TW201346981A - 處理裝置及閥動作確認方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是在於掌握往處理容器內供給氣體的氣體供給系統的閥的動作狀態，即時檢測出或防範於未然迴避閥的異常。其解決手段是將DO開閉計數器(421)及DI開閉計數器(423)設在比MC401還下位的控制單元之I/O板(415)，計數腔室閥(37，47，57，67)的開閉次數。根據DO開閉計數器(421)及DI開閉計數器(423)之腔室閥(37)的動作狀態是若DO開閉計數器(421)的計數值A，DI開閉計數器(423)的計數值B為A=B，則判定正常，若A≠B，則判定異常。

Description

處理裝置及閥動作確認方法
本發明是有關例如對半導體晶圓等的被處理體供給處理氣體來進行成膜處理等的處理裝置及在該處理裝置中確認閥的動作狀態，用以檢測出或迴避異常的閥動作確認方法。
在半導體裝置的製造過程是對半導體晶圓等的被處理體重複進行成膜處理、蝕刻處理、熱處理、改質處理等的各種的處理。例如，在半導體晶圓的表面形成薄膜時，有在成膜裝置的處理容器內配置半導體晶圓，對處理容器內導入包含原料氣體的處理氣體而使反應生成物產生，使該反應生成物的薄膜堆積於半導體晶圓的表面之CVD(Chemical Vapor Deposition)法的成膜為人所知。
並且，近年來，也有交替往處理容器內供給原料氣體及反應氣體，形成各一層原子水準或分子水準的厚度的薄膜之ALD(Atomic Layer Deposition)法的成膜方法為人所知。由於此ALD法是可膜質良好，精度佳控制膜厚，因此作為微細化進展的半導體裝置的製造手法受到注目。
ALD法的成膜是例如在形成TiN的薄膜時，藉由重複進行以下的i)~iv)那樣的一連串的工程來使薄膜堆積而去。
i)往處理容器內例如供給TiCl4氣體作為原料氣體， 使TiCl4附著於晶圓表面。
ii)以N2氣體來淨化處理容器內，藉此排除殘留的原料氣體。
iii)往處理容器內例如供給NH3氣體作為反應氣體，使與附著於晶圓表面的上述TiCl4反應而形成薄的一層的TiN膜。
iv)以N2氣體來淨化處理容器內，藉此排除殘留氣體。
ALD法是如在上述的TiN膜的成膜例所示般，必須以短時間間歇性地重複進行包含原料氣體的各種的氣體的供給及停止。在ALD裝置中，氣體的供給及停止是控制部會根據氣體供給處方，把訊號送給設在將氣體引導至處理容器內的氣體供給路之電磁閥，藉由使閥開閉來進行。利用ALD法的成膜處理的情況，相較於利用CVD法的成膜處理，閥的1次的開閉時間會變短，開閉頻率會極端地變多。因此，就ALD法而言，閥的故障或其構成零件的劣化等的狀態不佳，相較於CVD法，特別容易發生。並且，為了在ALD法中進行良好的成膜處理，需要嚴格地管理複數種類的氣體的切換，當閥的開閉未按控制部的指示進行時，發生成膜不良的可能性高。因此，在ALD裝置中，防範於未然迴避閥的異常成為重要。但，在ALD裝置中，由於閥的切換速度非常快，因此就既存的控制系統而言，有難以即時監視閥的開閉，掌握動作狀態的問題。
有關ALD法的成膜，在專利文獻1中，提案設置與系統控制電腦進行通訊，且與被電性控制的閥動作性地結合的可程式化邏輯控制器，將閥控制的更新時間縮短至10毫秒以下的閥控制系統。
並且，在專利文獻2中，提案一ALD裝置，其係具備：控制複數個閥的開閉狀態之控制裝置、及作成進行複數個閥的開閉狀態的設定的閥切換模式之模式作成裝置。在此專利文獻2中，模式作成裝置是將作成的閥切換模式寫入至控制裝置的內部區域，且將作成的閥切換模式保管於模式作成裝置的記憶媒體。然後，控制裝置是根據被寫入至內部區域的閥切換模式來進行複數的閥的切換，將此時的複數個閥的開閉狀態寫入至控制裝置的內部區域，且將被寫入至內部區域的複數個閥的開閉狀態保管於模式作成裝置的記憶媒體。如此，在專利文獻2中，可事後檢查閥動作的錯誤。
並且，在專利文獻3中，提案一在ALD裝置中，為了測定被脈衝狀供給至處理容器內的氣體的變化，而以感測器來檢知氣體流路的壓力或閥的振動等的特性參數，作為時間的函數來訊號顯示，藉此監視的方法。
在專利文獻1、2中雖揭示有可對應於閥的高速的開閉之ALD裝置，但有關即時掌握閥的異常方面未有任何的檢討。專利文獻3雖可依據特性參數的變化來間接性監視閥的狀態不佳，但因為不是直接性監視閥的開閉，所以有可能狀態不佳的檢出須花時間。
並且，在伴隨閥的高速的開閉的ALD裝置中，除了上述那樣硬體面的狀態不佳以外，有關軟體的狀態不佳也會容易發生。例如，在控制ALD裝置的控制部是進行藉由複數的軟體來同時實行任務的多任務處理。此情況，一旦任務處理的優先順序的設定不適當，則用以使閥高速開閉的控制訊號會趕不上以處方來設定的開閉時序，在現實的開閉動作產生延遲，有可能難以實現可靠度高的ALD製程。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2002-329674號公報(圖1等)
[專利文獻2]日本特開2010-153420號公報(申請專利範圍等)
[專利文獻3]日本特開2003-286575號公報(申請專利範圍等)
本發明的目的是在於掌握往處理容器內供給氣體的氣體供給系統的閥的動作狀態，即時檢測出或防範於未然迴避閥的異常。
本發明的處理裝置，係具備：處理容器，其係收容被處理體；氣體供給路，其係對應於被供給至上述處理容器內的處理氣體的種類來設於複數系統；複數的閥，其係分別配設於上述複數系統的氣體供給路，進行上述氣體供給路的開閉；閥驅動部，其係分別獨立電性驅動上述複數的閥；感測器部，其係分別獨立監視上述閥的開閉動作；及控制部，其係根據上述閥驅動部的開閉動作的訊號及來自上述感測器部的上述閥的開閉的檢測訊號，判定上述閥的動作狀態。
本發明的處理裝置亦可更具備：第1計數器部，其係取得給上述閥驅動部之開閉動作的指令訊號，計數開閉次數；及第2計數器部，其係從上述感測器部取得上述閥的開閉的檢測訊號，計數開閉次數，上述控制部係參照上述第1計數器部的計數值及上述第2計數器部的計數值來判定上述閥的動作狀態。
並且，在本發明的處理裝置中，上述控制部亦可當上述第1計數器部的計數值與上述第2計數器部的計數值一致時判定為正常，不一致時判定為閥異常。或，上述控制部亦可當上述第1計數器部的計數值與上述第2計數器部的計數值一致時判定為正常，不一致且該不一致的次數超過所定的臨界值時判定為閥異常。而且，上述第1計數器 部及上述第2計數器部係與上述控制部可連接訊號的傳送接收，接受其控制，且亦可設在控制上述控制部與終端裝置之間的輸出入訊號的下位的控制單元。
又，本發明的處理裝置亦可更具備第3計數器部，其係計數上述閥驅動部的開閉動作的訊號與來自上述感測器部的閥的開閉的檢測訊號的時間差，上述控制部亦可參照上述第3計數器部的計數值來判定上述閥的動作狀態。
此情況，上述第3計數器部的上述計數值可為來自上述閥驅動部的開放動作的訊號與來自上述感測器部的閥開放的檢測訊號的時間差的計數值，或，上述第3計數器部的上述計數值可為來自上述閥驅動部的閉動作的訊號與來自上述感測器部的閥閉的檢測訊號的時間差的計數值。而且，上述控制部亦可參照上述第3計數器部的上述計數值的最大值或最小值來進行判定。
並且，在本發明的處理裝置中，上述第3計數器部係與上述控制部可連接訊號的傳送接收，接受其控制，且亦可設在控制上述控制部與終端裝置之間的輸出入訊號的下位的控制單元。
又，上述下位的控制單元亦可當複數的閥之中一個閥的上述計數值超過臨界值時，使上述複數的閥之中1個以上形成閉狀態。
又，本發明的處理裝置亦可更具備第4計數器部，其係從上述感測器部分別取得上述複數的閥的開閉的檢測訊號，檢測出2個以上的閥的同時開放，計數其次數， 上述控制部亦可參照上述第4計數器部的計數值來判定上述閥的動作狀態。
又，本發明的處理裝置亦可更具備第1計時器部，其係取得給上述閥驅動部之開閉動作的指令訊號，計測開放時間的長度，上述控制部亦可參照上述第1計時器部的計測時間來判定給上述閥之動作的指令狀態。
又，本發明的處理裝置亦可更具備第2計時器部，其係從上述感測器部取得上述閥的開閉的檢測訊號，計測開放時間的長度，上述控制部亦可參照上述第2計時器部的計測時間來判定上述閥的動作狀態。
又，本發明的處理裝置亦可為對被處理體交替供給複數的種類的氣體來進行成膜的ALD(Atomic Layer Deposition)裝置。
本發明的閥動作確認方法，係於處理裝置中判定上述複數的閥的動作狀態，該處理裝置係具備：處理容器，其係收容被處理體；氣體供給路，其係對應於被供給至上述處理容器內的處理氣體的種類來設於複數系統；複數的閥，其係分別配設於上述複數系統的氣體供給路，進行上述氣體供給路的開閉；閥驅動部，其係分別獨立電性驅動上述複數的閥；感測器部，其係分別獨立監視上述閥的開閉動作；及 控制部，其係判定上述閥的動作狀態。
在此閥動作確認方法中，上述控制部係根據給上述閥驅動部之開閉動作的指令訊號及來自上述感測器部的上述閥的開閉的檢測訊號，判定上述閥的動作狀態。
又，本發明的閥動作確認方法亦可包含：取得給上述閥驅動部之開閉動作的指令訊號，計數其開閉次數來取得第1計數值之步驟；從上述感測器部取得上述閥的開閉的檢測訊號，計數其開閉次數來取得第2計數值之步驟；及根據上述第1計數值及上述第2計數值，判定上述閥的動作狀態之步驟。
