(A2')/吸光度(A1')>0.2之關係的情形。
就所獲得之多層結構體之氣體阻隔性及水蒸氣阻隔性之觀 點而言，於層(Y)之紅外線吸收光譜中，上述最大吸收波數(n1)具有極大值之吸收波峰之半寬值較佳為200cm-1以下，更佳為150cm-1以下，更佳為130cm-1以下，更佳為110cm-1以下，進而較佳為100cm-1以下，尤佳為50cm-1以下。並非對本發明進行任何限定，但認為於金屬氧化物(A)之粒子彼此經由磷原子而鍵結時，若金屬氧化物(A)之粒子彼此經由源自磷化合物(B)之磷原子、且未經由並非源自金屬氧化物(A)之金屬原子而鍵結，而且生成構成金屬氧化物(A)之金屬原子(M)與磷原子(P)經由氧原子(O)而鍵結之由M-O-P所表示之鍵，則起因於金屬氧化物(A)之粒子之表面這一相對特定之環境，最大吸收波數(n1)具有極大值之吸收波峰之半寬值成為上述範圍。再者，於本說明書中最大吸收波數(n1)之吸收波峰之半寬值可藉由求出於該吸收波峰中具有吸光度(A1)之一半吸光度(吸光度(A1)/2)之2點的波數並算出其差而獲得。
上述層(Y)之紅外線吸收光譜可藉由利用ATR法(全反射測定法)進行測定，或者自多層結構體刮取層(Y)並利用KBr法測定其紅外線吸收光譜而獲得。
關於層(Y)，於一例中，層(Y)具有金屬氧化物(A)之粒子彼此經由源自磷化合物(B)之磷原子、且未經由並非源自金屬氧化物(A)之金屬原子而鍵結的結構。即，具有金屬氧化物(A)之粒子彼此可經由源自金屬氧化物(A)之金屬原子而鍵結、但未經由其以外之金屬原子而鍵結的結構。此處，所謂「經由源自磷化合物(B)之磷原子、且未經由並非源自金屬氧化物(A)之金屬原子而鍵結之結構」，意指所鍵結之金屬氧化物(A)之粒子間之鍵之主鏈具有源自磷化合物(B)之磷原子、且不具 有並非源自金屬氧化物(A)之金屬原子的結構，亦包含該鍵之側鏈具有金屬原子之結構。但，層(Y)亦可部分地具有金屬氧化物(A)之粒子彼此經由源自磷化合物(B)之磷原子與金屬原子兩者而鍵結的結構(鍵結之金屬氧化物(A)之粒子間之鍵之主鏈具有源自磷化合物(B)之磷原子與金屬原子兩者的結構)。
於層(Y)中，作為金屬氧化物(A)之各粒子與磷原子之鍵結形態，例如可列舉構成金屬氧化物(A)之金屬原子(M)與磷原子(P)經由氧原子(O)而鍵結之形態。金屬氧化物(A)之粒子彼此可經由源自1分子之磷化合物(B)的磷原子(P)而鍵結，亦可經由源自2分子以上之磷化合物(B)的磷原子(P)而鍵結。作為鍵結之2個金屬氧化物(A)之粒子間的具體鍵結形態，若將構成鍵結之一金屬氧化物(A)之粒子的金屬原子表示為(Mα)，將構成另一金屬氧化物(A)之粒子的金屬原子表示為(Mβ)，則例如可列舉：(Mα)-O-P-O-(Mβ)之鍵結形態、(Mα)-O-P-[O-P]n-O-(Mβ)之鍵結形態、(Mα)-OP-Z-P-O-(Mβ)之鍵結形態、(Mα)-O-P-Z-P-[O-P-Z-P]n-O-(Mβ)之鍵結形態等。再者，於上述鍵結形態之例中，n表示1以上之整數，Z表示磷化合物(B)於分子中具有2個以上磷原子之情形時存在於2個磷原子間之構成原子群，且省略與磷原子鍵結之其他取代基之記載。就所獲得之多層結構體之阻隔性之觀點而言，於層(Y)中，較佳為1個金屬氧化物(A)之粒子與複數個其他金屬氧化物(A)之粒子鍵結。
[金屬氧化物(A)]
如上所述，構成金屬氧化物(A)之金屬原子(M)實質上為鋁原子。 除鋁以外之金屬原子(M)之例可列舉：鎂、鈣等週期表第2族之金屬；鋅等週期表第12族之金屬；除鋁以外之週期表第13族之金屬；矽等週期表第14族之金屬；鈦、鋯等過渡金屬等。再者，矽有被分類為半金屬之情形，但於本說明書中矽包含於金屬中。構成金屬氧化物(A)之金屬原子(M)可為1種，亦可為2種以上。於該等之中，作為除鋁原子以外之金屬原子(M)，較佳為選自由鈦及鋯組成之群中之至少1種。
作為金屬氧化物(A)，可使用藉由液相合成法、氣相合成法、固體粉碎法等方法製造者，若考慮所獲得之金屬氧化物(A)之形狀或大小之控制性或製造效率等，則較佳為藉由液相合成法製造者。
於液相合成法中，藉由使用含有鍵結有可水解之特性基之金屬原子(M)的化合物(L)作為原料並使其水解縮合，可以化合物(L)之水解縮合物合成金屬氧化物(A)。即，金屬氧化物(A)亦可為該化合物(L)之水解縮合物。又，當利用液相合成法製造化合物(L)之水解縮合物時，除使用化合物(L)本身作為原料之方法以外，亦可藉由使用化合物(L)部分水解而成之化合物(L)之部分水解物、化合物(L)完全水解而成之化合物(L)之完全水解物、化合物(L)部分水解縮合而成之化合物(L)之部分水解縮合物、化合物(L)之完全水解物之一部分縮合而成者、或者該等中之2種以上之混合物作為原料，並使其縮合或水解縮合而製造金屬氧化物(A)。以此種方式獲得之金屬氧化物(A)亦於本說明書中被稱為「化合物(L)之水解縮合物」。上述可水解之特性基(官能基)之種類並無特別限制，例如可列舉鹵素原子(F、Cl、Br、I等)、烷氧基、醯氧基、二醯基甲基、硝基等，就反應之控制性優異之方面而言，較佳為鹵素原子或烷 氧基，更佳為烷氧基。
就容易控制反應、且所獲得之多層結構體之阻隔性優異之方面而言，化合物(L)較佳為包含以下述式(I)所表示之至少1種化合物(L1)。
AlX1 mR1 (3-m) (I)[式(I)中，X1選自由F、Cl、Br、I、R2O-、R3C(=O)O-、(R4C(=O))2CH-及NO3組成之群；R1、R2、R3及R4分別選自由烷基、芳烷基、芳基及烯基組成之群；式(I)中，於存在複數個X1之情形時，該等X1彼此可相同亦可不同；式(I)中，於存在複數個R1之情形時，該等R1彼此可相同亦可不同；式(I)中，於存在複數個R2之情形時，該等R2彼此可相同亦可不同；式(I)中，於存在複數個R3之情形時，該等R3彼此可相同亦可不同；式(I)中，於存在複數個R4之情形時，該等R4彼此可相同亦可不同；m表示1~3之整數]
作為R1、R2、R3及R4所表示之烷基，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、2-乙基己基等。作為R1、R2、R3及R4所表示之芳烷基，例如可列舉：苄基、苯乙基、三苯甲基等。作為R1、R2、R3及R4所表示之芳基，例如可列舉：苯基、萘基、甲苯基、二甲苯基、基等。作為R1、R2、R3及R4所表示之烯基，例如可列舉：乙烯基、烯丙基等。R1例如較佳為碳數為1~10之烷基，更佳為碳數為1~4之烷基。X1較佳為F、Cl、Br、I、R2O-。於化合物(L1)之較佳之一例中，X1為鹵素原子(F、Cl、Br、I)或碳數為1~4之烷氧基(R2O-)，m為3。於化合物(L1)之一例中，X1為鹵素原子(F、Cl、Br、I)或碳數為1~4之烷氧基(R2O-)，m為3。
作為化合物(L1)之具體例，例如可列舉：氯化鋁、三乙醇鋁、三正丙醇鋁、三異丙醇鋁、三正丁醇鋁、三-第二丁醇鋁、三-第三丁醇鋁、三乙酸鋁、乙醯丙酮酸鋁、硝酸鋁等鋁化合物。於該等之中，作為化合物(L1)，較佳為選自三異丙醇鋁及三-第二丁醇鋁中之至少1種化合物。化合物(L1)可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
又，作為化合物(L1)以外之化合物(L)，只要可獲得本發明之效果則並無特別限定，例如可列舉：鈦、鋯、鎂、鈣、鋅、矽等金屬原子上鍵結有上述可水解之特性基之化合物等。再者，矽有被分類為半金屬之情形，但於本說明書中矽包含於金屬中。於該等之中，就所獲得之多層結構體之氣體阻隔性優異之方面而言，作為化合物(L1)以外之化合物(L)，較佳為具有鈦或鋯作為金屬原子之化合物。作為化合物(L1)以外之化合物(L)之具體例，例如可列舉：四異丙醇鈦、四正丁醇鈦、四(2-乙基己醇)鈦、四甲醇鈦、四乙醇鈦、乙醯丙酮酸鈦等鈦化合物；四正丙醇鋯、四丁醇鋯、四乙醯丙酮酸鋯等鋯化合物。
只要可獲得本發明之效果，則化合物(L)中化合物(L1)所占之比例並無特別限定。化合物(L)中化合物(L1)以外之化合物所占之比例例如為20莫耳%以下、10莫耳%以下、5莫耳%以下、或0莫耳%。於一例中，化合物(L)僅由化合物(L1)所構成。
藉由使化合物(L)水解，而使化合物(L)所具有之可水解之特性基之至少一部分經羥基取代。進而，藉由使該水解物縮合，而形成金屬原子(M)經由氧原子(O)而鍵結之化合物。若重複該縮合，則形成實質上可視為金屬氧化物之化合物。再者，於以此種方式形成之金屬氧 化物(A)之表面通常存在羥基。於該說明書中，有時化合物(L)之水解縮合物稱為「金屬氧化物(A)」。即，於該說明書中，可將「金屬化合物(A)」替換成「化合物(L)之水解縮合物」，且可將「化合物(L)之水解縮合物」替換成「金屬氧化物(A)」。