又，本發明的閥動作確認方法亦可當上述第1計數值與上述第2計數值一致時判定為正常，不一致時判定為閥異常。或，亦可當上述第1計數值與上述第2計數值為一致時判定為正常，不一致且該不一致的次數超過所定的臨界值時判定為閥異常。而且，上述第1計數值及上述第2計數值亦可為藉由下位的控制單元所生成者，該下位的控制單元係與上述控制部可連接訊號的傳送接收，接受其控制，且控制上述控制部與終端裝置之間的輸出入訊號。
又，本發明的閥動作確認方法亦可包含：計數上述閥驅動部的開閉動作的訊號與來自上述感測器部的閥的開閉的檢測訊號的時間差，而取得第3計數值之步驟；及參照上述第3計數值來判定上述閥的動作狀態之步 驟。
此情況，上述第3計數值亦可為給上述閥驅動部之開放動作的指令訊號與來自上述感測器部的閥開放的檢測訊號的時間差的計數值。或，上述第3計數值亦可為給上述閥驅動部之閉動作的指令訊號與來自上述感測器部的閥閉的檢測訊號的時間差。
並且，在本發明的閥動作確認方法中，上述控制部亦可參照上述第3計數值的最大值或最小值來進行判定。
並且，在本發明的閥動作確認方法中，上述第3計數值亦可為藉由下位的控制單元所生成者，該下位的控制單元係與上述控制部可連接訊號的傳送接收，接受其控制，且控制上述控制部與終端裝置之間的輸出入訊號。
又，上述下位的控制單元亦可當複數的閥之中一個閥的上述第3計數值超過臨界值時，使上述複數的閥之中1個以上形成閉狀態。
又，本發明的閥動作確認方法亦可包含：從上述感測器部來分別取得上述複數的閥的開閉的檢測訊號，藉此檢測出2個以上的閥的同時開放，計數其次數而取得第4計數值之步驟；及參照上述第4計數值來判定上述閥的動作狀態之步驟。
又，本發明的閥動作確認方法亦可包含：取得給上述閥驅動部之開閉動作的指令訊號，計測其開放時間的長度而取得第1計測時間之步驟；及 根據上述第1計測時間，判定給上述閥之動作的指令狀態之步驟。
又，本發明的閥動作確認方法亦可包含：從上述感測器部取得上述閥的開閉的檢測訊號，計測其開放時間的長度而取得第2計測時間之步驟；及根據上述第2計測時間，判定上述閥的動作狀態之步驟。
又，本發明的閥動作確認方法，亦可為對被處理體交替供給複數的種類的氣體來進行成膜的ALD(Atomic Layer Deposition)製程中所被實行者。
若根據本發明，則可根據閥驅動部的開閉動作的訊號及來自感測器部之閥的開閉的檢測訊號，確認閥的動作，藉此迅速地檢測出或防範於未然迴避閥的開閉的異常。
以下，參照圖面來詳細說明有關本發明的實施形態。
[第1實施形態] <成膜裝置的構成例>
首先，參照圖1來針對第1實施形態的處理裝置進行說明。圖1是表示構成可例如對於作為基板的半導體晶圓(以下簡稱為「晶圓」)W進行ALD法的成膜處理之成膜 裝置100的概略構成例。此成膜裝置100是具有構成氣密的大致圓筒狀的處理容器1。在處理容器1之中是配備有用以水平支撐被處理體的晶圓W之基座3。基座3是藉由圓筒狀的支撐構件5來支撐。並且，在基座3中是埋入有未圖示的加熱器，藉由對此加熱器供電來將晶圓W加熱至所定的溫度。
在處理容器1的頂壁1a是設有氣體導入部11。在此氣體導入部11是形成有未圖示的氣體吐出孔。並且，在氣體導入部11連接氣體供給路的配管13。此配管13是配管31，41，51，61合流者，該等配管31，41，51，61是分別連接至供給成膜原料氣體等的氣體供給源20。
圖1的成膜裝置100是在晶圓W表面藉由ALD法來形成TiN膜的情況。此情況，氣體供給源20是具有：作為淨化氣體源的N2氣體供給源30，作為反應氣體源的NH3氣體供給源40，作為原料氣體源的TiCl4氣體供給源50，作為別的淨化氣體源的N2氣體供給源60。
N2氣體供給源30是經由配管31、13來連接至氣體導入部11。在配管31是設有閥33、流量控制用的MFC(質量流控制器)35及腔室閥37。
NH3氣體供給源40是經由配管41、13來連接至氣體導入部11。在配管41是設有閥43、流量控制用的MFC(質量流控制器)45及腔室閥47。並且，在配管41中，在比腔室閥47更近NH3氣體供給源40的氣體的供給方向上游側是設有緩衝槽48。在緩衝槽48是附設有計測內部 的壓力的壓力計48A。
TiCl4氣體供給源50是經由配管51、13來連接至氣體導入部11。TiCl4氣體供給源50是具備未圖示的氣化器。在配管51是設有閥53、流量控制用的MFC(質量流控制器)55及腔室閥57。並且，在配管51中，在比腔室閥57更近TiCl4氣體供給源50的氣體的供給方向上游側是設有緩衝槽58。在緩衝槽58是附設有計測內部的壓力的壓力計58A。
N2氣體供給源60是經由配管61、13來連接至氣體導入部11。在配管61是設有閥63、流量控制用的MFC(質量流控制器)65及腔室閥67。
腔室閥37，47，57，67是分別在配管31，41，51，61中，設在最接近處理容器1的位置的閥。該等，藉由開放腔室閥37，47，57，67來進行往處理容器1內的各氣體的導入，藉由關閉腔室閥37，47，57，67來停止往處理容器1內的各氣體的導入。
腔室閥37，47，57，67皆是可高速的開閉的電磁閥(螺線管閥)。在圖1中，基於說明的方便起見，針對各腔室閥37，47，57，67圖示作為閥驅動部的螺線管37a，47a，57a，67a。另外，螺線管37a，47a，57a，67a是腔室閥37，47，57，67的一構成部分。
並且，在各腔室閥37，47，57，67是配備有例如由位置感測器等所構成的腔室閥感測器(CV感測器)39，49，59，69，作為感測器部。CV感測器39，49，59，69是 分別監視藉由螺線管37a，47a，57a，67a來驅動的各腔室閥37，47，57，67的開閉狀態。
另外，在圖1的成膜裝置100是顯示反應氣體、原料氣體及淨化氣體的供給源，但氣體供給源20是亦可具有用以洗滌例如處理容器1內的洗滌氣體供給源等的其他氣體源，配管，閥等。
在處理容器1的底壁1b形成有排氣口1c，在此排氣口1c是經由排氣管71來連接排氣裝置70。然後，藉由使此排氣裝置70作動，構成可將處理容器1內減壓至所定的真空度。
<控制系統的構成例>
其次，一邊參照圖1、圖2及圖3，一邊說明有關成膜裝置100的控制系統的概要。成膜裝置100是如後述般，藉由模組控制器(Module Controller；MC)401來控制成可在處理容器1內進行所定的處理。
圖2是表示在含成膜裝置100的基板處理系統(未圖示)的控制系統中，有關進行ALD製程的成膜裝置100的控制之部分的概略。基板處理系統的全體的控制或構成作為製成舟的成膜裝置100的各構成部亦即終端裝置201的控制是藉由控制部300來進行。在此，作為終端裝置201是例如可舉圖1所示的成膜裝置100的腔室閥37，47，57，67(螺線管37a，47a，57a，67a)、MFC35，45，55，65、CV感測器39，49，59，69、排氣裝置70等。
如圖2所示般，控制部300主要的構成是以成膜裝置100為首，具備對應於基板處理系統的各處理裝置而設的個別的控制部的複數個MC401、及控制基板處理系統全體的統括控制部的EC(Equipment Controller)301、以及連接至EC301的使用者介面501。另外，MC401是在基板處理系統中，不僅成膜裝置100，例如在進行其他處理的處理裝置或裝載饋定室(Load Lock chamber)、裝載機單元中也可配備，該等也是在EC301之下統括，但在此省略圖示及說明。
(EC)
EC301是統括各MC401來控制基板處理系統全體的動作的統括控制部。EC301是具有：CPU(中央運算裝置)303、作為揮發性記憶體的RAM305、及作為記憶部的硬碟裝置307。EC301與各MC401是藉由系統內LAN(Local Area Network)503來連接。系統內LAN503是具有交換式集線器(HUB)505。此交換式集線器505是按照來自EC301的控制訊號進行作為EC301的連接目的地的MC401的切換。
並且，EC301是經由LAN601來連接至主電腦603，該主電腦603是作為管理設置有基板處理系統的工廠全體的製造工程的MES(Manufacturing Execution System)。主電腦603是與控制部300合作將有關工廠的各種工程的即時資訊反餽至基幹業務系統(圖示省略)，且考慮工廠全體 的負荷等來進行有關工程的判斷。
並且，在EC301也連接使用者介面501。使用者介面501是具有為了工程管理者管理基板處理系統而進行命令的輸入操作等的鍵盤，或使基板處理系統的運轉狀況可視化顯示的顯示器、機械式開關等。
EC301是對於電腦可讀取的記憶媒體(以下簡稱為記憶媒體)507可記錄資訊，且可從記憶媒體507讀取資訊。控制程式或處方是例如可藉由安裝於以儲存於記憶媒體507的狀態者作為記憶部的硬碟裝置307來加以利用。可使用例如CD-ROM、硬碟、軟碟、快閃記憶體、DVD等，作為記憶媒體507。並且，上述處方是亦可從其他的裝置經由例如專線來使隨時傳送而線上利用。
在EC301中，CPU303會從硬碟裝置307或記憶媒體507讀出包含有關在使用者介面501藉由使用者等所指定的晶圓W的處理方法的處方的程式(軟體)。然後，藉由從EC301傳送該程式至各MC401，構成可藉由各MC401來控制以成膜裝置100為首的處理裝置的處理。以下，說明有關成膜裝置100與予以控制的MC401的關係。
(MC)
MC401是作為控制成膜裝置100的動作之個別的控制部來設置。MC401是如圖3所示般，具有CPU403、RAM等的揮發性記憶體部405、作為I/O資訊記憶部的非揮發性記憶體部407、及I/O控制部409。
MC401的非揮發性記憶體部407是例如藉由SRAM、MRAM、EEPROM、快閃記憶體等的非揮發性記憶體所構成。在非揮發性記憶體部407是保存有成膜裝置100的各種的履歴資訊例如基座3的加熱器的更換時間，排氣裝置70的運轉時間等。並且，非揮發性記憶體部407是亦具有作為I/O資訊記憶部的機能，如後述般構成可將在MC401與各終端裝置201之間交換的各種的I/O資訊(特別是數位．輸出資訊DO及類比．輸出資訊AO)隨時寫入至非揮發性記憶體部407而保存。
(I/O模組)
MC401的I/O控制部409是對I/O(輸出入)模組413送出各種的控制訊號，或從I/O模組413接受有關各終端裝置201的現狀資訊等的訊號。MC401之各終端裝置201的控制是經由I/O模組413來進行。I/O模組413是進行往各終端裝置201的控制訊號及來自終端裝置201的輸入訊號的傳達。各MC401是經由網路411來分別連接至I/O模組413。被連接至各MC401的網路411是例如具有通道CH0，CH1，CH2之類的複數的系統。
I/O模組413是具有被連接至構成成膜裝置100的各終端裝置201的複數個I/O板415。此I/O板415是根據MC401的支配來動作的下位的控制單元。I/O模組413的數位訊號、類比訊號及串聯訊號的輸出入的控制是在該等的I/O板415中進行。另外，在圖1、圖2中，基於方便 起見，僅代表性圖示一部分的終端裝置201(螺線管37a，47a、CV感測器39，49)與I/O板415的連接。
在I/O板415中所被管理的輸出入資訊是包含數位．輸入資訊DI、數位．輸出資訊DO、類比．輸入資訊AI、類比．輸出資訊AO的4種。數位．輸入資訊DI是有關從位於控制系統的下位的各終端裝置201往位於控制系統的上位的MC401輸入的數位資訊。數位．輸出資訊DO是有關從位於控制系統的上位的MC401往位於控制系統的下位的各終端裝置201輸出的數位資訊。類比．輸入資訊AI是有關從各終端裝置201往MC401輸入的類比資訊。類比．輸出資訊AO是有關從MC401往各終端裝置201輸出的類比資訊。
在數位．輸入資訊DI及類比．輸入資訊AI中例如含有關於各終端裝置201的現狀的資訊。在數位．輸出資訊DO及類比．輸出資訊AO中例如含有關於對各終端裝置201的製程條件等的值的設定或指令(命令)。另外，數位資訊是例示有各腔室閥37、47、57、67(螺線管37a，47a，57a，67a)的開閉、排氣裝置70的ON/OFF或排氣系統的閥(未圖示)的開閉等的資訊。並且，類比資訊是例示有基座3的加熱器(未圖示)的設定溫度，MFC35、45、55、65的設定流量等的資訊。
上述4種的輸出入資訊DI，DO，AI，AO是對應於各個的內容來賦予I/O位址。在各I/O位址中例如含有16位元(0~15)的數位資訊或類比資訊。類比資訊是例如以 0~FFF的16進位來表示。並且，在各I/O位址中分配有I/O位址號碼Addr。如上述般，被連接至各MC401的網路411是具有複數的通道例如CH0，CH1，CH2...。並且，在各I/O板415是分配有從數字的1開始的節點號碼Node。因此，可依照通道號碼、及1~n(n是整數)的節點號碼Node、及I/O位址號碼Addr的3種類的參數來特定4種的輸出入資訊DI，DO，AI，AO的I/O位址。另外，有關各輸出入資訊的詳細內容是省略圖示及說明。
(計數器部)
本實施形態的成膜裝置100是在I/O板415具有2個的計數器部，作為閥開閉次數計數手段。第一個的計數器部是作為接受腔室閥37，47，57，67的螺線管37a，47a，57a，67a的驅動DO訊號(CV螺線管DO)的反餽DI訊號來計數各螺線管37a，47a，57a，67a的驅動次數(亦即腔室閥37，47，57，67的開閉次數)的第1計數器部的DO開閉計數器421。在圖2中，代表性地將有關螺線管37a、47a的DO開閉計數器421圖示於I/O板415內。第二個的計數器部是作為接受來自分別附設在腔室閥37，47，57，67的各CV感測器39，49，59，69的DI訊號來計數腔室閥37，47，57，67的開閉次數的第2計數器部的DI開閉計數器423。在圖2中，代表性地將有關CV感測器39，49的DI開閉計數器423圖示於I/O板415內。該等2個的計數器部是例如利用搭載於I/O板415的 FPGA(Field Programmable Gate Array)等的韌體來設置。有關DO開閉計數器421及DI開閉計數器423的詳細會在往後敘述。
就具有以上的構成的控制部300而言，被連接至複數的終端裝置201的I/O板415會被模組化而構成I/O模組413。而且，此I/O模組413會經由MC401及交換式集線器505來連接至EC301。如此，複數的終端裝置201不會直接被連接至EC301，藉由使I/O模組413及MC401介在而連接的構成來實現控制系統的階層化。並且，就本實施形態而言，是一面維持上述EC301→MC401→I/O模組413→終端裝置201的控制系統的基本構成，一面在比MC401下位的控制單元的I/O板415設置DO開閉計數器421及DI開閉計數器423，成為計數腔室閥37，47，57，67的開閉次數的構成。亦即，利用比MC401更接近腔室閥37，47，57，67的下位的控制單元來計數腔室閥37，47，57，67的開閉次數，MC401可讀取其結果。藉此，在成膜裝置100實施ALD製程的期間，MC401不是在每次開閉確認被高速開閉的腔室閥37，47，57，67的開閉狀態，而是只要確認ALD的1循環的每所定次數或每任意的步驟或每1片的晶圓W的處理等的每一定期間所被累計的開閉次數即可，因此可不對MC401造成高負荷，正確地確認閥的開閉動作。
<ALD製程>
成膜裝置100是在基座3載置晶圓W的狀態下，一面藉由未圖示的加熱器來加熱晶圓W，一面從氣體導入部11往晶圓W供給處理氣體，藉此可藉由ALD法在晶圓W的表面形成所定的薄膜。例如TiN膜之利用ALD法的成膜是以以下的1)~7)的一連串的工程(步驟)作為1循環，重複進行複數個循環，藉此使薄膜堆積。
1循環的ALD製程：
1)將腔室閥57開放，從TiCl4氣體供給源50往處理容器1內供給作為原料氣體的TiCl4氣體，而使TiCl4附著於晶圓W表面。
2)將腔室閥57關閉，停止TiCl4氣體的供給。
3)將腔室閥67開放，從N2氣體供給源60往處理容器1內導入N2氣體，淨化處理容器1內，藉此排除殘留的TiCl4氣體。
4)將腔室閥67關閉，停止N2氣體的供給。
5)將腔室閥47開放，從NH3氣體供給源40往處理容器1內供給作為反應氣體的NH3氣體，使與附著於晶圓W表面的TiCl4反應而形成薄的一層的TiN膜。
6)將腔室閥47關閉，停止NH3氣體的供給。
7)將腔室閥37開放，從N2氣體供給源30往處理容器1內導入N2氣體，淨化處理容器1內，藉此排除殘留的NH3氣體。
在ALD製程中，因為重複上述循環，所以為了進行 良好的成膜處理，需要短時間間歇性重複正確進行氣體的供給及停止。為此，特別是腔室閥37，47，57，67的開閉頻率會顯著變多，故障或構成零件的劣化等所造成的動作異常等的狀態不佳相較於CVD法特別容易發生。因此，在ALD製程中，迅速檢測出腔室閥37，47，57，67的異常，或防範於未然迴避成為重要。本實施形態是在I/O板415設置上述DO開閉計數器421及DI開閉計數器423，藉此可早期地判定腔室閥37，47，57，67的狀態不佳。
<腔室閥動作狀態的檢測>
圖4A是摘錄腔室閥開閉的控制系統及CV感測器的控制系統而顯示者。圖4B是表示DO開閉計數器421及DI開閉計數器423的計數原理的時序圖。在圖4B中，腔室閥的開閉的時序及在CV感測器所檢測出之開閉的檢測訊號的關係也顯示出。在此，代表性地舉腔室閥37及CV感測器39為例進行說明。
在成膜裝置100進行ALD製程的期間，為了使腔室閥37驅動，而來自MC401的數位．輸出資訊之CV螺線管DO訊號會經由訊號傳達手段的光耦合器80A來傳達至腔室閥37的螺線管37a。同時，此驅動訊號是經由訊號傳達手段的光耦合器80B來往MC401作為數位．輸入資訊DI反餽。在I/O板415上的DO開閉計數器421接受此反餽DI訊號的一部分，作為腔室閥37的開閉次數來計數。
另一方面，在成膜裝置100進行ALD製程的期間， CV感測器39是將閥開閉的物理性的檢測訊號之CV感測器DI訊號予以經由光耦合器80C來往MC401作為數位．輸入資訊DI傳送。在I/O板415上的DI開閉計數器423接受此CV感測器DI訊號的一部分，作為腔室閥37的開閉次數來計數。