於本說明書中，將如由M-O-M表示之結構中之氧原子(O)般僅與金屬原子(M)鍵結之氧原子(例如，如由M-O-H表示之結構中之氧原子(O)般與金屬原子(M)及氫原子(H)鍵結之氧原子除外)之莫耳數相對於金屬原子(M)之莫耳數的比例([僅與金屬原子(M)鍵結之氧原子(O)之莫耳數]/[金屬原子(M)之莫耳數])成為0.8以上之化合物設為包含於金屬氧化物(A)中者。金屬氧化物(A)之上述比例較佳為0.9以上，更佳為1.0以上，進而較佳為1.1以上。上述比例之上限並無特別限定，若將金屬原子(M)之原子價設為n，則通常以n/2表示。
為了產生上述水解縮合，重要的是化合物(L)具有可水解之特性基(官能基)。於未鍵結該等基之情形時，水解縮合反應未產生或極其緩慢，故而難以製備目標之金屬氧化物(A)。
水解縮合物例如可藉由公知之溶膠-凝膠法中所採用之方法，由特定之原料製造。於該原料中，可使用選自由化合物(L)、化合物(L)之部分水解物、化合物(L)之完全水解物、化合物(L)之部分水解縮合物、及化合物(L)之完全水解物之一部分縮合而成者所組成之群中之至少1種(以下，有時稱為「化合物(L)系成分」)。該等原料可利用公知之方法製造，亦可使用市售者。雖並無特別限定，但例如可使用藉由使2~10個左右之化合物(L)水解縮合而獲得之縮合物作為原料。具體而言， 例如可使用使三異丙醇鋁水解縮合而製成之2~10聚物之縮合物作為原料之一部分。
於化合物(L)之水解縮合物中縮合之分子之數可根據使化合物(L)系成分縮合或水解縮合時之條件而控制。例如，縮合之分子之數可藉由水量、觸媒之種類或濃度、縮合或水解縮合時之溫度或時間等而控制。
如上所述，層(Y)含有反應生成物(R)，且上述反應生成物(R)係至少金屬氧化物(A)與磷化合物(B)反應而成之反應生成物。此種反應生成物或結構可藉由使金屬氧化物(A)與磷化合物(B)混合並進行反應而形成。供予與磷化合物(B)之混合之(即將混合前的)金屬氧化物(A)可為金屬氧化物(A)本身，亦可為包含金屬氧化物(A)之組合物之形態。於較佳之一例中，將金屬氧化物(A)以藉由使金屬氧化物(A)溶解或分散於溶劑中而獲得之液體(溶液或分散液)之形態與磷化合物(B)混合。
作為用以製造金屬氧化物(A)之溶液或分散液之方法，可應用國際公開WO2011/122036號所揭示之方法。於金屬氧化物(A)為氧化鋁(alumina)之情形時，較佳之氧化鋁之分散液可藉由使烷醇鋁於視需要利用酸觸媒進行pH值調整之水溶液中進行水解縮合而製成氧化鋁之漿料，並於特定量之酸之存在下使其解膠而製造。
[磷化合物(B)]
磷化合物(B)含有可與金屬氧化物(A)反應之部位，典型而言，含有複數個此種部位。於較佳之一例中，磷化合物(B)含有2~20個此種部 位(原子團或官能基)。於此種部位之例中，包含可與存在於金屬氧化物(A)之表面之官能基(例如羥基)反應之部位。例如，於此種部位之例中，包含與磷原子直接鍵結之鹵素原子、或與磷原子直接鍵結之氧原子。該等鹵素原子或氧原子可與存在於金屬氧化物(A)表面之羥基產生縮合反應(水解縮合反應)。存在於金屬氧化物(A)表面之官能基(例如羥基)通常與構成金屬氧化物(A)之金屬原子(M)鍵結。
作為磷化合物(B)，例如可使用具有鹵素原子或氧原子與磷原子直接鍵結之結構者，藉由使用此種磷化合物(B)，可藉由與存在於金屬氧化物(A)表面之羥基(水解)縮合而鍵結。磷化合物(B)可具有1個磷原子，亦可具有2個以上之磷原子。
磷化合物(B)可為選自由磷酸、多磷酸、亞磷酸、膦酸及該等之衍生物組成之群中之至少1種化合物。作為多磷酸之具體例，可列舉：焦磷酸、三磷酸、4個以上之磷酸縮合而成之多磷酸等。作為上述衍生物之例，可列舉：磷酸、多磷酸、亞磷酸、膦酸之鹽、(部分)酯化合物、鹵化物(氯化物等)、脫水物(五氧化二磷等)等。又，於膦酸之衍生物之例中，亦包含：與膦酸(H-P(=O)(OH)2)之磷原子直接鍵結之氫原子經可具有各種官能基之烷基取代的化合物(例如，次氮基三(亞甲基膦酸)、N,N,N',N'-乙二胺四(亞甲基膦酸)等)、或其鹽、(部分)酯化合物、鹵化物及脫水物。進而，磷酸化澱粉等具有磷原子之有機高分子亦可用作上述磷化合物(B)。該等磷化合物(B)可單獨使用1種，亦可併用2種以上。於該等磷化合物(B)之中，就使用下述塗佈液(U)形成層(Y)之情形時之塗佈液(U)之穩定性與所獲得之多層結構體之阻隔性更優異之方面而 言，較佳為單獨使用磷酸，或者併用磷酸與其以外之磷化合物。
如上所述，上述層(Y)含有反應生成物(R)，上述反應生成物(R)係至少金屬氧化物(A)與磷化合物(B)反應而成之反應生成物。此種反應生成物或結構可藉由使金屬氧化物(A)與磷化合物(B)混合並進行反應而形成。供予與金屬氧化物(A)之混合的(即將混合前的)磷化合物(B)可為磷化合物(B)本身，亦可為包含磷化合物(B)之組合物之形態，較佳為包含磷化合物(B)之組合物之形態。於較佳之一例中，將磷化合物(B)以藉由使磷化合物(B)溶解於溶劑中而獲得之溶液形態與金屬氧化物(A)混合。此時之溶劑可使用任意者，作為較佳之溶劑，可列舉水或含有水之混合溶劑。
[反應生成物(R)]
於反應生成物(R)中，包含藉由僅金屬氧化物(A)及磷化合物(B)進行反應而生成之反應生成物。又，反應生成物(R)亦包含藉由金屬氧化物(A)、磷化合物(B)及進而其他化合物進行反應而生成之反應生成物。反應生成物(R)可藉由下述製造方法中說明之方法形成。
[金屬氧化物(A)與磷化合物(B)之比率]
於層(Y)中，關於構成金屬氧化物(A)之金屬原子(M)之莫耳數(NM)與源自磷化合物(B)之磷原子之莫耳數(NP)的比率，較佳為滿足0.8≦莫耳數(NM)/莫耳數(NP)≦4.5之關係，更佳為滿足1.0≦莫耳數(NM)/莫耳數(NP)≦3.6之關係，進而較佳為滿足1.1≦莫耳數(NM)/莫耳數(NP)≦3.0之關係。若莫耳數(NM)/莫耳數(NP)之值超過4.5，則金屬氧化物(A)相對於磷化合物(B)過剩，金屬氧化物(A)之粒子 彼此之鍵結變得不充分，又，存在於金屬氧化物(A)之表面之羥基之量變多，故而有阻隔性與其可靠性降低之傾向。另一方面，若莫耳數(NM)/莫耳數(NP)之值未達0.8，則磷化合物(B)相對於金屬氧化物(A)過剩，未參與和金屬氧化物(A)鍵結之剩餘的磷化合物(B)變多，又，源自磷化合物(B)之羥基之量容易變多，仍然有阻隔性與其可靠性降低之傾向。
再者，上述比可藉由用以形成層(Y)之塗佈液中之金屬氧化物(A)之量與磷化合物(B)之量的比而進行調整。層(Y)中之莫耳數(NM)與莫耳數(NP)之比通常與塗佈液中之構成金屬氧化物(A)之金屬原子之莫耳數與構成磷化合物(B)之磷原子之莫耳數的比相同。
[聚合物(C)]
層(Y)亦可進而含有特定之聚合物(C)。聚合物(C)係具有選自由羥基、羧基、羧酸酐基、及羧基之鹽所組成之群中之至少1種官能基(f)的聚合物。再者，於本說明書中，滿足作為磷化合物(B)之必要條件且含有官能基(f)之聚合物並不包含於聚合物(C)中，而作為磷化合物(B)處理。
作為具有羥基之聚合物(C)之具體例，可列舉：聚乙烯醇、聚乙酸乙烯酯之部分皂化物、聚乙二醇、聚(甲基)丙烯酸羥基乙酯、澱粉等多糖類、自多糖類衍生之多糖類衍生物等。作為具有羧基、羧酸酐基或羧基之鹽之聚合物(C)之具體例，可列舉：聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚(丙烯酸-甲基丙烯酸)及該等之鹽等。又，作為含有不含官能基(f)之構成單位之聚合物(C)之具體例，可列舉：乙烯-乙烯醇共聚物、乙烯-順丁烯二酸酐共聚物、苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物、異丁烯-順丁烯二酸酐交 替共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物之皂化物等。為了獲得具有更優異之阻隔性及耐熱水性之多層結構體，聚合物(C)較佳為選自由聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物、多糖類、聚丙烯酸、聚丙烯酸之鹽、聚甲基丙烯酸、及聚甲基丙烯酸之鹽所組成之群中之至少1種聚合物。
聚合物(C)之分子量並無特別限制。為了獲得具有更優異之阻隔性及力學物性(跌落衝擊強度等)之多層結構體，聚合物(C)之數平均分子量較佳為5,000以上，更佳為8,000以上，進而較佳為10,000以上。聚合物(C)之數平均分子量之上限並無特別限定，例如為1,500,000以下。
為了進一步提高阻隔性，層(Y)中之聚合物(C)之含有率以層(Y)之質量為基準(100質量%)，較佳為50質量%以下，更佳為40質量%以下，進而較佳為30質量%以下，亦可為20質量%以下。聚合物(C)可與層(Y)中之其他成分反應，亦可不反應。再者，於本說明書中，於聚合物(C)與其他成分反應之情形時，亦表現為聚合物(C)。例如，於聚合物(C)與金屬氧化物(A)、及/或源自磷化合物(B)之磷原子鍵結之情形時，亦表現為聚合物(C)。於該情形時，上述聚合物(C)之含有率係與金屬氧化物(A)及/或磷原子鍵結前之聚合物(C)之質量除以層(Y)之質量而算出。
層(Y)可僅由至少金屬氧化物(A)與磷化合物(B)反應而成之反應生成物(R)(其中，包含具有聚合物(C)部分者)所構成，亦可僅由該反應生成物(R)與未反應之聚合物(C)所構成，亦可進而包含其他成分。
作為上述其他成分，例如可列舉：碳酸鹽、鹽酸鹽、硝酸鹽、碳酸氫鹽、硫酸鹽、硫酸氫鹽、硼酸鹽、鋁酸鹽等無機酸金屬鹽；草酸鹽、乙酸鹽、酒石酸鹽、硬脂酸鹽等有機酸金屬鹽；乙醯丙酮酸金屬錯合物(乙醯丙酮酸鋁等)、環戊二烯基金屬錯合物(二茂鈦等)、氰基金屬錯合物等金屬錯合物；層狀黏土化合物；交聯劑；聚合物(C)以外之高分子化合物；塑化劑；抗氧化劑；紫外線吸收劑；難燃劑等。
層(Y)中之上述其他成分之含有率較佳為50質量%以下，更佳為20質量%以下，進而較佳為10質量%以下，尤佳為5質量%以下，亦可為0質量%(不含其他成分)。
[層(Y)之厚度]
本發明之多層結構體所具有之層(Y)之厚度(於多層結構體具有2層以上之層(Y)之情形時為各層(Y)之厚度之合計)較佳為4.0μm以下，更佳為2.0μm以下，進而較佳為1.0μm以下，尤佳為0.9μm以下。藉由使層(Y)變薄，可將印刷、層壓等加工時之多層結構體之尺寸變化抑制得較低，進而可增加多層結構體之柔軟性，使其力學特性接近基材本身之力學特性。
層(Y)之厚度(於多層結構體具有2層以上之層(Y)之情形時為各層(Y)之厚度之合計)較佳為0.1μm以上(例如0.2μm以上)。再者，就本發明之多層結構體之阻隔性變得更加良好之觀點而言，每一層層(Y)之厚度較佳為0.05μm以上(例如0.15μm以上)。層(Y)之厚度可藉由層(Y)之形成所使用之下述塗佈液(U)之濃度、或其塗佈方法而控制。
於本發明之多層結構體中，由於使用特定之基材(X)，故而可提高阻隔性。具體而言，可將40℃、90/0%RH條件下之透濕度設為0.05g/(m2．day)以下或0.01g/(m2．day)以下或0.005g/(m2．day)以下。於用作裝置(例如太陽電池)之保護片材之情形時，上述條件下之透濕度較佳為0.1g/(m2．day)以下，更佳為0.01g/(m2．day)以下，進而較佳為0.005g/(m2．day)以下。此處，所謂「90/0%RH」，意指對於多層結構體而言一側之相對濕度為90%且另一側之相對濕度為0%。
又，透氧度於20℃、85%RH之條件下，較佳為0.5ml/(m2．day．atm)以下，更佳為0.3ml/(m2．day．atm)以下，進而較佳為0.1ml/(m2．day．atm)以下。
[基材(X)]
基材(X)為膜等層狀之基材。於基材(X)中，使用有至少一方向上之3%應變時之張力為2000N/m以上之基材。此處，所謂「3%應變時之張力」，意指將23℃ 50%RH條件下測定之某方向之長度為單位長度(1m)之基材於與該方向垂直之方向上延伸3%時之張力。具體而言，3%應變時之張力可藉由下述實施例中應用之測定方法而獲得。基材(X)之至少一方向上之3%應變時之張力較佳為2500N/m以上，更佳為3000N/m以上(例如3600N/m以上)。基材(X)之3%應變時之張力之上限並無特別限定，通常為30000N/m以下。
於典型之一例中，「上述至少一方向」係基材之製造時之MD方向(Machine Direction：流動方向)。此處，所謂MD方向，係將基材或其前驅物一面搬送一面處理(製造等)時基材或其前驅物被搬送之方向， 於製造之切斷前之長條基材中，長度方向相當於MD方向。於基材(X)中，亦可全部方向上之3%應變時之張力為2000N/m以上，亦可全部方向上之3%應變時之張力於上述較佳之範圍內。
以下，有時將3%應變時張力為2000N/m以上之方向稱為「方向(D)」。於將本案發明之多層結構體用作裝置之保護片材時，通常必須於對多層結構體於固定方向上施加張力之狀態下，將多層結構體積層於裝置上。於此種情形時，藉由於在方向(D)上施加張力之狀態下進行積層，可抑制阻隔層之阻隔性降低。尤其是於以輥-輥方式將多層結構體(保護片材)積層於裝置上之情形時，多層結構體通常係於在搬送方向(MD方向)上施加張力之狀態下積層於裝置上。於此種情形時，藉由使方向(D)與積層時之搬送方向一致並進行積層，可抑制阻隔層之性能之降低。
只要方向(D)上之3%應變時之張力滿足上述條件，則基材(X)之材質並無特別限制，可使用由各種材質所構成之基材。於基材(X)之材質之例中，包含具有透光性之熱塑性樹脂，具體而言包含：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、間規聚苯乙烯、環狀聚烯烴、環狀烯烴共聚物(COC)、聚乙醯纖維素、聚醯亞胺、聚丙烯、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二酯、聚乙烯醇縮乙醛、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚甲基戊烯等。於該等之中，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)及環狀烯烴共聚物(COC)就具有較高之透明性並且耐熱性優異之方面而言較佳。基材(X)亦可由複數種樹脂構成。又，基材(X)亦可為由複數層所構成之多層膜。基材(X)亦可為經由接著層而 由複數種樹脂所構成之多層膜。
方向(D)上之3%應變時之基材之張力根據基材之材質、厚度、添加劑之有無及延伸之有無而變化。因此，藉由使用拉伸彈性模數較高之素材、使厚度變厚、複合金屬或無機物等、或實施延伸，可提高3%應變時之基材之張力。
熱塑性樹脂膜可為延伸膜亦可為未延伸膜。就所獲得之多層結構體之加工適應性(印刷或層壓等)優異之方面而言，較佳為延伸膜，尤佳為雙軸延伸膜。雙軸延伸膜可為利用同時雙軸延伸法、逐次雙軸延伸法、及管式延伸法中之任一方法製造之雙軸延伸膜。
基材(X)之厚度並無限定，例如可於10μm~300μm之範圍內，亦可於20μm~200μm之範圍內。然而，若基材(X)較厚，則由基材(X)所致之光之吸收變大或者多層結構體之柔軟性降低，故而通常基材(X)之厚度較佳為150μm以下。
[接著劑層(H)]
於本發明之多層結構體中，層(Y)可以與基材(X)直接接觸之方式積層，亦可經由配置於基材(X)與層(Y)之間之接著劑層(H)而將層(Y)積層於基材(X)。藉由該構成，有可提高基材(X)與層(Y)之接著性之情形。接著劑層(H)可由接著性樹脂形成。由接著性樹脂所構成之接著劑層(H)可藉由利用公知之增黏塗佈劑對基材(X)之表面進行處理、或者於基材(X)之表面塗佈公知之接著劑而形成。作為該接著劑，例如較佳為使聚異氰酸酯成分與多元醇成分混合並進行反應之二液反應型聚胺酯(polyurethane)系接著劑。又，有藉由於增黏塗佈劑或接著劑中添加公知之 矽烷偶合劑等少量之添加劑可進而提高接著性之情形。作為矽烷偶合劑之較佳之例，可列舉：具有異氰酸酯基、環氧基、胺基、脲基、巰基等反應性基之矽烷偶合劑。藉由經由接著劑層(H)將基材(X)與層(Y)較強地接著，可於對本發明之多層結構體實施印刷或層壓等加工時，更有效地抑制阻隔性或外觀之變差。
藉由使接著劑層(H)變厚，可提高本發明之多層結構體之強度。然而，若使接著劑層(H)過厚，則有外觀變差之傾向。接著劑層(H)之厚度較佳為0.01~1μm之範圍內，更佳為0.03~0.5μm之範圍內，較佳為於0.03~0.18μm之範圍內，更佳為於0.04~0.14μm之範圍內，進而較佳為於0.05~0.10μm之範圍內。
[多層結構體之構成]
本發明之多層結構體(積層體)可僅由基材(X)及層(Y)構成，亦可僅由基材(X)、層(Y)及接著劑層(H)構成。本發明之多層結構體亦可含有複數層層(Y)。又，本發明之多層結構體亦可進而含有1層以上之基材(X)、層(Y)及接著劑層(H)以外之其他層(例如熱塑性樹脂膜層、無機蒸鍍層等其他層等)。此種具有其他構件(其他層等)之本發明之多層結構體可藉由於直接或經由接著劑層(H)使層(Y)積層於基材(X)上後，進而直接或經由接著層接著或形成該其他構件(其他層等)而製造。藉由使此種其他構件(其他層等)含有於多層結構體中，可提高多層結構體之特性或賦予新特性。例如，可對本發明之多層結構體賦予熱密封性或進而提高阻隔性或力學物性。
無機蒸鍍層較佳為具有對氧氣或水蒸氣之阻隔性者。無機蒸 鍍層可藉由在基材(X)上蒸鍍無機物而形成。作為無機蒸鍍層，例如可列舉：由氧化鋁、氧化矽、氮氧化矽、氧化鎂、氧化錫、或該等之混合物等無機氧化物形成之層；由氮化矽、碳氮化矽等無機氮化物形成之層；由碳化矽等無機碳化物形成之層；由鋁、銀、矽、鋅、錫、鈦、鉭、鈮、釕、鎵、鉑、釩、銦等金屬形成之層等。於該等之中，由氧化鋁、氧化矽、氧化鎂、氮化矽、氧化鋅、氧化鈦形成之層就對氧氣或水蒸氣之阻隔性優異之觀點而言較佳。
無機蒸鍍層之較佳厚度根據構成無機蒸鍍層之成分之種類而不同，通常為2~500nm之範圍內。於該範圍內選擇多層結構體之阻隔性或機械物性變得良好之厚度即可。若無機蒸鍍層之厚度未達2nm，則有無機蒸鍍層對氧氣或水蒸氣之阻隔性表現之再現性降低的傾向，又，亦有無機蒸鍍層未表現充分之阻隔性之情形。又，若無機蒸鍍層之厚度超過500nm，則有於拉伸複合結構體或使其彎曲之情形時無機蒸鍍層之阻隔性變得容易降低之傾向。無機蒸鍍層之厚度更佳為於5~200nm之範圍內，進而較佳為於10~100nm之範圍內。