在圖4B的時序圖中，反餽DI訊號(與CV螺線管DO訊號同波形)的矩形部分的上升是意思將腔室閥37開放的指令訊號，下降是意思將腔室閥37關閉的指令訊號。在圖4B中，是以虛線的箭號來表示反餽DI訊號的上升與DO開閉計數器421的計數值(A)的對應關係。同樣，CV感測器DI訊號的矩形部分的上升是意思檢測出腔室閥37被開放的訊號，下降是意思檢測出腔室閥37被關閉的訊號。在圖4B中，是以虛線的箭號來表示CV感測器DI訊號的上升與DI開閉計數器423的計數值(B)的對應關係。另外，在圖4B中，DO開閉計數器421的計數值(A)=DI開閉計數器423的計數值(B)=4。
DO開閉計數器421及DI開閉計數器423皆是16位元的計數器，如圖4B所示般，依據來自MC401的開始(START)/停止(STOP)指令來計數開始/停止，依據重置(RESET)指令來歸零清除。在成膜裝置100中，例如可配合1片的晶圓W的處理的開始/終了來使計數START/STOP，且預先設定的每複數個晶圓W的處理之間亦可繼續計數。或，亦可以1片的晶圓W的處理之中的ALD循環單位或ALD的步驟單位來使計數START/STOP ，此情況，可在對1片的晶圓W之處理的實行中檢測出異常。DO開閉計數器421及DI開閉計數器423的計數值是作為16位元的資料來往MC401傳送。
(判定方法)
根據DO開閉計數器421及DI開閉計數器423之腔室閥37的動作狀態的判定是例如將MC401的軟體(處方)之腔室閥37的開閉指令次數(螺線管37a的驅動指令次數)設為X，將DO開閉計數器421的計數值設為A，將DI開閉計數器423的計數值設為B時，可如以下般進行。此判定是可藉由MC401的別的軟體(處方)來進行。
X=A=B：正常
X≠A：DO開閉計數器421、CV螺線管DO電路及光耦合器80A的狀態不佳，A≠B：有關聯於腔室閥37的異常
在此，所謂「關聯於腔室閥37的異常」，正確的是意指腔室閥37、螺線管37a、CV感測器39及有關該等的配線、配管31，13等的狀態不佳。成為上述A≠B，被檢測出異常時，例如可進行在使用者介面501的顯示器顯示其意旨，或MC401對終端裝置201終端裝置201送出中止成膜裝置100的ALD製程的控制訊號等的處理。在判定時，A≠B時，當計數值A與計數值B的差(亦即，腔室閥37的指令開閉次數與檢出開閉次數的差)未達所定的臨 界值時，繼續ALD製程，當計數值A與計數值B的差超過所定的臨界值時，亦可設定成中止ALD製程，當作閥異常。因為當計數值A與計數值B的差極小時，可想像對ALD製程造成的影響也少。MC401之計數值的讀取是在ALD製程中(計數中)也可能，可即時檢測出腔室閥37的動作狀態。
在此，將本實施形態的腔室閥37的動作狀態的判定方法的程序的一例顯示於圖5。在圖5所示的程序是舉將DO開閉計數器421及DI開閉計數器423的差分與所定的臨界值作比較時為例。在圖5中，首先，在步驟S1是MC401會取得DO開閉計數器421的計數值A。其次，在步驟S2是MC401會取得DI開閉計數器423的計數值B。其次，在步驟S3是MC401會運算二個計數值的差分，判定其絶對值|A-B|是否超過預先被設定的所定的臨界值。此步驟S3的計數值的運算及判定是藉由具有作為判定手段的機能之MC401來進行。並且，在步驟S3所使用的臨界值是可使用例如被保存於MC401的非揮發性記憶體部407者。另外，MC401是在取得DI開閉計數器423的計數值B之後，亦可取得DO開閉計數器421的計數值A，或同時取得計數值A、B。
在步驟S3，當判定成絶對值|A-B|超過預先被設定的所定的臨界值(Yes)時，在其次步驟S4中，MC401會送出控制訊號，例如使ALD製程中止。另外，在步驟S4中，亦可實施不立即使ALD製程停止，例如在使用者介面 501的顯示器進行警告顯示等的其他處理。
另一方面，在步驟S3判定成絶對值|A-B|未超過預先被設定的所定的臨界值(No)時，再度回到步驟S1。然後，可至例如對1片的晶圓W的成膜處理終了或在步驟S3被判定成絶對值|A-B|超過預先被設定的所定的臨界值(Yes)為止重複圖5的程序。
如此，在本實施形態的成膜裝置100中，因為將腔室閥37的開閉次數直接設為監視對象，所以可迅速且確實地檢測出關聯於腔室閥37的異常或其徵候。並且，為了將高速重複開閉的腔室閥37的開閉次數直接設為監視對象，本實施形態是在控制MC401與終端裝置201之間的輸出入訊號之下位的控制單元的I/O板415設置DO開閉計數器421及DI開閉計數器423，藉此抑制與MC401之間的通訊資料量，可迅速地進行腔室閥37的狀態不佳的檢出。
以上，舉例說明腔室閥37，但有關腔室閥47，57，67的開閉的動作狀態也可利用DO開閉計數器421及DI開閉計數器423來同樣的判定。上述TiN膜的ALD成膜製程時，若將各腔室閥37，47，57，67的開閉的切換的最小時間設為50ms，則1循環(N2氣體淨化→TiCl4氣體供給→N2氣體淨化→NH3氣體供給)的處理是成為200ms。因此，就16位元的DO開閉計數器421及DI開閉計數器423而言，至200ms×216=218分的計數為可能。
如以上說明般，本實施形態的成膜裝置100是在屬於 MC401的下位的控制單元的I/O板415內設置關於腔室閥37，47，57，67的開閉的DO開閉計數器421及DI開閉計數器423。然後，可利用該等DO開閉計數器421的計數值A及DI開閉計數器423的計數值B來迅速地檢測出開閉被高速切換的腔室閥37，47，57，67的動作狀態。
[第2實施形態]
其次，參照圖6~10來說明有關本發明的第2實施形態的成膜裝置。在本實施形態中，如圖6所示般，在屬於比MC401更下位的控制單元的I/O板415設置2個的計數器部，作為計測各螺線管37a，47a，57a，67a的驅動DO訊號的反餽DI訊號與來自各CV感測器39，49，59，69的DI訊號之間的相對性時間差的第3計數器部。第一個的計數器部是計測依據上述2個DI訊號的時間差所取得的腔室閥37，47，57，67的上升延遲時間的上升延遲時間計數器431。第二個的計數器部是計測依據上述2個DI訊號的時間差所取得的腔室閥37，47，57，67的下降延遲時間的下降延遲時間計數器433。在此，「上升」是意思閥的開放動作，「下降」是意思閥的閉動作。在本實施形態的成膜裝置中，上述2個的計數器部以外的構成是與第1實施形態的成膜裝置100同樣，因此在以下的說明是以相異點為中心進行說明。
圖7A是摘錄腔室閥的開閉的控制系統及CV感測器的控制系統來顯示者。圖7B是表示上升延遲時間計數器 431及下降延遲時間計數器433的計數原理的時序圖。在圖7B也顯示腔室閥的開閉的時序與在CV感測器所檢測出的開閉的檢測訊號的關係。在此是代表性地舉腔室閥37及CV感測器39為例進行說明。
在成膜裝置進行ALD製程的期間，為了驅動腔室閥37，來自MC401的數位．輸出資訊之CV螺線管DO訊號是經由光耦合器80A來傳達至腔室閥37的螺線管37a。同時，此驅動訊號是經由光耦合器80B來往MC401作為數位．輸入資訊DI反餽。在I/O板415上的上升延遲時間計數器431及下降延遲時間計數器433分別接受此反餽DI訊號的一部分。
另一方面，在成膜裝置100進行ALD製程的期間，CV感測器39是將閥開閉的檢測訊號之CV感測器DI訊號予以經由光耦合器80C來往MC401作為數位．輸入資訊DI傳送。在I/O板415上的上升延遲時間計數器431及下降延遲時間計數器433分別接受此CV感測器DI訊號的一部分。
在上升延遲時間計數器431及下降延遲時間計數器433是分別計數上述2個訊號的時間差。亦即，在上升延遲時間計數器431是求取反餽DI訊號與CV感測器DI訊號的上升的時間差(延遲時間)，在下降延遲時間計數器433是求取兩訊號的下降的時間差(延遲時間)。
在圖7B的時序圖中，反餽DI訊號(與CV螺線管DO訊號同波形)的矩形部分的上升是意思將腔室閥37開放的 指令訊號，下降是意思將腔室閥37關閉的指令訊號。同樣，CV感測器DI訊號的矩形部分的上升是意思檢測出腔室閥37被物理性開放的訊號，下降是意思檢測出腔室閥37被物理性關閉的訊號。在圖7B中，是以△ta(△ta1、△ta2、△ta3、△ta4．．．)來表示在上升延遲時間計數器431所被計測的上升延遲時間，以△tb(△tb1、△tb2、△tb3、△tb4．．．)來表示在下降延遲時間計數器433所被計測的下降延遲時間。而且，在圖7B中，是以虛線的箭號來表示在上升延遲時間計數器431所被計測的CV感測器DI訊號的上升的時序與被計數的上升延遲時間△ta(△ta1、△ta2、△ta3、△ta4．．．)的對應關係。並且，在圖7B中，是以虛線的箭號來表示在下降延遲時間計數器433所被計測的反餽DI訊號的下降的時序與被計數的下降延遲時間△tb(△tb1、△tb2、△tb3、△tb4．．．)的對應關係。
上升延遲時間計數器431及下降延遲時間計數器433皆是16位元的計數器，如圖7B所示般，依據來自MC401的START/STOP指令來計數開始/停止。上升延遲時間計數器431及下降延遲時間計數器433的取樣時脈是例如可設為0.1ms。在上升延遲時間計數器431及下降延遲時間計數器433所取得的計數值是作為16位元的資料來往MC401傳送。並且，亦可作為附加的機能，在上升延遲時間計數器431及下降延遲時間計數器433設置記憶部，求取△ta、△tb的值的最大值及/或最小值來往MC401傳送。此情況，該等的值是如圖7B所示般，依據來自 MC401的START/STOP指令來開始/停止記憶，依據RESET指令來歸零清除。在本實施形態的成膜裝置100中，例如亦可配合1片的晶圓W的處理的開始/終了來求取△ta、△tb的值的最大值或最小值，或求取預先設定的每複數的晶圓W的處理之間的該等的值。
(判定方法)
根據上升延遲時間計數器431及/或下降延遲時間計數器433之腔室閥37的動作狀態的判定是可事先測定正常動作時的延遲時間△ta、△tb的值，分別將實際動作時所被觀測的△ta、△tb的值與正常動作時的△ta、△tb作比較。然後，若實際動作時的△ta、△tb的值與正常動作時的△ta、△tb的值大不同，則可判定成有可能包含螺線管37a的腔室閥37劣化，CV感測器39位置偏移，調整偏差等。此情況，亦可將實際動作時所被觀測的延遲時間△ta、△tb的值與預先被設定的延遲時間的臨界值作比較。而且，亦可將實際動作時所被觀測的△ta、△tb的值的最大值及/或最小值與預先被設定的延遲時間的最大值或最小值的臨界值作比較。
以上的判定是可藉由MC401的軟體(處方)來進行。當腔室閥37的狀態不佳被檢測出時，MC401會送出控制訊號，例如可進行中止成膜裝置100的ALD製程等的處理。計數值的讀取是在計數中也可能，可即時監視腔室閥37的動作狀態。並且，在16位元的上升延遲時間計數器 431及下降延遲時間計數器433是可將上述△ta及△tb分別計數至0.1ms×216=6.5秒。
在此，將本實施形態的腔室閥37的動作狀態的判定方法的程序的一例顯示於圖8。另外，圖8所示的程序是舉將上升延遲時間計數器431的延遲時間與所定的臨界值作比較時為例，但有關下降延遲時間計數器433的延遲時間也可同樣的判定，或亦可根據上升延遲時間計數器431的延遲時間及下降延遲時間計數器433的延遲時間的雙方來進行判定。
在圖8中，首先，在步驟S11中，MC401會取得上升延遲時間計數器431的延遲時間△ta。其次，在步驟S12中，MC401會判定延遲時間△ta是否超過預先被設定的所定的臨界值。此步驟S12之與臨界值的比較是藉由具有作為判定手段的機能之MC401來進行。並且，在步驟S12所使用的臨界值是可根據正常動作時的延遲時間△ta來設定，例如可根據正常動作時的延遲時間△ta的最大值來設定。此臨界值是可使用例如被保存於MC401的非揮發性記憶體部407者。
在步驟S12，被判定成延遲時間△ta超過臨界值(Yes)時，在其次步驟S13中，MC401會送出控制訊號，例如使ALD製程中止。另外，在步驟S13中，亦可實施不立即使ALD製程停止，例如在使用者介面501的顯示器進行警告顯示等的其他處理。
另一方面，在步驟S12被判定成延遲時間△ta未超過 臨界值(No)時，再度回到步驟S11。然後，可至例如對1片的晶圓W的成膜處理終了或在步驟S12被判定成延遲時間△ta超過臨界值(Yes)為止重複圖8的程序。
如此，在本實施形態的成膜裝置中，因為是以腔室閥37的開閉動作的延遲時間作為監視對象，所以在腔室閥37故障而不能開閉之前，可在預兆的階段檢測出。並且，為了以高速重複開閉的腔室閥37的開閉動作的延遲時間作為監視對象，本實施形態是在控制MC401與終端裝置201之間的輸出入訊號的下位的控制單元的I/O板415設置上升延遲時間計數器431及下降延遲時間計數器433。藉此，可抑制與MC401之間的通訊資料量，正確地求取腔室閥37的開閉動作的延遲時間。
以上，舉腔室閥37為例進行說明，但有關腔室閥47，57，67的開閉動作也可利用上升延遲時間計數器431及/或下降延遲時間計數器433來同樣的判定。
若根據本實施形態，則可根據藉由上升延遲時間計數器431及/或下降延遲時間計數器433所計測的延遲時間△ta、△tb來檢測出腔室閥37，47，57，67的動作狀態。藉由利用延遲時間△ta、△tb來掌握作為腔室閥37，47，57，67的開閉次數未出現的異常的徵候(零件的劣化等)，因此防範於未然迴避腔室閥37，47，57，67的狀態不佳的發生。
本實施形態的成膜裝置的其他的構成及效果是與第1實施形態同樣。
<變形例>
其次，參照圖9及圖10來說明有關第2實施形態的變形例。
在本變形例中，當藉由上升延遲時間計數器431及/或下降延遲時間計數器433所計測的上升延遲時間△ta、下降延遲時間△tb的任一值超過所定的臨界值時，控制成強制性地關閉1個以上的腔室閥。圖9是摘錄腔室閥的開閉的控制系統與CV感測器的控制系統來顯示者。圖10是表示上升延遲時間計數器431及/或下降延遲時間計數器433的計數原理的時序圖。在圖10也顯示腔室閥的開閉的時序與在CV感測器所檢測出的開閉的檢測訊號的關係。在此是代表性舉腔室閥37及CV感測器39為例進行說明。
在圖9中，上升延遲時間計數器431及/或下降延遲時間計數器433是例如皆為8位元的計數器，以1ms單位來與上述同樣計測延遲時間△ta、△tb。就8位元的計數器而言，至1ms×28=256ms的延遲時間△ta、△tb的計測為可能。
在本變形例中是將藉由上升延遲時間計數器431及/或下降延遲時間計數器433所計測的延遲時間△ta、△tb的值與預先被設定的延遲時間的臨界值作比較。然後，當腔室閥37的延遲時間△ta、△tb的任一個值超過臨界值時，例如強制性地關閉影響製程處理的閥之腔室閥47，57(強制CLOSE)。在圖10是顯示△tb2的值超過臨界值的情 況。另外，亦可將藉由上升延遲時間計數器431及/或下降延遲時間計數器433所計測的延遲時間△ta、△tb的值的最大值及/或最小值與預先被設定的延遲時間的臨界值作比較。臨界值是可藉由來自MC401的軟體(處方)的類比．輸出資訊AO所取得。當臨界值的設定為0(無)時，強制CLOSE是不被實行。
強制CLOSE的指令是如圖9所示般，在上升延遲時間計數器431或下降延遲時間計數器433中，生成命令強制CLOSE的CV螺線管DO訊號，往螺線管47a，57a同時傳送。藉此，腔室閥47，57會被關閉。並且，在將腔室閥47，57強制CLOSE時是作為數位．輸入資訊DI來通知MC401。腔室閥47，57的強制CLOSE及對MC401的DI通知是藉由來自MC401的軟體(處方)的數位．輸出資訊DO來保持至被進行重置為止。
本變形例是使I/O板415具有使腔室閥37，47，57，67的其中1個以上強制CLOSE的機能，藉此當腔室閥37，47，57，67的任一個產生狀態不佳時，不會原封不動使ALD製程續行，即時使停止。藉此，可將良品率的降低壓在最小限度。
以上，舉腔室閥37為例進行說明，但藉由利用上升延遲時間計數器431及/或下降延遲時間計數器433，根據腔室閥47，57，67的開閉動作，也可與上述同樣進行強制CLOSE的控制。
[第3實施形態]
其次，參照圖11~圖13來說明有關本發明的第3實施形態的成膜裝置。本實施形態的成膜裝置是具備檢測出2個以上的腔室閥同時被開放的狀態來計數的計數器部。具體而言，如圖11所示般，在屬於比MC401更下位的控制單元的I/O板415設有同時開放計數器441，作為根據來自CV感測器39，49，59，69的各CV感測器DI訊號，檢測出腔室閥37，47，57，67之中2個以上同時被開放的狀態，予以計數的第4計數器部。在本實施形態的成膜裝置中，上述計數器部以外的構成是與第1實施形態的成膜裝置100同樣，因此在以下的說明是以相異點為中心進行說明。
在ALD製程中，為了以上述一連串的工程作為1循環，重複進行複數的循環，需要交替開閉各腔室閥37，47，57，67。但，若例如腔室閥47與腔室閥57同時被開放，則在處理容器1內，TiCl4氣體與NH3氣體會同時被供給，不是ALD製程，而是形成通常的CVD製程。為了迴避如此的狀態不佳高頻率發生的事態，本實施形態的成膜裝置是如圖11所示般，在I/O板415設置同時開放計數器441。同時開放計數器441是取得來自CV感測器39，49，59，69之腔室閥37，47，57，67的開閉的檢測訊號，將腔室閥37，47，57，67之中，製程上同時開啟為不理想的2個以上的閥同時被開放的情形予以檢測出、計數。
圖12是摘錄包含同時開放計數器441的CV感測器的控制系統來顯示者。各腔室閥37，47，57，67的開閉的檢測訊號是分別從對應的CV感測器39，49，59，69作為CV感測器DI訊號來往MC401傳送。例如，某腔室閥(例如腔室閥37)的開閉的檢測訊號是經由光耦合器80C作為CV感測器DI訊號來往MC401傳送。同樣，有關其他的CV感測器49，59，69也是腔室閥47，57，67的開閉的檢測訊號分別作為CV感測器DI訊號(在圖12是作為「其他的CV感測器DI」總括圖示)經由光耦合器80C來往MC401傳送。在此，以I/O板415的同時開放計數器441接受來自各CV感測器39，49，59，69的CV感測器DI訊號的一部分，藉由比較參照，可檢測出2個以上的腔室閥37，47，57，67的同時開放。同時開放計數器441是當2個以上的腔室閥37，47，57，67同時被開放時，計數其次數。另外，在同時開放計數器441是不必針對腔室閥37，47，57，67的所有組合監視同時開放，例如只要像腔室閥47及腔室閥57那樣，選擇任意的2個以上來監視同時開放即可。