作為無機蒸鍍層之形成方法，可列舉：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法、化學氣相沈積法(CVD)等。於該等之中，就生產性之觀點而言，較佳為真空蒸鍍法。作為進行真空蒸鍍時之加熱方式，較佳為電子束加熱方式、電阻加熱方式及感應加熱方式中之任一者。又，為了提高與形成無機蒸鍍層之基體之密合性及無機蒸鍍層之緻密性，亦可採用電漿輔助法或離子束輔助法進行蒸鍍。又，為了提高透明無機蒸鍍層之透明性，亦可採用於蒸鍍之時吹入氧氣等而產生反應之反應蒸鍍法。
本發明之多層結構體亦可含有2層以上之層(Y)，亦可分別於基材(X)之一主面側及另一主面側即基材(X)之兩面積層層(Y)。
本發明之多層結構體亦可含有配置於一表面或兩表面上之表面保護層。作為表面保護層，較佳為由不易受損傷之樹脂構成之層。又，如太陽電池般有於室外使用之情況之裝置之表面保護層較佳為由耐候性(例如耐光性)高之樹脂構成。又，於保護必須使光透過之面之情形時，較佳為透光性高之表面保護層。於表面保護層(表面保護膜)之材料之例中包含：丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚四氟乙烯、4-氟乙烯-全氯烷氧基共聚物、4-氟乙烯-6-氟丙烯共聚物、2-乙烯-4-氟乙烯共聚物、聚3-氟氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯。一例之多層結構體含有配置於一表面上之丙烯酸樹脂層。再者，為了提高表面保護層之耐久性，亦可於表面保護層中添加各種添加劑(例如紫外線吸收劑)。耐候性較高之表面保護層之較佳之一例為添加有紫外線吸收劑之丙烯酸樹脂層。於紫外線吸收劑之例中包含公知之紫外線吸收劑，例如包含苯并三唑系、二苯基酮系、水楊酸酯系、氰基丙烯酸酯系、鎳系、三系之紫外線吸收劑。又，亦可併用其他穩定劑、光穩定劑、抗氧化劑等。
表面保護層係積層於基材與阻隔層之多層結構體(以下，有時稱為「阻隔膜」)上。將表面保護層積層於阻隔膜之方法並無限定，例如可使用接著層接著兩者。接著層只要根據表面保護層之種類選擇即可。例如，於表面保護層為丙烯酸樹脂膜之情形時，可使用聚乙烯醇縮醛(例如聚乙烯醇縮丁醛)作為接著層。又，亦可使用由丙烯酸樹脂與聚乙烯醇縮 醛所構成之多層膜作為表面保護層。於該情形時，可將阻隔膜與上述記載之表面保護層或含有上述保護層之多層結構體或多層膜經由接著層進行熱層壓。
聚乙烯醇縮醛係利用公知之方法使聚乙烯醇與醛化合物反應而合成。作為與聚乙烯醇反應之醛化合物，較佳為碳數2~6之醛化合物，更佳為具有直鏈或支鏈之飽和脂肪族醛，更佳為乙醛、丙醛、正丁醛、異丁醛等。於該等之中，進而較佳為使用選自由乙醛及正丁醛所組成之群中之至少1種。
聚乙烯醇縮醛之平均聚合度係設為與縮醛化前之聚乙烯醇之黏度平均聚合度相同。聚乙烯醇縮醛(聚乙烯醇)之平均聚合度較佳為500以上且2000以下之範圍內，更佳為700以上且1700以下之範圍內，進而較佳為800以上且1500以下之範圍內。若聚乙烯醇之聚合度未達500，則聚乙烯醇縮醛樹脂成形物之力學物性不足，無法進行穩定之成形。另一方面，若聚乙烯醇之聚合度超過2000，則作為聚乙烯醇縮醛樹脂進行熱成形時之熔融黏度變高，而難以製造成形物。再者，聚乙烯醇之聚合度係依據JIS-K6726進行測定。
聚乙烯醇縮醛中之乙酸之比例例如係藉由JIS K6728-1977之聚乙烯醇縮丁醛中之乙烯醇縮丁醛之方法、或使用核磁共振裝置所獲得之1H-NMR而進行測定。聚乙烯醇縮醛中之乙酸之比例較佳為5質量%以下，更佳為3質量%以下，進而較佳為2質量%以下。若殘存乙酸基超過5質量%，則有耐熱性變得不充分，因熱分解或交聯凝膠化而難以進行穩定之熔融成形之情形。
聚乙烯醇縮醛之縮醛比率例如係藉由JIS K6728-1977之聚乙烯醇縮丁醛中之乙烯醇縮丁醛之方法而進行測定。乙烯醇縮醛之比率相對於聚乙烯醇縮醛較佳為55~85質量%，更佳為60~80質量%。乙烯醇縮醛之比率未達55質量%之聚乙烯醇縮醛化樹脂之熱穩定性不充分，且缺乏熔融加工性。另一方面，縮醛化度超過85質量%之聚乙烯醇縮醛由於縮醛化反應需要長時間故而製造成本變高。
又，本發明中所使用之聚乙烯醇縮醛就與甲基丙烯酸樹脂之接著性及耐熱性之觀點而言，可使碳數4以上之醛化合物、碳數3以下之醛化合物及聚乙烯醇進行反應而合成。以碳數4以上之醛化合物縮醛化之乙烯醇縮醛單位與以碳數3以下之醛化合物縮醛化之乙烯醇縮醛單位之莫耳比率較佳為90/10~1/99，更佳為80/20~1/99。乙烯醇縮醛單位之莫耳比率例如可藉由1H-NMR而求出。此種聚乙烯醇縮醛可提供除強度、彈性模數或表面硬度、表面之平滑性、透明性以外，與甲基丙烯酸樹脂之接著性及耐熱性亦優異之片材。
以下表示本發明之多層結構體之構成之較佳之例，但並不藉此限定本發明之多層結構體之構成。再者，多層結構體雖亦可於基材與阻隔層之間具有接著劑層(H)，但於以下之具體例中省略該接著劑層(H)之記載。
(1)阻隔層/基材/阻隔層
(2)基材/阻隔層/接著層/表面保護層
(3)阻隔層/基材/阻隔層/接著層/表面保護層
(4)無機蒸鍍層/基材/阻隔層
(5)無機蒸鍍層/阻隔層/基材
(6)無機蒸鍍層/阻隔層/基材/阻隔層
(7)無機蒸鍍層/阻隔層/基材/阻隔層/無機蒸鍍層
(8)阻隔層/無機蒸鍍層/基材
(9)阻隔層/無機蒸鍍層/基材/阻隔層
(10)阻隔層/無機蒸鍍層/基材/無機蒸鍍層/阻隔層
(11)阻隔層/無機蒸鍍層/基材/阻隔層/無機蒸鍍層
於上述構成之例(1)~(11)中之較佳之一例中，基材為聚對苯二甲酸乙二酯膜或聚碳酸酯膜。於上述構成之例(2)及(3)中之較佳之一例中，接著層為聚乙烯醇縮醛(例如聚乙烯醇縮丁醛)，且表面保護層為丙烯酸樹脂層。又，作為上述構成之例(2)及(3)中之另一較佳之一例，接著層為由二液反應型聚胺酯系接著劑所構成之層，且表面保護層為乙烯-四氟乙烯共聚物或丙烯酸樹脂。上述(2)及(3)之構成較佳作為太陽電池之保護片材。
[保護片材及使用其之裝置]
本發明之多層結構體之氣體阻隔性及水蒸氣阻隔性均優異。又，根據本發明，可獲得透光性優異之多層結構體。因此，本發明之多層結構體可用作各種裝置之保護片材，且可較佳地用作保護必須使光透過之面之保護片材。又，本發明之多層結構體可設為可撓性，故而可尤佳地用作可撓性之裝置之保護片材。再者，於該說明書中，於「可撓性之物體」之例中，包含具有可毫無問題地捲繞於直徑為30cm之圓筒之曲面的柔軟性物體，例如，包含具有可毫無問題地捲繞於直徑為15cm之圓筒之曲面的柔軟性物體。
本發明之裝置係具備保護表面之保護片材之裝置，該保護片材為本發明之多層結構體。於裝置之例中，包含太陽電池、顯示器、照明裝置等。於顯示器之例中，包含電子紙、液晶顯示器、有機EL顯示器等。於照明裝置之例中，包含有機EL照明裝置等。本發明之多層結構體可製成透光性之多層結構體，故而可較佳地用作要求使光透過之面之保護片材。例如，可用作保護太陽電池之光入射面、顯示器之顯示面、照明裝置之光出射面之片材。本發明之裝置亦可為可撓性之裝置。再者，保護片材以外之部分之構成並無限定，可應用公知之裝置之構成。
本發明之多層結構體可代替保護裝置之表面之玻璃而使用。即，藉由使用本發明之多層結構體，可避免使用實質上不具有可撓性之厚玻璃基板。但亦可對含有厚玻璃基板之裝置使用本發明之多層結構體。
如上所述，保護裝置之保護片材(本發明之多層結構體)亦可進而含有保護表面之保護層。關於該保護層係如上所述，故而省略重複之說明。於保護片材含有表面保護層之情形時，於裝置上依序配置有阻隔膜與表面保護層。
藉由於裝置之應保護之面上固定本發明之多層結構體(保護片材)，可獲得本發明之裝置。固定保護片材之方法並無特別限定。保護片材可利用公知之方法進行固定，例如可使用OCA(OPTICAL CLEAR ADHESIVE，光學透明接著劑)等接著層進行固定(接著)，亦可使用密封劑進行固定。具體而言，可使用與保護片材分開之接著層積層，亦可使用含有接著層之保護片材積層。接著層並無特別限定，可使用公知之接著層或接著劑、上述接著層(接著劑層等)或接著劑。於接著層之例中，包含 發揮作為接著層之功能之膜，例如可列舉乙烯-乙酸乙烯酯樹脂(以下，有時簡稱為「EVA」)、聚乙烯醇縮丁醛、離子聚合物等，亦可將提高了與EVA之接著性之聚對苯二甲酸乙二酯膜用於多層結構體。
使用有本發明之保護片材之太陽電池並無特別限定。於太陽電池之例中，包含矽系太陽電池、化合物半導體太陽電池、有機太陽電池等。於矽系太陽電池之例中，包含單晶矽太陽電池、多晶矽太陽電池、非晶矽太陽電池等。於化合物半導體太陽電池之例中，包含III-V族化合物半導體太陽電池、II-VI族化合物半導體太陽電池、I-III-VI族化合物半導體太陽電池等。又，太陽電池可為複數個單位晶胞串聯而成之積體形之太陽電池，亦可不為積體形之太陽電池。
一部分之太陽電池可利用所謂之輥-輥方式形成。於輥-輥方式中，將捲繞於送出輥上之可撓性之基板(例如不鏽鋼基板或樹脂基板等)送出，於基板上形成太陽電池元件之後，以捲取輥捲取形成有太陽電池元件之基板。本發明之保護片材可以可撓性之長條片材之形態形成，故而可較佳地用於以輥-輥方式形成之太陽電池之保護片材。例如，亦可預先將本發明之保護片材捲繞於輥上，以輥-輥方式形成太陽電池元件之後，在捲取於捲取輥上之前於太陽電池元件上積層保護片材。又，亦可使用以輥-輥方式形成之捲繞於輥上之太陽電池、及捲繞於輥上之保護片材將兩者積層。再者，關於以輥-輥方式形成之其他裝置亦相同。
[多層結構體之製造方法]
以下，對製造本發明之多層結構體之方法之一例進行說明。根據該方法，可容易地製造本發明之多層結構體。本發明之多層結構體之製造方法 中所使用之材料、及多層結構體之構成等係與上述者相同，因此，有時對重複之部分省略說明。例如，對金屬氧化物(A)、磷化合物(B)、及聚合物(C)可應用本發明之多層結構體之說明中之記載。再者，關於對該製造方法進行說明之事項，可應用於本發明之多層結構體。又，關於對本發明之多層結構體進行說明之事項，可應用於本發明之製造方法。再者，關於層(Y)之形成方法，可應用國際公開WO2011/122036號所揭示之方法。
該一例之方法包含步驟(I)、(II)及(III)。於步驟(I)中，藉由混合金屬氧化物(A)、含有可與金屬氧化物(A)反應之部位之至少1種化合物、及溶劑，而製備含有金屬氧化物(A)、該至少1種化合物及該溶劑之塗佈液(U)。於步驟(II)中，藉由將塗佈液(U)塗佈於基材(X)上，而於基材(X)上形成層(Y)之前驅物層。於步驟(III)中，藉由對該前驅物層進行處理，而於基材(X)上形成層(Y)。
[步驟(I)]
步驟(I)中所使用之具有可與金屬氧化物(A)反應之部位之至少1種化合物包含磷化合物(B)。上述至少1種化合物中所含之金屬原子之莫耳數較佳為於磷化合物(B)中所含之磷原子之莫耳數的0~1倍之範圍內。藉由將(上述至少1種化合物中所含之金屬原子之莫耳數)/(磷化合物(B)中所含之磷原子之莫耳數)之比設為0~1之範圍內(例如0~0.9之範圍內)，可獲得具有更優異之阻隔性之多層結構體。為了進一步提高多層結構體之阻隔性，該比較佳為0.3以下，更佳為0.05以下，進而較佳為0.01以下，亦可為0。典型而言，上述至少1種化合物僅由磷化合物(B)所構成。
步驟(I)較佳為包含以下之步驟(Ia)~(Ic)。
步驟(Ia)：製備含有金屬氧化物(A)之液體(S)之步驟。
步驟(Ib)：製備含有磷化合物(B)之溶液(T)之步驟。
步驟(Ic)：混合上述步驟(Ia)及(Ib)中所獲得之液體(S)與溶液(T)之步驟。
步驟(Ib)可比步驟(Ia)先進行，亦可與步驟(Ia)同時進行，或可於步驟(Ia)之後進行。以下，對各步驟更具體地進行說明。
於步驟(Ia)中，製備含有金屬氧化物(A)之液體(S)。液體(S)係溶液或分散液。該液體(S)例如可藉由公知之溶膠-凝膠法中採用之方法製備。例如，可藉由混合上述化合物(L)系成分、水、及視需要之酸觸媒或有機溶劑，並利用公知之溶膠-凝膠法中採用之方法使化合物(L)系成分縮合或水解縮合而製備。藉由使化合物(L)系成分縮合或水解縮合而獲得之金屬氧化物(A)之分散液可直接作為含有金屬氧化物(A)之液體(S)而使用。但亦可視需要對該分散液進行特定之處理(解膠或用以控制濃度之溶劑之加減等)。
液體(S)中之金屬氧化物(A)之含有率較佳為0.1~30質量%之範圍內，更佳為1~20質量%之範圍內，進而較佳為2~15質量%之範圍內。
於步驟(Ib)中，製備含有磷化合物(B)之溶液(T)。溶液(T)可藉由將磷化合物(B)溶解於溶劑中而製備。於磷化合物(B)之溶解性較低之情形時，亦可藉由實施加熱處理或超音波處理而促進溶解。
溶液(T)中之磷化合物(B)之含有率較佳為0.1~99質量 %之範圍內，更佳為0.1~95質量%之範圍內，進而較佳為0.1~90質量%之範圍內。又，溶液(T)中之磷化合物(B)之含有率可於0.1~50質量%之範圍內，亦可於1~40質量%之範圍內，亦可於2~30質量%之範圍內。
於步驟(Ic)中，混合液體(S)與溶液(T)。於混合液體(S)與溶液(T)時，為了抑制局部之反應，較佳為抑制添加速度，一面強烈地進行攪拌一面混合。此時，可對攪拌之液體(S)添加溶液(T)，亦可對攪拌之溶液(T)添加液體(S)。又，有藉由將混合時之溫度維持於30℃以下(例如20℃以下)而可獲得保存穩定性優異之塗佈液(U)的情況。進而，有藉由自混合結束時間點起進而持續攪拌30分鐘左右而可獲得保存穩定性優異之塗佈液(U)的情況。
塗佈液(U)亦可視需要含有選自乙酸、鹽酸、硝酸、三氟乙酸、三氯乙酸中之至少1種酸化合物。有藉由使塗佈液(U)含有上述酸化合物，而於步驟(Ic)中混合液體(S)與溶液(T)時，金屬氧化物(A)與磷化合物(B)之反應速度緩和，其結果，可獲得經時穩定性優異之塗佈液(U)的情況。
塗佈液(U)中之上述酸化合物之含有率較佳為0.1~5.0質量%之範圍內，更佳為0.5~2.0質量%之範圍內。若於該等範圍內，則可獲得由上述酸化合物之添加所產生之效果，且容易去除上述酸化合物。於液體(S)中殘留酸成分之情形時，考慮其殘留量來決定上述酸化合物之添加量即可。
藉由步驟(Ic)中之混合而獲得之液體可直接用作塗佈液(U)。於該情形時，通常液體(S)或溶液(T)中所含之溶劑成為塗佈液(U) 之溶劑。又，亦可對藉由步驟(Ic)中之混合而獲得之液體進行處理而製備塗佈液(U)。例如，亦可進行有機溶劑之添加、pH值之調整、黏度之調整、添加物之添加等處理。
只要可獲得本發明之效果，則塗佈液(U)亦可添加上述物質以外之其他物質。例如，塗佈液(U)亦可含有：碳酸鹽、鹽酸鹽、硝酸鹽、碳酸氫鹽、硫酸鹽、硫酸氫鹽、硼酸鹽、鋁酸鹽等無機金屬鹽；草酸鹽、乙酸鹽、酒石酸鹽、硬脂酸鹽等有機酸金屬鹽；乙醯丙酮酸金屬錯合物(乙醯丙酮酸鋁等)、環戊二烯基金屬錯合物(二茂鈦等)、氰基金屬錯合物等金屬錯合物；層狀黏土化合物；交聯劑；聚合物(C)以外之高分子化合物；塑化劑；抗氧化劑；紫外線吸收劑；難燃劑等。
[步驟(II)]
於步驟(II)中，藉由將塗佈液(U)塗佈於基材(X)上，而於基材(X)上形成層(Y)之前驅物層。塗佈液(U)可直接塗佈於基材(X)之至少一面之上。又，亦可於塗佈塗佈液(U)之前，利用公知之增黏塗佈劑對基材(X)之表面進行處理、或者於基材(X)之表面塗佈公知之接著劑等而預先於基材(X)之表面形成接著劑層(H)。
將塗佈液(U)塗佈於基材(X)上之方法並無特別限定，可採用公知之方法。作為較佳之方法，例如可列舉：澆鑄法、浸塗法、輥塗法、凹版塗佈法、網版印刷法、反向塗佈法、噴塗法、接觸塗佈法、模塗法、金屬棒式塗佈法、併用箱式刮刀之塗佈法、淋幕式塗佈法等。
通常，於步驟(II)中，藉由去除塗佈液(U)中之溶劑而形成層(Y)之前驅物層。溶劑之去除方法並無特別限制，可應用公知之乾 燥方法。具體而言，可將熱風乾燥法、熱輥接觸法、紅外線加熱法、微波加熱法等乾燥方法單獨或組合而應用。乾燥溫度較佳為比基材(X)之流動起始溫度低0~15℃以上。於塗佈液(U)含有聚合物(C)之情形時，乾燥溫度較佳為比聚合物(C)之熱分解起始溫度低15~20℃以上。乾燥溫度較佳為於70~200℃之範圍內，更佳為於80~180℃之範圍內，進而較佳為於90~160℃之範圍內。溶劑之去除亦可於常壓下或減壓下之任一者實施。又，亦可藉由下述步驟(III)中之熱處理而去除溶劑。
於在層狀之基材(X)之兩面積層層(Y)之情形時，可藉由將塗佈液(U)塗佈於基材(X)之一面之後去除溶劑而形成第1層(第1層(Y)之前驅物層)，繼而，藉由將塗佈液(U)塗佈於基材(X)之另一面之後去除溶劑而形成第2層(第2層(Y)之前驅物層)。塗佈於各面上之塗佈液(U)之組成可相同亦可不同。
[步驟(III)]
於步驟(III)中，藉由對步驟(II)中形成之前驅物層(層(Y)之前驅物層)進行處理而形成層(Y)。作為處理前驅物層之方法，可列舉：熱處理、紫外線等電磁波照射等。步驟(III)中進行之處理亦可為使金屬氧化物(A)與磷化合物(B)反應之處理。例如，步驟(III)中進行之處理亦可為藉由使金屬氧化物(A)與磷化合物(B)反應，而經由源自磷化合物(B)之磷原子使金屬氧化物(A)之粒子彼此鍵結的處理。通常，步驟(III)係以110℃以上之溫度對上述前驅物層進行熱處理之步驟。再者，雖並無特別限定，但於上述前驅物層之紅外線吸收光譜中，有800~1400cm-1之範圍中之最大吸光度(A1')與2500~4000cm-1之範圍中之基於羥基之伸 縮振動之最大吸光度(A2')滿足吸光度(A2')/吸光度(A1')>0.2之關係的情形。