同時開放計數器441是例如4位元的計數器，構成可計數0~15的值。如圖12所示般，同時開放計數器441之同時開放的監視是依據來自MC401的開始(START)/停止(STOP)指令來開始/停止，依據重置(RESET)指令來歸零清除。同時開放計數器441之腔室閥37，47，57，67的同時開放的監視結果是作為16位元的AI訊號來往上位的控 制部的MC401傳送。另外，在同時開放計數器441中，亦可按每個腔室閥37，47，57，67準備計數值的AI訊號，或按每某位元隔開複數個腔室閥37，47，57，67的計數值，藉此依據1個的AI訊號來往MC401傳達。在MC401側是可隨時參照同時開放計數器441的計數值。
在本實施形態的成膜裝置中，例如可配合1片的晶圓W的處理的開始/終了來使同時開放計數器441的計數START/STOP，且預先設定的每複數個晶圓W的處理之間亦可繼續計數。或，亦可以1片的晶圓W的處理之中的ALD循環單位或ALD的步驟單位來使同時開放計數器441的計數START/STOP，此情況可在對1片的晶圓W之處理的實行中檢測出異常。
(判定)
根據同時開放計數器441之腔室閥37，47，57，67的同時開放的監視結果的判定是可藉由MC401的軟體(處方)來進行。此情況，例如當讀取的計數值不是0(零)時可判斷成「異常」。在腔室閥37，47，57，67的任2個以上檢測出同時開放的異常時，例如可進行在使用者介面501的顯示器顯示其意旨，或MC401對終端裝置201送出中止成膜裝置100的ALD製程的控制訊號等的處理。另外，根據同時開放的監視結果的判定是亦可預先藉由實驗來求取不影響製程結果的程度的同時開放計數值，藉由比較根據該值而設定的臨界值與同時開放計數器441的計 數值來進行。此情況，使用於判定的臨界值是亦可考慮藉由腔室閥37，47，57，67所控制供給的氣體種類的組合來設定成不同的值。如此，本實施形態是藉由在I/O板415設置同時開放計數器441，可檢測出2個以上的腔室閥37，47，57，67同時進行未預定的開放動作的異常。
在此，將本實施形態的腔室閥37，47，57，67的動作狀態的判定方法的程序的一例顯示於圖13。在圖13中，首先，在步驟S21中，MC401會取得藉由同時開放計數器441所計數的同時開放計數值。其次，在步驟S22中，MC401會判定在步驟S21所取得的同時開放計數值是否為0(零)。在此，當腔室閥37，47，57，67之中2個以上的同時開放即使產生1次時，也被判定成不是0(零)(Yes)。此步驟S22的判定是藉由具有作為判定手段的機能之MC401來進行。
在步驟S22，當同時開放計數值被判定成不是0(零)(Yes)時，在其次步驟S23中，MC401會送出控制訊號，例如使ALD製程中止。另外，在步驟S23中，亦可實施不立即使ALD製程停止，例如在使用者介面501的顯示器進行警告顯示等的其他處理。
另一方面，在步驟S22被判定成同時開放計數值為0(零)(No)時，再度回到步驟S21。然後，可至例如對1片的晶圓W的成膜處理終了或在步驟S22被判定成同時開放計數值不是0(零)為止重複圖13的程序。
本實施形態的成膜裝置的其他的構成及效果是與第1 實施形態同樣。
[第4實施形態]
其次，參照圖14~圖17來說明有關本發明的第4實施形態的成膜裝置。在本實施形態中，如圖14所示般，在屬於比MC401更下位的控制單元的I/O板415設置2種類的計時器部。第一個的計時器部是作為計測來自各螺線管37a，47a，57a，67a的驅動DO訊號的反餽DI訊號的時間性長度的第1計時器部之DO計時器451。第二個的計時器部是作為計測來自各CV感測器39，49，59，69的DI訊號的時間性長度的第2計時器部之DI計時器453。在本實施形態的成膜裝置中，上述2個計時器部以外的構成是與第1實施形態的成膜裝置100同樣，因此在以下的說明是以相異點為中心進行說明。
圖15A是摘錄本實施形態的腔室閥的開閉的控制系統及CV感測器的控制系統來顯示者。圖15B是表示DO計時器451及DI計時器453的計測原理的時序圖。在圖15B也顯示腔室閥的開閉的時序與在CV感測器所檢測出的開閉的檢測訊號的關係。在此是代表性舉腔室閥37及CV感測器39為例進行說明。
在成膜裝置進行ALD製程的期間，為了驅動腔室閥37，而來自MC401的數位．輸出資訊之CV螺線管DO訊號是經由光耦合器80A來傳達至腔室閥37的螺線管37a。同時，此驅動訊號是經由光耦合器80B來往MC401作 為數位．輸入資訊DI反餽。在I/O板415上的DO計時器451接受此反餽DI訊號的一部分，計測其長度(時間)。
另一方面，在成膜裝置100進行ALD製程的期間，CV感測器39是將閥開閉的檢測訊號之CV感測器DI訊號予以經由光耦合器80C來往MC401作為數位．輸入資訊DI傳送。在I/O板415上的DI計時器453接受此CV感測器DI訊號的一部分，計測其長度(時間)。
在圖15B的時序圖中，是以△t來表示控制腔室閥37的驅動之軟體的DO驅動時序。此軟體的DO驅動時序△t是相當於在軟體上所被設定的腔室閥37的開放時間。並且，在圖15B中，CV螺線管DO訊號(與反餽DI訊號同波形)的矩形部分的上升是意思將腔室閥37開放的指令訊號，下降是意思將腔室閥37關閉的指令訊號。因此，從CV螺線管DO訊號的矩形部分的上升到下降的期間是相當於藉由根據處方的MC401的指令來開放腔室閥37的時間(指令開放時間)。在圖15B中，是以記號△tc(△tc1，△tc2，△tc3，△tc4，．.．)來表示從此CV螺線管DO訊號的矩形部分的上升到下降的期間的指令開放時間。
同樣，CV感測器DI訊號的矩形部分的上升是意思檢測出腔室閥37被物理性開放的訊號，下降是意思檢測出腔室閥37被物理性關閉的訊號。因此，從CV感測器DI訊號的矩形部分的上升到下降的期間是相當於腔室閥37被開放的時間(檢出開放時間)。在圖15B中，是以記號△td(△td1，△td2，△td3，△td4，．.．)來表示從此CV感測 器DI訊號的矩形部分的上升到下降的期間的檢出開放時間。
另外，在圖15B中，以虛線的箭號來表示CV螺線管DO訊號的下降的時序與在DO計時器451所計測的指令開放時間△tc(△tc1，△tc2，△tc3，△tc4，．．．)的始點的對應關係。並且，在圖15B中，以虛線的箭號來表示CV感測器DI訊號的下降的時序與在DI計時器453所計測的檢出開放時間△td(△td1，△td2，△td3，△td4，．．．)的始點與對應關係。
DO計時器451及DI計時器453皆是16位元的計時器，如圖15B所示般，依據來自MC401的START/STOP指令來計測開始/停止。DO計時器451及DI計時器453的取樣時脈是例如可設為0.1ms。在DO計時器451及DI計時器453所取得的計測時間值是作為16位元的資料來往MC401傳送。並且，亦可作為附加的機能，在DO計時器451及DI計時器453設置記憶部，求取指令開放時間△tc及/或檢出開放時間△td的值的最大值及/或最小值來往MC401傳送。此情況，該等的值是如圖15B所示般，依據來自MC401的START/STOP指令來開始/停止記憶，依據RESET指令來歸零清除。在本實施形態的成膜裝置100中，例如亦可配合1片的晶圓W的處理的開始/終了來求取指令開放時間△tc及/或檢出開放時間△td的值的最大值或最小值，或求取預先設定的每複數的晶圓W的處理之間的該等的值。並且，在本實施形態中，當腔室 閥37的開閉間隔為一定時可有效地判定正常/異常，因此特別是在ALD製程之中以同時間間隔重複腔室閥37的開閉的工程為對象來檢測出指令開放時間△tc及/或檢出開放時間△td為理想。
(判定方法)
根據DO計時器451及/或DI計時器453之腔室閥37的動作狀態的判定是例如可事先測定正常動作時的指令開放時間△tc及/或檢出開放時間△td的值，分別將實際動作時所被觀測的值與正常動作時的值作比較，藉此進行。然後，若實際動作時的指令開放時間△tc及/或檢出開放時間△td的值與正常動作時的指令開放時間△tc及/或檢出開放時間△td的值大不同，則例如可判定成有可能控制腔室閥37的動作之軟體不完備或軟體的任務優先順序不完備、包含螺線管37a的腔室閥37劣化、CV感測器39位置偏移、調整偏差等。此情況，亦可將實際動作時所被觀測的指令開放時間△tc及/或檢出開放時間△td的值與預先被設定的臨界值作比較。而且，亦可將實際動作時被觀測的指令開放時間△tc及/或檢出開放時間△td的值的最大值及/或最小值與預先被設定的最大值或最小值的臨界值作比較。並且，根據DO計時器451及/或DI計時器453之腔室閥37的動作狀態的判定是例如亦可利用軟體的DO驅動時序△t、及所被觀測的CV螺線管DO的指令開放時間△tc、及所被觀測的CV感測器DI的檢出開放時 間△td之3個的值中2個以上來進行。例如，若軟體的DO驅動時序△t與指令開放時間△tc的值大不同，則可推測存在(1)控制軟體的時間精度及/或(2)I/O板415內的訊號延遲等的問題。又，若指令開放時間△tc與檢出開放時間△td的值大不同，則可推測存在(3)螺線管37a與腔室閥37的機械性動作的協調慢及/或(4)CV感測器39的調整偏差等的問題。在上述軟體的DO驅動時序△t與指令開放時間△tc的比較或指令開放時間△tc與檢出開放時間△td的比較中，亦可將該等的差分與預先被設定的臨界值作比較。