於步驟(III)中，進行金屬氧化物(A)之粒子彼此經由磷原子(源自磷化合物(B)之磷原子)而鍵結之反應。於另一態樣中，於步驟(III)中，進行生成反應生成物(R)之反應。為了使該反應充分進行，熱處理之溫度為110℃以上，較佳為120℃以上，更佳為140℃以上，進而較佳為170℃以上。若熱處理溫度較低，則獲得充分之反應度所花費之時間變長，而成為生產性降低之原因。熱處理溫度之較佳上限根據基材(X)之種類等而不同。例如，於將由聚醯胺系樹脂所構成之熱塑性樹脂膜用作基材(X)之情形時，熱處理之溫度較佳為190℃以下。又，於將由聚酯系樹脂所構成之熱塑性樹脂膜用作基材(X)之情形時，熱處理之溫度較佳為220℃以下。熱處理可於空氣中、氮氣環境下、或氬氣環境下等實施。
熱處理之時間較佳為於0.1秒~1小時之範圍內，更佳為於1秒~15分鐘之範圍內，進而較佳為於5~300秒之範圍內。一例之熱處理係於110~220℃之範圍內進行0.1秒~1小時。又，另一例之熱處理係於120~200℃之範圍內進行5~300秒(例如60~300秒)。
於為了於基材(X)與層(Y)之間配置接著劑層(H)而於塗佈塗佈液(U)之前利用公知之增黏塗佈劑對基材(X)之表面進行處理、或者於基材(X)之表面塗佈公知之接著劑之情形時，較佳為進行熟化處理。具體而言，較佳為於塗佈塗佈液(U)之後且於步驟(III)之熱處理步驟之前，將塗佈有塗佈液(U)之基材(X)長時間放置於相對低溫下。熟化處理之溫度較佳為未達110℃，更佳為100℃以下，進而較佳為90℃以下。又， 熟化處理之溫度較佳為10℃以上，更佳為20℃以上，進而較佳為30℃以上。熟化處理之時間較佳為於0.5~10日之範圍內，更佳為於1~7日之範圍內，進而較佳為於1~5日之範圍內。藉由進行此種熟化處理，基材(X)與層(Y)之間之接著力變得更加強固。
藉由上述步驟，可獲得含有基材(X)與層(Y)之阻隔膜。 於本發明之多層結構體含有阻隔膜以外之其他層之情形時，積層阻隔膜與其他層。該等之積層方法並無限定，可使用利用接著層積層之方法、或藉由熱層壓法而積層之方法。
以下，對以輥-輥方式製造上述多層結構體之情形時的較佳之一例進行說明。該一例包含步驟(i)、(ii)及(iii)。於步驟(i)中，以方向(D)(3%應變時之張力為2000N/m以上之方向)成為搬送方向(MD方向)之方式，自捲繞有基材(X)之第1輥送出基材(X)。於步驟(ii)中，於基材(X)上形成阻隔層(層(Y))之前驅物層。於步驟(iii)中，以第2輥捲取經過步驟(ii)之基材(X)。此處，步驟(ii)包含上述步驟(I)及(II)。
根據該一例之製造方法，可抑制於連續地形成層(Y)時，因基材(X)過度延伸而使層(Y)之阻隔性降低。因此，根據該製造方法，可生產性良好地製造阻隔性優異之多層結構體。
於步驟(iii)中，可以第2輥捲取形成有層(Y)之前驅物層之基材(X)。於該情形時，亦可使形成有前驅物層之基材(X)於捲取於第2輥上之狀態下進行熟化。
又，於步驟(iii)中，亦可以第2輥捲取形成有層(Y)之 基材(X)。該情形時之製造方法進而包含如下步驟：於步驟(ii)之後且步驟(iii)之前，藉由對步驟(ii)中形成之前驅物層進行處理而於基材(X)上形成阻隔層(層(Y))。該步驟相當於上述步驟(III)。即，於該情形時，藉由於步驟(i)與步驟(iii)之間進行上述層(Y)之形成步驟(步驟(I)、(II)及(III))而於基材(X)上形成層(Y)。
再者，若對基材(X)之特定之處進行考慮，則上述步驟(i)~(iii)係按步驟(i)、(ii)、(iii)之順序進行。但若以基材(X)之整體進行考慮，則步驟(i)、(ii)、及(iii)通常(除製造之開始時及結束時以外)同時進行。
於本發明之多層結構體具有阻隔膜以外之其他層(例如，表面保護層)之情形時，於任一階段中將該其他層積層於基材(X)上。此時，該其他層根據形成之多層結構體之構成，可直接積層於基材(X)上，亦可隔著基材(X)以外之層(例如，層(Y)、或層(Y)之前驅物層等)積層於基材(X)上。將其他層積層於基材(X)上之時間並無特別限定，可於步驟(i)之前、步驟(i)與步驟(ii)之間、步驟(ii)與步驟(iii)之間、或步驟(iii)之後將其他層積層於基材(X)上。通常，表面保護層係於在基材(X)上形成層(Y)之後，經由層(Y)積層於基材(X)上。
於將阻隔膜以外之其他層(例如膜)積層於基材(X)(例如阻隔膜內之基材(X))上之方法之較佳之一例中，於以基材(X)之方向(D)成為搬送方向(MD方向)之方式搬送基材(X)之狀態下積層該其他層。
以下，對具備保護表面之保護片材的可撓性裝置之製造方法 之一例進行說明。該製造方法包含步驟(a)及(b)。於步驟(a)中，準備包含至少一方向之3%應變時之張力為2000N/m以上之基材(X)及形成於基材(X)上之阻隔層(層(Y))、且捲繞於輥的保護片材。該保護片材係本發明之多層結構體。於步驟(b)中，搬送形成有元件之可撓性基板，並且以上述一方向(方向(D))成為搬送方向(MD方向)之方式自輥送出保護片材，並以覆蓋上述元件之方式於基板上積層保護片材。於該製造方法中，即便於對搬送方向施加張力之狀態下搬送保護片材，亦可抑制阻隔層之阻隔性降低。
於上述方法之典型之一例中，將可撓性基板捲繞於送出輥上，並自該送出輥送出基板。然後，於在基板上積層保護片材之後，以捲取輥進行捲取。即，該保護片材之積層步驟亦可以輥-輥形式進行。於該情形時，可預先將形成有元件之基板捲繞於送出輥上。又，亦可將未形成有元件之基板捲繞於送出輥上，於搬送中途於基板上形成元件之後，進而以覆蓋該元件之方式積層保護片材。再者，利用該方法形成之裝置並無特別限定，可為上述裝置(太陽電池、顯示器、照明裝置等)。即，形成於基板上之元件可為太陽電池元件、構成顯示器之元件(顯示元件)、構成照明裝置之元件(發光元件)。
[實施例]
以下，藉由實施例對本發明更具體地進行說明，但本發明不受以下實施例任何限定。再者，實施例及比較例中之各測定及評價係藉由以下方法實施。
(1)基材之3%應變時之張力
以搬送方向(MD方向)成為長邊之方式，將輥狀之基材切取成寬度1.5cm×長度15cm之短條狀而製作試驗片。對該試驗片使用自動立體測圖儀(島津製作所製造之「AGS-H」)，依據JIS K7127於23℃ 50%RH之條件下測定於長邊方向延伸3%時之張力，將寬度方向換算成單位長度(1m)並算出3%應變時之張力(N/m)。
(2)透濕度
透濕度(水蒸氣透過度，WVTR)係依據氣相層析法(JIS-K7129-℃)，使用蒸氣透過測定裝置(GTR-TEC公司製造之「GTR-WV」)進行測定。具體而言，於溫度為40℃、水蒸氣供給側之濕度為90%RH、載氣側之濕度為0%RH之條件下測定透濕度(單位：g/(m2．day))。
透濕度係自製造之輥狀之多層結構體之10處(捲取之初期、捲取之最後、及該等之中間點等)收取試樣進行測定。然後，由10處之測定值算出透濕度之平均值與透濕度之穩定性(σ)。穩定性(σ)係10點之測定值之標準偏差，且係表示水蒸氣阻隔性於製造時之不均之指標。該穩定性(σ)之數值越低，則表示製造時之不均越小。
(3)透氧度
使用透氧量測定裝置(Modern Control公司製造之「MOCONOX-TRAN2/20」)測定透氧度(OTR)。具體而言，於溫度20℃、氧氣供給側之濕度85%RH、載氣側之濕度85%RH、氧壓1氣壓、載氣壓力1氣壓之條件下測定透氧度(單位：ml/(m2．day．atm))。作為載氣，使用含有2體積%之氫氣之氮氣。
透氧度係與上述透濕度同樣地自製造之輥狀之多層結構體 之10處(捲取之初期、捲取之最後、及該等之中間點等)收取試樣進行測定。然後，由10處之測定值算出透氧度之平均值與透氧度之穩定性(σ)。穩定性(σ)係10點之測定值之標準偏差，且係表示氧阻隔性於製造時之不均之指標。該穩定性(σ)之數值越低，則表示製造時之不均越小。
(實施例1)
將蒸餾水230質量份一面攪拌一面升溫至70℃。於該蒸餾水中花費1小時滴加異丙醇鋁88質量份，使液溫緩慢上升至95℃而使產生之異丙醇餾出，藉此，進行水解縮合。繼而，添加60質量%之硝酸水溶液4.0質量份，並於95℃攪拌3小時，藉此，使水解縮合物之粒子之凝集體解膠。對如此獲得之分散液以氧化鋁換算計固形物成分濃度成為10質量%之方式進行濃縮，藉此，獲得分散液(S1)。
又，相對於85質量%之磷酸水溶液1.76質量份，添加蒸餾水42.85質量份、甲醇19.00質量份及三氟乙酸1.39質量份，並攪拌以使之變均勻，藉此，獲得溶液(T1)。繼而，於攪拌溶液(T1)之狀態下，滴加分散液(S1)35.00質量份，自滴加結束後起進而持續攪拌30分鐘，藉此，獲得塗佈液(U1)。
其次，準備輥狀之雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯膜(以下，有時簡稱為「PET」)作為基材。基材係使用厚度為25μm、且MD方向之3%應變時之張力為3600N/m者。以乾燥後之厚度成為0.5μm之方式藉由凹版塗佈法將塗佈液(U1)連續地塗佈於該基材之一面上，並於100℃之熱風乾燥爐中進行乾燥。其次，以乾燥後之厚度成為0.5μm之方式藉由凹版塗佈法將塗佈液(U1)連續地塗佈於基材之另一面上，並於100℃之熱風 乾燥爐中進行乾燥後，捲取成輥狀。以此種方式形成層(Y)之前驅物層。
對所獲得之前驅物層藉由使其通過熱風乾燥爐而於200℃實施1分鐘之熱處理，獲得具有層(Y)(0.5μm)/PET(25μm)/層(Y)(0.5μm)之結構之多層結構體(A1)。藉由上述方法對所獲得之多層結構體(A1)進行評價。
(實施例2)
於實施例2中，使用厚度為50μm、且3%應變時之張力為7200N/m之PET作為基材。除改變基材以外，藉由與實施例1同樣之方法，獲得具有層(Y)(0.5μm)/PET(50μm)/層(Y)(0.5μm)之結構之多層結構體(A2)。藉由上述方法對所獲得之多層結構體(A2)進行評價。
(實施例3)
於實施例3中，使用厚度為50μm且3%應變時之張力為3000N/m之聚碳酸酯膜(以下，有時簡稱為「PC」)作為基材。除改變基材以外，藉由與實施例1同樣之方法，獲得具有層(Y)(0.5μm)/PC(50μm)/層(Y)(0.5μm)之結構之多層結構體(A3)。藉由上述方法對所獲得之多層結構體(A3)進行評價。
(實施例4)
於實施例4中，僅於基材之單面形成層(Y)，除此以外，藉由與實施例1同樣之方法，獲得具有層(Y)(0.5μm)/PET(25μm)之結構之多層結構體(A4)。藉由上述方法對所獲得之多層結構體(A4)進行評價。
(實施例5)
於實施例5中，使用厚度為50μm之PET與厚度為100μm之環狀烯 烴共聚物(以下，有時簡稱為「COC」)之積層體作為基材。本基材之3%應變時之張力為21600N/m。又，對COC表面實施電暈放電處理。除改變基材，並僅於基材之COC面形成層(Y)以外，藉由與實施例1同樣之方法，獲得具有PET(50μm)/COC(100μm)/層(Y)(0.5μm)之結構之多層結構體(A5)。藉由上述方法對所獲得之多層結構體(A5)進行評價。
(實施例6)
相對於85質量%之磷酸水溶液3.18質量份，添加蒸餾水53.43質量份、10質量%之聚乙烯醇水溶液5.00質量份、甲醇19.00質量份及三氟乙酸1.39質量份，並進行攪拌以使之均勻，藉此，獲得溶液(T6)。繼而，於攪拌溶液(T6)之狀態下，滴加實施例1中所獲得之分散液(S1)18.00質量份，滴加結束後起進而持續攪拌30分鐘，藉此，獲得塗佈液(U6)。
使用塗佈液(U6)來代替塗佈液(U1)，除此以外，藉由與實施例1同樣之方法，獲得具有層(Y)(0.5μm)/PET(25μm)/層(Y)(0.5μm)之結構之多層結構體(A6)。藉由上述方法對所獲得之多層結構體(A6)進行評價。
(比較例1)
於比較例1中，使用厚度為12μm、且3%應變時之張力為1700N/m之PET作為基材。除改變基材以外，藉由與實施例1同樣之方法，獲得具有層(Y)(0.5μm)/PET(12μm)/層(Y)(0.5μm)之結構之多層結構體(C1)。藉由上述方法對所獲得之多層結構體(C1)進行評價。
(比較例2)
於比較例2中，使用厚度為15μm、且3%應變時之張力為1100N/m之延伸尼龍膜(以下，有時簡稱為「ONY」)作為基材。除改變基材以外，藉由與實施例1同樣之方法，獲得具有層(Y)(0.5μm)/ONY(15μm)/層(Y)(0.5μm)之結構之多層結構體(C2)。藉由上述方法對所獲得之多層結構體(C2)進行評價。
將多層結構體之製作條件及評價結果示於表1。
如表1所示，藉由使用3%應變時之張力為2000N/m以上之基材，可獲得阻隔性之穩定性高之多層結構體。於使用3%應變時之張力低之基材之情形時，透濕度之平均值低，又，透濕度之不均變大。
(實施例7)
於實施例7中，使用實施例1之多層結構體(A1)製作太陽電池用之保護片材。首先，使用丙烯酸樹脂與聚乙烯醇縮丁醛，藉由共擠壓法形成具有丙烯酸樹脂層(厚度50μm)/聚乙烯醇縮丁醛層(厚度20μm)之構成之積層膜。於170℃對該積層膜與實施例1之多層結構體(A1)進行熱層壓。以此種方式製作具有丙烯酸樹脂層/聚乙烯醇縮丁醛層/多層結構體(A1)之構成之保護片材(A7)。
對將上述保護片材(A7)用作保護太陽電池之光入射面之片材的情形之一例進行說明。首先，準備於可撓性基板上形成有太陽電池元件之太陽電池。該一例之太陽電池係藉由自與基板相反側入射之光而發電之太陽電池。然後，以覆蓋太陽電池元件之方式，於基板上積層保護片材(A7)。以此種方式，可獲得光入射側之表面由保護片材(A7)保護之太陽電池。本發明之多層結構體之阻隔性、可撓性、透光性、耐候性優異，故而藉由使用本發明之多層結構體，可獲得特性較高之可撓性之太陽電池。
(實施例8)
於實施例8中，使用實施例1之多層結構體(A1)製作太陽電池用之保護片材。首先，使用丙烯酸樹脂與以乙醛與丁醛對平均聚合度1000、皂化度99%之聚乙烯醇進行縮醛化而成之聚乙烯醇縮醛(乙醛/丁醛=51莫耳/49莫耳，縮醛比率78質量%)，藉由共擠壓法形成具有丙烯酸樹脂層 (厚度50μm)/聚乙烯醇縮醛層(厚度20μm)之構成之積層膜。於170℃對該積層膜與實施例1之多層結構體(A1)進行熱層壓。以此種方式製作具有丙烯酸樹脂層/聚乙烯醇縮醛層/多層結構體(A1)之構成之保護片材(A8)。
對將上述保護片材(A8)用作保護太陽電池之光入射面之片材的情形之一例進行說明。首先，準備於可撓性基板上形成有太陽電池元件之太陽電池。該一例之太陽電池係藉由自與基板相反側入射之光而發電之太陽電池。然後，以覆蓋太陽電池元件之方式，於基板上積層保護片材(A8)。以此種方式，可獲得光入射側之表面由保護片材(A8)保護之太陽電池。本發明之多層結構體之阻隔性、可撓性、透光性、耐候性優異，故而藉由使用本發明之多層結構體，可獲得特性較高之可撓性太陽電池。
(實施例9)
於實施例9中，首先使用丙烯酸樹脂，藉由擠壓法形成丙烯酸樹脂單層膜(厚度50μm)。使用二液反應型聚胺酯系接著劑對該單層膜與實施例1之多層結構體(A1)進行層壓。以此種方式製作具有丙烯酸樹脂層接著層/多層結構體(A1)之構成之保護片材(A9)。
對保護片材(A9)進行基於IEC61730-1 15.4.2項(引用出處：ASTM E162-02a“用輻射熱源評定材料表面燃燒性之標準試驗方法(Standard Test Method for Surface Flammability of Materials Using a Radiant Heat Energy Source)”)之輻射板試驗(radiant panel test)(火災傳播性試驗)，結果，火災傳播指數為89。
對保護片材(A9)進行基於IEC61730-2光伏組件安全及性 能測試標準第2部分：試驗要求(Photovoltaic(PV)module safety qualification Part2：Requirements for Testing)11.1項之部分放電(PD)試驗，結果，最大容許系統電壓為dc下489V。
又，製作以保護片材(A9)為覆蓋材，於其下積層有600μm厚之EVA密封材、SI結晶元件、600μm厚之EVA密封材、總厚122μm厚之底層片材的太陽電池單晶單元模組。對該模組進行基於IEC61730-2第一版、MST23(ANSI/UL790)之火災試驗(Fire Test)，結果獲得等級C之結果。
(實施例10)
於實施例10中，使用二液反應型聚胺酯系接著劑對接著面上實施有電暈處理之乙烯-四氟乙烯共聚物樹脂單層膜(厚度50μm)與實施例1之多層結構體(A1)進行層壓。以此種方式製作具有乙烯-四氟乙烯共聚物樹脂層/接著層/多層結構體(A1)之構成之保護片材(A10)。使用上述保護片材(A10)，以與實施例7同樣之方法製作光入射側之表面由保護片材(A10)保護之太陽電池。
(實施例11)
於實施例11中，使用二液反應型聚胺酯系接著劑對實施例9中使用之丙烯酸樹脂單層膜(厚度50μm)、實施例1之多層結構體(A1)、及提高了與EVA之接著性之聚對苯二甲酸乙二酯膜(以下，簡稱為EVA易接著PET)(厚度50μm)進行層壓。以此種方式製作具有丙烯酸樹脂層/接著層/多層結構體(A1)/接著層/EVA易接著PET之構成之保護片材(A11)。使用上述保護片材(A11)，以與實施例7同樣之方法製作光入射側 之表面由保護片材(A11)保護之太陽電池。
(實施例12)
於實施例12中，使用二液反應型聚胺酯系接著劑對實施例9中使用之丙烯酸樹脂單層膜(厚度50μm)、實施例1之多層結構體(A1)、及EVA易接著PET(厚度50μm)進行層壓。以此種方式製作具有丙烯酸樹脂層/接著層/多層結構體(A1)/接著層/多層結構體(A1)/接著層/EVA易接著PET之構成之保護片材(A12)。使用上述保護片材(A12)，以與實施例8同樣之方法製作光入射側之表面由保護片材(A12)保護之太陽電池。
實施例10~12中製作之太陽電池即便以本發明之多層結構體之保護片材保護表面，亦不會對其特性產生影響。
<含有無機蒸鍍層之多層結構體>
(實施例13)
於實施例13中，對實施例1中使用之厚度25μm之PET之單面實施氧化矽蒸鍍，進而藉由與實施例1同樣之方法使層(Y)形成於與實施有氧化矽蒸鍍層之面相反面，獲得具有氧化矽蒸鍍層(Z)/PET(25μm)/層(Y)(0.5μm)之結構之多層結構體(A13)。