以上的判定是可藉由MC401的軟體(處方)來進行。當上述軟體或腔室閥37的狀態不佳被檢測出時，MC401會送出控制訊號，例如可進行中止成膜裝置100的ALD製程等的處理。MC401之來自DO計時器451的指令開放時間△tc的讀取及來自DI計時器453的檢出開放時間△td的讀取是在計時器的計測中也可進行，可即時監視上述軟體或腔室閥37的動作狀態。並且，在16位元的DO計時器451及DI計時器453是可將上述指令開放時間△tc及/或檢出開放時間△td分別計測至0.1ms×216=6.5秒。
在此，將本實施形態的腔室閥37的動作狀態的判定方法的程序的一例顯示於圖16A，16B。在圖16A中，首先，在步驟S31中，MC401會取得DI計時器453的檢出開放時間△td。其次，在步驟S32中，藉由MC401來判定 檢出開放時間△td是否為預先被設定的範圍外。此步驟S32之與設定範圍的比較是藉由具有作為判定手段的機能之MC401來進行。並且，在步驟S32所使用的設定範圍是可根據正常動作時的檢出開放時間△td的變動幅度來設定，例如可根據正常動作時的檢出開放時間△td的最小值及最大值來設定。此設定範圍是例如可使用被保存於MC401的非揮發性記憶體部407者。
在步驟S32，當檢出開放時間△td被判定成設定範圍外(Yes)時，腔室閥37的開放時間不是一定，形成過長或相反過短，對於在成膜裝置100進行的成膜製程造成不良影響的可能性高。因此，在步驟S32，當檢出開放時間△td被判定成設定範圍外(Yes)時，在其次步驟S33中，MC401會送出控制訊號，例如可使ALD製程中止。另外，在步驟S33中，亦可實施不立即使ALD製程停止，例如在使用者介面501的顯示器進行警告顯示等的其他處理。
另一方面，在步驟S32被判定成檢出開放時間△td不是設定範圍外(No)時，再度回到步驟S31。然後，可至例如對1片的晶圓W的成膜處理終了或在步驟S32被判定成檢出開放時間△td為設定範圍外(Yes)為止重複圖16A的程序。
圖16A所示的程序是舉將DI計時器453的檢出開放時間△td與設定範圍(包含所定的最小臨界值及最大臨界值的範圍)作比較時為例，但有關DO計時器451的指令 開放時間△tc也可同樣的判定。並且，亦可根據指令開放時間△tc及檢出開放時間△td的雙方來進行判定。例如，亦可求取指令開放時間△tc及檢出開放時間△td的雙方，藉由比較兩者的值來進行判定。
其次，一邊參照圖16B，一邊說明以控制腔室閥37的驅動的軟體的DO驅動時序△t及DO計時器451的指令開放時間△tc作為指標的判定方法的程序的一例。首先，在步驟S41中，MC401會取得藉由軟體所設定的DO驅動時序△t。其次，在步驟S42中，MC401會取得DO計時器451的指令開放時間△tc。其次，在步驟S43中，運算DO驅動時序△t與指令開放時間△tc的差分，判定其絶對值是否超過預先被設定的臨界值。此步驟S43之與臨界值的比較是藉由具有作為判定手段的機能之MC401來進行。並且，使用在步驟S43的臨界值是可根據正常動作時的DO驅動時序△t與指令開放時間△tc的差分來設定，例如可根據正常動作時的DO驅動時序△t與指令開放時間△tc的差分的最大值來設定。此臨界值是可使用例如被保存於MC401的非揮發性記憶體部407者。
在步驟S43，被判定成DO驅動時序△t與指令開放時間△tc的差分的絶對值超過臨界值(Yes)時，有可能發生有關上述(1)控制軟體的時間精度，(2)I/O板415內的訊號的延遲等的軟體的狀態不佳。例如，在MC401中，因為是進行藉由複數的軟體來同時實行任務的多任務處理，所以一旦任務處理的優先順序的設定不適當，則用以使腔 室閥37高速開閉的控制訊號的CV螺線管DO趕不上處方所定的開閉時序等的狀態不佳發生的可能性高。若放置如此的軟體上的問題不管，則有可能在腔室閥37的現實的開閉動作產生延遲，難以實現可靠度高的ALD製程。因此，在步驟S43，被判定成DO驅動時序△t與指令開放時間△tc的差分的絶對值超過臨界值(Yes)時，在其次步驟S44中，MC401會送出控制訊號，例如可使ALD製程中止。另外，在步驟S44中，亦可實施不立即使ALD製程停止，例如在使用者介面501的顯示器進行警告顯示等的其他處理。
另一方面，在步驟S43被判定成DO驅動時序△t與指令開放時間△tc的差分的絶對值未超過臨界值(No)時，再度回到步驟S41。然後，可至例如對1片的晶圓W的成膜處理終了或在步驟S43被判定成DO驅動時序△t與指令開放時間△tc的差分的絶對值超過臨界值(Yes)為止重複圖16B的程序。
如以上般，在本實施形態的成膜裝置100中，因為是以腔室閥37的指令開放時間△tc及/或檢出開放時間△td的值作為監視對象，所以在腔室閥37故障而不能開閉之前，不僅可在預兆的階段檢測出狀態不佳，且有關位於控制系統的上位的MC401的軟體的不完備等所造成的動作指令的異常也可早期地檢測出。並且，為了以高速重複開閉的腔室閥37的指令開放時間△tc及/或檢出開放時間△td作為監視對象，本實施形態是在控制MC401與終端裝 置201之間的輸出入訊號的下位的控制單元的I/O板415設置DO計時器451及DI計時器453。藉此，可抑制與MC401之間的通訊資料量，正確地求取腔室閥37的開放時間。
以上，舉腔室閥37為例進行說明，但有關腔室閥47，57，67的開閉動作也可利用DO計時器451及/或DI計時器453來同樣的判定。
若根據本實施形態，則可根據藉由DO計時器451及/或DI計時器453所計測的指令開放時間△tc及/或檢出開放時間△td來檢測出腔室閥37，47，57，67的動作狀態。藉由利用指令開放時間△tc及/或檢出開放時間△td，可掌握作為腔室閥37，47，57，67的開閉次數未出現的異常的徵候(零件的劣化等)或軟體的異常等，因此可防範於未然迴避關聯於腔室閥37，47，57，67的開閉動作之狀態不佳的發生。
本實施形態的成膜裝置的其他的構成及效果是與第1實施形態同樣。
<變形例>
其次，參照圖17來說明有關第4實施形態的變形例。本變形例是在I/O板415中進行腔室閥37，47，57，67的動作狀態的判定或軟體的不完備所造成動作指令的異常的判定。亦即，本變形例是如圖17所示般，將使用在上述判定的臨界值設定於比MC401更下位的控制部的 I/O板415內。在此，可在DO計時器451設定第1臨界值，在DI計時器453設定第2臨界值。另外，第1臨界值與第2臨界值是可為同值或異值。然後，對DO計時器451及/或DI計時器453輸入在I/O板415內所被設定的上述第1臨界值及/或第2臨界值(包含設定範圍)，在DO計時器451及/或DI計時器453中進行根據上述那樣的程序(例如圖16A)之判定。在DO計時器451及/或DI計時器453的判定結果是作為判定結果的DI資訊來往MC401送出，必要時，例如可採取ALD製程的中止等的必要的措施。藉由如此在相對於MC401為下位的控制部的I/O板415進行腔室閥37，47，57，67的動作狀態的判定或軟體的不完備所造成動作指令的異常的判定，可實現MC401與I/O板415之間的通訊資料量的更抑制或伴隨MC401內的判定之軟體的負荷的減輕。
以上，敘述本發明的實施形態，但本發明並非限於上述實施形態，亦可實施各種變形。例如，本發明並非限於半導體晶圓，例如亦可適用在處理液晶顯示裝置、有機EL顯示器、薄膜太陽電池面板等所使用的大型的玻璃基板等的處理裝置。
37a，47a，57a，67a‧‧‧螺線管
39，49，59，69‧‧‧CV感測器
201‧‧‧終端裝置
300‧‧‧控制部
301‧‧‧EC
303‧‧‧CPU(中央運算裝置)
305‧‧‧RAM
307‧‧‧硬碟裝置
401‧‧‧MC(模組控制器)
411‧‧‧網路
413‧‧‧I/O模組
415‧‧‧I/O板
421‧‧‧DO開閉計數器
423‧‧‧DI開閉計數器
501‧‧‧使用者介面
503‧‧‧系統內LAN
505‧‧‧交換式集線器
601‧‧‧LAN
603‧‧‧主電腦
圖1是表示第1實施形態的成膜裝置的概略構成的說明圖。
圖2是表示包含第1實施形態的成膜裝置的基板處理 系統的控制系統的概略構成的說明圖。
圖3是表示模組控制器的概略構成的說明圖。
圖4A是摘錄包含第1實施形態的腔室閥開閉計數器的控制系統而顯示的說明圖。
圖4B是說明第1實施形態的DO開閉計數器及DI開閉計數器的計數原理的時序圖。
圖5是表示第1實施形態的閥動作的確認方法的程序的一例的流程圖。
圖6是表示包含第2實施形態的成膜裝置的基板處理系統的控制系統的概略構成的說明圖。
圖7A是摘錄包含第2實施形態的腔室閥開閉的延遲時間計數器的控制系統而顯示的說明圖。
圖7B是說明第2實施形態的延遲時間計數器的計數原理的時序圖。
圖8是表示第2實施形態的閥動作的確認方法的程序的一例的流程圖。
圖9是摘錄第2實施形態的變形例的腔室閥的強制CLOSE的控制系統而顯示的說明圖。
圖10是說明第2實施形態的變形例的腔室閥的強制CLOSE的時序圖。
圖11是表示包含第3實施形態的成膜裝置的基板處理系統的控制系統的概略構成的說明圖。
圖12是摘錄包含第3實施形態的腔室閥的同時開放計數器的控制系統而顯示的說明圖。
圖13是表示第3實施形態的閥動作的確認方法的程序的一例的流程圖。
圖14是表示包含第4實施形態的成膜裝置的基板處理系統的控制系統的概略構成的說明圖。
圖15A是摘錄包含第4實施形態的腔室閥的開放時間的計時器的控制系統而顯示的說明圖。
圖15B是說明第4實施形態的腔室閥的開放時間的計時器的計測原理的時序圖。
圖16A是表示第4實施形態的閥動作的確認方法的程序的一例的流程圖。
圖16B是表示第4實施形態的閥動作的確認方法的程序的別的例的流程圖。
圖17是摘錄包含第4實施形態的變形例的腔室閥的開放時間的計時器的控制系統而顯示的說明圖。
37a，47a‧‧‧螺線管
39，49‧‧‧CV感測器
201‧‧‧終端裝置
300‧‧‧控制部
301‧‧‧EC
303‧‧‧CPU(中央運算裝置)
305‧‧‧RAM
307‧‧‧硬碟裝置
401‧‧‧MC(模組控制器)
411‧‧‧網路
413‧‧‧I/O模組
415‧‧‧I/O板
421‧‧‧DO開閉計數器
423‧‧‧DI開閉計數器
501‧‧‧使用者介面
503‧‧‧系統內LAN
505‧‧‧交換式集線器
507‧‧‧記憶媒體
601‧‧‧LAN
603‧‧‧主電腦

Claims (30)

  1. 一種處理裝置，係具備：處理容器，其係收容被處理體；氣體供給路，其係對應於被供給至上述處理容器內的處理氣體的種類來設於複數系統；複數的閥，其係分別配設於上述複數系統的氣體供給路，進行上述氣體供給路的開閉；閥驅動部，其係分別獨立電性驅動上述複數的閥；感測器部，其係分別獨立監視上述閥的開閉動作；及控制部，其係根據上述閥驅動部的開閉動作的訊號及/或來自上述感測器部的上述閥的開閉的檢測訊號，判定上述閥的動作狀態。
  2. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中，更具備：第1計數器部，其係取得給上述閥驅動部之開閉動作的指令訊號，計數開閉次數；及第2計數器部，其係從上述感測器部取得上述閥的開閉的檢測訊號，計數開閉次數，上述控制部係參照上述第1計數器部的計數值及上述第2計數器部的計數值來判定上述閥的動作狀態。
  3. 如申請專利範圍第2項之處理裝置，其中，上述控制部係當上述第1計數器部的計數值與上述第2計數器部的計數值一致時判定為正常，不一致時判定為閥異常。
  4. 如申請專利範圍第2項之處理裝置，其中，上述控 制部係當上述第1計數器部的計數值與上述第2計數器部的計數值一致時判定為正常，不一致且該不一致的次數超過所定的臨界值時判定為閥異常。
  5. 如申請專利範圍第2~4項中的任一項所記載之處理裝置，其中，上述第1計數器部及上述第2計數器部係與上述控制部可連接訊號的傳送接收，接受其控制，且設在控制上述控制部與終端裝置之間的輸出入訊號的下位的控制單元。
  6. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中，更具備第3計數器部，其係計數上述閥驅動部的開閉動作的訊號與來自上述感測器部的閥的開閉的檢測訊號的時間差，上述控制部係參照上述第3計數器部的計數值來判定上述閥的動作狀態。
  7. 如申請專利範圍第6項之處理裝置，其中，上述第3計數器部的上述計數值為來自上述閥驅動部的開放動作的訊號與來自上述感測器部的閥開放的檢測訊號的時間差的計數值。
  8. 如申請專利範圍第6項之處理裝置，其中，上述第3計數器部的上述計數值為來自上述閥驅動部的閉動作的訊號與來自上述感測器部的閥閉的檢測訊號的時間差的計數值。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之處理裝置，其中，上述控制部係參照上述第3計數器部的上述計數值的最大值或最小值來進行判定。
  10. 如申請專利範圍第6~8項中的任一項所記載之處理裝置，其中，上述第3計數器部係與上述控制部可連接訊號的傳送接收，接受其控制，且設在控制上述控制部與終端裝置之間的輸出入訊號的下位的控制單元。
  11. 如申請專利範圍第10項之處理裝置，其中，上述下位的控制單元係當複數的閥之中一個閥的上述計數值超過臨界值時，使上述複數的閥之中1個以上形成閉狀態。
  12. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中，更具備第4計數器部，其係從上述感測器部分別取得上述複數的閥的開閉的檢測訊號，檢測出2個以上的閥的同時開放，計數其次數，上述控制部係參照上述第4計數器部的計數值來判定上述閥的動作狀態。
  13. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中，更具備第1計時器部，其係取得給上述閥驅動部之開閉動作的指令訊號，計測開放時間的長度，上述控制部係參照上述第1計時器部的計測時間來判定給上述閥之動作的指令狀態。
  14. 如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中，更具備第2計時器部，其係從上述感測器部取得上述閥的開閉的檢測訊號，計測開放時間的長度，上述控制部係參照上述第2計時器部的計測時間來判定上述閥的動作狀態。
  15. 如申請專利範圍第1~4，6~8，12~14項中的任一 項所記載之處理裝置，其中，為對被處理體交替供給複數的種類的氣體來進行成膜的ALD(Atomic Layer Deposition)裝置。
  16. 一種閥動作確認方法，係於處理裝置中判定上述複數的閥的動作狀態之閥動作確認方法，該處理裝置係具備：處理容器，其係收容被處理體；氣體供給路，其係對應於被供給至上述處理容器內的處理氣體的種類來設於複數系統；複數的閥，其係分別配設於上述複數系統的氣體供給路，進行上述氣體供給路的開閉；閥驅動部，其係分別獨立電性驅動上述複數的閥；感測器部，其係分別獨立監視上述閥的開閉動作；及控制部，其係判定上述閥的動作狀態，其特徵為：上述控制部係根據給上述閥驅動部之開閉動作的指令訊號及/或來自上述感測器部的上述閥的開閉的檢測訊號，判定上述閥的動作狀態。
  17. 如申請專利範圍第16項之閥動作確認方法，其中，包含：取得給上述閥驅動部之開閉動作的指令訊號，計數其開閉次數來取得第1計數值之步驟；從上述感測器部取得上述閥的開閉的檢測訊號，計數其開閉次數來取得第2計數值之步驟；及 根據上述第1計數值及上述第2計數值，判定上述閥的動作狀態之步驟。
  18. 如申請專利範圍第17項之閥動作確認方法，其中，當上述第1計數值與上述第2計數值一致時判定為正常，不一致時判定為閥異常。
  19. 如申請專利範圍第17項之閥動作確認方法，其中，當上述第1計數值與上述第2計數值為一致時判定為正常，不一致且該不一致的次數超過所定的臨界值時判定為閥異常。
  20. 如申請專利範圍第17~19項中的任一項所記載之閥動作確認方法，其中，上述第1計數值及上述第2計數值係藉由下位的控制單元所生成者，該下位的控制單元係與上述控制部可連接訊號的傳送接收，接受其控制，且控制上述控制部與終端裝置之間的輸出入訊號。
  21. 如申請專利範圍第16項之閥動作確認方法，其中，包含：計數上述閥驅動部的開閉動作的訊號與來自上述感測器部的閥的開閉的檢測訊號的時間差，而取得第3計數值之步驟；及參照上述第3計數值來判定上述閥的動作狀態之步驟。
  22. 如申請專利範圍第21項之閥動作確認方法，其中，上述第3計數值為給上述閥驅動部之開放動作的指令訊號與來自上述感測器部的閥開放的檢測訊號的時間差的計 數值。
  23. 如申請專利範圍第21項之閥動作確認方法，其中，上述第3計數值為給上述閥驅動部之閉動作的指令訊號與來自上述感測器部的閥閉的檢測訊號的時間差。
  24. 如申請專利範圍第22或23項之閥動作確認方法，其中，上述控制部係參照上述第3計數值的最大值或最小值來進行判定。
  25. 如申請專利範圍第21~23項中的任一項所記載之閥動作確認方法，其中，上述第3計數值係藉由下位的控制單元所生成者，該下位的控制單元係與上述控制部可連接訊號的傳送接收，接受其控制，且控制上述控制部與終端裝置之間的輸出入訊號。
  26. 如申請專利範圍第25項之閥動作確認方法，其中，上述下位的控制單元係當複數的閥之中一個閥的上述第3計數值超過臨界值時，使上述複數的閥之中1個以上形成閉狀態。
  27. 如申請專利範圍第16項之閥動作確認方法，其中，包含：從上述感測器部來分別取得上述複數的閥的開閉的檢測訊號，藉此檢測出2個以上的閥的同時開放，計數其次數而取得第4計數值之步驟；及參照上述第4計數值來判定上述閥的動作狀態之步驟。
  28. 如申請專利範圍第16項之閥動作確認方法，其中 ，包含：取得給上述閥驅動部之開閉動作的指令訊號，計測其開放時間的長度而取得第1計測時間之步驟；及根據上述第1計測時間，判定給上述閥之動作的指令狀態之步驟。
  29. 如申請專利範圍第16項之閥動作確認方法，其中，包含：從上述感測器部取得上述閥的開閉的檢測訊號，計測其開放時間的長度而取得第2計測時間之步驟；及根據上述第2計測時間，判定上述閥的動作狀態之步驟。
  30. 如申請專利範圍第16~19，21~23，27~29項中的任一項所記載之閥動作確認方法，其中，為對被處理體交替供給複數的種類的氣體來進行成膜的ALD(Atomic Layer Deposition)製程中所被實行者。
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