(實施例14)
於實施例14中，對實施例1中使用之厚度25μm之PET之單面實施氧化矽蒸鍍，進而於氧化矽蒸鍍層之上藉由與實施例1同樣之方法形成層(Y)，獲得具有層(Y)(0.5μm)/氧化矽蒸鍍層(Z)/PET(25μm)之結構之多層結構體(A14)。
(實施例15)
於實施例15中，於實施例14中所獲得之多層結構體(A14)之PET表面上藉由與實施例1同樣之方法進而形成層(Y)，獲得具有層(Y)(0.5μm)/氧化矽蒸鍍層(Z)/PET(25μm)/層(Y)(0.5μm)之結構之多層結構體(A15)。
(實施例16)
於實施例16中，於實施例15中所獲得之多層結構體(A15)之形成於基材上的層(Y)上實施氧化矽蒸鍍，獲得具有層(Y)(0.5μm)/氧化矽蒸鍍層(Z)/PET(25μm)/層(Y)(0.5μm)/氧化矽蒸鍍層(Z)之結構之多層結構體(A16)。
(實施例17)
於實施例17中，於與實施例1中使用者相同之厚度25μm之PET之兩面實施氧化矽蒸鍍，進而藉由與實施例1同樣之方法使層(Y)形成於兩面，獲得具有層(Y)(0.5μm)/氧化矽蒸鍍層(Z)/PET(25μm)/氧化矽蒸鍍層(Z)/層(Y)(0.5μm)之結構之多層結構體(A17)。
(實施例18)
於實施例18中，使用厚度50μm之雙軸延伸聚萘二甲酸乙二酯膜(以下，有時簡稱為「PEN」)來代替實施例16中使用之PET，除此以外，藉由與實施例16同樣之方法，獲得具有層(Y)(0.5μm)/氧化矽蒸鍍層(Z)/PEN(50μm)/層(Y)(0.5μm)/氧化矽蒸鍍層(Z)之結構之多層結構體(A18)。再者，使用利用之PEN之MD方向之3%應變時之張力為8500N/m者。
(實施例19)
於實施例19中，於實施例4中所獲得之多層結構體(A4)之形成於基材上的層(Y)上實施氧化矽蒸鍍，獲得具有PET(25μm)/層(Y)(0.5μm)/氧化矽蒸鍍層(Z)之結構之多層結構體(A19)。
(實施例20)
於實施例20中，於實施例1中所獲得之多層結構體(A1)之形成於基材上的層(Y)之單側之面上實施氧化矽蒸鍍，獲得具有層(Y)(0.5μm)/PET(25μm)/層(Y)(0.5μm)/氧化矽蒸鍍層(Z)之結構之多層結構體(A20)。
(實施例21)
於實施例21中，於實施例1中所獲得之多層結構體(A1)之形成於基材上的層(Y)之兩側之面上實施氧化矽蒸鍍，獲得具有氧化矽蒸鍍層(Z)/層(Y)(0.5μm)/PET(25μm)/層(Y)(0.5μm)/氧化矽蒸鍍層(Z)之結構之多層結構體(A21)。
(實施例22)
於實施例22中，使用實施例18中使用之PEN來代替實施例21中使用之PET，除此以外，以與實施例1、實施例21同樣之方式，獲得具有氧化矽蒸鍍層(Z)/層(Y)(0.5μm)/PEN(50μm)/層(Y)(0.5μm)/氧化矽蒸鍍層(Z)之結構之多層結構體(A22)。
藉由上述方法對實施例13~22中所獲得之多層結構體測定透濕度與透氧度。將評價結果示於表2。如表2所示，可獲得阻隔性之穩定性較高之多層結構體。
(實施例23)
於實施例23中，使用二液反應型聚胺酯系接著劑對實施例9中使用之丙烯酸樹脂單層膜(厚度50μm)、實施例21之多層結構體(A21)、及EVA易接著PET(厚度50μm)進行層壓，製作具有丙烯酸樹脂層/接著層/多層結構體(A21)/接著層/EVA易接著PET之構成之保護片材(A23)。
使用上述保護片材(A23)，藉由與實施例7同樣之方法製作光入射側之表面由保護片材(A23)保護之太陽電池。
(實施例24)
於實施例24中，使用二液反應型聚胺酯系接著劑對實施例9中使用之丙烯酸樹脂單層膜(厚度50μm)、實施例22之多層結構體(A22)、及EVA易接著PET(厚度50μm)進行層壓，製作具有丙烯酸樹脂層/接著層/多層結構體(A22)/接著層/EVA易接著PET之構成之保護片材(A24)。
使用上述保護片材(A24)，藉由與實施例7同樣之方法製作光入射側之表面由保護片材(A24)保護之太陽電池。
實施例23、實施例24中製作之太陽電池即便以本發明之多層結構體之保護片材保護表面，亦不會對其特性產生影響。
再者，對藉由實施例1~6、實施例13~22、比較例1~2而獲得之多層結構體利用專利文獻3之段落0198~0200中所記載之方法測定層(Y)之紅外線吸收光譜，求出800~1400cm-1之範圍中之最大吸收波數(n1)，結果n1均於1090~1110cm-1之範圍內。
[產業上之可利用性]
本發明可用於多層結構體及使用其之裝置。

Claims (16)

  1. 一種多層結構體，含有基材及積層於該基材之阻隔層，該基材之至少一方向的3%應變時之張力為2000N/m以上，該阻隔層含有反應生成物(R)，該反應生成物(R)係至少金屬氧化物(A)與磷化合物(B)反應而成之反應生成物，在800~1400cm-1範圍之該阻隔層的紅外線吸收光譜中，紅外線吸收成為最大之波數(n1)於1080~1130cm-1之範圍內，構成該金屬氧化物(A)之金屬原子實質上為鋁原子。
  2. 如申請專利範圍第1項之多層結構體，其中，該磷化合物(B)含有複數個可與該金屬氧化物(A)反應之部位。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之多層結構體，其中，該金屬氧化物(A)係下述化合物(L)之水解縮合物，該化合物含有鍵結有可水解之特性基的該金屬原子。
  4. 如申請專利範圍第3項之多層結構體，其中，該化合物(L)包含以下述式(I)所表示之至少1種化合物(L1)，AlX1 mR1 (3-m) (I)[式(I)中，X1選自由F、Cl、Br、I、R2O-、R3C(=O)O-、(R4C(=O))2CH-及NO3組成之群；R1、R2、R3及R4分別選自由烷基、芳烷基、芳基及烯基組成之群；式(I)中，於存在複數個X1之情形時，該等X1彼此可相同亦可不同；式(I)中，於存在複數個R1之情形時，該等R1彼此可相同亦可不同；式(I)中，於存在複數個R2之情形時，該等R2彼此可 相同亦可不同；式(I)中，於存在複數個R3之情形時，該等R3彼此可相同亦可不同；式(I)中，於存在複數個R4之情形時，該等R4彼此可相同亦可不同，m表示1~3之整數]。
  5. 如申請專利範圍第2項之多層結構體，其中，該磷化合物(B)為選自由磷酸、多磷酸、亞磷酸、膦酸及該等之衍生物組成之群中的至少1種化合物。
  6. 如申請專利範圍第1項之多層結構體，其含有2層以上之該阻隔層，該阻隔層積層於該基材之兩面。
  7. 如申請專利範圍第1或6項之多層結構體，其進一步含有1層以上之無機蒸鍍層。
  8. 如申請專利範圍第1或6項之多層結構體，其中，40℃、90/0%RH之條件下的透濕度為0.005g/(m2．day)以下。
  9. 如申請專利範圍第1或6項之多層結構體，其進一步含有配置於一表面之丙烯酸樹脂層。
  10. 一種裝置，具備保護表面之保護片材，該保護片材係申請專利範圍第1或6項之多層結構體。
  11. 如申請專利範圍第10項之裝置，其係太陽電池、顯示器、或照明裝置。
  12. 如申請專利範圍第10項之裝置，其係可撓性裝置。
  13. 如申請專利範圍第10項之裝置，其中，該多層結構體進一步含有表面保護層，該表面保護層為丙烯酸樹脂層。
  14. 一種多層結構體之製造方法，其係製造含有至少一方向之3%應變時的張力為2000N/m以上之基材及形成於該基材上之阻隔層的多層結構體之 方法，包含如下步驟：(i)以該一方向成為搬送方向之方式，自捲繞有該基材之第1輥送出該基材；(ii)於該基材上形成該阻隔層之前驅物層；及(iii)以第2輥捲取經過該(ii)之步驟的該基材，其中該(ii)之步驟包含如下步驟：(I)藉由混合金屬氧化物(A)、含有可與該金屬氧化物(A)反應之部位的至少1種化合物、及溶劑，而製備含有該金屬氧化物(A)、該至少1種化合物及該溶劑之塗佈液(U)；(II)藉由將該塗佈液(U)塗佈於該基材上，而於該基材上形成該前驅物層；該至少1種化合物包含磷化合物(B)，該至少1種化合物中所含之金屬原子的莫耳數在該磷化合物(B)中所含之磷原子之莫耳數的0~1倍之範圍內，構成該金屬氧化物(A)之金屬原子實質上為鋁原子。
  15. 如申請專利範圍第14項之製造方法，其中，於該(ii)之步驟後且該(iii)之步驟前，進一步包含藉由對該前驅物層進行處理而於該基材上形成該阻隔層的步驟。
  16. 一種裝置之製造方法，其係具備保護表面之保護片材的可撓性裝置之製造方法，包含如下步驟：(a)準備含有至少一方向之3%應變時的張力為2000N/m以上之基材及形成於該基材上之阻隔層的保護片材，且該保護片材捲繞於輥上； 及(b)搬送形成有元件之可撓性基板，並且以該一方向成為搬送方向之方式自該輥送出該保護片材，並以覆蓋該元件之方式於該基板上積層該保護片材，其中該保護片材係申請專利範圍第1或6項之多層結構體。
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